JPWO2018131454A1 - 弾性波装置 - Google Patents
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Abstract
Description
2…圧電基板
2a…一方主面
3…IDT電極
3a〜3e…第1〜第5の層
4a…第1のバスバー
4b…第1の電極指
5a…第2のバスバー
5b…第2の電極指
6a,6b…反射器
7…音速調整層
8…溝部
9…第1の誘電体膜
9a,9b…第1,第2の層
17…音速調整層
17a,17b…第1,第2の音速調整層
29…第2の誘電体膜
33…IDT電極
34c…第1のダミー電極指
35c…第2のダミー電極指
47…音速調整層
48…溝部
Claims (12)
- 圧電基板と、
前記圧電基板の一方主面上に設けられているIDT電極と、
を備え、
前記IDT電極が、互いに対向し合う第1のバスバー及び第2のバスバーと、前記第1のバスバーに一端が接続された複数の第1の電極指と、前記第2のバスバーに一端が接続されており、かつ前記複数の第1の電極指と間挿し合っている複数の第2の電極指と、を有し、前記IDT電極が、前記第1の電極指と前記第2の電極指とが弾性波伝搬方向において重なり合っている部分である交叉領域を有し、
平面視において、弾性波伝搬方向に直交する方向を交叉方向としたときに、前記交叉領域が、前記交叉方向中央側に位置している中央領域と、前記中央領域の前記交叉方向両側に配置されており、かつ前記中央領域よりも音速が低い第1の低音速領域及び第2の低音速領域と、を有し、前記第1の低音速領域が前記第1のバスバー側に位置しており、前記第2の低音速領域が前記第2のバスバー側に位置しており、
前記第1のバスバーと前記第1の低音速領域との間に位置しており、かつ前記中央領域よりも音速が高い第1の高音速領域と、前記第2のバスバーと前記第2の低音速領域との間に位置しており、かつ前記中央領域よりも音速が高い第2の高音速領域とが設けられており、
前記圧電基板の前記一方主面における前記第1の低音速領域及び前記第2の低音速領域に位置する部分において、前記第1の電極指及び前記第2の電極指のいずれか1つに平面視で重なるように、溝部が設けられており、
前記溝部内に前記圧電基板と異なる材料からなる音速調整層がそれぞれ設けられている、弾性波装置。 - 前記音速調整層が、前記溝部を満たすように設けられている、請求項1に記載の弾性波装置。
- 前記第1の電極指、前記第2の電極指及び前記溝部の弾性波伝搬方向に沿う寸法を幅としたときに、前記溝部の幅が前記第1の電極指の幅以下であり、かつ前記第2の電極指の幅以下である、請求項1または2に記載の弾性波装置。
- 前記溝部の幅が前記第1の電極指の幅より狭く、かつ前記第2の電極指の幅より狭い、請求項3に記載の弾性波装置。
- 前記音速調整層に用いられている材料の密度が、前記IDT電極に用いられている材料の平均密度よりも高い、請求項1〜4のいずれか1項に記載の弾性波装置。
- 前記圧電基板の前記一方主面の、前記第1の低音速領域に位置する部分に設けられている前記溝部が、平面視において前記第2の電極指に重なっており、前記第2の低音速領域に位置する部分に設けられている前記溝部が、平面視において前記第1の電極指に重なっている、請求項1〜5のいずれか1項に記載の弾性波装置。
- 前記溝部が、前記圧電基板の前記一方主面の、前記複数の第1の電極指における前記第2の低音速領域に位置する部分以外及び前記複数の第2の電極指における前記第1の低音速領域に位置する部分以外と、平面視において重なる部分に至っており、
前記音速調整層が第1の音速調整層と、前記第1の音速調整層よりも音速が高い第2の音速調整層と、を有し、
前記第1の音速調整層が、前記溝部の、前記複数の第1の電極指の前記第2の低音速領域に位置する部分及び前記複数の第2の電極指の前記第1の低音速領域に位置する部分と、平面視において重なる部分に設けられており、
前記第2の音速調整層が、前記溝部の、平面視において前記第1の音速調整層が設けられている部分以外の部分に設けられている、請求項6に記載の弾性波装置。 - 前記第1の音速調整層に用いられている材料の密度が、前記IDT電極に用いられている材料の平均密度よりも高い、請求項7に記載の弾性波装置。
- 前記圧電基板の前記一方主面上に、前記IDT電極を覆うように第1の誘電体膜が設けられている、請求項1〜8のいずれか1項に記載の弾性波装置。
- 前記圧電基板の前記一方主面上に第2の誘電体膜が設けられており、前記第2の誘電体膜により前記溝部及び前記音速調整層が覆われており、
前記IDT電極と、前記圧電基板及び前記音速調整層との間に、前記第2の誘電体膜が位置している、請求項1〜9のいずれか1項に記載の弾性波装置。 - 前記IDT電極が、前記第1のバスバーに一端が接続されており、かつ前記複数の第2の電極指とギャップを介して対向している複数の第1のダミー電極指と、前記第2のバスバーに一端が接続されており、かつ前記複数の第1の電極指にギャップを介して対向している複数の第2のダミー電極指と、を有する、請求項1〜10のいずれか1項に記載の弾性波装置。
- 前記音速調整層に用いられている材料が金属である、請求項1〜11のいずれか1項に記載の弾性波装置。
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JP7458055B2 (ja) * | 2019-12-13 | 2024-03-29 | 三安ジャパンテクノロジー株式会社 | 弾性表面波素子の製造方法 |
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US20220271730A1 (en) * | 2021-02-22 | 2022-08-25 | Skyworks Solutions, Inc. | Acoustic wave device with multi-layer interdigital transducer electrode having layer of more dense material over layer of less dense material |
WO2022242869A1 (en) * | 2021-05-21 | 2022-11-24 | Huawei Technologies Co., Ltd. | Surface acoustic wave device with improved topologies for reduction of transverse spurious modes |
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US20230402989A1 (en) * | 2022-06-13 | 2023-12-14 | RF360 Europe GmbH | Surface-Acoustic-Wave (SAW) Filter with Dielectric Material Disposed in a Piezoelectric Layer |
CN115296642B (zh) * | 2022-10-08 | 2023-03-24 | 深圳新声半导体有限公司 | 声表面波谐振器结构及其形成方法、滤波器 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002184951A (ja) * | 2000-12-15 | 2002-06-28 | Mitsubishi Electric Corp | 容量素子を有する半導体装置およびその製造方法 |
WO2011018913A1 (ja) * | 2009-08-10 | 2011-02-17 | 株式会社村田製作所 | 弾性境界波装置 |
JP2011066492A (ja) * | 2009-09-15 | 2011-03-31 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性境界波装置 |
WO2015182522A1 (ja) * | 2014-05-26 | 2015-12-03 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
WO2016170982A1 (ja) * | 2015-04-24 | 2016-10-27 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
Family Cites Families (7)
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---|---|---|---|---|
WO2010070816A1 (ja) * | 2008-12-17 | 2010-06-24 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波装置 |
JP5120497B2 (ja) * | 2009-04-14 | 2013-01-16 | 株式会社村田製作所 | 弾性境界波装置 |
JP5579429B2 (ja) | 2009-12-15 | 2014-08-27 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波素子、通信モジュール、通信装置 |
DE102010005596B4 (de) * | 2010-01-25 | 2015-11-05 | Epcos Ag | Elektroakustischer Wandler mit verringerten Verlusten durch transversale Emission und verbesserter Performance durch Unterdrückung transversaler Moden |
JPWO2012127793A1 (ja) * | 2011-03-22 | 2014-07-24 | パナソニック株式会社 | 弾性波素子 |
KR101924025B1 (ko) * | 2014-02-04 | 2018-11-30 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 탄성파 장치 |
WO2017086004A1 (ja) * | 2015-11-17 | 2017-05-26 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置及びその製造方法 |
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---|---|---|---|---|
JP2002184951A (ja) * | 2000-12-15 | 2002-06-28 | Mitsubishi Electric Corp | 容量素子を有する半導体装置およびその製造方法 |
WO2011018913A1 (ja) * | 2009-08-10 | 2011-02-17 | 株式会社村田製作所 | 弾性境界波装置 |
JP2011066492A (ja) * | 2009-09-15 | 2011-03-31 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性境界波装置 |
WO2015182522A1 (ja) * | 2014-05-26 | 2015-12-03 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
WO2016170982A1 (ja) * | 2015-04-24 | 2016-10-27 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
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