WO2015005348A1 - 高純度銅スパッタリングターゲット用銅素材及び高純度銅スパッタリングターゲット - Google Patents

高純度銅スパッタリングターゲット用銅素材及び高純度銅スパッタリングターゲット Download PDF

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WO2015005348A1
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less
copper
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purity
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晶 櫻井
雨 谷
雄次 佐藤
訓 熊谷
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    • C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
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    • H01J2237/3322—Problems associated with coating
    • H01J2237/3323—Problems associated with coating uniformity

Definitions

  • the present invention provides, for example, a copper material for high-purity copper sputtering target and a high purity used in forming a wiring film (high-purity copper film) in a semiconductor device, a flat panel display such as a liquid crystal or organic EL panel, a touch panel, etc.
  • the present invention relates to a copper sputtering target.
  • Al is widely used as a wiring film for semiconductor devices, flat panel displays such as liquid crystal and organic EL panels, and touch panels. Recently, miniaturization (narrowing) and thinning of the wiring film have been attempted, and a wiring film having a lower specific resistance than before has been demanded. Accordingly, with the miniaturization and thinning of the wiring film described above, a wiring film made of copper (Cu), which is a material having a specific resistance lower than that of Al, is provided.
  • Cu copper
  • the above-described wiring film is usually formed in a vacuum atmosphere using a sputtering target.
  • abnormal discharge arcing
  • the abnormal discharge is a phenomenon in which an extremely high current suddenly and suddenly flows as compared with normal sputtering, and an abnormally large discharge is suddenly generated. If such abnormal discharge occurs, there is a possibility that particles are generated or the thickness of the wiring film becomes non-uniform. Therefore, it is desirable to avoid as much as possible abnormal discharge during film formation.
  • Patent Document 1 proposes a sputtering target made of high-purity copper having a purity of 6N or higher.
  • the contents of P, S, O, and C are each 1 ppm or less, and non-metallic inclusions having a particle size of 0.5 ⁇ m or more and 20 ⁇ m or less are 30 and 30, respectively.
  • the present invention has been made in view of the above-described circumstances, and is capable of stably forming a film while suppressing the occurrence of abnormal discharge, and is capable of being manufactured at a low cost. It aims at providing the high purity copper sputtering target which consists of a raw material and this copper material for high purity copper sputtering targets.
  • the copper material for a high purity copper sputtering target of the present invention has a purity of Cu of 99. excluding O (oxygen), H (hydrogen), N (nitrogen), and C (carbon). It is set within the range of 999999 mass% or more and 99.999998 mass%, the Al (aluminum) content is 0.005 massppm or less, and the Si (silicon) content is 0.05 massppm or less.
  • the purity of Cu excluding O, H, N, and C is in the range of 99.999980 mass% (6N8) to 99.999998 mass% (7N8). Therefore, it is not necessary to carry out the purification process step three times or more, and it can be manufactured at a relatively low cost.
  • Al and Si are elements that easily form oxides, carbides, nitrides, and the like, and thus easily remain as foreign substances in the sputtering target. Therefore, focusing on these Al and Si among impurity elements, by limiting the Al content to 0.005 massppm or less and the Si content to 0.05 massppm or less, the purity of Cu is 99.9999980 mass% or more. Even within the range of 99.9999998 mass% or less, it is possible to suppress the occurrence of abnormal discharge (arcing) during film formation. Further, these foreign substances are not mixed in the film, and a high-quality high-purity copper film can be formed.
  • the content of S is preferably 0.03 massppm or less.
  • the S content is limited to 0.03 mass ppm or less, it is possible to suppress the foreign matter made of sulfide from remaining in the sputtering target.
  • content of Cl shall be 0.1 massppm or less.
  • the Cl content is limited to 0.1 mass ppm or less, it is possible to prevent foreign matter made of chloride from remaining in the sputtering target.
  • the O content is less than 1 massppm
  • the H content is less than 1 massppm
  • the N content is less than 1 massppm.
  • the contents of gas components such as O, H, and N are limited to less than 1 mass ppm, it is possible to suppress a decrease in the degree of vacuum during film formation, and it is possible to suppress the occurrence of abnormal discharge (arcing).
  • generation of particles due to abnormal discharge can be suppressed, and a high-quality high-purity copper film can be formed.
  • content of C shall be 1 massppm or less.
  • the C content is limited to 1 mass ppm or less, it is possible to suppress the foreign matter made of carbide or carbon alone from remaining in the sputtering target. Thereby, abnormal discharge (arcing) can be suppressed and a high purity copper film can be formed stably.
  • the high-purity copper sputtering target of the present invention is produced using the above-described copper material for a high-purity copper sputtering target.
  • the purity of Cu excluding O, H, N, and C is in the range of 99.999980 mass% or more and 99.999998 mass% or less.
  • abnormal discharge (arcing) hardly occurs during film formation, and a high-purity copper film can be stably formed.
  • the copper raw material for high purity copper sputtering targets which can be manufactured at low cost, and this high purity copper sputtering target use A high-purity copper sputtering target made of a copper material can be provided.
  • the copper raw material for high purity copper sputtering targets which concerns on one Embodiment of this invention, and a high purity copper sputtering target are demonstrated.
  • the copper material for high-purity copper sputtering target and the high-purity copper sputtering target according to this embodiment are made of a high-purity copper film used as a wiring film in semiconductor devices, flat panel displays such as liquid crystal and organic EL panels, touch panels, etc. Used when forming a film on top.
  • the composition of the copper material for the high purity copper sputtering target and the high purity copper sputtering target according to the present embodiment is such that the purity of Cu excluding O, H, N, and C is 99.999980 mass% or more and 99.999998 mass% or less.
  • the Al content is 0.005 massppm or less, and the Si content is 0.05 massppm or less.
  • the S content is 0.03 massppm or less
  • the Cl content is 0.1 massppm or less
  • the O content is less than 1 massppm
  • the H content is less than 1 massppm
  • the N content is less than 1 massppm
  • C content is 1 massppm or less.
  • Al 0.005 massppm or less
  • Al is an element that easily forms oxides, carbides, nitrides, and the like, it tends to remain as foreign matter in the sputtering target. Therefore, by limiting the Al content to 0.005 massppm or less, even when the purity of Cu is in the range of 99.999980 mass% or more and 99.999998 mass% or less, abnormal discharge (arcing) occurs during film formation. Can be suppressed.
  • the detection limit of Al is 0.001 massppm.
  • the Al range is preferably less than 0.001 massppm.
  • Si 0.05 massppm or less
  • Si is an element that easily forms oxides, carbides, nitrides, and the like, it is likely to remain as a foreign substance in the sputtering target. Therefore, by limiting the Si content to 0.05 massppm or less, abnormal discharge (arcing) occurs during film formation even when the purity of Cu is in the range of 99.999998 mass% to 99.999998 mass%. Can be suppressed.
  • reducing Si extremely causes a cost increase. For this reason, it is good also considering content of Si as 0.005 massppm or more. Moreover, it is good also considering content of Si as 0.005 massppm or more and 0.05 massppm or less.
  • S 0.03 massppm or less
  • S is an element that reacts with other impurity elements to form sulfides and is likely to remain as foreign matter in the sputtering target.
  • S when S is present alone, it may be gasified and ionized during film formation, lowering the degree of vacuum, and causing abnormal discharge (arcing). From the above, in this embodiment, the S content is limited to 0.03 massppm or less.
  • content of S is 0.005 massppm or more.
  • content of S less than 0.01 massppm is more desirable.
  • Cl 0.1 mass ppm or less
  • Cl is an element that reacts with other impurity elements to form chlorides and tends to remain as a foreign substance in the sputtering target. Further, when Cl is present alone, it may be gasified and ionized during film formation, lowering the degree of vacuum, and causing abnormal discharge (arcing). From the above, in this embodiment, the Cl content is limited to 0.1 mass ppm or less. Note that the smaller the Cl content, the better. However, extremely reducing the Cl causes an increase in cost. For this reason, it is good also considering content of Cl as 0.005 massppm or more. Further, the Cl content is more preferably less than 0.01 mass ppm.
  • C 1 massppm or less
  • C reacts with other impurity elements to form carbides, and tends to remain as foreign matter in the sputtering target. Moreover, C tends to remain in the sputtering target as a single substance. For this reason, there is a risk of inducing abnormal discharge (arcing). From the above, in this embodiment, the C content is limited to 1 massppm or less.
  • the contents of Au, Pd, and Pb are further limited to 0.05 mass ppm or less.
  • These elements such as Au, Pd, and Pb are elements having a higher sputtering rate than Cu.
  • the sputtering rate indicates the number of atoms sputtered by the incidence of one ion. For example, when Ar sputtering is performed with ion energy of 500 eV, the sputtering rate of Cu is 2.0 atoms / ion, whereas the sputtering rate of Au is 2.5 atoms / ion and the sputtering rate of Pd is 2.08 atoms / ion.
  • Pb sputtering rate is 2.7 atoms / ion.
  • Such an element having a higher sputtering rate than Cu is preferentially sputtered over Cu during film formation, and may be mixed into the film.
  • these elements such as Au, Pd, and Pb have higher resistance values than Cu. Therefore, when mixed in the film, the resistance value of the high-purity copper film (wiring film) may be increased.
  • the contents of these elements such as Au, Pd, and Pb are limited to 0.05 mass ppm or less, respectively.
  • the detection limits of Au, Pd, and Pb are 0.01 massppm, 0.005 massppm, and 0.001 ppm, respectively. Therefore, when Au, Pd, and Pb are detected, the ranges are 0.01 massppm to 0.05 massppm, respectively. It may be 0.005 massppm to 0.05 massppm, or 0.001 massppm to 0.05 massppm.
  • the contents of Cr, Fe, Co, Ni, Ge, and Pt are further limited to 0.05 mass ppm or less.
  • These elements such as Cr, Fe, Co, Ni, Ge, and Pt have a high sputtering rate although they have a sputtering rate lower than that of Cu, and thus may be mixed into the film during film formation.
  • the sputtering rate of Cr is 1.18 atoms / ion
  • the sputtering rate of Fe is 1.10 atoms / ion
  • the sputtering rate of Co is 1.22 atoms / ion
  • sputtering of Ni is performed.
  • the rate is 1.45 atoms / ion
  • the sputtering rate of Ge is 1.1 atoms / ion
  • the sputtering rate of Pt is 1.40 atoms / ion.
  • the contents of these elements such as Cr, Fe, Co, Ni, Ge, and Pt are limited to 0.05 mass ppm or less, respectively.
  • the detection limit of Fe, Co, Ni is 0.001 massppm
  • the detection limit of Cr is 0.002 massppm
  • the detection limit of Ge is 0.005 massppm
  • the detection limit of Pt is 0.01 massppm.
  • the ranges may be 0.001 massppm to 0.05 massppm, 0.002 massppm to 0.05 massppm, 0.005 massppm to 0.05 massppm, and 0.01 massppm to 0.05 massppm, respectively.
  • the contents of Be, Ti, V, Zr, Nb, Mo, W, Th, and U are further limited to 0.05 massppm or less.
  • these elements such as Be, Ti, V, Zr, Nb, Mo, W, Th, and U have a lower sputtering rate than Cu, they have a relatively high sputtering rate, and thus may be mixed into the film during film formation. There is.
  • the sputtering rate of Be is 0.51 atoms / ion
  • the sputtering rate of Ti is 0.51 atoms / ion
  • the sputtering rate of V is 0.65 atoms / ion
  • sputtering of Zr is performed.
  • the sputtering rate is 0.65 atoms / ion
  • the sputtering rate of Nb is 0.60 atoms / ion
  • the sputtering rate of Mo is 0.80 atoms / ion
  • the sputtering rate of W is 0.57 atoms / ion
  • the sputtering rate of Th is 0.62 atoms / ion.
  • the sputtering rate of ion and U is 0.85 atoms / ion. From the above, in the present embodiment, the contents of these elements such as Be, Ti, V, Zr, Nb, Mo, W, Th, and U are limited to 0.05 mass ppm or less, respectively.
  • the detection limits of Be, Ti, V, Zr, and W are 0.001 massppm
  • the detection limits of Nb and Mo are 0.005 massppm
  • the detection limits of Th and U are 0.0001 massppm.
  • the ranges may be 0.001 massppm to 0.05 massppm, 0.005 massppm to 0.05 massppm, and 0.0001 massppm to 0.05 massppm, respectively.
  • the upper limit of the content of various impurity elements is set, but the purity of Cu excluding O, H, N, and C is 99.999980 mass% or more and 99.99%. It is necessary to regulate the total amount of impurity elements so as to be within a range of 999998 mass% or less.
  • analysis of impurity elements excluding O, H, N, and C can be performed using a glow discharge mass spectrometer (GD-MS).
  • GD-MS glow discharge mass spectrometer
  • the analysis of O can be carried out by an inert gas melting-infrared absorption method
  • the analysis of H and N can be carried out by an inert gas melting-thermal conductivity method
  • the analysis of C can be carried out by a combustion-infrared absorption method.
  • electrolytic copper having a copper purity of 99.99 mass% or more is prepared, and this is electrolytically purified.
  • the above-described electrolytic copper is used as an anode, a titanium plate is used as a cathode, and the anode and the cathode are immersed in an electrolytic solution for electrolysis.
  • the electrolytic solution is prepared by diluting the reagent copper nitrate with water and further adding hydrochloric acid.
  • the contents of Al and Si in the anode (electro-copper) used in the electrolytic purification process are each defined as 1 massppm or less, and the contents of Al and Si in the electrolytic solution are each 1 massppm. It is defined below.
  • the cleanliness of the room in which the electrolytic purification is performed is set to 10000E or less of the US Federal Air Cleanliness Standard 209E (ISO14644-1 class ISO7 or less). By performing electrolytic purification under such conditions, the Al content can be 0.005 massppm or less and the Si content can be 0.05 massppm or less.
  • the purity of Cu excluding O, H, N, and C is within the range of 99.999980 mass% to 99.999998 mass%
  • the Al content is 0.005 massppm or less
  • the Si content Can be obtained as a copper material for a high-purity copper sputtering target.
  • this high-purity copper sputtering target copper raw material is used as a melting raw material and melted in a vacuum melting furnace to produce a high-purity copper ingot.
  • the high-purity copper ingot is subjected to hot working, cold working, and machining as required to obtain a predetermined shape.
  • the high-purity copper sputtering target according to this embodiment is manufactured.
  • the purity of Cu excluding O, H, N, and C is 99.999980 mass% or more. Since it is within the range of 99.9999998 mass% or less, it is not necessary to carry out the purification treatment step three times or more, and it can be produced at a relatively low cost. And since the content of Al, which is an element that easily forms oxides, carbides, nitrides, etc.
  • the S content is limited to 0.03 mass ppm or less, it is possible to suppress sulfide from remaining in the sputtering target as a foreign substance, and S is gasified and ionized during film formation. Therefore, it can suppress that a vacuum degree falls. Therefore, even when the purity of Cu is in the range of 99.9999980% by mass to 99.999998% by mass, abnormal discharge (arcing) during film formation can be reliably suppressed.
  • the Cl content is limited to 0.1 mass ppm or less, it is possible to prevent chloride from remaining in the sputtering target as a foreign substance, and Cl is gasified and ionized during film formation. Therefore, it can suppress that a vacuum degree falls. Therefore, even if the purity of Cu is in the range of 99.9999980% by mass to 99.999998% by mass, abnormal discharge (arcing) can be reliably suppressed.
  • the contents of gas components such as O, H, and N are limited to less than 1 mass ppm, respectively, so that the degree of vacuum can be suppressed during film formation, and the occurrence of abnormal discharge (arcing) can be suppressed. be able to. Further, generation of particles due to abnormal discharge can be suppressed, and a high-quality high-purity copper film can be formed.
  • the C content is limited to 1 mass ppm or less, it is possible to suppress foreign matters made of carbide or carbon alone from remaining in the sputtering target. Therefore, even if the purity of Cu is in the range of 99.9999980% by mass to 99.999998% by mass, abnormal discharge (arcing) can be reliably suppressed.
  • the contents of Au, Pd, and Pb which are elements having a higher sputtering rate and higher resistance than Cu, are limited to 0.05 mass ppm or less, respectively. Mixing of these elements such as Au, Pd, and Pb into the film can be suppressed, and an increase in the resistance value of the high-purity copper film (wiring film) can be suppressed. Furthermore, in this embodiment, the content of Cr, Fe, Co, Ni, Ge, and Pt, which are elements having a high sputtering rate, although lower than that of Cu, is limited to 0.05 massppm or less.
  • these elements such as Cr, Fe, Co, Ni, Ge, and Pt can be prevented from being mixed into the film and the characteristics of the high purity copper film (wiring film) being deteriorated.
  • the contents of Be, Ti, V, Zr, Nb, Mo, W, Th, and U which are elements having a relatively high sputtering rate, although lower than that of Cu, are set to 0. 0, respectively. Since it is limited to less than 05 massppm, these elements such as Be, Ti, V, Zr, Nb, Mo, W, Th, and U are mixed in the film and the characteristics of the high purity copper film (wiring film) deteriorate. Can be prevented.
  • this invention is not limited to this, It can change suitably in the range which does not deviate from the technical idea of the invention.
  • the sputtering target for forming a high-purity copper film as the wiring film has been described as an example.
  • the present invention is not limited to this, and even when a high-purity copper film is used for other purposes. Can be applied.
  • a manufacturing method it is not limited to this embodiment, The thing manufactured with the other manufacturing method may be used.
  • Electrolytic purification is performed under the electrolytic purification conditions exemplified in the embodiment using electrolytic copper having Al of 1 massppm or less, Si of 1 massppm or less, and other impurities (excluding O, H, N, and C) of 20 massppm or less as raw materials.
  • a copper raw material (copper material) was manufactured by repeating the process once.
  • the raw material produced by the above production method was put in a crucible (carbon crucible) made of high-purity carbon and vacuum melted (pressure 10 ⁇ 5 Pa) at 1130 ° C. In addition, after melt
  • Table 1 shows the composition of the obtained ingot.
  • the manufactured high-purity copper ingot is forged at 500 ° C., and the obtained high-purity forged ingot is cut into a diameter of 300 mm ⁇ height of 15 mm, and the cut out forged ingot is Cr—Zr—Cu (UNS.C18150 ) And a HIP (hot isostatic pressing) bonding.
  • Electrolytic refining is repeated twice using copper nitrate as a raw material using copper as a raw material, with Al being 2 massppm or less, Si being 3 massppm or less, and other impurities (excluding O, H, N, and C) being 20 massppm or less.
  • a copper raw material having a composition with an Al content of 0.005 mass ppm and an Si content of 0.06 mass ppm was obtained.
  • the raw material produced by the above production method was put in a carbon crucible, melted at 1130 ° C. in an Ar atmosphere, and held at a temperature of 1150 ° C. for 30 minutes.
  • Table 1 shows the composition of the obtained ingot.
  • the manufactured high-purity copper ingot is forged at 500 ° C., and the obtained high-purity forged ingot is cut into a diameter of 300 mm ⁇ height of 15 mm, and the cut out forged ingot is Cr—Zr—Cu (UNS.C18150 ) And HIP bonding to the backing plate.
  • Table 1 shows the composition of the obtained ingot.
  • the manufactured high-purity copper ingot is forged at 500 ° C., and the obtained high-purity forged ingot is cut into a diameter of 300 mm ⁇ height of 15 mm, and the cut out forged ingot is Cr—Zr—Cu (UNS.C18150 ) And HIP bonding to the backing plate.
  • analysis of impurity elements excluding O, H, N, and C was performed using a glow discharge mass spectrometer (VG-9000 type manufactured by VG Elemental). The analysis procedure was performed according to ASTM F1845-97.
  • the analysis of O was performed by an inert gas melting-infrared absorption method (JIS H 1067: 2002). Specifically, analysis was performed according to JIS Z 2613: 1992 using TCEN600 manufactured by LECO. That is, the sample was heated and melted in a stream of inert gas (argon or helium) using a graphite crucible (inert gas melting).
  • the analysis of H was performed by an inert gas melting-thermal conductivity method. Specifically, analysis was carried out according to JIS Z 2614: 1990 using RHEN602 manufactured by LECO. That is, the gas generated from the sample by melting the inert gas was collected in a fixed volume including the thermal conductivity cell, and the change in thermal conductivity due to hydrogen was measured to calculate the amount of hydrogen.
  • the analysis of N was performed by the inert gas melting-thermal conductivity method in the same manner as the analysis of H. Specifically, the analysis was performed using TCEN600 manufactured by LECO.
  • Analysis of C was performed by the combustion-infrared absorption method. Specifically, analysis was performed according to JIS Z 2615: 2009 using CSLS600 manufactured by LECO. That is, water was removed from the combustion gas generated by burning the sample in an oxygen stream, the combustion gas was guided to an infrared absorption cell, and the amount of carbon absorbed was calculated by measuring the amount of infrared absorption by carbon dioxide. Table 1 shows the impurity analysis results of the sputtering targets of Invention Example 1-5 and Conventional Examples 1 and 2.
  • a copper thin film was formed on a wafer (material: silicon) having a diameter of 200 mm using the sputtering targets of Invention Example 1-5 and Conventional Examples 1 and 2.
  • the vacuum is evacuated to an ultimate vacuum pressure of 10 ⁇ 5 Pa or less, and then an ultra-high purity Ar gas (purity: 5N) is used as a sputtering gas, a sputtering gas pressure: 0.3 Pa, a direct current power source Sputter output by: After pre-sputtering at 0.5 kW for 30 minutes, sputtering was continued for 5 hours at 1.5 kW.
  • the number of particles is 80 / square inch and the number of arcing is as many as 20 / sheet, which stabilizes a high-purity copper film (wiring film). Film could not be formed.
  • the number of particles is 34 particles / square inch and the number of arcing is 8 times / sheet, which is reduced compared to Conventional Example 2, but it is still insufficient. This is presumably because Al, which is an element that generates sulfides, carbides, nitrides, and the like, is relatively contained at 0.01 masppm and Si at 0.1 massppm.
  • the purity of Cu excluding O, H, N, and C is within the range of 99.999980 mass% to 99.999998 mass%
  • the Al content is 0.005 massppm or less
  • the Si content is According to Inventive Example 1-5, which was set to 0.05 mass ppm or less, the number of particles was 2 / square inch or less, and the number of arcing was 4 times / sheet or less. From the above, it was confirmed that according to Inventive Example 1-5, it was possible to stably form a film while suppressing the occurrence of abnormal discharge.
  • the copper material for high-purity copper sputtering target and the high-purity copper sputtering target of the present invention it is possible to stably form a film while suppressing the occurrence of abnormal discharge.
  • the formed wiring film can be formed.
  • the copper raw material for high purity copper sputtering targets of this invention and a high purity copper sputtering target can be manufactured at low cost. For this reason, it can be suitably used for semiconductor devices, flat panel displays such as liquid crystal and organic EL panels, touch panels and the like.

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Abstract

　本発明の高純度銅スパッタリングターゲット用銅素材は、Ｏ、Ｈ、Ｎ、Ｃを除いたＣｕの純度が９９．９９９９８０ｍａｓｓ％以上９９．９９９９９８ｍａｓｓ％以下の範囲内とされ、Ａｌの含有量が０．００５ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｓｉの含有量が０．０５ｍａｓｓｐｐｍ以下とされている。

Description

高純度銅スパッタリングターゲット用銅素材及び高純度銅スパッタリングターゲット
　本発明は、例えば、半導体装置、液晶や有機ＥＬパネルなどのフラットパネルディスプレイ、タッチパネル等において配線膜（高純度銅膜）を形成する際に用いられる、高純度銅スパッタリングターゲット用銅素材及び高純度銅スパッタリングターゲットに関する。
　本願は、２０１３年７月１１日に、日本に出願された特願２０１３－１４５７３３号、及び２０１４年６月４日に、日本に出願された特願２０１４－１１６０１１号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
　従来、半導体装置、液晶や有機ＥＬパネルなどのフラットパネルディスプレイ、タッチパネル等の配線膜としてＡｌが広く使用されている。最近では、配線膜の微細化（幅狭化）および薄膜化が図られており、従来よりも比抵抗の低い配線膜が求められている。
　そこで、上述の配線膜の微細化および薄膜化にともない、Ａｌよりも比抵抗の低い材料である銅（Ｃｕ）からなる配線膜が提供されている。
　ところで、上述の配線膜は、通常、スパッタリングターゲットを用いて真空雰囲気中で成膜される。ここで、スパッタリングターゲットを用いて成膜を行う場合、スパッタリングターゲット内の異物に起因して異常放電（アーキング）が発生することがあり、そのため均一な配線膜を形成できないことがある。ここで異常放電とは、正常なスパッタリング時と比較して極端に高い電流が突然急激に流れて、異常に大きな放電が急激に発生してしまう現象である。このような異常放電が発生すれば、パーティクルが発生したり、配線膜の膜厚が不均一となったりしてしまうおそれがある。したがって、成膜時の異常放電はできるだけ回避することが望まれる。
　そこで、特許文献１には、純度６Ｎ以上の高純度銅からなるスパッタリングターゲットが提案されている。この特許文献１に記載された高純度銅スパッタリングターゲットにおいては、Ｐ，Ｓ，Ｏ，Ｃの含有量をそれぞれ１ｐｐｍ以下とするとともに、粒径０．５μｍ以上２０μｍ以下の非金属介在物を３０，０００個／ｇ以下とすることにより、スパッタリングターゲット内の異物を低減して、異常放電（アーキング）及びパーティクルの抑制を図っている。
特許第４６８０３２５号公報
　ところで、最近では、半導体装置、液晶や有機ＥＬパネルなどのフラットパネルディスプレイ、タッチパネル等においては、配線膜のさらなる高密度化が求められている。このため、従来にも増して、微細化および薄膜化された配線膜を安定して形成する必要がある。
　特許文献１に記載された高純度銅においては、上述のように、純度６Ｎ程度で、Ｐ，Ｓ，Ｏ，Ｃの含有量を制限するとともに非金属介在物の個数について限定している。しかしながら、これだけでは異物の低減が不十分であって、成膜中に異常放電（アーキング）が発生するおそれがあり、微細化および薄膜化された配線膜を安定して形成することができなかった。
　また、スパッタリングターゲット内の異物を低減するために、さらに純度を向上させた純度９９．９９９９９９ｍａｓｓ％以上の８Ｎ銅を用いることも考えられるが、このような純度の銅素材を製造する場合、精製処理工程を３回以上繰り返し実施する必要があり、製造コストが大幅に上昇してしまうといった問題があった。
　この発明は、前述した事情に鑑みてなされたものであって、異常放電の発生を抑制して安定して成膜を行うことができるとともに、低コストで製造可能な高純度銅スパッタリングターゲット用銅素材、及び、この高純度銅スパッタリングターゲット用銅素材からなる高純度銅スパッタリングターゲットを提供することを目的とする。
　上記の課題を解決するために、本発明の高純度銅スパッタリングターゲット用銅素材は、Ｏ（酸素）、Ｈ（水素）、Ｎ（窒素）、Ｃ（炭素）を除いたＣｕの純度が９９．９９９９８０ｍａｓｓ％以上９９．９９９９９８ｍａｓｓ％以下の範囲内とされ、Ａｌ（アルミニウム）の含有量が０．００５ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｓｉ（シリコン）の含有量が０．０５ｍａｓｓｐｐｍ以下とされている。
　この構成の高純度銅スパッタリングターゲット用銅素材においては、Ｏ、Ｈ、Ｎ、Ｃを除いたＣｕの純度が９９．９９９９８０ｍａｓｓ％（６Ｎ８）以上９９．９９９９９８ｍａｓｓ％（７Ｎ８）以下の範囲内とされているので、３回以上の精製処理工程を行う必要が無く、比較的低コストで製造することができる。
　また、ＡｌやＳｉは、酸化物、炭化物、窒化物等を形成しやすい元素であることから、スパッタリングターゲット内に異物として残存しやすい。そこで、不純物元素の中でもこれらＡｌとＳｉに着目し、Ａｌの含有量を０．００５ｍａｓｓｐｐｍ以下、及び、Ｓｉの含有量を０．０５ｍａｓｓｐｐｍ以下に制限することで、Ｃｕの純度が９９．９９９９８０ｍａｓｓ％以上９９．９９９９９８ｍａｓｓ％以下の範囲内であっても、成膜時の異常放電（アーキング）の発生を抑制することが可能となる。また、これらの異物が膜内に混入することがなく、高品質の高純度銅膜を成膜することができる。
　ここで、本発明の高純度銅スパッタリングターゲット用銅素材においては、Ｓの含有量が０．０３ｍａｓｓｐｐｍ以下とされていることが好ましい。
　この場合、Ｓの含有量が０．０３ｍａｓｓｐｐｍ以下に制限されているので、硫化物からなる異物がスパッタリングターゲット内に残存することを抑制できる。また、成膜時にＳがガス化及びイオン化して真空度が低下することを抑制できる。これにより、異常放電（アーキング）を抑制でき、高純度銅膜を安定して成膜することができる。
　また、本発明の高純度銅スパッタリングターゲット用銅素材においては、Ｃｌの含有量が０．１ｍａｓｓｐｐｍ以下とされていることが好ましい。
　この場合、Ｃｌの含有量が０．１ｍａｓｓｐｐｍ以下に制限されているので、塩化物からなる異物がスパッタリングターゲット内に残存することを抑制できる。また、成膜時にＣｌがガス化及びイオン化して真空度が低下することを抑制できる。これにより、異常放電（アーキング）を抑制でき、高純度銅膜を安定して成膜することができる。
　さらに、本発明の高純度銅スパッタリングターゲット用銅素材においては、Ｏの含有量が１ｍａｓｓｐｐｍ未満、Ｈの含有量が１ｍａｓｓｐｐｍ未満、Ｎの含有量が１ｍａｓｓｐｐｍ未満とされていることが好ましい。
　この場合、Ｏ、Ｈ、Ｎといったガス成分の含有量がそれぞれ１ｍａｓｓｐｐｍ未満に制限されているので、成膜時に真空度が下がることを抑制でき、異常放電（アーキング）の発生を抑えることができる。また、異常放電によるパーティクルの発生を抑制でき、高品質の高純度銅膜を成膜することができる。
　また、本発明の高純度銅スパッタリングターゲット用銅素材においては、Ｃの含有量が１ｍａｓｓｐｐｍ以下とされていることが好ましい。
　この場合、Ｃの含有量が１ｍａｓｓｐｐｍ以下に制限されているので、炭化物あるいは炭素単体からなる異物がスパッタリングターゲット内に残存することを抑制できる。これにより、異常放電（アーキング）を抑制でき、高純度銅膜を安定して成膜することができる。
　本発明の高純度銅スパッタリングターゲットは、前述の高純度銅スパッタリングターゲット用銅素材を用いて製造される。
　この構成の高純度銅スパッタリングターゲットによれば、Ｏ、Ｈ、Ｎ、Ｃを除いたＣｕの純度が９９．９９９９８０ｍａｓｓ％以上９９．９９９９９８ｍａｓｓ％以下の範囲内とされているので、３回以上の精製処理工程を行う必要が無く、比較的低コストで製造することができる。また、異物の発生が抑制されていることから、成膜時に異常放電（アーキング）が発生しにくく、安定して高純度銅膜を形成することができる。また、異物が膜内に混入することが抑制され、高品質の高純度銅膜を成膜することができる。
　本発明によれば、異常放電の発生を抑制して安定して成膜を行うことができるとともに、低コストで製造可能な高純度銅スパッタリングターゲット用銅素材、及び、この高純度銅スパッタリングターゲット用銅素材からなる高純度銅スパッタリングターゲットを提供することができる。
　以下に、本発明の一実施形態に係る高純度銅スパッタリングターゲット用銅素材及び高純度銅スパッタリングターゲットについて説明する。
　本実施形態である高純度銅スパッタリングターゲット用銅素材及び高純度銅スパッタリングターゲットは、半導体装置、液晶や有機ＥＬパネルなどのフラットパネルディスプレイ、タッチパネル等において配線膜として使用される高純度銅膜を基板上に成膜する際に用いられる。
　そして、本実施形態である高純度銅スパッタリングターゲット用銅素材及び高純度銅スパッタリングターゲットの組成は、Ｏ、Ｈ、Ｎ、Ｃを除いたＣｕの純度が９９．９９９９８０ｍａｓｓ％以上９９．９９９９９８ｍａｓｓ％以下の範囲内とされ、Ａｌの含有量が０．００５ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｓｉの含有量が０．０５ｍａｓｓｐｐｍ以下とされている。
　また、本実施形態では、Ｓの含有量が０．０３ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｃｌの含有量が０．１ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｏの含有量が１ｍａｓｓｐｐｍ未満、Ｈの含有量が１ｍａｓｓｐｐｍ未満、Ｎの含有量が１ｍａｓｓｐｐｍ未満、Ｃの含有量が１ｍａｓｓｐｐｍ以下とされている。
　以下に、本実施形態である高純度銅スパッタリングターゲット用銅素材及び高純度銅スパッタリングターゲットの組成を上述のように規定した理由について説明する。
（Ｃｕ：９９．９９９９８０ｍａｓｓ％以上９９．９９９９９８ｍａｓｓ％以下）
　配線膜（高純度銅膜）をスパッタにて成膜する場合、異常放電（アーキング）を抑えるために不純物を極力低減することが好ましい。ただし、銅を９９．９９９９９９ｍａｓｓ％（８Ｎ）以上に高純度化するためには、精製処理を３回以上実施する必要があり、製造コストが大幅に上昇する。そこで、本実施形態では、２回の精製処理工程によって得られるＣｕの純度である９９．９９９９８０ｍａｓｓ％（６Ｎ８）以上９９．９９９９９８ｍａｓｓ％（７Ｎ８）以下とすることで、製造コストの低減を図っている。
（Ａｌ：０．００５ｍａｓｓｐｐｍ以下）
　Ａｌは、酸化物、炭化物、窒化物等を形成しやすい元素であることから、スパッタリングターゲット内に異物として残存しやすい。そこで、Ａｌの含有量を０．００５ｍａｓｓｐｐｍ以下に制限することで、Ｃｕの純度が９９．９９９９８０ｍａｓｓ％以上９９．９９９９９８ｍａｓｓ％以下の範囲内であっても、成膜時の異常放電（アーキング）の発生を抑制することが可能となる。Ａｌの検出限界が０．００１ｍａｓｓｐｐｍとなる。Ａｌの範囲は０．００１ｍａｓｓｐｐｍ未満が望ましい。
（Ｓｉ：０．０５ｍａｓｓｐｐｍ以下）
　Ｓｉは、酸化物、炭化物、窒化物等を形成しやすい元素であることから、スパッタリングターゲット内に異物として残存しやすい。そこで、Ｓｉの含有量を０．０５ｍａｓｓｐｐｍ以下に制限することで、Ｃｕの純度が９９．９９９９８０ｍａｓｓ％以上９９．９９９９９８ｍａｓｓ％以下の範囲内であっても、成膜時の異常放電（アーキング）の発生を抑制することが可能となる。なお、Ｓｉの含有量は少ないほど好ましいが、Ｓｉを極度に低減させることはコストの増加を招く。このため、Ｓｉの含有量を０．００５ｍａｓｓｐｐｍ以上としても良い。また、Ｓｉの含有量を０．００５ｍａｓｓｐｐｍ以上０．０５ｍａｓｓｐｐｍ以下としても良い。
（Ｓ：０．０３ｍａｓｓｐｐｍ以下）
　Ｓは、他の不純物元素と反応して硫化物を形成し、スパッタリングターゲット内に異物として残存しやすい元素である。また、Ｓが単体で存在している場合、成膜時にガス化及びイオン化し、真空度を下げ、異常放電（アーキング）を誘発するおそれがある。以上のことから、本実施形態では、Ｓの含有量を０．０３ｍａｓｓｐｐｍ以下に制限している。なお、Ｓの含有量は少ないほど好ましいが、Ｓを極度に低減させることはコストの増加を招く。このため、Ｓの含有量を０．００５ｍａｓｓｐｐｍ以上としても良い。また、Ｓの含有量としては、０．０１ｍａｓｓｐｐｍ未満がより望ましい。
（Ｃｌ：０．１ｍａｓｓｐｐｍ以下）
　Ｃｌは、他の不純物元素と反応して塩化物を形成し、スパッタリングターゲット内に異物として残存しやすい元素である。また、Ｃｌが単体で存在している場合、成膜時にガス化及びイオン化し、真空度を下げ、異常放電（アーキング）を誘発するおそれがある。以上のことから、本実施形態では、Ｃｌの含有量を０．１ｍａｓｓｐｐｍ以下に制限している。なお、Ｃｌの含有量は少ないほど好ましいが、Ｃｌを極度に低減させることはコストの増加を招く。このため、Ｃｌの含有量を０．００５ｍａｓｓｐｐｍ以上としても良い。また、Ｃｌの含有量としては、０．０１ｍａｓｓｐｐｍ未満がより望ましい。
（Ｏ、Ｈ、Ｎ：それぞれ１ｍａｓｓｐｐｍ未満）
　スパッタリングターゲットを用いて成膜する場合、成膜が真空中雰囲気で実施されることから、これらのガス成分がターゲット中に多く存在していると、成膜時に真空度を下げ、異常放電（アーキング）を誘発するおそれがある。また、異常放電によってパーティクルが発生し、形成された高純度銅膜の品質が劣化してしまうおそれがある。以上のことから、本実施形態では、Ｏ、Ｈ、Ｎの含有量をそれぞれ１ｍａｓｓｐｐｍ未満に制限している。なお、Ｏ、Ｈ、Ｎの含有量は少ないほど好ましいが、Ｏ、Ｈ、Ｎを極度に低減させることはコストの増加を招く。このため、Ｏ、Ｈ、Ｎの含有量をそれぞれ０．１ｍａｓｓｐｐｍ以上としても良い。また、Ｏの含有量は０．５ｍａｓｓｐｐｍ未満、Ｈの含有量は０．２ｍａｓｓｐｐｍ未満がより望ましい。
（Ｃ：１ｍａｓｓｐｐｍ以下）
　Ｃは、他の不純物元素と反応して炭化物を形成し、スパッタリングターゲット内に異物として残存しやすい。また、Ｃは、単体としてもスパッタリングターゲット内に残存しやすい。このため、異常放電（アーキング）を誘発するおそれがある。以上のことから、本実施形態では、Ｃの含有量を１ｍａｓｓｐｐｍ以下に制限している。
　ここで、本実施形態においては、さらに、Ａｕ，Ｐｄ，Ｐｂの含有量をそれぞれ０．０５ｍａｓｓｐｐｍ以下に制限している。
　これらＡｕ，Ｐｄ，Ｐｂといった元素は、Ｃｕよりもスパッタ率が高い元素である。なお、スパッタ率とは、１個のイオンの入射によりスパッタされる原子の個数を示すものである。例えば５００ｅＶのイオンエネルギーでＡｒスパッタを行う場合、Ｃｕのスパッタ率が２．０ａｔｏｍｓ／ｉｏｎであるのに対して、Ａｕのスパッタ率が２．５ａｔｏｍｓ／ｉｏｎ、Ｐｄのスパッタ率が２．０８ａｔｏｍｓ／ｉｏｎ、Ｐｂのスパッタ率が２．７ａｔｏｍｓ／ｉｏｎである。このようなＣｕよりもスパッタ率が高い元素は、成膜時にＣｕよりも優先してスパッタされることになり、膜内に混入するおそれがある。また、これらＡｕ，Ｐｄ，Ｐｂといった元素は、Ｃｕよりも抵抗値が高いことから、膜内に混入すると、高純度銅膜（配線膜）の抵抗値を上昇させるおそれがある。
　以上のことから、本実施形態では、これらＡｕ，Ｐｄ，Ｐｂといった元素の含有量をそれぞれ０．０５ｍａｓｓｐｐｍ以下に制限している。Ａｕ、Ｐｄ、Ｐｂの検出限界がそれぞれ０．０１ｍａｓｓｐｐｍ、０．００５ｍａｓｓｐｐｍ、０．００１ｐｐｍであるため、Ａｕ、Ｐｄ、Ｐｂが検出できた場合には、その範囲はそれぞれ０．０１ｍａｓｓｐｐｍ～０．０５ｍａｓｓｐｐｍ、０．００５ｍａｓｓｐｐｍ～０．０５ｍａｓｓｐｐｍ、０．００１ｍａｓｓｐｐｍ～０．０５ｍａｓｓｐｐｍとしてもよい。
　また、本実施形態では、さらに、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｇｅ、Ｐｔの含有量をそれぞれ０．０５ｍａｓｓｐｐｍ以下に制限している。
　これらＣｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｇｅ、Ｐｔといった元素は、Ｃｕよりもスパッタ率が低いものの高いスパッタ率を有することから、成膜時に膜内に混入するおそれがある。なお、例えば５００ｅＶのイオンエネルギーでＡｒスパッタを行う場合、Ｃｒのスパッタ率が１．１８ａｔｏｍｓ／ｉｏｎ、Ｆｅのスパッタ率が１．１０ａｔｏｍｓ／ｉｏｎ、Ｃｏのスパッタ率が１．２２ａｔｏｍｓ／ｉｏｎ、Ｎｉのスパッタ率が１．４５ａｔｏｍｓ／ｉｏｎ、Ｇｅのスパッタ率が１．１ａｔｏｍｓ／ｉｏｎ、Ｐｔのスパッタ率が１．４０ａｔｏｍｓ／ｉｏｎである。
　以上のことから、本実施形態では、これらＣｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｇｅ、Ｐｔといった元素の含有量をそれぞれ０．０５ｍａｓｓｐｐｍ以下に制限している。なお、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉの検出限界が０．００１ｍａｓｓｐｐｍ、Ｃｒの検出限界が０．００２ｍａｓｓｐｐｍ、Ｇｅの検出限界が０．００５ｍａｓｓｐｐｍ、Ｐｔの検出限界が０．０１ｍａｓｓｐｐｍであるため、それぞれ検出できた場合には、その範囲はそれぞれ０．００１ｍａｓｓｐｐｍ～０．０５ｍａｓｓｐｐｍ、０．００２ｍａｓｓｐｐｍ～０．０５ｍａｓｓｐｐｍ、０．００５ｍａｓｓｐｐｍ～０．０５ｍａｓｓｐｐｍ、０．０１ｍａｓｓｐｐｍ～０．０５ｍａｓｓｐｐｍとしてもよい。
　また、本実施形態では、さらに、Ｂｅ、Ｔｉ、Ｖ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｈ、Ｕの含有量をそれぞれ０．０５ｍａｓｓｐｐｍ以下に制限している。
　これらＢｅ、Ｔｉ、Ｖ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｈ、Ｕといった元素は、Ｃｕよりもスパッタ率が低いものの、比較的高いスパッタ率を有することから、成膜時に膜内に混入するおそれがある。なお、例えば５００ｅＶのイオンエネルギーでＡｒスパッタを行う場合、Ｂｅのスパッタ率が０．５１ａｔｏｍｓ／ｉｏｎ、Ｔｉのスパッタ率が０．５１ａｔｏｍｓ／ｉｏｎ、Ｖのスパッタ率が０．６５ａｔｏｍｓ／ｉｏｎ、Ｚｒのスパッタ率が０．６５ａｔｏｍｓ／ｉｏｎ、Ｎｂのスパッタ率が０．６０ａｔｏｍｓ／ｉｏｎ、Ｍｏのスパッタ率が０．８０ａｔｏｍｓ／ｉｏｎ、Ｗのスパッタ率が０．５７ａｔｏｍｓ／ｉｏｎ、Ｔｈのスパッタ率が０．６２ａｔｏｍｓ／ｉｏｎ、Ｕのスパッタ率が０．８５ａｔｏｍｓ／ｉｏｎである。
　以上のことから、本実施形態では、これらＢｅ、Ｔｉ、Ｖ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｈ、Ｕといった元素の含有量をそれぞれ０．０５ｍａｓｓｐｐｍ以下に制限している。Ｂｅ、Ｔｉ、Ｖ、Ｚｒ、Ｗの検出限界が０．００１ｍａｓｓｐｐｍ、Ｎｂ、Ｍｏの検出限界が０．００５ｍａｓｓｐｐｍ、Ｔｈ、Ｕの検出限界が０．０００１ｍａｓｓｐｐｍであるため、検出できた場合には、その範囲はそれぞれ０．００１ｍａｓｓｐｐｍ～０．０５ｍａｓｓｐｐｍ、０．００５ｍａｓｓｐｐｍ～０．０５ｍａｓｓｐｐｍ、０．０００１ｍａｓｓｐｐｍ～０．０５ｍａｓｓｐｐｍとしてもよい。
　なお、本実施形態では、上述のように、各種の不純物元素の含有量の上限をそれぞれ設定しているが、Ｏ、Ｈ、Ｎ、Ｃを除いたＣｕの純度が９９．９９９９８０ｍａｓｓ％以上９９．９９９９９８ｍａｓｓ％以下の範囲内となるように、不純物元素の合計量を規制する必要がある。
　ここで、Ｏ，Ｈ，Ｎ，Ｃを除く不純物元素の分析は、グロー放電質量分析装置（ＧＤ－ＭＳ）を用いて行うことができる。
　また、Ｏの分析は、不活性ガス融解－赤外線吸収法、Ｈ，Ｎの分析は、不活性ガス融解－熱伝導度法、Ｃの分析は、燃焼－赤外線吸収法によって実施することができる。
　次に、本実施形態である高純度銅スパッタリングターゲット用銅素材及び高純度銅スパッタリングターゲットの製造方法について説明する。
　まず、銅の純度が９９．９９ｍａｓｓ％以上の電気銅を準備し、これを電解精製する。
　上述の電気銅をアノードとし、チタン板をカソードとし、これらアノード及びカソードを電解液に浸漬して電解を行う。ここで、電解液は、試薬の硝酸銅を水で希釈することにより調製し、さらに塩酸を添加したものを使用する。このように、硝酸銅電解液中に塩酸を加えることにより、亜硝酸ガスの発生を抑制でき、電着銅中の不純物量を低減することが可能となる（特許第３１０２１７７参照）。このような電解精製を２回繰り返し実施する。これにより、Ｏ、Ｈ、Ｎ、Ｃを除いたＣｕの純度が９９．９９９９８０ｍａｓｓ％以上９９．９９９９９８ｍａｓｓ％以下の範囲内とされた高純度銅が得られる。
　そして、本実施形態では、電解精製工程において用いられるアノード（電気銅）のＡｌ、Ｓｉの含有量をそれぞれ１ｍａｓｓｐｐｍ以下に規定しており、さらに、電解液中のＡｌ、Ｓｉの含有量をそれぞれ１ｍａｓｓｐｐｍ以下に規定している。また、電解精製を実施する室内のクリーン度を米国連邦空気清浄度基準２０９Ｅのクラス１００００以下（ＩＳＯ１４６４４－１のクラスＩＳＯ７以下）としている。このような条件で電解精製を行うことにより、Ａｌの含有量を０．００５ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｓｉの含有量を０．０５ｍａｓｓｐｐｍ以下とすることが可能となる。
　以上のようにして、Ｏ、Ｈ、Ｎ、Ｃを除いたＣｕの純度が９９．９９９９８０ｍａｓｓ％以上９９．９９９９９８ｍａｓｓ％以下の範囲内とされ、Ａｌの含有量が０．００５ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｓｉの含有量が０．０５ｍａｓｓｐｐｍ以下とされた高純度銅スパッタリングターゲット用銅素材を得ることができる。
　次に、この高純度銅スパッタリングターゲット用銅素材を溶解原料とし、真空溶解炉で溶解して高純度銅インゴットを作製する。この高純度銅インゴットに対して、必要に応じて熱間加工、冷間加工、機械加工を行って所定の形状とする。
　以上のようにして、本実施形態である高純度銅スパッタリングターゲットが製造されることになる。
　以上のような構成とされた本実施形態である高純度銅スパッタリングターゲット用銅素材及び高純度銅スパッタリングターゲットによれば、Ｏ、Ｈ、Ｎ、Ｃを除いたＣｕの純度が９９．９９９９８０ｍａｓｓ％以上９９．９９９９９８ｍａｓｓ％以下の範囲内とされているので、３回以上の精製処理工程を行う必要が無く、比較的低コストで製造することができる。
　そして、酸化物、炭化物、窒化物等を形成して異物として残存しやすい元素であるＡｌの含有量が０．００５ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｓｉの含有量が０．０５ｍａｓｓｐｐｍ以下に制限されているので、Ｃｕの純度が９９．９９９９８０ｍａｓｓ％以上９９．９９９９９８ｍａｓｓ％以下の範囲内であっても、異物に起因する異常放電（アーキング）を抑制することができ、高純度銅膜（配線膜）を安定して成膜することができる。
　また、本実施形態では、Ｓの含有量が０．０３ｍａｓｓｐｐｍ以下に制限されているので、硫化物が異物としてスパッタリングターゲット内に残存することを抑制できるとともに、成膜時にＳがガス化及びイオン化して真空度が低下することを抑制できる。よって、Ｃｕの純度が９９．９９９９８０ｍａｓｓ％以上９９．９９９９９８ｍａｓｓ％以下の範囲内であっても、成膜時における異常放電（アーキング）を確実に抑制できる。
　さらに、本実施形態では、Ｃｌの含有量が０．１ｍａｓｓｐｐｍ以下に制限されているので、塩化物が異物としてスパッタリングターゲット内に残存することを抑制できるとともに、成膜時にＣｌがガス化及びイオン化して真空度が低下することを抑制できる。よって、Ｃｕの純度が９９．９９９９８０ｍａｓｓ％以上９９．９９９９９８ｍａｓｓ％以下の範囲内であっても、異常放電（アーキング）を確実に抑制できる。
　また、本実施形態では、Ｏ、Ｈ、Ｎといったガス成分の含有量がそれぞれ１ｍａｓｓｐｐｍ未満に制限されているので、成膜時に真空度が下がることを抑制でき、異常放電（アーキング）の発生を抑えることができる。さらに、異常放電によるパーティクルの発生を抑制でき、高品質の高純度銅膜を成膜することができる。
　さらに、本実施形態では、Ｃの含有量が１ｍａｓｓｐｐｍ以下に制限されているので、炭化物あるいは炭素単体からなる異物がスパッタリングターゲット内に残存することを抑制できる。よって、Ｃｕの純度が９９．９９９９８０ｍａｓｓ％以上９９．９９９９９８ｍａｓｓ％以下の範囲内であっても、異常放電（アーキング）を確実に抑制できる。
　また、本実施形態では、Ｃｕよりもスパッタ率が高く、かつ、抵抗値が高い元素であるＡｕ，Ｐｄ，Ｐｂの含有量をそれぞれ０．０５ｍａｓｓｐｐｍ以下に制限しているので、成膜時において、膜内にこれらＡｕ，Ｐｄ，Ｐｂといった元素が混入することを抑制でき、高純度銅膜（配線膜）の抵抗値の上昇を抑制できる。
　さらに、本実施形態では、Ｃｕよりもスパッタ率が低いものの高いスパッタ率を有する元素であるＣｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｇｅ、Ｐｔの含有量をそれぞれ０．０５ｍａｓｓｐｐｍ以下に制限しているので、これらＣｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｇｅ、Ｐｔといった元素が膜内に混入して高純度銅膜（配線膜）の特性が劣化することを防止できる。
　また、本実施形態では、Ｃｕよりもスパッタ率が低いものの、比較的高いスパッタ率を有する元素であるＢｅ、Ｔｉ、Ｖ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｈ、Ｕの含有量をそれぞれ０．０５ｍａｓｓｐｐｍ以下に制限しているので、これらＢｅ、Ｔｉ、Ｖ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｈ、Ｕといった元素が膜内に混入して高純度銅膜（配線膜）の特性が劣化することを防止できる。
　以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明はこれに限定されることはなく、その発明の技術的思想を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。
　本実施形態では、配線膜として高純度銅膜を形成するスパッタリングターゲットを例に挙げて説明したが、これに限定されることはなく、他の用途で高純度銅膜を用いる場合であっても適用することができる。
　また、製造方法については、本実施形態に限定されることはなく、他の製造方法によって製造されたものであってもよい。
　以下に、前述した本実施形態である高純度銅スパッタリングターゲット用銅素材及び高純度銅スパッタリングターゲットについて評価した評価試験の結果について説明する。
（本発明例１－５）
　Ａｌが１ｍａｓｓｐｐｍ以下及びＳｉが１ｍａｓｓｐｐｍ以下、さらにその他の不純物（Ｏ，Ｈ，Ｎ，Ｃを除く）が２０ｍａｓｓｐｐｍ以下の電気銅を原料として用い、実施の形態で例示した電解精製条件で電解精製を２回繰り返し行うことにより、銅原料（銅素材）を製造した。
　上記製造方法で製造された原料を、高純度カーボンで作製された坩堝（カーボン坩堝）に入れ、１１３０℃で真空溶解（圧力１０－５Ｐａ）した。なお、真空下で溶解した後、温度１１５０℃で３０分保持を行った。その後、高純度カーボンで作製したモールド（カーボンモールド）内に溶解された原料を真空状態（圧力１０－５Ｐａ）で流し込み、直径２００ｍｍ×高さ８００ｍｍの高純度銅鋳塊を作製した。得られた鋳塊の組成を表１に示す。
　製造された高純度銅鋳塊に対して５００℃で鍛造を行い、得られた高純度鍛造塊を直径３００ｍｍ×高さ１５ｍｍに切り出し、切り出された鍛造塊をＣｒ―Ｚｒ－Ｃｕ（ＵＮＳ．Ｃ１８１５０）のバッキングプレートとＨＩＰ（熱間等方圧加圧）接合した。
（従来例１）
　Ａｌが２ｍａｓｓｐｐｍ以下及びＳｉが３ｍａｓｓｐｐｍ以下、さらに他の不純物（Ｏ，Ｈ，Ｎ，Ｃを除く）が２０ｍａｓｓｐｐｍ以下の電気銅を原料として用い、硝酸銅電解液を用いて電解精製を２回繰り返し行うことにより、Ａｌの含有量が０．００５ｍａｓｓｐｐｍ、Ｓｉの含有量が０．０６ｍａｓｓｐｐｍの組成の銅原料を得た。
　上記製造方法で製造された原料を、カーボン坩堝に入れ、Ａｒ雰囲気中において１１３０℃で溶解し、温度１１５０℃で３０分保持を行った。その後、カーボンモールド内に溶解された原料をＡｒ雰囲気中で流し込み、直径２００ｍｍ×高さ８００ｍｍの高純度銅鋳塊を作製した。得られた鋳塊の組成を表１に示す。
　製造された高純度銅鋳塊に対して５００℃で鍛造を行い、得られた高純度鍛造塊を直径３００ｍｍ×高さ１５ｍｍに切り出し、切り出された鍛造塊をＣｒ―Ｚｒ－Ｃｕ（ＵＮＳ．Ｃ１８１５０）のバッキングプレートとＨＩＰ接合した。
（従来例２）
　Ａｌが１ｍａｓｓｐｐｍ及びＳｉが１ｍａｓｓｐｐｍ、さらに他の不純物（Ｏ，Ｈ，Ｎ，Ｃを除く）が２０ｍａｓｓｐｐｍ以下の電気銅を原料として用い、硝酸銅電解液を用いて電解精製を行うことにより、Ａｌの含有量が０．００５ｍａｓｓｐｐｍ、Ｓｉの含有量が０．０６ｍａｓｓｐｐｍの組成の銅原料を得た。
　上記製造方法で製造された原料を、カーボン坩堝に入れ、Ａｒ雰囲気中において１１３０℃で溶解し、温度１１５０℃で３０分保持を行った。その後、カーボンモールド内に溶解された原料をＡｒ雰囲気中で流し込み、直径２００ｍｍ×高さ８００ｍｍの高純度銅鋳塊を作製した。得られた鋳塊の組成を表１に示す。
　製造された高純度銅鋳塊に対して５００℃で鍛造を行い、得られた高純度鍛造塊を直径３００ｍｍ×高さ１５ｍｍに切り出し、切り出された鍛造塊をＣｒ―Ｚｒ－Ｃｕ（ＵＮＳ．Ｃ１８１５０）のバッキングプレートとＨＩＰ接合した。
　ここで、Ｏ，Ｈ，Ｎ，Ｃを除く不純物元素の分析を、グロー放電質量分析装置（ＶＧ　Ｅｌｅｍｅｎｔａｌ社製ＶＧ－９０００型）を用いて実施した。分析手順は、ＡＳＴＭ　Ｆ１８４５－９７に準じて実施した。
　Ｏの分析は、不活性ガス融解－赤外線吸収法（ＪＩＳ　Ｈ　１０６７：２００２）によって実施した。具体的には、ＬＥＣＯ社製ＴＣＥＮ６００を用いて、ＪＩＳ　Ｚ　２６１３：１９９２に準じて分析を実施した。すなわち、不活性ガス（アルゴン又はヘリウム）気流中で黒鉛るつぼを用いて試料を加熱して融解した（不活性ガス融解）。次に、融解により発生した一酸化炭素を赤外線検出機に導き、一酸化炭素による赤外線吸収量を測定して酸素量を算出した（赤外線吸収法）。　Ｈの分析は、不活性ガス融解－熱伝導度法によって実施した。具体的には、ＬＥＣＯ社製ＲＨＥＮ６０２を用いてＪＩＳ　Ｚ　２６１４：１９９０に準じて分析を実施した。すなわち、上記の不活性ガス融解により試料から発生したガスを熱伝導度セルを含む一定容積中に捕集し、水素による熱伝導度変化を測定して水素量を算出した。
　Ｎの分析は、Ｈの分析と同様に、不活性ガス融解－熱伝導度法によって実施した。具体的には、ＬＥＣＯ社製ＴＣＥＮ６００を用いて分析を実施した。
　Ｃの分析は、燃焼－赤外線吸収法によって実施した。具体的には、ＬＥＣＯ社製ＣＳＬＳ６００を用いてＪＩＳ　Ｚ　２６１５：２００９に準じて分析を実施した。すなわち、試料を酸素気流中で燃焼させることにより生じた燃焼ガスから水を除去し、燃焼ガスを赤外線吸収セルに導き、二酸化炭素による赤外線吸収量を測定して炭素量を算出した。
　本発明例１－５、従来例１，２のスパッタリングターゲットの不純物分析結果を表１に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
  
（成膜）
　本発明例１－５、従来例１，２のスパッタリングターゲットを用いて直径２００ｍｍのウエハ（材質：シリコン）に銅の薄膜を成膜した。上述のスパッタリングターゲットをスパッタ装置に装着後、到達真空圧力１０－５Ｐａ以下まで真空排気した後、超高純度Ａｒガス（純度：５Ｎ）をスパッタガスとして、スパッタガス圧：０．３Ｐａ、直流電源によるスパッタ出力：０．５ｋＷにて３０分間プレスパッタした後、１．５ｋＷにて５時間連続してスパッタした。
（評価）
　成膜時におけるパーティクル個数（個／平方ｉｎｃｈ）及びアーキング回数（回／枚）について評価した。電源に付属するアーキングカウンターを用いて、アーキング回数を測定した。また、このウエハ上に存在する直径０．３μｍ以上のパーティクル数をパーティクルカウンターで測定した。評価結果を表２に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
  
　銅の純度が本発明の実施形態の範囲から外れた従来例２においては、パーティクルの個数が８０個／平方ｉｎｃｈ、アーキング回数が２０回／枚と多く、高純度銅膜（配線膜）を安定して成膜できなかった。
　従来例１においては、パーティクルの個数が３４個／平方ｉｎｃｈ、アーキング回数が８回／枚と、従来例２よりも低減されているが、まだ不十分である。これは、硫化物、炭化物、窒化物等を生成する元素であるＡｌを０．０１ｍａｓｐｐｍ、Ｓｉを０．１ｍａｓｓｐｐｍと比較的多く含有しているためと推測される。
　これに対して、Ｏ、Ｈ、Ｎ、Ｃを除いたＣｕの純度が９９．９９９９８０ｍａｓｓ％以上９９．９９９９９８ｍａｓｓ％以下の範囲内とされ、Ａｌの含有量が０．００５ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｓｉの含有量が０．０５ｍａｓｓｐｐｍ以下とされた本発明例１－５によれば、パーティクルの個数が２個／平方ｉｎｃｈ以下、アーキング回数が４回／枚以下と、大幅に低減した。
　以上のことから、本発明例１－５によれば、異常放電の発生を抑制して安定して成膜可能であることが確認された。
　本発明の高純度銅スパッタリングターゲット用銅素材、及び高純度銅スパッタリングターゲットによれば、異常放電の発生を抑制して安定して成膜を行うことができるので、高密度で、微細且つ薄膜化された配線膜を形成できる。また、本発明の高純度銅スパッタリングターゲット用銅素材、及び高純度銅スパッタリングターゲットは低コストで製造可能である。このため、半導体装置、液晶や有機ＥＬパネルなどのフラットパネルディスプレイ、タッチパネル等に好適に使用できる。

Claims (6)

  1. 　Ｏ、Ｈ、Ｎ、Ｃを除いたＣｕの純度が９９．９９９９８０ｍａｓｓ％以上９９．９９９９９８ｍａｓｓ％以下の範囲内とされ、Ａｌの含有量が０．００５ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｓｉの含有量が０．０５ｍａｓｓｐｐｍ以下とされている高純度銅スパッタリングターゲット用銅素材。
  2. 　Ｓの含有量が０．０３ｍａｓｓｐｐｍ以下とされている請求項１に記載の高純度銅スパッタリングターゲット用銅素材。
  3. 　Ｃｌの含有量が０．１ｍａｓｓｐｐｍ以下とされている請求項１または請求項２に記載の高純度銅スパッタリングターゲット用銅素材。
  4. 　Ｏの含有量が１ｍａｓｓｐｐｍ未満、Ｈの含有量が１ｍａｓｓｐｐｍ未満、Ｎの含有量が１ｍａｓｓｐｐｍ未満とされている請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の高純度銅スパッタリングターゲット用銅素材。
  5. 　Ｃの含有量が１ｍａｓｓｐｐｍ以下とされている請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の高純度銅スパッタリングターゲット用銅素材。
  6. 　請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の高純度銅スパッタリングターゲット用銅素材を用いて製造された高純度銅スパッタリングターゲット。
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