JP2013161987A - パターン形成方法 - Google Patents

Abstract

【課題】隣接する線状パターンの形状に影響を与えることなく、前記線状パターンに挟まれた線状パターンが精度良く分断されるよう各線状パターンを形成することができるパターン形成方法を提供すること。
【解決手段】実施形態のパターン形成方法では、第１の平行線状パターンに対して第１の斜交角度で配置される第１の斜交線状パターンを形成する。また、前記第１の平行線状パターンに対して第２の斜交角度で配置される第２の斜交線状パターンを形成し、前記第１の斜交線状パターンと第２の斜交線状パターンとの重なり領域にパターンを形成する。第２の平行線状パターンが前記重なり領域を介して分断されるよう、前記第２の平行線状パターンを前記第１の平行線状パターンおよび前記パターンを用いて形成する。そして、前記第１および第２の斜交角度の少なくとも一方は、直角以外の角度としておく。
【選択図】図１１

Description

本発明の実施形態は、パターン形成方法に関する。

近年、ＬＳＩの微細化に伴い、微細な半導体回路パターンを基板上に形成する技術の開発が進められている。微細な半導体回路パターンを基板上に形成する技術の１つに側壁プロセスがある。

例えば、側壁プロセスを用いて複数本の線状ラインパターンを形成する場合、両隣が他の線状ラインパターンによって挟まれた１本の線状ラインパターンに対し、この１本の線状ラインパターンが途中で分断されるよう各ラインパターンを形成することは困難であった。また、側壁プロセスを用いて複数本の線状スペースパターンを形成する場合、両隣が他の線状スペースパターンによって挟まれた１本の線状スペースパターンに対し、この１本の線状スペースパターンが途中で分断されるよう各スペースパターンを形成することは困難であった。

これは、線状ラインパターンや線状スペースパターンを途中で分断するための柱状パターンを小さく形成すると、柱状パターンが倒壊しやすくなるからである。このため、隣接する線状パターンの形状に影響を与えることなく、前記線状パターンに挟まれた線状パターンが精度良く分断されるよう各線状パターンを形成する技術が望まれている。

特開２００５−１５０３３３号公報 特開２０１０−１５３８６９号公報 特開２０１０−１５３８７２号公報 特開２００９−２６０３０９号公報

本発明が解決しようとする課題は、隣接する線状パターンの形状に影響を与えることなく、前記線状パターンに挟まれた線状パターンが精度良く分断されるよう各線状パターンを形成することができるパターン形成方法を提供することである。

実施形態によれば、パターン形成方法が提供される。パターン形成方法では、平行方向に並ぶ複数の線状パターンを第１の平行線状パターンとして形成する。また、前記第１の平行線状パターンよりも上層側に前記第１の平行線状パターンに対して第１の斜交角度で配置される線状パターンを第１の斜交線状パターンとして形成する。さらに、前記第１の平行線状パターンと前記第１の斜交線状パターンとが重なる領域のうちの１つの領域である第１の重なり領域上を通り、且つ前記第１の平行線状パターンに対して第２の斜交角度で配置される線状パターンを第２の斜交線状パターンとして形成する。そして、前記第１の斜交線状パターンと第２の斜交線状パターンとが重なる第２の重なり領域に、前記第１および第２の斜交線状パターンを用いてパターンを形成する。そして、前記第１の平行線状パターンを用いて形成される平行方向に並ぶ複数の第２の平行線状パターンが前記第２の重なり領域を介して分断され、且つ前記第２の重なり領域以外ではそれぞれの前記第２の平行線状パターンが途中で分断されないよう、前記第２の平行線状パターンを、前記パターンを用いて形成する。そして、前記第１および第２の斜交角度の少なくとも一方は、直角以外の角度としておく。

図１−１は、第１の実施形態に係るパターン形成処理手順（前段処理）を説明するための基板の上面図である。 図１−２は、第１の実施形態に係るパターン形成処理手順（後段処理）を説明するための基板の上面図である。 図２−１は、第１の実施形態に係るパターン形成処理手順（前段処理）を説明するための基板のＡＡ断面図である。 図２−２は、第１の実施形態に係るパターン形成処理手順（後段処理）を説明するための基板のＡＡ断面図である。 図３−１は、第１の実施形態に係るパターン形成処理手順（前段処理）を説明するための基板のＢＢ断面図である。 図３−２は、第１の実施形態に係るパターン形成処理手順（後段処理）を説明するための基板のＢＢ断面図である。 図４は、斜交ラインパターンの斜交角度を説明するための図である。 図５は、斜交ライン幅と位置合わせ精度との関係を説明するための図である。 図６は、斜交角度と斜交ライン幅との関係を説明するための図である。 図７は、第１および第２の斜交ラインパターンの斜交角度を説明するための図である。 図８は、第２の斜交ラインパターンの斜交角度と第２の斜交ラインパターンの位置合わせ精度との関係を説明するための図である。 図９は、第２の実施形態に係るパターン形成処理手順を説明するための基板の上面図である。 図１０は、第２の実施形態に係るパターン形成処理手順を説明するための基板のＡＡ断面図である。 図１１は、第３の実施形態に係るパターン形成処理手順を説明するための基板の上面図である。 図１２は、第３の実施形態に係るパターン形成処理を説明するための基板のＡＡ断面図である。 図１３は、斜交ラインパターンの位置ずれを説明するための図である。 図１４は、第４の実施形態に係るパターン形成処理手順を説明するための基板の上面図である。 図１５は、第４の実施形態に係るパターン形成処理を説明するための基板のＡＡ断面図である。 図１６は、第４の実施形態に係るパターン形成処理手順を示すフローチャートである。 図１７は、ピラーパターン寸法と位置合わせ精度との関係を説明するための図である。

以下に添付図面を参照して、実施形態に係るパターン形成方法を詳細に説明する。なお、これらの実施形態により本発明が限定されるものではない。

（第１の実施形態）
図１−１〜図３−２は、第１の実施形態に係るパターン形成処理手順を説明するための図である。図１−１は、第１の実施形態に係るパターン形成処理手順（前段処理）を説明するための基板の上面図であり、図１−２は、第１の実施形態に係るパターン形成処理手順（後段処理）を説明するための基板の上面図である。図２−１は、第１の実施形態に係るパターン形成処理手順（前段処理）を説明するための基板のＡＡ断面図であり、図２−２は、第１の実施形態に係るパターン形成処理手順（後段処理）を説明するための基板のＡＡ断面図である。図３−１は、第１の実施形態に係るパターン形成処理手順（前段処理）を説明するための基板のＢＢ断面図であり、図３−２は、第１の実施形態に係るパターン形成処理手順（後段処理）を説明するための基板のＢＢ断面図である。図２−１および図２−２の（ａ）〜（ｑ）と、図３−１および図３−２の（ａ）〜（ｑ）は、それぞれ図１−１および図１−２の（ａ）〜（ｑ）に対応している。

ウエハなどの基板１３上には、被加工膜１２を形成しておく。被加工膜１２は、所望の加工パターンを形成する際に用いられる膜であり、被加工膜１２へは、この後の処理によって所定のパターンが形成される。所望の加工パターンは、配線パターンなどのラインパターンであり、本実施形態では後述する配線パターン１１である。

被加工膜１２は、パターニングされることにより、配線パターン１１を埋め込むためのパターンとなる。本実施形態の配線パターン１１は、１本の線状パターンが途中で切断された形状のパターン（以下、分断線状パターンという）を含んで構成されている。配線パターン１１は、両隣が他の線状パターンによって挟まれた１本の線状パターンに対し、この１本の線状パターンが途中で分断されるよう各線状パターンを形成したパターンである。換言すると、配線パターン１１は、両隣が他の線状パターンによって挟まれた分断線状パターンを備えている。図１−１〜図３−２では、ＡＡ線上（ＡＡ断面）に分断線状パターンが形成される場合について説明する。

＜図１−１の（ａ）、図２−１の（ａ）、図３−１の（ａ）＞
基板１３上に被加工膜１２を形成した後、側壁プロセス（側壁加工によるダブルパターンニング法）で用いられる芯材パターン２０ａを被加工膜１２上に形成する。芯材パターン２０ａは、複数の線状パターンが平行方向に並ぶ線状パターン群である。

＜図１−１の（ｂ）、図２−１の（ｂ）、図３−１の（ｂ）＞
この後、芯材パターン２０ａをスリミング加工することによって、スリミングパターン２０ｂを形成する。

＜図１−１の（ｃ）、図２−１の（ｃ）、図３−１の（ｃ）＞
さらに、スリミングパターン２０ｂ上から側壁デポジット膜を堆積させる。この後、異方性エッチングによって側壁デポジット膜をエッチバックし、側壁デポジット膜から側壁パターン１を形成する。

＜図１−１の（ｄ）、図２−１の（ｄ）、図３−１の（ｄ）＞
そして、スリミングパターン２０ｂをウエットエッチングすることによってスリミングパターン２０ｂを除去し、被加工膜１２上に側壁パターン１のみを残す。このように、側壁プロセス（側壁ライン転写プロセス）では、芯材（スリミングパターン２０ｂ）の側壁に側壁パターン１が形成され、芯材が除去されることによって、側壁パターン１が基板上に残る。側壁パターン１は、平行方向に並ぶ複数の線状パターンによって構成されている。

＜図１−１の（ｅ）、図２−１の（ｅ）、図３−１の（ｅ）＞
この後、側壁パターン１間をエッチング抑制材２で埋める。

＜図１−１の（ｆ）、図２−１の（ｆ）、図３−１の（ｆ）＞
そして、側壁パターン１の上面およびエッチング抑制材２の上面を、第１のエッチング用膜５ａで覆い、さらに、第１のエッチング用膜５ａの上面を第２のエッチング用膜３ａで覆う。第２のエッチング用膜３ａは、分断線状パターンを形成する際に用いられる膜であり、この後の処理によってラインパターンがパターニングされる。第２のエッチング用膜３ａを用いて形成されるラインパターンは、その長手方向が、側壁パターン１の長手方向に直交するよう形成される直交ラインパターンである。

＜図１−１の（ｇ）、図２−１の（ｇ）、図３−１の（ｇ）＞
この後、第２のエッチング用膜３ａ上にラインパターン４ａを形成する。ラインパターン４ａは、側壁パターン１（配線パターン１１）に直交するラインパターンである。ラインパターン４ａは、ラインパターン４ａの長手方向と側壁パターン１の長手方向とが直交するよう形成される。

＜図１−１の（ｈ）、図２−１の（ｈ）、図３−１の（ｈ）＞
ラインパターン４ａを形成した後、ラインパターン４ａをスリミング加工することによって、ラインパターンとしてのスリミングパターン４ｂを形成する。図２−１の（ｈ）に示すように、ＡＡ線上にスリミングパターン４ｂが形成され、図３−１の（ｈ）に示すように、ＢＢ線上にはスリミングパターン４ｂが形成されない。スリミングパターン４ｂは、分断線状パターンを形成する領域を含むよう形成される。換言すると、基板１３を上面側から見た場合に、スリミングパターン４ｂの形成された領域内に分断線状パターンが形成されることとなる。

＜図１−１の（ｉ）、図２−１の（ｉ）、図３−１の（ｉ）＞
この後、スリミングパターン４ｂおよび第２のエッチング用膜３ａ上からエッチングを行う。これにより、第２のエッチング用膜３ａのうちスリミングパターン４ｂと略同じ領域にあった第２のエッチング用膜３ａが直交ラインパターン３ｂとして残され、その他の領域の第２のエッチング用膜３ａは除去される。また、スリミングパターン４ｂも除去される。これにより、スリミングパターン４ｂと略同じ領域に直交ラインパターン３ｂが残され、第２のエッチング用膜３ａと略同じ領域には第１のエッチング用膜５ａが残される。

この結果、図２−１の（ｉ）に示すように、ＡＡ線上に直交ラインパターン３ｂと第１のエッチング用膜５ａが残され、図３−１の（ｉ）に示すように、ＢＢ線上には第１のエッチング用膜５ａが残される。第２のエッチング用膜３ａを用いて形成された直交ラインパターン３ｂは、側壁パターン１（配線パターン１１）に直交するラインパターンであり、直交ラインパターン３ｂの長手方向と側壁パターン１の長手方向とが直交するよう形成される。直交ラインパターン３ｂは、分断線状パターンを形成する領域を含むよう形成される。

＜図１−１の（ｊ）、図２−１の（ｊ）、図３−１の（ｊ）＞
この後、第１のエッチング用膜５ａおよび直交ラインパターン３ｂ上にＣＴ（carbon thin film）膜６ａなどを成膜することにより、基板１３の上面側を平坦化する。

＜図１−２の（ｋ）、図２−２の（ｋ）、図３−２の（ｋ）＞
そして、ＣＴ膜６ａ上に、側壁パターン１および直交ラインパターン３ｂに対して斜め方向に交わるレジストパターン７を形成する。レジストパターン７は、側壁パターン１および直交ラインパターン３ｂに対して斜め方向に交わるラインパターン（後述する斜交ラインパターン）を形成するためのパターンである。レジストパターン７は、側壁パターン１と直交ラインパターン３ｂとが重なる領域のうちの１つの領域である第１の重なり領域上を通り、且つ側壁パターン１に対して所定の斜交角度（９０°以外）で配置される線状パターンである。

＜図１−２の（ｌ）、図２−２の（ｌ）、図３−２の（ｌ）＞
そして、レジストパターン７およびＣＴ膜６ａ上からエッチングを行う。これにより、ＣＴ膜６ａのうちレジストパターン７と略同じ領域にあったＣＴ膜６ａが斜交ラインパターン６ｂとして残される。そして、レジストパターン７以外の領域のＣＴ膜６ａは除去される。換言すると、レジストパターン７の下層側にあるＣＴ膜６ａが残され、他のＣＴ膜６ａは除去される。また、レジストパターン７は、全て除去される。また、ＣＴ膜６ａの下部にあった直交ラインパターン３ｂは残される。

これにより、基板１３上には、第１のエッチング用膜５ａが全面に残される。また、第１のエッチング用膜５ａ上に直交ラインパターン３ｂが形成され、直交ラインパターン３ｂと同じ領域で且つレジストパターン７の形成されていた領域に、ＣＴ膜６ａをパターニングした斜交ラインパターン（斜交線状パターン）６ｂが形成される。斜交ラインパターン６ｂは、分断線状パターンを形成する領域を含むよう形成される。

＜図１−２の（ｍ）、図２−２の（ｍ）、図３−２の（ｍ）＞
この後、斜交ラインパターン６ｂおよび直交ラインパターン３ｂ上からエッチングを行う。これにより、直交ラインパターン３ｂのうち、斜交ラインパターン６ｂに交わっていない領域の直交ラインパターン３ｂが除去され、斜交ラインパターン６ｂと交わっている領域の直交ラインパターン３ｂが分断領域パターン９として残される。また、斜交ラインパターン６ｂは残される。換言すると、斜交ラインパターン６ｂ以外の領域にあった直交ラインパターン３ｂは除去される。

＜図１−２の（ｎ）、図２−２の（ｎ）、図３−２の（ｎ）＞
さらに、斜交ラインパターン６ｂおよび第１のエッチング用膜５ａ上からエッチングを行う。これにより、斜交ラインパターン６ｂが除去されるとともに、斜交ラインパターン６ｂと直交ラインパターン３ｂとが重なっていた領域に形成されている斜交ラインパターン９が残される。これにより、第１のエッチング用膜５ａ上に分断領域パターン９が形成される。分断領域パターン９は、直交ラインパターン３ｂと斜交ラインパターン６ｂとが重なる第２の重なり領域に形成される平行四辺形パターンである。分断領域パターン９は、分断線状パターンが形成される領域のうち、１本の線状パターンを分断する領域に形成されるカットパターンである。換言すると、１本の線状パターンが、分断領域パターン９に対応する領域で分断されることにより、分断線状パターンが形成される。

＜図１−２の（ｏ）、図２−２の（ｏ）、図３−２の（ｏ）＞
この後、分断領域パターン９および第１のエッチング用膜５ａ上からエッチングを行う。これにより、分断領域パターン９以外の領域と略同じ領域にあった第１のエッチング用膜５ａが除去される。さらにエッチングを進めると、分断領域パターン９以外の領域にあるエッチング抑制材２が除去される。また、分断領域パターン９が除去され、エッチング抑制材２のうち分断領域パターン９と同じ領域のエッチング抑制材２が分断領域パターン５ｂとして残される。この結果、側壁パターン１間にエッチング抑制材２を用いた分断領域パターン５ｂが残される。

＜図１−２の（ｐ）、図２−２の（ｐ）、図３−２の（ｐ）＞
そして、側壁パターン１および分断領域パターン５ｂ上からエッチングを行う。これにより、被加工膜１２のうち分断領域パターン５ｂにも側壁パターン１にも覆われていない領域がエッチングにより除去される。そして、側壁パターン１または分断領域パターン５ｂと同じ領域にある被加工膜１２が残され、側壁パターン１および分断領域パターン５ｂがエッチングにより除去される。

換言すると、被加工膜１２のうち、分断領域パターン５ｂの下層側と、側壁パターン１の下層側と、が残される。また、被加工膜１２のうち分断領域パターン５ｂの下層側でもなく側壁パターン１の下層側でもない領域と、側壁パターン１と、分断領域パターン５ｂと、がエッチングで除去される。

＜図１−２の（ｑ）、図２−２の（ｑ）、図３−２の（ｑ）＞
さらに、パターニングされた被加工膜１２上から金属膜などを成膜し、その後、エッチバックする。そして、被加工膜１２をエッチングで除去することにより、パターニングされた被加工膜１２のスペースパターン内に配線パターン１１を形成する。これにより、基板１３上に配線パターン１１が形成される。

配線パターン１１は、両隣が他の線状パターンによって挟まれた線状パターン群である。換言すると、配線パターン１１は、側壁パターン１を用いて形成される線状パターン群であり、平行方向に並ぶ複数の線状パターンで構成されている。配線パターン１１のうち、線状パターン１０ａは、上面側から見た場合に、分断領域パターン５ｂと同じ領域である領域５ｂ’（分断領域パターン９と同じ領域）によって途中で分断されている。このように、配線パターン１１は、線状パターン１０ａが領域５ｂ’を介して分断され、且つ領域５ｂ’以外の領域では、線状パターン１０ａ以外の配線パターン１１が途中で分断されないよう形成される。

図４は、斜交ラインパターンの斜交角度を説明するための図である。図４は、基板１３の上面図であり、図１−２の（ｌ）に対応している。なお、図４では、説明の便宜上、直交ラインパターン３ｂの下層を側壁パターン１およびエッチング抑制材２で示している。

図４に示すように、斜交ラインパターン６ｂは、ライン幅（短手方向の長さ）がＷのラインパターンであり、ライン幅がＹの直交ラインパターン３ｂとの間で斜交角度（傾き角）θをなすよう形成される。側壁パターン１は、ライン幅がＳであり、エッチング抑制材２は、ライン幅がＬである。したがって、配線パターン１１は、ライン（配線パターン１１を埋め込む前はスペース）幅がＬで、スペース（配線パターン１１を埋め込む前はライン）幅がＳのライン＆スペースパターンとなる。

つぎに、斜交ラインパターン６ｂのライン幅（以下、斜交ライン幅という）と位置合わせ精度との関係について説明する。図５は、斜交ライン幅と位置合わせ精度との関係を説明するための図である。図５の横軸が斜交ラインパターン６ｂの斜交ライン幅であり、図５の縦軸が斜交ラインパターン６ｂと直交ラインパターン３ｂとの間の位置合わせ精度である。なお、図５では、Ｙ＝３２ｎｍであり、Ｌ＝Ｓ＝３２ｎｍである場合の斜交角度と位置合わせ精度との関係２１〜２３を示している。また、関係２１〜２３は、斜交ラインパターン６ｂおよび直交ラインパターン３ｂの寸法ばらつきが、所望値から±１０％であるとして算出されている。

斜交角度と位置合わせ精度との関係２１〜２３は、それぞれ斜交角度θが９０°（直角）、７０°、６０°の場合の関係を示している。斜交ラインパターン６ｂの斜交ライン幅の寸法精度許容範囲は、関係２１〜２３、位置合わせ精度の閾値（許容値）などを用いて算出される。

ここでは、位置合わせ精度の閾値が±１０ｎｍである場合の、寸法許容範囲について説明する。寸法許容範囲は、例えば、関係２１〜２３の最大値に対応する斜交ライン幅（Ｗ）と、閾値を満たす斜交ライン幅（Ｗ）の範囲（ライン幅許容範囲）と、を用いて算出される。具体的には、寸法許容範囲は、以下の式（１）を用いて算出される。
寸法許容範囲＝（（ライン幅許容範囲）／２）／（最大値に対応する斜交ライン幅）・・・（１）

斜交角度θが６０°（関係２３）の場合、位置合わせ精度（閾値）の±１０ｎｍを満たす斜交ライン幅は、約２８ｎｍ〜３２ｎｍである。また、斜交角度θが７０°（関係２２）の場合、位置合わせ精度（閾値）の±１０ｎｍを満たす斜交ライン幅は、約３８ｎｍ〜５３ｎｍである。同様に、斜交角度θが９０°（関係２１）の場合、位置合わせ精度（閾値）の±１０ｎｍを満たす斜交ライン幅は、約５８ｎｍ〜６９ｎｍである。

したがって、斜交角度θ＝９０°の場合、斜交ライン幅（Ｗ）の寸法許容範囲は、±８％となる。一方、斜交角度θ＝７０°の場合、斜交ライン幅（Ｗ）の寸法許容範囲は、±１３％となる。また、斜交角度θ＝６０°の場合、斜交ライン幅（Ｗ）の寸法許容範囲は、±１９％となる。

このように、位置合わせ精度が最大値となる斜交ライン幅（Ｗ）は、斜交ラインパターン６ｂの斜交角度θに依存する。また、関係２１〜２３を用いて説明したように、斜交ラインパターン６ｂの斜交角度θを斜めにすることで寸法ばらつきの許容量（ライン幅許容範囲）を緩和できる。

ここで、１本の線状パターン１０ａを分断できる斜交ラインパターン６ｂのライン幅許容範囲について説明する。まず、図４に示した斜交ラインパターン６ｂに対して以下のように定義する。
・斜交ラインパターン６ｂのライン幅ばらつきをｗ（例えば、Ｗの１０％）とする。
・露光装置のｘ方向の合わせ精度を±Ｚ（この例では１０ｎｍ）とする。

線状パターン１０ａとなるスペース領域（側壁パターン１と側壁パターン１との間）（エッチング抑制材２の位置）を金属膜で埋め込むことができ、且つ斜交ラインパターン６ｂの形成が原因で線状パターン１０ａに隣接する他の線状パターンの形状に影響を与えることなく線状パターン１０ａを分断するには、以下の式（２）および式（３）を満たす必要がある。

Ｌ＋２Ｓ＜（Ｗ＋ｗ）／sin（θ）＋Ｙ／tan（θ）＋２Ｚ・・・（２）
Ｌ＞（Ｗ−ｗ）／sin（θ）＋Ｙ／tan（θ）−２Ｚ・・・（３）

なお、式（２）および式（３）では、θ＝９０°の場合、tan（θ）項を除外する。また、ここでは、斜交ライン幅（Ｗ）と位置合わせの誤差を、斜交ライン幅（Ｗ）とライン幅ばらつき（ｗ）の「和」を用いて算出しているが、正規分布でばらつくものとして斜交ライン幅（Ｗ）と位置合わせの誤差を算出してもよい。これにより、斜交ライン幅（Ｗ）と位置合わせの誤差を二乗和換算できるので、さらにライン幅許容範囲を緩和することが可能となる。

例えば、Ｌ＝Ｓ＝３２ｎｍ、Ｚ＝１０ｎｍ、ｗがＷの１０％、Ｙ＝３２ｎｍとすると、θ＝９０°では５８ｎｍ≦Ｗ≦６９ｎｍとなる必要があり、θ＝６０°では３３ｎｍ≦Ｗ≦４５ｎｍでよい。

つぎに、斜交角度θと斜交ライン幅（Ｗ）との関係について説明する。図６は、斜交角度と斜交ライン幅との関係を説明するための図である。図６の（ａ）は、直交ラインパターン３ｂのライン幅（直交ライン幅）が３２ｎｍの場合の斜交角度θと斜交ライン幅との関係を示し、図６の（ｂ）は、斜交角度θと設定可能な斜交ライン幅との関係を、直交ライン幅毎に示している。図６の（ａ）では、横軸が斜交角度θであり、縦軸が斜交ライン幅である。また、図６の（ｂ）では、横軸が斜交角度θであり、縦軸が設定可能な斜交ライン幅（ΔＷ）である。

図６の（ａ）では、斜交ライン幅（Ｗ）の最大値２５Ａと最小値２５Ｂを示している。同図に示すように、斜交ライン幅（Ｗ）の最大値２５Ａおよび最小値２５Ｂは、斜交角度θに応じて変化する。

図６の（ｂ）では、直交ライン幅（Ｙ）が３２ｎｍ、４２ｎｍ、５２ｎｍの場合に設定可能な斜交ライン幅（斜交角度θと設定可能な斜交ライン幅との関係２６〜２８）を示している。設定可能な斜交ライン幅（ΔＷ）は、斜交ライン幅（Ｗ）の最大値から最小値を減算した値である。また、関係２６〜２８は、それぞれ直交ライン幅（Ｙ）が３２ｎｍ、４２ｎｍ、５２ｎｍの斜交角度θと設定可能な斜交ライン幅（ΔＷ）との関係である。同図に示すように、設定可能な斜交ライン幅（ΔＷ）は、斜交角度θおよび直交ライン幅に応じて変化する。

例えば、Ｌ＝Ｓ＝３２ｎｍ、Ｚ＝１０ｎｍ、ｗがＷの１０％、Ｙ＝３２ｎｍ、Ｚ＝１０ｎｍとすると、θ＝約４５°〜９０°の場合に、位置合わせ精度良く所望位置に分断領域パターン５ｂを形成することが可能となる。また、θ＝９０°の直交の場合よりも、θ＝６０°の場合の方が、設定可能なライン幅ΔＷが拡大し、寸法変動にロバストな設計が可能となる。

なお、直交ラインパターン３ｂを側壁パターン１に対して直角以外の角度で配置してもよい。換言すると、直交ラインパターン３ｂが、側壁パターン１の短手方向に対して斜め方向に交わるよう直交ラインパターン３ｂを配置してもよい。以下では、側壁パターン１の短手方向に対して斜め方向に交わるよう配置した直交ラインパターンを第１の斜交ラインパターン（第１の斜交線状パターン）とし、斜交ラインパターン６ｂを第２の斜交ラインパターン（第２の斜交線状パターン）として説明する。

図７は、第１および第２の斜交ラインパターンの斜交角度を説明するための図である。図７の（ａ）は、基板１３の上面図であり、図１−２の（ｌ）に対応している。なお、図４に示した寸法や角度と同じ寸法や角度については、その説明を省略する。また、図７の（ａ）では、説明の便宜上、第１のエッチング用膜５ａの図示を省略している。

図７の（ａ）に示すように、第１の斜交ラインパターンである斜交ラインパターン３ｃは、直交ラインパターン３ｂを斜交角度θ₁だけ面内で回転させたラインパターンである。したがって、斜交ラインパターン３ｃは、その長手方向が側壁パターン１の短手方向との間で斜交角度θ₁をなすよう形成される。

また、斜交ラインパターン６ｂは、その長手方向が側壁パターン１の短手方向との間で斜交角度θ₂をなすよう形成される。これにより、斜交ラインパターン６ｂは、斜交ラインパターン６ｂの長手方向と斜交ラインパターン３ｃの長手方向とが斜交角度θ（θ₁＋θ₂）をなすよう形成される。

図７の（ｂ）では、第１の斜交ラインパターンである斜交ラインパターン３ｃと第２の斜交ラインパターンである斜交ラインパターン６ｂの寸法や角度に関する関係を示している。図７の（ｂ）に示した斜交ラインパターン３ｃに対して以下のように定義する。
・斜交ラインパターン３ｃのライン幅ばらつきをｙ（例えば、Ｙの１０％）とする。
・露光装置の位置合わせ精度を±Ｚ₁（この例では１０ｎｍ）とする。
・斜交ラインパターン６ｂのライン幅ばらつきをｗ（例えば、Ｗの１０％）とする。
・露光装置の位置合わせ精度を±Ｚ₂（この例では１０ｎｍ）とする。

斜交ラインパターン３ｃと斜交ラインパターン６ｂとが重なる平行四辺形の領域が、分断領域パターン９となる。分断領域パターン９の最も長い対角線Ｃのｘ成分が分断領域パターン９による線状パターン１０ａのカット長Ｃｘになるので、Ｃの長さと側壁パターン１の短手方向がなす角度θｃは、以下の式（４）および式（５）を用いて算出できる。なお、図７の（ｂ）におけるＡ（平行四辺形の第１の辺）の長さは、Ａ＝Ｗ／sinθであり、図７の（ｂ）におけるＢ（平行四辺形の第２の辺）の長さは、Ｂ＝Ｙ／sinθである。そして、式（４）では、Ａ，Ｂ，Ｃに余弦定理を用いている。

Ｃ＝［｛Ｗ²＋Ｙ²−２Ｗ・Ｙ・cos（１８０−θ₁−θ₂）｝^1/2］／sin（θ₁+θ₂）・・・（４）
θｃ＝｛Arctan（Ｙ／Ｃ）−θ₁・・・（５）
なお、式（４）や式（５）では、省略したが、ＷやＹは、各々のばらつきを含めた「Ｗ＋ｗ」や「Ｙ＋ｙ」などを用いて計算する。

そして、以下の式（６）に、式（５）を用いて算出したθｃを代入することにより、カット長Ｃｘを算出できる。
Ｃｘ＝Ｃ・cosθｃ・・・（６）

また、線状パターン１０ａとなるスペース領域（側壁パターン１と側壁パターン１との間）に金属膜で埋め込むことができ、且つ斜交ラインパターン６ｂの形成が原因で線状パターン１０ａに隣接する他の線状パターンの形状に影響を与えることなく線状パターン１０ａを分断するには、以下の式（７）および式（８）を満たす必要がある。

Ｌ＋２Ｓ＜Ｃ・cosθc＋２Ｚ₁＋２Ｚ₂・・・（７）
Ｌ＞Ｃ・cosθc−２Ｚ₁−２Ｚ₂・・・（８）

ここで、斜交ラインパターン３ｃに斜交角度θ₁を与えた場合の斜交角度θ₁と斜交ラインパターン６ｂの位置合わせ精度について説明する。図８は、第２の斜交ラインパターンの斜交角度と第２の斜交ラインパターンの位置合わせ精度との関係を説明するための図である。図８の（ａ）は、斜交ラインパターン６ｂの斜交角度θ₂と斜交ラインパターン６ｂの位置合わせ精度との関係を、斜交ラインパターン３ｃの斜交角度θ₁毎に示す図である。

図８の（ａ）は、横軸が斜交ラインパターン６ｂの斜交角度θ₂であり、縦軸が斜交ラインパターン６ｂの位置合わせ精度である。図８の（ａ）では、斜交ラインパターン３ｃの斜交角度θ₁＝０°，３０°，４５°の場合の、斜交角度θ₂と斜交ラインパターン６ｂの位置合わせ精度との関係３１Ａ，３２Ａ，３３Ａを示している。

斜交角度θ₂の許容範囲は、露光装置の合わせ精度の設定限界値によって決まる。例えば、露光装置の合わせ精度の設定限界値が１０ｎｍである場合、斜交角度θ₁＝０°であれば、斜交角度θ₂を角度範囲３１Ｂ内に設定すれば、所望の位置（範囲）に斜交ラインパターン６ｂを形成することができる。

同様に、斜交角度θ₁＝３０°であれば、斜交角度θ₂を角度範囲３２Ｂ内に設定すれば、所望の位置に斜交ラインパターン６ｂを形成することができ、斜交角度θ₁＝４５°であれば、斜交角度θ₂を角度範囲３３Ｂ内に設定すれば、所望の位置に斜交ラインパターン６ｂを形成することができる。

図８の（ｂ）は、斜交ラインパターン６ｂの斜交角度θ₂と斜交ラインパターン６ｂの許容位置合わせ精度範囲との関係を、斜交ラインパターン３ｃの斜交角度θ₁毎に示す図である。なお、図８の（ｂ）の関係は、図８の（ａ）と同様の条件を用いて導出されたものである。

図８の（ｂ）は、横軸が斜交ラインパターン６ｂの斜交角度θ₂であり、縦軸が斜交ラインパターン６ｂの位置合わせ精度誤差ΔＣｘ（Ｃｘの最大値−Ｃｘの最小値）である。図８の（ｂ）では、斜交ラインパターン３ｃの斜交角度θ₁＝０°，３０°，４５°の場合の、斜交角度θ₂と位置合わせ精度誤差との関係３１Ｃ，３２Ｃ，３３Ｃを示している。

斜交ラインパターン６ｂの位置合わせ精度誤差は、斜交ラインパターン３ｃの斜交角度θ₁毎に異なる。図８の（ｂ）に示すように、斜交角度θ₁の値が大きくなるに従って、斜交角度θ₂に設定可能な角度幅が広くなる。例えば、位置合わせ精度誤差（ΔＣｘ）を１．４ｎｍ以下に抑えたい場合、斜交角度θ₁＝０°であれば、斜交ラインパターン６ｂの斜交角度θ₂を約５０°以上に設定する必要がある。一方、斜交角度θ₁＝３０°であれば、斜交ラインパターン６ｂの斜交角度θ₂を約２５°以上に設定すればよい。また、斜交角度θ₁＝４５°であれば、斜交ラインパターン６ｂの斜交角度θ₂を約８°以上に設定すればよい。

したがって、例えば、Ｌ＝Ｓ＝３２ｎｍ、Ｗ＝３２ｎｍ、ｗがＷの１０％、Ｙ＝３２ｎｍ、ｙがＹの１０％、斜交角度θ₁＝４５°とすると、θ₂＝約２°〜５０°の場合に、位置合わせ精度良く所望位置に分断領域パターン９（分断領域パターン５ｂ）を形成することが可能となる。

このように、本実施形態では、直交ラインパターン３ｂと斜交ラインパターン６ｂとを用いて、配線パターン１１を形成するので、両隣が他の線状パターンによって挟まれた線状パターン１０ａに対し、この線状パターン１０ａが精度良く途中で分断されるよう配線パターン１１を形成することができる。換言すると、隣接するスペースパターン同士（線状パターン１０ａ間）を所定位置（分断領域パターン９と同じ領域）で接続することが可能となる。

なお、側壁プロセスは、前述した側壁ライン転写プロセスに限らず、側壁スペース転写プロセスであってもよい。側壁スペース転写プロセスは、側壁パターンを下層側に転写することによって側壁パターンと同じスペースパターンを形成するプロセスである。

途中で分断された線状パターンを形成する処理は、例えばウエハプロセスの所定レイヤに対して行われ、これらの処理を用いて半導体装置（半導体集積回路）が製造される。図１−１〜図３−２で説明した各パターンを形成する際には、露光処理、現像処理、エッチング処理、成膜処理などが繰り返される。例えば、側壁パターン１を形成する際には、レジストの塗布された基板１３にマスクを用いて露光を行ない、その後ウエハを現像して基板１３上にレジストパターン（芯材パターン２０ａ）を形成する。そして、レジストパターンを芯材として側壁デポジット膜を堆積させ、レジストパターンを除去することによって、側壁パターン１を形成する。その後、露光処理、現像処理、エッチング処理、成膜処理などを用いて斜交ラインパターン６ｂおよび直交ラインパターン３ｂが形成される。そして、斜交ラインパターン６ｂおよび直交ラインパターン３ｂ上からエッチングを行ない、線状パターン１０ａを形成する。半導体装置を製造する際には、上述した露光処理、現像処理、エッチング処理、成膜処理などがレイヤ毎に繰り返される。

なお、本実施の形態では、側壁プロセスを用いて形成される線状パターン１０ａを分断する場合について説明したが、側壁プロセス以外のプロセスを用いて形成される線状パターンを分断してもよい。例えば、インプリントリソグラフィやＤＳＡ（Directed Self Assembly）プロセスを用いて形成される線状パターンを分断するよう配線パターン１１を形成してもよい。

また、本実施の形態では、線状パターンが複数からなる配線パターン群である場合について説明したが、線状パターンは複数からなるスペースパターン群であってもよい。例えば、図１−２の（ｐ）で示した被加工膜１２のパターンを形成することにより、被加工膜１２のパターン間（図１−２の（ｐ）において基板１３が示されている領域）が線状スペースパターンとなる。この場合において、線状スペースパターンは、被加工膜１２のパターンによって途中で分断されている。被加工膜１２を配線層としておくことにより、配線層間の線状スペースパターンが途中で分断されるよう各線状スペースパターンを形成することが可能となる。換言すると、隣接する線状ラインパターン（配線層で形成された配線パターン）同士を所定位置（領域５ｂ’）で接続することが可能となる。

また、分断領域パターン５ｂは、分断される線状パターンに隣接する線状パターンの形状に影響を与えることなく、任意の本数の線状パターンを分断することも可能である。

また、直交ラインパターン３ｂ、斜交ラインパターン６ｂ、斜交ラインパターン３ｃなどは複数本を同時に形成してもよい。これにより、複数個所に対して分断領域パターン５ｂを形成することが可能となる。

また、直交ラインパターン３ｂと斜交ラインパターン６ｂは、何れを先に形成してもよい。斜交ラインパターン６ｂを先に形成する場合は、図１−１の（ｇ）〜（ｉ）で説明した処理によって斜交ラインパターンを形成する。そして、図１−２の（ｋ）と（ｌ）で説明した処理によって直交ラインパターンを形成する。これにより、直交ラインパターン３ｂが図１−２の（ｌ）で示した斜交ラインパターン６ｂの位置に形成され、斜交ラインパターン６ｂが図１−１の（ｉ）で示した直交ラインパターン３ｂの位置に形成される。同様に、斜交ラインパターン３ｃと斜交ラインパターン６ｃは、何れを先に形成してもよい。

また、図１−１の（ｊ）の処理を省略してもよい。具体的には、図１−１の（ｇ）で説明した１度目のリソグラフィによって直交ラインパターン３ｂを形成し、現像処理を行わずに２度目のリソグラフィによって斜交ラインパターン６ｂを形成する。これにより、リソグラフィの段階で、クロスポイント領域によって分断領域パターン９の形状をレジストにより形成する。そして、前記レジストパターンを１度にエッチングすることにより、分断領域パターン９を形成する。なお、この場合においても、斜交ラインパターン６ｂを形成した後に直交ラインパターン３ｂを形成してもよい。

また、配線パターンを形成した後に、直交ラインパターン３ｂと斜交ラインパターン６ｂを用いて配線パターンを分断することにより線状パターン１０ａを形成してもよい。この場合、配線パターン間をエッチング抑制材２で埋め込むことにより基板１３を平坦化し、その後、第１のエッチング用膜５ａ、第２のエッチング用膜３ａを成膜する。また、直交ラインパターン３ｂと斜交ラインパターン６ｂを、それぞれライン状に延びるホールパターン（溝型パターン）としておく。そして、直交ラインパターン３ｂと斜交ラインパターン６ｂとが交わる位置に形成されている配線パターンを、直交ラインパターン３ｂおよび斜交ラインパターン６ｂ上からエッチングすることにより、分断された線状パターン１０ａを形成する。

同様に、被加工膜１２によってスペースパターンを形成した後に、直交ラインパターン３ｂと斜交ラインパターン６ｂを用いて配線パターンを接続することにより線状パターン１０ａを分断してもよい。

このように第１の実施形態によれば、側壁パターン１および直交ラインパターン３ｂに対して斜め方向に交わるレジストパターン７を形成し、レジストパターン７を用いて斜交ラインパターン６ｂを形成している。そして、斜交ラインパターン６ｂおよび直交ラインパターン３ｂ上からエッチングを行うことによって分断領域パターン５ｂを形成し、分断領域パターン５ｂを用いて配線パターン１１を形成している。したがって、隣接する線状パターンの形状に影響を与えることなく、前記線状パターンに挟まれた線状パターンが精度良く分断されるよう各線状パターンを形成することが可能となる。

（第２の実施形態）
つぎに、図９および図１０を用いてこの発明の第２の実施形態について説明する。第２の実施形態では、分断領域パターンとなる領域に芯材パターン２０ａでラインパターンを形成しておき、このラインパターンを用いて分断領域パターンを形成する。

図９および図１０は、第２の実施形態に係るパターン形成処理手順を説明するための図である。図９は、第２の実施形態に係るパターン形成処理手順を説明するための基板の上面図であり、図１０は、第２の実施形態に係るパターン形成処理手順を説明するための基板のＡＡ断面図である。本実施形態では、第１の実施形態と同様のパターン形成処理手順によって配線パターン１１を形成する。

図１０の（ａ）〜（ｇ）は、それぞれ図９の（ａ）〜（ｇ）に対応している。図９および図１０では、ＡＡ線上（ＡＡ断面）に分断線状パターンが形成される場合について説明する。なお、図９の（ａ）〜（ｄ）で説明する処理は、それぞれ図１−１の（ａ）〜（ｄ）で説明する処理に対応している。同様に、図１０の（ａ）〜（ｄ）で説明する処理は、それぞれ図２−１の（ａ）〜（ｄ）で説明する処理に対応している。また、図９の（ｅ）、（ｆ）、（ｇ）で説明する処理は、それぞれ図１−１の（ｈ）、図１−２の（ｋ）、（ｑ）で説明する処理に対応している。同様に、また、図１０の（ｅ）、（ｆ）、（ｇ）で説明する処理は、それぞれ図２−１の（ｈ）、図２−２の（ｋ）、（ｑ）で説明する処理に対応している。

＜図９の（ａ）、図１０の（ａ）＞
基板１３上に被加工膜１２を形成した後、側壁プロセスで用いられる芯材パターン２０ａを被加工膜１２上に形成する。本実施形態では、分断された線状パターンを形成する箇所の両隣にある芯材パターン２０ａ，２０ａをラインパターンで接続しておく。具体的には、芯材パターン２０ａの短手方向に延びるラインパターン２０ａ’を芯材パターン２０ａ，２０ａ間に配置することにより、芯材パターン２０ａ，２０ａ間を接続しておく。換言すると、芯材パターン２０ａ，２０ａと、短手方向に延びるラインパターン２０ａ’と、でＨ型形状のパターンを形成しておく。このように、芯材パターン２０ａのうちの隣接する２本の線状パターン（芯材パターン２０ａ）を短手方向で接続するラインパターン２０ａ’を形成しておく。

ラインパターン２０ａ’は、芯材パターン２０ａと同じ太さのパターンである。ラインパターン２０ａ’の辺のうち芯材パターン２０ａの短手方向と平行な辺の長さは、芯材パターン２０ａ，２０ａ間のスペース幅と同じであり、芯材パターン２０ａの長手方向と平行な辺の長さは、所望の分断の幅に合わせて調整が可能である。なお、ラインパターン２０ａ’の長手方向と平行な辺の長さは、例えば、芯材パターン２０ａの短手方向の幅と同じである。

＜図９の（ｂ）、図１０の（ｂ）＞
ラインパターン２０ａ’を形成した後、芯材パターン２０ａをスリミング加工することによって、スリミングパターン２０ｂを形成する。

＜図９の（ｃ）、図１０の（ｃ）＞
さらに、スリミングパターン２０ｂ上から側壁デポジット膜を堆積させる。この後、異方性エッチングによって側壁デポジット膜をエッチバックし、側壁デポジット膜から側壁パターン１を形成する。側壁パターン１は、スリミングパターン２０ｂの側面に形成される。したがって、本実施形態では、ラインパターン２０ａ’をスリミング加工したパターンの側壁にも側壁パターン１が形成される。

＜図９の（ｄ）、図１０の（ｄ）＞
そして、スリミングパターン２０ｂをウエットエッチングすることによってスリミングパターン２０ｂを除去し、被加工膜１２上に側壁パターン１のみを残す。ここでの側壁パターン１には、芯材パターン２０ａに対応するパターンと、ラインパターン２０ａ’に対応するパターンと、を含んでいる。側壁パターン１のうちラインパターン２０ａ’に対応するパターンは、側壁パターン１のうちの隣接する２本の線状パターンを短手方向で接続する接続パターンである。この接続パターンは、後述する分断領域パターン５ｃを形成する平行四辺形領域の一部領域と分断領域パターン５ｃよりも外側の領域とを含むよう形成しておく。

＜図９の（ｅ）、図１０の（ｅ）＞
図１−１の（ｈ）に対応する図９の（ｅ）では、側壁パターン１、スリミングパターン４ｂ以外の膜やパターンの図示を省略している。また、図２−１の（ｈ）に対応する図１０の（ｅ）では、第１のエッチング用膜５ａ、第２のエッチング用膜３ａの図示を省略している。

被加工膜１２上に側壁パターン１のみを残した後、第１の実施形態で説明した図１−１の（ｅ）〜（ｇ）と同様の処理が行われる。これにより、第２のエッチング用膜３ａ上にラインパターン４ａ（ここでは、図示せず）が形成される。

ラインパターン４ａは、側壁パターン１（配線パターン１１）の長手方向に直交するラインパターンであり、ラインパターン２０ａ’の内側領域上を通るよう形成される。ラインパターン４ａを形成した後、ラインパターン４ａをスリミング加工することによって、ラインパターンとしてのスリミングパターン４ｂを形成する。これにより、図９の（ｅ）に示すように、ＡＡ線上にスリミングパターン４ｂが形成される。スリミングパターン４ｂは、分断線状パターンを形成する領域の一部を含むよう形成されており、第１の実施形態（図１−１の（ｉ））で説明した直交ラインパターン３ｂと同様の役割を有している。なお、スリミング加工は、省略してもよい。

＜図９の（ｆ）、図１０の（ｆ）＞
図１−２の（ｋ）に対応する図９の（ｆ）では、側壁パターン１、スリミングパターン４ｂ、レジストパターン７以外の膜の図示を省略している。また、図２−２の（ｋ）に対応する図１０の（ｆ）では、第１のエッチング用膜５ａ、直交ラインパターン３ｂ、ＣＴ膜６ａの図示を省略している。

スリミングパターン４ｂを形成した後、第１の実施形態で説明した図１−１の（ｉ）、（ｊ）と同様の処理が行われる。さらに、ＣＴ膜６ａ上に、側壁パターン１およびスリミングパターン４ｂに対して斜め方向に交わるレジストパターン７を形成する。ここでのレジストパターン７は、第１の実施形態（図１−２の（ｌ））で説明した斜交ラインパターン６ｂと同様の役割を有している。

＜図９の（ｇ）、図１０の（ｇ）＞
この後、第１の実施形態で説明した図１−２の（ｌ）〜（ｐ）と同様の処理が行われる。これにより、レジストパターン７およびスリミングパターン４ｂが重なる領域に分断領域パターン９が形成される。そして、分断領域パターン９上からエッチングを行うことにより、エッチング抑制材２のうち分断領域パターン９と同じ領域のエッチング抑制材２が、分断領域パターン５ｃ（図示せず）として残され、その他のエッチング抑制材２は除去される。

そして、分断領域パターン５ｃおよび側壁パターン１上からエッチングを行う。これにより、分断領域パターン５ｃと側壁パターン１の何れにも覆われていない領域がエッチングにより除去される。具体的には、被加工膜１２のうち上層に分断領域パターン５ｃの無い領域と、上層に側壁パターン１がない領域と、が除去される。ここでの側壁パターン１には、ラインパターン２０ａ’を用いて形成された接続パターンも含んでいる。また、分断領域パターン５ｃと側壁パターン１がエッチングにより除去される。そして、分断領域パターン５ｃと同じ領域にある被加工膜１２と、側壁パターン１と同じ領域にある被加工膜１２と、が残される。

さらに、パターニングされた被加工膜１２上から金属膜などを成膜し、その後、エッチバックする。そして、被加工膜１２をエッチングで除去することにより、被加工膜１２のスペースパターン内に配線パターン１１を形成する。これにより、基板１３上に配線パターン１１が形成される。

配線パターン１１は、両隣が他の線状パターンによって挟まれた線状パターン群である。配線パターン１１のうち、線状パターン１０ｂは、上面側から見た場合に、分断領域パターン５ｃと同じ領域５ｃ’と、ラインパターン２０ａ’を用いて形成された接続パターンの領域２０ａ’’と、によって途中で分断されている。また、線状パターン１０ｂに隣接する線状パターンは、領域５ｃ’近傍において領域５ｃ’側に凸部形状のパターンを有するよう形成されるが、線状パターン１０ｂに隣接する線状パターン同士は、領域５ｃ’によって分断されている。

本実施形態では、芯材パターン２０ａ間にラインパターン２０ａ’を形成しておくとともに、ラインパターン２０ａ’に隣接する領域に分断領域パターン５ｃを形成している。そして、分断領域パターン５ｃとラインパターン２０ａ’を用いて形成された側壁パターン１と、を用いて線状パターン１０ｂを形成している。このため、分断された線状パターン１０ｂ間のスペース領域（分断長）は、ラインパターン２０ａ’を用いて形成される側壁パターン１のパターン領域（位置）によって決定されることとなる。

このように第２の実施形態によれば、第１の実施形態と同様に、１本の線状パターン１０ａが精度良く途中で分断されるよう各線状パターンを形成することが可能となる。また、芯材パターン２０ａ間のラインパターン２０ａ’と分断領域パターン５ｃを用いて配線パターンを形成するので、直交ラインパターン３ｂに用いるラインパターン４ａ（スリミングパターン４ｂ）の位置合わせを容易に行うことが可能となる。また、レジストパターン７の位置合わせを容易に行うことが可能となる。

（第３の実施形態）
つぎに、図１１〜図１３を用いてこの発明の第３の実施形態について説明する。第３の実施形態では、第１の実施形態の図７で説明した斜交ラインパターン６ｂおよび斜交ラインパターン３ｃと同様のパターンをレジストパターンで形成し、形成したレジストパターンを用いて分断領域パターンを形成する。換言すると、斜交ラインパターン６ｂと斜交ラインパターン３ｃとのクロスポイント領域に分断領域パターンを形成する。

図１１および図１２は、第３の実施形態に係るパターン形成処理手順を説明するための図である。図１１は、第３の実施形態に係るパターン形成処理手順を説明するための基板の上面図であり、図１２は、第３の実施形態に係るパターン形成処理を説明するための基板のＡＡ断面図である。なお、第１または第２の実施形態と同様のパターン形成処理については、その説明を省略する。

図１２は、図１１の（ｂ）に対応している。図１１および図１２では、ＡＡ線上（ＡＡ断面）に分断線状パターンが形成される場合について説明する。

＜図１１の（ａ）＞
図１１（ａ）では、第１のエッチング用膜５ａ、第２のエッチング用膜３ａの図示を省略している。第１の実施形態で説明した図１−１の（ａ）〜（ｅ）と同様の処理によって、被加工膜１２上に側壁パターン１を形成するとともに側壁パターン１間をエッチング抑制材２で埋める。そして、図１−１の（ｆ）、（ｇ）と同様の処理によって、第１のエッチング用膜５ａ、第２のエッチング用膜３ａが成膜される。そして、側壁パターン１およびエッチング抑制材２の上面側（第１および第２のエッチング用膜５ａ，３ａ上）に、１度目のリソグラフィにより第１の斜交ラインパターン４Ｒを形成し、現像処理を行わずに２度目のリソグラフィにより第２の斜交ラインパターン７Ｒを形成する。これにより、リソグラフィの段階でクロスポイント領域によって分断領域パターン９の形状をレジストにより形成する。

第１の斜交ラインパターン４Ｒは、斜交ラインパターン３ｃと同様の形状（斜交角度）を有し、上面側から見た場合に同様の配置位置となるよう配置される。また、第２の斜交ラインパターン７Ｒは、斜交ラインパターン６ｂと同様の形状（斜交角度）を有し、上面側から見た場合に同様の配置位置となるよう配置される。換言すると、第１の斜交ラインパターン４Ｒと第２の斜交ラインパターン７Ｒとのクロスポイント領域に分断領域パターンが形成されるよう、第１および第２の斜交ラインパターン４Ｒ，７Ｒが形成される。

なお、第１の斜交ラインパターン４Ｒの斜交角度および第２の斜交ラインパターン７Ｒの斜交角度は、０°〜９０°の何れの角度であってもよい。この場合において、第１の斜交ラインパターン４Ｒと第２の斜交ラインパターン７Ｒとが、同じ方向に延びるパターンとならないよう第１および第２の斜交ラインパターン４Ｒ，７Ｒを配置しておく。

換言すると、図７の（ｂ）に示した斜交角度θ（θ₁＋θ₂）が０°にならないよう第１および第２の斜交ラインパターン４Ｒ，７Ｒを配置しておく。また、θ₁＝０°且つθ₂＝９０°とならないよう第１および第２の斜交ラインパターン４Ｒ，７Ｒを配置しておく。別言すれば、第１の斜交ラインパターン４Ｒの斜交角度である第１の斜交角度と第２の斜交ラインパターン７Ｒの斜交角度である第２の斜交角度と、の少なくとも一方を直角以外の角度としておく。これにより、クロスポイント領域は、平行四辺形になる。図１１の（ａ）では、第１の斜交ラインパターン４Ｒの斜交角度と第２の斜交ラインパターン７Ｒの斜交角度が同じであり、クロスポイント領域がひし形である場合を示している。

＜図１１の（ｂ）、図１２＞
図１−２の（ｎ）に対応する図１１の（ｂ）、図２−２の（ｎ）に対応する図１２では、第１のエッチング用膜５ａの図示を省略している。第１および第２の斜交ラインパターン４Ｒ，７Ｒを形成しクロスポイント領域によって分断領域パターン９の形状をレジストにより形成した後、エッチングを行う。これにより、第１および第２の斜交ラインパターン４Ｒ，７Ｒのクロスポイント領域に、分断領域パターン９が形成される。分断領域パターン９は、上面側から見るとクロスポイント領域と略同じ形状であり、ひし形などの平行四辺形である。

この後、必要に応じて分断領域パターン９をスリミング加工する。本実施形態では、分断領域パターン９を平行四辺形としているので、平行四辺形の頂点部分（突起部）を容易にスリミング加工することが可能となる。したがって、分断領域パターン９の寸法調整を容易に行うことが可能となる。

＜図１１の（ｃ）＞
この後、分断領域パターン９および第１のエッチング用膜５ａ上からエッチングを行う。これにより、分断領域パターン９以外の領域にあるエッチング抑制材２が除去される。また、分断領域パターン９が除去され、エッチング抑制材２のうち分断領域パターン９と同じ領域のエッチング抑制材２が分断領域パターン５ｃとして残される。この結果、側壁パターン１間にエッチング抑制材２を用いた分断領域パターン５ｄが残される。

＜図１１の（ｄ）＞
さらに、側壁パターン１および分断領域パターン５ｄ上からエッチングを行う。これにより、被加工膜１２のうち側壁パターン１にも分断領域パターン５ｄにも覆われていない領域がエッチングにより除去される。換言すると、被加工膜１２のうち、分断領域パターン５ｄの下層側と、側壁パターン１の下層側と、が残される。また、被加工膜１２のうち、分断領域パターン５ｄの下層側でもなく側壁パターン１の下層側でもない領域と、側壁パターン１と、分断領域パターン５ｄと、がエッチングで除去される。

さらに、パターニングされた被加工膜１２上から金属膜などを成膜し、その後、エッチバックする。そして、被加工膜１２をエッチングで除去することにより、被加工膜１２のスペースパターン内に配線パターン１１を形成する。これにより、基板１３上に配線パターン１１が形成される。

配線パターン１１は、両隣が他の線状パターンによって挟まれた線状パターン群である。配線パターン１１のうち、線状パターン１０ｃは、上面側から見た場合に、分断領域パターン５ｄと同じ領域（分断領域パターン９と同じ領域であるクロスポイント領域）によって途中で分断されている。

本実施形態では、分断領域パターン９の寸法調整を容易に行うことができるので、分断された線状パターン１０ｃの間のスペース間距離を容易かつ正確に調整することが可能となる。なお、第１の斜交ラインパターンを、斜交ラインパターン６ｂと同様のパターンとし、第２の斜交ラインパターンを、斜交ラインパターン３ｃと同様のパターンとしてもよい。

なお、本実施の形態では、第１および第２の斜交ラインパターン４Ｒ，７Ｒ上からエッチングを行う場合について説明したが、第１の斜交ラインパターン４Ｒ上からのエッチングと第２の斜交ラインパターン上からのエッチングとの２回のエッチングを行ってもよい。この場合、第１の斜交ラインパターン４Ｒを形成した後に第１の斜交ラインパターン４Ｒ上からエッチングを行う。その後、新たなレジストを塗布して第２の斜交ラインパターン７Ｒを形成し、第２の斜交ラインパターン７Ｒ上からエッチングを行う。

ところで、第１の斜交ラインパターン４Ｒ、第２の斜交ラインパターン７Ｒ、第１の実施形態で説明した斜交ラインパターン６ｂ（レジストパターン７），３ｃ、第２の実施形態で説明したレジストパターン７などの斜交ラインパターンは、位置ずれした状態で形成される場合がある。

図１３は、斜交ラインパターンの位置ずれを説明するための図である。図１３の（ａ）は、第１の実施形態で説明したレジストパターン７が、配置位置６１の正常位置から配置位置６２に位置ずれして形成された場合の基板１３の上面図を示している。なお、図１３の（ａ）では、説明の便宜上、レジストパターン７の下層を直交ラインパターン３ｂとし、直交ラインパターン３ｂの下層を側壁パターン１として図示している。

図１３の（ｂ）では、位置ずれしたレジストパターン７を用いて形成された配線パターン１１の形状を示している。図１３の（ａ）に示すような位置ずれを起こしたレジストパターン７を用いて配線パターン１１を形成すると、図１３の（ｂ）に示すように、分断された線状パターン１０ｂに突起パターン６３が発生する場合がある。この突起パターン６３は、分断された線状パターン１０ｂのうちの一方のパターンから延びる概略三角形のパターンである。突起パターン６３は、分断された線状パターン１０ｂのうちの一方のパターンから他方のパターン側へ延びている。

このような場合であっても、分断された線状パターン１０ｂのうちの一方のパターンと他方のパターンとが繋がっていなければ、分断された線状パターン１０ｂが形成されたことになる。

このように第３の実施形態によれば、斜交ラインパターンとして第１および第２の斜交ラインパターン４Ｒ，７Ｒを用いて分断領域パターン５ｄを形成するので、途中で分断された線状パターン１０ｃを容易に精度良く形成することが可能となる。

（第４の実施形態）
つぎに、図１４〜図１７を用いてこの発明の第４の実施形態について説明する。第４の実施形態では、楕円形の上面（底面）パターンを有したピラーパターンを分断領域パターンとして形成する。

図１４および図１５は、第４の実施形態に係るパターン形成処理手順を説明するための図である。図１４は、第４の実施形態に係るパターン形成処理手順を説明するための基板の上面図であり、図１５は、第４の実施形態に係るパターン形成処理を説明するための基板のＡＡ断面図である。また、図１６は、第４の実施形態に係るパターン形成処理手順を示すフローチャートである。なお、図１−１〜図３−２、図９および図１０、図１１および図１２で説明した第１〜第３の実施形態に係るパターン形成処理手順と同様の処理については、その説明を省略する。

図１５の（ａ）および（ｂ）は、図１４の（ａ）および（ｂ）に対応している。図１４および図１５では、ＡＡ線上（ＡＡ断面）に分断線状パターンが形成される場合について説明する。

＜図１４の（ａ）、図１５の（ａ）＞
第１の実施形態で説明した図１−１の（ａ）〜（ｅ）、図２−１の（ａ）〜（ｅ）と同様の処理によって、被加工膜１２上に側壁パターン１を形成するとともに側壁パターン１間をエッチング抑制材２で埋める。そして、側壁パターン１およびエッチング抑制材２の上面にレジストパターンであるピラーパターン１６を形成する（ステップＳ１０）。

ピラーパターン１６は、上面および底面が楕円形の柱状パターンである。ピラーパターン１６は、その中心位置が側壁パターン１と側壁パターン１との間（１本のエッチング抑制材２）の中心位置と略同じになるよう形成される。具体的には、ピラーパターン１６は、側壁パターン１間の領域（１本のエッチング抑制材２の領域）と、このエッチング抑制材２の領域に隣接する２本の側壁パターン１の領域と、を含むパターン間領域上に形成される。なお、ピラーパターン１６は、前記２本の側壁パターン１に隣接するエッチング抑制材２の領域上にはみ出してもよい。ピラーパターン１６が有する楕円形パターンは、長軸方向が側壁パターン１の短手方向と平行であり、短軸方向が側壁パターン１の長手方向と平行である。

ピラーパターン１６を形成した後、第１の楕円形パターンであるピラーパターン１６をスリミング加工することにより、第２の楕円形パターンであるピラーパターン１５を形成する。このとき、ピラーパターン１５が所望サイズで所望位置に形成されるよう、ピラーパターン１６の形成位置（側壁パターン１間に対する位置ずれ量）とサイズに基づいて、ピラーパターン１６のスリミング加工量を算出する（ステップＳ２０）。なお、ピラーパターン１６のサイズには寸法ずれがないものとしてスリミング加工量を算出してもよいし、ピラーパターン１６のサイズを測定し、測定したサイズに基づいてスリミング加工量を算出してもよい。

ここでのスリミング加工量は、スリミング後のピラーパターン１５が第１の側壁パターン１上でエッチング抑制材２とエッチング抑制材２とを接続し、且つピラーパターン１５が第１の側壁パターン１の隣に配置されている側壁パターン１に接触しない位置に形成される値とする。

そして、算出したスリミング加工量分だけピラーパターン１６をスリミング加工し（ステップＳ３０）、これにより、所望のピラーパターン１５を形成する。このように、ピラーパターン１５は、ＡＰＣ（Advanced Process Control）を用いて、被加工膜１２上に形成される。本実施形態では、ピラーパターンが分断領域パターンとなる（ステップＳ４０）。

＜図１４の（ｂ）、図１５の（ｂ）＞
この後、第３の実施形態で説明した図１１の（ｃ）〜（ｄ）と同様の処理によって、基板１３上に配線パターン１１を形成する。配線パターン１１のうち、線状パターン１０ｄは、上面側から見た場合に、ピラーパターン１５と同じ領域によって途中で分断されている。

本実施形態では、分断領域パターンであるピラーパターン１５の寸法調整を容易に行うことができるので、分断された線状パターン１０ｄの間のスペース間距離を容易かつ正確に調整することが可能となる。

つぎに、ピラーパターン１６の楕円形状の寸法と位置合わせ精度との関係について説明する。図１７は、ピラーパターン寸法と位置合わせ精度との関係を説明するための図である。図１７の（ａ）では、ピラーパターン１６の上面図を示している。また、図１７の（ｂ）では、線状パターン１０ｄが形成された配線パターン１１の上面図を示している。また、図１７の（ｃ）では、ピラーパターン寸法と位置合わせ精度（許容値）との関係を示している。

ここでは、図１７の（ａ）に示すように、ピラーパターン１６（楕円形状）の短径がＹ１＝４２ｎｍである場合の、ピラーパターン１６の長径（Ｘ１）について説明する。ピラーパターン１６の短径をＹ１＝４２ｎｍとすることにより、図１７の（ｂ）に示すように、線状パターン１０ｄがＹ２＝４２ｎｍ分だけ離されて分断される。換言すると、ピラーパターン１６と略同じ領域のスペース領域を介して線状パターン１０ｄが分断される。

ここで、側壁パターン１をラインパターンとし側壁パターン１間の領域をスペース領域とした場合のライン＆スペースパターンを、３２ｎｍずつ、４２ｎｍずつ、５２ｎｍずつのライン＆スペースパターンに対する位置合わせ精度について説明する。なお、例えば、３２ｎｍずつのライン＆スペースパターンは、ラインパターンのパターン幅（短手方向）とスペースパターンのパターン幅（短手方向）が、ともに３２ｎｍのライン＆スペースパターンである。

図１７の（ｃ）の横軸がピラーパターン１６の有する楕円形状のＸ１寸法であり、縦軸がピラーパターン１６（スリミング加工前のピラーパターン１５）と側壁パターン１との間の位置合わせ精度である。関係３６は、３２ｎｍずつのライン＆スペースパターンで側壁パターン１を形成する場合のピラーパターン１６のＸ１寸法と位置合わせ精度との関係を示している。同様に、関係３７，３８は、それぞれ４２ｎｍずつ、５２ｎｍずつのライン＆スペースパターンで側壁パターン１を形成する場合のピラーパターン１６の寸法と位置合わせ精度との関係を示している。

一方、関係３５は、ピラーパターン１６の有する楕円形状が真円（Ｘ１＝Ｙ１＝４２ｎｍ）である場合の位置合わせ精度を示している。ピラーパターン１６の有する楕円形状が真円である場合、位置合わせ精度は１０ｎｍである。

また、３２ｎｍずつのライン＆スペースパターンの場合、Ｘ１＝約４３〜７６ｎｍにしておけば、１０ｎｍ以上の位置合わせ精度（許容範囲）でピラーパターン１６を形成することが可能となる。

また、４２ｎｍずつのライン＆スペースパターンの場合、Ｘ１＝約５１〜１０７ｎｍにしておけば、１０ｎｍ以上の位置合わせ精度でピラーパターン１６を形成することが可能となる。

また、５２ｎｍずつのライン＆スペースパターンの場合、Ｘ１＝約６３〜１３５ｎｍにしておけば、１０ｎｍ以上の位置合わせ精度でピラーパターン１６を形成することが可能となる。

また、ピラーパターン１６の有する楕円形状を真円以外とすると、位置合わせ精度は所定値でピーク値を有することとなる。換言すると、位置合わせ精度が最大となるＸ１寸法が存在する。このピーク値やピーク値となるＸ１寸法は、ライン＆スペースパターンの寸法毎に異なる値を示す。

例えば、３２ｎｍずつのライン＆スペースパターン（関係３６）の場合、Ｘ１寸法＝約５５ｎｍでピラーパターン１６を形成すると、位置合わせ精度は、約２１ｎｍまで許容される。また、４２ｎｍずつのライン＆スペースパターン（関係３７）の場合、Ｘ１寸法＝約７０ｎｍでピラーパターン１６を形成すると、位置合わせ精度は約２７．５ｎｍまで許容される。また、５２ｎｍずつのライン＆スペースパターン（関係３８）の場合、Ｘ１寸法＝約９０ｎｍでピラーパターン１６を形成すると、位置合わせ精度は約３４ｎｍまで許容される。

このように、ピラーパターン１６の形状を、側壁パターン１の長手方向よりも短手方向の方が長い楕円形状にすることで、ピラーパターン１６（スリミング加工前のピラーパターン１５）と側壁パターン１との間の位置合わせ精度が向上する。また、ピラーパターン１６の形状を、楕円形状にすることで、ピラーパターン１５，１６の倒壊を防止することが可能となる。

なお、本実施の形態では、ピラーパターン１５を分断領域パターンとして形成する場合について説明したが、ホールパターンを用いて線状パターン１０ｄを形成してもよい。換言すると、柱状パターンは、ピラーパターン１５であってもよいし、ホールパターンであってもよい。この場合、ピラーパターン１５の位置がホールパターンとなるようホールパターンを形成し、これにより、線状パターン１０ｄを分断する。

具体的には、配線パターン１１を形成した後、配線パターン１１間をエッチング抑制材２などで埋め込む。この後、配線パターン１１上のピラーパターン１６の位置にレジストでホールパターンを形成し、ホールパターンの穴径が小さくなるようスリミング加工（ホールパターンの外周に側壁膜などを形成する加工）を行う。このとき、ホールパターンのサイズや形成位置に基づいて、スリミング加工量を算出し、スリミング加工量を用いてスリミング加工を行う。そして、ホールパターン上からエッチングを行うことにより、配線パターン１１（線状パターン１０ｄ）の一部を楕円形の領域で分断する。

また、本実施の形態では、線状パターンが配線パターンである場合について説明したが、線状パターンはスペースパターンであってもよい。この場合、楕円形の上面を有したホールパターンの中心位置がエッチング抑制材２とエッチング抑制材２との間（１本の側壁パターン１の中心位置と略同じ位置）となるよう形成される。

具体的には、配線パターン１１を形成した後、配線パターン１１間をエッチング抑制材２などで埋め込む。この後、配線パターン１１上のピラーパターン１６の位置にレジストでホールパターンを形成し、ホールパターンの穴径が小さくなるようスリミング加工を行う。このとき、ホールパターンのサイズや形成位置に基づいて、スリミング加工量を算出し、スリミング加工量を用いてスリミング加工を行う。そして、ホールパターン上からエッチングを行うことにより、エッチング抑制材２の一部を楕円形の領域で分断する。さらに、楕円形の領域上から配線パターンを埋め込むことにより、配線パターン１１間を楕円形領域の配線パターンで接続する。これにより、１本のスペースパターンが楕円形領域の配線パターンで分断される。

また、本実施の形態では、ピラーパターン１５の上面が楕円形である場合について説明したが、ピラーパターン１５の上面は、正方形、長方形、平行四辺形、ひし形などの四角形でもよい。この場合、ピラーパターン１５は、側壁パターン１の短手方向のサイズの方が、側壁パターン１の長手方向のサイズよりも長くなるよう形成される。

また、ピラーパターン１５の上面は、５角形以上の多角形でもよい。この場合も、ピラーパターン１５は、側壁パターン１の短手方向のサイズの方が、側壁パターン１の長手方向のサイズよりも長くなるよう形成される。

このように第４の実施形態によれば、楕円形領域上にピラーパターン１６を形成し、ピラーパターン１６のサイズや形成位置に基づいて、所定量だけピラーパターン１６をスリミング加工するので、分断領域パターンとしてのピラーパターン１５を所望サイズで所望位置に容易に形成することができる。そして、ピラーパターン１５を用いて配線パターン１１を形成するので、途中で分断された線状パターン１０ｄを容易に精度良く形成することが可能となる。

このように第１〜第４の実施形態によれば、両隣が他の線状パターンによって挟まれた１〜複数本の線状パターンに対し、この１〜複数本の線状パターンが精度良く途中で分断されるよう各線状パターンを形成することが可能となる。

本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

１…側壁パターン、２…エッチング抑制材、３ｂ…直交ラインパターン、３ｃ，６ｂ，４Ｒ，７Ｒ…斜交ラインパターン、５ｂ，５ｄ，９…分断領域パターン、１０ａ〜１０ｄ…線状パターン、１１…配線パターン、１３…基板、１５，１６…ピラーパターン、２０ａ…芯材パターン。

Claims (11)

1. 平行方向に並ぶ複数の線状パターンを第１の平行線状パターンとして形成する第１の平行線状パターン形成ステップと、
   前記第１の平行線状パターンよりも上層側に前記第１の平行線状パターンに対して第１の斜交角度で配置される線状パターンを第１の斜交線状パターンとして形成する第１の斜交線状パターン形成ステップと、
   前記第１の平行線状パターンと前記第１の斜交線状パターンとが重なる領域のうちの１つの領域である第１の重なり領域上を通り、且つ前記第１の平行線状パターンに対して第２の斜交角度で配置される線状パターンを第２の斜交線状パターンとして形成する第２の斜交線状パターン形成ステップと、
   前記第１の斜交線状パターンと第２の斜交線状パターンとが重なる第２の重なり領域に、前記第１および第２の斜交線状パターンを用いてパターンを形成するパターン形成ステップと、
   前記第１の平行線状パターンを用いて形成される平行方向に並ぶ複数の第２の平行線状パターンが前記第２の重なり領域を介して分断され、且つ前記第２の重なり領域以外ではそれぞれの前記第２の平行線状パターンが途中で分断されないよう、前記第２の平行線状パターンを、前記パターンを用いて形成する第２の平行線状パターン形成ステップと、
   を含み、
   前記第１および第２の斜交角度の少なくとも一方は、直角以外の角度であり、
   前記第１の平行線状パターンは、側壁プロセスを用いて形成され、
   前記第１の平行線状パターンを形成する際には、前記第１の平行線状パターンのうちの隣接する２本の線状パターンを短手方向で接続する接続パターンを、前記パターンを形成する領域の一部と前記領域よりも外側の領域とを含むよう形成しておき、
   前記第２の平行線状パターンは、前記第２の重なり領域および前記接続パターンが形成される領域を介して分断されるよう形成され、
   前記第１および第２の平行線状パターンは、複数からなるラインパターン群である、
   ことを特徴とするパターン形成方法。
2. 平行方向に並ぶ複数の線状パターンを第１の平行線状パターンとして形成する第１の平行線状パターン形成ステップと、
   前記第１の平行線状パターンよりも上層側に前記第１の平行線状パターンに対して第１の斜交角度で配置される線状パターンを第１の斜交線状パターンとして形成する第１の斜交線状パターン形成ステップと、
   前記第１の平行線状パターンと前記第１の斜交線状パターンとが重なる領域のうちの１つの領域である第１の重なり領域上を通り、且つ前記第１の平行線状パターンに対して第２の斜交角度で配置される線状パターンを第２の斜交線状パターンとして形成する第２の斜交線状パターン形成ステップと、
   前記第１の斜交線状パターンと第２の斜交線状パターンとが重なる第２の重なり領域に、前記第１および第２の斜交線状パターンを用いてパターンを形成するパターン形成ステップと、
   前記第１の平行線状パターンを用いて形成される平行方向に並ぶ複数の第２の平行線状パターンが前記第２の重なり領域を介して分断され、且つ前記第２の重なり領域以外ではそれぞれの前記第２の平行線状パターンが途中で分断されないよう、前記第２の平行線状パターンを、前記パターンを用いて形成する第２の平行線状パターン形成ステップと、
   を含み、
   前記第１および第２の斜交角度の少なくとも一方は、直角以外の角度であることを特徴とするパターン形成方法。
3. 前記第１の平行線状パターンは、側壁プロセスを用いて形成されることを特徴とする請求項２に記載のパターン形成方法。
4. 前記第１の平行線状パターンを形成する際には、前記第１の平行線状パターンのうちの隣接する２本の線状パターンを短手方向で接続する接続パターンを、前記パターンを形成する領域の一部と前記領域よりも外側の領域とを含むよう形成しておき、
   前記第２の平行線状パターンは、前記第２の重なり領域および前記接続パターンが形成される領域を介して分断されるよう形成されることを特徴とする請求項３に記載のパターン形成方法。
5. 前記第１の斜交角度または前記第２の斜交角度は、直角であることを特徴とする請求項２または３に記載のパターン形成方法。
6. 前記第１および第２の平行線状パターンは、複数からなるラインパターン群であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１つに記載のパターン形成方法。
7. 前記第１および第２の平行線状パターンは、複数からなるスペースパターン群であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１つに記載のパターン形成方法。
8. 平行方向に並ぶ複数からなる線状パターンを第１の平行線状パターンとして形成する平行線状パターン形成ステップと、
   隣接する２本の前記第１の平行線状パターンで挟まれたパターン間領域と当該パターン間領域に隣接する２本の前記第１の平行線状パターンとを含むパターン間領域上に、楕円形の上面を有した柱状パターンを第１の楕円形パターンとして形成する楕円形パターン形成ステップと、
   前記第１の平行線状パターンが前記第１の楕円形パターンの形成される楕円形領域を介して分断され、且つ前記楕円形領域以外ではそれぞれの前記第１の平行線状パターンが途中で分断されないよう、前記第１の平行線状パターンを加工する平行線状パターン加工ステップと、
   を含むことを特徴とするパターン形成方法。
9. 前記楕円形パターン形成ステップは、
   前記第１の楕円形パターンよりも大きな第２の楕円形パターンを前記パターン間領域上に形成する第１の形成ステップと、
   前記第２の楕円形パターンに対するスリミング加工量を、前記第２の楕円形パターンの位置ずれ量に基づいて算出する算出ステップと、
   算出されたスリミング加工量で前記第２の楕円形パターンをスリミング加工することにより前記第１の楕円形パターンを形成する第２の形成ステップと、
   を有することを特徴とする請求項８に記載のパターン形成方法。
10. 前記柱状パターンは、ピラーパターンであることを特徴とする請求項７または８に記載のパターン形成方法。
11. 前記柱状パターンは、ホールパターンであることを特徴とする請求項７または８に記載のパターン形成方法。

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