WO2015104755A1 - エピタキシャルウェーハの製造方法およびエピタキシャルウェーハ - Google Patents

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栗田　一成
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    • H10P36/03—Gettering within semiconductor bodies within silicon bodies

Definitions

  • the present invention relates to an epitaxial wafer manufacturing method and an epitaxial wafer, and more particularly to a method of manufacturing an epitaxial wafer having excellent gettering ability while suppressing formation of epitaxial defects.
  • an epitaxial wafer is produced by growing an epitaxial layer on a silicon wafer, and the epitaxial layer on the surface is used as a device formation region.
  • heavy metals are mixed into the wafer.
  • heavy metals such as cobalt, copper, and nickel
  • device characteristics such as a pause time failure, a retention failure, a junction leak failure, and a dielectric breakdown of an oxide film are significantly adversely affected. Therefore, in order to prevent heavy metals from diffusing into the device formation region, it is usual to employ a gettering method.
  • the gettering method includes an intrinsic gettering method (IG method) in which oxygen is precipitated inside the wafer and the formed oxygen precipitate is used as a gettering site, and sandblasting is performed on the back surface of the wafer.
  • IG method intrinsic gettering method
  • EG method extrinsic gettering method in which mechanical strain is applied using a method or the like, or a polycrystalline silicon film or the like is formed as a gettering site.
  • Patent Document 1 discloses that a carbon ion is implanted into the surface of a silicon wafer, and the surface portion of the silicon wafer contains a high-concentration carbon (hereinafter, “ After producing a silicon wafer having a gettering layer made of a high concentration carbon region), an epitaxial layer having an excellent gettering capability is produced by forming an epitaxial layer on the surface of the silicon wafer. Technology has been proposed.
  • Patent Document 2 discloses that a cluster of ions in which a plurality of atoms or molecules are gathered to form a lump is implanted into a very shallow position near the surface of a silicon wafer to obtain a getter composed of a high-concentration element region.
  • a technique for manufacturing an epitaxial wafer that solves the problem of disorder of crystallinity on the wafer surface by forming a modified layer as a ring layer and has a better gettering ability is described.
  • the modified layer formed by cluster ion irradiation described in Patent Document 2 has higher gettering ability than the gettering layer obtained by the ion implantation method described in Patent Document 1.
  • the miniaturization of devices is progressing more and more, the demand for countermeasures against metal contamination has been increased, and further improvement in gettering capability is desired.
  • the dose of cluster ions to be irradiated may be increased.
  • the present inventors performed irradiation with cluster ions while increasing the dose, and produced an epitaxial wafer. As a result, crystal defects (that is, epitaxial defects) formed in the epitaxial layer were produced. Turned out to increase.
  • an object of the present invention is to provide a method of manufacturing an epitaxial wafer having excellent gettering ability while suppressing formation of epitaxial defects.
  • the gist of the present invention is as follows. (1) At least a dose of 2.0 ⁇ 10 14 / cm 2 to 1.0 ⁇ 10 16 / cm 2 on the surface of a silicon wafer having a resistivity of 0.001 ⁇ ⁇ cm to 0.1 ⁇ ⁇ cm. A cluster ion irradiation step of irradiating cluster ions containing carbon to form a modified layer in which the constituent elements of the cluster ions are dissolved in the surface portion of the silicon wafer, and on the modified layer of the silicon wafer And an epitaxial layer forming step of forming an epitaxial layer having a higher resistivity than that of the silicon wafer.
  • a silicon wafer having a low resistivity is used as the substrate of the epitaxial wafer, an epitaxial wafer having an excellent gettering ability can be obtained while suppressing the formation of epitaxial defects.
  • the diffusion of oxygen and dopant from the silicon wafer to the epitaxial layer is suppressed, and the resistivity of the epitaxial layer is reduced. Fluctuations can be suppressed.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view for explaining a method of manufacturing an epitaxial wafer according to the present invention.
  • the surface 10A of the silicon wafer 10 is irradiated with cluster ions 16 containing at least carbon, and the constituent elements of the cluster ions 16 are dissolved in the surface portion of the silicon wafer 10.
  • a cluster ion irradiation step for forming the modified layer 18 (FIGS. 1A to 1C), and an epitaxial layer 20 having a higher resistivity than that of the silicon wafer 10 is formed on the modified layer 18 of the silicon wafer 10.
  • FIG. 1D An epitaxial layer forming step (FIG. 1D).
  • a silicon wafer having a resistivity of 0.001 ⁇ ⁇ cm or more and 0.1 ⁇ ⁇ cm or less is used as the silicon wafer 10, and the irradiation of the cluster ions 16 is performed at 2.0 ⁇ 10 14 atoms / cm 2 or more and 1 It is important to carry out at a dose of 0.0 ⁇ 10 16 atoms / cm 2 or less.
  • the gettering ability of the epitaxial wafer can be improved by increasing the dose amount of the cluster ions when the silicon wafer is irradiated with cluster ions to impart the gettering ability to the epitaxial wafer.
  • the use of a silicon wafer having a low resistivity can suppress the occurrence of defects in the epitaxial layer. This is probably because the thermal conductivity of the silicon wafer itself is lowered by adding a dopant at a high concentration, and the heat generated when the cluster ions collide with the silicon wafer surface becomes difficult to be removed. It seems that the generated damage on the surface of the silicon wafer is easily recovered by the heat generated by the irradiation of cluster ions.
  • an epitaxial wafer having excellent gettering ability while suppressing the formation of epitaxial defects can be produced. If the resistivity exceeds 0.1 ⁇ ⁇ cm, the resistance is high, so that a sufficient effect of suppressing the formation of epitaxial defects cannot be obtained. If the resistivity is less than 0.001 ⁇ ⁇ cm, it is difficult to grow silicon crystals themselves. Become.
  • the dose amount of the cluster ion irradiation is 2.0 ⁇ 10 14 atoms / cm 2 or more, the dopant and oxygen in the silicon wafer are diffused into the epitaxial layer even after the heat treatment in the device formation process. It can suppress and it can suppress that the resistivity of an epitaxial layer fluctuates. This is probably because dopant diffusion is facilitated by interstitial silicon, but high concentrations of carbon and interstitial silicon due to cluster ion irradiation combine to reduce the concentration of interstitial silicon, resulting in dopant diffusion. This is considered to be suppressed.
  • the dose amount exceeds 1.0 ⁇ 10 16 atoms / cm 2 , the crystallinity disorder on the outermost surface of the silicon wafer becomes too large, increasing the number of defects generated in the epitaxial layer during the epitaxial growth process. There is a risk that.
  • a silicon wafer having a resistivity of 0.001 ⁇ ⁇ cm or more and 0.1 ⁇ ⁇ cm or less is used as a substrate, and 2.0 ⁇ 10 14 atoms / cm 2 or more and 1.0 ⁇ 10 16 atoms / cm 2.
  • a silicon wafer 10 having a resistivity of 0.001 ⁇ ⁇ cm or more and 0.1 ⁇ ⁇ cm or less is prepared as a substrate of the epitaxial wafer 100 (FIG. 1A).
  • the resistivity in the present invention can be measured by a measurement method such as a diffusion spread resistance measurement method (SR method; Spreading Resistance Analysis) or a four-point probe method.
  • SR method diffusion spread resistance measurement method
  • SR method Spreading Resistance Analysis
  • Such a single crystal silicon ingot that is a material of the silicon wafer 10 can be grown, for example, by the Czochralski method (CZ method).
  • the seed crystal can be grown by immersing the seed crystal in a silicon melt supplied in the quartz crucible and pulling up the seed crystal while rotating the quartz crucible and the seed crystal.
  • the adjustment of the resistivity to the above range can be performed by adjusting the amount of dopant introduced into the quartz crucible.
  • any dopant such as boron, phosphorus, antimony, arsenic, etc. can be used as the dopant. Since arsenic and antimony are very easy to evaporate, it is difficult to sufficiently increase the dopant concentration in the silicon crystal, and it is difficult to manufacture a silicon crystal having a low resistivity.
  • boron or phosphorus has a segregation coefficient closer to 1, and a silicon wafer having a low resistivity can be manufactured. Therefore, boron or phosphorus is preferably used. In particular, when boron is used, there is an advantage that the gettering effect for Fe or the like having a relatively low diffusion rate is enhanced.
  • the surface 10A of the prepared silicon wafer 10 having a low resistivity is irradiated with cluster ions 16 in which a cluster containing at least carbon is ionized (FIG. 1B).
  • Irradiation of the cluster ions 16 can introduce the constituent elements of the cluster ions 16 into the surface portion of the silicon wafer 10 with energy lower than that of the monomer ions. Therefore, compared to the case of injecting the monomer ions, The position of the maximum concentration of the constituent elements can be located closer to the surface 10A. Further, since the range in the wafer depth direction in which the constituent elements of the cluster ions 16 are distributed can be narrowed, the maximum concentration of the constituent elements of the cluster ions 16 can be increased. Furthermore, since the cluster ions 16 are irradiated with low energy, the reduction in crystallinity on the surface of the silicon wafer 10 can be suppressed.
  • clusters C n H m (3 ⁇ n ⁇ 16, 3 ⁇ m ⁇ 10) formed from pyrene (C 16 H 10 ), dibenzyl (C 14 H 14 ), or the like. ) Is preferably used.
  • the dose amount of the cluster ions 16 is 2.0 ⁇ 10 14 atoms / cm 2 or more and 1.0 ⁇ 10 16 atoms / cm 2 or less. As described above, when the dose amount is less than 2.0 ⁇ 10 14 atoms / cm 2 , diffusion of dopant and oxygen from the silicon wafer into the epitaxial layer cannot be suppressed. On the other hand, when the dose amount exceeds 1.0 ⁇ 10 16 atoms / cm 2 , the crystallinity disorder on the outermost surface of the silicon wafer becomes too large, and defects may be generated in the epitaxial layer during the epitaxial growth process. .
  • the peak concentration of the concentration profile of the constituent elements in the modified layer 18 in the depth direction Is in the range of 9.0 ⁇ 10 18 atoms / cm 3 or more and 1.0 ⁇ 10 21 atoms / cm 3 or less.
  • the “concentration profile in the depth direction of the constituent element” means not a total but a profile of each individual element when the constituent element includes two or more elements.
  • the depth position of the modified layer 18 as a gettering layer depends on the acceleration voltage and cluster size of the cluster ions 16.
  • the acceleration voltage of the cluster ions 16 is set to be greater than 0 keV / atom and less than or equal to 50 keV / atom. Preferably, it is 40 keV / atom or less.
  • the cluster size is 2 or more, preferably 50 or less.
  • cluster size means the number of atoms or molecules constituting one cluster.
  • two or more elements including carbon as a constituent element that is, one or more elements other than carbon are included.
  • the type of metal that can be efficiently gettered differs depending on the type of the deposited element, but it is possible to cope with a wider range of metal contamination by dissolving two or more elements in solid solution.
  • hydrogen, phosphorus, boron, and the like can be included.
  • nickel and copper can be efficiently gettered
  • boron Copper
  • iron can be efficiently gettered.
  • the modified layer 18 as a gettering layer made of a high-concentration carbon region is formed on the surface portion of the silicon wafer 10, and the silicon wafer 10 having an excellent gettering capability can be obtained.
  • an epitaxial layer 20 is formed on the surface 10A of the silicon wafer 10 (FIG. 1D).
  • the epitaxial layer 20 is specifically a silicon epitaxial layer.
  • the resistivity of the epitaxial layer 20 is set to a value larger than the resistivity of the silicon wafer 10, for example, a value in the range of more than 0.01 ⁇ ⁇ cm and 100 ⁇ ⁇ cm.
  • the resistivity is 10 times or more of the resistivity of the silicon wafer 10.
  • the thickness of the epitaxial layer 20 can be arbitrarily set according to the design, but is preferably 1 ⁇ m or more and 15 ⁇ m or less.
  • the epitaxial layer 20 can be formed by a known general method. For example, hydrogen is used as a carrier gas and a source gas such as dichlorosilane or trichlorosilane is introduced into the chamber, and is epitaxially grown on the silicon wafer 10 by chemical vapor deposition (CVD: Chemical Vapor Deposition) at about 1000 to 1150 ° C. Can be made.
  • CVD Chemical Vapor Deposition
  • recovery heat treatment may be performed using a heat treatment apparatus separate from the epitaxial apparatus after the cluster ion irradiation process and before the epitaxial layer forming process.
  • This recovery heat treatment may be performed at 500 ° C. to 1100 ° C. for 10 seconds to 1 hour.
  • the reason why the heat treatment temperature is 500 ° C. or more and 1100 ° C. or less is that if the temperature is less than 500 ° C., it is difficult to obtain the crystallinity recovery effect. This is because slip occurs and the heat load on the apparatus increases.
  • the heat treatment time is set to 10 seconds or more and 1 hour or less because a recovery effect is difficult to be obtained if the heat treatment time is less than 10 seconds. This is because it becomes larger.
  • Such recovery heat treatment can be performed using, for example, a rapid heating / cooling heat treatment apparatus such as RTA or RTO, or a batch heat treatment apparatus (vertical heat treatment apparatus, horizontal heat treatment apparatus). Since the former is a lamp irradiation heating method, it is not suitable for long-time treatment in terms of the device structure, and is suitable for heat treatment within 15 minutes. On the other hand, in the latter, although it takes time to raise the temperature to a predetermined temperature, a large number of wafers can be processed simultaneously. In addition, because of the resistance heating method, long-time heat treatment is possible. An appropriate heat treatment apparatus may be selected in consideration of the irradiation conditions of the cluster ions 16.
  • An epitaxial wafer 100 according to the present invention shown in FIG. 1D is formed on a silicon wafer 10 having a resistivity of 0.001 ⁇ ⁇ cm to 0.1 ⁇ ⁇ cm and a surface portion of the silicon wafer 10.
  • the silicon wafer 10 has a modified layer 18 in which a predetermined element containing at least carbon is dissolved, and an epitaxial layer 20 having a higher resistivity than the silicon wafer 10 is formed on the modified layer 18. .
  • the half-value width of the concentration profile in the depth direction of the predetermined element in the modified layer 18 is 100 nm or less, and the peak concentration of the concentration profile in the modified layer 18 is 9.0 ⁇ 10 18 atoms / cm 3 or more 1 0.0 ⁇ 10 21 atoms / cm 3 or less.
  • this epitaxial wafer 100 uses a silicon wafer 10 having a low resistivity as a substrate, it is formed in an epitaxial layer as compared with the case where a silicon wafer having a high resistivity (for example, 10 ⁇ ⁇ cm) is used.
  • the number of epitaxial defects is small.
  • carbon whose peak concentration in the concentration profile is 9.0 ⁇ 10 18 atoms / cm 3 or more and 1.0 ⁇ 10 21 atoms / cm 3 or less immediately below the surface portion of the silicon wafer 10, that is, immediately below the epitaxial layer 20.
  • a modified layer 18 made of a high-concentration carbon region.
  • the “concentration profile in the depth direction” in this specification means a concentration distribution in the depth direction measured by secondary ion mass spectrometry (SIMS; Secondary Iron Mass Spectrometry).
  • SIMS Secondary Iron Mass Spectrometry
  • the “half-value width of the concentration profile in the depth direction of the predetermined element” is the SIMS in a state where the epitaxial layer is thinned to 1 ⁇ m when the thickness of the epitaxial layer exceeds 1 ⁇ m in consideration of measurement accuracy. This means the half width when the concentration profile of the predetermined element is measured.
  • the peak of the concentration profile in the modified layer 18 may be located within a depth of 150 nm or less from the surface of the silicon wafer 10. preferable.
  • the predetermined element is preferably two or more elements including carbon.
  • the thickness in the depth direction of the modified layer 18 can be approximately in the range of 30 to 400 nm.
  • the epitaxial wafer 100 according to the present invention is an epitaxial wafer having excellent gettering ability that has few epitaxial defects and can suppress diffusion of dopant and oxygen in the silicon wafer into the epitaxial layer during the heat treatment in the device formation process. .
  • the dose amount of cluster ions is 1.0 ⁇ 10 15 atoms / cm 2 (Invention Example 1), 5 ⁇ 10 15 atoms / cm 2 (Invention Example 2), 2 ⁇ 10 14 atoms / cm 2 (Invention).
  • the three levels of Example 3) were set.
  • the silicon wafer was transferred into a single wafer epitaxial growth apparatus (manufactured by Applied Materials) and subjected to a hydrogen baking process at a temperature of 1120 ° C. for 30 seconds in the apparatus. Thereafter, an epitaxial layer of silicon (thickness: 4.0 ⁇ m, dopant: boron, resistivity: about 0.3 ⁇ ⁇ resistivity) on a silicon wafer by CVD at 1150 ° C. using hydrogen as a carrier gas and trichlorosilane as a source gas. cm) was epitaxially grown into an epitaxial wafer according to the present invention.
  • Comparative Examples 1 to 4 As Comparative Example 1, except that a silicon wafer having a resistivity of about 10 ⁇ ⁇ cm was used as the substrate, a comparison was made in the same manner as in Inventive Example 1 (that is, the dose was 1.0 ⁇ 10 15 atoms / cm 2 ). An epitaxial wafer according to Example 1 was produced. As Comparative Example 2, Comparative Example 2 was carried out in the same manner as in Inventive Example 2 (ie, the dose was 5 ⁇ 10 15 atoms / cm 2 ) except that a silicon wafer having a resistivity of about 10 ⁇ ⁇ cm was used as the substrate. The epitaxial wafer which concerns on this was produced.
  • an epitaxial wafer according to Comparative Example 3 was produced in the same manner as Invention Example 1 except that the silicon wafer was not irradiated with cluster ions.
  • an epitaxial wafer according to Comparative Example 4 was produced in the same manner as Invention Example 1 except that the dose amount of cluster ions was changed to a low dose amount of 1 ⁇ 10 14 atoms / cm 2 .
  • the number of epitaxial defects formed in the epitaxial layer was evaluated.
  • the surface defect inspection apparatus manufactured by KLA-Tencor: Surfscan SP-1
  • the observation mode is DCN mode (Dark Field Composite Normal mode)
  • the size (diameter) is 90 nm or more in DWN mode (Dark Field Wide Normal mode) and DNN mode (Dark Field Narrow Normal mode).
  • the measurement was performed under the condition of detecting LPD of 110 nm or more.
  • the epitaxial wafers of Invention Example 1 and Invention Example 2 having an increased dose amount have a lower number of epitaxial defects and a lower resistivity than the epitaxial wafers of Comparative Example 1 and Comparative Example 2 having the same dose amount. It was confirmed that the formation of epitaxial defects can be suppressed by using the substrate having the same.
  • the epitaxial wafers of Comparative Example 3 that was not irradiated with cluster ions and Comparative Example 4 having a low dose of 1 ⁇ 10 14 atoms / cm 2 had a small number of epitaxial defects.
  • each of the epitaxial wafers of Invention Examples 1 to 3 and Comparative Examples 1 to 4 was evaluated for gettering ability. Specifically, the epitaxial layer surface of each epitaxial wafer is intentionally contaminated with a Cu contamination liquid (1.0 ⁇ 10 13 / cm 2 ) using a spin coat contamination method, and then subjected to a diffusion heat treatment at 1000 ° C. for 1 hour. gave. Then, the concentration peak of Cu was evaluated by performing SIMS measurement. As a result, all of the epitaxial wafers of Invention Examples 1 to 3 (and Comparative Examples 1 and 2) detected a peak concentration of Cu of 1 ⁇ 10 16 atoms / cm 2 or more, but were not irradiated with cluster ions. In the epitaxial wafers of Comparative Example 3 and Comparative Example 4 having a low dose, no Cu concentration peak was observed. It was confirmed that the gettering ability was improved by increasing the dose when irradiating cluster ions.
  • a Cu contamination liquid 1.0 ⁇ 10 13 / cm 2
  • Simulated heat treatment gas atmosphere: nitrogen atmosphere containing 3% by volume of oxygen, heat treatment temperature: heat treatment at a maximum temperature of 900 ° C. or less
  • total heat treatment time 60 hours
  • the same evaluation was performed on the epitaxial wafers of Invention Example 3 and Comparative Example 3 that were not subjected to simulated heat treatment. The measurement results are shown in FIG. As is clear from FIG.
  • the interface between the epitaxial layer and the silicon wafer in the epitaxial layer is greater after the simulated heat treatment than before the simulated heat treatment. It can be seen that the oxygen concentration increases in the nearby region.
  • the dose amount of cluster ions is 2 ⁇ 10 14 atoms / cm 2
  • the oxygen concentration profile before the simulated heat treatment and the oxygen concentration profile after the simulated heat treatment are substantially the same. It can be seen that the oxygen concentration rather decreases in the region near the interface with the wafer.
  • FIG. 4 is a diagram for explaining how the resistivity variation in the silicon wafer is suppressed by the epitaxial wafer manufacturing method according to the present invention.
  • 4A shows the resistivity distribution in the depth direction before and after the simulated heat treatment in the epitaxial wafer of Comparative Example 3
  • FIG. 4B shows the before and after the simulated heat treatment in the epitaxial wafer of Invention Example 3.
  • the resistivity distribution in the depth direction is shown.
  • the resistivity distribution in the depth direction is measured by the SR method using a resistivity measuring device (model number: SSM2000, manufactured by Nippon SSM Co., Ltd.).
  • Comparative Example 3 the resistivity decreases in the region near the interface between the epitaxial layer and the silicon wafer in the epitaxial layer after the simulated heat treatment. I understand that. In contrast, in Invention Example 3, it can be seen that the resistivity hardly fluctuates in the region near the interface between the epitaxial layer and the silicon wafer in the epitaxial layer.
  • an epitaxial wafer having excellent gettering ability can be manufactured, which can suppress the diffusion of dopant and oxygen in a silicon wafer to the epitaxial layer during the heat treatment in the device formation process while suppressing the formation of epitaxial defects. This is useful in the semiconductor wafer manufacturing industry.

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Abstract

　エピタキシャル欠陥の形成を抑制しつつ、優れたゲッタリング能力を有するエピタキシャルウェーハを製造する方法を提供する。０．００１Ω・ｃｍ以上０．１Ω・ｃｍ以下の抵抗率を有するシリコンウェーハ１０の表面に２．０×１０14／ｃｍ2以上１．０×１０16／ｃｍ2以下のドーズ量で少なくとも炭素を含むクラスターイオン１６を照射して、シリコンウェーハ１０の表面部に、クラスターイオン１６の構成元素が固溶してなる改質層１８を形成するクラスターイオン照射工程と、シリコンウェーハ１０の改質層１８上にシリコンウェーハ１０よりも高い抵抗率を有するエピタキシャル層２０を形成するエピタキシャル層形成工程とを有することを特徴とする。

Description

エピタキシャルウェーハの製造方法およびエピタキシャルウェーハ
　本発明は、エピタキシャルウェーハの製造方法およびエピタキシャルウェーハに関し、特に、エピタキシャル欠陥の形成を抑制しつつ、優れたゲッタリング能力を有するエピタキシャルウェーハを製造する方法に関する。
　近年、シリコンデバイスの微細化が益々進行し、デバイス形成領域において、リーク電流の増大やキャリアのライフタイム短縮の原因となる結晶欠陥が存在しないことが要求されている。この要求に応えるために、シリコンウェーハ上にエピタキシャル層を成長させたエピタキシャルウェーハを作製し、表面のエピタキシャル層をデバイス形成領域として使用している。
　さて、シリコンデバイスの製造プロセスにおける問題点の１つとして、ウェーハ中への重金属の混入が挙げられる。例えば、コバルト、銅やニッケルといった重金属がウェーハ中に混入した場合、ポーズタイム不良、リテンション不良、接合リーク不良、及び酸化膜の絶縁破壊といったデバイス特性に著しい悪影響をもたらす。そこで、デバイス形成領域に重金属が拡散するのを抑制するために、ゲッタリング法を採用するのが通例である。
　このゲッタリング法としては、ウェーハ内部に酸素を析出させ、形成された酸素析出物をゲッタリングサイトとして利用するイントリンシック・ゲッタリング法（ＩＧ法；Intrinsic Gettering method）と、ウェーハの裏面に、サンドブラスト法等を用いて機械的歪みを与えたり、多結晶シリコン膜等を形成してゲッタリングサイトにしたりする、エクストリンシック・ゲッタリング法（ＥＧ法；Extrinsic Gettering method）がある。
　しかし、デバイス形成プロセスの低温化およびシリコンウェーハの大口径化により、シリコンウェーハ、ひいてはエピタキシャルウェーハに対してゲッタリング能力を十分に付与できない問題が生じている。すなわち、形成プロセス温度の低温化により、ウェーハ内部に酸素析出物を形成させることが困難となっている。また、３００ｍｍ以上の口径を有するシリコンウェーハに対しては、その主面ばかりでなく裏面に対しても鏡面研磨処理を施すのが通例であり、ウェーハの裏面に機械的歪みを与えたり、多結晶シリコン膜等を形成したりできない状況にある。
　このように、現在、ウェーハに対してゲッタリング能力を付与するのが困難な状況にある。
　こうした背景の下、エピタキシャルウェーハにゲッタリング能力を付与する方法として、特許文献１には、炭素イオンをシリコンウェーハ表面に注入し、シリコンウェーハの表面部に高濃度の炭素を含む領域（以下、「高濃度炭素領域」と称する）からなるゲッタリング層を形成したシリコンウェーハを作製した後、このシリコンウェーハの表面上にエピタキシャル層を形成することにより、優れたゲッタリング能力を有するエピタキシャルウェーハを作製する技術が提案されている。
　しかし、シリコンウェーハ上にエピタキシャル層を形成する際、あるいはデバイス形成領域上にデバイス素子を形成する際に、汚染金属がウェーハ表面に付着すると、汚染金属は、上記したデバイス形成プロセスの低温化によりデバイス形成領域から離れることができず、ウェーハ表面から深い位置に存在するゲッタリングサイトに捕獲されない懸念がある。
　また、ウェーハ表面から深い位置に炭素イオンを高濃度で注入してゲッタリング層を形成するためには、炭素イオンの加速電圧を高める必要があり、その結果、ウェーハ表面の結晶性が悪化して、その上に成長されるエピタキシャル層に欠陥を発生させる問題もある。
　こうした問題を解決する方法として、特許文献２には、原子または分子が複数集合して塊となったクラスターのイオンをシリコンウェーハ表面近傍のごく浅い位置に注入して、高濃度素領域からなるゲッタリング層としての改質層を形成することにより、ウェーハ表面の結晶性の乱れの問題を解決し、かつより優れたゲッタリング能力を有するエピタキシャルウェーハを製造する技術について記載されている。
特開平５－１５２３０４号公報 国際公開第２０１２／１７１６２号パンフレット
　特許文献２に記載されたクラスターイオン照射により形成された改質層は、特許文献１に記載されたイオン注入法により得られたゲッタリング層に比べて高いゲッタリング能力を有している。しかし、上述のように、デバイスの微細化が益々進行していることから、金属汚染対策への要求も厳しさを増しており、ゲッタリング能力の更なる向上が望まれている。
　特許文献２に記載されたクラスターイオン照射技術において、エピタキシャルウェーハのゲッタリング能力を向上させるためには、照射するクラスターイオンのドーズ量を増加させればよい。しかしながら、本発明者らは、ゲッタリング能力を向上させるべく、ドーズ量を増加させてクラスターイオンの照射を行い、エピタキシャルウェーハを作製したところ、エピタキシャル層に形成される結晶欠陥（すなわち、エピタキシャル欠陥）が増加することが判明した。
　このように、クラスターイオン照射技術によりエピタキシャルウェーハにゲッタリング能力を付与するに当たり、ゲッタリング能力の向上とエピタキシャル欠陥の低減はトレードオフの関係にあり、エピタキシャル欠陥の形成を抑制しつつ、優れたゲッタリング能力を有するエピタキシャルウェーハを製造する方途を確立する必要がある。
　そこで、本発明の目的は、エピタキシャル欠陥の形成を抑制しつつ、優れたゲッタリング能力を有するエピタキシャルウェーハを製造する方途を提供することにある。
　発明者らは、上記課題を解決する方途について鋭意検討した。その結果、クラスターイオン照射技術によりゲッタリング能力が高めたられたエピタキシャルウェーハを提供するに当たり、エピタキシャルウェーハの基板であるシリコンウェーハの抵抗率を低減することが、エピタキシャル層における欠陥の発生を抑制するのに有効であることを見出した。
　しかし、一般的に、抵抗率の低いシリコンウェーハを用いて、シリコンウェーハよりも高い抵抗率のエピタキシャル層を形成したエピタキシャルウェーハは、デバイス形成工程における熱処理等により、シリコンウェーハ中のドーパントや酸素がエピタキシャル層内に拡散してエピタキシャル層の抵抗率が変動してしまう問題がある。
　本発明者らの実験によれば、低抵抗率のシリコンウェーハに対して所定のドーズ量範囲でクラスターイオンを照射した場合には、エピタキシャル層内へのドーパントの拡散が抑制され、加えてシリコンウェーハ中の酸素もエピタキシャル層内に拡散することを抑制できることを知見し、本発明を完成させるに至った。
　すなわち、本発明の要旨構成は以下の通りである。
（１）０．００１Ω・ｃｍ以上０．１Ω・ｃｍ以下の抵抗率を有するシリコンウェーハの表面に２．０×１０14／ｃｍ2以上１．０×１０16／ｃｍ2以下のドーズ量で少なくとも炭素を含むクラスターイオンを照射して、前記シリコンウェーハの表面部に、前記クラスターイオンの構成元素が固溶してなる改質層を形成するクラスターイオン照射工程と、前記シリコンウェーハの改質層上に前記シリコンウェーハよりも高い抵抗率を有するエピタキシャル層を形成するエピタキシャル層形成工程とを有することを特徴とするエピタキシャルウェーハの製造方法。
（２）前記クラスターイオンが構成元素として炭素を含む２種以上の元素を含む、前記（１）に記載のエピタキシャルウェーハの製造方法。
（３）前記シリコンウェーハの抵抗率は、ホウ素の添加により調整されたものである、前記（１）または（２）に記載のエピタキシャルウェーハの製造方法。
（４）前記クラスターイオン照射工程の後かつ前記エピタキシャル層形成工程の前に、非酸化性雰囲気において５００℃以上１１００℃以下の温度にて熱処理を行う熱処理工程をさらに有する、前記（１）～（３）のいずれか一項に記載のエピタキシャルウェーハの製造方法。
（５）０．００１Ω・ｃｍ以上０．１Ω・ｃｍ以下の抵抗率を有するシリコンウェーハと、該シリコンウェーハの表面部に形成された、該シリコンウェーハ中に少なくとも炭素を含む所定元素が固溶してなる改質層と、該改質層上に、前記シリコンウェーハよりも高い抵抗率を有するエピタキシャル層と、を有し、前記改質層における前記所定元素の深さ方向の濃度プロファイルの半値幅が１００ｎｍ以下であり、前記改質層における前記濃度プロファイルのピーク濃度が、９．０×１０18ａｔｏｍｓ／ｃｍ3以上１．０×１０21ａｔｏｍｓ／ｃｍ3以下であることを特徴とするエピタキシャルウェーハ。
（６）前記シリコンウェーハの表面からの深さが１５０ｎｍ以下の範囲内に、前記改質層における前記濃度プロファイルのピークが位置する、前記（５）に記載のエピタキシャルウェーハ。
（７）前記所定元素が炭素を含む２種以上の元素を含む、前記（５）または（６）に記載のエピタキシャルウェーハ。
（８）前記シリコンウェーハの抵抗率は、ホウ素の添加により調整されたものである、前記（５）～（７）のいずれか一項に記載のエピタキシャルウェーハ。
　本発明によれば、エピタキシャルウェーハの基板として、低抵抗率を有するシリコンウェーハを用いるため、エピタキシャル欠陥の形成を抑制しつつ、優れたゲッタリング能力を有するエピタキシャルウェーハを得ることができる。
　また、上記低抵抗率を有するシリコンウェーハへのクラスターイオンの照射を適正な範囲内にあるドーズ量で行うため、シリコンウェーハからエピタキシャル層への酸素およびドーパントの拡散を抑制し、エピタキシャル層の抵抗率の変動を抑制することができる。
本発明によるエピタキシャルウェーハの製造方法を説明する摸式断面図である。 クラスターイオンのドーズ量と、ホウ素のエピタキシャル層内への拡散を抑制する効果との関係を説明する図である。 本発明によるエピタキシャルウェーハの製造方法により、シリコンウェーハ中の酸素のエピタキシャル層への拡散が抑制される様子を説明する図である。 本発明によるエピタキシャルウェーハの製造方法により、シリコンウェーハ中の抵抗率の変動が抑制される様子を説明する図である。
　（エピタキシャルウェーハの製造方法）
　以下、図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。図１は、本発明によるエピタキシャルウェーハの製造方法を説明する模式断面図である。この図に示すエピタキシャルウェーハ１００の製造方法は、シリコンウェーハ１０の表面１０Ａに少なくとも炭素を含むクラスターイオン１６を照射して、シリコンウェーハ１０の表面部に、クラスターイオン１６の構成元素が固溶してなる改質層１８を形成するクラスターイオン照射工程と（図１（Ａ）～（Ｃ））、シリコンウェーハ１０の改質層１８上にシリコンウェーハ１０よりも高い抵抗率を有するエピタキシャル層２０を形成するエピタキシャル層形成工程とを有する（図１（Ｄ））。ここで、シリコンウェーハ１０として、０．００１Ω・ｃｍ以上０．１Ω・ｃｍ以下の抵抗率を有するシリコンウェーハを用いること、およびクラスターイオン１６の照射を２．０×１０14ａｔｏｍｓ／ｃｍ2以上１．０×１０16ａｔｏｍｓ／ｃｍ2以下のドーズ量で行うこと、が肝要である。
　上述のように、シリコンウェーハにクラスターイオンを照射してエピタキシャルウェーハにゲッタリング能力を付与するに当たり、クラスターイオンのドーズ量を増加させることにより、エピタキシャルウェーハのゲッタリング能力を向上させることができる。しかも、低抵抗率を有するシリコンウェーハを用いることにより、エピタキシャル層への欠陥の発生を抑制することができる。これは、おそらくドーパントを高濃度に添加することにより、シリコンウェーハそのものの熱伝導度が低くなり、クラスターイオンがシリコンウェーハ表面に衝突した際に発生する熱が除去されにくくなり、クラスターイオンの照射によって生じたシリコンウェーハ表面のダメージが、クラスターイオンの照射によって生じる熱によって回復し易くなるためと思われる。
　こうして、クラスターイオン照射技術において、０．００１Ω・ｃｍ以上０．１Ω・ｃｍ以下の抵抗率を有するシリコンウェーハを用いることにより、エピタキシャル欠陥の形成を抑制しつつ、優れたゲッタリング能力を有するエピタキシャルウェーハを作製することができる。なお、抵抗率が０．１Ω・ｃｍを超えると、抵抗が高いために十分なエピタキシャル欠陥形成の抑制効果が得られず、抵抗率が０．００１Ω・ｃｍ未満ではシリコン結晶の育成そのものが困難となる。
　また、クラスターイオン照射のドーズ量を、２．０×１０14ａｔｏｍｓ／ｃｍ2以上とすることにより、デバイス形成工程における熱処理後にも、シリコンウェーハ中のドーパントおよび酸素がエピタキシャル層内へ拡散するのを抑制して、エピタキシャル層の抵抗率が変動するのを抑制することができる。これは、おそらくドーパントの拡散は格子間シリコンによって助長されるが、クラスターイオン照射による高濃度の炭素と格子間シリコンとが結合して格子間シリコンの濃度が低下し、その結果、ドーパントの拡散が抑制されるためと考えられる。ただし、ドーズ量を１．０×１０16ａｔｏｍｓ／ｃｍ2を超える値とすると、シリコンウェーハ最表面の結晶性の乱れが大きくなりすぎてしまい、エピタキシャル成長処理時にエピタキシャル層に発生する欠陥個数を増大させてしまうおそれがある。
　このように、基板として０．００１Ω・ｃｍ以上０．１Ω・ｃｍ以下の抵抗率を有するシリコンウェーハを使用し、２．０×１０14ａｔｏｍｓ／ｃｍ2以上１．０×１０16ａｔｏｍｓ／ｃｍ2以下のドーズ量でクラスターイオンの照射を行うことにより、エピタキシャル欠陥の形成を抑制しつつ、デバイス形成工程における熱処理時にシリコンウェーハ中のドーパントおよび酸素がエピタキシャル層へ拡散するのを抑制できる、優れたゲッタリング能力を有するエピタキシャルウェーハを得ることができる。以下、本発明によるエピタキシャルウェーハの製造方法の各工程について説明する。
　まず、エピタキシャルウェーハ１００の基板として、０．００１Ω・ｃｍ以上０．１Ω・ｃｍ以下の抵抗率を有するシリコンウェーハ１０を用意する（図１（Ａ））。本発明における抵抗率は、拡散拡がり抵抗測定法（ＳＲ法；Spreading Resistance Analysis）や四探針法などの測定方法によって測定できる。
　このようなシリコンウェーハ１０の素材である単結晶シリコンインゴットは、例えばチョクラルスキー法（ＣＺ法）により育成することができる。具体的には、石英ルツボ内に供給されたシリコン融液に種結晶を浸漬し、石英ルツボおよび種結晶を回転させながら種結晶を引き上げることにより育成することができる。
　抵抗率の上記範囲への調整は、石英ルツボに投入するドーパントの量を調整することにより行うことができる。ドーパントとしては、ｐ型、ｎ型に関係なく、ホウ素、リン、アンチモン、砒素等を何れのドーパントを用いることができる。なお、砒素およびアンチモンは非常に蒸発しやすいためシリコン結晶中のドーパント濃度を十分に高くすることが難しく、低い抵抗率のシリコン結晶を製造することが難しい問題がある。これに対して、ホウ素やリンは偏析係数がより１に近く、低い抵抗率のシリコンウェーハを製造することができるため、ホウ素またはリンを用いることが好ましい。特に、ホウ素を用いた場合には、比較的拡散速度の遅いＦｅなどに対するゲッタリング効果が高まるという利点がある。
　次いで、用意した低抵抗率を有するシリコンウェーハ１０の表面１０Ａに、少なくとも炭素を含むクラスターをイオン化させたクラスターイオン１６を照射する（図１（Ｂ））。クラスターイオン１６の照射は、モノマーイオンよりも低いエネルギーでクラスターイオン１６の構成元素をシリコンウェーハ１０の表面部に導入できるため、モノマーイオンを注入する場合に比べて、炭素を含む、クラスターイオン１６の構成元素の最大濃度の位置をより表面１０Ａに近く位置させることができる。また、クラスターイオン１６の構成元素が分布するウェーハ深さ方向の範囲を狭めることができるため、クラスターイオン１６の構成元素の最大濃度を高めることもできる。さらに、クラスターイオン１６を低エネルギーで照射するため、シリコンウェーハ１０の表面の結晶性の低減を抑制することもできる。
　ここで、クラスターイオンの炭素源として、エタン、メタン、プロパン、ジベンジル（Ｃ14Ｈ14）、二酸化炭素（ＣＯ2）等を使用することができる。また、小サイズのクラスターイオンビームを形成しやすいため、ピレン（Ｃ16Ｈ10）、ジベンジル（Ｃ14Ｈ14）などより生成したクラスターＣnＨm（３≦ｎ≦１６，３≦ｍ≦１０）を用いることが好ましい。
　クラスターイオン１６のドーズ量は、２．０×１０14ａｔｏｍｓ／ｃｍ2以上１．０×１０16ａｔｏｍｓ／ｃｍ2以下とする。前述したように、ドーズ量が２．０×１０14ａｔｏｍｓ／ｃｍ2未満の場合には、シリコンウェーハからのドーパントおよび酸素のエピタキシャル層への拡散を抑制することができない。一方、ドーズ量が１．０×１０16ａｔｏｍｓ／ｃｍ2を超えると、シリコンウェーハ最表面の結晶性の乱れが大きくなりすぎてしまい、エピタキシャル成長処理時にエピタキシャル層に欠陥を発生させてしまうおそれがある。２．０×１０14ａｔｏｍｓ／ｃｍ2以上１．０×１０16ａｔｏｍｓ／ｃｍ2以下のドーズ量でクラスターイオン照射を行うと、改質層１８における構成元素の深さ方向の濃度プロファイルのピーク濃度が、９．０×１０18ａｔｏｍｓ／ｃｍ3以上１．０×１０21ａｔｏｍｓ／ｃｍ3以下の範囲となる。
　なお、本発明において、「構成元素の深さ方向の濃度プロファイル」は、構成元素が２種以上の元素を含む場合は、合計ではなく、それぞれ単独の元素についてのプロファイルを意味するものとする。
　クラスターイオンを照射する場合、ゲッタリング層としての改質層１８の深さ位置は、クラスターイオン１６の加速電圧とクラスターサイズに依存する。改質層１８をシリコンウェーハ１０の表面部に形成するために、クラスターイオン１６の加速電圧は、０ｋｅＶ／ａｔｏｍ超え５０ｋｅＶ／ａｔｏｍ以下とする。好ましくは、４０ｋｅＶ／ａｔｏｍ以下である。また、クラスターサイズは２個以上とし、好ましくは５０個以下とする。ここで、「クラスターサイズ」とは、１つのクラスターを構成する原子または分子の個数を意味する。
　また、構成元素として炭素を含む２種以上の元素、すなわち、炭素以外に１種以上の元素を含むことが好ましい。これは、析出元素の種類により効率的にゲッタリング可能な金属の種類が異なるが、２種以上の元素を固溶させることにより、より幅広い金属汚染に対応できるからである。具体的には、炭素以外に、水素、やリン、ホウ素等を含むことができ、例えば、炭素の場合には、ニッケルや銅を効率的にゲッタリングできるのに対して、ホウ素の場合には、銅や鉄を効率的にゲッタリングすることができる。
　こうして、シリコンウェーハ１０の表面部に高濃度炭素領域からなるゲッタリング層としての改質層１８を形成し、優れたゲッタリング能力を有するシリコンウェーハ１０を得ることができる。
　続いて、シリコンウェーハ１０の表面１０Ａ上にエピタキシャル層２０を形成する（図１（Ｄ））。ここで、エピタキシャル層２０は、具体的にはシリコンエピタキシャル層である。また、エピタキシャル層２０の抵抗率は、シリコンウェーハ１０の抵抗率よりも大きな値とし、例えば、０．０１Ω・ｃｍ超１００Ω・ｃｍの範囲内の値である。好ましくは、シリコンウェーハ１０の抵抗率の１０倍以上とする。また、エピタキシャル層２０の厚みは、設計に従って任意に設定することができるが、好ましくは１μｍ以上１５μｍ以下である。
　このエピタキシャル層２０は、周知の一般的な方法により形成することができる。例えば、水素をキャリアガスとして、ジクロロシラン、トリクロロシランなどのソースガスをチャンバー内に導入し、１０００～１１５０℃程度で化学気相成長（ＣＶＤ；Chemical Vapor Deposition)法により、シリコンウェーハ１０上にエピタキシャル成長させることができる。
　以上の本発明によるエピタキシャルウェーハの製造方法において、クラスターイオン照射工程の後、かつエピタキシャル層形成工程の前に、エピタキシャル装置とは別個の熱処理装置を用いて回復熱処理を行ってもよい。この回復熱処理は、５００℃以上１１００℃以下で１０秒以上１時間以下行えばよい。ここで、熱処理温度を５００℃以上１１００℃以下とするのは、５００℃未満では、結晶性の回復効果が得られにくいためであり、一方、１１００℃を超えると、高温での熱処理に起因するスリップが発生し、また、装置への熱負荷が大きくなるためである。また、熱処理時間を１０秒以上１時間以下とするのは、１０秒未満では回復効果が得られにくいためであり、一方、１時間超えでは、生産性の低下を招き、装置への熱負荷が大きくなるためである。
　このような回復熱処理は、例えば、ＲＴＡやＲＴＯなどの急速昇降温熱処理装置や、バッチ式熱処理装置（縦型熱処理装置、横型熱処理装置）を用いて行うことができる。前者は、ランプ照射加熱方式のため、装置構造的に長時間処理には適しておらず、１５分以内の熱処理に適している。一方、後者は、所定温度までに温度上昇させるために時間がかかるものの、一度に多数枚のウェーハを同時に処理できる。また、抵抗加熱方式のため、長時間の熱処理が可能である。使用する熱処理装置は、クラスターイオン１６の照射条件を考慮して適切なものを選択すればよい。
（エピタキシャルウェーハ）
　次に、本発明に係るエピタキシャルウェーハ１００について説明する。図１（Ｄ）に示した、本発明に係るエピタキシャルウェーハ１００は、０．００１Ω・ｃｍ以上０．１Ω・ｃｍ以下の抵抗率を有するシリコンウェーハ１０と、該シリコンウェーハ１０の表面部に形成された、該シリコンウェーハ１０中に少なくとも炭素を含む所定元素が固溶してなる改質層１８と、該改質層１８上に、シリコンウェーハ１０よりも高い抵抗率を有するエピタキシャル層２０とを有する。ここで、改質層１８における所定元素の深さ方向の濃度プロファイルの半値幅が１００ｎｍ以下であり、改質層１８における濃度プロファイルのピーク濃度が、９．０×１０18ａｔｏｍｓ／ｃｍ3以上１．０×１０21ａｔｏｍｓ／ｃｍ3以下である。
　このエピタキシャルウェーハ１００は、基板として低抵抗率を有するシリコンウェーハ１０を用いているため、高抵抗率（例えば、１０Ω・ｃｍ）を有するシリコンウェーハを用いた場合に比べて、エピタキシャル層に形成されるエピタキシャル欠陥の数が少ない。また、シリコンウェーハ１０の表面部、すなわち、エピタキシャル層２０の直下に、濃度プロファイルのピーク濃度が、９．０×１０18ａｔｏｍｓ／ｃｍ3以上１．０×１０21ａｔｏｍｓ／ｃｍ3以下である炭素を含む、高濃度炭素領域からなる改質層１８を有している。
　なお、本明細書における「深さ方向の濃度プロファイル」は、二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ；Secondary Iron Mass Spectrometry）にて測定した深さ方向の濃度分布を意味する。また、「所定元素の深さ方向の濃度プロファイルの半値幅」とは、測定精度を考慮して、エピタキシャル層の厚さが１μｍ超えの場合は、エピタキシャル層を１μｍに薄膜化した状態で、ＳＩＭＳにて所定元素の濃度プロファイルを測定したときの半値幅を意味する。
　以上の本発明によるエピタキシャルウェーハにおいて、より高いゲッタリング能力を得る観点から、シリコンウェーハ１０の表面からの深さが１５０ｎｍ以下の範囲内に、改質層１８における濃度プロファイルのピークが位置することが好ましい。
　また、所定元素としては、炭素を含む２種以上の元素とすることが好ましいのは既述のとおりである。
　さらに、改質層１８の深さ方向厚みは、概ね３０～４００ｎｍの範囲内とすることができる。
　こうして、本発明によるエピタキシャルウェーハ１００は、エピタキシャル欠陥が少なく、デバイス形成工程における熱処理時にシリコンウェーハ中のドーパントおよび酸素がエピタキシャル層へ拡散するのを抑制できる、優れたゲッタリング能力を有するエピタキシャルウェーハである。
（発明例１～発明例３）
　以下、本発明の実施例について説明する。
　まず、エピタキシャルウェーハの基板として、直径：３００ｍｍ、厚さ：７７５μｍ、抵抗率：約０．００３Ω・ｃｍを有するシリコンウェーハを用意した。次いで、クラスターイオン発生装置（日新イオン機器社製、型番：CLARIS）を用いて、クラスターイオンとしてＣ3Ｈ5クラスターを生成し、炭素１原子当たりの加速電圧２３．４ｋｅＶ／ａｔｏｍの条件でシリコンウェーハの表面に照射した。ここで、クラスターイオンのドーズ量は、１．０×１０15ａｔｏｍｓ／ｃｍ2（発明例１）、５×１０15ａｔｏｍｓ／ｃｍ2（発明例２）、２×１０14ａｔｏｍｓ／ｃｍ2（発明例３）の３水準とした。続いて、シリコンウェーハを枚葉式エピタキシャル成長装置（アプライドマテリアルズ社製）内に搬送し、装置内で１１２０℃の温度で３０秒の水素ベーク処理を施した。その後、水素をキャリアガス、トリクロロシランをソースガスとして、１１５０℃にてＣＶＤ法により、シリコンウェーハ上にシリコンのエピタキシャル層（厚さ：４．０μｍ、ドーパント：ホウ素、抵抗率：約０．３Ω・ｃｍ）をエピタキシャル成長させ、本発明に従うエピタキシャルウェーハとした。
　（比較例１～比較例４）
　比較例１として、基板として約１０Ω・ｃｍの抵抗率を有するシリコンウェーハを用いた以外は、発明例１と同様（すなわち、ドーズ量が１．０×１０15ａｔｏｍｓ／ｃｍ2）にして、比較例１に係るエピタキシャルウェーハを作製した。
　比較例２として、基板として約１０Ω・ｃｍの抵抗率を有するシリコンウェーハを用いた以外は、発明例２と同様（すなわち、ドーズ量が５×１０15ａｔｏｍｓ／ｃｍ2）にして、比較例２に係るエピタキシャルウェーハを作製した。
　比較例３として、シリコンウェーハに対してクラスターイオンを照射しなかった以外は、発明例１と同様にして、比較例３に係るエピタキシャルウェーハを作製した。
　比較例４として、クラスターイオンのドーズ量を１×１０14ａｔｏｍｓ／ｃｍ2の低ドーズ量に変更した以外は、発明例１と同様にして、比較例４に係るエピタキシャルウェーハを作製した。
＜エピタキシャル欠陥の評価＞
　上記発明例１～３および比較例１～４のエピタキシャルウェーハそれぞれについて、エピタキシャル層に形成されたエピタキシャル欠陥の数を評価した。具体的には、表面欠陥検査装置（ＫＬＡ－Ｔｅｎｃｏｒ社製：Ｓｕｒｆｓｃａｎ　ＳＰ－１）を用いて観察評価し、輝点欠陥（Light Point Defect, ＬＰＤ）の発生状況を調べた。その際、観察モードはＤＣＮモード（Dark Field Composite Normal mode）とし、具体的には、サイズ（直径）がＤＷＮモード（Dark Field Wide Normal mode）で９０ｎｍ以上かつＤＮＮモード（Dark Field Narrow Normal mode）で１１０ｎｍ以上のＬＰＤを検出する条件で行った。続いて、走査型電子顕微鏡（Scanning Electron Microscope, ＳＥＭ）を用いて、ＬＰＤの発生部位を観察評価して、ＬＰＤが積層欠陥であるか否かを評価した。それぞれ１０枚ずつ作製した発明例１～３および比較例１～４のウェーハに対してこの評価を実施し、ウェーハ１枚当たりの積層欠陥の平均の個数を求めた。その結果、ウェーハ１枚当たりの積層欠陥の平均の個数は、発明例１では３．２個、発明例２では２．８個（、発明例３では２．５個）であったのに対して、比較例１では５．０個、比較例２では６．０個（、比較例３では２．２個、比較例４では２．３個）であった。このように、ドーズ量を高めた発明例１および発明例２のエピタキシャルウェーハは、同じドーズ量である比較例１および比較例２のエピタキシャルウェーハよりもエピタキシャル欠陥の個数が低減され、低抵抗率を有する基板を用いることにより、エピタキシャル欠陥の形成を抑制できることが確認された。なお、クラスターイオンを照射しなかった比較例３、および１×１０14ａｔｏｍｓ／ｃｍ2の低ドーズ量の比較例４のエピタキシャルウェーハは、エピタキシャル欠陥の個数が少なかった。
＜ゲッタリング能力の評価＞
　上記発明例１～３および比較例１～４のエピタキシャルウェーハそれぞれについてゲッタリング能力の評価を行った。具体的には、各エピタキシャルウェーハのエピタキシャル層表面をＣｕ汚染液（１．０×１０13／ｃｍ2）でスピンコート汚染法を用いて故意に汚染し、次いで１０００℃、１時間の拡散熱処理を施した。その後、ＳＩＭＳ測定を行うことによりＣｕの濃度ピークを評価した。
　その結果、発明例１～３（および比較例１、２）のエピタキシャルウェーハは全て１×１０16ａｔｏｍｓ／ｃｍ2以上のＣｕのピーク濃度が検出されたのに対し、クラスターイオンを照射しなかった比較例３およびドーズ量が低い比較例４のエピタキシャルウェーハはＣｕ濃度のピークが観察されなかった。クラスターイオンを照射する際のドーズ量を高めることによりゲッタリング能力が向上することが確認された。
＜ドーパントおよび酸素の拡散抑制効果のドーズ量依存性＞
　次に、エピタキシャル層へのドーパントおよび酸素の拡散抑制効果とクラスターイオンのドーズ量との関係を調べるため、以下の実験を行った。
　すなわち、上記発明例３、比較例３および比較例４のエピタキシャルウェーハに対して、デバイス形成工程における熱処理を模した模擬熱処理（ガス雰囲気：３体積％の酸素を含む窒素雰囲気、熱処理温度：最高到達温度９００℃以下の熱処理シーケンス、トータル熱処理時間：６０時間）を施した。その後、ＳＩＭＳにより各エピタキシャルウェーハそれぞれについて深さ方向のホウ素濃度分布を調査した。また、リファレンスとして、模擬熱処理を行っていない比較例３のエピタキシャルウェーハについても同様の評価を行った。測定結果を図２に示す。
　図２から明らかなように、クラスターイオンを照射しない（つまり、ドーズ量が０）比較例３では、模擬熱処理前に比べて模擬熱処理後では、シリコンウェーハ中のホウ素がエピタキシャル層に大きく拡散していることが分かる。しかし、クラスターイオンのドーズ量を増加させるに従って、エピタキシャル層へのホウ素の拡散は抑制され、ドーズ量が２．０×１０14ａｔｏｍｓ／ｃｍ2の発明例３の場合には、ホウ素の濃度プロファイルは、クラスターイオンを照射しなかった模擬熱処理前のエピタキシャルウェーハとほぼ同じである。つまり、ドーズ量が２．０×１０14ａｔｏｍｓ／ｃｍ2以上であれば、シリコンウェーハ中のホウ素がエピタキシャル層内に拡散するのを抑制できることが分かる。
　上記発明例３、比較例３のエピタキシャルウェーハに対して、デバイス形成工程における熱処理を模した模擬熱処理（ガス雰囲気：３体積％の酸素を含む窒素雰囲気、熱処理温度：最高到達温度９００℃以下の熱処理シーケンス、トータル熱処理時間：６０時間）を施して、ＳＩＭＳにより各エピタキシャルウェーハそれぞれについて深さ方向の酸素濃度分布を調査した。模擬熱処理を行っていない発明例３および比較例３のエピタキシャルウェーハについても同様の評価を行った。測定結果を図３に示す。
　図３から明らかなように、クラスターイオンを照射しない（つまり、ドーズ量が０）比較例３では、模擬熱処理前に比べて模擬熱処理後では、エピタキシャル層におけるエピタキシャル層とシリコンウェーハとの間の界面近傍の領域において酸素濃度が増加していることが分かる。一方、クラスターイオンのドーズ量が２×１０14ａｔｏｍｓ／ｃｍ2の発明例３では、模擬熱処理前の酸素濃度プロファイルと模擬熱処理後の酸素濃度プロファイルはほぼ同じであり、エピタキシャル層におけるエピタキシャル層とシリコンウェーハとの間の界面近傍の領域において酸素濃度はむしろ減少していることが分かる。
　図４は、本発明によるエピタキシャルウェーハの製造方法により、シリコンウェーハ中の抵抗率の変動が抑制される様子を説明する図である。図４（ａ）は、比較例３のエピタキシャルウェーハにおける上記模擬熱処理前後の深さ方向の抵抗率分布を示すものであり、図４（ｂ）は、発明例３のエピタキシャルウェーハにおける上記模擬熱処理前後の深さ方向の抵抗率分布を示すものである。深さ方向における抵抗率の分布は、抵抗率測定装置（型番：ＳＳＭ２０００、日本エス・エス・エム株式会社製）を用いて、ＳＲ法により測定したものである。
　図４（ａ）および図４（ｂ）から明らかなように、比較例３においては、模擬熱処理後に、エピタキシャル層におけるエピタキシャル層とシリコンウェーハとの間の界面近傍の領域において抵抗率が減少していることが分かる。これに対して、発明例３においては、エピタキシャル層におけるエピタキシャル層とシリコンウェーハとの間の界面近傍の領域において抵抗率はほとんど変動していないことが分かる。
　なお、抵抗率が０．００１Ω・ｃｍを有するシリコンウェーハおよび抵抗率が０．１Ω・ｃｍを有するシリコンウェーハを用いて、発明例１～３の条件で製造したエピタキシャルウェーハについても同様の評価を行ったが、上記した実験結果とほぼ同様のエピタキシャル欠陥の低減効果、抵抗率変動の抑制効果が確認された。
　本発明によれば、エピタキシャル欠陥の形成を抑制しつつ、デバイス形成工程における熱処理時にシリコンウェーハ中のドーパントおよび酸素がエピタキシャル層へ拡散するのを抑制できる、優れたゲッタリング能力を有するエピタキシャルウェーハを製造することができるため、半導体ウェーハ製造業において有用である。
　１０　シリコンウェーハ
　１０Ａ　シリコンウェーハの表面
　１６　クラスターイオン
　１８　改質層
　２０　エピタキシャル層
　１００　エピタキシャルウェーハ

Claims (8)

  1. 　０．００１Ω・ｃｍ以上０．１Ω・ｃｍ以下の抵抗率を有するシリコンウェーハの表面に２．０×１０14／ｃｍ2以上１．０×１０16／ｃｍ2以下のドーズ量で少なくとも炭素を含むクラスターイオンを照射して、前記シリコンウェーハの表面部に、前記クラスターイオンの構成元素が固溶してなる改質層を形成するクラスターイオン照射工程と、
    　前記シリコンウェーハの改質層上に前記シリコンウェーハよりも高い抵抗率を有するエピタキシャル層を形成するエピタキシャル層形成工程と、
    を有することを特徴とするエピタキシャルウェーハの製造方法。
  2. 　前記クラスターイオンが構成元素として炭素を含む２種以上の元素を含む、請求項１に記載のエピタキシャルウェーハの製造方法。
  3. 　前記シリコンウェーハの抵抗率は、ホウ素の添加により調整されたものである、請求項１または２に記載のエピタキシャルウェーハの製造方法。
  4. 　前記クラスターイオン照射工程の後かつ前記エピタキシャル層形成工程の前に、非酸化性雰囲気において５００℃以上１１００℃以下の温度にて熱処理を行う熱処理工程をさらに有する、請求項１～３のいずれか一項に記載のエピタキシャルウェーハの製造方法。
  5. 　０．００１Ω・ｃｍ以上０．１Ω・ｃｍ以下の抵抗率を有するシリコンウェーハと、該シリコンウェーハの表面部に形成された、該シリコンウェーハ中に少なくとも炭素を含む所定元素が固溶してなる改質層と、該改質層上に、前記シリコンウェーハよりも高い抵抗率を有するエピタキシャル層と、を有し、
    　前記改質層における前記所定元素の深さ方向の濃度プロファイルの半値幅が１００ｎｍ以下であり、前記改質層における前記濃度プロファイルのピーク濃度が、９．０×１０18ａｔｏｍｓ／ｃｍ3以上１．０×１０21ａｔｏｍｓ／ｃｍ3以下であることを特徴とするエピタキシャルウェーハ。
  6. 　前記シリコンウェーハの表面からの深さが１５０ｎｍ以下の範囲内に、前記改質層における前記濃度プロファイルのピークが位置する、請求項５に記載のエピタキシャルウェーハ。
  7. 　前記所定元素が炭素を含む２種以上の元素を含む、請求項５または６に記載のエピタキシャルウェーハ。
  8. 　前記シリコンウェーハの抵抗率は、ホウ素の添加により調整されたものである、請求項５～７のいずれか一項に記載のエピタキシャルウェーハ。
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