WO2016035673A1 - 終点検出方法、研磨装置、及び研磨方法 - Google Patents

終点検出方法、研磨装置、及び研磨方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2016035673A1
WO2016035673A1 PCT/JP2015/074254 JP2015074254W WO2016035673A1 WO 2016035673 A1 WO2016035673 A1 WO 2016035673A1 JP 2015074254 W JP2015074254 W JP 2015074254W WO 2016035673 A1 WO2016035673 A1 WO 2016035673A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
polishing
unit
end point
current
drive
Prior art date
Application number
PCT/JP2015/074254
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
高橋 太郎
佑多 鈴木
Original Assignee
株式会社荏原製作所
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP2014177742A external-priority patent/JP6377463B2/ja
Priority claimed from JP2015099643A external-priority patent/JP6727761B2/ja
Application filed by 株式会社荏原製作所 filed Critical 株式会社荏原製作所
Priority to SG11201701152WA priority Critical patent/SG11201701152WA/en
Priority to CN201580047764.9A priority patent/CN106604802B/zh
Priority to KR1020177006188A priority patent/KR102388170B1/ko
Priority to US15/508,034 priority patent/US10759019B2/en
Publication of WO2016035673A1 publication Critical patent/WO2016035673A1/ja
Priority to US16/934,329 priority patent/US20200346318A1/en

Links

Images

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/005Control means for lapping machines or devices
    • B24B37/013Devices or means for detecting lapping completion
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • B24B37/042Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • B24B37/046Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces using electric current
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/27Work carriers
    • B24B37/30Work carriers for single side lapping of plane surfaces
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B49/00Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation
    • B24B49/10Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation involving electrical means
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B49/00Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation
    • B24B49/16Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation taking regard of the load
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01SRADIO DIRECTION-FINDING; RADIO NAVIGATION; DETERMINING DISTANCE OR VELOCITY BY USE OF RADIO WAVES; LOCATING OR PRESENCE-DETECTING BY USE OF THE REFLECTION OR RERADIATION OF RADIO WAVES; ANALOGOUS ARRANGEMENTS USING OTHER WAVES
    • G01S13/00Systems using the reflection or reradiation of radio waves, e.g. radar systems; Analogous systems using reflection or reradiation of waves whose nature or wavelength is irrelevant or unspecified
    • G01S13/02Systems using reflection of radio waves, e.g. primary radar systems; Analogous systems
    • G01S13/50Systems of measurement based on relative movement of target

Definitions

  • the present invention relates to an end point detection method, a polishing apparatus, and a polishing method.
  • the polishing apparatus includes a polishing table for holding a polishing pad for polishing a polishing object, and a top ring for holding and pressing the polishing object against the polishing pad.
  • a polishing table for holding a polishing pad for polishing a polishing object
  • a top ring for holding and pressing the polishing object against the polishing pad.
  • Each of the polishing table and the top ring is rotationally driven by a drive unit (for example, a motor).
  • the polishing object is polished by flowing a liquid (slurry) containing an abrasive onto the polishing pad and pressing the polishing object held on the top ring.
  • polishing equipment In polishing equipment, if the polishing target is not polished sufficiently, there is a risk of short circuit without insulation between the circuits, and in the case of overpolishing, the resistance value increases due to the reduced cross-sectional area of the wiring. Or the wiring itself is completely removed and the circuit itself is not formed. For this reason, the polishing apparatus is required to detect the optimum polishing end point.
  • polishing end point detection means As one of polishing end point detection means, a method of detecting a change in polishing friction force when polishing is transferred to a different material is known.
  • a semiconductor wafer which is an object to be polished, has a laminated structure made of different materials such as a semiconductor, a conductor, and an insulator, and the friction coefficient differs between different material layers. For this reason, this is a method of detecting a change in the polishing frictional force caused by the shift of polishing to a different material layer. According to this method, when the polishing reaches a different material layer, the end point of the polishing is reached.
  • the polishing apparatus can also detect the polishing end point by detecting a change in the polishing frictional force when the polishing surface of the object to be polished is flattened from a non-flat state.
  • the polishing friction force generated when polishing the object to be polished appears as a driving load of the driving unit.
  • the drive unit is an electric motor
  • the drive load can be measured as a current flowing through the motor. Therefore, the motor current (torque current) can be detected by the current sensor, and the polishing end point can be detected based on the detected change in the motor current.
  • the polishing end point can be detected based on the detected change in the motor current.
  • polishing apparatus there are a plurality of polishing conditions depending on combinations of the type of polishing object, the type of polishing recipe, the type of polishing pad, the type of polishing abrasive liquid (slurry), and the like.
  • a change (feature point) in torque current may not appear greatly.
  • the change in torque current is small, there is a possibility that the end point of polishing cannot be detected properly due to the influence of waviness generated in the noise or waveform, and problems such as overpolishing may occur.
  • an object of one embodiment of the present invention is to satisfactorily detect a change in torque current without changing an existing polishing recipe and improve the accuracy of detection of a polishing end point.
  • Another object of one embodiment of the present invention is to detect a change in torque current satisfactorily even when the change in torque current is small and improve the accuracy of detection of the polishing end point.
  • One aspect of the end point detection method of the present invention is made in view of the above problems, and includes a polishing table for holding a polishing pad, or a holding unit for holding an object to be polished and pressing it against the polishing pad.
  • the drive with respect to a change in the drive load of the drive unit in a drive control unit for controlling the drive current
  • An adjustment step for adjusting a current control parameter related to a change in current, and the drive unit based on the current control parameter adjusted by the adjustment step A detection step of detecting a drive current supplied, characterized in that it comprises, and endpoint detection step of detecting the end point of polishing on the basis of the detected driving current by the detecting step.
  • the end point detection method it is determined whether or not to add the polishing condition of the polishing process being executed to the specific polishing condition based on the drive current detected by the detection step during the execution of the polishing process.
  • a second determination step can be further provided.
  • the second determination step is being executed when the change in the drive current detected by the detection step when the drive load of the drive unit has changed is smaller than a threshold value.
  • the polishing conditions of the polishing process can be added to the specific polishing conditions.
  • the end point detection step detects a polishing end point based on a change in drive current detected by the detection step, and the second determination step includes the polishing end point by the end point detection step. If no is detected, the polishing conditions of the ongoing polishing process can be added to the specific polishing conditions.
  • the adjustment step may adjust the current control parameter so that a change in the drive current becomes larger with respect to a change in the drive load of the drive unit.
  • the adjustment step includes: The control gain in the control based on the deviation can be increased.
  • the adjustment step can adjust the current control parameter in a part of the plurality of steps.
  • the polishing condition may include at least one of a type of a polishing object, a type of a polishing recipe, a type of a polishing pad, and a type of a polishing abrasive liquid.
  • One aspect of the polishing apparatus of the present invention is a driving unit for rotationally driving a polishing table for holding a polishing pad or a holding unit for holding an object to be polished and pressing it against the polishing pad,
  • a drive control unit for controlling a drive current supplied to the drive unit, and driving of the drive unit in the drive control unit when a polishing condition of a polishing process to be performed matches a predetermined polishing condition set in advance.
  • an adjustment unit that adjusts a current control parameter related to a change in the drive current with respect to a change in a load.
  • the apparatus further comprises a determination unit that determines whether or not the polishing condition of the polishing process to be performed matches a predetermined polishing condition, and the adjustment unit is configured to When it is determined that the polishing condition of the polishing process matches the specific polishing condition, the current control parameter in the drive control unit can be adjusted.
  • the polishing apparatus further includes a current detection unit that detects a drive current supplied from the drive control unit to the drive unit during a polishing process, and the determination unit is detected by the current detection unit. Based on the drive current, it can be determined whether or not to add the polishing conditions of the polishing process being executed to the specific polishing conditions.
  • the determination unit performs the polishing that is being performed when a change in drive current detected by the current detection unit when a drive load of the drive unit changes is smaller than a threshold value.
  • Process polishing conditions can be added to the specific polishing conditions.
  • the polishing apparatus further includes an end point detection unit that detects an end point of polishing based on a change in driving current detected by the current detection unit, and the determination unit detects the end point of polishing by the end point detection unit. If not, the polishing conditions of the ongoing polishing process can be added to the specific polishing conditions.
  • the adjustment unit can adjust the current control parameter such that a change in the drive current becomes larger with respect to a change in the drive load of the drive unit.
  • the drive control unit controls the drive current based on a deviation between an actual rotation speed of the polishing table or the holding unit and a target rotation speed, and the adjustment unit is based on the deviation.
  • the control gain in the control can be increased.
  • the adjustment unit can adjust the current control parameter in a part of the plurality of steps.
  • the polishing condition may include at least one of a type of an object to be polished, a type of a polishing recipe, a type of a polishing pad, and a type of a polishing abrasive liquid.
  • a polishing apparatus for polishing the surface of an object to be polished, wherein the first electric motor rotates and drives a polishing table for holding a polishing pad. And a second electric motor that rotationally drives a holding portion for holding and pressing the object to be polished against the polishing pad, and at least one of the first and second electric motors Comprises a plurality of phase windings, and the polishing apparatus is detected by a current detection unit that detects a current of at least two phases of the first and / or second electric motors, and the current detection unit.
  • a rectification calculation unit that rectifies at least two-phase current detection values, adds and / or multiplies the rectified signal and outputs the rectified signal, and a change in the output of the rectification calculation unit. Indicates the end of surface polishing
  • a polishing apparatus having and end detector for detecting a polishing end point.
  • the following effects are obtained. That is, when only one-phase driving current is detected, the detected current value is smaller than that in this embodiment. According to this embodiment, since the current value is increased by rectification and addition, the detection accuracy is improved.
  • motors with multiple phases within one motor such as an AC servo motor, manage the rotational speed of the motor without managing the current of each phase individually, so the current value varies between phases. There may be. Therefore, conventionally, there is a possibility that a current value of a phase having a smaller current value than other phases is detected, and there is a possibility that a phase having a large current value cannot be used. According to the present embodiment, since a plurality of phases of drive currents are added, a phase having a large current value can be used, so that detection accuracy is improved.
  • the ripple is smaller than when only one phase of drive current is used. For this reason, since the detected alternating current is used for the determination of the end point, the ripple of the direct current obtained by the effective value conversion for converting into the direct current is reduced, and the end point detection accuracy is improved.
  • the current to be added may be at least one phase of the first electric motor and at least one phase of the second electric motor. Thereby, a signal value can be made larger than the case where only the current value of one motor is used.
  • Both addition and multiplication can be performed. In this case, both the above-described addition effect and multiplication effect can be obtained.
  • the numerical value (multiplier) to be multiplied may be changed for each phase. If the result of the addition exceeds the input range of the subsequent processing circuit, the multiplier is made smaller than one.
  • the rectification may be either half-wave rectification or full-wave rectification, but full-wave rectification is preferable to half-wave rectification because the amplitude is increased and the ripple is reduced.
  • the end point detection unit includes an amplification unit that amplifies the output of the rectification calculation unit, and noise included in the output of the rectification calculation unit At least one of a noise removing unit that removes the noise and a subtracting unit that subtracts a predetermined amount from the output of the rectification computing unit.
  • the torque current change can be increased by amplification. By removing the noise, the change of the current buried in the noise can be made obvious.
  • the subtraction unit has the following effects.
  • the detected current usually includes a current portion that changes as the friction force changes, and a constant amount of current portion (bias) that does not change when the friction force changes. By removing this bias, it is possible to extract only the current portion that depends on the change in the friction force and amplify it to the maximum amplitude within the signal processing range, and detect the end point from the change in the friction force. The accuracy of the end point detection method is improved.
  • amplification part when it has two or more of an amplification part, a subtraction part, and a noise removal part, these are cascade-connected.
  • the processing result is sent to the noise removal unit and processed in the noise removal unit, or the noise removal unit performs the first processing, The processing result is sent to the amplification unit for processing.
  • the end point detection unit includes the amplification unit, the subtraction unit, and the noise removal unit, and is amplified by the amplification unit.
  • the signal is subtracted by the subtracting unit, and noise is removed from the subtracted signal by the noise removing unit.
  • amplification, subtraction, and noise removal are preferably performed in this order, but are not necessarily performed in this order.
  • the order of noise removal, subtraction, and amplification is also possible.
  • the end point detection unit includes a second amplification unit that further amplifies the signal from which noise has been removed by the noise removal unit. According to such a form, the magnitude of the current reduced by noise removal can be recovered, and the accuracy of the end point detection method is improved.
  • the end point detection unit includes the amplification unit and a control unit that controls amplification characteristics of the amplification unit. According to this form, it is possible to select an optimum amplification characteristic (amplification factor, frequency characteristic, etc.) according to the material and structure of the object to be polished.
  • the end point detection unit includes the noise removal unit and a control unit that controls a noise removal characteristic of the noise removal unit.
  • a control unit that controls a noise removal characteristic of the noise removal unit.
  • the end point detection unit includes the subtraction unit and a control unit that controls a subtraction characteristic of the subtraction unit. According to such a form, it is possible to select an optimal subtraction characteristic (subtraction amount, frequency characteristic, etc.) according to the material and structure of the object to be polished.
  • the end point detection unit includes a control unit that controls amplification characteristics of the second amplification unit.
  • the optimal second amplification characteristic amplification factor, frequency characteristic, etc.
  • the optimal second amplification characteristic can be selected according to the material, structure, etc. of the object to be polished.
  • a polishing method is provided.
  • a first electric motor that rotationally drives a polishing table for holding a polishing pad
  • a second electric motor that rotationally drives a holding unit for holding an object to be polished and pressing it against the polishing pad.
  • the method includes a current detection step of detecting a current of at least two phases of the first and / or second electric motors, and a rectified signal by rectifying the detected current detection values of at least two phases.
  • the end point detection step amplifies the output of the rectification operation step, and removes noise included in the output of the rectification operation step. At least one of a noise removing step of subtracting and a subtracting step of subtracting a predetermined amount from the output of the rectifying step. According to this form, the same effect as another 2nd form can be achieved.
  • the signal amplified in the amplification step is compared with the signal in the subtraction step. A fixed amount of subtraction is performed, and noise is removed from the subtracted signal in the noise removal step. According to this form, the same effect as another 3rd form can be achieved.
  • the end point detection step further includes a second amplification step for further amplifying the signal from which noise has been removed in the noise removal step.
  • a second amplification step for further amplifying the signal from which noise has been removed in the noise removal step.
  • FIG. 1 is a diagram showing a basic configuration of a polishing apparatus according to the present embodiment.
  • FIG. 2 is a diagram for explaining the processing contents of the two-phase to three-phase converter.
  • FIG. 3 is a diagram schematically illustrating a configuration related to drive current adjustment of the polishing apparatus according to the first embodiment.
  • FIG. 4 is a diagram schematically showing a configuration relating to drive current adjustment of the polishing apparatus according to the second embodiment.
  • FIG. 5 is a diagram schematically showing changes in drive current according to the first and second embodiments.
  • FIG. 6 is a diagram schematically showing changes in drive current according to the first and second embodiments.
  • FIG. 7 is a diagram illustrating an example of a manner of detecting the end point of polishing.
  • FIG. 1 is a diagram showing a basic configuration of a polishing apparatus according to the present embodiment.
  • FIG. 2 is a diagram for explaining the processing contents of the two-phase to three-phase converter.
  • FIG. 3 is a diagram schematically illustrating
  • FIG. 8 is a flowchart of the current adjustment method by the polishing apparatus of the first and second embodiments.
  • FIG. 9 is a flowchart of the current adjustment method by the polishing apparatus of the first and second embodiments.
  • FIG. 10 is a diagram illustrating a basic configuration of a polishing apparatus according to another embodiment.
  • FIG. 11 is a block diagram showing details of the end point detection unit 29.
  • FIG. 12 is a graph showing the contents of signal processing by the end point detection unit 29.
  • FIG. 13 is a graph showing the contents of signal processing by the end point detection unit 29.
  • FIG. 14 is a block diagram and a graph showing an end point detection method of a comparative example.
  • FIG. 15A is a graph showing the output 56a of the effective value converter 56 of the comparative example, and FIG.
  • FIG. 15B is a graph showing the output 48a of the effective value converter 48 of the present embodiment.
  • FIG. 16 is a graph showing the output 56a of the effective value converter 56 of the comparative example and the output 48a of the effective value converter 48 of the embodiment.
  • FIG. 17 is a graph showing changes in the amount of change 270 in the output 56a of the comparative example and the amount of change 268 in the output 48a of this embodiment with respect to the pressure applied to the semiconductor wafer 18.
  • FIG. 18 shows an example of settings for the amplification unit 40, the offset unit 42, the filter 44, and the second amplification unit 46.
  • FIG. 19 is a flowchart illustrating an example of control of each unit by the control unit 50.
  • polishing apparatus according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
  • the basic configuration of the polishing apparatus will be described, and then the detection of the polishing end point of the object to be polished will be described.
  • FIG. 1 is a diagram showing a basic configuration of a polishing apparatus according to the present embodiment.
  • the polishing apparatus detects a rotation position of a polishing table 12 on which the polishing pad 10 can be mounted on the upper surface, a first electric motor (first driving unit) 14 that rotates the polishing table 12, and a first electric motor.
  • a position detection sensor 16 a top ring 20 that can hold the semiconductor wafer 18, and a second electric motor 22 that rotates the top ring 20.
  • the top ring 20 can be moved closer to or away from the polishing table 12 by a holding device (not shown). When polishing the semiconductor wafer 18, the top ring 20 is brought close to the polishing table 12 so that the semiconductor wafer 18 held on the top ring 20 is brought into contact with the polishing pad 10 attached to the polishing table 12.
  • the semiconductor wafer 18 held on the top ring 20 is pressed against the polishing pad 10 while the polishing table 12 is driven to rotate. Further, the top ring 20 is driven to rotate around an axis line 21 that is eccentric from the rotating shaft 13 of the polishing table 12 by a second electric motor 22.
  • a polishing abrasive liquid containing an abrasive is supplied from the abrasive supply device 24 to the upper surface of the polishing pad 10.
  • the semiconductor wafer 18 set on the top ring 20 is pressed against the polishing pad 10 supplied with the polishing abrasive liquid while the top ring 20 is rotationally driven by the second electric motor 22.
  • the first electric motor 14 is a synchronous or induction type AC servo motor having at least three windings of U phase, V phase and W phase.
  • the first electric motor 14 includes an AC servo motor having three-phase windings.
  • the three-phase windings cause currents that are 120 degrees out of phase to flow through the field windings provided around the rotor in the first electric motor 14, thereby rotating the rotor. .
  • the rotor of the first electric motor 14 is connected to a motor shaft 15, and the polishing table 12 is rotationally driven by the motor shaft 15.
  • the second electric motor 22 is preferably a synchronous or induction type AC servo motor having at least a three-phase winding of U phase, V phase and W phase.
  • the second electric motor 22 includes an AC servo motor having three-phase windings.
  • the three-phase windings cause currents that are 120 degrees out of phase to flow in the field windings provided around the rotor in the second electric motor 22 so that the rotor is rotationally driven. .
  • the rotor of the second electric motor 22 is connected to the motor shaft 23, and the top ring 20 is rotationally driven by the motor shaft 23.
  • the polishing apparatus includes a motor driver 100 that rotationally drives the first electric motor 14 and an input unit 200 that receives a rotation speed command signal of the first electric motor 14 from an operator via an input interface such as a keyboard or a touch panel. And comprising.
  • the input unit 200 inputs the received command signal to the motor driver 100.
  • 1 illustrates the motor driver 100 that rotationally drives the first electric motor 14, the same motor driver 100 is also connected to the second electric motor 22 as shown in FIG. 4.
  • the motor driver 100 includes a differentiator 102, a speed compensator 104, a two-phase / three-phase converter 106, an electrical angle signal generator 108, a U-phase current compensator 110, a U-phase PWM modulation circuit 112, A V-phase current compensator 114, a V-phase PWM modulation circuit 116, a W-phase current compensator 118, a W-phase PWM modulation circuit 120, a power amplifier 130, and current sensors 132 and 134 are provided.
  • the differentiator 102 generates an actual speed signal corresponding to the actual rotational speed of the first electric motor 14 by differentiating the rotational position signal detected by the position detection sensor 16. That is, the differentiator 102 is an arithmetic unit that obtains the rotational speed of the first electric motor 14 based on the detected value of the rotational position of the first electric motor 14.
  • the speed compensator 104 is based on a speed deviation signal corresponding to the deviation between the rotational speed command signal (target value) input via the input unit 200 and the actual speed signal generated by the differentiator 102.
  • the rotational speed of the electric motor 14 is compensated. That is, the speed compensator 104 receives the rotation speed command value of the first electric motor 14 input via the input interface (input unit 200) and the rotation speed of the first electric motor 14 obtained by the differentiator 102. Based on the deviation, a command signal for the current to be supplied to the first electric motor 14 is generated.
  • the speed compensator 104 can be composed of, for example, a PID controller.
  • the speed compensator 104 performs proportional control, integral control, and differential control, and generates a current command signal corresponding to the compensated rotation speed.
  • the proportional control changes the operation amount in proportion to the deviation between the rotational speed command signal input from the input unit 200 and the actual speed signal of the first electric motor.
  • the integral control adds the deviation and changes the operation amount in proportion to the value.
  • the change rate of the deviation that is, the speed at which the deviation changes
  • the speed compensator 104 can also be configured by a PI controller.
  • the electrical angle signal generator 108 generates an electrical angle signal based on the rotational position signal detected by the position detection sensor 16.
  • the two-phase to three-phase converter 106 is based on the current command signal generated by the speed compensator 104 and the electrical angle signal generated by the electrical angle signal generator 108, and the V-phase current command signal and the V-phase A current command signal is generated. That is, the two-phase to three-phase converter 106 is based on the electrical angle signal generated based on the detected value of the rotational position of the first electric motor 14 and the current command signal generated by the speed compensator 104. , A converter that generates current command values for at least two of the phases.
  • FIG. 2 is a diagram for explaining the processing contents of the two-phase to three-phase converter.
  • a current command signal Ic as shown in FIG. 2 is input from the speed compensator 104 to the two-phase / three-phase converter 106.
  • the U-phase electrical angle signal Sin ⁇ u as shown in FIG. 2 is input to the 2-phase-3 phase converter 106 from the electrical angle signal generator 108.
  • the V-phase electrical angle signal Sin ⁇ v is also input to the two-phase / three-phase converter 106.
  • the two-phase to three-phase converter 106 multiplies the current command signal Ic (i) at a certain time ti by the V-phase electrical angle signal Sin ⁇ v (i).
  • the current sensor 132 is provided on the U-phase output line of the power amplifier 130 and detects the U-phase current output from the power amplifier 130.
  • the U-phase current compensator 110 corresponds to a deviation between the U-phase current command signal Iuc output from the two-phase / three-phase converter 106 and the U-phase detection current Iu * detected by the current sensor 132 and fed back. Based on the U-phase current deviation signal, U-phase current compensation is performed.
  • the U-phase current compensator 110 can be constituted by, for example, a PI controller or a PID controller.
  • the U-phase current compensator 110 performs U-phase current compensation using PI control or PID control, and generates a U-phase current signal corresponding to the compensated current.
  • the U phase PWM modulation circuit 112 performs pulse width modulation based on the U phase current signal generated by the U phase current compensator 110.
  • the U-phase PWM modulation circuit 112 generates two systems of pulse signals corresponding to the U-phase current signal by performing pulse width modulation.
  • the current sensor 134 is provided on the V-phase output line of the power amplifier 130 and detects the V-phase current output from the power amplifier 130.
  • the V-phase current compensator 114 corresponds to a deviation between the V-phase current command signal Ivc output from the two-phase / three-phase converter 106 and the V-phase detection current Iv * detected by the current sensor 134 and fed back. V-phase current compensation is performed based on the V-phase current deviation signal.
  • the V-phase current compensator 114 can be constituted by, for example, a PI controller or a PID controller.
  • the V-phase current compensator 114 compensates for the V-phase current using PI control or PID control, and generates a V-phase current signal corresponding to the compensated current.
  • the V-phase PWM modulation circuit 116 performs pulse width modulation based on the V-phase current signal generated by the V-phase current compensator 114.
  • the V-phase PWM modulation circuit 114 generates two systems of pulse signals corresponding to the V-phase current signal by performing pulse width modulation.
  • the W-phase current compensator 118 includes a W-phase current command signal Iwc generated based on the U-phase current command signal Iuc and the V-phase current command signal Ivc output from the two-phase / three-phase converter 106, and a current sensor 132. , 134, and W phase current compensation is performed based on a W phase current deviation signal corresponding to a deviation between the U phase detection current Iu * and the V phase detection current Iv * fed back.
  • the W-phase current compensator 118 can be constituted by, for example, a PI controller or a PID controller.
  • the W-phase current compensator 118 performs compensation of the W-phase current using PI control or PID control, and generates a W-phase current signal corresponding to the compensated current.
  • the W-phase PWM modulation circuit 120 performs pulse width modulation based on the W-phase current signal generated by the W-phase current compensator 118.
  • the W-phase PWM modulation circuit 118 generates two systems of pulse signals corresponding to the W-phase current signal by performing pulse width modulation.
  • the power amplifier 130 drives each transistor of the inverter unit built in the power amplifier 130 according to each applied pulse signal. Thereby, the power amplifier 130 outputs AC power for each of the U phase, the V phase, and the W phase, and rotationally drives the first electric motor 14 with the three-phase AC power.
  • FIG. 3 is a diagram schematically illustrating a configuration related to drive current adjustment of the polishing apparatus according to the first embodiment.
  • FIG. 4 is a diagram schematically showing a configuration relating to drive current adjustment of the polishing apparatus according to the second embodiment.
  • the first embodiment is an embodiment that performs drive current adjustment in the motor driver 100 that drives the first electric motor 14, whereas the second embodiment drives the second electric motor 22. The difference lies in the embodiment for adjusting the drive current in the motor driver 100.
  • the same parts in the first embodiment and the second embodiment will be described together.
  • the polishing apparatus has a second current sensor (current) in any one of the U phase, V phase, and W phase (V phase in the first and second embodiments).
  • Detection unit) 31 is provided.
  • the second current sensor 31 is connected to a V-phase current path between the motor driver 100 and the first electric motor 14 or a V-phase current path between the motor driver 100 and the second electric motor 22.
  • the second current sensor 31 detects the V-phase current and outputs it to the end point detection device 60.
  • the end point detection device 60 detects the polishing end point of the semiconductor wafer 18.
  • the end point detection device 60 and the motor driver 100 can transmit and receive commands by, for example, serial communication.
  • the end point detection device 60 includes a determination unit 62, an adjustment unit 64, a storage unit 66, and an end point detection unit 68.
  • the determination unit 62 determines whether or not the polishing condition of the polishing process to be executed matches a specific polishing condition set in advance.
  • the polishing conditions include, for example, at least one of the type of an object to be polished, the type of polishing recipe, the type of polishing pad, and the type of polishing abrasive liquid (slurry).
  • the determination unit 62 receives, for example, the polishing conditions of the polishing process to be executed from the input unit 200 of the polishing apparatus.
  • the determination unit 62 reads the specific polishing condition stored in the storage unit 66, and compares the read specific polishing condition with the input polishing condition, so that the input polishing condition matches the specific polishing condition. It is determined whether or not to do.
  • the polishing conditions are not only input via the input unit 200, but are input to the determination unit 62 by reading, for example, information indicating the contents of the polishing conditions stored in a tag attached to the semiconductor wafer 18 with a reader or the like. You can also
  • the drive current detected by the second current sensor 31 during execution of the polishing process is input to the determination unit 62.
  • the determination unit 62 determines whether or not to add the polishing condition of the polishing process being performed to the specific polishing condition. Specifically, the determination unit 62 determines that the change in the drive current detected by the second current sensor 31 when the drive load of the first electric motor 14 or the second electric motor 22 changes is greater than the threshold value. If it is smaller, information indicating the contents of the polishing conditions of the polishing process being executed is stored in the storage unit 66 to be added to the specific polishing conditions.
  • the determination unit 62 stores information indicating the content of the polishing condition of the polishing process being executed in the storage unit 66, thereby specifying a specific polishing condition. Add to.
  • the adjustment unit 64 of the first electric motor 14 or the second electric motor 22 in the motor driver 100 is determined.
  • a current control parameter relating to a change in drive current with respect to a change in drive load is adjusted (changed).
  • the adjustment unit 64 adjusts the current control parameter so that the change in the drive current becomes larger with respect to the change in the drive load of the first electric motor 14 or the second electric motor 22. More specifically, the current control parameter is a control gain of feedback control in the speed compensator 104 of the motor driver 100. As described above, the speed compensator 104 controls the drive current based on the deviation between the actual rotational speed of the polishing table 12 or the top ring 20 and the target rotational speed. When the determination unit 62 determines that the polishing condition of the polishing process to be executed matches the specific polishing condition, the adjustment unit 64 transmits a command for increasing the control gain in the control based on the deviation to the motor driver 100.
  • FIG. 5 and 6 are diagrams schematically showing changes in drive current according to the first and second embodiments.
  • FIG. 5 shows the drive current before and after adjusting the current control parameter of the motor driver 100.
  • the horizontal axis shows time (t), and the vertical axis shows the drive current (A).
  • FIG. 6 shows the difference in drive current before and after adjusting the current control parameter of the motor driver 100, the horizontal axis is time (t), and the vertical axis is the polishing pad 10 and the semiconductor wafer 18.
  • Each drive current in a state where pressure is applied between the polishing pad 10 and the semiconductor wafer 18 when the average value of the difference ( ⁇ A) in the drive current (A) when no pressure is applied between the polishing pad 10 and the semiconductor wafer 18 is used as a reference.
  • the amount of change ( ⁇ A) from the average value is shown.
  • FIG. 5 shows the drive current in a state where no pressure is applied between the polishing pad 10 and the semiconductor wafer 18 (Free), a state where a pressure of 1 psi is applied, and a state where a pressure of 2 psi is applied.
  • the pressure between the polishing pad 10 and the semiconductor wafer 18 correlates with the driving load of the first electric motor 14 or the second electric motor 22.
  • the drive after adjusting the current control parameter is compared with the waveform 70 of the drive current before adjusting the current control parameter.
  • the drive current changes greatly. For example, if the change amount of the waveform 70 when the pressure changes from 2 psi to Free is ⁇ , and the change amount of the waveform 72 when the pressure changes from 2 psi to Free is ⁇ , then ⁇ ⁇ .
  • the drive current change amount 74 before adjusting the current control parameter and the current control parameter are adjusted.
  • a difference of about 0.5 (A) is generated in the change of the drive current between the two.
  • the pressure between the polishing pad 10 and the semiconductor wafer 18 changes from 1 psi to 2 psi
  • the change 74 in the drive current before adjusting the current control parameter and the change in drive current after adjusting the current control parameter occurs in the change in the drive current between the two.
  • the first and second embodiments adjust the current control parameter in the motor driver 100 when it is determined that the polishing condition of the polishing process matches the specific polishing condition.
  • the change of the drive current when the drive load of the first electric motor 14 or the second electric motor 22 changes can be increased.
  • the change in torque current can be satisfactorily detected without changing the existing polishing recipe, and as a result, the accuracy of polishing end point detection is improved.
  • No. 68 can appropriately detect the end point based on the change of the drive current.
  • the control gain of feedback control in the speed compensator 104 of the motor driver 100 has been described, but the present invention is not limited to this.
  • the current control parameter of the motor driver 100 regarding the moment of inertia of the first electric motor 14 or the second electric motor 22 may be adjusted.
  • the motor driver 100 is configured to reduce the moment of inertia of the first electric motor 14 or the second electric motor 22.
  • the current control parameter can be adjusted. According to this, since the moment of inertia of the first electric motor 14 or the second electric motor 22 is reduced, the drive current when the driving load of the first electric motor 14 or the second electric motor 22 changes is changed. Change will be greater.
  • the end point detection unit 68 can appropriately perform the end point detection based on the change in the drive current.
  • the adjustment unit 64 can also adjust the current control parameter in a part of the plurality of steps.
  • the polishing process includes a first step of polishing the semiconductor wafer 18 at a first polishing rate, and a second step of polishing the semiconductor wafer 18 at a second polishing rate smaller than the first polishing rate after the first step.
  • a process including a process is considered.
  • the semiconductor wafer 18 is polished at a high polishing rate in the first step, and then the process proceeds to the second step when a predetermined time elapses, and the low polishing rate in the second step. The end point is detected while the semiconductor wafer 18 is being polished.
  • the adjustment unit 64 adjusts the current control parameter (for example, control gain) of the motor driver 100 in the second step.
  • the end point detection unit 68 detects the polishing end point of the semiconductor wafer 18 based on the drive current (torque current) detected by the second current sensor 31. Specifically, the end point detector 68 determines the polishing end point of the semiconductor wafer 18 based on the change in the drive current detected by the second current sensor 31.
  • FIG. 7 is a diagram illustrating an example of a manner of detecting the end point of polishing.
  • the horizontal axis indicates the elapsed polishing time
  • the vertical axis indicates the drive current (I) and the differential value ( ⁇ I / ⁇ t) of the drive current.
  • the end point detection unit 68 finishes polishing the semiconductor wafer 18 when the driving current 30a becomes smaller than a preset threshold 30b. Can be determined.
  • the end point detection unit 68 obtains the differential value 30c of the drive current 30a as shown in FIG. 7, and the slope of the differential value 30c is negative to positive in the period between the preset time threshold values 30d and 30e. If it is detected that the semiconductor wafer 18 has been turned to, it can be determined that the polishing of the semiconductor wafer 18 has reached the end point. That is, the time threshold values 30d and 30e are set to an approximate period that is considered to be the polishing end point based on an empirical rule, and the end point detection unit 68 performs polishing in the period between the time threshold values 30d and 30e. Perform end point detection.
  • the end point detection unit 68 reaches the end point in the polishing of the semiconductor wafer 18 except for the period between the time threshold values 30d and 30e even if the slope of the differential value 30c changes from negative to positive. Not determined. For example, immediately after the start of polishing, when the differential value 30c hunts due to the effect of unstable polishing and the slope changes from negative to positive, it is prevented from being erroneously detected as the polishing end point. Because. The end point detection unit 68 can also determine that the polishing of the semiconductor wafer 18 has reached the end point when the amount of change in the drive current 30a changes more than a preset threshold value. Hereinafter, a specific example of the determination of the polishing end point of the end point detection unit 68 will be shown.
  • the semiconductor wafer 18 is laminated with different materials such as a semiconductor, a conductor, and an insulator.
  • the motor torque of the first electric motor 14 or the second electric motor 22 is changed when the polishing is shifted to the different material layer.
  • the V-phase motor current detection current signal
  • the end point detection unit 68 determines the end point of polishing of the semiconductor wafer 18 by detecting that the motor current has become larger or smaller than the threshold value.
  • the end point detector 68 can also determine the polishing end point of the semiconductor wafer 18 based on the change in the differential value of the motor current.
  • the polishing surface is flattened by polishing from a state where the polishing surface of the semiconductor wafer 18 is not flat, for example.
  • the motor torque of the first electric motor 14 or the second electric motor 22 changes.
  • the V-phase motor current also changes.
  • the end point detection unit 68 determines the polishing end point of the semiconductor wafer 18 by detecting that the motor current has become smaller than the threshold value.
  • the end point detector 68 can also determine the polishing end point of the semiconductor wafer 18 based on the change in the differential value of the motor current.
  • FIG. 8 is a flowchart of the current adjustment method by the polishing apparatus of the first and second embodiments.
  • FIG. 8 is a flowchart of the current adjustment method when the polishing process has a single step.
  • a polishing recipe for a polishing process is set (step S101). Subsequently, in the current adjustment method, it is determined whether or not the polishing conditions (for example, a combination of the type of the semiconductor wafer 18 and the type of the polishing recipe) of the polishing process to be executed coincide with the specific polishing conditions (step S102). .
  • the determination unit 62 can determine based on specific polishing conditions stored in the storage unit 66.
  • the adjustment unit 64 adjusts the current control parameter of the motor driver 100 (step S103).
  • the current adjustment method starts polishing the semiconductor wafer 18 (step S104). Subsequently, in the current adjustment method, the end point detection unit 68 performs end point detection (step S105).
  • the determination unit 62 determines whether or not the end point detection has been normally performed by the end point detection unit 68 (step S106). For example, if the end point is not detected even after a predetermined time has elapsed, the determination unit 62 determines that the end point has not been detected normally.
  • step S106 If the determination unit 62 determines that the end point detection has been normally performed by the end point detection unit 68 (step S106, Yes), the process ends.
  • the polishing condition of the polishing process being performed is set as the specific polishing condition, for example, a storage unit 66 (step S107), and the process ends. That is, the polishing conditions in this polishing process are registered as current control parameter adjustment targets. Therefore, the current control parameter is adjusted when the polishing process is executed under this polishing condition after the next time. For example, even if the current control parameter is adjusted in step S103, the end point detection may not be performed normally if the adjustment is insufficient. In this case, the current control parameter is adjusted larger than the previous adjustment when the polishing process is executed next time under the polishing conditions. For example, the increase amount of the control gain of the feedback control in the speed compensator 104 is made larger than the increase amount in the previous adjustment.
  • FIG. 9 is a flowchart of the current adjustment method by the polishing apparatus of the first and second embodiments.
  • FIG. 9 is a flowchart of the current adjustment method when the polishing process has a plurality of steps.
  • FIG. 9 shows, as an example, a first process in which a polishing process polishes the semiconductor wafer 18 at a first polishing rate, and a semiconductor wafer at a second polishing rate smaller than the first polishing rate after the first process. And a second step of polishing 18.
  • the polishing process including a plurality of steps is not limited to this example and can be arbitrarily selected.
  • the step of adjusting the current control parameter is not limited to this example, and can be arbitrarily selected.
  • a polishing recipe for a polishing process including a plurality of steps is set (step S201). Subsequently, the current adjustment method starts polishing of the semiconductor wafer 18 at the first polishing rate (step S202). Subsequently, the current adjustment method determines whether or not a preset time has elapsed (step S203). When it is determined that the preset time has not elapsed (No in step S203), the current adjustment method returns to step S202.
  • the polishing conditions in the second step for example, a combination of the type of the semiconductor wafer 18 and the type of the polishing recipe. Is determined to match the specific polishing condition (step S204). For example, this determination may be performed by a worker of the polishing apparatus, or the determination unit 62 may determine based on specific polishing conditions stored in the storage unit 66.
  • the adjustment unit 64 adjusts the current control parameter of the motor driver 100 (Step S205).
  • the current adjustment method starts polishing of the semiconductor wafer 18 at the second polishing rate (step S206).
  • the end point detection unit 68 performs end point detection (step S207).
  • the determination unit 62 determines whether or not the end point detection has been normally performed by the end point detection unit 68 (step S208). For example, if the end point is not detected even after a predetermined time has elapsed, the determination unit 62 determines that the end point has not been detected normally.
  • step S208, Yes If the determination unit 62 determines that the end point detection has been normally performed by the end point detection unit 68 (step S208, Yes), the process ends.
  • the polishing condition of the second step of the polishing process being executed is set to the specific polishing condition. For example, it stores in the memory
  • the current control parameter is adjusted only under specific polishing conditions. Therefore, in the case of a polishing condition in which end point detection can be performed by setting a normal current control parameter, the current control parameter is not adjusted, so that the existing polishing recipe or the like is not affected. Further, according to the polishing apparatus and the current adjustment method of the first and second embodiments, the current control parameter in the motor driver 100 is adjusted when it is determined that the polishing condition of the polishing process matches the specific polishing condition. As a result, it is possible to increase the change in the drive current when the drive load of the first electric motor 14 or the second electric motor 22 changes.
  • the polishing apparatus and the current adjustment method of the first and second embodiments it is possible to detect a change in torque current satisfactorily without changing the existing polishing recipe.
  • the end point detection unit 68 can appropriately detect the end point based on the change of the drive current.
  • FIG. 10 is a diagram showing a basic configuration of the polishing apparatus 100a according to the present embodiment.
  • the polishing apparatus 100a includes a polishing table 12 on which a polishing pad 10 can be attached to the upper surface, a first electric motor 14 that rotationally drives the polishing table 12, and a top ring (holding) that can hold a semiconductor wafer (polishing object) 18. Part) 20 and a second electric motor 22 that rotationally drives the top ring 20.
  • This embodiment can be applied to a two-phase motor, a five-phase motor, etc. other than the three-phase motor. Further, the present invention can be applied to, for example, a DC brushless type motor other than the AC servo motor.
  • the polishing apparatus 100 a includes a motor driver 16 that rotationally drives the first electric motor 14.
  • FIG. 10 illustrates only the motor driver 16 that rotationally drives the first electric motor 14, but a similar motor driver is also connected to the second electric motor 22.
  • the motor driver 16 outputs an alternating current for each of the U phase, the V phase, and the W phase, and rotationally drives the first electric motor 14 by the three-phase alternating current.
  • the polishing apparatus 100a rectifies the three-phase current detection value detected by the current detection unit 24 and the current detection unit 24 that detects the three-phase alternating current output from the motor driver 16, and outputs the rectified three-phase signal.
  • a rectification calculation unit 28 that adds and outputs, and an end point detection unit 29 that detects a polishing end point indicating completion of polishing of the surface of the semiconductor wafer 18 based on a change in the output of the rectification calculation unit 28.
  • the rectification calculation unit 28 of the present embodiment performs only the process of adding the three-phase signals, but may perform multiplication after the addition. Further, only multiplication may be performed.
  • the current detection unit 24 includes current sensors 31a, 31b, and 31c in each of the U phase, the V phase, and the W phase in order to detect the three-phase alternating current output from the motor driver 16.
  • the current sensors 31a, 31b, and 31c are provided in U-phase, V-phase, and W-phase current paths between the motor driver 16 and the first electric motor 14, respectively.
  • the current sensors 31a, 31b, and 31c detect U-phase, V-phase, and W-phase currents, respectively, and output them to the rectification calculation unit 28.
  • the current sensors 31a, 31b, and 31c may be provided in U-phase, V-phase, and W-phase current paths between a motor driver (not shown) and the second electric motor 22.
  • the current sensors 31a, 31b, and 31c are Hall element sensors in the present embodiment.
  • Each Hall element sensor is provided in each of U-phase, V-phase, and W-phase current paths, and a magnetic flux proportional to each current of U-phase, V-phase, and W-phase is converted into Hall voltages 32a, 32b, and 32c by the Hall effect. Convert and output.
  • Current sensors 31a, 31b, and 31c may be of other methods that can measure current.
  • a current transformer method may be used in which current is detected by a secondary winding wound around a ring-shaped core (primary winding) provided in each of U-phase, V-phase, and W-phase current paths.
  • the output current can be detected as a voltage signal by flowing the load resistance.
  • the rectification calculation unit 28 rectifies the outputs of the plurality of current sensors 31a, 31b, 31c and adds the rectified signals.
  • the end point detection unit 29 includes a processing unit 230 that processes the output of the rectification calculation unit 28, an effective value converter 48 that converts an effective value of the output of the processing unit 230, and a control unit 50 that determines a polishing end point.
  • FIGS. 11 is a block diagram showing details of the rectification calculation unit 28 and the end point detection unit 29.
  • FIGS. 12 and 4 are graphs showing the contents of signal processing by the rectification calculation unit 28 and the end point detection unit 29.
  • the rectification calculating unit 28 adds the output voltages 32a, 32b, and 32c of the plurality of current sensors 31a, 31b, and 31c and rectifies them, and adds the rectified signals 36a, 36b, and 36c. And an arithmetic unit 38. Since the current value is increased by the addition, the detection accuracy is improved.
  • the same reference numerals are assigned to the signal lines and the signals flowing through the signal lines.
  • the output voltages 32a, 32b, and 32c to be added are for three phases in this embodiment, but the present invention is not limited to this.
  • two phases may be added.
  • the three-phase or two-phase components of the first electric motor 22 may be added and used to detect the end point.
  • one or more phases of the first electric motor 14 and one or more phases of the second electric motor 22 may be added.
  • FIG. 12A shows output voltages 32a, 32b, and 32c of the current sensors 31a, 31b, and 31c.
  • FIG. 12B shows voltage signals 36a, 36b, and 36c that are rectified and output by the rectifiers 34a, 34b, and 34c, respectively.
  • FIG. 12C shows the signal 38a that is added and output by the arithmetic unit 38. The horizontal axis of these graphs is time, and the vertical axis is voltage.
  • the processing unit 230 is included in the amplification unit 40 that amplifies the output 38 a of the rectification calculation unit 28, the offset unit (subtraction unit) 42 that subtracts a predetermined amount from the output of the rectification calculation unit 28, and the output 38 a of the rectification calculation unit 28.
  • a filter (noise removal unit) 44 that removes generated noise
  • a second amplification unit 46 that further amplifies the signal from which noise has been removed by the noise removal unit.
  • the signal 40a amplified by the amplification unit 40 is subtracted by the offset unit 44, and noise is removed by the filter 44 from the subtracted signal 42a.
  • FIG. 12 (d) shows the signal 40a amplified and output by the amplifying unit 40.
  • FIG. 13A shows the signal 42a output by the offset unit 42 after subtracting from the signal 40a.
  • FIG. 13B shows the signal 44a output by the filter 44 after removing noise included in the signal 42a.
  • FIG. 13C shows the signal 46a output by the second amplifier 46 after further amplifying the signal 44a from which noise has been removed.
  • the horizontal axis of these graphs is time, and the vertical axis is voltage.
  • the amplifying unit 40 controls the amplitude of the output 38a of the rectification calculating unit 28, and amplifies it with a predetermined amount of amplification factor to increase the amplitude.
  • the offset unit 42 extracts and processes a current portion depending on the change in the friction force by removing a constant amount of current portion (bias) that does not change even when the friction force changes. Thereby, the accuracy of the end point detection method for detecting the end point from the change of the frictional force is improved.
  • the offset unit 42 performs subtraction by the amount to be deleted from the signal 40a output from the amplification unit 40.
  • the detected current usually includes a current portion that changes as the friction force changes, and a constant amount of current portion (bias) that does not change when the friction force changes. This bias is the amount to be removed. By removing the bias, it is possible to extract only the current portion depending on the change of the frictional force and amplify it to the maximum amplitude in accordance with the input range of the effective value converter 48 in the subsequent stage. Improves accuracy.
  • the filter 44 reduces unnecessary noise included in the input signal 42a, and is usually a low-pass filter.
  • the filter 44 is, for example, a filter that passes only frequency components lower than the rotational speed of the motor. This is because the end point can be detected if there is only a DC component in the end point detection.
  • a band-pass filter that passes a frequency component lower than the rotational speed of the motor may be used. This is because the end point can also be detected in this case.
  • the second amplifying unit 46 is for adjusting the amplitude in accordance with the input range of the effective value converter 48 in the subsequent stage.
  • the reason for matching with the input range of the effective value converter 48 is that the input range of the effective value converter 48 is not infinite and it is desirable that the amplitude is as large as possible. Note that when the input range of the effective value converter 48 is increased, the resolution at the time of analog / digital conversion of the converted signal by the A / D converter deteriorates. For these reasons, the input range to the effective value converter 48 is kept optimal by the second amplifier 46.
  • the output 46 a of the second amplifying unit 46 is input to the effective value converter 48.
  • the effective value converter 48 obtains an average of the AC voltage in one cycle, that is, a DC voltage equal to the AC voltage.
  • the output 48a of the effective value converter 48 is shown in FIG.
  • the horizontal axis of this graph is time, and the vertical axis is voltage.
  • the output 48 a of the effective value converter 48 is input to the control unit 50.
  • the control unit 50 performs end point detection based on the output 48a.
  • the controller 50 determines that the polishing of the semiconductor wafer 18 has reached the end point when a preset condition is satisfied, such as when any of the following conditions is satisfied. That is, when the output 48a becomes larger than a preset threshold value, when the output 48a becomes smaller than a preset threshold value, or when the time differential value of the output 48a satisfies a predetermined condition. Then, it is determined that the polishing of the semiconductor wafer 18 has reached the end point.
  • FIG. 14 is a block diagram and a graph showing an end point detection method of a comparative example. Since the graph shown in FIG. 14 is intended to show the principle of the detection method, the signal shown shows a signal in the absence of noise. The horizontal axis of these graphs is time, and the vertical axis is voltage. In the comparative example, since only one-phase current is used, there is no addition process. Also, no subtraction process is performed. 11 and 14, the Hall element sensor 31a and the Hall element sensor 52, the rectification unit 34a and the rectification unit 54, the effective value converter 48, and the effective value converter 56 are assumed to have the same performance.
  • FIG. 14A shows the Hall voltage 52a.
  • the output voltage 52a of the hall element sensor 52 is input, and the rectifier 54 rectifies and outputs it as a signal 54a.
  • the rectification is half-wave rectification or full-wave rectification.
  • the signal 54a when half-wave rectified is shown in FIG. 14 (c), and the signal 54a when full-wave rectified is shown in FIG. 14 (d).
  • the output 54 a is input to the effective value converter 56.
  • the effective value converter 56 obtains an average of one period of the AC voltage.
  • the output 56a of the effective value converter 56 is shown in FIG.
  • the output 56 a of the effective value converter 56 is input to the end point detector 58.
  • the end point detection unit 58 performs end point detection based on the output 56a.
  • FIG. 15 shows a comparison between the processing result of the comparative example and the processing result of the present example.
  • FIG. 15A is a graph showing the output 56a of the effective value converter 56 of the comparative example
  • FIG. 15B is a graph showing the output 48a of the effective value converter 48 of the present embodiment.
  • the horizontal axis of the graph represents time, and the vertical axis represents the output voltage of the RMS converter converted to the corresponding drive current. From FIG. 15, it can be seen that the current change is increased by this embodiment.
  • a range HT in FIG. 15 indicates an input possible range of the effective value converters 48 and 56.
  • the level 260a of the comparative example corresponds to the level 262a of the present example
  • the level 260b of the comparative example corresponds to the level 262b of the present example.
  • the change range WD1 of the drive current 48a is considerably larger than the change range WD of the comparative example. In this embodiment, even when the change in the torque current is small, the change in the torque current is detected well, and the accuracy of the polishing end point detection is improved.
  • FIG. 16 shows another graph comparing the results of the processing of the comparative example and the present example.
  • FIG. 16 is a graph showing the output 56a of the effective value converter 56 of the comparative example and the output 48a of the effective value converter 48 of the present embodiment.
  • the horizontal axis of the graph represents time, and the vertical axis represents the output voltage of the RMS converter converted to the corresponding drive current. This figure differs from FIG. 15 in the object to be polished.
  • FIG. 16 shows how the output voltage of the effective value converter changes from the polishing start time t1 to the polishing end time t3.
  • the change amount of the output 48a of the effective value converter 48 of the present embodiment is larger than the change amount of the output 56a of the effective value converter 56 of the comparative example.
  • the outputs 48a and 56a both take the lowest values 264a and 266a at time t1, and both take the highest values 264b and 266b at time t2.
  • the peak values 272a and 272b indicate current values larger than the maximum values 264b and 266b, but the peak values 272a and 272b are noises generated at an initial stage until the polishing is stabilized.
  • FIG. 16 is a graph showing changes in the amount of change 270 in the output 56a of the comparative example and the amount of change 268 in the output 48a of this embodiment with respect to the pressure applied to the semiconductor wafer 18.
  • the horizontal axis of the graph shows the pressure applied to the semiconductor wafer 18, and the vertical axis shows the output voltage of the RMS converter converted to the corresponding drive current.
  • a curve 274 is a plot of the amount of change 268 of the output 48a of this embodiment against the pressure.
  • a curve 276 is a plot of the amount of change 270 of the output 56a of the comparative example against the pressure.
  • the pressure is 0, that is, when polishing is not performed, the current is 0.
  • the change amount 268 of the output 48a of the effective value converter 48 of the present embodiment is larger than the change amount 270 of the output 56a of the effective value converter 56 of the comparative example, and the curves 274 and 276 The difference becomes more prominent as the pressure increases.
  • the control unit 50 includes an amplification characteristic (amplification factor, frequency characteristic, etc.) of the amplification unit 40, a noise removal characteristic (signal pass band, attenuation amount, etc.) of the filter 44, and a subtraction characteristic (subtraction amount, frequency characteristic, etc.) of the offset unit 42. ) And the amplification characteristic (amplification factor, frequency characteristic, etc.) of the second amplification unit 46 are controlled.
  • amplification characteristic amplification factor, frequency characteristic, etc.
  • the specific control method is as follows.
  • the control unit 50 transmits data indicating an instruction to change the circuit characteristics by digital communication (USB (Universal Serial Bus) (Universal Serial Bus), LAN (Local Area). Network (local area network)), RS-232, etc.).
  • USB Universal Serial Bus
  • LAN Local Area
  • Network local area network
  • RS-232 RS-232
  • Each unit that receives the data changes the settings related to the characteristics according to the data.
  • the changing method changes the setting of the resistance value of the resistor, the capacitance value of the capacitor, the inductance of the inductor, and the like that constitute the analog circuit of each part.
  • resistance etc. are switched by analog SW.
  • the setting is changed by switching a plurality of resistors or the like or rotating a variable resistor or the like by a small motor by the analog signal.
  • a method of providing a plurality of circuits in advance and switching the plurality of circuits is also possible.
  • the content of data to be transmitted can be various.
  • each unit that transmits a number selects a resistance corresponding to the number according to the received number, or transmits a value corresponding to the resistance value or the magnitude of the inductance, and matches the value.
  • FIG. 18 shows an example of settings for the amplification unit 40, the offset unit 42, the filter 44, and the second amplification unit 46.
  • the input range of the effective value converter 48 is from 0 A (ampere) to 100 A, that is, 100 A.
  • the maximum value 278b of the waveform of the output signal 38a is 200A
  • the minimum value 278c is 100A.
  • the amount of subtraction in the offset unit 42 is 10A, which is the lower limit value of the signal 38a, is amplified by the amplifying unit 40 and becomes 100A. Therefore, 100A is subtracted. Accordingly, the set value 278d of the subtraction amount in the offset unit 42 is ⁇ 100A. As a result of the subtraction, the maximum value 278e of the waveform of the output signal 38a is 100A, and the minimum value 278f is 0A.
  • the filter 44 since the filter 44 is not changed from the initial setting, the setting value 278g is blank.
  • the maximum value 278h of the waveform of the output signal 38a is attenuated to a value lower than 100A according to the filter characteristics, and the minimum value 278i of the waveform of the output signal 38a is 0A.
  • the purpose of the second amplifying unit 46 is to correct the amount attenuated by the filter 44.
  • the amplification factor set value 278j of the second amplifying unit 46 is set to a value that can correct the amount attenuated by the filter 44.
  • the maximum value 278k of the waveform of the output signal 38a is 100A
  • the minimum value 278l is 0A.
  • FIG. 19 is a flowchart illustrating an example of control of each unit by the control unit 50.
  • the control unit 50 provides information on the polishing recipe (which defines polishing conditions for the substrate surface such as pressure distribution and polishing time) to the operator of the polishing apparatus 100a or management of the polishing apparatus 100a (not shown). Input from the device (step 10).
  • the reason for using the polishing recipe is as follows.
  • a surface state such as a film thickness of each substrate surface is measured before polishing, between polishing processes at each stage, or after polishing. This is because the value obtained by the measurement is fed back to optimally correct (update) the next substrate and the polishing recipe after the arbitrary number of sheets.
  • the contents of the polishing recipe are as follows.
  • the control unit 50 sends the polishing table 12 and the top ring 20 from the management device of the polishing apparatus 100a (not shown). And the pressure by the top ring 20 are received (step 12).
  • the reason for receiving this information is that ripples may occur due to the effect of pressure, table rotation speed, table rotation speed and top ring rotation speed ratio, and it is necessary to set the filter according to the ripple frequency. It is.
  • the control unit 50 performs the amplification unit 40, the offset unit 42, the filter 44, and the second amplification unit 46 according to the polishing recipe and the information received in step 12. Determine the set value.
  • the determined set value is transmitted to each unit by digital communication (step 14).
  • the communication setting is invalid, default setting values are set in the amplification unit 40, the offset unit 42, the filter 44, and the second amplification unit 46.
  • polishing is started.
  • the control unit 50 receives a signal from the effective value converter 48 and continues to determine the polishing end point (step 16).
  • control unit 50 determines the polishing end point based on the signal from the effective value converter 48, the control unit 50 transmits that the polishing end point has been detected to a management device of the polishing apparatus 100a (not shown).
  • the management device ends the polishing (step 18).
  • default setting values are set in the amplification unit 40, the offset unit 42, the filter 44, and the second amplification unit 46.
  • the three-phase data is rectified and added, and further, waveform amplification is performed. Therefore, there is an effect that an output difference of current accompanying a torque change is increased. Further, since the characteristics of the amplifying unit and the like can be changed, the output difference can be further increased. Noise is reduced because a filter is used.
  • Polishing pad 12 Polishing table 14 1st electric motor (drive part) 18 Semiconductor wafer (object to be polished) 20 Top ring (holding part) 22 2nd electric motor (drive part) 31 Current sensor (current detector) 60 end point detection device 62 determination unit 64 adjustment unit 66 storage unit 68 end point detection unit 100 motor driver 104 speed compensator 200 input unit

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)

Abstract

 研磨終点検出の精度を向上させる。 終点検出方法は、研磨パッドを保持するための研磨テーブル、又は、研磨対象物を保持して研磨パッドへ押圧するための保持部(トップリング)、を回転駆動するための駆動部(第1の電動モータ又は第2の電動モータ)へ供給する駆動電流に基づいて終点を検出する。終点検出方法は、実行する研磨プロセスの研磨条件があらかじめ設定された特定の研磨条件と一致するか否かを判定するステップ(S102)と、研磨条件が特定の研磨条件と一致すると判定された場合に、駆動電流を制御するための駆動制御部(モータドライバ)における、駆動部の駆動負荷の変化に対する駆動電流の変化に関する電流制御パラメータを調整するステップ(S103)と、調整された電流制御パラメータに基づいて駆動部へ供給される駆動電流を検出し、検出した駆動電流に基づいて研磨の終点を検出するステップ(S105)と、を備える。

Description

終点検出方法、研磨装置、及び研磨方法
 本発明は、終点検出方法、研磨装置、及び研磨方法に関するものである。
 近年、半導体デバイスの高集積化が進むにつれて回路の配線が微細化し、配線間距離もより狭くなりつつある。そこで、研磨対象物である半導体ウエハの表面を平坦化することが必要となるが、この平坦化法の一手段として研磨装置により研磨(ポリッシング)することが行われている。
 研磨装置は、研磨対象物を研磨するための研磨パッドを保持するための研磨テーブルと、研磨対象物を保持して研磨パッドに押圧するためにトップリングを備える。研磨テーブルとトップリングはそれぞれ、駆動部(例えばモータ)によって回転駆動される。研磨剤を含む液体(スラリー)を研磨パッド上に流し、そこにトップリングに保持された研磨対象物を押し当てることにより、研磨対象物は研磨される。
 研磨装置では、研磨対象物の研磨が不十分であると回路間の絶縁がとれずショートするおそれが生じ、また、過研磨となった場合は、配線の断面積が減ることによる抵抗値の上昇、又は配線自体が完全に除去され回路自体が形成されないなどの問題が生じる。このため、研磨装置では、最適な研磨終点の検出することが求められる。
 研磨終点検出手段の1つとして、研磨が異材質の物質へ移行した際の研磨摩擦力の変化を検出する方法が知られている。研磨対象物である半導体ウエハは、半導体、導体、絶縁体の異なる材質からなる積層構造を有しており、異材質層間で摩擦係数が異なる。このため、研磨が異材質層へ移行することによって生じる研磨摩擦力の変化を検知する方法である。この方法によれば、研磨が異材質層に達した時が研磨の終点となる。
 また、研磨装置は、研磨対象物の研磨表面が平坦ではない状態から平坦になった際の研磨摩擦力の変化を検出することにより、研磨終点を検出することもできる。
 ここで、研磨対象物を研磨する際に生じる研磨摩擦力は、駆動部の駆動負荷として現れる。例えば、駆動部が電動モータの場合には、駆動負荷(トルク)はモータに流れる電流として測定することができる。このため、モータ電流(トルク電流)を電流センサで検出し、検出したモータ電流の変化に基づいて研磨の終点を検出することができる。このような技術として、特開2005-34992号及び特開2001-198813号に記載の技術がある。
 しかしながら、研磨装置によって実行される研磨プロセスには、研磨対象物の種類、研磨レシピの種類、研磨パッドの種類、研磨砥液(スラリー)の種類などの組み合わせによって複数の研磨条件が存在する。これら複数の研磨条件の中には、駆動部の駆動負荷に変化が生じてもトルク電流の変化(特徴点)が大きく現れない場合がある。トルク電流の変化が小さい場合、ノイズや波形に生じるうねり部分の影響を受け、研磨の終点を適切に検出することができないおそれがあり、過研磨などの問題が生じ得る。
 そこで、本発明の一形態は、既存の研磨レシピを変更することなくトルク電流の変化を良好に検出し、研磨終点検出の精度を向上させることを課題とする。
 また、本発明の一形態は、トルク電流の変化が小さい場合でも、トルク電流の変化を良好に検出し、研磨終点検出の精度を向上させることを課題とする。
 本願発明の終点検出方法の一形態は、上記課題に鑑みなされたもので、研磨パッドを保持するための研磨テーブル、又は、研磨対象物を保持して研磨パッドへ押圧するための保持部、を回転駆動するための駆動部へ供給する駆動電流に基づく終点検出方法であって、実行する研磨プロセスの研磨条件があらかじめ設定された特定の研磨条件と一致するか否かを判定する第1判定ステップと、前記第1判定ステップによって前記研磨条件が前記特定の研磨条件と一致すると判定された場合に、前記駆動電流を制御するための駆動制御部における、前記駆動部の駆動負荷の変化に対する前記駆動電流の変化に関する電流制御パラメータを調整する調整ステップと、前記調整ステップによって調整された電流制御パラメータに基づいて前記駆動部へ供給される駆動電流を検出する検出ステップと、前記検出ステップによって検出された駆動電流に基づいて研磨の終点を検出する終点検出ステップと、を備えることを特徴とする。
 終点検出方法の一形態において、研磨プロセスの実行中に前記検出ステップによって検出された駆動電流に基づいて、前記実行中の研磨プロセスの研磨条件を前記特定の研磨条件に加えるか否かを判定する第2判定ステップ、をさらに備えることができる。
 終点検出方法の一形態において、前記第2判定ステップは、前記駆動部の駆動負荷が変化した際に前記検出ステップによって検出された駆動電流の変化がしきい値よりも小さい場合に、前記実行中の研磨プロセスの研磨条件を前記特定の研磨条件に加える、ことができる。
 終点検出方法の一形態において、前記終点検出ステップは、前記検出ステップによって検出された駆動電流の変化に基づいて研磨の終点を検出し、前記第2判定ステップは、前記終点検出ステップによって研磨の終点が検出されなかった場合に、前記実行中の研磨プロセスの研磨条件を前記特定の研磨条件に加える、ことができる。
 終点検出方法の一形態において、前記調整ステップは、前記駆動部の駆動負荷の変化に対して前記駆動電流の変化が大きくなるように、前記電流制御パラメータを調整する、ことができる。
 終点検出方法の一形態において、前記駆動制御部が、前記研磨テーブル又は前記保持部の実回転速度と目標回転速度との偏差に基づいて前記駆動電流を制御する場合において、前記調整ステップは、前記偏差に基づく制御における制御ゲインを大きくする、ことができる。
 終点検出方法の一形態において、前記研磨プロセスが複数の工程を含む場合に、前記調整ステップは、前記複数の工程のうちの一部の工程において前記電流制御パラメータを調整する、ことができる。
 終点検出方法の一形態において、前記研磨条件は、研磨対象物の種類、研磨レシピの種類、研磨パッドの種類、及び研磨砥液の種類、の少なくとも1つを含んでもよい。
 本願発明の研磨装置の一形態は、研磨パッドを保持するための研磨テーブル、又は、研磨対象物を保持して研磨パッドへ押圧するための保持部、を回転駆動するための駆動部と、前記駆動部へ供給する駆動電流を制御するための駆動制御部と、実行する研磨プロセスの研磨条件があらかじめ設定された特定の研磨条件と一致する場合に、前記駆動制御部における、前記駆動部の駆動負荷の変化に対する前記駆動電流の変化に関する電流制御パラメータを調整する調整部と、を備えることを特徴とする。
 研磨装置の一形態において、実行する研磨プロセスの研磨条件があらかじめ設定された特定の研磨条件と一致するか否かを判定する判定部、をさらに備え、前記調整部は、前記判定部によって、前記研磨プロセスの研磨条件が前記特定の研磨条件と一致すると判定された場合に、前記駆動制御部における前記電流制御パラメータを調整する、ことができる。
 研磨装置の一形態において、研磨プロセスの実行中に前記駆動制御部から前記駆動部へ供給される駆動電流を検出する電流検出部、をさらに備え、前記判定部は、前記電流検出部によって検出された駆動電流に基づいて、前記実行中の研磨プロセスの研磨条件を前記特定の研磨条件に加えるか否かを判定する、ことができる。
 研磨装置の一形態において、前記判定部は、前記駆動部の駆動負荷が変化した際に前記電流検出部によって検出された駆動電流の変化がしきい値よりも小さい場合に、前記実行中の研磨プロセスの研磨条件を前記特定の研磨条件に加える、ことができる。
 研磨装置の一形態において、前記電流検出部によって検出された駆動電流の変化に基づいて研磨の終点を検出する終点検出部をさらに備え、前記判定部は、前記終点検出部によって研磨の終点が検出されなかった場合に、前記実行中の研磨プロセスの研磨条件を前記特定の研磨条件に加える、ことができる。
 研磨装置の一形態において、前記調整部は、前記駆動部の駆動負荷の変化に対して前記駆動電流の変化が大きくなるように、前記電流制御パラメータを調整する、ことができる。
 研磨装置の一形態において、前記駆動制御部は、前記研磨テーブル又は前記保持部の実回転速度と目標回転速度との偏差に基づいて前記駆動電流を制御し、前記調整部は、前記偏差に基づく制御における制御ゲインを大きくする、ことができる。
 研磨装置の一形態において、前記研磨プロセスが複数の工程を含む場合に、前記調整部は、前記複数の工程のうちの一部の工程において前記電流制御パラメータを調整する、ことができる。
 研磨装置の一形態において、前記研磨条件は、研磨対象物の種類、研磨レシピの種類、研磨パッドの種類、及び研磨砥液の種類、の少なくとも1つを含んでもよい。
 本願発明によれば、既存の研磨レシピを変更することなくトルク電流の変化を良好に検出し、研磨終点検出の精度を向上させることができる。
 本願発明の研磨装置の別の第1の形態によれば、研磨対象物の表面を研磨するための研磨装置であって、研磨パッドを保持するための研磨テーブルを回転駆動する第1の電動モータと、前記研磨対象物を保持して前記研磨パッドへ押圧するための保持部を回転駆動する第2の電動モータとを有し、前記第1及び第2の電動モータのうち少なくとも一方の電動モータは、複数相の巻線を備え、前記研磨装置は、前記第1及び/又は第2の電動モータのうちの少なくとも2相の電流を検出する電流検出部と、前記電流検出部によって検出された少なくとも2相の電流検出値を整流し、整流された信号に対して加算及び/又は乗算を行って出力する整流演算部と、前記整流演算部の出力の変化に基づいて、前記研磨対象物の表面の研磨終了を示す研磨終点を検出する終点検出部とを有する研磨装置が提供される。
 かかる形態によれば、複数相の駆動電流を整流して加算する場合、以下の効果がある。すなわち、1相の駆動電流のみを検出する場合、検出される電流値が、本形態に比べて小さい。本形態により、整流と加算により電流値が大きくなるため、検出精度が向上する。
 また、ACサーボモータなどの1個のモータ内に複数相を有するモータは、各相の電流を個別に管理せずに、モータの回転速度を管理しているため、相間で電流値がばらついていることがある。そのため従来は、電流値が他の相に比べて小さい相の電流値を検出している可能性があり、電流値の大きな相を利用できない可能性があった。本形態によれば、複数相の駆動電流を加算しているため、電流値の大きな相を利用できるため、検出精度が向上する。
 さらに、複数相の駆動電流を整流して加算しているため、1相の駆動電流のみを用いている場合と比較して、リップルが小さくなる。このため、検出された交流電流を、終点の判断に用いるために、直流電流に変換する実効値変換によって得られる直流電流のリップルも少なくなり、終点検出精度が向上する。
 加算する電流は、第1の電動モータの少なくとも1相と、第2の電動モータの少なくとも1相であってもよい。これにより、一方のモータの電流値のみを利用する場合よりも、信号値を大きくすることができる。
 複数相の駆動電流を整流して、得られた信号に対して乗算する場合、乗算して得られた値のレンジを、後段の処理回路の入力レンジに合わせることができるという効果がある。また、特定の相(例えば、ノイズが、他の相と比較して少ない相)の信号のみを大きく、または小さくできる(例えば、ノイズが、他の相と比較して大きい場合)という効果がある。
 加算と乗算の両方を行うこともできる。この場合、上述の加算の効果と乗算の効果の両方を得ることができる。乗算する数値(乗数)は、相ごとに変えてもよい。加算した結果が、後段の処理回路の入力レンジを超える場合等は、乗数は1より小さくする。
 なお、整流は半波整流及び全波整流のいずれでもよいが、振幅が大きくなり、かつリップルが減少するため、半波整流よりも全波整流が好ましい。
 本願発明の別の第2の形態によれば、別の第1の形態において、前記終点検出部は、前記整流演算部の出力を増幅する増幅部と、前記整流演算部の出力に含まれるノイズを除去するノイズ除去部と、前記整流演算部の出力から所定量を減算する減算部のうち、少なくとも1つを有する。
 増幅により、トルク電流の変化を大きくすることができる。ノイズを除去することにより、ノイズに埋もれている電流の変化を顕在化させることができる。
 減算部は以下の効果を有する。検出される電流は通常、摩擦力の変化にともなって変化する電流部分と、摩擦力が変化しても変化しない一定量の電流部分(バイアス)を含む。このバイアスを除去することにより、摩擦力の変化に依存する電流部分のみを取り出して、信号処理可能な範囲内で最大の振幅まで増幅することが可能になり、摩擦力の変化から終点を検出する終点検出法の精度が向上する。
 なお、増幅部、減算部、ノイズ除去部のうちの複数を有する場合、これらは、縦続接続する。例えば、増幅部とノイズ除去部を有する場合、増幅部で最初に処理した後に、処理結果をノイズ除去部に送り、ノイズ除去部で処理する、もしくは、ノイズ除去部で最初に処理を行い、その処理結果を増幅部に送って処理を行う。
 本願発明の別の第3の形態によれば、別の第2の形態において、前記終点検出部は、前記増幅部と前記減算部と前記ノイズ除去部とを有し、前記増幅部で増幅された信号を前記減算部で減算し、該減算された信号から前記ノイズ除去部でノイズを除去する。かかる形態によれば、増幅後の振幅の大きな信号に対して、減算及びノイズ除去を行っているため、精度良く、減算及びノイズ除去が行える。結果として、終点検出精度が向上する。
 なお、増幅、減算、ノイズ除去は、この順番に行うことが好ましいが、この順番に必ずしも行う必要はない。例えば、ノイズ除去、減算、増幅の順番でも可能である。
 本願発明の別の第4の形態によれば、別の第3の形態において、前記終点検出部では、前記ノイズ除去部でノイズを除去された信号をさらに増幅する第2の増幅部を有する。かかる形態によれば、ノイズ除去によって減少した電流の大きさを回復することができ、終点検出法の精度が向上する。
 本願発明の別の第5の形態によれば、別の形態2において、前記終点検出部は、前記増幅部と、前記増幅部の増幅特性を制御する制御部とを有する。かかる形態によれば、研磨対象物の材質や構造等に応じて、最適な増幅特性(増幅率や周波数特性等)を選択することができる。
 本願発明の別の第6の形態によれば、別の形態2において、前記終点検出部は、前記ノイズ除去部と、前記ノイズ除去部のノイズ除去特性を制御する制御部とを有する。かかる形態によれば、研磨対象物の材質や構造等に応じて、最適なノイズ除去特性(信号の通過帯域や減衰量等)を選択することができる。
 本願発明の別の第7の形態によれば、別の形態2において、前記終点検出部は、前記減算部と、前記減算部の減算特性を制御する制御部とを有する。かかる形態によれば、研磨対象物の材質や構造等に応じて、最適な減算特性(減算量や周波数特性等)を選択することができる。
 本願発明の別の第8の形態によれば、別の形態4に記載の研磨装置において、前記終点検出部は、前記第2の増幅部の増幅特性を制御する制御部を有する。かかる形態によれば、研磨対象物の材質や構造等に応じて、最適な第2の増幅特性(増幅率や周波数特性等)を選択することができる。
 本願発明の研磨装置の別の第9の形態によれば、研磨方法が提供される。この研磨方法は、研磨パッドを保持するための研磨テーブルを回転駆動する第1の電動モータと、研磨対象物を保持して前記研磨パッドへ押圧するための保持部を回転駆動する第2の電動モータとを有し、前記第1及び第2の電動モータのうち少なくとも一方の電動モータは、複数相の巻線を有する研磨装置を用いた、前記研磨対象物の表面を研磨する研磨方法である。該方法は、前記第1及び/又は第2の電動モータのうちの少なくとも2相の電流を検出する電流検出ステップと、前記検出された少なくとも2相の電流検出値を整流し、整流された信号に対して加算及び/又は乗算を行って出力する整流演算ステップと、前記整流演算ステップの出力の変化に基づいて、前記研磨対象物の表面の研磨終了を示す研磨終点を検出する終点検出ステップとを有する。かかる形態によれば、別の第1の形態と同様の効果を達成できる。
 本願発明の別の第10の形態によれば、別の形態9において、前記終点検出ステップは、前記整流演算ステップの出力を増幅する増幅ステップと、前記整流演算ステップの出力に含まれるノイズを除去するノイズ除去ステップと、前記整流演算ステップの出力から所定量を減算する減算ステップのうち、少なくとも1つを有する。かかる形態によれば、別の第2の形態と同様の効果を達成できる。
 本願発明の研磨装置の別の第11の形態によれば、別の形態9に記載の研磨方法において、前記終点検出ステップでは、前記増幅ステップにおいて増幅された信号に対して、前記減算ステップにおいて所定量の減算を行い、該減算された信号から前記ノイズ除去ステップにおいてノイズを除去する。かかる形態によれば、別の第3の形態と同様の効果を達成できる。
 本願発明の研磨装置の別の第12の形態によれば、別の形態11において、前記終点検出ステップは、前記ノイズ除去ステップでノイズを除去された信号をさらに増幅する第2の増幅ステップをさらに有する。かかる形態によれば、別の第4の形態と同様の効果を達成できる。
図1は、本実施形態に係る研磨装置の基本構成を示す図である。 図2は、2相‐3相変換器の処理内容を説明するための図である。 図3は、第1実施形態の研磨装置の駆動電流調整に関する構成を模式的に示す図である。 図4は、第2実施形態の研磨装置の駆動電流調整に関する構成を模式的に示す図である。 図5は、第1,第2実施形態による駆動電流の変化を模式的に示す図である。 図6は、第1,第2実施形態による駆動電流の変化を模式的に示す図である。 図7は、研磨の終点の検出態様の一例を示す図である。 図8は、第1,第2実施形態の研磨装置による電流調整方法のフローチャートである。 図9は、第1,第2実施形態の研磨装置による電流調整方法のフローチャートである。 図10は、別の実施形態に係る研磨装置の基本構成を示す図である。 図11は、終点検出部29の詳細を示すブロック図である。 図12は、終点検出部29による信号処理の内容を示すグラフである。 図13は、終点検出部29による信号処理の内容を示すグラフである。 図14は、比較例の終点検出法を示すブロック図及びグラフである。 図15(a)は、比較例の実効値変換器56の出力56aを示すグラフであり、図15(b)は、本実施例の実効値変換器48の出力48aを示すグラフである。 図16は、比較例の実効値変換器56の出力56aと、実施例の実効値変換器48の出力48aを示すグラフである。 図17は、比較例の出力56aの変化量270と、本実施例の出力48aの変化量268の、半導体ウエハ18に加わる圧力に対する変化を示すグラフである。 図18は、増幅部40、オフセット部42、フィルタ44、第2の増幅部46の設定の一例を示す。 図19は、制御部50による各部の制御の一例を示すフローチャートである。
 以下、本発明の一実施形態に係る研磨装置を図面に基づいて説明する。始めに、研磨装置の基本構成について説明し、その後、研磨対象物の研磨終点の検出について説明する。
 <基本構成>
 図1は、本実施形態に係る研磨装置の基本構成を示す図である。研磨装置は、研磨パッド10を上面に取付け可能な研磨テーブル12と、研磨テーブル12を回転駆動する第1の電動モータ(第1の駆動部)14と、第1の電動モータの回転位置を検出する位置検出センサ16と、半導体ウエハ18を保持可能なトップリング(保持部)20と、トップリング20を回転駆動する第2の電動モータ(第2の駆動部)22と、を備えている。
 トップリング20は、図示しない保持装置により、研磨テーブル12に近づけたり遠ざけたりすることができるようになっている。半導体ウエハ18を研磨するときは、トップリング20を研磨テーブル12に近づけることにより、トップリング20に保持された半導体ウエハ18を、研磨テーブル12に取り付けられた研磨パッド10に当接させる。
 半導体ウエハ18を研磨するときは、研磨テーブル12が回転駆動された状態で、トップリング20に保持された半導体ウエハ18が研磨パッド10に押圧される。また、トップリング20は、第2の電動モータ22によって、研磨テーブル12の回転軸13とは偏心した軸線21の回りに回転駆動される。半導体ウエハ18を研磨する際は、研磨材を含む研磨砥液が、研磨材供給装置24から研磨パッド10の上面に供給される。トップリング20にセットされた半導体ウエハ18は、トップリング20が第2の電動モータ22によって回転駆動されている状態で、研磨砥液が供給された研磨パッド10に押圧される。
 第1の電動モータ14は、少なくともU相とV相とW相の3相の巻線を備えた同期式又は誘導式のACサーボモータであることが好ましい。第1の電動モータ14は、本実施形態においては、3相の巻線を備えたACサーボモータを含む。3相の巻線は、120度位相のずれた電流を第1の電動モータ14内のロータ周辺に設けられた界磁巻線に流し、これにより、ロータが回転駆動されるようになっている。第1の電動モータ14のロータは、モータシャフト15に接続されており、モータシャフト15により研磨テーブル12が回転駆動される。
 第2の電動モータ22は、少なくともU相とV相とW相の3相の巻線を備えた同期式又は誘導式のACサーボモータであることが好ましい。第2の電動モータ22は、本実施形態においては、3相の巻線を備えたACサーボモータを含む。3相の巻線は、120度位相のずれた電流を第2の電動モータ22内のロータ周辺に設けられた界磁巻線に流し、これにより、ロータが回転駆動されるようになっている。第2の電動モータ22のロータは、モータシャフト23に接続されており、モータシャフト23によりトップリング20が回転駆動される。
 また、研磨装置は、第1の電動モータ14を回転駆動するモータドライバ100と、キーボートやタッチパネルなどの入力インターフェースを介してオペレータから第1の電動モータ14の回転速度の指令信号を受け付ける入力部200と、を備える。入力部200は、受け付けた指令信号をモータドライバ100に入力する。なお、図1は、第1の電動モータ14を回転駆動するモータドライバ100について説明するが、図4に示すように第2の電動モータ22にも同様のモータドライバ100が接続される。
 モータドライバ100は、微分器102と、速度補償器104と、2相‐3相変換器106と、電気角信号生成器108と、U相電流補償器110と、U相PWM変調回路112と、V相電流補償器114と、V相PWM変調回路116と、W相電流補償器118と、W相PWM変調回路120と、パワーアンプ130と、電流センサ132,134とを備えている。
 微分器102は、位置検出センサ16によって検出された回転位置信号を微分することによって第1の電動モータ14の実際の回転速度に相当する実速度信号を生成する。すなわち、微分器102は、第1の電動モータ14の回転位置の検出値に基づいて第1の電動モータ14の回転速度を求める演算器である。
 速度補償器104は、入力部200を介して入力された回転速度の指令信号(目標値)と微分器102によって生成された実速度信号との偏差に相当する速度偏差信号に基づいて、第1の電動モータ14の回転速度の補償を行う。すなわち、速度補償器104は、入力インターフェース(入力部200)を介して入力された第1の電動モータ14の回転速度の指令値と微分器102によって求められた第1の電動モータ14の回転速度との偏差に基づいて、第1の電動モータ14へ供給する電流の指令信号を生成する。
 速度補償器104は、例えばPID制御器で構成することができる。この場合、速度補償器104は、比例制御と、積分制御と、微分制御とを行い、補償された回転速度に相当する電流指令信号を生成する。比例制御は、入力部200から入力された回転速度の指令信号と第1の電動モータの実速度信号との偏差に比例させて操作量を変える。積分制御は、その偏差を足していきその値に比例して操作量を変える。微分制御は、偏差の変化率(つまり偏差が変化する速度)を捉えこれに比例した操作量を出力する。なお、速度補償器104は、PI制御器で構成することもできる。
 電気角信号生成器108は、位置検出センサ16によって検出された回転位置信号に基づいて電気角信号を生成する。2相‐3相変換器106は、速度補償器104によって生成された電流指令信号と、電気角信号生成器108によって生成された電気角信号とに基づいて、U相電流指令信号、及びV相電流指令信号を生成する。すなわち、2相‐3相変換器106は、第1の電動モータ14の回転位置の検出値に基づいて生成された電気角信号と速度補償器104によって生成された電流の指令信号とに基づいて、各相のうちの少なくとも2つの相の電流指令値を生成する変換器である。
 ここで、2相‐3相変換器106の処理について詳細に説明する。図2は、2相‐3相変換器の処理内容を説明するための図である。2相‐3相変換器106には、速度補償器104から図2に示すような電流指令信号Icが入力される。また、2相‐3相変換器106には、電気角信号生成器108から図2に示すようなU相の電気角信号Sinφuが入力される。なお、図2において図示は省略したが、2相‐3相変換器106には、V相の電気角信号Sinφvも入力される。
 例えばU相電流指令信号Iucを生成する場合を考える。この場合、2相‐3相変換器106は、ある時刻tiのときの電流指令信号Ic(i)とU相の電気角信号Sinφu(i)とを乗算することにより、U相電流指令信号Iuc(i)を生成する。すなわち、Iuc(i)=Ic(i)×Sinφu(i)となる。また、2相‐3相変換器106は、U相の場合と同様に、ある時刻tiのときの電流指令信号Ic(i)とV相の電気角信号Sinφv(i)とを乗算することにより、V相電流指令信号Ivc(i)を生成する。すなわち、Ivc(i)=Ic(i)×Sinφv(i)となる。
 電流センサ132は、パワーアンプ130のU相出力ラインに設けられ、パワーアンプ130から出力されたU相の電流を検出する。U相電流補償器110は、2相‐3相変換器106から出力されたU相電流指令信号Iucと、電流センサ132によって検出されてフィードバックされたU相検出電流Iu*との偏差に相当するU相電流偏差信号に基づいて、U相の電流補償を行う。U相電流補償器110は、例えばPI制御器、又はPID制御器で構成することができる。U相電流補償器110は、PI制御又はPID制御を用いてU相電流の補償を行い、補償された電流に相当するU相電流信号を生成する。
 U相PWM変調回路112は、U相電流補償器110によって生成されたU相電流信号に基づいてパルス幅変調を行う。U相PWM変調回路112は、パルス幅変調を行うことによって、U相電流信号に応じた2系統のパルス信号を生成する。
 電流センサ134は、パワーアンプ130のV相出力ラインに設けられ、パワーアンプ130から出力されたV相の電流を検出する。V相電流補償器114は、2相‐3相変換器106から出力されたV相電流指令信号Ivcと、電流センサ134によって検出されてフィードバックされたV相検出電流Iv*との偏差に相当するV相電流偏差信号に基づいてV相の電流補償を行う。V相電流補償器114は、例えばPI制御器、又はPID制御器で構成することができる。V相電流補償器114は、PI制御又はPID制御を用いてV相電流の補償を行い、補償された電流に相当するV相電流信号を生成する。
 V相PWM変調回路116は、V相電流補償器114によって生成されたV相電流信号に基づいてパルス幅変調を行う。V相PWM変調回路114は、パルス幅変調を行うことによって、V相電流信号に応じた2系統のパルス信号を生成する。
 W相電流補償器118は、2相‐3相変換器106から出力されたU相電流指令信号Iuc及びV相電流指令信号Ivcに基づいて生成されたW相電流指令信号Iwcと、電流センサ132,134によって検出されてフィードバックされたU相検出電流Iu*及びV相検出電流Iv*との偏差に相当するW相電流偏差信号に基づいてW相の電流補償を行う。W相電流補償器118は、例えばPI制御器、又はPID制御器で構成することができる。W相電流補償器118は、PI制御又はPID制御を用いてW相電流の補償を行い、補償された電流に相当するW相電流信号を生成する。
 W相PWM変調回路120は、W相電流補償器118によって生成されたW相電流信号に基づいてパルス幅変調を行う。W相PWM変調回路118は、パルス幅変調を行うことによって、W相電流信号に応じた2系統のパルス信号を生成する。
 パワーアンプ130には、U相PWM変調回路112、V相PWM変調回路116、及びW相PWM変調回路120によって生成された2系統のパルス信号が印加される。パワーアンプ130は、印加された各パルス信号に応じて、パワーアンプ130に内蔵されているインバータ部の各トランジスタを駆動する。これにより、パワーアンプ130は、U相、V相、W相それぞれについて交流電力を出力し、この3相交流電力によって第1の電動モータ14を回転駆動する。
 <駆動電流調整>
 次に、モータドライバ100における駆動電流の調整について説明する。図3は、第1実施形態の研磨装置の駆動電流調整に関する構成を模式的に示す図である。図4は、第2実施形態の研磨装置の駆動電流調整に関する構成を模式的に示す図である。なお、第1実施形態は、第1の電動モータ14を駆動するモータドライバ100における駆動電流調整を行う実施形態であるのに対して、第2実施形態は、第2の電動モータ22を駆動するモータドライバ100における駆動電流調整を行う実施形態である点が異なる。第1実施形態と第2実施形態で同様の部分についてはまとめて説明する。
 図3,図4に示すように、研磨装置は、U相、V相、W相のうちのいずれか1相(第1,第2実施形態ではV相)に、第2の電流センサ(電流検出部)31を備える。第2の電流センサ31は、モータドライバ100と第1の電動モータ14との間のV相の電流路、又はモータドライバ100と第2の電動モータ22との間のV相の電流路、に設けられる。第2の電流センサ31は、V相の電流を検出し、終点検出装置60へ出力する。
 終点検出装置60は、半導体ウエハ18の研磨終点を検出する。終点検出装置60とモータドライバ100は、例えばシリアル通信によってコマンドの送受信を行うことが可能である。終点検出装置60は、判定部62と、調整部64と、記憶部66と、終点検出部68と、を備える。
 判定部62は、実行する研磨プロセスの研磨条件があらかじめ設定された特定の研磨条件と一致するか否かを判定する。研磨条件には、例えば、研磨対象物の種類、研磨レシピの種類、研磨パッドの種類、及び研磨砥液(スラリー)の種類、の少なくとも1つが含まれる。
 判定部62には、例えば研磨装置の入力部200を介して、これから実行する研磨プロセスの研磨条件が入力される。判定部62は、記憶部66に格納された特定の研磨条件を読み出し、読み出した特定の研磨条件と入力された研磨条件とを比較することによって、入力された研磨条件が特定の研磨条件と一致するか否かを判定する。なお、研磨条件は、入力部200を介して入力されるだけではなく、例えば半導体ウエハ18に取り付けられたタグに格納された研磨条件の内容を示す情報をリーダなどによって読み取って判定部62に入力することもできる。
 また、判定部62には、研磨プロセスの実行中に第2の電流センサ31によって検出された駆動電流が入力される。判定部62は、第2の電流センサ31によって検出された駆動電流に基づいて、実行中の研磨プロセスの研磨条件を特定の研磨条件に加えるか否かを判定する。具体的には、判定部62は、第1の電動モータ14又は第2の電動モータ22の駆動負荷が変化した際に第2の電流センサ31によって検出された駆動電流の変化がしきい値よりも小さい場合に、実行中の研磨プロセスの研磨条件の内容を示す情報を記憶部66に格納することによって、特定の研磨条件に加える。
 また、判定部62は、終点検出部68によって研磨の終点が検出されなかった場合に、実行中の研磨プロセスの研磨条件の内容を示す情報を記憶部66に格納することによって、特定の研磨条件に加える。
 調整部64は、判定部62によって、実行する研磨プロセスの研磨条件が特定の研磨条件と一致すると判定された場合に、モータドライバ100における、第1の電動モータ14又は第2の電動モータ22の駆動負荷の変化に対する駆動電流の変化に関する電流制御パラメータを調整(変更)する。
 具体的には、調整部64は、第1の電動モータ14又は第2の電動モータ22の駆動負荷の変化に対して駆動電流の変化が大きくなるように、電流制御パラメータを調整する。さらに具体的には、電流制御パラメータとは、モータドライバ100の速度補償器104におけるフィードバック制御の制御ゲインである。速度補償器104は、上述のように、研磨テーブル12又はトップリング20の実回転速度と目標回転速度との偏差に基づいて駆動電流を制御する。調整部64は、判定部62によって、実行する研磨プロセスの研磨条件が特定の研磨条件と一致すると判定された場合に、偏差に基づく制御における制御ゲインを大きくするコマンドをモータドライバ100へ送信する。
 制御ゲインを大きくすることによって、フィードバック制御の感度が高くなるので、第1の電動モータ14又は第2の電動モータ22の駆動負荷が変化した場合に、駆動電流の変化が大きくなる。
 この点について詳細に説明する。図5,図6は、第1,第2実施形態による駆動電流の変化を模式的に示す図である。図5は、モータドライバ100の電流制御パラメータを調整する前と調整した後における駆動電流を示しており、横軸は時間(t)、縦軸は駆動電流(A)を示す。また、図6は、モータドライバ100の電流制御パラメータを調整する前と調整した後における駆動電流の差を示しており、横軸は時間(t)、縦軸は研磨パッド10と半導体ウエハ18との間に圧力をかけていない状態の駆動電流(A)の差(ΔA)の平均値を基準としたときの研磨パッド10と半導体ウエハ18との間に圧力をかけた状態の各駆動電流の平均値との変化量(ΔA)を示す。
 図5では、研磨パッド10と半導体ウエハ18との間に圧力をかけていない状態(Free)、1psiの圧力をかけた状態、2psiの圧力をかけた状態、における駆動電流を示している。研磨パッド10と半導体ウエハ18との間の圧力は、第1の電動モータ14又は第2の電動モータ22の駆動負荷に相関する。図5に示すように、研磨パッド10と半導体ウエハ18との間にかかる圧力が変化すると、電流制御パラメータを調整する前の駆動電流の波形70に比べて、電流制御パラメータを調整した後の駆動電流の波形72は、駆動電流が大きく変化する。例えば、圧力が2psiからFreeに変化した場合の波形70の変化量をαとし、圧力が2psiからFreeに変化した場合の波形72の変化量をβとすると、α<βとなる。
 例えば図6に示すように、研磨パッド10と半導体ウエハ18との間の圧力がFreeから1psiに変化した場合、電流制御パラメータを調整する前の駆動電流の変化量74と、電流制御パラメータを調整した後の駆動電流の変化量76とを比較すると、両者の駆動電流の変化にはおよそ0.5(A)の差が生じる。また、研磨パッド10と半導体ウエハ18との間の圧力が1psiから2psiに変化した場合、電流制御パラメータを調整する前の駆動電流の変化量74と電流制御パラメータを調整した後の駆動電流の変化量76とを比較すると、両者の駆動電流の変化には1(A)以上の差が生じる。
 以上のように、第1,第2実施形態は、研磨プロセスの研磨条件が特定の研磨条件と一致すると判定された場合に、モータドライバ100における電流制御パラメータを調整する。これによって、第1の電動モータ14又は第2の電動モータ22の駆動負荷が変化した場合の駆動電流の変化を大きくすることができる。その結果、第1,第2実施形態によれば、既存の研磨レシピを変更することなくトルク電流の変化を良好に検出することができる結果、研磨終点検出の精度が向上するので、終点検出部68は、駆動電流の変化に基づいて終点検出を適切に行うことができる。
 なお、電流制御パラメータの一例として、モータドライバ100の速度補償器104におけるフィードバック制御の制御ゲインを挙げて説明したが、これに限られない。例えば、第1の電動モータ14又は第2の電動モータ22の慣性モーメントに関するモータドライバ100の電流制御パラメータを調整してもよい。具体的には、研磨プロセスの研磨条件が特定の研磨条件と一致すると判定された場合に、第1の電動モータ14又は第2の電動モータ22の慣性モーメントが小さくなるように、モータドライバ100の電流制御パラメータを調整することができる。これによれば、第1の電動モータ14又は第2の電動モータ22の慣性モーメントが小さくなるので、第1の電動モータ14又は第2の電動モータ22の駆動負荷が変化した場合の駆動電流の変化が大きくなる。その結果、終点検出部68は、駆動電流の変化に基づいて終点検出を適切に行うことができる。
 また、研磨プロセスが複数の工程を含む場合には、調整部64は、複数の工程のうちの一部の工程において電流制御パラメータを調整することもできる。例えば、研磨プロセスが、第1の研磨レートで半導体ウエハ18を研磨する第1工程と、第1工程の後に、第1の研磨レートより小さい第2の研磨レートで半導体ウエハ18を研磨する第2工程と、を含む場合を考える。この研磨プロセスは、全体の研磨時間を短縮するために、第1工程において大きな研磨レートで半導体ウエハ18を研磨しながら所定の時間が経過したら第2工程に移行し、第2工程において小さな研磨レートで半導体ウエハ18を研磨しながら終点検出を行う。このような場合には、調整部64は、第2工程において、モータドライバ100の電流制御パラメータ(例えば制御ゲイン)を調整する。
 <研磨終点検出>
 終点検出部68は、第2の電流センサ31によって検出された駆動電流(トルク電流)に基づいて、半導体ウエハ18の研磨終点を検出する。具体的には、終点検出部68は、第2の電流センサ31によって検出された駆動電流の変化に基づいて半導体ウエハ18の研磨の終点を判定する。
 終点検出部68の研磨終点の判定について図7を用いて説明する。図7は、研磨の終点の検出態様の一例を示す図である。図7において横軸は研磨時間の経過を示し、縦軸は駆動電流(I)及び駆動電流の微分値(ΔI/Δt)を示している。
 終点検出部68は、図7のように駆動電流30a(V相のモータ電流)が推移した場合、駆動電流30aがあらかじめ設定されたしきい値30bより小さくなったら、半導体ウエハ18の研磨が終点に達したと判定することができる。
 また、終点検出部68は、図7のように駆動電流30aの微分値30cを求めて、あらかじめ設定された時間しきい値30dと30eとの間の期間において微分値30cの傾きが負から正に転じたことを検出したら、半導体ウエハ18の研磨が終点に達したと判定することもできる。すなわち、時間しきい値30dと30eは、経験則などによって研磨終点になると思われるおおよその期間に設定されており、終点検出部68は、時間しきい値30dと30eとの間の期間において研磨の終点検出を行う。このため、終点検出部68は、時間しきい値30dと30eとの間の期間以外では、たとえ微分値30cの傾きが負から正に転じたとしても、半導体ウエハ18の研磨が終点に達したとは判定しない。これは、例えば研磨の開始直後などに、研磨が安定していない影響によって微分値30cがハンチングして傾きが負から正に転じた場合に、研磨終点であると誤検出されるのを抑制するためである。また、終点検出部68は、駆動電流30aの変化量があらかじめ設定されたしきい値より大きく変化したら、半導体ウエハ18の研磨が終点に達したと判定することもできる。以下、終点検出部68の研磨終点の判定の具体例を示す。
 例えば、半導体ウエハ18が、半導体、導体、絶縁体等の異なる材質で積層されている場合を考える。この場合、異材質層間で摩擦係数が異なるため、研磨が異材質層へ移行した場合に第1の電動モータ14又は第2の電動モータ22のモータトルクが変化する。この変化に応じてV相のモータ電流(検出電流信号)も変化する。終点検出部68は、このモータ電流がしきい値より大きくなった又は小さくなったことを検出することにより半導体ウエハ18の研磨の終点を判定する。また、終点検出部68は、モータ電流の微分値の変化に基づいて半導体ウエハ18の研磨の終点を判定することもできる。
 また、例えば半導体ウエハ18の研磨面が平坦ではない状態から研磨によって研磨面が平坦化される場合を考える。この場合、半導体ウエハ18の研磨面が平坦化されると第1の電動モータ14又は第2の電動モータ22のモータトルクが変化する。この変化に応じてV相のモータ電流(検出電流信号)も変化する。終点検出部68は、このモータ電流がしきい値より小さくなったことを検出することにより半導体ウエハ18の研磨の終点を判定する。また、終点検出部68は、モータ電流の微分値の変化に基づいて半導体ウエハ18の研磨の終点を判定することもできる。
 <フローチャート>
 次に、第1,第2実施形態の研磨装置による電流調整方法について説明する。図8は、第1,第2実施形態の研磨装置による電流調整方法のフローチャートである。図8は、研磨プロセスが単一の工程を有する場合の電流調整方法のフローチャートである。
 図8に示すように、電流調整方法は、まず、研磨プロセスの研磨レシピを設定する(ステップS101)。続いて、電流調整方法は、これから実行する研磨プロセスの研磨条件(例えば、半導体ウエハ18の種類及び研磨レシピの種類の組み合わせ)が特定の研磨条件と一致するか否かを判定する(ステップS102)。例えば、判定部62が記憶部66に格納されている特定の研磨条件に基づいて判定することができる。
 実行する研磨プロセスの研磨条件が特定の研磨条件と一致すると判定した場合には(ステップS102,Yes)、調整部64は、モータドライバ100の電流制御パラメータを調整する(ステップS103)。
 一方、実行する研磨プロセスの研磨条件が特定の研磨条件と一致しないと判定した場合には(ステップS102,No)、モータドライバ100の電流制御パラメータの調整は行われない。
 続いて、電流調整方法は、半導体ウエハ18の研磨を開始する(ステップS104)。続いて、電流調整方法は、終点検出部68によって終点検出を実行する(ステップS105)。
 続いて、電流調整方法は、終点検出部68によって終点検出が正常に行われたか否かを判定部62によって判定する(ステップS106)。例えば、判定部62は、所定時間を経過しても終点検出が行われなかった場合には、終点検出が正常に行われなかったと判定する。
 判定部62は、終点検出部68によって終点検出が正常に行われたと判定した場合には(ステップS106,Yes)、処理を終了する。
 一方、判定部62は、終点検出部68によって終点検出が正常に行われなかったと判定した場合には(ステップS106,No)、実行中の研磨プロセスの研磨条件を特定の研磨条件として例えば記憶部66に保存して(ステップS107)、処理を終了する。すなわち、この研磨プロセスにおける研磨条件は電流制御パラメータの調整対象として登録されることになる。したがって、次回以降にこの研磨条件で研磨プロセスが実行される際には、電流制御パラメータの調整が行われる。また、例えば、ステップS103において電流制御パラメータの調整を行ったとしても、調整が不十分である場合には終点検出が正常に行われないことがある。この場合には、次回この研磨条件で研磨プロセスが実行される際には、前回の調整よりも大きく電流制御パラメータを調整する。例えば、速度補償器104におけるフィードバック制御の制御ゲインの増加量を前回の調整における増加量よりも大きくする。
 また、図9は、第1,第2実施形態の研磨装置による電流調整方法のフローチャートである。図9は、研磨プロセスが複数の工程を有する場合の電流調整方法のフローチャートである。図9は、一例として、研磨プロセスが、第1の研磨レートで半導体ウエハ18を研磨する第1工程と、第1の工程の後に、第1の研磨レートより小さい第2の研磨レートで半導体ウエハ18を研磨する第2工程と、を含む場合を示している。なお、複数の工程を含む研磨プロセスは、この例に限らず任意に選択することができる。また、電流制御パラメータを調整する工程についても、この例に限らず任意に選択することができる。
 電流調整方法は、まず、複数工程を含む研磨プロセスの研磨レシピを設定する(ステップS201)。続いて、電流調整方法は、第1の研磨レートにて半導体ウエハ18の研磨を開始する(ステップS202)。続いて、電流調整方法は、あらかじめ設定された時間が経過したか否かを判定する(ステップS203)。電流調整方法は、あらかじめ設定された時間が経過していないと判定した場合には(ステップS203,No)、ステップS202に戻る。
 一方、電流調整方法は、あらかじめ設定された時間が経過したと判定した場合には(ステップS203,Yes)、第2工程の研磨条件(例えば、半導体ウエハ18の種類及び研磨レシピの種類の組み合わせ)が特定の研磨条件と一致するか否かを判定する(ステップS204)。例えば、研磨装置の作業員によってこの判定を行ってもよいし、判定部62が記憶部66に格納されている特定の研磨条件に基づいて判定することもできる。
 第2工程の研磨条件が特定の研磨条件と一致すると判定した場合には(ステップS204,Yes)、調整部64は、モータドライバ100の電流制御パラメータを調整する(ステップS205)。
 一方、第2工程の研磨条件が特定の研磨条件と一致しないと判定した場合には(ステップS204,No)、モータドライバ100の電流制御パラメータの調整は行われない。
 続いて、電流調整方法は、第2の研磨レートにて半導体ウエハ18の研磨を開始する(ステップS206)。続いて、電流調整方法は、終点検出部68によって終点検出を実行する(ステップS207)。
 続いて、電流調整方法は、終点検出部68によって終点検出が正常に行われたか否かを判定部62によって判定する(ステップS208)。例えば、判定部62は、所定時間を経過しても終点検出が行われなかった場合には、終点検出が正常に行われなかったと判定する。
 判定部62は、終点検出部68によって終点検出が正常に行われたと判定した場合には(ステップS208,Yes)、処理を終了する。
 一方、判定部62は、終点検出部68によって終点検出が正常に行われなかったと判定した場合には(ステップS208,No)、実行中の研磨プロセスの第2工程の研磨条件を特定の研磨条件として例えば記憶部66に保存して(ステップS209)、処理を終了する。
 以上のように、第1,第2実施形態の研磨装置及び電流調整方法によれば、特定の研磨条件でのみ電流制御パラメータを調整する。したがって、通常の電流制御パラメータの設定で終点検出を行うことができる研磨条件の場合には、電流制御パラメータは調整されないので、既存の研磨レシピ等に影響を与えることはない。また、第1,第2実施形態の研磨装置及び電流調整方法によれば、研磨プロセスの研磨条件が特定の研磨条件と一致すると判定された場合には、モータドライバ100における電流制御パラメータを調整することによって、第1の電動モータ14又は第2の電動モータ22の駆動負荷が変化した場合の駆動電流の変化を大きくすることができる。その結果、第1,第2実施形態の研磨装置及び電流調整方法によれば、既存の研磨レシピを変更することなくトルク電流の変化を良好に検出することができるので、研磨終点検出の精度が向上し、終点検出部68は、駆動電流の変化に基づいて終点検出を適切に行うことができる。
 次に、本発明の別の実施形態に係る研磨装置を図面に基づいて説明する。始めに、研磨装置の基本構成について説明し、その後、研磨対象物の研磨終点の検出について説明する。前記の実施例と重複する部分については説明を省略する。
 図10は、本実施形態に係る研磨装置100aの基本構成を示す図である。研磨装置100aは、研磨パッド10を上面に取付け可能な研磨テーブル12と、研磨テーブル12を回転駆動する第1の電動モータ14と、半導体ウエハ(研磨対象物)18を保持可能なトップリング(保持部)20と、トップリング20を回転駆動する第2の電動モータ22と、を備えている。
 なお、本実施例は、3相モータ以外の2相モータ、5相モータ等に適用できる。また、ACサーボモータ以外の、例えば、DCブラシレス形モータにも適用することができる。
 また、研磨装置100aは、第1の電動モータ14を回転駆動するモータドライバ16を備える。なお、図10は、第1の電動モータ14を回転駆動するモータドライバ16のみを図示するが、第2の電動モータ22にも同様のモータドライバが接続される。モータドライバ16は、U相、V相、W相それぞれについて交流電流を出力し、この3相交流電流によって第1の電動モータ14を回転駆動する。
 研磨装置100aは、モータドライバ16が出力する3相交流電流を検出する電流検出部24と、電流検出部24によって検出された3相の電流検出値を整流し、整流された3相の信号を加算して出力する整流演算部28と、整流演算部28の出力の変化に基づいて、半導体ウエハ18の表面の研磨終了を示す研磨終点を検出する終点検出部29とを有する。本実施例の整流演算部28は、3相の信号を加算する処理のみを行うが、加算したのちに乗算を行ってもよい。また、乗算のみを行ってもよい。
 電流検出部24は、モータドライバ16が出力する3相交流電流を検出するために、U相、V相、W相の各相に、電流センサ31a、31b、31cを備える。電流センサ31a、31b、31cはそれぞれ、モータドライバ16と第1の電動モータ14との間のU相、V相、W相の電流路に設けられる。電流センサ31a、31b、31cはそれぞれ、U相、V相、W相の電流を検出し、整流演算部28へ出力する。なお、電流センサ31a、31b、31cは、図示しないモータドライバと第2の電動モータ22との間のU相、V相、W相の電流路に設けてもよい。
 電流センサ31a、31b、31cは、本実施例では、ホール素子センサである。各ホール素子センサは、U相、V相、W相の電流路にそれぞれ設けられ、U相、V相、W相の各電流に比例した磁束を、ホール効果によりホール電圧32a、32b、32cに変換して出力する。
 電流センサ31a、31b、31cは、電流を計測できる他の方式のものでもよい。たとえば、U相、V相、W相の電流路にそれぞれ設けられたリング状のコア(一次巻線)に巻かれた二次巻線により電流を検出する、電流トランス方式でもよい。この場合、出力電流を負荷抵抗に流すことで電圧信号として検出することができる。
 整流演算部28は、複数個の電流センサ31a、31b、31cの出力を整流し、整流された信号を加算する。終点検出部29は、整流演算部28の出力を処理する処理部230と、処理部230の出力の実効値変換を行う実効値変換器48と、研磨終点の判断等を行う制御部50とを有する。整流演算部28と終点検出部29の詳細を図11~4により説明する。図11は、整流演算部28と終点検出部29の詳細を示すブロック図である。図12、4は、整流演算部28と終点検出部29による信号処理の内容を示すグラフである。
 整流演算部28は、複数個の電流センサ31a、31b、31cの出力電圧32a、32b、32cを入力されて整流する整流部34a、34b、34cと、整流された信号36a、36b、36cを加算する演算部38とを有する。加算により電流値が大きくなるため、検出精度が向上する。なお、実施例の説明では、信号線と当該信号線を流れる信号に対して、同じ参照符号を付す。
 加算する出力電圧32a、32b、32cは、本実施例では、3相分であるが、本発明はこれに限られない。例えば、2相分を加算してもよい。また、第1の電動モータ22の3相分、又は2相分を加算して、これを用いて、終点検出を行ってもよい。さらに、第1の電動モータ14の1個以上の相と、第2の電動モータ22の1個以上の相とを加算してもよい。
 図12(a)は、電流センサ31a、31b、31cの出力電圧32a、32b、32cを示す。図12(b)は、整流部34a、34b、34cがそれぞれ整流して出力した電圧信号36a、36b、36cを示す。図12(c)は、演算部38が、加算して出力した信号38aを示す。これらのグラフの横軸は時間であり、縦軸は電圧である。
 処理部230は、整流演算部28の出力38aを増幅する増幅部40と、整流演算部28の出力から所定量を減算するオフセット部(減算部)42と、整流演算部28の出力38aに含まれるノイズを除去するフィルタ(ノイズ除去部)44と、ノイズ除去部でノイズを除去された信号をさらに増幅する第2の増幅部46を有する。処理部230では、増幅部40で増幅された信号40aを、オフセット部44で減算し、減算された信号42aからフィルタ44でノイズを除去する。
 図12(d)は、増幅部40が、増幅して出力した信号40aを示す。図13(a)は、オフセット部42が、信号40aから減算して出力した信号42aを示す。図13(b)は、フィルタ44が、信号42aに含まれるノイズを除去して出力した信号44aを示す。図13(c)は、第2の増幅部46が、ノイズが除去された信号44aをさらに増幅して出力した信号46aを示す。これらのグラフの横軸は時間であり、縦軸は電圧である。
 増幅部40は、整流演算部28の出力38aの振幅を制御するものであり、所定量の増幅率で増幅して、振幅を大きくする。オフセット部42は、摩擦力が変化しても変化しない一定量の電流部分(バイアス)を除去することにより、摩擦力の変化に依存する電流部分を取り出して処理する。これにより、摩擦力の変化から終点を検出する終点検出法の精度が向上する。
 オフセット部42は、増幅部40が出力した信号40aのうち削除すべき量だけ減算を行う。検出される電流は通常、摩擦力の変化にともなって変化する電流部分と、摩擦力が変化しても変化しない一定量の電流部分(バイアス)を含む。このバイアスが削除すべき量である。バイアスを除去することにより、摩擦力の変化に依存する電流部分のみを取り出して、後段にある実効値変換器48の入力範囲に合わせて、最大の振幅まで増幅することが可能になり、終点検出の精度が向上する。
 フィルタ44は、入力された信号42aに含まれる不要なノイズを低減するものであり、通常、ローパスフィルタである。フィルタ44は、例えば、モータの回転数より低い周波数成分のみを通すフィルタである。終点検出では、直流成分のみがあれば終点検出ができるからである。モータの回転数より低い周波数成分を通すバンドパスフィルタでもよい。 この場合も終点検出ができるからである。
 第2の増幅部46は、後段にある実効値変換器48の入力範囲に合わせて、振幅の調整を行うためのものである。実効値変換器48の入力範囲に合わせる理由は、実効値変換器48の入力レンジは無限ではなく、かつ、できるだけ振幅は大きいことが望ましいからである。なお、実効値変換器48の入力レンジを大きくすると、変換後の信号をA/Dコンバータにより、アナログ/デジタル変換する際の分解能が悪化する。これらの理由から第2の増幅部46により、実効値変換器48への入力範囲を最適に保つ。
 第2の増幅部46の出力46aは、実効値変換器48へ入力される。実効値変換器48は、交流電圧の1周期における平均、すなわち、交流電圧に等しい直流電圧を求めるものである。実効値変換器48の出力48aを図13(d)に示す。このグラフの横軸は時間であり、縦軸は電圧である。
 実効値変換器48の出力48aは、制御部50に入力される。制御部50は、出力48aに基づいて、終点検出を行う。制御部50は、以下の条件のいずれかが満たされた場合等の、あらかじめ設定された条件を満たした場合に、半導体ウエハ18の研磨が終点に達したと判定する。すなわち、出力48aがあらかじめ設定されたしきい値より大きくなった場合、もしくは、あらかじめ設定されたしきい値より小さくなった場合、もしくは、出力48aの時間微分値が所定の条件を満たした場合に、半導体ウエハ18の研磨が終点に達したと判定する。
 本実施例の効果を、1相の電流のみを用いている比較例と対比して説明する。図14は、比較例の終点検出法を示すブロック図及びグラフである。図14に示すグラフは、検出法の原理を示すことを目的とするため、図示する信号は、ノイズがない場合の信号を示す。これらのグラフの横軸は時間であり、縦軸は電圧である。比較例では、1相の電流のみを用いているため、加算という処理はない。また、減算という処理も行っていない。図11と図14において、ホール素子センサ31aとホール素子センサ52、整流部34aと整流部54、実効値変換器48と実効値変換器56は、それぞれ同等の性能を有するものとする。
 比較例では、ホール素子センサ52は、1個であり、例えばU相の電流路に設けられ、U相の電流に比例した磁束を、ホール電圧52aに変換して信号線52aに出力する。図14(a)にホール電圧52aを示す。ホール素子センサ52の出力電圧52aを入力されて整流部54は整流して、信号54aとして出力する。整流は、半波整流又は全波整流である。半波整流した場合の信号54aを図14(c)に、全波整流した場合の信号54aを図14(d)に示す。
 出力54aは、実効値変換器56へ入力される。実効値変換器56は、交流電圧の1周期における平均を求める。実効値変換器56の出力56aを図14(e)に示す。実効値変換器56の出力56aは、終点検出部58に入力される。終点検出部58は、出力56aに基づいて、終点検出を行う。
 比較例の処理結果と本実施例の処理結果を、比較して図15に示す。図15Aは、比較例の実効値変換器56の出力56aを示すグラフであり、図15Bは、本実施例の実効値変換器48の出力48aを示すグラフである。グラフの横軸は時間、縦軸は、実効値変換器の出力電圧を、対応する駆動電流に換算して示したものである。図15より、本実施例により、電流の変化が大きくなっていることがわかる。図15におけるレンジHTは、実効値変換器48、56の入力可能レンジを示す。比較例のレベル260aが、本実施例のレベル262aに対応し、比較例のレベル260bが、本実施例のレベル262bに対応する。
 比較例では、駆動電流56aの変化レンジWD(=レベル260a-レベル260b)が、入力可能レンジHTより、かなり小さい。本実施例では、駆動電流48aの変化レンジWD1(=レベル260a-レベル260b)が、入力可能レンジHTとほぼ等しくなるように、駆動電流48aが処理部230により処理されている。この結果、駆動電流48aの変化レンジWD1が、比較例の変化レンジWDよりもかなり大きくなっている。本実施例では、トルク電流の変化が小さい場合でもトルク電流の変化を良好に検出し、研磨終点検出の精度が向上している。
 比較例と本実施例との処理の結果を、比較した別のグラフを図16に示す。図16は、比較例の実効値変換器56の出力56aと、本実施例の実効値変換器48の出力48aを示すグラフである。グラフの横軸は時間、縦軸は、実効値変換器の出力電圧を、対応する駆動電流に換算して示したものである。本図は、図15とは、研磨対象物が異なる。図16は、研磨の開始時点t1から研磨終了時点t3までに、実効値変換器の出力電圧がどのように変化するかを示す。
 本図から明らかなように、本実施例の実効値変換器48の出力48aの変化量は、比較例の実効値変換器56の出力56aの変化量より大きい。出力48aと出力56aは、時刻t1で、ともに最低値264a,266aを取り、時刻t2で、ともに最高値264b,266bを取る。実効値変換器48の出力48aの変化量268(=264b-264a)は、比較例の実効値変換器56の出力56aの変化量270(=266b-266a)より、かなり大きい。なお、ピーク値272a,272bは、最高値264b,266bより大きい電流値を示すが、ピーク値272a,272bは、研磨が安定するまでの初期段階で発生するノイズのようなものである。
 図16に示す変化量268、270は、半導体ウエハ18が、トップリング20が第2の電動モータ22によって回転駆動されている状態で研磨パッド10に押圧されるときの圧力に依存する。変化量268、270は、この圧力が大きいほど大きくなる。これを図17に示す。図17は、比較例の出力56aの変化量270と、本実施例の出力48aの変化量268の、半導体ウエハ18に加わる圧力に対する変化を示すグラフである。グラフの横軸は、半導体ウエハ18に加わる圧力、縦軸は、実効値変換器の出力電圧を、対応する駆動電流に換算して示したものである。曲線274は、本実施例の出力48aの変化量268を、圧力に対してプロットしたものである。曲線276は、比較例の出力56aの変化量270を、圧力に対してプロットしたものである。圧力0のとき、すなわち、研磨を行っていないときは、電流は0である。本図から明らかなように、本実施例の実効値変換器48の出力48aの変化量268は、比較例の実効値変換器56の出力56aの変化量270より大きく、曲線274と曲線276の差は、圧力が大きくなるほど顕著である。
 次に、制御部50による増幅部40と、オフセット部42と、フィルタ44と、第2の増幅部46の制御について説明する。制御部50は、増幅部40の増幅特性(増幅率や周波数特性等)、フィルタ44のノイズ除去特性(信号の通過帯域や減衰量等)、オフセット部42の減算特性(減算量や周波数特性等)、及び第2の増幅部46の増幅特性(増幅率や周波数特性等)を制御する。
 具体的な制御方法は、以下のとおりである。上記各部を制御するために各部の特性を変更する場合、制御部50は、回路特性の変更指示を示すデータをデジタル通信(USB(Universal Serial Bus(ユニバーサル・シリアル・バス))、LAN(Local Area Network(ローカル・エリア・ネットワーク))、RS-232等)により、上記の各部に送信する。
 データを受信した各部は、データに従って、特性に関する設定を変更する。変更方法は、各部のアナログ回路を構成する抵抗の抵抗値、コンデンサの容量値、インダクタのインダクタンス等の設定を変更する。具体的な変更方法としては、アナログSWにて抵抗等を切替える。又は、DAコンバータによって、デジタル信号をアナログ信号に変換した後、アナログ信号によって複数の抵抗等の切替や、小型モータによる可変抵抗等を回転させて、設定を変更する。複数の回路をあらかじめ設けておき、複数の回路を切り替える方式も可能である。
 送信するデータの内容は、種々可能である。例えば、番号を送信し、受信した各部が、受信した番号に従って、当該番号に対応する抵抗等を選択する、又は、抵抗値やインダクタンスの大きさに対応した値を送信して、その値に合わせて抵抗値やインダクタンスの大きさを詳細に設定する方式がある。
 デジタル通信以外の方法も可能である。例えば、制御部50と、増幅部40、オフセット部42、フィルタ44、第2の増幅部46とを直結する信号線を設け、当該信号線により、各部内の抵抗等を切り替える方式も可能である。
 制御部50によって、各部が設定される一例を図18により説明する。図18は、増幅部40、オフセット部42、フィルタ44、第2の増幅部46の設定の一例を示す。この例においては、実効値変換部48の入力レンジが、0A(アンペア)から100A、すなわち100Aである。整流演算部28の出力信号38aの波形の最大値が20A、最小値が10Aである。すなわち整流演算部28の出力信号38aの変化幅(振幅)が10A(=20A-10A)以内、信号38aの下限値が10Aである。
 このような場合、出力信号38aの変化分の振幅が10Aであり、実効値変換部48の入力レンジが100Aであるため、増幅部40の増幅率の設定値278aは、10倍(=100A/10A)と設定される。増幅の結果、出力信号38aの波形の最大値278bは200A、最小値278cは100Aとなる。
 オフセット部42での減算量は、信号38aの下限値である10Aが、増幅部40により増幅されて、100Aになるため、100Aを減算することになる。従って、オフセット部42での減算量の設定値278dは、-100Aとなる。減算の結果、出力信号38aの波形の最大値278eは100A、最小値278fは0Aとなる。
 図18の例では、フィルタ44に関しては、初期設定の状態から変更しないため、設定値278gは空白としている。フィルタ処理の結果、出力信号38aの波形の最大値278hは、フィルタ特性に従った100Aより低い値に減衰され、出力信号38aの波形の最小値278iは0Aである。図18の場合、フィルタ44は、入力が0Aのときは、出力を0Aに保持する特性を有するからである。第2の増幅部46は、フィルタ44により減衰した分を補正することを目的としている。第2の増幅部46の増幅率の設定値278jは、フィルタ44により減衰した分を補正できる値に設定される。第2の増幅の結果、出力信号38aの波形の最大値278kは100A、最小値278lは0Aとなる。
 次に、制御部50による各部の制御の一例を図19により、さらに説明する。図19は、制御部50による各部の制御の一例を示すフローチャートである。制御部50は、研磨開始時に、研磨レシピ(押圧力分布や研磨時間などの基板表面に対する研磨条件を定めたもの)に関する情報を、研磨装置100aの操作者、又は、図示しない研磨装置100aの管理装置から入力される(ステップ10)。
 研磨レシピを使用する理由は以下のとおりである。複数の半導体ウエハ等の基板に対する多段研磨プロセスを連続して行うとき、研磨前、又は各段の研磨プロセス間、又は研磨後に各基板表面の膜厚等の表面状態を計測する。計測によって得られた値をフィードバックして、次の基板や任意の枚数目後の研磨レシピを最適に修正(更新)するためである。
 研磨レシピの内容は、以下のとおりである。(1)制御部50が増幅部40と、オフセット部42と、フィルタ44と、第2の増幅部46の設定を変更するかどうかに関する情報。変更する場合は、各部との通信設定を有効にする。一方、変更しない場合は、各部との通信設定を無効にする。通信設定が無効の場合には、各部は、デフォルトで設定されている値を有効にする。(2)実効値変換部48の入力レンジに関する情報。(3)整流演算部28の出力信号38aの変化幅(振幅)を最大値と最小値で示す情報、又は変化幅で示す情報。この情報は、トルクレンジともよばれる。(4)フィルタ44の設定に関する情報。例えば、図18の場合は、デフォルトに設定される。(5)研磨情報、例えば、テーブルの回転数に関する情報を制御に反映するかどうかに関する情報。
 次に、制御部50は、研磨情報を制御に反映するかどうかに関する研磨レシピの情報に従って、反映する設定になっている場合は、図示しない研磨装置100aの管理装置から研磨テーブル12及びトップリング20の回転数、トップリング20による圧力を受信する(ステップ12)。これらの情報を受信する理由は、圧力、テーブル回転数、テーブル回転数とトップリング回転数の回転数比の影響によるリップルが生じることがあり、リップル周波数に合わせたフィルタ設定を行う必要があるからである。
 次に、制御部50は、通信設定が有効になっている場合、研磨レシピ及び、ステップ12で受信した情報に従って、増幅部40と、オフセット部42と、フィルタ44と、第2の増幅部46の設定値を決定する。決定した設定値をデジタル通信により、各部に送信する(ステップ14)。通信設定が無効になっている場合、増幅部40と、オフセット部42と、フィルタ44と、第2の増幅部46では、デフォルトの設定値が設定される。
 各部での設定が終了した後、研磨が開始され、研磨中は、制御部50は、実効値変換器48からの信号を受信して、研磨終点の判断を継続して行う(ステップ16)。
 制御部50は、実効値変換器48からの信号に基づいて、研磨終点の判断を行った場合、図示しない研磨装置100aの管理装置に研磨終点を検出したことを送信する。管理装置は、研磨を終了させる(ステップ18)。研磨終了後、増幅部40と、オフセット部42と、フィルタ44と、第2の増幅部46では、デフォルトの設定値が設定される。
 本実施例によれば、3相のデータを整流して加算し、さらに、波形増幅を行っているため、トルク変化に伴う電流の出力差が大きくなるという効果がある。また、増幅部等の特性を変更できるため、更に出力差を大きくすることができる。フィルタを使用しているため、ノイズが小さくなる。
10 研磨パッド
12 研磨テーブル
14 第1の電動モータ(駆動部)
18 半導体ウエハ(研磨対象物)
20 トップリング(保持部)
22 第2の電動モータ(駆動部)
31 電流センサ(電流検出部)
60 終点検出装置
62 判定部
64 調整部
66 記憶部
68 終点検出部
100 モータドライバ
104 速度補償器
200 入力部

Claims (29)

  1.  研磨パッドを保持するための研磨テーブル、又は、研磨対象物を保持して研磨パッドへ押圧するための保持部、を回転駆動するための駆動部へ供給する駆動電流に基づく終点検出方法であって、
     実行する研磨プロセスの研磨条件があらかじめ設定された特定の研磨条件と一致するか否かを判定する第1判定ステップと、
     前記第1判定ステップによって前記研磨条件が前記特定の研磨条件と一致すると判定された場合に、前記駆動電流を制御するための駆動制御部における、前記駆動部の駆動負荷の変化に対する前記駆動電流の変化に関する電流制御パラメータを調整する調整ステップと、
     前記調整ステップによって調整された電流制御パラメータに基づいて前記駆動部へ供給される駆動電流を検出する検出ステップと、
     前記検出ステップによって検出された駆動電流に基づいて研磨の終点を検出する終点検出ステップと、
     を備えることを特徴とする終点検出方法。
  2.  請求項1の終点検出方法において、
     研磨プロセスの実行中に前記検出ステップによって検出された駆動電流に基づいて、前記実行中の研磨プロセスの研磨条件を前記特定の研磨条件に加えるか否かを判定する第2判定ステップ、
     をさらに備える終点検出方法。
  3.  請求項2の終点検出方法において、
     前記第2判定ステップは、前記駆動部の駆動負荷が変化した際に前記検出ステップによって検出された駆動電流の変化がしきい値よりも小さい場合に、前記実行中の研磨プロセスの研磨条件を前記特定の研磨条件に加える、
     終点検出方法。
  4.  請求項2の終点検出方法において、
     前記終点検出ステップは、前記検出ステップによって検出された駆動電流の変化に基づいて研磨の終点を検出し、
     前記第2判定ステップは、前記終点検出ステップによって研磨の終点が検出されなかった場合に、前記実行中の研磨プロセスの研磨条件を前記特定の研磨条件に加える、
     終点検出方法。
  5.  請求項1~4のいずれか1項の終点検出方法において、
     前記調整ステップは、前記駆動部の駆動負荷の変化に対して前記駆動電流の変化が大きくなるように、前記電流制御パラメータを調整する、
     終点検出方法。
  6.  請求項1~5のいずれか1項の終点検出方法において、
     前記駆動制御部が、前記研磨テーブル又は前記保持部の実回転速度と目標回転速度との偏差に基づいて前記駆動電流を制御する場合において、
     前記調整ステップは、前記偏差に基づく制御における制御ゲインを大きくする、
     終点検出方法。
  7.  請求項1~6のいずれか1項の終点検出方法において、
     前記研磨プロセスが複数の工程を含む場合に、
     前記調整ステップは、前記複数の工程のうちの一部の工程において前記電流制御パラメータを調整する、
     終点検出方法。
  8.  請求項1~7のいずれか1項の終点検出方法において、
     前記研磨条件は、研磨対象物の種類、研磨レシピの種類、研磨パッドの種類、及び研磨砥液の種類、の少なくとも1つを含む、
     終点検出方法。
  9.  研磨パッドを保持するための研磨テーブル、又は、研磨対象物を保持して研磨パッドへ押圧するための保持部、を回転駆動するための駆動部と、
     前記駆動部へ供給する駆動電流を制御するための駆動制御部と、
     実行する研磨プロセスの研磨条件があらかじめ設定された特定の研磨条件と一致する場合に、前記駆動制御部における、前記駆動部の駆動負荷の変化に対する前記駆動電流の変化に関する電流制御パラメータを調整する調整部と、
     を備えることを特徴とする研磨装置。
  10.  請求項9の研磨装置において、
     実行する研磨プロセスの研磨条件があらかじめ設定された特定の研磨条件と一致するか否かを判定する判定部、をさらに備え、
     前記調整部は、前記判定部によって、前記研磨プロセスの研磨条件が前記特定の研磨条件と一致すると判定された場合に、前記駆動制御部における前記電流制御パラメータを調整する、
     研磨装置。
  11.  請求項10の研磨装置において、
     研磨プロセスの実行中に前記駆動制御部から前記駆動部へ供給される駆動電流を検出する電流検出部、をさらに備え、
     前記判定部は、前記電流検出部によって検出された駆動電流に基づいて、前記実行中の研磨プロセスの研磨条件を前記特定の研磨条件に加えるか否かを判定する、
     研磨装置。
  12.  請求項11の研磨装置において、
     前記判定部は、前記駆動部の駆動負荷が変化した際に前記電流検出部によって検出された駆動電流の変化がしきい値よりも小さい場合に、前記実行中の研磨プロセスの研磨条件を前記特定の研磨条件に加える、
     研磨装置。
  13.  請求項11の研磨装置において、
     前記電流検出部によって検出された駆動電流の変化に基づいて研磨の終点を検出する終点検出部をさらに備え、
     前記判定部は、前記終点検出部によって研磨の終点が検出されなかった場合に、前記実行中の研磨プロセスの研磨条件を前記特定の研磨条件に加える、
     研磨装置。
  14.  請求項9~13のいずれか1項の研磨装置において、
     前記調整部は、前記駆動部の駆動負荷の変化に対して前記駆動電流の変化が大きくなるように、前記電流制御パラメータを調整する、
     研磨装置。
  15.  請求項9~14のいずれか1項の研磨装置において、
     前記駆動制御部は、前記研磨テーブル又は前記保持部の実回転速度と目標回転速度との偏差に基づいて前記駆動電流を制御し、
     前記調整部は、前記偏差に基づく制御における制御ゲインを大きくする、
     研磨装置。
  16.  請求項9~15のいずれか1項の研磨装置において、
     前記研磨プロセスが複数の工程を含む場合に、
     前記調整部は、前記複数の工程のうちの一部の工程において前記電流制御パラメータを調整する、
     研磨装置。
  17.  請求項9~16のいずれか1項の研磨装置において、
     前記研磨条件は、研磨対象物の種類、研磨レシピの種類、研磨パッドの種類、及び研磨砥液の種類、の少なくとも1つを含む、
     研磨装置。
  18.  研磨対象物の表面を研磨するための研磨装置であって、
     研磨パッドを保持するための研磨テーブルを回転駆動する第1の電動モータと、
     前記研磨対象物を保持して前記研磨パッドへ押圧するための保持部を回転駆動する第2の電動モータとを有し、
     前記第1及び第2の電動モータのうち少なくとも一方の電動モータは、複数相の巻線を備え、
     前記研磨装置は、前記第1及び/又は第2の電動モータのうちの少なくとも2相の電流を検出する電流検出部と、
     前記電流検出部によって検出された少なくとも2相の電流検出値を整流し、整流された信号に対して加算及び/又は乗算を行って出力する整流演算部と、
     前記整流演算部の出力の変化に基づいて、前記研磨対象物の表面の研磨終了を示す研磨終点を検出する終点検出部と、
     を有することを特徴とする研磨装置。
  19.  請求項18において、前記終点検出部は、前記整流演算部の出力を増幅する増幅部と、前記整流演算部の出力に含まれるノイズを除去するノイズ除去部と、前記整流演算部の出力から所定量を減算する減算部のうち、少なくとも1つを有する、ことを特徴とする研磨装置。
  20.  請求項19に記載の研磨装置において、前記終点検出部は、前記増幅部と前記減算部と前記ノイズ除去部とを有し、前記増幅部で増幅された信号を前記減算部で減算し、該減算された信号から前記ノイズ除去部でノイズを除去する、ことを特徴とする研磨装置。
  21.  請求項20の研磨装置において、前記終点検出部では、前記ノイズ除去部でノイズを除去された信号をさらに増幅する第2の増幅部を有する、ことを特徴とする研磨装置。
  22.  請求項19に記載の研磨装置において、前記終点検出部は、前記増幅部と、前記増幅部の増幅特性を制御する制御部とを有する、ことを特徴とする研磨装置。
  23.  請求項19に記載の研磨装置において、前記終点検出部は、前記ノイズ除去部と、前記ノイズ除去部のノイズ除去特性を制御する制御部とを有する、ことを特徴とする研磨装置。
  24.  請求項19に記載の研磨装置において、前記終点検出部は、前記減算部と、前記減算部の減算特性を制御する制御部とを有する、ことを特徴とする研磨装置。
  25.  請求項21に記載の研磨装置において、前記終点検出部は、前記第2の増幅部の増幅特性を制御する制御部を有する、ことを特徴とする研磨装置。
  26.  研磨パッドを保持するための研磨テーブルを回転駆動する第1の電動モータと、研磨対象物を保持して前記研磨パッドへ押圧するための保持部を回転駆動する第2の電動モータとを有し、前記第1及び第2の電動モータのうち少なくとも一方の電動モータは、複数相の巻線を有する研磨装置を用いた、前記研磨対象物の表面を研磨する研磨方法において、該方法は、
     前記第1及び/又は第2の電動モータのうちの少なくとも2相の電流を検出する電流検出ステップと、
     前記検出された少なくとも2相の電流検出値を整流し、整流された信号に対して加算及び/又は乗算を行って出力する整流演算ステップと、
     前記整流演算ステップの出力の変化に基づいて、前記研磨対象物の表面の研磨終了を示す研磨終点を検出する終点検出ステップとを有する、ことを特徴とする研磨方法
  27.  請求項26の研磨方法において、前記終点検出ステップは、前記整流演算ステップの出力を増幅する増幅ステップと、前記整流演算ステップの出力に含まれるノイズを除去するノイズ除去ステップと、前記整流演算ステップの出力から所定量を減算する減算ステップのうち、少なくとも1つを有する、ことを特徴とする研磨方法
  28.  請求項27に記載の研磨方法において、前記終点検出ステップでは、前記増幅ステップにおいて増幅された信号に対して、前記減算ステップにおいて所定量の減算を行い、該減算された信号から前記ノイズ除去ステップにおいてノイズを除去する、ことを特徴とする研磨方法。
  29.  請求項28の研磨方法において、前記終点検出ステップは、前記ノイズ除去ステップでノイズを除去された信号をさらに増幅する第2の増幅ステップをさらに有する、ことを特徴とする研磨方法。
PCT/JP2015/074254 2014-09-02 2015-08-27 終点検出方法、研磨装置、及び研磨方法 WO2016035673A1 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SG11201701152WA SG11201701152WA (en) 2014-09-02 2015-08-27 End point detection method, polishing apparatus, and polishing method
CN201580047764.9A CN106604802B (zh) 2014-09-02 2015-08-27 终点检测方法、研磨装置及研磨方法
KR1020177006188A KR102388170B1 (ko) 2014-09-02 2015-08-27 종점 검출 방법, 연마 장치 및 연마 방법
US15/508,034 US10759019B2 (en) 2014-09-02 2015-08-27 End point detection method, polishing apparatus, and polishing method
US16/934,329 US20200346318A1 (en) 2014-09-02 2020-07-21 End point detection method, polishing apparatus, and polishing method

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014177742A JP6377463B2 (ja) 2014-09-02 2014-09-02 終点検出方法、及び、研磨装置
JP2014-177742 2014-09-02
JP2015-099643 2015-05-15
JP2015099643A JP6727761B2 (ja) 2015-05-15 2015-05-15 研磨装置、及び、研磨方法

Related Child Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
US15/508,034 A-371-Of-International US10759019B2 (en) 2014-09-02 2015-08-27 End point detection method, polishing apparatus, and polishing method
US16/934,329 Division US20200346318A1 (en) 2014-09-02 2020-07-21 End point detection method, polishing apparatus, and polishing method

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2016035673A1 true WO2016035673A1 (ja) 2016-03-10

Family

ID=55439738

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2015/074254 WO2016035673A1 (ja) 2014-09-02 2015-08-27 終点検出方法、研磨装置、及び研磨方法

Country Status (6)

Country Link
US (2) US10759019B2 (ja)
KR (1) KR102388170B1 (ja)
CN (1) CN106604802B (ja)
SG (2) SG11201701152WA (ja)
TW (1) TWI678259B (ja)
WO (1) WO2016035673A1 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20190168355A1 (en) * 2017-12-05 2019-06-06 Ebara Corporation Polishing apparatus and polishing method
US20200346318A1 (en) * 2014-09-02 2020-11-05 Ebara Corporation End point detection method, polishing apparatus, and polishing method

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6775354B2 (ja) 2015-10-16 2020-10-28 株式会社荏原製作所 研磨装置、及び、研磨方法
US10744617B2 (en) * 2015-10-16 2020-08-18 Ebara Corporation Polishing endpoint detection method
JP6357260B2 (ja) * 2016-09-30 2018-07-11 株式会社荏原製作所 研磨装置、及び研磨方法
JP6989317B2 (ja) * 2017-08-04 2022-01-05 キオクシア株式会社 研磨装置、研磨方法、およびプログラム
JP2022066034A (ja) * 2020-10-16 2022-04-28 新東工業株式会社 自動研磨システム及び自動研磨装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10180625A (ja) * 1996-12-26 1998-07-07 Toshiba Corp 研磨方法および研磨装置
JP2014069256A (ja) * 2012-09-28 2014-04-21 Ebara Corp 研磨装置
JP2014069255A (ja) * 2012-09-28 2014-04-21 Ebara Corp 研磨装置

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3807979A (en) * 1972-05-08 1974-04-30 Philadelphia Quartz Co Quaternary ammonium silicate for polishing silicon metal
US5846882A (en) * 1996-10-03 1998-12-08 Applied Materials, Inc. Endpoint detector for a chemical mechanical polishing system
JPH1187286A (ja) * 1997-09-05 1999-03-30 Lsi Logic Corp 半導体ウエハの二段階式化学的機械的研磨方法及び装置
US6190494B1 (en) * 1998-07-29 2001-02-20 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for electrically endpointing a chemical-mechanical planarization process
JP2001198813A (ja) 2000-01-13 2001-07-24 Toshiba Corp 研磨装置及びその研磨方法
US6547637B1 (en) * 2000-10-05 2003-04-15 Momentum Technical Consulting Inc. Chemical/mechanical polishing endpoint detection device and method
JP4370789B2 (ja) * 2002-07-12 2009-11-25 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及び可変インピーダンス手段の校正方法
DE10345381B4 (de) * 2003-09-30 2013-04-11 Advanced Micro Devices, Inc. Verfahren und System zum Steuern des chemisch-mechanischen Polierens unter Anwendung eines Sensorsignals eines Kissenkonditionierers
US20070131561A1 (en) * 2003-12-17 2007-06-14 Acm Research, Inc. Controlling removal rate uniformity of an electropolishing process in integrated circuit fabrication
DE602005013356D1 (de) * 2004-01-26 2009-04-30 Tbw Ind Inc Chemisch-mechanische planarisierungsprozesssteuerung mit einem in-situ-aufbereitungsprozess
JP2005288664A (ja) * 2004-04-05 2005-10-20 Ebara Corp 研磨装置及び研磨パッド立上完了検知方法
JP2005034992A (ja) 2004-10-29 2005-02-10 Ebara Corp ポリッシングの終点検知方法
US20070108066A1 (en) * 2005-10-28 2007-05-17 Applied Materials, Inc. Voltage mode current control
JP5060755B2 (ja) 2006-09-29 2012-10-31 Sumco Techxiv株式会社 半導体ウェハの粗研磨方法、及び半導体ウェハの研磨装置
US8554356B2 (en) 2006-10-06 2013-10-08 Ebara Corporation Processing end point detection method, polishing method, and polishing apparatus
US8870625B2 (en) * 2007-11-28 2014-10-28 Ebara Corporation Method and apparatus for dressing polishing pad, profile measuring method, substrate polishing apparatus, and substrate polishing method
JP6046933B2 (ja) * 2012-07-10 2016-12-21 株式会社荏原製作所 研磨方法
JP6196858B2 (ja) * 2012-09-24 2017-09-13 株式会社荏原製作所 研磨方法および研磨装置
TWI530360B (zh) * 2012-09-28 2016-04-21 荏原製作所股份有限公司 研磨裝置
JP6030041B2 (ja) * 2013-11-01 2016-11-24 株式会社荏原製作所 研磨装置および研磨方法
JP6327958B2 (ja) * 2014-06-03 2018-05-23 株式会社荏原製作所 研磨装置
US10759019B2 (en) 2014-09-02 2020-09-01 Ebara Corporation End point detection method, polishing apparatus, and polishing method
US10744617B2 (en) * 2015-10-16 2020-08-18 Ebara Corporation Polishing endpoint detection method

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10180625A (ja) * 1996-12-26 1998-07-07 Toshiba Corp 研磨方法および研磨装置
JP2014069256A (ja) * 2012-09-28 2014-04-21 Ebara Corp 研磨装置
JP2014069255A (ja) * 2012-09-28 2014-04-21 Ebara Corp 研磨装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20200346318A1 (en) * 2014-09-02 2020-11-05 Ebara Corporation End point detection method, polishing apparatus, and polishing method
US20190168355A1 (en) * 2017-12-05 2019-06-06 Ebara Corporation Polishing apparatus and polishing method

Also Published As

Publication number Publication date
TWI678259B (zh) 2019-12-01
CN106604802A (zh) 2017-04-26
SG10201803908SA (en) 2018-06-28
SG11201701152WA (en) 2017-04-27
US20200346318A1 (en) 2020-11-05
TW201620669A (zh) 2016-06-16
CN106604802B (zh) 2019-05-31
US10759019B2 (en) 2020-09-01
US20170282325A1 (en) 2017-10-05
KR102388170B1 (ko) 2022-04-19
KR20170048397A (ko) 2017-05-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2016035673A1 (ja) 終点検出方法、研磨装置、及び研磨方法
JP5644820B2 (ja) モータ制御装置
US9132525B2 (en) Polishing apparatus for flattening surface of workpiece
US11260499B2 (en) Polishing apparatus and polishing method
JP5990074B2 (ja) 研磨装置
WO1987001250A1 (en) Method of controlling a three-phase induction motor
US10744617B2 (en) Polishing endpoint detection method
JP5863614B2 (ja) 研磨装置
JP6727761B2 (ja) 研磨装置、及び、研磨方法
JP2007049798A (ja) 電力変換装置
JP6377463B2 (ja) 終点検出方法、及び、研磨装置
JP2011027749A (ja) 誘導電動機のベクトル制御装置
US20230299700A1 (en) Power Conversion Device
JP3636901B2 (ja) 誘導電動機の制御装置
JP7220074B2 (ja) モータ制御装置およびモータ制御方法
JP6992872B2 (ja) 電力変換装置、その制御装置及び制御方法
JP4802428B2 (ja) 誘導電動機の制御方法
JP4311033B2 (ja) 誘導電動機の制御方法

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 15839025

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 15508034

Country of ref document: US

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20177006188

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 15839025

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1