TWI421363B - Magnetron sputtering method - Google Patents

Description

磁控濺鍍方法

本發明係一種磁控濺鍍用磁石裝置、磁控濺鍍裝置、及磁控濺鍍方法。

尤其是就於大型基板等上進行濺鍍成膜之磁控濺鍍裝置而言，存在一面使磁石於基板之長度方向往返移動，一面進行濺鍍成膜之類型的裝置(例如，參照專利文獻1)。

藉由磁石所以產生之磁場，而於靶材表面呈軌道狀而形成磁場之穿隧，放電空間中之電子於上述磁場穿隧中進行環繞運動，但此時存在自長邊部分朝向短邊部分之拐角部附近的電子易飛出至軌道外，而導致該拐角部附近之電子密度降低的傾向。即，大致垂直於磁石移動方向之方向上的電子密度產生不均，由此，使形成於基板上之膜厚分布、及靶材耗蝕之分布產生不均。

磁石於靶材長度方向上移動，藉此，該磁石通過之部分中，通過磁石移動方向之前進方向側一半的上述軌道後，會通過在與其前進方向側磁軌相反之方向上有電子運動之剩餘的一半磁軌，因此可抵消電子之粗密不均，但於靶材之最端部(磁石不通過之、僅與一半軌道相對向之部分)，電子之運動方向始終相同，故無法抵消電子密度之不均。

於專利文獻1中，如圖9所示，磁石自靶材150之長度方向之端部位置A開始，向圖中之左方向移動且亦向上方移動，而以畫出弧線之方式移動至位置C，此後僅進行橫方向(左方向)之動作而移動至另一端位置E為止。並且，磁石自位置E向下方移動至位置F後，自位置F向圖中之右方向移動且亦向下方移動，而以畫出弧線之方式移動至位置H，其後，藉由向橫方向(右方向)移動及向上方移動而返回最初之端部位置。如此，根據專利文獻1，於往返動作之端部附近，磁石與上述往返動作連動而亦向靶材150之寬度方向(短邊方向)移動，可使往程與返程上之磁石的移動軌跡不同。

然而，磁石即便係如專利文獻1之運動方式而動作，亦無法改變靶材150之最端部之電子的運動方向。

專利文獻1：日本專利特開平8－269712號公報

本發明之目的在於提供一種可抑制靶材端部之電子密度之不均的磁控濺鍍用磁石裝置、磁控濺鍍裝置及磁控濺鍍方法。

根據本發明之一態樣，可提供一種磁控濺鍍用磁石裝置，其特徵在於：其係可於與靶材相對向之狀態下於大致平行於上述靶材之被濺鍍面的方向移動者，並且包括：內側磁石，其於大致垂直於上述移動方向之方向延伸，並使N極或者S極與上述靶材相對向，外側磁石，其與上述內側磁石離開而包圍上述內側磁石，且使與上述內側磁石相反之磁極與上述靶材相對向，以及非磁性構件，其設置於上述內側磁石與上述外側磁石之間，而用以保持上述內側磁石及上述外側磁石；並且，於上述內側磁石及上述外側磁石，分別使與上述靶材相對向之磁極係可反轉地設置。

又，根據本發明之進一步之其他態樣，提供一種磁控濺鍍用磁石裝置，其特徵在於：其係可於與靶材相對向之狀態下於大致平行於上述靶材之被濺鍍面的方向移動者，並且包括：內側磁性構件，其於大致垂直於上述移動方向之方向上延伸，線圈，其包圍而纏繞上述內側磁性構件，外側磁性構件，其包圍上述線圈，以及磁軛，其設置於上述內側磁性構件、上述外側磁性構件、及上述線圈之與上述靶材相對向之面的相反側的面上；並且，藉由改變於上述線圈流通之電流的方向，而切換上述內側磁性構件之與上述靶材相對向之端部產生的磁極。

又，根據本發明之進一步之其他態樣，提供一種磁控濺鍍用磁石裝置，其特徵在於：其係可於與靶材相對向之狀態下於大致平行於上述靶材之被濺鍍面的方向移動者，並且包括：內側磁石，其於大致垂直上述移動方向之方向上延伸，且其N極或者S極與上述靶材相對向，磁軛，其與上述內側磁石離開並包圍上述內側磁石，以及非磁性構件，其設置於上述內側磁石與上述磁軛之間，而用於保持上述內側磁石及上述磁軛；並且，上述內側磁石之與上述靶材相對向之磁極係可反轉地設置。

又，根據本發明之進一步之其他態樣，提供一種磁控濺鍍用磁石裝置，其特徵在於：其係可於與靶材相對向之狀態下於大致平行於上述靶材之被濺鍍面的方向移動者，並且包括：磁軛，其於大致垂直上述移動方向的方向上延伸，外側磁石，其與上述磁軛之間離開而包圍上述磁軛，且其N極或者S極與上述靶材相對向，以及非磁性構件，其設置於上述磁軛與上述外側磁石之間，而用於保持上述磁軛及上述外側磁石；並且，上述外側磁石之與上述靶材相對向之磁極係可反轉地設置。

又，進而根據本發明之其他態樣，提供一種磁控濺鍍用磁石裝置，其特徵在於：其係可於與靶材相對向之狀態下於大致平行於上述靶材之被濺鍍面的方向移動者，並且包括：內側磁石，其於大致垂直於上述移動方向之方向上延伸，且N極或S極與上述靶材相對向，並且與上述靶材相對向之磁極能夠反轉；以及磁軛，其與上述內側磁石之間離開而包圍上述內側磁石。

又，根據本發明之進一步之其他態樣，提供一種磁控濺鍍用磁石裝置，其特徵在於：其係可於與靶材相對向之狀態下於大致平行於上述靶材之被濺鍍面的方向移動者，並且包括：磁軛，其於大致垂直於上述移動方向的方向上延伸；以及外側磁石，其與上述磁軛離開而包圍上述磁軛，並且其N極或者S極與上述靶材相對向，且與上述靶材相對向之磁極能夠反轉。

又，根據本發明之進一步之其他態樣，提供一種磁控濺鍍裝置，其特徵在於包括：支持部，其支持成膜對象物；靶材，其與上述支持部相對向地配設；以及上述任一態樣中所述之磁石裝置。

又，根據本發明之進一步之其他態樣，提供一種磁控濺鍍方法，其特徵在於：成膜對象物與靶材相對向配置，於上述靶材與上述支持部相對向之面的相反面側，一面使磁石裝置於與上述靶材相對向之狀態下直線移動，一面於上述成膜對象物上濺鍍成膜，並且，當上述磁石裝置位於上述靶材之端部時，切換與上述靶材相對向之磁極。

以下，參照圖式對本發明之實施形態加以說明。

[第1實施形態]

圖1(a)以及圖1(b)係用以說明本發明之第1實施形態之磁石裝置1的平面構造、及靶材50之掃描方法的示意圖。

圖2係表示該磁石裝置1之剖面構造之示意圖。

圖3係表示具備該磁石裝置1之磁控濺鍍裝置之主要部分的示意圖。

本實施形態之磁石裝置1具有均為永久磁石之內側磁石3與外側磁石5，該等內側磁石3及外側磁石5係藉由非磁性構件7而保持，且內側磁石3、外側磁石5、及非磁性構件7為一體，而於與靶材50相對向之狀態下向大致平行於靶材50之被濺鍍面的方向(例如係靶材之長度方向)往返移動。

如圖3所示，靶材50由襯板51而保持，且與由支持部53所支持之成膜對象物54的成膜對象面相對向。成膜對象物54例如為半導體晶圓、或玻璃基板等。本實施形態之具體例中，成膜對象物54例如為液晶面板或太陽電池面板中所使用之相對而言為大型的矩形玻璃基板，且靶材50係平面尺寸大於上述玻璃基板之矩形板狀。

如圖3所示，磁石裝置1配設於襯板51之背側(靶材保持面之相反面側)，從而使襯板51挾持於磁石裝置1與靶材50之間，且使該磁石裝置1與靶材50相對向。再者，於圖1中，省略了襯板51之圖示。磁石裝置1可藉由下述之移動手段，而沿靶材50之長度方向自靶材50之長度方向之一端移動至另一端。

上述磁石裝置1中之內側磁石3為長方體形狀，其長度方向沿大致垂直於磁石裝置1之移動方向的方向(靶材50之短邊方向)延伸，且N極或者S極與靶材50相對向。

外側磁石5係，與內側磁石3相離開而以橢圓或矩形環狀包圍內側磁石3之磁極面以外的面。外側磁石5之磁化方向係與內側磁石3相反，且係與內側磁石3之磁極相反之磁極與靶材50相對向。

於內側磁石3與外側磁石5之間插入有非磁性構件7，內側磁石3及外側磁石5係藉由該非磁性構件7而受到保持。

磁石裝置1之長度方向尺寸略小於靶材50之短邊方向尺寸。磁石裝置1之短邊方向尺寸為靶材50之長度方向尺寸的一半以下。於磁石裝置1中，於與靶材50相對向之側、及其相反側上均未設置磁軛。

藉由磁石裝置1產生之磁場102，而於靶材50表面呈軌道狀形成磁場102之穿隧，且放電空間中之電子按照軌道100之形狀，而於該磁場穿隧中進行環繞運動。藉此，即便於高真空狀態下，亦可促進靶材表面附近之氣體分子的電離，而於靶材表面附近維持高密度電漿之狀態。

磁石裝置1係以如下方式設置：就其內側磁石3及外側磁石5而言，分別可使與靶材50相對向之磁極反轉。例如，如圖1所示，於磁石裝置1之長度方向之一端部，設置有沿其長度方向延伸的軸構件12，且該軸構件12可相對於旋轉軸承13而保持旋轉自如。因此，磁石裝置1可以軸構件12之中心軸為中心進行旋轉。

又，旋轉軸承13係與沿靶材50之長度方向延伸的滾珠螺桿14旋接，當藉由馬達15而使滾珠螺桿14旋轉時，旋轉軸承13於靶材50之長度方向移動。隨著旋轉軸承13之移動，經由軸構件12而與旋轉軸承13結合之磁石裝置1亦於靶材50之長度方向移動。

於濺鍍成膜過程中，藉由使磁石裝置1自靶材50之長度方向之一端移動(掃描)至另一端，可抑制成膜對象物54之面內膜厚分布之不均，從而可實現膜厚的均勻化，又，亦可抑制靶材50之耗蝕(蝕刻)位置之偏移，故而可提高靶材之利用效率。

於1次濺鍍成膜過程中，磁石裝置1沿靶材50之長度方向而直線移動。並且，於本實施形態中，當磁石裝置1位於移動開始位置(掃描開始點)、移動結束位置(掃描終點)、往返折回位置時，使表面與背面反轉。

如圖1(a)所示，例如，首先，於內側磁石3之N極與靶材50相對向、且外側磁石5之S極與靶材50相對向之狀態下，使磁石裝置1自實線表示之位置移動至一點鎖線表示的位置。

並且，於圖1(a)中，使磁石裝置1移動至一點鎖線表示之端位置後，使磁石裝置1圍繞軸構件12而旋轉且使表面與背面反轉，如圖1(b)之實線所示，使內側磁石3之S極與靶材50相對向，且使外側磁石5之N極與靶材50相對向。並且，於該狀態下，使磁石裝置1向與先前相反之方向移動，即，自圖1(b)中之實線表示之位置移動至一點鎖線表示的位置。

並且，使磁石裝置1移動至圖1(b)中之一點鎖線表示之端位置後，使磁石裝置1圍繞軸構件12而旋轉且使表面與背面反轉，如圖1(a)之實線所示，使內側磁石3之N極與靶材50相對向，且使外側磁石5之S極與靶材50相對向。

於1次濺鍍成膜過程中，使磁石裝置1往返2次以上時，重複上述動作。再者，當要使磁石裝置1於靶材端位置反轉時，暫時停止靶材－成膜對象物間(陰極－陽極間)之放電。

藉由使磁石裝置1於靶材50之端部位置反轉，可使靶材表面近之電子軌道100之軌道狀旋轉移動方向反轉。藉此，可抵消靶材50之最端部(磁石裝置1不通過，而僅與其短邊方向之一半相對向的部分)上之靶材短邊方向之電子密度的不均(尤其是，可消除磁石裝置1中自長邊部分朝向短邊部分之拐角部附近的低電子密度部分)，故而可實現靶材短邊方向之電漿密度之均勻化。藉此，可實現靶材端部之短邊方向之濺鍍率的均勻化，故可抑制成膜對象物之成膜分布的不均。又，亦可減小靶材耗蝕之不均，故而可提高靶材之利用效率。

作為使磁石裝置1反轉之時點，既可於每次往返掃描時，於欲折回時、以及返回至開始位置時進行反轉；亦可於複數次往返掃描時，於多次往返後反轉1次之方式，而使其於靶材端部位置反轉。較理想的是，於靶材端部位置，電子向某個方向環繞之次數、與向相反方向環繞之次數相同。

磁石裝置1並不限於往返掃描，亦可為單向掃描。例如，如圖4(a)所示，於靶材50之一端部(掃描開始位置)，首先於內側磁石3之N極與靶材50相對向、且外側磁石5之S極與靶材50相對向之狀態下進行濺鍍成膜後，使磁石裝置1反轉，並如圖4(b)之實線所示，使內側磁石3之S極與靶材50相對向，且外側磁石5之N極與靶材50相對向。並且，於該狀態下進行濺鍍成膜後，使磁石裝置1自圖4(b)中之實現所示之端部位置(掃描開始位置)，移動至一點鎖線表示之另一端側的端部位置(掃描結束位置)。

並且，使磁石裝置移動至圖4(b)中之一點鎖線表示之端部位置後，使磁石裝置1反轉，且使內側磁石3之S極與靶材50相對向，以此方式，於外側磁石5之N極與靶材50相對向之狀態下進行濺鍍成膜。此後，使磁石裝置1反轉，於內側磁石3之N極與靶材50相對向、且外側磁石5之S極與靶材50相對向之狀態下，進行濺鍍成膜。

即便於圖4所示之單向掃描過程中，藉由使磁石裝置1於靶材50之端部位置反轉，亦可使靶材表面附近之電子的軌道狀環繞移動方向反轉。藉此，可抵消靶材50之最端部(磁石裝置1未通過，而僅與其短邊方向之一半相對向的部分)之靶材短邊方向之電子密度的不均。

以下，對本發明之其他實施形態加以說明。再者，對於與上述相同之要素，標註相同之符號，並省略其詳細說明。

[第2實施形態]

圖5係表示本發明之第2實施形態之磁石裝置之剖面構造的示意圖。

本實施形態之磁石裝置係電磁石。即，本實施形態之磁石裝置包括：內側磁性構件22，其沿靶材50之短邊方向延伸；線圈26，其纏繞且包圍該內側磁性構件22；外側磁性構件24，其包圍該線圈26；以及磁軛28，其設置於內側磁性構件22、外側磁性構件24、及線圈26之與靶材50相對向之面之相反側的面上。

本實施形態之磁石裝置，於與靶材50相對向之狀態下，使設置有磁軛28之面之相反面側沿靶材50的長度方向直線移動。並且，於靶材端部位置改變流於線圈26之電流的方向，藉此，可切換內側磁性構件22之與靶材50相對向之端部產生的磁極，而使電子之軌道狀環繞移動方向反轉。藉此，可抵消靶材50之最端部上之短邊方向之電子密度的不均，故可可實現靶材短邊方向之電漿密度的均勻化。

根據本實施形態，僅藉由控制流於線圈26之電流方向之切換而可取代切換磁極，因此無須設置磁石裝置之反轉機構，故而可簡化構成。

[第3實施形態]

圖6係表示本發明之第3實施形態之磁石裝置之剖面構造的示意圖。

於本實施形態之磁石裝置中，內側磁石32、外側磁石34、以及設置於該等之間的非磁性構件36，係形成為中心軸大致平行於靶材50之短邊方向的圓柱狀。內側磁石32，以於靶材50之長度方向分割非磁性構件36之方式，沿非磁性構件36之直徑方向插入，且內側磁石32於其直徑方向上被磁化。內側磁石32之磁極形成端面自非磁性構件36露出。

於非磁性構件36相對於內側磁石32之磁極形成端面隔開約90°之側面上，形成有軌道狀之槽，且該槽內嵌有外側磁石34。內側磁石32與外側磁石34之磁化方向相反。外側磁石34之磁化方向之尺寸小於內側磁石32之磁化方向的尺寸。外側磁石34配置於內側磁石32之磁化方向的中央。

內側磁石32、外側磁石34、及非磁性構件36為一體，且可圍繞內側磁石32之磁化方向的中心而旋轉。於由該等內側磁石32、外側磁石34、及非磁性構件36所構成之圓柱狀之旋轉體中，於與靶材50相對向之部分的相反側設置有磁軛38。於磁軛38中，與旋轉體相對向之內側部分係與旋轉體之外周面對應的凹面。

當內側磁石32位於N極或者S極與靶材50相對向之位置上時，於位於上述磁極之兩側的非磁性構件36之外側，配設有磁軛37。藉此，如圖6所示，可構成於靶材50表面附近產生封閉迴路狀之磁場102的磁路。

由內側磁石32、外側磁石34、及非磁性構件36構成之圓柱狀之旋轉體與磁軛37、38為一體，且沿靶材50之長度方向而直線移動。並且，旋轉體可圍繞內側磁石32之磁化方向的中心而旋轉(磁軛37、38不旋轉)，於靶材50之端部位置使旋轉體反轉，藉此可切換與靶材50相對向之磁極，從而使靶材表面附近之電子之軌道狀旋轉移動方向反轉。藉此，可抵消靶材50最端部之短邊方向之電子密度的不均，故而可實現靶材短邊方向之電漿密度的均勻化。

於上述第1實施形態中，當磁石裝置與靶材(嚴格地說係襯板)間之間隔較小時，若要反轉磁石裝置則須要將磁石裝置暫時遠離靶材，故而須要另外設置用於此處理之機構，相對於此，於圖6所示之本實施形態中，因係使剖面略呈圓形之旋轉體旋轉，故而，無須改變設定為特定間隔之旋轉體與靶材的間隔體，即可容易且快速地切換磁極。

[第4實施形態]

圖7係表示本發明之第4實施形態之磁石裝置之剖面構造的示意圖。

本實施形態之磁石裝置包括：內側磁石42，其沿靶材50之短邊方向延伸，且N極或者S極與靶材相對向；磁軛44，其與內側磁石42之間離開，而包圍內側磁石42；以及非磁性構件46，其設置於內側磁石42與磁軛44之間，而保持內側磁石42及磁軛44。

於內側磁石42之N極或者S極與靶材相對向之狀態下，內側磁石42、非磁性構件46、及磁軛44為一體，且沿靶材50之長度方向直線移動。並且，藉由於靶材端位置使該磁石裝置反轉，可切換與靶材相對向之內側磁石42之磁極，從而使靶材表面附近之電子之軌道狀旋轉移動方向反轉。藉此，可抵消靶材之最端部之短邊方向之電子密度的不均，故而可實現靶材短邊方向之電漿密度的均勻化。

又，亦可形成為如圖7所示之構成：使內側與外側之構件之配置相反，內側設置磁軛，而以與該磁軛之間離開而包圍磁軛之方式設置外側磁石，並於磁軛與外側磁石之間設置用於保持該等之非磁性構件，且可反轉外側磁石之與靶材相對向之磁極。

[第5實施形態]

圖8係表示本發明之第5實施形態之磁石裝置之剖面構造的示意圖。

本實施形態之磁石裝置包括：內側磁石62，其沿靶材50之短邊方向延伸，且N極或者S極與靶材相對向；以及磁軛63，其與內側磁石62之間離開而包圍內側磁石62。內側磁石62係以如下方式設置：與靶材相對向之磁極可反轉。

於內側磁石62之N極或者S極與靶材相對向之狀態下，內側磁石62與磁軛63為一體，且沿靶材50之長度方向直線移動。並且，藉由於靶材端位置上僅使內側磁石62反轉，可切換與靶材相對向之內側磁石的磁極，從而使靶材表面附近之電子之軌道狀旋轉移動方向反轉。藉此，可抵消靶材之最端部之短邊方向之電子密度的不均，故而可實現靶材短邊方向之電漿密度的均勻化。

又，亦可形成為如圖8所示之構成：使內側與外側之構件之配置相反，於內側設置磁軛，而以與該磁軛之間離開而包圍該磁軛之方式設置外側磁石，且外側磁石之與靶材相對向之磁極能夠反轉。

產業上之可利用性

根據本發明，可抑制靶材端部之電子密度的不均，從而可實現上述部分之電漿密度的均勻化。藉此，可實現靶材端之濺鍍率的均勻化，故而，可抑制對成膜對象物之成膜分布的不均。又，亦可減小靶材耗蝕之不均，從而可提高靶材之利用效率。

1．．．磁石裝置

3．．．內側磁石

5．．．外側磁石

7．．．非磁性構件

12．．．軸構件

13．．．旋轉軸承

14．．．滾珠螺桿

15．．．馬達

22．．．內側磁性構件

24．．．外側磁性構件

26．．．線圈

28．．．磁軛

32．．．內側磁石

34．．．外側磁石

36．．．非磁性構件

37，38．．．磁軛

42．．．內側磁石

44．．．磁軛

46．．．非磁性構件

50．．．靶材

51．．．襯板

53．．．支持部

54．．．成膜對象物

62．．．內側磁石

63．．．磁軛

100．．．電子軌道

102．．．磁場

150．．．靶材

圖1(a)、圖1(b)係用以說明本發明之第1實施形態之磁石裝置之平面構造、及靶材之掃描方法的示意圖。

圖2係表示該磁石裝置之剖面構造的示意圖。

圖3係表示本發明之實施形態之磁控濺鍍裝置之主要部分的示意圖。

圖4(a)、圖4(b)係用以說明靶材之掃描方法之其他具體例的示意圖。

圖5係表示本發明之第2實施形態之磁石裝置之剖面構造的示意圖。

圖6係表示本發明之第2實施形態之磁石裝置之剖面構造的示意圖。

圖7係表示本發明之第4實施形態之磁石裝置之剖面構造的示意圖。

圖8係表示本發明之第5實施形態之磁石裝置之剖面構造的示意圖。

圖9係先前例之濺鍍用磁石之移動軌跡的說明圖。

1．．．磁石裝置

3．．．內側磁石

5．．．外側磁石

7．．．非磁性構件

12．．．軸構件

13．．．旋轉軸承

14．．．滾珠螺桿

15．．．馬達

50．．．靶材

100．．．電子軌道

Claims (8)

1. 一種磁控濺鍍方法，其特徵在於：對相對向配置於靶材之成膜對象物之濺鍍成膜中，使在上述靶材之與上述成膜對象物相對向之面的相反面側與上述靶材相對向之磁石裝置直線移動於上述靶材之一端與另一端之間時，在上述靶材之上述一端及上述另一端，切換與上述靶材相對向之上述磁石裝置之磁極。
2. 如請求項1之磁控濺鍍方法，其中藉由使上述磁石裝置之表面與背面反轉，而使磁場之方向反轉。
3. 如請求項1之磁控濺鍍方法，其中上述磁石裝置為電磁石，且藉由切換流於上述電磁石之線圈的電流，而使磁場之方向反轉。
4. 如請求項1之磁控濺鍍方法，其中於上述濺鍍成膜中，使上述磁石裝置複數次往返移動於上述靶材之上述一端與上述另一端之間。
5. 如請求項4之磁控濺鍍方法，其中於上述磁石裝置之每一次往返移動，在上述靶材之上述一端及上述另一端切換上述磁極。
6. 如請求項4之磁控濺鍍方法，其中以上述磁石裝置之複數次往返移動中1次之比率，在上述靶材之上述一端及上述另一端切換上述磁極。
7. 一種磁控濺鍍方法，其特徵在於包含：使磁石裝置之磁極於靶材之一端與上述靶材相對向，對成膜對象物濺鍍成膜之步驟，該磁石裝置設置於與上 述成膜對象物相對向配置的上述靶材之與上述成膜對象物相對向之面的相反面側；於上述一端將與上述靶材相對向之上述磁石裝置之磁極切換為逆極性之磁極，使上述逆極性之磁極於上述靶材之上述一端與上述靶材相對向，對上述成膜對象物濺鍍成膜之步驟；使上述磁石裝置之磁極與上述靶材相對向，且一邊使上述磁石裝置自上述靶材之上述一端直線移動至另一端，一邊對上述成膜對象物濺鍍成膜之步驟；於上述靶材之上述另一端使上述磁石裝置之磁極與上述靶材相對向，對上述成膜對象物濺鍍成膜之步驟；及將於上述另一端與上述靶材相對向之上述磁石裝置之磁極切換為逆極性之磁極，使上述逆極性之磁極於上述靶材之上述另一端與上述靶材相對向，對上述成膜對象物濺鍍成膜之步驟。
8. 如請求項1~7中任一項之磁控濺鍍方法，其中切換上述磁石裝置之上述磁極時，暫時停止上述靶材與上述成膜對象物間之放電。