WO2016157611A1 - 露光データ生成方法、製造方法、露光データ生成装置、露光データ生成プログラム、および、製造システム - Google Patents

露光データ生成方法、製造方法、露光データ生成装置、露光データ生成プログラム、および、製造システム Download PDF

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Definitions

  • the present invention relates to a technique for manufacturing a multilayered three-dimensional structure by exposing along exposure data.
  • the present invention has been made in view of the above problems, and with regard to the production of a multilayer three-dimensional structure, the depth of each concave portion on the concave and convex surface can be individually adjusted, and the shape of the concave and convex surface caused by the misalignment of the exposure position
  • the purpose is to provide technology that can suppress change.
  • the exposure data generation method is to produce a multilayer structure by developing a resist laminate formed by repeatedly forming a resist layer and exposing the resist layer in each layer.
  • an exposure data generation method for generating a plurality of exposure data wherein the multilayer three-dimensional structure is formed in each layer in the depth direction based on design data representing the multilayer three-dimensional structure having an uneven surface on one side.
  • a division pattern generation step for generating a plurality of division patterns expressing each pattern when divided, a convex area including a convex surface on the one side, and a concave area including a concave surface on the one side with respect to the plurality of division patterns And a data generation step of setting a concave surface peripheral region positioned around the concave surface region as an exposure region and generating a plurality of exposure data.
  • An exposure data generation method is the exposure data generation method according to the first aspect of the present invention, wherein the data generation step is performed on the multi-layer solid with respect to the plurality of divided patterns.
  • a first process for setting an existing area of the structure as an exposure area and a non-existing area of the multilayered three-dimensional structure as a non-exposure area; and an exposure area in the one layer of the exposure areas after the first process A second process for setting the convex surface area and the concave surface area as an exposure area by changing the area in which non-exposure is set to the non-exposure area, and surrounding the concave area among the non-exposure areas after the second process.
  • the convex area, the concave area, and the concave surrounding area are set as exposure areas, and the plurality of exposure data is generated. Characterized in that it is a step of executing processing with the.
  • An exposure data generation method is the exposure data generation method according to the first or second aspect of the present invention, wherein the exposure apparatus performs exposure on the resist layer.
  • the upper limit of the deviation when the exposure position deviates from the reference exposure position is known in advance as the overlay accuracy, and the width of the area around the concave surface is 2 to 3 times the overlay accuracy. It is characterized by.
  • An exposure data generation method is the exposure data generation method according to any one of the first to third aspects of the present invention, wherein the uneven surface has a plurality of recesses.
  • the relatively wide recesses of the plurality of recesses are relatively shallow, and the relatively narrow recesses of the plurality of recesses are relatively deep.
  • a multi-dimensional solid having a concavo-convex surface on one side is developed by developing a resist laminate formed by repeatedly forming a resist layer and exposing the resist layer in each layer.
  • a manufacturing method for manufacturing a structure which is repeatedly performed on each layer in order from the other side to the one side, a coating step of applying a resist to form a resist layer, and heating the resist layer.
  • the resist layer based on a pre-bake step and exposure data corresponding to the layer among the plurality of exposure data generated by the exposure data generation method according to any of the first to fourth aspects of the present invention And a resist laminate produced by executing the coating step, the pre-bake step, and the exposure step on each of the layers.
  • a development process for removing the resist at a portion not exposed in the exposure process with a developer to obtain the multilayer three-dimensional structure As a process to be executed, a development process for removing the resist at a portion not exposed in the exposure process with a developer to obtain the multilayer three-dimensional structure, and a hard baking process for heating the multilayer three-dimensional structure, It is characterized by having.
  • the manufacturing method according to the sixth aspect of the present invention is the manufacturing method according to the fifth aspect of the present invention, wherein the steps are repeatedly performed on each layer in the order from the other side to the one side.
  • a manufacturing method according to a seventh aspect of the present invention is the manufacturing method according to the fifth aspect or the sixth aspect of the present invention, wherein the step of performing the hard baking step is the step of the multilayer three-dimensional structure. It has the surface processing process which processes the surface of one side, It is characterized by the above-mentioned.
  • a manufacturing method according to an eighth aspect of the present invention is the manufacturing method according to any of the fifth to seventh aspects of the present invention, wherein the components of the resist applied in the coating step are in the respective layers. It is characterized by being identical.
  • a manufacturing method according to a ninth aspect of the present invention is the manufacturing method according to any of the fifth to eighth aspects of the present invention, wherein the exposure step comprises exposing light to the resist layer. It is a direct drawing process which performs local exposure continuously by irradiating while scanning.
  • An exposure data generating apparatus is to produce a multilayer structure by developing a resist laminate formed by repeatedly forming a resist layer and exposing the resist layer in each layer.
  • an exposure data generating apparatus that generates a plurality of exposure data, on the basis of design data representing the multilayer three-dimensional structure having an uneven surface on one side, the multilayer three-dimensional structure is formed in each layer in the depth direction.
  • Divided pattern generation means for generating a plurality of divided patterns expressing each pattern when divided, and a convex area including a convex surface on the one side and a concave area including a concave surface on the one side with respect to the plurality of divided patterns
  • a data generation means for generating a plurality of exposure data by setting, as an exposure area, a concave peripheral area located around the concave area. And butterflies.
  • An exposure data generation apparatus is the exposure data generation apparatus according to the tenth aspect of the present invention, wherein the data generation means is configured to apply the multilayer solid to the plurality of divided patterns.
  • the convex surface area, the concave surface area, and the concave surface peripheral area are set as exposure areas by changing the located concave surface peripheral area to an exposure area, and the plurality of exposure data is generated. And having processing and, the.
  • An exposure data generation apparatus is the exposure data generation apparatus according to the tenth aspect or the eleventh aspect of the present invention, wherein the exposure apparatus exposes the resist layer.
  • the upper limit of the deviation when the exposure position deviates from the reference exposure position is known in advance as the overlay accuracy, and the width of the area around the concave surface is 2 to 3 times the overlay accuracy. It is characterized by.
  • An exposure data generation apparatus is the exposure data generation apparatus according to any one of the tenth to twelfth aspects of the present invention, wherein the uneven surface has a plurality of recesses.
  • the relatively wide recesses of the plurality of recesses are relatively shallow, and the relatively narrow recesses of the plurality of recesses are relatively deep.
  • the exposure data generation program according to the fourteenth aspect of the present invention is installed in a computer and executed in the memory by the CPU, so that the computer according to any of the tenth to thirteenth aspects of the present invention is applied. It functions as an exposure data generation device.
  • the manufacturing system develops a resist laminate formed by repeatedly forming a resist layer and exposing the resist layer in each layer, and has a multilayer structure having an uneven surface on one side.
  • a manufacturing system for manufacturing a structure, the exposure data generating apparatus according to any one of the tenth to thirteenth aspects of the present invention, a coating apparatus for coating a resist to form a resist layer, and the resist layer A heating device that heats the resist layer, an exposure device that exposes the resist layer, and a developing device that removes the resist at a location that has not been exposed by the exposure device with a developer.
  • a manufacturing system according to a sixteenth aspect of the present invention is the manufacturing system according to the fifteenth aspect of the present invention, comprising a surface processing device for processing the surface of the one side of the multilayer structure. To do.
  • a manufacturing system according to a seventeenth aspect of the present invention is the manufacturing system according to the fifteenth aspect or sixteenth aspect of the present invention, wherein the components of the resist applied by the coating apparatus are the same in each of the layers. It is characterized by.
  • a manufacturing system is the manufacturing system according to any one of the fifteenth to seventeenth aspects of the present invention, wherein the exposure apparatus applies exposure light to the resist layer. It is characterized by being a direct drawing apparatus that continuously performs local exposure by irradiating while scanning.
  • a multilayer structure is produced by developing a resist laminate formed by repeatedly forming a resist layer and selectively exposing the resist layer in each layer. For this reason, according to each exposure pattern about each resist layer, the depth of each recessed part in an uneven surface can be adjusted separately.
  • the exposure area of the exposure data includes a convex area, a concave area, and a concave peripheral area. For this reason, even when both of the two resist layers are exposed in a shifted manner, an unintended step difference is suppressed from occurring on the uneven surface of the multilayer three-dimensional structure.
  • FIG. 3 is a view of each divided pattern after the first processing as seen from the AA cross section of FIG. 2.
  • FIG. 3 is a view of each divided pattern after the second processing as seen from the AA cross section of FIG. 2. It is a figure which shows the division
  • FIG. 10 is a view of each divided pattern after the third processing as seen from the AA cross section of FIG. 2.
  • FIG. 3 is a view of a manufacturing process of a multilayer three-dimensional structure as seen from the AA cross section of FIG.
  • FIG. 3 is a view of a manufacturing process of a multilayer three-dimensional structure as seen from the AA cross section of FIG.
  • FIG. 3 is a view of a manufacturing process of a multilayer three-dimensional structure as seen from the AA cross section of FIG.
  • FIG. 3 is a view of a manufacturing process of a multilayer three-dimensional structure as seen from the AA cross section of FIG.
  • FIG. 3 is a view of a manufacturing process of a multilayer three-dimensional structure as seen from the AA cross section of FIG.
  • FIG. 3 is a view of a manufacturing process of a multilayer three-dimensional structure as seen from the AA cross section of FIG.
  • FIG. 3 is a view of a manufacturing process of a multilayer three-dimensional structure
  • FIG. 3 is a view of a manufacturing process of a multilayer three-dimensional structure as seen from the AA section of FIG.
  • FIG. 3 is a view of a manufacturing process of a multilayered three-dimensional structure according to a comparative example as seen from the AA cross section of FIG. 2 when a deviation occurs in the exposure position.
  • FIG. 3 is a view of a manufacturing process of a multilayered three-dimensional structure according to a comparative example as seen from the AA cross section of FIG. 2 when a deviation occurs in the exposure position.
  • FIG. 3 is a view of a manufacturing process of a multilayered three-dimensional structure according to a comparative example as seen from the AA cross section of FIG. 2 when a deviation occurs in the exposure position.
  • FIG. 3 is a view of a manufacturing process of a multilayered three-dimensional structure according to a comparative example as seen from the AA cross section of FIG. 2 when a deviation occurs in the exposure position.
  • FIG. 3 is a view of a manufacturing process of a multilayered three-dimensional structure according to a comparative example as seen from the AA cross section of FIG. 2 when a deviation occurs in the exposure position.
  • FIG. 3 is a view of a manufacturing process of a multilayered three-dimensional structure according to a comparative example as seen from the AA cross section of FIG. 2 when a deviation occurs in the exposure position.
  • FIG. 3 is a view of a manufacturing process of a multilayered three-dimensional structure according to the present embodiment as seen from the AA cross section of FIG. 2 when a deviation occurs in the exposure position.
  • FIG. 3 is a view of a manufacturing process of a multilayered three-dimensional structure according to the present embodiment as seen from the AA cross section of FIG. 2 when a deviation occurs in the exposure position.
  • FIG. 3 is a view of a manufacturing process of a multilayered three-dimensional structure according to the present embodiment as seen from the AA cross section of FIG. 2 when a deviation occurs in the exposure position.
  • FIG. 3 is a view of a manufacturing process of a multilayered three-dimensional structure according to the present embodiment as seen from the AA cross section of FIG. 2 when a deviation occurs in the exposure position.
  • FIG. 3 is a view of a manufacturing process of a multilayered three-dimensional structure according to the present embodiment as seen from the AA cross section of FIG. 2 when a deviation occurs in the exposure position.
  • FIG. 3 is a view of a manufacturing process of a multilayered three-dimensional structure according to the present embodiment as seen from the AA cross section of FIG. 2 when a deviation occurs in the exposure position.
  • FIG. 1 is a flowchart showing the flow of exposure data generation processing for generating a plurality of exposure data and manufacturing processing for manufacturing the multilayer three-dimensional structure 100. Steps S1 and S2 in FIG. 1 show the steps of the exposure data generation process, and steps S3 to S10 in FIG. 1 show the steps of the manufacturing process.
  • FIG. 2 is a perspective view showing an example of the multilayer three-dimensional structure 100 manufactured by the flow of FIG.
  • the multilayer structure 100 of the present embodiment is a structure in which four resist layers 51 to 54 are laminated on the main surface on the + Z side of the substrate 50, and the uneven surface 110 is formed on the + Z side.
  • the concavo-convex surface 110 includes a rectangular first recess 111 having a long side in the Y direction in the XY plan view, an L-shaped second recess 112 having a long side in the Y direction in the XY plan view, and an XY plan view.
  • the circular third recesses 113 are arranged along the X direction.
  • the layers are called in order, they are called the first layer to the fourth layer in order from the ⁇ Z side layer to the + Z side layer.
  • the uppermost surface (upper surface of the fourth layer) of the concavo-convex surface 110 is referred to as a convex surface 110a
  • the portion of the concavo-convex surface 110 that is recessed from the convex surface 110a is referred to as a concave surface 110b.
  • the first recess 111 is a recess having a depth corresponding to three layers. That is, the concave surface 110b of the first concave portion 111 is located at the boundary between the first layer and the second layer.
  • the second recess 112 is a recess having a depth corresponding to two layers. That is, the concave surface 110b of the second concave portion 112 is located at the boundary between the second layer and the third layer.
  • the third recess 113 is a recess having a depth corresponding to one layer. That is, the concave surface 110b of the third recess 113 is located at the boundary between the third layer and the fourth layer.
  • FIG. 3 is a block diagram showing an electrical configuration of the exposure data generation apparatus 7 that executes the exposure data generation process.
  • the exposure data generation device 7 is configured by a general computer in which, for example, a CPU 71, a ROM 72, a RAM 73, a storage device 74, and the like are interconnected via a bus line 75.
  • the ROM 72 stores an operating system and the like, and the RAM 73 is used as a work area when the CPU 71 performs predetermined processing.
  • the storage device 74 is configured by a nonvolatile storage device such as a flash memory or a hard disk device.
  • the input unit 76, the display unit 77, the communication unit 78, and the reading unit 79 are also connected to the bus line 75.
  • the input unit 76 includes various switches, a touch panel, and the like, and receives various inputs from the operator.
  • the display unit 77 includes a liquid crystal display device, a lamp, and the like, and displays various types of information under the control of the CPU 71.
  • the communication unit 78 has a data communication function via wire or wireless.
  • the reading unit 79 reads data recorded on a recording medium readable by an inserted computer, for example, a CD, a DVD, or a USB memory.
  • the program P (exposure data generation program) is installed in the exposure data generation device 7 and is executed in the RAM 73 (memory) by the CPU 71, so that the division pattern generation means that is a functional part of the exposure data generation device 7 executes step S1. Then, the data generation means that is a functional part of the exposure data generation device 7 executes step S2. Thereby, exposure data generation processing is executed.
  • the program P may be read into the exposure data generation device 7 wirelessly. Further, the recording medium RM that records the program P so as to be readable by the computer may be read by the reading unit 79 and the program P may be read by the exposure data generating device 7.
  • Step S1 division pattern generation step.
  • the multilayer three-dimensional structure 100 is a three-dimensional structure composed of four layers, four division patterns are generated in step S1.
  • step S2 data generation step
  • the first process is performed. Specifically, for the four division patterns obtained in the division pattern generation step, the existence area of the multilayer three-dimensional structure 100 is set as the exposure area 90, and the non-existence area of the multilayer three-dimensional structure 100 is designated as the non-exposure area 91.
  • Is set. 4 to 7 are diagrams showing the four divided patterns 11 to 14 after the first processing in the order of the first layer to the fourth layer.
  • the first concave portion 111 to the third concave portion 113 are not formed in the first layer of the multilayer three-dimensional structure 100.
  • the entire region of the first layer becomes the existence region of the multilayer three-dimensional structure 100.
  • the entire first layer area is set as the exposure area 90.
  • the first recess 111 is formed in the second layer of the multilayer structure 100, and the second recess 112 and the third recess 113 are not formed.
  • the region where the first recess 111 is formed in the entire region of the second layer is a non-existing region of the multilayer three-dimensional structure 100, and the remaining region of the entire region of the second layer is the existing region of the multilayer three-dimensional structure 100. It becomes. Therefore, in the divided pattern 12, the non-existing area is set as the non-exposed area 91 among the entire area of the second layer, and the existing area is set as the exposed area 90 of the entire area of the second layer.
  • the first recess 111 and the second recess 112 are formed in the third layer of the multilayer three-dimensional structure 100, and the third recess 113 is not formed.
  • the region where the first concave portion 111 and the second concave portion 112 are formed in the entire region of the third layer is a non-existing region of the multilayer three-dimensional structure 100, and the remaining region of the entire third layer region is the multilayer solid This is the region where the structure 100 exists.
  • the non-existing area is set as the non-exposed area 91 among the entire area of the third layer, and the existing area is set as the exposed area 90 among all the areas of the third layer.
  • a first recess 111 to a third recess 113 are formed in the fourth layer of the multilayer structure 100.
  • the region where the first recesses 111 to the third recess 113 are formed in the entire region of the fourth layer is a non-existing region of the multilayer three-dimensional structure 100, and the remaining region of the entire region of the fourth layer is the multilayer solid. This is the region where the structure 100 exists. Therefore, in the divided pattern 14, the non-existing area is set as the non-exposed area 91 among the entire areas of the fourth layer, and the existing area of the all areas of the fourth layer is set as the exposed area 90.
  • FIG. 8 is a view of the divided patterns 11 to 14 as viewed from the AA cross section of FIG. 2 at the time after the first processing.
  • the second process is performed. Specifically, the area where the exposure area 90 is set also in the upper layer (+ Z side layer) of each exposure area 90 after the first processing is changed to a non-exposure area 91.
  • 9 to 12 are diagrams showing the four divided patterns 21 to 24 after the second processing in the order of the first layer to the fourth layer.
  • a region including the convex surface 110a on the + Z side is referred to as a convex surface region 90a
  • a region including the concave surface 110b on the + Z side is referred to as a concave surface region 90b.
  • the exposure region 90 in the divided pattern 21 is a concave region 90 b including the concave surface 110 b of the first concave portion 111 on the + Z side.
  • the exposure region 90 in the divided pattern 22 is a concave region 90 b including the concave surface 110 b of the second concave portion 112 on the + Z side.
  • the exposure region 90 in the divided pattern 23 is a concave region 90 b including the concave surface 110 b of the third concave portion 113 on the + Z side.
  • the divided pattern 24 is the same pattern as the divided pattern 14.
  • the exposure region 90 in the divided pattern 24 is a convex surface region 90a including a convex surface 110a on the + Z side.
  • FIG. 13 is a view of the divided patterns 21 to 24 at the time after the second processing as seen from the AA cross section of FIG.
  • the third process is performed next. Specifically, an area located around the concave surface area 90 b in each non-exposed area 91 after the second processing is changed to the exposure area 90.
  • 14 to 17 are diagrams showing the four divided patterns 31 to 34 after the third process in the order of the first layer to the fourth layer.
  • an area located around the concave surface 110b in each divided pattern is referred to as a concave peripheral area 90c.
  • the concave peripheral area 90c located around the concave area 90b in the non-exposure area 91 of the split pattern 21 is changed to the exposure area 90, and the split pattern 21 is changed to the split pattern 31. Is done.
  • the concave surrounding area 90 c is a rectangular annular area having a long side in the Y direction.
  • the concave peripheral area 90c located around the concave area 90b in the non-exposure area 91 of the split pattern 22 is changed to the exposure area 90, and the split pattern 22 is changed to the split pattern 32. And changed.
  • the concave peripheral region 90 c is an L-shaped annular region having a long side in the Y direction.
  • the concave peripheral area 90c located around the concave area 90b in the non-exposed area 91 of the split pattern 23 is changed to the exposure area 90, and the split pattern 23 is changed to the split pattern 33. And changed.
  • the concave surrounding area 90c is an annular area.
  • the divided pattern 34 is the same pattern as the divided patterns 14 and 24.
  • FIG. 18 is a view of the divided patterns 31 to 34 at the time after the third process, as viewed from the AA cross section of FIG.
  • the data of the four divided patterns 31 to 34 generated in the first process to the third process become the four exposure data given to the exposure apparatus during the manufacturing process of the multilayer three-dimensional structure 100.
  • the overlay accuracy of the exposure apparatus is known in advance before the third process, and the width W40 of the concave surrounding area 90c is set to twice the overlay accuracy.
  • the overlay accuracy is an upper limit value of deviation when the exposure position when the resist layer is exposed deviates from the reference exposure position.
  • the overlay accuracy in Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 2009-224523 and Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 2014 are provided. This is the same concept as the overlay accuracy in Japanese Patent Application No. 103343.
  • the effect of setting the width W40 of the concave surrounding area 90c will be described in detail in ⁇ 1.4 Positional shift in exposure process> described later.
  • a manufacturing system for manufacturing the multilayer three-dimensional structure 100 develops a resist laminate formed by repeatedly forming a resist layer and exposing the resist layer in each layer, and has a three-dimensional three-dimensional structure having an uneven surface 110 on the + Z side.
  • 100 is a system for manufacturing 100.
  • This manufacturing system includes an exposure data generating device 7, a coating device that coats a resist to form a resist layer, a heating device that heats the resist layer, an exposure device that exposes the resist layer, and an exposure device that is not exposed.
  • a developing device that removes the resist at the spot with a developer, and a surface processing device that performs surface processing.
  • the manufacturing system may be configured by arranging these devices in a cluster system, or may be configured by arranging these devices in an inline system.
  • FIG. 19 to FIG. 24 are views showing the manufacturing process of the multilayer three-dimensional structure 100 as seen from the AA cross section of FIG.
  • the manufacturing process of the multilayer three-dimensional structure 100 when viewed from the AA cross section of FIG. 2 will be described.
  • the coating apparatus applies a negative resist to the main surface on one side (+ Z side) of the substrate 50 to form the first resist layer 51 on the substrate 50 (step S3).
  • This resist has transparency to exposure light used in the exposure apparatus.
  • the heating device heats the resist layer 51 to evaporate the solvent in the resist layer 51 (step S4: pre-baking step).
  • the exposure apparatus exposes the resist layer 51 based on the exposure data of the first layer among the four exposure data generated by the above-described exposure data generation process (step S5: exposure process).
  • a portion of the resist layer 51 corresponding to the exposure region 90 of the divided pattern 31 is exposed to become a development insoluble region 92. Further, the portion corresponding to the non-exposed area 91 of the divided pattern 31 in the resist layer 51 is not exposed and is maintained as the development soluble area 93.
  • the exposure apparatus is composed of, for example, a direct drawing apparatus that continuously performs local exposure by irradiating the resist layer with exposure light while scanning. In this case, the direct drawing process is executed in step S5, and it is not necessary to prepare a mask corresponding to each exposure data.
  • FIG. 19 is a diagram showing a manufacturing process of the multilayer three-dimensional structure 100 at this point.
  • Step S7 When Steps S3 to S6 are executed for the resist layer 51, it is determined whether or not there is a resist layer that has not yet been formed (Step S7). Here, since the resist layers 52 to 54 exist as resist layers not yet formed, the process branches to Yes in step S7.
  • Steps S3 to S6 are executed for the second resist layer 52 on the substrate 50.
  • a portion corresponding to the exposure region 90 of the divided pattern 32 in the resist layer 52 is exposed to become a development insoluble region 92.
  • the resist used in the present embodiment is transmissive to exposure light.
  • the resist layer 51 which is the lower layer of the resist layer 52, is also exposed at a portion corresponding to the exposure region 90 of the divided pattern 32 to become a development insoluble region 92.
  • the portion corresponding to the non-exposed area 91 of the divided pattern 32 in the resist layer 52 is not exposed and is maintained as the development soluble area 93.
  • the resist layer 52 is heated, and the solvent in the resist layer 52 evaporates.
  • FIG. 20 is a diagram illustrating a manufacturing process of the multilayered three-dimensional structure 100 at this point.
  • Step S7 When Steps S3 to S6 are executed for the resist layer 52, it is determined whether or not there is a resist layer that has not yet been formed (Step S7). Here, since the resist layers 53 and 54 exist as resist layers not yet formed, the process branches to Yes in step S7.
  • FIG. 21 is a diagram showing a manufacturing process of the multilayer structure 100 when Steps S3 to S6 are performed on the resist layer 53.
  • FIG. 22 is a diagram showing a manufacturing process of the multilayer structure 100 when Steps S3 to S6 are performed on the resist layer.
  • the resist laminate 57 is generated by executing steps S3 to S6 for each layer in the order from the ⁇ Z side to the + Z side. Then, it is determined whether or not there is a resist layer that has not yet been formed (step S7). Since all the resist layers 51 to 54 are formed here, the process branches to No in step S7.
  • the developing device removes the resist in the development soluble region 93 of the resist laminated body 57 with the developer to obtain the multilayer three-dimensional structure 100 (step S8: development step). At this point, the multilayer three-dimensional structure 100 is obtained, but the strength of the multilayer three-dimensional structure 100 is increased by performing steps S9 and S10 in the manufacturing process.
  • FIG. 23 is a diagram illustrating a manufacturing process of the multilayered three-dimensional structure 100 at this point.
  • the multilayer three-dimensional structure 100 that is, the multilayer three-dimensional structure 100 corresponding to FIG. 23
  • the next surface processing step is drawn. Yes.
  • the surface processing apparatus processes the surface on the + Z side of the multilayer three-dimensional structure 100 and covers the surface with the protective film 55 (step S10: surface processing step).
  • a film such as a plating film or a diamond-like carbon film is formed as the protective film 55.
  • FIG. 24 is a diagram showing the multilayer three-dimensional structure 100 manufactured by steps S1 to S10.
  • the multi-dimensional three-dimensional structure 100 is developed by developing the resist laminate 57 that is generated by repeatedly forming a resist layer and selectively exposing the resist layer in each layer. Manufacturing. For this reason, the depth of each recessed part in the uneven
  • the multilayer three-dimensional structure 100 is used as, for example, an intaglio in printing processing.
  • a relatively wide recess is formed relatively shallow among the plurality of recesses, and a relatively narrow recess among the plurality of recesses is relatively It is desirable to be formed deeply. This is because, when the ink filled in each recess is transferred to a transfer roll or the like, variation in the ink transfer ratio in each recess is suppressed.
  • the width of the concave portion means a width in a short direction in a plan view of the concave portion as viewed from above. As shown in FIG.
  • the third recess 113 having a relatively wide width W30 is formed relatively shallow, and the second recess 112 having an intermediate width W20 is set to an intermediate depth.
  • the first concave portion 111 having a relatively narrow width W10 is formed relatively deep. For this reason, from the above viewpoint, variation during transfer is suppressed, which is desirable.
  • the adhesion between the base material 50 and the resist layers 51 to 54 is increased, desirable.
  • the components of the resist applied by the coating apparatus are the same in each layer as in this embodiment, compared to the embodiment in which the components of the resist are different in each layer as in the technique described in JP 2012-208350 A.
  • the manufacturing process of the multilayer structure 100 is facilitated, and the manufacturing cost is also suppressed.
  • the resist is applied to each resist layer as in the technique described in JP 2012-208350 A. Compared to an aspect in which exposure light having different wavelengths corresponding to the components is irradiated, the manufacturing process of the multilayer structure 100 is facilitated, and the manufacturing cost is also suppressed.
  • the difference in the manufacturing process between the present embodiment and the comparative example will be described assuming that a positional deviation occurs in the exposure process.
  • the first resist layer 51 is exposed at the reference exposure position
  • the second resist layer 52 is exposed with a deviation of the overlay accuracy in the ⁇ X direction from the reference exposure position
  • the third resist layer 53 is exposed. Is assumed to be shifted from the reference exposure position in the + X direction by the overlay accuracy
  • the fourth resist layer 54 is exposed from the reference exposure position by the overlay accuracy in the ⁇ X direction.
  • the exposure process is executed using the data of the divided patterns 11 to 14 shown in FIG. 8 as exposure data.
  • 25 to 29 are views of the manufacturing process of the multilayer three-dimensional structure 100A as seen from the AA cross section of FIG.
  • steps S3 to S6 are executed for the first resist layer 51A on the substrate 50.
  • a portion corresponding to the exposure region 90 of the divided pattern 11 in the resist layer 51A is exposed to become a development insoluble region 92.
  • the resist layer 51A is heated, and the solvent in the resist layer 51A evaporates.
  • FIG. 25 is a diagram showing a manufacturing process of the multilayer three-dimensional structure 100A at this point.
  • Step S7 When Steps S3 to S6 are executed for the resist layer 51A, it is determined whether or not there is a resist layer that has not yet been formed (Step S7).
  • the process branches to Yes in step S7.
  • Steps S3 to S6 are similarly performed for the second to fourth resist layers 52A to 54A on the base material 50.
  • the exposure process is executed with a deviation of the overlay accuracy in the ⁇ X direction from the reference exposure position.
  • FIG. 26 is a diagram showing a manufacturing process of the multilayer structure 100 when Steps S3 to S6 are performed on the resist layer 52A.
  • FIG. 27 is a diagram showing a manufacturing process of the multilayer structure 100 when Steps S3 to S6 are performed on the resist layer 53A.
  • FIG. 28 is a diagram showing a manufacturing process of the multilayer structure 100 when Steps S3 to S6 are performed on the resist layer 54A.
  • steps S3 to S6 are executed for each layer in the order from the ⁇ Z side to the + Z side, whereby the resist laminate 57A is generated (FIG. 28). Then, it is determined whether or not there is a resist layer that has not yet been formed (step S7). Here, since all the resist layers 51A to 54A are formed, the process branches to No in step S7.
  • the developing device removes the resist in the development soluble region 93 of the resist laminate 57A with a developer to obtain the multilayer three-dimensional structure 100A (step S8: development step).
  • the heating device heats the multilayer three-dimensional structure 100A to evaporate the solvent in the multilayer three-dimensional structure 100A and the developer attached to the multilayer three-dimensional structure 100A (step S9: hard baking process).
  • FIG. 29 is a diagram showing a manufacturing process of the multilayer three-dimensional structure 100A at this point.
  • the multilayer three-dimensional structure 100A thus manufactured includes the first concave portion 111A to the third concave portion 113A on the concave and convex surface 110A.
  • the uneven surface 110A is different from the shape of the uneven surface 110 in the multilayer three-dimensional structure 100 when an ideal exposure process without positional deviation is executed. This is because the shape of the development soluble region 93 in the resist laminate 57 ⁇ / b> A becomes incompatible with the shape of the concavo-convex surface 110 due to the displacement of the exposure position.
  • the manufacturing method of the comparative example cannot manufacture a multilayer three-dimensional structure having a desired uneven surface 110 when a deviation occurs in the exposure position.
  • the exposure process is executed using the data of the divided patterns 31 to 34 shown in FIG. 18 as exposure data.
  • 30 to 35 are views showing the manufacturing process of the multilayer three-dimensional structure 100B as seen from the AA cross section of FIG.
  • steps S3 to S6 are executed for the first resist layer 51B on the substrate 50.
  • a portion corresponding to the exposure region 90 of the divided pattern 31 in the resist layer 51B is exposed to become a development insoluble region 92.
  • the portion corresponding to the non-exposed area 91 of the divided pattern 31 in the resist layer 51B is not exposed and is maintained as the development soluble area 93.
  • the resist layer 51B is heated, and the solvent in the resist layer 51B evaporates.
  • FIG. 30 is a diagram showing a manufacturing process of the multilayer three-dimensional structure 100B at this point.
  • Step S7 When Steps S3 to S6 are executed for the resist layer 51B, it is determined whether or not there is a resist layer that has not yet been formed (Step S7). Here, since the resist layers 52B to 54B exist as resist layers not yet formed, the process branches to Yes in step S7.
  • Steps S3 to S6 are similarly performed for the second to fourth resist layers 52B to 54B on the base material 50.
  • the exposure process is executed with a deviation of the overlay accuracy in the ⁇ X direction from the reference exposure position.
  • FIG. 31 is a diagram showing a manufacturing process of the multilayer three-dimensional structure 100B at the time when Steps S3 to S6 are performed on the resist layer 52B.
  • FIG. 32 is a diagram showing a manufacturing process of the multilayer three-dimensional structure 100B at the time when Steps S3 to S6 are performed on the resist layer 53B.
  • FIG. 33 is a diagram showing a manufacturing process of the multilayer three-dimensional structure 100B when Steps S3 to S6 are performed on the resist layer 54B.
  • steps S3 to S6 are executed for each layer in the order from the ⁇ Z side to the + Z side, whereby the resist laminate 57B is generated (FIG. 33). Then, it is determined whether or not there is a resist layer that has not yet been formed (step S7). Here, since all the resist layers 51B to 54B are formed, the process branches to No in step S7.
  • the developing device removes the resist in the development soluble region 93 of the resist laminate 57B with a developer to obtain the multilayer three-dimensional structure 100B (step S8: development step).
  • the heating device heats the multilayer three-dimensional structure 100B to evaporate the solvent in the multilayer three-dimensional structure 100B and the developer attached to the multilayer three-dimensional structure 100B (step S9: hard baking process).
  • FIG. 34 is a diagram showing a manufacturing process of the multilayer three-dimensional structure 100B at this point.
  • the position of the concavo-convex surface 110B of the multilayer structure 100B manufactured in this way deviates from the ideal position (position of the concavo-convex surface 110) as the exposure position of the uppermost fourth layer is displaced. Formed. However, as can be seen from FIGS. 23 and 34, the shape of the uneven surface 110B of the multilayer three-dimensional structure 100B matches the ideal shape of the uneven surface 110.
  • the exposure area 90 of the exposure data does not include other areas other than the convex surface area 90a, the concave surface area 90b, and the concave surface surrounding area 90c. Even in such a case, it is possible to suppress unintended steps.
  • the exposure region 90 includes the other region, the fourth resist layer 54A is exposed to be shifted in the ⁇ X direction with respect to the third resist layer 53A. 2 An unintended step is formed in the recess 112A (FIGS. 27 to 29).
  • the number of exposure areas is suppressed because the exposure area 90 includes only the convex area 90a, the concave area 90b, and the concave surrounding area 90c.
  • the surface processing apparatus processes the surface on the + Z side of the multilayer three-dimensional structure 100B and covers the surface with the protective film 55B (step S10: surface processing step).
  • a film such as a plating film or a diamond-like carbon film is formed as the protective film 55B.
  • FIG. 35 is a diagram showing a multilayer three-dimensional structure 100B manufactured by steps S1 to S10.
  • the aspect of manufacturing the multilayered three-dimensional structure 100 (FIG. 2) having a simple shape has been described.
  • various types of multilayered three-dimensional structures can be manufactured according to the present invention.
  • the layer thickness of each resist layer does not need to be constant.
  • the width W40 of the concave surrounding area 90c is twice the overlay accuracy
  • the present invention is not limited to this.
  • the width of the concave peripheral region is at least twice the overlay accuracy.
  • setting a wide exposure area causes an unintended step in the multilayer structure to be manufactured, and therefore the width of the concave peripheral area may be three times or less of the overlay accuracy. desirable.
  • the multilayer structure 100 to be manufactured is formed of four resist layers.
  • the manufactured multilayer three-dimensional structure 100 may be composed of three or less resist layers, or may be composed of five or more resist layers.
  • the present invention is particularly effective when the number of layers is large, such as in the case of four or more layers, from the viewpoint of obtaining a multilayer three-dimensional structure having a desired concavo-convex surface even when the exposure position is shifted in each resist layer. It is.
  • the mode in which a plurality of exposure data is generated by performing the first process to the third process has been described.
  • the present invention is not limited to this. Even in a mode in which a plurality of exposure data is generated by another processing order, if the exposure area set in the exposure data includes a convex surface area, a concave surface area, and a concave peripheral area, the same effect as in the above embodiment is obtained. can get.
  • the post-baking step (step S6) has an effect of promoting the crosslinking reaction of the heated resist layer and improving the adhesion between the resist layer and its upper and lower layers.
  • the post-baking step (step S6) may be omitted.
  • the exposure data generation method, the manufacturing method, the exposure data generation device, the exposure data generation program, and the manufacturing system have been described.
  • the present invention can be freely combined with each embodiment, modified with any component in each embodiment, or omitted with any component in each embodiment.
  • Exposure Data Generation Device 11-14 21-24, 31-34 Divided Pattern 50 Base Material 51-54, 51A-54A, 51B-54B Resist Layer 55, 55A, 55B Protective Film 57, 57A, 57B Resist Layer 90 Exposure region 90a Convex region 90b Concave surface region 90c Concave surface region 91 Non-exposed region 92 Development insoluble region 93 Development soluble region 100, 100A, 100B Multi-layer structure 110, 110A, 110B Concave surface 111, 111A First recess 112, 112A First 2 recesses 113, 113A 3rd recess S1-S10 steps

Landscapes

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Abstract

　多層立体構造の製造に関して、凹凸面における各凹部の深さを個別に調整可能であり、かつ、露光位置の位置ズレに起因した凹凸面の形状変化を抑制可能な技術を提供する。本発明では、レジスト層の形成と当該レジスト層に対する選択的な露光とを各層で繰り返し行って生成されるレジスト積層体を現像することにより多層立体構造を製造する。このため、各レジスト層についての各露光パターンに応じて、凹凸面における各凹部の深さを個別に調整可能である。また、本発明では、露光データの露光領域が、凸面領域、凹面領域、および、凹面周囲領域からなる。このため、ある２つのレジスト層に関して両層がずれて露光された場合であっても、多層立体構造の凹凸面に意図しない段差が生じることが抑制される。

Description

露光データ生成方法、製造方法、露光データ生成装置、露光データ生成プログラム、および、製造システム
　本発明は、露光データに沿って露光することにより多層立体構造を製造する技術に関する。
　従来より、積層されるレジストを選択的に露光した後、現像によってレジスト積層体のうち現像可溶領域を除去して、一方側に凹凸面を有する多層立体構造を製造する技術が知られている。
　一方側に凹凸面を有する多層立体構造の製造方法としては、例えば、レジスト積層体の一方側の主面に耐エッチング液用のレジスト被膜を部分的に形成した後、被膜のない箇所についてウェットエッチングを行う技術が知られている。しかしながら、このようにウェットエッチングによって凹凸面を形成する場合、凹凸面における各凹部の深さを個別に調整することが困難である。
　特許文献１に記載の技術では、レジストの成分が異なる複数のレジスト層を積層した後、波長の異なる複数の露光用光をレジスト積層体に照射してレジスト積層体を選択的に露光する。その後、現像によってレジスト積層体のうち現像可溶領域を除去して、多層立体構造を製造する。この技術では、凹凸面における各凹部の深さを個別に調整した多層立体構造を製造可能である。
特開２０１２－２０８３５０号公報
　しかしながら、特許文献１のようにレジストの成分が各層において異なる場合、それぞれ異なる成分のレジストを塗布する複数の塗布装置を設ける必要がある。また、特許文献１のように各レジスト層に対して波長の異なる複数の露光用光を照射する場合、それぞれ異なる波長の露光用光を照射する複数の露光装置を設ける必要がある。したがって、多層立体構造を製造する製造処理の容易性や製造コストの観点から望ましくない。
　また、レジスト層に対する露光位置に全く位置ズレが生じないことは稀であり、通常は多少の位置ズレが生じる。この場合、特許文献１に記載の技術では、各レジスト層を露光する際の位置ズレに起因して、所望の形状とは異なる形状の凹凸面を有する多層立体構造が製造されることになる。したがって、各レジスト層を露光する際にこのような位置ズレが生じた場合であっても、所望の凹凸面を有する多層立体構造を製造可能な技術が求められている。
　本発明は上記課題に鑑みなされたものであり、多層立体構造の製造に関して、凹凸面における各凹部の深さを個別に調整可能であり、かつ、露光位置の位置ズレに起因した凹凸面の形状変化を抑制可能な技術を提供することを目的としている。
　本発明の第１の態様にかかる露光データ生成方法は、レジスト層の形成と当該レジスト層に対する露光とを各層で繰り返し行って生成されるレジスト積層体を現像して多層立体構造を製造することに先立って、複数の露光データを生成する露光データ生成方法であって、一方側に凹凸面を有する前記多層立体構造を表現した設計データを基に、前記多層立体構造を深さ方向で前記各層に分割した場合の各パターンを表現した複数の分割パターンを生成する分割パターン生成工程と、前記複数の分割パターンに対して、前記一方側に凸面を含む凸面領域、前記一方側に凹面を含む凹面領域、および、前記凹面領域の周囲に位置する凹面周囲領域を、露光領域として設定して、複数の露光データを生成するデータ生成工程と、を備えることを特徴とする。
　本発明の第２の態様にかかる露光データ生成方法は、本発明の第１の態様にかかる露光データ生成方法であって、前記データ生成工程は、前記複数の分割パターンに対して、前記多層立体構造の存在領域を露光領域として設定し前記多層立体構造の非存在領域を非露光領域として設定する第１処理と、前記第１処理後の各露光領域のうち前記一方側の層にも露光領域が設定される領域を非露光領域に変更することにより、前記凸面領域および前記凹面領域を露光領域として設定する第２処理と、前記第２処理後の各非露光領域のうち前記凹面領域の周囲に位置する前記凹面周囲領域を露光領域に変更することにより、前記凸面領域、前記凹面領域、および、前記凹面周囲領域を露光領域として設定して、前記複数の露光データを生成する第３処理と、を実行する工程であることを特徴とする。
　本発明の第３の態様にかかる露光データ生成方法は、本発明の第１の態様または第２の態様にかかる露光データ生成方法であって、露光装置がレジスト層に対して露光をする際の露光位置が基準露光位置からズレる場合におけるズレの上限値が、重ね合わせ精度として予め知得されており、前記凹面周囲領域の幅は前記重ね合わせ精度の２倍ないし３倍の長さであることを特徴とする。
　本発明の第４の態様にかかる露光データ生成方法は、本発明の第１の態様ないし第３の態様のいずれかにかかる露光データ生成方法であって、前記凹凸面は複数の凹部を有しており、前記複数の凹部のうち相対的に幅の広い凹部は相対的に浅く前記複数の凹部のうち相対的に幅の狭い凹部は相対的に深いことを特徴とする。
　本発明の第５の態様にかかる製造方法は、レジスト層の形成と当該レジスト層に対する露光とを各層で繰り返し行って生成されるレジスト積層体を現像して、一方側に凹凸面を有する多層立体構造を製造する製造方法であって、他方側から前記一方側の順で各層に対して繰り返し実行される工程として、レジストを塗布してレジスト層を形成する塗布工程と、前記レジスト層を加熱するプリベーク工程と、本発明の第１の態様ないし第４の態様のいずれかにかかる露光データ生成方法により生成される前記複数の露光データのうちその層に対応する露光データに基づいて、前記レジスト層を露光する露光工程と、を有し、前記各層に対して前記塗布工程、前記プリベーク工程、および、前記露光工程が実行されて生成されるレジスト積層体に対して実行される工程として、前記露光工程で露光されなかった箇所のレジストを現像液により除去して、前記多層立体構造を得る現像工程と、前記多層立体構造を加熱するハードベーク工程と、を有することを特徴とする。
　本発明の第６の態様にかかる製造方法は、本発明の第５の態様にかかる製造方法であって、前記他方側から前記一方側の順で各層に対して繰り返し実行される工程として、前記塗布工程、前記プリベーク工程、および、前記露光工程、に加え、露光された前記レジスト層を加熱するポストベーク工程、を有し、前記各層に対して前記塗布工程、前記プリベーク工程、前記露光工程、および、前記ポストベーク工程が実行されて生成されるレジスト積層体に対して実行される工程として、前記現像工程および前記ハードベーク工程を有することを特徴とする。
　本発明の第７の態様にかかる製造方法は、本発明の第５の態様または第６の態様にかかる製造方法であって、前記ハードベーク工程の後に行われる工程として、前記多層立体構造の前記一方側の表面を加工する表面加工工程を有することを特徴とする。
　本発明の第８の態様にかかる製造方法は、本発明の第５の態様ないし第７の態様のいずれかにかかる製造方法であって、前記塗布工程において塗布されるレジストの成分は前記各層において同一であることを特徴とする。
　本発明の第９の態様にかかる製造方法は、本発明の第５の態様ないし第８の態様のいずれかにかかる製造方法であって、前記露光工程は、前記レジスト層に対して露光用光を走査しつつ照射することによって局所的な露光を連続的に行う直接描画工程であることを特徴とする。
　本発明の第１０の態様にかかる露光データ生成装置は、レジスト層の形成と当該レジスト層に対する露光とを各層で繰り返し行って生成されるレジスト積層体を現像して多層立体構造を製造することに先立って、複数の露光データを生成する露光データ生成装置であって、一方側に凹凸面を有する前記多層立体構造を表現した設計データを基に、前記多層立体構造を深さ方向で前記各層に分割した場合の各パターンを表現した複数の分割パターンを生成する分割パターン生成手段と、前記複数の分割パターンに対して、前記一方側に凸面を含む凸面領域、前記一方側に凹面を含む凹面領域、および、前記凹面領域の周囲に位置する凹面周囲領域を、露光領域として設定して、複数の露光データを生成するデータ生成手段と、を備えることを特徴とする。
　本発明の第１１の態様にかかる露光データ生成装置は、本発明の第１０の態様にかかる露光データ生成装置であって、前記データ生成手段は、前記複数の分割パターンに対して、前記多層立体構造の存在領域を露光領域として設定し前記多層立体構造の非存在領域を非露光領域として設定する第１処理と、前記第１処理後の各露光領域のうち前記一方側の層にも露光領域が設定される領域を非露光領域に変更することにより、前記凸面領域および前記凹面領域を露光領域として設定する第２処理と、第２処理後の各非露光領域のうち前記凹面領域の周囲に位置する前記凹面周囲領域を露光領域に変更することにより、前記凸面領域、前記凹面領域、および、前記凹面周囲領域を露光領域として設定して、前記複数の露光データを生成する第３処理と、を有することを特徴とする。
　本発明の第１２の態様にかかる露光データ生成装置は、本発明の第１０の態様または第１１の態様にかかる露光データ生成装置であって、露光装置がレジスト層に対して露光をする際の露光位置が基準露光位置からズレる場合におけるズレの上限値が、重ね合わせ精度として予め知得されており、前記凹面周囲領域の幅は前記重ね合わせ精度の２倍ないし３倍の長さであることを特徴とする。
　本発明の第１３の態様にかかる露光データ生成装置は、本発明の第１０の態様ないし第１２の態様のいずれかにかかる露光データ生成装置であって、前記凹凸面は複数の凹部を有しており、前記複数の凹部のうち相対的に幅の広い凹部は相対的に浅く前記複数の凹部のうち相対的に幅の狭い凹部は相対的に深いことを特徴とする。
　本発明の第１４の態様にかかる露光データ生成プログラムは、コンピュータにインストールされてＣＰＵによってメモリにおいて実行されることにより、前記コンピュータを本発明の第１０の態様ないし第１３の態様のいずれかにかかる露光データ生成装置として機能させることを特徴とする。
　本発明の第１５の態様にかかる製造システムは、レジスト層の形成と当該レジスト層に対する露光とを各層で繰り返し行って生成されるレジスト積層体を現像して、一方側に凹凸面を有する多層立体構造を製造する製造システムであって、本発明の第１０の態様ないし第１３の態様のいずれかにかかる露光データ生成装置と、レジストを塗布してレジスト層を形成する塗布装置と、前記レジスト層を加熱する加熱装置と、前記レジスト層を露光する露光装置と、前記露光装置で露光されなかった箇所のレジストを現像液により除去する現像装置と、を備えることを特徴とする。
　本発明の第１６の態様にかかる製造システムは、本発明の第１５の態様にかかる製造システムであって、前記多層立体構造の前記一方側の表面を加工する表面加工装置を有することを特徴とする。
　本発明の第１７の態様にかかる製造システムは、本発明の第１５の態様または第１６の態様にかかる製造システムであって、前記塗布装置が塗布するレジストの成分は前記各層において同一であることを特徴とする。
　本発明の第１８の態様にかかる製造システムは、本発明の第１５の態様ないし第１７の態様のいずれかにかかる製造システムであって、前記露光装置は、前記レジスト層に対して露光用光を走査しつつ照射することによって局所的な露光を連続的に行う直接描画装置であることを特徴とする。
　本発明では、レジスト層の形成と当該レジスト層に対する選択的な露光とを各層で繰り返し行って生成されるレジスト積層体を現像することにより多層立体構造を製造する。このため、各レジスト層についての各露光パターンに応じて、凹凸面における各凹部の深さを個別に調整可能である。
　また、本発明では、露光データの露光領域が、凸面領域、凹面領域、および、凹面周囲領域からなる。このため、ある２つのレジスト層に関して両層がずれて露光された場合であっても、多層立体構造の凹凸面に意図しない段差が生じることが抑制される。
露光データ生成処理および製造処理の流れを示すフロー図である。 図１のフローにより製造される多層立体構造の一例を示す斜視図である。 露光データ生成装置の電気的構成を示したブロック図である。 第１処理後の分割パターンを示す図である。 第１処理後の分割パターンを示す図である。 第１処理後の分割パターンを示す図である。 第１処理後の分割パターンを示す図である。 第１処理後の各分割パターンを図２のＡ－Ａ断面から見た図である。 第２処理後の分割パターンを示す図である。 第２処理後の分割パターンを示す図である。 第２処理後の分割パターンを示す図である。 第２処理後の分割パターンを示す図である。 第２処理後の各分割パターンを図２のＡ－Ａ断面から見た図である。 第３処理後の分割パターンを示す図である。 第３処理後の分割パターンを示す図である。 第３処理後の分割パターンを示す図である。 第３処理後の分割パターンを示す図である。 第３処理後の各分割パターンを図２のＡ－Ａ断面から見た図である。 多層立体構造の製造過程を図２のＡ－Ａ断面から見た図である。 多層立体構造の製造過程を図２のＡ－Ａ断面から見た図である。 多層立体構造の製造過程を図２のＡ－Ａ断面から見た図である。 多層立体構造の製造過程を図２のＡ－Ａ断面から見た図である。 多層立体構造の製造過程を図２のＡ－Ａ断面から見た図である。 多層立体構造の製造過程を図２のＡ－Ａ断面から見た図である。 露光位置にズレが生じた場合において、比較例にかかる多層立体構造の製造過程を図２のＡ－Ａ断面から見た図である。 露光位置にズレが生じた場合において、比較例にかかる多層立体構造の製造過程を図２のＡ－Ａ断面から見た図である。 露光位置にズレが生じた場合において、比較例にかかる多層立体構造の製造過程を図２のＡ－Ａ断面から見た図である。 露光位置にズレが生じた場合において、比較例にかかる多層立体構造の製造過程を図２のＡ－Ａ断面から見た図である。 露光位置にズレが生じた場合において、比較例にかかる多層立体構造の製造過程を図２のＡ－Ａ断面から見た図である。 露光位置にズレが生じた場合において、本実施形態にかかる多層立体構造の製造過程を図２のＡ－Ａ断面から見た図である。 露光位置にズレが生じた場合において、本実施形態にかかる多層立体構造の製造過程を図２のＡ－Ａ断面から見た図である。 露光位置にズレが生じた場合において、本実施形態にかかる多層立体構造の製造過程を図２のＡ－Ａ断面から見た図である。 露光位置にズレが生じた場合において、本実施形態にかかる多層立体構造の製造過程を図２のＡ－Ａ断面から見た図である。 露光位置にズレが生じた場合において、本実施形態にかかる多層立体構造の製造過程を図２のＡ－Ａ断面から見た図である。 露光位置にズレが生じた場合において、本実施形態にかかる多層立体構造の製造過程を図２のＡ－Ａ断面から見た図である。
　以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。図面では同様な構成および機能を有する部分に同じ符号が付され、重複説明が省略される。また、各図面は模式的に示されたものである。なお、一部の図面には、方向関係を明確にする目的で、Ｚ軸を鉛直方向の軸としＸＹ平面を水平面とするＸＹＺ直交座標軸が適宜付されている。以下の説明で、単に上下と表現する場合、上とは＋Ｚ側を意味し、下とは－Ｚ側を意味する。
　＜１　実施形態＞
　＜１．１　多層立体構造１００の構成例＞
　図１は、複数の露光データを生成する露光データ生成処理および多層立体構造１００を製造する製造処理の流れを示すフロー図である。図１中のステップＳ１、Ｓ２は露光データ生成処理の各工程を示し、図１中のステップＳ３～Ｓ１０は製造処理の各工程を示す。
　図２は、図１のフローにより製造される多層立体構造１００の一例を示す斜視図である。図２に示すように、本実施形態の多層立体構造１００は、基材５０の＋Ｚ側の主面に４層のレジスト層５１～５４を積層した構造であり、その＋Ｚ側に凹凸面１１０を有する。凹凸面１１０には、ＸＹ平面視においてＹ方向を長辺とする矩形状の第１凹部１１１と、ＸＹ平面視においてＹ方向を長辺とするＬ字状の第２凹部１１２と、ＸＹ平面視において円状の第３凹部１１３と、がＸ方向に沿って配列される。
　以下では、各層を順序付けて呼ぶ場合に、－Ｚ側の層から＋Ｚ側の層に向けて順に１層目～４層目と呼ぶ。また、以下では、凹凸面１１０のうちの最も上側の面（４層目の上面）を凸面１１０ａと呼び、凹凸面１１０のうちの凸面１１０ａより窪んだ部分を凹面１１０ｂと呼ぶ。また、第１凹部１１１は３層分の深さを有する凹部である。すなわち、第１凹部１１１の凹面１１０ｂは１層目と２層目との境界に位置する。また、第２凹部１１２は、２層分の深さを有する凹部である。すなわち、第２凹部１１２の凹面１１０ｂは２層目と３層目との境界に位置する。また、第３凹部１１３は、１層分の深さを有する凹部である。すなわち、第３凹部１１３の凹面１１０ｂは３層目と４層目との境界に位置する。
　＜１．２　露光データ生成処理＞
　以下では、多層立体構造１００の製造処理に先立って行われる露光データ生成処理について説明する。
　図３は、露光データ生成処理を実行する露光データ生成装置７の電気的構成を示したブロック図である。図３に示されるように、露光データ生成装置７は、例えば、ＣＰＵ７１、ＲＯＭ７２、ＲＡＭ７３、記憶装置７４等が、バスライン７５を介して相互接続された一般的なコンピュータによって構成される。ＲＯＭ７２はオペレーティングシステム等を格納しており、ＲＡＭ７３はＣＰＵ７１が所定の処理を行う際の作業領域として供される。記憶装置７４は、フラッシュメモリ、あるいは、ハードディスク装置等の不揮発性の記憶装置によって構成される。
　また、露光データ生成装置７では、入力部７６、表示部７７、通信部７８、および、読取部７９もバスライン７５に接続されている。入力部７６は、各種スイッチ、タッチパネル等により構成されており、オペレータからの各種入力を受ける。表示部７７は、液晶表示装置、ランプ等により構成されており、ＣＰＵ７１による制御のもと各種の情報を表示する。通信部７８は、有線または無線を介したデータ通信機能を有する。読取部７９は、挿入されたコンピュータによって読み取り可能な記録媒体、例えばＣＤ、ＤＶＤ、あるいはＵＳＢメモリ、に記録されたデータを読み取る。
　プログラムＰ（露光データ生成プログラム）が露光データ生成装置７にインストールされてＣＰＵ７１によりＲＡＭ７３（メモリ）において実行されることによって、露光データ生成装置７の機能部である分割パターン生成手段がステップＳ１を実行し、露光データ生成装置７の機能部であるデータ生成手段がステップＳ２を実行する。これにより、露光データ生成処理が実行される。
　プログラムＰは、無線により露光データ生成装置７に読み込まれてもよい。また、コンピュータによって読み取り可能にプログラムＰを記録する記録媒体ＲＭが読取部７９に読み取られて、プログラムＰが露光データ生成装置７に読み込まれてもよい。
　露光データ生成処理では、まず、多層立体構造１００を表現した設計データを基に、多層立体構造１００を深さ方向で各層に分割した場合の各パターンを表現した複数の分割パターンが生成される（ステップＳ１：分割パターン生成工程）。ここでは、多層立体構造１００が４層からなる立体構造であるので、ステップＳ１で４つの分割パターンが生成される。
　露光データ生成処理では、次に、４つの分割パターンに対して第１処理ないし第３処理が行われて、４つの露光データが生成される（ステップＳ２：データ生成工程）。
　データ生成工程では、まず、第１処理が行われる。具体的には、分割パターン生成工程で得られた４つの分割パターンに対して、多層立体構造１００の存在領域が露光領域９０として設定され、多層立体構造１００の非存在領域が非露光領域９１として設定される。図４～図７は、第１処理後の４つの分割パターン１１～１４を１層目～４層目の順に示す図である。
　図２に示すように、多層立体構造１００の１層目には、第１凹部１１１～第３凹部１１３が形成されていない。言い換えると、１層目の全ての領域が、多層立体構造１００の存在領域となる。このため、分割パターン１１においては、１層目の全ての領域が露光領域９０として設定される。
　また、図２に示すように、多層立体構造１００の２層目には、第１凹部１１１が形成され、第２凹部１１２および第３凹部１１３は形成されていない。言い換えると、２層目の全領域のうち第１凹部１１１が形成された領域は多層立体構造１００の非存在領域となり、２層目の全領域のうち残りの領域は多層立体構造１００の存在領域となる。このため、分割パターン１２においては、２層目の全領域のうち上記非存在領域が非露光領域９１として設定され、２層目の全領域のうち上記存在領域が露光領域９０として設定される。
　また、図２に示すように、多層立体構造１００の３層目には、第１凹部１１１および第２凹部１１２が形成され、第３凹部１１３は形成されていない。言い換えると、３層目の全領域のうち第１凹部１１１および第２凹部１１２が形成された領域は多層立体構造１００の非存在領域となり、３層目の全領域のうち残りの領域は多層立体構造１００の存在領域となる。このため、分割パターン１３においては、３層目の全領域のうち上記非存在領域が非露光領域９１として設定され、３層目の全領域のうち上記存在領域が露光領域９０として設定される。
　また、図２に示すように、多層立体構造１００の４層目には、第１凹部１１１～第３凹部１１３が形成されている。言い換えると、４層目の全領域のうち第１凹部１１１～第３凹部１１３が形成された領域は多層立体構造１００の非存在領域となり、４層目の全領域のうち残りの領域は多層立体構造１００の存在領域となる。このため、分割パターン１４においては、４層目の全領域のうち上記非存在領域が非露光領域９１として設定され、４層目の全領域のうちの上記存在領域が露光領域９０として設定される。図８は、この第１処理後の時点における分割パターン１１～１４を図２のＡ－Ａ断面から見た図である。
　データ生成工程では、次に、第２処理が行われる。具体的には、第１処理後の各露光領域９０のうちその上層（＋Ｚ側の層）にも露光領域９０が設定される領域が、非露光領域９１に変更される。図９～図１２は、第２処理後の４つの分割パターン２１～２４を１層目～４層目の順に示す図である。以下では、各分割パターンにおいて＋Ｚ側に凸面１１０ａを含む領域を凸面領域９０ａと呼び、＋Ｚ側に凹面１１０ｂを含む領域を凹面領域９０ｂと呼ぶ。
　１層目に対する第２処理により、分割パターン１１の露光領域９０のうち分割パターン１２～１４にも露光領域９０が設定される領域は非露光領域９１に変更されて、分割パターン１１は分割パターン２１へと変更される。図２および図９から分かるように、分割パターン２１における露光領域９０は、＋Ｚ側に第１凹部１１１の凹面１１０ｂを含む凹面領域９０ｂである。
　また、２層目に対する第２処理により、分割パターン１２の露光領域９０のうち分割パターン１３、１４にも露光領域９０が設定される領域は非露光領域９１に変更されて、分割パターン１２は分割パターン２２へと変更される。図２および図１０から分かるように、分割パターン２２における露光領域９０は、＋Ｚ側に第２凹部１１２の凹面１１０ｂを含む凹面領域９０ｂである。
　また、３層目に対する第２処理により、分割パターン１３の露光領域９０のうち分割パターン１４にも露光領域９０が設定される領域は非露光領域９１に変更されて、分割パターン１３は分割パターン２３へと変更される。図２および図１１から分かるように、分割パターン２３における露光領域９０は、＋Ｚ側に第３凹部１１３の凹面１１０ｂを含む凹面領域９０ｂである。
　また、４層目は多層立体構造１００において最も上の層であるので、４層目に対して第２処理が行われても露光領域９０および非露光領域９１に変更はない。したがって、分割パターン２４は分割パターン１４と同様のパターンとなる。図２および図１２から分かるように、分割パターン２４における露光領域９０は、＋Ｚ側に凸面１１０ａを含む凸面領域９０ａである。
　以上説明したように、第２処理後の分割パターン２１～２４では、凸面領域９０ａおよび凹面領域９０ｂが露光領域９０として設定される。図１３は、この第２処理後の時点における分割パターン２１～２４を図２のＡ－Ａ断面から見た図である。
　データ生成工程では、次に、第３処理が行われる。具体的には、第２処理後の各非露光領域９１のうち凹面領域９０ｂの周囲に位置する領域が露光領域９０に変更される。図１４～図１７は、第３処理後の４つの分割パターン３１～３４を１層目～４層目の順に示す図である。以下では、各分割パターンにおいて凹面１１０ｂの周囲に位置する領域を凹面周囲領域９０ｃと呼ぶ。
　１層目に対する第３処理により、分割パターン２１の非露光領域９１のうち凹面領域９０ｂの周囲に位置する凹面周囲領域９０ｃが露光領域９０に変更されて、分割パターン２１は分割パターン３１へと変更される。図１４から分かるように、凹面周囲領域９０ｃはＹ方向を長辺とする矩形環状の領域である。
　また、２層目に対する第３処理により、分割パターン２２の非露光領域９１のうち凹面領域９０ｂの周囲に位置する凹面周囲領域９０ｃが露光領域９０に変更されて、分割パターン２２は分割パターン３２へと変更される。図１５から分かるように、凹面周囲領域９０ｃはＹ方向を長辺とするＬ字環状の領域である。
　また、３層目に対する第３処理により、分割パターン２３の非露光領域９１のうち凹面領域９０ｂの周囲に位置する凹面周囲領域９０ｃが露光領域９０に変更されて、分割パターン２３は分割パターン３３へと変更される。図１６から分かるように、凹面周囲領域９０ｃは円環状の領域である。
　また、４層目の分割パターン２４は凹面領域９０ｂを有さないので、４層目に対して第３処理が行われても露光領域９０および非露光領域９１に変更はない。したがって、分割パターン３４は分割パターン１４、２４と同様のパターンとなる。
　以上説明したように、第３処理後の分割パターン３１～３４では、凸面領域９０ａ、凹面領域９０ｂ、および、凹面周囲領域９０ｃが露光領域９０として設定される。図１８は、この第３処理後の時点における分割パターン３１～３４を図２のＡ－Ａ断面から見た図である。
　こうして第１処理～第３処理で生成された４つの分割パターン３１～３４のデータが、多層立体構造１００の製造処理の際に露光装置に与えられる４つの露光データとなる。
　本実施形態では、露光装置の重ね合わせ精度が第３処理よりも前に予め知得され、凹面周囲領域９０ｃの幅Ｗ４０が重ね合わせ精度の２倍の長さに設定される。ここで、重ね合わせ精度とは、レジスト層に対して露光をする際の露光位置が基準露光位置からずれる場合におけるズレの上限値であり、特開２００９－２２４５２３号公報におけるオーバーレイ精度や特開２０１４－１０３３４３号公報における重ね合わせ精度と同様の概念である。このように、凹面周囲領域９０ｃの幅Ｗ４０が設定されることの効果については、後述する＜１．４　露光工程における位置ズレ＞で詳細に説明する。
　＜１．３　多層立体構造１００の製造処理＞
　多層立体構造１００を製造する製造システムは、レジスト層の形成と当該レジスト層に対する露光とを各層で繰り返し行って生成されるレジスト積層体を現像して、＋Ｚ側に凹凸面１１０を有する多層立体構造１００を製造するシステムである。
　この製造システムは、露光データ生成装置７と、レジストを塗布してレジスト層を形成する塗布装置と、レジスト層を加熱する加熱装置と、レジスト層を露光する露光装置と、露光装置で露光されなかった箇所のレジストを現像液により除去する現像装置と、表面加工を行う表面加工装置と、を備える。製造システムは、これら各装置をクラスタ方式で配置することにより構成されてもよいし、これら各装置をインライン方式で配置することにより構成されてもよい。
　図１９～図２４は、多層立体構造１００の製造過程を図２のＡ－Ａ断面から見た図である。以下、図２のＡ－Ａ断面から見た場合における、多層立体構造１００の製造処理について説明する。
　製造処理においては、まず、塗布装置が基材５０の一方側（＋Ｚ側）の主面にネガ型のレジストを塗布し、基材５０上における１層目のレジスト層５１を形成する（ステップＳ３：塗布工程）。なお、このレジストは、露光装置で用いられる露光用光に対して透過性を有する。
　次に、加熱装置が、レジスト層５１を加熱して、レジスト層５１内の溶剤を蒸発させる（ステップＳ４：プリベーク工程）。
　次に、露光装置が、上述した露光データ生成処理により生成される４つの露光データのうち１層目の露光データに基づいて、レジスト層５１を露光する（ステップＳ５：露光工程）。レジスト層５１のうち分割パターン３１の露光領域９０に相当する箇所は、露光されて、現像不溶領域９２となる。また、レジスト層５１のうち分割パターン３１の非露光領域９１に相当する箇所は、露光されず、現像可溶領域９３のまま維持される。露光装置は、例えば、レジスト層に対して露光用光を走査しつつ照射することによって局所的な露光を連続的に行う直接描画装置で構成される。この場合、ステップＳ５では直接描画工程が実行され、各露光データに対応するマスクを準備することが不要となるので望ましい。
　次に、加熱装置がレジスト層５１を加熱して、レジスト層５１の溶剤を蒸発させる（ステップＳ６：ポストベーク工程）。図１９は、この時点における、多層立体構造１００の製造過程を示す図である。
　レジスト層５１についてステップＳ３～Ｓ６が実行されると、未だ形成されていないレジスト層が存在するか否かについて判定される（ステップＳ７）。ここでは、未だ形成されていないレジスト層としてレジスト層５２～５４が存在するため、ステップＳ７でＹｅｓに分岐する。
　次に、基材５０上における２層目のレジスト層５２について、ステップＳ３～Ｓ６が実行される。その結果、レジスト層５２のうち分割パターン３２の露光領域９０に相当する箇所は、露光されて、現像不溶領域９２となる。上記の通り、本実施形態で用いられるレジストは露光用光に対して透過性を有する。このため、レジスト層５２の下層であるレジスト層５１についても、分割パターン３２の露光領域９０に相当する箇所が、露光されて、現像不溶領域９２となる。また、レジスト層５２のうち分割パターン３２の非露光領域９１に相当する箇所は、露光されず、現像可溶領域９３のまま維持される。その後、レジスト層５２が加熱されて、レジスト層５２内の溶剤が蒸発する。図２０は、この時点における、多層立体構造１００の製造過程を示す図である。
　レジスト層５２についてステップＳ３～Ｓ６が実行されると、未だ形成されていないレジスト層が存在するか否かについて判定される（ステップＳ７）。ここでは、未だ形成されていないレジスト層としてレジスト層５３、５４が存在するため、ステップＳ７でＹｅｓに分岐する。
　基材５０上における３層目のレジスト層５３および４層目のレジスト層５４についても、同様にステップＳ３～Ｓ６が実行される。図２１は、レジスト層５３についてステップＳ３～Ｓ６を実行した時点における、多層立体構造１００の製造過程を示す図である。図２２は、レジスト層５４についてステップＳ３～Ｓ６を実行した時点における、多層立体構造１００の製造過程を示す図である。
　このように、－Ｚ側から＋Ｚ側の順で各層に対してステップＳ３～Ｓ６が実行されることにより、レジスト積層体５７が生成される。そして、未だ形成されていないレジスト層が存在するか否かについて判定される（ステップＳ７）。ここでは、全てのレジスト層５１～５４が形成されているため、ステップＳ７でＮｏに分岐する。
　現像装置は、レジスト積層体５７のうち現像可溶領域９３のレジストを現像液により除去して、多層立体構造１００を得る（ステップＳ８：現像工程）。この時点で多層立体構造１００は得られるが、製造処理では続けてステップＳ９、Ｓ１０を行うことにより多層立体構造１００の強度を高める。
　次に、加熱装置は、多層立体構造１００を加熱して、多層立体構造１００内の溶剤や多層立体構造１００に付着する現像液を蒸発させる（ステップＳ９：ハードベーク工程）。図２３は、この時点における、多層立体構造１００の製造過程を示す図である。なお、図２では、図示が煩雑になるのを防ぐ目的で、次の表面加工工程が行われる前の時点の多層立体構造１００（すなわち、図２３に対応する多層立体構造１００）が描かれている。
　次に、表面加工装置が、多層立体構造１００の＋Ｚ側の表面を加工し、該表面を保護膜５５で覆う（ステップＳ１０：表面加工工程）。保護膜５５として、例えば、めっき膜、または、ダイヤモンドライクカーボン膜などの膜が成膜される。図２４は、ステップＳ１～Ｓ１０により製造された多層立体構造１００を示す図である。
　以上説明したように、本実施形態の製造方法では、レジスト層の形成と当該レジスト層に対する選択的な露光とを各層で繰り返し行って生成されるレジスト積層体５７を現像することにより多層立体構造１００を製造する。このため、各レジスト層についての各露光パターンに応じて、凹凸面１１０における各凹部の深さを個別に調整可能である。
　多層立体構造１００は、例えば、印刷処理における凹版として利用される。多層立体構造１００が凹版として利用される場合には、複数の凹部のうち相対的に幅の広い凹部は相対的に浅く形成され、前記複数の凹部のうち相対的に幅の狭い凹部は相対的に深く形成されることが望ましい。これにより、各凹部に充填されたインクを転写ロール等に転写する際に、各凹部におけるインク転写割合のばらつきが抑制されるからである。ここで、凹部の幅とは、その凹部を上面から視た平面視において短方向の幅をいう。図２に示すように、本実施形態の多層立体構造１００では、相対的に広い幅Ｗ３０の第３凹部１１３が相対的に浅く形成され、中間の幅Ｗ２０の第２凹部１１２が中間の深さで形成され、相対的に狭い幅Ｗ１０の第１凹部１１１が相対的に深く形成される。このため、上記観点から転写時のばらつきが抑制され、望ましい。
　また、本実施形態の多層立体構造１００のように、１層目のレジスト層５１の全面が現像不溶領域９２であれば、基材５０とレジスト層５１～５４との間の密着性が高まり、望ましい。
　また、本実施形態のように塗布装置が塗布するレジストの成分が各層において同一である態様では、特開２０１２－２０８３５０号公報に記載の技術のようにレジストの成分が各層において異なる態様に比べて、多層立体構造１００の製造処理が容易となり製造コストも抑制される。
　また、本実施形態のように露光装置が同一波長の露光用光をレジスト層に対して照射する態様では、特開２０１２－２０８３５０号公報に記載の技術のように各レジスト層に対してレジストの成分に対応して異なる波長の露光用光を照射する態様に比べて、多層立体構造１００の製造処理が容易となり製造コストも抑制される。
　＜１．４　露光工程における位置ズレ＞
　上述した＜１．３　多層立体構造１００の製造処理＞では、レジスト層に対する位置ズレがない理想的な露光位置（基準露光位置）で露光工程が行われる場合について説明した。しかしながら、露光工程を実行する場合、一般には、ＸＹ面内において重ね合わせ精度の範囲内で露光位置がずれる。
　以下、露光工程における位置ズレが生じた場合を想定し、本実施形態と比較例との製造処理の差異を説明する。ここでは、１層目のレジスト層５１を基準露光位置で露光し、２層目のレジスト層５２を基準露光位置から－Ｘ方向に重ね合わせ精度分ずれて露光し、３層目のレジスト層５３を基準露光位置から＋Ｘ方向に重ね合わせ精度分ずれて露光し、４層目のレジスト層５４を基準露光位置から－Ｘ方向に重ね合わせ精度分ずれて露光する場合を想定する。
　上記想定のもと、比較例の製造処理で多層立体構造１００Ａを製造する場合について説明する。この比較例では、図８に示す分割パターン１１～１４のデータを露光データとして、露光工程を実行する。図２５～図２９は、多層立体構造１００Ａの製造過程を図２のＡ－Ａ断面から見た図である。
　まず、基材５０上における１層目のレジスト層５１Ａについて、ステップＳ３～Ｓ６が実行される。その結果、レジスト層５１Ａのうち分割パターン１１の露光領域９０に相当する箇所が露光されて、現像不溶領域９２となる。その後、レジスト層５１Ａが加熱されて、レジスト層５１Ａ内の溶剤が蒸発する。図２５は、この時点における、多層立体構造１００Ａの製造過程を示す図である。
　レジスト層５１ＡについてステップＳ３～Ｓ６が実行されると、未だ形成されていないレジスト層が存在するか否かについて判定される（ステップＳ７）。ここでは、未だ形成されていないレジスト層としてレジスト層５２Ａ～５４Ａが存在するため、ステップＳ７でＹｅｓに分岐する。
　基材５０上における２層目～４層目のレジスト層５２Ａ～５４Ａについても、同様にステップＳ３～Ｓ６が実行される。なお、各ステップＳ５では、上記の通り、基準露光位置から±Ｘ方向に重ね合わせ精度分ずれて露光工程が実行される。図２６は、レジスト層５２ＡについてステップＳ３～Ｓ６を実行した時点における、多層立体構造１００の製造過程を示す図である。図２７は、レジスト層５３ＡについてステップＳ３～Ｓ６を実行した時点における、多層立体構造１００の製造過程を示す図である。図２８は、レジスト層５４ＡについてステップＳ３～Ｓ６を実行した時点における、多層立体構造１００の製造過程を示す図である。
　このように、－Ｚ側から＋Ｚ側の順で各層に対してステップＳ３～Ｓ６が実行されることにより、レジスト積層体５７Ａが生成される（図２８）。そして、未だ形成されていないレジスト層が存在するか否かについて判定される（ステップＳ７）。ここでは、全てのレジスト層５１Ａ～５４Ａが形成されているため、ステップＳ７でＮｏに分岐する。
　現像装置は、レジスト積層体５７Ａのうち現像可溶領域９３のレジストを現像液により除去して、多層立体構造１００Ａを得る（ステップＳ８：現像工程）。次に、加熱装置は、多層立体構造１００Ａを加熱して、多層立体構造１００Ａ内の溶剤や多層立体構造１００Ａに付着する現像液を蒸発させる（ステップＳ９：ハードベーク工程）。図２９は、この時点における、多層立体構造１００Ａの製造過程を示す図である。
　こうして製造された多層立体構造１００Ａは、凹凸面１１０Ａに第１凹部１１１Ａ～第３凹部１１３Ａを含んで構成される。しかしながら、凹凸面１１０Ａは、位置ズレのない理想的な露光工程を実行した場合の多層立体構造１００における凹凸面１１０の形状とは異なる。これは、露光位置の位置ズレによってレジスト積層体５７Ａにおける現像可溶領域９３の形状が凹凸面１１０の形状と非対応になったことに起因する。このように、比較例の製造方法では、露光位置にずれが生じた場合に所望の凹凸面１１０をもつ多層立体構造を製造することができない。
　次に、上記想定のもと、本実施形態の製造処理で多層立体構造１００Ｂを製造する場合について説明する。以下では、図１８に示す分割パターン３１～３４のデータを露光データとして、露光工程を実行する。図３０～図３５は、多層立体構造１００Ｂの製造過程を図２のＡ－Ａ断面から見た図である。
　まず、基材５０上における１層目のレジスト層５１Ｂについて、ステップＳ３～Ｓ６が実行される。その結果、レジスト層５１Ｂのうち分割パターン３１の露光領域９０に相当する箇所が露光されて、現像不溶領域９２となる。また、レジスト層５１Ｂのうち分割パターン３１の非露光領域９１に相当する箇所は、露光されず、現像可溶領域９３のまま維持される。その後、レジスト層５１Ｂが加熱されて、レジスト層５１Ｂ内の溶剤が蒸発する。図３０は、この時点における、多層立体構造１００Ｂの製造過程を示す図である。
　レジスト層５１ＢについてステップＳ３～Ｓ６が実行されると、未だ形成されていないレジスト層が存在するか否かについて判定される（ステップＳ７）。ここでは、未だ形成されていないレジスト層としてレジスト層５２Ｂ～５４Ｂが存在するため、ステップＳ７でＹｅｓに分岐する。
　基材５０上における２層目～４層目のレジスト層５２Ｂ～５４Ｂについても、同様にステップＳ３～Ｓ６が実行される。なお、各ステップＳ５では、上記の通り、基準露光位置から±Ｘ方向に重ね合わせ精度分ずれて露光工程が実行される。図３１は、レジスト層５２ＢについてステップＳ３～Ｓ６を実行した時点における、多層立体構造１００Ｂの製造過程を示す図である。図３２は、レジスト層５３ＢについてステップＳ３～Ｓ６を実行した時点における、多層立体構造１００Ｂの製造過程を示す図である。図３３は、レジスト層５４ＢについてステップＳ３～Ｓ６を実行した時点における、多層立体構造１００Ｂの製造過程を示す図である。
　このように、－Ｚ側から＋Ｚ側の順で各層に対してステップＳ３～Ｓ６が実行されることにより、レジスト積層体５７Ｂが生成される（図３３）。そして、未だ形成されていないレジスト層が存在するか否かについて判定される（ステップＳ７）。ここでは、全てのレジスト層５１Ｂ～５４Ｂが形成されているため、ステップＳ７でＮｏに分岐する。
　現像装置は、レジスト積層体５７Ｂのうち現像可溶領域９３のレジストを現像液により除去して、多層立体構造１００Ｂを得る（ステップＳ８：現像工程）。次に、加熱装置は、多層立体構造１００Ｂを加熱して、多層立体構造１００Ｂ内の溶剤や多層立体構造１００Ｂに付着する現像液を蒸発させる（ステップＳ９：ハードベーク工程）。図３４は、この時点における、多層立体構造１００Ｂの製造過程を示す図である。
　こうして製造された多層立体構造１００Ｂの凹凸面１１０Ｂの位置は、最も上層である４層目の露光位置が位置ズレしていることに伴って、理想的な位置（凹凸面１１０の位置）からずれて形成される。とはいえ、図２３および図３４から分かるように、多層立体構造１００Ｂの凹凸面１１０Ｂの形状は、理想的な凹凸面１１０の形状と一致する。
　本実施形態では、露光データの露光領域９０が、凸面領域９０ａ、凹面領域９０ｂ、および、凹面周囲領域９０ｃ以外の他の領域を含まないことによって、ある２つのレジスト層に関して両層がずれて露光された場合であっても、意図しない段差が生じることが抑制される。例えば、比較例では、露光領域９０が上記他の領域を含むことによって、３層目のレジスト層５３Ａに対して４層目のレジスト層５４Ａが－Ｘ方向にずれて露光された場合に、第２凹部１１２Ａに意図しない段差が生じている（図２７～図２９）。しかしながら、本実施形態では、露光領域９０が凸面領域９０ａ、凹面領域９０ｂ、および、凹面周囲領域９０ｃのみからなることによって、露光領域の数が抑制される。これにより、下層で形成される現像不溶領域９２と上層で形成される現像不溶領域９２との間で意図しない段差が生じることが抑制される。特に、本実施形態のように凹面周囲領域９０ｃの幅Ｗ４０が重ね合わせ精度の２倍の長さであれば、ある２つのレジスト層に関して両層が反対向きに最大限ずれて露光された場合であっても（すなわち、両層が反対向きに重ね合わせ精度分ずれて露光された場合であっても）、各凹部の形状が変化することが防がれる。このため、本実施形態の製造方法では、露光位置の位置ズレに起因した凹凸面１１０の形状変化が抑制される。
　最後に、表面加工装置が、多層立体構造１００Ｂの＋Ｚ側の表面を加工し、該表面を保護膜５５Ｂで覆う（ステップＳ１０：表面加工工程）。保護膜５５Ｂとして、例えば、めっき膜、または、ダイヤモンドライクカーボン膜などの膜が成膜される。図３５は、ステップＳ１～Ｓ１０により製造された多層立体構造１００Ｂを示す図である。
　＜２　変形例＞
　以上、本発明の実施の形態について説明したが、この発明はその趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。
　上記実施形態では、理解を容易にする目的で、簡易な形状の多層立体構造１００（図２）を製造する態様について説明したが、本発明によって種々の形状の多層立体構造が製造可能である。また、上記実施形態では、各レジスト層の層厚が一定である場合について説明したが、各レジスト層の層厚は一定でなくても構わない。
　また、上記実施形態では、凹面周囲領域９０ｃの幅Ｗ４０が重ね合わせ精度の２倍である場合について説明したが、これに限られるものではない。ただし、上記の通り、上層と下層との両層が反対向きにずれて露光される場合を考慮すると、凹面周囲領域の幅は重ね合わせ精度の２倍以上であることが望ましい。また、上記の通り、露光領域を広く設定することは製造される多層立体構造に意図しない段差を生じさせる原因となることから、凹面周囲領域の幅は重ね合わせ精度の３倍以下であることが望ましい。
　また、上記実施形態では、製造される多層立体構造１００が４層のレジスト層で構成される場合について説明したが、これに限られるものではない。製造される多層立体構造１００は、３層以下のレジスト層で構成されてもよいし、５層以上のレジスト層で構成されてもよい。ただし、各レジスト層で露光位置がずれた場合であっても所望の凹凸面を持つ多層立体構造を得るという観点からいえば、４層以上の場合など層数が多い場合に本発明は特に有効である。
　また、上記実施形態では、第１処理ないし第３処理を行うことによって複数の露光データが生成される態様について説明したが、これに限られるものではない。他の処理順序によって複数の露光データを生成する態様であっても、その露光データにおいて設定される露光領域が凸面領域、凹面領域、および凹面周囲領域からなれば、上記実施形態と同様の効果を得られる。
　また、上記実施形態では、各レジスト層について露光工程（ステップＳ５）の後にポストベーク工程（ステップＳ６）を行う態様について説明した。一般に、ポストベーク工程（ステップＳ６）では、加熱されるレジスト層の架橋反応を促進させ該レジスト層とその上層および下層との密着性を向上させる効果がある。しかしながら、レジスト層の材質や形成されるレジスト層の層厚などの条件によっては、ポストベーク工程（ステップＳ６）を実施せずとも各層間での密着性を十分に確保することができる場合がある。したがって、このような場合、ポストベーク工程（ステップＳ６）は省略されても構わない。
　以上、実施形態およびその変形例に係る露光データ生成方法、製造方法、露光データ生成装置、露光データ生成プログラム、および、製造システムについて説明したが、これらは本発明に好ましい実施形態の例であって、本発明の実施の範囲を限定するものではない。本発明は、その発明の範囲内において、各実施形態の自由な組み合わせ、あるいは各実施形態の任意の構成要素の変形、もしくは各実施形態において任意の構成要素の省略が可能である。
　７　露光データ生成装置
　１１～１４，２１～２４，３１～３４　分割パターン
　５０　基材
　５１～５４，５１Ａ～５４Ａ，５１Ｂ～５４Ｂ　レジスト層
　５５，５５Ａ，５５Ｂ　保護膜
　５７，５７Ａ，５７Ｂ　レジスト積層体
　９０　露光領域
　９０ａ　凸面領域
　９０ｂ　凹面領域
　９０ｃ　凹面周囲領域
　９１　非露光領域
　９２　現像不溶領域
　９３　現像可溶領域
　１００，１００Ａ，１００Ｂ　多層立体構造
　１１０，１１０Ａ，１１０Ｂ　凹凸面
　１１１，１１１Ａ　第１凹部
　１１２，１１２Ａ　第２凹部
　１１３，１１３Ａ　第３凹部
　Ｓ１～Ｓ１０　ステップ

Claims (18)

  1. 　レジスト層の形成と当該レジスト層に対する露光とを各層で繰り返し行って生成されるレジスト積層体を現像して多層立体構造を製造することに先立って、複数の露光データを生成する露光データ生成方法であって、
    　一方側に凹凸面を有する前記多層立体構造を表現した設計データを基に、前記多層立体構造を深さ方向で前記各層に分割した場合の各パターンを表現した複数の分割パターンを生成する分割パターン生成工程と、
    　前記複数の分割パターンに対して、前記一方側に凸面を含む凸面領域、前記一方側に凹面を含む凹面領域、および、前記凹面領域の周囲に位置する凹面周囲領域を、露光領域として設定して、複数の露光データを生成するデータ生成工程と、
    を備えることを特徴とする露光データ生成方法。
  2. 　請求項１に記載の露光データ生成方法であって、
    　前記データ生成工程は、
    　前記複数の分割パターンに対して、前記多層立体構造の存在領域を露光領域として設定し前記多層立体構造の非存在領域を非露光領域として設定する第１処理と、
    　前記第１処理後の各露光領域のうち前記一方側の層にも露光領域が設定される領域を非露光領域に変更することにより、前記凸面領域および前記凹面領域を露光領域として設定する第２処理と、
    　前記第２処理後の各非露光領域のうち前記凹面領域の周囲に位置する前記凹面周囲領域を露光領域に変更することにより、前記凸面領域、前記凹面領域、および、前記凹面周囲領域を露光領域として設定して、前記複数の露光データを生成する第３処理と、
    を実行する工程であることを特徴とする露光データ生成方法。
  3. 　請求項１または請求項２に記載の露光データ生成方法であって、
    　露光装置がレジスト層に対して露光をする際の露光位置が基準露光位置からズレる場合におけるズレの上限値が、重ね合わせ精度として予め知得されており、
    　前記凹面周囲領域の幅は前記重ね合わせ精度の２倍ないし３倍の長さであることを特徴とする露光データ生成方法。
  4. 　請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の露光データ生成方法であって、
    　前記凹凸面は複数の凹部を有しており、前記複数の凹部のうち相対的に幅の広い凹部は相対的に浅く前記複数の凹部のうち相対的に幅の狭い凹部は相対的に深いことを特徴とする露光データ生成方法。
  5. 　レジスト層の形成と当該レジスト層に対する露光とを各層で繰り返し行って生成されるレジスト積層体を現像して、一方側に凹凸面を有する多層立体構造を製造する製造方法であって、
    　他方側から前記一方側の順で各層に対して繰り返し実行される工程として、
    　レジストを塗布してレジスト層を形成する塗布工程と、
    　前記レジスト層を加熱するプリベーク工程と、
    　請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の露光データ生成方法により生成される前記複数の露光データのうちその層に対応する露光データに基づいて、前記レジスト層を露光する露光工程と、
    を有し、
    　前記各層に対して前記塗布工程、前記プリベーク工程、および、前記露光工程が実行されて生成されるレジスト積層体に対して実行される工程として、
    　前記露光工程で露光されなかった箇所のレジストを現像液により除去して、前記多層立体構造を得る現像工程と、
    　前記多層立体構造を加熱するハードベーク工程と、
    を有することを特徴とする製造方法。
  6. 　請求項５に記載の製造方法であって、
    　前記他方側から前記一方側の順で各層に対して繰り返し実行される工程として、
    　前記塗布工程、前記プリベーク工程、および、前記露光工程、に加え、露光された前記レジスト層を加熱するポストベーク工程、を有し、
    　前記各層に対して前記塗布工程、前記プリベーク工程、前記露光工程、および、前記ポストベーク工程が実行されて生成されるレジスト積層体に対して実行される工程として、
    　前記現像工程および前記ハードベーク工程を有することを特徴とする製造方法。
  7. 　請求項５または請求項６に記載の製造方法であって、
    　前記ハードベーク工程の後に行われる工程として、前記多層立体構造の前記一方側の表面を加工する表面加工工程を有することを特徴とする製造方法。
  8. 　請求項５ないし請求項７のいずれかに記載の製造方法であって、
    　前記塗布工程において塗布されるレジストの成分は前記各層において同一であることを特徴とする製造方法。
  9. 　請求項５ないし請求項８のいずれかに記載の製造方法であって、
    　前記露光工程は、前記レジスト層に対して露光用光を走査しつつ照射することによって局所的な露光を連続的に行う直接描画工程であることを特徴とする製造方法。
  10. 　レジスト層の形成と当該レジスト層に対する露光とを各層で繰り返し行って生成されるレジスト積層体を現像して多層立体構造を製造することに先立って、複数の露光データを生成する露光データ生成装置であって、
    　一方側に凹凸面を有する前記多層立体構造を表現した設計データを基に、前記多層立体構造を深さ方向で前記各層に分割した場合の各パターンを表現した複数の分割パターンを生成する分割パターン生成手段と、
    　前記複数の分割パターンに対して、前記一方側に凸面を含む凸面領域、前記一方側に凹面を含む凹面領域、および、前記凹面領域の周囲に位置する凹面周囲領域を、露光領域として設定して、複数の露光データを生成するデータ生成手段と、
    を備えることを特徴とする露光データ生成装置。
  11. 　請求項１０に記載の露光データ生成装置であって、
    　前記データ生成手段は、
    　前記複数の分割パターンに対して、前記多層立体構造の存在領域を露光領域として設定し前記多層立体構造の非存在領域を非露光領域として設定する第１処理と、
    　前記第１処理後の各露光領域のうち前記一方側の層にも露光領域が設定される領域を非露光領域に変更することにより、前記凸面領域および前記凹面領域を露光領域として設定する第２処理と、
    　第２処理後の各非露光領域のうち前記凹面領域の周囲に位置する前記凹面周囲領域を露光領域に変更することにより、前記凸面領域、前記凹面領域、および、前記凹面周囲領域を露光領域として設定して、前記複数の露光データを生成する第３処理と、
    を有することを特徴とする露光データ生成装置。
  12. 　請求項１０または請求項１１に記載の露光データ生成装置であって、
    　露光装置がレジスト層に対して露光をする際の露光位置が基準露光位置からズレる場合におけるズレの上限値が、重ね合わせ精度として予め知得されており、
    　前記凹面周囲領域の幅は前記重ね合わせ精度の２倍ないし３倍の長さであることを特徴とする露光データ生成装置。
  13. 　請求項１０ないし請求項１２のいずれかに記載の露光データ生成装置であって、
    　前記凹凸面は複数の凹部を有しており、前記複数の凹部のうち相対的に幅の広い凹部は相対的に浅く前記複数の凹部のうち相対的に幅の狭い凹部は相対的に深いことを特徴とする露光データ生成装置。
  14. 　コンピュータにインストールされてＣＰＵによってメモリにおいて実行されることにより、前記コンピュータを請求項１０ないし請求項１３のいずれかに記載の露光データ生成装置として機能させることを特徴とする露光データ生成プログラム。
  15. 　レジスト層の形成と当該レジスト層に対する露光とを各層で繰り返し行って生成されるレジスト積層体を現像して、一方側に凹凸面を有する多層立体構造を製造する製造システムであって、
    　請求項１０ないし請求項１３のいずれかに記載の露光データ生成装置と、
    　レジストを塗布してレジスト層を形成する塗布装置と、
    　前記レジスト層を加熱する加熱装置と、
    　前記レジスト層を露光する露光装置と、
    　前記露光装置で露光されなかった箇所のレジストを現像液により除去する現像装置と、
    を備えることを特徴とする製造システム。
  16. 　請求項１５に記載の製造システムであって、
    　前記多層立体構造の前記一方側の表面を加工する表面加工装置を有することを特徴とする製造システム。
  17. 　請求項１５または請求項１６に記載の製造システムであって、
    　前記塗布装置が塗布するレジストの成分は前記各層において同一であることを特徴とする製造システム。
  18. 　請求項１５ないし請求項１７のいずれかに記載の製造システムであって、
    　前記露光装置は、前記レジスト層に対して露光用光を走査しつつ照射することによって局所的な露光を連続的に行う直接描画装置であることを特徴とする製造システム。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6840007B2 (ja) * 2017-03-24 2021-03-10 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 凹版の製造方法および凹版製造装置
JP7395410B2 (ja) 2020-04-06 2023-12-11 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 光学装置および３次元造形装置

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000199968A (ja) * 1999-01-06 2000-07-18 Sony Corp 多層レジスト構造およびこれを用いた３次元微細構造の作製方法
JP2002148817A (ja) * 2000-11-14 2002-05-22 Mitsubishi Materials Corp レジストのパターニング方法、高アスペクト比のコンタクトプローブ及びその製法
JP2005049460A (ja) * 2003-07-30 2005-02-24 Ricoh Co Ltd レジストパターン作成方法、レジストパターン作成装置、フォトマスクの設計方法及びフォトマスク
JP2007114758A (ja) * 2005-09-21 2007-05-10 Tohoku Univ 露光方法
JP2007173826A (ja) * 2005-12-24 2007-07-05 Internatl Business Mach Corp <Ibm> デュアル・ダマシン構造を製作する方法
JP2012208350A (ja) * 2011-03-30 2012-10-25 Lapis Semiconductor Co Ltd レジストパターンの形成方法、立体構造の製造方法、及び半導体装置の製造方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2747573B2 (ja) * 1991-07-25 1998-05-06 富士通株式会社 露光データ作成装置及び露光データ作成方法
JP4156700B2 (ja) * 1998-03-16 2008-09-24 富士通株式会社 露光データ作成方法、露光データ作成装置、及び、記録媒体
SG118239A1 (en) * 2003-04-24 2006-01-27 Asml Netherlands Bv Lithographic processing method and device manufactured thereby

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000199968A (ja) * 1999-01-06 2000-07-18 Sony Corp 多層レジスト構造およびこれを用いた３次元微細構造の作製方法
JP2002148817A (ja) * 2000-11-14 2002-05-22 Mitsubishi Materials Corp レジストのパターニング方法、高アスペクト比のコンタクトプローブ及びその製法
JP2005049460A (ja) * 2003-07-30 2005-02-24 Ricoh Co Ltd レジストパターン作成方法、レジストパターン作成装置、フォトマスクの設計方法及びフォトマスク
JP2007114758A (ja) * 2005-09-21 2007-05-10 Tohoku Univ 露光方法
JP2007173826A (ja) * 2005-12-24 2007-07-05 Internatl Business Mach Corp <Ibm> デュアル・ダマシン構造を製作する方法
JP2012208350A (ja) * 2011-03-30 2012-10-25 Lapis Semiconductor Co Ltd レジストパターンの形成方法、立体構造の製造方法、及び半導体装置の製造方法

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