WO2016131912A1

WO2016131912A1 - Verfahren zum herstellen eines elektronischen bauelements

Info

Publication number: WO2016131912A1
Application number: PCT/EP2016/053448
Authority: WO
Inventors: Jens Mueller; Christoph Stephan; Robert Walter; Stefan Hartauer; Christian Rumbolz
Original assignee: Osram Opto Semiconductors Gmbh
Priority date: 2015-02-18
Filing date: 2016-02-18
Publication date: 2016-08-25
Also published as: DE102015102300A1; DE112016000795A5; US20180048122A1; US10290997B2; JP2018512722A; JP6511147B2; CN107251345A; CN107251345B

Abstract

Ein Verfahren zum Herstellen eines elektronischen Bauelements umfasst Schritte zum Bereitstellen einer Oberfläche mit einem ersten Bereich (110) und einem an den ersten Bereich angrenzenden zweiten Bereich (120), zum Anordnen einer Opferschicht (200) über dem ersten Bereich der Oberfläche, zum Anordnen einer Passivierungsschicht (300) über der Opferschicht und dem zweiten Bereich der Oberfläche, zum Anlegen einer Öffnung (410) in der Passivierungsschicht über den ersten Bereich der Oberfläche und zum Entfernen der Opferschicht (200). Dazu kann noch eine Fotolackschicht (400) verwendet werden. Nach Maskieren und Ätzen der Opferschicht kann die verbliebene Fotolackschicht (400) und der Überstand der Passivierungsschicht (300) mechanisch über eine so gebildete Sollbruchstelle entfernt werden.

Description

VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES ELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS

BESCHREIBUNG Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstel^¬ len eines elektronischen Bauelements gemäß Patentanspruch 1.

Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung DE 10 2015 102 300.8, deren Offenbarungsge- halt hiermit durch Bezugnahme aufgenommen wird.

Bei der Herstellung von elektronischen Bauelementen werden häufig elektrisch isolierende Passivierungsschichten aufgebracht und diese während nachfolgender Prozessschritte an vorherbestimmten Stellen wieder geöffnet. Hierzu sind verschiedene Verfahren bekannt.

Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein Verfahren zum Herstellen eines elektronischen Bauelements an- zugeben. Diese Aufgabe wird durch ein Verfahren mit den Merkmalen des Anspruchs 1 gelöst. In den abhängigen Ansprüchen sind verschiedene Weiterbildungen angegeben.

Ein Verfahren zum Herstellen eines elektronischen Bauelements umfasst Schritte zum Bereitstellen einer Oberfläche mit einem ersten Bereich und einem an den ersten Bereich angrenzenden zweiten Bereich, zum Anordnen einer Opferschicht über dem ersten Bereich der Oberfläche, zum Anordnen einer Passivierungsschicht über der Opferschicht und dem zweiten Bereich der Oberfläche, zum Anlegen einer Öffnung in der Passivierungsschicht über dem ersten Bereich der Oberfläche und zum Entfernen der Opferschicht und der oberhalb des ersten Be^¬ reichs angeordneten Abschnitte der Passivierungsschicht. Dieses Verfahren bietet den Vorteil, dass die Öffnung in der Passivierungsschicht nicht mit hoher Genauigkeit an dem ers^¬ ten Bereich der Oberfläche zentriert oder ausgerichtet werden muss. Dadurch ist das Verfahren einfach, kostengünstig und schnell durchführbar. Die geringe erforderliche Genauigkeit bei der Positionierung der Öffnung in der Passivierungs- schicht wird erfindungsgemäß dadurch ermöglicht, dass die ge^¬ naue Position des ersten Bereichs der Oberfläche durch die Position der Opferschicht festgelegt wird, nicht durch die Position der Öffnung in der Passivierungsschicht . Durch die Öffnung in der Passivierungsschicht muss lediglich ein Zugang zur Opferschicht geschaffen werden, um die Opferschicht ent^¬ fernen zu können.

Die Passivierungsschicht wird mit einer Öffnungsfläche ange^¬ legt, die kleiner als der erste Bereich ist. Dadurch kann vorteilhafterweise auf einfache Weise sichergestellt werden, dass die Öffnung in der Passivierungsschicht vollständig über dem ersten Bereich der Oberfläche angeordnet ist, auch wenn die Positionierung der Öffnung in der Passivierungsschicht mit vergleichsweise geringer Genauigkeit erfolgt.

In einer Ausführungsform des Verfahrens umfasst das Anlegen der Öffnung in der Passivierungsschicht Schritte zum Anordnen einer Fotolackschicht über der Passivierungsschicht, zum An^¬ legen einer Öffnung in der Fotolackschicht über dem ersten Bereich der Oberfläche und zum Entfernen eines unter der Öffnung in der Fotolackschicht angeordneten Teils der Passivie- rungsschicht . Dabei umfasst das Verfahren außerdem einen wei^¬ teren Schritt zum Entfernen des Fotolacks. Da das Anlegen der Öffnung in der Passivierungsschicht nicht mit sehr hoher Ge^¬ nauigkeit bei der Positionierung der Öffnung in der Passivierungsschicht erfolgen muss, kann auch die Öffnung in der Fo- tolackschicht mit nicht sehr hoher Genauigkeit bei der Posi^¬ tionierung angelegt werden. Dies ermöglicht es vorteilhafterweise, das Verfahren auf einfache, schnelle und kostengünsti^¬ ge Weise durchzuführen. In einer Ausführungsform des Verfahrens wird vor dem Anordnen der Opferschicht eine elektrisch leitende Schicht über dem ersten Bereich der Oberfläche oder über dem ersten Bereich und dem zweiten Bereich der Oberfläche angeordnet. Die elektrisch leitende Schicht kann beispielsweise als elektri^¬ scher Kontakt durch elektrische Kontaktierung einer Komponente des durch das Verfahren erhältlichen elektronischen Bauelements dienen. Durch die mittels des Verfahrens über dem ersten Bereich der Oberfläche angelegte Öffnung in der Passivierungsschicht wird die elektrisch leitende Schicht vorteil^¬ hafterweise zugänglich gemacht.

In einer Ausführungsform des Verfahrens wird vor dem Anordnen der Passivierungsschicht ein Teil der Oberfläche im zweiten

Bereich entfernt. Dadurch kann im ersten Bereich der Oberfläche ein über den zweiten Bereich der Oberfläche erhabener Bereich der Oberfläche verbleiben. In einer Ausführungsform des Verfahrens ist die Oberfläche eine Oberfläche eines Halbleiterkörpers. Der Halbleiterkörper kann dabei beispielsweise integrierte optoelektronische

Schaltungen oder Komponenten aufweisen. In einer Ausführungsform des Verfahrens wird im ersten Bereich der Oberfläche eine Wellenleiterstruktur eines Laserbauelements ausgebildet. Vorteilhafterweise ermöglicht es das Verfahren, die Passivierungsschicht und die Öffnung in der Passivierungsschicht derart mit hoher Genauigkeit über der Wellenleiterstruktur des Laserbauelements anzuordnen, dass Seitenflanken der Wellenleiterstruktur des Laserbauelements durch die Passivierungsschicht bedeckt sind und die Öffnung in der Passivierungsschicht über der Oberseite der Wellen^¬ leiterstruktur des Laserbauelements angeordnet ist, wodurch eine elektrische Kontaktierung des Laserbauelements ermög^¬ licht wird. Dabei ergibt sich durch das Verfahren eine präzi^¬ se Ausrichtung der Passivierungsschicht und der Öffnung in der Passivierungsschicht an der Wellenleiterstruktur des Laserbauelements, obwohl die Öffnung in der Passivierungs- schicht zunächst nur mit nicht sehr hoher Genauigkeit am ers^¬ ten Bereich der Oberfläche ausgerichtet werden muss. In einer Ausführungsform des Verfahrens wird vor dem Anordnen der Passivierungsschicht eine Deckschicht über der Opfer^¬ schicht angeordnet. Dabei wird nach dem Anlegen der Öffnung in der Passivierungsschicht auch ein unter der Öffnung in der Passivierungsschicht angeordneter Teil der Deckschicht ent^¬ fernt. Die Deckschicht kann vorteilhafterweise weitere Aufga^¬ ben während der Herstellung des elektronischen Bauelements übernehmen. Beispielsweise kann die Deckschicht während der Herstellung des elektronischen Bauelements als Ätzmaske die- nen. Außerdem kann es die Deckschicht erleichtern, die Öffnung in der Passivierungsschicht anzulegen, ohne dabei eine gegebenenfalls an der Oberfläche angeordnete elektrisch lei^¬ tende Schicht zu beschädigen. In einer Ausführungsform des Verfahrens wird vor dem Anordnen der Passivierungsschicht ein Teil der Opferschicht entfernt. Dabei kann beispielsweise ein unter der Deckschicht angeord^¬ neter Teil der Opferschicht herausgelöst werden. Der durch das Herauslösen des Teils der Opferschicht entstandene Frei- räum kann dann vorteilhafterweise durch die Passivierungs^¬ schicht gefüllt werden. Dadurch kann die Passivierungsschicht einen umlaufenden Kragen an der Oberseite einer unterhalb der Opferschicht angeordneten Schicht bilden, beispielsweise an der Oberseite einer unter der Opferschicht angeordneten elektrisch leitenden Schicht.

In einer Ausführungsform des Verfahrens wird die Deckschicht aus einem Material angelegt, das Si0₂, SiN, TiWN, einen Foto^¬ lack oder ein Metall aufweist. Vorteilhafterweise haben sich diese Materialien als geeignet erwiesen.

In einer Ausführungsform des Verfahrens wird die Opferschicht auch über einem von dem ersten Bereich beabstandeten dritten Bereich in der Oberfläche angeordnet. Dabei wird die Passi- vierungsschicht auch über dem dritten Bereich in der Oberfläche angeordnet. Allerdings wird über dem dritten Bereich der Oberfläche keine Öffnung in der Passivierungsschicht ange^¬ legt. Dies ermöglicht es, über dem von dem ersten Bereich be- abstandeten dritten Bereich der Oberfläche eine erhabene Struktur auszubilden, die durch die Passivierungsschicht be^¬ deckt ist. Diese erhabene Struktur kann bei dem durch das Verfahren erhältlichen elektronischen Bauelement beispielsweise als mechanische Stützstruktur und/oder als mechanischer Anschlag zum Schutz einer im ersten Bereich der Oberfläche ausgebildeten Komponente des durch das Verfahren erhältlichen elektronischen Bauelements dienen.

In einer Ausführungsform des Verfahrens wird die Opferschicht aus einem Material angelegt, das ZnO, AI₂O₃, TiWN, SiO oder einen Fotolack aufweist. Vorteilhafterweise hat sich erwie^¬ sen, dass eine ein solches Material aufweisende Opferschicht stabil gegenüber zum Anlegen der Öffnung in der Passivierungsschicht nutzbaren Trockenätzprozessen ist und dabei durch nasschemische Ätzprozesse leicht ätzbar ist, was eine einfache Entfernung der Opferschicht ermöglicht.

In einer Ausführungsform des Verfahrens wird die Opferschicht mit einer Dicke zwischen 10 nm und 1 ym angelegt, bevorzugt mit einer Dicke zwischen 50 nm und 500 nm. Vorteilhafterweise wird es dadurch ermöglicht, die Opferschicht zuverlässig mit der Passivierungsschicht zu überdecken. Gleichzeitig ermög^¬ licht es eine derartige Dicke der Opferschicht, die Opfer^¬ schicht während des Verfahrens zuverlässig zu entfernen.

In einer Ausführungsform des Verfahrens wird die Passivie^¬ rungsschicht mittels eines Gasphasenabscheidungsverfahrens angelegt, insbesondere mittels chemischer Gasphasenabschei- dung oder mittels Atomlagenabscheidung . Vorteilhafterweise ermöglichen diese Verfahren ein Anlegen der Passivierungsschicht mit guter Überformung, wodurch eine zuverlässige Ab^¬ deckung tieferliegender Schichten durch die Passivierungsschicht erreicht wird.

In einer Ausführungsform des Verfahrens wird die Passivie- rungsschicht aus einem Material angelegt, dass SiN, SiO, TaO, ZrO, A10 oder ITO aufweist. ITO bezeichnet dabei Indiumzinno- xid. Vorteilhafterweise bieten derartige Materialien bei ih^¬ rer Abscheidung eine gute Überformung, insbesondere eine gute Überformung von vertikalen oder schrägen Flächen. Außerdem lässt sich eine Passivierungsschicht , die ein derartiges Ma- terial aufweist, gut durch trockenchemische Ätzprozesse ätzen und ist gleichzeitig stabil gegenüber nasschemischen Ätzpro^¬ zessen, wie sie zur Entfernung der Opferschicht genutzt werden können. Außerdem bietet eine Passivierungsschicht, die solche Materialien aufweist, eine gute elektrische Isolation und eine geringe optische Absorption.

In einer Ausführungsform des Verfahrens wird die Passivie^¬ rungsschicht mit einer Dicke zwischen 1 nm und 10 ym ange^¬ legt, bevorzugt mit einer Dicke zwischen 10 nm und 2 ym. Vor- teilhafterweise haben sich Passivierungsschichten dieser Dicke als zweckmäßig erwiesen.

In einer Ausführungsform des Verfahrens erfolgt das Entfernen des Teils der Passivierungsschicht durch trockenchemische Ät- zung, insbesondere unter Verwendung von Fluor, Chlor oder Argon. Vorteilhafterweise ermöglicht ein derartiges Ätzverfah^¬ ren eine einfache Ätzung der Passivierungsschicht, wobei die Opferschicht nur in geringem Maße angegriffen wird. In einer Ausführungsform des Verfahrens erfolgt das Entfernen der Opferschicht durch nasschemische Ätzung, insbesondere un^¬ ter Verwendung von HCl oder KOH. Vorteilhafterweise ermög^¬ licht ein solches Ätzverfahren eine zuverlässige Ätzung der Opferschicht, wobei die Passivierungsschicht nur in geringem Maße angegriffen wird.

Die oben beschriebenen Eigenschaften, Merkmale und Vorteile dieser Erfindung sowie die Art und Weise, wie diese erreicht werden, werden klarer und deutlicher verständlich im Zusam- menhang der folgenden Beschreibung der Ausführungsbeispiele, die im Zusammenhang mit den Zeichnungen näher erläutert werden. Dabei zeigen in jeweils schematisierter Darstellung Figur 1 eine geschnittene Seitenansicht eines Halbleiter^¬ körpers mit einer über einem ersten Bereich seiner Oberfläche angeordneten Opferschicht; Figur 2 den Halbleiterkörper mit einer über der Opferschicht und einem zweiten Bereich der Oberfläche angeordneten Passivierungsschicht ;

Figur 3 den Halbleiterkörper mit einer über der Passivie- rungsschicht angeordneten Fotolackschicht, die über dem ersten Bereich eine Öffnung aufweist;

Figur 4 den Halbleiterkörper mit einer in der Passivie- rungsschicht angelegten Öffnung;

Figur 5 den Halbleiterkörper nach dem Herauslösen der Opferschicht ;

Figur 6 eine geschnittene Seitenansicht eines aus dem Halb- leiterkörper entstandenen elektronischen Bauelements nach dem Entfernen der Fotolackschicht;

Figur 7 eine geschnittene Seitenansicht eines Halbleiter^¬ körpers mit einer über einem ersten Bereich seiner Oberfläche angeordneten elektrisch leitenden

Schicht und einer darüber angeordneten Opferschicht ;

Figur 8 den Halbleiterkörper nach dem Aufbringen einer Pas- sivierungsschicht und einer Fotolackschicht und dem

Anlegen von Öffnungen in der Fotolackschicht und der Passivierungsschicht ;

Figur 9 den Halbleiterkörper nach dem Herauslösen der Opferschicht ; Figur 10 eine geschnittene Seitenansicht eines Teils eines aus dem Halbleiterkörper gebildeten elektronischen Bauelements nach dem Ablösen der Fotolackschicht; Figur 11 eine geschnittene Seitenansicht eines Halbleiter^¬ körpers mit über einer Opferschicht angeordneter Passivierungsschicht nach dem Entfernen einer Foto^¬ lackschicht, jedoch vor dem Herauslösen einer Opferschicht ;

Figur 12 eine geschnittene Seitenansicht eines Halbleiter^¬ körpers mit einer über seiner Oberfläche angeordne^¬ ten elektrisch leitenden Schicht und einer in einem ersten Bereich darüber angeordneten Opferschicht;

Figur 13 eine geschnittene Seitenansicht des Halbleiterkör^¬ pers nach dem Aufbringen einer Passivierungsschicht und einer Fotolackschicht und dem Anlegen von Öff^¬ nungen in der Fotolackschicht und der Passivie- rungsschicht ;

Figur 14 eine schematische geschnittene Seitenansicht eines aus dem Halbleiterkörper gebildeten elektronischen Bauelements nach dem Herauslösen der Opferschicht und dem Entfernen der Fotolackschicht;

Figur 15 eine schematische geschnittene Seitenansicht eines

Halbleiterkörpers mit einer über einem ersten Be^¬ reich seiner Oberfläche angeordneten Schichtensta- pel, der eine elektrisch leitende Schicht, eine Op^¬ ferschicht und eine Deckschicht umfasst;

Figur 16 den Halbleiterkörper nach dem Aufbringen einer Passivierungsschicht und einer Fotolackschicht und dem Anlegen von Öffnungen in der Fotolackschicht und der Passivierungsschicht; Figur 17 den Halbleiterkörper nach dem Herauslösen der Opferschicht ;

Figur 18 eine geschnittene Seitenansicht eines aus dem Halb- leiterkörper gebildeten elektronischen Bauelements nach dem Entfernen der Fotolackschicht;

Figur 19 eine geschnittene Seitenansicht eines Halbleiter^¬ körpers mit einem über einem ersten Bereich seiner Oberfläche angeordneten Schichtenstapel, der eine elektrisch leitende Schicht, eine Opferschicht und eine Deckschicht umfasst;

Figur 20 den Halbleiterkörper nach dem Entfernen eines Teils des Halbleiterkörpers in einem zweiten Bereich;

Figur 21 den Halbleiterkörper nach dem Aufbringen einer Pas- sivierungsschicht und einer Fotolackschicht und dem Anlegen einer Öffnung in der Fotolackschicht;

Figur 22 den Halbleiterkörper nach dem Anlegen einer Öffnung in der Passivierungsschicht und dem Herauslösen der Opferschicht ; Figur 23 eine geschnittene Seitenansicht eines aus dem Halb^¬ leiterkörper gebildeten elektronischen Bauelements nach dem Entfernen der Fotolackschicht;

Figur 24 eine geschnittene Seitenansicht eines Halbleiter- körpers mit einem über einem ersten Bereich angeordneten Schichtenstapel, der eine elektrisch lei^¬ tende Schicht, eine Opferschicht und eine Deck^¬ schicht umfasst, nach dem Entfernen eines Teils der Opferschicht ;

Figur 25 den Halbleiterkörper nach dem Aufbringen einer Passivierungsschicht und einer Fotolackschicht und dem Anlegen einer Öffnung in der Fotolackschicht; Figur 26 den Halbleiterkörper nach dem Anlegen einer Öffnung in der Passivierungsschicht und der Deckschicht und dem Herauslösen der Opferschicht;

Figur 27 eine geschnittene Seitenansicht eines aus dem Halb^¬ leiterkörper gebildeten elektronischen Bauelements nach dem Entfernen der Fotolackschicht; Figur 28 eine geschnittene Seitenansicht eines Halbleiter^¬ körpers, bei dem über einem ersten Bereich und einem dritten Bereich der Oberfläche jeweils Schichtenstapel angeordnet sind; Figur 29 den Halbleiterkörper nach dem Aufbringen einer Passivierungsschicht ;

Figur 30 den Schichtenstapel nach dem Aufbringen einer Fotolackschicht und dem Anlegen einer Öffnung in der Fotolackschicht über dem ersten Bereich der Oberfläche des Halbleiterkörpers;

Figur 31 den Halbleiterkörper nach dem Anlegen einer Öffnung in der Passivierungsschicht und dem Herauslösen ei- ner Opferschicht über dem ersten Bereich der Oberfläche des Halbleiterkörpers; und

Figur 32 eine geschnittene Seitenansicht eines aus dem Halb^¬ leiterkörper gebildeten elektronischen Bauelements nach dem Entfernen der Fotolackschicht.

Figur 1 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht eines Halbleiterkörpers 100. Der Halbleiterkörper 100 kann beispielsweise als Wafer ausgebildet sein und kann beispiels weise eine Schichtenfolge unterschiedlicher Halbleitermateri alien und/oder integrierte elektronische Komponenten oder Schaltungen aufweisen. Der Halbleiterkörper 100 kann bei- spielsweise zur Herstellung optoelektronischer Bauelemente vorgesehen sein, insbesondere beispielsweise zur Herstellung von Laserbauelementen. Der Halbleiterkörper 100 weist eine Oberfläche 101 auf. Die Oberfläche 101 des Halbleiterkörpers 100 umfasst einen ersten Bereich 110 und einen an den ersten Bereich 110 angrenzenden zweiten Bereich 120. Im in Figur 1 schematisch dargestellten Beispiel ist der erste Bereich 110 der Oberfläche 101 insel- förmig ausgebildet und durch den zweiten Bereich 120 umschlossen. Der erste Bereich 110 kann aber beispielsweise auch streifenförmig ausgebildet und zu beiden Seiten durch den zweiten Bereich 120 begrenzt sein. Über dem ersten Bereich 110 der Oberfläche 101 des Halb^¬ leiterkörpers 100 ist eine Opferschicht 200 angeordnet wor^¬ den. Die Opferschicht 200 bedeckt dabei den gesamten ersten Bereich 110 der Oberfläche 101, nicht jedoch den zweiten Be^¬ reich 120. Dadurch definiert die Opferschicht 200 den ersten Bereich 110. Der erste Bereich 110 der Oberfläche 101 ist der durch die Opferschicht 200 bedeckte Bereich der Oberflä^¬ che 101 des Halbleiterkörpers 100.

Die Opferschicht 200 weist ein Material auf, das sich in ei- nem späteren Bearbeitungsschritt mittels eines nasschemischen Ätzverfahrens lösen lässt. Die Opferschicht 200 kann bei^¬ spielsweise ein Material aufweisen, das ZnO, AI₂O₃, TiWN, SiO oder einen Fotolack aufweist. Es sind jedoch auch andere Materialien möglich. Die Opferschicht 200 kann beispielsweise durch ein fotolithografisches Verfahren oder mittels einer Schattenmaske auf den ersten Bereich 110 der Oberfläche 101 des Halbleiterkörpers 100 aufgebracht worden sein. Die Opfer^¬ schicht 200 weist eine senkrecht zur Oberfläche 101 des Halb^¬ leiterkörpers 100 bemessene Dicke 201 auf. Die Dicke 201 kann beispielsweise zwischen 10 nm und 1 ym liegen, insbesondere beispielsweise zwischen 50 nm und 500 nm. Figur 2 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht des Halbleiterkörpers 100 in einem der Darstellung der Figur 1 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand. Über der Opferschicht 200 und über dem zweiten Bereich 120 der Oberfläche 101 des Halbleiterkörpers 100 ist eine Passi^¬ vierungsschicht 300 angeordnet worden. Die Passivierungs^¬ schicht 300 bedeckt die Opferschicht 200 und den zweiten Be^¬ reich 120 der Oberfläche 101 vollständig und deckt auch die am Rand der Opferschicht 200 gebildete Stufe ab. Hierzu wurde die Passivierungsschicht 300 mit einem gut überformenden Ab^¬ scheideverfahren aufgebracht, beispielsweise durch Gasphasen- abscheidung, insbesondere beispielsweise durch chemische Gas- phasenabscheidung oder durch Atomlagenabscheidung .

Die Passivierungsschicht 300 weist ein elektrisch isolieren^¬ des Material auf. Falls der Halbleiterkörper 100 zur Herstel^¬ lung eines optoelektronischen Bauelements vorgesehen ist, kann das Material der Passivierungsschicht 300 so gewählt sein, dass es eine geringe optische Absorption aufweist. Au^¬ ßerdem ist das Material der Passivierungsschicht 300 so ge^¬ wählt, dass es sich in einem nachfolgenden Bearbeitungs^¬ schritt gut durch ein trockenchemisches Ätzverfahren lösen lässt, jedoch stabil gegenüber einem zur Lösung der Opfer- schicht 200 genutzten nasschemischen Ätzverfahren ist. Die

Passivierungsschicht kann beispielsweise ein Material aufwei^¬ sen, das SiN, SiO, TaO, ZrO, A10 oder ITO (Indiumzinnoxid) aufweist . Die Passivierungsschicht 300 weist eine senkrecht zur Ober^¬ fläche 101 des Halbleiterkörpers 100 bemessene Dicke 301 auf. Die Dicke 301 kann beispielsweise zwischen 1 nm und 10 ym be^¬ tragen, insbesondere beispielsweise zwischen 10 nm und 2 ym. Es ist zweckmäßig, wenn die Dicke 301 der Passivierungs- schicht 300 ein Zehnfaches der Dicke 201 der Opferschicht 200 nicht überschreitet. Figur 3 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht des Halbleiterkörpers 100 in einem der Darstellung der Figur 2 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand. Über der Passivierungsschicht 300 ist eine Fotolack^¬ schicht 400 angeordnet worden. Anschließend ist über dem ers^¬ ten Bereich 110 der Oberfläche 101 des Halbleiterkörpers 100 eine Öffnung 410 in der Fotolackschicht 400 angelegt worden. In der Öffnung 410 in der Fotolackschicht 400 ist ein Ab- schnitt 310 der Passivierungsschicht 300 freigelegt.

Die in der Fotolackschicht 400 angelegte Öffnung 410 weist eine Öffnungsfläche auf, die kleiner als die Fläche des ers^¬ ten Bereichs 110 der Oberfläche 101 des Halbleiterkörpers 100 ist. Die in der Fotolackschicht 400 angeordnete Öffnung 410 ist oberhalb des ersten Bereichs 110 der Oberfläche 101 des Halbleiterkörpers 100 angeordnet, muss jedoch nicht an den Grenzen des ersten Bereichs 110 ausgerichtet oder über der Mitte des ersten Bereichs 110 zentriert sein. Beispielsweise kann ein Rand der Öffnung 410 der Fotolackschicht 400 in zur Oberfläche 101 des Halbleiterkörpers 100 parallele Richtung etwa 10 ym vom Rand des ersten Bereichs 110 der Oberflä^¬ che 101 des Halbleiterkörpers 100 beabstandet sein. Dies er^¬ möglicht es, die Öffnung 410 in der Fotolackschicht 400 mit einem einfach, schnell und kostengünstig durchführbaren Verfahren anzulegen, das mit einer vergleichsweise großen Justa- getoleranz verbunden ist.

Figur 4 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht des Halbleiterkörpers 100 in einem der Darstellung der Figur 3 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand.

Über dem ersten Bereich 110 der Oberfläche 101 des Halb^¬ leiterkörpers 100 ist eine Öffnung 311 in der Passivierungs- schicht 300 angelegt worden. Hierzu ist der in der Öff^¬ nung 410 der Fotolackschicht 400 freigelegte Abschnitt 310 der Passivierungsschicht 300 durch die Öffnung 410 der Foto^¬ lackschicht 400 entfernt worden. Dabei wurde am Grund der Öffnung 311 in der Passivierungsschicht 300 ein Abschnitt 210 der Opferschicht 200 freigelegt.

Das Anlegen der Öffnung 311 in der Passivierungsschicht 300 ist durch trockenchemische Ätzung erfolgt, insbesondere unter Verwendung von Fluor, Chlor oder Argon. Dabei hat die Fotolackschicht 400 die nicht in der Öffnung 410 in der Fotolackschicht 400 freigelegten Teile der Passivierungsschicht 300 vor einer Ätzung geschützt. Die trockenchemische Ätzung ist so erfolgt, dass die Opferschicht 200 im Wesentlichen nicht angegriffen worden ist. Bevorzugt weist die Opferschicht 200 ein Material auf, das gegenüber dem trockenchemischen Ätzverfahren ätzstabiler ist als das Material der Passivierungs^¬ schicht 300.

Die in der Passivierungsschicht 300 angelegte Öffnung 311 weist eine Öffnungsfläche 312 auf, die etwa der Öffnungsflä^¬ che der Öffnung 410 in der Fotolackschicht 400 entsprechen kann und damit kleiner ist als die Fläche des ersten Be- reichs 110 der Oberfläche 101 des Halbleiterkörpers 100 und somit auch kleiner als die Fläche der Opferschicht 200.

Bei den anhand der Figuren 3 und 4 erläuterten Verfahrensschritten wurde die Fotolackschicht 400 mit der in der Foto- lackschicht 400 angeordneten Öffnung 410 als Ätzmaske zum An^¬ legen der Öffnung 311 in der Passivierungsschicht 300 ge^¬ nutzt. Es ist alternativ möglich, auf die Fotolackschicht 400 zu verzichten und die Öffnung 311 in der Passivierungs^¬ schicht 300 unter Verwendung einer Schattenmaske anzulegen. Dies wird dadurch ermöglicht, dass die Öffnungsfläche 312 der in der Passivierungsschicht 300 anzulegenden Öffnung 311 kleiner als die Fläche des ersten Bereichs 110 der Oberflä^¬ che 101 des Halbleiterkörpers 100 ist und weder präzise an den Rändern noch an der Mitte des ersten Bereichs 110 der Oberfläche 101 des Halbleiterkörpers 100 ausgerichtet werden muss . Figur 5 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht des Halbleiterkörpers 100 in einem der Darstellung der Figur 4 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand. Die durch die Öffnung 410 in der Fotolackschicht 400 und die Öffnung 311 in der Passivierungsschicht 300 zugängliche Op^¬ ferschicht 200 ist durch nasschemische Ätzung entfernt wor^¬ den. Bei der nasschemischen Ätzung kann beispielsweise HCl oder KOH verwendet worden sein. Der Halbleiterkörper 100 und die Passivierungsschicht 300 sind durch die nasschemische Ät^¬ zung nicht oder nur in sehr geringem Maße angegriffen worden.

Da die Öffnungsfläche 312 der Öffnung 311 in der Passivie^¬ rungsschicht 300 kleiner als die Fläche des ersten Be- reichs 110 und der Opferschicht 200 ist, ist die Passivie^¬ rungsschicht 300 während des Herauslösens der Opfer^¬ schicht 200 teilweise unterätzt worden. Die oberhalb des ers^¬ ten Bereichs 110 der Oberfläche 101 des Halbleiterkörpers 100 angeordneten Abschnitte der Passivierungsschicht 300 sind nach dem Herauslösen der Opferschicht 200 freitragend und le^¬ diglich im Übergangsbereich zwischen dem ersten Bereich 110 und dem zweiten Bereich 120 der Oberfläche 101 des Halb^¬ leiterkörpers 100 mit den im zweiten Bereich 120 fest mit der Oberfläche 101 des Halbleiterkörpers 100 verbundenen Ab- schnitten der Passivierungsschicht 300 verbunden. Dieser

Übergangsbereich bildet in einem nachfolgenden Verfahrensschritt eine Sollbruchstelle, an der die freitragenden Teile der Passivierungsschicht 300 abbrechen. Figur 6 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht des Halbleiterkörpers 100 in einem der Darstellung der Figur 5 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand. Durch die weitere Bearbeitung ist aus dem Halbleiterkörper 100 ein elektronisches Bauelement 10 gebildet worden, das im in Fi- gur 6 dargestellten Bearbeitungsstand jedoch noch unfertig sein kann. Die Fotolackschicht 400 ist entfernt worden. Dabei oder wäh^¬ rend eines weiteren Verfahrensschritts ist eine mechanische Belastung auf den Halbleiterkörper 100 ausgeübt worden, durch die die oberhalb des ersten Bereichs 110 der Oberfläche 101 des Halbleiterkörpers 100 angeordneten, freitragenden Ab^¬ schnitte der Passivierungsschicht 300 an den vorstehend be^¬ schriebenen Sollbruchstellen abgebrochen und dadurch entfernt worden sind. Hierdurch liegt bei dem elektronischen Bauelement 10 in dem in Figur 6 dargestellten Bearbeitungsstand die Oberfläche 101 des Halbleiterkörpers 100 im ersten Be^¬ reich 110 vollständig frei, während sie im zweiten Be^¬ reich 120 vollständig durch die Passivierungsschicht 300 be^¬ deckt ist. Die im ersten Bereich 110 freiliegende Oberfläche 101 des Halbleiterkörpers 100 kann beispielsweise dazu dienen, das elektronische Bauelement 10 elektrisch zu kontaktieren. Hierzu kann beispielsweise in einem nachfolgenden Bearbeitungs^¬ schritt eine elektrisch leitende Schicht im ersten Be- reich 110 auf der Oberfläche 101 des Halbleiterkörpers 100 angeordnet werden.

Nachfolgend werden mehrere Varianten des anhand der Figuren 1 bis 6 erläuterten Verfahrens beschrieben. Dabei werden im We- sentlichen nur die Abweichungen von dem Verfahren gemäß der Figuren 1 bis 6 erläutert. Im Übrigen entsprechen die nachfolgend beschriebenen Verfahren dem Verfahren gemäß der Figuren 1 bis 6, insbesondere hinsichtlich der verwendeten Prozesse und Materialien. Für entsprechende Komponenten sind in den nachfolgend beschriebenen Figuren dieselben Bezugszeichen verwendet wie in Figuren 1 bis 6. Die Merkmale der nachfol^¬ gend beschriebenen Varianten des Verfahrens gemäß der Figuren 1 bis 6 lassen sich darüber hinaus auch in beliebiger Weise miteinander kombinieren, sofern dies nicht durch logisch zwingende Unvereinbarkeiten ausgeschlossen ist.

Figur 7 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht des Halbleiterkörpers 100 mit der Oberfläche 101, die den ersten Bereich 110 und den zweiten Bereich 120 aufweist, gemäß einer Variante des Verfahrens. Über dem ersten Bereich 110 der Oberfläche 101 ist eine elektrisch leitende Schicht 500 angeordnet. Die Opferschicht 200 ist über der elektrisch leitenden Schicht 500 angeordnet. Die elektrisch leitende Schicht 500 und die Opferschicht 200 sind jeweils auf den ersten Bereich 110 der Oberfläche 101 begrenzt und definieren den ersten Bereich 110 dadurch. Die elektrisch leitende

Schicht 500 könnte allerdings auch schmaler oder breiter als die Opferschicht 200 und der erste Bereich 110 ausgebildet sein. Die elektrisch leitende Schicht 500 und die Opfer^¬ schicht 200 können gemeinsam oder getrennt voneinander strukturiert worden sein. Die elektrisch leitende Schicht 500 kann beispielsweise ein

Metall aufweisen, beispielsweise Ti, Pt, Au, Pd, Ni, ITO, AI, Ag, Zn oder Cr. Die elektrisch leitende Schicht 500 kann auch mehrere Metallschichten umfassen. Die elektrisch leitende Schicht 500 kann auch ein anderes elektrisch leitendes Mate- rial aufweisen.

Die elektrisch leitende Schicht 500 und die Opferschicht 200 können gemeinsam eine Dicke aufweisen, die zwischen 10 nm und 100 ym liegt, insbesondere beispielsweise zwischen 100 nm und 5 ym.

Figur 8 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht des Halbleiterkörpers 100 in einem der Darstellung der Figur 7 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand.

Über der Opferschicht 200 und über dem zweiten Bereich 120 der Oberfläche 101 des Halbleiterkörpers 100 sind die Passi^¬ vierungsschicht 300 und die Fotolackschicht 400 angeordnet worden. Anschließend sind in der Fotolackschicht 400 die Öff- nung 410 und in der Passivierungsschicht 300 die Öffnung 311 angelegt worden, sodass nun der Abschnitt 210 der Opfer^¬ schicht 200 in der Öffnung 311 der Passivierungsschicht 300 freiliegt . Figur 9 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht des Halbleiterkörpers 100 in einem der Darstellung der Figur 8 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand.

Die Opferschicht 200 ist durch die Öffnung 410 in der Foto^¬ lackschicht 400 und die Öffnung 311 in der Passivierungs- schicht 300 herausgelöst worden. Dabei ist die elektrisch leitende Schicht 500 über dem ersten Bereich 110 der Oberflä- che 101 des Halbleiterkörpers 100 verblieben.

Figur 10 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht des Halbleiterkörpers 100 in einem der Darstellung der Figur 9 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand. Aus dem Halb- leiterkörper 100 ist das elektronische Bauelement 10 gebildet worden, das im in Figur 10 dargestellten Bearbeitungsstand noch unfertig sein kann.

Die Fotolackschicht 400 ist von der Oberseite der Passivie- rungsschicht 300 entfernt worden. Dabei oder während eines weiteren Bearbeitungsschritts sind die über den ersten Be^¬ reich 110 der Oberfläche 101 des Halbleiterkörpers 100 hin^¬ ausragenden Teile der Passivierungsschicht 300 entfernt wor^¬ den. Dadurch liegt die elektrisch leitende Schicht 500 nun über dem ersten Bereich 110 der Oberfläche 101 des Halb^¬ leiterkörpers 100 frei. Der zweite Bereich 120 der Oberflä^¬ che 101 des Halbleiterkörpers 100 ist durch die Passivie^¬ rungsschicht 300 bedeckt, die präzise an die über dem ersten Bereich 110 angeordnete elektrisch leitende Schicht 500 an- grenzt.

Die elektrisch leitende Schicht 500 kann bei dem elektronischen Bauelement 10 beispielsweise zur elektrischen Kontak- tierung dienen.

Figur 11 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht des Halbleiterkörpers 100 in einem der Darstellung der Fi- gur 8 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand gemäß eines alternativen Vorgehens.

Im in Figur 11 dargestellten Bearbeitungsstand ist die Foto- lackschicht 400 von der Oberseite der Passivierungs- schicht 300 entfernt worden, bevor die Opferschicht 200 her^¬ ausgelöst wird. In einem der Darstellung der Figur 11 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsschritt kann nun die Opferschicht 200 durch die Öffnung 311 in der Passivierungs- schicht 300 herausgelöst werden. Dabei oder während eines weiteren Bearbeitungsschritts wird eine mechanische Belastung auf den Halbleiterkörper 100 und die Passivierungsschicht 300 ausgeübt, wodurch die über den ersten Bereich 110 der Oberfläche 101 des Halbleiterkörpers 100 hinausragenden Abschnit- te der Passivierungsschicht 300 entfernt werden. Das Ergebnis dieser Bearbeitung entspricht dem in Figur 10 gezeigten Bearbeitungsstand .

Figur 12 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht des Halbleiterkörpers 100 mit der Oberfläche 101, die den ersten Bereich 110 und den zweiten Bereich 120 umfasst gemäß einer weiteren Variante des Verfahrens. In der in Figur 12 gezeigten Variante bedeckt die elektrisch leitende

Schicht 500 die Oberfläche 101 des Halbleiterkörpers 100 so^¬ wohl im ersten Bereich 110 als auch im zweiten Bereich 120. Die Opferschicht 200 ist über dem ersten Bereich 110 der Oberfläche 101 des Halbleiterkörpers 100 auf der elektrisch leitenden Schicht 500 angeordnet und definiert den ersten Be^¬ reich 110 dadurch.

Figur 13 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht des Halbleiterkörpers 100 in einem der Darstellung der Figur 12 nachfolgenden Bearbeitungsstand. Über der Opferschicht 200 und über der elektrisch leitenden Schicht 500 über dem zweiten Bereich 120 der Oberfläche 101 des Halbleiterkörpers 100 sind die Passivierungsschicht 300 und die Fotolackschicht 400 angeordnet worden. Anschließend wurde die Öffnung 410 in der Fotolackschicht 400 und die Öff^¬ nung 311 in der Passivierungsschicht 300 über dem ersten Be^¬ reich 110 der Oberfläche 101 ausgebildet, sodass nun der Ab^¬ schnitt 210 der Opferschicht 200 freiliegt.

Figur 14 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht des Halbleiterkörpers 100 in einem der Darstellung der Figur 13 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand. Aus dem Halbleiterkörper 100 ist das elektronische Bauelement 10 ge- bildet worden, das im in Figur 14 gezeigten Bearbeitungsstand noch unfertig sein kann.

Die Opferschicht 200 wurde durch die Öffnung 311 der Passi^¬ vierungsschicht 300 herausgelöst. Außerdem wurde die Foto^¬ lackschicht 400 von der Oberseite der Passivierungs^¬ schicht 300 entfernt. Ferner wurden die nach dem Herauslösen der Opferschicht freitragend über den ersten Bereich 110 der Oberfläche 101 ragenden Teile der Passivierungsschicht 300 entfernt. Dadurch liegt bei dem elektronischen Bauelement 10 die elektrisch leitende Schicht 500 über dem ersten Be^¬ reich 110 der Oberfläche 101 des Halbleiterkörpers 100 frei, während sie über dem zweiten Bereich 120 der Oberfläche 101 durch die Passivierungsschicht 300 bedeckt ist. Der über dem ersten Bereich 110 der Oberfläche 101 gebildete Zugang zu der elektrisch leitenden Schicht 500 kann beispielsweise zur elektrischen Kontaktierung des elektronischen Bauelements 10 dienen .

Figur 15 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht des Halbleiterkörpers 100 mit der den ersten Bereich 110 und den zweiten Bereich 120 umfassenden Oberfläche 101 gemäß einer weiteren Variante des Verfahrens. Über dem ersten Be^¬ reich 110 der Oberfläche 101 sind nacheinander die elektrisch leitende Schicht 500, die Opferschicht 200 und eine Deck- schicht 600 angeordnet worden. Die Deckschicht 600 bedeckt die Opferschicht 200 vollständig. Gemeinsam definieren die Opferschicht 200 und die Deckschicht 600 den ersten Be^¬ reich 110 der Oberfläche 101. Die elektrisch leitende Schicht 500 ist im in Figur 15 gezeigten Beispiel ebenfalls auf den ersten Bereich 110 beschränkt, was jedoch nicht zwingend erforderlich ist. Die Deckschicht 600 weist ein Material auf, das durch das zum Anlegen der Öffnung 311 in der Passivierungsschicht 300 ge^¬ nutzte trockenchemische Ätzverfahren gut ätzbar ist. Das Ma^¬ terial der Deckschicht 600 kann außerdem auch durch das zum Herauslösen der Opferschicht 200 genutzte nasschemische Ätz- verfahren ätzbar sein, kann gegenüber diesem Ätzverfahren aber auch beständig sein. Die Deckschicht 600 kann beispiels^¬ weise ein Material aufweisen, das SiO, SiN, TiWN, einen Fotolack oder ein Metall aufweist. Figur 16 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht des Halbleiterkörpers 100 in einem der Darstellung der Figur 15 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand.

Über der Deckschicht 600 und über dem zweiten Bereich 120 der Oberfläche 101 sind die Passivierungsschicht 300 und die Fo^¬ tolackschicht 400 angeordnet worden. Anschließend sind die Öffnung 410 in der Fotolackschicht 400 und die Öffnung 311 in der Passivierungsschicht 300 angelegt worden. Außerdem wurde nach dem Anlegen der Öffnung 311 in der Passivierungs- schicht 300 eine Öffnung 610 in der Deckschicht 600 angelegt, die im Wesentlichen bündig an die Öffnung 311 der Passivierungsschicht 300 anschließt und den Abschnitt 210 der Opfer^¬ schicht 200 freilegt. Das Anlegen der Öffnung 610 in der Deckschicht 600 kann mit dem gleichen trockenchemischen Ätz- prozess erfolgt sein wie das Anlegen der Öffnung 311 in der Passivierungsschicht 300. Das Anlegen der Öffnung 311 in der Passivierungsschicht 300 und das Anlegen der Öffnung 610 in der Deckschicht 600 kann aber auch durch unterschiedliche Ätzprozesse erfolgen.

Figur 17 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht des Halbleiterkörpers 100 in einem der Darstellung der Figur 16 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand. Die Opferschicht 200 ist durch die Öffnungen 410, 311, 610 in der Fotolackschicht 400, der Passivierungsschicht 300 und der Deckschicht 600 entfernt worden. Dadurch ragen Teile der Pas- sivierungsschicht 300 und daran angeordnete Teile der Deck^¬ schicht 600 freitragend über die über dem ersten Bereich 110 der Oberfläche 101 angeordnete elektrisch leitende

Schicht 500. Figur 18 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht des Halbleiterkörpers 100 in einem der Darstellung der Figur 17 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand. Aus dem Halbleiterkörper 100 ist das elektronische Bauelement 10 ge^¬ bildet worden, das im in Figur 18 dargestellten Bearbeitungs- stand noch unfertig sein kann.

Die Fotolackschicht 400 ist von der Oberseite der Passivie^¬ rungsschicht 300 entfernt worden. Dabei oder während eines weiteren Bearbeitungsschritts sind die über dem ersten Be- reich 110 freitragenden Teile der Passivierungsschicht 300 und die daran anhaftenden Teile der Deckschicht 600 entfernt worden. Dadurch liegt die elektrisch leitende Schicht 500 bei dem elektronischen Bauelement 10 über dem gesamten ersten Bereich 110 der Oberfläche 101 des Halbleiterkörpers 100 frei. Über dem zweiten Bereich 120 der Oberfläche 101 ist die Pas^¬ sivierungsschicht 300 angeordnet. Die über dem ersten Be^¬ reich 110 der Oberfläche 101 des Halbleiterkörpers 100 frei^¬ liegende elektrisch leitende Schicht 500 kann beispielsweise zur elektrischen Kontaktierung des elektronischen Bauele- ments 10 dienen.

Figur 19 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht des Halbleiterkörpers 100 mit der den ersten Bereich 110 und den zweiten Bereich 120 umfassenden Oberfläche 101 gemäß ei- ner weiteren Variante des Verfahrens. Über dem ersten Be^¬ reich 110 der Oberfläche 101 sind wiederum übereinander die elektrisch leitende Schicht 500, die Opferschicht 200 und die Deckschicht 600 angeordnet. Figur 20 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht des Halbleiterkörpers 100 in einem der Darstellung der Figur 19 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand.

Ein Teil 125 der Oberfläche 101 des Halbleiterkörpers 100 im zweiten Bereich 120 der Oberfläche 101 ist entfernt worden. Das Entfernen des Teils 125 der Oberfläche 101 im zweiten Be^¬ reich 120 kann beispielsweise durch ein trockenchemisches Ätzverfahren erfolgt sein, insbesondere durch ein trockenche^¬ misches Ätzverfahren unter Verwendung von Chlor.

Während der Entfernung des Teils 125 der Oberfläche 101 im zweiten Bereich 120 hat die über dem ersten Bereich 110 der Oberfläche 101 angeordnete Deckschicht 600 als Ätzmaske ge^¬ wirkt und dadurch eine Entfernung des Materials des Halb^¬ leiterkörpers 100 im ersten Bereich 110 der Oberfläche 101 verhindert. Dadurch ist die Oberfläche 101 des Halbleiterkör^¬ pers 100 nun im ersten Bereich 110 über die Oberfläche 101 im zweiten Bereich 120 erhaben. An der Grenze zwischen dem ersten Bereich 110 und dem zweiten Bereich 120 weist der erhabene Teil der Oberfläche 101 im Wesentlichen senkrechte Seiten^¬ flanken auf. Der erhabene Bereich der Oberfläche 101 im ersten Bereich 110 der Oberfläche 101 kann beispielsweise eine Wellen^¬ leiterstruktur 115 eines aus dem Halbleiterkörper 100 herzustellenden Laserbauelements bilden. In diesem Fall weist der Halbleiterkörper 100 im Bereich der Wellenleiterstruktur 115 eine Halbleiterschichtenfolge auf, die eine Laserdiode bil^¬ det .

Es wäre auch möglich, auf die Deckschicht 600 zu verzichten. In diesem Fall kann die Opferschicht 200 während des Entfer- nens des Teils 125 im zweiten Bereich 120 der Oberfläche 101 als Ätzmaske dienen. Figur 21 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht eines Halbleiterkörpers 100 in einem der Darstellung der Figur 20 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand. Über der Deckschicht 600 und über dem zweiten Bereich 120 der Oberfläche 101 ist die Passivierungsschicht 300 angeordnet worden. Die Passivierungsschicht 300 bedeckt auch die im Übergangsbereich zwischen dem ersten Bereich 110 und dem zweiten Bereich 120 der Oberfläche 101 des Halbleiterkör- pers 100 gebildeten senkrechten Flanken der Wellenleiterstruktur 115. Über der Passivierungsschicht 300 ist die Fotolackschicht 400 angeordnet worden. Über dem ersten Be^¬ reich 110 der Oberfläche 101 ist die Öffnung 410 in der Foto^¬ lackschicht 400 angelegt worden, wodurch der Abschnitt 310 der Passivierungsschicht 300 freigelegt worden ist.

Figur 22 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht des Halbleiterkörpers 100 in einem der Darstellung der Figur 21 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand.

In der Passivierungsschicht 300 und der Deckschicht 600 sind die Öffnung 311 und die Öffnung 610 angelegt worden. Anschließend ist die Opferschicht 200 herausgelöst worden. Figur 23 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht des Halbleiterkörpers 100 in einem der Darstellung der Figur 22 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand. Aus dem Halbleiterkörper 100 ist das elektronische Bauelement 10 ge^¬ bildet worden, das in der Darstellung der Figur 23 noch un- fertig sein kann. Das elektronische Bauelement 10 kann bei^¬ spielsweise ein Laserbauelement sein.

Ausgehend von dem in Figur 22 gezeigten Bearbeitungsstand ist die Fotolackschicht 400 von der Oberseite der Passivierungs- schicht 300 entfernt worden. Dabei oder während eines weite^¬ ren Bearbeitungsschritts sind die über den ersten Bereich 110 der Oberfläche 101 ragenden Teile der Passivierungs^¬ schicht 300 und die daran anhaftenden Teile der Deck- Schicht 600 entfernt worden. Dadurch liegt die elektrisch leitende Schicht 500 bei dem elektronischen Bauelement 10 nun über der gesamten Wellenleiterstruktur 115 im ersten Bereich 110 der Oberfläche 101 frei, was eine elektrische Kon- taktierung des elektronischen Bauelements 10 ermöglicht. Der zweite Bereich 120 der Oberfläche 101 des Halbleiterkör^¬ pers 100 und die an der Grenze zwischen dem ersten Be^¬ reich 110 und dem zweiten Bereich 120 gebildeten Flanken der Wellenleiterstruktur 115 sind durch die Passivierungs- schicht 300 bedeckt.

Figur 24 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht des Halbleiterkörpers 100 mit der den ersten Bereich 110 und den zweiten Bereich 120 umfassenden Oberfläche 101 gemäß ei- ner weiteren Variante des Verfahrens. Über dem ersten Be^¬ reich 110 der Oberfläche 101 sind übereinander die elektrisch leitende Schicht 500, die Opferschicht 200 und die Deck^¬ schicht 600 angeordnet worden. Anschließend wurde ein Teil 220 der zwischen der elektrisch leitenden Schicht 500 und der Deckschicht 600 eingeschlosse^¬ nen Opferschicht 200 seitlich herausgelöst. Das Herauslösen des Teils 220 kann beispielsweise durch ein nasschemisches Ätzverfahren erfolgt sein, beispielsweise unter Verwendung von HCl oder KOH. Durch das Herauslösen des Teils 220 der Opferschicht 200 weist die Opferschicht 200 nun in zur Oberflä^¬ che 101 des Halbleiterkörpers 100 parallele Richtung eine et^¬ was geringere Fläche auf als die elektrisch leitende

Schicht 500 und die Deckschicht 600.

Figur 25 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht des Halbleiterkörpers 100 in einem der Darstellung der Figur 24 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand. Wiederum wurde der Teil 125 der Oberfläche 101 des Halb^¬ leiterkörpers 100 im zweiten Bereich 120 entfernt, um im ers^¬ ten Bereich 110 die Wellenleiterstruktur 115 zu bilden. Anschließend ist über der Deckschicht 600 und über dem zwei^¬ ten Bereich 120 der Oberfläche 101 des Halbleiterkörpers 100 die Passivierungsschicht 300 angeordnet worden. Dabei hat die Passivierungsschicht 300 auch den Freiraum zwischen der elektrisch leitenden Schicht 500 und der Deckschicht 600 ge^¬ füllt, der durch das Herauslösen des Teils 220 der Opferschicht 200 entstanden ist, und bildet dort einen um die Op^¬ ferschicht 200 umlaufenden Kragen 320. Anschließend wurde die Fotolackschicht 400 über der Passivierungsschicht 300 ange- ordnet und mit der Öffnung 410 über dem ersten Bereich 110 der Oberfläche 101 versehen.

Figur 26 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht des Halbleiterkörpers 100 in einem der Darstellung der Fi- gur 25 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand.

In der Passivierungsschicht 300 und der Deckschicht 600 sind die Öffnungen 311 und 610 angelegt worden. Anschließend ist die Opferschicht 200 herausgelöst worden.

Figur 27 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht des Halbleiterkörpers 100 in einem der Darstellung der Figur 26 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand. Aus dem Halbleiterkörper 100 ist das elektronische Bauelement 10 ge- bildet worden, das in dem in Figur 27 gezeigten Bearbeitungsstand noch unvollendet sein kann. Das elektronische Bauele^¬ ment 10 kann beispielsweise ein Laserbauelement sein.

Ausgehend von dem in Figur 26 gezeigten Bearbeitungsstand ist die Fotolackschicht 400 von der Passivierungsschicht 300 ent^¬ fernt worden. Dabei oder während eines weiteren Bearbeitungs^¬ schritts sind die über den ersten Bereich 110 ragenden Teile der Passivierungsschicht 300 und die daran anhaftenden Teile der Deckschicht 600 abgetrennt und entfernt worden. Dabei ist der im Randbereich der elektrisch leitenden Schicht 500 über der Oberseite der elektrisch leitenden Schicht 500 angeordne^¬ te Kragen 320 der Passivierungsschicht 300 jedoch teilweise erhalten geblieben. Der Kragen 320 der Passivierungsschicht 300 bildet dadurch bei dem elektronischen Bauelement 10 einen umlaufenden Rand an der Oberseite der elektrisch leitenden Schicht 500 über der Wellenleiterstruktur 115. Dadurch ist vorteilhafterweise bei dem elektronischen Bauelement 10 eine besonders zuverlässige Abdeckung der Seitenflanken der Wellenleiterstruktur 115 durch die Passivierungsschicht 300 ge^¬ währleistet .

Figur 28 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht des Halbleiterkörpers 100 mit der Oberfläche 101 gemäß einer weiteren Variante des Verfahrens. Zusätzlich zu dem ersten Bereich 110 und dem an dem ersten Bereich 110 angrenzenden zweiten Bereich 120 umfasst die Oberfläche 101 im in Figur 28 gezeigten Beispiel zwei dritte Bereiche 130, die beidseitig neben dem ersten Bereich 110 angeordnet und durch Abschnitte des zweiten Bereichs 120 von dem ersten Bereich 110 getrennt sind. Der erste Bereich 110 und die dritten Bereiche 130 kön^¬ nen beispielsweise als zueinander parallele Streifen an der Oberfläche 101 des Halbleiterkörpers 100 ausgebildet sein.

Über dem ersten Bereich 110 und über den dritten Bereichen 130 der Oberfläche 101 des Halbleiterkörpers 100 wurden zunächst nacheinander die elektrisch leitende Schicht 500, die Opferschicht 200 und die Deckschicht 600 angeordnet. Die elektrisch leitende Schicht 500, die Opferschicht 200 und die Deckschicht 600 umfassen damit jeweils mehrere lateral vonei^¬ nander beabstandete Abschnitte, die über dem ersten Be^¬ reich 110 und über den dritten Bereichen 130 der Oberfläche 101 angeordnet sind und die Positionen dieser Bereiche 110, 130 dadurch definieren.

Anschließend wurde der Teil 125 der Oberfläche 101 im zweiten Bereich 120 der Oberfläche 101 entfernt, wodurch im ersten Bereich 110 die Wellenleiterstruktur 115 ausgebildet worden ist. Auch in den dritten Bereichen 130 ist die Oberfläche 101 des Halbleiterkörpers 100 über die Oberfläche 101 in dem zweiten Bereich 120 erhaben. Figur 29 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht des Halbleiterkörpers 100 in einem der Darstellung der Figur 28 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand. Über der Deckschicht 600 und über dem zweiten Bereich 120 der Oberfläche 101 des Halbleiterkörpers 100 ist die Passivie- rungsschicht 300 angeordnet worden. Die Passivierungs- schicht 300 erstreckt sich damit oberhalb des ersten Be^¬ reichs 110, des zweiten Bereichs 120 und der dritten Berei- che 130 der Oberfläche 101 des Halbleiterkörpers 100.

Figur 30 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht des Halbleiterkörpers 100 in einem der Darstellung der Figur 29 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand.

Über der Passivierungsschicht 300 ist die Fotolackschicht 400 angeordnet worden. Anschließend ist über dem ersten Be^¬ reich 110 der Oberfläche 101 des Halbleiterkörpers 100 die Öffnung 410 in der Fotolackschicht 400 angelegt worden, wodurch der Abschnitt 310 der Passivierungsschicht 300 frei^¬ gelegt worden ist. Über den dritten Bereichen 130 sind keine Öffnungen in der Fotolackschicht 400 angelegt worden.

Figur 31 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht des Halbleiterkörpers 100 in einem der Darstellung der Figur 30 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand.

In der Passivierungsschicht 300 und in der Deckschicht 600 sind über dem ersten Bereich 110 der Oberfläche 101 des Halb- leiterkörpers 100 die Öffnung 311 und die Öffnung 610 ange^¬ legt worden. Anschließend ist der oberhalb des ersten Be^¬ reichs 110 der Oberfläche 101 angeordnete Teil der Opfer^¬ schicht 200 entfernt worden. Die über den dritten Berei^¬ chen 130 der Oberfläche 101 angeordneten Teile der Opfer- schicht 200 sind unter den ungeöffneten Teilen der Passivierungsschicht 300 eingeschlossen geblieben. Figur 32 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht des Halbleiterkörpers 100 in einem der Darstellung der Figur 31 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand. Aus dem Halbleiterkörper 100 ist das elektronische Bauelement 10 ge- bildet worden, das in dem in Figur 32 gezeigten Bearbeitungsstand noch unvollendet sein kann. Das elektronische Bauele^¬ ment 10 kann beispielsweise ein Laserbauelement sein.

Ausgehend von dem in Figur 31 gezeigten Bearbeitungsstand ist die Fotolackschicht 400 entfernt worden. Dabei oder während eines weiteren Bearbeitungsschritts wurden die oberhalb des ersten Bereichs 110 der Oberfläche 101 des Halbleiterkör^¬ pers 100 angeordneten Teile der Passivierungsschicht 300 und die daran anhaftenden Teile der Deckschicht 600 abgetrennt und entfernt. Dadurch liegt die elektrisch leitende

Schicht 500 an der Oberseite der Wellenleiterstruktur 115 über dem ersten Bereich 110 der Oberfläche 101 nun frei.

Die Seitenflanken der Wellenleiterstruktur 115 an den Grenzen zwischen dem ersten Bereich 110 und dem zweiten Bereich 120 sind durch die Passivierungsschicht 300 bedeckt.

Die Passivierungsschicht 300 bedeckt auch die erhabenen Be^¬ reiche der Oberfläche 101 des Halbleiterkörpers 100 in den dritten Bereichen 130 der Oberfläche 101 mit den darüber angeordneten Schichtenfolgen der elektrisch leitenden

Schicht 500, der Opferschicht 200 und der Deckschicht 600. Diese durch die Passivierungsschicht 300 umschlossenen Struk^¬ turen über den dritten Bereichen 130 der Oberfläche 101 des Halbleiterkörpers 100 bilden Stützstrukturen 140, die die Wellenleiterstruktur 115 in zur Oberfläche 101 des Halbleiterkörpers 100 senkrechte Richtung überragen. Die Stütz^¬ strukturen 140 können beispielsweise als mechanische Anschlä^¬ ge zum Schutz der Wellenleiterstruktur 115 vor einer Beschä- digung dienen.

Die Erfindung wurde anhand der bevorzugten Ausführungsbei spiele näher illustriert und beschrieben. Dennoch ist die findung nicht auf die offenbarten Beispiele eingeschränkt. Vielmehr können hieraus andere Variationen vom Fachmann abgeleitet werden, ohne den Schutzumfang der Erfindung zu verlassen .

BEZUGSZEICHENLISTE elektronisches Bauelement 10

Halbleiterkörper 100

Oberfläche 101 erster Bereich 110

Wellenleiterstruktur 115 zweiter Bereich 120 entfernter Teil 125 dritter Bereich 130

Stützstruktur 140

Opferschicht 200

Dicke 201 freigelegter Abschnitt der Opferschicht 210 seitlich herausgelöster Teil der Opferschicht 220

Passivierungsschicht 300

Dicke 301 freigelegter Abschnitt der Passivierungsschicht 310

Öffnung in der Passivierungsschicht 311

Öffnungsfläche 312

Kragen 320

Fotolackschicht 400

Öffnung in der Fotolackschicht 410 elektrisch leitende Schicht 500

Deckschicht 600

Öffnung in der der Deckschicht 610

Claims

PATENTA S PRUCHE

Verfahren zum Herstellen eines elektronischen Bauelements (10)

mit den folgenden Schritten:

- Bereitstellen einer Oberfläche (101) mit einem ersten Bereich (110) und einem an den ersten Bereich (110) angrenzenden zweiten Bereich (120);

- Anordnen einer Opferschicht (200) über dem ersten Bereich (110) der Oberfläche (101);

- Anordnen einer Passivierungsschicht (300) über der Op^¬ ferschicht (200) und dem zweiten Bereich (120) der Oberfläche (101);

- Anlegen einer Öffnung (311) in der Passivierungsschicht (300) über dem ersten Bereich (110) der Oberfläche (101), wobei die Öffnung (311) in der Passivierungsschicht (300) mit einer Öffnungsfläche (312) angelegt wird, die kleiner als der erste Bereich (110) ist;

- Entfernen der Opferschicht (200) und der oberhalb des ersten Bereichs (110) angeordneten Abschnitte der Passi^¬ vierungsschicht (300).

Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das Anlegen der Öffnung (311) in der Passivierungs^¬ schicht (300) die folgenden Schritte umfasst:

- Anordnen einer Fotolackschicht (400) über der Passivie^¬ rungsschicht (300);

- Anlegen einer Öffnung (410) in der Fotolackschicht (400) über dem ersten Bereich (110) der Oberfläche (101);

- Entfernen eines unter der Öffnung (410) in der Fotolackschicht (400) angeordneten Teils (310) der Passivie^¬ rungsschicht (300);

wobei das Verfahren außerdem den folgenden Schritt umfasst :

- Entfernen des Fotolacks (400) .

3. Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche,

wobei vor dem Anordnen der Opferschicht (200) eine elektrisch leitende Schicht (500) über dem ersten Bereich (110) der Oberfläche (101) oder über dem ersten Bereich (110) und dem zweiten Bereich (120) der Oberfläche (101) angeordnet wird.

4. Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche,

wobei vor dem Anordnen der Passivierungsschicht (300) ein Teil (125) der Oberfläche (101) im zweiten Bereich (120) entfernt wird.

5. Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche,

wobei die Oberfläche (101) eine Oberfläche eines Halb^¬ leiterkörpers (100) ist.

6. Verfahren gemäß Ansprüchen 4 und 5,

wobei im ersten Bereich (110) der Oberfläche (101) eine Wellenleiterstruktur (115) eines Laserbauelements ausge^¬ bildet wird.

7. Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche,

wobei vor dem Anordnen der Passivierungsschicht (300) ei^¬ ne Deckschicht (600) über der Opferschicht (200) angeord^¬ net wird,

wobei nach dem Anlegen der Öffnung (311) in der Passivierungsschicht (300) auch ein unter der Öffnung (311) in der Passivierungsschicht (300) angeordneter Teil der Deckschicht (600) entfernt wird.

8. Verfahren gemäß Anspruch 7,

wobei vor dem Anordnen der Passivierungsschicht (300) ein Teil der Opferschicht (200) entfernt wird.

9. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 7 und 8,

wobei die Deckschicht (600) aus einem Material angelegt wird, das SiO, SiN, TiWN, einen Fotolack oder ein Metall aufweist .

10. Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Opferschicht (200) auch über einem von dem ers^¬ ten Bereich (110) beabstandeten dritten Bereich der Oberfläche (101) angeordnet wird,

wobei die Passivierungsschicht (300) auch über dem drit^¬ ten Bereich der Oberfläche (101) angeordnet wird, wobei über dem dritten Bereich der Oberfläche (101) keine Öffnung (311) in der Passivierungsschicht (300) angelegt wird .

11. Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche,

wobei die Opferschicht (200) aus einem Material angelegt wird, das ZnO, AI₂O₃, TiWN, SiO oder einen Fotolack auf^¬ weist.

12. Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche,

wobei die Opferschicht (200) mit einer Dicke zwischen 10 nm und 1 ym angelegt wird, bevorzugt mit einer Dicke zwischen 50 nm und 500 nm.

13. Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche,

wobei die Passivierungsschicht (300) mittels eines Gas- phasenabscheidungsverfahrens angelegt wird, insbesondere mittels chemischer Gasphasenabscheidung oder mittels Atomlagenabscheidung .

14. Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche,

wobei die Passivierungsschicht (300) aus einem Material angelegt wird, das SiN, SiO, TaO, ZrO, A10 oder ITO auf^¬ weist.

15. Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche,

wobei die Passivierungsschicht (300) mit einer Dicke zwi^¬ schen 1 nm und 10 ym angelegt wird, bevorzugt mit einer Dicke zwischen 10 nm und 2 ym.

16. Verfahren gemäß Anspruch 2 und wahlweise anderen der vorhergehenden Ansprüche, wobei das Entfernen des Teils (310) der Passivierungs- schicht (300) durch trockenchemische Ätzung erfolgt, ins^¬ besondere unter Verwendung von Fluor, Chlor oder Argon. 17. Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche,

wobei das Entfernen der Opferschicht (200) durch nassche^¬ mische Ätzung erfolgt, insbesondere unter Verwendung von HCl oder von KOH.