WO2016170982A1 - 弾性波装置 - Google Patents

弾性波装置 Download PDF

Info

Publication number
WO2016170982A1
WO2016170982A1 PCT/JP2016/061245 JP2016061245W WO2016170982A1 WO 2016170982 A1 WO2016170982 A1 WO 2016170982A1 JP 2016061245 W JP2016061245 W JP 2016061245W WO 2016170982 A1 WO2016170982 A1 WO 2016170982A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
bus bar
width direction
electrode
electrode fingers
elastic wave
Prior art date
Application number
PCT/JP2016/061245
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
克也 大門
正人 荒木
Original Assignee
株式会社村田製作所
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 株式会社村田製作所 filed Critical 株式会社村田製作所
Priority to DE112016001894.0T priority Critical patent/DE112016001894B4/de
Priority to JP2016556908A priority patent/JP6245378B2/ja
Priority to CN201680022470.5A priority patent/CN107534428B/zh
Publication of WO2016170982A1 publication Critical patent/WO2016170982A1/ja
Priority to US15/787,778 priority patent/US10840878B2/en
Priority to US17/072,091 priority patent/US11811387B2/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
    • H03H9/02992—Details of bus bars, contact pads or other electrical connections for finger electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
    • H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
    • H03H9/14517—Means for weighting
    • H03H9/14529—Distributed tap
    • H03H9/14532—Series weighting; Transverse weighting
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/25—Constructional features of resonators using surface acoustic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/54—Filters comprising resonators of piezoelectric or electrostrictive material
    • H03H9/56—Monolithic crystal filters
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
    • H03H9/6489—Compensation of undesirable effects
    • H03H9/6496—Reducing ripple in transfer characteristic

Definitions

  • the present invention relates to an elastic wave device using a so-called piston mode.
  • Patent Document 1 discloses an elastic wave device using a piston mode.
  • the wide width portion is provided so that the sound speed is relatively low on both sides of the excitation region in the cross width direction compared to the center in the cross width direction of the excitation region.
  • the bus bar has a plurality of openings that are separately arranged along the elastic wave propagation direction.
  • the bus bar includes an inner bus bar portion located on the inner side in the cross width direction than the opening portion, a central bus bar portion provided with the opening portion, and an outer bus bar portion disposed on the outer side in the cross width direction of the central bus bar portion. have.
  • the inner bus bar portion has a strip shape extending in the elastic wave propagation direction.
  • an edge portion having a low sound speed is configured by providing the thick portion.
  • a strip-shaped inner bus bar portion is provided. Thereby, suppression of the transverse mode is achieved.
  • An object of the present invention is to provide an elastic wave device that hardly causes ripples.
  • An elastic wave device includes a piezoelectric substrate and an IDT electrode provided on the piezoelectric substrate, and the IDT electrode is disposed separately from the first bus bar and the first bus bar.
  • a second bus bar a plurality of first electrode fingers having a base end connected to the first bus bar and extending toward the second bus bar, and the second bus bar.
  • a plurality of second electrode fingers connected to the base end and extending toward the first bus bar, and extending in the direction in which the first and second electrode fingers extend.
  • At least one of the first and second bus bars has the width An inner busbar portion having a plurality of openings separated along a direction, wherein at least one of the first and second busbars is located on the inner side in the cross width direction than the opening, and the opening A central bus bar portion provided with a portion, and an inner bus bar portion and an outer bus bar portion positioned on the opposite side across the central bus bar portion, and at least one of the first and second bus bars is And an offset electrode finger extending from the inner bus bar portion toward the tip of the second electrode finger or the tip of the first electrode finger.
  • a dimension of the inner bus bar portion along the intersecting width direction is smaller than a dimension of the central bus bar portion along the intersecting width direction.
  • the sound velocity in the region where the offset electrode finger is provided is a region between the sound velocity in the inner busbar portion and the offset electrode finger and the edge portion. Is the magnitude between the speed of sound in In this case, the ripple can be more effectively suppressed.
  • a dimension along the cross width direction of the inner bus bar portion is in a range of 0.1 ⁇ or more and 0.5 ⁇ or less.
  • an excitation mode confined in the inner bus bar portion tends to occur, but ripple can be effectively reduced according to the present invention.
  • the transverse mode can be more reliably suppressed.
  • the dimension along the width direction of the first and second electrode fingers in the edge portion is the excitation region of the first and second electrode fingers. It is made larger than the dimension in the center part along the width direction. In this case, the edge portion can be easily formed.
  • the dimension of the offset electrode finger along the width direction is such that the first and second electrodes at the central portion of the excitation region of the first and second electrode fingers. It is made larger than the dimension along the said width direction of 2 electrode fingers. In this case, it is possible to compensate for a decrease in sound speed that is insufficient at the edge portion.
  • the edge portion has a dielectric film laminated on the upper surface or the lower surface of the first and second electrode fingers. In this case, it is easy to form the first and second electrode fingers.
  • FIG. 1 is a plan view showing the structure of the IDT electrode of the acoustic wave device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a schematic plan view of the acoustic wave device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is a diagram showing phase characteristics of the acoustic wave device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 is a diagram showing return loss characteristics of the acoustic wave device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 5 is a schematic plan view showing an electrode structure of an acoustic wave device according to the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 1 is a plan view showing a structure of an IDT electrode of an elastic wave device according to a first embodiment of the present invention
  • FIG. 2 is a schematic plan view of the elastic wave device according to the first embodiment. .
  • the elastic wave device 1 has a piezoelectric substrate 2.
  • the piezoelectric substrate 2 is made of a piezoelectric single crystal or piezoelectric ceramic.
  • An IDT electrode 3 is provided on the piezoelectric substrate 2.
  • FIG. 2 schematically shows only the position where the IDT electrode 3 is formed.
  • the elastic wave device 1 is a 1-port elastic wave resonator having the above structure.
  • the elastic wave device according to the present invention is not limited to an elastic wave resonator, and may be another elastic wave device such as an elastic wave filter.
  • the IDT electrode 3 will be described with reference to FIG.
  • the IDT electrode 3 includes first and second bus bars 11 and 12 that are arranged apart from each other.
  • the first bus bar 11 and the second bus bar 12 extend in parallel with the elastic wave propagation direction.
  • the base ends of a plurality of first electrode fingers 13 are connected to the first bus bar 11.
  • the plurality of first electrode fingers 13 extend from the first bus bar 11 toward the second bus bar 12. That is, a plurality of first electrode fingers 13 are extended in a direction orthogonal to the elastic wave propagation direction.
  • the base ends of the plurality of second electrode fingers 14 are connected to the second bus bar 12.
  • the plurality of second electrode fingers 14 extend from the second bus bar 12 toward the first bus bar 11 side. That is, the plurality of second electrode fingers 14 are also extended in a direction orthogonal to the elastic wave propagation direction.
  • the plurality of first electrode fingers 13 and the plurality of second electrode fingers 14 are interleaved. Therefore, the region where the plurality of first electrode fingers 13 and the plurality of second electrode fingers 14 overlap when viewed from the elastic wave propagation direction constitutes an excitation region.
  • the dimension of the excitation region in the extending direction of the first and second electrode fingers 13 and 14 is the intersection width. Therefore, hereinafter, the extending direction of the first and second electrode fingers 13 and 14 is referred to as a cross width direction.
  • the elastic wave propagation direction is the width direction of the first and second electrode fingers 13 and 14.
  • a wide width portion 13 a is provided at the tip of the first electrode finger 13.
  • the dimension along the width direction of the wide width portion 13 a is larger than the dimension along the width direction at the central portion of the excitation region of the first electrode finger 13.
  • the thick part of the electrode finger means a part having a larger dimension along the width direction than the electrode finger part other than the thick part.
  • a wide width portion 14 a is also provided at the tip of the second electrode finger 14.
  • edge portions are defined as edge portions.
  • the edge portions are provided on both sides of the central portion of the excitation region. A plurality of wide portions in the edge portion may be provided.
  • the second electrode finger 14 is provided with a thick width portion 14b in a region overlapping with the thick width portion 13a.
  • a thick portion 13b is provided on the first electrode finger 13 in a region overlapping with the thick portion 14a in the elastic wave propagation direction. Therefore, the sound speed at the edge portion is also lowered by the provision of the wide width portions 13b and 14b.
  • the thick portions 13b and 14b are not necessarily provided.
  • thick portions 13c and 14c are also provided on the base end side portions of the first electrode finger 13 and the second electrode finger 14.
  • the thick portions 13c and 14c are provided at positions that overlap with first or second offset electrode fingers 17 and 18 described later in the elastic wave propagation direction.
  • the sound velocity V2 at the edge portion is lower than the sound velocity V1 at the central portion of the excitation region. This is because the wide portions 13a and 14a are provided. Thereby, a piston mode can be formed.
  • the first bus bar 11 has an inner bus bar portion 11A, a central bus bar portion 11B, and an outer bus bar portion 11C.
  • the side on which the first and second electrode fingers 13 and 14 are present is the inside, and the opposite side is the outside.
  • the inner bus bar portion 11A is a portion to which the base ends of the plurality of first electrode fingers 13 are connected.
  • the inner bus bar portion 11A has an elongated strip shape extending in the elastic wave propagation direction. Since this is a metallized portion, the sound speed V5 in the inner bus bar portion 11A is lower than the sound speed V1 and the sound speed V2.
  • a plurality of openings 15 are dispersedly arranged along the elastic wave propagation direction.
  • the opening 15 is located between the adjacent connecting portions 16 extending in the extending direction of the electrode fingers.
  • the connection part 16 is not specifically limited, it has the same width as the first electrode finger 13. Further, the connecting portion 16 is located on the extension of the first electrode finger 13. But the dimension and position of the connection part 16 are not limited to this.
  • the connecting portion 16 has the same width as the first electrode finger 13 and is provided on the extension of the first electrode finger 13. Thereby, manufacture becomes easy.
  • the opening 15 has a rectangular planar shape, but may have another planar shape.
  • the connecting portions 16 and the openings 15 are alternately positioned along the elastic wave propagation direction. Accordingly, since there are many portions that are not metallized, the sound speed V6 of the central bus bar portion 11B is higher than the sound speed V5 of the inner bus bar portion 11A and the sound speed V1 of the central portion of the excitation area.
  • the outer bus bar portion 11C does not have an opening. Accordingly, since the outer bus bar portion 11C is a metallized region, the sound speed V7 of the outer bus bar portion 11C is low, similar to the sound speed V5 of the inner bus bar portion 11A.
  • the second bus bar 12 side also has an inner bus bar portion 12A, a central bus bar portion 12B, and an outer bus bar portion 12C.
  • the first and second bus bars 11 and 12 are configured in the same manner as the first and second bus bars in the elastic wave device described in Patent Document 1. Therefore, the piston mode can be formed and the transverse mode ripple can be suppressed.
  • the acoustic wave device 1 is characterized in that a first offset electrode finger 17 extending from the inner bus bar portion 11A toward the second electrode finger 14 is provided, and from the inner bus bar portion 12A of the second bus bar 12.
  • the second offset electrode finger 18 extending toward the first electrode finger 13 is provided.
  • the tip of the first offset electrode finger 17 is arranged with a gap in the cross width direction from the tip of the second electrode finger 14.
  • the tip of the second offset electrode finger 18 is disposed with a gap in the cross width direction from the tip of the first electrode finger 13.
  • the sound velocity V4 in the region where the first offset electrode finger 17 is provided is equivalent to the sound velocity V2 in the edge portion. Therefore, the sound velocity V4 in the region where the first offset electrode finger 17 is provided is the sound velocity V5 of the inner bus bar portion 11A, the tip of the first offset electrode finger 17, and the tip of the second electrode finger 14.
  • the speed of sound is between the speeds of sound V3 in the gap region. Therefore, the difference in sound speed between the inner bus bar portion 11A and the region adjacent to the inner side in the cross width direction is alleviated by providing the first offset electrode fingers 17.
  • the second offset electrode finger 18 is similarly provided, and the thick portion 14 c is provided at the base end of the second electrode finger 14. Therefore, the sound speed in the area where the second offset electrode finger 18 is provided is the same as the sound speed V5 in the area where the first offset electrode finger 17 is provided.
  • the elastic wave device 1 of the present embodiment is characterized in that, in the structure in which the first and second bus bars 11 and 12 have the strip-shaped inner bus bar portions 11A and 12A, the first and second offsets.
  • the electrode fingers 17 and 18 and the wide portions 13c and 14c are provided.
  • FIG. 3 shows the phase characteristics of the elastic wave device 1 of the first embodiment
  • FIG. 4 shows the return loss characteristics.
  • the specifications of the acoustic wave device 1 were as follows.
  • Design resonance frequency 936 MHz.
  • LiNbO 3 was used as the piezoelectric substrate 2.
  • the IDT electrode 3 and the reflectors 4 and 5 were formed by the following laminated metal films.
  • Structure of laminated metal film A laminated film of NiCr / Pt / Ti / Al / Ti in order from the piezoelectric substrate 2 side.
  • the number of electrode fingers of the first and second electrode fingers 13 and 14 was 100.
  • a wavelength determined by the pitch of the electrode fingers of the IDT electrode 3 is ⁇ .
  • the dimension along the cross width direction at the center of the excitation region was 15 ⁇ , and the dimension along the cross width direction at the edge was 0.8 ⁇ .
  • the width direction dimension at the central portion of the excitation region of the first and second electrode fingers 13 and 14 was (1/4) ⁇ , and the duty was 0.5.
  • the widths of the wide portions 13a, 13b, 14a, and 14b are (7/5) ⁇ (1/4) ⁇ , and the duty is 0.7.
  • the widths of the wide width portions 13c and 14c are (7/5) ⁇ (1/4) ⁇ and the duty is 0.7.
  • the dimension along the intersecting width direction of the first and second offset electrode fingers 17 and 18, that is, the offset length is 0.1 ⁇
  • the width is (7/5) ⁇ (1/4) ⁇
  • the duty is 0.7. It was.
  • the dimensions along the cross width direction of the inner bus bar portions 11A and 12A, that is, the width was 0.225 ⁇ .
  • the cross-width direction dimension of the central bus bar portions 11B and 12B is 2 ⁇ .
  • the width of the connecting portion 16 was (1/8) ⁇ and the duty was 0.25.
  • the width of the opening 15 was (7.5 / 5) ⁇ (1/4) ⁇ , and the duty was 0.75.
  • the dimension along the cross width direction of the outer bus bar portion 11C was 20 ⁇ m.
  • the number of electrode fingers of the reflectors 4 and 5 was 21.
  • a comparative example is provided in the same manner as in the above embodiment except that the first and second offset electrode fingers 17 and 18 are not provided and the thick portions 13c and 14c are not provided.
  • An acoustic wave device was manufactured. 3 and 4, the solid line shows the result of the above embodiment, and the broken line shows the result of the comparative example.
  • the first and second offset electrode fingers 17 and 18 are provided on the inner side in the cross width direction of the inner bus bar portions 11A and 12A. It can be understood that the ripple based on the undesired spurious can be effectively suppressed because the difference in sound velocity between the tip of the electrode finger 14 and the region of the electrode finger 14 is reduced.
  • the wide portions 13b and 13c and the wide portions 14b and 14c are also provided.
  • the wide portions 13b and 13c and the wide portions 14b and 14c are not necessarily provided.
  • the inner bus bar portions 11A and 12A have an elongated strip shape.
  • the dimension along the cross width direction of the inner bus bar portions 11A and 12A is preferably smaller than the dimension along the cross width direction of the central bus bar portions 11B and 12B. In this case, although the undesired spurious mode is likely to be excited, the ripple caused by the spurious mode can be effectively suppressed according to the present invention.
  • the width that is a dimension along the cross width direction of the inner bus bar portions 11A and 12A is more preferably 1.0 ⁇ or less, and more preferably in the range of 0.1 ⁇ or more and 0.5 ⁇ or less.
  • the cross width direction of the first and second offset electrode fingers 17 and 18 is preferably about 0.02 ⁇ or more and 1.5 ⁇ or less. Thereby, the ripple can be more effectively suppressed.
  • the dimension along the cross width direction of the edge portion is 0.2 ⁇ or more and 2 ⁇ or less. Thereby, the piston mode can be more reliably formed.
  • the wavelength ⁇ is determined by the electrode finger pitch of the first and second electrode fingers 13 and 14, but considering the usage, a range of 1.8 ⁇ m or more and 5.6 ⁇ m or less is preferable. Accordingly, it is possible to provide an elastic wave device 1 that is effective for applications from 700 MHz band to 2 GHz band.
  • the width direction dimensions of the first and second offset electrode fingers 17 and 18 may be equal to the width direction dimensions of the thick width portions 13a and 14a, and are narrower than the width direction dimensions of the thick width portions 13a and 14a. It may be. Preferably, the equivalent is better.
  • the edge portion is provided by forming the wide portions 13a and 13b and the wide portions 14a and 14b.
  • the edge portion may be stacked at the edge portion of the first and second electrode fingers 13 and 14 at the edge portion. That is, by laminating a dielectric film such as a SiO 2 film, the sound speed of the edge portion can be relatively lowered.
  • the edge part for forming the piston mode in which the IDT electrode is formed in the present invention is not limited to the provision of the thick part, and various methods such as a structure in which dielectric films are laminated can be used. There is no particular limitation.
  • the dielectric films 24 and 25 are laminated even in the region where the first and second offset electrode fingers 17 and 18 are provided, and the sound speed is reduced. Yes. However, in the region where the first and second offset electrode fingers 17 and 18 are provided, the dielectric films 24 and 25 may be omitted.
  • the dielectric film may be provided on the upper surface of the first and second electrode fingers 13 and 14 or may be provided on the lower surface.

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)

Abstract

リップルが生じ難い、弾性波装置を提供する。　圧電基板２上に、ＩＤＴ電極３が設けられている。ＩＤＴ電極３において、複数本の第１の電極指１３と複数本の第２の電極指１４とが間挿し合っている。複数本の第１の電極指１３と複数本の第２の電極指１４とが弾性波伝搬方向に見たときに重なり合っている領域が励振領域である。この励振領域の中央部の両側に音速が中央部よりも低められているエッジ部が構成されている。第１のバスバー１１及び第２のバスバー１２が、内側バスバー部１１Ａ，１２Ａ、中央バスバー部１１Ｂ，１２Ｂ及び外側バスバー部１１Ｃ，１２Ｃを有する。内側バスバー部１１Ａ，１２Ａから第２の電極指１４または第１の電極指１３の先端に向かって延びる第１，第２のオフセット電極指１７，１８が設けられている。

Description

弾性波装置
　本発明は、いわゆるピストンモードを利用した弾性波装置に関する。
　下記の特許文献１には、ピストンモードを利用した弾性波装置が開示されている。特許文献１に記載の弾性波装置には、励振領域の交差幅方向中央に比べ、励振領域の交差幅方向両側において、音速が相対的に低くなるように、太幅部が設けられている。また、バスバーが、弾性波伝搬方向に沿って分離配置された複数の開口部を有する。このバスバーは、開口部よりも交差幅方向内側に位置している内側バスバー部と、開口部が設けられている中央バスバー部と、中央バスバー部の交差幅方向外側に配置された外側バスバー部とを有している。内側バスバー部は、弾性波伝搬方向に延びる帯状の形状を有している。
ＷＯ２０１４／１９２７５６　Ａ１
　特許文献１では、上記太幅部を設けることにより、音速が低いエッジ部が構成されている。また、帯状の内側バスバー部を設けている。それによって、横モードの抑制が図られている。
　しかしながら、特許文献１に記載の弾性波装置では、共振特性やフィルタ特性上において、所望でないリップルが生じることがあった。
　本発明の目的は、リップルが生じ難い、弾性波装置を提供することにある。
　本発明に係る弾性波装置は、圧電基板と、前記圧電基板上に設けられたＩＤＴ電極と、を備え、前記ＩＤＴ電極が、第１のバスバーと、前記第１のバスバーと隔てられて配置された第２のバスバーと、前記第１のバスバーに基端が接続されており、前記第２のバスバーに向かって延ばされている複数本の第１の電極指と、前記第２のバスバーに基端が接続されており、前記第１のバスバーに向かって延ばされている複数本の第２の電極指と、を有し、前記第１及び第２の電極指の延びる方向を交差幅方向、該交差幅方向と直交する方向を幅方向としたときに、前記交差幅方向において励振領域中央部に比べ、音速が低いエッジ部が励振領域の前記交差幅方向両側に設けられており、前記第１及び第２のバスバーの少なくとも一方が、前記幅方向に沿って分離配置された複数の開口部を有し、前記第１及び第２のバスバーの少なくとも一方が、前記開口部よりも交差幅方向内側に位置している内側バスバー部と、前記開口部が設けられている中央バスバー部と、前記内側バスバー部と前記中央バスバー部を挟んで反対側に位置している外側バスバー部とを有し、前記第１及び第２のバスバーの少なくとも一方が、前記内側バスバー部から前記第２の電極指の先端または前記第１の電極指の先端に向かって延びているオフセット電極指を有する。
　本発明に係る弾性波装置のある特定の局面では、前記内側バスバー部の前記交差幅方向に沿う寸法が、前記中央バスバー部の前記交差幅方向に沿う寸法よりも小さい。この場合には、内側バスバー部に閉じこもる励振モードが現れやすいが、本発明に従って、リップルを効果的に抑圧することができる。
　本発明に係る弾性波装置の他の特定の局面では、前記オフセット電極指が設けられている領域における音速が、前記内側バスバー部における音速と、前記オフセット電極指と前記エッジ部との間の領域における音速との間の大きさである。この場合には、リップルをより一層効果的に抑圧することができる。
　本発明に係る弾性波装置の別の特定の局面では、前記内側バスバー部の前記交差幅方向に沿う寸法が、０．１λ以上、０．５λ以下の範囲にある。この場合には、内側バスバー部に閉じこもる励振モードが生じがちであるが、本発明に従って、効果的にリップルを低減することができる。また、横モードもより一層確実に抑制することができる。
　本発明に係る弾性波装置の他の特定の局面では、前記エッジ部における前記第１，第２の電極指の前記幅方向に沿う寸法が、前記第１，第２の電極指の前記励振領域中央部における前記幅方向に沿う寸法よりも大きくされている。この場合には、エッジ部を容易に形成することができる。
　本発明に係る弾性波装置のさらに他の特定の局面では、前記オフセット電極指の前記幅方向に沿う寸法が、前記第１，第２の電極指の前記励振領域中央部における前記第１，第２の電極指の前記幅方向に沿う寸法よりも大きくされている。この場合には、エッジ部で足りない音速低下分を補うことができる。
　本発明に係る弾性波装置のさらに他の特定の局面では、前記エッジ部が、前記第１，第２の電極指の上面または下面に積層された誘電体膜を有する。この場合には、第１，第２の電極指の形成が容易である。
　本発明に係る弾性波装置によれば、リップルを効果的に抑制することができる。
図１は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置のＩＤＴ電極の構造を示す平面図である。 図２は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の略図的平面図である。 図３は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の位相特性を示す図である。 図４は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置のリターンロス特性を示す図である。 図５は、本発明の第２の実施形態に係る弾性波装置の電極構造を示す模式的平面図である。
　以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。
　なお、本明細書に記載の各実施形態は、例示的なものであり、異なる実施形態間において、構成の部分的な置換または組み合わせが可能であることを指摘しておく。
　図１は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置のＩＤＴ電極の構造を示す平面図であり、図２は、第１の実施形態に係る弾性波装置の略図的平面図である。
　図２に示すように、弾性波装置１は、圧電基板２を有する。圧電基板２は、圧電単結晶や圧電セラミックスからなる。圧電基板２上に、ＩＤＴ電極３が設けられている。図２では、ＩＤＴ電極３の形成されている位置のみを模式的に示す。
　ＩＤＴ電極３の弾性波伝搬方向両側に反射器４，５が設けられている。弾性波装置１は、上記構造を有する１ポート型弾性波共振子である。もっとも、本発明に係る弾性波装置は、弾性波共振子に限らず、弾性波フィルタなどの他の弾性波装置であってもよい。
　図１を参照してＩＤＴ電極３を説明する。
　ＩＤＴ電極３は、互いに隔てられて配置された第１，第２のバスバー１１，１２を有する。第１のバスバー１１及び第２のバスバー１２は、弾性波伝搬方向と平行に延びている。
　第１のバスバー１１に、複数本の第１の電極指１３の基端が接続されている。複数本の第１の電極指１３は、第１のバスバー１１から第２のバスバー１２に向かって延ばされている。すなわち、弾性波伝搬方向と直交する方向に、複数本の第１の電極指１３が延ばされている。
　他方、複数本の第２の電極指１４の基端が、第２のバスバー１２に接続されている。複数本の第２の電極指１４は、第２のバスバー１２から第１のバスバー１１側に向かって延ばされている。すなわち、複数本の第２の電極指１４も、弾性波伝搬方向と直交する方向に延ばされている。
　複数本の第１の電極指１３と、複数本の第２の電極指１４とは間挿し合っている。従って、複数本の第１の電極指１３と複数本の第２の電極指１４とが弾性波伝搬方向から見たときに重なり合っている領域が、励振領域を構成している。この励振領域の第１，第２の電極指１３，１４の延びる方向の寸法が交差幅である。従って、以下、第１，第２の電極指１３，１４の延びる方向を交差幅方向とする。
　また、上記弾性波伝搬方向を第１，第２の電極指１３，１４の幅方向とする。
　第１の電極指１３の先端には、太幅部１３ａが設けられている。太幅部１３ａの上記幅方向に沿う寸法は、第１の電極指１３の励振領域中央部における上記幅方向に沿う寸法より大きい。本明細書において、電極指の太幅部とは、太幅部以外の電極指部分に比べて、上記幅方向に沿う寸法が大きい部分をいうものとする。第２の電極指１４の先端にも太幅部１４ａが設けられている。
　太幅部１３ａが設けられている領域及び太幅部１４ａが設けられている領域をエッジ部とする。ＩＤＴ電極３においては、励振領域の中央部の両側に、上記エッジ部が設けられていることになる。なお、エッジ部における太幅部は、複数設けられていてもよい。
　また、弾性波伝搬方向において、太幅部１３ａと重なる領域において、第２の電極指１４に太幅部１４ｂが設けられている。同様に、太幅部１４ａと弾性波伝搬方向において重なる領域において、第１の電極指１３に太幅部１３ｂが設けられている。よって、上記エッジ部における音速は、太幅部１３ｂ，１４ｂが設けられていることによっても低められている。もっとも、太幅部１３ｂ，１４ｂは必ずしも設けられずともよい。
　さらに、第１の電極指１３及び第２の電極指１４の基端側部分にも、太幅部１３ｃ，１４ｃが設けられている。太幅部１３ｃ，１４ｃは、後述する第１または第２のオフセット電極指１７，１８と、弾性波伝搬方向において重なる位置に設けられている。
　図１において、ＩＤＴ電極３の右側に、各領域の弾性波の伝搬速度（以下、音速）を模式的に示すこととする。
　上記エッジ部における音速Ｖ２は、励振領域の中央部における音速Ｖ１よりも低められている。これは、太幅部１３ａ，１４ａが設けられていることによる。それによって、ピストンモードを形成することが可能となる。
　他方、第１のバスバー１１は、内側バスバー部１１Ａ、中央バスバー部１１Ｂ及び外側バスバー部１１Ｃを有する。ここでは、上記交差幅方向において、第１，第２の電極指１３，１４が存在している側を内側、反対側を外側としている。
　内側バスバー部１１Ａは、複数本の第１の電極指１３の基端が接続されている部分である。内側バスバー部１１Ａは、弾性波伝搬方向に延びる細長い帯状の形状を有している。ここは、メタライズされている部分であるため、内側バスバー部１１Ａのおける音速Ｖ５は、音速Ｖ１や音速Ｖ２よりも低くなる。
　中央バスバー部１１Ｂには、弾性波伝搬方向に沿って複数の開口部１５が分散配置されている。開口部１５は、電極指の延びる方向に延びる互いに隣り合う連結部１６間に位置している。連結部１６は、特に限定されないが、第１の電極指１３と同じ幅を有する。また、連結部１６は、第１の電極指１３の延長上に位置している。もっとも、連結部１６の寸法及び位置はこれに限定されるものではない。好ましくは、連結部１６は、第１の電極指１３と同じ幅を有し、かつ第１の電極指１３の延長上に設けられることが望ましい。それによって、製造が容易となる。
　開口部１５は、矩形の平面形状を有しているが、他の平面形状を有していてもよい。
　中央バスバー部１１Ｂでは、弾性波伝搬方向に沿って、連結部１６と開口部１５とが交互に位置している。従って、メタライズされていない部分が多いため、中央バスバー部１１Ｂの音速Ｖ６は、内側バスバー部１１Ａの音速Ｖ５や励振領域の中央部の音速Ｖ１よりも高速である。
　外側バスバー部１１Ｃは、開口部を有しない。従って、外側バスバー部１１Ｃはメタライズされた領域であるため、外側バスバー部１１Ｃの音速Ｖ７は、内側バスバー部１１Ａの音速Ｖ５と同様に低音速となる。
　第２のバスバー１２側においても、同様に、内側バスバー部１２Ａ、中央バスバー部１２Ｂ及び外側バスバー部１２Ｃを有する。上記第１，第２のバスバー１１，１２は、特許文献１に記載の弾性波装置における第１，第２のバスバーと同様に構成されている。従って、ピストンモードを形成することができ、かつ横モードリップルを抑圧することができる。
　もっとも、本願発明者らは、このような第１，第２のバスバー１１，１２を設けた構造では、前述したように、所望でないリップルが生じることを見出した。そして、このリップルの生じる原因について検討した結果、上記内側バスバー部１１Ａ，１２Ａが設けられている部分及びその近傍にスプリアスモードが生じ、それによって上記リップルが現れていることを見出した。
　弾性波装置１の特徴は、この内側バスバー部１１Ａから第２の電極指１４に向かって延びる第１のオフセット電極指１７が設けられていること、並びに第２のバスバー１２の内側バスバー部１２Ａから第１の電極指１３に向かって延びる第２のオフセット電極指１８が設けられていることにある。第１のオフセット電極指１７の先端は、第２の電極指１４の先端と交差幅方向においてギャップを隔てて配置されている。また、第２のオフセット電極指１８の先端は、第１の電極指１３の先端と交差幅方向においてギャップを隔てて配置されている。
　また、第１のオフセット電極指１７が設けられている領域においては、第１の電極指１３の基端において、太幅部１３ｃが設けられている。従って、第１のオフセット電極指１７が設けられている領域の音速Ｖ４は、エッジ部の音速Ｖ２と同等である。よって、この第１のオフセット電極指１７が設けられている領域における音速Ｖ４が、内側バスバー部１１Ａの音速Ｖ５と、第１のオフセット電極指１７の先端と、第２の電極指１４の先端との間のギャップ領域の音速Ｖ３の間の音速となる。従って、内側バスバー部１１Ａと、その交差幅方向内側に隣接している領域との音速差が、第１のオフセット電極指１７を設けることにより緩和されている。
　第２のバスバー１２の内側バスバー部１２Ａ側においても、同様に第２のオフセット電極指１８が設けられていること、並びに第２の電極指１４の基端に、太幅部１４ｃが設けられていることにより、第２のオフセット電極指１８が設けられている領域の音速は、第１のオフセット電極指１７が設けられている領域の音速Ｖ５と同様となる。
　本実施形態の弾性波装置１の特徴は、上記のように、第１，第２のバスバー１１，１２が、帯状の内側バスバー部１１Ａ，１２Ａを有する構造において、上記第１，第２のオフセット電極指１７，１８と、太幅部１３ｃ，１４ｃとを設けたことにある。それによって、上記のように、内側バスバー部１１Ａ，１２Ａと、そのすぐ交差幅方向内側の領域との音速差を緩和し、それによって、所望でないスプリアスモードの発生が抑制されていることにある。これを、以下において具体的な実験例に基づき説明する。
　図３は、第１の実施形態の弾性波装置１の位相特性を示し、図４は、リターンロス特性を示す。なお、弾性波装置１の仕様は、以下の通りとした。
　設計共振周波数＝９３６ＭＨｚ。
　圧電基板２として、ＬｉＮｂＯ３を用いた。この圧電基板２上に、ＩＤＴ電極３及び反射器４，５を以下の積層金属膜により形成した。
　積層金属膜の構成：圧電基板２側から順にＮｉＣｒ／Ｐｔ／Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉの積層膜。
　第１，第２の電極指１３，１４の電極指の対数は１００対とした。ＩＤＴ電極３の電極指のピッチで定まる波長をλとする。
　また、励振領域の中央部の交差幅方向に沿う寸法を１５λ、エッジ部の交差幅方向に沿う寸法を０．８λとした。また、第１，第２の電極指１３，１４の励振領域の中央部における幅方向寸法は（１／４）λとし、デューティを０．５とした。太幅部１３ａ，１３ｂ，１４ａ，１４ｂの幅は（７／５）×（１／４）λとし、デューティを０．７とした。また、太幅部１３ｃ，１４ｃの幅は、（７／５）×（１／４）λとし、デューティを０．７とした。
　第１，第２のオフセット電極指１７，１８の交差幅方向に沿う寸法、すなわちオフセット長を０．１λとし、幅は（７／５）×（１／４）λとし、デューティを０．７とした。
　内側バスバー部１１Ａ，１２Ａの交差幅方向に沿う寸法、すなわち幅は０．２２５λとした。中央バスバー部１１Ｂ，１２Ｂの交差幅方向寸法は２λとした。連結部１６の幅は、（１／８）λとし、デューティを０．２５とした。開口部１５の幅は（７．５／５）×（１／４）λとし、デューティを０．７５とした。
　外側バスバー部１１Ｃの交差幅方向に沿う寸法は２０μｍとした。
　また、反射器４，５の電極指の本数は２１本とした。
　また比較のために、上記第１，第２のオフセット電極指１７，１８を設けなかったこと、並びに太幅部１３ｃ，１４ｃを設けなかったことを除いては上記実施形態と同様にして比較例の弾性波装置を作製した。図３及び図４において、実線が上記実施形態の結果を、破線が比較例の結果を示す。
　図３及び図４から明らかなように、比較例では、所望でないリップルが共振周波数－反共振周波数間の領域だけでなく、共振周波数の低域側及び反共振周波数の高域側において多くのリップルが現れていることがわかる。これに対して、上記実施形態によれば、上記リップルがかなり抑圧されていることがわかる。
　上記のように、弾性波装置１では、内側バスバー部１１Ａ，１２Ａの交差幅方向内側に第１，第２のオフセット電極指１７，１８が設けられているため、内側バスバー部１１Ａと第２の電極指１４の先端の領域とにおける音速差の緩和が図られているため、上記所望でないスプリアスに基づくリップルを効果的に抑圧し得ることがわかる。
　なお、上記実施形態では、太幅部１３ｂ，１３ｃ及び太幅部１４ｂ，１４ｃも設けられていたが、太幅部１３ｂ，１３ｃや太幅部１４ｂ，１４ｃは必ずしも設けられずともよい。
　上記内側バスバー部１１Ａ，１２Ａは、細長い帯状の形状を有している。上記内側バスバー部１１Ａ，１２Ａの交差幅方向に沿う寸法は、中央バスバー部１１Ｂ，１２Ｂの交差幅方向に沿う寸法よりも小さいことが好ましい。この場合、上記所望でないスプリアスモードが励振されやすいが、本発明に従って、上記スプリアスモードに起因するリップルを効果的に抑圧することができる。内側バスバー部１１Ａ，１２Ａの交差幅方向に沿う寸法である幅は、より好ましくは、１．０λ以下であり、より好ましくは、０．１λ以上、０．５λ以下の範囲である。内側バスバー部１１Ａ，１２Ａが、このような幅を有する場合、上記スプリアスモードが励振されやすいが、本発明に従って、上記スプリアスモードによるリップルを効果的に抑圧することができる。その場合、上記第１，第２のオフセット電極指１７，１８の交差幅方向は、好ましくは、０．０２λ以上、１．５λ以下程度とすることが望ましい。それによって、上記リップルをより一層効果的に抑圧することができる。
　なお、エッジ部の交差幅方向に沿う寸法は、０．２λ以上、２λ以下とすることが好ましい。それによって、ピストンモードをより確実に形成することができる。
　また、波長λは、第１，第２の電極指１３，１４の電極指ピッチで定まるが、使用用途を考えると、１．８μｍ以上、５．６μｍ以下の範囲が好適である。それによって、７００ＭＨｚ帯以上、２ＧＨｚ帯以下までの用途に有効的な弾性波装置１を提供することができる。
　第１，第２のオフセット電極指１７，１８の幅方向寸法は、太幅部１３ａ，１４ａの幅方向寸法と同等であってもよく、太幅部１３ａ，１４ａの幅方向寸法よりも細くされていてもよい。好ましくは、同等のほうがよい。
　なお、上記実施形態では、エッジ部が、上記太幅部１３ａ，１３ｂ及び太幅部１４ａ，１４ｂの形成により設けられていたが、図５に示す第２の実施形態のように、誘電体膜２２，２３をエッジ部において、第１，第２の電極指１３，１４の先端側部分において積層してもよい。すなわち、ＳｉＯ２膜などの誘電体膜を積層することにより、エッジ部の音速を相対的に低めることができる。このように、本発明におけるＩＤＴ電極の形成されるピストンモードを形成するためのエッジ部は、太幅部を設けるものに限らず、誘電体膜を積層した構造など様々な方法を用いることができ、特に限定されるものではない。
　なお、図５に示す弾性波装置２１では、第１，第２のオフセット電極指１７，１８が設けられている領域においても、誘電体膜２４，２５が積層され、音速の低下が図られている。もっとも、第１，第２のオフセット電極指１７，１８が設けられている領域では、上記誘電体膜２４，２５は省略されてもよい。
　なお、誘電体膜は第１，第２の電極指１３，１４の上面に設けられていてもよく、下面に設けられていてもよい。
１…弾性波装置
２…圧電基板
３…ＩＤＴ電極
４，５…反射器
１１，１２…第１，第２のバスバー
１１Ａ，１２Ａ…内側バスバー部
１１Ｂ，１２Ｂ…中央バスバー部
１１Ｃ，１２Ｃ…外側バスバー部
１３，１４…第１，第２の電極指
１３ａ，１３ｂ，１３ｃ…太幅部
１４ａ，１４ｂ，１４ｃ…太幅部
１５…開口部
１６…連結部
１７，１８…第１，第２のオフセット電極指
２１…弾性波装置
２２，２３，２４，２５…誘電体膜

Claims (7)

  1. 　圧電基板と、
    　前記圧電基板上に設けられたＩＤＴ電極と、
    を備え、
    　前記ＩＤＴ電極が、
    　第１のバスバーと、
    　前記第１のバスバーと隔てられて配置された第２のバスバーと、前記第１のバスバーに基端が接続されており、前記第２のバスバーに向かって延ばされている複数本の第１の電極指と、
    　前記第２のバスバーに基端が接続されており、前記第１のバスバーに向かって延ばされている複数本の第２の電極指と、
    を有し、
    　前記第１及び第２の電極指の延びる方向を交差幅方向、該交差幅方向と直交する方向を幅方向としたときに、前記交差幅方向において励振領域中央部に比べ、音速が低いエッジ部が励振領域の前記交差幅方向両側に設けられており、
    　前記第１及び第２のバスバーの少なくとも一方が、前記幅方向に沿って分離配置された複数の開口部を有し、
    　前記第１及び第２のバスバーの少なくとも一方が、
    　前記開口部よりも交差幅方向内側に位置している内側バスバー部と、前記開口部が設けられている中央バスバー部と、前記内側バスバー部と前記中央バスバー部を挟んで反対側に位置している外側バスバー部とを有し、
    　前記第１及び第２のバスバーの少なくとも一方が、前記内側バスバー部から前記第２の電極指の先端または前記第１の電極指の先端に向かって延びているオフセット電極指を有する、弾性波装置。
  2. 　前記内側バスバー部の前記交差幅方向に沿う寸法が、前記中央バスバー部の前記交差幅方向に沿う寸法よりも小さい、請求項１に記載の弾性波装置。
  3. 　前記オフセット電極指が設けられている領域における音速が、前記内側バスバー部における音速と、前記オフセット電極指と前記エッジ部との間の領域における音速との間の大きさである、請求項１または２に記載の弾性波装置。
  4. 　前記内側バスバー部の前記交差幅方向に沿う寸法が、０．１λ以上、０．５λ以下の範囲にある、請求項１～３のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  5. 　前記エッジ部における前記第１，第２の電極指の前記幅方向に沿う寸法が、前記第１，第２の電極指の前記励振領域中央部における前記幅方向に沿う寸法よりも大きくされている、請求項１～４のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  6. 　前記オフセット電極指の前記幅方向に沿う寸法が、前記第１，第２の電極指の前記励振領域中央部における前記第１，第２の電極指の前記幅方向に沿う寸法よりも大きくされている、請求項５に記載の弾性波装置。
  7. 　前記エッジ部が、前記第１，第２の電極指の上面または下面に積層された誘電体膜を有する、請求項１～４のいずれか１項に記載の弾性波装置。
PCT/JP2016/061245 2015-04-24 2016-04-06 弾性波装置 WO2016170982A1 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE112016001894.0T DE112016001894B4 (de) 2015-04-24 2016-04-06 Vorrichtung für elastische Wellen
JP2016556908A JP6245378B2 (ja) 2015-04-24 2016-04-06 弾性波装置
CN201680022470.5A CN107534428B (zh) 2015-04-24 2016-04-06 弹性波装置
US15/787,778 US10840878B2 (en) 2015-04-24 2017-10-19 Elastic wave device
US17/072,091 US11811387B2 (en) 2015-04-24 2020-10-16 Elastic wave device

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015089209 2015-04-24
JP2015-089209 2015-04-24

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
US15/787,778 Continuation US10840878B2 (en) 2015-04-24 2017-10-19 Elastic wave device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2016170982A1 true WO2016170982A1 (ja) 2016-10-27

Family

ID=57143913

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2016/061245 WO2016170982A1 (ja) 2015-04-24 2016-04-06 弾性波装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10840878B2 (ja)
JP (1) JP6245378B2 (ja)
CN (1) CN107534428B (ja)
DE (1) DE112016001894B4 (ja)
WO (1) WO2016170982A1 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018131454A1 (ja) * 2017-01-13 2018-07-19 株式会社村田製作所 弾性波装置
JP2019125856A (ja) * 2018-01-12 2019-07-25 太陽誘電株式会社 弾性波共振器、フィルタおよびマルチプレクサ
WO2021065684A1 (ja) * 2019-09-30 2021-04-08 株式会社村田製作所 弾性波装置

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11811387B2 (en) * 2015-04-24 2023-11-07 Murata Manufacturing Co., Ltd. Elastic wave device
KR101953219B1 (ko) * 2016-11-24 2019-02-28 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 탄성파 장치, 고주파 프론트 엔드 회로 및 통신 장치
CN111527696B (zh) * 2017-12-19 2023-09-26 株式会社村田制作所 弹性波装置
JP6888691B2 (ja) * 2017-12-19 2021-06-16 株式会社村田製作所 弾性波装置
WO2020262388A1 (ja) * 2019-06-24 2020-12-30 株式会社村田製作所 フィルタ装置
FR3105894B1 (fr) * 2019-12-30 2023-11-03 Frecnsys Structure de transducteur pour résonateur à accès unique
CN115296642B (zh) * 2022-10-08 2023-03-24 深圳新声半导体有限公司 声表面波谐振器结构及其形成方法、滤波器
CN116938183B (zh) * 2023-09-13 2024-01-09 锐石创芯(深圳)科技股份有限公司 弹性滤波装置、多工器及射频前端模组
CN117394820B (zh) * 2023-12-13 2024-04-16 深圳新声半导体有限公司 声表面波谐振器装置及其制造方法、滤波器

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7576471B1 (en) * 2007-09-28 2009-08-18 Triquint Semiconductor, Inc. SAW filter operable in a piston mode
JP2009232242A (ja) * 2008-03-24 2009-10-08 Fujitsu Ltd 弾性波素子、フィルタ、通信モジュール、および通信装置
JP2013518455A (ja) * 2010-01-25 2013-05-20 エプコス アーゲー 横方向放射損失を低減させ，横方向モードの抑制により性能を高めた電気音響変換器

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04122114A (ja) * 1990-09-13 1992-04-22 Hitachi Ltd 弾性表面波装置およびその作製方法およびそれを用いた通信装置
JPH10173467A (ja) * 1996-12-13 1998-06-26 Toyo Commun Equip Co Ltd トランスバーサル型ｓａｗフィルタ
US7939989B2 (en) * 2009-09-22 2011-05-10 Triquint Semiconductor, Inc. Piston mode acoustic wave device and method providing a high coupling factor
JP5936393B2 (ja) * 2011-03-07 2016-06-22 トライクイント・セミコンダクター・インコーポレイテッドＴｒｉＱｕｉｎｔ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ，Ｉｎｃ． トリミング効果とピストンモードでの不安定性を最小化する音響波導波装置および方法
WO2014192756A1 (ja) * 2013-05-29 2014-12-04 株式会社村田製作所 弾性波装置
JP2015056746A (ja) * 2013-09-11 2015-03-23 株式会社村田製作所 弾性波装置
JP6186220B2 (ja) * 2013-09-12 2017-08-23 日本電波工業株式会社 弾性波フィルタ

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7576471B1 (en) * 2007-09-28 2009-08-18 Triquint Semiconductor, Inc. SAW filter operable in a piston mode
JP2009232242A (ja) * 2008-03-24 2009-10-08 Fujitsu Ltd 弾性波素子、フィルタ、通信モジュール、および通信装置
JP2013518455A (ja) * 2010-01-25 2013-05-20 エプコス アーゲー 横方向放射損失を低減させ，横方向モードの抑制により性能を高めた電気音響変換器

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018131454A1 (ja) * 2017-01-13 2018-07-19 株式会社村田製作所 弾性波装置
JPWO2018131454A1 (ja) * 2017-01-13 2019-06-27 株式会社村田製作所 弾性波装置
CN110140295A (zh) * 2017-01-13 2019-08-16 株式会社村田制作所 弹性波装置
US10797679B2 (en) 2017-01-13 2020-10-06 Murata Manufacturing Co., Ltd. Elastic wave device
CN110140295B (zh) * 2017-01-13 2023-02-28 株式会社村田制作所 弹性波装置
JP2019125856A (ja) * 2018-01-12 2019-07-25 太陽誘電株式会社 弾性波共振器、フィルタおよびマルチプレクサ
JP7055023B2 (ja) 2018-01-12 2022-04-15 太陽誘電株式会社 弾性波共振器、フィルタおよびマルチプレクサ
WO2021065684A1 (ja) * 2019-09-30 2021-04-08 株式会社村田製作所 弾性波装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20180062612A1 (en) 2018-03-01
JP6245378B2 (ja) 2017-12-13
DE112016001894B4 (de) 2022-02-03
JPWO2016170982A1 (ja) 2017-05-18
DE112016001894T5 (de) 2018-01-04
CN107534428A (zh) 2018-01-02
CN107534428B (zh) 2020-12-18
US10840878B2 (en) 2020-11-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6245378B2 (ja) 弾性波装置
JP6711377B2 (ja) 弾性波装置
JP6179594B2 (ja) 弾性波装置
JP6954799B2 (ja) 弾性波装置
JP6107947B2 (ja) 弾性波フィルタ装置
JP5861809B1 (ja) 弾性波装置
US9035725B2 (en) Acoustic wave device
WO2015156232A1 (ja) 弾性波フィルタ装置
WO2015182521A1 (ja) 弾性波装置及びラダー型フィルタ
JP6103146B2 (ja) ラダー型フィルタ
CN110140296B (zh) 纵耦合谐振器型弹性波滤波器
WO2018216548A1 (ja) 弾性波装置
WO2018003282A1 (ja) 弾性波装置
WO2018123882A1 (ja) 弾性波装置
KR20220024799A (ko) 탄성파 장치
JP2015056746A (ja) 弾性波装置
JP6424958B2 (ja) 弾性波装置
JP2018182354A (ja) 弾性波装置
WO2016063718A1 (ja) 弾性波共振子及びラダー型フィルタ
WO2018008252A1 (ja) 弾性波装置
US11811387B2 (en) Elastic wave device
JP2011041082A (ja) 一ポート型弾性波共振子及び弾性波フィルタ装置
WO2018193933A1 (ja) 弾性波装置、帯域通過型フィルタ及びマルチプレクサ
WO2016039026A1 (ja) 弾性表面波装置
WO2014103953A1 (ja) ラダー型フィルタ

Legal Events

Date Code Title Description
ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2016556908

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 16783003

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 112016001894

Country of ref document: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 16783003

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1