JP6056772B2 - エピタキシャルウェーハの製造方法およびエピタキシャルウェーハ - Google Patents
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Description
このように、現在、ウェーハに対してゲッタリング能力を付与するのが困難な状況にある。
そこで、本発明の目的は、エピタキシャル欠陥の形成を抑制しつつ、優れたゲッタリング能力を有するエピタキシャルウェーハを製造する方途を提供することにある。
しかし、一般的に抵抗率の低いシリコンウェーハを用いて、シリコンウェーハの抵抗率よりも抵抗の高いエピタキシャル層を形成したエピタキシャルウェーハは、デバイス形成工程における熱処理などを受けると、シリコンウェーハ中のドーパントや酸素がエピタキシャル層内に拡散してエピタキシャル層の抵抗率が変動してしまう問題がある。
本発明者らの実験によれば、低抵抗率のシリコンウェーハに対して所定のドーズ量範囲でクラスターイオンを照射した場合には、エピタキシャル層内へのドーパントの拡散が抑制され、加えてシリコンウェーハ中の酸素もエピタキシャル層内に拡散することを抑制できることを知見し、本発明を完成させるに至った。
(1)0.001Ω・cm以上0.1Ω・cm以下の抵抗率を有するシリコンウェーハの表面に2.0×1014/cm2以上1.0×1016/cm2以下のドーズ量で少なくとも炭素を含むクラスターイオンを照射して、前記シリコンウェーハの表面部に、前記クラスターイオンの構成元素が固溶してなる改質層を形成するクラスターイオン照射工程と、前記シリコンウェーハの改質層上に前記シリコンウェーハよりも高い抵抗率を有するエピタキシャル層を形成するエピタキシャル層形成工程とを有することを特徴とするエピタキシャルウェーハの製造方法。
また、上記低抵抗率を有するシリコンウェーハへのクラスターイオンの照射を適正な範囲内にあるドーズ量で行うため、シリコンウェーハからエピタキシャル層への酸素およびドーパントの拡散を抑制し、エピタキシャル層の抵抗率の変動を抑制することができる。
以下、図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。図1は、本発明によるエピタキシャルウェーハの製造方法を説明する模式断面図である。この図に示すエピタキシャルウェーハ100の製造方法は、シリコンウェーハ10の表面10Aに少なくとも炭素を含むクラスターイオン16を照射して、シリコンウェーハ10の表面部に、クラスターイオン16の構成元素が固溶してなる改質層18を形成するクラスターイオン照射工程と(図1(A)〜(C))、シリコンウェーハ10の改質層18上にシリコンウェーハ10よりも高い抵抗率を有するエピタキシャル層20を形成するエピタキシャル層形成工程とを有する(図1(D))。ここで、シリコンウェーハ10として、0.001Ω・cm以上0.1Ω・cm以下の抵抗率を有するシリコンウェーハを用いること、およびクラスターイオン16の照射を2.0×1014atoms/cm2以上1.0×1016atoms/cm2以下のドーズ量で行うこと、が肝要である。
次に、本発明に係るエピタキシャルウェーハ100について説明する。図1(D)に示した、本発明に係るエピタキシャルウェーハ100は、0.001Ω・cm以上0.1Ω・cm以下の抵抗率を有するシリコンウェーハ10と、該シリコンウェーハ10の表面部に形成された、該シリコンウェーハ10中に少なくとも炭素を含む所定元素が固溶してなる改質層18と、該改質層18上に、シリコンウェーハ10よりも高い抵抗率を有するエピタキシャル層20とを有する。ここで、改質層18における所定元素の深さ方向の濃度プロファイルの半値幅が100nm以下であり、改質層18における濃度プロファイルのピーク濃度が、9.0×1018atoms/cm3以上1.0×1021atoms/cm3以下である。
以下、本発明の実施例について説明する。
まず、エピタキシャルウェーハの基板として、直径:300mm、厚さ:775μm、抵抗率:約0.003Ω・cmを有するシリコンウェーハを用意した。次いで、クラスターイオン発生装置(日新イオン機器社製、型番:CLARIS)を用いて、クラスターイオンとしてC3H5クラスターを生成し、炭素1原子当たりの加速電圧23.4keV/atomの条件でシリコンウェーハの表面に照射した。ここで、クラスターイオンのドーズ量は、1.0×1015atoms/cm2(発明例1)、5×1015atoms/cm2(発明例2)、2×1014atoms/cm2(発明例3)の3水準とした。続いて、シリコンウェーハを枚葉式エピタキシャル成長装置(アプライドマテリアルズ社製)内に搬送し、装置内で1120℃の温度で30秒の水素ベーク処理を施した後、水素をキャリアガス、トリクロロシランをソースガスとして1150℃でCVD法により、シリコンウェーハ上にシリコンのエピタキシャル層(厚さ:4.0μm、ドーパント:ホウ素、抵抗率:約0.3Ω・cm)をエピタキシャル成長させ、本発明に従うエピタキシャルウェーハとした。
比較例1として、基板として約10Ω・cmの抵抗率を有するシリコンウェーハを用いた以外は、発明例1と同様(すなわち、ドーズ量が1.0×1015atoms/cm2)にして、比較例1に係るエピタキシャルウェーハを作製した。
比較例2として、基板として約10Ω・cmの抵抗率を有するシリコンウェーハを用いた以外は、発明例2と同様(すなわち、ドーズ量が5×1015atoms/cm2)にして、比較例2に係るエピタキシャルウェーハを作製した。
比較例3として、シリコンウェーハに対してクラスターイオンを照射しなかった以外は、発明例1と同様にして、比較例3に係るエピタキシャルウェーハを作製した。
比較例4として、クラスターイオンのドーズ量を1×1014atoms/cm2の低ドーズ量に変更した以外は、発明例1と同様にして、比較例4に係るエピタキシャルウェーハを作製した。
上記発明例1〜3および比較例1〜4のエピタキシャルウェーハそれぞれについてエピタキシャル層に形成されたエピタキシャル欠陥の数を評価した。具体的には、表面欠陥検査装置(KLA−Tencor社製:Surfscan SP−1)を用いて観察評価し、輝点欠陥(Light Point Defect, LPD)の発生状況を調べた。その際、観察モードはDCNモード(Dark Field Composite Normal mode)とし、具体的には、サイズ(直径)がDWNモード(Dark Field Wide Normal mode)で90nm以上かつDNNモード(Dark Field Narrow Normal mode)で110nm以上の輝点欠陥を検出する条件で行った。続いて、走査型電子顕微鏡(Scanning Electron Microscope, SEM)を用いて、LPDの発生部位を観察評価して、LPDが積層欠陥であるか否かを評価した。それぞれ10枚ずつ作製した発明例1〜3および比較例1〜4のウェーハに対してこの評価を実施し、ウェーハ1枚当たりの積層欠陥の平均の個数を求めた。その結果、ウェーハ1枚当たりの積層欠陥の平均の個数は、発明例1では3.2個、発明例2では2.8個(、発明例3では2.5個)であったのに対して、比較例1では5.0個、比較例2では6.0個(、比較例3では2.2個、比較例4では2.3個)であった。このように、ドーズ量を高めた発明例1および発明例2のエピタキシャルウェーハは、同じドーズ量である比較例1および比較例2のエピタキシャルウェーハよりもエピタキシャル欠陥の個数が低減され、低抵抗率を有する基板を用いることにより、エピタキシャル欠陥の形成を抑制できることが確認された。なお、クラスターイオンを照射しなかった比較例3、および1×1014atoms/cm2の低ドーズ量の比較例4のエピタキシャルウェーハは、エピタキシャル欠陥の個数が少なかった。
上記発明例1〜3および比較例1〜4のエピタキシャルウェーハそれぞれについてゲッタリング能力の評価を行った。具体的には、各エピタキシャルウェーハのエピタキシャル層表面をCu汚染液(1.0×1013/cm2)でスピンコート汚染法を用いて故意に汚染し、引き続き1000℃、1時間の拡散熱処理を施した。その後、SIMS測定を行うことによりCuの濃度ピークを評価した。
その結果、発明例1〜3(および比較例1、2)のエピタキシャルウェーハは全て1×1016atoms/cm2以上のCuのピーク濃度が検出されたのに対し、クラスターイオンを照射しなかった比較例3およびドーズ量が低い比較例4のエピタキシャルウェーハはCu濃度のピークが観察されなかった。クラスターイオンを照射する際のドーズ量を高めることによりゲッタリング能力が向上することが確認された。
次に、エピタキシャル層へのドーパントおよび酸素の拡散抑制効果とクラスターイオンのドーズ量との関係を調べるため、以下の実験を行った。
図3から明らかなように、クラスターイオンを照射しない(つまり、ドーズ量が0)比較例3では、模擬熱処理前に比べて模擬熱処理後では、エピタキシャル層におけるエピタキシャル層とシリコンウェーハとの間の界面近傍の領域において酸素濃度が増加していることが分かる。一方、クラスターイオンのドーズ量が2×1014atoms/cm2の発明例3では、模擬熱処理前の酸素濃度プロファイルと模擬熱処理後の酸素濃度プロファイルはほぼ同じであり、エピタキシャル層におけるエピタキシャル層とシリコンウェーハとの間の界面近傍の領域において酸素濃度はむしろ減少していることが分かる。
10A シリコンウェーハの表面
16 クラスターイオン
18 改質層
20 エピタキシャル層
100 エピタキシャルウェーハ
Claims (8)
- 0.001Ω・cm以上0.1Ω・cm以下の抵抗率を有するシリコンウェーハの表面に2.0×1014/cm2以上1.0×1016/cm2以下のドーズ量で少なくとも炭素を含むクラスターイオンを照射して、前記シリコンウェーハの表面部に、前記クラスターイオンの構成元素が固溶してなる改質層を形成するクラスターイオン照射工程と、
前記シリコンウェーハの改質層上に前記シリコンウェーハよりも高い抵抗率を有するエピタキシャル層を形成するエピタキシャル層形成工程と、
を有することを特徴とするエピタキシャルウェーハの製造方法。 - 前記クラスターイオンが構成元素として炭素を含む2種以上の元素を含む、請求項1に記載のエピタキシャルウェーハの製造方法。
- 前記シリコンウェーハの抵抗率は、ホウ素の添加により調整されたものである、請求項1または2に記載のエピタキシャルウェーハの製造方法。
- 前記クラスターイオン照射工程の後かつ前記エピタキシャル層形成工程の前に、非酸化性雰囲気において500℃以上1100℃以下の温度にて熱処理を行う熱処理工程をさらに有する、請求項1〜3のいずれか一項に記載のエピタキシャルウェーハの製造方法。
- 0.001Ω・cm以上0.1Ω・cm以下の抵抗率を有するシリコンウェーハと、該シリコンウェーハの表面部に形成された、該シリコンウェーハ中に少なくとも炭素を含む所定元素が固溶してなる改質層と、該改質層上に、前記シリコンウェーハよりも高い抵抗率を有するエピタキシャル層と、を有し、
前記改質層における前記所定元素の深さ方向の濃度プロファイルの半値幅が100nm以下であり、前記改質層における前記濃度プロファイルのピーク濃度が、9.0×1018atoms/cm3以上1.0×1021atoms/cm3以下であることを特徴とするエピタキシャルウェーハ。 - 前記シリコンウェーハの表面からの深さが150nm以下の範囲内に、前記改質層における前記濃度プロファイルのピークが位置する、請求項5に記載のエピタキシャルウェーハ。
- 前記所定元素が炭素を含む2種以上の元素を含む、請求項5または6に記載のエピタキシャルウェーハ。
- 前記シリコンウェーハの抵抗率は、ホウ素の添加により調整されたものである、請求項5〜7のいずれか一項に記載のエピタキシャルウェーハ。
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