WO2016136121A1 - マグネトロンスパッタリング装置用の回転式カソードユニット - Google Patents

マグネトロンスパッタリング装置用の回転式カソードユニット Download PDF

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Definitions

  • the present invention relates to a rotary cathode unit used in a magnetron sputtering apparatus.
  • This type of rotary cathode unit is known from Patent Document 1, for example.
  • This conventional example includes a cylindrical target disposed opposite to a substrate in a vacuum chamber, a magnet unit disposed in an internal space of the target, a refrigerant circulation means for circulating a refrigerant in the internal space of the target, and a target Driving means for rotationally driving the motor.
  • the magnet unit consists of a magnetic magnet with a length equivalent to the length of the target bus and a central magnet that is placed along the bus of the target, and a center that extends along the center magnet.
  • a magnet provided with peripheral magnets arranged on both sides of the magnet and corner magnets that bridge between the peripheral magnets so as to surround both ends of the central magnet is used.
  • a rotary cathode unit for a magnetron sputtering apparatus of the present invention has a cylindrical target and a line passing through a position where the vertical component of the magnetic field is zero in the internal space of the target.
  • a magnet unit that generates a magnetic field that leaks from the target surface so as to close along the generatrix of the target and close in a racetrack shape, a refrigerant circulating means that circulates a refrigerant in the internal space of the target, and a driving means that rotationally drives the target
  • the magnet unit includes a first portion that forms racetrack-shaped corner portions at both ends of the target in the busbar direction, and a second portion that is disposed adjacent to the first portion from the first portion inward in the busbar direction of the target. Divided into a part and a third part located between the second parts, the first part and the second part independently Characterized in that the moving means for moving so as to be closely spaced to Getto surface housed in the internal space of the target.
  • the present invention when the electron density in the plasma generated in a racetrack shape is locally high at the corners and the amount of erosion increases at both ends of the target, By moving both the first portions in the separating direction with respect to the target by the accommodated moving means, the strength of the magnetic field leaking from the target surface can be weakened and local erosion at both ends of the target can be suppressed. Then, by weakening the magnetic field strength at the corner portion, when the amount of erosion changes in the portion of the target located on the inner side in the busbar direction from both ends of the target, both the second portions are moved in the proximity direction or The amount of erosion of the target can be adjusted by changing the magnetic field strength in the portion by moving in the separation direction. As a result, the target can be uniformly eroded over the entire length of the target in the busbar direction, and the use efficiency of the target can be improved.
  • a moving means for independently moving the third portion of the magnet unit so as to be able to approach and separate from the target surface.
  • FIG. 1A shows a state in which the magnet unit is close to the target
  • FIG. 1B shows a state in which the magnet unit is separated from the target.
  • RC is a rotary cathode unit of the present embodiment.
  • the rotary cathode unit RC is provided in an unillustrated vacuum chamber via an insulator so as to face the substrate W as a film formation target in the vertical direction, and is clamped to the cylindrical target Tg and the right end of the target Tg.
  • the driving block 1 is connected via Cp
  • the support block 2 is connected to the left end of the target Tg via a clamp Cp.
  • the support block 2 is provided with a driven shaft 21 supported by a bearing (not shown) so as to rotatably support one end of the target Tg.
  • the drive block 1 includes a housing 11, and an inner cylinder body 12 having a circular cross section extending in the left-right direction is erected on the right inner wall of the housing 11.
  • an outer cylinder 13 having a circular cross section is disposed concentrically with the inner cylinder 12.
  • An annular recess 13a that is recessed in the radial direction is provided on the inner circumferential surface of the outer cylinder 13, and a brush 14 that conducts the inner cylinder 12 and the outer cylinder 13 through the recess 13a is provided.
  • the outer cylinder 13 is rotatably supported by a support member 16 inserted into the housing 11 via a plurality of bearings 15a.
  • 15b is an oil seal.
  • a belt 3c is wound around an outer peripheral surface of the outer cylinder 13 between a pulley 3b provided on a drive shaft of the motor 3a.
  • a conductive flange 17 is liquid-tightly attached to the left end of the outer cylinder 13, and is connected to the backing tube 41 of the target Tg by a clamp Cp via the flange 17.
  • the inner cylinder 12 is electrically connected to the outer cylinder 13 via the brush 14, and the outer cylinder 13 is electrically connected to the backing tube 41 and eventually the target material 42 via the flange 17 (that is, the inner cylinder 12
  • the cylinder 12 and the target material 42 have the same potential).
  • the housing 11 is provided with a conductive pipe 18 in which an outward path 18 a and a return path 18 b are respectively provided.
  • One end of the housing 11 extends through the housing 11 to the inner cylindrical body 12, and the forward path 18 a is connected to the inner cylindrical body 12.
  • the return path 18 b communicates with a space 13 b between the inner cylinder body 12 and the outer cylinder body 13.
  • the other end of the pipe 18 is connected to a chiller unit Ch as a refrigerant circulation means having a known structure.
  • an output cable 19 from a sputtering power source (not shown) is connected to the pipe 18.
  • predetermined power having a negative potential can be applied to the target Tg via the output cable 19 from the sputtering power source while the outer cylinder 13 is rotationally driven by the motor 3a and the target Tg is rotationally driven. it can.
  • the target Tg includes a cylindrical backing tube 41 and a cylindrical target material 42 joined to the backing tube 41 via a bonding material (not shown) such as indium or tin.
  • a bonding material such as indium or tin.
  • As the target material 42 a material appropriately selected from metals and metal compounds according to the composition of the film to be deposited on the substrate W is used.
  • a thin magnet case 43 is inserted so as to extend over substantially the entire length of the target material 42 in the generatrix direction. As shown in FIG. 3, in the magnet case 43, a line Ml passing through the position where the vertical component of the magnetic field is zero between the target Tg and the substrate W extends along the generatrix of the target Tg.
  • a magnet unit Mu that generates a magnetic field leaking from the surface of the target Tg is incorporated so as to be closed in a shape.
  • the magnet unit Mu is adjacent to the first portion 5a that forms the corner portions Mc at both ends of the target Tg in the generatrix direction and the first portion 5a from the first portion 5a inward in the generatrix direction of the target Tg.
  • the first portion 5a, the second portion 5b, and the third portion 5c are made independent by being divided into a second portion 5b having a predetermined length and a third portion 5c located between the second portions 5b.
  • the moving means 6 that moves so as to be able to approach and separate from the surface of the target Tg is housed in the magnet case 43 as an internal space of the target Tg.
  • the internal structure of the magnet case 43 will be specifically described with further reference to FIGS. 4 and 5.
  • an upper frame body 44 and a lower frame body 45 that are joined in the vertical direction via the O-ring S ⁇ b> 1 are inserted into the magnet case 43.
  • the upper frame body 44 and the lower frame body 45 are separated by a partition plate 46, and a magnet unit Mu is provided in the internal space 44 a of the upper frame body 44 located above the partition plate 46.
  • the first portion 5a, the second portion 5b, and the third portion 5c are independently moved in the inner space 45a of the lower frame body 45 located below the partition plate 46 so as to be able to approach and separate from the surface of the target Tg.
  • Five moving means 6 are arranged.
  • a forward path 47 for circulating the refrigerant between the magnet case 43 is opened so as to extend in the generatrix direction of the target Tg, and the right end of the forward path 47 is the inner side of the inner cylinder body. It communicates with the space 12a.
  • the magnet case 43 is formed to have an elliptical cross section that is long in the vertical direction, and when the magnet case 43 is inserted into the backing tube 41, the magnet case 43 and the inner peripheral surface of the backing tube 41
  • the return path 48 is formed so as to be positioned radially outward of the forward path 47, and the return path 48 communicates with the space 13 b between the inner cylinder body 12 and the outer cylinder body 13. Yes.
  • the chiller unit Ch reaches the forward path 47 of the magnet case 43 from the forward path 18a of the pipe 18 through the internal space 12a of the inner cylinder 12, and returns to the return path 48 of the magnet case 43 at the end on the support block 2 side.
  • a refrigerant circulation passage that reaches the space 13b from the return path 48 and returns from the return path 18b of the pipe 18 to the chiller unit Ch is formed, and the target material 42 can be cooled by heat exchange with the refrigerant during sputtering.
  • Each moving means 6 has the same structure, and includes a motor 61 and a crank mechanism 63 connected to a drive shaft 62 of the motor 61 as shown in FIG.
  • a crank arm 63b that extends upward through a through hole (not shown) formed at a predetermined position of the partition plate 46 is inserted into the crank pin 63a of the crank mechanism 63, and an upper end of the crank arm 63b is a yoke 51a, which will be described later. It is connected to the lower surfaces of 51b and 51c.
  • a guide pin 64 is provided on the partition plate 46 so as to protrude in the vicinity of the crank arm 63b, and a guide hole is provided at a predetermined position of a later-described yoke 51a, 51b, 51c. Has been inserted.
  • the first part 5a, the second part 5b, and the third part 5c of the magnet unit Mu are arranged in parallel in the upper frame body 44 along the generatrix of the target Tg.
  • the first portion 5a, the second portion 5b, and the third portion 5c are provided with yokes 51a, 51b, 51c having the same cross-sectional shape with different lengths, and the yokes 51a, 51b, 51c are arranged without gaps along the generatrix of the target Tg. When arranged in parallel, it has a length equivalent to the bus length of the target Tg (see FIG. 3).
  • Each of the yokes 51a, 51b, 51c is formed of a plate member made of a magnetic material in which a top surface 510 parallel to the substrate W and an inclined surface 511 inclined downward from the top surface 510 are formed.
  • a central magnet 52a is disposed on the top surface 510 of the yoke 51a of the first portion 5a so as to extend from the inner end in the busbar direction, and peripheral magnets 53a having substantially the same length as the central magnet 52a are disposed on both inclined surfaces 511.
  • a corner magnet 54 is disposed at the outer end of the top surface 510 of the yoke 51a in the direction of the generatrix so as to bridge between the peripheral magnets 53a so as to surround the end of the central magnet 52a.
  • central magnets 52b and 52c are disposed over the entire length of the top surface 510 of each of the yokes 51b and 51c of the second portion 5b and the third portion 5c, and both the inclined surfaces 511 have the entire length.
  • Peripheral magnets 53b and 53c are respectively arranged.
  • the central magnets 52a, 52b, 52c the peripheral magnets 53a, 53b, 53c, and the corner magnets 54, neodymium magnets having the same magnetization are used.
  • the rectangular magnet pieces can be arranged side by side.
  • the inside of the magnet case 43 can be made into an atmospheric condition, it adheres to each yoke 51a, 51b, 51c using a well-known adhesive agent.
  • strength of the magnetic field leaked on the surface of the target Tg may differ so that the thing of another part and a magnet type may be changed.
  • the length D1 in the generatrix direction of the first portion 5a is made to correspond to the position that is the starting point of the corner portion Mc of the racetrack-like line Ml (that is, the position that changes from a straight line to a curve on the racetrack-like line).
  • the length D2 of the second portion 5b is appropriately set according to the film thickness distribution in the substrate plane when the target Tg is sputtered under a predetermined condition.
  • the length D3 of the third portion 5c is appropriately set in consideration of the bus length of the target Tg.
  • the moving means 6 makes a difference with respect to the target Tg.
  • the strength of the magnetic field leaking from the surface of the target Tg can be weakened to suppress local erosion at both ends of the target Tg.
  • the amount of erosion changes in the portion of the target Tg located on the inner side in the generatrix direction from both ends of the target Tg.
  • the target Tg can be uniformly eroded over the entire length of the target Tg in the generatrix direction, the target Tg can be used efficiently, and the target Tg of this embodiment is formed on the substrate by sputtering.
  • the film thickness distribution in the substrate surface can be made uniform.
  • the third portion 5c can also move forward and backward with respect to the surface of the target Tg by the moving means 6, the intensity of the magnetic field leaking from the surface of the target Tg changes in accordance with the target type and the target thickness.
  • the intensity of the magnetic field leaking from the surface of the target Tg can be changed according to the progress of erosion of the target Tg, and as a result, a predetermined thin film is formed on the surface of the substrate W with good reproducibility. Can be formed.
  • the third portion 5c is described as being movable forward and backward with respect to the target Tg.
  • the moving means 6 includes a motor and a crank mechanism.
  • other actuators such as a linear motion motor can also be used.
  • the portions 5a, 5b, 5c of the magnet unit Mu can be positioned in an open loop.
  • RC Rotary cathode unit for magnetron sputtering apparatus
  • Tg Cylindrical target, Mu ... Magnet unit, 41 ... Backing tube, 42 ... Target material, 43 ... Magnet case, Ml ... Position where the vertical component of the magnetic field becomes zero , Mc ... race track corner, 5a ... first part of magnet unit, 5b ... second part of magnet unit, 5c ... third part of magnet unit, 6 ... moving means, Ch ... chiller unit (refrigerant) Circulating means), 47... Outward path of refrigerant circulation path (refrigerant circulation means), 48... Return path of refrigerant circulation path (refrigerant circulation means).

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Abstract

 ターゲットTgの母線方向全長に亘って均等にターゲットが侵食されるようにしたマグネトロンスパッタリング装置用の回転式カソードユニットRCを提供する。 円筒状のターゲット内に設けられ、磁場の垂直成分がゼロとなる位置を通る線がターゲットの母線に沿ってのびてレーストラック状に閉じるようにターゲット表面から漏洩する磁場を発生させる磁石ユニットMuは、ターゲットの母線方向両端でレーストラックのコーナー部を夫々形成する第1部分5aと、第1部分からターゲットの母線方向内方で第1部分に夫々隣接配置される第2部分5bと、第2部分相互の間に位置する第3部分5cとに分けて構成する。第1部分~第3部分を独立してターゲット表面に対し近接離間可能に進退させる移動手段6をターゲットの内部空間に収納する。

Description

マグネトロンスパッタリング装置用の回転式カソードユニット
 本発明は、マグネトロンスパッタリング装置に用いられる回転式カソードユニットに関する。
 この種の回転式カソードユニットは例えば特許文献1で知られている。この従来例のものは、真空チャンバ内で基板に対向配置される円筒状のターゲットと、ターゲットの内部空間に配置される磁石ユニットと、ターゲットの内部空間に冷媒を循環させる冷媒循環手段と、ターゲットを回転駆動する駆動手段とを備えている。磁石ユニットとしては、ターゲットの母線長さと同等の長さを持つ磁性材料製のヨーク片面に、ターゲットの母線に沿ってのびるように配置される中央磁石と、この中央磁石に沿ってのびるように中央磁石の両側に配置される周辺磁石と、中央磁石の両端を夫々囲うようにして周辺磁石相互の間を橋し渡すコーナー磁石とを設けたものが用いられる。そして、中央磁石と周辺磁石及びコーナー磁石との基板側の極性をかえて、ターゲットと基板との間に磁場の垂直成分がゼロとなる位置を通る線がターゲットの母線に沿ってのびてレーストラック状に閉じるようにターゲット表面から漏洩する磁場を発生するようにしている。また、ターゲットの内部空間には、ターゲットに対して磁石ユニットを一体に近接離間可能に進退させる移動手段が設けられている。
 ここで、上記回転式カソードユニットを用い、ターゲットを回転させながらこのターゲットをスパッタリングする場合、レーストラック状の線に沿ってプラズマが発生し、これに沿ってプラズマ中の電子が中央磁石と周辺磁石及びコーナー磁石とのターゲット側の極性に応じて時計周りまたは反時計回りに運動する。このとき、レーストラックのコーナー部では電子密度が局所的に高くなり易い。この場合、ターゲットの母線に沿うターゲットをスパッタリングしたときの侵食をみると、コーナー部に夫々対向するターゲットの両端部での侵食量がその中央部と比較して多くなり、ターゲットの使用効率が著しく劣化するという不具合が生じる。
 このような不具合を解消する方法として、ターゲットと磁石ユニットとの間の間隔を変えてターゲット表面から漏洩する磁場の強度を変化させることが考えられるが、上記従来例の如く、ターゲットに対して磁石ユニットを一体に進退させるだけでは、ターゲットの両端部での局所的な侵食を抑制することができない。他方、ターゲットの局所的な侵食が生じる磁石ユニットのコーナー部にて、例えば磁石種や磁石配置を変更してターゲット表面から漏洩する磁場の強度を局所的に弱めることが考えられる。然し、このように磁場強度を弱めると、ターゲットの端部での局所的な侵食を抑制するができるものの、この端部から母線方向内方に位置するターゲットの部分で侵食量が変化することが判明した。
特開2012-132039号公報
 本発明は、以上の点に鑑み、ターゲットの母線方向全長に亘って均等にターゲットが侵食されるようにした使用効率の良いマグネトロンスパッタリング装置用の回転式カソードユニットを提供することをその課題とするものである。
 上記課題を解決するために、本発明のマグネトロンスパッタリング装置用の回転式カソードユニットは、円筒状のターゲットと、このターゲットの内部空間に配置されて磁場の垂直成分がゼロとなる位置を通る線がターゲットの母線に沿ってのびてレーストラック状に閉じるようにターゲット表面から漏洩する磁場を発生させる磁石ユニットと、ターゲットの内部空間に冷媒を循環させる冷媒循環手段と、ターゲットを回転駆動する駆動手段とを備え、磁石ユニットは、ターゲットの母線方向両端でレーストラック状のコーナー部を夫々形成する第1部分と、第1部分からターゲットの母線方向内方で第1部分に夫々隣接配置される第2部分と、第2部分相互の間に位置する第3部分とに分けて構成され、第1部分及び第2部分を独立してターゲット表面に対し近接離間可能に移動させる移動手段をターゲットの内部空間に収納したことを特徴とする。
 本発明によれば、レーストラック状に発生させたプラズマ中の電子密度がそのコーナー部にて局所的に高くなってターゲットの両端部にて侵食量が多くなる場合には、ターゲットの内部空間に収納した移動手段によりターゲットに対して両第1部分を離間方向に移動させることで、ターゲット表面から漏洩する磁場の強度を弱めてターゲットの両端部での局所的な侵食を抑制することができる。そして、コーナー部での磁場強度を弱めることで、ターゲットの両端部から夫々母線方向内側に位置するターゲットの部分で侵食量が変化すると、移動手段によりターゲットに対して両第2部分を近接方向または離間方向に移動させることで、当該部分での磁場強度を変化させて、ターゲットの侵食量を調整することができる。結果として、ターゲットの母線方向全長に亘ってターゲットを均等に侵食することが可能になり、ターゲットの使用効率が良いものにできる。
 本発明においては、前記磁石ユニットの第3部分を独立してターゲット表面に対し近接離間可能に進退させる移動手段を更に備えることが好ましい。これにより、ターゲット種やターゲットの厚みに応じてターゲット表面から漏洩する磁場の強度を追従させて変化させることができ、また、ターゲットの侵食が進行してきたときに、ターゲット表面から漏洩する磁場の強度が一定になるように変化させることもでき、その結果、本発明の回転式カソードユニットをマグネトロンスパッタリング装置に適用すれば、再現性よく基板表面に所定の薄膜を形成することが可能になる。
本発明の実施形態の回転式カソードユニットの構成を説明する、その一部を断面視とした正面図。 駆動ブロックを構成を説明する断面図。 磁石ユニットを説明する斜視図。 図1のIV-IV線に沿う断面図であり、(a)は、磁石ユニットをターゲットに近接させた状態、(b)は、磁石ユニットをターゲットから離間させた状態を示す。 磁石ユニットを移動させる移動手段を説明する拡大断面図。
 以下、図面を参照して、本発明のマグネトロンスパッタリング装置用の回転式カソードユニットの実施形態を説明する。以下において、図1に示す回転式カソードユニットの姿勢を基準とし、「上」、「下」、「右」、「左」と言った方向を示す用語を用いるものとする。
 図1及び図2を参照して、RCは、本実施形態の回転式カソードユニットである。回転式カソードユニットRCは、図外の真空チャンバ内に成膜対象物たる基板Wに上下方向で対向するように絶縁物を介して設けられ、円筒状のターゲットTgと、ターゲットTgの右端にクランプCpを介して連結される駆動ブロック1と、ターゲットTgの左端にクランプCpを介して連結される支持ブロック2とで構成されている。支持ブロック2には、図示省略の軸受で支承された被動軸21が設けられ、ターゲットTgの一端を回転自在に支持するようになっている。
 駆動ブロック1は、図2に示すように、ハウジング11を備え、ハウジング11の右内壁には左右方向にのびる断面円形の内筒体12が立設されている。ハウジング11に固定の内筒体12の周囲には、この内筒体12と同心に断面円形の外筒体13が配置されている。外筒体13の内周面には、径方向にくぼむ環状の凹部13aが設けられ、この凹部13aを介して内筒体12と外筒体13とを導通するブラシ14が設けられている。外筒体13は、複数の軸受15aを介してハウジング11に内挿された支持部材16で回転自在に支持されている。なお、図2中、15bは、オイルシールである。
 外筒体13の外周面には、モータ3aの駆動軸に設けたプーリ―3bとの間にベルト3cが巻き掛けられている。また、外筒体13の左端には、導電性のフランジ17が液密に取り付けられ、このフランジ17を介してクランプCpによりターゲットTgのバッキングチューブ41と連結されている。これにより、モータ3aを駆動して外筒体13を回転駆動すると、この外筒体13と一体にターゲットTgが所定の回転数で回転駆動される。この場合、モータ3a、ベルト3c及び外筒体13が本実施形態の駆動手段を構成する。また、内筒体12は、ブラシ14を介して外筒体13と導通し、この外筒体13が、フランジ17を介してバッキングチューブ41、ひいてはターゲット材42に導通している(つまり、内筒体12とターゲット材42とが同電位となる)。
 ハウジング11には、内部に往路18aと復路18bとが夫々設けられた導電性の配管18が設けられ、一端がハウジング11を貫通して内筒体12までのびて往路18aが内筒体12の内部空間12aに連通し、復路18bが内筒体12と外筒体13との間の空間13bに連通している。配管18の他端は、公知の構造を有する冷媒循環手段としてのチラーユニットChに接続されている。また、配管18には、図外のスパッタ電源からの出力ケーブル19が接続されている。これにより、モータ3aにより外筒体13を回転駆動してターゲットTgを回転駆動しながら、スパッタ電源からの出力ケーブル19を介してターゲットTgに例えば負の電位を持った所定電力を投入することができる。
 ターゲットTgは、円筒状のバッキングチューブ41と、バッキングチューブ41にインジウムやスズなどのボンディング材(図示せず)を介して接合される円筒状のターゲット材42とで構成される。ターゲット材42としては、基板Wに成膜しようする膜の組成に応じて金属や金属化合物の中から適宜選択されたものが用いられる。バッキングチューブ41内は、ターゲット材42の母線方向略全長に亘ってのびる薄肉の磁石ケース43が挿設されている。そして、図3に示すように、磁石ケース43内には、ターゲットTgと基板Wとの間に磁場の垂直成分がゼロとなる位置を通る線MlがターゲットTgの母線に沿ってのびてレーストラック状に閉じるようにターゲットTg表面から漏洩する磁場を発生する磁石ユニットMuが組み込まれている。
 ここで、ターゲットTgを回転させながらターゲット材42をスパッタリングする場合、レーストラック状の線Mlに沿ってプラズマが発生し、これに沿ってプラズマ中の電子が時計周りまたは反時計回りに運動するが、そのコーナー部Mcでは電子密度が局所的に高くなり易い。このため、コーナー部Mcに対向するターゲット材42の両端で局所的に侵食されず且つターゲットTgの母線方向全長に亘って均等にターゲットTgが侵食されるように磁石ユニットMuを構成する必要がある。
 本実施形態では、磁石ユニットMuが、ターゲットTgの母線方向両端でコーナー部Mcを夫々形成する第1部分5aと、第1部分5aからターゲットTgの母線方向内方で第1部分5aに夫々隣接配置される所定長さの第2部分5bと、第2部分5b相互の間に位置する第3部分5cとに分けて構成され、第1部分5a、第2部分5b及び第3部分5cを独立してターゲットTg表面に対し近接離間可能に移動させる移動手段6がターゲットTgの内部空間として磁石ケース43内に収納されている。以下に、図4、図5も更に参照して磁石ケース43の内部構造を具体的に説明する。
 磁石ケース43には、図4に示すように、上下方向でOリングS1を介して接合される上枠体44と下枠体45とが挿嵌されている。上枠体44と下枠体45とは仕切板46で隔絶され、仕切板46の上方に位置する上枠体44の内部空間44aには、磁石ユニットMuが設けられる。また、仕切板46の下方に位置する下枠体45の内部空間45aには、第1部分5a、第2部分5b及び第3部分5cを独立してターゲットTg表面に対し近接離間可能に移動させる5個の移動手段6が配置されている。下枠体45の外周側には、ターゲットTgの母線方向にのびるように、磁石ケース43との間で冷媒を循環するときの往路47が開設され、この往路47の右端が内筒体の内部空間12aに連通している。
 他方、磁石ケース43は上下方向に長手の長円状の断面を持つように形成され、磁石ケース43をバッキングチューブ41内に挿設したときに、磁石ケース43とバッキングチューブ41の内周面との間に、往路47の径方向外方に位置するように復路48が形成されるようにしており、この復路48が内筒体12と外筒体13との間の空間13bに連通している。これにより、チラーユニットChから配管18の往路18aから内筒体12の内部空間12aを経て、磁石ケース43の往路47に達し、支持ブロック2側の端部で磁石ケース43の復路48に戻ってこの復路48から空間13bに達し、配管18の復路18bからチラーユニットChへと戻る冷媒循環通路が形成され、スパッタリング中、ターゲット材42を冷媒との熱交換で冷却することができる。
 各移動手段6は、同一の構造を有し、図5に示すように、モータ61と、モータ61の駆動軸62に連結されたクランク機構63とを備える。クランク機構63のクランクピン63aには、仕切板46の所定位置に形成した図示省略の透孔を貫通して上方にのびるクランクアーム63bが外挿され、クランクアーム63bの上端が後述するヨーク51a,51b,51cの下面に連結されている。これにより、モータ61を回転駆動すると、磁石ユニットMuがターゲットTg側に近接する近接位置(図4(a)参照)と、磁石ユニットMuがターゲットTgから離間する離間位置(図4(b)参照)との間で進退自在に移動する。また、クランクアーム63bの近傍に位置させて仕切板46には、上方向に突出させてガイドピン64が設けられ、その先端部が後述のヨーク51a,51b,51cの所定位置に設けたガイド孔に挿入されている。
 磁石ユニットMuの第1部分5a、第2部分5b及び第3部分5cは、上枠体44内にてターゲットTgの母線に沿って隙間なく並設されている。第1部分5a、第2部分5b及び第3部分5cは、長さの異なる同一断面形状のヨーク51a,51b,51cを備え、各ヨーク51a,51b,51cをターゲットTgの母線に沿って隙間なく並設したとき、ターゲットTgの母線長さと同等の長さを持つようにしている(図3参照)。各ヨーク51a,51b,51cは、基板Wに平行な頂面510と、頂面510から夫々下方に向けて傾斜する傾斜面511とを形成した磁性材料製の板状部材で構成される。第1部分5aのヨーク51aの頂面510には、母線方向内端からのびるように中央磁石52aが配置されると共に、両傾斜面511には、中央磁石52aと略同じ長さの周辺磁石53aが夫々配置されている。そして、ヨーク51aの頂面510母線方向外端に、中央磁石52aの端部を囲うようにして周辺磁石53a相互の間を橋し渡すようにコーナー磁石54が配置されている。
 また、第2部分5b、第3部分5cの各ヨーク51b,51cの頂面510には、その全長に亘って中央磁石52b,52cが配置されると共に、両傾斜面511には、その全長に亘って周辺磁石53b,53cが夫々配置されている。この場合、中央磁石52a,52b、52c、周辺磁石53a,53b,53c及びコーナー磁石54としては、同磁化のネオジウム磁石が用いられ、例えば一体に成形した断面略四角形の棒状のものが利用できるが、直方体のマグネット片を並置して構成することもできる。また、磁石ケース43内は大気状態にできるため、公知の接着剤を用いて各ヨーク51a,51b,51cに貼着される。なお、第1部分5aにおいては、他の部分のものと磁石種を変えて、ターゲットTgの表面に漏洩する磁場の強度が異なるようにしてもよい。
 第1部分5aの母線方向の長さD1は、レーストラック状の線Mlのコーナー部Mcの起点となる位置(つまり、レーストラック状の線にて直線から曲線への変化する位置)に対応させて設定され、第2部分5bの長さD2は、ターゲットTgを所定条件でスパッタリングしたときの基板面内での膜厚分布に応じて適宜設定される。そして、第3部分5cの長さD3は、ターゲットTgの母線長さを考慮して適宜設定される。なお、ターゲットTgの母線長さに対応して磁石ユニットMuの長さを変更する場合には、第1部分5a、第2部分5bの長さD1,D2はそのままで第3部分5cの長さD3を変えて調整される。
 以上によれば、プラズマ中の電子密度がレーストラックMlのコーナー部Mcにて局所的に高くなってターゲットTgの両端部にて侵食量が多くなる場合には、移動手段6によりターゲットTgに対して両第1部分5aを離間方向に移動させることで、ターゲットTg表面から漏洩する磁場の強度を弱めてターゲットTgの両端部での局所的な侵食を抑制することができる。そして、コーナー部Mcでの磁場強度を弱めることで、ターゲットTgの両端部から夫々母線方向内側に位置するターゲットTgの部分で侵食量が変化すると、移動手段6によりターゲットTgに対して両第2部分5bを近接方向または離間方向に移動させることで、当該部分での磁場強度を変化させて、ターゲットTgの侵食量を調整することができる。結果として、ターゲットTgの母線方向全長に亘ってターゲットTgを均等に侵食することが可能になり、ターゲットTgの使用効率が良いものにでき、本実施形態のターゲットTgをスパッタリングして基板に成膜したときの基板面内での膜厚分布も均一にすることができる。しかも、移動手段6により第3部分5cもまたターゲットTg表面に対し近接離間可能に進退できるようにしたため、ターゲット種やターゲットの厚みに応じてターゲットTg表面から漏洩する磁場の強度を追従させて変化させることができ、また、ターゲットTgの侵食進行に応じて、ターゲットTg表面から漏洩する磁場の強度が一定になるように変化させることができ、結果として、再現性よく基板W表面に所定の薄膜を形成することが可能になる。
 以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上記のものに限定されるものではない。上記実施形態では、第3部分5cをターゲットTgに対して進退自在とするものを例に説明したが、これを省略することができ、また、移動手段6としてモータとクランク機構を備えるものを例に説明したが、直動モータなどの他のアクチュエータを用いることもできる。この場合、装置構成を簡素化するために、オープンループで磁石ユニットMuの各部分5a,5b,5cの位置決め可能なものが好ましい。
 RC…マグネトロンスパッタリング装置用の回転式カソードユニット、Tg…円筒状のターゲット、Mu…磁石ユニット、41…バッキングチューブ、42…ターゲット材、43…磁石ケース、Ml…磁場の垂直成分がゼロとなる位置を通る線、Mc…レーストラックのコーナー部、5a…磁石ユニットの第1部分、5b…磁石ユニットの第2部分、5c…磁石ユニットの第3部分、6…移動手段、Ch…チラーユニット(冷媒循環手段)、47…冷媒循環通路の往路(冷媒循環手段)、48…冷媒循環通路の復路(冷媒循環手段)。

Claims (2)

  1.  円筒状のターゲットと、このターゲットの内部空間に配置されて磁場の垂直成分がゼロとなる位置を通る線がターゲットの母線に沿ってのびてレーストラック状に閉じるようにターゲット表面から漏洩する磁場を発生させる磁石ユニットと、ターゲットの内部空間に冷媒を循環させる冷媒循環手段と、ターゲットを回転駆動する駆動手段とを備えるマグネトロンスパッタリング装置用の回転式カソードユニットにおいて、
     磁石ユニットは、ターゲットの母線方向両端でレーストラックのコーナー部を夫々形成する第1部分と、第1部分からターゲットの母線方向内方で第1部分に夫々隣接配置される第2部分と、第2部分相互の間に位置する第3部分とに分けて構成され、第1部分及び第2部分を独立してターゲット表面に対し近接離間可能に進退させる移動手段をターゲットの内部空間に収納したことを特徴とするマグネトロンスパッタリング装置用の回転式カソードユニット。
  2.  前記磁石ユニットの第3部分を独立してターゲット表面に対し近接離間可能に進退させる移動手段を更に備えることを特徴とする請求項1記載のマグネトロンスパッタリング装置用の回転式カソードユニット。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020200520A (ja) * 2019-06-12 2020-12-17 株式会社アルバック 成膜装置、スパッタリングターゲット機構及び成膜方法
EP3669394A4 (en) * 2017-08-16 2021-05-26 Sputtering Components, Inc. MAGNETIC FORCE RELEASE FOR SPUTTER SOURCES WITH MAGNETIC TARGET MATERIALS
JPWO2022059278A1 (ja) * 2020-09-16 2022-03-24

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
BE1024754B9 (nl) * 2016-11-29 2018-07-24 Soleras Advanced Coatings Bvba Een universeel monteerbaar eindblok
CN107858653B (zh) * 2017-10-31 2023-05-12 东莞市汇成真空科技有限公司 一种电弧靶升降抬头机构
CN108315704B (zh) * 2018-02-26 2020-03-27 沈阳中北真空技术有限公司 一种磁控溅射光学镀膜设备及镀膜方法
JP7171270B2 (ja) * 2018-07-02 2022-11-15 キヤノン株式会社 成膜装置およびそれを用いた成膜方法
KR102353670B1 (ko) * 2019-10-07 2022-01-21 주식회사 에이치앤이루자 스퍼터링 장치용 원통형 캐소드
WO2021183729A1 (en) * 2020-03-11 2021-09-16 Intellivation Llc Movable magnet array for magnetron sputtering
DE102021129521B3 (de) * 2021-11-12 2023-03-30 VON ARDENNE Asset GmbH & Co. KG Magnetsystem, Sputtervorrichtung und Verfahren

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS52111747U (ja) * 1976-02-20 1977-08-25
JP2008505250A (ja) * 2004-07-01 2008-02-21 カーディナル・シージー・カンパニー マグネトロンスパッタリング用の振動磁石を有する円筒形のターゲット
JP2012132039A (ja) * 2010-12-20 2012-07-12 Canon Anelva Corp スパッタリング装置およびスパッタリング方法
JP2013508565A (ja) * 2009-10-26 2013-03-07 ジェネラル・プラズマ・インコーポレーテッド ロータリーマグネトロンマグネットバー、およびこれを含む高いターゲット利用のための装置

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4356073A (en) * 1981-02-12 1982-10-26 Shatterproof Glass Corporation Magnetron cathode sputtering apparatus
US6464841B1 (en) * 1997-03-04 2002-10-15 Tokyo Electron Limited Cathode having variable magnet configuration
EP1072055B1 (en) * 1998-04-16 2005-12-07 Bekaert Advanced Coatings NV. Means for controlling target erosion and sputtering in a magnetron
JP4437290B2 (ja) * 2003-05-14 2010-03-24 シーワイジー技術研究所株式会社 スパッタ装置
CN1978689A (zh) 2005-11-30 2007-06-13 宝山钢铁股份有限公司 低碳热轧深冲钢板及其制造方法
JP4990521B2 (ja) * 2005-12-08 2012-08-01 株式会社アルバック マグネトロンスパッタ電極及びマグネトロンスパッタ電極を用いたスパッタリング装置
US20080047831A1 (en) * 2006-08-24 2008-02-28 Hendryk Richert Segmented/modular magnet bars for sputtering target
US20080296142A1 (en) * 2007-05-29 2008-12-04 Hien-Minh Huu Le Swinging magnets to improve target utilization
CN101812667B (zh) 2010-04-19 2012-05-30 中国南玻集团股份有限公司 磁控溅射镀膜阴极装置
WO2013179544A1 (ja) * 2012-05-31 2013-12-05 東京エレクトロン株式会社 マグネトロンスパッタ装置
JP6089983B2 (ja) * 2012-07-18 2017-03-08 三菱マテリアル株式会社 円筒形スパッタリングターゲットおよびその製造方法
LT2888755T (lt) * 2012-08-24 2018-11-12 Cardinal Cg Company Dalelių pūtimo cilindriniu magnetronu aparatas
DE102012109424A1 (de) * 2012-10-04 2014-04-10 Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh Sputtermagnetron und Verfahren zur dynamischen Magnetfeldbeeinflussung
US9312108B2 (en) * 2013-03-01 2016-04-12 Sputtering Components, Inc. Sputtering apparatus

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS52111747U (ja) * 1976-02-20 1977-08-25
JP2008505250A (ja) * 2004-07-01 2008-02-21 カーディナル・シージー・カンパニー マグネトロンスパッタリング用の振動磁石を有する円筒形のターゲット
JP2013508565A (ja) * 2009-10-26 2013-03-07 ジェネラル・プラズマ・インコーポレーテッド ロータリーマグネトロンマグネットバー、およびこれを含む高いターゲット利用のための装置
JP2012132039A (ja) * 2010-12-20 2012-07-12 Canon Anelva Corp スパッタリング装置およびスパッタリング方法

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3669394A4 (en) * 2017-08-16 2021-05-26 Sputtering Components, Inc. MAGNETIC FORCE RELEASE FOR SPUTTER SOURCES WITH MAGNETIC TARGET MATERIALS
JP2021120488A (ja) * 2017-08-16 2021-08-19 スパッタリング・コンポーネンツ・インコーポレーテッド 磁性ターゲット材料を用いたスパッタリング源の磁力解放
EP4092715A1 (en) * 2017-08-16 2022-11-23 Sputtering Components, Inc. Magnet bar assembly for a rotary target cathode
JP7233466B2 (ja) 2017-08-16 2023-03-06 スパッタリング・コンポーネンツ・インコーポレーテッド 磁性ターゲット材料を用いたスパッタリング源の磁力解放
JP2020200520A (ja) * 2019-06-12 2020-12-17 株式会社アルバック 成膜装置、スパッタリングターゲット機構及び成膜方法
JPWO2022059278A1 (ja) * 2020-09-16 2022-03-24
JP7303393B2 (ja) 2020-09-16 2023-07-04 株式会社アルバック 回転式カソードユニット用の駆動ブロック

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