KR102170119B1 - 검사 방법 및 장치, 및 리소그래피 장치 - Google Patents

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Abstract

하나 이상의 제품 피처들이 리소그래피 공정을 이용하여 형성된 기판의 이미지 특성을 보정하는 방법 및 연계된 검사 장치 방법이 개시된다. 상기 방법은, 상기 기판의 상기 이미지 특성의 오차를 측정하는 단계; 및 상기 제품 피처(들) 중 하나 이상의 특성 및 측정된 오차에 기초하여 상기 제품 피처들의 후속 형성에 대한 보정들을 결정하는 단계를 포함한다.

Description

검사 방법 및 장치, 및 리소그래피 장치{INSPECTION METHOD AND APPARATUS, AND LITHOGRAPHIC APPARATUS}
본 출원은 2014년 12월 18일에 출원된 유럽 특허 13198051.8의 이익을 주장하며, 이는 본 명세서에서 전문이 인용 참조된다.
본 발명은, 예를 들어 리소그래피 기술에 의한 디바이스 제조에 이용가능한 검사 방법에 관한 것이다.
리소그래피 장치는 기판 상에, 통상적으로는 기판의 타겟부 상에 원하는 패턴을 적용시키는 기계이다. 리소그래피 장치는, 예를 들어 집적 회로(IC)의 제조 시에 사용될 수 있다. 그 경우, 대안적으로 마스크 또는 레티클이라 칭하는 패터닝 디바이스가 IC의 개별층 상에 형성될 회로 패턴을 생성하기 위해 사용될 수 있다. 이 패턴은 기판(예컨대, 실리콘 웨이퍼) 상의 (예를 들어, 다이의 일부분, 한 개 또는 수 개의 다이를 포함하는) 타겟부 상으로 전사(transfer)될 수 있다. 패턴의 전사는 통상적으로 기판에 제공된 방사선-감응재(레지스트)층 상으로의 이미징(imaging)을 통해 수행된다. 일반적으로, 단일 기판은 연속하여 패터닝되는 인접한 타겟부들의 네트워크를 포함할 것이다. 알려진 리소그래피 장치는, 한번에 타겟부 상으로 전체 패턴을 노광함으로써 각각의 타겟부가 조사(irradiate)되는 소위 스테퍼, 및 방사선 빔을 통해 주어진 방향("스캐닝"-방향)으로 패턴을 스캐닝하는 한편, 이 방향과 평행한 방향(같은 방향으로 평행한 방향) 또는 역-평행 방향(반대 방향으로 평행한 방향)으로 기판을 동기적으로 스캐닝함으로써 각각의 타겟부가 조사되는 소위 스캐너를 포함한다. 또한, 기판 상에 패턴을 임프린트(imprint)함으로써 패터닝 디바이스로부터 기판으로 패턴을 전사할 수도 있다.
리소그래피 공정을 모니터링하기 위해, 패터닝된 기판의 파라미터들이 측정된다. 파라미터들은, 예를 들어 패터닝된 기판 내에 또는 기판 상에 형성된 연속한 층들 간의 오버레이 오차, 및 현상된 감광성 레지스트의 임계 선폭을 포함할 수 있다. 이 측정은 제품 기판(product substrate) 및/또는 지정된 메트롤로지 타겟(dedicated metrology target) 상에서 수행될 수 있다. 리소그래피 공정들에서 형성된 미세한 구조체들의 측정을 수행하기 위해, 주사 전자 현미경 및 다양한 특수 툴의 사용을 포함하는 다양한 기술들이 존재한다. 고속 및 비파괴(non-invasive) 형태의 특수 검사 툴은, 기판 표면의 타겟부 상으로 방사선 빔을 지향하여, 산란되거나 반사된 빔의 특성들을 측정하는 스캐터로미터(scatterometer)이다. 빔이 기판에 의해 반사되거나 산란된 전후에 빔의 특성들을 비교함으로써, 기판의 특성들이 결정될 수 있다. 이는, 예를 들어 알려진 기판 특성들과 연계된 알려진 측정들의 라이브러리에 저장된 데이터와 반사된 빔을 비교함으로써 수행될 수 있다. 스캐터로미터의 두 가지 주요 형태가 알려져 있다. 분광 스캐터로미터(spectroscopic scatterometer)는 기판 상으로 광대역 방사선 빔을 지향하고, 특정한 좁은 각도 범위로 산란되는 방사선의 스펙트럼(파장의 함수로서 세기)을 측정한다. 각도 분해 스캐터로미터(angularly resolved scatterometer)는 단색 방사선 빔(monochromatic radiation beam)을 사용하고, 각도의 함수로서 산란된 방사선의 세기를 측정한다.
시스템적 오차(systematic error)들이 리소그래피 공정들에 발생한다. 이러한 시스템적 오차들은 노광된 기판 상의 오차들에 자체적으로 나타날 수 있다. 이러한 오차들은 오버레이[층-대-층 정합(layer-to-layer registration)] 오차 및 임계 치수(최소 피처 크기) 오차를 포함한다. 이러한 오차들은 리소그래피 시스템의 파라미터들에 대하여 측정되고 모델링될 수 있다. 이 모델들은 추후 노광에서 시시스템적 오차들을 최소화하는 시스템 파라미터들에 대한 보정들을 제공하는 데 사용될 수 있다.
시스템적 오차들을 최소화하기 위해 사용될 수 있는 개선된 보정들을 제공하는 방법을 제공하는 것이 바람직하다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 하나 이상의 제품 피처들이 리소그래피 공정을 이용하여 형성된 기판의 이미지 특성을 보정하는 방법이 제공되고, 상기 방법은, 상기 기판의 상기 이미지 특성의 오차를 측정하는 단계; 및 상기 제품 피처(들) 중 하나 이상의 특성 및 측정된 오차에 기초하여 상기 제품 피처들의 후속 형성에 대한 보정들을 결정하는 단계를 포함한다.
본 발명의 또 다른 실시형태에 따르면, 하나 이상의 제품 피처들이 리소그래피 공정을 이용하여 형성된 기판을 검사하는 검사 장치가 제공되고, 상기 장치는, 기판의 이미지 특성의 오차를 측정하고, 상기 제품 피처(들) 중 하나 이상의 특성 및 측정된 오차에 기초하여 상기 제품 피처들의 후속 형성에 대한 보정들을 결정하도록 작동가능하다.
이하, 대응하는 참조 부호들이 대응하는 부분들을 나타내는 첨부된 개략적인 도면들을 참조하여, 단지 예시의 방식으로만 본 발명의 실시예들을 설명할 것이다:
- 도 1은 리소그래피 장치를 도시하는 도면;
- 도 2는 리소그래피 셀 또는 클러스터(cluster)를 도시하는 도면;
- 도 3은 제 1 스캐터로미터를 도시하는 도면;
- 도 4는 제 2 스캐터로미터를 도시하는 도면;
- 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 보정 방법을 도시하는 흐름도; 및
- 도 6은 (a) 완벽한 경우의, (b) 알려진 보정 방법에 따른, (c) 본 발명의 일 실시예에 따른 보정 방법에 따른, 컨택 홀(contact hole)들과 정렬된 경사진 타겟 영역들을 도시한다.
도 1은 리소그래피 장치를 개략적으로 도시한다. 이 장치는:
- 방사선 빔(B)(예를 들어, UV 방사선 또는 DUV 방사선)을 컨디셔닝(condition)하도록 구성된 조명 시스템(일루미네이터)(IL);
- 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA)를 지지하도록 구성되고, 소정 파라미터들에 따라 패터닝 디바이스를 정확히 위치시키도록 구성된 제 1 위치설정기(PM)에 연결된 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT);
- 기판(예를 들어, 레지스트-코팅된 웨이퍼)(W)을 유지하도록 구성되고, 소정 파라미터들에 따라 기판을 정확히 위치시키도록 구성된 제 2 위치설정기(PW)에 연결된 기판 테이블(예를 들어, 웨이퍼 테이블)(WT); 및
- 기판(W)의 (예를 들어, 하나 이상의 다이를 포함하는) 타겟부(C) 상으로 패터닝 디바이스(MA)에 의해 방사선 빔(B)에 부여된 패턴을 투영하도록 구성된 투영 시스템(예를 들어, 굴절 투영 렌즈 시스템)(PL)을 포함한다.
조명 시스템은 방사선을 지향, 성형, 또는 제어하기 위하여, 굴절, 반사, 자기, 전자기, 정전기 또는 다른 타입의 광학 구성요소들, 또는 여하한의 그 조합과 같은 다양한 타입들의 광학 구성요소들을 포함할 수 있다.
지지 구조체는 패터닝 디바이스를 지지, 즉 그 무게를 견딘다. 이는 패터닝 디바이스의 방위, 리소그래피 장치의 디자인, 및 예를 들어 패터닝 디바이스가 진공 환경에서 유지되는지의 여부와 같은 다른 조건들에 의존하는 방식으로 패터닝 디바이스를 유지한다. 지지 구조체는 패터닝 디바이스를 유지하기 위해 기계적, 진공, 정전기, 또는 다른 클램핑 기술들을 이용할 수 있다. 지지 구조체는, 예를 들어 필요에 따라 고정되거나 이동가능할 수 있는 프레임 또는 테이블일 수 있다. 지지 구조체는, 패터닝 디바이스가 예를 들어 투영 시스템에 대해 원하는 위치에 있을 것을 보장할 수 있다. 본 명세서의 "레티클" 또는 "마스크"라는 용어의 어떠한 사용도 "패터닝 디바이스"라는 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수 있다.
본 명세서에서 사용되는 "패터닝 디바이스"라는 용어는, 기판의 타겟부에 패턴을 생성하기 위해서, 방사선 빔의 단면에 패턴을 부여하는 데 사용될 수 있는 여하한의 디바이스를 언급하는 것으로 폭넓게 해석되어야 한다. 방사선 빔에 부여된 패턴은, 예를 들어 패턴이 위상-시프팅 피처(phase-shifting feature) 또는 소위 어시스트 피처(assist feature)들을 포함하는 경우, 기판의 타겟부 내의 원하는 패턴과 정확히 대응하지 않을 수도 있다는 것을 유의하여야 한다. 일반적으로, 방사선 빔에 부여된 패턴은 집적 회로와 같이 타겟부에 생성될 디바이스 내의 특정 기능 층에 대응할 것이다.
패터닝 디바이스는 투과형 또는 반사형일 수 있다. 패터닝 디바이스의 예로는 마스크, 프로그램가능한 거울 어레이, 및 프로그램가능한 LCD 패널들을 포함한다. 마스크는 리소그래피 분야에서 잘 알려져 있으며, 바이너리(binary)형, 교번 위상-시프트형 및 감쇠 위상-시프트형과 같은 마스크 타입, 및 다양한 하이브리드(hybrid) 마스크 타입들을 포함한다. 프로그램가능한 거울 어레이의 일 예시는 작은 거울들의 매트릭스 구성을 채택하며, 그 각각은 입사하는 방사선 빔을 상이한 방향으로 반사시키도록 개별적으로 기울어질 수 있다. 기울어진 거울들은 거울 매트릭스에 의해 반사되는 방사선 빔에 패턴을 부여한다.
본 명세서에서 사용되는 "투영 시스템"이라는 용어는, 사용되는 노광 방사선에 대하여, 또는 침지 액체의 사용 또는 진공의 사용과 같은 다른 인자들에 대하여 적절하다면, 굴절, 반사, 카타디옵트릭, 자기, 전자기 및 정전기 광학 시스템, 또는 여하한의 그 조합을 포함하는 여하한 타입의 투영 시스템을 내포하는 것으로서 폭넓게 해석되어야 한다. 본 명세서의 "투영 렌즈"라는 용어의 어떠한 사용도 "투영 시스템"이라는 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수 있다.
본 명세서에 도시된 바와 같이, 장치는 (예를 들어, 투과 마스크를 채택하는) 투과형으로 구성된다. 대안적으로, 장치는 (예를 들어, 앞서 언급된 바와 같은 타입의 프로그램가능한 거울 어레이를 채택하거나, 반사 마스크를 채택하는) 반사형으로 구성될 수 있다.
리소그래피 장치는 2 개(듀얼 스테이지) 이상의 기판 테이블(및/또는 2 이상의 마스크 테이블)을 갖는 형태로 구성될 수 있다. 이러한 "다수 스테이지" 기계에서는 추가 테이블이 병행하여 사용될 수 있거나, 하나 이상의 테이블이 노광에 사용되고 있는 동안 하나 이상의 다른 테이블에서는 준비작업 단계가 수행될 수 있다.
또한, 리소그래피 장치는 투영 시스템과 기판 사이의 공간을 채우기 위해서, 기판의 적어도 일부분이 비교적 높은 굴절률을 갖는 액체, 예컨대 물로 덮일 수 있는 형태로도 구성될 수 있다. 또한, 침지 액체는 리소그래피 장치 내의 다른 공간들, 예를 들어 마스크와 투영 시스템 사이에도 적용될 수 있다. 침지 기술은 투영 시스템의 개구수를 증가시키는 기술로 당업계에 잘 알려져 있다. 본 명세서에서 사용되는 "침지"라는 용어는 기판과 같은 구조체가 액체 내에 담그어져야 함을 의미하는 것이라기보다는, 노광 시 액체가 투영 시스템과 기판 사이에 놓이기만 하면 된다는 것을 의미한다.
도 1을 참조하면, 일루미네이터(IL)는 방사선 소스(SO)로부터 방사선 빔을 수용한다. 예를 들어, 소스가 엑시머 레이저(excimer laser)인 경우, 소스 및 리소그래피 장치는 별도의 개체일 수 있다. 이러한 경우, 소스는 리소그래피 장치의 일부분을 형성하는 것으로 간주되지 않으며, 방사선 빔은 예를 들어 적절한 지향 거울 및/또는 빔 익스팬더(beam expander)를 포함하는 빔 전달 시스템(BD)의 도움으로, 소스(SO)로부터 일루미네이터(IL)로 통과된다. 다른 경우, 예를 들어 소스가 수은 램프인 경우, 소스는 리소그래피 장치의 통합부일 수 있다. 소스(SO) 및 일루미네이터(IL)는, 필요에 따라 빔 전달 시스템(BD)과 함께 방사선 시스템이라고도 칭해질 수 있다.
일루미네이터(IL)는 방사선 빔의 각도 세기 분포를 조정하는 조정기(AD)를 포함할 수 있다. 일반적으로, 일루미네이터의 퓨필 평면의 세기 분포의 적어도 외반경 및/또는 내반경 크기(통상적으로, 각각 외측-σ 및 내측-σ라 함)가 조정될 수 있다. 또한, 일루미네이터(IL)는 인티그레이터(integrator: IN) 및 콘덴서(condenser: CO)와 같이, 다양한 다른 구성요소들을 포함할 수도 있다. 일루미네이터는 방사선 빔의 단면에 원하는 균일성(uniformity) 및 세기 분포를 갖기 위해, 방사선 빔을 컨디셔닝하는 데 사용될 수 있다.
방사선 빔(B)은 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT)에 유지되어 있는 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA)에 입사되며, 패터닝 디바이스에 의해 패터닝된다. 마스크(MA)를 가로질렀으면, 방사선 빔(B)은 투영 시스템(PL)을 통과하며, 이는 기판(W)의 타겟부(C) 상에 빔을 포커스한다. 제 2 위치설정기(PW) 및 위치 센서(IF)[예를 들어, 간섭계 디바이스(interferometric device), 리니어 인코더(linear encoder), 2-D 인코더(2-D encoder) 또는 용량성 센서(capacitive sensor)]의 도움으로, 기판 테이블(WT)은 예를 들어 방사선 빔(B)의 경로에 상이한 타겟부(C)들을 위치시키도록 정확하게 이동될 수 있다. 이와 유사하게, 제 1 위치설정기(PM) 및 (도 1에 명확히 도시되지 않은) 또 다른 위치 센서는, 예를 들어 마스크 라이브러리(mask library)로부터의 기계적인 회수 후에, 또는 스캔하는 동안, 방사선 빔(B)의 경로에 대해 마스크(MA)를 정확히 위치시키는 데 사용될 수 있다. 일반적으로, 마스크 테이블(MT)의 이동은 장-행정 모듈(long-stroke module: 개략 위치설정) 및 단-행정 모듈(short-stroke module: 미세 위치설정)의 도움으로 실현될 수 있으며, 이는 제 1 위치설정기(PM)의 일부분을 형성한다. 이와 유사하게, 기판 테이블(WT)의 이동은 장-행정 모듈 및 단-행정 모듈을 이용하여 실현될 수 있으며, 이는 제 2 위치설정기(PW)의 일부분을 형성한다. (스캐너와는 대조적으로) 스테퍼의 경우, 마스크 테이블(MT)은 단-행정 액추에이터에만 연결되거나 고정될 수 있다. 마스크(MA) 및 기판(W)은 마스크 정렬 마크들(M1 및 M2) 및 기판 정렬 마크들(P1 및 P2)을 이용하여 정렬될 수 있다. 비록, 예시된 기판 정렬 마크들은 지정된(dedicated) 타겟부들을 차지하고 있지만, 그들은 타겟부들 사이의 공간들에 위치될 수도 있다[이들은 스크라이브-레인 정렬 마크(scribe-lane alignment mark)들로 알려져 있음]. 이와 유사하게, 마스크(MA)에 하나 이상의 다이가 제공되는 상황들에서, 마스크 정렬 마크들은 다이들 사이에 위치될 수 있다.
도시된 장치는 다음 모드들 중 적어도 하나에서 사용될 수 있다:
1. 스텝 모드에서, 마스크 테이블(MT) 및 기판 테이블(WT)은 기본적으로 정지 상태로 유지되는 한편, 방사선 빔에 부여된 전체 패턴은 한번에 타겟부(C) 상에 투영된다[즉, 단일 정적 노광(single static exposure)]. 그 후, 기판 테이블(WT)은 상이한 타겟부(C)가 노광될 수 있도록 X 및/또는 Y 방향으로 시프트된다. 스텝 모드에서, 노광 필드의 최대 크기는 단일 정적 노광 시에 이미징되는 타겟부(C)의 크기를 제한한다.
2. 스캔 모드에서, 마스크 테이블(MT) 및 기판 테이블(WT)은 방사선 빔에 부여된 패턴이 타겟부(C) 상에 투영되는 동안에 동기적으로 스캐닝된다[즉, 단일 동적 노광(single dynamic exposure)]. 마스크 테이블(MT)에 대한 기판 테이블(WT)의 속도 및 방향은 투영 시스템(PL)의 확대(축소) 및 이미지 반전 특성에 의하여 결정될 수 있다. 스캔 모드에서, 노광 필드의 최대 크기는 단일 동적 노광 시 타겟부의 (스캐닝 되지 않는 방향으로의) 폭을 제한하는 반면, 스캐닝 동작의 길이는 타겟부의 (스캐닝 방향으로의) 높이를 결정한다.
3. 또 다른 모드에서, 마스크 테이블(MT)은 프로그램가능한 패터닝 디바이스를 유지하여 기본적으로 정지된 상태로 유지되며, 방사선 빔에 부여된 패턴이 타겟부(C) 상에 투영되는 동안 기판 테이블(WT)이 이동되거나 스캐닝된다. 이 모드에서는, 일반적으로 펄스화된 방사선 소스(pulsed radiation source)가 채택되며, 프로그램가능한 패터닝 디바이스는 기판 테이블(WT)의 매 이동 후, 또는 스캔 중에 계속되는 방사선 펄스 사이사이에 필요에 따라 업데이트된다. 이 작동 모드는 앞서 언급된 바와 같은 타입의 프로그램가능한 거울 어레이와 같은 프로그램가능한 패터닝 디바이스를 이용하는 마스크없는 리소그래피(maskless lithography)에 용이하게 적용될 수 있다.
또한, 상술된 사용 모드들의 조합 및/또는 변형, 또는 완전히 다른 사용 모드들이 채택될 수도 있다.
도 2에 도시된 바와 같이, 리소그래피 장치(LA)는 때때로 리소셀(lithocell) 또는 클러스터라고도 칭해지는 리소그래피 셀(LC)의 일부분을 형성하며, 이는 기판에 전-노광(pre-exposure) 및 후-노광(post-exposure) 공정들을 수행하는 장치를 포함한다. 통상적으로, 이들은 레지스트 층들을 증착시키는 스핀 코터(spin coater: SC), 노광된 레지스트를 현상하는 디벨로퍼(developer: DE), 칠 플레이트(chill plate: CH) 및 베이크 플레이트(bake plate: BK)를 포함한다. 기판 핸들러 또는 로봇(RO)이 입력/출력 포트들(I/O1, I/O2)로부터 기판들을 집어올리고, 기판들을 상이한 공정 장치들 사이로 이동시킨 후, 리소그래피 장치의 로딩 베이(loading bay: LB)로 전달한다. 흔히 집합적으로 트랙이라고도 하는 이러한 디바이스들은, 리소그래피 제어 유닛(LACU)을 통해 리소그래피 장치를 제어하는 감독 제어 시스템(supervisory control system: SCS)에 의해 자체 제어되는 트랙 제어 유닛(TCU)의 제어를 받는다. 따라서, 스루풋과 처리 효율성을 최대화하기 위해 상이한 장치가 작동될 수 있다.
리소그래피 장치에 의해 노광되는 기판들이 정확하고 일관성있게(consistently) 노광되기 위해서는, 후속한 층들 간의 오버레이 오차, 라인 두께, 임계 치수(CD) 등과 같은 특성들을 측정하도록 노광된 기판들을 검사하는 것이 바람직하다. 오차가 검출되는 경우, 특히 검사가 동일한 뱃치(batch)의 다른 기판들이 여전히 노광되도록 충분히 빠르게 행해질 수 있다면, 후속한 기판들의 노광에 대해 조정이 수행될 수 있다. 또한, 이미 노광된 기판들은 벗겨지고 재가공되어 - 수율을 개선하거나 - 폐기될 수 있음에 따라, 결함이 있다고 알려진 기판들에 노광을 수행하지 않는다. 기판의 몇몇 타겟부들에만 결함이 있는 경우, 양호한 타겟부들에만 추가 노광이 수행될 수 있다.
기판들의 특성을 결정하고, 특히 상이한 기판들 또는 동일한 기판의 상이한 층들의 특성들이 층에서 층으로 어떻게 변하는지를 결정하기 위해, 검사 장치가 사용된다. 검사 장치는 리소그래피 장치(LA) 또는 리소셀(LC) 안으로 통합될 수 있거나, 독립형 디바이스(stand alone device)일 수 있다. 가장 신속한 측정을 가능하게 하기 위하여, 검사 장치는 노광 직후에 노광된 레지스트 층의 특성들을 측정하는 것이 바람직하다. 하지만, 레지스트의 잠상(latent image)은 매우 낮은 콘트라스트(contrast)를 갖고 - 방사선에 노출된 레지스트 부분들과 방사선에 노출되지 않은 레지스트 부분들 사이에는 매우 작은 굴절률 차이만이 존재함 -, 모든 검사 장치가 잠상의 유용한 측정을 행할만큼 충분한 민감도를 갖는 것은 아니다. 그러므로, 레지스트의 노광된 부분들과 노광되지 않은 부분들 사이의 콘트라스트를 증가시키며, 통상적으로 노광된 기판들에 수행되는 제 1 단계인 후-노광 베이크(PEB) 단계 이후에 측정들이 행해질 수 있다. 이 스테이지에서, 레지스트의 이미지는 반-잠상(semi-latent)이라고 칭해질 수 있다. 또한, - 레지스트의 노광된 부분들 또는 노광되지 않은 부분들이 제거된 시점에 - 또는 에칭과 같은 패턴 전사 단계 후에, 현상된 레지스트 이미지의 측정을 수행할 수도 있다. 후자의 가능성은 결함이 있는 기판들의 재작업 가능성을 제한하지만, 여전히 유용한 정보를 제공할 수 있다.
도 3은 본 발명에서 사용될 수 있는 스캐터로미터를 도시한다. 이는 기판(W) 상으로 방사선을 투영하는 광대역(백색 광) 방사선 투영기(2)를 포함한다. 반사된 방사선은 정반사된 방사선(specular reflected radiation)의 스펙트럼(10)(파장의 함수로서 세기)을 측정하는 분광계 검출기(spectrometer detector: 4)로 통과된다. 이 데이터로부터, 검출된 스펙트럼을 발생시킨 구조 또는 프로파일이 처리 유닛(PU)에 의해, 예를 들어 RCWA(Rigorous Coupled Wave Analysis) 및 비-선형 회귀(non-linear regression)에 의해, 또는 도 3의 아래에 도시된 시뮬레이션된 스펙트럼의 라이브러리와의 비교에 의해 재구성될 수 있다. 일반적으로, 재구성을 위해 구조체의 일반적인 형태가 알려지며, 스캐터로메트리 데이터로부터 결정될 구조체의 소수의 파라미터들만을 제외하고는, 구조체가 만들어진 공정의 정보로부터 몇몇 파라미터들이 가정된다. 이러한 스캐터로미터는 수직 입사 스캐터로미터(normal-incidence scatterometer) 또는 사선 입사 스캐터로미터(oblique-incidence scatterometer)로서 구성될 수 있다.
본 발명과 함께 사용될 수 있는 또 다른 스캐터로미터가 도 4에 도시된다. 이 디바이스에서, 방사선 소스(2)에 의해 방출된 방사선은 렌즈 시스템(12)을 이용하여 시준되고, 간섭 필터(interference filter: 13) 및 편광기(polarizer: 17)를 통해 전달되며, 부분 반사 표면(16)에 의해 반사되고, 바람직하게는 적어도 0.9, 더 바람직하게는 적어도 0.95의 높은 개구수(NA)를 갖는 현미경 대물 렌즈(15)를 통해 기판(W) 상으로 포커스된다. 침지 스캐터로미터는 심지어 개구수가 1보다 큰 렌즈들을 가질 수 있다. 그 후, 산란 스펙트럼이 검출되게 하기 위해, 반사된 방사선은 부분 반사 표면(16)을 통해 검출기(18) 안으로 투과된다. 검출기는 렌즈 시스템(15)의 초점 길이에 있는 후방-투영된(back-projected) 퓨필 평면(11)에 위치될 수 있지만, 그 대신 퓨필 평면은 보조 광학기(도시되지 않음)를 이용하여 검출기 상에 재-이미징(re-image)될 수 있다. 퓨필 평면은, 방사선의 반경방향 위치(radial position)가 입사각을 정의하고 각도 위치가 방사선의 방위각(azimuth angle)을 정의하는 평면이다. 검출기는 기판 타겟(30)의 2-차원 각도 산란 스펙트럼이 측정될 수 있도록 2-차원 검출기인 것이 바람직하다. 검출기(18)는, 예를 들어 CCD 또는 CMOS 센서들의 어레이일 수 있으며, 예를 들어 프레임당 40 밀리초(millisecond)의 통합 시간(integration time)을 이용할 수 있다.
예를 들어, 입사 방사선의 세기를 측정하기 위해, 흔히 기준 빔이 사용된다. 이를 행하기 위하여, 방사선 빔이 빔 스플리터(16)에 입사될 때, 그 일부분이 기준 빔으로서 빔 스플리터를 통해 기준 거울(14)로 투과된다. 그 후, 기준 빔은 동일한 검출기(18)의 상이한 부분 상으로, 또는 대안적으로 상이한 검출기(도시되지 않음) 상으로 투영된다.
가령 405 내지 790 nm의 범위, 또는 200 내지 300 nm와 같이 훨씬 낮은 범위에서 관심 파장(wavelength of interest)을 선택하기 위해, 간섭 필터들(13)의 세트가 이용될 수 있다. 간섭 필터는 상이한 필터들의 세트를 포함하기보다는 조절가능(tunable)할 수 있다. 간섭 필터들 대신에, 격자가 사용될 수 있다.
검출기(18)는 단파장(또는 협파장 범위)에서의 산란 광의 세기, 다수 파장들에서의 별도 세기, 또는 파장 범위에 걸쳐 통합된 세기를 측정할 수 있다. 또한, 검출기는 횡자기(transverse magnetic)- 및 횡전기(transverse electric)-편광의 세기, 및/또는 횡자기- 및 횡전기-편광 간의 위상차를 따로 측정할 수 있다.
광대역 광 소스(즉, 광범위한 광 주파수들 또는 파장들 - 및 이에 따른 컬러들을 갖는 광 소스)를 이용할 수 있으며, 이는 넓은 에텐듀(etendue)를 제공하여 다수 파장들의 혼합(mixing)을 허용한다. 광대역에서의 복수의 파장들은, 바람직하게는 각각 Δλ의 대역폭 및 적어도 2Δλ(즉, 대역폭의 두 배) 이상의 간격을 갖는다. 방사선의 수 개의 "소스들"은 섬유 다발(fiber bundle)을 이용하여 분할(split)되었던 연장된 방사선 소스의 상이한 부분들일 수 있다. 이러한 방식으로, 각도 분해된 산란 스펙트럼들이 다수 파장들에서 병렬로(in parallel) 측정될 수 있다. 2-D 스펙트럼보다 더 많은 정보를 포함하는 3-D 스펙트럼(파장 및 2 개의 상이한 각도들)이 측정될 수 있다. 이는 메트롤로지 프로세스 견고성(metrology process robustness)을 증가시키는 더 많은 정보가 측정되게 한다. 이는 EP1,628,164A에서 더 상세히 설명되어 있다.
기판(W)의 타겟(30)은 현상 이후에 바아(bar)들이 솔리드 레지스트 라인들(solid resist lines)로 형성되도록 프린트되는 주기적인 1-D 격자일 수 있다. 타겟(30)은 현상 이후에 격자가 레지스트 내에 솔리드 레지스트 필라(pillar) 또는 비아(via)들로 형성되도록 프린트되는 2-D 격자일 수 있다. 대안적으로, 바아, 필라 또는 비아들은 기판 내로 에칭될 수 있다. 이 패턴은 리소그래피 투영 장치, 특히 투영 시스템(PL)의 색수차(chromatic aberrations) 및 조명 대칭성에 민감하며, 이러한 수차들의 존재는 프린트된 격자의 변동에서 자체적으로 나타날 것이다. 따라서, 프린트된 격자의 스캐터로메트리 데이터가 격자들을 재구성하는 데 사용된다. 프린팅 단계 및/또는 다른 스캐터로메트리 공정들의 지식으로부터, 라인 폭 및 형상과 같은 1-D 격자의 파라미터들, 또는 필라나 비아의 폭 또는 길이 또는 형상과 같은 2-D 격자의 파라미터들이 처리 유닛(PU)에 의해 수행되는 재구성 프로세스에 입력될 수 있다.
앞서 설명된 바와 같이, 타겟은 기판의 표면 상에 있다. 이 타겟은 흔히 2-D 어레이로 실질적으로 직사각형인 구조체들 또는 격자들 내에서 일련의 라인들의 형상을 취할 것이다. 메트롤로지에서의 엄밀한 광학 회절 이론(rigorous optical diffraction theory)들의 목적은, 사실상 타겟으로부터 반사되는 회절 스펙트럼의 계산이다. 다시 말하면, CD(임계 치수) 균일성 및 오버레이 메트롤로지에 대하여 타겟 형상 정보가 얻어진다. 오버레이 메트롤로지는, 기판 상의 두 층들이 정렬되는지의 여부를 결정하기 위해 두 타겟들의 오버레이가 측정되는 측정 시스템이다. CD 균일성은 단순히 리소그래피 장치의 노광 시스템이 어떻게 기능하고 있는지를 결정하는 스펙트럼에 대한 격자의 균일성의 측정이다. 구체적으로, CD 또는 임계 치수는 기판 상에 "기록되는(written)" 대상물의 폭이며, 리소그래피 장치가 기판 상에 물리적으로 기록할 수 있는 한계이다.
타겟(30) 및 그 회절 특성들과 같은 타겟 구조체의 모델링과 조합하여 앞서 설명된 스캐터로메트리들 중 하나를 이용함으로써, 이미지 특성들의 측정이 다수의 방식들로 수행될 수 있다. 이러한 측정들은 이러한 이미지 특성들의 시스템적 오차들을 보정하는 데 사용될 수 있다. 이러한 보정들이 만들어지는 이미지 특성들은 (앞서 설명된 바와 같은) CD 및/또는 오버레이, 및/또는 리소그래피 공정의 다른 이미지 특성을 포함할 수 있다.
이러한 방법은 다음의 단계들을 포함할 수 있다:
1) 테스트 노광을 수행하는 단계. 테스트 노광은 다수의 타겟들을 포함할 수 있고, 각각은 x 및 y로 이미지 특성 오차를 갖는다. 이 오차는 각각의 타겟에 대해 측정된다. 테스트 노광은 보정들을 결정하기 위해 특정적으로 수행되는 노광일 수 있다. 대안적으로, 이전에 노광된 생산 로트(production lot)들로부터의 측정 데이터가 (자동화된 피드백 루프에서) 후속 로트들에 대한 보정들을 결정하는 데 사용될 수 있다.
2) 시스템 모델을 정의하는 단계. 모델은 하나 이상의 시스템 파라미터들의 함수로서 다음 노광 중에 타겟에서 오차를 나타낼 수 있다.
3) 다음 노광에 대한 최적의 보정을 유도하는 최적의 시스템 파라미터를 추산(estimate)하는 단계. 이는 시스템 모델로부터 도출되는 비용 함수(cost function)의 최소화에 의해 수행될 수 있다.
4) 추후 노광에 최적의 시스템 파라미터들을 이용하는 단계.
도 5는 제품 피처: 즉, 리소그래피 공정에 의해 제조되는 제품의 피처의 특성을 고려함으로써 상기의 방법을 넘어서는 개선된 방법을 나타내는 흐름도이다.
단계 500에서, 테스트 노광이 수행된다. 테스트 노광은 (가능하게는 매트릭스로) N 개의 타겟들을 포함할 수 있고, 이에 의해 각각의 타겟은 (x 및 y로) 이미지 특성 오차 E n (m)을 갖는다. 이 오차는 N 개의 측정된 벡터들의 세트를 산출하는 각각의 타겟에 대해 측정될 수 있고:
Figure 112018077279342-pat00001
여기서, En (m) x는 E n (m)의 x 성분이고, En (m) y는 E n (m)의 y 성분이다.
특정 실시예에서, 측정된 오차들은 오버레이 오차들 E n ( OVL,m ) 및/또는 CD 오차들 E n ( CD,m )을 포함할 수 있으며, 다음과 같다:
Figure 112018077279342-pat00002
이전과 같이, 특정 테스트 노광 대신에, 이전에 노광된 생산 로트들로부터의 측정 데이터가 사용될 수 있다.
단계 510에서, 모델이 E n (P)로 정의되고, 이는 적어도 하나의 시스템 파라미터 P의 함수로서 다음 노광 시 타겟 N에서의 오차 En을 나타낸다. 시스템 파라미터 P는 (예를 들어) 렌즈에 대한 k1 조정 파라미터들 및 [서보 시스템(servo system)과 같은] 동역학(dynamics)에 대한 k2 조정 파라미터들을 포함한다. 일반적으로: k1 + k2 << N.
오버레이 및/또는 CD를 보정하는 특정한 실시예에 대하여, 모델들은 다음과 같다:
오버레이 오차들: E n ( OVL ) (P), 파라미터들 P=[P1,...,PK];
CD 오차들: E n (CD) (P), 파라미터들 P=[P1,...,PK].
단계 520에서, 제품 피처 특성들이 평가되고, 모델에 대한 가중 인자(weight factors: W n)들로 바뀐다(translate). 제품 피처 특성들은 (예를 들어) 요소(예컨대, 라인, 영역 또는 구조)의 방향 또는 각도, 요소의 위치, 또는 제품 내의 특정 영역들과 관련된 여하한의 피처를 포함할 수 있다. 또한, 가중 인자들은 바람직한 특성들, 예컨대 툴의 한계로 인한 바람직한 특성들을 고려할 수 있다. 예를 들면, 리소그래피 장치는 일 방향(예를 들어, x 방향)으로 더 제한된 보정 능력(correction capability)을, 다른 방향(예를 들어, y 방향)에 비해 가질 수 있다. 가중 인자들은 y 방향으로의 보정들을 선호함으로써 이 단계 동안 이를 고려할 수 있다. 명백하게, 단계 520은 이 방법의 다른 단계들보다 미리 수행될 수 있다.
오버레이 및 CD에 대한 특정 참조로, 가중 인자들 W n ( OVL ) 및 W n (CD)가 제품 피처 특성들 및 바람직한 특성들로부터 결정된다.
단계 530에서, 다음 노광에 대한 최적의 이미지 특성 보정을 유도하는 시스템 파라미터(P)에 대해 추산치가 만들어진다. 최적의 보정은 비용 함수에 따른 최소 총 오차를 제공하기 위해 계산된 보정일 수 있다. 비용 함수는 단계 520에서 계산된 가중 인자들을 포함한다. 이러한 방식으로, 제품 피처 특성이 추산 시 고려된다.
예를 들어, 비용 함수 J min(Popt)의 최소치를 산출하는 P의 값을 계산하기 위해:
Figure 112018077279342-pat00003
일 실시예에서, 비용 함수는 최소 제곱 알고리즘(least squares algorithm)으로 실현될 수 있다:
Figure 112018077279342-pat00004
오버레이 및 CD의 특정 예시들을 다시 한번 고려하고, 둘 모두에 대해 함께 최소화하면(개개의 최소화가 가능함), 비용 함수는 다음과 같다:
Figure 112018077279342-pat00005
단계 540에서, 계산된 최적의 시스템 파라미터들은 다음 또는 추후 노광 시 사용된다.
가중 인자로 바뀔 수 있는 제품 피처 특성의 일 예시는 제품 피처의 각도 및/또는 형상과 관련된 특성일 수 있으며; 예를 들어 오버레이 보정들에서 제품 피처에 대한 후속 피처들의 정렬을 돕기 위함이다. 매우 특정한 예시에서, 제품 피처는 x 및 y 방향들에 대해 경사진 타겟 영역을 포함할 수 있고, 제품 피처 특성은 이 경사의 각도일 수 있다. 이러한 경사진 타겟 영역들은 특정 DRAM(dynamic random access memory) 구조체들에서 발견될 수 있다.
도 6은 이러한 경사진 타겟 영역 구조체를 예시한다. 이는 게이트 라인들(620) 사이에 경사진 타겟 영역들(610)을 포함하고, (x-축에 대해) 각도 φ로 경사진다. 각각의 경사진 타겟 영역(610) 상에 컨택 홀(630)이 존재한다. 경사진 타겟 영역(610)은 메모리 구조체에 대한 활성 영역일 수 있으며, 이 위에 활성 영역과 비트라인을 연결시키기 위해 컨택 홀(630)이 프린트된다. 이러한 구조체에 대해, 컨택 홀(630)의 실제 위치는 그 경사진 타겟 영역(610)에 대한 위치보다 덜 중요하다. 주요 기준은 컨택 홀(630)과 경사진 타겟 영역(610)의 오버랩이 최대화되는 것이다[컨택 홀(630)이 2 개의 게이트 라인들(620) 중 하나에 너무 가깝게 치우치지 않도록 보장한다].
도 6(a)는 각각의 컨택 홀(630)이 그 대응하는 경사진 영역(610)의 중심에 정렬되고 0의 오버레이 오차로 게이트 라인들(620)의 각각에 대해 등거리인 이상적인 경우를 예시한다. 하지만, 이러한 이상적인 경우는 현실적이지 않다.
도 6(b)는 제품 피처 특성들에 기초하여 여하한의 가중 없이 오차 보정을 이용하는 것으로부터 얻어진 일 예시를 나타낸다. 그 결과로, 전체 필드에 걸쳐 오버레이 오차들에 대해 비용 함수가 최소화된다. 컨택 홀(630) 위치에 대한 보정들은 모든 방향들로 있고, 그러므로 컨택 홀(630) 및 경사진 타겟 영역(610)의 오버레이가 최적화되지 않는다.
도 6(c)는 본 발명의 일 실시예에 따른 방법이 사용된 일 예시를 나타낸다. 여기서, 오차들은 경사진 타겟 영역(610)에 수직인 방향으로 최소화되었고, 경사진 타겟 영역(610)에 평행한 방향으로의 오차들은 덜 임계적인 것으로 여겨진다. 이는 컨택 홀(630)이 경사진 타겟 영역(610)과 양호한 정합을 유지하도록 하는 경향을 유도한다. 이는 가중 인자 W n 을 적용함으로써 행해질 수 있으며, 이는 경사진 타겟 영역(610)에 수직인 방향으로 존재하는 여하한의 오차들을 유도하는 해결책들보다 경사진 타겟 영역(610)에 평행한 방향으로 존재하는 여하한의 오차들을 유도하는 비용 함수에 대한 해결책들을 선호한다. 가중 인자는 경사진 피처에 수직 및 수평 방향들로 좌표 변환을 적용함으로써 이를 달성할 수 있다:
Figure 112018077279342-pat00006
, 이때
Figure 112018077279342-pat00007
대안으로서 극좌표계(polar coordinate system)가 사용될 수 있다.
경사진 각도로부터 y 오프셋 프로파일을 도출하는 또 다른 방법은 측정된 x 잔차(residual)에 tan φ를 곱하는 단계를 포함할 수 있다.
대안적으로 또는 조합하여, 제품 피처 특성은 수 개의 구역들을 포함하는 프로파일과 관련될 수 있다. 이러한 구역들은 n에 의존적인 가중 인자를 만듦으로써 고려될 수 있으며, n은 구역들과 상호관련된다.
추가적으로, 가중 인자는 측정된 파라미터들에 의존적으로 만들어질 수 있다. 특정 필드 위치에서 측정된 CD가 더 큰 경우, 더 많은 오버레이 공차(overlay tolerance)가 그 위치에서 허용될 수 있다. 이는, En ( CD,m )이 더 큰 경우, Wn (ovl)이 비트를 더 작게 할 수 있음을 의미한다.
경사지지 않은 타겟 영역들에 대해서는 y 보정들로 x 오차들의 보상이 가능하지 않음을 유의한다. 하지만, 점 대신 선을 향한 최적화는 액추에이터들이 x 및 y 사이에 커플링을 갖는다면 여전히 유익할 수 있다. 이는 y 제어의 대가(expense)로 더 타이트한 제어 x를 허용할 것이다.
본 명세서에서는, IC 제조에 있어서 리소그래피 장치의 특정 사용예에 대하여 언급되지만, 본 명세서에 설명된 리소그래피 장치는 집적 광학 시스템, 자기 도메인 메모리용 안내 및 검출 패턴, 평판 디스플레이(flat-panel display), 액정 디스플레이(LCD), 박막 자기 헤드 등의 제조와 같이 다른 적용예들을 가질 수도 있음을 이해하여야 한다. 당업자라면, 이러한 대안적인 적용예와 관련하여, 본 명세서의 "웨이퍼" 또는 "다이"라는 용어의 어떠한 사용도 각각 "기판" 또는 "타겟부"라는 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수도 있음을 이해할 것이다. 본 명세서에서 언급되는 기판은 노광 전후에, 예를 들어 트랙(전형적으로, 기판에 레지스트 층을 도포하고 노광된 레지스트를 현상하는 툴), 메트롤로지 툴 및/또는 검사 툴에서 처리될 수 있다. 적용가능하다면, 이러한 기판 처리 툴과 다른 기판 처리 툴에 본 명세서의 기재 내용이 적용될 수 있다. 또한, 예를 들어 다층 IC를 생성하기 위하여 기판이 한번 이상 처리될 수 있으므로, 본 명세서에 사용되는 기판이라는 용어는 이미 여러번 처리된 층들을 포함한 기판을 칭할 수도 있다.
이상, 광학 리소그래피와 관련하여 본 발명의 실시예들의 특정 사용예를 언급하였지만, 본 발명은 다른 적용예들, 예를 들어 임프린트 리소그래피에 사용될 수 있으며, 본 명세서가 허용한다면 광학 리소그래피로 제한되지 않는다는 것을 이해할 것이다. 임프린트 리소그래피에서, 패터닝 디바이스의 토포그래피(topography)는 기판에 생성되는 패턴을 정의한다. 패터닝 디바이스의 토포그래피는 전자기 방사선, 열, 압력 또는 그 조합을 인가함으로써 레지스트가 경화되는 기판에 공급된 레지스트 층으로 가압될 수 있다. 패터닝 디바이스는 레지스트로부터 이동되고, 레지스트가 경화된 후에 그 안에 패턴을 남긴다.
본 명세서에서 사용된 "방사선" 및 "빔"이라는 용어는 이온 빔 또는 전자 빔과 같은 입자 빔뿐만 아니라, (예를 들어, 365, 355, 248, 193, 157 또는 126 nm, 또는 그 정도의 파장을 갖는) 자외(UV) 방사선 및 (예를 들어, 5 내지 20 nm 범위 내의 파장을 갖는) 극자외(EUV) 방사선을 포함하는 모든 형태의 전자기 방사선을 포괄한다.
본 명세서가 허용하는 "렌즈"라는 용어는, 굴절, 반사, 자기, 전자기 및 정전기 광학 구성요소들을 포함하는 다양한 형태의 광학 구성요소들 중 어느 하나 또는 그 조합으로 언급될 수 있다.
이상, 본 발명의 특정 실시예가 설명되었지만 본 발명은 설명된 것과 다르게 실시될 수 있다는 것을 이해할 것이다. 예를 들어, 본 발명은 앞서 개시된 바와 같은 방법을 구현하는 기계-판독가능한 명령어의 하나 이상의 시퀀스를 포함하는 컴퓨터 프로그램, 또는 이러한 컴퓨터 프로그램이 저장되어 있는 데이터 저장 매체(예를 들어, 반도체 메모리, 자기 또는 광학 디스크)의 형태를 취할 수 있다.
상기 서술내용은 예시를 위한 것이지, 제한하려는 것이 아니다. 따라서, 당업자라면 아래에 설명되는 청구항들의 범위를 벗어나지 않고 서술된 본 발명에 대한 변형예가 행해질 수도 있음을 이해할 것이다.

Claims (11)

  1. 하나 이상의 제품 피처들이 리소그래피 공정을 이용하여 형성된 기판의 이미지 특성을 보정하는 방법에 있어서,
    상기 기판의 상기 이미지 특성의 측정된 오차를 획득하는 단계;
    하나 이상의 제품 피처(들)의 특성 및 상기 측정된 오차에 기초하여 상기 제품 피처들의 후속 형성에 대한 보정들을 결정하는 단계;
    상기 제품 피처 특성에 기초하여 하나 이상의 가중 인자(weight factor)들을 계산하는 단계; 및
    상기 제품 피처(들)의 후속 형성에 대한 상기 보정들을 결정할 때 상기 가중 인자들을 이용하는 단계를 포함하고,
    상기 가중 인자는, 하나 이상의 선호되는 방향들로의 결과적인 결정된 보정이 상기 하나 이상의 선호되는 방향들 이외의 방향으로의 보정보다 선호되도록 작동가능한, 기판의 이미지 특성 보정 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 리소그래피 공정의 하나 이상의 파라미터들의 함수로서 상기 기판 상의 상기 측정된 오차의 모델을 결정하는 단계;
    상기 하나 이상의 가중 인자들에 의해 가중된 상기 모델을 이용하여 상기 하나 이상의 파라미터들에 대한 최적 값들을 추산하는 단계; 및
    상기 제품 피처(들)의 후속 형성에 대한 보정들의 상기 결정에 상기 추산된 최적 값들을 이용하는 단계를 더 포함하는 기판의 이미지 특성 보정 방법.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 최적 값들을 추산하는 단계는, 상기 가중에 따라 최소 총 오차를 결정하도록, 상기 하나 이상의 가중 인자들에 의해 가중된 상기 모델로부터 도출된 비용 함수를 최소화하는 것에 기초하는, 기판의 이미지 특성 보정 방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 하나 이상의 가중 인자들은 측정된 이미지 특성에 더 의존적인, 기판의 이미지 특성 보정 방법.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 측정된 이미지 특성은 상기 기판상의 특정 위치에서 상기 제품 피처의 임계 치수이고,
    상기 가중 인자는, 상기 측정된 임계 치수의 값이 더 클 때 후속 제품 피처의 정렬에 대한 상기 특정 위치에서의 공차가 더 크도록 작동가능한, 기판의 이미지 특성 보정 방법.
  6. 삭제
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 제품 피처(들)은 하나 이상의 타겟 영역들을 포함하고, 상기 가중 인자는 후속하여 형성되는 제품 피처가 상기 타겟 영역 내에 형성되도록 유도하는 결과적인 결정된 보정들을 선호하도록 작동가능한, 기판의 이미지 특성 보정 방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 하나 이상의 타겟 영역들은 상기 기판의 좌표계에 대해 경사지고, 상기 제품 피처 특성은 상기 경사의 각도를 포함하는, 기판의 이미지 특성 보정 방법.
  9. 제 8 항에 있어서,
    경사진 타겟 영역(들)은 세장형 형태(elongate form)를 포함하고, 상기 가중 인자는:
    상기 경사진 타겟 영역(들)과 상기 좌표계를 정렬하도록 작동가능하여,
    상기 경사진 타겟 영역의 상기 세장형 형태에 평행한 방향으로의 결과적인 결정된 보정이 상기 경사진 타겟 영역의 상기 세장형 형태에 수직인 방향으로의 보정보다 선호되는, 기판의 이미지 특성 보정 방법.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 측정된 오차를 획득하는 단계는 상기 기판상에 형성된 테스트 구조체들에 대한 하나 이상의 측정들로부터 상기 오차를 획득하는 단계를 포함하는, 기판의 이미지 특성 보정 방법.
  11. 제 1 항에 따른 방법을 구현하는 기계-판독가능한 명령어들의 하나 이상의 시퀀스들을 포함하는 컴퓨터 프로그램을 포함하는 컴퓨터로 읽을 수 있는 기록 매체.
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