CN105378952A - 发光器件封装件及其制造方法以及包含该发光器件封装件的车灯和背光单元 - Google Patents

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Abstract

公开了一种发光器件封装件及其制造方法以及包含该发光器件封装件的车灯和背光单元。所述发光器件封装件包括具有设置于其下部的电极垫的发光芯片、用于覆盖至少所述发光芯片的上表面和侧表面的波长转换单元以及覆盖所述发光芯片的侧表面的反射部件。因此，发光器件封装件可以被小型化，且不需要用于形成透镜的单独基板。

Description

发光器件封装件及其制造方法以及包含该发光器件封装件的车灯和背光单元
技术领域
示例性实施例涉及发光器件封装件及其制造方法，以及包含该发光器件封装件的车灯和背光单元，尤其涉及小型发光器件封装件，晶片级发光器件封装件的制造方法以及包含该小型发光器件封装件的车灯和背光单元。
背景技术
发光二极管是一种能够通过电子和空穴的复合而发光的无机半导体器件，并且用于包括显示器、车灯、普通照明等各种领域。发光二极管有多种优点，例如寿命长、耗电低并且响应快，包括这类发光二极管的发光器件封装件有望替换传统光源。由于发光二极管有多种优点，所以发光器件封装件被应用于各种领域，例如，车灯和背光单元。
典型的发光器件封装件通常包括基板、安装在基板上的发光芯片、密封所述发光芯片的密封材料、支撑所述密封材料的壳体以及置于所述发光芯片上的透镜。然而，典型的发光器件封装件要求封装工艺与发光芯片的制造工艺相独立，从而致使制造工艺复杂，制造成本增加。此外，由于这种发光器件封装件需要用于安装发光芯片的基板，这就对封装的小型化形成限制。
为了简化制造这种发光器件封装件的工艺，No.10-2012-0119350A号韩国专利公开文本等公开了晶片级工艺。No.10-2012-0119350A号韩国专利公开文本公开了一种制造发光器件模块的方法，其中发光器件直接安装在基板上，并且包围该发光器件的透镜也直接安装在基板上，从而最小化并简化了制造工艺。
然而，该公开文本中公开的发光器件模块需要用于形成透镜的基板。因而，为了制造类似该发光器件模块的发光装置，必须提供用于在基板上安装发光器件的封装工艺，并且该发光器件除了包括生长基板之外还必须包括第二基板。这种典型的发光装置不能被视作除生长基板外不使用其它基板的晶片级封装，并且对小型化形成限制。
另外，当发光二极管应用于车灯和背光单元时，包括这类发光二极管的发光器件封装件可能会产生漏光的问题。此处漏光是指光线通过发光器件封装件的侧表面泄漏。即，漏光是指光线通过发光器件封装件的其它区域(例如其侧表面)泄漏，而不是照亮发光器件封装件前面的区域。
当车灯中的发光器件封装件发生漏光时，与因车灯发出的灯光照亮车灯前面的区域而产生的光亮部分和黑暗部分之间的边界线对应的截止线变得模糊。因此，驾驶车辆时不希望被照亮的区域会被照亮，致使防碍其他司机的视线，且发光器件封装件由于通过其侧表面漏光致使光损失。
此外，背光单元中发光器件封装件发生漏光时，显示器的外部边缘会变得比其中间区域更亮，或者显示屏上可能会产生光斑。在一些情况下，显示器会出现对比度恶化和视角减小的问题。此外，显示器可能会出现彩色失真，从而导致图像质量下降。
韩国专利No.10-0519592(登记日：2005年9月29日)公开了能够防止漏光的发光二极管显示器。所述发光二极管显示器包括发光二极管(LED)芯片和反射器，在所述反射器上设置有光吸收片和光吸收层来吸收在反射器的上表面边缘处散射的光。该发光二极管显示器通过引导发光二极管芯片所发射的光使其在穿过空气之后遭遇用于防止光泄漏的结构来防止光泄漏。因此，这种发光二极管显示器具有较大的体积，允许有限数量的发光二极管(LED)安装在印刷电路板上。此外，第二基板必须与生长基板一起被提供给发光器件，因而致使发光器件的小型化受到限制。
[现有文献]
(专利文献1)韩国专利公开文本No.10-2012-0119350A
(专利文献2)韩国专利No.10-0519592
发明内容
技术问题
示例性实施例提供了制造除生长基板外不包括第二基板的超小型发光器件封装件和晶片级封装件的方法。
示例性实施例提供了一种可以防止漏光和侧面漏光的发光器件封装件。
示例性实施例提供了一种车灯，其可发出提供清晰截止线的光。
示例性实施例提供了一种背光单元，其可以通过解决彩色失真的问题来改善显示器的图像质量，并可改善显示器的对比度和视角。
技术方案
根据本发明的一个示例性实施例，发光器件封装件包括：发光芯片，包括设置在其下侧面上的电极垫；波长转换单元，覆盖于发光芯片的至少上表面和侧表面；以及反射部件，覆盖发光芯片的侧表面，其中，所述发光芯片包括第二导电型半导体层、设置在第二导电型半导体层上的有源层、设置在有源层上的第一导电型半导体层以及设置在第一导电型半导体层上的基板。
根据示例性实施例，所述发光器件封装件不包括单独的第二基板，因此可以小型化。
波长转换单元可以置于发光芯片的侧表面和反射部件之间。
波长转换单元的上表面可以具有与反射部件的上表面相同的高度。
波长转换单元可以包括荧光体和树脂，并且可以包括经等离子处理的侧表面。
发光芯片可以包括：在第一导电型半导体层上彼此分开的多个台面，并且每个台面均包括有源层和第二导电型半导体层；反射电极，分别设置在多个台面上，并且与第二导电型半导体层形成欧姆接触；以及电流扩散层，覆盖多个台面和第一导电型半导体层，并且包括分别设置在多个台面的上部区域内且暴露反射电极的开口，电流扩散层在与多个台面绝缘的同时与第一导电型半导体层形成欧姆接触。
多个台面可具有细长的形状并且在一个方向上彼此平行延伸，并且电流扩散层的开口可以被设置成偏置到多个台面的相同端。
电极垫可以包括第一垫和第二垫；发光芯片还可以包括覆盖电流扩散层的至少一部分并包括暴露反射电极的开口的上绝缘层；第一垫可以被电连接到电流扩散层；第二垫可以被电连接到通过开口暴露的反射电极。
所述发光器件封装件还可以包括设置在发光芯片上的透镜。
所述发光器件封装件还可以包括至少部分覆盖反射部件的侧表面的光阻挡单元。
根据本发明的另一个示例性实施例，发光器件封装件包括：单元发光器件；以及覆盖单元发光器件的至少一个侧表面的光阻挡单元，其中，单元发光器件包括具有上表面、侧表面和下表面的发光芯片、覆盖发光芯片的上表面的波长转换单元以及覆盖发光芯片的侧表面的反射部件，发光芯片包括设置在其下表面上且暴露在外的电极垫。
光阻挡单元可以阻挡光发射到反射部件的侧表面，从而阻止发光器件的光泄漏。
发光器件封装件还可以包括覆盖发光芯片的侧表面的波长转换单元，并且覆盖发光芯片的侧表面的波长转换单元可以设置在反射部件和发光芯片之间。
波长转换单元可以包括荧光体和树脂，并且可以包括经等离子处理的侧表面。
光阻挡单元包括能够比反射部件更好地吸光的光吸收材料，并且该光吸收材料可以包括炭黑、黑色树脂和黑色颜料。
光阻挡单元的上表面可以具有与反射部件的上表面相同或者更高的高度。
发光器件封装件还可以包括至少一个单元发光器件，且光阻挡单元可覆盖至少一个单元发光器件的至少一个侧表面。
一个单元发光器件的至少一个侧表面可以与另一个单元发光器件的至少一个侧表面相邻。
光阻挡单元的一部分可以设置在单元发光器件和至少一个单元发光器件之间。
至少一个单元发光器件还可以包括覆盖发光芯片的侧表面的波长转换单元，并且覆盖侧表面的波长转换单元可以设置在至少一个单元发光器件的反射部件和发光芯片之间。
波长转换单元的上表面可以具有与反射部件的上表面相同的高度。
反射部件的上表面可以具有与光阻挡单元的上表面相同的高度。
发光器件封装件还可以包括设置在发光芯片上的透镜。
根据本发明的又一示例性实施例，车灯包括如上所述的发光器件封装件。
根据本发明的另一个示例性实施例，背光单元包括印刷电路板、根据上述示例性实施例的发光器件封装件以及安装在印刷电路板上且覆盖发光器件的透镜。
发光器件封装件的光阻挡单元的至少一部分可以设置在透镜的底部和印刷电路板之间。
根据本发明的又一个示例性实施例，用于制造发光器件封装件的方法包括：以彼此分开的方式在第一支撑基板上设置发光芯片，每个发光芯片包括设置在其下表面上的电极图案；形成覆盖每个发光芯片的上表面和侧表面的波长转换单元；形成覆盖每个发光芯片的侧表面的反射部件。
可通过将同一晶片进行分割获得彼此分开的发光芯片。
波长转换单元可以形成为填充发光芯片之间的区域，并且所述制造方法还可以包括在形成波长转换单元之后，将发光芯片之间的区域内的波长转换单元分割成第一单个发光器件单元。
该制造方法还可以包括在将波长转换单元分割成单个发光器件单元之后，以彼此分开的方式在第二支撑基板上设置单个发光器件单元。
反射部件可以形成为填充第一单个发光器件单元之间的区域。
该制造方法还可以包括在形成反射部件之后，将第一单个发光器件单元之间的区域内的反射部件分割成第二单个发光器件单元。
该制造方法还可以包括关于反射部件的上表面和波长转换单元的上表面中的至少一个进行平面化。
该制造方法还可以包括在形成反射部件之前，关于波长转换单元的侧表面进行等离子处理。
该制造方法还可以包括在每个发光芯片上形成透镜。
根据本发明的又一个示例性实施例，一种用于制造发光器件封装件的方法包括：制备晶片，晶片包括多个半导体堆叠结构以及设置在其下表面上的电极图案；形成覆盖晶片的上表面的波长转换单元；将晶片分割以形成多个发光芯片，每个发光芯片在其上部各具有波长转换单元；以彼此分开的方式在支撑基板上设置发光芯片；形成覆盖发光芯片的侧表面和波长转换单元的侧表面的反射部件。
有益效果
根据示例性实施例，可以提供一种小型化的发光器件封装件，包括形成为彼此紧密接触的反射部件、波长转换单元及发光芯片，且不包括单独的第二基板或单独的引线电极。
此外，根据示例性实施例，可以提供一种制造发光器件封装件的方法，其可以形成以晶片级与多个发光芯片一体形成的反射部件和波长转换单元，且可以省去单独的封装工艺。因此，制造发光器件封装件的方法可以得到简化。
另外，可以提供一种小型化的发光器件封装件，其包括形成为彼此紧密接触的光阻挡单元、反射部件、波长转换单元及发光芯片，且不包括单独的第二基板或单独的引线电极。
此外，发光器件封装件采用了光阻挡单元，从而防止发光器件封装件漏光。因而，采用了发光器件封装件的车灯可以被操作用以照明用户想要的区域。也就是说，可以提供在亮区和暗区之间形成清晰边界的光。因此，可以改善驾驶员的可见度，同时保护其他驾驶员的视力。此外，包括根据该示例性实施例的发光器件封装件的背光单元可以使进入透镜的光强最大化，从而改善显示器的对比度以及视角。此外，包括根据该示例性实施例的发光器件封装件的背光单元可以解决显示器的色彩偏差问题，从而提高图像质量。
附图说明
图1是根据一个示例性实施例的发光器件封装件的剖面图。
图2是根据另一个示例性实施例的发光器件封装件的剖面图。
图3a和图3b是根据又一个示例性实施例的发光器件封装件的剖面图和平面图。
图4是根据又一个示例性实施例的发光器件封装件的剖面图。
图5是根据又一个示例性实施例的发光器件封装件的剖面图。
图6a和图6b是根据又一个示例性实施例的发光器件封装件和发光芯片的剖面图和平面图。
图7示出了根据又一个示例性实施例的发光器件封装件的平面图。
图8示出了根据又一个示例性实施例的发光器件封装件的平面图。
图9是包括根据示例性实施例的发光器件封装件的背光单元的剖面图和平面图。
图10到图15是示出了根据一个示例性实施例的发光器件封装件的制造方法的平面图和剖面图。
图16是示出了根据另一个示例性实施例的发光器件封装件的制造方法的平面图。
图17到图21是示出了根据又一个示例性实施例的发光器件封装件的制造方法的平面图和剖面图。
具体实施方式
在下文中，本发明的示例性实施例将参照附图来详细描述。下面的实施例以举例的方式提供，以便将本发明的精神充分传达给本发明所属领域的技术人员。因此，本发明不限于本文公开的实施例，并且也可以以不同的形式实施。在附图中，出于清楚和描述目的，元件的宽度、长度、厚度等可以被夸大。当元件或者层被称作“设置在另一个元件或者层上方”或者“设置在另一个元件或者层上”时，它可以是“直接设置在另一元件或层上方”或者“直接设置在另一元件或层上”，或者可以存在中间元件或层。在整个说明书中，类似的参考标记表示具有相同或类似的功能的相同的元件。
图1是根据一个示例性实施例的发光器件封装件1的剖面图。
参照图1，发光器件封装件1包括发光芯片110、波长转换单元121和反射部件130。发光器件封装件1还可包括透镜150。
发光芯片110包括上表面、下表面以及特别地设置在其下表面上的电极垫(未示出)。通过其中发光芯片110包括位于其下表面上的电极垫的结构，发光器件封装件1不需要单独的电极，电极垫可以充当发光器件封装件1的电极。利用这种结构，可以使发光器件封装件1小型化。
发光芯片110包括位于其下表面上的电极垫，并且可包括任何类型的发光二极管，例如，倒装芯片型发光二极管。
波长转换单元121可以覆盖发光芯片110的上表面并且还可以覆盖发光芯片110的侧表面。波长转换单元121可具有不变的厚度，或者可以形成为使得波长转换单元121的上表面与其侧表面具有不同的厚度。可以通过调整节波长转换单元121的厚度来调节从该发光器件封装件1发射的光的色彩特性。
波长转换单元121可以包括荧光体和树脂，其中荧光体可以与该树脂混合以随机或均匀地分散在树脂中。波长转换单元121中所包括的荧光体可以将从发光芯片110中发出的光转换为与发光芯片110发出的光相比具有不同波长的光。因此，发光器件封装件1可以发出各种颜色并且可以实现发白光的器件。
树脂可包括聚合物树脂，例如环氧树脂或丙烯酸类树脂，或者硅树脂，并且可以充当用于将荧光体分散于其中的基质。
荧光体可以通过激发光来将发光芯片110发出的光转换为具有不同波长的光。荧光体可包括本领域的技术人员公知的各种荧光体，并且可包括选自下列类型中的至少一种的荧光体，例如，石榴石荧光体、铝酸盐荧光体、硫化锌荧光体、氮氧化硅荧光体、氮化物荧光体、氟化物荧光体和硅酸盐荧光体。但是，应该理解为本发明并不局限于此。
在另一方面，通过波长转换单元121转换后的光的特性可以通过调节包括在波长转换单元121内的荧光体、波长转换单元121的厚度、波长转换单元121内的树脂等来进行自由地调整。
反射部件130可以覆盖发光芯片110的侧表面并且还可以覆盖形成于发光芯片110的侧表面上的波长转换单元121。因此，覆盖发光芯片110的侧表面的波长转换单元121可以被插入到发光芯片110和反射部件130之间。
反射部件130用来反射光。借助其中在发光器件封装件1的外周侧表面上形成反射部件130的结构，发光器件封装件1能够使通过发光芯片110和荧光体发出的光被收集在发光芯片上方荧光体。然而，应该理解本发明并不局限于此，必要时，从发光芯片110发出的光的方向角可以通过调节反射部件130的反射率和透光率来调节。
反射部件130可包括树脂并且还可包括能够反射或散射光的填充物。
树脂可以是透明或半透明的树脂，并且可以包括硅树脂或聚合物树脂，例如环氧树脂、聚酰亚胺树脂、聚氨酯树脂等。在本示例性实施例中，该树脂可以是硅树脂。
该填充物可以均匀地分散在树脂中。填充物可以选自任何能够反射或散射光的材料，并且可以包括例如二氧化钛(TiO2)、二氧化硅(SiO2)、二氧化锆(ZrO2)等。反射部件130可以包括选自这些填充物中的至少一种。反射部件130的反射率或光的散射程度可以通过调节填充物的种类或浓度来调节。
反射部件130的上表面可以具有与波长转换单元121的上表面相同的高度。即，如附图所示，反射部件130的上表面可以与波长转换单元121的上表面齐平。利用这种结构，透镜150可以被更稳固地设置在发光芯片110上。
此外，波长转换单元121可以具有经等离子处理的侧表面。相应地，波长转换单元121和反射部件130之间的结合强度增大，从而提高了发光器件封装件1的稳定性和可靠性。
透镜150可以设置在发光芯片110上。更进一步，透镜150的下表面具有比波长转换单元121的上表面更大的面积，因此透镜150可以覆盖波长转换单元121的整个上表面。借助这种结构，透镜150允许通过波长转换单元121转换的光能够更有效地从其穿过发射到外部。
透镜150可以是硅树脂，且可以不受限制地由任何材料构成。透镜150可以具有如图中所示的半球形状，或者可以具有其它形状，例如平面形状以及其中心具有凹陷部分的形状，以便获得期望的光取向图案。
在另一方面，为了降低发光器件封装件1的总体高度，透镜150可以被省略。
如上所述，发光器件封装件1不包括单独的第二基板或单独的引线电极，并且包括以彼此紧密接触的方式形成的反射部件130、波长转换单元121和发光芯片110，从而实现小型化。
图2是根据又一个示例性实施例的发光器件封装件的剖面图。
如图2所示的发光器件封装件2与参照图1进行描述的发光器件封装件1基本相似，区别在于波长转换单元123没有形成在发光芯片110的侧表面上。下面的描述将主要给出图2所示出的发光器件封装件2的不同特征。
参照图2，发光器件封装件2包括发光芯片110、波长转换单元123和反射部件130。该发光器件封装件2还可包括透镜150。
该波长转换单元123可以为平条形状且可以覆盖发光芯片110的上表面。因此，波长转换单元123没有被形成在发光芯片110的侧表面上，并且反射部件130可直接覆盖发光芯片110的侧表面，同时进一步覆盖波长转换单元123的侧表面。此外，如图2所示，波长转换单元123的侧表面可以与发光芯片110的侧表面共面。
在发光器件封装件2中，发光芯片110、反射部件130和透镜150与参照图1进行描述的发光器件封装件1中的相类似，因此省略对其详细描述。
图3a和图3b是根据又一个示例性实施例的发光器件封装件的剖面图和平面图。
参考图3a和图3b，发光器件封装件3包括单元发光器件10和光阻挡单元140。单元发光器件10包括发光芯片110、波长转换单元121和反射部件130。
发光芯片110包括上表面、侧表面、下表面以及特别地设置在下表面上的电极垫(未示出)。借助其中发光芯片110包括设置在其下表面的电极垫的结构，发光器件封装件3不需要单独的电极，电极垫可以作为发光器件封装件3的电极。借助该结构，可以使发光器件封装件3小型化。
发光芯片110包括设置在其下表面上的电极垫，并且可包括任何类型的发光二极管，例如，倒装芯片型发光二极管。
波长转换单元121可以覆盖发光芯片110的上表面，并且还可以覆盖发光芯片110的侧表面。波长转换单元121可具有不变的厚度，或者可以形成为使得波长转换单元121的上表面具有与其侧表面不同的厚度。另外，波长转换单元的侧表面可以彼此不同，这取决于发光芯片110的形状或图案。可以通过调整波长转换单元121的厚度和材料种类来调节从该发光器件封装件发射的光的色彩特性。
波长转换单元121可以包括荧光体和树脂，其中该荧光体可以与该树脂混合以随机或均匀地分散在树脂中。波长转换单元121中所包括的荧光体可以将从发光芯片110中发出的光转换为与发光芯片110发出的光相比具有不同波长的光。因此，能够实现各种发出不同颜色的单元发光器件10，例如，琥珀色基单元发光器件10、红色基单元发光器件10、绿色基单元发光器件10和白色基单元发光器件10。
该树脂可包括聚合物树脂，例如环氧树脂或丙烯酸类树脂、或者硅树脂，并且可以充当用于将荧光体分散于其中的基质。
该荧光体可以通过激发光使发光芯片110发出的光转换为具有不同波长的光。荧光体可包括本领域的技术人员公知的各种荧光体，并且可包括选自下列类型中的至少一种类型的荧光体，例如，石榴石荧光体、铝酸盐荧光体、硫化锌荧光体、氮氧化硅荧光体、氮化物荧光体、氟化物荧光体和硅酸盐荧光体。但是，应该理解为本发明并不局限于此。
波长转换单元121可以通过先印刷、分配、喷涂或类似方式且随后再固化来沉积荧光体和树脂的混合物以覆盖发光芯片110的侧表面和上表面来形成。然而，应当理解为本发明并不限于此，波长转换单元121可以在不背离本发明的范围内通过各种方法形成。
在另一方面，通过波长转换单元121转换后的光的特性可以通过调节包括在波长转换单元121内的荧光体、波长转换单元121的厚度、波长转换单元121内的树脂等来进行自由地调整。
反射部件130可以覆盖发光芯片110的侧表面，并且还可以覆盖形成于发光芯片110的侧表面上的波长转换单元121。因此，覆盖发光芯片110的侧表面的波长转换单元121可以被插入到发光芯片110和反射部件130之间。
反射部件130用来反射光。借助其中在发光器件封装件1的外周侧表面上形成有反射部件130的结构，发光器件封装件1能够使通过发光芯片110和荧光体发出的光被收集在单元发光器件10上方的荧光体。然而，应该理解本发明并不局限于此，必要时，从发光芯片110发出的光的方向角可以通过调节反射部件130的反射率和透光率来进行调整。
反射部件130可包括树脂，并且还可包括能够反射或散射光的填充物。
该树脂可以是透明或半透明的树脂，并且可以包括硅树脂或聚合物树脂，例如环氧树脂、聚酰亚胺树脂、聚氨酯树脂等。在本示例性实施例中，该树脂可以是硅树脂。
该填充物可以均匀地分散在树脂中。填充物可以选自任何能够反射或散射光的材料，并且可以包括例如二氧化钛(TiO2)、二氧化硅(SiO2)、二氧化锆(ZrO2)等。反射部件130可以包括选自这些填充物中的至少一种。反射部件130的反射率或光的散射程度可以通过调节填充物的种类或浓度来调整。
反射部件130可以具有不变的厚度。根据发光器件封装件中反射部件130的位置，反射部件130可以具有不同的厚度。
反射部件130的上表面可以具有与波长转换单元121相同的高度。即，如附图所示，反射部件130的上表面可以与波长转换单元121的上表面齐平。利用这种结构，透镜(未示出)可以被更稳固地设置在发光芯片110上。
反射部件130可以以与波长转换单元121的形成类似的方式形成，并且在反射部件130形成后，反射部件130和波长转换单元121的上表面中的至少一个可以被平面化。可以通过研磨、切割等方式来执行平面化。当反射部件130通过沉积形成时，反射部件130由于制造工艺的条件可以被形成在波长转换单元121上。然后，形成于波长转换单元121上的反射部件130可以通过平面化处理而被去除，因此能够防止被沉积在发光器件封装件3中的发光芯片110上。
此外，波长转换单元121可以具有经等离子处理的侧表面。相应地，波长转换单元121和反射部件130之间的结合强度增大，从而提高了发光器件封装件3的稳定性和可靠性。
单元发光器件10通过上述发光芯片110、波长转换单元121和反射部件130的组合而形成。
光阻挡单元140可覆盖单元发光器件10的至少一个侧表面。即，光阻挡单元140可覆盖包括在单元发光器件10中的反射部件130的至少一个侧表面。光阻挡单元140和反射部件130可彼此接触。借助这种结构，光阻挡单元140可以设置在发光器件10的最外围。
光阻挡单元140可以用来吸收光。借助其中光阻挡单元140被形成在发光器件10的外周侧表面上的结构，该发光器件封装件可以防止光经由发光器件10的侧表面通过反射部件130而泄漏。具体地说，当从发光芯片110发出的光经由发光器件10的侧表面通过反射部件130而泄露时，光阻挡单元140可以阻挡或吸收通过单元发光器件10的侧表面而泄露的光。
光阻挡单元140可由具有高光吸收率的材料形成。光阻挡单元140可由具有比反射部件130更高的光吸收率的材料形成。例如，光阻挡单元140可由具有高光吸收率的黑色材料形成。至于光阻挡单元140的材料，任何材料都可以被使用，只要该材料具有高光吸收率，例如，光阻挡单元140可以包括光吸收材料，诸如炭黑、黑色树脂和黑色颜料。
光阻挡单元140可以具有不变的厚度。根据发光器件封装件中光阻挡单元140的位置，光阻挡单元140可以具有不同的厚度。光阻挡单元140的厚度没有具体的限制，并且可以根据通过单元发光器件10的侧表面发出的光的强度而适当地进行调节。相应地，光阻挡单元140的厚度可以随着通过反射部件130的侧表面发出的光的强度的增加而增加。应当理解，光阻挡单元140的厚度可以根据其材料而有所不同。
光阻挡单元140的上表面可以具有与反射部件130的上表面相同的高度，或者可以具有比反射部件130的上表面更高的高度。光阻挡单元140的高度并不局限于此，并且可以通过考虑通过反射部件130的侧表面发出的光的强度来适当地进行调整。
根据光阻挡单元中的材料，光阻挡单元140可以以与形成反射部件130和波长转换单元121类似的方式形成，或者可以通过其它方法形成，诸如沉积和镀膜。然而，应当理解，本发明并不限于此，光阻挡单元140可以在不背离本发明范围的情况下通过各种方法形成。光阻挡单元140的上表面也可以经受平面化。
图4是根据又一示例性实施例的发光器件封装件的剖面图。
图4中所示的发光器件封装件4与参照图3a和图3b描述的发光器件封装件3基本类似，除了透镜150设置在发光芯片110上。下面将主要描述图4中所示的发光器件封装件的不同特征。
透镜150的下表面可以大于波长转换单元121的上表面，使得透镜150能够覆盖波长转换单元121的整个上表面。利用这种结构，该发光器件封装件允许通过波长转换单元121进行波长转换的光更有效地排放到外部。
透镜150可以是硅树脂，并且可以由任何材料形成而不受限制。另外，透镜150可以为如附图所示的半球形，或者可以具有其它形状，诸如平面形状和在其中央处具有凹陷部分的形状，以便获得所希望的光的取向图案。
透镜150可以通过模制或其它各种方法形成。
透镜150可以省略以便降低发光器件封装件的总体高度。
如上所述，发光器件封装件4在不包括单独的第二基板或单独的引线电极的情况下形成，因此能够小型化。另外，单元发光器件4的侧表面被光阻挡单元140覆盖，由此防止在发光器件封装件4上产生漏光。
图5是根据又一示例性实施例的发光器件封装件的剖面图。
图5中所示的发光器件封装件5与参照图3a和图3b描述的发光器件封装件3基本类似，除了波长转换单元123不形成在发光芯片110的侧表面上。下面将主要描述图5中所示的发光器件封装件5的不同特征。
参照图5，发光器件封装件5包括发光芯片110、波长转换单元123、反射部件130和光阻挡单元140。
波长转换单元123可以是平条形状并且可以覆盖发光芯片110的上表面。相应地，波长转换单元123不在发光芯片110的侧表面上形成，反射部件130可以直接覆盖发光芯片110的侧表面，同时还覆盖波长转换单元123的侧表面。此外，如图5所示，波长转换单元123的侧表面可以与发光芯片110的侧表面共面。
在发光器件封装件5中，发光芯片110、反射部件130和光阻挡单元140与参照图3a和图3b描述的发光器件封装件的发光芯片、反射部件和光阻挡单元类似，因此这里省略对其的详细描述。
图6a和图6b分别是根据又一示例性实施例的发光器件封装件和发光芯片的剖面图和平面图。
尽管图6a中所示的发光器件封装件6与参照图1描述的发光器件封装件1基本类似，但是根据本示例性实施例的发光芯片110的结构将参照图6b进行更详细地描述。
接下来，将参照图6b对发光芯片110的一个实例进行更详细的描述。
发光芯片110包括基板21、第一导电型半导体层23、台面M、反射电极30、电流扩散层33、下绝缘层31、上绝缘层35、第一垫37a以及第二垫37b。
基板21可以是用于氮化镓基外延层生长的生长基板，并且可以是例如蓝宝石基板、碳化硅基板、硅基板或氮化镓基板。基板21可以包括面向彼此的第一平面和第二平面。在本示例性实施例中，第一平面可以对应于基板21的下表面，即其上形成了第一导电型半导体层23的表面，而第二平面可以对应于基板21的上表面。
第一导电型半导体层23是连续地形成的，并且包括在其上形成为相互隔开的多个台面M。各个台面M包括有源层25和第二导电型半导体层27，并且具有在一个方向上延伸的细长形状。在此，台面M具有氮化镓基化合物半导体的堆叠结构。如图1中所示，台面M可以被限定在第一导电型半导体层23的上部区域内。可选地，如图6所示，台面M可以在一个方向上延伸至第一导电型半导体层23的上表面的边缘，以将第一导电型半导体层23的上表面分割为多个区域。借助于该结构，发光芯片能够缓解台面M的角落附近的电流拥挤，从而进一步改善电流扩散性能。
反射电极30分别设置在多个台面M上，以便与第二导电型半导体层27形成欧姆接触。反射电极30可以包括反射层28以及可以覆盖反射层28的上表面和侧表面的阻挡层29。
电流扩散层33覆盖多个台面M和第一导电型半导体层23。电流扩散层33可以具有开口33a，开口33a中的每一个均放置在各台面M的上部区域内且暴露反射电极30。电流扩散层33还与第一导电型半导体层23形成欧姆接触，并且与多个台面M绝缘。电流扩散层33可以包括反射材料，例如Al。
电流扩散层33可以通过下绝缘层31与多个台面M绝缘。例如，下绝缘层31可以插入在多个台面M与电流扩散层33之间，以使电流扩散层33与多个台面M绝缘。另外，下绝缘层31可以具有开口31b和开口31a，开口31b中的每一个均放置在各台面M的上部区域内且暴露反射电极30，开口31a暴露第一导电型半导体层23。电流扩散层33可以通过开口31a连接至第一导电型半导体层23。下绝缘层31的开口31b具有比电流扩散层33的开口33a更窄的面积，并且通过开口33a完全地暴露。
上绝缘层35覆盖电流扩散层33的至少一部分。另外，上绝缘层35可以具有露出反射电极30的开口35b。此外，上绝缘层35可以具有暴露电流扩散层33的开口35a。上绝缘层35可以覆盖电流扩散层33的开口33a的侧壁。
第一垫37a可以设置在电流扩散层33上，并且可以通过例如上绝缘层35的开口35a连接至电流扩散层33。另外，第二垫37b连接至通过开口35b暴露的反射电极30。尽管第一垫37a是示出为具有与图6b中的第二垫相同的尺寸，但应理解的是，本发明并不限于此，并且第一垫37a和第二垫37b可以具有不同的尺寸。例如，第一垫37a可以比第二垫37b大。
根据该示例性实施例，电流扩散层33覆盖台面M并且基本上覆盖位于台面M之间的第一导电型半导体层23的整个区域。借助于该结构，发光芯片能够通过电流扩散层33实现高效的电流扩散。
此外，电流扩散层33可以包括反射金属层，例如Al层，或者下绝缘层可以形成为绝缘反射层，从而使得未经反射电极30反射的光能够被电流扩散层23或下绝缘层31反射，由此改善提取效率。
图6a中示出的发光器件封装件6基本类似于参照图1所述的发光器件封装件1。然而，在图6中示出的发光器件封装件6中，波长转换单元121可以延伸至第一垫37a和第二垫37b的侧表面，由此反射部件130也可以形成在第一垫37a和第二垫37b的外侧表面上。
参照图1至图6b所述的发光器件封装件10、20、30中的每一个均不包括单独的第二基板或单独的引线电极，并且包括彼此一体成型的发光芯片110、波长转换单元121和反射部件130，从而实现小型化。
图7示出了根据又一示例性实施例的发光器件封装件的平面图。
图7中示出的发光器件封装件7a和发光器件封装件7b中的每一个基本类似于图3a和图3b中示出的发光器件封装件，除了发光器件封装件7a和发光器件封装件7b中的每一个均包括多个单元发光器件10之外。
参照图7(a)，发光器件封装件7a包括六个单元发光器件10，其中每个单元发光器件10的一个侧表面均与另一个单元发光器件的另一侧表面相邻接。具体地，单元发光器件10的反射部件130可以彼此相互邻接，或者相邻的单元发光器件10可以共享一个反射部件130。
单元发光器件10可以发出相同或不同的颜色。单元发光器件10可以同时或独立地打开或者关闭。
参照图7(b)，发光器件封装件7b包括六个单元发光器件10和设置在单元发光器件10之间的光阻挡单元140。可选地，可以通过连续连接六个如图3a和图3b所示的发光器件封装件3而形成与发光器件封装件7b相同的结构。光阻挡单元140设置在单元发光器件10之间，因此将因相邻的单元发光器件10的漏光而引起的颜色变化减至最小。
根据本示例性实施例的发光器件封装件7a和发光器件封装件7b可应用于车灯。具体地，例如，如图7(b)所示出的发光器件封装件7b可以被用作车尾灯。为此，发光器件封装件7b可包括交替设于其上的白色基单元发光器件10和琥珀色基单元发光器件10。不同于图7(a)所示出的发光器件封装件7a，由于光阻挡单元140设置在如图7(b)所示出的发光器件封装件7b内的单元发光器件10之间，因此可以防止当白色基单元发光器件10和琥珀色基单元发光器件10同时打开或者关闭时在反射部件130上发生白色和黄色的混合。
尽管根据该示例性实施例的发光器件封装件7a和发光器件封装件7b中的每一个均包括六个单元发光器件10，但应该理解本发明不限于此。必要时，发光器件封装件7a和发光器件封装件7b的设置或者单元发光器件10的数量或设置可根据用户的目的适当地调节。
图8示出了根据又一示例性实施例的发光器件封装件的平面图。
图8所示出的发光器件封装件8a和发光器件封装件8b中的每一个均基本类似于图7所示出的发光器件封装件，除了发光器件封装件8a和发光器件封装件8b中的每一个均包括成两排设置的多个单元发光器件10之外。
参照图8(a)，发光器件封装件8a包括成两排设置的六个单元发光器件10。具体地，三个单元发光器件10被设置在上面一排，三个单元发光器件10被设置在下面一排。单元发光器件10的至少两个侧表面可以彼此相互邻接。
根据本示例性实施例的发光器件封装件8a和发光器件封装件8b可应用于车灯。具体地，例如，如图8(a)所示出的发光器件封装件8a可以被用作车辆的转向信号灯。为此，发光器件封装件可包括设置成彼此不接触的白色基单元发光器件10和琥珀色基单元发光器件10。即，当白色基单元发光器件10被设置在上面一排的最左侧时，设置在右侧且位于该白色基单元发光器件10下方的单元发光器件10可以是琥珀色基单元发光器件10。
白色基单元发光器件10和琥珀色基单元发光器件10交替打开或关闭，以便被用作车辆的转向信号灯。在这种情况下，只有相同颜色基的单元发光器件10同时打开或者关闭，从而避免了在反射部件130中颜色混合的问题。
参照图8(b)，发光器件封装件8b包括设置在成两排设置的单元发光器件10之间的光阻挡单元140。可选地，可以通过成两排地连续设置六个单元发光器件10来形成与发光器件封装件8b相同的结构。借助其中光阻挡单元140被设置在单元发光器件10之间的结构，该发光器件封装件可以将因单元发光器件10的漏光而引起的颜色变化减至最小。
根据本示例性实施例的发光器件封装件8a和发光器件封装件8b可以防止漏光的发生，并因此可以发出为照明目标提供清晰截止线的光。虽然在上述示例性实施例的描述中以举例的方式对车灯进行了说明，但是根据本示例性实施例的发光器件封装件8a和发光器件封装件8b不限于此，并且可以根据需要被用于各种目的。
图9为包括根据示例性实施例的发光器件封装件的背光单元的剖面图和平面图。
参照图9，背光单元包括单元发光器件10、印刷电路板210、支柱220和透镜230。单元发光器件10可以设置在透镜230的中间区域上，透镜230由支柱220支撑以与印刷电路板210分开。
光阻挡单元可以设置在单元发光器件10的侧表面上，并且插设在透镜230的底部与印刷电路板之间，以防止从单元发光器件10发出的光泄露至透镜之外的区域。借助于该结构，背光单元允许尽可能多的光进入透镜230，进而改善显示器的对比度和视角。
尽管图9示出了直下式背光单元，但是根据示例性实施例的发光器件封装件还可以应用于侧光式背光单元。
图10至图15为图示了根据一个示例性实施例的发光器件封装件的制造方法的平面图和剖面图。图10至图15示出了多个发光芯片110的至少一部分。
参照图10，制备了晶片100。
晶片100可以包括多个半导体堆叠结构，其可以对应于发光芯片区域110a。发光芯片区域110a之间的区域被定义为第一隔离区域S1。
多个发光芯片区域110a中的每一个均可以通过后续工艺被分割为单个发光芯片，并且单个发光芯片中的每一个均包括设置在其下表面上的电极图案。例如，发光芯片区域110a中的一个可以采取如图6b中所示的形式。
接下来，参照图11，晶片100沿着第一隔离区域S1被分割为多个单个发光芯片110，并且发光芯片110设置在第一支撑基板200上以彼此分开。在此，发光芯片110优选设置成使得发光芯片110的电极图案面朝下。发光芯片110可以基本上以相同的间隔设置在第一支撑基板200上。因此，构造成覆盖发光芯片110的上表面和侧表面的波长转换单元121可以通过后续工艺被形成为相对于所有发光芯片110在其侧表面处具有基本上相同的厚度。因此，设置在第一支撑基板200上的发光芯片110可以从相同的晶片100处获得。
接下来，参照图12a，波长转换单元121形成为覆盖各发光芯片110的上表面和侧表面。在此，发光芯片110之间的区域被定义为第二隔离区域S2。图12b为沿着图12a的线A-A'截取的剖面图，波长转换单元121以图12b中示出的形状被提供给发光芯片110的上表面以及发光芯片110之间的区域。
如上所述，波长转换单元121可以包括树脂和荧光体，并且可以通过将荧光体和树脂的混合物沉积至第一支撑基板200上且随后进行固化来形成。例如，荧光体和树脂的混合物可以通过印刷、分配、喷涂等沉积至第一支撑基板200上，以覆盖发光芯片110的侧表面和上表面。然后，通过热固化等方式对该混合物进行固化，从而形成波长转换单元121。然而，应当理解的是，本发明并不限于此，并且波长转换单元121可以在不背离本发明的范围的前提下通过多种方法形成。
参照图13，波长转换单元121沿着第二隔离区域S2分割为多个单个发光器件单元110b，发光器件单元110b中的每一个均包括发光芯片110和波长转换单元121，并且单个发光器件单元110b被设置在第二支撑基板300上以彼此分开。波长转换单元121的分割可以采用金属刀片或激光器来进行。
单个发光器件单元110b可以基本上以相同的间隔设置在第二支撑基板300上。因此，构造为覆盖发光芯片110的侧表面的反射部件130可以通过后续工艺形成为相对于所有发光芯片110在其侧表面处具有基本上相同的厚度。
第一支撑基板200和第二支撑基板300被用作制造工艺中使用的临时基板，并且由此并不限于特定种类的基板。例如，第一支撑基板200和第二支撑基板300可以是玻璃基板。
根据本实施例的方法还可以包括关于单个发光器件单元110b的侧表面进行等离子处理。通过等离子处理，可以向各单个发光器件单元110b的波长转换单元121的侧表面提供官能团，由此改善波长转换单元121与反射部件130之间的结合强度和粘附力。
参照图14，反射部件130被形成为填充第二支撑基板300上的单个发光器件单元110b之间的区域。因此，反射部件130覆盖单个发光器件单元110b的侧表面，即发光芯片110的侧表面。
反射部件130可以按照与波长转换单元121的形成相似的方式形成，并且可以包括树脂和/或填充物，正如上面所描述的那样。
根据该示例性实施例的制造方法还可以包括在反射部件130形成后，关于反射部件130的上表面和波长转换单元121的上表面中的至少一个进行平面化。可以通过研磨、切割等方式来执行平面化。当反射部件130通过沉积形成时，反射部件130由于制造工艺条件可以被形成在波长转换单元121上。由于形成在波长转换单元121上的反射部件130可以通过平面化来去除，因此可以防止反射部件130驻留在最终发光器件封装件1内的发光芯片上。此外，波长转换单元121的上表面可以通过平面化而变得与反射部件130的上表面齐平，因此可以更稳定地执行后续用于形成透镜150的工艺。
然后，参照图15(a)和图15(b)，透镜150被形成在单个发光器件单元110b中的每一个上，并且反射部件130沿着位于单个发光器件单元110b之间的第三隔离区域S3被分割为单个发光器件单元110c。
透镜150可以通过模制来形成，可以在单独制造之后设置在各个单个发光器件单元110b上，或者可以通过多种其它方式形成。
如附图中所示，透镜150可以具有如图中所示的半球形状，或者可以具有其它形状，例如平面形状以及在其中心具有凹陷部分的形状，以获得预期的光的取向图案。更进一步，透镜150的下表面可以比单个发光器件单元110b的尺寸更大，并且透镜150可以被形成以覆盖单个发光器件单元110b的整个上表面。在一些示例性实施例中，透镜150可以被省略。
单个发光器件单元110c是彼此分开的，从而提供如图1所示的发光器件封装件1。
根据另一示例性实施例的发光器件封装件的制造方法还可以进一步包括在形成透镜150之前，形成光阻挡单元140，光阻挡单元140覆盖各个单个单元发光器件的至少一个侧表面。
参照图16(a)，其上形有反射部件130的单个发光器件单元被彼此相互分开地设置在单独的支撑基板上，然后光阻挡单元140被形成为填充单个发光器件单元之间的空间。在这里，可以通过调节单个发光器件单元之间的距离来决定发光器件封装件内的光阻挡单元140的侧表面的厚度。
光阻挡单元140可由具有高光吸收率的黑色材料形成。光阻挡单元140可由具有比反射部件130更高的光吸收率的材料形成。例如，光阻挡单元140可由具有高光吸收率的黑色材料形成。至于光阻挡单元140的材料，任何材料都可以被使用，只要该材料具有高的光吸收率，例如，光阻挡单元140可以包括光吸收材料，诸如炭黑、黑色树脂和黑色颜料。
光阻挡单元140可以通过例如涂敷和固化、沉积和固化等各种方法来形成。另外，光阻挡单元140的上表面可以被形成为具有与反射部件130的上表面相同的高度，例如，光阻挡单元140的上表面可以通过平面化处理而变成与反射部件130的上表面齐平。此外，应该理解本发明并不局限于此，光阻挡单元140的上表面不需要与反射部件130的上表面齐平。
接下来，参照图16(b)，光阻挡单元140沿着位于单个发光器件单元之间的第四隔离区域S4被分割，从而提供如图5所示的发光器件封装件5。
此外，当在分割光阻挡单元140之前将透镜150进一步形成在各个单个发光器件单元上时，也可以提供如图4所示的发光器件封装件6。
图17到图21是说明根据又一个示例性实施例的发光器件封装件的制造方法的平面图和剖面图。图17到图21示出了多个发光芯片110的至少一部分。
根据该示例性实施例的方法基本类似于参照图10到图15所描述的方法，除了在本方法中是在分割晶片100之前将波长转换单元123形成在晶片100上之外。下面的描述将主要给出根据本示例性实施例的方法的不同特征。
参照图17，如图10所示的晶片100已制备好。这里，每个发光芯片区域110a可具有设置在晶片100的下表面上的电极图案。
参照图18，波长转换单元123形成为覆盖晶片100的上表面。即，在图10到图15所示的上述示例性实施例中，波长转换单元121是在沿着第一隔离区域S1分割晶体100之后形成的，而在本示例性实施例中，波长转换单元123是在晶体100分割前形成的。波长转换单元123可以以与上述示例性实施例中所述的方法相似的方式形成。
接着，参照图19a，晶片100沿着第一隔离区域S1被分割为多个单个发光器件单元110d，且发光器件单元110d以彼此分开的方式被设置在第一支撑基板200上。单个发光器件单元110d可以是其上形成有波长转换单元123的发光芯片110。图19b为沿图19a中的B-B'线截取的剖面图。
由于波长转换单元123连同晶片100一起被分割和分开，因此各个发光芯片110的侧表面可以与单个发光器件单元110d中的波长转换单元123的侧表面共面。进一步说，波长转换单元123可具有平条形状。
接着参照图20和图21，反射部件130形成为填充单个发光器件单元110d之间的空间，且透镜150形成在各个发光芯片110上，且随后沿第四隔离区域S4分割反射部件130以提供单个发光器件单元110e。从而提供图2所示的多个发光器件封装件2。
形成反射部件130和透镜150的工艺以及分割反射部件130的工艺基本上类似于参照图10至图15所描述的工艺，且将省略对其进行详细描述。
根据该示例性实施例，可以通过以晶片级关于多个发光芯片形成波长转换单元121或123以及反射部件130且随后进行分割来提供多个小型化的发光器件封装件。因此，可省略单独的封装工艺，且通过单个封装工艺封装多个发光芯片，从而使得能够简化发光器件封装件的制造工艺。此外，由于可通过直接在反射部件130上形成透镜而省略用于形成透镜的单独基板，因此可以通过如上所述的制造方法制造小型的发光器件封装件。
应理解，本发明并不受限于以上描述的示例性实施例和特征，且在不偏离本发明的精神和范围的前提下可做出各种修改、变型以及替换。

Claims (33)

1.一种发光器件封装件，所述发光器件封装件包括：
发光芯片，包括设置在其下侧的电极垫；
波长转换单元，至少覆盖所述发光芯片的上表面和侧表面；以及
反射部件，覆盖所述发光芯片的侧表面，
其中，所述发光芯片包括第二导电型半导体层、设置在所述第二导电型半导体层上的有源层、设置在所述有源层上的第一导电型半导体层以及设置在所述第一导电型半导体层上的基板。
2.如权利要求1所述的发光器件封装件，其中，所述波长转换单元置于所述发光芯片的侧表面和所述反射部件之间。
3.如权利要求2所述的发光器件封装件，其中，所述波长转换单元的上表面与所述反射部件的上表面齐平。
4.如权利要求2所述的发光器件封装件，其中，所述波长转换单元包括荧光体和树脂，并且具有经等离子处理的侧表面。
5.如权利要求1所述的发光器件封装件，其中，所述发光芯片包括：
多个台面，在所述第一导电型半导体层上彼此分开，且各包括所述有源层和所述第二导电型半导体层；
反射电极，分别设置在所述多个台面上且与所述第二导电型半导体层形成欧姆接触；以及
电流扩散层，覆盖所述多个台面和所述第一导电型半导体层，并且包括分别设置在所述多个台面的上部区域内并暴露所述反射电极的开口，所述电流扩散层在与所述多个台面绝缘的同时与所述第一导电型半导体层形成欧姆接触。
6.如权利要求5所述的发光器件封装件，其中，所述多个台面具有细长的形状且在一个方向上相互平行地延伸，所述电流扩散层的所述开口设置为偏置到所述多个台面的相同端。
7.如权利要求5所述的发光器件封装件，其中，所述电极垫包括第一垫和第二垫，
所述发光芯片还包括覆盖所述电流扩散层的至少一部分且包括暴露所述反射电极的开口的上绝缘层，
所述第一垫电连接到所述电流扩散层，
所述第二垫电连接到通过所述开口暴露的所述反射电极。
8.如权利要求1所述的发光器件封装件，所述发光器件封装件还包括设置在所述发光芯片上的透镜。
9.如权利要求1所述的发光器件封装件，所述发光器件封装件还包括至少部分覆盖所述反射部件的侧表面的光阻挡单元。
10.一种发光器件封装件，所述发光器件封装件包括：
单元发光器件；以及
光阻挡单元，覆盖所述单元发光器件的至少一个侧表面，
其中，所述单元发光器件包括：
发光芯片，具有上表面、侧表面和下表面；
波长转换单元，覆盖所述发光芯片的所述上表面；以及
反射部件，覆盖所述发光芯片的所述侧表面，
其中，所述发光芯片包括设置在其下表面上并暴露在外的电极垫。
11.如权利要求10所述的发光器件封装件，所述发光器件封装件还包括覆盖所述发光芯片的所述侧表面的波长转换单元，
其中，所述波长转换单元设置在所述反射部件和所述发光芯片之间。
12.如权利要求11所述的发光器件封装件，其中，所述波长转换单元包括荧光体和树脂，并且具有经等离子处理的侧表面。
13.如权利要求10所述的发光器件封装件，其中，所述光阻挡单元包括能够比所述反射部件更好地吸收光的光吸收材料，并且所述光吸收材料包括炭黑、黑色树脂和黑色颜料。
14.如权利要求10所述的发光器件封装件，其中，所述光阻挡单元的上表面与所述反射部件的上表面齐平或高于所述反射部件的上表面。
15.如权利要求10所述的发光器件封装件，所述发光器件封装件还包括至少一个单元发光器件，
其中，所述光阻挡单元覆盖所述至少一个单元发光器件的至少一个侧表面。
16.如权利要求15所述的发光器件封装件，其中，一个单元发光器件的至少一个侧表面与另一个单元发光器件的至少一个侧表面相邻。
17.如权利要求15所述的发光器件封装件，其中，所述光阻挡单元的一部分设置在所述单元发光器件和所述至少一个单元发光器件之间。
18.如权利要求15所述的发光器件封装件，其中，所述至少一个单元发光器件还包括覆盖所述发光芯片的侧表面的波长转换单元，并且
所述波长转换单元设置在所述至少一个单元发光器件的所述反射部件与所述发光芯片之间。
19.如权利要求18所述的发光器件封装件，其中，所述波长转换单元的上表面与所述反射部件的上表面齐平。
20.如权利要求19所述的发光器件封装件，其中，所述反射部件的上表面与所述光阻挡单元的上表面齐平。
21.如权利要求10所述的发光器件封装件，所述发光器件封装件还包括设置在所述发光芯片上的透镜。
22.一种车灯，所述车灯包括如权利要求10所述的发光器件封装件。
23.一种背光单元，所述背光单元包括：
印刷电路板；
如权利要求10所述的发光器件封装件；以及
透镜，安装在所述印刷电路板上并覆盖所述发光器件。
24.如权利要求23所述的背光单元，其中，所述发光器件封装件的所述光阻挡单元的至少一部分设置在所述透镜的底部和所述印刷电路板之间。
25.一种用于制造发光器件封装件的方法，所述方法包括：
将发光芯片以彼此分开的方式设置在第一支撑基板上，所述发光芯片中的每一个包括设置在其下表面上的电极图案；
形成覆盖所述发光芯片中的每一个的上表面和侧表面的波长转换单元；以及
形成覆盖所述发光芯片中的每一个的侧表面的反射部件。
26.如权利要求25所述的方法，其中，通过将同一晶片分割而获得彼此分开的所述发光芯片。
27.如权利要求25所述的方法，其中，所述波长转换单元形成为填充所述发光芯片之间的区域，
所述方法还包括在形成所述波长转换单元后，将在所述发光芯片之间的所述区域内的所述波长转换单元分割为第一单个发光器件单元。
28.如权利要求27所述的方法，所述方法还包括在将所述波长转换单元分割为所述单个发光器件单元之后，以彼此分开的方式将所述单个发光器件单元设置在第二支撑基板上。
29.如权利要求28所述的方法，其中，所述反射部件形成为填充所述第一单个发光器件单元之间的区域，
所述方法还包括：在形成所述反射部件之后，将所述第一单个发光器件单元之间的区域内的所述反射部件分割为第二单个发光器件单元。
30.如权利要求25至29中任一权利要求所述的方法，所述方法还包括关于所述反射部件的上表面和所述波长转换单元的上表面中的至少一个进行平面化。
31.如权利要求25所述的方法，所述方法还包括在形成所述反射部件之前，关于所述波长转换单元的侧表面进行等离子处理。
32.如权利要求25所述的方法，所述方法还包括在所述发光芯片中的每一个上形成透镜。
33.一种用于制造发光器件封装件的方法，所述方法包括：
制备包括多个半导体堆叠结构和形成在其下表面上的电极图案的晶片；
形成覆盖所述晶片的上表面的波长转换单元；
将所述晶片分割以形成发光芯片，所述发光芯片在其上部各具有所述波长转换单元；
以彼此分开的方式将所述发光芯片设置在支撑基板上；以及
形成覆盖所述发光芯片的侧表面和所述波长转换单元的侧表面的反射部件。
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