WO2014103500A1 - 表示装置、表示装置の駆動方法、及び、電子機器 - Google Patents

Abstract

非発光期間では発光部を確実に非発光の状態に制御することが可能な表示装置、その駆動方法、及び、当該表示装置を有する電子機器を提供することを目的とする。発光部を駆動するＰチャネル型の駆動トランジスタ、信号電位をサンプリングするサンプリングトランジスタ、発光部の発光／非発光を制御する発光制御トランジスタ、駆動トランジスタのゲート電極とソース電極との間に接続され、サンプリングトランジスタによってサンプリングされて書き込まれた信号電位を保持する保持容量、及び、駆動トランジスタのソース電極と固定電位のノードとの間に接続された補助容量を有する画素回路が配置されて成る表示装置において、発光部の非発光期間に駆動トランジスタに流れる電流を所定のノードに流し込む電流経路を備える。

Description

表示装置、表示装置の駆動方法、及び、電子機器

　本開示は、表示装置、表示装置の駆動方法、及び、電子機器に関し、特に、発光部を含む画素が行列状(マトリクス状)に配置されて成る平面型(フラットパネル型)の表示装置、当該表示装置の駆動方法、及び、当該表示装置を有する電子機器に関する。

　平面型の表示装置の一つとして、発光部（発光素子）に流れる電流値に応じて発光輝度が変化する、所謂、電流駆動型の電気光学素子を画素の発光部として用いる表示装置がある。電流駆動型の電気光学素子としては、例えば、有機材料のエレクトロルミネッセンス（Electro Luminescence：ＥＬ）を利用し、有機薄膜に電界をかけると発光する現象を用いた有機ＥＬ素子が知られている。

　この有機ＥＬ表示装置に代表される平面型の表示装置には、画素回路が発光部を駆動する駆動トランジスタとして、Ｐチャネル型のトランジスタを用いるとともに、当該駆動トランジスタの閾値電圧や移動度のばらつきを補正する機能を有するものがある。この画素回路は、駆動トランジスタの他に、サンプリングトランジスタ、スイッチングトランジスタ、保持容量、及び、補助容量を有する構成となっている（例えば、特許文献１参照）。

特開２００８－２８７１４１号公報

　上記の従来例に係る表示装置において、閾値電圧の補正準備期間から閾値補正期間にかけての動作点に着目すると、非発光期間であるにも拘わらず、発光部のアノード電位が当該発光部の閾値電圧を超えてしまう。これにより、非発光期間であるにも拘わらず、信号電圧の階調に依らず毎フレーム、一定輝度で発光部が発光してしまうため、表示パネルのコントラストの低下を招く要因となっていた。

　本開示は、非発光期間では発光部を確実に非発光の状態に制御することが可能な表示装置、当該表示装置の駆動方法、及び、当該表示装置を有する電子機器を提供することを目的とする。

　上記の目的を達成するための本開示の表示装置は、
　発光部を駆動するＰチャネル型の駆動トランジスタ、
　信号電圧をサンプリングするサンプリングトランジスタ、
　発光部の発光／非発光を制御する発光制御トランジスタ、
　駆動トランジスタのゲート電極とソース電極との間に接続され、サンプリングトランジスタによるサンプリングによって書き込まれた信号電圧を保持する保持容量、及び、
　駆動トランジスタのソース電極と固定電位のノードとの間に接続された補助容量を有する画素回路が配置されて成り、
　発光部の非発光期間に駆動トランジスタに流れる電流を所定のノードに流し込む電流経路を備える表示装置である。

　上記の目的を達成するための本開示の表示装置の駆動方法は、
　発光部を駆動するＰチャネル型の駆動トランジスタ、
　信号電圧をサンプリングするサンプリングトランジスタ、
　発光部の発光／非発光を制御する発光制御トランジスタ、
　駆動トランジスタのゲート電極とソース電極との間に接続され、サンプリングトランジスタによるサンプリングによって書き込まれた信号電圧を保持する保持容量、及び、
　駆動トランジスタのソース電極と固定電位のノードとの間に接続された補助容量を有する画素回路が配置されて成る表示装置の駆動に当たって、
　発光部の非発光期間に駆動トランジスタに流れる電流を所定のノードに流し込むようにする表示装置の駆動方法である。

　上記の目的を達成するための本開示の電子機器は、
　発光部を駆動するＰチャネル型の駆動トランジスタ、
　信号電圧をサンプリングするサンプリングトランジスタ、
　発光部の発光／非発光を制御する発光制御トランジスタ、
　駆動トランジスタのゲート電極とソース電極との間に接続され、サンプリングトランジスタによるサンプリングによって書き込まれた信号電圧を保持する保持容量、及び、
　駆動トランジスタのソース電極と固定電位のノードとの間に接続された補助容量を有する画素回路が配置されて成り、
　発光部の非発光期間に駆動トランジスタに流れる電流を所定のノードに流し込む電流経路を備える表示装置を有する電子機器である。

　発光部の非発光期間であるにも拘わらず、発光部のアノード電位が当該発光部の閾値電圧を超えてしまったとしても、駆動トランジスタに流れる電流を所定のノードに流し込むことで、発光部には電流が流れ込まないようにすることができる。これにより、非発光期間において、発光部が発光するのを抑制することができる。

　本開示によれば、非発光期間では発光部を確実に非発光の状態に制御し、非発光期間における発光部の発光を抑制することができるため、表示パネルの高コントラスト化を図ることができる。

図１は、本開示の前提となるアクティブマトリクス型表示装置の基本的な構成の概略を示すシステム構成図である。 図２は、本開示の前提となるアクティブマトリクス型表示装置における画素（画素回路）の回路例を示す回路図である。 図３は、本開示の前提となるアクティブマトリクス型表示装置の回路動作を説明するためのタイミング波形図である。 図４は、実施例１に係る画素（画素回路）の回路例を示す回路図である。 図５は、実施例１に係る画素を備えるアクティブマトリクス型表示装置の回路動作を説明するためのタイミング波形図である。 図６は、実施例２に係る画素（画素回路）の回路例及び当該画素を備えるアクティブマトリクス型表示装置の構成の概略を示す図である。 図７は、実施例２に係る画素を備えるアクティブマトリクス型表示装置の回路動作を説明するためのタイミング波形図である。 図８は、実施例３に係るアクティブマトリクス型表示装置の回路動作を説明するためのタイミング波形図である。 図９は、実施例４に係るアクティブマトリクス型表示装置の回路動作を説明するためのタイミング波形図である。 図１０は、発光期間に入る前の発光遷移期間に着目したタイミング波形図である。 図１１は、駆動トランジスタのゲート電極とドレイン電極との間に存在する寄生容量Ｃ_pを含む画素（画素回路）を示す回路図である。 図１２Ａは、有機ＥＬ素子の劣化前と劣化後のＩ－Ｖ特性を示す図であり、図１２Ｂは、有機ＥＬ素子の劣化前と劣化後のＩ－Ｌ特性を示す図である。 図１３は、焼き付き前後での発光遷移期間に着目したタイミング波形図である。 図１４は、長時間使用した有機ＥＬ素子の劣化前後での発光遷移期間に着目したタイミング波形図である。

　以下、本開示の技術を実施するための形態（以下、「実施形態」と記述する）について図面を用いて詳細に説明する。本開示は実施形態に限定されるものではない。以下の説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。尚、説明は以下の順序で行う。
１．本開示の表示装置、表示装置の駆動方法、及び、電子機器、全般に関する説明
２．本開示の前提となるアクティブマトリクス型表示装置
　　２－１．システム構成
　　２－２．画素回路
　　２－３．基本的な回路動作
　　２－４．閾値補正準備期間～閾値補正期間での不具合について
３．実施形態の説明
　　３－１．実施例１
　　３－２．実施例２
　　３－３．実施例３
　　３－４．実施例４
４．適用例
５．電子機器

＜１．本開示の表示装置、表示装置の駆動方法、及び、電子機器、全般に関する説明＞
　本開示の表示装置は、発光部を駆動するＰチャネル型の駆動トランジスタの他に、サンプリングトランジスタ、発光制御トランジスタ、保持容量、及び、補助容量を有する画素回路が配置されて成る平面型（フラットパネル型）の表示装置である。

　上記の画素回路において、サンプリングトランジスタは信号電圧をサンプリングすることによって保持容量に書き込む。発光制御トランジスタは、発光部の発光／非発光を制御する。保持容量は、駆動トランジスタのゲート電極とソース電極との間に接続され、サンプリングトランジスタによるサンプリングによって書き込まれた信号電圧を保持する。補助容量は、駆動トランジスタのソース電極と固定電位のノードとの間に接続されている。

　平面型の表示装置としては、有機ＥＬ表示装置、液晶表示装置、プラズマ表示装置などを例示することができる。これらの表示装置のうち、有機ＥＬ表示装置は、有機材料のエレクトロルミネッセンスを利用し、有機薄膜に電界をかけると発光する現象を用いた有機ＥＬ素子を画素の発光素子（電気光学素子）として用いている。

　画素の発光部として有機ＥＬ素子を用いた有機ＥＬ表示装置は次のような特長を持っている。すなわち、有機ＥＬ素子が１０Ｖ以下の印加電圧で駆動できるために、有機ＥＬ表示装置は低消費電力である。有機ＥＬ素子が自発光型の素子であるために、有機ＥＬ表示装置は、同じ平面型の表示装置である液晶表示装置に比べて、画像の視認性が高く、しかも、バックライト等の照明部材を必要としないために軽量化及び薄型化が容易である。更に、有機ＥＬ素子の応答速度が数ｕｓｅｃ程度と非常に高速であるために、有機ＥＬ表示装置は動画表示時の残像が発生しない。

　有機ＥＬ素子は、自発光型の素子であるとともに、電流駆動型の電気光学素子である。電流駆動型の電気光学素子としては、有機ＥＬ素子の他に、無機ＥＬ素子、ＬＥＤ素子、半導体レーザー素子などを例示することができる。

　有機ＥＬ表示装置等の平面型の表示装置は、表示部を備える各種の電子機器において、その表示部（表示装置）として用いることができる。各種の電子機器としては、ヘッドマウントディスプレイ、デジタルカメラ、テレビジョンシステムの他、デジタルカメラ、ビデオカメラ、ゲーム機、ノート型パーソナルコンピュータ、電子書籍等の携帯情報機器、ＰＤＡ（Personal Digital Assistant）や携帯電話機等の携帯通信機器などを例示することができる。

　本開示の技術では、駆動トランジスタとしてＰチャネル型のトランジスタを用いることを前提としている。駆動トランジスタとして、Ｎチャネル型のトランジスタではなく、Ｐチャネル型のトランジスタを用いるのは次の理由による。

　トランジスタをガラス基板のような絶縁体上ではなく、シリコンのような半導体上に形成する場合を想定すると、トランジスタは、ソース／ゲート／ドレインの３端子ではなく、ソース／ゲート／ドレイン／バックゲート（ベース）の４端子となる。そして、駆動トランジスタとしてＮチャネル型のトランジスタを用いた場合、バックゲート（基板）電位が０Ｖとなり、駆動トランジスタの閾値電圧の画素毎のばらつきを補正する動作などに悪影響を及ぼすことになる。

　また、トランジスタの特性ばらつきは、ＬＤＤ(Lightly Doped Drain)領域を持つＮチャネル型のトランジスタに比べて、ＬＤＤ領域を持たないＰチャネル型のトランジスタの方が小さく、画素の微細化、ひいては、表示装置の高精細化を図る上で有利である。このような理由などから、シリコンのような半導体上への形成を想定した場合、駆動トランジスタとして、Ｎチャネル型のトランジスタではなく、Ｐチャネル型のトランジスタを用いるのが好ましい。

　このように、駆動トランジスタとしてＰチャネル型のトランジスタを用いる表示装置において、本開示の技術は、発光部の非発光期間に駆動トランジスタに流れる電流を所定のノードに流し込む電流経路を備える、あるいは、発光部の非発光期間に駆動トランジスタに流れる電流を所定のノードに流し込むようにする構成を採ることを特徴としている。

　上述した好ましい構成を含む本開示の表示装置、表示装置の駆動方法、及び、電子機器にあっては、電流経路について、駆動トランジスタに流れる電流を発光部のカソード電極のノードに流し込む構成とすることができる。このとき、電流経路について、駆動トランジスタのドレイン電極と発光部のカソード電極のノードとの間にスイッチングトランジスタを接続し、当該スイッチングトランジスタを発光部の非発光期間に導通状態にする構成とすることができる。

　また、上述した好ましい構成を含む本開示の表示装置、表示装置の駆動方法、及び、電子機器にあっては、スイッチングトランジスタについて、サンプリングトランジスタを駆動する信号によって駆動する構成とすることができる。このとき、発光部の発光期間について、発光制御トランジスタを駆動する信号がアクティブになるタイミングから、サンプリングトランジスタを駆動する信号がアクティブになるタイミングまでの期間として設定する構成とすることができる。換言すれば、発光部の消光開始を、サンプリングトランジスタを駆動する信号がアクティブになるタイミングで決める構成とすることができる。

　あるいは又、上述した好ましい構成を含む本開示の表示装置、表示装置の駆動方法、及び、電子機器にあっては、スイッチングトランジスタについて、サンプリングトランジスタを駆動する信号とは異なる信号によって駆動する構成とすることができる。このとき、発光部の発光期間について、発光制御トランジスタを駆動する信号がアクティブになるタイミングから、サンプリングトランジスタを駆動する信号がアクティブになるタイミングまでの期間として、あるいは、発光制御トランジスタを駆動する信号がアクティブになるタイミングから、スイッチングトランジスタを駆動する信号がアクティブになるタイミングまでの期間として設定することができる。換言すれば、発光部の消光開始を、サンプリングトランジスタを駆動する信号、あるいは、スイッチングトランジスタを駆動する信号がアクティブになるタイミングで決める構成とすることができる。

　また、上述した好ましい構成を含む本開示の表示装置、表示装置の駆動方法、及び、電子機器にあっては、スイッチングトランジスタを駆動する信号について、サンプリングトランジスタによる信号電圧の書込み期間に入る前に非アクティブ状態となる構成とすることができる。これにより、スイッチングトランジスタは、信号電圧の書込み期間に入る前に非導通状態となり、電流経路を遮断することとなる。

　また、上述した好ましい構成を含む本開示の表示装置、表示装置の駆動方法、及び、電子機器にあっては、サンプリングトランジスタ、発光制御トランジスタ、及び、スイッチングトランジスタについて、駆動トランジスタと同じＰチャネル型のトランジスタから成る構成とすることができる。

　また、上述した好ましい構成を含む本開示の表示装置、表示装置の駆動方法、及び、電子機器にあっては、画素回路について、駆動トランジスタのゲート電位の初期化電圧を基準として当該初期化電圧から駆動トランジスタの閾値電圧を減じた電位に向けて、駆動トランジスタのソース電位を変化させる動作を行う構成とすることができる。

　また、上述した好ましい構成を含む本開示の表示装置、表示装置の駆動方法、及び、電子機器にあっては、画素回路について、サンプリングトランジスタによって信号電圧を書き込む期間において、駆動トランジスタに流れる電流に応じた帰還量で保持容量に対して負帰還をかける動作を行う構成とすることができる。

＜２．本開示の前提となるアクティブマトリクス型表示装置＞
［２－１．システム構成］
　図１は、本開示の前提となるアクティブマトリクス型表示装置の基本的な構成の概略を示すシステム構成図である。本開示の前提となるアクティブマトリクス型表示装置は、特許文献１に記載の従来例に係るアクティブマトリクス型表示装置でもある。

　アクティブマトリクス型表示装置は、電気光学素子に流れる電流を、当該電気光学素子と同じ画素回路内に設けた能動素子、例えば絶縁ゲート型電界効果トランジスタによって制御する表示装置である。絶縁ゲート型電界効果トランジスタとしては、典型的には、ＴＦＴ（Thin Film Transistor；薄膜トランジスタ）を例示することができる。

　ここでは、一例として、デバイスに流れる電流値に応じて発光輝度が変化する電流駆動型の電気光学素子である例えば有機ＥＬ素子を、画素回路の発光部（発光素子）として用いるアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置の場合を例に挙げて説明するものとする。以下では、「画素回路」を単に「画素」と記述する場合もある。

　図１に示すように、本開示の前提となる有機ＥＬ表示装置１０は、有機ＥＬ素子を含む複数の画素２０が行列状に２次元配置されて成る画素アレイ部３０と、当該画素アレイ部３０の周辺に配置される駆動回路部（駆動部）とを有する構成となっている。駆動回路部は、例えば、画素アレイ部３０と同じ表示パネル７０上に搭載された書込み走査部４０、駆動走査部５０、及び、信号出力部６０等から成り、画素アレイ部３０の各画素２０を駆動する。尚、書込み走査部４０、駆動走査部５０、及び、信号出力部６０のいくつか、あるいは全部を表示パネル７０外に設ける構成を採ることも可能である。

　ここで、有機ＥＬ表示装置１０がカラー表示対応の場合は、カラー画像を形成する単位となる１つの画素（単位画素／ピクセル）は複数の副画素（サブピクセル）から構成される。このとき、副画素の各々が図１の画素２０に相当することになる。より具体的には、カラー表示対応の表示装置では、１つの画素は、例えば、赤色（Ｒｅｄ；Ｒ）光を発光する副画素、緑色（Ｇｒｅｅｎ；Ｇ）光を発光する副画素、青色（Ｂｌｕｅ；Ｂ）光を発光する副画素の３つの副画素から構成される。

　但し、１つの画素としては、ＲＧＢの３原色の副画素の組み合わせに限られるものではなく、３原色の副画素に更に１色あるいは複数色の副画素を加えて１つの画素を構成することも可能である。より具体的には、例えば、輝度向上のために白色（Ｗｈｉｔｅ；Ｗ）光を発光する副画素を加えて１つの画素を構成したり、色再現範囲を拡大するために補色光を発光する少なくとも１つの副画素を加えて１つの画素を構成したりすることも可能である。

　画素アレイ部３０には、ｍ行ｎ列の画素２０の配列に対して、行方向（画素行の画素の配列方向／水平方向）に沿って走査線３１（３１₁～３１_m）と駆動線３２（３２₁～３２_m）とが画素行毎に配線されている。更に、ｍ行ｎ列の画素２０の配列に対して、列方向（画素列の画素の配列方向／垂直方向）に沿って信号線３３（３３₁～３３_n）が画素列毎に配線されている。

　走査線３１₁～３１_mは、書込み走査部４０の対応する行の出力端にそれぞれ接続されている。駆動線３２₁～３２_mは、駆動走査部５０の対応する行の出力端にそれぞれ接続されている。信号線３３₁～３３_nは、信号出力部６０の対応する列の出力端にそれぞれ接続されている。

　書込み走査部４０は、シフトレジスタ回路等によって構成されている。この書込み走査部４０は、画素アレイ部３０の各画素２０への映像信号の信号電圧の書込みに際して、走査線３１（３１₁～３１_m）に対して書込み走査信号ＷＳ（ＷＳ₁～ＷＳ_m）を順次供給することによって画素アレイ部３０の各画素２０を行単位で順番に走査する、所謂、線順次走査を行う。

　駆動走査部５０は、書込み走査部４０と同様に、シフトレジスタ回路等によって構成されている。この駆動走査部５０は、書込み走査部４０による線順次走査に同期して、駆動線３２（３２₁～３２_m）に対して発光制御信号ＤＳ（ＤＳ₁～ＤＳ_m）を供給することによって画素２０の発光／非発光（消光）の制御を行う。

　信号出力部６０は、信号供給源（図示せず）から供給される輝度情報に応じた映像信号の信号電圧（以下、単に「信号電圧」と記述する場合もある）Ｖ_sigと第１基準電圧Ｖ_refと第２基準電圧Ｖ_ofsとを選択的に出力する。ここで、第１基準電圧Ｖ_refは、画素２０の発光部（有機ＥＬ素子）を確実に消光させるための基準電圧である。また、第２基準電圧Ｖ_ofsは、映像信号の信号電圧Ｖ_sigの基準となる電圧（例えば、映像信号の黒レベルに相当する電圧）であり、後述する閾値補正動作を行なう際に用いられる。

　信号出力部６０から択一的に出力される信号電圧Ｖ_sig／第１基準電圧Ｖ_ref／第２基準電圧Ｖ_ofsは、信号線３３（３３₁～３３_n）を介して画素アレイ部３０の各画素２０に対して、書込み走査部４０による走査によって選択された画素行の単位で書き込まれる。すなわち、信号出力部６０は、信号電圧Ｖ_sigを行（ライン）単位で書き込む線順次書込みの駆動形態を採っている。

［２－２．画素回路］
　図２は、本開示の前提となるアクティブマトリクス型表示装置、即ち、従来例に係るアクティブマトリクス型表示装置における画素（画素回路）の回路例を示す回路図である。画素２０_Aの発光部は、有機ＥＬ素子２１から成る。有機ＥＬ素子２１は、デバイスに流れる電流値に応じて発光輝度が変化する電流駆動型の電気光学素子の一例である。

　図２に示すように、画素２０_Aは、有機ＥＬ素子２１と、有機ＥＬ素子２１に電流を流すことによって当該有機ＥＬ素子２１を駆動する駆動回路とによって構成されている。有機ＥＬ素子２１は、全ての画素２０に対して共通に配線された共通電源線３４にカソード電極が接続されている。

　有機ＥＬ素子２１を駆動する駆動回路は、駆動トランジスタ２２、サンプリングトランジスタ２３、発光制御トランジスタ２４、保持容量２５、及び、補助容量２６を有する構成となっている。尚、ガラス基板のような絶縁体上ではなく、シリコンのような半導体上に形成することを想定し、駆動トランジスタ２２として、Ｐチャネル型のトランジスタを用いることを前提としている。

　また、本例では、駆動トランジスタ２２と同様に、サンプリングトランジスタ２３及び発光制御トランジスタ２４についても、半導体上に形成することを想定し、Ｐチャネル型のトランジスタを用いる構成を採っている。従って、駆動トランジスタ２２、サンプリングトランジスタ２３、及び、発光制御トランジスタ２４は、ソース／ゲート／ドレインの３端子ではなく、ソース／ゲート／ドレイン／バックゲートの４端子となっている。バックゲートには電源電圧Ｖ_ccが印加される。

　上記の構成の画素２０_Aにおいて、サンプリングトランジスタ２３は、信号出力部６０から信号線３３を通して供給される信号電圧Ｖ_sigをサンプリングすることによって保持容量２５に書き込む。発光制御トランジスタ２４は、電源電圧Ｖ_ccの電源ノードと駆動トランジスタ２２のソース電極との間に接続され、発光制御信号ＤＳによる駆動の下に、有機ＥＬ素子２１の発光／非発光を制御する。

　保持容量２５は、駆動トランジスタ２２のゲート電極とソース電極との間に接続されている。この保持容量２５は、サンプリングトランジスタ２３によるサンプリングによって書き込まれた信号電圧Ｖ_sigを保持する。駆動トランジスタ２２は、保持容量２５の保持電圧に応じた駆動電流を有機ＥＬ素子２１に流すことによって有機ＥＬ素子２１を駆動する。補助容量２６は、駆動トランジスタ２２のソース電極と、固定電位のノード、例えば、電源電圧_ccの電源ノードとの間に接続されている。この補助容量２６は、信号電圧Ｖ_sigを書き込んだときに駆動トランジスタ２２のソース電位が変動するのを抑制するとともに、駆動トランジスタ２２のゲート－ソース間電圧Ｖ_gsを駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖ_thにする作用を為す。

［２－３．基本的な回路動作］
　続いて、上記構成の本開示の前提となるアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置１０の基本的な回路動作について、図３のタイミング波形図を用いて説明する。

　図３のタイミング波形図には、走査線３１の電位（書込み走査信号）ＷＳ、駆動線３２の電位（発光制御信号）ＤＳ、信号線３３の電位Ｖ_ref／Ｖ_ofs／Ｖ_sig、駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖ_s、ゲート電位Ｖ_g、及び、有機ＥＬ素子２１のアノード電位Ｖ_anoのそれぞれの変化の様子を示している。

　尚、サンプリングトランジスタ２３及び発光制御トランジスタ２４がＰチャネル型であるため、書込み走査信号ＷＳ及び発光制御信号ＤＳの低電位の状態がアクティブ状態となり、高電位の状態が非アクティブ状態となる。そして、サンプリングトランジスタ２３及び発光制御トランジスタ２４は、書込み走査信号ＷＳ及び発光制御信号ＤＳのアクティブ状態で導通状態となり、非アクティブ状態で非導通状態となる。

　画素２０_A、即ち、有機ＥＬ素子２１の発光期間の終了は、走査線３１の電位ＷＳが高電位から低電位に遷移し、サンプリングトランジスタ２３が導通状態になるタイミング（時刻ｔ₈）で定められる。具体的には、信号出力部６０から第１基準電圧Ｖ_refが信号線３３に出力されている状態において、走査線３１の電位ＷＳが高電位から低電位に遷移することで、駆動トランジスタ２２のゲート－ソース間電圧Ｖ_gsが、当該駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖ_th以下になるため、駆動トランジスタ２２がカットオフする。

　駆動トランジスタ２２がカットオフすると、有機ＥＬ素子２１への電流供給の経路が遮断されるため、有機ＥＬ素子２１のアノード電位Ｖ_anoが徐々に低下する。やがて、有機ＥＬ素子２１のアノード電位Ｖ_anoが、有機ＥＬ素子２１の閾値電圧Ｖ_thel以下になると、有機ＥＬ素子２１が完全に消光状態となる。

　時刻ｔ₁で、走査線３１の電位ＷＳが高電位から低電位に遷移することで、サンプリングトランジスタ２３が導通状態になる。このとき、信号出力部６０から信号線３３に第２基準電圧Ｖ_ofsが出力されている状態にあるため、駆動トランジスタ２２のゲート電位Ｖ_gが第２基準電圧Ｖ_ofsになる。

　また、時刻ｔ₁では、駆動線３２の電位ＤＳが低電位の状態にあり、発光制御トランジスタ２４が導通状態にあるため、駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖ_sは電源電圧Ｖ_ccになる。このとき、駆動トランジスタ２２のゲート－ソース間電圧Ｖ_gsは、Ｖ_gs＝Ｖ_ofs－Ｖ_ccとなる。

　ここで、後述する閾値補正動作（閾値補正処理）を行うには、駆動トランジスタ２２のゲート－ソース間電圧Ｖ_gsを、当該駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖ_thよりも大きくしておく必要がある。そのため、｜Ｖ_gs｜＝｜Ｖ_ofs－Ｖ_cc｜＞｜Ｖ_th｜となるように各電圧値が設定されることになる。

　このように、駆動トランジスタ２２のゲート電位Ｖ_gを第２基準電圧Ｖ_ofsに設定し、かつ、駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖ_sを電源電圧Ｖ_ccに設定する初期化動作が、次の閾値補正動作を行う前の準備（閾値補正準備）の動作である。従って、第２基準電圧Ｖ_ofs及び電源電圧Ｖ_ccが、駆動トランジスタ２２のゲート電位Ｖ_g及びソース電位Ｖ_sの各初期化電圧ということになる。

　次に、時刻ｔ₂で、駆動線３２の電位ＤＳが低電位から高電位に遷移し、発光制御トランジスタ２４が非導通状態になると、駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖ_sがフローティングとなり、駆動トランジスタ２２のゲート電位Ｖ_gが第２基準電圧Ｖ_ofsに保たれた状態で閾値補正動作が開始される。すなわち、駆動トランジスタ２２のゲート電位Ｖ_gから閾値電圧Ｖ_thを減じた電位（Ｖ_g－Ｖ_th）に向けて、駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖ_sが下降（低下）を開始する。

　このように、駆動トランジスタ２２のゲート電位Ｖ_gの初期化電圧Ｖ_ofsを基準とし、当該初期化電圧Ｖ_ofsから閾値電圧Ｖ_thを減じた電位（Ｖ_g－Ｖ_th）に向けて駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖ_sを変化させる動作が閾値補正動作となる。この閾値補正動作が進むと、やがて、駆動トランジスタ２２のゲート－ソース間電圧Ｖ_gsが、駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖ_thに収束する。この閾値電圧Ｖ_thに相当する電圧は保持容量２５に保持される。

　そして、時刻ｔ₃で、走査線３１の電位ＷＳが低電位から高電位に遷移し、サンプリングトランジスタ２３が非導通状態になると、閾値補正期間が終了する。その後、時刻ｔ₄で、信号出力部６０から信号線３３に映像信号の信号電圧Ｖ_sigが出力され、信号線３３の電位が第２基準電圧Ｖ_ofsから信号電圧Ｖ_sigに切り替わる。

　次に、時刻ｔ₅で、走査線３１の電位ＷＳが高電位から低電位に遷移することで、サンプリングトランジスタ２３が導通状態になり、信号電圧Ｖ_sigをサンプリングして画素２０_A内に書き込む。このサンプリングトランジスタ２３による信号電圧Ｖ_sigの書込み動作により、駆動トランジスタ２２のゲート電位Ｖ_gが信号電圧Ｖ_sigになる。

　この映像信号の信号電圧Ｖ_sigの書込みの際に、駆動トランジスタ２２のソース電極と電源電圧Ｖ_ccの電源ノードとの間に接続されている補助容量２６は、駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖ_sが変動するのを抑える作用を為す。そして、映像信号の信号電圧Ｖ_sigによる駆動トランジスタ２２の駆動の際に、当該駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖ_thが保持容量２５に保持された閾値電圧Ｖ_thに相当する電圧と相殺される。

　このとき、駆動トランジスタ２２のゲート－ソース間電圧Ｖ_gsが、信号電圧Ｖ_sigに応じて開く（大きくなる）が、駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖ_sは依然としてフローティング状態にある。そのため、保持容量２５の充電電荷は、駆動トランジスタ２２の特性に応じて放電される。そして、このとき駆動トランジスタ２２に流れる電流によって有機ＥＬ素子２１の等価容量Ｃ_elの充電が開始される。

　有機ＥＬ素子２１の等価容量Ｃ_elが充電されることにより、駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖ_sが時間が経過するにつれて徐々に下降していく。このとき既に、駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖ_thの画素毎のばらつきがキャンセルされており、駆動トランジスタ２２のドレイン－ソース間電流Ｉ_dsは当該駆動トランジスタ２２の移動度ｕに依存したものとなる。尚、駆動トランジスタ２２の移動度ｕは、当該駆動トランジスタ２２のチャネルを構成する半導体薄膜の移動度である。

　ここで、駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖ_sの下降分は、保持容量２５の充電電荷を放電するように作用する。換言すれば、駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖ_sの下降分（変化量）は、保持容量２５に対して負帰還がかけられたことになる。従って、駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖ_sの下降分は負帰還の帰還量となる。

　このように、駆動トランジスタ２２に流れるドレイン－ソース間電流Ｉ_dsに応じた帰還量で保持容量２５に対して負帰還をかけることにより、駆動トランジスタ２２のドレイン－ソース間電流Ｉ_dsの移動度ｕに対する依存性を打ち消すことができる。この打ち消す動作（打ち消す処理）が、駆動トランジスタ２２の移動度ｕの画素毎のばらつきを補正する移動度補正動作（移動度補正処理）である。

　より具体的には、駆動トランジスタ２２のゲート電極に書き込まれる映像信号の信号振幅Ｖ_in（＝Ｖ_sig－Ｖ_ofs）が大きい程ドレイン－ソース間電流Ｉ_dsが大きくなるため、負帰還の帰還量の絶対値も大きくなる。従って、映像信号の信号振幅Ｖ_in、即ち、発光輝度レベルに応じた移動度補正処理が行われる。また、映像信号の信号振幅Ｖ_inを一定とした場合、駆動トランジスタ２２の移動度ｕが大きいほど負帰還の帰還量の絶対値も大きくなるため、画素毎の移動度ｕのばらつきを取り除くことができる。

　時刻ｔ₆で、走査線３１の電位ＷＳが低電位から高電位に遷移し、サンプリングトランジスタ２３が非導通状態になることで、信号書込み＆移動度補正期間が終了する。移動度補正を行った後、時刻ｔ₇で、駆動線３２の電位ＤＳが高電位から低電位に遷移することで、発光制御トランジスタ２４が導通状態になる。これにより、電源電圧Ｖ_ccの電源ノードから発光制御トランジスタ２４を通して駆動トランジスタ２２に電流が供給される。

　このとき、サンプリングトランジスタ２３が非導通状態にあることで、駆動トランジスタ２２のゲート電極は信号線３３から電気的に切り離されてフローティング状態にある。ここで、駆動トランジスタ２２のゲート電極がフローティング状態にあるときは、駆動トランジスタ２２のゲート－ソース間に保持容量２５が接続されていることにより、駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖ_sの変動に連動してゲート電位Ｖ_gも変動する。

　すなわち、駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖ_s及びゲート電位Ｖ_gは、保持容量２５に保持されているゲート－ソース間電圧Ｖ_gsを保持したまま上昇する。そして、駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖ_sは、トランジスタの飽和電流に応じた有機ＥＬ素子２１の発光電圧Ｖ_oledまで上昇する。

　このように、駆動トランジスタ２２のゲート電位Ｖ_gがソース電位Ｖ_sの変動に連動して変動する動作がブートストラップ動作である。換言すれば、ブートストラップ動作は、保持容量２５に保持されたゲート－ソース間電圧Ｖ_gs、即ち、保持容量２５の両端間電圧を保持したまま、駆動トランジスタ２２のゲート電位Ｖ_g及びソース電位Ｖ_sが変動する動作である。

　そして、駆動トランジスタ２２のドレイン－ソース間電流Ｉ_dsが有機ＥＬ素子２１に流れ始めることにより、当該電流Ｉ_dsに応じて有機ＥＬ素子２１のアノード電位Ｖ_anoが上昇する。やがて、有機ＥＬ素子２１のアノード電位Ｖ_anoが有機ＥＬ素子２１の閾値電圧Ｖ_thelを超えると、有機ＥＬ素子２１に駆動電流が流れ始めるため、有機ＥＬ素子２１が発光を開始する。

　以上説明した一連の回路動作において、閾値補正準備、閾値補正、信号電圧Ｖ_sigの書込み（信号書込み）、及び、移動度補正の各動作は、例えば１水平期間（１Ｈ）において実行される。

　尚、ここでは、閾値補正処理を１回だけ実行する駆動法を採る場合を例に挙げて説明したが、この駆動法は一例に過ぎず、この駆動法に限られるものではない。例えば、閾値補正を移動度補正及び信号書込みと共に行う１Ｈ期間に加えて、当該１Ｈ期間に先行する複数の水平期間に亘って分割して閾値補正を複数回実行する、所謂、分割閾値補正を行う駆動法を採ることも可能である。

　この分割閾値補正の駆動法によれば、高精細化に伴う多画素化によって１水平期間として割り当てられる時間が短くなったとしても、閾値補正期間として複数の水平期間に亘って十分な時間を確保することができる。従って、１水平期間として割り当てられる時間が短くなっても、閾値補正期間として十分な時間を確保できるため、閾値補正処理を確実に実行できることになる。

［２－４．閾値補正準備期間～閾値補正期間での不具合について］
　ここで、閾値補正準備期間から閾値補正期間（時刻ｔ₁～時刻ｔ₃）にかけての動作点に着目する。先述した動作説明から明らかなように、閾値補正動作を行うには、駆動トランジスタ２２のゲート－ソース間電圧Ｖ_gsを、当該駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖ_thよりも大きくしておく必要がある。

　そのために、駆動トランジスタ２２に電流が流れ、図３のタイミング波形図に示すように、閾値補正準備期間から閾値補正期間の一部にかけて、一時的に有機ＥＬ素子２１のアノード電位Ｖ_anoが当該有機ＥＬ素子２１の閾値電圧Ｖ_thelを超えてしまう。これにより、駆動トランジスタ２２から有機ＥＬ素子２１に電流が流れ込むことになるため、非発光期間であるにも拘わらず、信号電圧Ｖ_sigの階調に依らず毎フレーム、一定輝度で発光部（有機ＥＬ素子２１）が発光してしまう。その結果、表示パネル７０のコントラストの低下を招くことになる。

＜３．実施形態の説明＞
　そこで、本開示の実施形態では、発光部である有機ＥＬ素子２１の非発光期間に、駆動トランジスタ２２に流れる電流を所定のノードに流し込む電流経路を備える構成を採ることを特徴としている。すなわち、当該電流経路を通して、非発光期間に駆動トランジスタ２２に流れる電流を所定のノードに強制的に流し込むようにする。

　上記の構成を採ることにより、有機ＥＬ素子２１の非発光期間において、駆動トランジスタ２２に電流が流れたとしても、駆動トランジスタ２２に流れる電流を所定のノードに流し込むことで、有機ＥＬ素子２１には流れ込まないようにすることができる。これにより、非発光期間において、有機ＥＬ素子２１が発光するのを抑制することができるため、表示パネル７０の高コントラスト化を図ることができる。

　以下に、非発光期間における有機ＥＬ素子２１の発光を抑制するための具体的な実施例について説明する。

［３－１．実施例１］
　図４は、実施例１に係る画素（画素回路）の回路例を示す回路図であり、図中、図２と同一要素又は同一機能を有する要素には同一符号を付して示している。

　図４に示すように、実施例１に係る画素２０_Bは、有機ＥＬ素子２１を駆動する回路を構成する回路素子、即ち、駆動トランジスタ２２、サンプリングトランジスタ２３、発光制御トランジスタ２４、保持容量２５、及び、補助容量２６に加えて、電流経路８０を備える構成となっている。

　電流経路８０は、有機ＥＬ素子２１の非発光期間に、駆動トランジスタ２２に流れる電流を所定のノード、例えば、有機ＥＬ素子２１のカソード電極が接続された共通電源線３４に流し込むためのものである。この電流経路８０は、スイッチ素子、例えばスイッチングトランジスタ２７によって構成されている。スイッチングトランジスタ２７は、駆動トランジスタ２２のドレイン電極と有機ＥＬ素子２１のアノード電極との共通接続ノードと、所定のノードの一例である共通電源線３４との間に接続されている。

　スイッチングトランジスタ２７は、駆動トランジスタ２２、サンプリングトランジスタ２３、及び、発光制御トランジスタ２４と同じ導電型であるＰチャネル型のトランジスタから成り、ゲート電極が走査線３１に接続されている。すなわち、スイッチングトランジスタ２７は、書込み走査部４０から走査線３１を通して与えられる書込み走査信号ＷＳによる駆動の下に、サンプリングトランジスタ２３の導通動作に同期して導通状態になる構成となっている。

　上記の構成の実施例１に係る画素２０_Bを備えるアクティブマトリクス型表示装置の基本的な回路動作は、閾値補正準備期間から閾値補正期間にかけての回路動作を除いては、先述した本開示の前提となるアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置１０の場合と同じである。

　ここで、本開示の前提となるアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置１０の場合と異なる回路動作、即ち、閾値補正準備期間から閾値補正期間にかけての回路動作を中心に、図５のタイミング波形図を用いて説明する。図５は、実施例１に係る画素を備えるアクティブマトリクス型表示装置の回路動作を説明するためのタイミング波形図である。

　時刻ｔ₁で、走査線３１の電位ＷＳが高電位から低電位に遷移することにより、サンプリングトランジスタ２３が導通状態になる。このとき、信号線３３の電位が第２基準電圧Ｖ_ofsであるため、駆動トランジスタ２２のゲート電位Ｖ_gが第２基準電圧Ｖ_ofsになり、また、発光制御トランジスタ２４が導通状態にあるため、駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖ_sが電源電圧Ｖ_ccになる。

　すなわち、駆動線３２の電位ＤＳが低電位の状態において、走査線３１の電位ＷＳが高電位から低電位に遷移することで、駆動トランジスタ２２のゲート電位Ｖ_gを第２基準電圧Ｖ_ofsに、ソース電位Ｖ_sを電源電圧Ｖ_ccにそれぞれ初期化する閾値補正準備の動作が行われる。

　この閾値補正準備の動作、即ち、駆動トランジスタ２２のゲート電位Ｖ_g及びソース電位Ｖ_sを初期化する動作により、駆動トランジスタ２２のゲート－ソース間電圧Ｖ_gsが、当該駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖ_thよりも大きくなる。これは、駆動トランジスタ２２のゲート－ソース間電圧Ｖ_gsを、当該駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖ_thよりも大きくしておかなければ、閾値補正動作を正常に行うことができないからである。

　上記の初期化動作が行われると、有機ＥＬ素子２１の非発光期間であるにも拘わらず、有機ＥＬ素子２１のアノード電位Ｖ_anoが当該有機ＥＬ素子２１の閾値電圧を超えてしまうため、駆動トランジスタ２２から有機ＥＬ素子２１に電流が流れ込む。すると、先述したように、有機ＥＬ素子２１の非発光期間であるにも拘わらず、信号電圧Ｖ_sigの階調に依らず毎フレーム、一定輝度で有機ＥＬ素子２１が発光することになる。これが従来技術の問題点でもある。

　これに対し、実施例１に係る画素２０_Bにあっては、時刻ｔ₁で、走査線３１の電位ＷＳが高電位から低電位に遷移することにより、電流経路８０のスイッチングトランジスタ２７が導通状態となる。これにより、スイッチングトランジスタ２７を介して、有機ＥＬ素子２１のアノード電極と共通電源線３４との間が電気的に短絡される。ここで、スイッチングトランジスタ２７のオン抵抗は、有機ＥＬ素子２１に比べて非常に小さい。従って、駆動トランジスタ２２に流れる電流を共通電源線３４に強制的に流し込むことが可能になる。

　このように、有機ＥＬ素子２１の非発光期間において、閾値補正準備の動作である初期化動作に起因して駆動トランジスタ２２に流れる電流を、共通電源線３４に強制的に流し込むことにより、有機ＥＬ素子２１に電流が流れ込まないようにすることができる。これにより、非発光期間では有機ＥＬ素子２１を確実に非発光の状態に制御し、非発光期間における有機ＥＬ素子２１の発光を抑制することができるため、表示パネル７０の高コントラスト化を図ることができる。

　また、有機ＥＬ素子２１のアノード電極と共通電源線３４との間を短絡する構成を採ることにより、有機ＥＬ素子２１のアノード電位Ｖ_anoが、共通電源線３４の電位、即ち、有機ＥＬ素子２１のカソード電位Ｖ_cathとなる。これにより、閾値補正動作時の駆動トランジスタ２２のドレイン－ソース間電圧が、有機ＥＬ素子２１のアノード電極と共通電源線３４との間を短絡しない場合に比べて大きくなる。

　つまり、閾値補正動作時に駆動トランジスタ２２が流す電流値が、有機ＥＬ素子２１のアノード電極と共通電源線３４との間を短絡しない場合に比べて大きくなるため、閾値補正動作をより高速に行うことができる。その結果、駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖ_thの画素毎のばらつきをより確実に補正できるとともに、駆動タイミングのマージンの増加にも寄与できる。

　また、実施例１に係る画素２０_Bでは、サンプリングトランジスタ２３を駆動する書込み走査信号ＷＳを、スイッチングトランジスタ２７の駆動信号に兼用する構成を採っている。そのため、画素アレイ部３０の回路規模を増大させることなく、所期の目的を達成することができる。すなわち、スイッチングトランジスタ２７の駆動信号を生成する走査部及び当該駆動信号を伝送する配線を追加する必要が無く、画素アレイ部３０にスイッチングトランジスタ２７を追加するだけの簡単な構成で、非発光期間における有機ＥＬ素子２１の発光を抑制する制御を行うことができる。

　尚、実施例１に係る画素２０_Bでは、図５のタイミング波形図から明らかなように、発光期間は、発光制御トランジスタ２４を駆動する発光制御信号ＤＳがアクティブ状態になる時刻ｔ₇から、サンプリングトランジスタ２３を駆動する書込み走査信号ＷＳがアクティブ状態になる時刻ｔ₈までの期間として設定される。従って、消光開始は、書込み走査信号ＷＳがアクティブ状態になるタイミング（時刻ｔ₈）で決まることになる。

［３－２．実施例２］
　図６は、実施例２に係る画素（画素回路）の回路例を示す回路図であり、図中、図２と同一要素又は同一機能を有する要素には同一符号を付して示している。

　図６に示すように、実施例２に係る画素２０_Cも、実施例１に係る画素２０_Bと同様に、電流経路８０が、駆動トランジスタ２２のドレイン電極と有機ＥＬ素子２１のアノード電極との共通接続ノードと、共通電源線３４のノードとの間に接続されたスイッチングトランジスタ２７から成る構成となっている。

　但し、実施例１に係る画素２０_Bでは、サンプリングトランジスタ２３を駆動する書込み走査信号ＷＳを、スイッチングトランジスタ２７の駆動信号に兼用する構成を採っている。これに対し、実施例２に係る画素２０_Cでは、書込み走査信号ＷＳとは異なる信号をスイッチングトランジスタ２７の駆動信号として用いる構成を採っている。

　具体的には、画素アレイ部３０の周辺回路として、書込み走査信号ＷＳを出力する書込み走査部４０及び発光制御信号ＤＳを出力する第１駆動走査部５０に加えて、駆動信号ＡＺを出力する第２駆動走査部９０を新たに設けている。そして、第２駆動走査部９０から出力される駆動信号ＡＺを、駆動線３５を通してスイッチングトランジスタ２７のゲート電極に与えるようにしている。

　スイッチングトランジスタ２７を駆動する駆動信号ＡＺは、有機ＥＬ素子２１の発光期間を含むその前後の期間において非アクティブ（高電位）状態となり、それ以外の期間ではアクティブ（低電位）状態となる信号である。具体的には、図７のタイミング波形図に示すように、駆動信号ＡＺは、時刻ｔ₆と時刻ｔ₇の間の時刻ｔ₁₁から、時刻ｔ₈以降の時刻ｔ₁₂までの期間だけ非アクティブ状態となる。

　実施例１に係る画素２０_Bのように、書込み走査信号ＷＳでスイッチングトランジスタ２７を駆動する構成を採った場合、書込み走査信号ＷＳのアクティブ期間内に閾値補正動作が完了しないときに不具合が生じる懸念がある。すなわち、書込み走査信号ＷＳのアクティブ期間内に駆動トランジスタ２２のゲート－ソース間電圧Ｖ_gsが閾値電圧Ｖ_thに収束しないと、スイッチングトランジスタ２７が導通状態から非導通状態に移行した後に、駆動トランジスタ２２から有機ＥＬ素子２１に電流が流れ、当該有機ＥＬ素子２１が発光してしまう。

　これに対し、実施例２に係る画素２０_Cにあっては、書込み走査信号ＷＳとは異なる駆動信号ＡＺをスイッチングトランジスタ２７の駆動信号として用いることで、当該駆動信号ＡＺのアクティブ期間を任意に設定可能となる。そして、駆動信号ＡＺを、閾値補正期間以降、即ち、時刻ｔ₃以降もアクティブ状態となる信号（波形）にすることで、閾値補正期間内に閾値補正動作が完了しないときでも、スイッチングトランジスタ２７の作用によって、有機ＥＬ素子２１に電流が流れないようにすることができる。

　尚、実施例２の場合には、駆動信号ＡＺが、時刻ｔ₆と時刻ｔ₇の間の時刻ｔ₁₁から、時刻ｔ₈以降の時刻ｔ₁₂までの期間だけ非アクティブ状態となる信号であることから、消光開始は、書込み走査信号ＷＳがアクティブ状態となるタイミング（時刻ｔ₈）で決まることになる。

［３－３．実施例３］
　実施例３は、画素２０の回路構成の点、及び、スイッチングトランジスタ２７の駆動信号として駆動信号ＡＺを用いる点で実施例２と同じであり、実施例２とは、駆動信号ＡＺの波形（タイミング関係）の点で異なっている。具体的には、図８のタイミング波形図に示すように、駆動信号ＡＺは、時刻ｔ₆と時刻ｔ₇の間の時刻ｔ₂₁から、時刻ｔ₈よりも前の時刻ｔ₂₂までの期間だけ非アクティブ状態となる信号となっている。

　このような波形の駆動信号ＡＺを、スイッチングトランジスタ２７の駆動信号として用いた場合であっても、実施例２の場合と同様の作用、効果を得ることができる。すなわち、閾値補正期間内に閾値補正動作が完了しないような場合でも、スイッチングトランジスタ２７の作用によって、有機ＥＬ素子２１に電流が流れないようにすることができる。

　尚、実施例３の場合には、駆動信号ＡＺが、時刻ｔ₆と時刻ｔ₇の間の時刻ｔ₂₁から、時刻ｔ₈よりも前の時刻ｔ₂₂までの期間だけ非アクティブ状態となる信号であることから、消光開始は、駆動信号ＡＺがアクティブ状態となるタイミング（時刻ｔ₂₂）で決まることになる。換言すれば、発光期間は、発光制御トランジスタ２４を駆動する発光制御信号ＤＳがアクティブ状態になる時刻ｔ₇から、スイッチングトランジスタ２７を駆動する駆動信号ＡＺがアクティブ状態になる時刻ｔ₂₂までの期間として設定される。

［３－４．実施例４］
　実施例４は、実施例３の場合と同様に、画素２０の回路構成の点、及び、スイッチングトランジスタ２７の駆動信号として駆動信号ＡＺを用いる点で実施例２と同じである。そして、実施例２とは、駆動信号ＡＺの波形（タイミング関係）の点で異なっている。具体的には、図９のタイミング波形図に示すように、信号書込み期間に入る時刻ｔ₅よりも前に駆動信号ＡＺが非アクティブ状態となる、換言すれば、スイッチングトランジスタ２７が非導通状態となるタイミング関係となっている。駆動信号ＡＺがアクティブ状態となるタイミングについては、実施例２の場合のように、書込み走査信号ＷＳがアクティブ状態となる時刻ｔ₈よりも後であってもよいし、実施例３の場合のように、時刻ｔ₈よりも前であってもよい。

　駆動信号ＡＺについて、信号書込み期間に入る前に非アクティブ状態とするタイミング関係をとる実施例４は、実施例２の場合と同様の作用、効果に加えて、表示パネル７０の焼き付き悪化（劣化）を抑制することができる、という作用、効果をえることができる。ここで、「焼き付き」とは、一般的に、表示パネル７０を構成する発光素子の輝度が部分的に劣化する現象のことを言う。

　表示パネル７０を構成する発光素子（本例では、有機ＥＬ素子２１）は、その発光量と発光時間に比例して劣化する特性がある。一方で、表示パネル７０によって表示される画像の内容は一様ではない。このため、例えば時刻表示のように、固定パターンが繰り返し表示される場合などでは、特定の表示領域の発光素子の劣化が進行しやすい。そして、劣化が進行した特定の表示領域の発光素子の輝度は、他の表示領域の発光素子の輝度に比べて相対的に低下し、輝度ムラとして現れる。この局所的な発光素子の輝度劣化が焼き付き悪化（劣化）ということになる。

　ここで、発光期間に入る前の発光遷移期間の動作について説明する。発光遷移期間に着目したタイミング波形図を図１０に示す。図１０には、発光制御信号ＤＳ、書込み走査信号ＷＳ、駆動信号ＡＺ、駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖ_s、ゲート電位Ｖ_g、有機ＥＬ素子２１のアノード電位Ｖ_ano、及び、駆動トランジスタ２２のドレイン－ソース間電流Ｉ_dsのそれぞれの変化の様子を示している。

　尚、図１０のタイミング波形図では、発光制御信号ＤＳがアクティブ状態になる時刻ｔ₇の後に、駆動信号ＡＺが非アクティブ状態となるタイミング関係となっている。そして、時刻ｔ₁₁で駆動信号ＡＺが非アクティブ状態となり、スイッチングトランジスタ２７が非導通状態となることで、駆動トランジスタ２２から有機ＥＬ素子２１への電流供給が開始され、発光遷移期間へ入る。

　ところで、実際の表示パネル７０においては、図１１に示すように、駆動トランジスタ２２のゲート電極とドレイン電極との間に寄生容量Ｃ_pを持つ。この寄生容量Ｃ_pの存在により、発光遷移期間における有機ＥＬ素子２１のアノード電位Ｖ_anoの動きが駆動トランジスタ２２のゲート電位Ｖ_gに影響を及ぼす。この影響により、図１０のタイミング波形図に示すように、駆動トランジスタ２２のゲート－ソース間電圧Ｖ_gsはΔＶ_gsだけ小さくなる。

　このときの有機ＥＬ素子２１に印加される電圧をΔＶ_oledとし、保持容量２５の容量値をＣ_sとすると、ΔＶ_gsは次式（１）で与えられる。
　　ΔＶ_gs＝Ｃ_p／（Ｃ_s＋Ｃ_p）×ΔＶ_oled　　　　　　　　　　・・・（１）
　そして、最終的に、駆動トランジスタ２２のドレイン－ソース間電流Ｉ_dsが減少したところで駆動トランジスタ２２が飽和状態となり、発光期間に入る。

　駆動トランジスタ２２のドレイン－ソース間電流Ｉ_dsは、次式（２）で与えられる。
　　Ｉ_ds＝（１／２）×ｕＣ_ox×Ｗ／Ｌ×（Ｖ_gs）²　　　　　　　・・・（２）
　ここで、Ｗは駆動トランジスタ２２のチャネル幅、Ｌはチャネル長、Ｃ_oxは単位面積当たりのゲート容量である。

　長時間の使用により、有機ＥＬ素子２１は劣化するため、有機ＥＬ素子２１のＩ－Ｖ特性（電流－電圧特性）のシフトと効率の低下を引き起こす。有機ＥＬ素子２１の劣化前と劣化後のＩ－Ｖ特性を図１２Ａに示し、有機ＥＬ素子２１の劣化前と劣化後のＩ－Ｌ特性（電流－輝度特性）を図１２Ｂに示す。図１２Ａ及び図１２Ｂにおいて、破線が劣化前の特性を示し、実線が劣化後の特性を示している。

　図１３に、焼き付き前後での発光遷移期間に着目したタイミング波形図を示す。図１３において、破線が劣化後の波形を示し、実線が劣化前の波形を示している。

　発光遷移期間において、Ｉ－Ｖ特性のシフトの影響を考えると、同一電流を得るためには有機ＥＬ素子２１のアノード電位Ｖ_anoとしてΔＶ分だけ多く必要になる。焼き付き後は、発光遷移時にΔＶだけ有機ＥＬ素子２１の電圧ΔＶ_oledがより上昇するため、駆動トランジスタ２２のゲート－ソース間電圧Ｖ_gsが更に小さくなる。これにより、駆動トランジスタ２２のドレイン－ソース間電流Ｉ_dsが減少し、焼き付き前に比べると、ΔＩ_dsだけ減少する。有機ＥＬ素子２１の効率低下に加えて、この電流Ｉ_dsの減少が焼き付きを悪化させる原因となる。

　実施例４は、上記の電流Ｉ_dsの減少に起因する焼き付き悪化（劣化）を抑制するために為されたものである。そのために、実施例４に係るアクティブマトリクス型表示装置にあっては、図９のタイミング波形図に示すように、駆動信号ＡＺについて、信号書込み期間に入る前に非アクティブ状態にする、換言すれば、スイッチングトランジスタ２７を非導通状態にするタイミング関係を採っている。

　上記の駆動信号ＡＺのタイミング関係を特徴とする実施例４に係るアクティブマトリクス型表示装置の回路動作について、図９のタイミング波形図に基づいて説明する。

　時刻ｔ₂-時刻ｔ₃の閾値補正期間には、スイッチングトランジスタ２７が導通状態となっており、駆動トランジスタ２２のドレイン－ソース間電流Ｉ_dsはスイッチングトランジスタ２７側に流れるため、有機ＥＬ素子２１の微発光は発生しない。そして、信号書込みの前には、駆動トランジスタ２２の閾値補正動作が完了しているために、保持容量２５には駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖ_thに相当する電圧が保持され、駆動トランジスタ２２はカットオフの状態になっている。

　その後、時刻ｔ₃₁で駆動信号ＡＺが非アクティブ状態になることで、スイッチングトランジスタ２７が非導通状態になる。そして、時刻ｔ₅-時刻ｔ₆の信号書込み＆移動度補正期間に入ると、信号線３３から発光信号である映像信号の信号電圧Ｖ_sigが、サンプリングトランジスタ２３による書込みによって駆動トランジスタ２２のゲート電極に印加される。

　このとき、補助容量２６の容量値をＣ_subとすると、駆動トランジスタ２２のゲート－ソース間電圧Ｖ_gsは、次式（３）で与えられる分だけ拡大する。
　　Ｖ_gs＝│Ｖ_sig－Ｖ_ofs│×Ｃ_sub／（Ｃ_s＋Ｃ_sub）＋Ｖ_th
　　　　＝ａ×│Ｖ_sig－Ｖ_ofs│＋Ｖ_th　　　　　　　　　　　　　　・・・（３）

　駆動トランジスタ２２のゲート－ソース間電圧Ｖ_gsが拡大することで、駆動トランジスタ２２に電流が流れ、移動度補正の動作が開始する。この信号書込み＆移動度補正処理の際、スイッチングトランジスタ２７が既に非導通状態になっているため、駆動トランジスタ２２の電流は全て有機ＥＬ素子２１側に流れる。

　ここで、時刻ｔ₅-時刻ｔ₆の信号書込み＆移動度補正期間は、数１００［ｎｓ］の期間である。加えて、この信号書込み＆移動度補正期間中に駆動トランジスタ２２に流れるドレイン－ソース間電流Ｉ_dsは、駆動トランジスタ２２のゲート電極に印加される信号電圧Ｖ_sigによって、次式（４）で表現される。
　　Ｉ_ds＝１／２×ｕＣ_ox×Ｗ／Ｌ×｛ａ×│Ｖ_sig－Ｖ_ofs│｝²　　・・・（４）

　表示パネル７０のコントラストは、白発光輝度に対する黒発光輝度で規定される。黒発光時の映像信号の信号電圧Ｖ_sigは非常に小さいため、移動度補正期間中の駆動トランジスタ２２のドレイン－ソース間電流Ｉ_dsは非常に小さく、移動度補正期間中に有機ＥＬ素子２１のアノード電位Ｖ_anoが発光閾値電圧Ｖ_thelに達することはない。従って、黒発光輝度に対して影響が無視できるため、コントラストの低下はない。

　移動度補正期間中は、有機ＥＬ素子２１に電流が流れる。そのため、上記の式（４）で表現した電流Ｉ_dsに応じて、有機ＥＬ素子２１の等価容量Ｃ_elが充電されるため、有機ＥＬ素子２１のアノード電位Ｖ_anoが上昇する。移動度補正期間中は、駆動トランジスタ２２のゲート電位Ｖ_gが、導通状態にあるサンプリングトランジスタ２３を介して信号線３３の電位、即ち、信号電圧Ｖ_sigに固定されているため、アノード電位Ｖ_anoの上昇がゲート電位Ｖ_gに影響を及ぼすことはない。

　その後、時刻ｔ₇で発光制御信号ＤＳがアクティブ状態になり、発光制御トランジスタ２４が導通状態になることで、駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖ_sが、発光制御トランジスタ２４を介して電源電圧Ｖ_ccに固定される。これにより、駆動トランジスタ２２は有機ＥＬ素子２１に発光電流を流す。このとき、有機ＥＬ素子２１のアノード電位Ｖ_anoが所望の電位になるように、有機ＥＬ素子２１の等価容量Ｃ_elに電荷が充電される。そして、駆動トランジスタ２２のゲート－ソース間電圧Ｖ_gsがある電圧値になるところで駆動トランジスタ２２が飽和状態となり、発光期間に入る。

　ここで、長時間使用した有機ＥＬ素子２１の劣化前後の動作について、図１４のタイミング波形図を用いて説明する。図１４は、有機ＥＬ素子２１の劣化前後での発光遷移期間に着目したタイミング波形図である。図１４において、破線が劣化後の波形を示し、実線が劣化前の波形を示している。

　移動度補正期間中には、上述したように、駆動トランジスタ２２のドレイン－ソース間電流Ｉ_dsに応じて有機ＥＬ素子２１に電流（発光電流）が流れる。この際、有機ＥＬ素子２１の劣化前後の電流Ｉ_dsは、駆動トランジスタ２２のゲート－ソース間電圧Ｖ_gsに依存するので、それぞれの電流は等しい。すなわち、劣化前の電流Ｉ_dsをＩ_ds1とし、劣化後の電流Ｉ_dsをＩ_ds2とすると、Ｉ_ds1＝Ｉ_ds2となる。

　有機ＥＬ素子２１は、それぞれの電流Ｉ_ds1，Ｉ_ds2に応じて、アノード電位Ｖ_anoを上昇させるが、劣化後の有機ＥＬ素子２１は劣化前と比較すると、Ｉ－Ｖ特性のシフト分ΔＶだけ多くアノード電位Ｖ_anoを上昇させることとなる。すなわち、劣化後のアノード電位Ｖ_anoをＶ_ano1とし、劣化前のアノード電位Ｖ_anoをＶ_oano0とすると、Ｖ_ano1＝Ｖ_ano0＋ΔＶとなる。

　つまり、信号書込み期間に入る前にスイッチングトランジスタ２７を非導通状態にし、移動度補正期間中に有機ＥＬ素子２１に電流を流すことで、有機ＥＬ素子２１の特性劣化であるＩ－Ｖ特性のシフト分ΔＶが、有機ＥＬ素子２１の等価容量Ｃ_elにあらかじめ蓄積されることとなる。その後、発光遷移状態に移行した場合、所望の電圧上昇分ΔＶ_oledが、有機ＥＬ素子２１の劣化前後で等しくなる。これにより、焼き付きによる電流Ｉ_dsの減少が発生せず、有機ＥＬ素子２１のＩ－Ｖ特性のシフトの影響を補正することが可能となる。

　上述したように、駆動信号ＡＺについて、信号書込み期間に入る前に非アクティブ状態にすることで、有機ＥＬ素子２１の劣化に伴うＩ－Ｖ特性のシフトの影響を補正することができる。これにより、コントラスト劣化を抑制しつつ、電流Ｉ_dsの減少に起因する焼き付き悪化（劣化）を抑制することができる。

＜４．適用例＞
　本開示の技術は、上述した実施形態に限定されるものではなく、本開示の要旨を逸脱しない範囲内で種々の変形、改変が可能である。例えば、上記の実施形態では、画素２０を構成するＰチャネル型のトランジスタをシリコンのような半導体上に形成して成る表示装置に適用した場合を例に挙げて説明したが、画素２０を構成するＰチャネル型のトランジスタをガラス基板のような絶縁体上に形成して成る表示装置に対しても、本開示の技術を適用することができる。

＜５．電子機器＞
　以上説明した本開示の表示装置は、電子機器に入力された映像信号、若しくは、電子機器内で生成した映像信号を、画像若しくは映像として表示するあらゆる分野の電子機器において、その表示部（表示装置）として用いることが可能である。

　上述した実施形態の説明から明らかなように、本開示の表示装置は、非発光期間では発光部を確実に非発光の状態に制御することができるため、表示パネルの高コントラスト化を図ることができる。従って、あらゆる分野の電子機器において、その表示部として本開示の表示装置を用いることで、表示部の高コントラスト化を実現できることになる。

　本開示の表示装置を表示部に用いる電子機器としては、テレビジョンシステムの他、例えば、ヘッドマウントディスプレイ、デジタルカメラ、ビデオカメラ、ゲーム機器、ノート型パーソナルコンピュータなどを例示することができる。また、本開示の表示装置は、電子書籍機器や電子腕時計等の携帯情報機器や、携帯電話機やＰＤＡ等の携帯通信機器などの電子機器において、その表示部として用いることもできる。

　尚、本開示は以下のような構成をとることもできる。
　［１］発光部を駆動するＰチャネル型の駆動トランジスタ、
　信号電圧をサンプリングするサンプリングトランジスタ、
　発光部の発光／非発光を制御する発光制御トランジスタ、
　駆動トランジスタのゲート電極とソース電極との間に接続され、サンプリングトランジスタによるサンプリングによって書き込まれた信号電圧を保持する保持容量、及び、
　駆動トランジスタのソース電極と固定電位のノードとの間に接続された補助容量を有する画素回路が配置されて成り、
　発光部の非発光期間に駆動トランジスタに流れる電流を所定のノードに流し込む電流経路を備える表示装置。
　［２］電流経路は、駆動トランジスタに流れる電流を発光部のカソード電極のノードに流し込む上記［１］に記載の表示装置。
　［３］電流経路は、駆動トランジスタのドレイン電極と発光部のカソード電極のノードとの間に接続され、発光部の非発光期間に導通状態になるスイッチングトランジスタを有する上記［２］に記載の表示装置。
　［４］スイッチングトランジスタは、サンプリングトランジスタを駆動する信号によって駆動される上記［３］に記載の表示装置。
　［５］スイッチングトランジスタは、サンプリングトランジスタを駆動する信号とは異なる信号によって駆動される上記［３］に記載の表示装置。
　［６］発光部の発光期間は、発光制御トランジスタを駆動する信号がアクティブになるタイミングから、サンプリングトランジスタを駆動する信号がアクティブになるタイミングまでの期間として設定される上記［４］または上記［５］に記載の表示装置。
　［７］発光部の発光期間は、発光制御トランジスタを駆動する信号がアクティブになるタイミングから、スイッチングトランジスタを駆動する信号がアクティブになるタイミングまでの期間として設定される上記［５］に記載の表示装置。
　［８］スイッチングトランジスタを駆動する信号は、サンプリングトランジスタによる信号電圧の書込み期間に入る前に非アクティブ状態となる上記［５］又は上記［７］に記載の表示装置。
　［９］サンプリングトランジスタ、発光制御トランジスタ、及び、スイッチングトランジスタは、Ｐチャネル型のトランジスタから成る上記［１］から上記［８］のいずれかに記載の表示装置。
　［１０］画素回路は、駆動トランジスタのゲート電位の初期化電位を基準として当該初期化電位から駆動トランジスタの閾値電圧を減じた電位に向けて、駆動トランジスタのソース電位を変化させる動作を行う上記［１］から上記［９］のいずれかに記載の表示装置。
　［１１］画素回路は、サンプリングトランジスタによって信号電圧を書き込む期間において、駆動トランジスタに流れる電流に応じた帰還量で保持容量に対して負帰還をかける動作を行う上記［１］から上記［１０］のいずれかに記載の表示装置。
　［１２］発光部を駆動するＰチャネル型の駆動トランジスタ、
　信号電圧をサンプリングするサンプリングトランジスタ、
　発光部の発光／非発光を制御する発光制御トランジスタ、
　駆動トランジスタのゲート電極とソース電極との間に接続され、サンプリングトランジスタによるサンプリングによって書き込まれた信号電圧を保持する保持容量、及び、
　駆動トランジスタのソース電極と固定電位のノードとの間に接続された補助容量を有する画素回路が配置されて成る表示装置の駆動に当たって、
　発光部の非発光期間に駆動トランジスタに流れる電流を所定のノードに流し込むようにする表示装置の駆動方法。
　［１３］発光部を駆動するＰチャネル型の駆動トランジスタ、
　信号電圧をサンプリングするサンプリングトランジスタ、
　発光部の発光／非発光を制御する発光制御トランジスタ、
　駆動トランジスタのゲート電極とソース電極との間に接続され、サンプリングトランジスタによるサンプリングによって書き込まれた信号電圧を保持する保持容量、及び、
　駆動トランジスタのソース電極と固定電位のノードとの間に接続された補助容量を有する画素回路が配置されて成り、
　発光部の非発光期間に駆動トランジスタに流れる電流を所定のノードに流し込む電流経路を備える表示装置を有する電子機器。

　１０・・・有機ＥＬ表示装置、２０，２０_A，２０_B，２０_C・・・画素（画素回路）、２１・・・有機ＥＬ素子、２２・・・駆動トランジスタ、２３・・・サンプリングトランジスタ、２４・・・発光制御トランジスタ、２５・・・保持容量、２６・・・補助容量、２７・・・スイッチングトランジスタ、３０・・・画素アレイ部、３１（３１₁～３１_m）・・・走査線、３２（３２₁～３２_m）・・・駆動線、３３（３３₁～３３_n）・・・信号線、３４・・・共通電源線、４０・・・書込み走査部、５０・・・駆動走査部（第１駆動走査部）、６０・・・信号出力部、７０・・・表示パネル、８０・・・電流経路、９０・・・第２駆動走査部

Claims (13)

1. 　発光部を駆動するＰチャネル型の駆動トランジスタ、
   　信号電圧をサンプリングするサンプリングトランジスタ、
   　発光部の発光／非発光を制御する発光制御トランジスタ、
   　駆動トランジスタのゲート電極とソース電極との間に接続され、サンプリングトランジスタによるサンプリングによって書き込まれた信号電圧を保持する保持容量、及び、
   　駆動トランジスタのソース電極と固定電位のノードとの間に接続された補助容量を有する画素回路が配置されて成り、
   　発光部の非発光期間に駆動トランジスタに流れる電流を所定のノードに流し込む電流経路を備える表示装置。
2. 　電流経路は、駆動トランジスタに流れる電流を発光部のカソード電極のノードに流し込む請求項１に記載の表示装置。
3. 　電流経路は、駆動トランジスタのドレイン電極と発光部のカソード電極のノードとの間に接続され、発光部の非発光期間に導通状態になるスイッチングトランジスタを有する請求項２に記載の表示装置。
4. 　スイッチングトランジスタは、サンプリングトランジスタを駆動する信号によって駆動される請求項３に記載の表示装置。
5. 　スイッチングトランジスタは、サンプリングトランジスタを駆動する信号とは異なる信号によって駆動される請求項３に記載の表示装置。
6. 　発光部の発光期間は、発光制御トランジスタを駆動する信号がアクティブになるタイミングから、サンプリングトランジスタを駆動する信号がアクティブになるタイミングまでの期間として設定される請求項４に記載の表示装置。
7. 　発光部の発光期間は、発光制御トランジスタを駆動する信号がアクティブになるタイミングから、スイッチングトランジスタを駆動する信号がアクティブになるタイミングまでの期間として設定される請求項５に記載の表示装置。
8. 　スイッチングトランジスタを駆動する信号は、サンプリングトランジスタによる信号電圧の書込み期間に入る前に非アクティブ状態となる請求項５に記載の表示装置。
9. 　サンプリングトランジスタ、発光制御トランジスタ、及び、スイッチングトランジスタは、Ｐチャネル型のトランジスタから成る請求項１に記載の表示装置。
10. 　画素回路は、駆動トランジスタのゲート電位の初期化電位を基準として当該初期化電位から駆動トランジスタの閾値電圧を減じた電位に向けて、駆動トランジスタのソース電位を変化させる動作を行う請求項１に記載の表示装置。
11. 　画素回路は、サンプリングトランジスタによって信号電圧を書き込む期間において、駆動トランジスタに流れる電流に応じた帰還量で保持容量に対して負帰還をかける動作を行う請求項１に記載の表示装置。
12. 　発光部を駆動するＰチャネル型の駆動トランジスタ、
    　信号電圧をサンプリングするサンプリングトランジスタ、
    　発光部の発光／非発光を制御する発光制御トランジスタ、
    　駆動トランジスタのゲート電極とソース電極との間に接続され、サンプリングトランジスタによるサンプリングによって書き込まれた信号電圧を保持する保持容量、及び、
    　駆動トランジスタのソース電極と固定電位のノードとの間に接続された補助容量を有する画素回路が配置されて成る表示装置の駆動に当たって、
    　発光部の非発光期間に駆動トランジスタに流れる電流を所定のノードに流し込むようにする表示装置の駆動方法。
13. 　発光部を駆動するＰチャネル型の駆動トランジスタ、
    　信号電圧をサンプリングするサンプリングトランジスタ、
    　発光部の発光／非発光を制御する発光制御トランジスタ、
    　駆動トランジスタのゲート電極とソース電極との間に接続され、サンプリングトランジスタによるサンプリングによって書き込まれた信号電圧を保持する保持容量、及び、
    　駆動トランジスタのソース電極と固定電位のノードとの間に接続された補助容量を有する画素回路が配置されて成り、
    　発光部の非発光期間に駆動トランジスタに流れる電流を所定のノードに流し込む電流経路を備える表示装置を有する電子機器。

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