WO2014185693A1 - 발광소자 패키지, 그 제조 방법, 및 이를 포함하는 차량용 램프 및 백라이트 유닛 - Google Patents

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정승호
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Definitions

  • the present invention relates to a light emitting device package, a method of manufacturing the same, and a vehicle lamp and a backlight unit including the same, and more particularly, to a method of manufacturing a small light emitting device package and a wafer level light emitting device package, and a vehicle lamp and a backlight unit including the same. .
  • Light emitting diodes are inorganic semiconductor devices that emit light generated by recombination of electrons and holes. Recently, light emitting diodes are used in various fields such as displays, automobile lamps, and general lighting. The light emitting diode has a long life, low power consumption, and a fast response speed, so that the light emitting device package including the light emitting diode is expected to replace the conventional light source.
  • the light emitting device package including the light emitting diode is applied to various fields due to the above-described various advantages, and is applied to, for example, an automobile lamp and a backlight unit.
  • the light emitting device package generally includes a substrate, a light emitting chip mounted on the substrate, an encapsulant for encapsulating the light emitting chip, a housing for supporting the encapsulant, and a lens positioned on the light emitting chip.
  • a packaging process is required separately from the light emitting chip manufacturing process, which makes the manufacturing process complicated and increases the cost.
  • a substrate or the like for mounting the light emitting chip is necessarily required, there is a limit to miniaturization of the package size.
  • Korean Patent Publication No. 10-2012-0119350 discloses a wafer level process.
  • a light emitting device module manufacturing method capable of minimizing and simplifying a process by directly mounting a light emitting device on a substrate and directly mounting a lens unit surrounding the light emitting device on a substrate. Is disclosed.
  • the light emitting device module disclosed in this publication requires a substrate for forming a lens. Therefore, in order to manufacture a light emitting device such as the light emitting device module, a packaging process for mounting the light emitting device on a substrate is necessary, and a second substrate other than the growth substrate is necessarily included in the light emitting device.
  • a conventional light emitting device is not a complete wafer level package without using a substrate other than a growth substrate, and there is a limit in miniaturization of the light emitting device.
  • light leakage of the light emitting device package including the light emitting diode may be a problem.
  • the light leakage phenomenon means that light leaks from the side of the light emitting device package. That is, in addition to the front area to which light should be irradiated, it means that light leaks to the side surface.
  • the contrast ratio of the display may be lowered and the viewing angle may be narrowed.
  • a color deviation of the display may occur to deteriorate the image quality.
  • the LED display device includes a light emitting diode (LED) chip and a reflector, and a light absorbing sheet and a light absorbing layer are disposed on the reflector to absorb light scattered from the edge of the upper surface of the reflector.
  • LED light emitting diode
  • the LED display device prevents light leakage through a manner in which light emitted from the LED chip meets a structure for preventing light leakage after being emitted in the air. Therefore, not only the volume is large, but also a limited number of light emitting diodes (LEDs) are disposed on the printed circuit board.
  • LEDs light emitting diodes
  • Patent Document 1 Korean Patent Publication No. 10-2012-0119350
  • Patent Document 2 Republic of Korea Patent No. 10-0519592
  • the problem to be solved by the present invention is to provide a micro-light emitting device package and a wafer-level package manufacturing method that does not include a secondary substrate other than the growth substrate.
  • Another object of the present invention is to provide a light emitting device package in which light leakage and side light leakage are prevented.
  • Another object of the present invention is to provide a vehicle lamp capable of irradiating light having a clear cutoff line.
  • Another problem to be solved by the present invention is to provide a backlight unit that can improve the image quality of the display by solving the color deviation problem, and can improve the contrast ratio and the viewing angle of the display.
  • a light emitting device package according to an embodiment of the present invention, the light emitting chip having electrode pads located below; A wavelength conversion unit covering at least an upper surface and a side surface of the light emitting chip; And a reflector covering a side surface of the light emitting chip, wherein the light emitting chip includes a second conductive semiconductor layer, an active layer positioned on the second conductive semiconductor layer, and a first conductive semiconductor layer disposed on the active layer. And a substrate on the first conductive semiconductor layer.
  • a light emitting device package that does not include a separate additional secondary substrate may be provided, so that the light emitting device package may be miniaturized.
  • the wavelength converting part may be interposed between the side of the light emitting chip and the reflecting part.
  • the upper surface of the wavelength converter and the upper surface of the reflector may have the same height.
  • the wavelength converter may include a phosphor and a resin, and the wavelength converter may have a plasma treated side surface.
  • the light emitting chip may include: a plurality of mesas disposed on the first conductive semiconductor layer and spaced apart from each other, each of the active layer and the second conductive semiconductor layer; Reflective electrodes positioned on the plurality of mesas to be in ohmic contact with the second conductivity type semiconductor layer, respectively; And openings covering the plurality of mesas and the first conductivity type semiconductor layer, the openings being disposed in the upper region of each mesa and exposing the reflective electrodes, and having ohmic contact with the first conductivity type semiconductor layer. It may further include a current spreading layer insulated from the mesas of the.
  • the plurality of mesas may have an elongated shape extending in parallel to each other in one direction, the openings of the current dispersion layer may be located on the same end side of the plurality of mesas.
  • the electrode pads may include a first pad and a second pad, and the light emitting chip may further include an upper insulating layer covering at least a portion of the current spreading layer and having openings exposing the reflective electrodes.
  • the first pad may be electrically connected to the current spreading layer, and the second pad may be electrically connected to the reflective electrodes exposed by the openings.
  • the light emitting device package may further include a lens positioned on the light emitting chip.
  • the light emitting device package may further include a light blocking unit at least partially covering the side surface of the reflecting unit.
  • a light emitting device package a unit light emitting device; And a light blocking unit covering at least one side of the unit light emitting device, wherein the unit light emitting device includes a light emitting chip having an upper surface, a side surface, and a lower surface, a wavelength conversion unit covering an upper surface of the light emitting chip, and a side surface of the light emitting chip.
  • the light emitting chip includes a reflector, and has electrode pads on a lower surface thereof, and the electrode pads are exposed on an outer surface thereof.
  • the light blocking unit may block light emitted to the side of the reflecting unit, thereby preventing light leakage of the light emitting device.
  • the light emitting device package may further include a wavelength converting part covering a side surface of the light emitting chip, and the wavelength converting part covering the side surface may be positioned between the reflecting part and the light emitting chip.
  • the wavelength converter may include a phosphor and a resin, and the wavelength converter may have a plasma treated side surface.
  • the light blocking part may include a material that absorbs light better than the reflecting part, and the light absorbing material may be black carbon, a black resin, and a black paint.
  • An upper surface height of the light blocking unit may be equal to or higher than an upper surface height of the reflecting unit.
  • the light emitting device package may further include at least one unit light emitting device, and the light blocking unit may cover at least one side of the at least one unit light emitting device.
  • At least one side of each of the unit light emitting devices may be in contact with each other.
  • a portion of the light blocking unit may be disposed between the unit light emitting device and the at least one unit light emitting device.
  • the at least one unit light emitting device may further include a wavelength converting part covering a side surface of the light emitting chip, and the wavelength converting part covering the side surface may be located between the reflecting part of the at least one unit light emitting device and the light emitting chip.
  • An upper surface of the wavelength converter and an upper surface of the reflector may have the same height.
  • An upper surface of the reflector and an upper surface of the light blocking unit may form the same height.
  • the light emitting device package may further include a lens positioned on the light emitting chip.
  • the vehicle lamp according to another embodiment of the present invention includes the light emitting device package.
  • a backlight unit may include: a printed circuit board; Light emitting device package according to the embodiments of the present invention; And a lens mounted on the printed circuit board to cover the light emitting device.
  • At least a part of the light blocking part of the light emitting device package may be located between the bottom part of the lens and the printed circuit board.
  • a light emitting device package manufacturing method comprising: arranging light emitting chips spaced apart from each other on a first support substrate, the light emitting chips including electrode patterns disposed on a bottom surface thereof; Forming a wavelength conversion unit covering upper and side surfaces of each of the light emitting chips; And forming a reflector covering side surfaces of each of the light emitting chips.
  • the light emitting chips spaced apart from each other may be divided from the same wafer.
  • the wavelength conversion part may be formed to fill an area between the light emitting chips, and the manufacturing method may include forming the wavelength conversion part and then forming the wavelength conversion part in the area between the light emitting chips. It may further comprise separating into.
  • the manufacturing method may further include separating the wavelength conversion unit into individual light emitting device units and arranging the individual light emitting device units to be spaced apart from each other on a second support substrate.
  • the reflector may be formed to fill an area between the first individual light emitting device units.
  • the manufacturing method may further include separating the reflector into second individual light emitting device units in a region between the second individual light emitting device units after forming the reflector.
  • the manufacturing method may further include planarizing at least one of an upper surface of the reflector and an upper surface of the wavelength converter.
  • the manufacturing method may further include performing plasma treatment on the side surface of the wavelength conversion unit before forming the reflection unit.
  • the manufacturing method may further include forming lenses on the light emitting chips, respectively.
  • a light emitting device package manufacturing method comprising: preparing a wafer including electrode patterns and a plurality of semiconductor stacked structures on a bottom surface thereof; Forming a wavelength conversion portion covering an upper surface of the wafer; Dividing the wafer to form light emitting chips having a wavelength conversion portion formed thereon; Arranging the light emitting chips spaced apart from each other on a supporting substrate; And forming a reflective part covering side surfaces of the light emitting chips and side surfaces of the wavelength conversion part.
  • the light emitting chip, the wavelength conversion unit and the reflecting unit may be formed in close contact with each other, and may not include a separate secondary substrate or a separate lead electrode.
  • the present invention may provide a light emitting device package manufacturing method in which the wavelength conversion unit and the reflecting unit may be integrally formed on the plurality of light emitting chips at the wafer level, and a separate packaging process is omitted. Accordingly, the light emitting device package manufacturing method can be simplified.
  • the light emitting chip, the wavelength converter, the reflector, and the light blocking unit may be formed in close contact with each other, and may not include a separate secondary substrate or a separate lead electrode.
  • the vehicle lamp employing the light emitting device package can efficiently irradiate light to the area intended by the user. In other words, it is possible to irradiate light in which the boundary between the roll and the dark portion appears clearly. Through this, the visibility of the driver can be improved, and the vision of other drivers can be protected.
  • the backlight unit including the light emitting device package according to the present invention can maximize the light incident on the lens, thereby improving the contrast ratio and the viewing angle of the display. Then, the color deviation problem of the display can be solved, and the image quality can be improved.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device package according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device package according to another embodiment of the present invention.
  • 3A and 3B are cross-sectional views and a plan view for describing a light emitting device package according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device package according to another embodiment of the present invention.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device package according to another embodiment of the present invention.
  • 6A and 6B are plan and cross-sectional views illustrating a light emitting device package and a light emitting chip according to another embodiment of the present invention.
  • FIG. 7 is a plan view illustrating a light emitting device package according to another embodiment of the present invention.
  • FIG. 8 is a plan view illustrating a light emitting device package according to another embodiment of the present invention.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view and a plan view illustrating a backlight unit including a light emitting device package according to embodiments of the present invention.
  • 10 to 15 are plan views and cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a light emitting device package according to an embodiment of the present invention.
  • 16 is a plan view illustrating a method of manufacturing a light emitting device package according to another embodiment of the present invention.
  • 17 to 21 are plan views and cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a light emitting device package according to still another embodiment of the present invention.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device package 1 according to an exemplary embodiment of the present invention.
  • the light emitting device package 1 includes a light emitting chip 110, a wavelength converting unit 121, and a reflecting unit 130. Furthermore, the light emitting device package 1 may further include a lens 150.
  • the light emitting chip 110 may include an upper surface and a lower surface, and in particular, may include electrode pads (not shown) disposed on the lower surface. Since the light emitting chip 110 includes electrode pads disposed on the bottom surface, it is not necessary to separately provide an electrode in the light emitting device package 1, and the electrode pads may serve as electrodes of the light emitting device package 1. . Accordingly, the light emitting device package 1 can be miniaturized.
  • the light emitting chip 110 has electrode pads on a lower surface thereof and is not limited as long as it can emit light.
  • the light emitting chip 110 may be a flip chip type light emitting diode.
  • the wavelength converter 121 may cover the top surface of the light emitting chip 110, and may further cover the side surface of the light emitting chip 110.
  • the thickness of the wavelength converter 121 may be formed to be constant, but is not limited thereto, and the thickness of the side surface and the thickness of the upper surface may be different from each other.
  • the color characteristics of the light emitted from the light emitting device package 1 may be adjusted by adjusting the thickness of the wavelength converter 121 and the like.
  • the wavelength converter 121 may include a phosphor and a resin, and the phosphor may be mixed with the resin and randomly or uniformly disposed in the resin.
  • the wavelength converter 121 may include a phosphor to convert light emitted from the light emitting chip 110 into light having a different wavelength. Accordingly, the light emitted from the light emitting device package 1 may be varied, and white light emitting devices may be realized.
  • the resin may include a polymer resin such as an epoxy resin or an acrylic resin, or a silicone resin, and may serve as a matrix for dispersing the phosphor.
  • the phosphor may excite the light emitted from the light emitting chip 110 and convert it into light having a different wavelength.
  • the phosphor may include various phosphors well known to those skilled in the art, and include, for example, at least one of garnet type phosphor, aluminate phosphor, sulfide phosphor, oxynitride phosphor, nitride phosphor, fluoride phosphor, and silicate phosphor. can do.
  • the present invention is not limited thereto.
  • the phosphor contained in the wavelength converter 121 by adjusting the phosphor contained in the wavelength converter 121, the thickness of the wavelength converter 121, the resin contained in the wavelength converter 121, the characteristics of the light converted by the wavelength converter 121 is adjusted. It can be adjusted arbitrarily.
  • the reflector 130 may cover the side surface of the light emitting chip 110, and may further cover the wavelength converter 121 formed on the side surface of the light emitting chip 110. Accordingly, the wavelength converter 121 covering the side surface of the light emitting chip 110 may be interposed between the light emitting chip 110 and the reflector 130.
  • the reflector 130 may serve to reflect light. Since the reflector 130 is formed on the outer side of the light emitting device package 1, the light emitted from the light emitting chip 110 and the phosphor may be concentrated on the package. However, the present invention is not limited thereto, and as necessary, the reflecting angle, light transmittance, and the like of the reflector 130 may be adjusted to adjust the directivity angle of the light emitted from the light emitting chip 110.
  • the reflector 130 may include a resin, and may further include a filler capable of reflecting or scattering light.
  • the resin may be transparent or translucent and may include, for example, a silicone resin, or a polymer resin such as an epoxy resin, a polyimide resin, a urethane resin, or the like.
  • the resin may be a silicone resin.
  • the filler may be uniformly dispersed in the resin.
  • the filler is not limited as long as it is a material capable of reflecting or scattering light.
  • the filler may be titanium oxide (TiO 2 ), silicon oxide (SiO 2 ), or zirconium oxide (ZrO 2 ).
  • the reflector 130 may include at least one of the fillers. By adjusting the type or concentration of the filler, the reflectivity of the reflector 130 or the degree of scattering of light may be adjusted.
  • the upper surface of the reflector 130 and the upper surface of the wavelength converter 121 may have the same height. That is, as illustrated, the upper surface of the reflector 130 and the upper surface of the wavelength converter 121 may be flush with each other. Accordingly, the lens 150 may be more stably disposed on the light emitting chip 110.
  • the wavelength converter 121 may have a plasma-treated side surface. Accordingly, the adhesion between the wavelength converter 121 and the reflector 130 is excellent, and thus the stability and reliability of the light emitting device package 1 may be improved.
  • the lens 150 may be located on the light emitting chip 110.
  • the size of the lower surface of the lens 150 is larger than the size of the upper surface of the wavelength converter 121, the lens 150 may cover the entire upper surface of the wavelength converter 121. Accordingly, the light converted by the wavelength converter 121 may be more effectively emitted to the outside.
  • the lens 150 may be a silicon lens or the like, and the material constituting the lens 150 is not limited.
  • the lens 150 may have a hemispherical shape, as shown, but may have various shapes such as a flat plate shape and a concave shape in the center in order to obtain a desired directivity pattern.
  • the lens 150 may be omitted to reduce the overall height of the light emitting device package (1).
  • the light emitting device package 1 does not include a separate secondary substrate or a separate lead electrode, and the light emitting chip 110, the wavelength converter 121, and the reflector 130 are formed in close contact with each other. Therefore, the size of the package can be reduced.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device package according to another embodiment of the present invention.
  • the light emitting device package 2 shown in FIG. 2 is generally similar to the light emitting device package 1 described with reference to FIG. 1, but unlike FIG. 1, the wavelength converter 123 is not formed on the side of the light emitting chip 110. There is a difference in that.
  • the light emitting device package 2 of FIG. 2 will be described based on the difference.
  • the light emitting device package 2 may include a light emitting chip 110, a wavelength converter 123, and a reflector 130.
  • the light emitting device package 2 may further include a lens 150.
  • the wavelength converter 123 may have a flat film shape and may cover an upper surface of the light emitting chip 110. Accordingly, the wavelength converter 123 is not formed on the side surface of the light emitting chip 110, the reflector 130 may directly cover the side surface of the light emitting chip 110, and further extends the side surface of the wavelength converter 123. Can be covered Furthermore, as shown in FIG. 2, the side of the wavelength converter 123 and the side of the light emitting chip 110 may be parallel to each other.
  • the light emitting chip 110, the reflector 130, and the lens 150 are substantially similar to those described with reference to FIG. 1, and thus, detailed description thereof will be omitted.
  • 3A and 3B are cross-sectional views and a plan view for describing a light emitting device package according to an embodiment of the present invention.
  • the light emitting device package 3 includes a unit light emitting device 10 and a light blocking unit 140.
  • the unit light emitting device 10 includes a light emitting chip 110, a wavelength converter 121, and a reflector 130.
  • the light emitting chip 110 may include an upper surface, a side surface, and a lower surface, and in particular, may include electrode pads (not shown) disposed on the lower surface. Since the light emitting chip 110 includes electrode pads disposed on the bottom surface, it is not necessary to separately provide an electrode in the light emitting device package 3, and the electrode pads may serve as electrodes of the light emitting device package 3. Accordingly, the light emitting device package 3 can be miniaturized.
  • the light emitting chip 110 has electrode pads on its lower surface and is not limited as long as it can emit light.
  • the light emitting chip 110 may be a flip type light emitting chip.
  • the wavelength converter 121 may cover the top surface of the light emitting chip 110, and may further cover the side surface of the light emitting chip 110.
  • the thickness of the wavelength converter 121 may be formed to be constant, but is not limited thereto, and the thickness of the side surface and the thickness of the upper surface may be different from each other. In addition, the thickness of each side surface may vary depending on the shape or shape of the light emitting chip 110. The color characteristics of the light emitted from the light emitting device package may be adjusted by adjusting the thickness of the wavelength converter 121 and the type of material.
  • the wavelength converter 121 may include a phosphor and a resin, and the phosphor may be mixed with the resin and distributed in the resin.
  • the wavelength converter 121 may include a phosphor to convert light emitted from the light emitting chip 110 into light having a different wavelength. Accordingly, the light emitted from the unit light emitting device 10 may be varied. For example, the yellow light emitting device 10, the red light emitting device 10, and the green light emitting device may be used. The green unit light emitting device 10 and the white unit light emitting device 10 may be implemented.
  • the resin may include a polymer resin such as an epoxy resin or an acrylic resin or a silicone resin, and may serve as a matrix for dispersing the phosphor.
  • the phosphor may excite the light emitted from the light emitting chip 110 and convert it into light having a different wavelength.
  • the phosphor may include various phosphors well known to those skilled in the art and include, for example, at least one of garnet type phosphor, aluminate phosphor, sulfide phosphor, oxynitride phosphor, nitride phosphor, fluoride phosphor, and silicate phosphor. Can be. However, the present invention is not limited thereto.
  • the wavelength converter 121 may be formed by coating and curing the mixture of the phosphor and the resin by a method such as printing, dispensing, and spraying such that the side and top surfaces of the light emitting chips 110 are covered.
  • a method such as printing, dispensing, and spraying such that the side and top surfaces of the light emitting chips 110 are covered.
  • the present invention is not limited thereto, and forming the wavelength converter 121 in various other ways is also included in the spirit of the present invention.
  • the phosphor contained in the wavelength converter 121 by adjusting the phosphor contained in the wavelength converter 121, the thickness of the wavelength converter 121, the resin contained in the wavelength converter 121, the characteristics of the light converted by the wavelength converter 121 is adjusted. It can be adjusted arbitrarily.
  • the reflector 130 may cover the side surface of the light emitting chip 110, and may further cover the wavelength converter 121 formed on the side surface of the light emitting chip 110. Accordingly, the wavelength converter 121 covering the side surface of the light emitting chip 110 may be interposed between the light emitting chip 110 and the reflector 130.
  • the reflector 130 may serve to reflect light. Since the reflector 130 is formed on the outer side surface of the unit light emitting device 10, light emitted from the light emitting chip 110 and the phosphor may be concentrated on the unit light emitting device 10. However, the present invention is not limited thereto, and according to the purpose and need of the user, the reflectance, the light transmittance, etc. of the reflector 130 may be adjusted to adjust the directivity angle of the light emitted from the light emitting chip 110.
  • the reflector 130 may include a resin, and may further include a filler capable of reflecting or scattering light.
  • the resin may be transparent or translucent, and may include, for example, a silicone resin or a polymer resin such as an epoxy resin, a polyimide resin, a urethane resin, or the like.
  • the resin may be a silicone resin.
  • the filler may be uniformly dispersed in the resin.
  • the filler is not limited as long as it is a material capable of reflecting or scattering light, and may be, for example, titanium oxide (TiO 2 ), silicon oxide (SiO 2 ), or zirconium oxide (ZrO 2 ).
  • the reflector 130 may include at least one of the fillers. By adjusting the type or concentration of the filler, the reflectivity of the reflector 130 or the degree of scattering of light may be adjusted.
  • the reflector 130 may have a predetermined thickness.
  • the reflector 130 may be formed to have a different thickness according to the position where it is disposed.
  • the upper surface of the reflector 130 and the upper surface of the wavelength converter 121 may have the same height. That is, as shown, the upper surface of the reflector 130 and the upper surface of the wavelength converter 121 may be formed flush with each other. Accordingly, the lens (not shown) may be more stably disposed on the light emitting chip 110.
  • the reflector 130 may be formed in a similar manner to the wavelength converter 121, and after forming the reflector 130, at least one of an upper surface of the reflector 130 and an upper surface of the wavelength converter 121 may be formed. It may further comprise planarization.
  • the planarization process may use methods such as grinding and cutting.
  • the reflector 130 may be formed on the wavelength converter 121 due to a manufacturing process. Through the planarization process, the reflector 130 formed on the wavelength converter 121 may be removed, thereby preventing the reflector 130 from being positioned on the light emitting chip 110 in the final light emitting device package 3. Can be.
  • the wavelength converter 121 may have a plasma-treated side surface. Accordingly, the adhesion between the wavelength converter 121 and the reflector 130 is excellent, and thus the overall stability and reliability of the light emitting device package 3 may be improved.
  • the unit light emitting device 10 is formed by combining the above-described light emitting chip 110, the wavelength converter 121, and the reflector 130.
  • the light blocking unit 140 may cover at least one side of the unit light emitting device 10. That is, the light blocking unit 140 may cover at least one side of the reflecting unit 130 included in the unit light emitting device 10. The light blocking unit 140 and the reflecting unit 130 may contact each other. Accordingly, the light blocking unit 140 may be located at the outermost portion of the light emitting device 10.
  • the light blocking unit 140 may serve to absorb light. Since the light blocking unit 140 is formed on the outer side surface of the light emitting device 10, it is possible to prevent light leakage of light leaking from the reflecting unit 130 to the side surface. Specifically, when the light emitted from the light emitting chip 110 passes through the reflecting unit 130 and leaks to the side of the unit light emitting device 10, the light blocking unit 140 of the unit light emitting device 10 It can block or absorb side light.
  • the light blocking unit 140 may be formed of a material having high absorbance of light.
  • the light blocking unit 140 is formed of a material having a higher light absorbance than the reflecting unit 130.
  • the light blocking unit 140 may be made of a black material having high absorbance of light.
  • the material forming the light blocking unit 140 is not limited as long as it is a material having high light absorption.
  • the light blocking unit 140 may include a light absorbing material such as black carbon, black resin, and black paint.
  • the black paint may be paint or the like.
  • the thickness of the light blocking unit 140 may be uniformly formed.
  • the thickness of the light blocking unit 140 may be formed in a different thickness depending on the position.
  • the thickness of the light blocking unit 140 is not limited and may be appropriately adjusted according to the intensity of light emitted from the side of the unit light emitting device 10. Therefore, as the intensity of light emitted from the side of the reflector 130 becomes stronger, the light blocking unit 140 may be thicker. However, the thickness may vary depending on the material forming the light blocking unit 140.
  • the top surface of the light blocking unit 140 and the top surface of the reflecting unit 130 may have the same height, but the top surface height of the light blocking unit 140 may be higher than the top surface of the reflecting unit 130.
  • the height of the light blocking unit 140 is not limited thereto, and may be appropriately adjusted in consideration of the intensity of light emitted from the reflecting unit 130 to the side.
  • the light blocking unit 140 may be formed by a method similar to that of the reflector 130 and the wavelength converter 121 according to a material included therein, and may be formed by deposition or film coating. However, the present invention is not limited thereto, and forming the light blocking unit 140 in other various ways is also included in the spirit of the present invention.
  • the top surface of the light blocking unit 140 may also use the planarization process described above.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view for describing a light emitting device package according to another exemplary embodiment of the present invention.
  • the light emitting device package 4 illustrated in FIG. 4 is generally similar to the light emitting device package 3 described with reference to FIGS. 3A and 3B, but unlike the FIGS. 3A and 3B, the lens 150 is disposed on the light emitting chip 110. Is placed. Hereinafter, the light emitting device package of FIG. 4 will be described based on the difference.
  • the lower surface of the lens 150 is larger than the upper surface of the wavelength converter 121, so that the lens 150 may cover the entire upper surface of the wavelength converter 121. Accordingly, the light converted by the wavelength converter 121 can be more effectively emitted to the outside.
  • the lens 150 may be a silicon lens or the like, and the material constituting the lens 150 is not limited.
  • the lens 150 may have a hemispherical shape, as shown, but may have various shapes such as a flat plate shape and a concave shape in the center in order to obtain a desired directivity pattern.
  • the lens 150 may be formed by a molding method, or may be manufactured by various methods.
  • the lens 150 may be omitted to reduce the overall height of the light emitting device package.
  • the light emitting device package 4 is formed without including a separate secondary substrate or a separate lead electrode, the size of the light emitting device package 4 can be reduced. In addition, since the side surface of the unit light emitting device 4 is covered with the light blocking unit 140, light leakage of the light emitting device package 4 may be prevented.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device package according to another embodiment of the present invention.
  • the light emitting device package 5 illustrated in FIG. 5 is generally similar to the light emitting device package 3 described with reference to FIGS. 3A and 3B. However, unlike the FIGS. 3A and 3B, the wavelength converter 123 may include the light emitting chip 110. ) There is a difference in that it is not formed on the side. Hereinafter, the light emitting device package 5 of FIG. 5 will be described based on the difference.
  • the light emitting device package 5 includes a light emitting chip 110, a wavelength converter 123, a reflector 130, and a light blocking unit 140.
  • the wavelength converter 123 may have a flat film shape and may cover an upper surface of the light emitting chip 110. Accordingly, the wavelength converter 123 is not formed on the side surface of the light emitting chip 110, the reflector 130 may directly cover the side surface of the light emitting chip 110, and further extends the side surface of the wavelength converter 123. Can be covered Furthermore, as shown in FIG. 5, the side surface of the wavelength converter 123 and the side surface of the light emitting chip 110 may be parallel to each other.
  • the light emitting chip 110, the reflecting unit 130, and the light blocking unit 140 are similar to those described with reference to FIGS. 3A and 3B, and thus, detailed descriptions thereof will be omitted.
  • 6A and 6B are plan and cross-sectional views illustrating a light emitting device package and a light emitting chip according to another embodiment of the present invention.
  • the light emitting device package 6 of FIG. 6A is generally similar to that described with reference to FIG. 1, the structure of the light emitting chip 110 will be described in detail with reference to FIG. 6B.
  • the light emitting chip 110 includes a first conductive semiconductor layer 23, mesas M, reflective electrodes 30, and a current dispersion layer 33, and includes a substrate 21 and a lower insulating layer 31. ), An upper insulating layer 35, and a first pad 37a and a second pad 37b.
  • the substrate 21 may be a growth substrate for growing gallium nitride-based epi layers, such as sapphire, silicon carbide, silicon, or gallium nitride substrate.
  • the substrate 21 may include a first surface and a second surface opposite to the first surface.
  • the first surface may refer to the bottom surface of the substrate 21, that is, the surface on which the first conductive semiconductor layer 23 is formed, and the second surface may refer to the top surface of the substrate 21. May be referred to.
  • the first conductive semiconductor layer 23 is continuous, and the plurality of mesas M are spaced apart from each other on the first conductive semiconductor layer 23.
  • the mesas M include the active layer 25 and the second conductive semiconductor layer 27, and have an elongated shape extending toward one side.
  • the mesas M may be a stacked structure of a gallium nitride compound semiconductor. As shown in FIG. 1, the mesas M may be limitedly positioned in an upper region of the first conductivity-type semiconductor layer 23. On the contrary, as shown in FIG.
  • the mesas M may extend to one edge of the upper surface of the first conductive semiconductor layer 23 along one side direction, and thus the first conductive semiconductor layer ( The upper surface of 23 may be partitioned into a plurality of regions. Accordingly, it is possible to alleviate the concentration of current near the edge of the mesas (M) to further enhance the current distribution performance.
  • the reflective electrodes 30 are respectively positioned on the plurality of mesas M to make ohmic contact with the second conductive semiconductor layer 27.
  • the reflective electrodes 300 may include a reflective layer 28 and a barrier layer 29, and the barrier layer 29 may cover the top and side surfaces of the reflective layer 28.
  • the current spreading layer 33 covers the plurality of mesas M and the first conductive semiconductor layer 23.
  • the current spreading layer 33 has openings 33a positioned in the upper region of each mesa M and exposing the reflective electrodes 30.
  • the current spreading layer 33 is also in ohmic contact with the first conductivity type semiconductor layer 23 and insulated from the plurality of mesas M.
  • the current spreading layer 33 may include a reflective metal such as Al.
  • the current spreading layer 33 may be insulated from the plurality of mesas M by the lower insulating layer 31.
  • the lower insulating layer 31 may be positioned between the plurality of mesas M and the current spreading layer 33 to insulate the current spreading layer 33 from the plurality of mesas M.
  • the lower insulating layer 31 may have openings 31b positioned in the upper region of each mesa M and exposing the reflective electrodes 30, and the first conductivity-type semiconductor layer 23 may be formed. It may have openings 31a exposing it.
  • the current spreading layer 33 may be connected to the first conductive semiconductor layer 23 through openings 31a.
  • the openings 31b of the lower insulating layer 31 have a smaller area than the openings 33a of the current spreading layer 33, and are all exposed by the openings 33a.
  • the upper insulating layer 35 covers at least a portion of the current spreading layer 33.
  • the upper insulating layer 35 has openings 35b exposing the reflective electrodes 30.
  • the upper insulating layer 35 may have an opening 35a exposing the current spreading layer 33.
  • the upper insulating layer 35 may cover sidewalls of the openings 33a of the current spreading layer 33.
  • the first pad 37a may be positioned on the current spreading layer 33, and may be connected to the current spreading layer 33 through, for example, an opening 35a of the upper insulating layer 35.
  • the second pad 37b is connected to the reflective electrodes 30 exposed through the openings 35b.
  • the first pad 37a and the second pad 37b are illustrated to have the same size, but the present invention is not limited thereto and may have different sizes.
  • the first pad 37a may be formed larger than the second pad 37b.
  • the current spreading layer 33 covers almost the entire area of the mesas M and the first conductivity type semiconductor layer 23 between the mesas M. Thus, current can be easily dispersed through the current spreading layer 33.
  • the current spreading layer 23 includes a reflective metal layer such as Al, or the lower insulating layer is formed as an insulating reflecting layer so that the light not reflected by the reflecting electrodes 30 is reflected by the current spreading layer 23 or the lower insulating layer.
  • the layer 31 can be used for reflection to improve the light extraction efficiency.
  • the light emitting device package 6 shown in FIG. 6A is generally similar to the light emitting device package 1 described with reference to FIG. 1.
  • the wavelength converter 121 may extend to the side surfaces of the first and second pads 37a and 37b, and accordingly, the reflector 130 may also have the first and second pads. It can be formed on the outer side of (37a, 37b).
  • the light emitting device packages 10, 20, and 30 described with reference to FIGS. 1 to 6B do not include a separate secondary substrate or a separate lead electrode, and include a light emitting chip 110, a wavelength converter 121, and The reflector 130 may be integrally formed to reduce the size of the package.
  • FIG. 7 is a plan view illustrating a light emitting device package according to another embodiment of the present invention.
  • the light emitting device packages 7a and 7b illustrated in FIG. 7 are generally similar to those described with reference to FIGS. 3A and 3B, but the light emitting device packages 7a and 7b include a plurality of unit light emitting devices 10.
  • the light emitting device package 7a includes six unit light emitting devices 10, and one side of the unit light emitting devices 10 is in contact with each other.
  • each of the reflective parts 130 including the unit light emitting devices 10 may be in contact with each other, and the reflective parts 130 including the unit light emitting devices 10 may be adjacent to each other.
  • Each unit light emitting device 10 may emit the same color or different colors. Each of the unit light emitting devices 10 may be lit or blinked at this time or simultaneously.
  • the light emitting device package 7b includes six unit light emitting devices 10, and the light blocking unit 140 is disposed between the unit light emitting devices 10. .
  • the same structure may be formed by successively connecting six light emitting device packages 3 according to FIGS. 3A and 3B. Since the light blocking unit 140 is disposed between the unit light emitting devices 10, the change in color due to the light leakage phenomenon of the adjacent unit light emitting devices 10 may be minimized.
  • the light emitting device packages 7a and 7b according to the present embodiment may be used as vehicle lamps.
  • the light emitting device package 7b according to FIG. 7B may be used as a taillight of an automobile.
  • the light emitting device package 7b may have a structure in which the white light emitting unit 10 and the yellow light emitting unit 10 are alternately arranged.
  • the light emitting device package 7b of FIG. 7B has a structure in which the light blocking unit 140 is disposed between the unit light emitting devices 10, and thus, unlike the light emitting device package 7a of FIG. 7A.
  • the white and yellow series light emitting devices 10 are turned on and blinked at the same time, the phenomenon of mixing white and yellow in the reflector 130 may be prevented.
  • the light emitting device packages 7a and 7b according to the present exemplary embodiment include six unit light emitting devices 10, but the present invention is not limited thereto.
  • the number and arrangement of the light emitting device packages 7a and 7b or the unit light emitting device 10 to be disposed may be appropriately adjusted according to the purpose and needs of the user.
  • FIG. 8 is a plan view illustrating a light emitting device package according to another embodiment of the present invention.
  • the light emitting device packages 8a and 8b illustrated in FIG. 8 are generally similar to those described with reference to FIG. 7, but the light emitting device packages 8a and 8b have a plurality of unit light emitting devices 10 arranged in two rows.
  • six light emitting device packages 8a are arranged in two lines. Specifically, three unit light emitting devices 10 may be gathered to form an upper row, and three unit light emitting devices 10 may be gathered to form a lower row. Each of the unit light emitting devices 10 may have at least two side surfaces contact with each other.
  • the light emitting device packages 8a and 8b may be used as vehicle lights. Specifically, for example, the light emitting device package 8a of FIG. 8A may be used as a direction indicator of an automobile. In this case, the light emitting device package may be disposed such that the white light emitting unit 10 and the amber light emitting unit 10 are not in contact with each other. That is, when the white light emitting unit 10 is disposed on the leftmost side of the upper row, the yellow light emitting unit 10 may be disposed on the right side and the lower unit light emitting unit 10.
  • the white series unit light emitting elements 10 and the yellow series unit light emitting elements 10 may be alternately lit or flashed to be used as a direction indicator of a vehicle. In this case, since only the light emitting units 10 of the same color series are turned on or blinking in unison, color mixing in the reflector 130 is not a problem.
  • the light emitting device package 8b has a structure in which the light blocking unit 140 is disposed between the unit light emitting devices 10 arranged in two rows.
  • the same structure may be formed by arranging six light emitting device packages 8b in two rows side by side. Since the light blocking unit 140 is disposed between the unit light emitting devices 10, the change in color due to the light leakage phenomenon of the adjacent unit light emitting devices 10 may be minimized.
  • the user may irradiate light having a distinct cutoff line to a target.
  • the lamp for an automobile is taken as an example, but the light emitting device packages 8a and 8b according to the present invention are not limited thereto, and may be used for various purposes according to the user's purpose and need.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view and a plan view illustrating a backlight unit including a light emitting device package according to embodiments of the present invention.
  • the backlight unit includes a unit light emitting device 10, a printed circuit board 210, a support 220, and a lens 230.
  • the unit light emitting device 10 may be disposed at the center of the lens 230, and the lens 230 may be supported by the support 220 to be spaced apart from the printed circuit board 210.
  • a light blocking unit may be disposed on a side surface of the unit light emitting device 10, and the light blocking unit may be disposed between the bottom of the lens 230 and the printed circuit board so that light emitted from the unit light emitting device 10 may be other than the lens. Leakage to the area can be prevented. Accordingly, light can be irradiated to the light incident portion of the lens 230 as much as possible, thereby improving the contrast ratio and the viewing angle of the display.
  • the backlight unit disclosed in FIG. 9 is a direct type backlight unit
  • the light emitting device package according to the present invention is not limited thereto and may be applied to an edge type backlight unit.
  • 10 to 15 are plan views and cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a light emitting device package according to an embodiment of the present invention. 10 to 15 illustrate at least some of the plurality of light emitting chips 110.
  • a wafer 100 is prepared.
  • the wafer 100 may include a plurality of semiconductor stacked structures, and the semiconductor stacked structures may be light emitting chip regions 110a. An area between the light emitting chip regions 110a is defined as a first division region S1.
  • Each of the plurality of light emitting chip regions 110a may be separated and separated into individual light emitting chips in a subsequent process, and the individual light emitting chips may include electrode patterns formed on the bottom surface thereof.
  • the individual light emitting chips may include electrode patterns formed on the bottom surface thereof.
  • one of the plurality of light emitting chip regions 110a may have a shape as shown in FIG. 6B.
  • the wafer 100 is separated into a plurality of individual light emitting chips 110 along the first divided region S1, and the first support substrate 200 is spaced apart from each other. ) Arranged on.
  • the electrode patterns of the light emitting chips 110 are arranged below.
  • the light emitting chips 110 may be arranged on the first support substrate 200 to have substantially the same distance from each other. Accordingly, in a subsequent process, the wavelength converter 121 covering the top and side surfaces of the light emitting chips 110 may be formed to have almost the same side thickness with respect to the light emitting chips 110 manufactured in a series of processes. In this case, the light emitting chips 110 arranged on the first support substrate 200 may be divided from one same wafer 100.
  • FIG. 12A a wavelength converter 121 covering upper and side surfaces of each of the light emitting chips 110 is formed.
  • an area between the light emitting chips 110 is defined as a second divided area S2.
  • FIG. 12B is a cross-sectional view taken along the line A-A 'of FIG. 12A, and the wavelength converter 121 is introduced between the upper surface of the light emitting chips 110 and the light emitting chips 110 to form the same shape as in FIG. 12B. Can be.
  • the wavelength converter 121 may include a resin and a phosphor, and may be formed by applying a mixture of the phosphor and the resin on the first support substrate 200 and curing the same.
  • a mixture of the phosphor and the resin is coated on the first support substrate 200 by printing, dispensing, spraying, or the like so that the side and top surfaces of the light emitting chips 110 are covered. Thereafter, the mixture is cured by a method such as thermal curing to form the wavelength converter 121.
  • the present invention is not limited thereto, and the wavelength conversion unit 121 may be formed by other various methods.
  • the wavelength converter 121 is divided along the second division area S2 to form a plurality of individual light emitting device units 110b including the light emitting chip 110 and the wavelength converter 121.
  • the individual light emitting device units 110b are disposed to be spaced apart from each other on the second support substrate 300. Partitioning the wavelength converter 121 may be performed using a metal blade or a laser.
  • the individual light emitting device units 110b may be arranged on the second support substrate 300 to have substantially the same distance from each other. Accordingly, in the subsequent process, the reflector 130 covering the side surfaces of the light emitting chips 110 may be formed to have almost the same side thickness with respect to all the light emitting chips 110.
  • the first support substrate 200 and the second support substrate 300 are substrates temporarily used in a manufacturing process, and therefore, the type of the substrate is not limited.
  • the first support substrate 200 and the second support substrate 300 may be glass substrates.
  • the manufacturing method of the present embodiment may further include performing plasma treatment on side surfaces of the individual light emitting device units 110b.
  • a functional group (functional group) may be formed on the side surface of each wavelength conversion portion 121 of each individual light emitting device unit 11b through plasma treatment, and thus adhesion and adhesion between the wavelength conversion portion 121 and the reflection portion 130 may be formed. Can improve.
  • a reflector 130 filling a region between the individual light emitting device units 11b is formed on the second support substrate 300. Accordingly, the reflector 130 covers the individual light emitting device unit 110b, that is, the side surface of the light emitting chip 110.
  • the reflector 130 may be formed in a similar manner to the wavelength converter 121, and the reflector 130 may include a resin and / or a filler as described above.
  • the manufacturing method of the present exemplary embodiment may further include planarizing at least one of the upper surface of the reflector 130 and the upper surface of the wavelength converter 121 after forming the reflector 130.
  • the planarization process may use methods such as grinding and cutting.
  • the reflector 130 may be formed on the wavelength converter 121 due to the manufacturing process.
  • the planarization process the reflector 130 formed on the wavelength converter 121 may be removed to prevent the reflector 130 from being positioned on the light emitting chip 110 in the final light emitting device package 1. Can be.
  • the planarization may be performed such that the upper surface of the wavelength converter 121 and the upper surface of the reflector 130 have the same height, so that the subsequent lens 150 forming process may be more stably performed.
  • a lens 150 is formed on each individual light emitting device unit 110b and positioned in an area between the individual light emitting device units 110b.
  • the reflector 130 is divided into individual light emitting device units 110c along the three division regions S3.
  • the lens 150 may be formed by a molding method, or may be separately manufactured and disposed on each individual light emitting device unit 110b, or may be manufactured in various ways.
  • the lens 150 may have a hemispherical shape as shown, but may have various shapes such as a flat plate shape and a concave shape in the center of the lens 150 to obtain a desired directivity pattern.
  • the size of the lower surface of the lens 150 is larger than the size of the individual light emitting unit 110b, and further preferably, is formed to cover the entire upper surface of the individual light emitting unit 110b. On the other hand, forming the lens 150 may be omitted as necessary.
  • the light emitting device package 1 as shown in FIG. 1 is provided.
  • the method of manufacturing a light emitting device package according to another embodiment of the present invention further includes forming a light blocking unit 140 covering at least one side of each individual light emitting device unit before forming the lens 150. can do.
  • individual light emitting device units on which the reflector 130 is formed are disposed to be spaced apart from each other on a separate support substrate, and a light blocking unit 140 is formed to fill the space.
  • the thickness of the side surface of the light blocking unit 140 may be determined in the light emitting device package manufactured by adjusting the spacing between the individual light emitting device units.
  • the light blocking unit 140 may be formed of a material having high absorbance of light, and may be formed of a material having high light absorbance compared to the reflecting unit 130.
  • the light blocking unit 140 may include a black material having high absorbance of light.
  • the material forming the light blocking unit 140 is not limited as long as it is a material having high light absorption.
  • the light blocking unit 140 includes a light absorbing material such as black carbon, black resin, and black paint.
  • the black paint may be paint or the like.
  • the light blocking unit 140 may be formed using a method such as coating and curing, vapor deposition, and coating.
  • the upper surface of the light blocking unit 140 and the upper surface of the reflecting unit 130 may be formed to have the same height, for example, the height of the upper surface may be parallel to each other using a planarization process.
  • the present invention is not limited thereto, and the upper surface of the light blocking unit 140 and the upper surface of the reflecting unit 130 are not necessarily formed to have the same height.
  • the light blocking unit 140 is divided along the fourth divided area S4 between the individual light emitting device units, thereby displaying the light emitting device package 5 as illustrated in FIG. 5. ) May be provided.
  • the light emitting device package 6 as shown in FIG. 4 may also be provided. .
  • 17 to 21 are plan views and cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a light emitting device package according to still another embodiment of the present invention. 17 to 21 illustrate at least some of the plurality of light emitting chips 110.
  • the manufacturing method according to the present embodiment is generally similar to the manufacturing method of the light emitting device package described with reference to FIGS. 10 to 15, but before dividing the wafer 100, the wavelength converter 123 is disposed on the wafer 100. There is a difference in forming.
  • the manufacturing method which concerns on a present Example centers on a difference.
  • each of the light emitting chip regions 110a may have electrode patterns, and the electrode patterns are positioned on the bottom surface of the wafer 100.
  • the wavelength converter 123 covering the upper surface of the wafer 100 is formed. That is, in the embodiment of FIGS. 10 to 15, after the wafer 100 is divided along the first division region S1, the wavelength converter 121 is formed, but in the present embodiment, the wafer 100 is divided. There is a difference in that the wavelength conversion unit 123 is formed before.
  • the wavelength converter 123 may be formed by a method similar to the method described in the other embodiments.
  • the wafer 100 is divided along the first division area S1 to be separated into a plurality of individual light emitting device units 110d, and the first light emitting device units 110d are spaced apart from each other. It is arranged on the support substrate 200.
  • the individual light emitting device units 110d may be light emitting chips 110 having the wavelength converter 123 formed thereon.
  • FIG. 19B shows a section of the BB ′ line of FIG. 19A.
  • the side of the light emitting chip 110 and the side of the wavelength converter 123 may be formed in parallel with each other in the individual light emitting device unit 110d. have.
  • the wavelength converter 123 may have a flat film form.
  • the reflector 130 is divided along the fourth divided area S4 and separated into individual light emitting device units 110e. Accordingly, a plurality of light emitting device packages 2 as shown in FIG. 2 are provided.
  • a plurality of small light emitting device packages may be provided through a division process. . Accordingly, a separate packaging process may be omitted, and since the packaging process is performed on the plurality of light emitting chips in one process, the light emitting device package manufacturing process may be greatly simplified. In addition, since a separate substrate for forming the lens is not required by directly forming the lens on the reflector 130, the micro LED package may be manufactured through the manufacturing method.

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Abstract

발광소자 패키지, 그 제조 방법, 및 이를 포함하는 차량용 램프 및 백라이트 유닛이 개시된다. 상기 발광소자 패키지는, 하부에 위치하는 전극 패드들을 갖는 발광칩, 적어도 상기 발광칩의 상면 및 측면을 덮는 파장변환부, 및 상기 발광칩의 측면을 덮는 반사부를 포함한다. 이에 따라, 발광소자 패키지가 최소화될 수 있으며, 렌즈 형성을 위한 별도의 기판이 요구되지 않는다.

Description

발광소자 패키지, 그 제조 방법, 및 이를 포함하는 차량용 램프 및 백라이트 유닛
본 발명은 발광소자 패키지, 그 제조 방법, 및 이를 포함하는 차량용 램프 및 백라이트 유닛에 관한 것으로, 특히, 소형 발광소자 패키지 및 웨이퍼 레벨 발광소자 패키지 제조 방법과 이를 포함하는 차량용 램프 및 백라이트 유닛에 관한 것이다.
발광 다이오드는 전자와 정공의 재결합으로 발생하는 광을 발하는 무기 반도체 소자로서, 최근, 디스플레이, 자동차 램프, 일반 조명 등의 여러 분야에서 사용된다. 발광 다이오드는 수명이 길고, 소비 전력이 낮으며, 응답 속도가 빨라서, 발광 다이오드를 포함하는 발광소자 패키지는 종래의 광원을 대체할 것으로 기대된다. 이러한 발광 다이오드를 포함하는 발광소자 패키지는 상술한 다양한 장점들로 인하여 다양한 분야에 응용되고 있고, 예를 들어, 자동차 램프 및 백라이트 유닛 등에 응용된다.
발광소자 패키지는 일반적으로 기판, 기판 상에 실장된 발광 칩, 발광 칩을 봉지하는 봉지재, 봉지재를 지지하는 하우징, 및 발광 칩 상에 위치하는 렌즈로 구성된다. 그러나, 이와 같은 종래의 발광소자 패키지를 제조하기 위해서는, 발광 칩 제조 공정과는 별도로 패키징 공정이 요구되므로 제조 공정 복잡하고, 비용이 증가된다. 또한, 발광 칩을 실장하기 위한 기판 등이 반드시 필요하므로, 패키지의 크기를 소형화하는 것에 한계가 있다.
이러한 발광소자 패키지 제조 공정을 단순화하기 위하여, 대한민국 특허공개공보 제10-2012-0119350호 등에는 웨이퍼 레벨(wafer level) 공정에 관하여 개시되어 있다. 상기 공개공보 제10-2012-0119350호에 따르면, 기판 상에 발광소자를 직접 실장하고, 발광소자를 둘러싸는 렌즈부를 직접 기판상에 실장함으로써, 공정을 최소화 및 단순화할 수 있는 발광소자 모듈 제조 방법이 개시되어 있다.
그러나, 상기 공개공보에 개시된 발광소자 모듈은 렌즈를 형성하기 위한 기판이 반드시 요구된다. 따라서, 상기 발광소자 모듈과 같은 발광장치를 제조하기 위해서는, 발광소자를 기판에 실장하는 패키징 공정이 반드시 필요하여, 성장 기판 외에 다른 2차 기판이 발광 장치에 반드시 포함된다. 이러한 종래의 발광장치는 성장 기판 외에 다른 기판을 이용하지 않는, 완전한 웨이퍼 레벨 패키지라고 볼 수 없으며, 발광 장치의 소형화에 한계가 있다.
또한, 발광 다이오드를 자동차 램프 및 백라이트 유닛에 적용하는 경우, 발광 다이오드를 포함하는 발광소자 패키지의 빛샘 현상이 문제될 수 있다. 빛샘 현상이란 발광소자 패키지의 측면에서 빛이 새어나가는 것을 의미한다. 즉, 광이 조사되어야 할 전방 영역 이외에 광이 측면 등으로 누설되는 것을 의미한다.
자동차 램프가 포함하는 발광소자 패키지에 측면 빛샘 현상이 발생하면, 자동차 램프에서 방출되는 광이 전방에 조사될 때 생기는 명부와 암부의 경계선인 컷오프(cutoff) 선이 명확하게 드러나지 않는다. 이로 인해, 운전자가 불필요한 영역에 광을 조사하게 되어, 다른 운전자의 시야를 방해할 수 있음은 물론이고, 측면 빛샘으로 인한 발광소자 패키지의 광 손실이 발생하는 문제점이 있다.
그리고, 백라이트 유닛에서 발광소자 패키지에 측면 빛샘 현상이 발생하면, 디스플레이의 외곽 테두리가 중앙부에 비하여 환하게 보이는 현상이 발생하거나, 디스플레이 화면에 전체적으로 얼룩이 생기는 현상이 발생할 수 있다. 또는 디스플레이의 명암대비비가 저하되고, 시야각이 좁아질 수 있다. 그리고, 디스플레이의 색편차가 발생하여 화질이 저하될 수 있다.
대한민국 등록특허 10-0519592(등록일자 2005년 09월 29일)에서는 빛샘 현상을 방지할 수 있는 발광 다이오드 표시 장치를 개시하고 있다. 상기 발광 다이오드 표시장치는 발광 다이오드(LED) 칩과 반사부를 구비하여 이루어지고, 반사부 위에 광흡수 시트와 광 흡수층이 배치되어 반사부 상면의 가장자리에서 산란되는 빛을 흡수한다. 그러나, 상기 발광 다이오드 표시 장치는, 발광 다이오드 칩에서 방출된 광이 대기 중에서 진행된 이후에 빛샘 방지를 위한 구조체와 만나는 방식을 통하여 빛샘 현상을 방지한다. 그러므로, 그 부피가 클 뿐만 아니라, 인쇄회로 기판 상에 제한된 숫자의 발광 다이오드(LED)를 배치할 수 밖에 없다. 또한, 성장 기판 외에 다른 2차 기판이 발광 장치에 반드시 포함되므로, 발광 장치의 소형화에 한계가 있다.
(선행기술문헌)
(특허문헌 1) 대한민국 특허공개공보 제10-2012-0119350호
(특허문헌 2) 대한민국 등록특허 제10-0519592호
본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 성장 기판 외에 다른 2차 기판을 포함하지 않는 초소형 발광소자 패키지 및 웨이퍼 레벨 패키지 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 과제는, 빛샘 현상 및 측면 빛샘 현상이 방지되는 발광소자 패키지를 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 과제는, 선명한 컷오프 선을 가지는 광을 조사할 수 있는 차량용 램프를 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 또 과제는, 색편차 문제를 해결하여 디스플레이의 화질을 개선할 수 있고, 디스플레이의 명암대비비 및 시야각을 개선할 수 있는 백라이트 유닛을 제공하는 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자 패키지는, 하부에 위치하는 전극 패드들을 갖는 발광칩; 적어도 상기 발광칩의 상면 및 측면을 덮는 파장변환부; 및 상기 발광칩의 측면을 덮는 반사부를 포함하고, 상기 발광칩은, 제2 도전형 반도체층, 상기 제2 도전형 반도체층 상에 위치하는 활성층, 상기 활성층 상에 위치하는 제1 도전형 반도체층, 및 상기 제1 도전형 반도체층 상에 위치하는 기판을 포함한다.
본 발명에 따르면, 별도의 추가적인 2차 기판을 포함하지 않는 발광소자 패키지가 제공될 수 있어, 발광소자 패키지가 소형화될 수 있다.
상기 파장변환부는 상기 발광칩의 측면과 상기 반사부 사이에 개재될 수 있다.
나아가, 상기 파장변환부의 상면과 상기 반사부의 상면은 서로 동일 높이를 이룰 수 있다.
상기 파장변환부는 형광체 및 수지를 포함할 수 있고, 상기 파장변환부는 플라즈마 처리된 측면을 가질 수 있다.
상기 발광칩은, 상기 제1 도전형 반도체층 상에 서로 이격되어 배치되고, 각각 상기 활성층 및 상기 제2 도전형 반도체층을 포함하는 복수의 메사들; 각각 상기 복수의 메사들 상에 위치하여 상기 제2 도전형 반도체층에 오믹 콘택하는 반사 전극들; 및 상기 복수의 메사들 및 상기 제1 도전형 반도체층을 덮되, 상기 각각의 메사 상부 영역 내에 위치하고 상기 반사 전극들을 노출시키는 개구부들을 가질 수 있으며, 상기 제1 도전형 반도체층에 오믹콘택하고 상기 복수의 메사들로부터 절연된 전류 분산층을 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 복수의 메사들은 일측 방향으로 서로 평행하게 연장하는 기다란 형상을 가질 수 있고, 상기 전류 분산층의 개구부들은 상기 복수의 메사들의 동일 단부측에 치우쳐 위치할 수 있다.
상기 전극 패드들은, 제1 패드 및 제2 패드를 포함할 수 있고, 상기 발광칩은, 상기 전류 분산층의 적어도 일부를 덮되, 상기 반사 전극들을 노출시키는 개구부들을 갖는 상부 절연층을 더 포함할 수 있으며, 상기 제1 패드는 상기 전류 분산층에 전기적으로 접속되고, 상기 제2 패드는 상기 개구부들에 의해 노출된 상기 반사 전극들에 전기적으로 접속될 수 있다.
또한, 상기 발광소자 패키지는, 상기 발광칩 상에 위치하는 렌즈를 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 발광소자 패키지는, 상기 반사부의 측면을 적어도 부분적으로 덮는 광 차단부를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광소자 패키지는, 단위 발광 소자; 및 상기 단위 발광 소자의 적어도 일측면을 덮는 광 차단부를 포함하되, 상기 단위 발광 소자는 상면, 측면 및 하면을 가지는 발광칩, 상기 발광칩의 상면을 덮는 파장 변환부 및 상기 발광칩의 측면을 덮는 반사부를 포함하고, 상기 발광칩은 하면에 전극 패드들을 가지며, 바깥면에 상기 전극 패드들이 노출된다.
광 차단부가 반사부의 측면으로 방출되는 광을 차단하여, 발광 소자의 빛샘 현상을 방지할 수 있다.
상기 발광소자 패키지는, 상기 발광칩의 측면을 덮는 파장 변환부를 더 포함할 수 있고, 상기 측면을 덮는 파장 변환부는 상기 반사부와 상기 발광칩 사이에 위치할 수 있다.
나아가, 상기 파장 변환부는 형광체 및 수지를 포함할 수 있고, 상기 파장 변환부는 플라즈마 처리된 측면을 가질 수 있다.
상기 광 차단부는 상기 반사부에 비해 광을 더 잘 흡수하는 물질을 포함하되, 상기 광을 흡수하는 물질은 블랙 카본, 검정색 수지 및 검정색 도료일 수 있다.
상기 광 차단부의 상면 높이는 상기 반사부의 상면 높이와 같거나 높을 수 있다.
상기 발광소자 패키지는 적어도 하나의 단위 발광 소자를 더 포함할 수 있고, 상기 광 차단부는 상기 적어도 하나의 단위 발광 소자의 적어도 일 측면을 덮을 수 있다.
상기 단위 발광 소자 각각의 적어도 일측면은 서로 맞닿아 있을 수 있다.
상기 광 차단부의 일부는 상기 단위 발광 소자와 상기 적어도 하나의 단위 발광 소자 사이에 배치될 수 있다.
상기 적어도 하나의 단위 발광 소자는 발광칩의 측면을 덮는 파장 변환부를 더 포함할 수 있고, 상기 측면을 덮는 파장 변환부는 상기 적어도 하나의 단위 발광 소자의 반사부와 발광칩 사이에 위치할 수 있다.
상기 파장 변환부의 상면과 상기 반사부의 상면은 서로 동일 높이를 이룰 수 있다.
상기 반사부의 상면과 상기 광 차단부의 상면은 서로 동일 높이를 이룰 수 있다.
상기 발광소자 패키지는, 상기 발광칩 상에 위치하는 렌즈를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따른 차량용 램프는, 상기 발광소자 패키지를 포함한다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따른 백라이트 유닛은, 인쇄회로기판; 본 발명의 실시예들에 따른 발광소자 패키지; 및 상기 인쇄회로기판에 장착되어 상기 발광 소자를 덮는 렌즈를 포함한다.
상기 발광소자 패키지의 광 차단부의 적어도 일부는 상기 렌즈의 바닥부와 상기 인쇄회로기판 사이에 위치할 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광소자 패키지 제조 방법은, 제1 지지 기판 상에 서로 이격된 발광칩들을 배열하되, 상기 발광칩들은 그 하면에 위치하는 전극 패턴들을 포함하고; 상기 발광칩들 각각의 상면 및 측면을 덮는 파장변환부를 형성하고; 상기 발광칩들 각각의 측면을 덮는 반사부를 형성하는 것을 포함한다.
상기 서로 이격된 발광칩들은 동일한 웨이퍼로부터 분할된 것일 수 있다.
상기 파장변환부는 상기 발광칩들 사이의 영역을 채우도록 형성될 수 있고, 상기 제조 방법은, 상기 파장변환부를 형성한 후, 상기 발광칩들 사이의 영역에서 상기 파장변환부를 제1 개별 발광소자 단위들로 분리하는 것을 더 포함할 수 있다.
상기 제조 방법은, 상기 파장변환부를 개별 발광소자 단위들로 분리한 후, 상기 개별 발광소자 단위들을 제2 지지 기판 상에 서로 이격되도록 배열하는 것을 더 포함할 수 있다.
상기 반사부는 상기 제1 개별 발광소자 단위들 사이의 영역을 채우도록 형성될 수 있다.
상기 제조 방법은, 상기 반사부를 형성한 후, 상기 제2 개별 발광소자 단위들 사이의 영역에서 반사부를 제2 개별 발광소자 단위들로 분리하는 것을 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 제조 방법은, 상기 반사부의 상면 및 상기 파장변환부의 상면 중 적어도 하나를 평탄화하는 것을 더 포함할 수 있다.
나아가, 상기 제조 방법은, 상기 반사부를 형성하기 전에, 상기 파장변환부의 측면을 플라즈마 처리하는 것을 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 제조 방법은, 상기 발광칩들 상에 각각 렌즈를 형성하는 것을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광소자 패키지 제조 방법은, 하면 상에 전극 패턴들 및 복수의 반도체 적층 구조를 포함하는 웨이퍼를 준비하고; 상기 웨이퍼의 상면을 덮는 파장변환부를 형성하고; 상기 웨이퍼를 분할하여, 상부에 파장변환부가 형성된 발광칩들을 형성하고; 상기 발광칩들을 지지 기판 상에 서로 이격되도록 배열하고; 상기 발광칩들의 측면 및 상기 파장변환부의 측면을 덮는 반사부를 형성하는 것을 포함한다.
본 발명에 따르면, 발광칩, 파장변환부 및 반사부가 서로 밀착하여 형성되며, 별도의 2차 기판이나 별도의 리드 전극을 포함하지 않는, 소형화된 발광소자 패키지가 제공될 수 있다.
또한, 본 발명은 웨이퍼 레벨에서 복수의 발광칩에 대해 파장변환부과 반사부를 일체로 형성할 수 있으며, 별도의 패키징 공정이 생략된 발광소자 패키지 제조 방법을 제공할 수 있다. 이에 따라, 발광소자 패키지 제조 방법이 단순화될 수 있다.
나아가, 발광칩, 파장 변환부, 반사부 및 광 차단부가 서로 밀착하여 형성되며, 별도의 2차 기판이나 별도의 리드 전극을 포함하지 않는, 소형화된 발광소자 패키지가 제공될 수 있다.
또한, 광 차단부를 채택하여 발광소자 패키지의 빛샘 현상을 방지할 수 있다. 이에 따라, 상기 발광소자 패키지를 채택한 차량용 램프는 사용자가 의도하는 영역으로 광을 효율적으로 조사할 수 있다. 즉, 명부와 암부의 경계가 뚜렷하게 나타나는 광을 조사할 수 있다. 이를 통하여, 운전자의 시인성을 향상시킬 수 있고, 다른 운전자의 시야를 보호할 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 발광소자 패키지를 포함하는 백라이트 유닛은 렌즈로 입광되는 광을 최대화할 수 있어, 디스플레이의 명암대비비 및 시야각을 향상시킬 수 있다. 그리고, 디스플레이의 색편차 문제를 해결할 수 있어, 화질을 개선시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자 패키지를 설명하기 위한 단면도이다.
도 2는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광소자 패키지를 설명하기 위한 단면도이다.
도 3a 및 도 3b는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자 패키지를 설명하기 위한 단면도 및 평면도이다.
도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광소자 패키지를 설명하기 위한 단면도이다.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광소자 패키지를 설명하기 위한 단면도이다.
도 6a 및 도 6b는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광소자 패키지 및 발광칩을 설명하기 위한 평면도 및 단면도들이다.
도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광소자 패키지를 설명하기 위한 평면도들이다.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광소자 패키지를 설명하기 위한 평면도들이다.
도 9는 본 발명의 실시예들에 따른 발광소자 패키지를 포함하는 백라이트 유닛을 설명하기 위한 단면도 및 평면도이다.
도 10 내지 도 15는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자 패키지의 제조 방법을 설명하기 위한 평면도들 및 단면도이다.
도 16은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광소자 패키지의 제조 방법을 설명하기 위한 평면도들이다.
도 17 내지 도 21은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광소자 패키지의 제조 방법을 설명하기 위한 평면도들 및 단면도이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명한다. 다음에 소개되는 실시예들은 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 기술자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고, 도면들에 있어서, 구성요소의 폭, 길이, 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있다. 또한, 하나의 구성요소가 다른 구성요소의 "상부에" 또는 "상에" 있다고 기재된 경우 각 부분이 다른 부분의 "바로 상부" 또는 "바로 상에" 있는 경우뿐만 아니라 각 구성요소와 다른 구성요소 사이에 또 다른 구성요소가 있는 경우도 포함한다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자 패키지(1)를 설명하기 위한 단면도이다.
도 1을 참조하면, 발광소자 패키지(1)는 발광칩(110), 파장변환부(121), 반사부(130)를 포함한다. 나아가, 발광소자 패키지(1)는 렌즈(150)를 더 포함할 수 있다.
발광칩(110)은 상면 및 하면을 포함하며, 특히, 상기 하면 상에 위치하는 전극 패드들(미도시)을 포함할 수 있다. 발광칩(110)이 하면에 위치하는 전극 패드들을 포함함으로써, 발광소자 패키지(1)에 별도로 전극을 마련할 필요가 없고, 상기 전극 패드들이 곧 발광소자 패키지(1)의 전극 역할을 할 수 있다. 이에 따라, 발광소자 패키지(1)가 소형화될 수 있다.
발광칩(110)은 하면에 전극 패드들을 가지며, 발광할 수 있는 소자이면 한정되지 않으며, 예를 들어, 플립칩형 발광 다이오드 등일 수 있다.
파장변환부(121)는 발광칩(110)의 상면을 덮을 수 있고, 나아가, 발광칩(110)의 측면을 더 덮을 수 있다. 파장변환부(121)의 두께는 일정하게 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 않고, 측면의 두께와 상면의 두께가 서로 다를 수도 있다. 파장변환부(121)의 두께 등을 조절하여 발광소자 패키지(1)에서 방출되는 광의 색 특성을 조절할 수 있다.
파장변환부(121)는 형광체 및 수지를 포함할 수 있으며, 상기 형광체는 수지와 혼합되어, 수지 내에 무작위로 또는 균일하게 배치될 수 있다. 파장변환부(121)는 형광체를 포함함으로써, 발광칩(110)에서 방출된 광을 다른 파장의 광으로 변환시킬 수 있다. 이에 따라, 발광소자 패키지(1)에서 방출되는 광을 다양하게 할 수 있으며, 나아가 백색 발광소자를 구현할 수 있다.
상기 수지는 에폭시 수지나 아크릴 수지와 같은 폴리머 수지, 또는 실리콘 수지를 포함할 수 있으며, 형광체를 분산시키는 매트릭스 역할을 할 수 있다.
형광체는 발광칩(110)에서 방출된 광을 여기시켜 다른 파장의 광으로 변환시킬 수 있다. 상기 형광체는 통상의 기술자에게 널리 알려진 다양한 형광체들을 포함할 수 있고, 예를 들어, 가넷형 형광체, 알루미네이트 형광체, 황화물 형광체, 산질화물 형광체, 질화물 형광체, 불화물계 형광체, 규산염 형광체 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
한편, 파장변환부(121) 내에 포함된 형광체, 파장변환부(121)의 두께, 파장변환부(121)에 포함된 수지 등을 조절함으로써, 파장변환부(121)에 의해 변환된 광의 특성을 임의로 조절할 수 있다.
반사부(130)는 발광칩(110)의 측면을 덮을 수 있으며, 나아가, 발광칩(110)의 측면에 형성된 파장변환부(121)를 더 덮을 수 있다. 이에 따라, 발광칩(110)의 측면을 덮는 파장변환부(121)는 발광칩(110)과 반사부(130) 사이에 개재될 수 있다.
반사부(130)는 광을 반사시키는 역할을 할 수 있다. 이러한 반사부(130)가 발광소자 패키지(1)의 외곽 측면에 형성됨으로써, 발광칩(110) 및 형광체에서 방출되는 광을 패키지 상부로 집중시킬 수 있다. 다만, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 필요에 따라 반사부(130)의 반사도, 광 투과도 등을 조절하여, 발광칩(110)으로부터 방출된 광의 지향각을 조절할 수도 있다.
반사부(130)는 수지를 포함할 수 있고, 나아가, 광을 반사시키거나 산란시킬 수 있는 필러를 더 포함할 수 있다.
상기 수지는 투명하거나 반투명한 것일 수 있으며, 예를 들어, 실리콘 수지, 또는 에폭시 수지, 폴리이미드 수지, 우레탄 수지 등과 같은 폴리머 수지를 포함할 수 있다. 본 실시예에서 상기 수지는 실리콘 수지일 수 있다.
상기 필러는 상기 수지 내에 균일하게 분산 배치될 수 있다. 상기 필러는 광을 반사시키거나 산란시킬 수 있는 물질이면 제한되지 않으며, 예를 들어, 산화티탄(TiO2), 산화규소(SiO2), 또는 산화지르코늄(ZrO2) 등일 수 있다. 반사부(130)는 상기 필러들 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 필러의 종류 또는 농도 등을 조절함으로써, 반사부(130)의 반사도 또는 광의 산란 정도 등을 조절할 수 있다.
한편, 반사부(130)의 상면과 파장변환부(121)의 상면은 서로 동일 높이를 이룰 수 있다. 즉, 도시된 바와 같이, 반사부(130)의 상면과 파장변환부(121)의 상면이 서로 나란하게(flush) 형성될 수 있다. 이에 따라, 렌즈(150)가 발광칩(110) 상에 더욱 안정적으로 배치될 수 있다.
또한, 파장변환부(121)는 플라즈마 처리된 측면을 가질 수 있다. 이에 따라, 파장변환부(121)과 반사부(130) 간의 접착력이 우수해져, 발광소자 패키지(1)의 안정성 및 신뢰성이 향상될 수 있다.
렌즈(150)는 발광칩(110) 상에 위치할 수 있다. 또한, 렌즈(150)의 하면의 크기는 파장변환부(121)의 상면 크기보다 더 크게 형성되어, 렌즈(150)가 파장변환부(121)의 상면을 전체적으로 덮을 수 있다. 이에 따라, 파장변환부(121)에 의해 변환된 광을 더욱 효과적으로 외부로 방출시킬 수 있다.
렌즈(150)는 실리콘 렌즈 등일 수 있으며, 렌즈(150)를 구성하는 재료는 제한되지 않는다. 또한, 렌즈(150)는 도시된 바와 같이 반구형 형상을 가질 수 있으나, 원하는 지향 패턴을 얻기 위하여, 평판 형상, 가운데 부분이 오목한 형상과 같이 다양한 형상을 가질 수도 있다.
한편, 상기 렌즈(150)는 발광소자 패키지(1)의 전체 높이를 줄이기 위하여 생략될 수도 있다.
이상 설명한 바와 같이, 발광소자 패키지(1)는 별도의 2차 기판이나, 별도의 리드 전극을 포함하지 않고, 발광칩(110), 파장변환부(121) 및 반사부(130)이 밀착하여 형성되므로, 패키지의 크기를 소형화할 수 있다.
도 2는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광소자 패키지를 설명하기 위한 단면도이다.
도 2에 도시된 발광소자 패키지(2)는 도 1을 참조하여 설명한 발광소자 패키지(1)와 대체로 유사하나, 도 1과 달리 파장변환부(123)가 발광칩(110) 측면에는 형성되지 않은 점에서 차이가 있다. 이하, 상기 차이점을 중심으로 도 2의 발광소자 패키지(2)를 설명한다.
도 2를 참조하면, 발광소자 패키지(2)는 발광칩(110), 파장변환부(123), 반사부(130)을 포함한다. 나아가, 발광소자 패키지(2)는 렌즈(150)를 더 포함할 수 있다.
파장변환부(123)는 편평한 막 형태를 가질 수 있으며, 발광칩(110)의 상면을 덮을 수 있다. 따라서, 파장변환부(123)가 발광칩(110)의 측면 상에는 형성되지 않으며, 반사부(130)가 발광칩(110)의 측면을 직접 덮을 수 있고, 파장변환부(123)의 측면을 더 덮을 수 있다. 나아가, 도 2에 도시된 바와 같이, 파장변환부(123)의 측면과 발광칩(110)의 측면은 서로 나란할 수 있다.
발광소자 패키지(2)에 있어서, 발광칩(110), 반사부(130) 및 렌즈(150)는 도 1을 참조하여 설명한 바와 거의 유사하므로, 자세한 설명은 생략한다.
도 3a 및 도 3b는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자 패키지를 설명하기 위한 단면도 및 평면도이다.
도 3a 및 도 3b를 참조하면, 발광소자 패키지(3)는 단위 발광 소자(10) 및 광 차단부(140)를 포함한다. 단위 발광 소자(10)는 발광칩(110), 파장 변환부(121) 및 반사부(130)를 포함한다.
발광칩(110)은 상면, 측면 및 하면을 포함하며, 특히, 하면에 위치하는 전극 패드들(미도시)을 포함할 수 있다. 발광칩(110)이 하면에 위치하는 전극 패드들을 포함함으로써, 발광소자 패키지(3)에 별도로 전극을 마련할 필요가 없고, 전극 패드들이 곧 발광소자 패키지(3)의 전극 역할을 할 수 있다. 이에 따라, 발광소자 패키지(3)가 소형화될 수 있다.
발광칩(110)은 하면에 전극 패드들을 가지며, 발광할 수 있는 소자이면 한정되지 않으며, 예를 들어, 플립형 발광칩 등일 수 있다.
파장 변환부(121)는 발광칩(110)의 상면을 덮을 수 있고, 나아가, 발광칩(110)의 측면을 더 덮을 수 있다. 파장 변환부(121)의 두께는 일정하게 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 않고, 측면의 두께와 상면의 두께가 서로 다를 수도 있다. 또한, 발광칩(110)의 형태나 모양에 따라 각 측면들의 두께는 서로 다를 수도 있다. 파장 변환부(121)의 두께 및 재료의 종류 등을 조절하여 발광소자 패키지에서 방출되는 광의 색 특성을 조절할 수 있다.
파장 변환부(121)는 형광체 및 수지를 포함할 수 있으며, 형광체는 수지와 혼합되어, 수지 내에 분포될 수 있다. 파장 변환부(121)는 형광체를 포함함으로써, 발광칩(110)에서 방출된 광을 다른 파장의 광으로 변환시킬 수 있다. 이에 따라, 단위 발광 소자(10)에서 방출되는 광을 다양하게 할 수 있으며, 예를 들어, 황색계열(amber) 단위 발광 소자(10), 적색계열(red) 단위 발광 소자(10), 녹색계열(green) 단위 발광 소자(10) 및 백색계열(white) 단위 발광 소자(10)를 구현할 수 있다.
상기 수지는 에폭시 수지나 아크릴 수지와 같은 폴리머 수지 또는 실리콘 수지를 포함할 수 있으며, 형광체를 분산시키는 매트릭스 역할을 할 수 있다.
형광체는 발광칩(110)에서 방출된 광을 여기시켜 다른 파장의 광으로 변환시킬 수 있다. 형광체는 통상의 기술자에게 널리 알려진 다양한 형광체들을 포함할 수 있고, 예를 들어, 가넷형 형광체, 알루미네이트 형광체, 황화물 형광체, 산질화물 형광체, 질화물 형광체, 불화물계 형광체, 규산염 형광체 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
파장 변환부(121)는 형광체와 수지의 혼합물을 발광칩(110)들의 측면 및 상면이 덮이도록 프린팅, 디스펜싱 및 스프레이 등의 방법으로 도포한 후 경화시켜 형성될 수 있다. 다만, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 다른 다양한 방법으로 파장 변환부(121)를 형성하는 것도 본 발명의 사상에 포함된다.
한편, 파장 변환부(121) 내에 포함된 형광체, 파장 변환부(121)의 두께, 파장 변환부(121)에 포함된 수지 등을 조절함으로써, 파장 변환부(121)에 의해 변환된 광의 특성을 임의로 조절할 수 있다.
반사부(130)는 발광칩(110)의 측면을 덮을 수 있으며, 나아가 발광칩(110)의 측면에 형성된 파장 변환부(121)를 더 덮을 수 있다. 이에 따라, 발광칩(110)의 측면을 덮는 파장 변환부(121)는 발광칩(110)과 반사부(130) 사이에 개재될 수 있다.
반사부(130)는 광을 반사시키는 역할을 할 수 있다. 이러한 반사부(130)가 단위 발광 소자(10)의 외곽 측면에 형성됨으로써, 발광칩(110) 및 형광체에서 방출되는 광을 단위 발광 소자(10) 상부로 집중시킬 수 있다. 다만, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 사용자의 목적 및 필요에 따라 반사부(130)의 반사도, 광 투과도 등을 조절하여, 발광칩(110)으로부터 방출된 광의 지향각을 조절할 수도 있다.
반사부(130)는 수지를 포함할 수 있고, 나아가, 광을 반사시키거나 산란시킬 수 있는 필러를 더 포함할 수 있다.
수지는 투명하거나 반투명한 것일 수 있으며, 예를 들어, 실리콘 수지, 또는 에폭시 수지, 폴리이미드 수지, 우레탄 수지 등과 같은 폴리머 수지를 포함할 수 있다. 본 실시예에서 수지는 실리콘 수지일 수 있다.
필러는 수지 내에 균일하게 분산 배치될 수 있다. 필러는 광을 반사시키거나 산란시킬 수 있는 물질이면 제한되지 않으며, 예를 들어, 산화티탄(TiO2), 산화규소(SiO2), 또는 산화지르코늄(ZrO2) 등일 수 있다. 반사부(130)는 상기 필러들 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 필러의 종류 또는 농도 등을 조절함으로써, 반사부(130)의 반사도 또는 광의 산란 정도 등을 조절할 수 있다.
반사부(130)는 일정한 두께를 가지고 형성될 수 있다. 반사부(130)는 배치되는 위치에 따라 서로 다른 두께를 가지고 형성될 수 있다.
한편, 반사부(130)의 상면과 파장 변환부(121)의 상면은 서로 동일 높이를 이룰 수 있다. 즉, 도시된 바와 같이, 반사부(130)의 상면과 파장 변환부(121)의 상면이 서로 나란하게(flush) 형성될 수 있다. 이에 따라, 렌즈(미도시)가 발광칩(110) 상에 더욱 안정적으로 배치될 수 있다.
반사부(130)는 파장 변환부(121)와 유사한 방법으로 형성될 수 있고, 반사부(130)를 형성한 후, 반사부(130) 상면 및 파장 변환부(121)의 상면 중 적어도 하나를 평탄화하는 것을 더 포함할 수 있다. 평탄화 공정은 그라인딩, 커팅 등의 방법을 이용할 수 있다. 반사부(130)를 도포하는 방식으로 형성한 경우, 제조 공정 상의 사정으로 파장 변환부(121) 위에 반사부(130)가 형성될 수 있다. 평탄화 공정을 통해서, 파장 변환부(121) 위에 형성된 반사부(130)를 제거할 수 있어서, 최종 발광소자 패키지(3)에서 발광칩(110) 상부에 반사부(130)가 위치하는 것을 방지할 수 있다.
또한, 파장 변환부(121)는 플라즈마 처리된 측면을 가질 수 있다. 이에 따라, 파장 변환부(121)과 반사부(130) 간의 접착력이 우수해져, 발광소자 패키지(3)의 전체적인 안정성 및 신뢰성이 향상될 수 있다.
상술한 발광칩(110), 파장 변환부(121) 및 반사부(130)의 결합으로 단위 발광 소자(10)가 형성된다.
광 차단부(140)는 단위 발광 소자(10)의 적어도 일측면을 덮을 수 있다. 즉, 광 차단부(140)는 단위 발광 소자(10)가 포함하는 반사부(130)의 적어도 일측면을 덮을 수 있다. 광 차단부(140)와 반사부(130)는 서로 접촉할 수 있다. 이에 따라, 광 차단부(140)는 발광 소자(10)의 최외곽에 위치할 수 있다.
광 차단부(140)는 광을 흡수하는 역할을 할 수 있다. 이러한 광 차단부(140)가 발광 소자(10)의 외곽 측면에 형성됨으로써, 반사부(130)에서 측면으로 누설되는 광의 빛샘 현상을 방지할 수 있다. 구체적으로, 발광칩(110)에서 방출되는 광이 반사부(130)를 통과하여, 단위 발광 소자(10)의 측면으로 누설되는 경우에, 광 차단부(140)는 단위 발광 소자(10)의 측면 광을 차단 또는 흡수할 수 있다.
광 차단부(140)는 광의 흡수도가 높은 재질로 형성될 수 있다. 광 차단부(140)는 반사부(130)에 비해 광 흡수도가 높은 재질로 형성된다. 예컨대, 광 차단부(140)는 광의 흡수도가 높은 검정색 물질로 이루어 질 수 있다. 광 차단부(140)를 형성하는 물질은 광 흡수도가 높은 물질이면 제한되지 않으며, 예를 들어, 광차단부(140)는 블랙 카본, 검은색 수지 및 검은색 도료 등의 광 흡수 물질을 포함할 수 있으며, 검은색 도료는 페인트(paint) 등일 수 있다.
광 차단부(140)의 두께는 일정하게 형성될 수 있다. 광차단부(140)의 두께는 위치에 따라 다른 두께로 형성될 수 있다. 광 차단부(140)의 두께는 제한되지 않으며, 단위 발광 소자(10)의 측면에서 방출되는 광의 세기에 따라 적절히 조절될 수 있다. 따라서, 반사부(130)에서 측면에서 방출되는 광의 세기가 강할수록 광 차단부(140)는 두꺼워질 수 있다. 다만, 광 차단부(140)를 형성하는 재질에 따라 그 두께는 달라질 수 있다.
한편, 광 차단부(140)의 상면과 반사부(130)의 상면은 서로 동일 높이를 이룰 수 있으나, 광차단부(140)의 상면 높이가 반사부(130)의 상면 높이 보다 높을 수 있다. 광 차단부(140)의 높이는 이에 국한되지 않으며, 반사부(130)에서 측면으로 방출되는 광의 세기을 고려하여 적절히 조절될 수 있다.
광 차단부(140)는 포함되는 재질에 따라, 반사부(130) 및 파장 변환부(121)와 유사한 방법으로 형성될 수 있으며, 그 밖에 증착 및 필름 코팅 등의 방식으로 형성될 수 있다. 다만, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 다른 다양한 방법으로 광 차단부(140)를 형성하는 것도 본 발명의 사상에 포함된다. 광 차단부(140)의 상면 역시 상술한 평탄화 공정을 이용할 수 있다.
도 4은 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광소자 패키지를 설명하기 위한 단면도이다.
도 4에 도시된 발광소자 패키지(4)는 도 3a 및 도 3b를 참조하여 설명한 발광소자 패키지(3)와 대체로 유사하나, 도 3a 및 도 3b와 달리 발광칩(110) 상에 렌즈(150)가 배치된다. 이하, 상기 차이점을 중심으로 도 4의 발광소자 패키지를 설명한다.
렌즈(150)의 하면의 크기는 파장 변환부(121)의 상면 크기보다 더 크게 형성되어, 렌즈(150)가 파장 변환부(121)의 상면을 전체적으로 덮을 수 있다. 이에 따라, 파장 변환부(121)에 의해 변환된 광을 더욱 효과적으로 외부로 방출시킬 수 있다.
렌즈(150)는 실리콘 렌즈 등일 수 있으며, 렌즈(150)를 구성하는 재료는 제한되지 않는다. 또한, 렌즈(150)는 도시된 바와 같이 반구형 형상을 가질 수 있으나, 원하는 지향 패턴을 얻기 위하여, 평판 형상, 가운데 부분이 오목한 형상과 같이 다양한 형상을 가질 수도 있다.
렌즈(150)는 몰딩 방식으로 형성될 수도 있고, 이외에 다양한 방법으로 제조될 수 있다.
한편, 렌즈(150)는 발광소자 패키지의 전체 높이를 줄이기 위하여 생략될 수도 있다.
이상 설명한 바와 같이, 별도의 2차 기판이나, 별도의 리드 전극을 포함하지 않고, 발광소자 패키지(4)가 형성되므로, 발광소자 패키지(4)의 크기를 소형화할 수 있다. 또한, 단위 발광 소자(4)의 측면을 광 차단부(140)로 덮으므로, 발광소자 패키지(4)의 빛샘 현상을 방지할 수 있다.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광소자 패키지를 설명하기 위한 단면도이다.
도 5에 도시된 발광소자 패키지(5)는 도 3a 및 도 3b를 참조하여 설명한 발광소자 패키지(3)와 대체로 유사하나, 도 3a 및 도 3b와 달리 파장 변환부(123)가 발광칩(110) 측면에 형성되지 않는 점에서 차이가 있다. 이하, 상기 차이점을 중심으로 도 5의 발광소자 패키지(5)를 설명한다.
도 5을 참조하면, 발광소자 패키지(5)는 발광칩(110), 파장 변환부(123), 반사부(130) 및 광 차단부(140)를 포함한다.
파장 변환부(123)는 편평한 막 형태를 가질 수 있으며, 발광칩(110)의 상면을 덮을 수 있다. 따라서, 파장 변환부(123)가 발광칩(110)의 측면 상에는 형성되지 않으며, 반사부(130)가 발광칩(110)의 측면을 직접 덮을 수 있고, 파장 변환부(123)의 측면을 더 덮을 수 있다. 나아가, 도 5에 도시된 바와 같이 파장 변환부(123)의 측면과 발광칩(110)의 측면은 서로 나란할 수 있다.
발광소자 패키지(5)에 있어서, 발광칩(110), 반사부(130) 및 광 차단부(140)는 도 3a 및 도 3b를 참조하여 설명한 바와 유사하므로, 자세한 설명은 생략한다.
도 6a 및 도 6b는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광소자 패키지 및 발광칩을 설명하기 위한 평면도 및 단면도들이다.
도 6a의 발광소자 패키지(6)는 도 1을 참조하여 설명한 것과 대체로 유사하나, 본 실시예에서는 발광칩(110)의 구조를 도 6b를 참조하여 구체적으로 설명한다.
이하, 발광칩(110)의 일례를 도 6b를 참조하여 상세하게 설명한다.
발광칩(110)은, 제1 도전형 반도체층(23), 메사들(M), 반사 전극들(30), 전류 분산층(33)을 포함하며, 기판(21), 하부 절연층(31), 상부 절연층(35) 및 제1 패드(37a)와 제2 패드(37b)를 포함할 수 있다.
기판(21)은 질화갈륨계 에피층들을 성장시키기 위한 성장기판, 예컨대 사파이어, 탄화실리콘, 실리콘, 질화갈륨 기판일 수 있다. 또한, 기판(21)은 제1 면과 상기 제1 면에 대향하는 제2 면을 포함할 수 있다. 본 실시예에 있어서, 상기 제1 면은 기판(21)의 하면, 즉, 제1 도전형 반도체층(23)이 형성된 면을 지칭할 수 있고, 상기 제2 면은 기판(21)의 상면을 지칭할 수 있다.
제1 도전형 반도체층(23)은 연속적이며, 제1 도전형 반도체층(23) 상에 복수의 메사들(M)이 서로 이격되어 위치한다. 메사들(M)은 활성층(25) 및 제2 도전형 반도체층(27)을 포함하며, 일측을 향해 연장하는 기다란 형상을 갖는다. 여기서 메사들(M)은 질화갈륨계 화합물 반도체의 적층 구조이다. 상기 메사들(M)은, 도 1에 도시한 바와 같이, 제1 도전형 반도체층(23)의 상부 영역 내에 한정되어 위치할 수 있다. 이와 달리, 상기 메사들(M)은, 도 6에 도시한 바와 같이, 일측방향을 따라 제1 도전형 반도체층(23)의 상부면 가장자리까지 연장할 수 있으며, 따라서 제1 도전형 반도체층(23)의 상부면을 복수의 영역으로 구획할 수 있다. 이에 따라, 메사들(M)의 모서리 근처에 전류가 집중되는 것을 완화하여 전류 분산 성능을 더욱 강화할 수 있다.
반사 전극들(30)은 각각 상기 복수의 메사들(M) 상에 위치하여 제2 도전형 반도체층(27)에 오믹 콘택한다. 반사 전극들(300)은 반사층(28)과 장벽층(29)을 포함할 수 있으며, 장벽층(29)이 반사층(28)의 상면 및 측면을 덮을 수 있다.
전류 분산층(33)은 상기 복수의 메사들(M) 및 상기 제1 도전형 반도체층(23)을 덮는다. 상기 전류 분산층(33)은 상기 각각의 메사(M) 상부 영역 내에 위치하고 상기 반사 전극들(30)을 노출시키는 개구부들(33a)을 갖는다. 전류 분산층(33)은 또한, 상기 제1 도전형 반도체층(23)에 오믹콘택하고 상기 복수의 메사들(M)로부터 절연된다. 상기 전류 분산층(33)은 Al과 같은 반사 금속을 포함할 수 있다.
상기 전류 분산층(33)은 하부 절연층(31)에 의해 복수의 메사들(M)로부터 절연될 수 있다. 예컨대, 하부 절연층(31)은 상기 복수의 메사들(M)과 상기 전류 분산층(33) 사이에 위치하여 상기 전류 분산층(33)을 상기 복수의 메사들(M)로부터 절연시킬 수 있다. 또한, 상기 하부 절연층(31)은 상기 각각의 메사(M) 상부 영역 내에 위치하고 상기 반사 전극들(30)을 노출시키는 개구부들(31b)을 가질 수 있으며, 제1 도전형 반도체층(23)을 노출시키는 개구부들(31a)을 가질 수 있다. 상기 전류 분산층(33)은 개구부들(31a)을 통해 제1 도전형 반도체층(23)에 접속할 수 있다. 상기 하부 절연층(31)의 개구부들(31b)은 전류 분산층(33)의 개구부들(33a)보다 좁은 면적을 가지며, 개구부들(33a)에 의해 모두 노출된다.
상부 절연층(35)은 상기 전류분산층(33)의 적어도 일부를 덮는다. 또한, 상부 절연층(35)은 상기 반사 전극들(30)을 노출시키는 개구부들(35b)을 갖는다. 나아가, 상부 절연층(35)은 전류 분산층(33)을 노출시키는 개구부(35a)를 가질 수 있다. 상기 상부 절연층(35)은 상기 전류 분산층(33)의 개구부들(33a)의 측벽들을 덮을 수 있다.
제1 패드(37a)는 전류 분산층(33) 상에 위치할 수 있으며, 예컨대 상부 절연층(35)의 개구부(35a)를 통해 전류 분산층(33)에 접속할 수 있다. 또한, 제2 패드(37b)는 개구부들(35b)을 통해 노출된 반사전극들(30)에 접속한다. 도 6b에 따르면, 제1 패드(37a)와 제2 패드(37b)는 동일한 크기를 갖도록 도시되어 있으나, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 서로 다른 크기를 가질 수도 있다. 예를 들어, 제1 패드(37a)가 제2 패드(37b)보다 더 크게 형성될 수 있다.
본 발명에 따르면, 전류 분산층(33)이 메사들(M) 및 메사들(M) 사이의 제1 도전형 반도체층(23)의 거의 전 영역을 덮는다. 따라서, 전류 분산층(33)을 통해 전류가 쉽게 분산될 수 있다.
나아가, 상기 전류 분산층(23)이 Al과 같은 반사 금속층을 포함하거나, 하부 절연층을 절연 반사층으로 형성함으로써 반사 전극들(30)에 의해 반사되지 않는 광을 전류 분산층(23) 또는 하부 절연층(31)을 이용하여 반사시킬 수 있어 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다.
도 6a에 도시된 발광소자 패키지(6)는 도 1을 참조하여 설명한 발광소자 패키지(1)와 대체로 유사하다. 다만, 도 6a의 경우, 제1 및 제2 패드(37a, 37b)의 측면까지 파장변환부(121)가 연장되어 형성될 수 있고, 이에 따라, 반사부(130) 역시 제1 및 제2 패드(37a, 37b)의 외측 측면 상에 형성될 수 있다.
도 1 내지 도 6b를 참조하여 설명한 발광소자 패키지들(10, 20, 30)은 별도의 2차 기판이나, 별도의 리드 전극을 포함하지 않고, 발광칩(110), 파장변환부(121) 및 반사부(130)가 일체로 형성되어 패키지의 크기를 소형화할 수 있다.
도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광소자 패키지를 설명하기 위한 평면도들이다.
도 7에 도시된 발광소자 패키지(7a, 7b)는 도 3a 및 도 3b를 참조하여 설명한 것과 대체로 유사하나, 발광소자 패키지(7a, 7b)는 복수개의 단위 발광 소자(10)를 포함한다.
도 7(a)를 참조하면, 발광소자 패키지(7a)는 여섯 개의 단위 발광 소자(10)를 포함하고 있으며, 단위 발광 소자(10)들의 일측면은 서로 맞닿아 있다. 구체적으로, 단위 발광 소자(10)들의 포함하는 반사부(130) 각각이 서로 맞닿아 있는 구조일 수도 있고, 단위 발광 소자(10)들이 포함하는 반사부(130)는 인접하는 단위 발광 소자(10)들이 서로 공유하는 구조일 수도 있다.
단위 발광 소자(10) 각각은 서로 동일한 색 또는 서로 다른 색을 방출할 수 있다. 단위 발광 소자(10) 각각은 이시에 또는 동시에 점등되거나 점멸될 수 있다.
도 7(b)를 참조하면, 발광소자 패키지(7b)는 여섯 개의 단위 발광 소자(10)를 포함하고 있으며, 단위 발광 소자(10)들 사이에 광 차단부(140)가 배치된 구조를 가진다. 또는, 도 3a 및 도 3b에 따른 발광소자 패키지(3) 여섯 개를 연이어 연결함으로써 동일한 구조를 형성할 수도 있다. 단위 발광 소자(10) 사이에 광 차단부(140)가 배치됨으로써, 인접하는 단위 발광 소자(10)의 빛샘 현상에 따른 색의 변화를 최소화할 수 있다.
본 실시예에 따른 발광소자 패키지(7a, 7b)는 차량 램프로 사용될 수 있다. 구체적으로 예를 들면, 도 7(b)에 따른 발광소자 패키지(7b)는 자동차의 미등으로 사용될 수 있다. 이 경우, 발광소자 패키지(7b)는 백색계열 단위 발광 소자(10) 및 황색(amber)계열 단위 발광 소자(10)가 교대로 배치된 구조로 형성될 수 있다. 도 7(b)에 따른 발광소자 패키지(7b)는 단위 발광 소자(10)들 사이에 광 차단부(140)가 배치되는 구조이므로, 도 7(a)에 따른 발광소자 패키지(7a)와 달리, 백색계열 및 황색계열 단위 발광 소자(10)들이 동시에 점등 및 점멸되는 경우에, 반사부(130)에서 백색과 황색이 혼합되는 현상이 방지될 수 있다.
본 실시예에 따른 발광소자 패키지(7a, 7b)는 여섯 개의 단위 발광 소자(10)를 포함하고 있지만, 본 발명은 이에 국한되는 것은 아니다. 배치되는 발광소자 패키지(7a, 7b) 또는 단위 발광 소자(10)의 개수 및 배치 형태는 사용자의 목적 및 필요에 따라 적절히 조절될 수 있다.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광소자 패키지를 설명하기 위한 평면도들이다.
도 8에 도시된 발광소자 패키지(8a, 8b)는 도 7을 참조하여 설명한 것과 대체로 유사하나, 발광소자 패키지(8a, 8b)는 복수 개의 단위 발광 소자들(10)이 두 줄로 배치된다.
도 8(a)를 참조하면, 발광소자 패키지(8a)는 단위 발광 소자(10) 여섯 개가 두 줄로 배치된다. 구체적으로, 단위 발광 소자(10) 세 개가 모여 위쪽 행을 형성하고, 단위 발광 소자(10) 세 개가 모여 아래쪽 행을 형성할 수 있다. 단위 발광 소자(10)들 각각은 적어도 두 측면이 서로 맞닿을 수 있다.
발광소자 패키지(8a, 8b)는 차량용 전등으로 사용될 수 있다. 구체적으로 예를 들면, 도 8(a)에 따른 발광소자 패키지(8a)는 자동차의 방향 지시등으로 사용될 수 있다. 이 경우, 발광소자 패키지는 백색계열 단위 발광 소자(10) 및 황색(amber)계열 단위 발광 소자(10)가 서로 맞닿아 있지 않도록 배치될 수 있다. 즉, 백색계열 단위 발광 소자(10)가 위쪽 행의 제일 왼쪽에 배치된 경우에는, 그 오른쪽과 아래쪽 단위 발광 소자(10)는 황색계열 단위 발광 소자(10)가 배치될 수 있다.
백색계열 단위 발광 소자(10)들과 황색 계열 단위 발광 소자(10)들은 서로 교대로 점등 또는 점멸됨으로써, 자동차의 방향 지시등으로 사용될 수 있다. 이 경우, 동일한 색 계열의 단위 발광 소자(10)들만이 일제히 점등 또는 점멸되므로, 반사부(130)에서의 색 혼합은 문제되지 않는다.
도 8(b)를 참조하면, 발광소자 패키지(8b)는 두 줄로 배치된 단위 발광 소자(10)들 사이에 광 차단부(140)이 배치된 구조를 가진다. 또는 발광소자 패키지(8b) 여섯 개를 나란히 두 줄로 배치함으로써, 동일한 구조를 형성할 수도 있다. 단위 발광 소자(10) 사이에 광 차단부(140)가 배치됨으로써, 인접하는 단위 발광 소자(10)의 빛샘 현상에 따른 색의 변화를 최소화할 수 있다.
본 발명에 따른 발광소자 패키지(8a, 8b)는 빛샘 현상이 방지되므로, 사용자가 목표하는 대상에 뚜렷한 컷오프 선을 가지는 광을 조사할 수 있다. 상술한 실시예에서 자동차용 램프를 예로 들었지만, 본 발명에 따른 발광소자 패키지(8a, 8b)는 이에 국한되는 것이 아니고, 사용자의 목적과 필요에 따라 다양한 용도로 활용될 수 있다.
도 9은 본 발명의 실시예들에 따른 발광소자 패키지를 포함하는 백라이트 유닛을 설명하기 위한 단면도 및 평면도이다.
도 9를 참조하면, 백라이트 유닛은 단위 발광소자(10), 인쇄회로기판(210), 지지대(220) 및 렌즈(230)를 포함한다. 단위 발광소자(10)는 렌즈(230)의 중앙에 배치될 수 있고, 렌즈(230)는 지지대(220)를 통해 지지되어, 인쇄회로기판(210)과 이격되어 배치될 수 있다.
단위 발광소자(10)의 측면에는 광 차단부가 배치될 수 있으며, 상기 광 차단부는 렌즈(230)의 바닥부와 인쇄회로기판 사이에 배치되어, 단위 발광소자(10)에서 방출되는 광이 렌즈 이외의 영역으로 누설되는 것을 방지할 수 있다. 이에 따라, 렌즈(230)의 광 입사부로 최대한 광을 조사할 수 있어, 디스플레이의 명암대비비 및 시야각을 향상시킬 수 있다.
도 9에 개시된 백라이트 유닛은 직하형 백라이트 유닛이지만, 본 발명에 따른 발광소자 패키지는 이에 국한되지 않고, 에지형 백라이트 유닛에도 적용될 수 있다.
도 10 내지 도 15는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자 패키지의 제조 방법을 설명하기 위한 평면도들 및 단면도이다. 도 10 내지 도 15는 복수의 발광칩(110)들 중 적어도 일부를 도시한다.
도 10를 참조하면, 웨이퍼(100)를 준비한다.
웨이퍼(100)는 복수의 반도체 적층 구조를 포함할 수 있으며, 상기 반도체 적층 구조는 발광칩 영역(110a)일 수 있다. 상기 발광칩 영역(110a)들 간의 사이 영역은 제1 분할 영역(S1)으로 정의된다.
복수의 발광칩 영역(110a) 각각은 후속 공정에서 분리되어 개별 발광칩으로 분리될 수 있으며, 상기 개별 발광칩들은 그 하면에 형성된 전극 패턴들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 복수의 발광칩 영역(110a) 중 하나는 도 6b에 도시된 바와 같은 형태일 수 있다.
이어서, 도 11를 참조하면, 웨이퍼(100)를 제1 분할 영역(S1)을 따라 복수의 개별 발광칩(110)으로 분리하고, 상기 발광칩(110)들을 서로 이격되도록 제1 지지 기판(200) 상에 배열한다. 이때, 발광칩(110)들의 전극 패턴이 아래에 위치하도록 배열하는 것이 바람직하다. 발광칩(110)들은 서로 거의 동일한 간격을 갖도록 제1 지지 기판(200) 상에 배열될 수 있다. 이에 따라, 후속 공정에서, 발광칩(110)들의 상면 및 측면을 덮는 파장변환부(121)이 일련의 과정에서 제조된 발광칩(110)들에 대해서 거의 동일한 측면 두께를 갖도록 형성할 수 있다. 이때, 제1 지지 기판(200) 상에 배열된 발광칩(110)들은 하나의 동일한 웨이퍼(100)로부터 분할된 것일 수 있다.
다음, 도 12a를 참조하면, 발광칩(110)들 각각의 상면 및 측면을 덮는 파장변환부(121)를 형성한다. 이때, 발광칩(110)들 간의 사이 영역은 제2 분할 영역(S2)으로 정의된다. 도 12b는 도 12a의 A-A'선의 단면을 도시하며, 파장변환부(121)는 발광칩(110)들의 상면 및 발광칩(110)들의 사이에 도입되어, 도 12b와 같은 형태로 형성될 수 있다.
파장변환부(121)는, 상술한 바와 같이, 수지 및 형광체를 포함할 수 있으며, 형광체와 수지의 혼합물을 제1 지지 기판(200) 상에 도포한 후 경화시켜 형성될 수 있다. 예를 들어, 발광칩(110)들의 측면 및 상면이 덮이도록 형광체 및 수지의 혼합물을 프린팅, 디스펜싱, 스프레이 등의 방법으로 제1 지지 기판(200) 상에 도포한다. 이 후, 열 경화 등의 방법으로 상기 혼합물을 경화시켜 파장변환부(121)를 형성한다. 다만, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 다른 다양한 방법으로 파장변환부(121)를 형성하는 것도 본 발명의 사상에 포함된다.
도 13을 참조하면, 제2 분할 영역(S2)을 따라 파장변환부(121)를 분할하여, 발광칩(110) 및 파장변환부(121)를 갖는 복수의 개별 발광소자 단위(110b)를 형성하고, 상기 개별 발광소자 단위(110b)들을 제2 지지 기판(300) 상에 서로 이격되도록 배치한다. 파장변환부(121)를 분할하는 것은 메탈 블레이드 또는 레이저 등을 이용하여 수행될 수 있다.
개별 발광소자 단위(110b)들은 서로 거의 동일한 간격을 갖도록 제2 지지 기판(300) 상에 배열될 수 있다. 이에 따라, 후속 공정에서, 발광칩(110)들의 측면을 덮는 반사부(130)를 모든 발광칩(110)들에 대해서 거의 동일한 측면 두께를 갖도록 형성할 수 있다.
상기 제1 지지 기판(200)과 제2 지지 기판(300)은 제조 공정에서 임시로 이용되는 기판이며, 따라서, 기판의 종류는 한정되지 않는다. 예를 들어, 제1 지지 기판(200)과 제2 지지 기판(300)은 유리 기판일 수 있다.
한편, 본 실시예의 제조 방법은, 개별 발광소자 단위(110b)들의 측면을 플라즈마 처리하는 것을 더 포함할 수 있다. 플라즈마 처리를 통해 개별 발광소자 단위(11b) 각각의 파장변환부(121) 측면 표면에 관능기(작용기)가 형성될 수 있고, 이를 통해 파장변환부(121)와 반사부(130)의 접착력 및 밀착성을 향상시킬 수 있다.
도 14을 참조하면, 제2 지지 기판(300) 상에 개별 발광소자 단위(11b)들의 사이 영역을 채우는 반사부(130)를 형성한다. 이에 따라, 반사부(130)는 개별 발광소자 단위(110b), 즉 발광칩(110)의 측면을 덮는다.
반사부(130)는 파장변환부(121)와 유사한 방법으로 형성될 수 있으며, 반사부(130)는 상술한 바와 같이, 수지 및/또는 필러를 포함할 수 있다.
한편, 본 실시예의 제조 방법은, 반사부(130)를 형성한 후, 반사부(130) 상면 및 파장변환부(121)의 상면 중 적어도 하나를 평탄화하는 것을 더 포함할 수 있다. 평탄화 공정은 그라인딩, 커팅 등의 방법을 이용할 수 있다. 반사부(130)를 도포하는 방식으로 형성한 경우, 제조 공정 상의 사정으로 파장변환부(121) 위에 반사부(130)가 형성될 수 있다. 평탄화 공정을 통해서, 파장변환부(121) 위에 형성된 반사부(130)를 제거할 수 있어서, 최종 발광소자 패키지(1)에서 발광칩(110) 상부에 반사부(130)가 위치하는 것을 방지할 수 있다. 또한, 평탄화를 통해 파장변환부(121)의 상면과 반사부(130)의 상면이 동일 높이를 이루도록 형성할 수 있어서, 후속 렌즈(150) 형성 공정이 더욱 안정적으로 수행될 수 있다.
이어서, 도 15의 (a) 및 (b)를 참조하면, 각각의 개별 발광소자 단위(110b) 상에 렌즈(150)를 형성하고, 개별 발광소자 단위(110b)들 사이의 영역에 위치하는 제3 분할 영역(S3)을 따라 반사부(130)를 개별 발광소자 단위(110c)로 분할한다.
렌즈(150)는 몰딩 방식으로 형성될 수도 있고, 또는 별개로 제조한 후에 각각의 개별 발광소자 단위(110b) 상에 배치된 것일 수도 있으며, 이외에 다양한 방법으로 제조될 수도 있다.
렌즈(150)는 도시된 바와 같이 반구형 형상을 가질 수 있으나, 원하는 지향 패턴을 얻기 위하여, 평판 형상, 가운데 부분이 오목한 형상과 같이 다양한 형상을 가질 수도 있다. 또한, 렌즈(150) 하면의 크기는 개별 발광소자 단위(110b)의 크기보다 크고, 나아가, 개별 발광소자 단위(110b) 상면을 전체적으로 덮도록 형성되는 것이 바람직하다. 한편, 렌즈(150)를 형성하는 것은 필요에 따라 생략될 수도 있다.
개별 발광소자 단위(110c)들을 서로 분리하면, 도 1에 도시된 바와 같은 발광소자 패키지(1)가 제공된다.
한편, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광소자 패키지 제조 방법은, 렌즈(150)를 형성하기 전에 각각의 개별 발광소자 단위의 적어도 일 측면을 덮는 광 차단부(140)를 형성하는 것을 더 포함할 수 있다.
도 16의 (a)를 참조하면, 반사부(130)가 형성된 개별 발광소자 단위들을 별도의 지지 기판 상에 서로 이격되도록 배치하고, 상기 이격공간을 채우는 광 차단부(140)를 형성한다. 이때, 개별 발광소자 단위들의 이격 간격을 조절함으로써, 제조되는 발광소자 패키지에 있어서 광 차단부(140)의 측면 두께를 결정할 수 있다.
광 차단부(140)는 광의 흡수도가 높은 재질로 형성될 수 있고, 반사부(130)에 비해 광 흡수도가 높은 재질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 광 차단부(140)는 광의 흡수도가 높은 검정색 물질을 포함할 수 있다. 광 차단부(140)를 형성하는 물질은 광 흡수도가 높은 물질이면 제한되지 않으며, 예를 들어, 광 차단부(140)는 블랙 카본, 검은색 수지 및 검은색 도료 등의 광 흡수 물질을 포함할 수 있으며, 검은색 도료는 페인트(paint) 등일 수 있다.
상기 광 차단부(140)는 도포 및 경화, 증착, 및 코팅 등의 방법을 이용하여 형성될 수 있다. 또한, 광 차단부(140)의 상면과 반사부(130)의 상면은 서로 동일 높이를 이루도록 형성될 수 있고, 예를 들어, 평탄화 공정 등을 이용하여 상면들의 높이를 나란하게 할 수 있다. 다만, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 광 차단부(140)의 상면과 반사부(130)의 상면이 반드시 동일한 높이를 이루도록 형성되는 것은 아니다.
이어서, 도 16의 (b)를 참조하면, 개별 발광소자 단위들 사이의 제4 분할 영역(S4)을 따라 광 차단부(140)를 분할함으로써, 도 5에 도시된 바와 같은 발광소자 패키지(5)가 제공될 수 있다.
또한, 광 차단부(140)를 분할하기 전에, 각각의 개별 발광소자 단위들 상에 렌즈(150)를 더 형성하는 경우, 도 4에 도시된 바와 같은 발광소자 패키지(6) 역시 제공될 수 있다.
도 17 내지 도 21는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광소자 패키지 제조 방법을 설명하기 위한 평면도 및 단면도들이다. 도 17 내지 도 21는 복수의 발광칩(110)들 중 적어도 일부를 도시한다.
본 실시예에 따른 제조 방법은, 도 10 내지 도 15를 참조하여 설명한 발광소자 패키지 제조 방법과 대체로 유사하나, 웨이퍼(100)를 분할하기 전에, 웨이퍼(100) 상에 파장변환부(123)를 형성하는 점에서 차이가 있다. 이하, 차이점을 중심으로 본 실시예에 따른 제조 방법에 대해 설명한다.
도 17을 참조하면, 도 10를 참조하여 설명한 것과 같은 웨이퍼(100)를 준비한다. 이때, 각각의 발광칩 영역(110a)은 전극 패턴들을 가질 수 있고, 상기 전극 패턴들은 웨이퍼(100) 하면에 위치한다.
도 18를 참조하면, 웨이퍼(100)의 상면을 덮는 파장변환부(123)를 형성한다. 즉, 도 10 내지 도 15의 실시예에서는, 웨이퍼(100)를 제1 분할 영역(S1)을 따라 분할한 후, 파장변환부(121)를 형성하였으나, 본 실시예에서는 웨이퍼(100)를 분할하기 전에 파장변환부(123)를 형성하는 점에서 차이가 있다. 파장변환부(123)는 상기 다른 실시예에서 설명한 방법과 유사한 방법으로 형성될 수 있다.
이어서, 도 19a를 참조하면, 제1 분할 영역(S1)을 따라 웨이퍼(100)을 분할하여 복수의 개별 발광소자 단위(110d)로 분리하고, 개별 발광소자 단위(110d)들을 서로 이격되도록 제1 지지 기판(200) 상에 배열한다. 개별 발광소자 단위(110d)는 상부에 파장변환부(123)가 형성된 발광칩들(110)일 수 있다. 도 19b는 도 19a의 B-B' 선의 단면을 도시한다.
파장변환부(123)가 웨이퍼(100)와 함께 분할 및 분리되므로, 개별 발광소자 단위(110d)에 있어서 발광칩(110)의 측면과 파장변환부(123)의 측면은 서로 나란하게 형성될 수 있다. 또한, 파장변환부(123)는 편평한 막 형태를 가질 수 있다.
이어서, 도 20 및 도 21를 참조하면, 개별 발광소자 단위(110d)들 사이를 채우는 반사부(130)를 형성하고, 각각의 발광칩(110) 상에 렌즈(150)를 형성한 후, 상기 반사부(130)를 제4 분할 영역(S4)을 따라 분할하여 개별 발광소자 단위(110e)로 분리한다. 이에 따라, 도 2에 도시된 바와 같은 발광소자 패키지(2)가 복수개 제공된다.
반사부(130), 렌즈(150) 형성 방법 및 반사부(130) 분할 과정은 도 10 내지 도 15를 참조하여 설명한 바와 거의 유사하므로, 상세한 설명은 생략한다.
본 실시예들에 따르면, 웨이퍼 레벨에서 복수의 발광칩에 대해서 파장변환부(121, 123) 및 반사부(130)를 형성한 후, 분할 공정을 통해 복수의 소형 발광소자 패키지가 제공될 수 있다. 이에 따라, 별도의 패키징 공정이 생략될 수 있으며, 한 번의 공정으로 복수의 발광칩에 대해서 패키지화 공정이 수행되므로, 발광소자 패키지 제조 공정이 매우 단순화될 수 있다. 또한, 렌즈를 반사부(130) 상에 직접 형성하여 렌즈 형성을 위한 별도의 기판이 요구되지 않으므로, 상기 제조 방법을 통해 초소형 발광소자 패키지를 제조할 수 있다.
이상, 상술한 다양한 실시예들 및 특징들에 본 발명이 한정되는 것은 아니고, 본 발명의 특허청구범위에 의한 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 변형과 변경이 가능하다.

Claims (33)

  1. 하부에 위치하는 전극 패드들을 갖는 발광칩;
    적어도 상기 발광칩의 상면 및 측면을 덮는 파장변환부; 및
    상기 발광칩의 측면을 덮는 반사부를 포함하고,
    상기 발광칩은,
    제2 도전형 반도체층, 상기 제2 도전형 반도체층 상에 위치하는 활성층, 상기 활성층 상에 위치하는 제1 도전형 반도체층, 및 상기 제1 도전형 반도체층 상에 위치하는 기판을 포함하는 발광소자 패키지.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 파장변환부는 상기 발광칩의 측면과 상기 반사부 사이에 개재된 발광소자 패키지.
  3. 청구항 2에 있어서,
    상기 파장변환부의 상면과 상기 반사부의 상면은 서로 동일 높이를 이루는 발광소자 패키지.
  4. 청구항 2에 있어서,
    상기 파장변환부는 형광체 및 수지를 포함하고,
    상기 파장변환부는 플라즈마 처리된 측면을 갖는 발광소자 패키지.
  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 발광칩은,
    상기 제1 도전형 반도체층 상에 서로 이격되어 배치되고, 각각 상기 활성층 및 상기 제2 도전형 반도체층을 포함하는 복수의 메사들;
    각각 상기 복수의 메사들 상에 위치하여 상기 제2 도전형 반도체층에 오믹 콘택하는 반사 전극들; 및
    상기 복수의 메사들 및 상기 제1 도전형 반도체층을 덮되, 상기 각각의 메사 상부 영역 내에 위치하고 상기 반사 전극들을 노출시키는 개구부들을 가지며, 상기 제1 도전형 반도체층에 오믹콘택하고 상기 복수의 메사들로부터 절연된 전류 분산층을 더 포함하는 발광소자 패키지.
  6. 청구항 5에 있어서,
    상기 복수의 메사들은 일측 방향으로 서로 평행하게 연장하는 기다란 형상을 갖고, 상기 전류 분산층의 개구부들은 상기 복수의 메사들의 동일 단부측에 치우쳐 위치하는 발광소자 패키지.
  7. 청구항 5에 있어서,
    상기 전극 패드들은, 제1 패드 및 제2 패드를 포함하고,
    상기 발광칩은, 상기 전류 분산층의 적어도 일부를 덮되, 상기 반사 전극들을 노출시키는 개구부들을 갖는 상부 절연층을 더 포함하며,
    상기 제1 패드는 상기 전류 분산층에 전기적으로 접속되고, 상기 제2 패드는 상기 개구부들에 의해 노출된 상기 반사 전극들에 전기적으로 접속된 발광소자 패키지.
  8. 청구항 1에 있어서,
    상기 발광칩 상에 위치하는 렌즈를 더 포함하는 발광소자 패키지.
  9. 청구항 1에 있어서,
    상기 반사부의 측면을 적어도 부분적으로 덮는 광 차단부를 더 포함하는 발광소자 패키지.
  10. 단위 발광 소자; 및
    상기 단위 발광 소자의 적어도 일측면을 덮는 광 차단부를 포함하되,
    상기 단위 발광 소자는 상면, 측면 및 하면을 가지는 발광칩, 상기 발광칩의 상면을 덮는 파장 변환부 및 상기 발광칩의 측면을 덮는 반사부를 포함하고,
    상기 발광칩은 하면에 전극 패드들을 가지며, 바깥면에 상기 전극 패드들이 노출된 발광소자 패키지.
  11. 청구항 10에 있어서,
    상기 발광칩의 측면을 덮는 파장 변환부를 더 포함하되,
    상기 측면을 덮는 파장 변환부는 상기 반사부와 상기 발광칩 사이에 위치하는 발광소자 패키지.
  12. 청구항 11에 있어서,
    상기 파장 변환부는 형광체 및 수지를 포함하고,
    상기 파장 변환부는 플라즈마 처리된 측면을 갖는 발광소자 패키지.
  13. 청구항 10에 있어서,
    상기 광 차단부는 상기 반사부에 비해 광을 더 잘 흡수하는 물질을 포함하되, 상기 광을 흡수하는 물질은 블랙 카본, 검정색 수지 및 검정색 도료인 발광소자 패키지.
  14. 청구항 10에 있어서,
    상기 광 차단부의 상면 높이는 상기 반사부의 상면 높이와 같거나 높은 발광소자 패키지.
  15. 청구항 10에 있어서,
    적어도 하나의 단위 발광 소자를 더 포함하고,
    상기 광 차단부는 상기 적어도 하나의 단위 발광 소자의 적어도 일 측면을 덮는 발광소자 패키지.
  16. 청구항 15에 있어서,
    상기 단위 발광 소자 각각의 적어도 일측면은 서로 맞닿아 있는 발광소자 패키지.
  17. 청구항 15에 있어서,
    상기 광 차단부의 일부는 상기 단위 발광 소자와 상기 적어도 하나의 단위 발광 소자 사이에 배치된 발광소자 패키지.
  18. 청구항 15에 있어서,
    상기 적어도 하나의 단위 발광 소자는 발광칩의 측면을 덮는 파장 변환부를 더 포함하되,
    상기 측면을 덮는 파장 변환부는 상기 적어도 하나의 단위 발광 소자의 반사부와 발광칩 사이에 위치하는 발광소자 패키지.
  19. 청구항 18에 있어서,
    상기 파장 변환부의 상면과 상기 반사부의 상면은 서로 동일 높이를 이루는 발광소자 패키지.
  20. 청구항 19에 있어서,
    상기 반사부의 상면과 상기 광 차단부의 상면은 서로 동일 높이를 이루는 발광소자 패키지.
  21. 청구항 10에 있어서,
    상기 발광칩 상에 위치하는 렌즈를 더 포함하는 발광소자 패키지.
  22. 청구항 10의 발광소자 패키지를 포함하는 차량용 램프.
  23. 인쇄회로기판;
    청구항 10에 따른 발광소자 패키지; 및
    상기 인쇄회로기판에 장착되어 상기 발광 소자를 덮는 렌즈를 포함하는 백라이트 유닛.
  24. 청구항 23에 있어서,
    상기 발광소자 패키지의 광 차단부의 적어도 일부는 상기 렌즈의 바닥부와 상기 인쇄회로기판 사이에 위치하는 백라이트 유닛.
  25. 제1 지지 기판 상에 서로 이격된 발광칩들을 배열하되, 상기 발광칩들은 그 하면에 위치하는 전극 패턴들을 포함하고;
    상기 발광칩들 각각의 상면 및 측면을 덮는 파장변환부를 형성하고;
    상기 발광칩들 각각의 측면을 덮는 반사부를 형성하는 것을 포함하는 발광소자 패키지 제조 방법.
  26. 청구항 25에 있어서,
    상기 서로 이격된 발광칩들은 동일한 웨이퍼로부터 분할된 것인 발광소자 패키지 제조 방법.
  27. 청구항 25에 있어서,
    상기 파장변환부는 상기 발광칩들 사이의 영역을 채우도록 형성되고,
    상기 파장변환부를 형성한 후, 상기 발광칩들 사이의 영역에서 상기 파장변환부를 제1 개별 발광소자 단위들로 분리하는 것을 더 포함하는 발광소자 패키지 제조 방법.
  28. 청구항 27에 있어서,
    상기 파장변환부를 개별 발광소자 단위들로 분리한 후, 상기 개별 발광소자 단위들을 제2 지지 기판 상에 서로 이격되도록 배열하는 것을 더 포함하는 발광소자 패키지 제조 방법.
  29. 청구항 28에 있어서,
    상기 반사부는 상기 제1 개별 발광소자 단위들 사이의 영역을 채우도록 형성되고,
    상기 반사부를 형성한 후, 상기 제2 개별 발광소자 단위들 사이의 영역에서 반사부를 제2 개별 발광소자 단위들로 분리하는 것을 더 포함하는 발광소자 패키지 제조 방법.
  30. 청구항 25 내지 청구항 29 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 반사부의 상면 및 상기 파장변환부의 상면 중 적어도 하나를 평탄화하는 것을 더 포함하는 발광소자 패키지 제조 방법.
  31. 청구항 25에 있어서,
    상기 반사부를 형성하기 전에, 상기 파장변환부의 측면을 플라즈마 처리하는 것을 더 포함하는 발광소자 패키지 제조 방법.
  32. 청구항 25에 있어서,
    상기 발광칩들 상에 각각 렌즈를 형성하는 것을 더 포함하는 발광소자 패키지 제조 방법.
  33. 하면 상에 전극 패턴들 및 복수의 반도체 적층 구조를 포함하는 웨이퍼를 준비하고;
    상기 웨이퍼의 상면을 덮는 파장변환부를 형성하고;
    상기 웨이퍼를 분할하여, 상부에 파장변환부가 형성된 발광칩들을 형성하고;
    상기 발광칩들을 지지 기판 상에 서로 이격되도록 배열하고;
    상기 발광칩들의 측면 및 상기 파장변환부의 측면을 덮는 반사부를 형성하는 것을 포함하는 발광소자 패키지 제조 방법.
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