JP5849371B2 - 成膜装置及び成膜方法 - Google Patents
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Description
また、このような成膜方法を用いて製造したガスバリア性フィルムとして、例えば、特開平4−89236号公報(特許文献1)には、プラスチック基材の表面上に、蒸着により形成された2層以上のケイ素酸化物膜からなる積層蒸着膜層が設けられたガスバリア性フィルムが開示されている。
更に、本明細書において用いられる幾つかの用語及び表現の定義を以下に記す。
「真空チャンバー」とは、内部を減圧状態、好ましくは真空に近い減圧状態にするための容器である。通常、チャンバーに取り付けられた真空ポンプを作動させることにより、チャンバー内に減圧環境、好ましくは真空に近い減圧環境が作られる。
「基材」とは、膜を形成する時に該膜の支持体となる物体である。
「成膜ガス」とは、膜の原料となる原料ガスを必須要素として含有するガスであり、必要に応じて、原料ガスと反応して化合物を形成する反応ガスや、形成された膜に含まれることはないがプラズマ発生や膜質向上などに寄与する補助ガスを更に含有することがある。
「原料ガス」とは、膜の主成分となる材料の供給源となるガスである。例えばSiOx膜を形成する場合には、HMDSO,TEOS,シラン等のSiを含有するガスが原料ガスである。
「反応ガス」とは、原料ガスと反応して、形成される膜に取り込まれるガスであり、例えばSiOx膜を形成する場合には、酸素(O2)がこれに該当する。
以下、図1〜図5を参照しながら、本発明の第1実施形態に係る成膜装置について説明する。なお、以下の全ての図面においては、図面を見やすくするため、各構成要素の寸法や比率などは適宜異ならせてある。
図1は、本実施形態の成膜装置で製造するガスバリア性積層フィルム1を示す模式図である。本実施形態に係るガスバリア性積層フィルム1は、基材2の表面に、ガスバリア性を有する薄膜3が形成されたものであり、全体としてガスバリア性を有するフィルムとなっている。
本実施形態の成膜装置で製造されるガスバリア性積層フィルム1は、基材2の一面側に、薄膜3を形成することによって得られる。
本実施形態の成膜装置により製造される薄膜3は、基材2にガスバリア性を付与する層であり、基材2の少なくとも片面に形成される。薄膜3は、組成の異なる複数の層を含んでいる。図では、薄膜3は第1層3aと第2層3bとが交互に積層された3層構造であることとして示している。
|dC/dx|≦ 1 …(F1)
で表される条件を満たすことをいう。
図3は、本実施形態の成膜装置1000を示す模式図である。本実施形態の成膜装置1000は、チャンバー11と、チャンバー11内に配置されて基材2を載置する戴置台12と、戴置台12の上方に戴置台12と対向して配置された一対の電極13と、電極13に接続されたプラズマ発生用電源14と、電極13において戴置台12と対向しない側に配置された磁界発生部15と、を備えている。
このような有機ケイ素化合物としては、例えば、ヘキサメチルジシロキサン(HMDSO)、1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン、ビニルトリメチルシラン、テトラメチルシラン、ヘキサメチルジシラン、メチルシラン、ジメチルシラン、トリメチルシラン、ジエチルシラン、プロピルシラン、フェニルシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、オクタメチルシクロテトラシロキサン、ジメチルジシラザン、トリメチルジシラザン、テトラメチルジシラザン、ペンタメチルジシラザン、ヘキサメチルジシラザンが挙げられる。これらの有機ケイ素化合物の中でも、化合物の取り扱い性や得られるバリア膜のガスバリア性等の観点から、HMDSO、1,1,3,3−テトラメチルジシロキサンが好ましい。また、これらの有機ケイ素化合物は、1種を単独で又は2種以上を組み合わせて使用することができる。さらに、上述の有機ケイ素化合物の他にモノシランを含有させた原料ガスを、形成するバリア膜のケイ素源として使用することとしてもよい。
次に、このような成膜装置を用いて、図1に示すガスバリア性積層フィルム1を製造する際の反応工程について説明する。ここでは、成膜ガスとして、HMDSOと酸素との混合ガスを用いることとして説明する。
(CH3)6Si2O+12O2→6CO2+9H2O+2SiO2 …(1)
(CH3)6Si2O+9O2→4CO2+9H2O+2SiOC …(2)
一方で、プラズマ発生用電源14には、第1層3aと第2層3bとを製造する場合に、電力を異ならせてプラズマを生じさせるように制御部100から制御信号が出力される。
図6は、本発明の第2実施形態に係る成膜装置2000の説明図である。本実施形態の成膜装置2000は、第1実施形態の成膜装置1000と一部共通している構成を有している。したがって、本実施形態において第1実施形態と共通する構成要素には同じ符号を付し、これら構成要素の詳細な説明は省略する。
Claims (3)
- 長尺の基材を連続的に搬送しながら前記基材上に連続的に成膜する成膜装置であって、
前記基材を内部に収容する真空チャンバーと、
前記真空チャンバー内において前記基材を連続的に搬送する搬送装置と、
搬送される前記基材の一部と重なる空間に放電プラズマを発生させるプラズマ発生装置と、
前記空間における前記基材の搬送方向に沿って、複数箇所に磁界を発生させ該空間内でプラズマ強度を異ならせる磁界発生装置と、を有し、
前記搬送装置は、前記空間内において前記基材を平坦に保ちながら搬送し、
前記搬送装置は、前記基材が、プラズマが強い領域である強プラズマ領域の近傍と、プラズマが弱い領域である弱プラズマ領域との近傍とを交互に通過するように構成された成膜装置。 - 長尺の基材を連続的に搬送しながら、プラズマCVD法により前記基材上に連続的に成膜する成膜方法であって、
前記基材の搬送方向に沿って放電プラズマの強度を空間的に異なるようにプラズマを放電し、前記放電プラズマの強度が変化する空間と重なるように、平坦に保った前記基材を搬送する工程を有し、
前記基材を搬送する工程が、前記基材の搬送方向に沿って放電プラズマの強度を空間的に異なるようにプラズマを放電させた状態で、平坦に保った前記基材を、プラズマが強い領域である強プラズマ領域の近傍と、プラズマが弱い領域である弱プラズマ領域との近傍とを交互に通過させる工程である成膜方法。 - 基材を搬送する工程により、前記基材の上に、前記強プラズマ領域で生じる成膜ガスの反応物を形成材料とする第1層と、前記弱プラズマ領域で生じる前記成膜ガスの反応物を形成材料とする第2層と、を交互に積層し、
前記成膜ガスは、前記第1層および前記第2層の原料である有機金属化合物と、該有機金属化合物と反応する反応ガスとを含む請求項2に記載の成膜方法。
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