WO2016125841A1 - 被加工物保持装置及びレーザカット加工方法 - Google Patents

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WO2016125841A1
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adhesive
workpiece
holding device
workpiece holding
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良昭 辰己
利文 菅原
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    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/08Devices involving relative movement between laser beam and workpiece
    • B23K26/10Devices involving relative movement between laser beam and workpiece using a fixed support, i.e. involving moving the laser beam
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36Removing material
    • B23K26/38Removing material by boring or cutting
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10PGENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/70Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping

Definitions

  • the present invention relates to a workpiece holding device and a laser cutting method for holding a workpiece.
  • a device using a mechanical clamp is a device used for lathe processing or milling, and is a device for fixing a workpiece by mechanically grasping (squeezing) a workpiece using a dedicated chuck (for example, patent document) 1).
  • An apparatus using a magnet is also an apparatus mainly used in machining, and is an apparatus for adsorbing and fixing a magnetic workpiece by the magnetic force of the magnet (see, for example, Patent Document 2).
  • the apparatus using the vacuum is an apparatus that grips the workpiece by the pressure difference between the front surface (processed surface) and the back surface of the workpiece, and is currently used most in Si wafer and glass processing. (For example, refer to Patent Document 3).
  • the technique of holding by wax fixing is a technique of fixing a workpiece using the property of wax that melts when heated and hardens when cooled (see, for example, Patent Document 4).
  • the technique of holding with a tape is a technique of holding a workpiece by attaching the tape to the back surface of the workpiece and fixing the tape with a vacuum chuck. This technique is frequently used in the grinding process of a Si wafer (see, for example, Patent Document 5).
  • An electrostatic chuck is a device that grips the back surface of a workpiece by static electricity, and is often used for holding a semiconductor or a display (see, for example, Patent Document 6).
  • the adhesive chuck is a device that focuses on the adhesiveness of silicone, butadiene rubber, and urethane rubber, and fixes a workpiece by the adhesive force of the silicone or the like (see, for example, Patent Document 7).
  • the above-described conventional technique cannot solve such a problem. That is, in a device using a mechanical clamp, for example, when a thin Si wafer or glass of 0.5 mm or less is ground, it cannot be gripped by a chuck. If it is forcibly gripped, the thin workpiece will be damaged by the mechanical force of the chuck. In an apparatus using a magnet, the workpiece needs to have magnetism, and therefore cannot hold a non-magnetic Si wafer or glass. A device using a vacuum can obtain a relatively large holding force. However, when a Si wafer or glass is processed thinly, it becomes easy to bend.
  • the technique of holding with a tape is the most used technique for processing a thin Si wafer.
  • this technique has a problem in terms of cost because an expensive tape such as a BG (background) tape or an expanded tape is used.
  • BG background
  • it is a consumable item while being an expensive tape. That is, once these tapes are used, they cannot be used again.
  • An electrostatic chuck develops its force even in a vacuum, and is used in many processes.
  • the holding force on a workpiece is weaker than other types of techniques.
  • Adhesive chucks use very soft rubber such as silicone, butadiene rubber, urethane rubber, etc., so if you try to fix the work piece with these rubbers, the work piece will move and high-precision processing Is difficult.
  • the present invention has been made to solve the above-described problems, and can hold and release various thin workpieces reliably and gently without being damaged or deformed even under various environments. Furthermore, it is an object of the present invention to provide a workpiece holding device and a laser cut processing method that enable reduction of processing costs and high-precision processing.
  • the invention of claim 1 is characterized in that an adhesive part capable of adhering a workpiece to the surface thereof and capable of bending in a thickness direction, and holding the adhesive part detachably on the surface.
  • a workpiece holding device provided with a holding portion to be fixed, wherein the adhesive portion is capable of fixing the workpiece by sticking on the surface thereof, and has an adhesive layer having flexibility at least in the thickness direction;
  • the holding portion is a portion formed by a base material layer that can be bent in the thickness direction and has a desired tensile strength, and is fixed to the back surface of the adhesive layer to suppress deformation of the adhesive layer due to external force.
  • the base material layer of the part was detachably adsorbed, and the adhesive part was held and fixed on the surface.
  • the workpiece can be held and fixed by installing the workpiece holding device of the present invention during the surface grinding process and the machining process in the semiconductor industry. That is, when the work piece is placed on the surface of the adhesive portion in a state where the separate adhesive portion is detachably held and fixed on the holding portion, the work piece is adhered by the adhesive portion and the work piece is held. It is held and fixed by the device. In this state, the surface of the workpiece can be processed using a grindstone or the like.
  • the workpiece holding device of the present invention since the workpiece can be held and fixed simply by placing the workpiece on the adhesive portion, mechanical stress is not given to the workpiece during holding and fixing. Absent. Therefore, by using this workpiece holding device, even in a thin workpiece processing process, it can be reliably held and fixed without being damaged or deformed. And after completion
  • maintained is removed from a holding part, a to-be-processed object is turned down, and an adhesion part is turned up. At this time, since the adhesive portion can be bent in the thickness direction, the adhesive portion is easily peeled off from the workpiece, the holding operation for the workpiece is released, and the workpiece is detached from the adhesive portion.
  • the adhesive portion is formed by the adhesive layer that can adhere and fix the workpiece on its surface and the base material layer fixed to the back surface of the adhesive layer.
  • an expensive tape such as a BG tape or an expanded tape.
  • the adhesive layer can be used not only once but many times.
  • the adhesive layer of the adhesive part is thickened, the workpiece moves, and there is a possibility that the fixing ability for holding and fixing the workpiece is lost. For this reason, it is preferable that the adhesive layer is as thin as possible.
  • the pressure-sensitive adhesive layer is made thin, the pressure-sensitive adhesive layer may be stretched or dented by an external force such as a grindstone transmitted through the workpiece during processing.
  • the adhesive portion has a desired tensile strength, and the base material layer that adheres to the back surface of the adhesive layer and suppresses deformation of the adhesive layer due to external force is fixed to the adhesive layer.
  • the adhesive layer is prevented from being deformed by an external force such as a grindstone transmitted through the workpiece, and there is no possibility that the adhesive layer will stretch or dent.
  • the workpiece is securely fixed, and high-precision machining is possible.
  • the work piece can be held and fixed at room temperature, heating and cooling processes and special parts are not required unlike the wax fixing technique. That is, according to the workpiece holding device of the present invention, a special processing process and processed parts are not required, and the processing cost can be reduced.
  • the adhesive layer of the adhesive portion includes silicone rubber (silicone resin), styrene butadiene rubber, chlorosulfonated polyethylene rubber, acrylonitrile butadiene rubber, ethylene propylene.
  • silicone rubber silicone resin
  • styrene butadiene rubber chlorosulfonated polyethylene rubber
  • acrylonitrile butadiene rubber ethylene propylene.
  • the rubber, chloroprene rubber, butadiene rubber, fluorine rubber, isobutylene isoprene rubber, and urethane rubber were used.
  • the base material layer of the adhesive portion is formed of a synthetic resin, and the holding portion is for vacuum adsorbing the base material layer of the adhesive portion. It was set as the structure which has a vacuum suction mechanism. With this configuration, the adhesive part can be strongly fixed on the holding part by placing the adhesive part on the holding part and causing the vacuum suction mechanism to function. At this time, since the base material layer of the adhesive portion is vacuum-sucked by the vacuum suction mechanism of the holding portion, the base material layer may be pulled into the suction hole and deformed.
  • the base material layer of the adhesive portion is formed of a synthetic resin having a desired tensile strength, so that the base material layer is pulled into the adsorption hole and deforms. It is not.
  • the base material layer of the adhesive portion is formed of either polyethylene terephthalate (PET) or polyimide.
  • the base material layer of the adhesive portion is formed of a magnetic member, and the holding portion magnetically attracts the base material layer of the adhesive portion. For this reason, either a permanent magnet or an electromagnet is provided.
  • a permanent magnet or an electromagnet is provided.
  • the workpiece holding device of the present invention can be used even in a vacuum. Furthermore, even if this workpiece holding device is used in a machining process that uses grinding fluid, cooling water, etc., unlike the vacuum suction mechanism, there are no suction holes. There is no such thing as inhaling.
  • the invention of claim 6 is the workpiece holding device according to any one of claims 1 to 5, wherein the thickness of the adhesive layer of the adhesive part is within 0.025 mm to 1.5 mm, and its hardness Is 20 ° to 70 °, and its adhesive strength is 2N (Newton) / 20 mm or less in terms of peel strength with respect to the work piece, and the size of the base material layer of the adhesive portion is equal to or larger than the size of the adhesive layer
  • the thickness is within 0.025 mm to 0.5 mm, and the tensile strength is 10 MPa (megapascal) or more.
  • a seventh aspect of the present invention is the workpiece holding device according to any one of the first to sixth aspects, wherein the pressure-sensitive adhesive layer and the base material layer of the pressure-sensitive adhesive portion have chemical resistance against a liquid used during processing. And it was set as the structure whose heat resistance is 100 degreeC or more. With this configuration, since the adhesive layer and the base material layer of the adhesive part have chemical resistance against the liquid used during processing, liquids such as grinding liquid and cooling water adhere to the workpiece and the adhesive part. Even so, the attractive force does not decrease. For this reason, the workpiece holding device of the present invention can reliably hold the workpiece without being affected even in a wet or dry processing environment. Furthermore, since the heat resistance of the adhesive layer and the base material layer of the adhesive part is 100 ° C. or higher, no special member for heat insulation is required even during heating and cooling, and the cost of parts is reduced. be able to.
  • the base material layer of the adhesive portion is formed of a conductive polyimide
  • the holding portion electrostatically charges the base material layer of the adhesive portion.
  • the configuration is an electrostatic chuck that is attracted by force. With this configuration, the work piece is adhered onto the adhesive layer of the adhesive portion, and the base material layer is placed on the electrostatic chuck that is the holding portion, so that the base material layer formed of conductive polyimide is electrostatically charged. The workpiece is attracted to the electrostatic chuck by force, and the workpiece is held and fixed on the electrostatic chuck.
  • the base material layer of the adhesive portion is a normal polyimide, it is not possible to obtain a sufficient adsorption force by the electrostatic chuck.
  • the base material layer of the adhesive portion is formed of conductive polyimide.
  • the invention of claim 9 is the workpiece holding device according to any one of claims 1 to 8, wherein the base material layer of the adhesive portion is a plurality of piece-like bases separated by a plurality of slits having a predetermined width. It consists of material layers.
  • the adhesive portion does not shrink. As a result, the workpiece is held on the adhesive portion without warping. Further, when a workpiece having warpage is attached to the adhesive portion, the adhesive layer is pressed against the entire surface of the workpiece being warped in a state where the adhesive portion is pulled or bent. Then, the workpiece is pressed until the workpiece is warped. Thereafter, the pressing force is released, and the adhesive portion is released from the pulling force or the like. Then, the workpiece tends to return to the original warped state by releasing the pressing force.
  • the contraction force of the entire adhesive portion resists the return force of the workpiece and maintains the workpiece without warping.
  • the workpiece is held on the adhesive portion without warping.
  • an adhesion part is pulled or bent.
  • the adhesive portion extends as a whole, and the workpiece is released from the adhesive force of the adhesive layer and is released from the adhesive portion.
  • each slit of the base material layer is a linear slit extending from one end to the other end of the base material layer,
  • the slits were arranged in parallel at predetermined intervals. With this configuration, even if the adhesive part is pulled in the length direction of the slit, the entire adhesive part does not spread. However, when the adhesive portion is pulled in the width direction of the slit, that is, in the direction in which the slits are arranged, the adhesive layer in the slit portion is extended and the entire adhesive portion is spread.
  • a roller or the like is placed on the base material layer of the adhesive part. Rolls in the vertical direction and presses the adhesive layer against the workpiece. Then, the adhesive portion is released from the pressing force of the roller or the like. Then, since the adhesive part does not shrink, the workpiece is held without warping.
  • the adhesive portion is arranged so that the alignment direction of the slits of the adhesive portion is the same as the warping direction of the workpiece. The adhesive layer is brought into contact with the warped surface of the workpiece.
  • the roller or the like is rolled in the direction in which the slits are arranged on the base material layer of the adhesive portion. Then, the entire adhesive portion extends in the slit arrangement direction, that is, the warping direction of the workpiece, and the adhesive layer is in pressure contact with the entire surface of the workpiece. Then, after the workpiece is pressed with a roller or the like until the workpiece is no longer warped, the pressing force of the roller or the like is released. Then, the workpiece tries to return to the warped state like the original bow.
  • the entire adhesive part tends to shrink in the slit alignment direction, so that the contraction force resists the return force of the work piece and the work piece is not warped. To maintain. As a result, the workpiece is held by the adhesive portion without warping. And when removing the to-be-processed workpiece hold
  • each slit of the base material layer is a linear slit.
  • each slit of the base material layer is a zigzag line-shaped or wavy line-shaped slit.
  • a thirteenth aspect of the present invention is the workpiece holding device according to the ninth aspect, wherein the plurality of slits are formed by a plurality of circular or polygonal slits having different diameters, and the small-diameter slit has a large diameter. It was set as the structure arrange
  • the adhesive part is also restored to the original state, and the adhesive layer adheres to the entire surface of the workpiece without warping.
  • the workpiece without warping is held by the adhesive portion, and the pasting of the workpiece is completed.
  • the pressures, such as air, are raised further.
  • transforms into the state protruded in the hook shape toward the workpiece.
  • the workpiece is pressed in a direction away from the adhesive portion and peeled off from the adhesive portion.
  • a fourteenth aspect of the present invention is a laser cutting method for laser cutting a workpiece using the workpiece holding device according to any one of the first to thirteenth aspects, wherein the workpiece holding device includes: A first step of forming an adhesive portion with an ultrathin adhesive layer and an ultrathin base material layer to reduce the thermal conductivity of the adhesive portion, and a second step of adhering the workpiece onto the adhesive portion And a third step of detachably adsorbing the base material layer of the adhesive portion by the holding portion, and holding and fixing the adhesive portion to the surface of the holding portion, and irradiating the surface of the workpiece with a laser, And a fourth step of half-cutting the workpiece.
  • the adhesive portion is formed of an extremely thin adhesive layer and an extremely thin base material layer. Then, by executing the second step, the workpiece is adhered on the adhesive portion, and by executing the third step, the adhesive portion is held and fixed on the surface of the holding portion.
  • the fourth step in this state the surface of the workpiece is irradiated with the laser, and the workpiece is half cut. That is, the workpiece can be laser-diced by executing the laser cut processing method. By the way, in laser cutting, the workpiece is heated by the energy of the laser, and the workpiece may be in an overheated state.
  • the adhesive portion of the workpiece holding device is formed by the ultrathin adhesive layer and the ultrathin base material layer to reduce the thermal conductivity of the adhesive portion. Therefore, the heat applied to the workpiece is not retained in the adhesive portion and is radiated to the outside, so that there is almost no possibility that the workpiece is overheated.
  • the present invention there is an excellent effect that even a thin workpiece can be reliably held and fixed without being damaged or deformed. Moreover, not only can the workpiece be securely fixed to enable high-precision machining, but also the workpiece can be held / released without applying a load. Furthermore, not only one processing but also a number of processings can be performed, and a special processing process and processed parts are not required, so that processing costs can be reduced.
  • a magnetic workpiece but also a non-magnetic workpiece can be securely held despite the configuration using a magnet, There is an effect that it can be used even in a vacuum.
  • the workpiece can be reliably held not only in a dry processing environment but also in a wet processing environment.
  • the work piece can be held in a state free from warpage by the pressure-sensitive adhesive portion regardless of whether the work piece is warped or not. There is an effect that the workpiece can be easily detached from the adhesive portion simply by pulling or bending the.
  • a workpiece that is warped only in one direction, such as a bow can be held without warping and can be easily removed.
  • FIG. 1 is a perspective view illustrating a workpiece holding device according to a first embodiment of the present invention, which is separated into an adhesive portion and a holding portion. It is a front view of the workpiece holding apparatus which shows a holding
  • FIG. 22A is a cross-sectional view showing a method for removing a Si wafer.
  • FIG. 22A shows a state before the start of roller movement
  • FIG. 22B shows a state where the roller starts moving
  • FIG. FIG. 22D shows the state of movement of the roller
  • FIG. 22D shows the state of movement of the roller and the state where the Si wafer is peeled off.
  • seat shows the example of the adhesion plate which has the slit of radial direction other than five slits. It is a top view which shows the adhesion plate which is the principal part of the workpiece holding apparatus which concerns on 10th Example of this invention. It is a top view which shows the modification of 10th Example, (a) of FIG. 36 shows the example of the adhesive plate in which the five slits of a base material sheet are eccentric, (b) of FIG.
  • seat shows the example of the adhesion plate which has the slit of radial direction other than five slits.
  • FIG. 1 is a perspective view showing a workpiece holding device according to a first embodiment of the present invention separately in an adhesive portion and a holding portion
  • FIG. 2 is a workpiece holding device showing the holding portion in cross section.
  • a workpiece holding device 1-1 of this embodiment is a device for holding and fixing a Si (silicon) wafer W as a workpiece, and includes an adhesive plate 2 as an adhesive portion. And a vacuum chuck 3-1 as a holding portion.
  • the adhesive plate 2 is a disc body that adheres the Si wafer W to its surface.
  • the adhesive plate 2 has flexibility that can be bent in the thickness direction (vertical direction in FIGS. 1 and 2).
  • the adhesive plate 2 has a structure in which an adhesive sheet 21-1 as an adhesive layer and a base material sheet 22-1 as a base material layer are laminated and fixed.
  • the pressure-sensitive adhesive sheet 21-1 is a sheet for sticking the Si wafer W onto the surface 21a.
  • the pressure-sensitive adhesive sheet 21-1 is formed of silicone rubber having flexibility in the thickness direction. .
  • the shape and size of the adhesive sheet 21-1 are set to be approximately the same shape and the same size as the circular Si wafer W, and as shown in FIG. 2, the thickness t1 is set to 1.0 mm.
  • the silicone rubber pressure-sensitive adhesive sheet 21-1 has a hardness of 60 °, and the pressure-sensitive adhesive strength with respect to the Si wafer W is 2 N / 20 mm or less. Further, the pressure-sensitive adhesive sheet 21-1 has chemical resistance against the grinding fluid S used during processing, and its heat resistance is 100 ° C. or higher.
  • the base sheet 22-1 is a sheet for suppressing the deformation of the adhesive sheet 21-1, and in this embodiment, the base sheet 22-1 is a synthetic resin that can be bent in the thickness direction.
  • PET polyethylene terephthalate
  • the shape and size of the base sheet 22-1 are set to be the same shape and almost the same size as the pressure-sensitive adhesive sheet 21-1, and the thickness t2 is set to 0.1 mm.
  • the tensile strength of the PET base material sheet 22-1 is about 50 MPa.
  • the base sheet 22-1 also has chemical resistance against the grinding fluid S used during processing, and its heat resistance is 100 ° C. or higher.
  • the base sheet 22-1 is fixed to the back surface 21b of the pressure-sensitive adhesive sheet 21-1, thereby preventing the pressure-sensitive adhesive sheet 21-1 from being deformed by an external force during processing.
  • the vacuum chuck 3-1 is a device for detachably holding and fixing the adhesive plate 2 to the surface 3a, and has a chuck body 30 and a vacuum suction mechanism 31.
  • the chuck body 30 has a circular surface 3 a for placing the adhesive plate 2, and the vacuum suction mechanism 31 is assembled to the chuck body 30.
  • the vacuum suction mechanism 31 is a mechanism for vacuum-sucking the adhesive plate 2 on the surface 3a, and is composed of a plurality of suction holes 32 opened to the surface 3a, an intake passage 33, a hose 34, and a vacuum pump 35. Yes. Specifically, as shown in FIG.
  • the lower ends of the plurality of suction holes 32 communicate with the intake passage 33, and one end of the hose 34 communicates with the intake passage 33, whereby the vacuum pump 35 is used.
  • the vacuum pump 35 By exhausting the air from the suction holes 32, the intake passage 33 and the hose 34, the back surface 22b of the base sheet 22-1 is sucked onto the surface 3a of the chuck body 30, and the adhesive plate 2 is attached to the chuck body 30. It is held and fixed on the top.
  • the pressure-sensitive adhesive plate 2 can be removed from the chuck body 30 by setting the suction holes 32, the intake passage 33, and the hose 34 to normal pressure.
  • FIG. 3 is a sectional view showing an example in which the workpiece holding device 1-1 is used for surface grinding.
  • the Si wafer W is set on the workpiece holding device 1-1 in the surface grinding process, first, the Si wafer W is placed on the adhesive plate 2, The wafer W is adhered to the surface 21a of the adhesive sheet 21-1.
  • a 0.7 mm thick Si wafer W was used as the workpiece.
  • the adhesive plate 2 is placed on the chuck body 30 of the vacuum chuck 3-1, and the vacuum pump 35 of the vacuum suction mechanism 31 is driven.
  • the air in the adsorption hole 32 and the intake passage 33 is exhausted to the outside through the hose 34, and the inside of the adsorption hole 32 becomes negative pressure.
  • the back surface 22b of the base sheet 22-1 is sucked onto the front surface 3a of the chuck body 30 by the suction holes 32, and the adhesive plate 2 is held and fixed on the chuck body 30.
  • the grindstone 100 is moved over the entire surface of the Si wafer W while being rotated while being pressed against the surface of the Si wafer W. At this time, the grinding liquid S is ejected from the nozzle 110 onto the Si wafer W to achieve grinding efficiency and cooling.
  • an SDC (metal coated diamond) # 325 is used as the grindstone 100, and the feed speed of the grindstone 100 is moved at 150 mm / min. It was possible to grind to a thickness of 08 mm.
  • the thickness of the Si wafer W used in this embodiment is 0.7 mm as described above, which is a very thin wafer. Therefore, if this Si wafer W is gripped from both the left and right sides and stress is applied, there is a risk of breakage.
  • the Si wafer W can be held and fixed simply by placing the Si wafer W on the adhesive plate 2. There is no stress. Therefore, by using the workpiece holding device 1-1, the thin Si wafer W is not damaged or deformed in the surface grinding process.
  • an expensive tape such as a BG tape or an expanded tape is not used. Since the Si wafer W is adhered and fixed using the adhesive plate 2 composed of the inexpensive adhesive sheet 21-1 and the base material sheet 22-1, processing can be performed at low cost. Furthermore, unlike these expensive tapes, the adhesive plate 2 can be used multiple times, not just once.
  • FIG. 4 is a front view for explaining a problem when the Si wafer W is adhered using only the thin adhesive sheet 21-1.
  • the thickness t1 of the adhesive sheet 21-1 is set to 1.0 mm, which is very thin. The reason why the thickness is reduced is that if the pressure-sensitive adhesive sheet 21-1 is made thicker, the Si wafer W moves and the fixing ability for holding and fixing the Si wafer W may be lost.
  • the pressure-sensitive adhesive plate 2 is formed of only the thin pressure-sensitive adhesive sheet 21-1, the pressure-sensitive adhesive sheet 21-1 expands or dents due to the pressure of the grindstone 100 rotating and moving during surface grinding. 21c occurs. Therefore, as shown in FIGS.
  • a PET base sheet 22-1 having a tensile strength of about 50 MPa is fixed to the back surface 21b of the adhesive sheet 21-1, An adhesive plate 2 was formed.
  • the base material sheet 22-1 having a tensile strength of about 50 MPa becomes the pressure-sensitive adhesive sheet 21-. Suppresses the occurrence of elongation and dent of 1.
  • the base sheet 22-1 of the adhesive plate 2 is formed of PET having a tensile strength of about 50 MPa, the base sheet 22-1 is drawn into the suction hole 32 of the vacuum suction mechanism 31, There is no risk of deformation.
  • the Si wafer W can be held and fixed at room temperature by the adhesive plate 2 and the vacuum chuck 3-1. This eliminates the need for heating and cooling processes and components as in the wax fixing technique. That is, according to the workpiece holding device 1-1, it is possible to reduce the processing cost without requiring a special processing process and processed parts.
  • FIG. 5 is a front view showing a method of removing the Si wafer W.
  • FIG. 5A shows a state where the adhesive plate 2 to which the Si wafer W is adhered is placed on the pedestal 120
  • FIG. (B) shows a state where the adhesive plate 2 is peeled off from the Si wafer W.
  • the vacuum pump 35 is reversely driven to bring the inside of the suction hole 32 to normal pressure.
  • the adhesive plate 2 to which the Si wafer W is adhered can be removed from the vacuum chuck 3-1.
  • the Si wafer W is placed on the lower side and the adhesive plate 2 is placed on the predetermined pedestal 120 with the adhesive plate 2 facing upward. In this state, as shown in FIG.
  • the finger 210 of the hand 200 is hooked on the periphery of the Si wafer W and pulled in the thickness direction.
  • the adhesive plate 2 as a whole has the flexibility to bend in the thickness direction (vertical direction in FIG. 5), so that the adhesive plate 2 is easily peeled off from the Si wafer W, and the Si wafer W The sticking operation of the sticking plate 2 is released. That is, the Si wafer W can be easily detached from the adhesive plate 2 with a small force by using the adhesive plate 2 applied to this embodiment.
  • FIG. 6 is a sectional view showing a workpiece holding device according to a second embodiment of the present invention.
  • the workpiece holding device 1-2 of this embodiment differs from the first embodiment in that the base sheet 22-2 of the adhesive plate 2 is formed of polyimide.
  • the base material sheet 22-2 of the adhesive plate 2 was formed of polyimide, which is a synthetic resin that can be bent in the thickness direction.
  • the thickness t2 of the base sheet 22-2 is set to 0.05 mm.
  • the tensile strength of the base material sheet 22-2 made of polyimide is 250 MPa, which is larger than the tensile strength of the base material sheet 22-1 made of PET. Therefore, the thickness t1 of the silicone rubber pressure-sensitive adhesive sheet 21-2 can be set to an extremely thin thickness of 0.1 mm. Since other configurations, operations, and effects are the same as those in the first embodiment, description thereof is omitted.
  • FIG. 7 is a sectional view showing a workpiece holding device according to a third embodiment of the present invention.
  • the workpiece holding device 1-3 of this embodiment includes an adhesive plate 2 and a magnet chuck 3-2.
  • the base material sheet 22-3 of the adhesive plate 2 was formed of a magnetic member that can be bent in the thickness direction.
  • SUS Stainless Used Steel
  • 430 having a tensile strength of 420 MPa was used.
  • the tensile strength of the base sheet 22-3 made of SUS430 is much larger than the tensile strength of the base sheets 22-1 and 22-2 used in the first and second examples.
  • the thickness t2 can be set to 0.03 mm.
  • the thickness t1 of the adhesive sheet 21-3 made of silicone rubber can be set to an extremely thin thickness of 0.05 mm or less.
  • the magnet chuck 3-2 is formed of a permanent magnet for magnetically attracting the base sheet 22-3 of the adhesive plate 2.
  • the chuck body itself of the magnet chuck 3-2 is formed of a permanent magnet.
  • FIG. 8 is a cross-sectional view showing an example in which the workpiece holding device 1-3 is used for surface grinding.
  • the adhesive plate 2 to which the Si wafer W is adhered is placed on the magnet chuck 3-2.
  • the base sheet 22-3 of the adhesive plate 2 is magnetically attracted to the surface 3a of the magnet chuck 3-2 by the magnet chuck 3-2 formed of a permanent magnet, and the entire adhesive plate 2 is magnetized. It is firmly fixed on the top.
  • the Si wafer W can be surface ground by rotating the grindstone 100 while being in pressure contact with the surface of the Si wafer W while jetting the grinding liquid S from the nozzle 110 onto the Si wafer W. .
  • the Si wafer W can be reliably held and fixed regardless of whether the Si wafer W is magnetic or non-magnetic. Further, since the adhesive plate 2 can be magnetically attracted onto the magnet chuck 3-2, the workpiece holding device 1-3 can be used even in a vacuum. Further, in the workpiece holding device 1-3 of this embodiment, unlike the vacuum suction mechanism, there is no suction hole in the chuck body 30, so that the situation where the grinding fluid S is sucked into the device does not occur. Since other configurations, operations, and effects are the same as those in the first and second embodiments, description thereof is omitted.
  • FIG. 9 is a sectional view showing a workpiece holding device according to a fourth embodiment of the present invention.
  • the workpiece holding device 1-4 of this embodiment is a device that can be applied to plasma dicing.
  • the workpiece holding device 1-4 is different from the first to third embodiments in that the adhesive plate 2 is electrostatically attracted by the electrostatic chuck 3-3.
  • the pressure-sensitive adhesive sheet 21-4 of the pressure-sensitive adhesive plate 2 is formed of silicone rubber having a thickness t1 of 0.1 mm
  • the base material sheet 22-4 is formed of a conductive thickness t2 of 0.05 mm.
  • the workpiece to be adhered by the adhesive plate 2 is a Si wafer W having a thickness of 0.7 mm as in the first to third embodiments.
  • the electrostatic chuck 3-3 is a device having a structure in which a pair of suction electrodes 36 and 37 are disposed on the surface side of the chuck body 30 and a predetermined voltage is supplied from the power source 38 to the suction electrodes 36 and 37.
  • a predetermined voltage is supplied from the power source 38 to the suction electrodes 36 and 37.
  • the electrostatic chuck 3-3 not only an apparatus having such a structure but also all known electrostatic chucks can be applied.
  • FIG. 10 is a cross-sectional view showing an example in which the workpiece holding device 1-4 is used for plasma dicing.
  • the electrostatic chuck 3-3 When used for plasma dicing, the electrostatic chuck 3-3 is placed in a plasma generator (not shown). Then, as shown in FIG. 10, the Si wafer W is adhered on the adhesive sheet 21-4 of the adhesive plate 2, and the base material sheet 22-4 is placed on the surface 3a of the electrostatic chuck 3-3. Thereafter, the power supply 38 is turned on to supply a predetermined voltage to the suction electrodes 36 and 37 of the electrostatic chuck 3-3.
  • the base material sheet 22-4 of the adhesive plate 2 is a normal polyimide, a sufficient suction force by the electrostatic chuck 3-3 cannot be obtained.
  • the base sheet 22-4 is made of conductive polyimide, strong electrostatic force is provided between the conductive base sheet 22-4 and the electrostatic chuck 3-3. Adsorption force is generated.
  • the Si wafer W is firmly held and fixed to the electrostatic chuck 3-3. In this state, plasma can be generated and the Si wafer W can be diced.
  • the adhesive plate 2 can be detached from the electrostatic chuck 3-3 by turning off the power supply 38. Thereafter, as shown in FIG. 5, the Si wafer W can be removed from the adhesive plate 2.
  • Other configurations, operations, and effects are the same as those in the first to third embodiments, and therefore their descriptions are omitted.
  • FIG. 11 is a sectional view for explaining the first to third steps of the laser cutting method according to the fifth embodiment of the present invention
  • FIG. 12 is a sectional view showing the fourth step. is there.
  • the laser cut processing method of this embodiment includes the first to fourth steps.
  • the adhesive plate 2 of the Si wafer W is formed of an extremely thin adhesive sheet 21-5 and an ultrathin base material sheet 22-5. That is, the thermal conductivity of the adhesive plate 2 is reduced by setting the adhesive plate 2 to be extremely thin.
  • the thickness t1 of the adhesive sheet 21-5 was set to 0.03 mm
  • the thickness t2 of the base material sheet 22-5 was set to 0.025 mm.
  • the second step is a step of sticking the Si wafer W to the surface 21 a of the adhesive plate 2.
  • the third step is a step of detachably sucking the base material sheet 22-5 of the adhesive plate 2 by the vacuum suction mechanism 31 of the vacuum chuck 3-1. That is, in this step, the adhesive plate 2 is held and fixed to the surface 3a of the vacuum chuck 3-1.
  • the fourth step is a step of irradiating the surface Wa of the Si wafer W with the laser L and half-cutting the Si wafer W as shown in FIG. Specifically, the laser W is irradiated from the laser generator 300 to the surface Wa of the Si wafer W to cut the groove Wc. This is so-called half-cut, and the groove Wc having a predetermined depth is formed without causing the laser L to reach the back surface Wb of the Si wafer W.
  • the Si wafer W can be laser-diced by performing the first to fourth steps of this embodiment.
  • the Si wafer W may be overheated by the energy of the laser.
  • the adhesive plate 2 and the ultrathin adhesive sheet 21-5 are extremely thin. Since the thermal conductivity of the adhesive plate 2 is reduced by forming the substrate sheet 22-5, the heat applied to the Si wafer W is dissipated outside without being held by the adhesive plate 2 . For this reason, there is almost no possibility that Si wafer W will be in an overheating state.
  • Other configurations, operations, and effects are the same as those in the first to fourth embodiments, and therefore their descriptions are omitted.
  • FIG. 13 is a cross-sectional view of an adhesive plate that is a main part of a workpiece holding device according to a sixth embodiment of the present invention
  • FIG. 14 is a plan view of the adhesive plate as viewed from the base sheet side.
  • the adhesive plate 2 applied to this embodiment is different from the adhesive plates of the first to fifth embodiments in that it has a plurality of slits 23-1.
  • this adhesive plate 2 is also based on any one of the adhesive sheets 21-1 to 21-5 (hereinafter referred to as “adhesive sheet 21”) as an adhesive layer.
  • Any one of base material sheets 22-1 to 22-5 as a material layer hereinafter referred to as “base material sheet 22” is laminated and fixed.
  • a plurality of slits 23-1 are provided on the base sheet 22 side.
  • each slit 23-1 is a linear slit, and extends from one end (upper end in FIG. 14) to the other end (lower end in FIG. 14) of the base sheet 22.
  • five slits 23-1 are arranged in parallel on the base sheet 22 at substantially equal intervals.
  • the width a of the slit 23-1 is constant in the length direction and the depth b is the thickness of the base sheet 22, as shown in a partially enlarged view surrounded by a broken-line circle. Is set equal to
  • the base sheet 22 is completely separated into six pieces 22a-1 which are piece-like base layers by the five slits 23-1.
  • FIG. 15 is a cross-sectional view for explaining the function of the adhesive plate 2.
  • FIG. 15 (a) shows a state in which the adhesive plate 2 is pulled in the A direction
  • FIG. 15 (b) shows an adhesive plate. 2 shows a state where 2 is pulled in the B direction
  • FIG. 16 is a plan view showing a state where the adhesive plate 2 is pulled.
  • the adhesive plate 2 of this example has a structure in which the base material sheet 22 fixed to the adhesive sheet 21 is separated into six pieces 22a-1 by five slits 23-1. It has become. Therefore, as shown in FIGS. 15A and 16, the base sheet 22 of the adhesive plate 2 with the adhesive sheet 21 on the lower side is pulled in the A direction, that is, the length direction of the slit 23-1. However, the portion 21d of the adhesive sheet 21 at the slit 23-1 does not extend in the A direction. Therefore, even if the base sheet 22 of the adhesive plate 2 is pulled in the A direction, the entire adhesive plate 2 does not spread in the A direction. On the other hand, as shown in FIG. 15B and FIG.
  • FIG. 17 is a cross-sectional view showing a method of attaching the Si wafer W without warping to the adhesive plate 2
  • FIG. 18 is a plan view showing the rolling direction of the roller.
  • the roller 220 is rolled in the A direction, that is, the length direction of the slit 23-1.
  • the adhesive sheet 21 adheres to the Si wafer W without extending.
  • the roller 220 is separated from the adhesive plate 2.
  • the adhesive sheet 21 does not extend and the entire adhesive plate 2 does not spread, even if the pressing force by the roller 220 is released, the adhesive plate 2 does not shrink. As a result, the Si wafer W is held on the adhesive plate 2 without being warped without receiving tension from the adhesive plate 2.
  • FIG. 19 is a cross-sectional view showing a method for attaching a warped Si wafer W to the adhesive plate 2
  • FIG. 20 is a plan view showing a roller rolling direction
  • FIG. It is sectional drawing which shows a state.
  • the Si wafer W warped in an arc shape is attached to the adhesive plate 2
  • the adhesive sheet 21 of the adhesive plate 2 is brought into contact with the warped surface Wa of the Si wafer W.
  • the base material sheet 22 of the adhesive plate 2 is pressed by the roller 220.
  • the adhesive plate 2 is arranged so that the arrangement direction of the slits 23-1 coincides with the warping direction of the Si wafer W, and the center axis M of the roller 220 has five slits 23 as shown in FIG.
  • the direction of the roller 220 is set so as to be parallel to -1.
  • the roller 220 is rolled in the B direction, that is, the direction in which the slits 23-1 are arranged.
  • the warp of the Si wafer W is corrected by the pressing rotation of the roller 220.
  • the adhesive plate 2 is pulled in the B direction, and the adhesive sheet 21 adheres to the surface Wa of the Si wafer W while extending in the B direction.
  • the entire surface of the adhesive sheet 21 is not warped while the entire adhesive plate 2 is spread in the B direction. Adhere to the entire surface. In this state, the roller 220 is separated from the adhesive plate 2. Then, since the adhesive plate 2 is released from the pressing force of the roller 220, the pressing force to the Si wafer W is also released, and the Si wafer W tries to warp back to the original bow shape. However, as shown in FIG. 21, when the pressure-sensitive adhesive sheet 21 of the pressure-sensitive adhesive plate 2 is released from the pressing force of the roller 220, it tends to shrink. As a result, as indicated by the arrows, the shrinkage force f1 of the adhesive plate 2 and the return force f2 of the Si wafer W are balanced, and the Si wafer W is held by the adhesive plate 2 without warping.
  • FIG. 22 is a cross-sectional view showing a method for removing the Si wafer W.
  • FIG. 22A shows a state before the roller 220 starts to move
  • FIG. 22B shows a state where the roller 220 starts moving.
  • FIG. 22C shows the movement state of the roller 220
  • FIG. 22D shows the state where the movement of the roller 220 is finished and the Si wafer W is peeled off.
  • both ends of the adhesive plate 2 holding the Si wafer W in the arrangement direction of the slits 23-1).
  • the roller 220 is positioned on, for example, the left end of the adhesive plate 2 in a state where both ends are supported by the support member 240.
  • the roller 220 is rolled in the direction in which the slits 23-1 are arranged while the adhesive plate 2 is pressed by the roller 220.
  • the adhesive plate 2 is bent downward, and the portion D of the Si wafer W that is greatly affected by the pressing force of the roller 220 is released from the adhesive force of the adhesive sheet 21.
  • the portion D of the Si wafer W up to the moving position of the roller 220 is peeled off from the adhesive plate 2. Therefore, as shown in FIG. 22C, when the roller 220 is rolled toward the right end of the adhesive plate 2, the Si wafer W sequentially moves from the adhesive plate 2 according to the amount of movement of the roller 220. It will be peeled off.
  • the Si wafer W is removed using the roller 220.
  • the Si wafer W can also be removed using the finger 210 of the hand 200. Can do. That is, the Si wafer W can be easily detached from the adhesive plate 2 by hooking the finger 210 of the hand 200 to the peripheral edge of one end portion of the adhesive plate 2 in the direction of the slits 23-1 in the arrangement direction. .
  • Other configurations, operations, and effects are the same as those in the first to fifth embodiments, and therefore their descriptions are omitted.
  • FIG. 23 is a plan view showing an adhesive plate 2 which is a main part of the workpiece holding device according to the seventh embodiment of the present invention.
  • the shape of the slit is different from the slit 23-1 of the sixth embodiment.
  • the slits 23-2 having the same width and depth as the slits 23-1 of the sixth embodiment were set in a zigzag shape in plan view.
  • the five slits 23-2 were arranged in parallel with the base material sheet 22, and the base material sheet 22 was separated into six pieces of zigzag section portions 22a-2.
  • Other configurations, operations, and effects are the same as those in the sixth embodiment, and thus description thereof is omitted.
  • FIG. 24 is a plan view showing an adhesive plate 2 which is a main part of the workpiece holding device according to the eighth embodiment of the present invention.
  • the shape of the slit is different from the slits 23-1 and 23-2 of the sixth and seventh embodiments.
  • the slits 23-3 having the same width and the same depth as the slits 23-1 and 23-2 of the sixth and seventh embodiments have a wavy shape in plan view.
  • the five slits 23-3 were arranged in parallel with the base material sheet 22, and the base material sheet 22 was separated into six pieces of wavy line section 22a-3.
  • Other configurations, operations, and effects are the same as those in the sixth and seventh embodiments, and therefore their descriptions are omitted.
  • FIG. 25 is a plan view showing the adhesive plate 2 that is a main part of the workpiece holding device according to the ninth embodiment of the present invention
  • FIG. 26 is a cross-sectional view of the adhesive plate 2.
  • This embodiment differs from the sixth to eighth embodiments in that the slit of the adhesive plate 2 is formed in a circular shape.
  • the slit 23-4 having the same width and depth as the slits 23-1 to 23-3 of the sixth to eighth embodiments is formed in a circular shape in plan view.
  • five slits 23-4 having different diameters were concentrically arranged on the base sheet 22. That is, the five slits 23-4 are arranged in an annual ring shape so that the small-diameter slit is included inside the large-diameter slit.
  • the base sheet 22 has a central circular section 22a-4a and five donut-shaped sections 22a-4b to 22a-4f concentrically located outside the central section 22a-4a.
  • the six sections 22a-4a to 22a-4f are fixed to the adhesive sheet 21.
  • FIG. 27 is a cross-sectional view for explaining the function of the adhesive plate 2.
  • FIG. 27 (a) shows a state in which an air nozzle is attached to the adhesive plate 2
  • FIG. 27 (b) shows an adhesive plate. 2 shows a state where air pressure is applied.
  • the adhesive plate 2 is attached to the air nozzle 230.
  • the adhesive plate 2 is disposed on the air chamber 231 side of the air nozzle 230, and the outermost section 22 a-4 f of the base sheet 22 is attached to the front end surface 232 of the air nozzle 230 in an airtight manner.
  • FIG. 27B when air K is supplied into the air chamber 231 of the air nozzle 230, the air pressure is increased in the thickness direction of the adhesive plate 2 (the direction perpendicular to the surface of the adhesive plate 2). ) To the base material sheet 22 of the adhesive plate 2.
  • the base sheet 22 is separated into a central circular section 22a-4a and five outer donut-shaped sections 22a-4b to 22a-4f by the five slits 23-4. Therefore, the portion 21d of the adhesive sheet 21 at the location of each slit 23-4 extends in the thickness direction, and each section portion 22a-4a (22a-4b to 22a-4f) extends in the thickness direction (lower side of FIG. 27). Direction). As a result, the entire pressure-sensitive adhesive plate 2 is bent into a bowl shape by the pressure of the air K.
  • FIG. 28 is a perspective view of the Si wafer W warped in a bowl shape
  • FIG. 29 is a cross-sectional view showing a state in which the adhesive plate 2 is in contact with the Si wafer W
  • FIG. 31 is a cross-sectional view showing a state where the plate 2 is pressed
  • FIG. 31 is a cross-sectional view showing a state where air pressure is applied to the adhesive plate 2.
  • some Si wafers have no warp and others have a bow shape.
  • FIG. 28 there is a Si wafer W that warps in multiple directions like a bowl.
  • the Si wafer W warped in a bowl shape is attached to the adhesive plate 2, first, as shown in FIG. 29, the air nozzle 230 with the atmospheric pressure inside the air chamber 231 is faced downward, and the adhesive plate 2 The adhesive sheet 21 is brought into contact with the Si wafer W. At this time, the central section 22a-4a is positioned immediately above the vertex Wp of the Si wafer W. In this state, as shown in FIG. 30, when the air nozzle 230 is pressed in the direction of the Si wafer W, the entire pressure-sensitive adhesive plate 2 is bent toward the air chamber 231 by the drag of the Si wafer W.
  • the Si wafer W is adhered to the adhesive sheet 21 of the adhesive plate 2 without warping.
  • the Si wafer W warped in a bowl shape can be attached to the adhesive plate 2 without warping.
  • FIG. 32 is a cross-sectional view showing a state where the air nozzle 230 is raised
  • FIG. 33 is a cross-sectional view showing a method of peeling the Si wafer W.
  • FIG. 32 in a state where the Si wafer W is attached to the adhesive plate 2, even if the air nozzle 230 is raised, the Si wafer W is held on the adhesive plate 2 without warping. In this way, in order to remove the held Si wafer W from the adhesive plate 2, air K is further supplied into the air chamber 231, and the air chamber 231 is set to a pressure exceeding the predetermined pressure. As a result, as shown in FIG.
  • the respective sections 22a-4a (22a-4b to 22a-4f) are displaced in the thickness direction (downward in FIG. 33), and the entire adhesive plate 2 is formed into a bowl shape. It will bend. As a result, the Si wafer W is peeled off from the adhesive sheet 21 of the adhesive plate 2 and detached from the adhesive plate 2.
  • FIG. 34 is a plan view showing a modification of the ninth embodiment, and FIG. 34 (a) shows an example of the adhesive plate 2 in which the five slits 23-4 of the base material sheet 22 are eccentric. (B) of 34 shows an example of the adhesive plate 2 in which the base material sheet 22 has radial slits in addition to the five slits 23-4.
  • the adhesive plate 2 adapted to the Si wafer W (see FIG. 28) where the vertex Wp is located at the center has been described. However, in some Si wafers, the vertex Wp is shifted from the center. .
  • the adhesive plate 2 shown in FIG. 34A has a structure suitable for attaching and removing the Si wafer W whose apex Wp is eccentric. Specifically, the five circular slits 23-4 are not concentric but are provided eccentrically, and the innermost section 22a-4a is set to be located at the eccentric vertex Wp of the Si wafer W. ing. Thus, when the innermost section 22a-4a is positioned immediately above the vertex Wp (see FIG.
  • the Si wafer W having the eccentric vertex Wp can be attached to or removed from the adhesive plate 2.
  • the displacement direction of the sections 22a-4a to 22a-4f is limited to the thickness direction of the adhesive plate 2 (the front and back direction of the paper surface in the figure).
  • the adhesive plate 2 shown in FIG. 34 (b) is an adhesive plate applicable in such a case.
  • FIG. 35 is a plan view showing an adhesive plate 2 which is a main part of the workpiece holding device according to the tenth embodiment of the present invention.
  • This embodiment differs from the ninth embodiment in that the slits of the adhesive plate 2 are formed in a polygonal shape.
  • the slit 23-5 having the same width and depth as the slit 23-4 of the ninth embodiment was set in a pentagonal shape.
  • Five slits 23-5 having different diameters were concentrically arranged on the base sheet 22. That is, the five slits 23-5 are arranged in an annual ring shape so that the small-diameter slit is included inside the large-diameter slit.
  • the base sheet 22 is separated into a central pentagonal section 22a-5a and five pentagonal ring-shaped sections 22a-5b to 22a-5f concentrically located on the outer side. The two sections 22a-5a to 22a-5f are fixed to the adhesive sheet 21.
  • FIG. 36 is a plan view showing a modification of the tenth embodiment.
  • FIG. 36 (a) shows an example of the adhesive plate 2 in which the five slits 23-5 of the base material sheet 22 are eccentric.
  • 36 (b) shows an example of the adhesive plate 2 in which the base sheet 22 has radial slits in addition to the five slits 23-5.
  • the five circular slits 23-5 are not concentric but provided eccentrically, and the innermost section 22a-5a is the eccentric apex of the Si wafer. Is set to be located.
  • this invention is not limited to the said Example, A various deformation
  • Si wafer W is applied as the workpiece
  • a glass substrate may be applied as the workpiece.
  • silicone rubber is applied as the pressure-sensitive adhesive sheet 21-1.
  • styrene butadiene rubber chlorosulfonated polyethylene rubber, acrylonitrile butadiene rubber, ethylene propylene rubber, chloroprene rubber, butadiene rubber, fluorine Any of rubber, isobutylene isoprene rubber, and urethane rubber can be applied as the pressure-sensitive adhesive sheet 21-1.
  • the thickness t1 of the adhesive sheets 21-1 to 21-5 of the adhesive plate 2 is set to 1.0 mm, 0.1 mm, 0.03 mm and 0.05 mm. If the thickness t1 of the pressure-sensitive adhesive sheets 21-1 to 21-5 of the plate 2 is within 0.025 mm to 1.5 mm, similar actions and effects can be obtained. Further, the thickness t2 of the base sheet 22-1 to 22-5 was set to 0.1 mm, 0.05 mm, 0.03 mm and 0.025 mm, but the thickness of the base sheet 22-1 to 22-3 If the length t2 is within 0.025 mm to 0.5 mm, the same action and effect can be obtained.
  • a sheet-like polyethylene terephthalate (PET) is used as the base material layer of the adhesive plate.
  • PET polyethylene terephthalate
  • a sheet-like polyimide is used as the base material layer.
  • the substrate layer is not limited, and any synthetic resin having flexibility and desired tensile strength can be applied as the substrate layer.
  • the magnetic body of the third embodiment may be applied as the base material layer.
  • the magnet chuck is 3-2 and the permanent magnet is used, but it is needless to say that an electromagnet may be used.
  • the shape of the adhesive plate 2 was set to be circular and matched to the shape of the Si wafer W.
  • a polygonal glass such as a quadrangle
  • the shape of the adhesive plate 2 can be set to a square or the like to match the shape of the workpiece. is there.
  • the base material layer is separated into rectangular, zigzag, corrugated, circular, donut, pentagonal piece-like base material layers by a plurality of slits.
  • the structure of the base material layer is not limited to these.
  • the base material layer of the adhesive portion only needs to be composed of a plurality of piece-like base material layers separated by a plurality of slits having a predetermined width.
  • the base material layer having a structure separated into the material layers is also included in the scope of the present invention.
  • hose 35 ... vacuum pump, 36, 37 ... suction electrode, 38 ... power supply, 100 ... grinding wheel, 110 ... nozzle, 120 ... pedestal, 200 ... hand, 21 ... finger, 220 ... roller, 230 ... air nozzle, 231 ... air chamber, 232 ... tip surface, 240 ... support member, 300 ... laser generator, K ... air, M ... central axis, L ... laser, S ... grinding fluid , T1, t2 ... thickness, W ... Si wafer, Wa ... front surface, Wb ... back surface, Wc ... groove, Wp ... apex.

Landscapes

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Abstract

 薄い各種の被加工物を、各種の環境下においても、破損や変形をさせることなく、確実且つ優しく保持/解除することができ、しかも、加工コストの低減化と高精度の加工を可能にした被加工物保持装置及びレーザカット加工方法を提供する。被加工物保持装置1-1は粘着プレート2とバキュームチャック3-1とを備える。粘着プレート2はSiウェハWを表面に粘着する板体であり、粘着シート21-1と基材シート22-1とで成る。粘着シート21-1は厚さ方向への柔軟性を有したシリコーンゴムであり、厚さt1は1.0mmである。基材シート22-1は粘着シート21-1の変形を抑止するためのPET製のシートであり、厚さt2は0.1mmである。バキュームチャック3-1は粘着プレート2を表面3aに着脱自在に保持して固定する機器であり、チャック本体30と真空吸着機構31とを有する。

Description

被加工物保持装置及びレーザカット加工方法
 この発明は、被加工物を保持するための被加工物保持装置及びレーザカット加工方法に関するものである。
 従来、この種の技術としては、メカニカルクランプ,マグネット及びバキュームを用いた装置、ワックス固定やテープによって保持する装置、そして、静電チャックや粘着チャック等がある。
 メカニカルクランプを用いた装置は、旋盤加工やフライス加工に用いられる装置であり、専用のチャックを使って、被加工物を機械的に掴む(挟み込む)ことで固定する装置である(例えば、特許文献1参照)。
 マグネットを用いた装置も、主に機械加工で用いられる装置であり、磁性体の被加工物をマグネットの磁力で吸着して固定する装置である(例えば、特許文献2参照)。
 バキュームを用いた装置は、被加工物の表面(加工面)と裏面の圧力差によって、被加工物を把持する装置であり、現在、Siウェハやガラス加工において、この装置が最も使われている(例えば、特許文献3参照)。
 ワックス固定により保持する技術は、熱をかけると溶け、そして冷ますと固まるというワックスの特性を使って、被加工物を固定する技術である(例えば、特許文献4参照)。
 テープにより保持する技術は、テープを被加工物の裏面に貼り、このテープをバキュームチャックで固定することで、被加工物を保持する技術である。Siウェハのグラインディングプロセスでは、この技術が多用されている(例えば、特許文献5参照)。
 静電チャックは、被加工物の裏面を静電気によって把持する装置であり、半導体やディスプレイの保持に良く使われる(例えば、特許文献6参照)。
 粘着チャックは、シリコーンやブタジエンゴム,ウレタンゴムが粘着性を有していることに着目し、被加工物を、これらシリコーン等の粘着力によって固定する装置である(例えば、特許文献7参照)。
特開2001-144069号公報 特開2012-061566号公報 特開平08-125000号公報 特開平09-260314号公報 特開2011-042003号公報 特開2010-129845号公報 特開2009-117441号公報
  平面研削加工及び半導体産業においては、フィルム状や薄板状のSiウェハやガラス基板の加工が一般的に行われている。しかし、このような被加工物は、その薄さ故に機械的に掴むことが難しく、しかも、割れ易いので、保持するときに、ストレスを与えてることができない。このため、このような薄い被加工物を加工する産業界では、薄い被加工物を、各種の環境下においても、確実且つ長時間、優しく保持/解除することができるか否かが、重要な課題であった。
 しかし、上記した従来の技術では、このような課題を解決することができなかった。
 すなわち、メカニカルクランプを用いた装置では、例えば、0.5mm以下の薄いSiウェハやガラスを研削加工する際に、チャックで掴むことができない。無理して掴むと、薄い被加工物がチャックの機械的な力によって破損してしまう。
 マグネットを用いた装置では、被加工物が磁性を持つ必要があるため、非磁性のSiウェハやガラスを保持することができない。
 バキュームを用いた装置は、比較的大きな保持力を得ることができる。しかし、Siウェハやガラスを薄く加工すると、撓み易くなる。このため、この装置を用いて、被加工物を吸着しようとすると、被加工物が吸着孔に引き込まれて、変形し、平面精度の高い加工を行うことができない。また、被加工物をその吸引力によって割ってしまうおそれもある。さらに、研削液や冷却水等を使う加工プロセスにおいて、この装置を使用すると、バキュームしているが故に、装置が研削液や冷却水等の液体を吸い込んでしまうという問題が発生する。
 ワックス固定により保持する技術では、ワックスが消耗品であるため、加工コストの問題が発生する。また、熱をかけたり冷ましたりするプロセスや固定する板等、特別な加工プロセスや加工部品が必要となり、その分、加工コストが高くなる。
 テープにより保持する技術は、薄いSiウェハの加工では最も使用されている技術である。しかしながら、この技術では、BG(バックグラウンド)テープやエキスパンドテープ等の高価なテープを使用するため、コスト的に問題がある。しかも、高価なテープでありながら、消耗品である。つまり、これらのテープは、1度使うと、2度と使えなくなる。
 静電チャックは、真空中でもその力を発現するので、多くのプロセスで用いられているが、被加工物に対する保持力が、他の方式の技術よりも弱い。また、研削液や冷却水等の液体が、被加工物やチャックに着くと、吸着力が激減してしまうので、ウェットプロセスでは使用することができない。
 粘着チャックは、シリコーンやブタジエンゴム,ウレタンゴム等、それ自体が非常に柔らかいゴムを使用するので、被加工物をこれらのゴムで固定しようとすると、被加工物が動いてしまい、高精度の加工が困難である。
 この発明は、上述した課題を解決するためになされたもので、薄い各種の被加工物を、各種の環境下においても、破損や変形をさせることなく、確実且つ優しく保持/解除することができ、しかも、加工コストの低減化と高精度の加工を可能にした被加工物保持装置及びレーザカット加工方法を提供することを目的とする。
 上記課題を解決するために、請求項1の発明は、被加工物をその表面に粘着可能で且つ厚さ方向に撓み可能な粘着部と、この粘着部をその表面に着脱自在に保持して固定する保持部とを備える被加工物保持装置であって、粘着部は、被加工物をその表面上に粘着して固定可能で且つ少なくとも厚さ方向への柔軟性を有した粘着層と、厚さ方向に撓み可能で且つ所望の引張強度を有し、粘着層の裏面に固着して外力による粘着層の変形を抑止する基材層とで形成された部分であり、保持部は、粘着部の基材層を着脱自在に吸着して、粘着部をその表面に保持固定する部分である構成とした。
 かかる構成により、この発明の被加工物保持装置を、平面研削加工及び半導体産業における加工プロセス中に設置することで、被加工物を保持固定することができる。
 すなわち、別体の粘着部を保持部上に着脱自在に保持固定させた状態で、被加工物を粘着部の表面に載置すると、被加工物が、粘着部によって粘着され、被加工物保持装置によって保持固定された状態になる。
 かかる状態で、砥石等を用いて、被加工物の表面を加工することができる。
 ところで、被加工物が、フィルム状や薄板状のSiウェハやガラス基板の場合には、被加工物を把持して、ストレスを与えると、機械的な力によって破損させてしまうおそれがある。
 しかし、この発明の被加工物保持装置では、被加工物を粘着部上に載置するだけで、保持固定することができるので、保持固定時に、被加工物に機械的なストレスを与えることはない。
 したがって、この被加工物保持装置を用いることで、薄い被加工物の加工プロセスでも、破損や変形させることなく確実に保持及び固定させることができる。
 そして、加工作業終了後は、被加工物が保持固定されている粘着部を、保持部から取り外し、被加工物を下側にして、粘着部を上方にめくる。このとき、粘着部が、厚さ方向に撓み可能であるので、粘着部が、被加工物から簡単に剥がれて、被加工物に対する保持動作が解除され、被加工物が粘着部から外れる。
 また、この発明の被加工物保持装置では、被加工物をその表面上に粘着して固定可能な粘着層と粘着層の裏面に固着された基材層とにより、粘着部を形成したので、BGテープやエキスパンドテープ等のような高価なテープを使用する必要がない。また、粘着層は、これらの高価なテープと異なり、1度だけでなく、多数回使用できる。
 また、粘着部の粘着層は、厚くすると、被加工物が動いてしまい、被加工物を保持固定するための固定能力が失われるおそれがある。このため、粘着層は、出来るだけ薄い方が好ましい。しかし、粘着層を薄くすると、加工時に、被加工物を通じて伝わる砥石等の外力によって、粘着層が伸びたり、凹んだりするおそれがある。
 しかしながら、この発明の被加工物保持装置では、粘着部が、所望の引張強度を有し、粘着層の裏面に固着して外力による粘着層の変形を抑止する基材層を、粘着層に固着した構造になっているので、被加工物を通じて伝わる砥石等の外力による粘着層の変形が防止され、粘着層が伸びたり、凹んだりするおそれはない。この結果、被加工物が、確実に固定され、高精度な加工が可能になる。
 被加工物を常温下で保持固定することができるので、ワックス固定技術のように、加熱及び冷却のプロセスや特別な部品を必要としない。つまり、この発明の被加工物保持装置によれば、特別な加工プロセスや加工部品を必要とせず、加工コストの低減化を図ることができる。
 請求項2の発明は、請求項1に記載の被加工物保持装置において、粘着部の粘着層は、シリコーンゴム(シリコーン樹脂)、スチレンブタジエンゴム、クロロスルホン化ポリエチレンゴム、アクリロニトリルブタジエンゴム、エチレンプロピレンゴム、クロロプレンゴム、ブタジエンゴム、フッ素ゴム、イソブチレンイソプレンゴム、ウレタンゴムのいずれかで形成されている構成とした。
 請求項3の発明は、請求項2に記載の被加工物保持装置において、粘着部の基材層は、合成樹脂で形成され、保持部は、粘着部の基材層を真空吸着するための真空吸着機構を有する構成とした。
 かかる構成により、粘着部を保持部上に載せ、真空吸着機構を機能させることで、粘着部を保持部上に強く固定することができる。
 このとき、粘着部の基材層が、保持部の真空吸着機構によって真空吸着されるため、基材層が吸着孔に引き込まれて、変形するおそれがある。
 しかし、この発明の被加工物保持装置では、粘着部の基材層を、所望の引張強度を有した合成樹脂で形成しているので、基材層が吸着孔に引き込まれて、変形するおそれはない。
 請求項4の発明は、請求項3に記載の被加工物保持装置において、粘着部の基材層は、ポリエチレンテレフタラート(PET)又はポリイミドのいずれかで形成されている構成とした。
 請求項5の発明は、請求項2に記載の被加工物保持装置において、粘着部の基材層は、磁性を有する部材で形成され、保持部は、粘着部の基材層を磁気吸着するための永久磁石又は電磁石のいずれかを有する構成とした。
 かかる構成により、粘着部を保持部上に載せると、磁性を有した基材層が、保持部の永久磁石又は電磁石によって、磁気吸着され、粘着部全体が保持部上に強く固定される。
 したがって、被加工物を粘着部上に載置することで、被加工物の磁性又は非磁性にかかわらず、被加工物を確実に保持固定することができる。
 また、粘着部を保持部上に、磁気吸着することができる構造であるので、この発明の被加工物保持装置は、真空中においても使用することができる。
 さらに、研削液や冷却水等を使う加工プロセスにおいて、この被加工物保持装置を使用しても、真空吸着機構と異なり、吸着孔が存在しないので、研削液や冷却水等の液体を装置内に吸い込んでしまうという事態は発生しない。
 請求項6の発明は、請求項1ないし請求項5のいずれかに記載の被加工物保持装置において、粘着部の粘着層の厚さは、0.025mm~1.5mm以内であり、その硬度は、20°~70°であり、且つその粘着力は、被加工物に対するピール強度で2N(ニュートン)/20mm以下であり、粘着部の基材層の大きさは、粘着層の大きさ以上であり、その厚さは、0.025mm~0.5mm以内であり、且つその引張強度は、10MPa(メガパスカル)以上である構成とした。
 請求項7の発明は、請求項1ないし請求項6のいずれかに記載の被加工物保持装置において、粘着部の粘着層と基材層とは、加工時に用いられる液体に対する耐薬品性を有すると共に、その耐熱性が100℃以上である構成とした。
 かかる構成により、粘着部の粘着層と基材層とが、加工時に用いられる液体に対する耐薬品性を有しているので、研削液や冷却水等の液体が、被加工物や粘着部に付着しても、吸着力が減少することはない。このため、この発明の被加工物保持装置は、ウエットやドライの加工環境下においても、影響を受けることなく、被加工物を確実に保持することができる。
 さらに、粘着部の粘着層と基材層との耐熱性が100℃以上であるので、加熱及び冷却時においても、防熱等のための特別な部材を必要とせず、部品コストの低減化を図ることができる。
 請求項8の発明は、請求項2に記載の被加工物保持装置において、粘着部の基材層は、導電性を有したポリイミドで形成され、保持部は、粘着部の基材層を静電気力で吸着する静電チャックである構成とした。
 かかる構成により、被加工物を粘着部の粘着層上に粘着させ、基材層を保持部である静電チャックに載せることで、導電性を有したポリイミドで形成された基材層が、静電気力で静電チャックに吸着され、被加工物が静電チャック上に保持固定される。
 ところで、薄い被加工物を、プラズマによってダメージレスでダイシング加工する場合には、被加工物を静電チャックで保持固定する方法がとられる。しかし、かかる場合に、粘着部の基材層が通常のポリイミドであると、静電チャックによる十分な吸着力を得ることができない。かといって、基材層をSUS等の金属で形成すると、プラズマ加工中に、被加工物が金属汚染される可能性がある。
 そこで、この発明では、粘着部の基材層を、導電性を有するポリイミドで形成した。これにより、基材層と静電チャックとの間に強い静電吸着力が働き、被加工物が静電チャックによって強固に保持固定されることとなる。
 したがって、この発明の被加工物保持装置は、平面研削加工に使用することができるだけでなく、被加工物の金属汚染を心配することはなく、プラズマダイシング加工にも使用することができる。
 請求項9の発明は、請求項1ないし請求項8のいずれかに記載の被加工物保持装置において、粘着部の基材層は、複数且つ所定幅のスリットによって分離された複数のピース状基材層で構成されている。
 かかる構成により、粘着部を、面方向に引っ張り、又は撓ませると、スリットの部分の粘着層が伸びて、複数のピース状基材層が、互いに離れる方向又は近づく方向に変位する。この結果、粘着部全体が、広がったり、縮んだりする。
 したがって、反りのない被加工物を粘着部に貼り付ける場合には、粘着部を引っ張ったり、撓ませたりせずに、粘着層の表面を被加工物に圧接する。これにより、粘着層が被加工物に粘着する。このとき、粘着部に引っ張り力等が加わっていないので、粘着部は縮まない。この結果、被加工物は、反りのない状態で粘着部に保持されることとなる。
 また、反りのある被加工物を粘着部に貼り付ける場合には、粘着部を引っ張った状態又撓ませた状態で、粘着層を、被加工物の反り出ている面の全面に圧接する。そして、被加工物の反りがなくなるまで、被加工物を押圧する。しかる後、押圧力を解除して、粘着部を引っ張り力等から解放する。すると、押圧力の解除によって、被加工物が元の反り状態に戻ろうとする。しかし、粘着部に対する引っ張り力等の解放により、粘着部全体の収縮力が、被加工物の戻り力に抗し、被加工物を反りのない状態に維持する。この結果、被加工物は、反りのない状態で、粘着部に保持されることとなる。
 そして、保持されている被加工物を粘着部から取り外す場合には、粘着部を引っ張るか、撓ませる。これにより、粘着部が全体的に伸びて、被加工物が、粘着層の粘着力から解放され、粘着部から外れる。
 請求項10の発明は、請求項9に記載の被加工物保持装置において、基材層の各スリットは、当該基材層の一方端から他方端に至る線状のスリットであり、複数の当該スリットは、所定間隔で平行に並設されている構成とした。
 かかる構成により、粘着部をスリットの長さ方向に引っ張っても、粘着部全体が広がることはない。しかし、粘着部をスリットの幅方向、すなわち、スリットの並び方向に引っ張ると、スリットの部分の粘着層が伸びて、粘着部全体が広がる。
 したがって、反りのない被加工物を粘着部に貼り付ける場合には、被加工物を粘着部の粘着層に接触させた状態で、ローラ等を、粘着部の基材層上で、スリットの長さ方向に転がし、粘着層を被加工物に圧接する。そして、粘着部をローラ等の押圧力から解放する。すると、粘着部は縮まないので、被加工物は反りのない状態で保持される。
 また、弓のように一方向にのみ反っている被加工物を粘着部に貼り付ける場合には、粘着部のスリットの並び方向が被加工物の反り方向と同方向になるように、粘着部の粘着層を被加工物の反り出ている面に接触させる。かかる状態で、ローラ等を、粘着部の基材層上で、スリットの並び方向に転がす。すると、粘着部全体がスリットの並び方向、すなわち、被加工物の反り方向に伸びて、粘着層が被加工物全面に圧接した状態になる。そして、被加工物の反りがなくまるまで、ローラ等で被加工物を押圧した後、ローラ等の押圧力を解除する。すると、被加工物が元の弓のような反り状態に戻ろうとする。しかし、ローラ等の押圧力の解除によって、粘着部全体がスリットの並び方向に縮もうとするので、その収縮力が、被加工物の戻り力に抗して、被加工物を反りのない状態に維持する。この結果、被加工物が、反りのない状態で、粘着部に保持されることとなる。
 そして、保持されている被加工物を粘着部から取り外す場合には、粘着部をスリットの並び方向に引っ張る。すると、粘着部がスリットの並び方向に伸びて、被加工物が、粘着層の粘着力から解放され、粘着部から外れる。
 請求項11の発明は、請求項10に記載の被加工物保持装置において、基材層の各スリットは、直線状のスリットである構成とした。
 請求項12の発明は、請求項10に記載の被加工物保持装置において、基材層の各スリットは、ジグザク線状又は波線状のスリットである構成とした。
 請求項13の発明は、請求項9に記載の被加工物保持装置において、複数のスリットは、径が異なる円形状又は多角形状の複数のスリットで形成され、且つ、小径のスリットが大径のスリットの内側に含まれるように、年輪状に配設されている構成とした。
 かかる構成により、厚さ方向の圧力を粘着部に加えると、各スリットが粘着部の厚さ方向に伸び、複数のピース状基材層が厚さ方向に変位して、粘着部全体が椀状に撓む。
 したがって、椀のように多方向に反っている被加工物を粘着部に貼り付ける場合には、最内ピース状基材層が被加工物の反り出した部分の頂点に位置するように、粘着部の粘着層を被加工物に接触させる。
 かかる状態で、粘着部を被加工物側に押圧すると、複数のピース状基材層が被加工物側に変位して、粘着部全体が椀状に撓み、粘着層が、椀状に反っている被加工物全面に圧接した状態になる。
 この状態で、エアー等の圧力を粘着部の基材層側に加えると、エアー等の圧力により、被加工物の反りが矯正されるので、被加工物の反りがなくなるまで、エアー等の圧力によって押圧する。すると、粘着部も元の状態に復旧し、粘着層が反りのない状態の被加工物の全面に粘着する。この結果、反りのない被加工物が粘着部によって保持された状態になり、被加工物の貼り付けが完了する。
 そして、保持している被加工物を粘着部から取り外す場合には、エアー等の圧力をさらに高める。すると、粘着部全体が、被加工物に向かって椀状に突出した状態に変形する。この結果、被加工物が、粘着部から離れる方向に押圧され、粘着部から剥がれる。
 請求項14の発明は、請求項1ないし請求項13のいずれかに記載の被加工物保持装置を用いて被加工物をレーザカット加工するレーザカット加工方法であって、被加工物保持装置の粘着部を極薄の粘着層と極薄の基材層とで形成して、粘着部の熱伝導率を低減させる第1の工程と、被加工物を粘着部上に粘着させる第2の工程と、保持部により、粘着部の基材層を着脱自在に吸着して、粘着部を保持部の表面に保持固定する第3の工程と、レーザを被加工物の表面に照射して、被加工物をハーフカットする第4の工程とを備える構成とした。
 かかる構成により、第1の工程を実行することにより、粘着部が、極薄の粘着層と極薄の基材層とで形成される。そして、第2の工程を実行することにより、被加工物が、粘着部上に粘着され、第3の工程を実行することにより、粘着部が、保持部の表面に保持固定される。かかる状態で、第4の工程を実行することにより、レーザが被加工物の表面に照射され、被加工物がハーフカットされる。つまり、レーザカット加工方法を実行することにより、被加工物をレーザダイシング加工することができる。
 ところで、レーザカット加工では、被加工物がレーザのエネルギによって加熱され、被加工物が、過加熱状態になるおそれがある。しかしながら、この発明では、第1の工程において、被加工物保持装置の粘着部を極薄の粘着層と極薄の基材層とで形成して、粘着部の熱伝導率を低減させているので、被加工物に加わった熱は、粘着部に保留されることなく、外部に発散するため、被加工物が過加熱状態になるおそれはほとんどない。
 以上詳しく説明したように、この発明によれば、薄い被加工物の加工プロセスでも、破損や変形させることなく確実に保持及び固定させることができる、という優れた効果がある。また、被加工物を確実に固定して、高精度の加工を可能にするだけでなく、被加工物に負荷をかけずに保持/解除することができる。さらに、1回の加工だけでなく、多数回の加工を可能とすると共に、特別な加工プロセスや加工部品を必要とせず、加工コストの低減化を図ることができる。
 特に、請求項3の発明によれば、被加工物や粘着部を変形させることなく、被加工物を粘着部と共に、強い力で保持固定することができる、という効果がある。
 また、請求項5の発明によれば、磁石を用いた構成であるにもかかわらず、磁性の被加工物だけでなく、非磁性の被加工物をも確実に保持することができ、また、真空中においても使用することができる、という効果がある。そして、ドライな加工環境下だけでなく、ウエットな加工環境下においても、被加工物を確実に保持することができる。
 さらに、請求項7の発明によれば、ウエットやドライ等、あらゆる加工環境下においても、影響を受けることなく、被加工物を確実に保持することができる、という効果がある。また、粘着部の粘着層と基材層との耐熱性が100℃以上であるので、加熱及び冷却時においても、防熱等のための特別な部材を必要とせず、部品コストの低減化を図ることができる。
 また、請求項8及び請求項14の発明によれば、平面研削加工に使用することができるだけでなく、ダイシング加工にも使用することができる、という効果がある。
 また、請求項9ないし請求項13の発明によれば、被加工物の反りの有無にかかわらず、粘着部によって、被加工物を、反りのない状態で、保持することができると共に、粘着部を引っ張ったり、撓ませるだけで、被加工物を、簡単に粘着部から取り外すことができるという効果がある。
 特に、請求項11ないし請求項12の発明によれば、弓のように一方向にのみ反っている被加工物を、反りのない状態で保持することができ、そして、簡単に取り外すこともできる。
 また、請求項13の発明によれば、椀のように多方向に反っている被加工物を、反りのない状態で保持することができ、また、簡単に取り外すこともできる。
この発明の第1実施例に係る被加工物保持装置を粘着部と保持部とに分離して示す斜視図である。 保持部を断面で示す被加工物保持装置の正面図である。 被加工物保持装置を平面研削加工に使用した例を示す断面図である。 薄い粘着シートのみを用いて、Siウェハを粘着した場合の問題を説明するための正面図である。 Siウェハの取り外し方法を示す正面図であり、図5の(a)は、Siウェハが粘着した粘着プレートを台座の上に載置した状態を示し、図5の(b)は、粘着プレートをSiウェハから剥がす状態を示す。 この発明の第2実施例に係る被加工物保持装置を示す断面図である。 この発明の第3実施例に係る被加工物保持装置を示す断面図である。 第3実施例の被加工物保持装置を平面研削加工に使用した例を示す断面図である。 この発明の第4実施例に係る被加工物保持装置を示す断面図である。 被加工物保持装置1-4をプラズマダイシング加工に使用する例を示す断面図である。 この発明の第5実施例に係るレーザカット加工方法の第1の工程~第3の工程を説明するための断面図である。 第4の工程を示す断面図である。 この発明の第6実施例に係る被加工物保持装置の要部である粘着プレートの断面図である。 粘着プレートを基材シート側から見た平面図である。 粘着プレートの機能を説明するための断面図であり、図15の(a)は、粘着プレートをA方向に引っ張った状態を示し、図15の(b)は、粘着プレートをB方向に引っ張った状態を示す。 粘着プレートを引っ張った状態を示す平面図である。 反りのないSiウェハを粘着プレートに貼り付ける方法を示す断面図である。 ローラの転がし方向を示す平面図である。 反りのあるSiウェハを粘着プレートに貼り付ける方法を示す断面図である。 ローラの転がし方向を示す平面図である。 Siウェハの貼り付け状態を示す断面図である。 Siウェハの取り外し方法を示す断面図であり、図22の(a)は、ローラの移動開始前の状態を示し、図22の(b)は、ローラの移動開始状態を示し、図22の(c)は、ローラの移動状態を示し、図22の(d)は、ローラの移動終了とSiウェハが剥がれる状態を示す。 この発明の第7実施例に係る被加工物保持装置の要部である粘着プレートを示す平面図である。 この発明の第8実施例に係る被加工物保持装置の要部である粘着プレートを示す平面図である。 この発明の第9実施例に係る被加工物保持装置の要部である粘着プレートを示す平面図である。 粘着プレートの断面図である。 粘着プレートの機能を説明するための断面図であり、図27の(a)は、粘着プレートをエアーノズルを取り付けた状態を示し、図27の(b)は、粘着プレートに空気圧を加えた状態を示す。 椀状に反ったSiウェハの斜視図である。 粘着プレートをSiウェハに接触させた状態を示す断面図である。 Siウェハを粘着プレートで押圧した状態を示す断面図である。 粘着プレートに空気圧を加えた状態を示す断面図である。 エアーノズルを上昇させた状態を示す断面図である。 Siウェハを剥がす方法を示す断面図である。 第9実施例の変形例を示す平面図であり、図34の(a)は、基材シートの5つのスリットが偏心している粘着プレートの例を示し、図34の(b)は、基材シートが5つのスリットの他に径方向のスリットを有した粘着プレートの例を示す。 この発明の第10実施例に係る被加工物保持装置の要部である粘着プレートを示す平面図である。 第10実施例の変形例を示す平面図であり、図36の(a)は、基材シートの5つのスリットが偏心している粘着プレートの例を示し、図36の(b)は、基材シートが5つのスリットの他に径方向のスリットを有した粘着プレートの例を示す。
 以下、この発明の最良の形態について図面を参照して説明する。
(実施例1)
 図1は、この発明の第1実施例に係る被加工物保持装置を粘着部と保持部とに分離して示す斜視図であり、図2は、保持部を断面で示す被加工物保持装置の正面図である。
 図1に示すように、この実施例の被加工物保持装置1-1は、被加工物としてのSi(シリコン)ウェハWを保持固定するための装置であり、粘着部としての粘着プレート2と、保持部としてのバキュームチャック3-1とを備えている。
 粘着プレート2は、SiウェハWをその表面に粘着する円板体である。この粘着プレート2は、厚さ方向(図1及び図2の上下方向)に撓むことができる柔軟性を有している。
 具体的には、粘着プレート2は、粘着層としての粘着シート21-1と基材層としての基材シート22-1とが積層され固着された構造になっている。
 粘着シート21-1は、SiウェハWをその表面21a上に粘着するためのシートであり、この実施例では、粘着シート21-1を厚さ方向への柔軟性を有したシリコーンゴムによって形成した。この粘着シート21-1の形状及び大きさは、円形のSiウェハWとほぼ同形及びほぼ同一大きさに設定されており、図2に示すように、その厚さt1は、1.0mmに設定されている。そして、このシリコーンゴムの粘着シート21-1の硬度は、60°であり、粘着力は、SiウェハWに対するピール強度で2N/20mm以下である。また、この粘着シート21-1は、加工時に用いられる研削液Sに対する耐薬品性を有すると共に、その耐熱性が100℃以上である。
 一方、基材シート22-1は、粘着シート21-1の変形を抑止するためのシートであり、この実施例では、基材シート22-1を、厚さ方向に撓み可能な合成樹脂であるポリエチレンテレフタラート(PET)で形成した。
 この基材シート22-1の形状及び大きさは、粘着シート21-1と同形及びほぼ同一の大きさに設定されており、その厚さt2は、0.1mmに設定されている。そして、このPET製の基材シート22-1の引張強度は、約50MPaである。また、基材シート22-1も、加工時に用いられる研削液Sに対する耐薬品性を有すると共に、その耐熱性が100℃以上である。
 かかる基材シート22-1は、粘着シート21-1の裏面21bに固着されており、これにより、加工時のおける外力によって、粘着シート21-1が変形することを抑止する。
 図1に示すように、バキュームチャック3-1は、粘着プレート2を表面3aに着脱自在に保持して固定するための機器であり、チャック本体30と真空吸着機構31とを有している。
 チャック本体30は、粘着プレート2を載置するための円形の表面3aを有し、真空吸着機構31は、このチャック本体30に組み付けられている。
 真空吸着機構31は、粘着プレート2をこの表面3a上に真空吸着させるための機構であり、表面3aに開口した複数の吸着孔32と吸気通路33とホース34と真空ポンプ35とで構成されている。具体的には、図2に示すように、複数の吸着孔32の下端が吸気通路33に連通し、ホース34の一方端が吸気通路33に連通している、これにより、真空ポンプ35を用いて、空気を吸着孔32、吸気通路33及びホース34内から排気することで、基材シート22-1の裏面22bがチャック本体30の表面3a上に吸着され、粘着プレート2が、チャック本体30上に保持固定される。また、吸着孔32、吸気通路33及びホース34内を常圧にすることで、粘着プレート2をチャック本体30から取り外すことができる。
 次に、この実施例の被加工物保持装置1-1の使用例について説明する。
 図3は、被加工物保持装置1-1を平面研削加工に使用した例を示す断面図である。
 図3に示すように、平面研削加工おいて、SiウェハWを被加工物保持装置1-1にセットする場合には、まず、SiウェハWを粘着プレート2の上に載置させて、SiウェハWを粘着シート21-1の表面21aに粘着させる。ここでは、被加工物として、0.7mm厚のSiウェハWを用いた。
 そして、かかる状態で、粘着プレート2をバキュームチャック3-1のチャック本体30上に載置し、真空吸着機構31の真空ポンプ35を駆動させる。
 すると、吸着孔32、吸気通路33内の空気が、ホース34を通じて、外部に排気され、吸着孔32内が負圧になる。これにより、基材シート22-1の裏面22bが吸着孔32によってチャック本体30の表面3a上に吸着され、粘着プレート2が、チャック本体30上に保持固定される。
 しかる後、砥石100を、SiウェハWの表面に圧接させた状態で回転させながら、SiウェハW全面で移動させる。このとき、研削液Sをノズル110からSiウェハW上に噴出させて、研削効率と冷却とを図る。
 この実施例では、砥石100として、SDC(金属でコーティングのダイアモンド)325番を用いて、砥石100の送り速度を150mm/分で移動させることで、0.7mm厚のSiウェハWを、0.08mm厚まで研削することができた。
 ところで、この実施例で用いるSiウェハWの厚さは、上記したように0.7mmであり、非常に薄いウェハである。したがって、このSiウェハWを左右両側から把持して、ストレスを与えると、破損するおそれがある。
 しかし、この実施例の被加工物保持装置1-1では、SiウェハWを粘着プレート2上に載置するだけで、保持固定することができるので、保持固定時に、SiウェハWに機械的なストレスを与えることはない。
 したがって、この被加工物保持装置1-1を用いることで、薄いSiウェハWを平面研削の加工において破損,変形させることはない。
 また、この実施例の被加工物保持装置1-1では、BGテープやエキスパンドテープ等のような高価なテープを使用することはない。安価な粘着シート21-1と基材シート22-1とで成る粘着プレート2を用いて、SiウェハWを粘着して固定する構成であるので、低コストでの加工が可能となる。さらに、これらの高価なテープと異なり、粘着プレート2は、1度だけでなく、多数回使用できる。
 図4は、薄い粘着シート21-1のみを用いて、SiウェハWを粘着した場合の問題を説明するための正面図である。
 この実施例では、図2に示したように、粘着シート21-1の厚さt1を、1.0mmに設定しており、非常に薄い。薄くした理由は、粘着シート21-1を厚くすると、SiウェハWが動いてしまい、SiウェハWを保持固定するための固定能力が失われるおそれがあるためである。
 しかし、図4に示すように、粘着プレート2を薄い粘着シート21-1のみで形成すると、平面研削加工時に、回転して移動する砥石100の圧力によって、粘着シート21-1が伸びたり、凹み21cが発生したりする。
 そこで、図1及び図2に示したように、この実施例では、約50MPaという引張強度を有したPET製の基材シート22-1を、粘着シート21-1の裏面21bに固着して、粘着プレート2を形成した。
 これにより、平面研削加工時に、回転して移動する砥石100の圧力が、粘着シート21-1に加わったときに、約50MPaという引張強度を有した基材シート22-1が、粘着シート21-1の伸びや凹みの発生を抑止する。
 さらに、粘着プレート2の基材シート22-1を、約50MPaという引張強度を有したPETで形成しているので、基材シート22-1が真空吸着機構31の吸着孔32に引き込まれて、変形するおそれはない。
 また、この実施例の被加工物保持装置1-1では、粘着プレート2とバキュームチャック3-1とによって、SiウェハWを常温下で保持固定することができる。このため、ワックス固定技術のように、加熱及び冷却のプロセスや部品を必要としない。つまり、この被加工物保持装置1-1によれば、特別な加工プロセスや加工部品を必要とせず、加工コストの低減化を図ることができる。
 図5は、SiウェハWの取り外し方法を示す正面図であり、図5の(a)は、SiウェハWが粘着した粘着プレート2を台座120の上に載置した状態を示し、図5の(b)は、粘着プレート2をSiウェハWから剥がす状態を示す。
 最後に、平面研削加工の作業を終了後は、真空ポンプ35を逆駆動させることにより、吸着孔32内を常圧にする。これにより、SiウェハWが粘着されている粘着プレート2を、バキュームチャック3-1から取り外すことができる。
 そして、図5の(a)に示すように、SiウェハWを下側にし、粘着プレート2を上方にした状態で、所定の台座120の上に載置する。
 かかる状態で、図5の(b)に示すように、手200の指210をSiウェハWの周縁に引っかけて、厚さ方向に引っ張る。すると、粘着プレート2全体が、厚さ方向(図5の上下方向)に撓むことができる柔軟性を有しているので、粘着プレート2が、SiウェハWから簡単に剥がれて、SiウェハWに対する粘着プレート2の粘着動作が解除される。つまり、この実施例に適用されている粘着プレート2を用いることにより、SiウェハWを粘着プレート2から小さな力で簡単に取り外すことができる。
(実施例2)
 次に、この発明の第2実施例について説明する。
 図6は、この発明の第2実施例に係る被加工物保持装置を示す断面図である。
 この実施例の被加工物保持装置1-2では、粘着プレート2の基材シート22-2を、ポリイミドで形成した点が、上記第1実施例と異なる。
 具体的には、粘着プレート2の基材シート22-2を、厚さ方向に撓み可能な合成樹脂であるポリイミドで形成した。
 この基材シート22-2の厚さt2は、0.05mmに設定されている。
 しかし、ポリイミド製の基材シート22-2の引張強度は、250MPaであり、PET製の基材シート22-1の引張強度よりも大きい。
 このため、シリコーンゴム製の粘着シート21-2の厚さt1を、0.1mmという極めて薄い厚さに設定することができる。
 その他の構成、作用及び効果は、上記第1実施例と同様であるので、それらの記載は省略する。
(実施例3)
 次に、この発明の第3実施例について説明する。
 図7は、この発明の第3実施例に係る被加工物保持装置を示す断面図である。
 図7に示すように、この実施例の被加工物保持装置1-3は、粘着プレート2とマグネットチャック3-2とを備えている。
 具体的には、粘着プレート2の基材シート22-3を、厚さ方向に撓み可能な磁性を有する部材で形成した。この実施例では、引張強度が420MPaであるSUS(Stainless Used Steel)430を用いた。
 このSUS430製の基材シート22-3の引張強度は、上記第1及び第2の実施例に用いられた基材シート22-1,22-2の引張強度よりも遙かに大きいので、その厚さt2を、0.03mmに設定することができる。
 同様の理由から、シリコーンゴム製の粘着シート21-3の厚さt1を、0.05mm以下という極めて薄い厚さに設定することができる。
 マグネットチャック3-2は、粘着プレート2の基材シート22-3を磁気吸着するための永久磁石で形成されている。この実施例では、マグネットチャック3-2のチャック本体自体を永久磁石で形成した。
 次に、この実施例の被加工物保持装置1-3の使用例について説明する。
 図8は、被加工物保持装置1-3を平面研削加工に使用した例を示す断面図である。
 SiウェハWを被加工物保持装置1-3にセットする場合には、SiウェハWを粘着させた粘着プレート2を、マグネットチャック3-2上に載置する。
 すると、粘着プレート2の基材シート22-3が、永久磁石で形成されたマグネットチャック3-2によって、マグネットチャック3-2の表面3aに磁気吸着され、粘着プレート2全体がマグネットチャック3-2上に強く固定される。
 しかる後、研削液Sをノズル110からSiウェハW上に噴出させながら、砥石100を、SiウェハWの表面に圧接させた状態で回転移動させることで、SiウェハWを平面研削することができる。
 上記のように、この実施例の被加工物保持装置1-3を使用することで、SiウェハWの磁性又は非磁性にかかわらず、SiウェハWを確実に保持固定することができる。
 また、粘着プレート2をマグネットチャック3-2上に磁気吸着することができる構造であるので、被加工物保持装置1-3を、真空中においても使用することができる。
 さらに、この実施例の被加工物保持装置1-3においては、真空吸着機構と異なり、チャック本体30に吸着孔が存在しないので、研削液Sが装置内に吸い込まれるという事態は発生しない。
 その他の構成、作用及び効果は、上記第1及び第2実施例と同様であるので、それらの記載は省略する。
(実施例4)
 次に、この発明の第4実施例について説明する。
 図9は、この発明の第4実施例に係る被加工物保持装置を示す断面図である。
 この実施例の被加工物保持装置1-4は、プラズマダイシング加工に適用することができる装置である。
 被加工物保持装置1-4は、図9に示すように、粘着プレート2を静電チャック3-3で静電吸着する構成とした点が、上記第1~第3実施例と異なる。
 具体的には、粘着プレート2の粘着シート21-4を、厚さt1が0.1mmのシリコーンゴムで形成し、基材シート22-4を、導電性を有した厚さt2が0.05mmのポリイミドで形成した。また、この粘着プレート2で粘着する被加工物は、上記第1~第3実施例と同様に、厚さ0.7mmのSiウェハWである。
 静電チャック3-3は、1対の吸着電極36,37をチャック本体30の表面側に配設し、所定の電圧を電源38から吸着電極36,37に供給する構造の装置である。静電チャック3-3としては、かかる構造の装置だけでなく、公知の全ての静電チャックを適用することができる。
 次に、この実施例の被加工物保持装置1-4の使用例について説明する。
 図10は、被加工物保持装置1-4をプラズマダイシング加工に使用する例を示す断面図である。
 プラズマダイシング加工に使用する際には静電チャック3-3をプラズマ発生装置(図示省略)内に配置する。そして、図10に示すように、SiウェハWを粘着プレート2の粘着シート21-4上に粘着させると共に、基材シート22-4を静電チャック3-3の表面3aに載せる。
 しかる後、電源38をオンにして、所定の電圧を静電チャック3-3の吸着電極36,37に供給する。
 このとき、粘着プレート2の基材シート22-4が通常のポリイミドであると、静電チャック3-3による十分な吸着力を得ることができない。しかし、この実施例では、基材シート22-4が、導電性を有するポリイミドで形成されているので、導電性の基材シート22-4と静電チャック3-3との間に強い静電吸着力が発生する。これによって、SiウェハWが静電チャック3-3に強固に保持固定される。
 かかる状態で、プラズマを発生させて、SiウェハWをダイシング加工することができる。
 加工終了後は、電源38をオフにすることで、粘着プレート2を静電チャック3-3から取り外すことができる。しかる後、図5に示したように、SiウェハWを粘着プレート2からめくり取ることができる。
 その他の構成、作用及び効果は、上記第1~第3実施例と同様であるので、それらの記載は省略する。
(実施例5)
 次に、この発明の第5実施例について説明する。
 図11は、この発明の第5実施例に係るレーザカット加工方法の第1の工程~第3の工程を説明するための断面図であり、図12は、第4の工程を示す断面図である。
 この実施例のレーザカット加工方法は、第1の工程~第4の工程を備えている。
 第1の工程では、図11に示すように、SiウェハWの粘着プレート2を極薄の粘着シート21-5と極薄の基材シート22-5とで形成している。つまり、粘着プレート2を極薄に設定することで、粘着プレート2の熱伝導率を低減させている。具体的には、粘着シート21-5の厚さt1を0.03mm、基材シート22-5の厚さt2を0.025mmに設定した。
 また、第2の工程は、SiウェハWを粘着プレート2の表面21aに粘着させる工程である。
 そして、第3の工程は、バキュームチャック3-1の真空吸着機構31により、粘着プレート2の基材シート22-5を着脱自在に吸着する工程である。つまり、この工程で、粘着プレート2をバキュームチャック3-1の表面3aに保持固定する。
 最後に、第4の工程は、図12に示すように、レーザLをSiウェハWの表面Waに照射して、SiウェハWをハーフカットする工程である。具体的には、レーザLをレーザ発生装置300からSiウェハWの表面Waに照射して、溝Wcを切削する。いわゆるハーフカットであり、レーザLをSiウェハWの裏面Wbまで到達させないで、所定深さの溝Wcを形成する。
 かかる構成により、この実施例の第1の工程~第4の工程を実行することにより、SiウェハWをレーザダイシング加工することができる。
 このように、レーザカット加工を行うと、SiウェハWがレーザのエネルギによって過加熱状態になるおそれがあるが、第1の工程において、粘着プレート2を極薄の粘着シート21-5と極薄の基材シート22-5とで形成して、粘着プレート2の熱伝導率を低減させているので、SiウェハWに加わった熱は、粘着プレート2に保留されることなく、外部に発散する。このため、SiウェハWが過加熱状態になるおそれはほとんどない。
 その他の構成、作用及び効果は、上記第1~第4実施例と同様であるので、それらの記載は省略する。
(実施例6)
 次に、この発明の第6実施例について説明する。
 図13は、この発明の第6実施例に係る被加工物保持装置の要部である粘着プレートの断面図であり、図14は、粘着プレートを基材シート側から見た平面図である。
 図13に示すように、この実施例に適用される粘着プレート2は、複数のスリット23-1を有している点が、上記第1~第5実施例の粘着プレートと異なる。
 この粘着プレート2も、上記第1~第5実施例の粘着プレートと同様に、粘着層としての粘着シート21-1~21-5のいずれか(以下、「粘着シート21」と記す)と基材層としての基材シート22-1~22-5のいずれか(以下、「基材シート22」と記す)とを積層して固着した構造になっている。
 そして、複数のスリット23-1が、基材シート22側に設けられている。
 具体的には、図14に示すように、各スリット23-1は、直線状のスリットであり、基材シート22の一方端(図14の上端)から他方端(図14の下端)に至っている。
 この実施例では、5本のスリット23-1が、基材シート22上に、ほぼ等間隔で平行に並設されている。図13において、破線円で囲まれた部分拡大図に示すように、このようなスリット23-1の幅aは、長さ方向に一定であり、その深さbは、基材シート22の厚さに等しく設定されている。これにより、図14に示すように、基材シート22が、5本のスリット23-1によって、ピース状基材層である6片の切片部22a-1に完全に分離されている。
 ここで、上記のような構造の粘着プレート2が有する機能について説明する。
 図15は、粘着プレート2の機能を説明するための断面図であり、図15の(a)は、粘着プレート2をA方向に引っ張った状態を示し、図15の(b)は、粘着プレート2をB方向に引っ張った状態を示す。また、図16は、粘着プレート2を引っ張った状態を示す平面図である。
 上記のように、この実施例の粘着プレート2は、粘着シート21に固着された基材シート22が、5本のスリット23-1によって、6片の切片部22a-1に分離された構造になっている。このため、図15の(a)及び図16に示すように、粘着シート21を下側にした粘着プレート2の基材シート22を、A方向、すなわち、スリット23-1の長さ方向に引っ張っても、スリット23-1の箇所の粘着シート21の部分21dは、A方向には伸びない。したがって、粘着プレート2の基材シート22を、A方向に引っ張っても、粘着プレート2全体がA方向に広がることはない。
 これに対して、図15の(b)及び図16に示すように、粘着プレート2の基材シート22を、B方向、すなわち、スリット23-1の幅方向に引っ張ると、スリット23-1の箇所の粘着シート21の部分21dが、B方向に伸びる。したがって、粘着プレート2の基材シート22を、B方向に引っ張ると、粘着プレート2全体がB方向に広がることとなる。
 粘着プレート2が、上記のような機能を有しているので、次のような使用が可能となる。
 図17は、反りのないSiウェハWを粘着プレート2に貼り付ける方法を示す断面図であり、図18は、ローラの転がし方向を示す平面図である。
 反りのない平坦なSiウェハWを、粘着プレート2に貼り付ける場合には、図17に示すように、粘着プレート2の粘着シート21を、台座120上のSiウェハWに接触させる。そして、ローラ220によって、粘着プレート2の基材シート22を押圧する。
 このとき、図18に示すように、ローラ220の中心軸Mが5本のスリット23-1に対して直角になるように、ローラ220の向きを設定しておく。そして、基材シート22を押圧した状態で、ローラ220を、A方向、すなわち、スリット23-1の長さ方向に転がす。このとき、ローラ220の押圧回転によって、粘着プレート2がA方向に引っ張られることはないので、粘着シート21は、伸びることなく、SiウェハWに粘着していく。
 そして、ローラ220を、基材シート22において、図18の上方端から他方端まで転がすと、粘着シート21の全面がSiウェハWに粘着する。この状態で、ローラ220を粘着プレート2から離す。すると、粘着シート21が伸びず、粘着プレート2全体が広がっていないので、ローラ220による押圧力を解除しても、粘着プレート2が縮むことはない。この結果、SiウェハWは、粘着プレート2からのテンションを受けることなく、反りのない状態で、粘着プレート2に保持される。
 図19は、反りのあるSiウェハWを粘着プレート2に貼り付ける方法を示す断面図であり、図20は、ローラの転がし方向を示す平面図であり、図21は、SiウェハWの貼り付け状態を示す断面図である。
 図19に示すように、弓状に反ったSiウェハWを、粘着プレート2に貼り付ける場合には、粘着プレート2の粘着シート21を、SiウェハWの反り出た表面Waに接触させる。そして、ローラ220によって、粘着プレート2の基材シート22を押圧する。
 このとき、スリット23-1の並び方向がSiウェハWの反り方向と一致するように、粘着プレート2を配すると共に、図20に示すように、ローラ220の中心軸Mが5本のスリット23-1に対して平行になるように、ローラ220の向きを設定しておく。
 そして、基材シート22を押圧した状態で、ローラ220を、B方向、すなわち、スリット23-1の並び方向に転がす。これにより、ローラ220の押圧回転によって、SiウェハWの反りが矯正されていく。同時に、粘着プレート2がB方向に引っ張られ、粘着シート21が、B方向に伸びながら、SiウェハWの表面Waに粘着する。
 ローラ220を、基材シート22において、図20の左方端から右方端まで転がすと、粘着プレート2全体がB方向に広がった状態で、粘着シート21の全面が、反りのないSiウェハW全面に粘着する。この状態で、ローラ220を粘着プレート2から離す。
 すると、粘着プレート2がローラ220の押圧力から解放されるので、SiウェハWへの押圧力も解除され、SiウェハWが、元の弓状に反り戻ろうとする。
 しかし、図21に示すように、粘着プレート2の粘着シート21が、ローラ220の押圧力から解放されると、縮もうとする。この結果、矢印で示すように、粘着プレート2の収縮力f1とSiウェハWの戻り力f2とが釣り合い、SiウェハWは、反りのない状態で、粘着プレート2に保持されることとなる。
 図22は、SiウェハWの取り外し方法を示す断面図であり、図22の(a)は、ローラ220の移動開始前の状態を示し、図22の(b)は、ローラ220の移動開始状態を示し、図22の(c)は、ローラ220の移動状態を示し、図22の(d)は、ローラ220の移動終了とSiウェハWが剥がれる状態を示す。
 保持されているSiウェハWを、粘着プレート2から取り外す場合には、図22の(a)に示すように、SiウェハWを保持した粘着プレート2の両端部(スリット23-1の並び方向の両端部)を、支持部材240で支持した状態で、ローラ220を、粘着プレート2の例えば左端部上に位置させる。そして、図22の(b)に示すように、ロ粘着プレート2をーラ220によって押圧しながら、ローラ220をスリット23-1の並び方向に転がす。これにより、粘着プレート2が、下方に撓み、ローラ220の押圧力の影響を大きく受けたSiウェハWの部分Dが、粘着シート21の粘着力から解放される。この結果、ローラ220の移動位置までのSiウェハWの部分Dが、粘着プレート2から剥がれる。
 したがって、図22の(c)に示すように、ローラ220を、粘着プレート2の右端部に向かって転がしていくと、SiウェハWが、ローラ220の移動量に応じて、順次粘着プレート2から剥がれていく。
 そして、図22の(d)に示すように、ローラ220を粘着プレート2の右端部迄移動させることで、SiウェハWの大部分が、粘着プレート2から剥がれ、自重によって、落下する。
 なお、この実施例では、SiウェハWの取り外しを、ローラ220を用いて行ったが、図5の(b)に示したように、手200の指210を用いてもSiウェハWを取り外すことができる。すなわち、手200の指210を、粘着プレート2のスリット23-1の並び方向の一端部周縁に引っかけて、粘着プレート2を捲ることで、SiウェハWを粘着プレート2から容易に取り外すことができる。
 その他の構成、作用及び効果は、上記第1~第5実施例と同様であるので、それらの記載は省略する。
(実施例7)
 次に、この発明の第7実施例について説明する。
 図23は、この発明の第7実施例に係る被加工物保持装置の要部である粘着プレート2を示す平面図である。
 この実施例では、スリットの形状が、上記第6実施例のスリット23-1と異なる。
 具体的には、図23に示すように、第6実施例のスリット23-1と同幅且つ同深さのスリット23-2を、平面視において、ジグザグ状の形状に設定した。そして、5本のスリット23-2を基材シート22に平行に並設して、基材シート22を、6片のジグザグ状の切片部22a-2に分離した。
 その他の構成、作用及び効果は、上記第6実施例と同様であるので、それらの記載は省略する。
(実施例8)
 次に、この発明の第8実施例について説明する。
 図24は、この発明の第8実施例に係る被加工物保持装置の要部である粘着プレート2を示す平面図である。
 この実施例では、スリットの形状が、上記第6及び第7実施例のスリット23-1,23-2と異なる。
 具体的には、図24に示すように、第6及び第7実施例のスリット23-1,23-2と同幅且つ同深さのスリット23-3を、平面視において、波線状の形状に設定した。そして、5本のスリット23-3を基材シート22に平行に並設して、基材シート22を、6片の波線状の切片部22a-3に分離した。
 その他の構成、作用及び効果は、上記第6及び第7実施例と同様であるので、それらの記載は省略する。
(実施例9)
 次に、この発明の第9実施例について説明する。
 図25は、この発明の第9実施例に係る被加工物保持装置の要部である粘着プレート2を示す平面図であり、図26は、粘着プレート2の断面図である。
 この実施例では、粘着プレート2のスリットを円形状に形成した点が、上記第6~第8実施例と異なる。
 具体的には、図25に示すように、第6~第8実施例のスリット23-1~23-3と同幅且つ同深さのスリット23-4を、平面視において、円状の形状に設定した。そして、5つの異径のスリット23-4を基材シート22に同心状に配設した。つまり、5つのスリット23-4を、小径のスリットが大径のスリットの内側に含まれるように、年輪状に配設した。これにより、図26にも示すように、基材シート22が、中心の円形の切片部22a-4aとその外側に同心状に位置する5つのドーナッツ状の切片部22a-4b~22a-4fとに分離され、6つの切片部22a-4a~22a-4fが粘着シート21に固着された状態になっている。
 ここで、上記のような構造の粘着プレート2が有する機能について説明する。
 図27は、粘着プレート2の機能を説明するための断面図であり、図27の(a)は、粘着プレート2をエアーノズルを取り付けた状態を示し、図27の(b)は、粘着プレート2に空気圧を加えた状態を示す。
 図27の(a)に示すように、粘着プレート2をエアーノズル230に取り付ける。具体的には、粘着プレート2をエアーノズル230のエアー室231側に配し、基材シート22の最外の切片部22a-4fを、エアーノズル230の先端面232に気密に取り付ける。
 かかる状態で、図27の(b)に示すように、空気Kをエアーノズル230のエアー室231内に供給すると、空気圧が、粘着プレート2の厚さ方向(粘着プレート2の面に垂直な方向)から、粘着プレート2の基材シート22に加わる。このとき、基材シート22が、5つのスリット23-4によって、中心の円形の切片部22a-4aとその外側の5つのドーナッツ状の切片部22a-4b~22a-4fとに分離されているので、各スリット23-4の箇所の粘着シート21の部分21dが、その厚さ方向に伸び、各切片部22a-4a(22a-4b~22a-4f)が、厚さ方向(図27の下方向)に変位する。この結果、粘着プレート2全体が、空気Kの圧力によって、椀状に撓むこととなる。
 粘着プレート2が、上記のような機能を有しているので、次のような使用が可能となる。
 図28は、椀状に反ったSiウェハWの斜視図であり、図29は、粘着プレート2をSiウェハWに接触させた状態を示す断面図であり、図30は、SiウェハWを粘着プレート2で押圧した状態を示す断面図であり、図31は、粘着プレート2に空気圧を加えた状態を示す断面図である。
 Siウェハには、上記実施例で示したように、反りがないものや、弓状に反ったものがある。さらに、図28に示すように、椀状に多方向に反ったSiウェハWも存在する。
 椀状に反ったSiウェハWを粘着プレート2に貼り付ける場合には、まず、図29に示すように、エアー室231内を常圧にしたエアーノズル230を下に向けて、粘着プレート2の粘着シート21をSiウェハWに接触させる。このとき、中心の切片部22a-4aを、SiウェハWの頂点Wpの真上に位置させる。
 かかる状態で、図30に示すように、エアーノズル230をSiウェハWの方向に押圧すると、SiウェハWの抗力によって、粘着プレート2全体がエアー室231側に撓む。つまり、粘着プレート2の粘着シート21がSiウェハWの全面に接触した状態で、基材シート22が椀状になるように、切片部22a-4a~22a-4fがエアー室231側に変位する。
 そして、この状態で、図31に示すように、空気Kをエアーノズル230のエアー室231内に供給すると、空気圧が、粘着プレート2を通じて、SiウェハWに加わる。これにより、空気圧を増加させていくと、SiウェハWが、空気圧によって押圧され、台座120側に向かって変位し、粘着プレート2がSiウェハWの変位に追従する。そして、空気圧を所定圧まで高めると、SiウェハWが、台座120上で反りのない状態になるまで変形する。
 かかる状態で、空気Kの供給を停止し、エアー室231内の空気圧を上記所定圧に維持すると、SiウェハWは、反りのない状態で、粘着プレート2の粘着シート21に粘着された状態になる。
 粘着プレート2を上記のように使用することにより、椀状に反ったSiウェハWを反りのない状態で、粘着プレート2に貼り付けることができる。
 図32は、エアーノズル230を上昇させた状態を示す断面図であり、図33は、SiウェハWを剥がす方法を示す断面図である。
 図32に示すように、SiウェハWを粘着プレート2に貼り付けた状態では、エアーノズル230を上昇させても、SiウェハWは、反りのない状態で、粘着プレート2に保持される。
 このように、保持されたSiウェハWを粘着プレート2から取り外すには、空気Kをエアー室231内にさらに供給し、エアー室231内を上記所定圧を超える圧力にする。
 これにより、図33に示すように、各切片部22a-4a(22a-4b~22a-4f)が、厚さ方向(図33の下方向)に変位し、粘着プレート2全体が、椀状に撓むこととなる。この結果、SiウェハWが、粘着プレート2の粘着シート21から剥がれて、粘着プレート2から外れる。
 図34は、第9実施例の変形例を示す平面図であり、図34の(a)は、基材シート22の5つのスリット23-4が偏心している粘着プレート2の例を示し、図34の(b)は、基材シート22が5つのスリット23-4の他に径方向のスリットを有した粘着プレート2の例を示す。
 本実施例では、頂点Wpがほぼ中心に位置するSiウェハW(図28参照)に適応した粘着プレート2について、説明したが、Siウェハの中には、頂点Wpが中心からずれたものもある。
 図34の(a)に示した粘着プレート2は、頂点Wpが偏心したSiウェハWの貼り付けや取り外しに適した構造をなす。
 具体的には、5つの円形のスリット23-4が、同心でなく、偏心状に設けられ、最内の切片部22a-4aが、SiウェハWの偏心した頂点Wpに位置するように設定されている。
 これにより、最内の切片部22a-4aをSiウェハWの頂点Wp(図28参照)の真上に位置させて、粘着プレート2をSiウェハWの表面に圧接すると、粘着プレート2全体が、偏心した頂点Wpを有するSiウェハWの形状に撓み、粘着シート21全体が、SiウェハWに粘着する。
 したがって、この粘着プレート2を用いることで、頂点Wpが偏心したSiウェハWを、粘着プレート2に貼り付けたり、粘着プレート2から取り外したりすることができる。
 図25や図34の(a)に示した粘着プレート2では、切片部22a-4a~22a-4fの変位方向が、粘着プレート2の厚さ方向(同図の紙面の表裏方向)に限定される。
 しかし、SiウェハWの反りの形状によっては、切片部22a-4a~22a-4fを、厚さ方向だけでなく、径方向にも変位させたい場合がある。
 図34の(b)に示した粘着プレート2は、このような場合に適用可能な粘着プレートである。
 すなわち、この粘着プレート2では、5つのスリット23-4の他に、径方向を向く直線状の4本のスリット23-4’を、十字状に配設して、各切片部22a-4a(22a-4b~22a-4f)を、それぞれ4つに分離した。
 これにより、粘着プレート2を撓ますと、全ての切片部22a-4a~22a-4fが、厚さ方向(図の表裏方向)に変位するだけでなく、最内の切片部22a-4aの周囲の20個の切片部22a-4b~22a-4fが、切片部22a-4aを中心にして、放射方向(粘着プレート2の径方向)にも変位する。
 その他の構成、作用及び効果は、上記第6~第8実施例と同様であるので、それらの記載は省略する。
(実施例10)
 次に、この発明の第10実施例について説明する。
 図35は、この発明の第10実施例に係る被加工物保持装置の要部である粘着プレート2を示す平面図である。
 この実施例では、粘着プレート2のスリットを多角形状に形成した点が、上記第9実施例と異なる。
 すなわち、図35に示すように、第9実施例のスリット23-4と同幅且つ同深さのスリット23-5を、五角形の形状に設定した。そして、5つの異径のスリット23-5を基材シート22に同心状に配設した。つまり、5つのスリット23-5を、小径のスリットが大径のスリットの内側に含まれるように、年輪状に配設した。これにより、基材シート22が、中心の五角形の切片部22a-5aと、その外側に同心状に位置する5つの5角形リング状の切片部22a-5b~22a-5fとに分離され、6つの切片部22a-5a~22a-5fが粘着シート21に固着された状態になっている。
 図36は、第10実施例の変形例を示す平面図であり、図36の(a)は、基材シート22の5つのスリット23-5が偏心している粘着プレート2の例を示し、図36の(b)は、基材シート22が5つのスリット23-5の他に径方向のスリットを有した粘着プレート2の例を示す。
 図36の(a)に示した粘着プレート2では、5つの円形のスリット23-5が、同心でなく、偏心状に設けられ、最内の切片部22a-5aが、Siウェハの偏心した頂点に位置するように設定されている。
 図36の(b)に示した粘着プレート2では、5つのスリット23-5の他に、直線状の5本のスリット23-5’を、各スリット23-5の頂点を通るように配設して、各切片部22a-5a(22a-5b~22a-5f)を、それぞれ5つに分離した。
 その他の構成、作用及び効果は、上記第9実施例と同様であるので、それらの記載は省略する。
 なお、この発明は、上記実施例に限定されるものではなく、発明の要旨の範囲内において種々の変形や変更が可能である。
 例えば、上記実施例では、被加工物として、SiウェハWを適用した例を示したが、被加工物としてガラス基板を適用しても良いことは勿論である。
 また、上記実施例では、粘着シート21-1として、シリコーンゴムを適用した例を示したが、スチレンブタジエンゴム、クロロスルホン化ポリエチレンゴム、アクリロニトリルブタジエンゴム、エチレンプロピレンゴム、クロロプレンゴム、ブタジエンゴム、フッ素ゴム、イソブチレンイソプレンゴム、ウレタンゴムのいずれかを粘着シート21-1として適用することもできる。
 上記第1~第3実施例では、粘着プレート2の粘着シート21-1~21-5の厚さt1を、1.0mm,0.1mm,0.03mm及び0.05mmに設定したが、粘着プレート2の粘着シート21-1~21-5の厚さt1は、0.025mm~1.5mm以内であれば、同様の作用及び効果を得ることができる。また、基材シート22-1~22-5の厚さt2を、0.1mm,0.05mm,0.03mm及び0.025mmに設定したが、基材シート22-1~22-3の厚さt2は、0.025mm~0.5mm以内であれば、同様の作用及び効果を得ることができる。
 上記第1実施例では、粘着プレートの基材層として、シート状のポリエチレンテレフタラート(PET)を用い、上記第2実施例では、基材層として、シート状のポリイミドを用いたが、これらに限定されるものではなく、基材層として、可撓性と所望の引張強度を有する全ての合成樹脂を、基材層として適用することができる。さらに、上記第1及び第2実施例において、第3実施例の磁性体を基材層として適用しても良い。
 また、上記第3実施例では、マグネットチャックを3-2に、永久磁石を用いたが、電磁石を用いても良いことは、勿論である。
 上記実施例では、被加工物として円形のSiウェハWを適用したため、粘着プレート2の形状を、円形に設定して、SiウェハWの形状に合わせた。しかし、四角形等の多角形をしたガラス等を被加工物として適用する場合には、粘着プレート2の形状を、四角形等に設定して、被加工物の形状に合わせることができることは、勿論である。
 また、上記第6~第10実施例では、基材層を、複数のスリットによって、長方形、ジグザグ形、波形、円形、ドーナッツ形、五角形のピース状基材層に分離した例を示したが、基材層の構造は、これらに限定されるものではない。すなわち、上記粘着部の基材層は、複数且つ所定幅のスリットによって分離された複数のピース状基材層で構成されていればよく、ジグソーパズルのように、形が異なる又は同形のピース状基材層に分離された構造の基材層も、この発明の範囲に含まれることは勿論である。
 1-1~1-5…被加工物保持装置、 2…粘着プレート、 3a,21a…表面、 3-1…バキュームチャック、 3-2…マグネットチャック、 3-3…静電チャック、 21b,22b…裏面、 21c…凹み、 21d…部分、 21,21-1~21-5…粘着シート、 22,22-1~22-5…基材シート、 22a-1~22a-3,22a-4a~22a-4f,22a-5a~22a-5f…切片部、 23-1~23-5,23-4’,23-5’…スリット、 30…チャック本体、 31…真空吸着機構、 32…吸着孔、 33…吸気通路、 34…ホース、 35…真空ポンプ、 36,37…吸着電極、 38…電源、 100…砥石、 110…ノズル、 120…台座、 200…手、 210…指、 220…ローラ、 230…エアーノズル、 231…エアー室、 232…先端面、 240…支持部材、 300…レーザ発生装置、 K…空気、 M…中心軸、 L…レーザ、 S…研削液、t1,t2…厚さ、W…Siウェハ、Wa…表面、 Wb…裏面、 Wc…溝、 Wp…頂点。

Claims (14)

  1.  被加工物をその表面に粘着可能で且つ厚さ方向に撓み可能な粘着部と、この粘着部をその表面に着脱自在に保持して固定する保持部とを備える被加工物保持装置であって、
     上記粘着部は、上記被加工物をその表面上に粘着して固定可能で且つ少なくとも厚さ方向への柔軟性を有した粘着層と、厚さ方向に撓み可能で且つ所望の引張強度を有し、上記粘着層の裏面に固着して外力による粘着層の変形を抑止する基材層とで形成された部分であり、
     上記保持部は、上記粘着部の基材層を着脱自在に吸着して、粘着部をその表面に保持固定する部分である、
     ことを特徴とする被加工物保持装置。
  2.  請求項1に記載の被加工物保持装置において、
     上記粘着部の粘着層は、シリコーンゴム(シリコーン樹脂)、スチレンブタジエンゴム、クロロスルホン化ポリエチレンゴム、アクリロニトリルブタジエンゴム、エチレンプロピレンゴム、クロロプレンゴム、ブタジエンゴム、フッ素ゴム、イソブチレンイソプレンゴム、ウレタンゴムのいずれかで形成されている、
     ことを特徴とする被加工物保持装置。
  3.  請求項2に記載の被加工物保持装置において、
     上記粘着部の基材層は、合成樹脂で形成され、
     上記保持部は、上記粘着部の基材層を真空吸着するための真空吸着機構を有する、
     ことを特徴とする被加工物保持装置。
  4.  請求項3に記載の被加工物保持装置において、
     上記粘着部の基材層は、ポリエチレンテレフタラート(PET)又はポリイミドのいずれかで形成されている、
     ことを特徴とする被加工物保持装置。
  5.  請求項2に記載の被加工物保持装置において、
     上記粘着部の基材層は、磁性を有する部材で形成され、
     上記保持部は、上記粘着部の基材層を磁気吸着するための永久磁石又は電磁石のいずれかを有する、
     ことを特徴とする被加工物保持装置。
  6.  請求項1ないし請求項5のいずれかに記載の被加工物保持装置において、
     上記粘着部の粘着層の厚さは、0.025mm~1.5mm以内であり、その硬度は、20°~70°であり、且つその粘着力は、被加工物に対するピール強度で2N(ニュートン)/20mm以下であり、
     上記粘着部の基材層の大きさは、上記粘着層の大きさ以上であり、その厚さは、0.025mm~0.5mm以内であり、且つその引張強度は、10MPa以上である、
     ことを特徴とする被加工物保持装置。
  7.  請求項1ないし請求項6のいずれかに記載の被加工物保持装置において、
     上記粘着部の粘着層と基材層とは、加工時に用いられる液体に対する耐薬品性を有すると共に、その耐熱性が100℃以上である、
     ことを特徴とする被加工物保持装置。
  8.  請求項2に記載の被加工物保持装置において、
     上記粘着部の基材層は、導電性を有したポリイミドで形成され、
     上記保持部は、上記粘着部の基材層を静電気力で吸着する静電チャックである、
     ことを特徴とする被加工物保持装置。
  9.  請求項1ないし請求項8のいずれかに記載の被加工物保持装置において、
     上記粘着部の基材層は、複数且つ所定幅のスリットによって分離された複数のピース状基材層で構成されている、
     ことを特徴とする被加工物保持装置。
  10.  請求項9に記載の被加工物保持装置において、
     上記基材層の各スリットは、当該基材層の一方端から他方端に至る線状のスリットであり、
     複数の当該スリットは、所定間隔で平行に並設されている、
     ことを特徴とする被加工物保持装置。
  11.  請求項10に記載の被加工物保持装置において、
     上記基材層の各スリットは、直線状のスリットである、
     ことを特徴とする被加工物保持装置。
  12.  請求項10に記載の被加工物保持装置において、
     上記基材層の各スリットは、ジグザク線状又は波線状のスリットである、
     ことを特徴とする被加工物保持装置。
  13.  請求項9に記載の被加工物保持装置において、
     上記複数のスリットは、径が異なる円形状又は多角形状の複数のスリットで形成され、且つ、小径のスリットが大径のスリットの内側に含まれるように、年輪状に配設されている、
     ことを特徴とする被加工物保持装置。
  14.  請求項1ないし請求項13のいずれかに記載の被加工物保持装置を用いて被加工物をレーザカット加工するレーザカット加工方法であって、
     上記被加工物保持装置の粘着部を極薄の粘着層と極薄の基材層とで形成して、粘着部の熱伝導率を低減させる第1の工程と、
     上記被加工物を粘着部上に粘着させる第2の工程と、
     上記保持部により、上記粘着部の基材層を着脱自在に吸着して、粘着部を保持部の表面に保持固定する第3の工程と、
     レーザを上記被加工物の表面に照射して、当該被加工物をハーフカットする第4の工程と
     を備えることを特徴とするレーザカット加工方法。
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