WO2015135802A1 - Tialcn-schichten mit lamellenstruktur - Google Patents

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Definitions

  • At least one further layer of hard material is arranged above the Ti x Al x CyNz layer, preferably at least one Al 2 O 3 layer of the modification Y-Al 2 O 3, K-Al 2 O 3 or which is deposited by means of high temperature CVD (CVD) or medium temperature CVD (MT-CVD).
  • CVD high temperature CVD
  • MT-CVD medium temperature CVD
  • FIG. 2 shows a further scanning electron micrograph (SEM) of the inventive layer according to FIG. 1 at a higher magnification.
  • SEM scanning electron micrograph

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Abstract

Werkzeug mit einem Grundkörper aus Hartmetall, Cermet, Keramik, Stahl oder Schnellarbeitsstahl und einer darauf im CVD-Verfahren aufgebrachten ein- oder mehrlagigen Verschleißschutzbeschichtung mit einer Dicke im Bereich von 3 μιη bis 25 μιη, wobei die Verschleißschutzbeschichtung wenigstens eine Ti1-xAlxCyNz-Lage mit Stöchiometriekoeffizienten 0,70 ≤ x < 1, 0 ≤ y < 0,25 und 0,75 ≤ z < 1, 15 und mit einer Dicke im Bereich von 1,5 μm bis 17 μm aufweist, dadurch gekennzeichnet, dass - die Ti1-xAlxCyNz-Lage eine lamellare Struktur besitzt mit Lamellen mit einer Dicke von nicht mehr als 150 nm, vorzugsweise nicht mehr als 100 nm, besonders bevorzugt nicht mehr als 50 nm, wobei - die Lamellen aus periodisch alternierenden Bereichen der Ti1-xAlxCyNz-Lage mit abwechselnd unterschiedlichen stöchiometrischen Anteilen an Ti und AI gebildet sind, welche die gleiche Kristallstruktur (kristallographische Phase) aufweisen, und - die Ti1-xAlxCyNz-Lage wenigstens 90 Vol.-% kubisch flächenzentrierte (fcc) Kristallstruktur aufweist.

Description

TiAICN-Schichten mit Lamellenstruktur
Gegenstand der Erfindung
Die Erfindung betrifft ein Werkzeug mit einem Grundkörper aus Hartmetall, Cermet, Keramik, Stahl oder Schnellarbeitsstahl und einer darauf im CVD-Verfahren aufgebrachten ein- oder mehrlagigen Verschleißschutzbeschichtung mit einer Dicke im Bereich von 3 μιη bis 25 μιη, wobei die Verschleißschutzbeschichtung wenigstens eine Tii-xAlxCyNz-Lage mit Stöchiometriekoeffizienten 0,70 < x < 1 , 0 < y < 0,25 und 0,75 < z < 1 , 15 und mit einer Dicke im Bereich von 1 ,5 μιη bis 17 μιτι aufweist. Weiterhin betrifft die Erfindung ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Werkzeugs.
Hintergrund der Erfindung
Schneideinsätze für die Werkstoffbearbeitung, insbesondere für die zerspanende Metallbearbeitung, bestehen aus einem Substratkörper aus Hartmetall, Cermet, Keramik, Stahl oder Schnellarbeitsstahl, der in den meisten Fällen zur Verbesserung der Schneid- und/oder Verschleißeigen- schaften mit einer ein- oder mehrlagigen Hartstoffbeschichtung versehen ist. Die Hartstoffbe- schichtung besteht aus übereinander angeordneten Lagen monometallischer oder gemischtmetallischer Hartstoffphasen. Beispiele für monometallische Hartstoffphasen sind TiN, TiC, TiCN und AI2O3. Beispiele für gemischtmetallische Phasen, bei denen in einem Kristall ein Metall teilweise durch ein anderes ersetzt ist, sind TiAIN und TiAICN. Beschichtungen der vorgenannten Art werden durch CVD-Verfahren (chemische Dampfphasenabscheidung), PCVD-Verfahren (Plasma-unterstützte CVD-Verfahren) oder durch PVD-Verfahren (physikalische Dampfphasenabscheidung) aufgebracht.
Es hat sich gezeigt, dass bestimmte Vorzugsorientierungen des Kristallwachstums bei der Ab- Scheidung im PVD- oder CVD-Verfahren besondere Vorteile haben können, wobei für unterschiedliche Anwendungen des Schneideinsatzes auch unterschiedliche Vorzugsorientierungen bestimmter Lagen einer Beschichtung besonders vorteilhaft sein können. Die Vorzugsorientierung des Wachstums wird in der Regel in Bezug auf die über die Miller-Indizes definierten Ebenen des Kristallgitters angegeben und als kristallographische Textur (z. B. Fasertextur) bezeich- net. Die WO 2013/134796 offenbart einen Schneideinsatz, der zumindest bereichsweise eine Be- schichtung aufweist, die aus einer oder mehreren Beschichtungslagen gebildet ist, wobei zumindest eine Beschichtungslage Aluminium, Titan und Stickstoff umfasst und zumindest teilweise Lamellen mit einer Lamellendicke von weniger als 100 nm aufweist, wobei die Lamellen abwech- selnde erste und zweite Abschnitte mit unterschiedlichen Phasen umfassen, wobei die ersten Abschnitte überwiegend oder ausschließlich aus harter kubischer Phase bestehen und die zweiten Abschnitte überwiegend oder ausschließlich aus weicher hexagonaler Phase bestehen. Dabei soll das Wechselspiel zwischen der Abfolge einer harten kubischen Phase und einer weicheren hexagonalen Phase die Festigkeit aufgrund der speziellen Ausbildung der Struktur im Nano- meter-Bereich begünstigen, wobei der weichere hexagonale Anteil überwiegt. Es zeigt sich jedoch, dass Schichten mit Anteilen an hexagonaler Phase besonders in der Fräs- oder Drehbearbeitung von Stahl und Gusswerkstoffen bei hohen Schnittgeschwindigkeiten eine unzureichende Verschleissfestigkeit aufweisen.
Die WO 2012/126030 offenbart einen Schneideinsatz mit einer mehrlagigen Beschichtung, die wenigstens eine Beschichtungslage mit AlxTii-xN mit x > 0,7 aufweist, wobei der Anteil an kubischer AIxTii-xN-Phase bevorzugt 70 bis 80 Mol-% beträgt und die übrigen Anteile von hexagona- lem AIN und kubischem TiN gebildet werden. Der Anteil an hexagonalem AIN beträgt vorzugsweise mehr als 12,5 Mol-%. Auch die Verschleissbeständigkeit solcher Beschichtungen ist aufgrund des Anteils an hexagonalem AIN ungenügend. Es wird angenommen, dass das Vorhandensein der drei genannten Phasen auf einer teilweisen Zersetzung der kubischen AlxTh-xN- Phase in die thermodynamisch stabilen hexagonalen AIN- und kubischen TiN-Phasen beruht und der verbleibende Anteil an kubischer AlxTii-xN-Phase nicht nur thermodynamisch, sondern auch kinetisch instabil ist, was zu einer weiteren Zersetzung führt, wodurch es zu einer mechanischen Schwächung der Schicht kommt.
J. Keckes et al., "Self-organized periodic soft-hard nanolamellae in polycrystalline TiAIN thin films", Thin Solid Films 545 (2013), Seiten 29-32, beschreiben mittels CVD abgeschiedene polykristalline Tio.osAlo.gsN-Lagen mit periodisch alternierenden kubischen TiN- und hexagonalen AIN-Nanolamellen innerhalb einzelner Kristallite. Als ein möglicher Mechanismus der Lamellenbildung werden kinetisch kontrollierte, oszillierende Reaktionen an der Abscheidungsoberfläche vorgeschlagen. Die Tio.osAlo.gsN-Lagen wurden im MT-CVD-Verfahren bei 800°C unter anderem auf Hartmetallsubstraten abgeschieden. Die Charakterisierung der Lagen erfolgte mittels Röntgend iffraktion (XRD) und konventioneller sowie hochauflösender Transmissionselektronenmikro- skopie (TEM und HR-TEM). Die XRD-Daten der abgeschiedenen Tio.osAlo.gsN-Lagen zeigten das Vorhandensein sowohl kubischer als auch hexagonaler Ti-Al-N-Phasen. Pulverröntgenbeu- gungsanalysen des Tio.osAlo.gsN-Materials und eine quantitative Rietveld-Analyse ergaben Volumenanteile von hexagonalem AIN (w-AIN), kubischem AIN (c-AIN) und kubischem TiN (c-TiN) von etwa 53, 26 und 21 %. Die Härte der Lage betrug etwa 28 GPa. Die TEM-Analyse an Querschnitten der Tio.o5Alo.95N-Lagen auf Hartmetall zeigten das Vorhandensein lamellarer periodischer Strukturen. Mittels HR-TEM und Fourier-Transformation (FFT) konnte gezeigt werden, dass die Lamellen periodisch abwechselnd c-TiN und w-AIN aufwiesen, wobei die w-AIN enthaltenden Lamellen etwa 10nm und die c-TiN enthaltenden Lamellen etwa 3nm dick waren. Bei diesen Schichten ist wegen des hohen Gehaltes an hexagonaler w-AIN Phase ebenfalls mit einer unzureichenden Verschleissbeständigkeit zu rechnen.
Die DE 10 2005 032 860 offenbart eine Hartstoffbeschichtung mit einer Lage aus kubisch flä- chenzentriertem Tii-XAIXN mit einem AI-Gehalt von 0,75 < x < 0,93 und ein Verfahren zu deren Herstellung.
Die DE 10 2007 000 512 offenbart eine Hartstoffbeschichtung mit einer Lage aus TiAIN, die auf einer unmittelbar auf dem Substrat abgeschiedenen ersten Lage aus TiN, TiCN oder TiC und einer zwischen den beiden Lagen vorgesehenen Anbindungslage mit einem Phasengradienten abgeschieden ist. Die Lage aus TiAIN weist eine Vorzugsorientierung des Kristallwachstums bezüglich der (200)-Ebene des Kristallgitters auf.
Die Offenlegungsschriften WO 2009/1 121 15, WO 2009/1 121 16 und WO 2009/1 121 17A1 offen- baren mittels CVD-Verfahren abgeschiedene TiAIN- und TiAICN-Lagen mit hohem AI-Anteil und kubisch flächenzentriertem Gitter, jedoch sind keine kristallographischen Vorzugsorientierungen des Kristallwachstums beschrieben.
Mittels PVD-Verfahren hergestellte TiAIN-Beschichtungen mit verschiedenen kristallographischen Vorzugsorientierungen des Kristallwachstums sind bekannt, jedoch sind PVD-Beschichtungen mit kubisch flächenzentriertem Gitter der TiAIN-Beschichtungen im Gegensatz zu CVD- Beschichtungen auf AI-Gehalte von weniger als 67 % beschränkt. TiAIN-Beschichtungen mit einer kristallographischen Vorzugsorientierung der {200}-Ebene bezüglich der Wachstumsrichtung der Kristallite werden als vorteilhaft für die Metallbearbeitung beschrieben (z. B. US 2009/0274899, US 2009/0074521 und WO 2009/127344).
Aufgabe Die Aufgabe der vorliegenden Erfindungen bestand in der Bereitstellung von Schneideinsätzen für die spanende Metallbearbeitung, insbesondere die Dreh- und Fräsbearbeitung von Stahloder Gusswerkstoffen, die eine gegenüber dem Stand der Technik verbesserte Verschleißbeständigkeit und verbesserte Beständigkeit gegen thermische Rissbildung aufweisen. Beschreibung der Erfindung Gelöst wird diese Aufgabe durch ein Werkzeug mit einem Grundkörper aus Hartmetall, Cermet, Keramik, Stahl oder Schnellarbeitsstahl und einer darauf im CVD-Verfahren aufgebrachten ein- oder mehrlagigen Verschleißschutzbeschichtung mit einer Dicke im Bereich von 3 μιη bis 25 μιη, wobei die Verschleißschutzbeschichtung wenigstens eine Tii-xAlxCyNz-Lage mit Stöchiometrie- koeffizienten 0,70 < x < 1 , 0 < y < 0,25 und 0,75 < z < 1 , 15 und mit einer Dicke im Bereich von 1 ,5 μιη bis 17 μιτι aufweist, dadurch gekennzeichnet, dass
- die Tii-xAlxCyNz-Lage eine lamellare Struktur besitzt mit Lamellen mit einer Dicke von nicht mehr als 150 nm, vorzugsweise nicht mehr als 100 nm, besonders bevorzugt nicht mehr als 50 nm, wobei
- die Lamellen aus periodisch alternierenden Bereichen der Tii-xAlxCyNz-Lage mit abwechselnd unterschiedlichen stöchiometrischen Anteilen an Ti und AI gebildet sind, welche die gleiche Kristallstruktur (kristallographische Phase) aufweisen, und
- die Tii-xAlxCyNz-Lage wenigstens 90 Vol.-% kubisch flächenzentrierte (fcc) Kristallstruktur aufweist. Die Lamellen aus periodisch alternierenden Bereichen der erfindungsgemäßen Tii-xAlxCyNz-Lage mit abwechselnd unterschiedlichen Ti- und AI-Anteilen weisen die gleiche kubisch flächenzentrierte (fcc) Kristallstruktur auf. Es wurde überraschend festgestellt, dass eine solche lamellare Struktur beträchtlich höhere Standzeiten des Werkzeugs in Schneidoperationen liefert als lamellare TiAIN- oder TiAICN-Strukturen mit alternierenden Kristallstrukturen, wie beispielsweise die aus dem Stand der Technik bekannten lamellaren Strukturen mit abwechselnd kubisch flächenzentrierten und hexagonalen Kristallstrukturen der Lamellen.
Die erfindungsgemäße Tii-xAlxCyNz-Lage weist wenigstens 90 Vol.-% kubisch flächenzentrierte (fcc) Kristallstruktur auf. Ist der Anteil an Tii-xAlxCyNz-Phase mit kubisch flächenzentriertem (fcc) Gitter zu gering, wird eine geringere Verschleißbeständigkeit beobachtet.
Ein noch höherer Anteil an Tii-xAlxCyNz mit kubisch flächenzentrierter (fcc) Kristallstruktur hat sich als vorteilhaft hinsichtlich der Verschleißbeständigkeit erwiesen. In einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung weist die Tii-xAlxCyNz-Lage daher wenigstens 95 Vol.-%, vorzugsweise wenigstens 98 Vol.-%, besonders bevorzugt etwa 100 Vol.-% kubisch flächenzentrierte (fcc) Kristallstruktur auf. Die Kristallmorphologie der polykristallinen Tii-xAlxCyNz-Lage kann kolumnar (säulenförmig) oder äquiaxial sein, wobei die kolumnare Morphologie bevorzugt ist, da diese gegenüber äquiaxialer Morphologie in der Regel den Vorteil hat, dass im Zerspanprozess eine höhere Beständigkeit gegen Freiflächenverschleiß beobachtet wird. Es stehen bei kolumnarer Mikrostruktur parallel zur Schichtoberfläche weniger Korngrenzen zur Verfügung, entlang derer die Kristallite in der Schicht bei der auftretenden mechanischen Beanspruchung gleiten oder ausbrechen können. Kolumnare Kristalle wachsen mit ihrer Längsachse im Wesentlichen senkrecht zur Oberfläche des Substrates. Die Breite der kolumnaren Kristalle wird in einer Richtung parallel zur Substratoberfläche gemessen, d. h. senkrecht zur Wachstumsrichtung der Kristalle. Die Breite der Kristalle ist nicht zwingend uniaxial, sondern kann in verschiedenen Richtungen parallel zur Substratoberfläche variieren. Die Messung der Länge und Breite der Kristalle erfolgt zweckmäßigerweise mittels ras- terelektronenmikroskopischer Aufnahmen (SEM) an einem polierten Querschnitt der zu untersuchenden Lage. Die Breite eines Kristalls ist definiert als der Abstand zweier benachbarter Korngrenzen entlang einer zur Substratoberfläche parallelen Linie, wobei diese Linie in einer Höhe verläuft, die 50% der Dicke der Lage entspricht, wenn nichts anderes angegeben ist. Zu Zwecken der vorliegenden Erfindung ist die Kristalllänge definiert als die maximale Ausdehnung der Kristalle in der Richtung senkrecht zur Substratoberfläche, obwohl die Wachstumsrichtung der Kristalle nicht immer perfekt senkrecht zur Substratoberfläche verläuft. Dies führt statistisch zu einer Unterbestimmung der gemessenen mittleren Kristalllänge gegenüber der tatsächlichen mittleren Kristalllänge.
In einer weiteren bevorzugten Ausführungsform der erfindungsgemäßen Tii-xAlxCyNz-Lage mit Lamellen aus periodisch alternierenden Bereichen mit abwechselnd unterschiedlichen stöchio- metrischen Anteilen an Ti und AI weisen die sich jeweils in Schichtwachstums-Richtung unterhalb und oberhalb eines Bereichs der Lamellen anschließenden Bereiche mit anderen Ti- und AI- Anteilen die gleiche kristallographische Orientierung auf. Bei einer solchen Abfolge hat die erfindungsgemäße Schicht eine gut ausgeprägte Kristallinität mit geringen Anteilen an Korngrenzen oder amporphen Schichtbestandteilen, was eine höhere Verschleißbeständigkeit zur Folge hat. In einer weiteren bevorzugten Ausführungsform der Erfindung besitzt die Tii-xAlxCyNz-Lage, wie oben ausgeführt, eine kolumnare Mikrostruktur, wobei die kolumnaren Kristallite eine mittlere Länge aufweisen, welche wenigstens das 0,35-fache, vorzugsweise wenigstens das 0,5-fache, besonders bevorzugt wenigstens das 0,7-fache der Dicke der Tii-xAlxCyNz-Lage beträgt. Eine zu niedrige mittlere Länge der Kristallite im Verhältnis zur Dicke der Tii-xAlxCyNz-Lage hat eine zu geringe Beständigkeit gegen Freiflächenverschleiß zur Folge. Es ist weiterhin bevorzugt, wenn die kolumnaren Kristallite ein Verhältnis der mittleren Länge zu der mittleren Breite, gemessen bei 50% der Dicke der Tii-xAlxCyNz-Lage, von wenigstens 2,5, vorzugsweise wenigstens 5, besonders bevorzugt wenigstens 7 aufweisen. Ist das Verhältnis der mittleren Länge zu der mittleren Breite der Kristallite niedriger, hat dies ebenfalls den Nachteil der geringeren Beständigkeit gegen Freiflächenverschleiß in der Zerspanung.
In einer weiteren bevorzugten Ausführungsform der Erfindung weist die Tii-xAlxCyNz-Lage eine Vorzugsorientierung des Kristallwachstums bezüglich einer kristallografischen {hkl}-Ebene auf, gekennzeichnet durch einen Texturkoeffizienten TC (hkl) > 1 ,5, vorzugsweise > 2, besonders bevorzu > 3, wobei der Texturkoeffizienten TC (hkl) wie folgt definiert ist:
Figure imgf000008_0001
wobei
- 1 (hkl) die durch Röntgenbeugung gemessenen Intensitäten der Beugungsreflexe sind,
- lo(hkl) die Standardintensitäten der Beugungsreflexe der reinen fcc-AIN-Phase nach pdf-Karte
00-046-1200 sind,
- n die Anzahl der für die Berechnung verwendeten Reflexe ist und
- für die Berechnung von TC(hkl) die Reflexe (1 1 1 ), (200), (220) und (31 1 ) verwendet werden, wobei die Vorzugsorientierung des Kristallwachstums der Tii-xAlxCyNz-Lage bezüglich der kristallografischen {1 1 1}-, {200}-, {220}- oder {31 1}-Ebene, besonders bevorzugt bezüglich der kristallografischen {1 1 1}-Ebene vorliegt.
Eine Vorzugsorientierung des Kristallwachstums bezüglich einer kristallografischen {1 1 1}-Ebene hat sich insbesondere in der Drehbearbeitung von Gusswerkstoffen als vorteilhaft erwiesen.
In einer weiteren bevorzugten Ausführungsform der Erfindung weist die Tii-xAlxCyNz-Lage eine Vorzugsorientierung des Kristallwachstums bezüglich einer kristallografischen {hkl}-Ebene auf, welche dadurch charakterisiert ist, dass das Maximum des Röntgenbeugungspeaks der kristallo- grafischen {hkl}-Ebene, gemessen durch Röntgenbeugungsdiffraktometrie (XRD) und/oder Elektronen-Rückstreubeugung (EBSD), innerhalb eines Winkels α = ±20 Grad, vorzugsweise innerhalb eines Winkels a = ±10 Grad, besonders bevorzugt innerhalb eines Winkels α = ±5 Grad, ganz besonders bevorzugt innerhalb eines Winkels α = ±1 Grad zur Senkrechen auf die Oberfläche des Grundkörpers gemessen wird, wobei die Vorzugsorientierung des Kristallwachstums der Tii-xAlxCyNz-Lage bezüglich der kristallografischen {1 1 1}-, {200}-, {220}- oder {31 1}-Ebene, besonders bevorzugt bezüglich der kristallografischen {1 1 1 }-Ebene vorliegt. Maßgeblich hierbei ist der Schnitt durch die Polfigur der {hkl}-Ebene des fcc-Tii-xAlxCyNz nach Integration der Intensitäten über den Azimut-Winkel ß (Rotationswinkel um die Probenoberflä- chennormale).
In einer weiteren bevorzugten Ausführungsform der Erfindung beträgt die Halbwertsbreite (FWHM) wenigstens eines der Röntgenbeugungspeaks der kristallografischen {1 1 1}-, {200}-, {220}- und {31 1}-Ebenen < 1 ° 2Θ, vorzugsweise < 0,6° 2Θ, besonders bevorzugt < 0,45° 2Θ, vorzugsweise die Halbwertsbreite (FWHM) des Röntgenbeugungspeaks der kristallografischen {1 1 1}-Ebene.
Eine zu hohe Halbwertsbreite (FWHM) des Röntgenbeugungspeaks der {1 1 1}-Ebene der Th- xAlxCyNz-Lage deutet auf geringere Korngrößen der kubisch flächenzentrierten (fcc) Phase oder gar auf Anteile amorpher Phasen hin. Dies hat sich in den bisherigen Tests als nachteilig für die Verschleißbeständigkeit erwiesen.
In einer weiteren bevorzugten Ausführungsform der Erfindung weist die Tii-xAlxCyNz-Lage eine Vorzugsorientierung des Kristallwachstums bezüglich der kristallografischen {1 1 1}-Ebene auf, die durch ein Verhältnis der Intensitäten der Röntgenbeugungspeaks der kristallografischen {1 1 1}- Ebene und der {200}-Ebene, l{1 1 1} bzw. 1(200}, charakterisiert ist, bei dem 1(1 1 1} / 1{200} > 1 +h (In h)2, vorzugsweise 1(1 1 1} / 1(200} > 1 +(h+3)x(ln h)2 beträgt, wobei h die Dicke der Tii-xAlxCyNz-Lage in "μιτι" ist.
Ein Verhältnis 1(1 1 1} / 1{200} > 1 +h (In h)2 oder sogar > 1 +(h+3)x(ln h)2 2 charakterisiert eine be- sonders stark ausgeprägte {1 1 1} kristallographische Vorzugsorientierung der Schicht, welche sich insbesondere in der Bearbeitung von Gusswerkstoffen als besonders vorteilhaft erwiesen hat.
In einer weiteren bevorzugten Ausführungsform der Erfindung weist die Tii-xAlxCyNz-Lage Stöch- iometriekoeffizienten 0,70 < x < 1 , y = 0 und 0,95 -Ξ z < 1 ,15 auf, d. h. es handelt sich um eine reine TiAIN-Lage. Diese hat gegenüber einer TiAICN-Lage den Vorteil, dass bei der satzweisen Beschichtung allgemein eine einfachere Prozessführung möglich ist und im Besonderen eine gleichmäßige Einstellung der Schichteigenschaften und der Schichtzusammensetzung innerhalb der Beschichtungscharge erleichtert wird. Zudem ist bei TiAICN-Lagen davon auszugehen, dass sich nur begrenzte Mengen an Kohlenstoff im Gitter der kubischen Phase lösen und überschüssiger Kohlenstoff in amorpher Form vorliegen kann. Bei einer solchen Zusammensetzung können je nach Anwendungsgebiet die geringere Härte der Schicht oder günstige tribologische Eigenschaften ausschlaggebend für die Werkzeugstandzeit sein. In einer weiteren bevorzugten Ausführungsform der Erfindung weist die Tii-xAlxCyNz-Lage eine Vickers-Härte (HV) > 2300 HV, vorzugsweise > 2750 HV, besonders bevorzugt > 3000 HV aufweist.
Eine zu geringe Vickers-Härte hat den Nachteil der zu geringen Verschleißbeständigkeit. Erreicht wird die hohe Vickers-Härte der erfindungsgemäßen Lage durch die erfindungsgemäße Prozessführung, mit der kubische Tii-xAlxCyNz-Lagen mit geringen, vorzugsweise keinen nachweisbaren Anteilen an weicheren Fremdphasen wie hexagonalem AIN erhalten werden.
In einer weiteren bevorzugten Ausführungsform der Erfindung ist zwischen dem Grundkörper und der Tii-xAlxCyNz-Lage wenigstens eine weitere Hartstofflage mit einer Dicke von 0,05 μιη bis 7 μιτι, vorzugsweise von 0,1 μιη bis 5 μιη, besonders bevorzugt von 0,2 μιτι bis 3 μιη, angeordnet, ausgewählt unter einer TiN-Lage, einer mittels Hochtemperatur-CVD (CVD) oder Mitteltem- peratur-CVD (MT-CVD) abgeschiedenen TiCN-Lage, einer A Cb-Lage und Kombinationen davon. Darüber hinaus ist es bevorzugt, wenn über der Tii-xAlxCyNz-Lage wenigstens eine weitere Hartstofflage angeordnet ist, vorzugsweise wenigstens eine Al203-Lage der Modifikation Y-AI2O3, K-AI2O3 oder
Figure imgf000010_0001
wobei die mittels Hochtemperatur-CVD (CVD) oder Mitteltemperatur-CVD (MT-CVD) abgeschieden ist.
Die Erfindung umfasst auch ein Verfahren zur Herstellung hierin beschriebenen des erfindungsgemäßen Werkzeugs, wobei zur Herstellung der Tii-xAlxCyNz-Lage mit lamellarer Struktur a) der zu beschichtende Körper in einem im Wesentlichen zylindrischen CVD-Reaktor platziert werden, der für ein Anströmen der zu beschichtenden Körper mit den Prozessgasen in einer Richtung im Wesentlichen radial zur Längsachse des Reaktors ausgelegt ist, b) zwei Vorläufergasgemische (VG1 ) und (VG2) bereitgestellt werden, wobei das erste Vorläufergasgemisch (VG1 ) 0,005% bis 0,2 Vol.-% TiCI4, 0,025% bis 0,5 Vol.-% AICI3 und als Trägergas Wasserstoff (H2) oder ein Gemisch aus Wasserstoff und Stickstoff (H2/N2) enthält und das zweite Vorläufergasgemisch (VG2) 0,1 bis 3,0 Vol.-% wenigstens eines N- Donors, ausgewählt unter Ammoniak (NH3) und Hydrazin (N2H4), und als Trägergas
Wasserstoff (H2) oder ein Gemisch aus Wasserstoff und Stickstoff (H2/N2) enthält, und das erste Vorläufergasgemisch (VG1 ) und/oder das zweite Vorläufergasgemisch (VG2) gegebenenfalls einem C-Donor, ausgewählt unter Acetonitril (CH3CN), Ethan (C2H6) , Ethen (C2H4) und Ethin (C2H2) und Gemischen davon, enthält, wobei der Gesamt-Vol.-%- Anteil von N-Donor und C-Donor in den Vorläufergasgemischen (VG1 , VG2) im Bereich von 0,1 bis 3,0 Vol.-% liegt,
c) die zwei Vorläufergasgemische (VG1 , VG2) vor dem Eintritt in die Reaktionszone getrennt gehalten werden und bei einer Prozesstemperatur im CVD-Reaktor im Bereich von 600°C bis 850 °C und einem Prozessdruck im CVD-Reaktor im Bereich von 0,05 bis 18 kPa im Wesentlichen radial zur Längsachse des Reaktors eingeleitet werden,
wobei die Volumengasströme ( V ) der Vorläufergasgemische (VG1 , VG2) so gewählt werden, dass die mittlere Verweilzeit (τ ) im CVD-Reaktor weniger als 1 Sekunde beträgt.
Eine wesentliche Verfahrensmaßnahme zum Erzielen der erfindungsgemäßen Struktur der Tii-xAlxCyNz-Lage ist das Einstellen der Volumengasströme ( V ) der Vorläufergasgemische (VG1 , VG2), dass die mittlere Verweilzeit (τ ) im CVD-Reaktor weniger als 1 Sekunde beträgt.
Bevorzugt werden die Volumengasströme ( V ) der Vorläufergasgemische (VG1 , VG2) so ge- wählt werden, dass die mittlere Verweilzeit (τ ) im CVD-Reaktor weniger als 0,5 Sekunden, besonder bevorzugt weniger als 0,35 Sekunden beträgt.
Ist die mittlere Verweilzeit Volumengasströme ( V ) zu lang, wird die erfindungsgemäße lamellare Struktur nicht sicher erhalten und/oder die Schichten enthalten einen zu hohen Anteil an hexago- nalem AIN.
Das erfindungsgemäße Verfahren wird vorzugsweise bei einer Prozesstemperatur im CVD- Reaktor im Bereich von 625°C bis 800 °C, vorzugsweise im Bereich von 650°C bis 725 °C und/oder bei einem Prozessdruck im CVD-Reaktor im Bereich von 0,05 bis 8 kPa, vorzugsweise im Bereich von 0, 1 bis 7 kPa durchgeführt.
Ist die Prozesstemperatur im CVD-Reaktor zu hoch, werden hohe Gehalte an hexagonalem AIN in der Schicht erhalten, wodurch u.a. die Schichthärte sinkt. Ist die Prozesstemperatur im CVD- Reaktor hingegen zu niedrig, kann die Abscheiderate in einen unwirtschaftlichen Bereich sinken. Zudem werden bei niedrigen Temperaturen Schichten mit Chlor-Gehalten >1 At.-% und geringerer Härte erhalten.
Ist der Prozessdruck im CVD-Reaktor zu hoch, führt dies zu einer ungleichmäßigen Schichtdicken-Verteilung an den Werkzeugen mit erhöhter Schichtdicke an den Kanten, dem sogenannten Dogbone-Effekt. Zudem werden häufig hohe Anteile an hexagonalem AIN erhalten. Ein Prozessdruck im CVD-Reaktor kleiner 0,05 kPa ist hingegen technisch schwierig zu realisieren. Zudem ist bei zu niedrigem Prozessdruck die gleichmäßige Beschichtung der Werkzeuge nicht mehr gewährleistet In einer weiteren bevorzugten Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens beträgt das Verhältnis der Volumengasströme ( V ) der Vorläufergasgemische (VG1 , VG2) F (VG1 ) / V (VG2) kleiner als 1 ,5, vorzugsweise kleiner als 1 ,25, besonders bevorzugt kleiner als 1 ,15.
Es wurde überraschend gefunden, dass durch ein niedriges Verhältnis der Volumengasströme ( V ) kleiner als 1 ,5 oder sogar noch niedriger eine besonders ausgeprägte {1 1 1}- Vorzugsorientierung des Kristallwachstums erzielt werden kann. Ist das Verhältnis der der Volumengasströme der Vorläufergasgemische (VG1 , VG2) zu hoch, wird in der Regel eine andere als die erfindungsgemäß besonders bevorzugte {1 1 1}- Vorzugsorientierung erhalten. Im Sinne der vorliegenden Erfindung beziehen sich Vol.-%-Anteile in den Vorläufergasgemischen auf das Gesamtvolumen des in die Reaktionszone eingeleiteten Gasgemisches aus den ersten und zweiten Vorläufergasgemischen.
Es wurde überraschend gefunden, dass durch die erfindungsgemäße Prozessführung Tii-xAlxCyNz- und Tii-XAIXNZ-Lagen mit Stöchiometriekoeffizienten 0,70 < x < 1 , 0 < y < 0,25 und 0,75 -Ξ z < 1 ,15 und mit kubisch flächenzentriertem Gitter hergestellt werden können, die eine lamellare Struktur aus periodisch alternierenden Bereichen aufweisen, welche aus abwechselnd unterschiedlichen stöchiometrischen Anteilen an Ti und AI gebildet sind, welche die gleiche Kristallstruktur aufweisen. Die erfindungsgemäßen Beschichtungen weisen im Vergleich zu bekann- ten Beschichtungen mit TiAICN- und TiAIN-Lagen, insbesondere solchen, welche aus abwechselnd kubisch flächenzentrierten und hexagonalen Kristallstrukturen der Lamellen bestehen, überragende Eigenschaften in der Metallbearbeitung auf. Es wurde weiterhin überraschenderweise gefunden, dass man bei einem Schneideinsatz mit einer Beschichtung der hierin beschriebenen Art bei der spanenden Metallbearbeitung, insbesondere bei der Dreh- und Fräsbearbei- tung von Stahl- oder Gusswerkstoffen, eine gegenüber bekannten Schneideinsätzen verbesserte Verschleißbeständigkeit und einem breiteren Anwendungsbereich erzielen kann.
Bei dem erfindungsgemäßen CVD-Verfahren werden zwei Vorläufergasgemische (VG1 ) und (VG2) bereitgestellt, wobei das erste Vorläufergasgemisch (VG1 ) die Metalle Ti und AI in der Form ihrer Chloride und Trägergas enthält und das zweite Vorläufergasgemisch (VG2) wenigstens einen N-Donor enthält. Für die Herstellung einer reinen TiAIN-Lage wird in der Regel nur N- Donor Ammoniak (NH3) oder Hydrazin (N2H4) eingesetzt. Für die Herstellung TiAICN-Lage werden N-Donor und C-Donor eingesetzt, beispielsweise Ammoniak (NH3) im Gemisch mit Ethen (C2H4). Acetonitril (CH3CN) wirkt im erfindungsgemäßen Verfahren überwiegend als C-Donor und wird demzufolge im Gemisch mit einem N-Donor eingesetzt. Je nach gewünschter Stöchiometrie können Gemische mit weiteren N-Donoren und C-Donoren eingesetzt werden. Für das erfindungsgemäße Verfahren ist erforderlich, dass der N-Donor getrennt von den Chloriden der Metal- le Ti und AI zugeführt wird, dagegen kann der C-Donor sowohl über das erste Vorläufergasgemisch (VG1 ) als auch über das zweite Vorläufergasgemisch (VG2) zugeführt werden. In einer weiteren bevorzugten Ausführungsform der Erfindung ist der N-Donor Ammoniak (NH3).
Das erfindungsgemäß angewendete CVD-Verfahren ist ein MT-CVD-Verfahren bei einer Prozesstemperatur im CVD-Reaktor im Bereich von 600°C bis 850 °C und einem Prozessdruck im Bereich von 0,05 bis 8 kPa. Der CVD-Reaktor ist ein im Wesentlichen zylindrischer Reaktor, der für ein Anströmen der zu beschichtenden Körper mit den Prozessgasen in einer Richtung im Wesentlichen radial zur Längsachse des Reaktors ausgelegt ist, d. h. von der Mittelachse des zylindrischen Reaktors in Richtung der vom Zylindermantel gebildeten Außenwände des Reaktors. Solche zylindrischen Reaktoren sind bekannt und kommerziell erhältlich, beispielsweise die CVD- Beschichtungssysteme des Typs Bernex® BPXpro der Firma lonbond AG Ölten, Schweiz.
Eine wesentliche Verfahrensmaßnahme des erfindungsgemäßen Verfahrens besteht darin, dass die zwei Vorläufergasgemische (VG1 ) und (VG2) vor dem Eintritt in die Reaktionszone getrennt gehalten werden. Wird dies nicht eingehalten, können die Vorläufergasströme bereits zu früh reagieren, beispielsweise in den Zuführungsleitungen, und die gewünschte Beschichtung wird nicht erzielt.
Beschreibung der Figuren
Figur 1 : zeigt eine Rasterelektronenmikroskopaufnahme (SEM) einer erfindungsgemäßen
Lage.
Figur 2: zeigt eine weitere Rasterelektronenmikroskopaufnahme (SEM) der erfindungsgemäßen Lage gemäß Figur 1 in höherer Vergrößerung. In der Aufnahme mit einem InLEns-SE-Detektor ist erkennbar, dass sich die Lamellenstruktur im Wesentlichen über die gesamte Lage erstreckt.
Figur 3 zeigt STEM-Aufnahmen der erfindungsgemäßen Lage gemäß den Figuren 1 und
2. Figur 3A: Hellfeld-Aufnahme; Figur 3B: HAADF- (High Angle Annular Dark Field) Aufnahme. Die Kontrast-Inversion beim Wechsel zwischen den beiden Detektor-Signalen ist ein Anzeichen für Unterschiede in der chemischen Zusammensetzung zwischen den hellen und dunklen Bereichen der Lamellen.
Figur 4 zeigt eine hochauflösende HRTEM-Aufnahme der lamellaren Struktur der erfindungsgemäßen Lage gemäß den Figuren 1 und 2. Figur 5 zeigt Fourier-Transformationen der gesamten Aufnahme der Figur 4 (Figur 5(A)) sowie von Ausschnitten aus der Figur 4 (Figuren 5(B), 5(C) und 5(D)).
Definitionen und Methoden
Mittlere Verweilzeit
Die mittlere Verweilzeit τ in der Reaktionszone des CVD-Reaktors im Sinne der vorliegenden Erfindung ist definiert als der Quotient aus Reaktorvolumen VR und austretendem Volumengasstrom V bei dem am Reaktorausgang gemessenen Prozessdruck p:
_ vR _ vR p
v VNPN
wobei VN der Volumengasstrom unter Normbedingungen und PN PN der Normdruck = 101 ,325
Pa sind. Für die Berechnung der mittleren Verweilzeit gemäß der vorliegenden Anmeldung wird anstatt des gesamten Reaktorvolumens nur das Volumen des im Reaktor befindlichen Chargen- aufbaus als Volumen VR verwendet.
Röntgendiffraktometrie (XRD)
Röntgenbeugungsmessungen wurden an einem Diffraktometer des Typs GE Sensing & Inspec- tion Technologies PTS3003 unter Verwendung von CuKa-Strahlung durchgeführt. Für Θ-2Θ- Eigenspannungs- und Polfigurmessungen wurde eine Parallelstrahloptik verwendet, die primär- seitig aus einer Polykapillare und einem 2mm-Pinhole als Kollimator bestand. Sekundarseitig wurde ein Parallelplatten-Kollimator mit 0,4° Divergenz und ein Nickel Kp-Filter verwendet. Peakintensitäten und -halbwertsbreiten wurden anhand von 9-29-Messungen bestimmt. Nach Abzug des Untergrundes wurden Pseudo-Voigt-Funktionen an die Messdaten gefittet, wobei der Koi2-Abzug mittels Kai/Ka2-Dublett-Anpassung erfolgte. Die in Tabelle 4 aufgeführten Werte der Intensitäten und Halbwertsbreiten beziehen sich auf die derart angefitteten KaHnteferenzen. Die Gitterkonstanten sind nach dem Vergardschen Gesetz unter Annahme der Gitterkonstanten von TiN und AIN aus den PDF-Karten 38-1420 bzw. 00-046-1200 berechnet.
Charakterisierung lamellarer Strukturen in Tii-xAlxCvNz-Lagen
Der Nachweis und die Charakterisierung des Vorliegens lamellarer Strukturen in den erfindungsgemäßen Tii-xAlxCyNz-Lagen mittels Röntgendiffraktion (XRD) und konventioneller sowie hoch- auflösender Transmissionselektronenmikroskopie (TEM und HR-TEM) erfolgte wie es bei J. Keckes et al., "Self-organized periodic soft-hard nanolamellae in polycrystalline TiAIN thin films", Thin Solid Films 545 (2013), Seiten 29-32, beschrieben ist. Es wurde ein Transmissionselektronenmikroskop FEI Titan 80-300 mit Feldemissions-Kathode bei einer Beschleunigungsspannung von 300 kV verwendet. Rastertransmissionselektronenmikroskop-Bilder wurden mit Hellfeld- (BF; Bright Field) und High Angle Annular Dark Field- (HAADF) Detektoren aufgenommen. Zur Pro- benpräparation für die Transmissionselektronenmikroskopie wurde ein kombiniertes FIB / SEM- System benutzt (FIB = Focussed Ion Beam), welches mit einer Flüssig-Gallium-Ionenquelle bzw. einer Feldemissionskathode als Elektronenquelle sowie einem System zur ionen- und elektronenunterstützten Abscheidung von Pt ausgerüstet war. Mit Hilfe dieses Systems wurden Quer- schliffe als Lamellen per In-Situ Lift-Out aus der Schicht heraus präpariert und auf ausreichende Elektronentransparenz gedünnt..
Polfiguren
Polfiguren des {1 1 1}- Reflexes wurden bei 20 = 38,0° über einen Winkelbereich von 0°<a<75° (Inkrement 5°) und 0°<ß<360° (Inkrement 5°) bei kreisförmiger Anordnung der Messpunkte er- stellt. Die Intensitätsverteilung aller gemessenen und rückgerechneten Polfiguren war annähernd rotationssymmetrisch, d.h. die untersuchten Schichten wiesen Fasertexturen auf. Zur Überprüfung der Vorzugsorientierung wurden zusätzlich zur {1 1 1 }-Polfigur an den {200}- und {220}- Reflexen Polfiguren gemessen. Die Orientierungsdichte-Verteilungsfunktion (ODF) wurde mit der Software LaboTex3.0 der Firma LaboSoft, Polen, berechnet und die Vorzugsorientierung als in- verse Polfigur dargestellt. Bei den erfindungsgemäßen Schichten befand sich das Intensitätsmaximum in der kristallographischen Richtung <hkl> entsprechend der eingestellten Vorzugsorientierung oder in < 20° Winkelabweichung von <hkl>, wobei <hkl> gleich <1 1 1 >, <200>, <220> oder <31 1 >, bevorzugt in <1 1 1 >, war. EDX-Messungen (Energiedispersive Röngenspektroskopie)
EDX-Messungen wurden an einem Rasterelektronenmikroskop Supra 40 VP der Firma Carl Zeiss bei 15 kV Beschleunigungsspannung mit einem EDX-Spektrometer Typ INCA x-act der Firma Oxford Instruments, UK, durchgeführt. Mikrohärte-Bestimmung
Die Messung der Mikrohärte erfolgte nach DIN EN ISO 14577-1 und -4 mit einem Universalhärteprüfer Fischerscope H100 der Firma Helmut Fischer GmbH, Sindelfingen, Deutschland, an einem Querschliff der beschichteten Körper. Beispiele
Beispiel 1 : Herstellung von beschichteten Hartmetall-Wendeschneidplatten
Als Substratkörper wurden in diesen Beispielen Hartmetall-Wendeschneidplatten der Geometrie SEHW1204AFN mit einer Zusammensetzung von 90,5 Gew.-% WC, 8 Gew.-% Co und 1 ,5 Gew.- % (NbC+TaC) und mit einer mischcarbidfreien Randzone verwendet.
Zur Beschichtung der Hartmetall-Wendeschneidplatten wurde eine CVD-Beschichtungsanlage des Typs Bernex BPX325S mit einer Reaktorhöhe von 1250 mm, einem Reaktordurchmesser von 325 mm und einem Volumen des Chargenaufbaus von 40 Litern eingesetzt. Der Gasfluss erfolgte radial zur Längsachse des Reaktors.
Zur Anbindung der erfindungsgemäßen Tii-xAlxCyNz-Lagen sowie der Vergleichslagen wurde unmittelbar auf dem Hartmetall-Substrat zunächst eine etwa 0,3 μιη dicke TiN-Lage mittels CVD unter den in Tabelle 1 angegebenen Abscheidebedingungen aufgebracht:
Tabelle 1 : Reaktionsbedingungen bei der Herstellung der Anbindungslage
Figure imgf000016_0001
Zur Herstellung der erfindungsgemäßen Tii-xAlxCyNz-Lagen wurden ein erstes Vorläufergasgemisch (VG1 ) mit den Ausgangsverbindungen TiCU und AlC und ein zweites Vorläufergasgemisch (VG2) mit der Ausgangsverbindung NH3 als reaktive Stickstoffverbindung voneinander getrennt in den Reaktor eingeleitet, so dass eine Vermischung der beiden Gasströme erst bei Eintritt in die Reaktionszone erfolgte. Die Volumengasströme der Vorläufergasgemische (VG1 ) und (VG2) wurden so eingestellt, dass eine mittlere Verweilzeit τ des Reaktionsgases im Reaktor und ein Gesamtvolumenstrom unter Normbedingungen ^ erreicht wurde. Die Parameter bei der Herstellung der erfindungsgemäßen Tii-xAlxCyNz-Beschichtung 1 ) sowie der Vergleichsbe- schichtung 2) sind in Tabelle 2 wiedergegeben. Tabelle 2: Reaktionsbedingungen bei der Herstellung von Tii-xAlxCvNz-Beschichtungen
Figure imgf000017_0001
Zur Charakterisierung der erfindungsgemäßen Tii-xAlxCyNz-Lagen wurden Röntgenbeugung (XRD), Elektronenbeugung, insbesondere EBSD, Rasterelektronenmikroskopie (SEM), Raster- transmissionselektronenmikroskopie (STEM) und Transmissionselektronenmikroskopie (TEM) sowie Mikrohärtemessung angewendet.
Die Lagendicke der erfindungsgemäßen Tii-xAlxCyNz-Lage 1 ) betrug 4,5 μιη, und die Lagendicke der Vergleichslage 2) betrug 6,25 μιη. Die Mikrohärte der erfindungsgemäßen Lage 1 ) betrug 3070 HVo,o5, die Mikrohärte der Vergleichsbeschichtung 2) wurde mit 2300 HVo.os gemessen.
Die XRD-Analyse zeigte, dass die erfindungsgemäße Lage 1 ) im Wesentlichen aus reiner kubisch flächenzentrierter (fcc) Phase bestand und eine starke {1 1 1 }- Vorzugsorientierung des Kris- tallwachstums aufwies. Die Halbwertsbreite des {1 1 1 }- Reflexes betrug 0,64° 2Θ, und die Zusammensetzung der Schicht konnte mit etwa Tio,i95Alo,8osNi,o5 bestimmt werden.
Die Vergleichsbeschichtung 2) zeigte in der XRD-Analyse breite Signale im Bereich von 30° < 2Θ < 40°, welche von der eingesetzten Software als zwei Peaks (2Θ = 36,98°, FWHM = 1 ,28° und 2Θ = 37,83°, FWHM = 0,94°) angefittet wurden. Die hohe Peakbreite deutet auf eine feinkristalline Struktur hin. Die Zusammensetzung der Schicht betrug etwa Tio,3Alo,7N-i,o. Zu welchen Anteilen das XRD-Signal auf die {101 }-lnterferenz von hexagonalem AIN und auf den {1 1 1 }- Reflex von kubischem Tii-XAIXNZ zurückzuführen war, konnte anhand des Diffraktogramms nicht eindeutig bestimmt werden. Es ist jedoch davon auszugehen, dass signifikante Anteile von hexa- gonalem AIN in der Schicht vorliegen. Da im Winkelbereich 30° < 2Θ < 40° die Schichtinterferenzen mit der höchsten Intensität vorliegen, kann auf eine {1 1 1 } Vorzugsorientierung des kubischen Anteils der Tii-XAIXNZ-Lage geschlossen werden.
Die {101 }- bzw. {202}-lnterferenzen von hexagonalem AIN und der {1 1 1 }- bzw. {222}-Reflex von kubischem Tii-xAlxCyNz können sich je nach chemischer Zusammensetzung mehr oder weniger stark überlagern. Lediglich die Interferenz der {200}-Ebene des kubischen Tii-xAlxCyNz wird durch keine weiteren Interferenzen, wie z. B. durch den Substratkörper oder darüber oder darunter angeordnete Lagen, überlagert und besitzt für regellose Orientierung die höchste Intensität. Zur Beurteilung des Volumenanteils an hexagonalem AIN im Messvolumen und zur Vermeidung von Fehlinterpretationen bezüglich der {1 1 1}- und {200}-lntensitäten des kubischen Tii-xAlxCyNz, wurden daher Messungen (θ-29-Scans) unter zwei verschiedenen Kippwinkeln ψ (ψ = 0° und ψ = 54,74°) durchgeführt. Da der Winkel zwischen den Ebenennormalen von {1 1 1} und {200} etwa 54,74° beträgt, ergibt sich bei einer starken {1 1 1}- Fasertextur ein Intensitätsmaximum des {200}-Reflexes bei dem Kippwinkel ψ = 54,74°, während die Intensität des {1 1 1}-Reflexes gegen Null geht. Umgekehrt erhält man bei dem Kippwinkel ψ = 54,74° ein starkes Intensitätsmaximum des {1 1 1}- Reflexes bei einer starken {200}-Fasertextur, während die Intensität des {200}- Reflexes gegen Null geht. Für die hergestellten Tii-xAlxCyNz-Lagen wurde auf diese Weise überprüft, ob die gemessene Intensität bei 2Θ ~ 38,1 ° vornehmlich der kubisch flächenzentrierten Tii-xAlxCyNz-Phase zuzuordnen ist oder ob größere Anteile von hexagonalem AIN in der Schicht enthalten sind. Sowohl Röntgenbeugungsmessungen als auch EBSD-Messungen zeigten übereinstimmend nur sehr geringe Anteile hexagonaler AIN-Phase in den erfindungsgemäßen Lagen. Die chemische Zu- sammensetzung der erfindungsgemäßen Tii-XAIXN-Lage 1 ) war etwa Tio,i9Alo,8i N , was anhand der Position des {1 1 1}-Peaks nach dem Vegardschen Gesetz und unter Verwendung der entsprechenden {1 1 1}-Peakpositionen für reines fcc-TiN gemäß PDF-Karte 38-1420 und reinem fcc- AIN gemäß PDF-Karte 46-1200 als Referenzwerte berechnet wurde. Querschnitte der erfindungsgemäßen Tii-xAlxCyNz-Lagen wurden mittels Rasterelektronenmikroskopie (SEM), Rastertransmissionselektronenmikroskopie (STEM) und Transmissionselektronenmikroskopie (TEM) untersucht. Die erfindungsgemäße Lage 1 ) bestand aus kolumnaren Kris- talliten mit einer typischen Länge nahe der Lagendicke von etwa 3-4 μιτι und einer mittleren Breite, gemessen bei 50% der Dicke der Tii-xAlxCyNz-Lage, von etwa 200 nm. Das Länge-zu-Breite- Verhältnis betrug somit etwa 17,5. Rasterelektronenmikroskopische Aufnahmen (SEM) eines Querschliffs der Vergleichslage 2) zeigten eine feine Struktur, in der keine diskreten Kristallite erkennbar waren. In der Schicht war keine Lamellenstruktur erkennbar.
Die Figuren 1 und 2 zeigen Rasterelektronenmikroskopaufnahmen (SEM) der erfindungsgemä- ßen Lage l ).
Figur 3 zeigt STEM-Aufnahmen der erfindungsgemäßen Lage 1 ) im Hellfeldmodus (BF) (Figur 3A) und im " high angle annular dark field" (HAADF) Dunkelfeldmodus (Figur 3B). Deutlich ist die erfindungsgemäße lamellare Struktur in allen Kristalliten zu erkennen, wobei die Schärfe des Kontrasts von der Ausrichtung des Kristalliten relativ zu dem Elektronenstrahl abhängt. Die Dicke der Lamellen beträgt etwa 30nm. Die Aufnahmen der Figur 3 wurden etwa in der Mitte der Lage aufgenommen, jedoch wurden die kolumnaren Kristallite mit lamellarer Struktur in der gesamten Lage beobachtet. Die Richtung des Lagenwachstums verläuft in den Aufnahmen der Figur 3 von links nach rechts. In den Kristalliten, welche den höchsten Kontrast zeigen, sind Bereiche unterschiedlicher Dicken innerhalb der Lamellenstruktur zu erkennen. Durch EDS-Analyse konnte gezeigt werden, dass die schmaleren Bereiche der Lamellen, die im BF dunkel und im HAADF hell erscheinen, höhere Ti-Anteile und niedrigere AI-Anteile haben als die breiteren Bereiche. Der Stickstoffanteil war in den verschiedenen Bereichen jedoch innerhalb der Messgenauigkeit gleich hoch. Die mittels EDS bestimmte Gesamtzusammensetzung stimmte mit der durch XRD bestimmten Gesamtzusammensetzung überein.
Figur 4 zeigt eine hochauflösende HRTEM-Aufnahme der lamellaren Struktur der erfindungsge- mäßen Lage 1 ). Es sind zwei Lamellenbereiche zu erkennen, wobei die schmaleren Bereiche mit höherem Ti-Gehalt als dunkle Banden im oberen und unteren Bereich der Figur 4 zu erkennen sind. Von den drei in Figur 4 durch quadratische Rahmen markierten Bereichen (B, C, D) der Aufnahme gemäß Figur 4 wurden Fourier-Transformationen durchgeführt. Diese sind in Figur 5 als Figuren 5(B), 5(C) und 5(D) wiedergegeben. Die Rahmen B und D in Figur 4 (entsprechend Figuren 5(B) und 5(D)) decken die schmaleren, Ti-reicheren Bereiche ab, wogegen der Rahmen C in Figur 4 (entsprechend Figur 5(C)) einen breiteren, AI-reicheren Bereich abdeckt. Figur 5(A) zeigt die Fourier-Transformation der gesamten Figur 4.
Die Fourier-Transformationen der Figur 5 zeigen, dass die gesamte Struktur aus kubisch flächen- zentrierter (fcc) Phase besteht. Innerhalb der Genauigkeit der Methode stimmt die anhand der Muster der Fourier-Transformationen bestimmte Gitterkonstante von 4.04 Ä mit der durch XRD bestimmten Gitterkonstante von 4.08 Ä überein. Darüber hinaus zeigen die Figuren 5(B), 5(C) und 5(D), dass in den drei verschiedenen von diesen Figuren abgedeckten Bereichen der lamellaren Struktur die gleiche Kristallstruktur (fcc) und die gleiche Orientierung vorliegt.
Beispiel 2: Zerspanversuche
Die gemäß Beispiel 1 hergestellten Hartmetall-Wendeschneidplatten mit der erfindungsgemäßen TiAIN-Lage 1 ) bzw. der Vergleichslage 2) sowie eine Hartmetall-Wendeschneidplatte einer kommerziell erhältlichen Sorte eines Wettbewerbers wurden zum Fräsen von Gusswerkstoffen eingesetzt. Das Wettbewerberwerkzeug wies eine Mehrlagenbeschichtung der Lagenabfolge TiN (0,5 μιη) - TiCN (2 μιτι) - TiAIN (3 μιη) auf, wobei die TiAIN-Lage nach XRD-Analyse eindeutig aus einem Phasengemisch von hexagonalem AIN und kubischem Tii-XAIXNZ bestand. In SEM- Aufnahmen war eine zweiphasige Struktur mit teilweiser Ausbildung von Lamellen erkennbar, ähnlich der in der WO 2013/134796 beschriebenen Struktur. Mit den Schneideinsätzen wurden Fräsoperationen unter folgenden Schnittbedingungen durchgeführt:
Werkstückmaterial: Grauguss GG25
Gleichlauf, Trockenbearbeitung
Zahnvorschub: fz = 0,2 mm
Schnitttiefe: a = 3 mm
Schnittgeschwindigkeit: vc = 283 m/min
Einstellwinkel: κ = 45°
Arbeitseingriff: ae = 98 mm
Überstand: ue = 5 mm
Anschließend wurde die maximale Verschleissmarkenbreite Vß.max an der Hauptschneide nach
4000 m Fräsweg bestimmt:
Figure imgf000020_0001

Claims

P a t e n t a n s p r ü c h e
Werkzeug mit einem Grundkörper aus Hartmetall, Cermet, Keramik, Stahl oder Schnell- arbeitsstahl und einer darauf im CVD-Verfahren aufgebrachten ein- oder mehrlagigen Verschleißschutzbeschichtung mit einer Dicke im Bereich von 3 μιη bis 25 μιη, wobei die Verschleißschutzbeschichtung wenigstens eine Tii-xAlxCyNz-Lage mit Stöchiometriekoef- fizienten 0,70 < x < 1 , 0 < y < 0,25 und 0,75 < z < 1 ,15 und mit einer Dicke im Bereich von 1 ,5 μιη bis 17 μιτι aufweist, dadurch gekennzeichnet, dass
- die Tii-xAlxCyNz-Lage eine lamellare Struktur besitzt mit Lamellen mit einer Dicke von nicht mehr als 150 nm, vorzugsweise nicht mehr als 100 nm, besonders bevorzugt nicht mehr als 50 nm, wobei
- die Lamellen aus periodisch alternierenden Bereichen der Tii-xAlxCyNz-Lage mit abwechselnd unterschiedlichen stöchiometrischen Anteilen an Ti und AI gebildet sind, welche die gleiche Kristallstruktur (kristallographische Phase) aufweisen, und
- die Tii-xAlxCyNz-Lage wenigstens 90 Vol.-% kubisch flächenzentrierte (fcc) Kristallstruktur aufweist.
Werkzeug nach Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, dass die Tii-xAlxCyNz-Lage wenigstens 95 Vol.-%, vorzugsweise wenigstens 98 Vol.-%, besonders bevorzugt etwa 100 Vol.- % kubisch flächenzentrierte (fcc) Kristallstruktur aufweist.
Werkzeug nach einem der vorausgehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass in der Tii-xAlxCyNz-Lage mit Lamellen aus periodisch alternierenden Bereichen mit abwechselnd unterschiedlichen stöchiometrischen Anteilen an Ti und AI sich jeweils in Schicht- wachstums-Richtung unterhalb und oberhalb eines Bereichs der Lamellen anschließende Bereiche mit anderen Ti- und AI-Anteilen die gleiche kristallographische Orientierung aufweisen.
Werkzeug nach einem der vorausgehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Tii-xAlxCyNz-Lage eine kolumnare Mikrostruktur besitzt, wobei die kolumnaren Kristalli- te eine mittlere Länge aufweisen, welche wenigstens das 0,35-fache, vorzugsweise wenigstens das 0,5-fache, besonders bevorzugt wenigstens das 0,7-fache der Dicke der Tii-xAlxCyNz-Lage beträgt, und/oder
wobei die kolumnaren Kristallite ein Verhältnis der mittleren Länge zu der mittleren Breite, gemessen bei 50% der Dicke der Tii-xAlxCyNz-Lage, von wenigstens 2,5, vorzugsweise wenigstens 5, besonders bevorzugt wenigstens 7 aufweisen. Werkzeug nach einem der vorausgehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Tii-xAlxCyNz-Lage eine Vorzugsorientierung des Kristallwachstums bezüglich einer kristallografischen {hkl}-Ebene aufweist, gekennzeichnet durch einen Texturkoeffizienten TC (hkl) > 1 ,5, vorzugsweise > 2, besonders bevorzugt > 3, wobei der Texturkoeffizienten TC (hkl) wie folgt definiert ist:
Figure imgf000022_0001
wobei
- 1 (hkl) die durch Röntgenbeugung gemessenen Intensitäten der Beugungsreflexe sind,
- lo(hkl) die Standardintensitäten der Beugungsreflexe nach pdf-Karte 00-046-1200 sind,
- n die Anzahl der für die Berechnung verwendeten Reflexe ist und
- für die Berechnung von TC(hkl) die Reflexe (1 1 1 ), (200), (220) und (31 1 ) verwendet werden,
wobei die Vorzugsorientierung des Kristallwachstums der Tii-xAlxCyNz-Lage bezüglich der kristallografischen {1 1 1}-, {200}-, {220}- oder {31 1}-Ebene, besonders bevorzugt bezüglich der kristallografischen {1 1 1}-Ebene vorliegt.
Werkzeug nach einem der vorausgehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Tii-xAlxCyNz-Lage eine Vorzugsorientierung des Kristallwachstums bezüglich einer kristallografischen {hkl}-Ebene aufweist, welche dadurch charakterisiert ist, dass das Maximum des Röntgenbeugungspeaks der kristallografischen {hkl}-Ebene, gemessen durch Röntgenbeugungsdiffraktometrie (XRD) und/oder Elektronen-Rückstreubeugung (EBSD), innerhalb eines Winkels α = ±20 Grad, vorzugsweise innerhalb eines Winkels a = ±10 Grad, besonders bevorzugt innerhalb eines Winkels α = ±5 Grad, ganz besonders bevorzugt innerhalb eines Winkels α = ±1 Grad zur Senkrechen auf die Oberfläche des Grundkörpers gemessen wird, wobei die Vorzugsorientierung des Kristallwachstums der Tii-xAlxCyNz-Lage bezüglich der kristallografischen {1 1 1}-, {200}-, {220}- oder {31 1}- Ebene, besonders bevorzugt bezüglich der kristallografischen {1 1 1}-Ebene vorliegt.
Werkzeug nach einem der vorausgehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Halbwertsbreite (FWHM) wenigstens eines der Röntgenbeugungspeaks der kristallografischen {1 1 1}-, {200}-, {220}- und {31 1}-Ebenen < 1 ° 2Θ, vorzugsweise < 0,6° 2Θ, besonders bevorzugt < 0,45° 2Θ beträgt, vorzugsweise die Halbwertsbreite (FWHM) des Röntgenbeugungspeaks der kristallografischen {1 1 1}-Ebene.
Werkzeug nach einem der vorausgehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Tii-xAlxCyNz-Lage eine Vorzugsorientierung des Kristallwachstums bezüglich der kris- tallografischen {1 1 1}-Ebene aufweist, die durch ein Verhältnis der Intensitäten der Rönt- genbeugungspeaks der kristallografischen {1 1 1}-Ebene und der {200}-Ebene, l{1 1 1} bzw. I{200}, charakterisiert ist, bei dem l{1 1 1} / 1{200} > 1 +h (In h)2, vorzugsweise l{1 1 1} / 1{200} > 1 +(h+3)x(ln h)2 beträgt, wobei h die Dicke der Tii-xAlxCyNz-Lage in "μιτι" ist.
Werkzeug nach einem der vorausgehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Tii-xAlxCyNz-Lage Stöchiometriekoeffizienten 0,70 < x < 1 , y = 0 und 0,95 < z < 1 ,15 aufweist.
Werkzeug nach einem der vorausgehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Tii-xAlxCyNz-Lage eine Vickers-Härte (HV) > 2300 HV, vorzugsweise > 2750 HV, besonders bevorzugt > 3000 HV aufweist.
Werkzeug nach einem der vorausgehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen dem Grundkörper und der Tii-xAlxCyNz-Lage wenigstens eine weitere Hartstoff- lage mit einer Dicke von 0,05 μιη bis 7 μιτι, vorzugsweise von 0,1 μιη bis 5 μιη, besonders bevorzugt von 0,2 μιτι bis 3 μιη, angeordnet ist, ausgewählt unter einer TiN-Lage, einer mittels Hochtemperatur-CVD (CVD) oder Mitteltemperatur-CVD (MT-CVD) abgeschiedenen TiCN-Lage, einer
Figure imgf000023_0001
und Kombinationen davon und/oder
über der Tii-xAlxCyNz-Lage wenigstens eine weitere Hartstofflage angeordnet ist, vorzugsweise wenigstens eine
Figure imgf000023_0002
der Modifikation Y-AI2O3, K-AI2O3 oder 01-AI2O3, besonders bevorzugt eine a-A Oß-Lage, wobei die A Oß-Lage mittels Hochtemperatur- CVD (CVD) oder Mitteltemperatur-CVD (MT-CVD) abgeschieden ist.
Verfahren zur Herstellung eines Werkzeugs nach einem der vorausgehenden Ansprüche, wobei zur Herstellung der Tii-xAlxCyNz-Lage mit lamellarer Struktur
a) der zu beschichtende Körper in einem im Wesentlichen zylindrischen CVD- Reaktor platziert werden, der für ein Anströmen der zu beschichtenden Körper mit den Prozessgasen in einer Richtung im Wesentlichen radial zur Längsachse des Reaktors ausgelegt ist,
b) zwei Vorläufergasgemische (VG1 ) und (VG2) bereitgestellt werden, wobei das erste Vorläufergasgemisch (VG1 ) 0,005% bis 0,
2 Vol.-% TiCI4, 0,025% bis 0,5 Vol.-% AICI3 und als Trägergas Wasserstoff (H2) oder ein Gemisch aus Wasserstoff und Stickstoff (H2/N2) enthält und das zweite Vorläufergasgemisch (VG2) 0,1 bis 3,0 Vol.-% wenigstens eines N-Donors, ausgewählt unter Ammoniak (NH3) und Hydrazin (N2H4), und als Trägergas Wasserstoff (H2) oder ein Gemisch aus Wasserstoff und Stickstoff (H2/N2) enthält, und das erste Vorläufergasgemisch (VG1 ) und/oder das zweite Vorläufergasgemisch (VG2) gegebenenfalls einem C- Donor, ausgewählt unter Acetonitril (CH3CN), Ethan (C2H6) , Ethen (C2H4) und Ethin (C2H2) und Gemischen davon, enthält, wobei der Gesamt-Vol.-%-Anteil von N-Donor und C-Donor in den Vorläufergasgemischen (VG1 , VG2) im Bereich von 0,1 bis 3,0 Vol.-% liegt,
c) die zwei Vorläufergasgemische (VG1 , VG2) vor dem Eintritt in die Reaktionszone getrennt gehalten werden und bei einer Prozesstemperatur im CVD-Reaktor im Bereich von 600°C bis 850 °C und einem Prozessdruck im CVD-Reaktor im Bereich von 0,05 bis 18 kPa im Wesentlichen radial zur Längsachse des Reaktors eingeleitet werden,
wobei die Volumengasströme { V ) der Vorläufergasgemische (VG1 , VG2) so gewählt werden, dass die mittlere Verweilzeit (τ ) im CVD-Reaktor weniger als 1 Sekunde beträgt.
3. Verfahren nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass die Volumengasströme { V ) der Vorläufergasgemische (VG1 , VG2) so gewählt werden, dass die mittlere Verweilzeit (τ ) im CVD-Reaktor weniger als 0,5 Sekunden, vorzugsweise weniger als 0,35 Sekunden beträgt.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 12 oder 13, dadurch gekennzeichnet, dass die Prozesstemperatur im CVD-Reaktor im Bereich von 625°C bis 800 °C, vorzugsweise im Bereich von 650°C bis 725 °C liegt und/oder der Prozessdruck im CVD-Reaktor im Bereich von 0,05 bis 8 kPa, vorzugsweise im Bereich von 0,1 bis 7 kPa liegt.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 12 bis 14, dadurch gekennzeichnet, dass das Verhältnis der Volumengasströme { V ) der Vorläufergasgemische (VG1 , VG2)
F (VG1 ) / V (VG2) kleiner als 1 ,5, vorzugsweise kleiner als 1 ,25, besonders bevorzugt kleiner als 1 ,15 beträgt.
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