WO2014069309A1 - プラズマｃｖｄ装置用のプラズマ源およびこのプラズマ源を用いた物品の製造方法 - Google Patents

プラズマｃｖｄ装置用のプラズマ源およびこのプラズマ源を用いた物品の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2014069309A1
WO2014069309A1 PCT/JP2013/078735 JP2013078735W WO2014069309A1 WO 2014069309 A1 WO2014069309 A1 WO 2014069309A1 JP 2013078735 W JP2013078735 W JP 2013078735W WO 2014069309 A1 WO2014069309 A1 WO 2014069309A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
electrode
plasma
electrodes
plasma source
voltage
Prior art date
Application number
PCT/JP2013/078735
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
弘朋 河原
信孝 青峰
和伸 前重
有紀 青嶋
博 羽根川
Original Assignee
旭硝子株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 旭硝子株式会社 filed Critical 旭硝子株式会社
Priority to EP13850259.6A priority Critical patent/EP2915902B1/en
Priority to ES13850259T priority patent/ES2781775T3/es
Priority to JP2014544453A priority patent/JPWO2014069309A1/ja
Priority to PL13850259T priority patent/PL2915902T3/pl
Publication of WO2014069309A1 publication Critical patent/WO2014069309A1/ja
Priority to US14/699,249 priority patent/US9922805B2/en
Priority to US15/886,486 priority patent/US10204767B2/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32532—Electrodes
    • H01J37/32568—Relative arrangement or disposition of electrodes; moving means
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/40—Oxides
    • C23C16/401—Oxides containing silicon
    • C23C16/402—Silicon dioxide
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/32091—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being capacitively coupled to the plasma
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244—Gas supply means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32532—Electrodes
    • H01J37/32577—Electrical connecting means
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24—Generating plasma
    • H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24—Generating plasma
    • H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
    • H05H1/4645—Radiofrequency discharges
    • H05H1/466—Radiofrequency discharges using capacitive coupling means, e.g. electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
    • H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
    • H01J2237/332—Coating
    • H01J2237/3321—CVD [Chemical Vapor Deposition]
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H2242/00—Auxiliary systems
    • H05H2242/20—Power circuits
    • H05H2242/22—DC, AC or pulsed generators

Definitions

  • the present invention relates to a plasma source for a plasma CVD apparatus and a method for manufacturing an article using the plasma source.
  • Plasma-enhanced chemical vapor deposition (CVD) technology is a type of chemical vapor deposition (CVD) technology, and various substances on the surface to be treated by using plasma. This film can be chemically formed. Plasma CVD technology is widely used, for example, in the manufacture of semiconductor elements.
  • a plasma chemical vapor deposition (CVD) apparatus used in such plasma CVD technology includes a plasma source that generates plasma.
  • a plasma source has a pair of electrodes connected to a high-frequency AC power source having a frequency such as 13.56 MHz, for example, and when discharge is started between both electrodes by this high-frequency AC power source, Plasma is formed.
  • the source gas is supplied into the plasma in this state, the atoms and / or molecules of the source gas are excited and chemically activated, so that a chemical reaction occurs on the surface to be processed, and a film of the target substance is applied to the surface to be processed.
  • a film can be formed.
  • Patent Document 1 a plasma source having a low-frequency AC power source, for example, in the order of kHz has been developed instead of a high-frequency AC power source. It has been disclosed that when such a plasma source is used, plasma having a sufficient length can be stably provided (Patent Document 1).
  • Patent Document 1 discloses a plasma source capable of stably providing a plasma having a sufficient length.
  • the present invention has been made in view of such problems, and an object of the present invention is to provide a plasma source capable of further increasing the plasma density of generated plasma in a plasma source for a plasma CVD apparatus.
  • the plasma source for the plasma CVD apparatus has an electrode group in which four of the first electrode, the second electrode, the third electrode, and the fourth electrode are arranged in this order.
  • the electrode group is connected to an AC power source, and the voltage supplied to two of the four electrodes is out of phase with the voltage supplied to the remaining two electrodes, and adjacent electrodes are A space to which the source gas is supplied is provided between the electrodes, and voltages applied to at least one pair of two adjacent electrodes are in phase.
  • the method of manufacturing an article according to the second embodiment of the present invention includes a plasma CVD method including an electrode group in which four of a first electrode, a second electrode, a third electrode, and a fourth electrode are arranged in this order.
  • a step of disposing an object to be processed in the apparatus a step of supplying a source gas for film formation between at least one adjacent electrode of the electrode group; and the first electrode and the first electrode.
  • the method of manufacturing an article according to the third embodiment of the present invention is a plasma CVD method including an electrode group in which four of a first electrode, a second electrode, a third electrode, and a fourth electrode are arranged in this order.
  • a step of disposing an object to be processed in the apparatus a step of supplying a source gas for film formation from at least one adjacent electrode of the electrode group; and the first electrode and the fourth electrode.
  • the first voltage application step and the second voltage application step are alternately performed to form a film on the object to be manufactured, thereby manufacturing an article.
  • a plasma source capable of further increasing the plasma density of generated plasma can be provided.
  • FIG. 1 schematically shows a basic configuration of a conventional plasma source.
  • FIG. 2 is a schematic diagram showing the change in polarity of each electrode at a certain time in association with the plasma density in a conventional plasma source.
  • the conventional plasma source 1 includes an electrode group 10 and an AC power supply 30.
  • the electrode group 10 is configured by arranging a plurality of electrodes in a line.
  • the electrode group 10 includes four electrodes, that is, a first electrode 10A, a second electrode 10B, a third electrode 10C, and a fourth electrode 10D.
  • An AC power supply 30 is connected to each of the electrodes 10A to 10D constituting the electrode group 10.
  • the AC power supply 30 includes a first polarity wiring 40 and a second polarity wiring 42 opposite to the first polarity.
  • the first polarity wiring 40 is connected to the first electrode 10A and the third electrode 10C.
  • the second polarity wiring 42 is connected to the second electrode 10B and the fourth electrode 10D.
  • a space 50 for supplying a source gas is formed between the adjacent electrodes 10A to 10D. That is, the first space 50A is formed between the first electrode 10A and the second electrode 10B, and the second space 50B is formed between the second electrode 10B and the third electrode 10C. Thus, a third space 50C is formed between the third electrode 10C and the fourth electrode 10D.
  • the electrodes 10A to 10D are connected from the AC power source 30 via the wirings 40 and 42. An AC voltage is applied to. A plasma gas is supplied in the vicinity of the electrode group 10.
  • each of the electrodes 10A to 10D changes periodically. Therefore, for example, discharge using the first electrode 10A and the second electrode 10B as an electrode pair occurs, and plasma is generated in the vicinity of both electrodes. Further, discharge using the second electrode 10B and the third electrode 10C as an electrode pair occurs, and plasma is generated in the vicinity of both electrodes. Further, a discharge is generated with the third electrode 10C and the fourth electrode 10D as an electrode pair, and plasma is generated in the vicinity of both electrodes.
  • a source gas for film formation is supplied to the first space 50A to the third space 50C.
  • the supplied source gas is activated by plasma generated in the vicinity of the electrodes 10A to 10D. Therefore, a chemical reaction occurs in the source gas in the vicinity of the object to be processed 90, thereby forming a film on the surface of the object to be processed 90.
  • FIG. 2 is a schematic diagram showing the change in polarity of each of the electrodes 10A to 10D at a certain time in association with the plasma density. It is assumed that the time change of the output voltage V of the AC power supply 30 is represented by a sine wave with a period T as shown in FIG.
  • both the first electrode 10 ⁇ / b> A and the third electrode 10 ⁇ / b> C are connected to the wiring 40. For this reason, when an alternating voltage is applied from the alternating current power supply 30, the first electrode 10A and the third electrode 10C have the same phase.
  • the second electrode 10B and the fourth electrode 10D are both connected to the wiring 42. For this reason, the second electrode 10B and the fourth electrode 10D are also in phase.
  • the AC voltage supplied to the wiring 40 and the wiring 42 is shifted in phase by a half period. Therefore, voltages having opposite polarities are applied to the first electrode 10A and the third electrode 10C, and the second electrode 10B and the fourth electrode 10D.
  • the polarities as shown in FIG. 2A are obtained in the electrodes 10A to 10D. That is, the polarities of the electrodes 10A to 10D are negative-positive-negative-positive in order from the first electrode 10A side.
  • the flow of electrons due to the discharge is as shown by the three arrows F1 to F3 in FIG. That is, most of the electrons emitted from the first electrode 10A are taken into the adjacent second electrode 10B as indicated by the arrow F1.
  • a first plasma 60A having a high plasma density is generated between the first electrode 10A and the second electrode 10B (hereinafter, such plasma is referred to as “high density plasma”).
  • the source gas passing through the first space 50A is exposed to the high-density plasma 60A, the reactivity is increased.
  • the second plasma 60B is generated between the second electrode 10B and the third electrode 10C
  • the third plasma 60C is generated between the third electrode 10C and the fourth electrode 10D.
  • the second plasma 60B and the third plasma 60C have a high density like the first plasma 60A. Therefore, the plasma becomes low density (hereinafter, such plasma is referred to as “low density plasma”).
  • the reactivity of these raw material gases is the raw material passing through the first space 50A. Compared to gas, it is greatly reduced.
  • the polarities as shown in FIG. 2B are obtained at the electrodes 10A to 10D. That is, the polarities of the electrodes 10A to 10D are positive-negative-positive-negative in order from the first electrode 10A side.
  • the flow of electrons is as shown by the three arrows F4 to F6 in FIG. That is, most of the electrons from the fourth electrode 10D are taken into the adjacent third electrode 10C as indicated by the arrow F6. Accordingly, a “high density plasma” 60C is generated between the third electrode 10C and the fourth electrode 10D.
  • the raw material gas passing through the first space 50A and the second space 50B is exposed to the low density plasma 60A, 60B, the reactivity of these raw material gases is the raw material passing through the third space 50C. Compared to gas, it is greatly reduced.
  • the horizontal axis corresponds to the horizontal positions of the spaces 50A to 50C (and the electrodes 10A to 10D).
  • the vertical axis represents the total density during one period T of the plasma generated in the reaction region.
  • the plasma density during one period T is a major factor that determines the reaction rate of the raw material gas and further the film formation rate, it is preferable to increase the plasma density in the reaction region as much as possible.
  • the plasma density in the reaction region downstream of the second space 50B is, for example, about 2/3 of the plasma density in the reaction region downstream of the first space 50A and the third space 50C. It is expected to be about.
  • first plasma source a plasma source for a plasma CVD apparatus according to an embodiment of the present invention
  • FIG. 5 is a schematic diagram showing the configuration of the first plasma source of the present invention.
  • FIG. 6 is a schematic diagram showing a change in the polarity of each electrode at a certain time in association with the plasma density in the first plasma source of the present invention.
  • the conventional plasma source 1 and the plasma source 100 for the plasma CVD apparatus of the present invention are different in the connection method between the electrodes 110A to 110D constituting the electrode group 110 and the AC power source 130.
  • the AC power supply 130 has a first polarity wiring 140 and a second polarity wiring 142 opposite to the first polarity.
  • the wiring 140 is connected to the first electrode 110A and the second electrode 110B.
  • the second polarity wiring 142 is connected to the third electrode 110C and the fourth electrode 110D.
  • the frequency of the AC power supply 130 is, for example, in the range of 5 kHz to 500 kHz.
  • plasma can be formed over the dimension of, for example, 0.5 m or more along the arrangement direction of the electrodes 110A to 110D.
  • each electrode is supplied from the AC power supply 130 via the wirings 140 and 142.
  • An AC voltage is applied to 110A to 110D.
  • a plasma gas is supplied in the vicinity of the electrode group 110.
  • the polarities of the electrodes 110A to 110D change periodically, and plasma is generated immediately below the electrode group 110 by the discharge between the electrodes 110A to 110D.
  • the “(nth) space” means a portion formed between adjacent electrodes in a passage for allowing the source gas to flow toward the reaction region.
  • the supplied source gas is activated by plasma generated in the vicinity of each of the electrodes 110A to 110D. Therefore, a chemical reaction occurs in the source gas in the vicinity of the object to be processed 190, whereby a film can be formed on the surface of the object to be processed 190.
  • the first plasma source 100 has a single AC power source 130.
  • the configuration of the present invention is not limited to this, and the first plasma source 100 may include a plurality of AC power supplies.
  • the first AC power supply 130-1 is connected to the first electrode 110A and the third electrode 110C
  • the second AC power supply 130-2 may be connected to the second electrode 110B and the fourth electrode 110D.
  • the voltages applied to the first electrode 110A and the second electrode 110B have the same phase, and are applied to the third electrode 110C and the fourth electrode 110D. Are arranged so that the applied voltages have the same phase.
  • each electrode 110A to 110D constituting the electrode group 110 when the first plasma source 100 of the present invention is used will be described in more detail.
  • FIG. 6 is a schematic diagram showing the change in polarity of each of the electrodes 110A to 110D in association with the plasma density at a certain time. It is assumed that the time change of the output voltage V of the AC power supply 130 is represented by a sine wave with a period T as shown in FIG.
  • each of the first electrode 110A and the second electrode 110B is connected to the wiring 140 for the first polarity. For this reason, when an AC voltage is applied from the AC power supply 130, the first electrode 110A and the second electrode 110B have the same phase.
  • the third electrode 110C and the fourth electrode 110D are both connected to the second polarity wiring 142. For this reason, the third electrode 110C and the fourth electrode 110D are also in phase.
  • the AC voltages supplied to the first polarity wiring 140 and the second polarity wiring 142 are out of phase by a half period. Therefore, voltages having opposite polarities are applied to the first electrode 110A and the second electrode 110B, and the third electrode 110C and the fourth electrode 110D.
  • the polarities as shown in FIG. 6A are obtained in the electrodes 110A to 110D. That is, the polarities of the electrodes 110A to 110D are negative-negative-positive-positive in order from the first electrode 110A side.
  • the flow of electrons due to the discharge is as shown by the four arrows F101 to F104 in FIG. That is, the electrons from the second electrode 110B are taken in by the third electrode 110C adjacent to each other as indicated by the arrow F101, and the other part as shown by the arrow 102 in the fourth direction. It is taken in by electrode 110D.
  • the second plasma 160B having an extremely large plasma density is generated between the second electrode 110B and the third electrode 110C (hereinafter, such plasma is referred to as “ultra-high density plasma”). Furthermore, “high density plasma” is generated as the third plasma 160C between the third electrode 110C and the fourth electrode 110D.
  • polarities as shown in FIG. 6B are obtained at the electrodes 110A to 110D. That is, the polarities of the electrodes 110A to 110D are positive-positive-negative-negative in order from the first electrode 110A side.
  • the flow of electrons is as shown by the four arrows F105 to F108 in FIG. That is, the electrons from the third electrode 110C are taken in by the second electrode 110B adjacent to each other as indicated by the arrow F105, and the other part of the first electrode as indicated by the arrow F106. It is taken into electrode 110A.
  • the total density of plasma generated in the reaction region (upper surface of the object 190 / below the electrode group 110) during one period T is schematically shown in FIG. It looks like the curve (1).
  • FIG. 7 simultaneously shows a similar plasma density curve (curve (2)) in the conventional plasma source 1 shown in FIG.
  • the plasma density (curve (1)) of the plasma formed in the first plasma source 100 is compared with the plasma density (curve (2)) of the plasma formed in the conventional plasma source 1. It can be seen that the density is significantly improved as a whole.
  • the plasma density during one cycle in the vicinity of the center of the reaction region (downstream of the second space 150B) is the same as that of the conventional plasma source 1.
  • the plasma density during one cycle is the same as that of the conventional plasma source 1 in the reaction region downstream of the first space 150A and the third space 150C.
  • the reactivity of the source gas supplied to the first spaces 150A to 150C is increased, and the film formation rate can be significantly increased.
  • the characteristic effects of the present invention have been described above by taking the first plasma source 100 having the configuration shown in FIG. 5 as an example.
  • the configuration of the plasma source according to the present invention is not limited to the configuration shown in FIG.
  • the effect of the present invention as described above is that, in a series of electrodes constituting an electrode group, “at least one adjacent electrode set is in phase during one period T”. Note that this is equally achieved.
  • the first electrode 110 ⁇ / b> A and the second electrode 110 ⁇ / b> B adjacent to the first electrode 110 ⁇ / b> A are always in phase during one period T.
  • the third electrode 110C and the fourth electrode 110D adjacent thereto are always in phase.
  • the configuration of the plasma source is not particularly limited as long as the condition that “the voltage applied to at least one adjacent electrode set is in phase during each period” is satisfied.
  • the number of electrodes constituting the electrode group may be any number as long as it is four or more, and the number of electrodes may be six, eight, ten, or the like, for example.
  • the arrangement direction of the electrodes 110A to 110D constituting the electrode group 110 is parallel (horizontal direction) to the surface of the object 190.
  • the arrangement direction of the electrodes Is not particularly limited.
  • the first to third spaces 150A to 150C which are source gas supply paths, extend in a direction perpendicular to the arrangement direction of the electrodes 110A to 110D constituting the electrode group 110. ing.
  • the extending direction of the spaces 150A to 150C is not limited to this.
  • the extending direction of the space for the supply path of the source gas may be inclined at an angle other than a right angle with respect to the arrangement direction of the electrodes.
  • an object to be processed 190 is placed in a plasma CVD apparatus provided with a first plasma source.
  • a source gas for film formation is supplied from between the electrodes 110A to 110D.
  • a negative voltage is applied to the first electrode 110A and the second electrode 110B, and a positive voltage is applied to the third electrode 110C and the fourth electrode 110D.
  • a positive voltage is applied to the first electrode 110A and the second electrode 110B, and a negative voltage is applied to the third electrode 110C and the fourth electrode 110D.
  • FIG. 8 schematically shows the configuration of the second plasma source according to the present invention.
  • the second plasma source 200 of the present invention basically has the same configuration as the first plasma source 100 shown in FIG. Therefore, in FIG. 8, the same reference numerals as those used in FIG. 5 plus reference numerals used in FIG.
  • the second plasma source 200 is different from the first plasma source 100 in the connection method of the AC power supply 230.
  • the AC power supply 230 includes a first polarity wiring 240 and a second polarity wiring 242 opposite to the first polarity.
  • the first polarity wiring 240 is connected to the first electrode 210A and the fourth electrode 210D.
  • the second polarity wiring 242 is connected to the second electrode 210B and the third electrode 210C.
  • the second plasma source 200 has a single AC power source 230.
  • the configuration of the present invention is not limited to this, and the second plasma source 200 may include a plurality of AC power supplies.
  • the first AC power source 230-1 is connected to the first electrode 210A and the second electrode 210B
  • the second AC power supply 230-2 may be connected to the fourth electrode 210D and the third electrode 210C.
  • the first electrode 210A and the fourth electrode 210D have the same phase
  • the second electrode 210B and the third electrode 210C have the same phase. Be placed.
  • FIG. 9 is a schematic diagram showing the change in the polarity of each of the electrodes 210A to 210D at a certain time in association with the plasma density. It is assumed that the time change of the output voltage V of the AC power supply 230 is represented by a sine wave having a period T as shown in FIG.
  • both the first electrode 210A and the fourth electrode 210D are connected to the wiring 240. For this reason, when an AC voltage is applied from the AC power supply 230, the first electrode 210A and the fourth electrode 210D have the same phase.
  • the second electrode 210B and the third electrode 210C are both connected to the wiring 242. For this reason, the second electrode 210B and the third electrode 210C are also in phase.
  • the AC voltage supplied to the wiring 240 and the wiring 242 is out of phase by a half period. Therefore, voltages having opposite polarities are applied to the first electrode 210A and the fourth electrode 210D, and the second electrode 210B and the third electrode 210C.
  • the polarity as shown in FIG. 9A is obtained in each of the electrodes 210A to 210D. That is, the polarities of the electrodes 210A to 210D are negative-positive-positive-negative in order from the first electrode 210A side.
  • the flow of electrons due to the discharge is as shown by the four arrows F201 to F204 in FIG. That is, electrons from the first electrode 210A are taken into the adjacent second electrode 210B as indicated by the arrow F201, and the other part is taken into the third as indicated by the arrow F202. It is taken into the electrode 210C.
  • “high density plasma” 260A is generated as the first plasma 260A between the first electrode 210A and the second electrode 210B. Further, a “high density plasma” 260B is generated as the second plasma 260B between the second electrode 210B and the third electrode 210C. Furthermore, a “high density plasma” 260C is generated as the third plasma 260C between the third electrode 210C and the fourth electrode 210D.
  • the polarities as shown in FIG. 9B are obtained in the electrodes 210A to 210D. That is, the polarities of the electrodes 210A to 210D are positive-negative-negative-positive in order from the first electrode 210A side.
  • the flow of electrons due to the discharge is as shown by the two arrows F205 to F206 in FIG. 9B. That is, electrons from the second electrode 210B are taken into the adjacent first electrode 210A as indicated by an arrow F205. Similarly, electrons from the third electrode 210C are taken into the adjacent fourth electrode 210D as indicated by an arrow F206.
  • “high-density plasma” 260A is generated as the first plasma 260A between the first electrode 210A and the second electrode 210B. Further, plasma is hardly generated between the second electrode 210B and the third electrode 210C. On the other hand, a “high density plasma” 260C is generated as the third plasma 260C between the third electrode 210C and the fourth electrode 210D.
  • the voltage to be applied is in phase ".
  • FIG. 10 also shows a similar plasma density curve (curve (2)) in the conventional plasma source 1 shown in FIG.
  • the density of the plasma (curve (1)) formed in the second plasma source 200 is significantly higher than the density of the plasma (curve (2)) formed in the conventional plasma source 1. It can be seen that it has improved.
  • the density of the plasma during one period in the reaction region downstream of the first space 250A and the third space 250C is equal to that of the conventional plasma source 1.
  • the plasma density is improved by about 1.5 times compared to the plasma density at the same position.
  • the reactivity of the source gas supplied to the first spaces 150A to 150C is increased, and the film formation rate can be significantly increased.
  • an object to be processed 190 is placed in a plasma CVD apparatus provided with a second plasma source.
  • a source gas for film formation is supplied from between the electrodes 110A to 110D.
  • a negative voltage is applied to the first electrode 110A and the fourth electrode 110D, and a positive voltage is applied to the second electrode 110B and the third electrode 110C.
  • a positive voltage is applied to the first electrode 110A and the fourth electrode 110D, and a negative voltage is applied to the second electrode 110B and the third electrode 110C.
  • FIG. 11 schematically shows the configuration of the third plasma source of the present invention.
  • the third plasma source 300 of the present invention basically has the same configuration as the first plasma source 100 shown in FIG. Therefore, in FIG. 11, members similar to those in FIG. 5 are given reference numerals obtained by adding 200 to the reference numerals used in FIG. 5.
  • the number of electrodes constituting the electrode group 310 is increased to six in the third plasma source 300.
  • the AC power supply 330 includes a first polarity wiring 340 and a second polarity wiring 342 opposite to the first polarity, and the first polarity wiring 340 is provided.
  • the first polarity wiring 340 is provided.
  • the second polarity wiring 342 is connected to the fourth electrode 310D, the fifth electrode 310E, and the sixth electrode 310F.
  • the first electrode 310A to the third electrode 310C are all connected to the wiring 340. For this reason, when an AC voltage is applied from the AC power supply 330, the first electrode 310A, the second electrode 310B, and the third electrode 310C are in phase.
  • the fourth electrode 310D, the fifth electrode 310E, and the sixth electrode 310F are all connected to the wiring 342. Therefore, the fourth electrode 310D, the fifth electrode 310E, and the sixth electrode 310F are also in phase.
  • the phase of the AC voltage supplied to the wiring 340 and the wiring 342 is shifted by 1 ⁇ 2 period. For this reason, voltages having opposite polarities are applied to the set of the first to third electrodes 310A to 310C and the set of the fourth to sixth electrodes 310D to 310F.
  • the polarities of the electrodes 310A to 310F are negative-negative-negative-positive-positive-positive in order from the first electrode 310A side.
  • the polarities of the electrodes 310A to 310F are positive-positive-positive-negative-negative-negative in order from the first electrode 310A side.
  • the same effect as the first plasma source 100 that is, the reactivity of the source gas supplied to each of the spaces 350A to 350E is increased, and the film formation rate is significantly increased.
  • the effect that it is possible can be acquired.
  • FIG. 12 shows a plasma source device 800.
  • the plasma source device 800 includes an electrode group 810 and an AC power source (not shown).
  • the electrode group 810 includes four hollow electrodes 810A to 810D. Each of the hollow electrodes 810A to 810D is connected to the AC power supply via a first polarity wiring (not shown) and a second polarity wiring (not shown) of the AC power supply.
  • the first polarity wiring is connected to the first hollow electrode 810A and the second hollow electrode 810B
  • the second polarity wiring is It is connected to the third hollow electrode 810C and the fourth hollow electrode 810D. Accordingly, the voltages applied to the first hollow electrode 810A and the second hollow electrode 810B are in phase, and the voltages applied to the third hollow electrode 810C and the fourth hollow electrode 810D are also in phase. is there.
  • voltages having opposite polarities are applied between the first and second hollow electrodes 810A and 810B and the third and fourth hollow electrodes 810C and 810D.
  • Each hollow electrode 810A to 810D has a slot 812 for ejecting plasma.
  • Each hollow electrode slot 812 has an elongated line shape extending along a direction perpendicular to the arrangement direction of the hollow electrodes 810A to 810D.
  • each hollow electrode slot 812 has a single slot 812, but a plurality of slots may be provided.
  • the slot 812 may be configured with one or two or more circular openings.
  • the interval between the slots 812 of each hollow electrode is, for example, in the range of about 10 mm to about 200 mm.
  • a first space 850A having an end opened toward the object to be processed 890 is formed between the adjacent first and second hollow electrodes 810A and 810B. Further, a second space 850B having an end opened toward the object to be processed 890 is formed between the adjacent second and third hollow electrodes 810B and 810C. Similarly, a third space 850C having an end portion opened toward the object to be processed 890 is formed between the adjacent third and fourth hollow electrodes 810C and 810D.
  • the plasma source device 800 further includes a first pipe 860 (860A to 860D), a second pipe 865 (865A to 865C), and a manifold 870 (870A to 870C).
  • the first pipe 860 converts a plasma necessary for a chemical reaction of a source gas (referred to as “reaction support gas”) such as argon gas, oxygen gas, and / or nitrogen gas into plasma and supplies it to the reaction region.
  • a source gas referred to as “reaction support gas”
  • the second pipe 865 and the manifold 870 are provided to supply the source gas (that is, the precursor of the film forming substance) to the reaction region via the first to third spaces 850A to 850C.
  • the polarities of the electrodes 810A to 810D change periodically, and plasma is generated in the reaction region by the discharge between the electrodes 810A to 810D.
  • reaction support gas is supplied to the reaction region via the first pipes 860A to 860D. Further, the source gas is supplied to the reaction region via the second pipes 865A to 865C, the manifolds 870A to 870C, and further the first to third spaces 850A to 850C.
  • the raw material gas and the reaction support gas supplied to the reaction region are activated by plasma generated in the vicinity of the electrodes 810A to 810D. Therefore, a chemical reaction occurs in the source gas in the vicinity of the object to be processed 890, thereby forming a film on the surface of the object to be processed 890.
  • the reactivity of the source gas supplied to each of the spaces 850A to 850E is increased, and the effect that the film formation rate can be significantly increased is obtained. It will be clear that you can.
  • Example 1 A SiO 2 thin film was formed using the plasma source 800 shown in FIG.
  • Oxygen gas was used as the reaction support gas.
  • the reaction support gas was controlled to be supplied uniformly to the four hollow electrodes 810A to 810D.
  • Tetramethyldisiloxane was used as the source gas.
  • the source gas was controlled so as to be evenly supplied to the spaces 850A to 850C between the hollow electrodes 810A to 810D.
  • the mixing ratio of these deposition gases was 25.
  • the flow rate of tetramethyldisiloxane with respect to the length of the plasma source was set to five conditions of 200 sccm / m, 350 sccm / m, 500 sccm / m, 650 sccm / m, and 800 sccm / m.
  • the opening / closing degree of the exhaust conductance valve was controlled so that the vacuum chamber pressure during film formation was 1.0 Pa under the conditions of each film formation gas flow rate.
  • the AC power supply frequency was 40 kHz, and the applied power with respect to the length of the plasma source was applied to be 80 kW / m.
  • the wiring for the first polarity from the AC power source was connected to the first hollow electrode 810A and the second hollow electrode 810B. Also, the second polarity wiring having the opposite phase to the first polarity was connected to the third hollow electrode 810C and the fourth hollow electrode 810D.
  • a soda-lime glass substrate having a length of 300 mm, a width of 300 mm, and a thickness of 2 mm was used as the substrate. Prior to film formation, the substrate is not heated. The substrate transport speed was 1.0 m / min.
  • Example 2 A SiO 2 thin film was formed in the same manner as in Example 1.
  • Example 2 in FIG. 12 described above, the first polarity wiring from the AC power source was connected to the first hollow electrode 810A and the fourth hollow electrode 810D.
  • the wiring for the second polarity having the opposite phase to the first polarity was connected to the second hollow electrode 810B and the third hollow electrode 810C.
  • Other conditions are the same as in the first embodiment.
  • the first polarity wiring from the AC power source was connected to the first hollow electrode 810A and the third hollow electrode 810C.
  • the second polarity wiring having the opposite phase to the first polarity was connected to the second hollow electrode 810B and the fourth hollow electrode 810D.
  • Other conditions are the same as in the first embodiment.
  • Example 1 when the raw material flow rate is large, the film formation rate is improved in Examples 1 and 2 compared to Comparative Example 1, and thus it is clear that the plasma density in the reaction region is improved. is there. In particular, in Example 1, it can be said that the effect of improving the plasma density is great.
  • the present invention can be applied to, for example, a plasma source for a plasma CVD apparatus.

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)

Abstract

　プラズマＣＶＤ装置用のプラズマ源であって、第１の電極、第２の電極、第３の電極、および第４の電極の４つがこの順に配列された電極群を有し、前記電極群は、交流電源に接続され、前記４つの電極のうちの２つに供給される電圧は、残りの２つの電極に供給される電圧と位相がずれており、隣接する電極の間には、原料ガスが供給される空間が設けられ、隣接する２つの電極のうちの少なくとも一組に印加される電圧は、同位相であることを特徴とするプラズマ源。

Description

プラズマＣＶＤ装置用のプラズマ源およびこのプラズマ源を用いた物品の製造方法
　本発明は、プラズマＣＶＤ装置用のプラズマ源およびこのプラズマ源を用いた物品の製造方法に関する。
　プラズマ化学気相成膜（ＣＶＤ）技術（Ｐｌａｓｍａ－ｅｎｈａｎｃｅｄ　ｃｈｅｍｉｃａｌ　ｖａｐｏｒ　ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＰＥＣＶＤ）は、化学気相成膜（ＣＶＤ）技術の一種であり、プラズマを援用することにより、被処理表面にさまざまな物質の膜を、化学的に成膜することができる。プラズマＣＶＤ技術は、例えば、半導体素子の製造などに広く用いられている。
　そのようなプラズマＣＶＤ技術に使用されるプラズマ化学気相成膜（ＣＶＤ）装置は、プラズマを発生するプラズマ源を備える。通常、プラズマ源は、例えば１３．５６ＭＨｚのような周波数を有する高周波交流電源に接続された一対の電極を有し、この高周波交流電源により両電極間で放電が開始されると、両電極間にプラズマが形成される。この状態でプラズマ内に原料ガスを供給すると、原料ガスの原子および／または分子が励起され、化学的に活性となるため、被処理表面で化学反応が生じ、対象物質の膜を被処理表面に成膜することができる。
　最近では、大面積成膜を可能とするため、高周波交流電源の代わりに、例えばｋＨｚオーダーの低周波交流電源を備えたプラズマ源も開発されている。そのようなプラズマ源を使用した場合、十分な長さを有するプラズマを安定的に提供できることが開示されている（特許文献１）。
特表２０１１－５３０１５５号公報
　前述のように、特許文献１には、十分な長さを有するプラズマを安定的に提供することが可能なプラズマ源が示されている。
　しかしながら、特許文献１のような構成のプラズマ源においては、電極近傍に生じるプラズマのプラズマ密度が十分ではない。このため、しばしば、電極近傍のプラズマ領域に供給される原料ガスの反応性が低くなり、被処理表面に十分な成膜速度で膜を成膜することができなくなる場合が生じる可能性がある。
　本発明は、このような問題に鑑みなされたものであり、本発明では、プラズマＣＶＤ装置用のプラズマ源において、発生するプラズマのプラズマ密度をより高めることが可能なプラズマ源を提供することを目的とする。
　本発明の第一の実施態様のプラズマＣＶＤ装置用のプラズマ源は、第１の電極、第２の電極、第３の電極、および第４の電極の４つがこの順に配列された電極群を有し、前記電極群は、交流電源に接続され、前記４つの電極のうちの２つに供給される電圧は、残りの２つの電極に供給される電圧と位相がずれており、隣接する電極同士の間には、原料ガスが供給される空間が設けられ、隣接する２つの電極のうちの少なくとも一組に印加される電圧は、同位相であることを特徴とする。
　本発明の第二の実施態様の物品の製造方法は、第１の電極、第２の電極、第３の電極、および第４の電極の４つがこの順に配列された電極群を備えたプラズマＣＶＤ装置内に、被処理体を配置する工程と、前記電極群のうちの少なくとも一つの隣接する電極間から成膜用の原料ガスを供給する工程と、前記第１の電極と前記第１の電極と隣接する前記第２の電極に負の電圧を印加し、前記第３の電極と前記第３の電極に隣接する前記第４の電極に正の電圧を印加する第１の電圧印加工程と、前記第１の電極と前記第２の電極に正の電圧を印加し、前記第３の電極と前記第４の電極に負の電圧を印加する第２の電圧印加工程とを備え、所定時間経過毎に、前記第１の電圧印加工程と前記第２の電圧印加工程とを交互に実行することにより前記被処理体上に成膜を施して物品を製造することを特徴とする。
　本発明の第三の実施態様の物品の製造方法は、第１の電極、第２の電極、第３の電極、および第４の電極の４つがこの順に配列された電極群を備えたプラズマＣＶＤ装置内に、被処理体を配置する工程と、前記電極群のうちの少なくとも一つの隣接する電極間から成膜用の原料ガスを供給する工程と、前記第１の電極と前記第４の電極に負の電圧を印加し、前記第２の電極と前記第３の電極に正の電圧を印加する第１の電圧印加工程と、
　前記第１の電極と前記第４の電極に正の電圧を印加し、前記第２の電極と前記第３の電極に負の電圧を印加する第２の電圧印加工程とを備え、所定時間経過毎に、前記第１の電圧印加工程と前記第２の電圧印加工程とを交互に実行することにより前記被処理体上に成膜を施して物品を製造することを特徴とする。
　本発明では、発生するプラズマのプラズマ密度をより高めることが可能なプラズマ源を提供することができる。
従来のプラズマＣＶＤ装置用のプラズマ源の構成を概略的に示した図である。 従来のプラズマ源を使用した場合の、電極群を構成する各電極の周期的な極性の変化を説明する図である。 交流電源の出力電圧Ｖの時間変化を模式的に示した図である。 従来のプラズマ源を使用した際に、周期Ｔの間に反応領域に発生するプラズマの総密度を概略的に示した図である。 本発明の一実施例によるプラズマＣＶＤ装置用の第１のプラズマ源の一構成例を概略的に示した図である。 第１のプラズマ源において、ある時間における各電極の極性の変化を、プラズマの密度と関連付けて示した模式図である。 第１のプラズマ源を使用した際に、周期Ｔの間に反応領域に発生するプラズマの総密度を、従来のプラズマ源の場合と比較して、概略的に示した図である。 本発明の一実施例によるプラズマＣＶＤ装置用の第２のプラズマ源の一構成例を概略的に示した図である。 第２のプラズマ源において、ある時間における各電極の極性の変化を、プラズマの密度と関連付けて示した模式図である。 第２のプラズマ源を使用した際に、周期Ｔの間に反応領域に発生するプラズマの総密度を、従来のプラズマ源の場合と比較して、概略的に示した図である。 本発明の一実施例によるプラズマＣＶＤ装置用の第３のプラズマ源の一構成例を概略的に示した図である。 プラズマ源装置の一構成例を概略的に示した図である。
　以下、図面を参照して、本発明について説明する。
　（従来のプラズマＣＶＤ装置用のプラズマ源について）
　本発明の特徴をより良く理解するため、まず、図１および図２を参照して、従来のプラズマＣＶＤ装置用のプラズマ源の基本構成および動作について、簡単に説明する。
　図１には、従来のプラズマ源の基本的な構成を概略的に示す。また、図２には、従来のプラズマ源において、ある時間における各電極の極性の変化を、プラズマの密度と関連付けて示した模式図を示す。
　図１に示すように、従来のプラズマ源１は、電極群１０と、交流電源３０とを備える。電極群１０は、複数の電極を一列に配列することにより構成される。例えば、図１の例では、電極群１０は、第１の電極１０Ａ、第２の電極１０Ｂ、第３の電極１０Ｃ、および第４の電極１０Ｄの４つの電極で構成されている。
　電極群１０を構成する各電極１０Ａ～１０Ｄには、交流電源３０が接続される。交流電源３０は、第１の極性用の配線４０と、第１の極性とは反対の第２の極性用の配線４２とを有する。第１の極性用の配線４０は、第１の電極１０Ａおよび第３の電極１０Ｃに接続される。第２の極性用の配線４２は、第２の電極１０Ｂおよび第４の電極１０Ｄに接続される。
　隣接する各電極１０Ａ～１０Ｄ同士の間には、原料ガス供給のための空間５０が形成されている。すなわち、第１の電極１０Ａと第２の電極１０Ｂの間には、第１の空間５０Ａが形成され、第２の電極１０Ｂと第３の電極１０Ｃの間には、第２の空間５０Ｂが形成され、第３の電極１０Ｃと第４の電極１０Ｄの間には、第３の空間５０Ｃが形成される。
　このような構成のプラズマ源１を備えるプラズマＣＶＤ装置を用いて、被処理体９０の表面に成膜を行う場合、まず、交流電源３０から、配線４０および４２を介して、各電極１０Ａ～１０Ｄに交流電圧が印加される。また、電極群１０の近傍に、プラズマ用ガスが供給される。
　これにより、各電極１０Ａ～１０Ｄにおける極性が周期的に変化する。従って、例えば、第１の電極１０Ａと第２の電極１０Ｂを電極対とした放電が生じ、両電極の近傍にプラズマが発生する。また、第２の電極１０Ｂと第３の電極１０Ｃを電極対とした放電が生じ、両電極の近傍にプラズマが発生する。さらに、第３の電極１０Ｃと第４の電極１０Ｄを電極対とした放電が生じ、両電極の近傍にプラズマが発生する。
　次に、第１の空間５０Ａ～第３の空間５０Ｃに、成膜用の原料ガスが供給される。供給された原料ガスは、各電極１０Ａ～１０Ｄの近傍に発生したプラズマによって活性化される。そのため、被処理体９０の近傍で原料ガスに化学反応が生じ、これにより被処理体９０の表面に膜が形成される。
　このようにして、被処理体９０の表面に所望の膜を成膜することができる。
　ここで、図２を参照して、従来のプラズマ源１を使用した場合の、電極群１０を構成する各電極１０Ａ～１０Ｄの周期的な極性の変化についてより詳しく説明する。
　図２は、ある時間における各電極１０Ａ～１０Ｄの極性の変化を、プラズマの密度と関連付けて示した模式図である。なお、交流電源３０の出力電圧Ｖの時間変化は、図３のように、周期Ｔの正弦波で表されるものと仮定する。
　従来のプラズマ源１の構成では、第１の電極１０Ａと第３の電極１０Ｃは、いずれも配線４０に接続されている。このため、交流電源３０から交流電圧が印加された際に、第１の電極１０Ａと第３の電極１０Ｃは、同位相となる。また、第２の電極１０Ｂと第４の電極１０Ｄは、いずれも配線４２に接続されている。このため、第２の電極１０Ｂと第４の電極１０Ｄも、同位相となる。
　これに対して、配線４０と配線４２に供給される交流電圧は、位相が１／２周期だけずれている。このため、第１の電極１０Ａおよび第３の電極１０Ｃと、第２の電極１０Ｂおよび第４の電極１０Ｄとには、正負反対の極性の電圧が印加される。
　以上のことから、時間ｔ＝１／４Ｔ（図３参照）では、各電極１０Ａ～１０Ｄにおいて、図２（ａ）のような極性が得られる。すなわち、各電極１０Ａ～１０Ｄの極性は、第１の電極１０Ａ側から順に、負－正－負－正となる。
　この場合、放電による電子の流れは、図２（ａ）の３つの矢印Ｆ１～Ｆ３で示したようになる。すなわち、第１の電極１０Ａから放出される電子は、矢印Ｆ１で示すように、その大部分が隣接する第２の電極１０Ｂに取り込まれる。これにより、第１の電極１０Ａと第２の電極１０Ｂの間には、大きなプラズマ密度の第１のプラズマ６０Ａが発生する（以下、このようなプラズマを、「高密度プラズマ」と称する）。
　また、第１の空間５０Ａを通る原料ガスは、高密度プラズマ６０Ａに晒されるため、反応性が高まる。
　一方、第３の電極１０Ｃからの電子は、矢印Ｆ２、Ｆ３で示すように、一部が第２の電極１０Ｂに取り込まれ、残りの一部が第４の電極１０Ｄに取り込まれる。これにより、第２の電極１０Ｂと第３の電極１０Ｃの間には、第２のプラズマ６０Ｂが発生し、第３の電極１０Ｃと第４の電極１０Ｄの間には、第３のプラズマ６０Ｃが発生する。ただし、第３の電極１０Ｃからの電子は、２つの正極性の電極に分散されるため、第２のプラズマ６０Ｂおよび第３のプラズマ６０Ｃは、第１のプラズマ６０Ａのような高い密度を有さず、低密度のプラズマとなる（以下、このようなプラズマを、「低密度プラズマ」と称する）。
　従って、第２の空間５０Ｂおよび第３の空間５０Ｃを通る原料ガスは、低密度プラズマ６０Ｂ、６０Ｃに晒されることになるため、これらの原料ガスの反応性は、第１の空間５０Ａを通る原料ガスに比べて大きく低下する。
　次に、時間ｔ＝３／４Ｔでは、各電極１０Ａ～１０Ｄにおいて、図２（ｂ）のような極性が得られる。すなわち、各電極１０Ａ～１０Ｄの極性は、第１の電極１０Ａ側から順に、正－負－正－負となる。
　この場合、電子の流れは、図２（ｂ）の３つの矢印Ｆ４～Ｆ６で示したようになる。すなわち、第４の電極１０Ｄからの電子は、矢印Ｆ６で示すように、その大部分が隣接する第３の電極１０Ｃに取り込まれる。従って、第３の電極１０Ｃと第４の電極１０Ｄの間には、「高密度プラズマ」６０Ｃが発生する。
　また、第３の空間５０Ｃを通る原料ガスは、高密度プラズマ６０Ｃに晒されるため、反応性が高まる。
　しかしながら、第２の電極１０Ｂからの電子は、矢印Ｆ４、Ｆ５で示すように、一部が第１の電極１０Ａに取り込まれ、残りの一部が第３の電極１０Ｃに取り込まれる。これにより、第１の電極１０Ａと第２の電極１０Ｂの間には、第１のプラズマ６０Ａが発生し、第２の電極１０Ｂと第３の電極１０Ｃの間には、第２のプラズマ６０Ｂが発生する。ただし、第２の電極１０Ｂからの電子は、２つの正極性の電極に分散されるため、第１のプラズマ６０Ａおよび第２のプラズマ６０Ｂは、いずれも「低密度プラズマ」となる。
　従って、第１の空間５０Ａおよび第２の空間５０Ｂを通る原料ガスは、低密度プラズマ６０Ａ、６０Ｂに晒されることになるため、これらの原料ガスの反応性は、第３の空間５０Ｃを通る原料ガスに比べて大きく低下する。
　以上の結果から、１周期Ｔの間に反応領域（被処理体９０の表面の上部／電極群１０の直下）に発生するプラズマの総密度は、概略的に図４のように表される。
　なお、図４において、横軸は、各空間５０Ａ～５０Ｃ（および各電極１０Ａ～１０Ｄ）の水平位置に対応している。また、縦軸は、反応領域に発生するプラズマの１周期Ｔの間の総密度を示している。
　１周期Ｔの間のプラズマ密度は、原料ガスの反応速度、さらには膜の成膜速度を決定づける大きな要因になるため、反応領域のプラズマ密度は、できる限り高めることが好ましい。
　しかしながら、この図４から、従来のプラズマ源１では、反応領域のプラズマ密度は、未だ十分に高められているとは言い難く、さらなるプラズマ密度の向上が必要であることがわかる。
　なお、試算によれば、第２の空間５０Ｂの下流側の反応領域におけるプラズマ密度は、例えば、第１の空間５０Ａおよび第３の空間５０Ｃの下流側の反応領域におけるプラズマ密度の約２／３程度になることが予想される。
　このように、原料ガスの反応速度の向上、および膜の成膜速度の向上の観点から、従来のプラズマ源１に対して、さらなる改良が要望されている。
　（本発明の一実施例によるプラズマＣＶＤ装置用のプラズマ源について）
　次に、図５および図６を参照して、本発明の一実施例によるプラズマＣＶＤ装置用のプラズマ源（以下、「第１のプラズマ源」と称する）の特徴について説明する。
　図５は、本発明の第１のプラズマ源の構成を示す模式図である。また、図６は、本発明の第１のプラズマ源において、ある時間における各電極の極性の変化を、プラズマの密度と関連付けて示す模式図である。
　従来のプラズマ源１と本発明のプラズマＣＶＤ装置用のプラズマ源１００とは、電極群１１０を構成する各電極１１０Ａ～１１０Ｄと、交流電源１３０との接続方式が異なっている。
　すなわち、図５に示すように、交流電源１３０は、第１の極性用の配線１４０と、第１の極性とは反対の第２の極性用の配線１４２とを有し、第１の極性用の配線１４０は、第１の電極１１０Ａおよび第２の電極１１０Ｂに接続される。また、第２の極性用の配線１４２は、第３の電極１１０Ｃおよび第４の電極１１０Ｄに接続される。
　なお、交流電源１３０の周波数は、例えば、５ｋＨｚ～５００ｋＨｚの範囲である。
　また、本発明のプラズマＣＶＤ装置用のプラズマ源１００では、電極１１０Ａ～１１０Ｄの配列方向に沿って、例えば、０．５ｍ以上の寸法にわたって、プラズマを形成することができる。
　次に、第１のプラズマ源１００の動作について説明する。
　図５に示すような第１のプラズマ源１００を使用して、被処理体１９０の表面に膜を成膜する際には、まず、交流電源１３０から、配線１４０および１４２を介して、各電極１１０Ａ～１１０Ｄに交流電圧が印加される。また、電極群１１０の近傍に、プラズマ用ガスが供給される。
　これにより、各電極１１０Ａ～１１０Ｄにおける極性が周期的に変化し、各電極１１０Ａ～１１０Ｄ間の放電により、電極群１１０の直下にプラズマが発生する。
　次に、第１の空間１５０Ａ～第３の空間１５０Ｃに、成膜用の原料ガスが供給される。なお、本願において、「（第ｎの）空間」とは、原料ガスを反応領域に向かって流通させるための通路のうち、隣接する電極同士の間に形成された部分を意味する。
　供給された原料ガスは、各電極１１０Ａ～１１０Ｄの近傍に発生したプラズマによって活性化される。そのため、被処理体１９０の近傍で原料ガスに化学反応が生じ、これにより被処理体１９０の表面に、膜を形成することができる。
　なお、図５の例では、第１のプラズマ源１００は、単一の交流電源１３０を有する。しかしながら、本発明の構成は、これに限られるものではなく、第１のプラズマ源１００は、複数の交流電源を備えても良い。例えば、図５の構成の場合、２つの交流電源１３０－１、１３０－２が存在し、第１の交流電源１３０－１は、第１の電極１１０Ａと第３の電極１１０Ｃに接続され、第２の交流電源１３０－２は、第２の電極１１０Ｂと第４の電極１１０Ｄに接続されても良い。この場合、２つの交流電源１３０－１、１３０－２は、第１の電極１１０Ａと第２の電極１１０Ｂに印加される電圧が同位相となり、第３の電極１１０Ｃと第４の電極１１０Ｄに印加される電圧が同位相となるように配置される。
　ここで、図６を参照して、本発明の第１のプラズマ源１００を使用した場合の、電極群１１０を構成する各電極１１０Ａ～１１０Ｄの周期的な極性の変化についてより詳しく説明する。
　図６は、ある時間における各電極１１０Ａ～１１０Ｄの極性の変化を、プラズマの密度と関連付けて示した模式図である。なお、交流電源１３０の出力電圧Ｖの時間変化は、前述の図３のように、周期Ｔの正弦波で表されるものと仮定する。
　本発明の第１のプラズマ源１００において、第１の電極１１０Ａと第２の電極１１０Ｂは、いずれも第１の極性用の配線１４０に接続されている。このため、交流電源１３０から交流電圧が印加された際に、第１の電極１１０Ａと第２の電極１１０Ｂは、同位相となる。また、第３の電極１１０Ｃと第４の電極１１０Ｄは、いずれも第２の極性用の配線１４２に接続されている。このため、第３の電極１１０Ｃと第４の電極１１０Ｄも、同位相となる。
　これに対して、第１の極性用の配線１４０と第２の極性用の配線１４２に供給される交流電圧は、位相が１／２周期だけずれている。このため、第１の電極１１０Ａおよび第２の電極１１０Ｂと、第３の電極１１０Ｃおよび第４の電極１１０Ｄとには、正負反対の極性の電圧が印加される。
　以上のことから、時間ｔ＝１／４Ｔ（図３参照）では、各電極１１０Ａ～１１０Ｄにおいて、図６（ａ）のような極性が得られる。すなわち、各電極１１０Ａ～１１０Ｄの極性は、第１の電極１１０Ａ側から順に、負－負－正－正となる。
　この場合、放電による電子の流れは、図６（ａ）の４つの矢印Ｆ１０１～Ｆ１０４で示したようになる。すなわち、第２の電極１１０Ｂからの電子は、矢印Ｆ１０１で示すように、一部が隣接する第３の電極１１０Ｃに取り込まれるとともに、他の一部が、矢印１０２で示すように、第４の電極１１０Ｄに取り込まれる。
　なお、第２の電極１１０Ｂからの電子の一部が、第３の電極１１０Ｃを越えて第４の電極１１０Ｄまで到達するのは、第３の電極１１０Ｃと第４の電極１１０Ｄの極性が等しく（いずれも正極性）、第３の電極１１０Ｃと第４の電極１１０Ｄの間に、反対極性の電極が存在しないためである。（ただし、電極間の距離の関係から、第２の電極１１０Ｂから放出される電子の大部分は、第３の電極１１０Ｃに取り込まれ、第４の電極１１０Ｄまで進行する電子の割合は、第３の電極１１０Ｃに取り込まれる電子の割合に比べて少ないと思われる。）
　同様に、第１の電極１１０Ａからの電子は、矢印Ｆ１０３で示すように、一部が第３の電極１１０Ｃに取り込まれるとともに、他の一部が、矢印Ｆ１０４で示すように、第４の電極１１０Ｄに取り込まれる。
　なお、第１の電極１１０Ａからの電子の一部が、第３の電極１１０Ｃを越えて第４の電極１１０Ｄまで到達するのは、第３の電極１１０Ｃと第４の電極１１０Ｄの極性が等しく（いずれも正極性）、第３の電極１１０Ｃと第４の電極１１０Ｄの間に、反対極性の電極が存在しないためである。（ただし、電極間の距離の関係から、第１の電極１１０Ａから放出される電子の大部分は、第３の電極１１０Ｃに取り込まれ、第４の電極１１０Ｄまで進行する電子の割合は、第３の電極１１０Ｃに取り込まれる電子の割合に比べて少ないと思われる。）
　以上の結果から、時間ｔ＝１／４Ｔでは、第１の電極１１０Ａと第２の電極１１０Ｂの間には、第１のプラズマ１６０Ａとして、「高密度プラズマ」１６０Ａが生じる。また、第２の電極１１０Ｂと第３の電極１１０Ｃの間には、極めて大きなプラズマ密度の第２のプラズマ１６０Ｂが発生する（以下、このようなプラズマを、「超高密度プラズマ」と称する）。さらに、第３の電極１１０Ｃと第４の電極１１０Ｄの間には、第３のプラズマ１６０Ｃとして、「高密度プラズマ」が発生する。
　次に、時間ｔ＝３／４Ｔでは、各電極１１０Ａ～１１０Ｄにおいて、図６（ｂ）のような極性が得られる。すなわち、各電極１１０Ａ～１１０Ｄの極性は、第１の電極１１０Ａ側から順に、正－正－負－負となる。
　この場合、電子の流れは、図６（ｂ）の４つの矢印Ｆ１０５～Ｆ１０８で示したようになる。すなわち、第３の電極１１０Ｃからの電子は、矢印Ｆ１０５で示すように、一部が隣接する第２の電極１１０Ｂに取り込まれるとともに、他の一部が、矢印Ｆ１０６で示すように、第１の電極１１０Ａに取り込まれる。
　なお、第３の電極１１０Ｃからの電子の一部が、第２の電極１１０Ｂを越えて第１の電極１１０Ａまで到達するのは、第１の電極１１０Ａと第２の電極１１０Ｂの極性が等しく（いずれも正極性）、第１の電極１１０Ａと第２の電極１１０Ｂの間に、反対極性の電極が存在しないためである。（ただし、電極間の距離の関係から、第３の電極１１０Ｃから放出される電子の大部分は、第２の電極１１０Ｂに取り込まれ、第１の電極１１０Ａまで進行する電子の割合は、第２の電極１１０Ｂに取り込まれる電子の割合に比べて少ないと思われる。）
　同様に、第４の電極１１０Ｄからの電子は、矢印Ｆ１０７で示すように、一部が第２の電極１１０Ｂに取り込まれるとともに、他の一部が、矢印１０８で示すように、第１の電極１１０Ａに取り込まれる。
　なお、第４の電極１１０Ｄからの電子の一部が、第２の電極１１０Ｂを越えて第１の電極１１０Ａまで到達するのは、第１の電極１１０Ａと第２の電極１１０Ｂの極性が等しく（いずれも正極性）、第１の電極１１０Ａと第２の電極１１０Ｂの間に、反対極性の電極が存在しないためである。（ただし、電極間の距離の関係から、第４の電極１１０Ｄから放出される電子の大部分は、第２の電極１１０Ｂに取り込まれ、第１の電極１１０Ａまで進行する電子の割合は、第２の電極１１０Ｂに取り込まれる電子の割合に比べて少ないと思われる。）
　以上の結果から、時間ｔ＝３／４Ｔでは、第１の電極１１０Ａと第２の電極１１０Ｂの間には、第１のプラズマ１６０Ａとして、「高密度プラズマ」１６０Ａが生じる。また、第２の電極１１０Ｂと第３の電極１１０Ｃの間には、第２のプラズマ１６０Ｂとして、「超高密度プラズマ」が発生する。さらに、第３の電極１１０Ｃと第４の電極１１０Ｄの間には、第３のプラズマ１６０Ｃとして、「高密度プラズマ」が発生する。
　その結果、第１のプラズマ源１００において、１周期Ｔの間に反応領域（被処理体１９０の表面の上部／電極群１１０の直下）に発生するプラズマの総密度は、概略的に図７の曲線（１）のようになる。
　なお、図７において、横軸は、各空間１５０Ａ～１５０Ｃ（および各電極１１０Ａ～１１０Ｄ）の水平位置を示し、縦軸は、反応領域に発生するプラズマの１周期Ｔの間の総密度を示している。また、図７には、前述の図４において示した、従来のプラズマ源１における同様のプラズマ密度の曲線（曲線（２））を同時に示した。
　この図７から、第１のプラズマ源１００において形成されるプラズマのプラズマ密度（曲線（１））は、従来のプラズマ源１において形成されるプラズマのプラズマ密度（曲線（２））に比べて、全体的に密度が有意に向上していることがわかる。
　特に、試算では、第１のプラズマ源１００を使用した場合、反応領域の中心近傍（第２の空間１５０Ｂの下流側）における１周期の間のプラズマの密度は、従来のプラズマ源１の同位置でのプラズマ密度に比べて、例えば、約２倍に向上することが予想される。また、第１のプラズマ源１００を使用した場合、第１の空間１５０Ａおよび第３の空間１５０Ｃの下流側の反応領域においても、１周期の間のプラズマの密度は、従来のプラズマ源１の同位置でのプラズマ密度に比べて、例えば、約１．５倍に向上することが予想される。
　このように、第１のプラズマ源１００を使用した場合、第１の空間１５０Ａ～１５０Ｃに供給される原料ガスの反応性が高まり、膜の成膜速度を有意に高めることが可能となる。
　以上、図５に示した構成を有する第１のプラズマ源１００を例に挙げ、本発明の特徴的効果について説明した。しかしながら、本発明によるプラズマ源の構成は、図５に示した構成に限られるものではない。
　すなわち、より一般化して言えば、前述のような本発明による効果は、電極群を構成する一連の電極において、「１周期Ｔの間、少なくとも一つの隣接する電極組が同位相となっている」場合に、等しく達成されることに留意する必要がある。例えば、図５に示した第１のプラズマ源１００の場合は、１周期Ｔの間、第１の電極１１０Ａと、これに隣接する第２の電極１１０Ｂとは、常に同位相となっている。また、第３の電極１１０Ｃと、これに隣接する第４の電極１１０Ｄとは、常に同位相となっている。
　本発明では、「各周期の間、少なくとも一つの隣接する電極組に印加される電圧が同位相となっている」という条件が満たされる限り、プラズマ源の構成は、特に限られない。例えば、電極群を構成する電極の数は、４つ以上であればいかなる数であっても良く、電極の数は、例えば、６つ、８つ、または１０等であっても良い。
　また、図５の例では、電極群１１０を構成する各電極１１０Ａ～１１０Ｄの配列方向は、被処理体１９０の表面と平行（水平方向）になっているが、本発明において、電極の配列方向は、特に限られない。さらに、図５の例では、原料ガスの供給路である第１～第３の空間１５０Ａ～１５０Ｃは、電極群１１０を構成する各電極１１０Ａ～１１０Ｄの配列方向に対して垂直な方向に延伸している。しかしながら、空間１５０Ａ～１５０Ｃの延伸方向は、これに限られるものではない。例えば、原料ガスの供給路用の空間の延伸方向は、電極の配列方向に対して、直角以外の角度で傾斜していても良い。
　（本発明による第１のプラズマ源を用いた物品の製造方法）
　ここで、本発明による第１のプラズマ源を用いた物品の製造方法について説明する。
　初めに、第１のプラズマ源を備えるプラズマＣＶＤ装置内に、被処理体１９０を配置する。次に、電極１１０Ａ～１１０Ｄの各電極間から成膜用の原料ガスを供給する。次に、第１の電極１１０Ａと第２の電極１１０Ｂに負の電圧を印加し、第３の電極１１０Ｃと第４の電極１１０Ｄに正の電圧を印加する。そして、所定時間経過後に、第１の電極１１０Ａと第２の電極１１０Ｂに正の電圧を印加し、第３の電極１１０Ｃと第４の電極１１０Ｄに負の電圧を印加する。これらの動作を繰り返し、被処理体１９０上に成膜を施し、物品を製造する。
　（本発明による第２のプラズマ源）
　次に、図８を参照して、本発明によるプラズマ源の別の構成例（第２のプラズマ源）について説明する。
　図８には、本発明による第２のプラズマ源の構成を模式的に示す。
　図８に示すように、本発明の第２のプラズマ源２００は、基本的に、図５に示した第１のプラズマ源１００と同様の構成を有する。従って、図８において、図５と同様の部材には、図５で使用した参照符号に１００を加えた参照符号が付されている。
　ただし、第２のプラズマ源２００は、第１のプラズマ源１００とは交流電源２３０の接続方式が異なっている。
　すなわち、図８に示すように、第２のプラズマ源２００では、交流電源２３０は、第１の極性用の配線２４０と、第１の極性とは反対の第２の極性用の配線２４２とを有し、第１の極性用の配線２４０は、第１の電極２１０Ａおよび第４の電極２１０Ｄに接続される。また、第２の極性用の配線２４２は、第２の電極２１０Ｂおよび第３の電極２１０Ｃに接続される。
　なお、図８の例では、第２のプラズマ源２００は、単一の交流電源２３０を有する。しかしながら、本発明の構成は、これに限られるものではなく、第２のプラズマ源２００は、複数の交流電源を備えても良い。例えば、図８の構成の場合、２つの交流電源２３０－１、２３０－２が存在し、第１の交流電源２３０－１は、第１の電極２１０Ａと第２の電極２１０Ｂに接続され、第２の交流電源２３０－２は、第４の電極２１０Ｄと第３の電極２１０Ｃに接続されても良い。この場合、２つの交流電源２３０－１、２３０－２は、第１の電極２１０Ａと第４の電極２１０Ｄが同位相となり、第２の電極２１０Ｂと第３の電極２１０Ｃが同位相となるように配置される。
　次に、図９を参照して、本発明による第２のプラズマ源２００を使用した場合の、電極群２１０を構成する各電極２１０Ａ～２１０Ｄの周期的な極性の変化についてより詳しく説明する。
　図９は、ある時間における各電極２１０Ａ～２１０Ｄの極性の変化を、プラズマの密度と関連付けて示した模式図である。なお、交流電源２３０の出力電圧Ｖの時間変化は、前述の図３のように、周期Ｔの正弦波で表されるものと仮定する。
　本発明の第２のプラズマ源２００において、第１の電極２１０Ａと第４の電極２１０Ｄは、いずれも配線２４０に接続されている。このため、交流電源２３０から交流電圧が印加された際に、第１の電極２１０Ａと第４の電極２１０Ｄは、同位相となる。また、第２の電極２１０Ｂと第３の電極２１０Ｃは、いずれも配線２４２に接続されている。このため、第２の電極２１０Ｂと第３の電極２１０Ｃも、同位相となる。
　これに対して、配線２４０と配線２４２に供給される交流電圧は、位相が１／２周期だけずれている。このため、第１の電極２１０Ａおよび第４の電極２１０Ｄと、第２の電極２１０Ｂおよび第３の電極２１０Ｃとには、正負反対の極性の電圧が印加される。
　以上のことから、時間ｔ＝１／４Ｔ（図３参照）では、各電極２１０Ａ～２１０Ｄにおいて、図９（ａ）のような極性が得られる。すなわち、各電極２１０Ａ～２１０Ｄの極性は、第１の電極２１０Ａ側から順に、負－正－正－負となる。
　この場合、放電による電子の流れは、図９（ａ）の４つの矢印Ｆ２０１～Ｆ２０４で示したようになる。すなわち、第１の電極２１０Ａからの電子は、矢印Ｆ２０１で示すように、一部が隣接する第２の電極２１０Ｂに取り込まれるとともに、他の一部が、矢印Ｆ２０２で示すように、第３の電極２１０Ｃに取り込まれる。
　なお、第１の電極２１０Ａからの電子の一部が、第２の電極２１０Ｂを越えて第３の電極２１０Ｃまで到達するのは、第２の電極２１０Ｂと第３の電極２１０Ｃの極性が等しく（いずれも正極性）、第２の電極２１０Ｂと第３の電極２１０Ｃの間に、反対極性の電極が存在しないためである。（ただし、電極間の距離の関係から、第１の電極２１０Ａから放出された電子の大部分は、第２の電極２１０Ｂに取り込まれ、第３の電極２１０Ｃまで進行する電子の割合は、第２の電極２１０Ｂに取り込まれる電子の割合に比べて少ないと思われる。）
　同様に、第４の電極２１０Ｄからの電子は、矢印Ｆ２０３で示すように、一部が隣接する第３の電極２１０Ｃに取り込まれるとともに、他の一部が、矢印Ｆ２０４で示すように、第２の電極２１０Ｂに取り込まれる。
　なお、第４の電極２１０Ｄからの電子の一部が、第３の電極２１０Ｃを越えて第２の電極２１０Ｂまで到達するのは、第２の電極２１０Ｂと第３の電極２１０Ｃの極性が等しく（いずれも正極性）、第２の電極２１０Ｂと第３の電極２１０Ｃの間に、反対極性の電極が存在しないためである。（ただし、電極間の距離の関係から、第４の電極２１０Ｄから放出される電子の大部分は、第３の電極２１０Ｃに取り込まれ、第２の電極２１０Ｂまで進行する電子の割合は、第３の電極２１０Ｃに取り込まれる電子の割合に比べて少ないと思われる。）
　以上の結果から、時間ｔ＝１／４Ｔでは、第１の電極２１０Ａと第２の電極２１０Ｂの間には、第１のプラズマ２６０Ａとして、「高密度プラズマ」２６０Ａが生じる。また、第２の電極２１０Ｂと第３の電極２１０Ｃの間には、第２のプラズマ２６０Ｂとして、「高密度プラズマ」２６０Ｂが発生する。さらに、第３の電極２１０Ｃと第４の電極２１０Ｄの間には、第３のプラズマ２６０Ｃとして、「高密度プラズマ」２６０Ｃが発生する。
　次に、時間ｔ＝３／４Ｔでは、各電極２１０Ａ～２１０Ｄにおいて、図９（ｂ）のような極性が得られる。すなわち、各電極２１０Ａ～２１０Ｄの極性は、第１の電極２１０Ａ側から順に、正－負－負－正となる。
　この場合、放電による電子の流れは、図９（ｂ）の２つの矢印Ｆ２０５～Ｆ２０６で示したようになる。すなわち、第２の電極２１０Ｂからの電子は、矢印Ｆ２０５で示すように、隣接する第１の電極２１０Ａに取り込まれる。同様に、第３の電極２１０Ｃからの電子は、矢印Ｆ２０６で示すように、隣接する第４の電極２１０Ｄに取り込まれる。
　その結果、時間ｔ＝３／４Ｔでは、第１の電極２１０Ａと第２の電極２１０Ｂの間には、第１のプラズマ２６０Ａとして、「高密度プラズマ」２６０Ａが生じる。また、第２の電極２１０Ｂと第３の電極２１０Ｃの間には、プラズマはほとんど生じない。一方、第３の電極２１０Ｃと第４の電極２１０Ｄの間には、第３のプラズマ２６０Ｃとして、「高密度プラズマ」２６０Ｃが発生する。
　なお、第２のプラズマ源２００では、時間ｔ＝１／４Ｔおよび時間ｔ＝３／４Ｔのいずれにおいても、第２の電極２１０Ｂと第３の電極２１０Ｃの組は、「隣接する電極組に印加される電圧が同位相である」という条件を満たしている。
　このような第２のプラズマ源２００において、１周期Ｔの間に反応領域（被処理体２９０の表面の上部／電極群２１０の直下）に発生するプラズマの総密度は、概略的に図１０の曲線（１）のようになる。
　なお、図１０において、横軸は、各空間２５０Ａ～２５０Ｃ（および各電極２１０Ａ～２１０Ｄ）の水平位置を示し、縦軸は、反応領域に発生するプラズマの１周期Ｔの間の総密度を示している。また、図１０には、前述の図４に示した、従来のプラズマ源１における同様のプラズマ密度の曲線（曲線（２））を同時に示した。
　この図１０から、第２のプラズマ源２００において形成されるプラズマの密度（曲線（１））は、従来のプラズマ源１において形成されるプラズマの密度（曲線（２））に比べて、有意に向上していることがわかる。
　特に、試算では、第２のプラズマ源２００を使用した場合、第１の空間２５０Ａおよび第３の空間２５０Ｃの下流側の反応領域における、１周期の間のプラズマの密度は、従来のプラズマ源１の同位置でのプラズマ密度に比べて、例えば、約１．５倍向上することが予想される。
　このように、第２のプラズマ源２００を使用した場合も、第１の空間１５０Ａ～１５０Ｃに供給される原料ガスの反応性が高まり、膜の成膜速度を有意に高めることが可能となる。
　（本発明による第２のプラズマ源を用いた物品の製造方法）
　ここで、本発明による第２のプラズマ源を用いた物品の製造方法について説明する。
　初めに、第２のプラズマ源を備えるプラズマＣＶＤ装置内に、被処理体１９０を配置する。次に、電極１１０Ａ～１１０Ｄの各電極間から成膜用の原料ガスを供給する。次に、第１の電極１１０Ａと第４の電極１１０Ｄに負の電圧を印加し、第２の電極１１０Ｂと第３の電極１１０Ｃに正の電圧を印加する。そして、所定時間経過後に、第１の電極１１０Ａと第４の電極１１０Ｄに正の電圧を印加し、第２の電極１１０Ｂと第３の電極１１０Ｃに負の電圧を印加する。これらの動作を繰り返し、被処理体１９０上に成膜を施し、物品を製造する。
　（本発明による第３のプラズマ源）
　次に、図１１を参照して、本発明によるプラズマ源の別の構成例（第３のプラズマ源）について説明する。
　図１１には、本発明の第３のプラズマ源の構成を模式的に示す。
　図１１に示すように、本発明の第３のプラズマ源３００は、基本的に、図５に示した第１のプラズマ源１００と同様の構成を有する。従って、図１１において、図５と同様の部材には、図５で使用した参照符号に２００を加えた参照符号が付されている。
　ただし、第３のプラズマ源３００は、第１のプラズマ源１００とは異なり、電極群３１０を構成する電極の数が６つに増えている。
　また、これに伴い、交流電源３３０は、第１の極性用の配線３４０と、第１の極性とは反対の第２の極性用の配線３４２とを有し、第１の極性用の配線３４０は、第１の電極３１０Ａ、第２の電極３１０Ｂ、および第３の電極３１０Ｃに接続される。また、第２の極性用の配線３４２は、第４の電極３１０Ｄ、第５の電極３１０Ｅ、および第６の電極３１０Ｆに接続される。
　このような構成の第３のプラズマ源３００では、第１の電極３１０Ａ～第３の電極３１０Ｃは、いずれも配線３４０に接続されている。このため、交流電源３３０から交流電圧が印加された際に、第１の電極３１０Ａ、第２の電極３１０Ｂ、および第３の電極３１０Ｃは、同位相となる。また、第４の電極３１０Ｄ、第５の電極３１０Ｅ、および第６の電極３１０Ｆは、いずれも配線３４２に接続されている。このため、第４の電極３１０Ｄ、第５の電極３１０Ｅ、および第６の電極３１０Ｆも、同位相となる。
　これに対して、配線３４０と配線３４２に供給される交流電圧は、位相が１／２周期だけずれている。このため、第１～第３の電極３１０Ａ～３１０Ｃの組と、第４～第６の電極３１０Ｄ～３１０Ｆの組とには、正負反対の極性の電圧が印加される。
　その結果、時間ｔ＝１／４Ｔ（図３参照）では、各電極３１０Ａ～３１０Ｆの極性は、第１の電極３１０Ａ側から順に、負－負－負－正－正－正となる。また、時間ｔ＝３／４Ｔでは、各電極３１０Ａ～３１０Ｆの極性は、第１の電極３１０Ａ側から順に、正－正－正－負－負－負となる。
　この場合、１周期Ｔにおいて、第１の電極３１０Ａと第２の電極３１０Ｂの組、第２の電極３１０Ｂと第３の電極３１０Ｃの組、第４の電極３１０Ｄと第５の電極３１０Ｅの組、および第５の電極３１０Ｅと第６の電極３１０Ｆの組は、いずれも「隣接する電極組が同位相である」という条件を満たす。
　従って、第３のプラズマ源３００においても、第１のプラズマ源１００と同様の効果、すなわち、各空間３５０Ａ～３５０Ｅに供給される原料ガスの反応性が高まり、膜の成膜速度を有意に高めることができるという効果を得ることができる。
　（本発明の一実施例によるプラズマ源の具体的構成例について）
　次に、図１２を参照して、本発明の一実施例によるプラズマ源を備える装置（プラズマ源装置）の具体的な構成例について説明する。なお、ここでは、前述の図５に示した概念を備えるプラズマ源を例に、具体的なプラズマ源装置の構成について説明する。
　図１２には、プラズマ源装置８００を示す。プラズマ源装置８００は、電極群８１０および交流電源（図示されていない）を備える。
　電極群８１０は、４つの中空電極８１０Ａ～８１０Ｄで構成される。各中空電極８１０Ａ～８１０Ｄは、交流電源の第１の極性用の配線（図示されていない）および第２の極性用の配線（図示されていない）を介して、交流電源と接続される。
　ここで、前述の図５に示した構成と同様に、第１の極性用の配線は、第１の中空電極８１０Ａおよび第２の中空電極８１０Ｂに接続され、第２の極性用の配線は、第３の中空電極８１０Ｃおよび第４の中空電極８１０Ｄに接続される。従って、第１の中空電極８１０Ａと第２の中空電極８１０Ｂに印加される電圧は、同位相であり、第３の中空電極８１０Ｃと第４の中空電極８１０Ｄに印加される電圧も、同位相である。一方、第１および第２の中空電極８１０Ａ、８１０Ｂと、第３および第４の中空電極８１０Ｃ、８１０Ｄの間は、正負反対の極性の電圧が印加される。
　各中空電極８１０Ａ～８１０Ｄは、プラズマを噴出さするためのスロット８１２を有する。各中空電極のスロット８１２は、中空電極８１０Ａ～８１０Ｄの配列方向に対して垂直な方向に沿って延伸する細長いライン形状を有する。図１２の例では、各中空電極のスロット８１２は、それぞれ、単一のスロット８１２を有するが、スロットは、複数設けられても良い。なお、スロット８１２は、１または２以上の円形状の開口で構成されても良い。
　各中空電極のスロット８１２同士の間隔は、例えば、約１０ｍｍ～約２００ｍｍの範囲である。
　隣接する第１および第２の中空電極８１０Ａ、８１０Ｂ同士の間には、被処理体８９０の方に向かって開放された端部を有する第１の空間８５０Ａが形成されている。また、隣接する第２および第３の中空電極８１０Ｂ、８１０Ｃ同士の間には、被処理体８９０の方に向かって開放された端部を有する第２の空間８５０Ｂが形成されている。同様に、隣接する第３および第４の中空電極８１０Ｃ、８１０Ｄ同士の間には、被処理体８９０の方に向かって開放された端部を有する第３の空間８５０Ｃが形成されている。
　また、プラズマ源装置８００は、さらに、第１の配管８６０（８６０Ａ～８６０Ｄ）、第２の配管８６５（８６５Ａ～８６５Ｃ）、およびマニホルド８７０（８７０Ａ～８７０Ｃ）を備える。
　第１の配管８６０は、例えば、アルゴンガス、酸素ガス、および／または窒素ガスなど、原料ガスの化学反応に必要なガス（「反応支援ガス」という）をプラズマ化し、反応領域に供給するために設けられる。第２の配管８６５およびマニホルド８７０は、原料ガス（すなわち成膜物質の前駆体）を、第１～第３の空間８５０Ａ～８５０Ｃを介して、反応領域に供給するために設けられる。
　図１２に示すようなプラズマ源装置８００を使用して、被処理体８９０の表面に膜を成膜する際には、まず、交流電源から、各電極８１０Ａ～８１０Ｄに交流電圧が印加される。また、各電極８１０Ａ～３１０Ｄの近傍に、プラズマ用ガスが供給される。
　これにより、各電極８１０Ａ～８１０Ｄにおける極性が周期的に変化し、各電極８１０Ａ～８１０Ｄ間の放電により、反応領域にプラズマが発生する。
　次に、第１の配管８６０Ａ～８６０Ｄを介して、反応領域に反応支援ガスが供給される。また、第２の配管８６５Ａ～８６５Ｃ、およびマニホルド８７０Ａ～８７０Ｃ、さらには第１～第３の空間８５０Ａ～８５０Ｃを介して、反応領域に原料ガスが供給される。
　反応領域に供給された原料ガスおよび反応支援ガスは、各電極８１０Ａ～８１０Ｄの近傍に発生したプラズマによって活性化される。そのため、被処理体８９０の近傍で原料ガスに化学反応が生じ、これにより被処理体８９０の表面に膜を形成される。
　前述の記載から、このような構成のプラズマ源装置８００において、各空間８５０Ａ～８５０Ｅに供給される原料ガスの反応性が高まり、膜の成膜速度を有意に高めることができるという効果を得ることができることは明らかであろう。
　以下、本発明の実施例について説明する。
　（実施例１）
　前述の図１２に示したプラズマ源８００を用いてＳｉＯ２薄膜の成膜を行った。
　反応支援ガスには酸素ガスを使用した。反応支援ガスは、４つの中空電極８１０Ａ～８１０Ｄに均等供給されるよう制御した。原料ガスにはテトラメチルジシロキサンを使用した。原料ガスは、各中空電極８１０Ａ～８１０Ｄ同士の間の空間８５０Ａ～８５０Ｃに、均等供給されるよう制御した。
　これら成膜ガスの混合比（酸素/テトラメチルジシロキサン）は、２５とした。プラズマ源の長さに対するテトラメチルジシロキサンの流量は、２００ｓｃｃｍ／ｍ、３５０ｓｃｃｍ／ｍ、５００ｓｃｃｍ／ｍ、６５０ｓｃｃｍ／ｍ、８００ｓｃｃｍ／ｍの５条件とした。それぞれの成膜ガス流量の条件において、成膜時の真空チャンバー圧力が１．０Ｐａになるように、排気のコンダクタンスバルブの開閉度を制御した。
　交流電源周波数は、４０ｋＨｚであり、プラズマ源の長さに対する投入電力は、８０ｋＷ／ｍとなるよう印加した。交流電源からの第１の極性用の配線は、第１の中空電極８１０Ａおよび第２の中空電極８１０Ｂに接続した。また、第１の極性とは逆位相の第２の極性用の配線は、第３の中空電極８１０Ｃおよび第４の中空電極８１０Ｄに接続した。
　基板には、縦３００ｍｍ×横３００ｍｍ×厚さ２ｍｍのソーダライムガラス基板を使用した。成膜前に、基板は加熱していない。また、基板の搬送速度は、１．０ｍ／ｍｉｎとした。
　(実施例２)
　実施例１と同様の方法で、ＳｉＯ２薄膜の成膜を行った。
　ただし、この実施例２では、前述の図１２において、交流電源からの第１の極性用の配線は、第１の中空電極８１０Ａおよび第４の中空電極８１０Ｄに接続した。また、第１の極性とは逆位相の第２の極性用の配線は、第２の中空電極８１０Ｂおよび第３の中空電極８１０Ｃに接続した。その他の条件は、実施例１と同様である。
　(比較例１)
　実施例１と同様の方法で、ＳｉＯ２薄膜の成膜を行った。
　ただし、この比較例１では、前述の図１２において、交流電源からの第１の極性用の配線は、第１の中空電極８１０Ａおよび第３の中空電極８１０Ｃに接続した。また、第１の極性とは逆位相の第２の極性用の配線は、第２の中空電極８１０Ｂおよび第４の中空電極８１０Ｄに接続した。その他の条件は、実施例１と同様である。
　(評価および結果)
　実施例１、２と比較例１で成膜したＳｉＯ２薄膜サンプルに対して、段差膜厚計（Ｄｅｋｔａｋ）を用いて厚さ測定を行った。測定結果を表１に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
 　表１から、原料ガス流量が２００ｓｃｃｍ／ｍと少ない場合、実施例１、２と比較例１の成膜速度の間には、大きな違いは見られなかった。しかしながら、原料ガス流量が多くなると、実施例１、２では、比較例１に比べて、成膜速度が向上していることがわかる。特に、実施例1では、原料ガス流量の増大とともに、成膜速度が大きく向上した。
　これは、一般的なＣＶＤの反応機構から次のように考察できる。原料流量が少なく、反応領域に存在する原料の化学反応が十分進行している場合、プラズマ密度を向上させても成膜速度は向上しない。一方、原料流量が多く、反応領域に存在する原料の化学反応が十分に進行していない場合、プラズマ密度を向上させると成膜速度が向上する。
　今回の成膜において、原料流量が多い場合、実施例１、２では比較例１に比べて成膜速度が向上していることから、反応領域でのプラズマ密度が向上していることは明らかである。特に、実施例1ではプラズマ密度の向上効果が大きいと言える。
　本発明は、例えば、プラズマＣＶＤ装置用のプラズマ源に適用することができる。
　本願は、２０１２年１１月２日に出願した日本国特許出願２０１２－２４２６６３号に基づく優先権を主張するものであり、同日本国出願の全内容を本願の参照として援用する。
　１　　　　従来のプラズマ源
　１０　　　電極群
　１０Ａ　　第１の電極
　１０Ｂ　　第２の電極
　１０Ｃ　　第３の電極
　１０Ｄ　　第４の電極
　３０　　　交流電源
　４０　　　第１の極性用の配線
　４２　　　第２の極性用の配線
　５０（５０Ａ～５０Ｃ）　空間
　６０Ａ～６０Ｃ　プラズマ
　９０　　　被処理体
　１００　　第１のプラズマ源
　１１０　　電極群
　１１０Ａ　第１の電極
　１１０Ｂ　第２の電極
　１１０Ｃ　第３の電極
　１１０Ｄ　第４の電極
　１３０　　交流電源
　１４０　　第１の極性用の配線
　１４２　　第２の極性用の配線
　１５０（１５０Ａ～１５０Ｃ）　空間
　１６０Ａ～１６０Ｃ　プラズマ
　１９０　　被処理体
　２００　　第２のプラズマ源
　２１０　　電極群
　２１０Ａ　第１の電極
　２１０Ｂ　第２の電極
　２１０Ｃ　第３の電極
　２１０Ｄ　第４の電極
　２３０　　交流電源
　２４０　　第１の極性用の配線
　２４２　　第２の極性用の配線
　２５０（２５０Ａ～２５０Ｃ）　空間
　２６０Ａ～２６０Ｃ　プラズマ
　２９０　　被処理体
　３００　　第３のプラズマ源
　３１０　　電極群
　３１０Ａ　第１の電極
　３１０Ｂ　第２の電極
　３１０Ｃ　第３の電極
　３１０Ｄ　第４の電極
　３１０Ｅ　第５の電極
　３１０Ｆ　第６の電極
　３３０　　交流電源
　３４０　　第１の極性用の配線
　３４２　　第２の極性用の配線
　３５０（３５０Ａ～３５０Ｅ）　空間
　８００　　プラズマ源装置
　８１０　　電極群
　８１０Ａ～８２０Ｄ　中空電極
　８１２　　スロット
　８５０Ａ　第１の空間
　８５０Ｂ　第２の空間
　８５０Ｃ　第３の空間
　８６０Ａ～８６０Ｄ　第１の配管
　８６５Ａ～８６５Ｃ　第２の配管
　８７０Ａ～８７０Ｃ　マニホルド
　８９０　　被処理体。

Claims (11)

  1. 　プラズマＣＶＤ装置用のプラズマ源であって、
    　第１の電極、第２の電極、第３の電極、および第４の電極の４つがこの順に配列された電極群を有し、
    　前記電極群は、交流電源に接続され、
    　前記４つの電極のうちの２つに供給される電圧は、残りの２つの電極に供給される電圧と位相がずれており、
    　隣接する電極の間には、原料ガスが供給される空間が設けられ、
    　隣接する２つの電極のうちの少なくとも一組に印加される電圧は、同位相であることを特徴とするプラズマ源。
  2. 　前記第１の電極と前記第２の電極に印加される電圧は、同位相であることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ源。
  3. 　前記第２の電極と前記第３の電極に印加される電圧は、同位相であることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ源。
  4. 　前記各電極は、単一の交流電源に接続されることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一つに記載のプラズマ源。
  5. 　前記交流電源は、複数存在し、
    　前記第１の電極、第２の電極、第３の電極、および第４の電極のうちの２つは、第１の交流電源に接続され、
    　前記第１の電極、第２の電極、第３の電極、および第４の電極のうちの残りの２つは、第２の交流電源に接続されることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一つに記載のプラズマ源。
  6. 　前記電極群は、さらに、相互に隣接する第５の電極および第６の電極を有し、前記第５の電極は、前記第４の電極の前記第３の電極とは反対の側に配置され、
    　前記６つの電極のうちの３つに供給される電圧は、残りの３つの電極に供給される電圧と位相がずれており、
    　前記第１～第３の電極に印加される電圧は、同位相であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一つに記載のプラズマ源。
  7. 　各電極は、一列に沿って直線状に配列され、
    　当該プラズマ源によって形成されるプラズマは、前記電極の配列方向に沿って、０．５ｍ以上の寸法を有することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一つに記載のプラズマ源。
  8. 　各電極は、プラズマ噴射用のスロットまたは開口を有することを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一つに記載のプラズマ源。
  9. 　前記交流電源の周波数は、５ｋＨｚから５００ｋＨｚの範囲であることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一つに記載のプラズマ源。
  10. 　第１の電極、第２の電極、第３の電極、および第４の電極の４つがこの順に配列された電極群を備えたプラズマＣＶＤ装置内に、被処理体を配置する工程と、
    　前記電極群のうちの少なくとも一つの隣接する電極間から成膜用の原料ガスを供給する工程と、
    　前記第１の電極と前記第１の電極と隣接する前記第２の電極に負の電圧を印加し、前記第３の電極と前記第３の電極に隣接する前記第４の電極に正の電圧を印加する第１の電圧印加工程と、
    　前記第１の電極と前記第２の電極に正の電圧を印加し、前記第３の電極と前記第４の電極に負の電圧を印加する第２の電圧印加工程とを備え、
    　所定時間経過毎に、前記第１の電圧印加工程と前記第２の電圧印加工程とを交互に実行することにより前記被処理体上に成膜を施して物品を製造することを特徴とする物品の製造方法。
  11. 　第１の電極、第２の電極、第３の電極、および第４の電極の４つがこの順に配列された電極群を備えたプラズマＣＶＤ装置内に、被処理体を配置する工程と、
    　前記電極群のうちの少なくとも一つの隣接する電極間から成膜用の原料ガスを供給する工程と、
    　前記第１の電極と前記第４の電極に負の電圧を印加し、前記第２の電極と前記第３の電極に正の電圧を印加する第１の電圧印加工程と、
    　前記第１の電極と前記第４の電極に正の電圧を印加し、前記第２の電極と前記第３の電極に負の電圧を印加する第２の電圧印加工程とを備え、
    　所定時間経過毎に、前記第１の電圧印加工程と前記第２の電圧印加工程とを交互に実行することにより前記被処理体上に成膜を施して物品を製造することを特徴とする物品の製造方法。
PCT/JP2013/078735 2012-11-02 2013-10-23 プラズマｃｖｄ装置用のプラズマ源およびこのプラズマ源を用いた物品の製造方法 WO2014069309A1 (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP13850259.6A EP2915902B1 (en) 2012-11-02 2013-10-23 Plasma source for a plasma cvd apparatus and a manufacturing method of an article using the plasma source
ES13850259T ES2781775T3 (es) 2012-11-02 2013-10-23 Fuente de plasma para un aparato de CVD de plasma y un procedimiento de fabricación de un artículo por el uso de la fuente de plasma
JP2014544453A JPWO2014069309A1 (ja) 2012-11-02 2013-10-23 プラズマｃｖｄ装置用のプラズマ源およびこのプラズマ源を用いた物品の製造方法
PL13850259T PL2915902T3 (pl) 2012-11-02 2013-10-23 Źródło plazmy dla plazmowego urządzenia CVD i sposób wytwarzania przedmiotu przy użyciu źródła plazmy
US14/699,249 US9922805B2 (en) 2012-11-02 2015-04-29 Plasma source for a plasma CVD apparatus and a manufacturing method of an article using the plasma source
US15/886,486 US10204767B2 (en) 2012-11-02 2018-02-01 Plasma source for a plasma CVD apparatus and a manufacturing method of an article using the plasma source

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012-242663 2012-11-02
JP2012242663 2012-11-02

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
US14/699,249 Continuation US9922805B2 (en) 2012-11-02 2015-04-29 Plasma source for a plasma CVD apparatus and a manufacturing method of an article using the plasma source

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2014069309A1 true WO2014069309A1 (ja) 2014-05-08

Family

ID=50627218

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2013/078735 WO2014069309A1 (ja) 2012-11-02 2013-10-23 プラズマｃｖｄ装置用のプラズマ源およびこのプラズマ源を用いた物品の製造方法

Country Status (7)

Country Link
US (2) US9922805B2 (ja)
EP (1) EP2915902B1 (ja)
JP (1) JPWO2014069309A1 (ja)
ES (1) ES2781775T3 (ja)
HU (1) HUE049078T2 (ja)
PL (1) PL2915902T3 (ja)
WO (1) WO2014069309A1 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20170283952A1 (en) * 2014-12-22 2017-10-05 Asahi Glass Company, Limited Plasma cvd apparatus
CN113727483A (zh) * 2021-09-02 2021-11-30 合肥爱普利等离子体有限责任公司 一种多电极交流电弧放电装置、设备及交流电源

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EA020763B9 (ru) 2008-08-04 2015-05-29 Эй-Джи-Си Флет Гласс Норт Эмерике, Инк. Источник плазмы и способы нанесения тонкопленочных покрытий с использованием плазменно-химического осаждения из газовой фазы
KR102365939B1 (ko) 2014-12-05 2022-02-22 에이지씨 플랫 글래스 노스 아메리카, 인코퍼레이티드 거대-입자 감소 코팅을 활용하는 플라즈마 소스 및 박막 코팅의 증착과 표면의 개질을 위해 거대-입자 감소 코팅을 활용하는 플라즈마 소스의 사용 방법
CN107852805B (zh) 2014-12-05 2020-10-16 Agc玻璃欧洲公司 空心阴极等离子体源
US9721764B2 (en) 2015-11-16 2017-08-01 Agc Flat Glass North America, Inc. Method of producing plasma by multiple-phase alternating or pulsed electrical current
JP2018535532A (ja) * 2015-11-16 2018-11-29 エージーシー フラット グラス ノース アメリカ，インコーポレイテッドＡｇｃ Ｆｌａｔ Ｇｌａｓｓ Ｎｏｒｔｈ Ａｍｅｒｉｃａ，Ｉｎｃ． 多相交流電流またはパルス電流によって駆動されるプラズマ装置およびプラズマを発生させる方法
US9721765B2 (en) 2015-11-16 2017-08-01 Agc Flat Glass North America, Inc. Plasma device driven by multiple-phase alternating or pulsed electrical current
US10573499B2 (en) 2015-12-18 2020-02-25 Agc Flat Glass North America, Inc. Method of extracting and accelerating ions
US10242846B2 (en) 2015-12-18 2019-03-26 Agc Flat Glass North America, Inc. Hollow cathode ion source

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001338885A (ja) * 2000-03-23 2001-12-07 Sharp Corp 薄膜形成用プラズマ成膜装置
JP2008251682A (ja) * 2007-03-29 2008-10-16 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 薄膜形成装置およびプラズマ発生方法
JP2009534797A (ja) * 2006-04-19 2009-09-24 ジェネラル・プラズマ・インコーポレーテッド デュアルプラズマビーム源および方法
JP2011530155A (ja) 2008-08-04 2011-12-15 エージーシー フラット グラス ノース アメリカ，インコーポレイテッド プラズマ源、及びプラズマ強化化学蒸着を利用して薄膜被覆を堆積させる方法
WO2013124898A1 (ja) * 2012-02-23 2013-08-29 国立大学法人東北大学 プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5057185A (en) * 1990-09-27 1991-10-15 Consortium For Surface Processing, Inc. Triode plasma reactor with phase modulated plasma control
GB2466836A (en) * 2009-01-12 2010-07-14 Phive Plasma Technologies Ltd Plasma source tile electrode
EP2256782B1 (en) 2009-05-25 2018-08-29 Applied Materials, Inc. Plasma deposition source and method for depositing thin films
EP2585703B1 (de) 2010-06-28 2014-08-20 Emitec Gesellschaft für Emissionstechnologie mbH Vorrichtung zur partikelabscheidung im abgasrückführsystem
JP5631088B2 (ja) * 2010-07-15 2014-11-26 国立大学法人東北大学 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001338885A (ja) * 2000-03-23 2001-12-07 Sharp Corp 薄膜形成用プラズマ成膜装置
JP2009534797A (ja) * 2006-04-19 2009-09-24 ジェネラル・プラズマ・インコーポレーテッド デュアルプラズマビーム源および方法
JP2008251682A (ja) * 2007-03-29 2008-10-16 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 薄膜形成装置およびプラズマ発生方法
JP2011530155A (ja) 2008-08-04 2011-12-15 エージーシー フラット グラス ノース アメリカ，インコーポレイテッド プラズマ源、及びプラズマ強化化学蒸着を利用して薄膜被覆を堆積させる方法
WO2013124898A1 (ja) * 2012-02-23 2013-08-29 国立大学法人東北大学 プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP2915902A4

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20170283952A1 (en) * 2014-12-22 2017-10-05 Asahi Glass Company, Limited Plasma cvd apparatus
EP3239351A4 (en) * 2014-12-22 2018-05-30 Asahi Glass Company, Limited Plasma cvd device
CN113727483A (zh) * 2021-09-02 2021-11-30 合肥爱普利等离子体有限责任公司 一种多电极交流电弧放电装置、设备及交流电源

Also Published As

Publication number Publication date
ES2781775T3 (es) 2020-09-07
US9922805B2 (en) 2018-03-20
EP2915902B1 (en) 2020-02-19
US20150235814A1 (en) 2015-08-20
EP2915902A1 (en) 2015-09-09
US20180158655A1 (en) 2018-06-07
US10204767B2 (en) 2019-02-12
PL2915902T3 (pl) 2020-08-24
JPWO2014069309A1 (ja) 2016-09-08
HUE049078T2 (hu) 2020-09-28
EP2915902A4 (en) 2016-08-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2014069309A1 (ja) プラズマｃｖｄ装置用のプラズマ源およびこのプラズマ源を用いた物品の製造方法
WO2016104076A1 (ja) プラズマｃｖｄ装置
JP6710686B2 (ja) 中空陰極プラズマ源、基材処理方法
JP2008196001A (ja) プラズマｃｖｄ装置
WO2014156129A1 (ja) 成膜装置及び成膜方法
EP3377668A1 (en) Method and device for promoting adhesion of metallic surfaces
JP2009084585A (ja) 窒化シリコン膜の形成方法
JP2011162851A (ja) ガスバリアフィルムの製造方法
JP2021529416A (ja) プラズマ源及びその操作方法
US20220270860A1 (en) Spatially controlled plasma
JP2009174001A (ja) 成膜装置および成膜方法
JP4969919B2 (ja) 成膜装置及び成膜方法
US20230054056A1 (en) Silicon oxide coated polymer films and low pressure pecvd methods for producing the same
JP5849371B2 (ja) 成膜装置及び成膜方法
CN111032339B (zh) 层叠膜
KR101728765B1 (ko) 성막 장치 및 성막 방법
TWI775926B (zh) 積層膜
US20230009866A1 (en) Electrode support, supporting structure, support, film coating apparatus, and application
JP2013144838A (ja) 真空処理装置用の排気システム
Ellerweg et al. Characterisation of a He/HMDSO/O2 microplasma jet by molecular beam mass spectrometry
JP2014141707A (ja) 機能性フィルムの製造方法
JP2010208277A (ja) プラスチック系材料およびその製造方法
JP2011137225A (ja) プラズマｃｖｄ成膜装置及び成膜方法
JP2011249847A (ja) 成膜方法
JP2006117274A (ja) ３次元中空容器の内面処理装置および３次元中空容器の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 13850259

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2014544453

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: IDP00201502589

Country of ref document: ID

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2013850259

Country of ref document: EP