WO2016002080A1 - 保護膜形成用フィルム - Google Patents

保護膜形成用フィルム Download PDF

Info

Publication number
WO2016002080A1
WO2016002080A1 PCT/JP2014/067962 JP2014067962W WO2016002080A1 WO 2016002080 A1 WO2016002080 A1 WO 2016002080A1 JP 2014067962 W JP2014067962 W JP 2014067962W WO 2016002080 A1 WO2016002080 A1 WO 2016002080A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
protective film
film
forming
sheet
epoxy
Prior art date
Application number
PCT/JP2014/067962
Other languages
English (en)
French (fr)
Japanese (ja)
Inventor
洋一 稲男
野村　秀一
Original Assignee
リンテック株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by リンテック株式会社 filed Critical リンテック株式会社
Priority to KR1020167033563A priority Critical patent/KR102330885B1/ko
Priority to CN201480079216.XA priority patent/CN106415793A/zh
Priority to JP2015504091A priority patent/JP5951106B2/ja
Priority to PCT/JP2014/067962 priority patent/WO2016002080A1/ja
Publication of WO2016002080A1 publication Critical patent/WO2016002080A1/ja

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)
  • Paints Or Removers (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
PCT/JP2014/067962 2014-07-04 2014-07-04 保護膜形成用フィルム WO2016002080A1 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020167033563A KR102330885B1 (ko) 2014-07-04 2014-07-04 보호막 형성용 필름
CN201480079216.XA CN106415793A (zh) 2014-07-04 2014-07-04 保护膜形成用薄膜
JP2015504091A JP5951106B2 (ja) 2014-07-04 2014-07-04 保護膜形成用フィルム
PCT/JP2014/067962 WO2016002080A1 (ja) 2014-07-04 2014-07-04 保護膜形成用フィルム

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2014/067962 WO2016002080A1 (ja) 2014-07-04 2014-07-04 保護膜形成用フィルム

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2016002080A1 true WO2016002080A1 (ja) 2016-01-07

Family

ID=55018677

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2014/067962 WO2016002080A1 (ja) 2014-07-04 2014-07-04 保護膜形成用フィルム

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP5951106B2 (ko)
KR (1) KR102330885B1 (ko)
CN (1) CN106415793A (ko)
WO (1) WO2016002080A1 (ko)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017188218A1 (ja) * 2016-04-28 2017-11-02 リンテック株式会社 保護膜付き半導体チップの製造方法及び半導体装置の製造方法
JP2019062107A (ja) * 2017-09-27 2019-04-18 リンテック株式会社 樹脂膜形成用複合シート
WO2019082959A1 (ja) * 2017-10-27 2019-05-02 リンテック株式会社 保護膜形成用フィルム、保護膜形成用複合シート、及び半導体チップの製造方法
WO2020158769A1 (ja) * 2019-01-31 2020-08-06 リンテック株式会社 エキスパンド方法、半導体装置の製造方法及び積層型粘着シート

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008218496A (ja) * 2007-02-28 2008-09-18 Namics Corp 封止用樹脂フィルム
JP2008244463A (ja) * 2007-03-01 2008-10-09 Nitto Denko Corp 熱硬化型ダイボンドフィルム
JP2008260853A (ja) * 2007-04-12 2008-10-30 Hitachi Chem Co Ltd 新規硬化性樹脂とその製造方法、及びエポキシ樹脂組成物、電子部品装置
JP2011228446A (ja) * 2010-04-19 2011-11-10 Nitto Denko Corp フリップチップ型半導体裏面用フィルム
JP2014123743A (ja) * 2013-12-27 2014-07-03 Nitto Denko Corp ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3137202B2 (ja) * 1990-10-30 2001-02-19 大日本インキ化学工業株式会社 エポキシ樹脂、その製造方法及びエポキシ樹脂組成物
JP2000053934A (ja) * 1998-07-28 2000-02-22 Minnesota Mining & Mfg Co <3M> 接着剤組成物およびその前駆体
JP3544362B2 (ja) * 2001-03-21 2004-07-21 リンテック株式会社 半導体チップの製造方法
JP4851434B2 (ja) * 2007-12-18 2012-01-11 古河電気工業株式会社 チップ保護用フィルム
JP5456440B2 (ja) 2009-01-30 2014-03-26 日東電工株式会社 ダイシングテープ一体型ウエハ裏面保護フィルム
JP4987161B1 (ja) * 2011-11-24 2012-07-25 積水化学工業株式会社 絶縁材料
JP5499111B2 (ja) * 2012-07-06 2014-05-21 日東電工株式会社 半導体装置用接着剤組成物、半導体装置用接着フィルム、ダイシングフィルム付き接着フィルム、半導体装置の製造方法、及び半導体装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008218496A (ja) * 2007-02-28 2008-09-18 Namics Corp 封止用樹脂フィルム
JP2008244463A (ja) * 2007-03-01 2008-10-09 Nitto Denko Corp 熱硬化型ダイボンドフィルム
JP2008260853A (ja) * 2007-04-12 2008-10-30 Hitachi Chem Co Ltd 新規硬化性樹脂とその製造方法、及びエポキシ樹脂組成物、電子部品装置
JP2011228446A (ja) * 2010-04-19 2011-11-10 Nitto Denko Corp フリップチップ型半導体裏面用フィルム
JP2014123743A (ja) * 2013-12-27 2014-07-03 Nitto Denko Corp ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017188218A1 (ja) * 2016-04-28 2017-11-02 リンテック株式会社 保護膜付き半導体チップの製造方法及び半導体装置の製造方法
KR20190003943A (ko) * 2016-04-28 2019-01-10 린텍 가부시키가이샤 보호막이 형성된 반도체 칩의 제조 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
JPWO2017188218A1 (ja) * 2016-04-28 2019-03-07 リンテック株式会社 保護膜付き半導体チップの製造方法及び半導体装置の製造方法
TWI722178B (zh) * 2016-04-28 2021-03-21 日商琳得科股份有限公司 附有保護膜的半導體晶片的製造方法以及半導體裝置的製造方法
KR102410096B1 (ko) 2016-04-28 2022-06-17 린텍 가부시키가이샤 보호막이 형성된 반도체 칩의 제조 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
JP2019062107A (ja) * 2017-09-27 2019-04-18 リンテック株式会社 樹脂膜形成用複合シート
WO2019082959A1 (ja) * 2017-10-27 2019-05-02 リンテック株式会社 保護膜形成用フィルム、保護膜形成用複合シート、及び半導体チップの製造方法
JPWO2019082959A1 (ja) * 2017-10-27 2020-11-19 リンテック株式会社 保護膜形成用フィルム、保護膜形成用複合シート、及び半導体チップの製造方法
JP7241022B2 (ja) 2017-10-27 2023-03-16 リンテック株式会社 保護膜形成用フィルム、保護膜形成用複合シート、及び半導体チップの製造方法
WO2020158769A1 (ja) * 2019-01-31 2020-08-06 リンテック株式会社 エキスパンド方法、半導体装置の製造方法及び積層型粘着シート

Also Published As

Publication number Publication date
KR102330885B1 (ko) 2021-11-24
KR20170029416A (ko) 2017-03-15
CN106415793A (zh) 2017-02-15
JP5951106B2 (ja) 2016-07-13
JPWO2016002080A1 (ja) 2017-04-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6270736B2 (ja) 保護膜形成用フィルム
JP6034384B2 (ja) 保護膜形成層付ダイシングシートおよびチップの製造方法
JP6335173B2 (ja) 保護膜形成用複合シート、保護膜付きチップ、及び保護膜付きチップの製造方法
JP6393449B2 (ja) 接着剤組成物、接着シートおよび半導体装置の製造方法
JPWO2014155756A1 (ja) 粘着シートおよび保護膜形成用複合シートならびに保護膜付きチップの製造方法
JP5951106B2 (ja) 保護膜形成用フィルム
JP6369996B2 (ja) 樹脂膜形成用シート
JP6334197B2 (ja) 保護膜形成用複合シート、保護膜付きチップ、及び保護膜付きチップの製造方法
JP6262717B2 (ja) 保護膜付チップの製造方法
JP5814487B1 (ja) 保護膜形成用フィルム
JP6574787B2 (ja) 樹脂膜形成用シート積層体
WO2016143192A1 (ja) 保護膜形成用フィルム
JP6353868B2 (ja) 保護膜形成用シート
JP6216354B2 (ja) 保護膜形成用フィルム
JP2015123715A (ja) 樹脂膜形成用複合シート
JP6038919B2 (ja) 保護膜形成層、保護膜形成用シート及び半導体装置の製造方法
JP5727811B2 (ja) 半導体チップのピックアップ方法および半導体装置の製造方法
JP2014192463A (ja) 樹脂膜形成用シート
TWI666237B (zh) 保護膜形成用薄膜
TWI664229B (zh) 保護膜形成用薄膜
JP2014192462A (ja) 樹脂膜形成用シート

Legal Events

Date Code Title Description
ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2015504091

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 14896351

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 14896351

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1