CN105006512B - 一种led封装结构及制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种LED封装结构及制造方法，制造方法包括提供载台，在载台上形成有凹陷腔，然后在载台上铺设隔离膜，接着在凹陷腔内固定倒装晶片，然后注胶、固化、切割、分离。LED封装结构包括倒装晶片，倒装晶片的底部具有电极，在倒装晶片的侧面和顶面上包覆有封装胶，封装胶的下表面高于电极的下表面。本发明能制造出电极与封装胶之间有台阶的LED封装结构。减小LED封装结构与基板连接的空洞率，提高对LED封装结构的固定可靠性，提高LED封装结构与基板的电连接可靠性。
Description
技术领域
本发明涉及LED封装结构及制造方法。
背景技术
LED的传统封装是先将芯片固定到基板上，然后在基板上对芯片实现封装工艺，采用这种封装工艺形成的LED器件，一方面，在封装过程中，芯片可能会出现移动的现象，造成芯片封装的位置精度不高，而且还会影响到芯片与基板的导电性能，另一方面，封装胶的厚度均匀性难以控制，造成LED器件的体积较大、重量较大，对出光也有一定的影响。对于在同一基板上封装了多个芯片的LED器件，如COB光源等，一旦封装完成，被封装的芯片被确定，假如出现芯片一致性不好或是某些芯片被损坏的现象，则会影响出光的一致性和出光效率以及光色，在这个情况下，如需要更换芯片，操作起来非常的困难。
后来，随着倒装芯片的出现，人们开始研究芯片级封装（CSP）技术，即在将芯片安装到基板上之前在芯片上进行封装。目前，这种封装技术形成的封装级芯片，体积最小、重量轻、电性能好。
现有不带基板的单个CSP的制作工艺是：首先在机台上铺设薄膜，然后在薄膜上放置多个芯片，接着在薄膜上封装荧光胶，并让荧光胶固化，让荧光胶包覆在除底面以外的芯片上，然后将上述成型芯片群切割成单颗的CSP。
在切割过程中，在荧光胶层的下边缘可能会形成向下的毛刺，从而导致荧光胶层与芯片底部存在高低不平的现象，在将CSP封装到平面基板上时，因毛刺的存在，使得芯片与基板之间难以紧密的接触，影响电连接的可靠性。
目前，CSP与基板的连接方法是在基板上点锡膏和助焊剂，然后过回流焊。这样在受热过程中荧光胶层会受热膨胀从而导致荧光胶层与芯片底部所在面呈现高低不平，进而导致芯片与基板上焊盘贴合时出现接触不良、空洞甚至不能接触的现象，影响芯片与基板电连接的可靠性。
发明人针对上述技术问题，利用倒装芯片的特殊结构，发明人认为如果让倒装芯片的电极与封装胶形成台阶，则可能解决上述技术问题，但在制造封装级芯片时，由于封装胶在固化前为流体状，因此，在封装过程中，难以在电极与封装胶之间形成台阶，给制造造成了很大的瓶颈。
发明内容
为了能制造出电极与封装胶之间有台阶的LED封装结构，且简化工艺、降低成本，本发明提供了一种LED封装结构的制造方法。
为了减小LED封装结构与基板连接的空洞率，提高对LED封装结构的固定可靠性，提高LED封装结构与基板的电连接可靠性，本发明提供了一种LED封装结构。
为达到上述第一目的，一种LED封装结构的制造方法，包括如下步骤：
（1）提供一载台，所述的载台包括载板，载板上具有一个以上的凹陷腔；
（2）在载台上铺设隔离膜，让隔离膜贴附在载板、凹陷腔的底面和凹陷腔的侧面上；
（3）在隔离膜上位于凹陷腔内固定倒装晶片；
（4）在载台上加入封装胶，让封装胶包覆在倒装晶片的侧面和顶面上；凹陷腔的底面与载板的上表面具有高度差，使得封装胶与凹陷腔的底面形成空隙；
（5）待封装胶固化后将LED封装结构组切割成单颗的LED封装结构；
（6）将载台与隔离膜分离；
（7）将隔离膜与LED封装结构分离。
进一步的，凹陷腔的侧面为自上向下朝内延伸的斜面。
进一步的，在载板上位于凹陷腔的四周具有凸起。
进一步的，所述的隔离膜为UV膜。
进一步的，在进行上述步骤（4）时，用压板按压封装胶。
进一步的，所述的封装胶为荧光胶。
为达到上述第二目的，利用上述方法制造的LED封装结构包括倒装晶片，倒装晶片的底部具有电极，在倒装晶片的侧面和顶面上包覆有封装胶，封装胶的下表面高于电极的下表面。
进一步的，封装胶的截面呈倒U形。
进一步的，封装胶为荧光胶。
本发明的有益效果是：
（1）通过在载板上设置凹陷腔，在成型LED封装结构时，倒装晶片的电极位于凹陷腔内，让倒装晶片的电极与隔离膜接触，当加入半固化的封装胶后，由于凹陷腔的底面与载板的上表面具有高度差，同时封装胶为半固化状态，因此，封装胶始终不会与凹陷腔的底面接触，使得在凹陷腔底面与封装胶之间自然形成空隙，当LED封装结构组被分割后，由于采用了本发明的制造方法，因此，封装胶的下表面会高于电极的下表面，使得封装胶与电极之间形成台阶。
（2）根据本发明所记载的工艺过程，只需要在载台上形成凹陷腔，然后铺设隔离膜、放置倒装晶片、注胶、固化、切割，因此，工艺步骤非常的简单，同时能达到本发明的目的，从而降低了制造成本。
（3）由于设置了凸起，因此，能更好的防止封装胶在凹陷腔处出现塌陷的现象。
（4）由于凹陷腔的侧面为自上向下朝内延伸的斜面，因此，间隙可控性好。
（5）在进行上述步骤（4）时，由于用压板按压封装胶，因此，能更好的控制封装胶与凹陷腔底面之间的间隙大小，同时能提高封装胶上表面的平整度和对应于凹陷腔封装胶下表面的平整度。
（6）由于封装胶的下表面高于电极的下表面，在将LED封装结构固定到基板上的过程中，封装胶下表面与基板之间形成空间，因此，即使封装胶具有向下的毛刺，也不会影响倒装晶片的电极与基板的紧密接触，另外，如果封装胶受热膨胀，封装胶下方也给予其膨胀的空间，因此，减小LED封装结构与基板连接的空洞率，解决了由于封装胶切割存在毛刺以及倒装晶片的电极与基板焊接过程中受热导致倒装晶片与基板之间电连接不可靠的问题，使得倒装晶片与基板的连接更加的牢固。
附图说明
图1为LED封装结构的示意图。
图2为LED器件的示意图。
图3为载台的示意图。
图4为铺设隔离膜的示意图。
图5为固定倒装晶片的示意图。
图6为加入封装胶的示意图。
图7为按压封装胶的示意图。
图8为取下压板的示意图。
图9为分离载台后的示意图。
图10为分离隔离膜后的示意图。
图11为载台另一结构的示意图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施方式对本发明进行进一步详细说明。
实施例1。
如图1所示，LED封装结构100包括倒装晶片1，倒装晶片1包括倒装晶片本体和电极11，电极11设置在倒装晶片本体的底部，电极11凸出倒装晶片本体的底面。在倒装晶片本体的侧面和顶面上包覆有封装胶2，所述的封装胶2为荧光胶。封装胶2的下表面高于电极11的下表面。在本实施例中，封装胶2的下表面与倒装晶片本体的下表面平齐。
如图2所示，由于封装胶2的下表面高于电极11的下表面，在将LED封装结构100固定到基板3上的过程中，封装胶2下表面与基板3之间形成空间，因此，即使封装胶2具有向下的毛刺，也不会影响倒装晶片的电极11与基板3的紧密接触，另外，如果封装胶2受热膨胀，封装胶2下方也给予其膨胀的空间，因此，减小LED封装结构100与基板3连接的空洞率，解决了由于封装胶2切割存在毛刺以及倒装晶片的电极11与基板2焊接过程中受热导致倒装晶片1与基板3之间电连接不可靠的问题，使得倒装晶片1与基板3的连接更加的牢固。
实施例2。
如图2所示，LED器件包括LED封装结构100和基板3。
LED封装结构100包括倒装晶片1，倒装晶片1包括倒装晶片本体和电极11，电极11设置在倒装晶片本体的底部，电极11凸出倒装晶片本体的底面。在倒装晶片本体的侧面和顶面上包覆有封装胶2，所述的封装胶2为荧光胶。封装胶2的下表面高于电极11的下表面。在本实施例中，封装胶2的下表面与倒装晶片本体的下表面平齐。
如图2所示，由于封装胶2的下表面高于电极11的下表面，在将LED封装结构100固定到基板3上的过程中，封装胶2下表面与基板3之间形成空间，因此，即使封装胶2具有向下的毛刺，也不会影响倒装晶片的电极11与基板3的紧密接触，另外，如果封装胶2受热膨胀，封装胶2下方也给予其膨胀的空间，因此，减小LED封装结构100与基板3连接的空洞率，解决了由于封装胶2切割存在毛刺以及倒装晶片的电极11与基板2焊接过程中受热导致倒装晶片1与基板3之间电连接不可靠的问题，使得倒装晶片1与基板3的连接更加的牢固。
实施例3。
制造上述实施例1LED封装结构的方法为：
（1）如图3所示，提供一载台4，所述的载台4包括载板41，载板41上具有一个以上的凹陷腔42。凹陷腔42的侧面为自上向下朝凹陷腔42内延伸的斜面，这样，让封装胶2与凹陷腔42底面之间的间隙均匀，间隙可控性好。
（2）如图4所示，在载台4上铺设隔离膜5，让隔离膜5贴附在载板41、凹陷腔42的底面和凹陷腔42的侧面上；在本实施例中，隔离膜选用UV膜。
（3）如图5所示，在隔离膜5上位于凹陷腔42内固定倒装晶片1；让倒装晶片1的电极11与隔离膜连接，当倒装晶片1固定到隔离膜5上后，电极11位于凹陷腔42内，电极11的下表面与隔离膜的上表面平齐或是略低于隔离膜的上表面。
（4）如图6所示，在载台4上注入封装胶2，该封装胶2注入可通过刷、喷等方式实现，让封装胶2包覆在倒装晶片本体的侧面和顶面上；如图7所示，用压板6按压封装胶2，这样，能更好的控制封装胶2与凹陷腔42底面之间的间隙大小，同时能提高封装胶2上表面的平整度和对应于凹陷腔封装胶下表面的平整度。在该步骤中，凹陷腔42底面与载台上表面具有高度差，且封装胶为半固化状态，使得封装胶不容易进入到凹陷腔内，封装胶2与凹陷腔42的底面形成空隙。在本实施例中，封装胶2选用荧光胶。为了更好的防止封装胶在凹陷腔42位置处出现塌陷的现象，在载板41上位于凹陷腔的四周具有凸起，如图6至图8所示，该凸起可由凹陷腔向下凹陷自然形成，如图11所示，也可以在载板上另设凸起。
（5）待封装胶2固化后将LED封装结构组切割成单颗的LED封装结构，在切割过程中，让刀片切割至隔离膜上；其中所述的LED封装结构组包括倒装晶片和封装胶，且为未切割前的状态。
（6）如图8所示，将载台4与隔离膜5分离。
（7）如图9所示，将隔离膜5与LED封装结构组分离，分离后如图10所示成为单颗的LED封装结构。
本实施例的制造方法，通过在载板41上设置凹陷腔42，在成型LED封装结构时，倒装晶片1的电极11位于凹陷腔42内，让倒装晶片1的电极11与隔离膜5接触，当加入半固化的封装胶2后，由于凹陷腔42底面与载板上表面具有高度差，同时封装胶2为半固化状态，因此，封装胶2始终不会与凹陷腔42的底面接触，使得在凹陷腔42底面与封装胶2之间自然形成空隙，当LED封装结构组被分割后，封装胶2的下表面会高于电极11的下表面，使得封装胶2与电极11之间形成台阶。根据本发明所记载的工艺过程，只需要在载台4上形成凹陷腔42，然后铺设隔离膜5、放置倒装晶片1、注胶、固化、切割，因此，工艺步骤非常的简单，同时能达到本发明的目的，从而降低了制造成本。
Claims (6)
1.一种LED封装结构的制造方法，其特征在于包括如下步骤：
（1）提供一载台，所述的载台包括载板，载板上具有一个以上的凹陷腔；
（2）在载台上铺设隔离膜，让隔离膜贴附在载板、凹陷腔的底面和凹陷腔的侧面上；
（3）在隔离膜上位于凹陷腔内固定倒装晶片；
（4）在载台上加入封装胶，让封装胶包覆在倒装晶片的侧面和顶面上；凹陷腔的底面与载板的上表面具有高度差，使得封装胶与凹陷腔的底面形成空隙；
（5）待封装胶固化后将LED封装结构组切割成单颗的LED封装结构；
（6）将载台与隔离膜分离；
（7）将隔离膜与LED封装结构分离。
2.根据权利要求1所述的LED封装结构的制造方法，其特征在于：凹陷腔的侧面为自上向下朝内延伸的斜面。
3.根据权利要求1所述的LED封装结构的制造方法，其特征在于：在载板上位于凹陷腔的四周具有凸起。
4.根据权利要求1所述的LED封装结构的制造方法，其特征在于：所述的隔离膜为UV膜。
5.根据权利要求1所述的LED封装结构的制造方法，其特征在于：在进行上述步骤（4）时，用压板按压封装胶。
6.根据权利要求1所述的LED封装结构的制造方法，其特征在于：所述的封装胶为荧光胶。
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