WO2016175014A1

WO2016175014A1 - デバイス層製造方法、分離装置、積層体が巻き取られた巻回体、積層体、及び分離方法

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Publication number: WO2016175014A1
Application number: PCT/JP2016/061551
Authority: WO
Inventors: 隆佳二連木; 直樹大田
Original assignee: 大日本印刷株式会社
Priority date: 2015-04-28
Filing date: 2016-04-08
Publication date: 2016-11-03
Also published as: TW201709268A; JP2017034225A

Abstract

はじめに、支持基材と、支持基材に積層され、少なくとも絶縁層および導電層を含むデバイス層と、支持基材とデバイス層との間に配置された剥離層と、を備える積層体を準備する。次に、積層体の剥離層の端部に流体を接触させることにより、剥離層を溶解させて、デバイス層を支持基材から分離する。

Description

デバイス層製造方法、分離装置、積層体が巻き取られた巻回体、積層体、及び分離方法

　本発明の実施形態は、積層体のデバイス層を支持基材から分離させてデバイス層を得るデバイス層製造方法に関する。また本発明の実施形態は、積層体のデバイス層を支持基材から分離させる分離装置に関する。また本発明の実施形態は、デバイス層および支持基材を備える積層体が巻き取られた巻回体に関する。また本発明の実施形態は、デバイス層および支持基材を備える積層体に関する。また本発明の実施形態は、積層体の分離方法に関する。

　従来、半導体集積回路などのデバイスを製造する方法の一工程として、はじめに、支持基材を準備し、次に、デバイスを構成するためのデバイス層を支持基材上に形成し、その後、デバイス層を支持基材から分離させる工程が知られている。例えば特許文献１においては、デバイス層と支持基材との間に、シリコンを主成分とする剥離層を配置し、フッ化ハロゲンなどを用いて剥離層を溶解させることにより、デバイス層を支持基材から分離させる方法が提案されている。その他にも、例えば特許文献２においては、剥離層上に成膜された機能性膜を含む被剥離層の表面に水を接触させることにより、被剥離層と支持基板との間の接着強度を低下させて、被剥離層を支持基板から剥離させる方法が提案されている。

特開平８－２５４６８６号公報特開２００９－２２４７４０号公報

　上述の特許文献１においては、剥離層を溶解させるための具体的な方法として、三フッ化塩素と窒素との混合ガスの気流中に、支持基材、剥離層およびデバイス層を備える積層体を放置するという方法が開示されている。この場合、積層体の中央付近に位置する剥離層にまで混合ガスが到達し、剥離層が溶解するまでには、多大な時間を要する。すなわち、デバイス層を支持基材から分離する分離工程に要する時間が長くなり、このため、デバイスの製造効率が低くなると考えられる。

　分離工程に要する時間を短くするための方法として、剥離層を溶解させるための流体が積層体の全域に行き渡るよりも前に、デバイス層に力を加えてデバイス層を剥離層または支持基材から剥離させることも考えられる。しかしながら、特許文献１のように単に積層体を混合ガスの気流中に放置する場合、剥離層の溶解が進行する位置や経路が定まり難いと考えられる。このため、デバイス層に力を加えてデバイス層を剥離層または支持基材から剥離させる際の剥離の開始位置を決定する工程や、開始位置に剥離の起点を形成する工程が煩雑なものとなると考えられる。

　また特許文献２においては、被剥離層の表面に接触された水が被剥離層を透過して剥離層に到達することにより、水と接触した剥離層が水を取り込んで水溶液化し、被剥離層と支持基板との間の接着強度が低下する。このため被剥離層は、表面に接触した水が被剥離層を透過して剥離層に到達することができるよう構成される必要があり、被剥離層の構造や材料の制約が大きくなる。

　本発明の実施形態は、このような点を考慮してなされたものであり、様々なデバイス層を支持基材から効率良く分離してデバイス層を得ることができるデバイス層製造方法を提供することを目的とする。また本発明の実施形態は、デバイス層製造方法に適した分離装置、分離方法、積層体、および積層体の巻回体を提供することを目的とする。

　本発明の一実施形態は、支持基材と、前記支持基材に積層され、少なくとも絶縁層および導電層を含むデバイス層と、前記支持基材と前記デバイス層との間に配置された剥離層と、を備える積層体を準備する、準備工程と、前記積層体の前記剥離層の端部に流体を接触させることにより、前記剥離層を溶解させて、前記デバイス層を前記支持基材から分離する分離工程と、を備える、デバイス層製造方法である。

　本発明の一実施形態によるデバイス層製造方法において、前記支持基材は、可撓性を有し、前記分離工程は、前記積層体を搬送しながら、搬送方向における前記積層体の前記剥離層の先端部に流体を接触させることにより、前記剥離層を溶解させて、前記デバイス層を前記支持基材から分離してもよい。

　本発明の一実施形態によるデバイス層製造方法において、前記流体は、前記液体を含み、前記分離工程において、前記流体は、前記搬送方向における前記積層体の前記剥離層の前記先端部よりも上方から、前記剥離層の前記先端部へ供給されてもよい。

　本発明の一実施形態によるデバイス層製造方法において、前記剥離層は、金属または金属酸化物を含んでいてもよい。

　本発明の一実施形態によるデバイス層製造方法において、前記積層体は、前記剥離層の一対の端部を覆う保護層をさらに有していてもよい。

　本発明の一実施形態によるデバイス層製造方法において、前記積層体は、前記剥離層の端部を覆う保護層をさらに有し、前記剥離層は、水成分に対する溶解性を有し、前記保護層は、水成分に対する溶解性を有さず、前記流体は、水または水蒸気を含んでいてもよい。

　本発明の一実施形態によるデバイス層製造方法において、前記積層体は、前記剥離層の端部を覆う保護層をさらに有し、前記剥離層は、水成分に対する溶解性を有する材料、及び、アルカリ金属又はアルカリ土類金属を含み、前記保護層は、水成分に対する溶解性を有さず、前記流体は、水または水蒸気を含んでいてもよい。

　本発明の一実施形態によるデバイス層製造方法において、前記支持基材は、第１基材と、前記第１基材に積層され、樹脂を含む第２基材と、を有していてもよい。

　本発明の一実施形態によるデバイス層製造方法において、前記支持基材は、樹脂を含む第１基材と、前記第１基材と前記剥離層との間に配置に積層され、前記第１基材よりも低い水蒸気透過率を有する第２基材と、を有していてもよい。

　本発明の一実施形態によるデバイス層製造方法において、前記支持基材は、第１基材と、前記第１基材の端部の位置よりも外側へ広がる突出部と、を有していてもよい。この場合、前記剥離層の端部は、前記第１基材の前記端部よりも外側に位置し、前記デバイス層の端部は、前記剥離層の前記端部よりも外側に位置していてもよい。

　本発明の一実施形態によるデバイス層製造方法において、前記準備工程は、前記支持基材を準備する工程と、前記支持基材上に前記剥離層を形成する剥離層形成工程と、前記剥離層上に前記デバイス層を形成するデバイス層形成工程と、を含み、前記デバイス層形成工程は、前記絶縁層を構成する絶縁性材料を含む塗布液を前記剥離層上に塗布する塗布工程を含んでいてもよい。

　本発明の一実施形態によるデバイス層製造方法において、前記デバイス層は、半導体チップが搭載されるパッケージ基板を構成するためのものであってもよい。この場合、前記デバイス層の前記絶縁層には、前記絶縁層の第１面から第２面に至る貫通孔が形成されており、前記デバイス層の前記導電層は、前記絶縁層の前記貫通孔の内部に位置する第１部分と、前記絶縁層の前記第１面上または前記第２面上に位置する第２部分と、を含んでいてもよい。

　本発明の一実施形態によるデバイス層製造方法において、前記デバイス層は、トランジスタ素子を含んでいてもよい。

　本発明の一実施形態は、積層体を分離する分離装置であって、前記積層体は、可撓性を有する支持基材と、前記支持基材に積層され、少なくとも絶縁層および導電層を含むデバイス層と、前記支持基材と前記デバイス層との間に配置された剥離層と、を備え、前記分離装置は、前記積層体を搬送しながら、搬送方向における前記積層体の前記剥離層の先端部に流体を接触させることにより、前記剥離層を溶解させて、前記デバイス層を前記支持基材から分離するよう構成されている、分離装置である。

　本発明の一実施形態は、積層体が巻き取られた巻回体であって、前記積層体は、可撓性を有する支持基材と、前記支持基材に積層され、少なくとも絶縁層および導電層を含むデバイス層と、前記支持基材と前記デバイス層との間に配置された剥離層と、を備え、前記剥離層は、金属または金属酸化物を含む、巻回体である。

　本発明の一実施形態による巻回体において、前記積層体は、前記積層体の巻取方向に沿って延びる前記剥離層の一対の側端部を覆う保護層をさらに有していてもよい。

　本発明の一実施形態は、積層体が巻き取られた巻回体であって、前記積層体は、可撓性を有する支持基材と、前記支持基材に積層された剥離層と、前記剥離層を保護する保護層と、を備える、巻回体である。前記保護層は、前記積層体の巻取方向に沿って延びる前記剥離層の一対の側端部を覆っていてもよい。また、前記積層体は、少なくとも絶縁層および導電層を含むデバイス層をさらに備え、前記剥離層および前記保護層は、前記支持基材と前記デバイス層との間に配置されていてもよい。また、前記剥離層が、水成分に対する溶解性を有するよう構成され、保護層が、水成分に対する溶解性を有さないよう構成されていてもよい。また、前記剥離層は、水成分に対する溶解性を有する材料、及び、アルカリ金属又はアルカリ土類金属を含むよう構成され、前記保護層は、水成分に対する溶解性を有さないよう構成されていてもよい。また積層体の前記剥離層は、第１剥離層と、前記支持基材と前記第１剥離層との間に配置された第１中間層と、を有していてもよい。また前記積層体の前記剥離層は、第１剥離層と、前記保護層と前記第１剥離層との間に配置された第２中間層と、を有していてもよい。

　本発明の一実施形態による巻回体において、前記剥離層は、アルコール成分に対する溶解性を有していてもよい。

　本発明の一実施形態による巻回体において、前記支持基材は、第１基材と、前記第１基材に積層され、樹脂を含む第２基材と、を有していてもよい。

　本発明の一実施形態による巻回体において、前記支持基材は、樹脂を含む第１基材と、前記第１基材と前記剥離層との間に配置に積層され、前記第１基材よりも低い水蒸気透過率を有する第２基材と、を有していてもよい。

　本発明の一実施形態による巻回体において、前記支持基材は、第１基材と、前記積層体の巻取方向に沿って延びる前記第１基材の一対の側端部の位置よりも外側へ広がる突出部と、を有していてもよい。この場合、前記巻取方向に沿って延びる前記剥離層の一対の側端部は、前記第１基材の前記一対の側端部よりも外側に位置し、前記巻取方向に沿って延びる前記デバイス層の一対の側端部は、前記剥離層の前記一対の側端部よりも側方に位置していてもよい。

　本発明の一実施形態は、積層体であって、前記積層体は、支持基材と、前記支持基材に積層され、少なくとも絶縁層および導電層を含むデバイス層と、前記支持基材と前記デバイス層との間に配置された剥離層と、を備え、前記剥離層は、金属または金属酸化物を含む、積層体である。

　本発明の一実施形態は、積層体であって、前記積層体は、支持基材と、前記支持基材に積層された剥離層と、前記剥離層を保護する保護層と、を備える、積層体である前記積層体は、前記支持基材に積層され、少なくとも絶縁層および導電層を含むデバイス層を備えていてもよい。また、前記保護層は、前記剥離層の端部を覆っていてもよい。また、前記剥離層は、水成分に対する溶解性を有するよう構成され、前記保護層は、水成分に対する溶解性を有さないよう構成されていてもよい。また、前記剥離層は、水成分に対する溶解性を有する材料、及び、アルカリ金属又はアルカリ土類金属を含むよう構成され、前記保護層は、水成分に対する溶解性を有さないよう構成されていてもよい。

　本発明の一実施形態において、前記第１基材は、ガラス、金属またはシリコンを含んでいてもよい。前記第１基材がガラスを含む場合、前記第１基材の厚みは３０μｍ以上且つ１５０μｍ以下である。前記第１基材が金属を含む場合、前記第１基材の厚みは３０μｍ以上且つ１００μｍ以下である。前記第１基材がシリコンを含む場合、前記第１基材の厚みは３０μｍ以上且つ１０００μｍ以下である。

　本発明の一実施形態は、積層体の分離方法であって、剥離層を介して積層された第１部材及び第２部材を含む積層体を準備する工程と、前記剥離層に流体を接触させることにより、前記剥離層を溶解させて、第１部材を第２部材から分離する分離工程と、を備える、分離方法である。

　本発明の実施形態によれば、デバイス層を支持基材から効率良く分離してデバイス層を得ることができる。

図１は、本発明の実施の形態によるデバイス層を用いて構成されるパッケージ基板を示す断面図。図２は、本発明の実施の形態による積層体を製造するための積層体製造装置を示す図。図３は、本発明の実施の形態による積層体を示す断面図。図４Ａは、デバイス層を形成するための一工程を示す図。図４Ｂは、デバイス層を形成するための一工程を示す図。図４Ｃは、デバイス層を形成するための一工程を示す図。図４Ｄは、デバイス層を形成するための一工程を示す図。図４Ｅは、デバイス層を形成するための一工程を示す図。図４Ｆは、デバイス層を形成するための一工程を示す図。図５は、本発明の実施の形態による積層体のデバイス層を支持基材から分離させるための分離装置を示す図。図６は、積層体のデバイス層を支持基材から分離させる分離工程を詳細に示す図。図７は、本発明の実施の形態の第１の変形例による積層体を示す断面図。図８は、本発明の実施の形態の第２の変形例による積層体を示す断面図。図９Ａは、本発明の実施の形態の第３の変形例による積層体を示す断面図。図９Ｂは、図９Ａに示す積層体の支持基材の突出部の一部を切断した状態を示す図。図１０は、溶解性の評価方法を説明するための図。図１１は、本発明の実施の形態の第６の変形例による積層体を示す断面図。図１２は、保護層のうち剥離層の側端部を覆う部分が除去された状態の積層体を示す断面図。図１３は、本発明の実施の形態の第６の変形例において、支持基材から分離されたデバイス層を示す図。図１４は、本発明の実施の形態の第７の変形例による積層体の一例を示す断面図。図１５は、本発明の実施の形態の第７の変形例による積層体の一例を示す断面図。図１６は、本発明の実施の形態の第７の変形例による積層体の一例を示す断面図。図１７は、本発明の実施の形態の第７の変形例による積層体の一例を示す断面図。図１８は、本発明の実施の形態の第９の変形例による積層体の一例を示す断面図。図１９は、保護層のうち剥離層の側端部を覆う部分が除去された状態の積層体を示す断面図。図２０は、本発明の実施の形態の第１０の変形例による積層体の一例を示す断面図。図２１は、デバイス層を支持基材１２から分離する工程の一例を示す図。図２２は、トランジスタ素子を含むデバイス層の一応用例を示す図。図２３は、本発明の実施の形態の第１１の変形例による積層体の一例を示す断面図。図２４は、本発明の実施の形態の第１２の変形例による積層体の一例を示す断面図。

　以下、図１乃至図６を参照して、本発明の実施の形態について説明する。なお、本明細書に添付する図面においては、図示と理解のしやすさの便宜上、適宜縮尺および縦横の寸法比等を、実物のそれらから変更し誇張してある。また本明細書において、「基板」、「基材」、「シート」や「フィルム」など用語は、呼称の違いのみに基づいて、互いから区別されるものではない。例えば、「基板」や「基材」は、シートやフィルムと呼ばれ得るような部材も含む概念である。さらに、本明細書において用いる、形状や幾何学的条件並びにそれらの程度を特定する、例えば、「平行」や「直交」等の用語や長さや角度の値等については、厳密な意味に縛られることなく、同様の機能を期待し得る程度の範囲を含めて解釈することとする。

　パッケージ基板
　まず図１を参照して、本実施の形態によるデバイス層２０を用いて構成されるデバイスについて説明する。本実施の形態においては、デバイスが、半導体チップが搭載されるパッケージ基板３８である例について説明する。なおパッケージ基板とは、集積回路を有する半導体チップと、パソコン用のマザーボードなどの配線基板との間に介在される基板のことであり、インターポーザとも称されるものである。半導体チップと配線基板との間にパッケージ基板を介在させることにより、半導体チップの端子のピッチと配線基板の電極のピッチとが異なる場合であっても、半導体チップの端子を配線基板の電極に電気的に適切に接続することができる。パッケージ基板のその他の機能や、パッケージ基板の詳細な構成については、例えば特開２０１３－２２２９４４号公報に開示されているので、説明や開示を省略する。ここでは、パッケージ基板３８のうち本実施の形態による後述する分離工程や分離装置５０に密接に関連する部分について、説明する。

　図１に示すように、パッケージ基板３８は、順に積層された第１層３１、第２層３２および第３層３３を有するデバイス層２０を備えている。デバイス層２０の第１層３１、第２層３２および第３層３３はそれぞれ、第１面２１ｘおよび第２面２１ｙを含む絶縁層２１と、導電層２３と、を含んでいる。第２面２１ｙは、後述する剥離層１４側に位置する面であり、第１面２１ｘは、第２面２１ｙの反対側に位置する面である。また絶縁層２１には、第１面２１ｘから第２面２１ｙに至る複数の貫通孔２２が形成されている。そして導電層２３は、絶縁層２１の貫通孔２２の内部に位置する第１部分２４と、絶縁層２１の第１面２１ｘ上または第２面２１ｙ上に位置する第２部分２５と、を含んでいる。このような絶縁層２１および導電層２３を備えた層３１，３２，３３を有するデバイス層２０を備えるパッケージ基板３８を介して半導体チップ３５をマザーボードなどの配線基板に搭載することにより、半導体チップ３５に取り付けられた端子３６のピッチが、配線基板の電極のピッチに比べて小さい場合であっても、半導体チップ３５を配線基板の電極に電気的に適切に接続することができる。図１に示すように、デバイス層２０の複数の層３１，３２，３３のうち半導体チップ３５から最も遠い第１層３１の導電層２３には、パッケージ基板３８を配線基板に実装するための端子２８が取り付けられていてもよい。

　絶縁層２１を構成する絶縁性材料としては、例えば、ポリイミド、ガラス含浸エポキシ樹脂などの樹脂を用いることができる。また導電層２３を構成する導電性材料としては、銅、銀、金、ニッケル、チタン、鉄などの金属またはそれらを含む合金を用いることができる。

　なお図１においては、半導体チップ３５の端子３６やパッケージ基板３８の端子２８が、半球状の電極、いわゆるバンプである例が示されているが、これに限られることはない。半導体チップ３５とパッケージ基板３８との間の電気的な接続、およびパッケージ基板３８と配線基板との間の電気的な接続を実現することができる限りにおいて、様々な形状や構成の端子３６および端子２８が採用され得る。

　また図１においては、デバイス層２０が３つの層３１，３２，３３を含む例が示されているが、デバイス層２０に含まれる層の数が特に限られることはない。例えば、図示はしないが、デバイス層２０は、４以上の層を含んでいてもよい。また、デバイス層２０に取り付けられる端子２８の数が特に限られることもない。例えばデバイス層２０には、２００個以上の端子２８が取り付けられていてもよい。

　デバイス層の製造方法
　次に、デバイス層２０を製造する方法について説明する。ここでは、支持基材１２上にデバイス層２０を形成して積層体１１を作製し、次に積層体１１のデバイス層２０を支持基材１２から分離させることによって、デバイス層２０を得る例について説明する。

　（積層体の製造方法）
　はじめに、デバイス層２０を含む積層体１１を製造する方法について説明する。図２は、積層体１１を製造するための積層体製造装置４０を示す図である。図２に示すように、積層体製造装置４０は、支持基材１２上に剥離層１４を形成する剥離層形成部４２と、剥離層１４上にデバイス層２０を形成するデバイス層形成部４４と、を備えている。

　積層体１１の製造工程においては、はじめに図２に示すように、可撓性を有する長尺状の支持基材１２が巻き取られた巻回体１２ｍを準備する。次に、巻回体１２ｍから支持基材１２を巻き出して、支持基材１２の長尺方向に沿って支持基材１２を搬送する。その後、支持基材１２を搬送しながら、剥離層形成部４２を用いて支持基材１２上に剥離層１４を形成する剥離層形成工程を実施する。次に、支持基材１２を搬送しながら、デバイス層形成部４４を用いて剥離層１４上にデバイス層２０を形成するデバイス層形成工程を実施する。このようにして、支持基材１２と、支持基材１２に積層されたデバイス層２０と、支持基材１２とデバイス層２０との間に配置された剥離層１４と、を備える積層体１１を製造することができる。図２に示すように、長尺状の積層体１１を巻き取って積層体１１の巻回体１０を作製してもよい。巻回体１０において、積層体１１が巻き取られる巻取方向は、積層体１１の長尺方向に一致している。

　図２においては、支持基材１２や積層体１１が搬送される搬送方向が符号Ｄ１で表されている。搬送方向Ｄ１は、長尺状の支持基材１２や積層体１１が延びる方向に平行である。以下の説明において、長尺状の支持基材１２や積層体１１が延びる方向のことを「長尺方向」とも称する。なお「長尺状」とは、支持基材１２や積層体１１が搬送される方向における支持基材１２や積層体１１の寸法が、支持基材１２や積層体１１が搬送される方向に直交する方向における支持基材１２や積層体１１の寸法の少なくとも５倍以上になっていることを意味している。

　また「可撓性」とは、室温例えば２５℃の環境下で支持基材１２を直径３０ｃｍのロール状の形態に巻き取った場合に、支持基材１２に折れ目が生じない程度の柔軟性を意味している。「折れ目」とは、支持基材１２を巻き取る方向に交差する方向において支持基材１２に現れる変形であって、変形を元に戻すように支持基材１２を逆向きに巻き取ったとしても元には戻らない程度の変形を意味している。

　図３は、積層体１１の長尺方向すなわち搬送方向Ｄ１に直交する、積層体１１の幅方向Ｄ２に沿って積層体１１を切断した場合を示す断面図である。

　本実施の形態において、支持基材１２は、ガラス、金属またはシリコンを含む第１基材１２ａを有している。第１基材１２ａを構成するガラスとしては、例えば、酸化珪素、無アルカリガラス、ソーダガラスなどを挙げることができる。なお無アルカリガラスとは、ナトリウムやカリウムなどのアルカリ成分を含まないガラスのことである。またソーダガラスとは、酸化珪素、炭酸ナトリウムおよび炭酸カルシウムを混合することによって得られるガラスのことである。第１基材１２ａを構成する金属としては、例えば、クロムやニッケルなどが添加された鉄合金を挙げることができる。クロムが添加された鉄合金としては、例えばステンレス鋼を挙げることができる。ニッケルが添加された鉄合金としては、例えばインバー材を挙げることができる。好ましくは、第１基材１２ａを構成するガラスまたは金属として、剥離層１４を溶解させる際に用いられる後述する溶解用液体に溶解しない、若しくは溶解し難いガラスまたは金属が用いられる。

　支持基材１２は、上述の可撓性を有する程度に薄く構成される。一方、支持基材１２を搬送しながら支持基材１２上に剥離層１４やデバイス層２０を形成する場合、焼成工程の際の熱などが支持基材１２に加えられる。支持基材１２の剛性が低い場合、搬送のための張力が支持基材１２に加えられているときに、さらに熱が支持基材１２に加えられると、伸びや湾曲などの変形が支持基材１２に生じてしまうと考えられる。従って支持基材１２は、そのような変形が生じてしまうことを抑制できる程度に厚く構成されることが好ましい。支持基材１２の第１基材１２ａがガラスを含む場合、第１基材１２ａの厚みは例えば３０μｍ以上且つ１５０μｍ以下になっている。また、第１基材１２ａが金属を含む場合、第１基材１２ａの厚みは例えば３０μｍ以上且つ１００μｍ以下になっている。また、第１基材１２ａがシリコンを含む場合、第１基材１２ａの厚みは例えば３０μｍ以上且つ１０００μｍ以下になっている。

　剥離層１４は、金属または金属酸化物を含んでいる。剥離層１４を構成する金属または金属酸化物としては、支持基材１２に密着し易いものが用いられる。また後述するように、デバイス層２０の形成工程においては、デバイス層２０の絶縁層２１を焼成する焼成工程など、剥離層１４が高温に曝される工程が実施されることがある。このため好ましくは、剥離層１４を構成する金属または金属酸化物としては、焼成工程の温度などに、例えば３００℃程度に耐え得る耐熱性を有するものが用いられる。

　また後述するように、剥離層１４は、デバイス層２０を支持基材１２から分離させる分離工程の際に、溶解用液体によって溶解される。本明細書において、「溶解用液体」とは、デバイス層２０を支持基材１２から分離させる分離工程の際に剥離層１４に接触させて剥離層１４を溶解するための液体のことである。ここで、分離工程の際にデバイス層２０の導電層２３を損傷させないためには、溶解用液体として、導電層２３を溶解しないものが用いられることが好ましい。従って、剥離層１４を構成する金属または金属酸化物としては、導電層２３を溶解しないよう選択された溶解用液体に溶解し得るものが採用される。例えば、デバイス層２０の導電層２３が銅を含む場合、剥離層１４を構成する材料として、アルミニウム、銀、ニッケル、チタンなどの金属や、酸化インジウム錫、酸化インジウム亜鉛などの金属酸化物を用いることができる。この場合、支持基材１２上に剥離層１４を形成する方法としては、蒸着法、スパッタリング法などの物理的気相成長法、化学的気相成長法などの真空成膜法を用いることができる。

　その他にも、印刷法によって支持基材１２上に剥離層１４を形成してもよい。この場合、複数の導電性粒子によって構成された線状の導電性ワイヤを互いに絡み合わせて網の目状とすることによって、剥離層１４を構成することができる。例えば、導電性粒子として銀粒子を用いた銀ナノワイヤなどを印刷法によって支持基材１２上に設けることにより、剥離層１４を形成することができる。

　図３において、積層体１１の支持基材１２、剥離層１４およびデバイス層２０の厚みがそれぞれ符号ｔ１、ｔ２およびｔ３で表されている。厚みｔ１、ｔ２およびｔ３は、積層体１１を巻き取って巻回体１０を作製することができる程度の可撓性を積層体１１が有するように設定されることが好ましい。例えば支持基材１２の厚みｔ１は、５μｍ以上且つ１００μｍ以下になっており、剥離層１４の厚みｔ２は、０．００１μｍ以上且つ２０μｍ以下になっており、デバイス層２０の厚みｔ３は、１μｍ以上且つ３００μｍ以下になっている。

　次に図４Ａ～図４Ｆを参照して、剥離層１４上にデバイス層２０を形成するデバイス層形成工程について詳細に説明する。なお図４Ａ～図４Ｆにおいては、支持基材１２が省略されている。

　はじめに図４Ａに示すように、剥離層１４上に絶縁層２１を形成する絶縁層形成工程を実施する。例えば、はじめに、絶縁層２１を構成する絶縁性材料を含む塗布液を剥離層１４上に塗布する。次に、剥離層１４上に塗布された塗布液を加熱する焼成工程を実施することにより、塗布液を硬化させ、剥離層１４上に絶縁層２１を形成する。絶縁層２１の厚みは、例えば５μｍ以上且つ３０μｍ以下になっている。

　なお、塗布液を硬化させるための方法が、上述の焼成に限られることはない。例えば、剥離層１４上に塗布された塗布液に光または電子線を照射することにより、塗布液を硬化させてもよい。光が照射される場合、塗布液に含まれる絶縁性材料としては、感光性を有するものが採用される。

　次に図４Ｂに示すように、絶縁層２１に複数の貫通孔２２を形成する貫通孔形成工程を実施する。貫通孔２２を形成する方法は特には限られないが、例えば、絶縁層２１にレーザー光を照射して貫通孔２２を形成することができる。貫通孔２２の直径は、例えば６０μｍ以上且つ１００μｍ以下になっている。また、隣接する２つの貫通孔２２の間の間隔、すなわち貫通孔２２の配列ピッチは、例えば１５０μｍ以上且つ２００μｍ以下になっている。

　次に図４Ｃに示すように、絶縁層２１のうち後に導電層２３が設けられない部分がレジスト層２７によって覆われるようレジスト層２７を形成するレジスト層形成工程を実施する。例えば、はじめに、ネガ型の感光性を有するレジスト層２７を剥離層１４の全域にわたって剥離層１４上に形成する。次に、絶縁層２１のうち後に導電層２３が設けられない部分に位置するレジスト層２７に光を照射する。その後、レジスト層２７を現像することにより、図４Ｃに示すレジスト層２７を得ることができる。なおレジスト層２７として、ポジ型の感光性を有するものが用いられてもよい。

　次に、導電層２３を構成するための導電性材料を含むめっき液を絶縁層２１上に供給するめっき処理工程を実施する。これによって、図４Ｄに示すように、貫通孔２２の内部に位置する第１部分２４と、絶縁層２１の第１面２１ｘ上に位置する第２部分２５と、を含む導電層２３を形成することができる。なお第１部分２４は、絶縁層２１の第１面２１ｘ側と第２面２１ｙ側との間における電気的な導通を確保するよう、少なくとも貫通孔２２の壁面に設けられていればよい。

　なお図示はしないが、レジスト層形成工程やめっき処理工程の前に、めっき液からの導電層２３の析出を促進するためのシード層を絶縁層２１上に形成するシード層形成工程を実施してもよい。

　次に図４Ｅに示すように、アルカリ性溶液などの除去液を供給することによって、レジスト層２７を除去する。このようにして、絶縁層２１および導電層２３を含む第１層３１を形成することができる。その後、第１層３１の形成工程の場合と同様にして、第１層３１上に第２層３２を形成し、第２層３２上に第３層３３を形成する。このようにして、図４Ｆに示すように、第１層３１、第２層３２および第３層３３を含むデバイス層２０を剥離層１４上に形成することができる。

　（分離工程）
　次に、積層体１１のデバイス層２０を支持基材１２から分離させる分離工程について説明する。図５は、長尺状の積層体１１のデバイス層２０を支持基材１２から分離するための分離装置５０を示す図である。図５に示すように、分離装置５０は、積層体１１を搬送しながら、搬送方向Ｄ１すなわち長尺方向における積層体１１の剥離層１４の先端部１４ｄに向けて溶解用液体５３を吐出する吐出部５２と、溶解用液体５３が剥離層１４の先端部１４ｄに接触する位置において支持基材１２に接する第１ローラー５４と、溶解用液体５３が剥離層１４の先端部１４ｄに接触する位置においてデバイス層２０に接する第２ローラー５５と、を備えている。また分離装置５０は、支持基材１２を巻き取る第１巻取部５６、および、支持基材１２から分離されたデバイス層２０を巻き取る第２巻取部５７をさらに備えていてもよい。

　分離工程においては、はじめに、可撓性を有する長尺状の積層体１１が巻き取られた巻回体１０を準備する。次に、巻回体１０から積層体１１を巻き出して、積層体１１の長尺方向に沿って積層体１１を搬送する。その後、積層体１１を搬送しながら、搬送方向における積層体１１の剥離層１４の先端部１４ｄに溶解用液体５３を接触させることにより、剥離層１４を溶解させて、デバイス層２０を支持基材１２から分離させる。以下の説明において、剥離層１４の先端部１４ｄに溶解用液体５３が接触する位置のことを、溶解位置とも称する。

　溶解用液体５３としては、剥離層１４を溶解することができるものが用いられる。例えば、剥離層１４がアルミニウムを含む場合、溶解用液体５３として関東化学社製のエッチング液　KSMF-200を用いることができる。また、剥離層１４が銀を含む場合、溶解用液体５３として関東化学社製のエッチング液　SEA-4を用いることができる。好ましくは、剥離層１４および溶解用液体５３の組み合わせは、分離工程の際にデバイス層２０に与えられるダメージが無く、または小さく、かつ容易に剥離層１４が溶解し得るよう選択される。

　図５に示すように、分離装置５０は、溶解位置よりも下流側において支持基材１２が搬送される第１搬送方向Ｄ３と、溶解位置よりも下流側においてデバイス層２０が搬送される第２搬送方向Ｄ４とが互いに異なるよう、構成されている。例えば、支持基材１２の先端部が第１巻取部５６に固定され、一方、デバイス層２０の先端部が、第１巻取部５６とは異なる第２巻取部５７に固定されている。このため、第１巻取部５６および第２巻取部５７を用いて支持基材１２およびデバイス層２０をそれぞれ巻き取りながら、溶解位置において剥離層１４の先端部１４ｄに溶解用液体５３を接触させることにより、搬送方向Ｄ１に沿って連続的に剥離層１４を溶解させ、これによってデバイス層２０を支持基材１２から連続的に分離することができる。なお図示はしないが、支持基材１２の先端部およびデバイス層２０の先端部を第１巻取部５６および第２巻取部５７に固定する作業を容易化するため、積層体１１は、積層体１１の先端部に、一定範囲にわたって剥離層１４が存在しないよう構成されていてもよい。

　好ましくは図６に示すように、分離工程において、溶解用液体５３は、積層体１１の剥離層１４の先端部１４ｄよりも上方から、剥離層１４の先端部１４ｄへ供給される。この場合、図６に示すように、剥離層１４の先端部１４ｄに供給された溶解用液体５３を、支持基材１２とデバイス層２０との間に安定に保持することができる。すなわち、剥離層１４の先端部１４ｄに接触する溶解用液体５３の液だまりを形成することができる。これによって、溶解用液体５３を効率的に剥離層１４の先端部１４ｄに接触させることができる。このことにより、デバイス層２０を支持基材１２からより効率良く分離することができる。

　なお「剥離層１４の先端部１４ｄ」とは、デバイス層２０を支持基材１２から分離するために溶解されるべき剥離層１４の先端部を意味している。従って、例えば図５に示すように、分離工程の際に剥離層１４が完全には溶解できず、デバイス層２０上に剥離層１４の一部が残っている場合であっても、「剥離層１４の先端部１４ｄ」は、デバイス層２０上に部分的に残っている剥離層１４よりも上流側に位置し、かつデバイス層２０と支持基材１２との間に位置する剥離層１４の先端部になる。

　その後、支持基材１２から分離されたデバイス層２０に、図１に示す上述の端子２８などのその他の構成要素を取り付ける。また、長尺状のデバイス層２０を適切な寸法に分断する。このようにして、図１に示す上述のパッケージ基板３８などのデバイスを製造することができる。

　本実施の形態によれば、上述のように、搬送されている積層体１１の剥離層１４の先端部１４ｄに溶解用液体５３を接触させることにより、剥離層１４を溶解させる。このため、溶解位置を起点としてデバイス層２０を支持基材１２から連続的に分離することができる。従って、長尺状のデバイス層２０を効率良く得ることができる。

　また本実施の形態によれば、デバイス層２０を形成するデバイス形成工程の間、デバイス層２０の絶縁層２１や導電層２３は、支持基材１２および剥離層１４によって支持されている。ここで支持基材１２は、ガラスや金属などの、絶縁層２１よりも高い耐熱性を有する材料を含んでいる。このため、支持基材１２を搬送しながら実施される焼成工程などにおいてデバイス層２０やデバイス層２０の中間製品が加熱される場合であっても、伸びや湾曲などの変形がデバイス層２０やデバイス層２０の中間製品に生じてしまうことを抑制することができる。従って、高い寸法精度を有するデバイス層２０を得ることができる。このように、デバイス形成工程における剛性が支持基材１２によって確保されるので、例えばデバイス層２０がパッケージ基板３８を構成するためのものである場合、いわゆるコアレスタイプのパッケージ基板３８を作製することが可能になる。ここでコアレスタイプとは、パッケージ基板の機械的な強度を確保するために用いられてきたガラスエポキシ層などの芯材を用いないタイプのパッケージ基板のことである。コアレスタイプによれば、芯材を用いないことにより、パッケージ基板全体の厚みを低減することができる。

　また本実施の形態によれば、溶解用液体５３は、分離工程の際、搬送されている積層体１１の剥離層１４の先端部１４ｄにさせられる。従って、デバイス層２０のうち剥離層１４に面する側とは反対の側には溶解用液体５３が接触しないように、またはほとんど接触しないように、分離工程を実施することが可能である。このため、デバイス層２０の構造や材料が、溶解用液体５３や後述する溶解用気体などの溶解用流体のタイプに応じて制限されてしまうことを抑制することができる。例えば、剥離層１４の第２面１４ｂ上に隙間なくデバイス層２０を形成することや、剥離層１４の第２面１４ｂの全域にわたってデバイス層２０を形成することができる。

　なお、上述した実施の形態に対して様々な変更を加えることが可能である。以下、必要に応じて図面を参照しながら、変形例について説明する。以下の説明および以下の説明で用いる図面では、上述した実施の形態と同様に構成され得る部分について、上述の実施の形態における対応する部分に対して用いた符号と同一の符号を用いることとし、重複する説明を省略する。また、上述した実施の形態において得られる作用効果が変形例においても得られることが明らかである場合、その説明を省略することもある。

　（第１の変形例）
　図７に示すように、支持基材１２は、ガラス、金属またはシリコンを含む第１基材１２ａに加えて、第１基材１２ａに積層され、樹脂を含む第２基材１２ｂをさらに有していてもよい。これによって、第１基材１２ａがガラスなどの脆い材料を含み、このため積層体製造工程の際に第１基材１２ａに割れなどの破断が生じた場合であっても、第１基材１２ａが分解してしまうことを抑制することができる。これによって、積層体製造工程の際にデバイス層２０やその中間製品をより安定に支持することができる。第２基材１２ｂを構成する樹脂としては、例えばポリイミドなどを用いることができる。

　なお図７においては、第２基材１２ｂが、第１基材１２ａの第２面１２ｙ側に設けられる例が示されているが、これに限られることはない。図示はしないが、第２基材１２ｂは、第１基材１２ａの第１面１２ｘ側に設けられていてもよい。また、第２基材１２ｂが第１基材１２ａの第１面１２ｘ側および第２面１２ｙ側の両方に設けられていてもよい。なお第１面１２ｘとは、第１基材１２ａの面のうち剥離層１４側に位置する面である。また第２面１２ｙとは、第１面１２ｘの反対側に位置する面である。

　（第２の変形例）
　図８に示すように、積層体１１は、長尺方向に沿って延びる剥離層１４の一対の側端部１４ｅを覆う保護層１６をさらに有していてもよい。これによって、積層体形成工程の際に、処理液が支持基材１２と剥離層１４との間に浸入してしまうことを抑制することができる。これによって、積層体形成工程の際に、すなわち分離工程よりも前に、剥離層１４が支持基材１２から剥離してしまうことを抑制することができる。なお処理液としては、例えば、上述のレジスト層２７を現像するための現像液や、レジスト層２７を除去するための除去液などが考えられる。

　なお図８においては、保護層１６が、剥離層１４の側端部１４ｅだけでなく、デバイス層２０に対向する剥離層１４の面をも覆う例が示されているが、これに限られることはない。保護層１６を構成する材料としては、酸化珪素など、剥離層１４を構成する材料とは異なる材料を用いることができる。保護層１６は、蒸着法やスパッタリング法などの真空成膜法によって形成され得る。

　剥離層１４の側端部１４ｅを保護することができる限りにおいて、保護層１６の厚みは小さいことが好ましい。例えば保護層１６の厚みは、０．００１μｍ以上且つ２μｍ以下になっている。これによって、図８に示すように保護層１６の一部が支持基材１２に接している場合であっても、保護層１６およびデバイス層２０を容易に支持基材１２から分離することができる。

　（第３の変形例）
　図９Ａに示すように、支持基材１２は、長尺方向に沿って延びる第１基材１２ａの一対の側端部１２ｅの位置よりも幅方向Ｄ２において外側へ広がる突出部１２ｃをさらに有していてもよい。この場合、図９Ａに示すように、長尺方向に沿って延びる剥離層１４の一対の側端部１４ｅは、第１基材１２ａの一対の側端部１２ｅよりも幅方向Ｄ２において外側に位置することができる。また図９Ａに示すように、長尺方向に沿って延びるデバイス層２０の一対の側端部２０ｅは、剥離層１４の一対の側端部１４ｅよりも幅方向Ｄ２において外側に位置することができる。このため、デバイス層２０によって剥離層１４の側端部１４ｅを覆うことができる。突出部１２ｃを構成する材料としては、例えば、ポリイミドなどの樹脂を用いることができる。また、粘着層が形成された粘着テープ等を第１基材１２ａの側端部１２ｅに貼り付けることによって、突出部１２ｃが構成されてもよい。この場合、粘着テープ等は、好ましくは、第１基材１２ａの側端部１２ｅから剥離可能であるよう構成されている。なお図９Ａにおいて、「ＯＵＴ」が付された矢印は、幅方向Ｄ２における外側を表している。また「ＩＮ」が付された矢印は、幅方向Ｄ２における内側を表している。

　なお図９Ａに示す例においては、突出部１２ｃが、第１基材１２ａの第１面１２ｘおよび第２面１２ｙを覆うよう構成される例が示されているが、これに限られることはない。突出部１２ｃは、剥離層１４の側端部１４ｅを覆うよう設けられたデバイス層２０を支持することができればよい。

　図９Ａに示す例によれば、デバイス層２０の一部によって剥離層１４の側端部１４ｅを覆うことにより、積層体形成工程の際に、処理液が支持基材１２と剥離層１４との間に浸入してしまうことを抑制することができる。これによって、積層体形成工程の際に、すなわち分離工程よりも前に、剥離層１４が支持基材１２から剥離してしまうことを抑制することができる。デバイス層２０のうち剥離層１４の側端部１４ｅを覆う部分は、例えば、デバイス層２０の上述の第１層３１の絶縁層２１によって構成される。

　本変形例においては、デバイス層２０を形成した後、図９Ｂに示すように、デバイス層２０のうち剥離層１４の側端部１４ｅよりも幅方向Ｄ２において外側に位置する部分を切断などによって除去してもよい。これによって、分離工程の際、デバイス層２０と支持基材１２との間の密着によって支持基材１２からのデバイス層２０の分離が阻害されてしまうことを抑制することができる。

　（第４の変形例）
　上述の本実施の形態においては、分離工程の際に溶解用液体５３を用いて剥離層１４を溶解させる例を示した。しかしながら、剥離層１４の先端部１４ｄに接触することができる限りにおいて、剥離層１４を溶解させるための溶解用流体の形態が液体に限られることはない。例えば、剥離層１４を溶解させるための溶解用流体として、二フッ化キセノン(XeF₂)ガスなどの溶解用気体を用いてもよい。本明細書において、「溶解用流体」および「溶解用気体」とは、デバイス層２０を支持基材１２から分離させる分離工程の際に剥離層１４に接触させて剥離層１４を溶解するための流体および気体のことである。

　分離工程の際、剥離層１４の第１面１４ａ側には支持基材１２が存在し、剥離層１４の第２面１４ｂ側にはデバイス層２０が存在している。従って溶解用流体は、剥離層１４の第１面１４ａおよび第２面１４ｂには接触せず、剥離層１４の先端部１４ｄまたは側端部１４ｅに接触する。このため、剥離層１４の厚みが小さい場合、剥離層１４に対する溶解用流体の接触面積も小さくなる。従って、溶解用流体として溶解用液体５３が用いられる場合、剥離層１４の溶解速度が、剥離層１４の化学反応の速度ではなく、溶解用液体５３や溶解用液体５３に溶解した剥離層１４の構成物質の移動速度によって律速される可能性がある。この場合、剥離層１４を薄くすること、例えば剥離層１４の厚みを１００ｎｍ以下にすることは困難である。

　一方、気体は一般に液体よりも速く移動することができる。このため、溶解用流体として溶解用気体を用いる場合、剥離層１４の溶解速度が溶解用流体の移動速度によって律速される可能性を低くすることができる。従って、剥離層１４を薄くすること、例えば剥離層１４の厚みを１００ｎｍ以下にすることが容易になる。これによって、分離工程に要する時間を短縮することができる。

　その他にも、積層体１１の耐熱性が確保され得る限りにおいて、剥離層１４を溶解させるための溶解用流体として、プラズマが用いられてもよい。例えば後述するように、剥離層１４が水成分に対する溶解性を有する場合、溶解用流体としてプラズマ状態の水が用いられてもよい。

　（第５の変形例）
　上述の本実施の形態においては、溶解用流体を用いた剥離層１４の溶解が、剥離層１４の化学反応を伴う例を示した。しかしながら、これに限られることはなく、溶解用流体を用いた剥離層１４の溶解が主に、剥離層１４が化学的に安定な状態を維持しながら生じてもよい。例えば、溶解用流体として、水や有機溶剤などの溶媒を用い、剥離層１４を構成する材料として、溶媒に対する溶解性を有するものを用いてもよい。この場合、剥離層１４を溶解させてデバイス層２０を支持基材１２から分離する分離工程の際に、水素などのガスが発生しない。若しくは水素などのガスの発生を抑制することができる。このため、より安全な環境下で分離工程を実施することができる。

　有機溶剤としては、メタノールやエタノールなどのアルコール、アセトン、ヘキサンなどを用いることができる。溶解用流体として有機溶剤が用いられる場合、剥離層１４を構成する材料としては、例えば、アルコール成分に対する溶解性を有するカルシウムなどを用いることができる。剥離層１４の厚みは、例えば５ｎｍ以上且つ５０ｎｍ以下になっている。
　なおカルシウムは、水成分に対する溶解性も有している。従って、溶解用流体として水が用いられる場合に、剥離層１４を構成する材料としてカルシウムを用いてもよい。

　溶解用流体として水が用いられる場合、剥離層１４を構成する材料としては、水成分に対する溶解性を有する無機化合物を用いることができる。特に、潮解によって水や水蒸気に溶解する無機化合物の塩またはホウ素を含む化合物が好ましい。なお塩とは、酸に含まれている水素イオンの全部または一部が金属イオンなどの陽イオンで置換された無機化合物のことである。水成分に対する溶解性を有する無機化合物の塩の例としては、塩酸の塩、ヨウ化水素酸の塩、フッ化水素酸の塩、臭化水素酸の塩、硫酸の塩、炭酸の塩、硝酸の塩などを挙げることができる。塩酸の塩の例としては、塩化ナトリウム、塩化マグネシウムなどを挙げることができる。ヨウ化水素酸の塩の例としては、ヨウ化アンモニウム、ヨウ化カリウム、ヨウ化ナトリウム、ヨウ化リチウム、ヨウ化カルシウムなどを挙げることができる。フッ化水素酸の塩の例としては、フッ化銀、フッ化ナトリウムなどを挙げることができる。臭化水素酸の塩の例としては、臭化リチウム、臭化ナトリウム、臭化カリウムなどを挙げることができ、ホウ素を含む化合物としては、３酸化２ホウ素、４ホウ酸ナトリウム(ホウ砂)、４ホウ酸カリウムが挙げられる。特に、ホウ素を含む化合物によって剥離層１４が構成される場合、ハロゲンイオン等の、デバイス層２０を腐食させ得るイオンが剥離層１４の溶解時に発生しないため、デバイス層２０に対する信頼性を確保する上でも好ましい。また、ホウ素を含む化合物によって剥離層１４が構成される場合、水成分に溶解した剥離層１４を含む水溶液が毒性を有さないので、廃液処理が容易であり、また環境負荷や人体への危険性も低い。剥離層１４の厚みは、例えば５ｎｍ以上且つ５０ｎｍ以下になっている。好ましくは、剥離層１４を構成する材料として、十分な耐熱性を有するものが用いられる。例えば、３００℃以上の融点を有する材料が用いられ、より好ましくは、５００℃以上の融点を有する材料が用いられる。

　なお、剥離層１４を構成する材料の融点が高すぎると、剥離層１４の形成方法が制約され、積層体１１の製造効率が低下してしまうと考えられる。この観点からは、剥離層１４を構成する材料として、好ましくは、１５００℃以下の融点を有する材料が用いられ、より好ましくは、１０００℃以下の融点を有する材料が用いられる。これによって、例えば、抵抗加熱法を利用した真空蒸着法を用いて剥離層１４を形成することが可能になる。

　以下、本明細書における「溶解性」の定義の一例について説明する。具体的には、ある物質がある溶媒に対する溶解性を有するかどうかを判定する方法について、図１０を参照して説明する。はじめに、ガラスなどの支持部材６１と、支持部材６１上に設けられ、溶解性の判定対象である物質からなる試験層６２と、を有するサンプル６０を準備する。試験層６２の寸法は、長さ７０ｍｍ、幅１０ｍｍ、厚み７００μｍとする。次に、所定の時間にわたってサンプル６０を、容器６４に収容された液体状の溶媒６３に部分的に浸漬させる。時間は、例えば２４時間とする。溶媒６３の温度は、溶媒の沸点よりも１０℃低い温度に設定する。例えば、溶媒６３が水である場合、溶媒６３の温度を９０℃に設定する。また、溶媒６３がメタノールである場合、溶媒６３の温度を５４．７℃に設定する。また、溶媒６３がエタノールである場合、溶媒６３の温度を６８．４℃に設定する。溶媒６３の温度を一定に維持する方法は特には限られないが、例えば図１０に示すように、ホットプレート６５を用いて溶媒６３を加熱する。図１０において、符号Ｌ１は、試験層６２のうち液体状の溶媒６３に浸漬されている部分の長さを表し、符号Ｌ２は、試験層６２のうち溶媒６３の液面から上方に露出している部分の長さを表している。Ｌ１：Ｌ２は例えば１：１にする。容器６４としては、例えば容量が１１０ｍｌのものを用いる。

　上述のように溶媒６３の温度が溶媒の沸点の近くに設定されているので、試験層６２のうち溶媒６３の液面から上方に露出している部分の周囲には、溶媒６３の蒸気が、大気圧に近い蒸気圧で存在する。従って、試験層６２の溶解は、試験層６２のうち液体状の溶媒６３に浸漬されている部分だけでなく、試験層６２のうち溶媒６３の液面から上方に露出している部分においても生じ得る。

　サンプル６０を液体状の溶媒６３に部分的に浸漬させてから２４時間経過した後、試験層６２の面積を測定する。そして、試験層６２の面積が、サンプル６０を溶媒６３に浸漬させる前の試験層６２の面積の７０％以下になっている場合、試験層６２を構成する物質が溶媒６３に対する溶解性を有すると判断する。一方、試験層６２の面積が、サンプル６０を溶媒６３に浸漬させる前の試験層６２の面積の７０％よりも大きくなっている場合、試験層６２を構成する物質が溶媒６３に対する溶解性を有さないと判断する。なお本明細書において、「剥離層１４がアルコール成分に対する溶解性を有する」とは、剥離層１４がメタノールまたはエタノールの少なくともいずれかに対する溶解性を有することを意味している。

　なお上述の溶解性の判定方法は、上述の本実施の形態におけるエッチング液など、化学反応によって剥離層１４を溶解させるタイプの溶解用流体においても採用され得る。例えば本明細書において、「酸に対する溶解性」とは、水並びに０．２重量％の塩酸および２重量％の塩化鉄（塩化第一鉄または塩化第二鉄）を含む酸性溶液を溶媒６３として用いた場合に、試験層６２の面積が当初の７０％以下になることを意味している。溶解用流体として酸性の液体や気体が用いられる場合、剥離層１４を構成する材料として、酸に対する溶解性を有する金属が用いられ得る。

　その他にも、「溶解性」は、ある物質が一定の量の溶媒に溶ける限界量、いわゆる溶解度に基づいて定義されてもよい。例えば、「水成分に対する溶解性」とは、分離工程で用いられる水に対する物質の溶解度が、少なくとも１ｇ／１００ｇ－Ｈ_２Ｏ以上であること、より好ましくは１０ｇ／１００ｇ－Ｈ_２Ｏ以上であることを意味していてもよい。若しくは、「水成分に対する溶解性」とは、２０℃の水に対する物質の溶解度が少なくとも１ｇ／１００ｇ－Ｈ_２Ｏ以上であること、より好ましくは１０ｇ／１００ｇ－Ｈ_２Ｏ以上であることを意味していてもよい。剥離層１４の溶解度を１ｇ／１００ｇ－Ｈ_２Ｏ以上に設定することにより、分離工程の際に剥離層１４を迅速に溶解させることができ、これによって、分離工程に要する時間を短縮することができる。

　ところで、剥離層１４が水成分に対する溶解性を有する場合、剥離層１４の側端部１４ｅが周囲環境に露出していると、周囲環境に含まれる水蒸気が剥離層１４の側端部１４ｅに接触することにより、分離工程よりも前に剥離層１４が溶解したり支持基材１２から剥離したりしてしまうことが考えられる。従って、剥離層１４が水成分に対する溶解性を有する場合、図８に示す第２の変形例の場合のように、剥離層１４の一対の側端部１４ｅが保護層１６によって覆われていることが好ましい。この場合、保護層１６を構成する材料としては、水成分に対する溶解性を有さない材料が用いられる。例えば、保護層１６を構成する材料として、アルミニウム、金、銀、銅、ニッケル、チタンなどの金属や、酸化インジウム錫、酸化インジウム亜鉛などの金属酸化物、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウムなどの無機膜を用いることができる。この場合、保護層１６の厚みは、例えば０．１μｍ以上且つ１０μｍ以下になっている。

　なお、保護層１６が水成分に対する溶解性を有さない場合であっても、保護層１６が水を透過させ易い場合、周囲環境に含まれる水蒸気が保護層１６を透過して剥離層１４に到達することにより、分離工程よりも前に剥離層１４が溶解したり支持基材１２から剥離したりしてしまうことが考えられる。従って、保護層１６は、好ましくは、水蒸気に対する高いバリア性を有するよう構成されている。例えば、保護層１６の水蒸気透過率は、好ましくは０．１ｇ／ｍ^２／ｄａｙ以下になっており、より好ましくは０．００１ｇ／ｍ^２／ｄａｙ以下になっている。保護層１６に高いバリア性を付与するための材料の例としては、アルミニウム、金、銅などの金属や、酸化アルミニウム、酸化ケイ素などの無機物を挙げることができる。保護層１６が無機物からなる膜を複数含んでいてもよい。保護層１６に高いバリア性を付与することにより、現像工程やエッチング工程などの、分離工程よりも前に実施される工程の際に、周囲環境に含まれる水蒸気に起因して剥離層１４が劣化してしまうことを抑制することができる。

　なお、周囲環境に含まれる水蒸気が剥離層１４に到達することを防ぐという観点から考えると、図８に示す第２の変形例の場合のように、保護層１６が、剥離層１４の側端部１４ｅだけでなく、デバイス層２０に対向する剥離層１４の面をも覆うことが好ましい。言い換えると、幅方向Ｄ２における保護層１６の寸法が、剥離層１４の寸法よりも大きいことが好ましい。

　（第６の変形例）
　本変形例においては、上述の第５の変形例において提案した、溶解用流体として水または水蒸気が用いられ、剥離層１４を構成する材料として無機化合物が用いられる場合の、巻回体１０の好ましい形態について説明する。図１１は、本変形例による巻回体１０の積層体１１を示す断面図である。

　図１１に示すように、積層体１１は、第１基材１２ａを有する支持基材１２と、支持基材１２に積層されたデバイス層２０と、支持基材１２とデバイス層２０との間に配置された剥離層１４と、積層体１１の長尺方向に沿って延びる剥離層１４の第１剥離層１５の一対の側端部１５ｅを覆う保護層１６と、を備えている。第１剥離層１５を構成する材料としては、水成分に対する溶解性を有する材料が用いられ、例えば塩化ナトリウムなどの無機化合物が用いられる。保護層１６を構成する材料としては、水成分に対する溶解性を有さない材料が用いられ、例えばアルミニウムなどの金属が用いられる。

　図１１に示すように、積層体１１の剥離層１４は、支持基材１２と第１剥離層１５との間に配置された第１中間層１７をさらに備えていてもよい。図１１に示す例において、第１中間層１７は、第１剥離層１５の支持基材１２側の第１面１５ａに接するように設けられている。第１中間層１７の一対の側端部１７ｅは、保護層１６によって覆われていてもよい。

　第１中間層１７の構成は、第１中間層１７に求められる機能に応じて様々に選択され得る。
　例えば第１中間層１７は、分離工程よりも前に第１剥離層１５が支持基材１２から剥離したり第１剥離層１５が消失したりしてしまうことを抑制するよう構成されていてもよい。この場合、第１中間層１７を構成する材料として、カルシウムなどの、水成分との反応性を有し、かつ水成分との反応によって生成された反応生成物が水成分に対する溶解性を有さないものが用いられる。この場合、周囲環境の水蒸気が保護層１６を透過して第１剥離層１５の近傍に到達したとしても、第１中間層１７が水蒸気と反応する。このため、第１剥離層１５に接触する水蒸気の量を低減することができ、これによって、第１剥離層１５が水蒸気に溶解することを抑制することができる。従って、分離工程よりも前に第１剥離層１５が溶解し、これによって分離工程よりも前に第１剥離層１５が支持基材１２から剥離したり第１剥離層１５が消失したりしてしまうことを抑制することができる。この場合、第１中間層１７の厚みは、例えば５ｎｍ以上且つ５０ｎｍ以下になっている。
　また第１中間層１７は、分離工程の際に第１剥離層１５の溶解を促進するよう構成されていてもよい。この場合、第１中間層１７を構成する材料として、多数の孔が形成された多孔性のポーラス材料を用いることができる。例えば、１ｎｍ以上且つ１００ｎｍ以下の寸法を有する多数の孔が形成された、いわゆるメソポーラス材料を用いることができる。この場合、分離工程の際、水蒸気は、第１中間層１７を透過して第１剥離層１５の第１面１５ａに到達することができる。このため、分離工程の際に第１剥離層１５の溶解を、第１剥離層１５の先端部１５ｄ側や側端部１５ｅ側からだけでなく、第１剥離層１５の第１面１５ａ側から進行させることができる。これによって、第１剥離層１５の溶解速度を高めることができ、このことにより、分離工程に要する時間を短縮することができる。

　また図１１に示すように、積層体１１の剥離層１４は、保護層１６と第１剥離層１５との間に配置された第２中間層１８をさらに備えていてもよい。図１１に示す例において、第２中間層１８は、第１剥離層１５の保護層１６側の第２面１５ｂに接するように設けられている。第２中間層１８の一対の側端部１８ｅは、保護層１６によって覆われていてもよい。

　第１中間層１７の場合と同様に、第２中間層１８の構成も、第２中間層１８に求められる機能に応じて様々に選択され得る。
　例えば第２中間層１８は、分離工程よりも前に第１剥離層１５が保護層１６から剥離したり第１剥離層１５が消失したりしてしまうことを抑制するよう構成されていてもよい。この場合、第２中間層１８を構成する材料として、第１中間層１７の場合と同様に、カルシウムなどの、水成分との反応性を有し、かつ水成分との反応によって生成された反応生成物が水成分に対する溶解性を有さないものが用いられる。第２中間層１８の厚みは、例えば５ｎｍ以上且つ５０ｎｍ以下になっている。
　また第２中間層１８は、分離工程の際に第１剥離層１５の溶解を促進するよう構成されていてもよい。この場合、第２中間層１８を構成する材料として、第１中間層１７の場合と同様に、多数の孔が形成された多孔性のポーラス材料、例えばメソポーラス材料を用いることができる。

　なお図１１においては、積層体１１が第１中間層１７および第２中間層１８の両方を備える例を示したが、これに限られることはない。図示はしないが、積層体１１は、第１中間層１７または第２中間層１８のいずれか一方のみを備えていてもよい。

　以下、本変形例による積層体１１のデバイス層２０を支持基材１２から分離させる分離工程の一例について説明する。はじめに、可撓性を有する長尺状の積層体１１が巻き取られた巻回体１０を準備する。次に、巻回体１０から積層体１１を巻き出して、積層体１１の長尺方向に沿って積層体１１を搬送する。その後、搬送方向における積層体１１の剥離層１４の第１剥離層１５の先端部１５ｄを覆う保護層１６を除去して、第１剥離層１５の先端部１４ｄを露出させる。例えば、保護層１６を構成する材料に応じて選択されたエッチング液を用いて、保護層１６のうち第１剥離層１５の先端部１５ｄを覆う部分を溶解させる。この際、図１２に示すように、保護層１６のうち第１剥離層１５の側端部１５ｅを覆う部分を除去して、第１剥離層１５の側端部１５ｅを露出させてもよい。保護層１６のうち第１剥離層１５の側端部１５ｅを覆う部分を除去するための具体的な方法が特に限られることはない。例えば、ロータリーダイカッターなど、保護層１６のうち第１剥離層１５の側端部１５ｅを覆う部分を、積層体１１を搬送しながら切断して除去することができる切断機構が用いられてもよい。また、エッチング用の流体を用いて保護層１６を除去してもよい。

　その後、溶解用流体として水または水蒸気、若しくは水および水蒸気の両方を用いて、第１剥離層１５を溶解させる。これによって、図１３に示すように、デバイス層２０を支持基材１２から分離させる。なお、支持基材１２に対する保護層１６の密着力が小さい場合や、支持基材１２に対する保護層１６の接触面積が小さい場合、第１剥離層１５の側端部１５ｅが保護層１６によって覆われ、かつ保護層１６が支持基材１２に接触していたとしても、第１剥離層１５を溶解させることによって、デバイス層２０が支持基材１２から分離され得る。従って、保護層１６のうち第１剥離層１５の側端部１５ｅを覆う部分を除去する工程は、実施されない場合もある。

　本変形例においては、剥離層１４の第１剥離層１５を構成する材料として、塩化ナトリウムなどの無機化合物が用いられ、溶解用流体として、水または水蒸気が用いられる。このため、水素などのガスを発生させることなく、若しくは水素などのガスの発生を抑制しながら、第１剥離層１５を溶解させることができる。このため、より安全な環境下で分離工程を実施することができる。また、塩化ナトリウムなどの無機化合物の塩は、潮解などによって水または水蒸気に迅速に溶解することができる。このため、分離工程に要する時間を短縮することができる。また、ポーラス材料で構成された上述の第１中間層１７や第２中間層１８が設けられている場合、第１剥離層１５の溶解を、第１剥離層１５の第１面１５ａ側や第２面１５ｂ側から進行させることができる。これによって、分離工程に要する時間をさらに短縮することができる。

　（第７の変形例）
　本変形例においては、支持基材１２の第１面１２ｓ側および第２面１２ｔ側にそれぞれ、剥離層１４およびデバイス層２０が形成される例について説明する。図１４は、本変形例による巻回体１０の積層体１１を示す断面図である。

　図１４に示すように、積層体１１は、第１基材１２ａを有する支持基材１２と、支持基材１２の第１面１２ｓ側に積層されたデバイス層２０と、支持基材１２の第１面１２ｓとデバイス層２０との間に配置された剥離層１４と、支持基材１２の第２面１２ｔ側に積層されたデバイス層２０と、支持基材１２の第２面１２ｔとデバイス層２０との間に配置された剥離層１４と、を備えている。この場合、分離工程においては、支持基材１２の第１面１２ｓ側の剥離層１４を溶解させることにより、支持基材１２の第１面１２ｓ側のデバイス層２０を支持基材１２から分離させる。また、支持基材１２の第２面１２ｔ側の剥離層１４を溶解させることにより、支持基材１２の第２面１２ｔ側のデバイス層２０を支持基材１２から分離させる。これによって、支持基材１２の第１面１２ｓ側および第２面１２ｔ側のそれぞれにおいてデバイス層２０を得ることができる。このため、デバイス層２０の製造効率を高めることができる。

　なお本変形例において、図８に示す第２の変形例の場合と同様に、図１５に示すように、積層体１１が、剥離層１４の一対の側端部１４ｅを覆う保護層１６をさらに備えていてもよい。図１５に示す例においても、図示はしないが、積層体１１が第１中間層１７や第２中間層１８をさらに備えていてもよい。

　また本変形例において、積層体１１の支持基材１２は、複数の第１基材１２ａを含んでいてもよい。例えば図１６に示すように、支持基材１２は、支持基材１２の第１面１２ｓを構成する、ガラス、金属またはシリコンを含む第１基材１２ａと、支持基材１２の第２面１２ｔを構成する、ガラス、金属またはシリコンを含む第１基材１２ａと、を含んでいてもよい。この場合、２つの第１基材１２ａの間には、樹脂を含む第２基材１２ｂが設けられていてもよい。これによって、積層体製造工程の際に第１基材１２ａに割れなどの破断が生じた場合であっても、第１基材１２ａが分解してしまうことを抑制することができる。第２基材１２ｂは、図３に示す積層体１１を２つ貼り合せて図１６に示す積層体１１を構成するための接着層として機能するものであってもよい。また図１７に示すように、積層体１１が、剥離層１４の一対の側端部１４ｅを覆う保護層１６をさらに備えていてもよい。

　ところで、ポリイミドなどの樹脂は、比較的に高い水蒸気透過率を有している。このため、水成分に対する溶解性を有する材料によって剥離層１４が構成されている場合、樹脂を含む第２基材１２ｂが剥離層１４に接触していると、外部環境の水蒸気が第２基材１２ｂを透過して剥離層１４に到達し、分離工程よりも前に剥離層１４が溶解してしまうことが考えられる。一方、ガラス、金属またはシリコンの水蒸気透過率は一般に、樹脂の水蒸気透過率よりも低い。このため、分離工程よりも前に剥離層１４が剥離されてしまうことを抑制するためには、ガラス、金属またはシリコンを含む第１基材１２ａと、剥離層１４との間に、樹脂などの水蒸気を透過しやすい材料からなる層が設けられていないことが好ましい。例えば図１７に示すように、支持基材１２が樹脂を含む第２基材１２ｂを有する場合は、２つの第１基材１２ａの間に第２基材１２ｂを配置することが好ましい。これによって、第２基材１２ｂを透過した水蒸気が剥離層１４に到達することを抑制することができる。図１７に示す形態は、デバイス層２０の製造効率を高めるという利点、および、第１基材１２ａが分解してしまうことを抑制するという利点に加えて、分離工程よりも前に剥離層１４が剥離されてしまうことを抑制するという利点も有していると言える。

　（第８の変形例）
　上述の第６変形例においては、剥離層１４が、水成分に対する溶解性を有する材料を有する第１剥離層１５に加えて、支持基材１２と第１剥離層１５との間に配置された第１中間層１７、または、保護層１６と第１剥離層１５との間に配置された第２中間層１８をさらに含む例を示した。すなわち、剥離層１４において、第１剥離層１５を構成する、塩化ナトリウムや４ホウ酸ナトリウムなどの水成分に対する溶解性を有する材料と、第１中間層１７や第２中間層１８を構成する、カルシウムなどの水成分との反応性を有する材料とが、剥離層１４の厚み方向において異なる位置に存在する例を示した。しかしながら、これに限られることはなく、剥離層１４において、塩化ナトリウムや４ホウ酸ナトリウムなどの水成分に対する溶解性を有する材料と、カルシウムなどの水成分との反応性を有する材料とが混在していてもよい。言い換えると、水成分に対する溶解性を有する材料と、水との反応性を有する材料とが、剥離層１４の厚み方向において同一の位置に存在していてもよい。この場合、剥離層１４は、単一の層として観察され得る。このような剥離層１４は、例えば、水成分に対する溶解性を有する材料と、水成分との反応性を有する材料とを、同一の成膜室で支持基材１２上に形成することによって得られる。

　剥離層１４に含まれ得る、水成分との反応性を有する材料の例としては、上述のカルシウム以外にも、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、フランシウムなどのアルカリ金属、及び、ベリリウム、マグネシウム、ストリンチウム、バリウム、ラジウムなどのアルカリ土類金属を挙げることができる。

　（第９の変形例）
　上述の本実施の形態および各変形例においては、支持基材１２の第１基材１２ａが、ガラス、金属またはシリコンを含む例を示した。しかしながら、これに限られることはなく、第１基材１２ａは、ポリイミド、ポリエチレンテレフタレートなどの樹脂を含んでいてもよい。第１基材１２ａの厚みは、例えば１００μｍ以上且つ５００μｍ以下である。

　なお、上述のとおり、ポリイミドなどの樹脂は、比較的に高い水蒸気透過率を有している。このため、水成分に対する溶解性を有する材料によって剥離層１４が構成されている場合、第１基材１２ａを樹脂で構成すると、外部環境の水蒸気が第１基材１２ａを透過して剥離層１４に到達し、分離工程よりも前に剥離層１４が溶解してしまうことが考えられる。このような課題を考慮し、好ましくは、支持基材１２は、図１８に示すように、第１基材１２ａと剥離層１４との間に配置され、第１基材１２ａよりも低い水蒸気透過率を有する第２基材１２ｂをさらに有する。第２基材１２ｂを構成する材料としては、例えば、アルミニウム、銅、銀合金などの金属や、酸化インジウム錫などの金属酸化物や、酸化珪素などの酸化物を用いることができる。第２基材１２ｂの厚みは、水蒸気が第２基材１２ｂを透過することを抑制できる程度に厚くなっており、例えば５０ｎｍ以上である。また、第２基材１２ｂの厚みは、好ましくは、容易に切断され得る程度に薄くなっており、例えば５００ｎｍ以下である。

　上述の第２の変形例や第６の変形例の場合と同様に、本変形例による積層体１１は、剥離層１４の一対の側端部１４ｅを覆う保護層１６をさらに有していてもよい。この場合、積層体１１のデバイス層２０を支持基材１２から分離させる分離工程においても、図１９に示すように、保護層１６のうち剥離層１４の側端部１４ｅを覆う部分を除去して、剥離層１４の側端部１４ｅを露出させてもよい。ここで、本変形例においては、上述のとおり、第１基材１２ａが樹脂を含む。このため、第１基材１２ａがガラス、金属またはシリコンを含む場合に比べて、第１基材１２ａが切断され易い。また、第２基材１２ｂは、容易に切断され得る程度に薄く構成されている。このため、図１９に示すように、保護層１６とともに支持基材１２を切断して、剥離層１４の側端部１４ｅを露出させることができる。保護層１６及び支持基材１２を切断する方法としては、例えば、積層体１１を搬送しながらロータリーダイカッターやレーザー光で保護層１６及び支持基材１２を切断するという方法を採用することができる。

　（第１０の変形例）
　上述の本実施の形態においては、剥離層１４上に設けられるデバイス層２０が、インターポーザである例を示した。しかしながら、絶縁層２１及び導電層２３を含む限りにおいて、デバイス層２０の具体的な構成が特に限られることはない。例えば、デバイス層２０は、図２０に示すように、トランジスタ素子７０を含んでいてもよい。なお、図示はしないが、デバイス層２０は、同一平面上に位置する複数のトランジスタ素子７０を含んでいてもよい。

　図２０に示すように、トランジスタ素子７０は、第１絶縁層７１と、第１絶縁層７１上に設けられた第１導電層７２及び第２導電層７３と、第１導電層７２と第１導電層７２との間に配置された半導体層７４と、第１導電層７２、第２導電層７３、及び半導体層７４を覆うように設けられた第２絶縁層７５と、第２絶縁層７５上に設けられた第３導電層７６と、第３導電層７６を覆うように設けられた第３絶縁層７７と、を備える。第１導電層７２及び第２導電層７３は、ソース電極及びドレイン電極として機能する。また、第３導電層７６は、ゲート電極として機能する。

　図２０に示すように、第１絶縁層７１には、剥離層１４側へ貫通する貫通孔７１ａが形成されていてもよい。この場合、貫通孔７１ａの内部にも第２導電層７３を設けることにより、剥離層１４を溶解してデバイス層２０を支持基材１２から分離した後、第２導電層７３を外部に露出させることができる。

　図２１は、デバイス層２０のうち支持基材１２に対向する側とは反対の側に支持用部材８０を取り付けた後、支持用部材８０とともにデバイス層２０を支持基材１２から分離する例を示す図である。なお、支持用部材８０とデバイス層２０との間には、接着層８１など、支持用部材８０とデバイス層２０との間の密着力を高めるための層が設けられていてもよい。

　支持用部材８０を利用してデバイス層２０を支持基材１２から分離した後、デバイス層２０を、その他の部材と組み合わせてよい。以下、図２２を参照して、デバイス層２０を、少なくとも感圧体９２を含む部材９４と組み合わせる例について説明する。

　はじめに、第１電極９１、感圧体９２及び第２電極９３を含む部材９４を準備する。感圧体９２は、感圧体９２に加えられる圧力に応じて、圧力が加えられた方向における感圧体９２の電気抵抗または静電容量が変化するよう構成されたものである。感圧体９２としては、例えば、感圧体に加えられる圧力に応じて、圧力が加えられた方向ここでは厚み方向における感圧体の電気抵抗が変化するよう構成された、いわゆる感圧導電体が用いられ得る。感圧導電体は例えば、シリコーンゴムなどのゴムと、ゴムに添加されたカーボンなどの導電性を有する複数の粒子と、を含んでいる。

　次に、支持用部材８０に取り付けられた状態のデバイス層２０を、外部に露出している第２導電層７３が第１電極９１に接触するよう、部材９４に取り付ける。その後、デバイス層２０から支持用部材８０を剥離する。これによって、図２２に示すように、感圧体９２を含む部材と、トランジスタ素子７０を含むデバイス層２０とを備える実装基板９０を構成することができる。

　図２２に示す実装基板９０に圧力が加えられると、圧力を加えられた部分において、感圧体９２が厚み方向において圧縮される。この結果、厚み方向において感圧体９２内の粒子が互いに接触し、厚み方向における感圧体９２の電気抵抗値が低くなる。このため、圧力が加えられた部分の感圧体９２に接続されたトランジスタ素子７０においては、ソース電極及びドレイン電極に流れる電流が増加する。従って、複数のトランジスタ素子７０に流れる電流値をそれぞれ検出することにより、実装基板９０に加えられている圧力の分布を算出することができる。このように、実装基板９０は、圧力の分布を検出する圧力センサとして機能することができる。

　なお、トランジスタ素子７０を含むデバイス層２０の応用例が、圧力センサに限られることはない。

　また、上述のパッケージ基板３８を含むデバイス層２０においても、支持用部材８０を利用してデバイス層２０を支持基材１２から分離してもよく、また、デバイス層２０をその他の部材と組み合わせてもよい。

　（第１１の変形例）
　上述の本実施の形態および各変形例においては、搬送されている積層体１１の剥離層１４を溶解させ、デバイス層２０を支持基材１２から連続的に分離することによって、長尺状のデバイス層２０を製造する例を示した。すなわち、剥離層１４を利用してデバイス層２０を製造する方法を、いわゆるロールトゥロールのプロセスで用いる例を示した。しかしながら、これに限られることはなく、剥離層１４を利用してデバイス層２０を製造する方法を、いわゆる枚葉のプロセスで用いてもよい。

　図２３に示すように、本変形例による積層体１１は、四角形の形状を有する。積層体１１は、上述の本実施の形態および各変形例の場合と同様に、支持基材１２と、デバイス層２０と、支持基材１２とデバイス層２０との間に配置された剥離層１４と、を備える。図示はしないが、積層体１１は、面方向における剥離層１４の端部１２ｆを覆う保護層１６をさらに備えていてもよい。

　本変形例による積層体１１及び支持基材１２は、可撓性を有していてもよく、可撓性を有していなくてもよい。支持基材１２の厚みは、例えば０．０１ｍｍ以上且つ０．５ｍｍ以下である。支持基材１２を構成する材料としては、ガラス、金属、シリコン、樹脂などを用いることができる。

　本変形例においても、はじめに、支持基材１２を準備し、次に、支持基材１２上に剥離層１４を形成し、その後、剥離層１４上にデバイス層２０を形成することにより、積層体１１を作製する。次に、剥離層１４を溶解させてデバイス層２０を支持基材１２から分離する分離工程を実施する。なお、積層体１１が保護層１６を備える場合、分離工程に先行して、面方向における剥離層１４の端部１２ｆを覆う保護層１６を除去する工程を実施する。例えば、積層体１１の法線方向に沿って積層体１１にレーザー光を照射して、剥離層１４を露出させる。

　本変形例において、積層体１１の剥離層１４に溶解用流体を供給する方法は特に限られない。例えば、積層体１１の周囲を水蒸気雰囲気にすることにより、四角形の積層体１１の四辺全てから面方向における剥離層１４の端部１２ｆに水蒸気を接触させてもよい。また、積層体１１のうち剥離層１４を含む部分を水に浸漬させてもよい。

　（第１２の変形例）
　上述の本実施の形態および各変形例においては、積層体１１の剥離層１４を溶解させ、デバイス層２０を支持基材１２から分離することによって、デバイス層２０を製造する例を示した。しかしながら、剥離層１４を用いた分離方法の応用例が、デバイス層２０などの物の製造方法に限られることはない。

　図２４は、剥離層１４を介して積層された第１部材１０１及び第２部材１０２を含む積層体１００を示す断面図である。本変形例においては、積層体１００の剥離層１４に溶解用流体を接触させることにより、第１部材１０１を第２部材１０２から分離することができる。このように、剥離層１４を用いた分離方法は、２つの部材を分離する方法として広く利用可能である。

　（その他の変形例）
　また上述の本実施の形態および各変形例において、デバイス層形成工程の後、分離工程の前に、デバイス層２０のうち支持基材１２に対向する側とは反対の側に、何らかの支持用部材を取り付けてもよい。この場合、分離工程の際にデバイス層２０に加えられる力に起因してデバイス層２０が変形してしまうことを、支持用部材の剛性に基づいて抑制することができる。このような支持用部材は、デバイス層２０を支持基材１２から分離した後、デバイス層２０から剥離されてもよい。

　また上述の第１の変形例および第３の変形例においては、保護層１６またはデバイス層２０の一部を利用して剥離層１４の一対の側端部１４ｅを覆う例を示した。しかしながら、剥離層１４の一対の側端部１４ｅを覆うための構成が特に限られることはない。例えば、テープなどのその他の部材を剥離層１４の一対の側端部１４ｅに貼り付けてもよい。

　また上述の本実施の形態においては、支持基材１２から分離された後のデバイス層２０が第２巻取部５７によって巻き取られる例を示したが、これに限られることはない。例えば、支持基材１２から分離された後のデバイス層２０を巻き取ることなく、デバイス層２０を適切な寸法に分断して、パッケージ基板３８などのデバイスを得てもよい。

　また上述の本実施の形態においては、積層体製造装置４０によって製造された積層体１１を巻き取って巻回体１０を作製し、その後、分離装置５０において巻回体１０から積層体１１を巻き出す例を示した。しかしながら、これに限られることはなく、積層体製造装置４０によって製造した積層体１１を巻き取ることなく、分離装置５０において積層体１１のデバイス層２０を支持基材１２から分離する分離工程を実施してもよい。すなわち、積層体形成工程と分離工程とを、１つの製造ラインで連続的に実施してもよい。

　なお、上述した実施の形態に対するいくつかの変形例を説明してきたが、当然に、複数の変形例を適宜組み合わせて適用することも可能である。

　次に、本発明を実施例により更に具体的に説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の実施例の記載に限定されるものではない。

　後述する実施例Ａ１～Ａ４においては、保護層１６によって剥離層１４を適切に保護できるかどうかを評価した。後述する実施例Ｂ１～Ｂ４においては、剥離層１４が水に適切に溶解するかどうかを評価した。後述する実施例Ｃ１、Ｃ２においては、第１基材１２ａに対する剥離層１４の密着性を評価した。

　（実施例Ａ１）
　はじめに、第１基材１２ａと、第１基材１２ａに積層された剥離層１４と、剥離層１４の第２面１４ｂおよび側端部１４ｅを覆う保護層１６と、を含む評価用積層体を準備した。この評価用積層体は、図８に示す層構成を有する積層体１１からデバイス層２０を取り除いたものに相当する。第１基材１２ａとしては、ガラスを用いた。剥離層１４としては、厚み２０ｎｍのカルシウムからなる層を用いた。保護層１６としては、厚み２００ｎｍのアルミニウムを含むものを用いた。

　次に、評価用積層体の周囲環境を、２４時間にわたって、水蒸気を含む環境とした。周囲環境の相対湿度は４０％とした。また、周囲環境の温度は２５℃とした。その後、評価用積層体の第１基材１２ａを介して剥離層１４を観察し、剥離層１４の表面に溶解の痕跡があるかどうかを確認した。結果、溶解の痕跡は存在していなかった。

　（実施例Ａ２）
　はじめに、第１基材１２ａと、第１基材１２ａに積層された剥離層１４と、剥離層１４の第２面１４ｂおよび側端部１４ｅを覆う保護層１６と、第１基材１２ａと剥離層１４との間に配置された第１中間層１７と、剥離層１４と保護層１６との間に配置された第２中間層１８と、を含む評価用積層体を準備した。この評価用積層体は、図１１に示す層構成を有する積層体１１からデバイス層２０を取り除いたものに相当する。第１基材１２ａとしては、ガラスを用いた。剥離層１４としては、厚み１０ｎｍの塩化ナトリウムからなる層を用いた。保護層１６としては、厚み２００ｎｍのアルミニウムを含むものを用いた。第１中間層１７としては、厚み１０ｎｍのカルシウムからなる層を用いた。第２中間層１８としては、厚み２０ｎｍのカルシウムからなる層を用いた。

　次に、実施例Ａ１の場合と同様にして、評価用積層体の周囲環境を、２４時間にわたって、水蒸気を含む環境とした。その後、評価用積層体の第１基材１２ａを介して剥離層１４を観察し、剥離層１４の表面に溶解の痕跡があるかどうかを確認した。結果、溶解の痕跡は存在していなかった。

　（実施例Ａ３）
　剥離層１４として、厚み１０ｎｍの塩化ナトリウムからなる層を用いたこと以外は、実施例Ａ１の場合と同様にして、剥離層１４が溶解するかどうかを評価した。結果、剥離層１４の表面に、溶解の痕跡が部分的に存在していた。

　（実施例Ａ４）
　剥離層１４として、厚み２０ｎｍの塩化ナトリウムからなる層を用い、第２中間層１８として、厚み１０ｎｍのカルシウムからなる層を用いたこと以外は、実施例Ａ２の場合と同様にして、剥離層１４が溶解するかどうかを評価した。結果、剥離層１４の表面に、溶解の痕跡が部分的に存在していた。

　実施例Ａ１から分かるように、剥離層１４を構成する材料としてカルシウムが用いられる場合、第１中間層１７および第２中間層１８が設けられていない場合であっても、剥離層１４に溶解が生じていなかった。一方、実施例Ａ３から分かるように、剥離層１４を構成する材料として塩化ナトリウムが用いられ、かつ第１中間層１７および第２中間層１８が設けられていない場合、剥離層１４に溶解が生じていた。また実施例Ａ４から分かるように、第１中間層１７および第２中間層１８が設けられていても、剥離層１４の厚みが大きい場合、剥離層１４に溶解が生じていた。従って、剥離層１４を構成する材料として塩化ナトリウムが用いられる場合、第１中間層１７や第２中間層１８を設け、かつ剥離層１４の厚みを小さくすること、例えば２０ｎｍ未満、より好ましくは１０ｎｍ以下にすることが好ましいと言える。

　（実施例Ｂ１）
　はじめに、実施例Ａ１と同一の層構成を有し、かつ保護層１６のうち剥離層１４の一対の側端部１４ｅを覆う部分を除去した評価用積層体からなるサンプルを準備した。サンプルにおける剥離層１４の寸法は、長さ７０ｍｍ、幅１０ｍｍとした。次に、図１０に示す溶解性の評価方法の場合と同様にして、水からなる溶媒６３にサンプルを部分的に浸漬させた。溶媒６３の温度は８５℃とした。上述のＬ１：Ｌ２は１：１とした。

　サンプルを水からなる溶媒６３に部分的に浸漬させた後、剥離層１４が溶解されるかどうかを観察した。結果、剥離層１４の溶解は、目視で確認できる程度には生じなかった。

　（実施例Ｂ２）
　はじめに、実施例Ａ２と同一の層構成を有し、かつ保護層１６のうち剥離層１４の一対の側端部１４ｅ、第１中間層１７の一対の側端部１７ｅおよび第２中間層１８の一対の側端部１８ｅを覆う部分を除去した評価用積層体からなるサンプルを準備した。サンプルにおける剥離層１４の寸法は、長さ７０ｍｍ、幅１０ｍｍとした。次に、図１０に示す溶解性の評価方法の場合と同様にして、水からなる溶媒６３にサンプルを部分的に浸漬させた。溶媒６３の温度は２３℃とした。上述のＬ１：Ｌ２は１：１とした。

　サンプルを水からなる溶媒６３に部分的に浸漬させた後、長さ方向に沿って剥離層１４の溶解が下方から上方へ進行する様子を観察した。結果、１０秒間の間に、長さ方向に沿って３０ｍｍにわたって剥離層１４の溶解が生じていた。

　（実施例Ｂ３）
　溶媒６３の温度を６０℃としたこと以外は、実施例Ｂ２の場合と同様にして、剥離層１４に生じる溶解を観察した。結果、２秒間の間に、長さ方向に沿って３０ｍｍにわたって剥離層１４の溶解が生じていた。

　（実施例Ｂ４）
　溶媒６３の温度を８５℃としたこと以外は、実施例Ｂ２の場合と同様にして、剥離層１４に生じる溶解を観察した。結果、２秒間の間に、長さ方向に沿って３０ｍｍにわたって剥離層１４の溶解が生じていた。

　実施例Ｂ１から分かるように、カルシウムによって剥離層１４が構成されている場合、水を用いて剥離層１４を短時間で溶解させることはできなかった。従って、短時間で剥離層１４を溶解させることが求められる場合、カルシウムではなく、塩化ナトリウムなどの無機化合物を用いて剥離層１４を構成することが好ましいと言える。

　実施例Ｂ２から分かるように、塩化ナトリウムによって剥離層１４が構成されている場合、２３℃の水で迅速に剥離層１４を溶解させることができた。また、実施例Ｂ３、Ｂ４から分かるように、水の温度を高めることにより、より短時間で剥離層１４を溶解させることができた。

　（実施例Ｃ１）
　はじめに、実施例Ａ２と同一の層構成を有する評価用積層体を準備した。次に、評価用積層体の周囲環境を、２４時間にわたって、水蒸気を含む環境とした。その後、１Ｎ／１０ｍｍの粘着力を有する、幅１ｃｍ、長さ１０ｃｍの粘着テープを、評価用積層体の保護層１６に貼り付けた。次に、粘着テープを評価用積層体から剥がした。この際、保護層１６は、評価用積層体の側に留まっていた。すなわち保護層１６は剥がれなかった。

　（実施例Ｃ２）
　評価用積層体として、実施例Ａ３と同一の層構成を有する評価用積層体を用いたこと以外は、実施例Ｃ１の場合と同様にして、評価用積層体の保護層１６に貼り付けた粘着テープを剥がした。結果、粘着テープとともに保護層１６および剥離層１４が第１基材１２ａから剥がれた。

　実施例Ｃ１、Ｃ２から分かるように、第１基材１２ａと剥離層１４との間にカルシウムからなる第１中間層１７を配置することにより、塩化ナトリウムなどの水成分に対する溶解性を示す無機化合物によって剥離層１４が構成されている場合であっても、第１基材１２ａに対する剥離層１４の密着性を十分に確保することができた。従って、第１基材１２ａに対する剥離層１４の密着性が必要となる場合、水成分に対する溶解性を有する剥離層１４と第１基材１２ａとの間に、カルシウムなどの、水との反応性を有し、かつ水成分との反応生成物が水に対する溶解性を有さない物質からなる第１中間層１７を配置することが好ましいと言える。なお、カルシウムと水成分との反応生成物である水酸化カルシウムの、２０℃の水に対する溶解度は、１ｇ／１００ｇ－Ｈ_２Ｏ未満である。

　（実施例Ｄ１）
　第１基材１２ａと、第１基材１２ａに積層された剥離層１４と、面方向における剥離層１４の端部１４ｆを覆う保護層１６と、保護層１６上に設けられた樹脂層と、を含む、一辺が１５０ｍｍの正方形状の評価用積層体を準備した。第１基材１２ａとしては、ガラスを用いた。剥離層１４としては、３酸化２ホウ素又は４ホウ酸ナトリウムを含む、厚み４０ｎｍの層を用いた。保護層１６としては、厚み１５０ｎｍのアルミニウムを含む層を用いた。保護層１６上の樹脂層としては、ネガ型の感光性を有する厚み４μｍの層を用いた。なお、２０℃の水に対する炭酸ナトリウムの溶解度は、３０ｇ／１００ｇ－Ｈ_２Ｏである。また、２０℃の水に対する４ホウ酸ナトリウムの溶解度は、４ｇ／１００ｇ－Ｈ_２Ｏである。

　評価用積層体を作製した後、第１基材１２ａを介して剥離層１４を観察し、剥離層１４の表面に溶解の痕跡があるかどうかを確認した。結果、溶解の痕跡がわずかに存在していた。

　次に、評価用積層体を、２４時間にわたって大気中に置いた。その後、評価用積層体の第１基材１２ａを介して剥離層１４を観察し、剥離層１４の表面に溶解の痕跡があるかどうかを確認した。結果、剥離層１４の表面に、溶解の痕跡が存在していた。

　また、評価用積層体の面方向における保護層１６の端部をレーザー光照射によって除去して、サンプルを準備した。次に、実施例Ｂ１の場合と同様にして、水からなる溶媒６３にサンプルを浸漬させた。溶媒６３の温度は８０℃とした。結果、２０分間にわたって評価用積層体を溶媒６３に含浸させることにより、樹脂層を支持基材１２から分離することができた。

　（実施例Ｄ２）
　剥離層１４として、塩化ナトリウムを含む厚み４０ｎｍの層を用いたこと以外は、実施例Ｄ１の場合と同様にして、評価用積層体を作製した。なお、２０℃の水に対する塩化ナトリウムの溶解度は、３５ｇ／１００ｇ－Ｈ_２Ｏである。

　また、評価用積層体の剥離層１４を観察した。結果、剥離層１４の表面に溶解の痕跡が存在していた。

　次に、評価用積層体を、３時間にわたって大気中に置いた。その後、評価用積層体の剥離層１４を観察した。結果、剥離層１４の表面に、溶解の痕跡が存在していた。

　本実施例においては、剥離層１４が大気中の水蒸気に溶解してしまうため、水からなる溶媒６３にサンプルを浸漬させる評価を行うことができなかった。

　（実施例Ｄ３）
　剥離層１４として、４ホウ酸ナトリウムを含む厚み３０ｎｍの層を用いたこと以外は、実施例Ｄ１の場合と同様にして、評価用積層体を作製した。また、評価用積層体の剥離層１４を観察した。結果、剥離層１４の表面に溶解の痕跡は存在していなかった。

　次に、評価用積層体を、１週間にわたって大気中に置いた。その後、評価用積層体の剥離層１４を観察した。結果、剥離層１４の表面に溶解の痕跡は存在していなかった。

　また、実施例Ｄ１の場合と同様にして、評価用積層体から作成したサンプルを、水からなる溶媒６３に浸漬させた。結果、２０分間にわたって評価用積層体を溶媒６３に含浸させることにより、樹脂層を支持基材１２から分離することができた。

　（実施例Ｄ４）
　剥離層１４として、４ホウ酸ナトリウムを含む厚み２００ｎｍの層を用いたこと以外は、実施例Ｄ１の場合と同様にして、評価用積層体を作製した。また、評価用積層体の剥離層１４を観察した。結果、剥離層１４の表面に溶解の痕跡は存在していなかった。

　（実施例Ｄ５）
　剥離層１４として、塩化ナトリウム及びカルシウムを含む、厚み４０ｎｍの層を用い、保護層１６として、酸化インジウム亜鉛及びアルミニウムを含む厚み６００ｎｍの層を用いたこと以外は、実施例Ｄ１の場合と同様にして、評価用積層体を作製した。また、評価用積層体の剥離層１４を観察した。結果、剥離層１４の表面に溶解の痕跡は存在していなかった。

　次に、評価用積層体を、３日間にわたって大気中に置いた。その後、評価用積層体の剥離層１４を観察した。結果、剥離層１４の表面に、溶解の痕跡が存在していた。

　なお、水からなる溶媒６３にサンプルを浸漬させる評価は、実施しなかった。

　（実施例Ｄ６）
　剥離層１４として、４ホウ酸ナトリウム及びカルシウムを含む厚み４０ｎｍの層を用いたこと以外は、実施例Ｄ１の場合と同様にして、評価用積層体を作製した。また、評価用積層体の剥離層１４を観察した。結果、剥離層１４の表面に溶解の痕跡は存在していなかった。

　また、実施例Ｄ１の場合と同様にして、評価用積層体から作成したサンプルを、水からなる溶媒６３に浸漬させた。結果、５分間にわたって評価用積層体を溶媒６３に含浸させることにより、樹脂層を支持基材１２から分離することができた。

　（実施例Ｄ７）
　剥離層１４として、３酸化２ホウ素及びカルシウムを含む厚み５０ｎｍの層を用い、保護層１６として、酸化インジウム亜鉛及びアルミニウムを含む厚み１５０ｎｍの層を用いたこと以外は、実施例Ｄ１の場合と同様にして、評価用積層体を作製した。なお、２０℃の水に対する３酸化２ホウ素の溶解度は、２ｇ／１００ｇ－Ｈ_２Ｏである。

　また、評価用積層体の剥離層１４を観察した。結果、剥離層１４の表面に溶解の痕跡は存在していなかった。

　（実施例Ｄ８）
　剥離層１４として、カルシウムを含む厚み２０ｎｍの層を用いたこと以外は、実施例Ｄ１の場合と同様にして、評価用積層体を作製した。また、評価用積層体の剥離層１４を観察した。結果、剥離層１４の表面に溶解の痕跡は存在していなかった。

　また、実施例Ｄ１の場合と同様にして、評価用積層体から作成したサンプルを、水からなる溶媒６３に浸漬させた。結果、剥離層１４は溶媒６３に溶解しなかった。

　上述の実施例Ｄ６及び実施例Ｄ７から分かるように、４ホウ酸ナトリウムや３酸化２ホウ素などの水成分に対する溶解性を有する材料、及び、カルシウムなどの水成分との反応性を有する材料の両方を用いて剥離層１４を構成することにより、大気中の水蒸気に剥離層１４が溶解してしまうことを抑制しながら、剥離層１４を溶媒６３に迅速に溶解させることができた。

　１０　巻回体
　１１　積層体
　１２　支持基材
　１２ａ　第１基材
　１２ｂ　第２基材
　１２ｃ　突出部
　１２ｅ　側端部
　１４　剥離層
　１４ｄ　先端部
　１４ｅ　側端部
　１５　第１剥離層
　１６　保護層
　１７　第１中間層
　１８　第２中間層
　２０　デバイス層
　２０ｅ　側端部
　２１　絶縁層
　２２　貫通孔
　２３　導電層
　３１～３３　第１層～第３層
　３５　半導体チップ
　３８　パッケージ基板
　４０　積層体製造装置
　５０　分離装置
　５２　吐出部
　５３　溶解用液体
　６０　サンプル
　６１　支持部材
　６２　試験層
　６３　溶媒
　６４　容器
　６５　ホットプレート
　７０　トランジスタ素子
　７１　第１絶縁層
　７２　第１導電層
　７３　第２導電層
　７４　半導体層
　７５　第２絶縁層
　７６　第３導電層
　７７　第３絶縁層
　８０　支持用部材
　９０　実装基板
　９１　第１電極
　９２　感圧体
　９３　第２電極
　１００　積層体
　１０１　第１部材
　１０２　第２部材
　７１　ゲート電極
　７２　ゲート絶縁膜
　７３　ソース電極
　７４　ドレイン電極
　７４ａ　ドレインパッド
　７５　半導体層
　７６　絶縁層
　７７　貫通孔
　７８　貫通電極

Claims

　支持基材と、前記支持基材に積層され、少なくとも絶縁層および導電層を含むデバイス層と、前記支持基材と前記デバイス層との間に配置された剥離層と、を備える積層体を準備する、準備工程と、
　前記積層体の前記剥離層の端部に流体を接触させることにより、前記剥離層を溶解させて、前記デバイス層を前記支持基材から分離する分離工程と、を備える、デバイス層製造方法。
　前記支持基材は、可撓性を有し、
　前記分離工程は、前記積層体を搬送しながら、搬送方向における前記積層体の前記剥離層の先端部に流体を接触させることにより、前記剥離層を溶解させて、前記デバイス層を前記支持基材から分離する、請求項１に記載のデバイス層製造方法。
　前記流体は、液体を含み、
　前記分離工程において、前記流体は、前記搬送方向における前記積層体の前記剥離層の前記先端部よりも上方から、前記剥離層の前記先端部へ供給される、請求項２に記載のデバイス層製造方法。
　前記剥離層は、金属または金属酸化物を含む、請求項１乃至３のいずれか一項に記載のデバイス層製造方法。
　前記積層体は、前記剥離層の端部を覆う保護層をさらに有する、請求項１乃至３のいずれか一項に記載のデバイス層製造方法。
　前記積層体は、前記剥離層の端部を覆う保護層をさらに有し、
　前記剥離層は、水成分に対する溶解性を有し、
　前記保護層は、水成分に対する溶解性を有さず、
　前記流体は、水または水蒸気を含む、請求項１乃至３のいずれか一項に記載のデバイス層製造方法。
　前記積層体は、前記剥離層の端部を覆う保護層をさらに有し、
　前記剥離層は、水成分に対する溶解性を有する材料、及び、アルカリ金属又はアルカリ土類金属を含み、
　前記保護層は、水成分に対する溶解性を有さず、
　前記流体は、水または水蒸気を含む、請求項１乃至３のいずれか一項に記載のデバイス層製造方法。
　前記支持基材は、第１基材と、前記第１基材に積層され、樹脂を含む第２基材と、を有する、請求項１乃至３のいずれか一項に記載のデバイス層製造方法。
　前記支持基材は、樹脂を含む第１基材と、前記第１基材と前記剥離層との間に配置に積層され、前記第１基材よりも低い水蒸気透過率を有する第２基材と、を有する、請求項１乃至３のいずれか一項に記載のデバイス層製造方法。
　前記支持基材は、第１基材と、前記第１基材の端部の位置よりも外側へ広がる突出部と、を有し、
　前記剥離層の端部は、前記第１基材の前記端部よりも外側に位置し、
　前記デバイス層の端部は、前記剥離層の前記端部よりも外側に位置する、請求項１乃至３のいずれか一項に記載のデバイス層製造方法。
　前記準備工程は、
　前記支持基材を準備する工程と、
　前記支持基材上に前記剥離層を形成する剥離層形成工程と、
　前記剥離層上に前記デバイス層を形成するデバイス層形成工程と、を含み、
　前記デバイス層形成工程は、前記絶縁層を構成する絶縁性材料を含む塗布液を前記剥離層上に塗布する塗布工程を含む、請求項１乃至３のいずれか一項に記載のデバイス層製造方法。
　前記デバイス層は、半導体チップが搭載されるパッケージ基板を構成するためのものであり、
　前記デバイス層の前記絶縁層には、前記絶縁層の第１面から第２面に至る貫通孔が形成されており、
　前記デバイス層の前記導電層は、前記絶縁層の前記貫通孔の内部に位置する第１部分と、前記絶縁層の前記第１面上または前記第２面上に位置する第２部分と、を含む、請求項１乃至３のいずれか一項に記載のデバイス層製造方法。
　前記デバイス層は、トランジスタ素子を含む、請求項１乃至３のいずれか一項に記載のデバイス層製造方法。
　前記支持基材は、ガラス、金属またはシリコンを含む第１基材を有し、
　前記第１基材がガラスを含む場合、前記第１基材の厚みは３０μｍ以上且つ１５０μｍ以下であり、
　前記第１基材が金属を含む場合、前記第１基材の厚みは３０μｍ以上且つ１００μｍ以下であり、
　前記第１基材がシリコンを含む場合、前記第１基材の厚みは３０μｍ以上且つ１０００μｍ以下である、請求項１乃至３のいずれか一項に記載のデバイス層製造方法。
　積層体を分離する分離装置であって、
　前記積層体は、可撓性を有する支持基材と、前記支持基材に積層され、少なくとも絶縁層および導電層を含むデバイス層と、前記支持基材と前記デバイス層との間に配置された剥離層と、を備え、
　前記分離装置は、前記積層体を搬送しながら、搬送方向における前記積層体の前記剥離層の先端部に流体を接触させることにより、前記剥離層を溶解させて、前記デバイス層を前記支持基材から分離するよう構成されている、分離装置。
　積層体が巻き取られた巻回体であって、
　前記積層体は、可撓性を有する支持基材と、前記支持基材に積層され、少なくとも絶縁層および導電層を含むデバイス層と、前記支持基材と前記デバイス層との間に配置された剥離層と、を備え、
　前記剥離層は、金属または金属酸化物を含む、巻回体。
　前記積層体は、前記積層体の巻取方向に沿って延びる前記剥離層の一対の側端部を覆う保護層をさらに有する、請求項１６に記載の巻回体。
　積層体が巻き取られた巻回体であって、
　前記積層体は、可撓性を有する支持基材と、前記支持基材に積層された剥離層と、前記剥離層を保護する保護層と、を備える、巻回体。
　前記保護層は、前記積層体の巻取方向に沿って延びる前記剥離層の一対の側端部を覆っている、請求項１８に記載の巻回体。
　前記積層体は、少なくとも絶縁層および導電層を含むデバイス層をさらに備え、
　前記剥離層および前記保護層は、前記支持基材と前記デバイス層との間に配置されている、請求項１８または１９に記載の巻回体。
　前記剥離層は、水成分に対する溶解性を有し、
　前記保護層は、水成分に対する溶解性を有さない、請求項１８または１９のいずれか一項に記載の巻回体。
　前記剥離層は、水成分に対する溶解性を有する材料、及び、アルカリ金属又はアルカリ土類金属を含み、
　前記保護層は、水成分に対する溶解性を有さない、請求項１８または１９のいずれか一項に記載の巻回体。
　前記積層体の前記剥離層は、第１剥離層と、前記支持基材と前記第１剥離層との間に配置された第１中間層と、を有する、請求項１８または１９のいずれか一項に記載の巻回体。
　前記積層体の前記剥離層は、第１剥離層と、前記保護層と前記第１剥離層との間に配置された第２中間層と、を有する、請求項１８または１９のいずれか一項に記載の巻回体。
　前記剥離層は、アルコール成分に対する溶解性を有する、請求項１６乃至１９のいずれか一項に記載の巻回体。
　前記支持基材は、第１基材と、前記第１基材に積層され、樹脂を含む第２基材と、を有する、請求項１６乃至１９のいずれか一項に記載の巻回体。
　前記支持基材は、樹脂を含む第１基材と、前記第１基材と前記剥離層との間に配置に積層され、前記第１基材よりも低い水蒸気透過率を有する第２基材と、を有する、請求項１６乃至１９のいずれか一項に記載の巻回体。
　前記支持基材は、第１基材と、前記積層体の巻取方向に沿って延びる前記第１基材の一対の側端部の位置よりも外側へ広がる突出部と、を有し、
　前記巻取方向に沿って延びる前記剥離層の一対の側端部は、前記第１基材の前記一対の側端部よりも外側に位置し、
　前記巻取方向に沿って延びる前記デバイス層の一対の側端部は、前記剥離層の前記一対の側端部よりも側方に位置する、請求項１６乃至１９のいずれか一項に記載の巻回体。
　前記支持基材は、ガラス、金属またはシリコンを含む第１基材を有し、
　前記第１基材がガラスを含む場合、前記第１基材の厚みは３０μｍ以上且つ１５０μｍ以下であり、
　前記第１基材が金属を含む場合、前記第１基材の厚みは３０μｍ以上且つ１００μｍ以下であり、
　前記第１基材がシリコンを含む場合、前記第１基材の厚みは３０μｍ以上且つ１０００μｍ以下である、請求項１６乃至１９のいずれか一項に記載の巻回体。
　積層体であって、
　前記積層体は、支持基材と、前記支持基材に積層され、少なくとも絶縁層および導電層を含むデバイス層と、前記支持基材と前記デバイス層との間に配置された剥離層と、を備え、
　前記剥離層は、金属または金属酸化物を含む、積層体。
　積層体であって、
　前記積層体は、支持基材と、前記支持基材に積層された剥離層と、前記剥離層を保護する保護層と、を備える、積層体。
　前記保護層は、前記剥離層の端部を覆っている、請求項３１に記載の積層体。
　前記剥離層は、水成分に対する溶解性を有し、
　前記保護層は、水成分に対する溶解性を有さない、請求項３１または３２に記載の積層体。
　前記剥離層は、水成分に対する溶解性を有する材料、及び、アルカリ金属又はアルカリ土類金属を含み、
　前記保護層は、水成分に対する溶解性を有さない、請求項３１または３２に記載の積層体。
　積層体の分離方法であって、
　剥離層を介して積層された第１部材及び第２部材を含む積層体を準備する工程と、
　前記剥離層に流体を接触させることにより、前記剥離層を溶解させて、第１部材を第２部材から分離する分離工程と、を備える、分離方法。