KR20130007666A - 정밀코팅된 파장변환층을 가지는 웨이퍼-타입 발광장치 - Google Patents
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Abstract
본 발명은, 웨이퍼-타입 발광장치에 관한 것으로서, 기판, 기판 상에 형성된 1 이상의 발광반도체, 1 이상의 발광반도체 상에 구비된 1 이상의 프레임, 및 1 이상의 발광반도체 상에 구비되고 1 이상의 프레임에 의하여 가둬진 1 이상의 파장변환층을 가지며, 여기서 웨이퍼-타입 발광장치는 복수의 개별 발광유닛으로 절편된다.
Description
본 발명은, 발광장치에 관한 것으로서, 보다 상세히는, 정밀코팅된 파장변환층을 가지는 웨이퍼-타입 발광장치에 관한 것이다.
종래의 발광다이오드(LED) 구조에 있어서, 발광된 빛의 파장을 변환하기 위하여 LED 상에 형광층이 코팅되어 있는 것이 일반적이다. 그 결과, 형광층은 파장변환층이라고도 불리운다.
그런데, 코팅될 형광층의 양은, 정확히 컨트롤하기 어려워서, 형광층의 두께가 때로는 얇고 때로는 두텁게 되어서, LED의 생산에 있어서 낮은 수율과 높은 비용을 초래하게 된다.
결국, 수율을 향상시키고 제조비용을 저감하기 위하여, 정밀코팅된 파장변환층을 가지는 발광장치가 필요하다.
본 발명은, 기판, 상기 기판 상에 형성된 1 이상의 발광반도체, 상기 1 이상의 발광반도체 위에 구비된 1 이상의 프레임, 및 상기 1 이상의 발광반도체 상에 구비되고 상기 1 이상의 프레임에 의하여 가둬진 1 이상의 파장변환층을 가지는 웨이퍼-타입 발광장치에 관련되고, 상기 웨이퍼-타입 발광장치는, 복수의 개별 분리된 발광유닛으로 절편된다.
본 발명의 기타의 장점 및 다른 측면은, 첨부도면을 참조하여 본 발명의 원리를 설명하는 하기의 상세한 설명으로부터 명백해질 것이다.
본 발명에 의하면, 수율을 향상시키고 제조비용을 저감하기 위하여, 정밀코팅된 파장변환층을 가지는 발광장치가 제공된다.
도 1은, 본 발명의 실시예에 의한 웨이퍼-타입 발광장치로부터 절편된 개별 분리된 발광유닛의 간략화된 단면도를 나타낸다.
도 2는, 본 발명의 실시예에 의한 웨이퍼-타입 발광장치로부터 절편된 개별 분리된 발광유닛의 간략화된 단면도를 나타낸다.
도 3은, 본 발명의 실시예에 의한 웨이퍼-타입 발광장치로부터 절편된 개별 분리된 발광유닛의 간략화된 단면도를 나타낸다.
도 4는, 본 발명의 실시예에 의한 웨이퍼-타입 발광장치로부터 절편된 개별 분리된 발광유닛의 간략화된 단면도를 나타낸다.
도 5는, 본 발명의 실시예에 의한 웨이퍼-타입 발광장치로부터 절편된 개별 분리된 발광유닛의 간략화된 단면도를 나타낸다.
도 6은, 본 발명의 실시예에 의한 웨이퍼-타입 발광장치로부터 절편된 개별 분리된 발광유닛의 간략화된 단면도를 나타낸다.
도 7은, 본 발명의 실시예에 의한 웨이퍼-타입 발광장치로부터 절편된 개별 분리된 발광유닛의 간략화된 단면도를 나타낸다.
도 8은, 본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼-레벨 제조 동안의 프레임을 가지는 발광장치의 전자현미경 이미지를 나타낸다.
도 2는, 본 발명의 실시예에 의한 웨이퍼-타입 발광장치로부터 절편된 개별 분리된 발광유닛의 간략화된 단면도를 나타낸다.
도 3은, 본 발명의 실시예에 의한 웨이퍼-타입 발광장치로부터 절편된 개별 분리된 발광유닛의 간략화된 단면도를 나타낸다.
도 4는, 본 발명의 실시예에 의한 웨이퍼-타입 발광장치로부터 절편된 개별 분리된 발광유닛의 간략화된 단면도를 나타낸다.
도 5는, 본 발명의 실시예에 의한 웨이퍼-타입 발광장치로부터 절편된 개별 분리된 발광유닛의 간략화된 단면도를 나타낸다.
도 6은, 본 발명의 실시예에 의한 웨이퍼-타입 발광장치로부터 절편된 개별 분리된 발광유닛의 간략화된 단면도를 나타낸다.
도 7은, 본 발명의 실시예에 의한 웨이퍼-타입 발광장치로부터 절편된 개별 분리된 발광유닛의 간략화된 단면도를 나타낸다.
도 8은, 본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼-레벨 제조 동안의 프레임을 가지는 발광장치의 전자현미경 이미지를 나타낸다.
본 발명은, 웨이퍼 형태로 제조되어, 복수의 개별 분리된 발광유닛으로 분리되는 벌크(bulk) 발광장치에 관한 것이다. 여기 설명되는 본 발명의 다양한 실시예들은, 이런 특징을 포함한다. 도 8은, 본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼-레벨 제조공정 동안의 프레임을 가지는 발광장치의 전자현미경 이미지를 나타낸다. 프레임을 가지는 복수의 개별 분리된 발광유닛은, 웨이퍼-레벨 발광장치가 제조된 후에 절편공정을 이용하여 얻어질 수 있다. 여기 개시되는 프레임은, 형광혼합물을 채워넣으면 안 되는 다른 영역으로 형광물질이 흘러넘치는 것을 방지하기 위하여, 형광혼합물이 채워넣어진 후에 프레임에 의하여 가둬지도록 형광혼합물을 채워넣을 때에, 댐(dam)으로서 구성될 수 있다. 백색광은, 프레임 내의 형광혼합물에 의한 발광된 광의 변환에 의하여 얻어질 수 있다. 다른 장점은, 더욱 균일하게 분포된 상관(correlated) 색온도(CCT)를 촉진하고, CCT에 대한 수율을 향상시키며, 형광입자의 사용량을 저감시키는 것이다.
본 발명의 다양한 실시예가 이하 상세히 설명된다. 편의를 위하여, 벌크 웨이퍼-타입 발광장치의 구조가 개별 분리된 발광유닛을 기초로 하여 설명된다. 예컨대, 도 1은, 본 발명의 실시예에 의한 웨이퍼-타입 발광장치로부터 절편된 개별 분리된 발광유닛(100)의 간략화된 단면도를 나타낸다. 도 1에 도시된 바와 같이, 발광유닛(100)은, 기판(106), 기판(106) 상에 형성된 발광반도체(103), 발광반도체(103) 상에 구비된 프레임(102), 및 발광반도체(103) 상에 구비되고 프레임(102)에 의하여 가둬지는 파장변환층(101)을 포함한다. 환언하면, 본 실시예에 의한 웨이퍼-타입 발광장치는, 기판(106), 기판(106) 상에 형성된 발광반도체(103), 발광반도체(103) 상에 구비된 프레임(102), 및 발광반도체(103) 상에 구비되고 프레임(102)에 의하여 가둬지는 파장변환층(101)을 포함한다. 그 후, 웨이퍼-타입 발광장치는, 복수의 개별 분리된 발광유닛(100)으로 절편된다. 웨이퍼-타입 발광장치와 발광유닛 사이의 관계는, 이하의 실시예에 대하여 다시 설명되지 않을 것이다.
본딩패드(pad)(105)는, 발광유닛(100)의 발광반도체(103) 상에 구비된다. 또한, 파장변환층(101)에 인접한 발광반도체(103)의 표면은, 발광효율을 향상시키기 위하여 조면(粗面)화될 수 있다. 또한, 파장변환층(101)은, 60℃ 내지 300℃ 사이에 걸치는 열처리온도에서 열처리를 행할 수 있다. 파장변환층(101)은, 정밀 디스펜싱(dispensing), 정밀 스탬핑(stamping), 정밀 제팅(jetting), 및 스크린프린팅 중의 적어도 하나를 이용하여 구비될 수 있다. 파장변환층(101)은, (실리콘 및/또는 에폭시와 같은) 1 이상의 유기화학물과 혼합된 형광입자를 포함할 수 있다. 또한, 형광입자가 유기화학물에 혼합될 때에, 톨루엔(toluene), 헵탄(heptane), 노멀 헥산(hexane), 이소프로필(isopropyl) 알코올, 등과 같은 희석제가 가해질 수도 있다. 또는, 파장변환층(101)은, 유리와 혼합된 형광입자를 포함할 수 있다. 또한, 예컨대, 유기화학물(또는 유리)에 대한 형광입자의 중량비는, 약 0.6 내지 8이다; 즉, 이는,
""
으로 표현될 수 있다. 상기 설명된 바와 같이 유리와 혼합된 파장변환층은, 100℃ 내지 500℃ 사이에 걸친 온도에 적용될 수 있다. 파장변환층은, 볼록, 오목, 플랫, 또는 피라미드 형상(단, 이에 한하지 않음)을 포함한다. 도 1은, 파장변환층(101)이 볼록 형상을 가지는 것을 나타낸다. 파장변환층(101)은, 약 1 ㎛ 내지 200 ㎛, 바람직하게는 약 10 ㎛ 내지 100 ㎛의 두께를 가질 수 있다. 발광유닛(100)은, 약 200 ㎚ 내지 500 ㎚ 사이에 걸쳐서 피크 파장을 가지는 광을 발광할 수 있다. 프레임(102)은, 에폭시 수지, 실리콘 수지, 폴리이미드 수지, 유리, 석영(quartz), 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA; polymethylmethacrylate) 등과 같은 아크릴 수지, 폴리카보네이트(PC) 수지, SU-8 레지스트, BCB 레지스트, 또는 파릴렌(parylene)과 같은 투명재로 만들어진다. 또는, 프레임(102)은, 싱글 금속층 또는 복수의 금속층일 수 있다. 프레임(102)은, 스핀(spin)코팅, 딥(dip)코팅, 화학 기상증착, 열증발(thermal evaporation), 및 전자빔 증발(e-beam evaporation) 중 적어도 하나를 이용하여 구비될 수 있다. 프레임(102)은, 약 0.1 ㎛ 내지 200 ㎛, 바람직하게는 약 2 ㎛ 내지 100 ㎛의 두께를 가질 수 있다. 기판(106)은, 예컨대, 금속, 세라믹, 또는 반도체로 만들어지는 불투명기판일 수 있다. 도 1은, 발광유닛(100)이 버티컬 발광장치임을 나타낸다. 광확산층(미도시)이 파장변환층(101) 상에 구비될 수도 있다.
도면에 도시된 본 발명의 다양한 실시예에 있어서, 프레임이 발광반도체 상에 구비될 수 있을 뿐 아니라, 발광반도체의 측부를 커버하도록 더욱 뻗어 있을 수 있다. 프레임이 발광반도체의 측부를 커버하도록 뻗어 있는 경우에 있어서, 파장변환층은, 발광반도체의 측부를 에워싸도 좋고 에워싸지 않아도 좋다. 예컨대, 도 1의 파장변환층은, 발광반도체의 측부를 에워싸지 않지만, 도 2의 파장변환층은, 발광반도체의 측부를 에워싼다.
도 2는, 본 발명의 실시예에 의한 웨이퍼-타입 발광장치로부터 절편된 개별 분리된 발광유닛(300)의 간략화된 단면도를 나타낸다. 도 2는, 발광유닛(300)이 수평형 발광유닛임을 나타낸다. 도 2에 도시된 바와 같이, 발광유닛(300)은, 기판(306), 상기 기판(306) 상에 형성된 발광반도체(303), 상기 발광반도체(303) 상에 구비된 프레임(302), 및 상기 발광반도체(303) 상에 구비되고 상기 프레임(302)에 의하여 가둬진 파장변환층(301)을 포함한다. (n-타입 반도체층(303a) 상에 구비된) 제1 본딩패드(305a) 및 (p-타입 반도체층(303c) 상에 구비된) 제2 본딩패드(305b)는, 발광유닛(300)의 발광반도체(303) 상에 구비된다. 발광반도체(303)는, 기판(306) 상에 형성된 p-타입 반도체층(303c), p-타입 반도체층(303c) 상에 구비된 액티베이션층(303b), 및 액티베이션층(303b) 상에 구비된 n-타입 반도체층(303a)을 포함할 수 있다. 본 발명의 다른 실시예에 의한 발광반도체는, 도 2에 도시된 발광반도체(303)와 동일 또는 유사한 구조를 가질 수 있다. 또한, 반사층(307)이 기판(306)과 발광반도체(303) 사이에 구비될 수 있다. 특히, 반사층(307)은, 기판(306)과 p-타입 반도체층(303c) 사이에 위치된다. 반사층(307)은, 본 발명의 다른 실시예에도 적용될 수 있다. 파장변환층(301)에 인접하는 발광반도체(303)의 표면은, 도 2에는 도시되어 있지 않지만, 조면화될 수도 있다. 특히, n-타입 반도체층(303a)의 표면이 조면화될 수 있다. 또한, 본 발명의 실시예에 있어서, 파장변환층은, 프레임의 경계로부터 흘러넘치지 않고 프레임의 일부를 에워쌀 수 있다. 예컨대, 도 2에 도시된 바와 같이, 파장변환층(301)은, 도면의 우측에 나타낸 프레임(302)의 일부를 에워싸지만, 프레임(302)으로부터 흘러넘치지는 않는다.
도 3은, 본 발명의 실시예에 의한 웨이퍼-타입 발광장치로부터 절편된 개별 분리된 발광유닛(1100)의 간략화된 단면도를 나타낸다. 도 3에 도시된 바와 같이, 발광유닛(1100)은, 기판(1106), 발광반도체(1103), 프레임(1102), 및 파장변환층(1101)을 포함하고, 여기서 파장변환층(1101)은, 오목 형상을 가진다. 본딩패드(1105)가 발광유닛(1100)의 발광반도체(1103) 상에 구비된다.
도 4는, 본 발명의 실시예에 의한 웨이퍼-타입 발광장치로부터 절편된 개별 분리된 발광유닛(1200)의 간략화된 단면도를 나타낸다. 도 4에 도시된 바와 같이, 발광유닛(1200)은, 기판(1206), 발광반도체(1203), 제1 프레임(1202a), 제2 프레임(1202b), 제1 파장변환층(1201a), 및 제2 파장변환층(1201b)을 포함한다. 제1 프레임(1202a)은, 제2 프레임(1202b)에 의하여 에워싸여 있다. 제1 파장변환층(1201a)이 제1 프레임(1202a)에 의하여 가둬진 발광반도체(1203) 상에 영역에 구비되어 있고, 제2 파장변환층(1201b)이 제2 프레임(1202b)에 의하여 가둬진 발광반도체(1203) 상의 영역에 구비되어 있다. 제2 프레임(1202b) 내에 구비된 제2 파장변환층(1201b)은, 제1 프레임(1202a) 내에 구비된 제1 파장변환층(1201a)을 에워쌀 수 있고, 이로써 복수의 (중첩된) 파장변환층을 형성한다. 본딩패드(1205)가 발광유닛(1200)의 발광반도체(1203) 상에 구비될 수 있다.
도 5는, 본 발명의 실시예에 의한 웨이퍼-타입 발광장치로부터 절편된 개별 분리된 발광유닛(1300)의 간략화된 단면도를 나타낸다. 도 5에 도시된 바와 같이, 발광유닛(1300)은, 기판(1306), 발광반도체(1303), 프레임(1302), 제1 파장변환층(1301a), 및 제2 파장변환층(1301b)을 포함한다. 제1 파장변환층(1301a) 및 제2 파장변환층(1301b)이 도 5에 도시된 바와 같이 동일 프레임(즉, 프레임(1302))에 적요된 것을 제외하면, 도 5에 도시된 실시예는, 도 4의 것과 유사하다. 제2 파장변환층(1301b)은 제1 파장변환층(1301a)을 에워싸고, 이로써 복수의 (중첩된) 파장변환층을 형성한다. 본딩패드(1305)가 발광유닛(1300)의 발광반도체(1303) 상에 구비된다.
도 6은, 본 발명의 실시예에 의한 웨이퍼-타입 발광장치로부터 절편된 개별 분리된 발광유닛(1400)의 간략화된 단면도를 나타낸다. 도 6에 도시된 바와 같이, 발광유닛(1400)은, 기판(1406), 발광반도체(1403), 프레임(1402), 제1 파장변환층(1401a), 및 제2 파장변환층(1401b)을 포함한다. 발광반도체(1403) 상에 구비된 프레임(1402)은, 발광반도체(1403)를 두 영역으로 분할하고, 그 내부에 제1 파장변환층(1401a) 및 제2 파장변환층(1401b)이 각각 구비되며, 이로써 복수의 (병렬적) 파장변환층이 발광반도체(1403) 상에 형성된다. 본딩패드(1405)가 발광유닛(1400)의 발광반도체(1403) 상에 구비된다.
도 7은, 본 발명의 실시예에 의한 웨이퍼-타입 발광장치로부터 절편된 개별 분리된 발광유닛(1500)의 간략화된 단면도를 나타낸다. 도 7에 도시된 바와 같이, 발광유닛(1500)은, 기판(1506), 기판(1506) 상에 형성된 제1 발광반도체(1503a), 기판(1506) 상에 형성된 제2 발광반도체(1503b), 제1 발광반도체(1503a) 상에 구비된 제1 프레임(1502a), 제2 발광반도체(1503b) 상에 구비된 제2 프레임(1502b), 제1 발광반도체(1503a) 상에 구비되고 제1 프레임(1502a)에 의하여 가둬진 제1 파장변환층(1501a), 및 제2 발광반도체(1503b) 상에 구비되고 제2 프레임(1502b)에 의하여 가둬진 제2 파장변환층(1501b)을 포함한다. 제1 본딩패드(1505a)가 발광유닛(1500)의 제1 발광반도체(1503a) 상에 구비되고, 제2 본딩패드(1505b)가 발광유닛(1500)의 제2 발광반도체(1503b) 상에 구비된다. 도 7에 도시된 실시예에 있어서, 제1 파장변환층(1501a) 및 제2 파장변환층(1501b)은, 제1 프레임(1502a) 및 제2 프레임(1502b) 내에 각각 구비된다. 또는, 도 6에 도시된 실시예의 특성이 도 7에 도시된 실시예에 적용될 수도 있다. 특히, 도 6에 도시된 프레임이 도 7에 도시된 각 제1 발광반도체(1503a) 및 제2 발광반도체(1503b) 상에 구비되어서, 복수의 (병렬적) 파장변환층이 각 제1 발광반도체(1503a) 및 제2 발광반도체(1503b) 상에 형성될 수도 있다. 또는, 도 4나 도 5에 도시된 실시예의 특성이 도 7에 도시된 실시예에 적용되어서, 복수의 (중첩적) 파장변환층이 각 제1 발광반도체(1503a) 및 제2 발광반도체(1503b) 상에 형성될 수도 있다. 또한, 도 7에 도시된 실시예는, 도 3에 도시된 오목 파장변환층을 포함할 수도 있다.
본 발명의 실시예에 있어서, 제1 파장변환층 및 제2 파장변환층은, 동일한 파장변환층이어도 좋고 상이한 파장변환층이어도 좋다.
이상, 본 발명의 특정 실시예만이 상세히 설명되었지만, 이 기술분야의 통상의 전문가라면 본 발명의 신규의 가르침과 장점으로부터 크게 벗어나지 않고 상기 실시예에서 많은 개량이 가능함을 쉽게 알 수 있을 것이다. 따라서, 모든 그러한 변형은 본 발명의 범위 내에 드는 것으로 해석되어야 한다.
본 발명은, 정밀코팅된 파장변환층을 가지는 웨이퍼-타입 발광장치에 관한 산업에 이용될 수 있다.
100, 300, 1100, 1200, 1300, 1400, 1500: 발광유닛
101, 301, 1101, 1201a, 1201b, 1301a, 1301b, 1401a, 1401b, 1501a, 1501b: 파장변환층
102, 302, 1102, 1202a, 1202b, 1302, 1402, 1502a, 1502b: 프레임
103, 303, 1103, 1203, 1303, 1403, 1503a, 1503b: 발광반도체
303a: n-타입 반도체층
303b: 액티베이션층
303c: p-타입 반도체층
105, 305a, 305b, 1105, 1205, 1305, 1405, 1505a, 1505b: 본딩패드
106, 306, 1106, 1206, 1306, 1406, 1506: 기판
307: 반사층
101, 301, 1101, 1201a, 1201b, 1301a, 1301b, 1401a, 1401b, 1501a, 1501b: 파장변환층
102, 302, 1102, 1202a, 1202b, 1302, 1402, 1502a, 1502b: 프레임
103, 303, 1103, 1203, 1303, 1403, 1503a, 1503b: 발광반도체
303a: n-타입 반도체층
303b: 액티베이션층
303c: p-타입 반도체층
105, 305a, 305b, 1105, 1205, 1305, 1405, 1505a, 1505b: 본딩패드
106, 306, 1106, 1206, 1306, 1406, 1506: 기판
307: 반사층
Claims (28)
- 기판;
상기 기판 상에 형성된 1 이상의 발광반도체;
상기 1 이상의 발광반도체 상에 구비된 1 이상의 프레임; 및
상기 1 이상의 발광반도체 상에 구비되고 상기 1 이상의 프레임에 의하여 가둬진 1 이상의 파장변환층
으로 이루어지는 웨이퍼-타입 발광장치로서,
상기 웨이퍼-타입 발광장치는, 복수의 개별 분리된 발광유닛으로 절편됨
을 특징으로 하는 웨이퍼-타입 발광장치. - 청구항 1에 있어서,
상기 1 이상의 프레임은, 상기 1 이상의 발광반도체의 측부로 뻗어 있음
을 특징으로 하는 웨이퍼-타입 발광장치. - 청구항 1에 있어서,
상기 발광유닛은, 약 200 ㎚ 내지 500 ㎚ 사이에 걸친 피크 파장을 가지는 광을 발광함
을 특징으로 하는 웨이퍼-타입 발광장치. - 청구항 1에 있어서,
상기 1 이상의 파장변환층은, 정밀 디스펜싱, 정밀 스탬핑, 정밀 제팅, 및 스크린프린팅 중의 적어도 하나를 이용하여 구비됨
을 특징으로 하는 웨이퍼-타입 발광장치. - 청구항 1에 있어서,
상기 1 이상의 파장변환층은, 1 이상의 유기화학물과 혼합된 형광입자를 포함함
을 특징으로 하는 웨이퍼-타입 발광장치. - 청구항 5에 있어서,
상기 1 이상의 유기화학물에 대한 상기 형광입자의 중량비는, 약 0.6 내지 8임
을 특징으로 하는 웨이퍼-타입 발광장치. - 청구항 5에 있어서,
상기 1 이상의 유기화학물은, 실리콘 수지 및/또는 에폭시 수지임
을 특징으로 하는 웨이퍼-타입 발광장치. - 청구항 1에 있어서,
상기 1 이상의 파장변환층은, 유리와 혼합된 형광입자를 포함함
을 특징으로 하는 웨이퍼-타입 발광장치. - 청구항 8에 있어서,
상기 유리에 대한 상기 형광입자의 중량비는, 약 0.6 내지 8임
을 특징으로 하는 웨이퍼-타입 발광장치. - 청구항 8에 있어서,
상기 유리와 혼합된 상기 1 이상의 파장변환층은, 정밀 디스펜싱, 정밀 스탬핑, 정밀 제팅, 및 스크린프린팅 중의 적어도 하나를 이용하여 구비됨
을 특징으로 하는 웨이퍼-타입 발광장치. - 청구항 10에 있어서,
상기 유리와 혼합된 상기 1 이상의 파장변환층은, 약 100℃ 내지 500℃ 사이에 걸친 온도에 적용됨
을 특징으로 하는 웨이퍼-타입 발광장치. - 청구항 1에 있어서,
상기 1 이상의 파장변환층은, 볼록, 오목, 플랫, 또는 피라미드 형상을 가짐
을 특징으로 하는 웨이퍼-타입 발광장치. - 청구항 1에 있어서,
상기 1 이상의 프레임은, 투명재로 만들어짐
을 특징으로 하는 웨이퍼-타입 발광장치. - 청구항 13에 있어서,
상기 투명재는, 에폭시 수지, 실리콘 수지, 폴리이미드 수지, 유리, 석영, 아크릴 수지, 폴리카보네이트 수지, SU-8 레지스트, BCB 레지스트, 또는 파릴렌 수지임
을 특징으로 하는 웨이퍼-타입 발광장치. - 청구항 1에 있어서,
상기 1 이상의 프레임은, 스핀코팅, 딥코팅, 화학 기상증착, 열증착, 및 전자빔 증발 중의 적어도 하나를 이용항 구비됨
을 특징으로 하는 웨이퍼-타입 발광장치. - 청구항 1에 있어서,
상기 1 이상의 프레임은, 싱글 금속층 또는 복수의 금속층임
을 특징으로 하는 웨이퍼-타입 발광장치. - 청구항 1에 있어서,
상기 1 이상의 프레임은, 약 0.1 ㎛ 내지 200 ㎛의 두께를 가짐
을 특징으로 하는 웨이퍼-타입 발광장치. - 청구항 1에 있어서,
상기 1 이상의 파장변환층은, 약 1 ㎛ 내지 200 ㎛의 두께를 가짐
을 특징으로 하는 웨이퍼-타입 발광장치. - 청구항 1에 있어서,
상기 1 이상의 파장변환층 상에 구비되는 광확산층을 더욱 구비함
을 특징으로 하는 웨이퍼-타입 발광장치. - 청구항 1에 있어서,
상기 기판은 불투명임
을 특징으로 하는 웨이퍼-타입 발광장치. - 청구항 20에 있어서,
상기 기판은, 금속, 세라믹, 또는 반도체임
을 특징으로 하는 웨이퍼-타입 발광장치. - 청구항 21에 있어서,
상기 기판과 상기 1 이상의 발광반도체 사이에 구비된 반사층을 더욱 구비함
을 특징으로 하는 웨이퍼-타입 발광장치. - 청구항 1에 있어서,
상기 1 이상의 파장변환층에 인접한 상기 1 이상의 발광반도체의 표면은 조면(粗面)화됨
을 특징으로 하는 웨이퍼-타입 발광장치. - 청구항 1에 있어서,
상기 1 이상의 파장변환층은 열처리됨
을 특징으로 하는 웨이퍼-타입 발광장치. - 청구항 24에 있어서,
상기 열처리온도는, 약 60℃ 내지 300℃ 사이임
을 특징으로 하는 웨이퍼-타입 발광장치. - 청구항 1에 있어서,
상기 1 이상의 발광반도체는,
상기 기판 상에 형성된 p-타입 반도체층;
상기 p-타입 반도체층 상에 구비된 액티베이션층; 및
상기 액티베이션층 상에 구비된 n-타입 반도체층
을 포함함을 특징으로 하는 웨이퍼-타입 발광장치. - 청구항 1에 있어서,
상기 1 이상의 파장변환층은, 상기 1 이상의 프레임의 일부를 에워쌈
을 특징으로 하는 웨이퍼-타입 발광장치. - 청구항 2에 있어서,
상기 1 이상의 파장변환층은, 상기 1 이상의 발광반도체의 측부를 에워쌈
을 특징으로 하는 웨이퍼-타입 발광장치.
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