JP2010028104A - 配線基板及びその製造方法、並びに半導体装置及びその製造方法 - Google Patents

配線基板及びその製造方法、並びに半導体装置及びその製造方法 Download PDF

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Abstract

【課題】繊維体に貫通孔を空けることなく、プリプレグの内部に導電領域を形成することを課題とする。
【解決手段】シート状繊維体の両面に、該シート状繊維体の内部まで含浸した有機樹脂層と、前記有機樹脂層を溶解し前記シ−ト状繊維体に含浸した貫通配線を有し、前記貫通配線は、前記シート状繊維体を挟んで前記有機樹脂層の両面に露出している配線基板及びその作製方法、並びに、さらに、絶縁層の表面にバンプが露出した集積回路チップとを有し、前記バンプが前記貫通配線と接触するように、前記集積回路チップが前記樹脂含浸繊維体複合基板に密接している半導体装置及びその作製方法に関する。
【選択図】図２

Description

半導体集積回路若しくは回路基板を、電気的、機械的に接続する配線基板、及びそれを用いる半導体装置に関する。
補強材としてのシート状繊維体に熱硬化性樹脂を含浸させ、半硬化状態としたプリプレグが回路基板等の素材として用いられている。例えば、加熱加圧形成により絶縁層となるプリプレグの所定箇所に、貫通穴をあけ、当該貫通穴に加熱加圧形成により絶縁層を貫通する導体となる導電性ペーストを充填したプリプレグが知られている（特許文献１参照）。この場合、貫通穴は、プリプレグにレーザ、ドリル、打ち抜き等によってあけられている。
また、半導体装置の封止材としてプリプレグを用いるものが開示されている（特許文献２参照）。
特開２００７−０９１８２２号公報 特開２００８−１１２９８８号公報
しかし、プリプレグのような繊維体に樹脂を含浸させた複合基板）以下、「樹脂含浸繊維体複合基板」ともいう）に貫通穴を形成するということは、補強材としてのシート状繊維体にダメージを与えてしまい、樹脂含浸繊維体複合基板の強度を損なってしまう。樹脂含浸繊維体複合基板を封止体として用いる場合において、貫通配線を形成するために当該封止体に貫通穴をあけると、気密性が損なわれてしまい封止材の用途に適さないものとなってしまう。さらに、シート状繊維体と樹脂層の両方に穴を空けないといけないので、作製工程が多くなってしまうといった問題もある。
そこで本明細書に開示される発明の１つの概要では、シート状繊維体の強度を保ちつつ、樹脂含浸繊維体複合基板を貫通する導電性のパターンを設けることを課題とする。また、貫通する導電性のパターンが設けられた樹脂含浸繊維体複合基板を半導体装置の封止体として用いることを課題とする。
本発明の１つの概要は、シート状繊維体の両面に、該シート状繊維体の内部まで含浸した有機樹脂層と、前記有機樹脂層の一部を溶解して形成され、前記シ−ト状繊維体に含浸している貫通配線を有する配線基板である。有機樹脂層の溶解部分では、前記貫通配線は、前記シート状繊維体の両面に露出しており、貫通配線はシート状繊維体中に位置している。この貫通配線は、導電性樹脂を用いて形成され、シート状繊維体の両面に導電性樹脂が露出し、該導電性樹脂はシート状繊維体に含浸している。導電性樹脂がシート状繊維体にで含浸することで、シート状繊維体の表裏両面の導通をとることができる。この場合において、シート状繊維体は抜き落とされることなく配線基板の全面に残存するので、補強材として作用する。
本発明の１つの概要は、シート状繊維体の両面に、該シート状繊維体の内部まで含浸した有機樹脂層と、前記有機樹脂層の一部を溶解し前記シ−ト状繊維体に含浸した貫通配線を有し、前記貫通配線は、有機樹脂層の溶解部分で、前記シート状繊維体の両面に露出している樹脂含浸繊維体複合基板を有し、絶縁層の表面に配線（バンプ）が露出した集積回路チップが固着された半導体装置である。集積回路チップの配線は、樹脂含浸繊維体複合基板の貫通配線と接触するように密接している。貫通配線は、導電性樹脂がシート状繊維体を含浸するようにして形成され、シート状繊維体は抜き落とされることなく樹脂含浸繊維体複合基板の全面に残存することで、機械的強度を維持し、気密性を保つように作用する。
本発明の１つの概要は、シート状繊維体に、有機樹脂層を含浸させ、前記有機樹脂層の一部の領域上に、金属粒子を有する導電性樹脂を配置し、前記導電性樹脂が前記有機樹脂層を溶解し、前記金属粒子が前記シート状繊維体の間を移動して貫通配線を形成することを特徴とする配線基板の作製方法である。
本発明の１つの概要は、絶縁層の表面に配線が露出した集積回路チップを形成し、シート状繊維体に、有機樹脂層を含浸させ、前記有機樹脂層の一部の領域上に、金属粒子を有する導電性樹脂を配置し、前記導電性樹脂が前記有機樹脂層を溶解し、前記金属粒子が前記シート状繊維体の間を移動して、前記配線と接触する貫通配線を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法である。
前記シート状繊維体は、ガラス繊維を有している。
また前記金属粒子は、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、スズ（Ｓｎ）のいずれかを含む。
本明細書に開示される発明の１つの概要によれば、樹脂含浸繊維体複合機材を用いる配線基板において、貫通配線を設ける場合にあっても、機械的強度を維持し丈夫な配線基板を得ることができる。
本明細書に開示される発明の１つの概要によれば、貫通配線が設けられた樹脂含浸繊維体複合基板を半導体装置の封止体として用いる場合にも、機械的強度を維持し、気密性を保つことができる。
シート状繊維体の上面図。 配線基板の作製方法を示す断面図。 半導体装置の作製方法を示す断面図。 半導体装置の作製方法を示す断面図。 半導体装置の作製方法を示す断面図。 半導体装置の作製方法を示す断面図。 導電性樹脂と構造体の光学顕微鏡写真。 図７の構成を示す断面図。 半導体装置の作製方法を示す断面図。 ＲＦＩＤタグを示す上面図及び断面図。 ＲＦＩＤタグの作製方法を示す断面図。
以下、本発明の実施の態様について、図面を参照して説明する。但し、本発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に示す図面において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
なお本明細書において、半導体装置とは、半導体を利用することで機能する素子及び装置全般を指し、電子回路、液晶表示装置、発光装置等を含む電気装置およびその電気装置を搭載した電子機器をその範疇とする。
［実施の形態１］
本実施の形態では、配線基板の構成と、その作製方法について、図１（Ａ）〜図１（Ｂ）、図２（Ａ）〜図２（Ｃ）、を用いて説明する。
シート状繊維体１１３が糸束を経糸及び緯糸に使って製織した織布の上面図を図１（Ａ）〜図１（Ｂ）に示す。また、シート状繊維体１１３に有機樹脂１１４が含浸された構造体１２０の断面図を図２（Ａ）に示す。
シート状繊維体１１３は、有機化合物または無機化合物の織布または不織布である。またシート状繊維体１１３として、有機化合物または無機化合物の高強度繊維を用いてもよい。
また、シート状繊維体１１３は、繊維（単糸）の束（以下、糸束という。）を経糸及び緯糸に使って製織した織布、または複数種の繊維の糸束をランダムまたは一方向に堆積させた不織布で構成されてもよい。織布の場合、平織り、綾織り、繻子織り等適宜用いることができる。
糸束の断面は、円形でも楕円形でもよい。糸束として、高圧水流、液体を媒体とした高周波の振動、連続超音波の振動、ロールによる押圧等によって、開繊加工をした糸束を用いてもよい。開繊加工をした糸束は、糸束幅が広くなり、厚み方向の単糸数を削減することが可能であり、糸束の断面が楕円形または平板状となる。また、糸束として低撚糸を用いることで、糸束が扁平化しやすく、糸束の断面形状が楕円形状または平板形状となる。このように、断面が楕円形または平板状の糸束を用いることで、シート状繊維体１１３の厚さを薄くすることが可能である。このため、構造体１２０の厚さを薄くすることが可能であり、薄型の半導体装置を作製することができる。
図１（Ａ）に示すように、シート状繊維体１１３は、一定間隔をあけた経糸１１３ａ及び一定間隔をあけた緯糸１１３ｂが織られている。このようなシート状繊維体には、経糸１１３ａ及び緯糸１１３ｂが存在しない領域（本明細書では「バスケットホール」１１３ｃと呼ぶ）を有する。このようなシート状繊維体１１３は、有機樹脂１１４がシート状繊維体に含浸される割合が高まり、シート状繊維体１１３の密着性を高めることができる。
また、図１（Ｂ）に示すように、シート状繊維体１１３は、経糸１１３ａ及び緯糸１１３ｂの密度が高く、バスケットホール１１３ｃの割合が低いものでもよい。代表的には、バスケットホール１１３ｃの大きさが、局所的に押圧される面積より小さいことが好ましい。代表的には一辺が０．０１ｍｍ以上０．２ｍｍ以下の矩形であることが好ましい。シート状繊維体１１３のバスケットホール１１３ｃの面積がこのように小さいと、先端の細い部材（代表的には、ペンや鉛筆等の筆記用具）により押圧されても、当該圧力をシート状繊維体１１３全体で吸収することが可能である。
また、糸束内部への有機樹脂１１４の浸透率を高めるため、糸束に表面処理が施されても良い。例えば、糸束表面を活性化させるためのコロナ放電処理、プラズマ放電処理等がある。また、シランカップリング材、チタネートカップリング材を用いた表面処理がある。
また高強度繊維とは、具体的には引張弾性率が高い繊維である。または、ヤング率が高い繊維である。高強度繊維の代表例としては、ポリビニルアルコール系繊維、ポリエステル系繊維、ポリアミド系繊維、ポリエチレン系繊維、アラミド系繊維、ポリパラフェニレンベンゾビスオキサゾール繊維、ガラス繊維、または炭素繊維である。ガラス繊維としては、Ｅガラス、Ｓガラス、Ｄガラス、Ｑガラス等を用いたガラス繊維を用いることができる。なお、シート状繊維体１１３は、一種類の上記高強度繊維で形成されてもよい。また、複数種類の上記高強度繊維で形成されてもよい。
シート状繊維体１１３に含浸される有機樹脂１１４は、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、またはシアネート樹脂等の熱硬化性樹脂を用いることができる。また、ポリフェニレンオキシド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、またはフッ素樹脂等の熱可塑性樹脂を用いることができる。また、上記熱可塑性樹脂及び上記熱硬化性樹脂の複数を用いてもよい。上記有機樹脂を用いることで、熱処理によりシート状繊維体を素子層に固着することが可能である。なお、有機樹脂１１４はガラス転移温度が高いほど、局所的押圧に対して破壊しにくいため好ましい。
有機樹脂１１４または繊維の糸束内に高熱伝導性フィラーを分散させてもよい。高熱伝導性フィラーとしては、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化珪素、アルミナ等がある。また、高熱伝導性フィラーとしては、銀、銅等の金属粒子がある。高熱伝導性フィラーが有機樹脂または糸束内に含まれることにより素子層での発熱を外部に放出しやすくなるため、半導体装置の蓄熱を抑制することが可能であり、半導体装置の破壊を低減することができる。
図２（Ｂ）〜図２（Ｃ）に、構造体１２０に貫通孔を設けずに、導電性樹脂１０１を内部に導通させた構造体１２０を示す。
まず構造体１２０上に導電性樹脂１０１を配置する（図２（Ｂ）参照）。本実施の形態では、導電性樹脂１０１として金属元素を含む導電ペースト、例えば銀ペーストを用いる。金属元素は、金属粒子として導電ペーストに含まれていればよい。
また導電ペーストは、好ましくは、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、スズ（Ｓｎ）のいずれかを含むペーストであればよい。
構造体１２０上に導電性樹脂１０１に配置する方法は、スクリーン印刷やインクジェット法を用いればよい。
構造体１２０上に導電性樹脂１０１を配置すると、構造体１２０中の有機樹脂１１４と導電性樹脂１０１の成分、例えば導電ペーストを用いる場合はペーストが反応し、有機樹脂１１４の一部が溶解し、導電性樹脂１０１中の金属粒子がシート状繊維体１１３の隙間を通り抜け、導電性樹脂１０１が最初に形成された面（第１の面）の反対の面（第２の面）にまで金属粒子が移動する。これにより構造体１２０の内部に通電領域が形成される（図２（Ｃ）参照）。なお構造体１２０の第２の面での導電性樹脂１０１の面積は、第１の面での面積よりも小さくてもよく、また大きくてもよい。すなわち、導電性樹脂１０１の構造体１２０の内部への移動は、収斂しながらの移動でも、広がりながらの移動でもよい。
構造体１２０に貫通孔（コンタクトホールともいう）を形成しない、すなわちシート状繊維体１１３を分断しないことで、構造体１２０の強度を維持したまま、構造体１２０の一方の面と他方の面を電気的に接続させることができる。
その後加熱工程を行い、構造体１２０中の溶けなかった有機樹脂１１４を硬化させる。
以上のようにして作製された、樹脂含浸繊維体複合基板は、貫通配線を有しながら、機械的強度を維持できる上に、気密性を保つことができる。
［実施の形態２］
本実施の形態では、貫通配線が設けられた樹脂含浸繊維体複合基板を用いた半導体装置の構成と、その作製方法について、図３（Ａ）〜図３（Ｄ）、図４（Ａ）〜図４（Ｅ）、図５（Ａ）〜図５（Ｄ）、図６（Ａ）〜図６（Ｅ）、図９（Ａ）〜図９（Ｂ）を用いて説明する。
図３（Ａ）〜図３（Ｄ）は、素子層の断面図を示す。
まず図３（Ａ）に示す素子層５１は、図４（Ａ）〜図４（Ｅ）、図５（Ａ）〜図５（Ｄ）、図６（Ａ）〜図６（Ｅ）、図９（Ａ）〜図９（Ｂ）に示す素子層５１と同じ構成を有する。また図３（Ｂ）〜図３（Ｄ）において、図３（Ａ）と同じものは同じ符号で示すものとする。
素子層５１は、絶縁層５６上に、薄膜トランジスタ５２ａ及び薄膜トランジスタ５２ｂ、絶縁膜６５、絶縁膜６６、絶縁膜６７を有している。薄膜トランジスタ５２ａは、ソース領域またはドレイン領域である不純物領域５３ａ、並びに、チャネル形成領域６３ａを有する半導体層、さらにゲート絶縁層５４、ゲート電極５５ａを有している。薄膜トランジスタ５２ｂは、ソース領域またはドレイン領域である不純物領域５３ｂ、並びに、チャネル形成領域６３ｂを有する半導体層、さらにゲート絶縁層５４、ゲート電極５５ｂを有している。
薄膜トランジスタ５２ａの不純物領域５３ａ及び薄膜トランジスタ５２ｂの不純物領域５３ｂには、一導電性を付与する不純物元素が含まれている。ｎ型を付与する不純物元素として、リン（Ｐ）やヒ素（Ａｓ）などが用いられる。またｐ型を付与する不純物元素として、ホウ素（Ｂ）などが用いられる。不純物領域５３ａ及び不純物領域５３ｂには、それぞれどちらか一方、あるいは両方同じ不純物元素が含まれていてもよい。本実施の形態では、不純物領域５３ａはリン（Ｐ）が含まれているためｎ型不純物領域であり、不純物領域５３ｂはホウ素（Ｂ）が含まれているためｐ型不純物領域であるとする。すなわち、薄膜トランジスタ５２ａはｎチャネル型薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタ５２ｂはｐチャネル型薄膜トランジスタとなる。
薄膜トランジスタ５２ａ及び薄膜トランジスタ５２ｂの半導体層はそれぞれ、厚さ１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下、より好ましくは２０ｎｍ以上７０ｎｍ以下の非単結晶半導体で形成される層であり、非単結晶半導体層としては、結晶性半導体層、非晶質半導体層、微結晶半導体層等がある。また、半導体としては、シリコン、ゲルマニウム、シリコンゲルマニウム化合物等がある。特に、瞬間熱アニール（ＲＴＡ）又はファーネスアニール炉を用いた熱処理により結晶化させた結晶性半導体、加熱処理とレーザビームの照射を組み合わせて結晶化させた結晶性半導体を適用することが好ましい。加熱処理においては、シリコン半導体の結晶化を助長する作用のあるニッケルなどの金属元素を用いた結晶化法を適用することができる。
加熱処理に加えてレーザビームを照射して結晶化する場合には、連続発振レーザビームの照射若しくは繰り返し周波数が１０ＭＨｚ以上であって、パルス幅が１ナノ秒以下、好ましくは１乃至１００ピコ秒である高繰返周波数超短パルス光を照射することによって、結晶性半導体が溶融した溶融帯を、当該レーザビームの照射方向に連続的に移動させながら結晶化を行うことができる。このような結晶化法により、大粒径であって、結晶粒界が一方向に延びる結晶性半導体を得ることができる。
ゲート絶縁層５４は、厚さ５ｎｍ以上５０ｎｍ以下、好ましくは１０ｎｍ以上４０ｎｍ以下の酸化珪素及び酸化窒化珪素などの無機絶縁物で形成する。
ゲート電極５５ａ及びゲート電極５５ｂは、金属または一導電型を与える不純物元素を添加した多結晶半導体で形成することができる。金属を用いる場合は、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、アルミニウム（Ａｌ）などを用いることができる。また、金属を窒化させた金属窒化物を用いることができる。或いは、当該金属窒化物からなる第１層と当該金属から成る第２層とを積層させた構造としても良い。このとき第１層を金属窒化物とすることで、バリアメタルとすることができる。すなわち、第２層の金属が、ゲート絶縁層やその下層の半導体層に拡散することを防ぐことができる。また、積層構造とする場合には、第１層の端部が第２層の端部より外側に突き出した形状としても良い。
半導体層、ゲート絶縁層５４、ゲート電極５５ａ、ゲート電極５５ｂなどを組み合わせて構成される薄膜トランジスタ５２ａ、薄膜トランジスタ５２ｂは、シングルドレイン構造、ＬＤＤ（低濃度ドレイン）構造、ゲートオーバーラップドレイン構造など各種構造を適用することができる。ここでは、シングルドレイン構造の薄膜トランジスタを示す。さらには、等価的には、同電位のゲート電圧が印加される複数のトランジスタが直列に接続された形となるマルチゲート構造、半導体層の上下をゲート電極で挟むデュアルゲート構造、絶縁層５６上にゲート電極が形成され、ゲート電極上にゲート絶縁層、半導体層が形成される逆スタガ型薄膜トランジスタ等を適用することができる。
ソース領域またはドレイン領域である不純物領域５３ａ、あるいは不純物領域５３ｂに接する配線５７ａ、配線５７ｂ、配線５８ａ、配線５８ｂは、チタン（Ｔｉ）とアルミニウム（Ａｌ）の積層構造、モリブデン（Ｍｏ）とアルミニウム（Ａｌ）との積層構造など、アルミニウム（Ａｌ）のような低抵抗材料と、チタン（Ｔｉ）やモリブデン（Ｍｏ）などの高融点金属材料を用いたバリアメタルとの組み合わせで形成することが好ましい。
なお、薄膜トランジスタとして金属酸化物や有機半導体材料を半導体層に用いた薄膜トランジスタを用いることが可能である。金属酸化物の代表例には酸化亜鉛や亜鉛ガリウムインジウムの酸化物等がある。
素子層５１を有する半導体装置の代表例として、他の装置の制御やデータの計算・加工を行なうマイクロプロセッサ（ＭＰＵ）がある。ＭＰＵは、ＣＰＵ、メインメモリ、コントローラ、インターフェース、Ｉ／Ｏポート等を有し、これらを薄膜トランジスタ、抵抗素子、容量素子、配線等で構成することができる。
さらに素子層５１として、液晶表示装置の駆動装置、ＥＬ表示装置の駆動装置、電気泳動装置の駆動回路が挙げられる。これらは薄膜トランジスタ、抵抗素子、容量素子、配線等で構成することが可能である。
図３（Ｂ）に示す記憶素子６２は、チャネル形成領域９１及び不純物領域９２を有する半導体層、トンネル酸化層６４、フローティングゲート９３、コントロール絶縁層９４、コントロールゲート９５で構成される不揮発性記憶素子である。
トンネル酸化層６４は、厚さ１ｎｍ〜１０ｎｍ、好ましくは１ｎｍ〜５ｎｍの酸化珪素若しくは酸化珪素と窒化珪素の積層構造を減圧ＣＶＤ法やプラズマＣＶＤ法などで形成することができる。また、プラズマ処理により半導体層を酸化又は窒化することによりトンネル酸化層を形成することができる。さらには、プラズマＣＶＤ法により形成した酸化珪素をプラズマ処理により酸化又は窒化してもよい。当該プラズマ処理して形成した絶縁層は、緻密で絶縁耐圧が高く信頼性に優れている。
フローティングゲート９３は、導電層、ポリシリコン層、シリコンドット等で形成することができる。また、フローティングゲートの代わりに、窒化珪素、窒化ゲルマニウム等で形成された電荷蓄積層を用いてもよい。
コントロール絶縁層９４は、酸化珪素、窒化珪素、酸窒化珪素、酸化アルミニウムなどの一層若しくは複数層を、減圧ＣＶＤ法やプラズマＣＶＤ法などで形成する。コントロール絶縁層９４の厚さは１ｎｍ〜２０ｎｍ、好ましくは５〜１０ｎｍで形成する。
コントロールゲート９５は、図３（Ａ）に示すゲート電極５５ａまたはゲート電極５５ｂと同様の材料で形成すればよい。
記憶素子６２を駆動するための駆動素子として薄膜トランジスタ５２ｂを形成してもよい。
記憶素子６２及び薄膜トランジスタ５２ｂを形成したら、記憶素子６２及び薄膜トランジスタ５２ｂを覆って、絶縁膜６５及び絶縁膜６６を形成する。絶縁膜６６上に、不純物領域９２と電気的に接続する配線９７及び配線９８を形成する。薄膜トランジスタ５２ｂについては、上述したように配線５７ｂ及び５８ｂが形成される。絶縁膜６６、配線９７、配線９８、配線５７ｂ、配線５８ｂを覆って、絶縁膜６７が形成される。これにより、記憶素子６２を含む素子層６１が作製される。
また記憶素子としては、記憶素子６２の構成以外に、電荷蓄積層を有する不揮発性記憶素子、薄膜トランジスタ及びそれに接続される容量素子、薄膜トランジスタ及びそれに接続される強誘電層を有する容量素子、一対の電極の間に有機化合物層が挟まれる有機メモリ素子等がある。
また、このような記憶素子を有する半導体装置としては、ＤＲＡＭ（Ｄｙｎａｍｉｃ Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＳＲＡＭ（Ｓｔａｔｉｃ Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＦｅＲＡＭ（Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）、マスクＲＯＭ（Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＥＰＲＯＭ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＥＥＰＲＯＭ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ Ｅｒａｓａｂｌｅ ａｎｄ Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）、フラッシュメモリ等の記憶装置がある。
図３（Ｃ）に示すフォトダイオード７２は、第１の電極として機能する配線５８ａ、受光部７３、及び第２の電極７４で構成されている。受光部は７３、非晶質または結晶質のシリコンを有する半導体層で形成することができる。この代表例としては、シリコン層、シリコンゲルマニウム層、炭化シリコン層、又はこれらのＰＮ接合層、ＰＩＮ接合層が挙げられる。
薄膜トランジスタ５２ａは、配線５８ａを介して電気的にフォトダイオード７２と接続されており、駆動素子として機能する。薄膜トランジスタ５２ａ上に絶縁膜６５及び絶縁膜６６を形成する。絶縁膜６６上に薄膜トランジスタ５２ａの不純物領域に電気的に接続される配線５７ａ及び配線５８ａを形成する。また絶縁膜６６上に、配線５８ａに電気的に接続される受光部７３、受光部７３上に第２の電極７４を形成する。
絶縁膜６６、配線５７ａ、配線５８ａ、受光部７３、第２の電極７４を覆って絶縁膜６７を形成する。これにより、フォトダイオード７２及び薄膜トランジスタ５２ａを有する素子層７１が作製される。
図３（Ｃ）に示すフォトダイオード７２を有する半導体装置としては、光センサ、太陽電池等がある。
また、図３（Ｄ）に示す素子層８１は、薄膜トランジスタ５２ａ及び薄膜トランジスタ５２ｂ、並びに、薄膜トランジスタ５２ａまたは５２ｂに電気的に接続し絶縁膜６６上に形成される電極８４、電極８４に電気的に接続し絶縁膜６７上に形成されるアンテナ８３を有している。電極８４は、薄膜トランジスタ５２ａまたは薄膜トランジスタ５２ｂに電気的に接続する配線５７ａ、配線５８ａ、配線５７ｂ、配線５８ｂと同様の材料及び同様の作製工程により形成すればよい。
図３（Ｄ）に示すアンテナ８３は、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）およびチタン（Ｔｉ）等のいずれか一つ以上の金属粒子を有する液滴やペーストを液滴吐出法（インクジェット法、ディスペンス法など）により吐出し、乾燥焼成して形成する。液滴吐出法によりアンテナを形成することで、工程数の削減が可能であり、それに伴うコスト削減が可能である。
また、スクリーン印刷法を用いてアンテナ８３を形成してもよい。スクリーン印刷法を用いる場合、アンテナ８３の材料としては、粒径が数ｎｍから数十μｍの導電性粒子を有機樹脂に溶解または分散させた導電性ペーストを選択的に印刷する。導電性粒子としては、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）およびチタン（Ｔｉ）等のいずれか一つ以上の金属粒子やハロゲン化銀の微粒子、または分散性ナノ粒子を用いることができる。また、導電性ペーストに含まれる有機樹脂は、金属粒子のバインダー、溶媒、分散材および被覆材として機能する有機樹脂から選ばれた一つまたは複数を用いることができる。代表的には、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂等の有機樹脂が挙げられる。また、導電層の形成にあたり、導電性のペーストを印刷した後に焼成することが好ましい。
また、アンテナ８３は、スクリーン印刷法の他にもグラビア印刷等を用いてもよいし、メッキ法、スパッタリング法等を用いて、導電性材料により形成することができる。
図３（Ｄ）に示す素子層８１を有する半導体装置の代表例としては、無線で情報を送受信することが可能なＩＤタグ、ＩＣタグ、ＲＦ（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）タグ、無線タグ、電子タグ、ＲＦＩＤ（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ Ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）タグ、ＩＣカード、ＩＤカード等（以下、ＲＦＩＤと示す。）がある。また、本実施の形態の半導体装置は、薄膜トランジスタ等で構成される集積回路部とアンテナを封止したインレットや、当該インレットをシール状やカード状にしたものを含む。また、半導体装置の上面の面積を、４ｍｍ２以上、さらには９ｍｍ２以上とすることで、アンテナの面積を大きく形成することが可能であるため、通信機との通信距離の長いＲＦＩＤとすることができる。さらに実施の形態１及び本実施の形態に開示される接続方法は、ＲＦＩＤのアンテナと集積回路部の接続部分に用いることが可能である。
また、ＲＦＩＤの信号の伝送方式として、電磁結合方式または電磁誘導方式（例えば１３．５６ＭＨｚ帯）を適用する。磁束密度の変化による電磁誘導を利用する場合、アンテナの上面形状を輪状（例えば、ループアンテナ）、らせん状（例えば、スパイラルアンテナ）に形成することができる。
また、ＲＦＩＤにおける信号の伝送方式として、マイクロ波方式（例えば、ＵＨＦ帯（８６０〜９６０ＭＨｚ帯）、２．４５ＧＨｚ帯等）を適用することもできる。その場合には、信号の伝送に用いる電磁波の波長を考慮してアンテナの長さ等の形状を適宜設定すればよい。
本実施の形態の構造体１２０及び導電性樹脂１０１を、薄膜トランジスタ５２ａ及び５２ｂを有する素子層５１に適用した構成を、図９（Ａ）に示す。
図９（Ａ）は、薄膜トランジスタ５２ａ及び５２ｂを有する素子層５１の一表面に、シート状繊維体１１３が有機樹脂１１４によって固着されている。構造体１２０は素子層５１を覆うように設けられる。
さらには、素子層５１の一表面の他に、他方の面にもシート状繊維体１１３が有機樹脂１１４によって固着されていてもよい。即ち、素子層５１の両表面に構造体を設け、素子層５１を両面から覆うように対向する一対の構造体が設けられてもよい。
図９（Ｂ）に示す構成では、図９（Ａ）に示す素子層５１の一方の面に構造体１２０ａを有し、素子層５１の他表面に構造体１２０ｂを有する。このときの構造体１２０ａ及び１２０ｂは同じ材質のシート状繊維体及び有機樹脂で形成されていると、反り低減の為には好ましい。しかし表裏を判別して使用する用途の場合には必ずしも同じ材質である必要性はない。
このようにシート状繊維体に含浸される有機樹脂が固着されることにより、素子層の両面がシート状繊維体により支持されるため、半導体装置全体の反りを減少させることが可能である。さらに、後のラミネートフィルムやシール等へ素子層５１を有する半導体装置を搭載することが容易となる。
なお、本明細書の図面においては、シート状繊維体１１３は、断面が楕円形の糸束で平織りした織布で示されている。また、薄膜トランジスタ５２ａや薄膜トランジスタ５２ｂがシート状繊維体１１３の糸束よりも大きいが、薄膜トランジスタ５２ａや薄膜トランジスタ５２ｂの大きさがシート状繊維体１１３の糸束よりも小さい場合もある。
次いで、図９（Ａ）に示す構成を得る作製工程について、図４（Ａ）〜図４（Ｅ）、図５（Ａ）〜図５（Ｄ）、図６（Ａ）〜図６（Ｅ）を用いて説明する。
図４（Ａ）に示すように、絶縁表面を有する基板１１１上に剥離層１１２を形成し、剥離層１１２上に、薄膜トランジスタ５２ａ及び薄膜トランジスタ５２ｂを含む素子層５１を形成する。
絶縁表面を有する基板１１１としては、素子層５１を形成する温度に耐えうる基板を用いることが好ましく、代表的にはガラス基板、石英基板、セラミック基板、絶縁層が少なくとも一表面に形成された金属基板、有機樹脂基板等を用いることができる。ここでは、絶縁表面を有する基板１１１としてガラス基板を用いる。
剥離層１１２は、スパッタリング法やプラズマＣＶＤ法、塗布法、印刷法等により、厚さ３０ｎｍ〜２００ｎｍのタングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、ニオブ（Ｎｂ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、亜鉛（Ｚｎ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ）、オスミウム（Ｏｓ）、イリジウム（Ｉｒ）、及び珪素（Ｓｉ）の中から選択された元素、又は元素を主成分とする合金材料、又は元素を主成分とする化合物からなる層を、単層または複数の層を積層させて形成する。珪素を含む層の結晶構造は、非晶質、微結晶、多結晶のいずれの場合でもよい。なお、ここでは、塗布法は、溶液を被処理物上に吐出させて成膜する方法であり、例えばスピンコーティング法や液滴吐出法を含む。また、液滴吐出法とは微粒子を含む組成物の液滴を微細な孔から吐出して所定の形状のパターンを形成する方法である。
剥離層１１２が単層構造の場合、好ましくは、タングステン、モリブデン、又はタングステンとモリブデンの混合物を含む層を形成する。又は、タングステンの酸化物若しくは酸化窒化物を含む層、モリブデンの酸化物若しくは酸化窒化物を含む層、又はタングステンとモリブデンの混合物の酸化物若しくは酸化窒化物を含む層を形成する。なお、タングステンとモリブデンの混合物とは、例えば、タングステンとモリブデンの合金に相当する。
剥離層１１２が積層構造の場合、好ましくは、１層目として金属層を形成し、２層目として金属酸化物層を形成する。代表的には、１層目の金属層として、タングステン、モリブデン、又はタングステンとモリブデンの混合物を含む層を形成し、２層目として、タングステン、モリブデン、又はタングステンとモリブデンの混合物の酸化物、タングステン、モリブデン、又はタングステンとモリブデンの混合物の窒化物、タングステン、モリブデン、又はタングステンとモリブデンの混合物の酸化窒化物、又はタングステン、モリブデン、又はタングステンとモリブデンの混合物の窒化酸化物を含む層を形成する。
剥離層１１２として、１層目として金属層、２層目として金属酸化物層の積層構造を形成する場合、金属層としてタングステンを含む層を形成し、その上層に酸化物で形成される絶縁層を形成することで、タングステンを含む層と絶縁層との界面に、金属酸化物層としてタングステンの酸化物を含む層が形成されることを活用してもよい。さらには、金属層の表面を、熱酸化処理、酸素プラズマ処理、オゾン水等の酸化力の強い溶液での処理等を行って金属酸化物層を形成してもよい。
タングステンの酸化物は、ＷＯ２、Ｗ２Ｏ５、Ｗ４Ｏ１１、ＷＯ３などがある。
また、上記の工程によると、絶縁表面を有する基板１１１に接するように剥離層１１２を形成しているが、この工程に制約されない。絶縁表面を有する基板１１１に接するように下地となる絶縁層を形成し、その絶縁層に接するように剥離層１１２を設けてもよい。ここでは、剥離層１１２として厚さ３０ｎｍ〜７０ｎｍのタングステン層をスパッタリング法により形成する。
また、剥離層１１２、並びに、薄膜トランジスタ５２ａ及び薄膜トランジスタ５２ｂの間には、下地層として機能する絶縁層５６が形成されている。
次いで、絶縁膜６７上に配線５８ｂと電気的に接続する配線１０２を形成する（図４（Ｂ）参照）。配線１０２は、配線５８ｂと同様の材料で形成すればよい。配線１０２は、バンプとも言い、素子層５１と後に形成される導電性樹脂１０１を電気的に接続させる機能を有する。
次に、絶縁膜６７及び配線１０２上に、シート状繊維体１１３に有機樹脂１１４が含浸された構造体１２０を設ける（図４（Ｃ）参照）。このような構造体１２０は、プリプレグとも呼ばれる。プリプレグは、具体的にはシート状繊維体にマトリックス樹脂を有機溶剤で希釈した組成物を含浸させた後、乾燥して有機溶剤を揮発させてマトリックス樹脂を半硬化させたものである。
次いで、図２（Ｂ）〜図２（Ｃ）の作製工程を基にして、導電性樹脂１０１と配線１０２を電気的に接続させる。
有機樹脂１１４上の、配線１０２が形成されている領域に導電性樹脂１０１を形成する（図４（Ｄ）参照）。本実施の形態では、導電性樹脂１０１として金属元素を含む導電ペースト、例えば銀ペーストを用いる。
構造体１２０上に導電性樹脂１０１を形成すると、構造体１２０中の有機樹脂１１４が溶けてなくなり、導電性樹脂１０１中の金属粒子が、有機樹脂１１４が溶けてなくなった領域のシート状繊維体１１３の隙間を通り抜け、配線１０２と電気的に接続させる（図４（Ｅ）参照）。なお導電性樹脂１０１の構造体１２０の内部への移動は、収斂しながらの移動でも、広がりながらの移動でもよい。
次に、構造体１２０を加熱し圧着して、構造体１２０の溶けなかった有機樹脂１１４を可塑化または硬化する。なお、有機樹脂１１４が可塑性有機樹脂の場合、この後、室温に冷却することにより可塑化した有機樹脂１１４を硬化する。
有機樹脂１１４は加熱及び圧着により、絶縁膜６７及び配線１０２の表面に均一に広がり硬化する。この結果、有機樹脂１１４がシート状繊維体１１３に含浸し、かつ、構造体１２０が絶縁膜６７及び配線１０２の片面に固着される。構造体１２０を圧着する工程は、大気圧下または減圧下で行う。
次に、図５（Ａ）に示すように、後の剥離工程を容易に行うために、構造体１２０側から、構造体１２０、素子層５１及び剥離層１１２にレーザビーム１２２を照射して、図５（Ｂ）に示すような溝１２３を形成してもよい。溝１２３を形成するために照射するレーザビームとしては、剥離層１１２、素子層５１、または構造体１２０を構成する層のいずれかが吸収する波長を有するレーザビームが好ましく、代表的には、紫外領域、可視領域、又は赤外領域のレーザビームを適宜選択して照射する。
このようなレーザビームを発振することが可能なレーザ発振器としては、ＫｒＦ、ＡｒＦ、ＸｅＣｌ等のエキシマレーザ発振器、Ｈｅ、Ｈｅ−Ｃｄ、Ａｒ、Ｈｅ−Ｎｅ、ＨＦ、ＣＯ２等の気体レーザ発振器、ＹＡＧ、ＧｄＶＯ４、ＹＶＯ４、ＹＬＦ、ＹＡｌＯ３などの結晶にＣｒ、Ｎｄ、Ｅｒ、Ｈｏ、Ｃｅ、Ｃｏ、Ｔｉ又はＴｍをドープした結晶、ガラス、ルビー等の固体レーザ発振器、ＧａＮ、ＧａＡｓ、ＧａＡｌＡｓ、ＩｎＧａＡｓＰ等の半導体レーザ発振器を用いることができる。なお、その固体レーザ発振器においては基本波〜第５高調波を適宜適用するのが好ましい。
次に、図５（Ｃ）に示すように、溝１２３をきっかけとして、剥離層１１２及び絶縁層５６の界面において、剥離層１１２が形成される絶縁表面を有する基板１１１と、素子層５１の一部とを物理的手段により剥離する。
物理的手段とは、力学的手段または機械的手段を指し、何らかの力学的エネルギー（機械的エネルギー）を加える手段を指しており、その手段は、代表的には機械的な力を加えること（例えば人間の手や把治具で引き剥がす処理や、ローラを回転させながら分離する処理）である。このとき、構造体１２０表面に光または熱により剥離可能な粘着シートを設けると、さらに剥離が容易となる。
また、溝１２３に液体を滴下し、剥離層１１２及び絶縁層５６の界面に液体を浸透させて剥離層１１２から素子層５１を剥離してもよい。この場合、溝１２３にのみ液体を滴下してもよいし、または絶縁表面を有する基板１１１、素子層５１、及び構造体１２０全体を液体に浸して、溝１２３から剥離層１１２及び素子層５１の界面に液体を浸透させても良い。
また、図５（Ｂ）において、溝１２３にＮＦ３、ＢｒＦ３、ＣｌＦ３等のフッ化ガスを導入し、剥離層をフッ化ガスでエッチングし除去して、絶縁表面を有する基板１１１から素子層５１の一部を剥離する方法を用いることができる。
以上にして、構造体１２０に貫通孔を形成せずに、構造体１２０の一方の面に接して形成された素子層５１と、構造体１２０の他方の面に形成される端子、配線、回路、他の半導体素子等を電気的に接続させることができる半導体装置を得ることができる。
なお、素子層５１に複数の半導体装置が含まれる場合、素子層５１及び構造体１２０を分断して、複数の半導体装置を切り出してもよい。このような工程により、複数の半導体装置を作製することができる。
素子層５１及び構造体１２０を分断して複数の半導体装置を作製する際は、ダイシング、スクライビング、はさみやナイフなどの刃物を有する裁断機、又はレーザカット法等により選択的に分断することができる。
また、図４（Ｃ）に示す構成を得た後、素子層５１の一部を剥離し、その後導電性樹脂１０１を配線１０２に電気的に接続させる工程について、図６（Ａ）〜図６（Ｅ）を用いて説明する。なお図６（Ａ）〜図６（Ｅ）に示す工程は、図４（Ｄ）〜図４（Ｅ）及び図５（Ａ）〜図５（Ｄ）の工程の順番を入れ替えたものなので、特に記載がない場合は、図４（Ｄ）〜図４（Ｅ）及び図５（Ａ）〜図５（Ｄ）の作製工程に基づくものとする。
図４（Ｃ）の構成が得られたら、図５（Ａ）と同様に、レーザビーム１２２を照射し（図６（Ａ）参照）、溝１２３を形成する（図６（Ｂ）参照）。次いで、溝１２３をきっかけとして、剥離層１１２及び絶縁層５６の界面において、剥離層１１２が形成される絶縁表面を有する基板１１１と、素子層５１の一部とを剥離する（図６（Ｃ）参照）。
次いで構造体１２０上の、配線１０２上の領域に導電性樹脂１０１を形成し（図６（Ｄ）参照）、加熱工程を行うことにより、導電性樹脂１０１がシート状繊維体１１３の隙間を通り抜け、配線１０２と電気的に接続する（図６（Ｅ）参照）。
以上のように、貫通配線が設けられた樹脂含浸繊維体複合基板を半導体装置の封止体あるいは保護材として用いる場合にも、機械的強度を維持できる上に、気密性を保つことができる。
［実施の形態３］
本実施の形態では、実施の形態１及び実施の形態２を、ＲＦＩＤタグの外付けアンテナとの接続、あるいは外付けアンテナそのものに応用した例を、図１０（Ａ）〜図１０（Ｃ）、図１１（Ａ）〜図１１（Ｇ）を用いて説明する。
まずＲＦＩＤタグのチップを図１０（Ａ）に示す。チップは、剥離可能な基板２０１上に形成されており、半導体回路部２０２、電極パッド２０３、導電性樹脂２０４を有している。半導体回路部２０２は、実施の形態２の図３（Ｄ）の構造等を用いて形成すればよい。基板２０１は、フレキシブル基板やガラスを用いればよい。導電性樹脂２０４は、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、スズ（Ｓｎ）のいずれかを含む導電性樹脂であればよい。
図１０（Ｂ）は、図１０（Ａ）に示すチップを、外付けアンテナに接続したＲＦＩＤタグを示す。外付けアンテナ２２２は外付けアンテナ用フィルム２２１上に形成されており、導電性接着材２２３を介して、導電性樹脂２０４に電気的に接続されている。導電性接着材２２３は、異方性導電膜でもよい。
図１０（Ｂ）中領域２１３は、半導体回路部２０２を含み、チップ中の導電性樹脂２０４及び電極パッド２０３以外の領域である。またチップを表面構造体２１１及び裏面構造体２１２によって挟むことにより、チップを保護する。表面構造体２１１及び裏面構造体２１２はそれぞれ、実施の形態１で述べた構造体１２０と同様の構造を有している。すなわち、表面構造体２１１及び裏面構造体２１２はそれぞれ、繊維体に有機樹脂が含浸されているものである。
実施の形態１と同様に、導電性樹脂２０４を表面構造体２１１上に配置すると、表面構造体２１１の有機樹脂の一部が溶解し、導電性樹脂２０４中の金属粒子が、表面構造体２１１中の繊維体を移動する。これにより導電性樹脂２０４は、表面構造体２１１の表面に達する貫通電極として機能する。表面構造体２１１に含浸した導電性樹脂２０４は、導電性接着材２２３と接続されている。これにより、チップ内の半導体回路部２０２は、電極パッド２０３、導電性樹脂２０４、導電性接着材２２３を介して、外付けアンテナ２２２と電気的に接続されている。
図１０（Ｂ）とは違う構成を有するＲＦＩＤタグを図１０（Ｃ）に示す。
図１０（Ｃ）の外付けアンテナ２３２は、繊維体と有機樹脂を有する外付けアンテナ用構造体２３１中に形成される。これは実施の形態１に基づいて、まず外付けアンテナ用構造体２３１上に、外付けアンテナ２３２の形状になるように導電性樹脂を配置する。外付けアンテナ用構造体２３１の有機樹脂の一部が溶解し、導電性樹脂中の金属粒子が繊維体を移動して、外付けアンテナ用構造体２３１中に外付けアンテナ２３２が形成される。
また図１０（Ｂ）と同様に、チップを表面構造体２１１及び裏面構造体２１２によって挟むことにより保護する。また図１０（Ｂ）と同様に導電性樹脂２０４は表面構造体２１１中の貫通電極の機能を有している。
外付けアンテナ２３２が形成された外付けアンテナ用構造体２３１と、表面構造体２１１及び裏面構造体２１２によって挟まれたチップを貼り合わせる。このとき導電性樹脂２０４と外付けアンテナ２３２を接触させることにより、チップ内部の半導体回路部２０２は、電極パッド２０３、導電性樹脂２０４を介して、外付けアンテナ２３２に電気的に接続する。
ここで図１０（Ｂ）に示すＲＦＩＤタグを作製する方法について、図１１（Ａ）〜図１１（Ｇ）を用いて説明する。
まず表面構造体２１１に、導電性樹脂２０４を配置する（図１１（Ａ）参照）。本実施の形態では、導電性樹脂２０４として銀（Ａｇ）を含む有機樹脂を表面構造体２１１上に印刷する。ただし、表面構造体２１１中の有機樹脂は焼成されておらず、未硬化である。
導電性樹脂２０４の有機樹脂により、表面構造体２１１中の有機樹脂の一部が溶解し、導電性樹脂２０４中の銀の粒子が表面構造体２１１中の繊維体を移動し、貫通電極が形成される（図１１（Ｂ）参照）。
ここで導電性樹脂２０４を固めるために、仮焼成を行ってもよい。
また、基板２０１上に、半導体回路部２０２が配置された領域２１３と、電極パッド２０３を有するチップを用意する（図１１（Ｃ）参照）。
チップ上に、図１１（Ｂ）に示す導電性樹脂２０４が含浸した表面構造体２１１を貼り合わせる。このとき、導電性樹脂２０４と電極パッド２０３が接触するように配置する。次いで熱プレスして表面構造体２１１を固着させる（図１１（Ｄ）参照）。
次いで、基板２０１を領域２１３から剥離する（図１１（Ｅ）参照）。
基板２０１を剥離した領域２１３に、裏面構造体２１２を貼り合わせ、熱プレスによって裏面構造体２１２を固着させる（図１１（Ｆ）参照）。
外付けアンテナ２２２が形成された外付けアンテナ用フィルム２２１と、表面構造体２１１及び裏面構造体２１２によって挟まれたチップを貼り合わせる。このとき導電性樹脂２０４と外付けアンテナ２２２を接触させることにより、チップ内部の半導体回路部２０２は、電極パッド２０３、導電性樹脂２０４を介して、外付けアンテナ２２２に電気的に接続する（図１１（Ｇ）参照）。
本実施例では、銀ペーストを用いて、貫通孔を形成することなく導通を確保したプリプレグについて述べる。
本実施例で用いた銀ペーストは、銀粉、酢酸２−（２−ブトキシエトキシ）エチル、エポキシ樹脂を含んでいる。またプリプレグとして、旭シュエーベル製プリプレグを用いる。旭シュエーベル製プリプレグは、臭素化エポキシ樹脂と、ガラス繊維からなるシート状繊維体を有している。シート状繊維体は、直径４μｍのガラス繊維を５０本束ねたものを一束として編まれているものである。
プリプレグに銀ペーストをスクリーン印刷し、１９５℃で６０分間のプレスを行った後の光学顕微鏡写真及びその模式図を、図７（Ａ）及び図７（Ｂ）、並びに図８に示す。図７（Ａ）は銀ペーストをスクリーン印刷したプリプレグの表面、図７（Ｂ）は裏面を表している。図８は構造体１２０であるところのプリプレグの断面の模式図であり、構造体１２０は、ガラス繊維で構成されたシート状繊維体１１３、臭素化エポキシ樹脂を含む有機樹脂１１４を有しており、さらに導電性樹脂１０１であるところの銀ペーストが配置されている。図８中点線Ａで囲んだ領域の光学顕微鏡写真が図７（Ａ）であり、点線Ｂが図７（Ｂ）である。
特に図７（Ｂ）に示されるように、プリプレグの樹脂の一部が溶けてガラス繊維が剥き出しになっており、ガラス繊維の隙間を通って銀が裏面まで通り抜け、プリプレグの内部が導通する。
５１ 素子層
５２ａ 薄膜トランジスタ
５２ｂ 薄膜トランジスタ
５３ａ 不純物領域
５３ｂ 不純物領域
５４ ゲート絶縁層
５５ａ ゲート電極
５５ｂ ゲート電極
５６ 絶縁層
５７ａ 配線
５７ｂ 配線
５８ａ 配線
５８ｂ 配線
６１ 素子層
６２ 記憶素子
６３ａ チャネル形成領域
６３ｂ チャネル形成領域
６４ トンネル酸化層
６５ 絶縁膜
６６ 絶縁膜
６７ 絶縁膜
７１ 素子層
７２ フォトダイオード
７３ 受光部
７４ 電極
８１ 素子層
８３ アンテナ
８４ 電極
９１ チャネル形成領域
９２ 不純物領域
９３ フローティングゲート
９４ コントロール絶縁層
９５ コントロールゲート
９７ 配線
９８ 配線
１０１ 導電性樹脂
１０２ 配線
１１１ 基板
１１２ 剥離層
１１３ シート状繊維体
１１３ａ 経糸
１１３ｂ 緯糸
１１３ｃ バスケットホール
１１４ 有機樹脂
１２０ 構造体
１２０ａ 構造体
１２０ｂ 構造体
１２２ レーザビーム
１２３ 溝
２０１ 基板
２０２ 半導体回路部
２０３ 電極パッド
２０４ 導電性樹脂
２１１ 表面構造体
２１２ 裏面構造体
２１３ 領域
２２１ 外付けアンテナ用フィルム
２２２ 外付けアンテナ
２２３ 導電性接着材
２３１ 外付けアンテナ用構造体
２３２ 外付けアンテナ

Claims (12)

  1. シート状繊維体の両面に、該シート状繊維体の内部まで含浸した有機樹脂層と、
    前記有機樹脂層を溶解し前記シ−ト状繊維体に含浸した貫通配線を有し、
    前記貫通配線は、前記シート状繊維体を挟んで前記有機樹脂層の両面に露出していることを特徴とする配線基板。
  2. 請求項１において、
    前記シート状繊維体は、ガラス繊維を有していることを特徴とする配線基板。
  3. 請求項１または請求項２において、
    前記貫通配線は金属粒子を有し、
    前記金属粒子は、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、スズ（Ｓｎ）のいずれかを含むことを特徴とする配線基板。
  4. シート状繊維体に、有機樹脂層を含浸させ、
    前記有機樹脂層の一部の領域上に、金属粒子を有する導電性樹脂を配置し、前記導電性樹脂が前記有機樹脂層を溶解し、前記金属粒子が前記シート状繊維体の間を移動して貫通配線を形成することを特徴とする配線基板の作製方法。
  5. 請求項４において、
    前記シート状繊維体は、ガラス繊維を有していることを特徴とする配線基板の作製方法。
  6. 請求項４または請求項５において、
    前記金属粒子は、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、スズ（Ｓｎ）のいずれかを含むことを特徴とする配線基板の作製方法。
  7. シート状繊維体の両面に、該シート状繊維体の内部まで含浸した有機樹脂層と、
    前記有機樹脂層を溶解し前記シ−ト状繊維体に含浸した貫通配線を有し、
    前記貫通配線は、前記シート状繊維体を挟んで前記有機樹脂層の両面に露出している樹脂含浸繊維体複合基板と、
    絶縁層の表面に配線が露出した集積回路チップとを有し、
    前記配線が前記貫通配線と接触するように、前記集積回路チップが前記樹脂含浸繊維体複合基板に密接していることを特徴とする半導体装置。
  8. 請求項７において、
    前記シート状繊維体は、ガラス繊維を有していることを特徴とする半導体装置。
  9. 請求項７または請求項８において、
    前記導電性樹脂は金属粒子を有し、
    前記金属粒子は、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、スズ（Ｓｎ）のいずれかを含むことを特徴とする半導体装置。
  10. 絶縁層の表面に配線が露出した集積回路チップを形成し、
    シート状繊維体に、有機樹脂層を含浸させ、
    前記有機樹脂層の一部の領域上に、金属粒子を有する導電性樹脂を配置し、前記導電性樹脂が前記有機樹脂層を溶かし、前記金属粒子が前記シート状繊維体の間を移動して、前記配線と接触する貫通配線を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
  11. 請求項１０において、
    前記シート状繊維体は、ガラス繊維を有していることを特徴とする半導体装置の作製方法。
  12. 請求項１０または請求項１１において、
    前記金属粒子は、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、スズ（Ｓｎ）のいずれかを含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
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