WO2013072967A1 - 磁場計測装置およびその製造方法 - Google Patents

磁場計測装置およびその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2013072967A1
WO2013072967A1 PCT/JP2011/006417 JP2011006417W WO2013072967A1 WO 2013072967 A1 WO2013072967 A1 WO 2013072967A1 JP 2011006417 W JP2011006417 W JP 2011006417W WO 2013072967 A1 WO2013072967 A1 WO 2013072967A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
cavity
sealing member
gas
magnetic field
separation wall
Prior art date
Application number
PCT/JP2011/006417
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
雄大 鎌田
長部 太郎
聖一 鈴木
神鳥 明彦
龍三 川畑
Original Assignee
株式会社日立製作所
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 株式会社日立製作所 filed Critical 株式会社日立製作所
Priority to JP2013543989A priority Critical patent/JP5816697B2/ja
Priority to US14/358,810 priority patent/US9310447B2/en
Priority to PCT/JP2011/006417 priority patent/WO2013072967A1/ja
Publication of WO2013072967A1 publication Critical patent/WO2013072967A1/ja

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R33/00Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
    • G01R33/02Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
    • G01R33/032Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using magneto-optic devices, e.g. Faraday or Cotton-Mouton effect
    • G01R33/0322Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using magneto-optic devices, e.g. Faraday or Cotton-Mouton effect using the Faraday or Voigt effect
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R33/00Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
    • G01R33/20Arrangements or instruments for measuring magnetic variables involving magnetic resonance
    • G01R33/24Arrangements or instruments for measuring magnetic variables involving magnetic resonance for measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
    • G01R33/26Arrangements or instruments for measuring magnetic variables involving magnetic resonance for measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using optical pumping
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R3/00Apparatus or processes specially adapted for the manufacture or maintenance of measuring instruments, e.g. of probe tips
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00Metal working
    • Y10T29/49Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002Electrical device making

Definitions

  • the present invention relates to the structure of a magnetic field measurement device, particularly the structure of a gas cell of an optical pumping magnetometer, and a method for manufacturing the device.
  • Non-Patent Document 1 A high-sensitivity optical pumping magnetometer integrated in a small size has been developed, and there is Non-Patent Document 1 as background art in this technical field.
  • a gas cell of an optical pumping magnetometer described in Non-Patent Document 1 has a rubidium chloride (B) that generates alkali metal gas atoms in a through-hole by joining both sides of a silicon substrate having a through-hole (cavity) with a glass substrate.
  • RbCl rubidium chloride
  • BaN 6 barium azide
  • the magnetometer using this gas cell operates as follows. By irradiating the alkali metal gas atoms sealed in the gas cell with circularly polarized pump light, the alkali metal gas atoms are spin-polarized by an optical pumping method. Next, the probe light linearly polarized in the direction orthogonal to the pump light is irradiated, and the polarization plane of the probe light is rotated by a magneto-optical effect called Faraday rotation. Since the polarization plane rotates by an angle proportional to the static magnetic field strength in the direction perpendicular to the optical path of the probe light, the magnetic field strength is measured by detecting the angle of the polarization plane of the probe light that has passed through the gas cell with a photodetector. I can do things.
  • magnetometer As a magnetometer that can be realized using the same gas cell, there is a magnetometer called a magneto-optical double resonance optical pumping magnetometer or an Mx optical pumping magnetometer.
  • the magneto-optical double resonance type optical pumping magnetometer operates as follows. By irradiating the alkali metal gas atoms sealed in the gas cell with a circularly polarized laser beam, the alkali metal gas atoms are spin-polarized by an optical pumping method. Spin-polarized alkali metal gas atoms precess at a frequency proportional to the static magnetic field strength in the gas cell.
  • the static magnetic field strength can be measured.
  • Non-Patent Document 1 describes a method of sealing a non-magnetic gas such as nitrogen gas or a rare gas (called buffer gas) in addition to alkali metal gas atoms in a gas cell. Yes. The time for which the alkali metal gas atoms are kept in the spin-polarized state depends on the pressure of the sealed buffer gas.
  • a non-magnetic gas such as nitrogen gas or a rare gas (called buffer gas)
  • the optical pumping magnetometer measures the magnetic field by detecting the light passing through the gas cell. Therefore, compounds sealed in a gas cell such as an alkali metal solid such as rubidium or barium azide are attached to the region so that the light transmittance of the region through which light passes does not deteriorate and the signal level to be detected does not decrease. You must prevent it.
  • a gas cell such as an alkali metal solid such as rubidium or barium azide
  • Non-Patent Document 1 In order to solve such a problem, in Non-Patent Document 1, two 3 mm ⁇ 2 mm ⁇ 1 mm through holes and a narrow passage of 1 mm ⁇ 0.1 mm ⁇ 1 mm connecting the through holes are formed in the gas cell, By sealing rubidium chloride and barium azide in this through hole, a structure is described in which unreacted residues and alkali metals are less likely to diffuse into the other through hole through which light for magnetic field measurement passes.
  • Non-Patent Document 1 rubidium chloride and barium azide sealed in a through hole are heated after sealing and chemically reacted to generate rubidium gas and nitrogen gas.
  • a buffer gas as a product of a chemical reaction
  • Non-Patent Document 1 even if the through hole for sealing the alkali metal solid or the compound and the through hole through which light passes are separated by a thin passage, the diffusion generated through the thin passage is completely eliminated. It cannot be prevented. Therefore, when the magnetic field measurement sensitivity of the magnetometer becomes high, deterioration of the magnetic field measurement sensitivity due to a small amount of alkali metal solid or compound diffused in a region through which light for magnetic field measurement passes cannot be prevented.
  • the temperature of the through-hole sealing the alkali metal gas and the substance that generates the buffer gas is reduced. It is also necessary to control the temperature so that it is lower than the temperature of the other through hole through which light passes. This is because the alkali metal gas atoms gasified above the saturated vapor pressure at room temperature when the alkali metal gas is generated are solidified and adhered in a lower temperature region.
  • an object of the present invention is to provide a magnetic field measuring apparatus or a method for manufacturing the same, which makes it easier to control the pressure in the gas cell, or can inspect the internal pressure of the gas cell without using a special process. is there.
  • another object of the present invention is to provide a magnetic field measuring apparatus capable of detecting a magnetic field with higher sensitivity or a method for manufacturing the same.
  • a magnetic field measurement apparatus which includes a first sealing member, a second sealing member, and a first sealing member.
  • a processing layer sealed by the stop member and the second sealing member, and the processing layer is separated from the first cavity by a first cavity in which an alkali metal gas is sealed. And a second cavity provided through a wall.
  • a manufacturing method of a magnetic field measuring device Comprising: The 1st sealing member, the 2nd sealing member, and the processing layer sealed by the 1st sealing member and the 2nd sealing member And a manufacturing method of a magnetic field measurement apparatus having a first cavity portion and a second cavity portion provided in a processed layer via a first separation wall, (A) generating an alkali metal gas in the first cavity, (B) After the step (a), the step of destroying a part of the first separation wall by making the stress generated in the first separation wall higher than the fracture limit stress by the pressure inside the first cavity. It is characterized by having.
  • 3rdly it is a manufacturing method of a magnetic field measuring device, Comprising: The 1st sealing member, the 2nd sealing member, and the processed layer sealed by the 1st sealing member and the 2nd sealing member
  • the processing layer has a structure in which a first processing member and a second processing member are stacked, and a first cavity is provided in the first processing member and in the second processing member.
  • 1 is a method of manufacturing a magnetic field measurement apparatus in which a second cavity is provided inside a processing member via a first separation wall, (A) generating an alkali metal gas in the second cavity, (B) After the step (a), there is a step of destroying the first separation wall.
  • a magnetic field measuring apparatus or a method for manufacturing the same that can easily control the pressure in the gas cell or can inspect the internal pressure of the gas cell without using a special process.
  • a magnetic field measuring apparatus that can detect a magnetic field with higher sensitivity or a method for manufacturing the same.
  • (a) (b) (c) (d) (e) (f) is a flow chart for producing a gas cell according to the first embodiment. It is a typical top view of the gas cell which concerns on a 1st Example. It is a typical sectional view of a gas cell concerning the 1st example.
  • (a) (b) is the pressure inspection system in the gas cell which concerns on a 1st Example. It is a typical top view of the gas cell which concerns on a 1st Example. It is a typical sectional view of a gas cell concerning the 1st example.
  • (a) (b) (c) is a production flow chart of a gas cell concerning the 1st example. It is a typical top view of the gas cell which concerns on a 2nd Example.
  • FIG. 1 It is a typical sectional view of a gas cell concerning the 2nd example.
  • (a), (b), (c-1), and (c-2) are flow charts for producing a gas cell according to the second embodiment. It is a typical top view of the gas cell which concerns on a 2nd Example. It is a typical sectional view of a gas cell concerning the 2nd example.
  • (a) (b) (c) is a production flow chart of a gas cell concerning the 2nd example. It is a typical top view of the gas cell which concerns on a 3rd Example. It is typical sectional drawing of the gas cell which concerns on a 3rd Example. It is the schematic of the magnetic measuring device which concerns on a 3rd Example. It is the schematic of the magnetic measuring device which concerns on a 3rd Example.
  • FIG. 1 is a schematic top view of a magnetic field measurement apparatus (gas cell) according to the first embodiment
  • FIG. 2 is a schematic cross-sectional view taken along the line AA ′. 1 and 2, a part of the cavity 200 is indicated as 200 a for easy understanding.
  • the sealing member 102 is omitted for the sake of simplicity (hereinafter the same in the schematic top view).
  • the cavity 200 a indicates a region below the unprocessed portion of the substrate 100 and a region below the cavity 201.
  • the 2 has a structure in which the processed layer 110 is sealed by the sealing members 102 and 103.
  • the processed layer 110 is a region where the cavities 200 and 201 are provided, and has a two-layer structure of processed members 100 and 101 particularly in the structure of FIG.
  • the gas cell in FIG. 2 has four layers of a sealing member, a processing member, a processing member, and a sealing member in which a sealing member 103, a processing member 101, a processing member 100, and a sealing member 102 are arranged in that order from the bottom. It is the composition which consists of.
  • the sealing member 102 and the sealing member 103 may be any material that is transparent with respect to light in the wavelength band of the magnetic field measurement laser. For example, glass or the like is used.
  • the processed member 100 and the processed member 101 have at least one or more through holes, non-through holes, or both processed, for example, using a silicon substrate.
  • a hollow portion 200 is configured by the through holes formed in the processed member 100 and the processed member 101, and the hollow portion 200 is sealed using a sealing member 102 and a sealing member 103.
  • a hollow portion 201 is constituted by a non-through hole formed in the processed member 100, and the hollow portion 201 is sealed using a sealing member 102.
  • the alkali metal source 300 is sealed in the cavity 200.
  • the alkali metal source 300 is solid or liquid.
  • Each cavity is sealed with sealing members 102 and 103, and the atmosphere is, for example, a vacuum, a rare gas such as nitrogen gas or helium, or a mixed gas atmosphere thereof.
  • the atmosphere in the cavity 200 and 201 may be different.
  • the cavities 200 and 201 have a quadrangular shape, but may have other polygonal shapes or curved shapes.
  • the cavities 200 and 201 are separated by the non-penetrating part (separation wall 400) of the processed member 100 and are provided via the separation wall 400.
  • the gas cell according to FIGS. 1 and 2 irradiates the alkali metal gas sealed in the cavity 200 with laser light for magnetic field measurement via the sealing member 102, the cavity 200, and the sealing member 103. It is possible to measure the magnetic field.
  • FIG. 3 is a diagram schematically showing an inspection system for inspecting the pressure in the cavity 200 of the gas cell.
  • the gas cell according to FIG. 3 inspects the pressure in the cavity 200 by irradiating the separation wall 400 with the laser beam for pressure inspection through the sealing member 102 and the cavity 201 or the sealing member 103 and the cavity 200. It is possible. The reason will be described below.
  • the alkali metal source 300 sealed in the cavity 200 may be a substance that generates an alkali metal gas.
  • an alkali metal gas can be generated in the cavity 200 by using a compound containing an alkali metal as the alkali metal source 300 and performing heat treatment, light irradiation, chemical reaction, or the like. After the generation of the gas, the cavity 200 is filled with alkali metal gas, or alkali metal gas and buffer gas, and the cavity 201 is kept in a vacuum.
  • the separation wall 400 separating the cavity 200 and the cavity 201 according to the pressure of the gas generated in the cavity 200 and the shape and wall thickness of the separation wall 400. As a result, the separation wall 400 bends from the cavity 200 toward the cavity 201 and is deformed or damaged.
  • the separation wall 400 When the separation wall 400 is bent, if the amount of gas generated in the cavity 200 is increased, the pressure in the cavity 200 is increased and the stress applied to the separation wall 400 is increased, so that the deflection is increased.
  • the amount of deflection can be calculated using a distributed load model with four-side support for structural mechanics, and is proportional to the load applied to the separation wall 400. In this embodiment, the amount of deflection changes in proportion to the pressure difference between the cavity 200 and the cavity 201.
  • the separation wall 400 has a rectangular parallelepiped shape with a short side of 2 mm, a long side of 4 mm, and a wall thickness of 100 ⁇ m, the inside of the cavity 200 is kept at 100 kPa and the inside of the cavity 201 is kept in vacuum, the separation wall 400 has a maximum of about 24 MPa. It is expected that bending stress will be applied and a deflection of about 1.4 ⁇ m will occur. Therefore, it is possible to inspect the pressure in the cavity 200 by measuring the deflection amount of the separation wall 400.
  • the amount of deflection can be evaluated by, for example, irradiating the separation wall 400 with laser light through the sealing member 102 and measuring the optical path length of the reflected laser light with the optical path length measurement system 500. (Figure 3). Note that the laser beam may be irradiated from the opposite side through the sealing member 103.
  • the separation wall shape and wall thickness are designed so that the separation wall 400 is damaged when the inside of the cavity 200 exceeds a specific pressure, the pressure in the cavity 200 can be adjusted depending on whether or not the separation wall 400 is damaged. It is also possible to inspect. For example, when the separation wall 400 has a rectangular parallelepiped shape with a short side of 2 mm, a long side of 4 mm, and a wall thickness of 10 ⁇ m, the inside of the cavity 200 is kept at 100 kPa and the inside of the cavity 201 is kept in a vacuum, the separation wall 400 has about 2.4 GPa. Therefore, it is possible to apply a stress corresponding to the fracture strength of the separation wall 400 by the pressure difference between the cavities.
  • the magnetic field measurement apparatus includes the first sealing member (102), the second sealing member (103), the first sealing member, and the second sealing member.
  • the structure of FIG. 2 further includes a structure in which the processing layer is formed by laminating the first processing member (100) and the second processing member (101), and the second cavity is provided inside the first processing member. Whereas the first cavity is sealed by the first sealing member, the first cavity is provided inside the first processing member and the second processing member, and the first sealing member and the second sealing member It is sealed.
  • Such a feature makes it possible to form the separation wall 400 between the processed members 100 and 101, so that the area and shape of the separation wall 400 can be designed relatively freely. As a result, measurement is possible. This has the effect of widening the pressure range. Furthermore, since the separation wall 400 is formed in the planar direction, there is an effect that the wall thickness can be easily formed uniformly.
  • the hollow portion 201 in which the alkali metal is not enclosed is single.
  • the area of the cavity 201 used for the inspection of the gas cell can be reduced.
  • FIG. 4A to 4E show a method for manufacturing a gas cell according to this example.
  • the processing member 100 and the processing member 101 are made of silicon substrates, and the sealing member 102 and the sealing member 103 are made of glass.
  • the pattern of the cavity 201 is formed on the mask material 104 formed on the processing member 100 by using lithography or the like, and processing is performed by etching or the like (FIG. 4A).
  • silicon oxide is used for the mask material, and non-through holes are formed by dry etching using silicon tetrafluoride gas.
  • the cross-sectional shape of the non-through hole may not be vertical, and may have an oblique cross-sectional shape or a step. Therefore, it is possible to perform wet etching using a potassium hydroxide aqueous solution or the like, or processing with a laser or a drill.
  • a pattern of the cavity 200 is formed on the mask material 104 re-formed on the processed member 100 obtained by processing the cavity 201 using lithography or the like, and a through hole is formed by etching or the like (FIG. 4B).
  • the cavities 200 and 201 may be formed before the non-through holes of the cavities 201. Or you may form simultaneously.
  • the pattern of the cavity 200 is formed on the mask material 105 formed on the processed member 101 using lithography or the like, and a through hole is formed by etching or the like (FIG. 4C).
  • the processed members 100 and 101 processed in this way are joined (FIG. 4D).
  • a silicon substrate when used, there is a method of bonding by thermal bonding.
  • the region for forming the cavity 200 only needs to have a region for transmitting laser light penetrating in a direction perpendicular to the processing member.
  • the connections do not necessarily have to be continuously smooth. That is, a step may be formed at the connection portion between the processed member 100 and the processed member 101.
  • the sealing member 102 and the sealing member 103 are joined in a state where the alkali source 300 is included in the cavity 200, and the cavities 200 and 201 are sealed (FIG. 4E).
  • bonding can be performed by anodic bonding.
  • the atmosphere at the time of bonding is controlled, the insides of the cavities 200 and 201 can be adjusted to a vacuum, a nitrogen gas, or a rare gas atmosphere.
  • the joining order of the sealing member 102 and the sealing member 103 may be adjusted.
  • the sealing member 102 is first bonded in a vacuum atmosphere, and the cavity 201 is vacuum sealed and then sealed.
  • This can be realized by joining the member 103 in a nitrogen gas atmosphere and sealing the nitrogen gas in the cavity 200.
  • a non-magnetic gas such as nitrogen gas or a rare gas such as helium gas
  • it acts as a buffer gas and has an effect of suppressing spin scattering of the alkali metal gas.
  • a sealing member can also be joined using an adhesive agent etc.
  • the gas cell shown in FIGS. 1 and 2 can be realized by such a manufacturing procedure.
  • FIG. 5A shows an example in which the areas of the cavities 201 are different among the modifications.
  • FIG. 5B shows an example in which the wall thickness of the separation wall 400 separating the cavities 201 is different among the modifications.
  • the cavity 200 a indicates a region below the unprocessed portion of the substrate 100 and a region below the cavity 201.
  • the cavity 200 and the cavity 201 are separated by the non-penetrating part (separation wall 400) of the processed member 100, respectively.
  • the area and the shape of each cavity 201 are different (FIG. 5).
  • any one or more of the area, shape, and wall thickness of the separation wall 400 that separates the cavities 201 are different (FIGS. 5 and 6).
  • the effect of the gas cell having a plurality of cavities 201 having different areas and wall thicknesses of the separation wall 400 will be described.
  • the cavity 200 and the cavity 201 are vacuum sealed.
  • an alkali metal source 300 is sealed in the cavity 200.
  • an alkali metal gas is generated by heat treatment, light irradiation, chemical reaction, or the like using a compound containing an alkali metal.
  • the cavity 200 is filled with alkali metal gas, or the alkali metal gas and the buffer gas, and each cavity 201 is kept in a vacuum state. Therefore, as shown in FIG. 3, deformation or deformation such as deflection occurs in each separation wall.
  • the pressure in the cavity 200 is the same, the amount of displacement due to deformation and the presence or absence of breakage differ depending on each separation wall 400.
  • each separation wall 400 is formed with a different area, shape, and wall thickness. Specifically, when the pressure (load) in the cavity 200 and the wall thickness and shape of the separation wall 400 are the same, the displacement amount and the maximum stress applied to the separation wall increase as the area of the separation wall 400 increases. To do. Further, when the pressure in the cavity 200 and the area and shape of the separation wall 400 are the same, the displacement amount and the maximum stress applied to the separation wall decrease as the wall thickness increases.
  • the separation wall 400 (cavity 201) having various areas and wall thicknesses in the gas cell, it is possible to manufacture gas cells in which the displacement amount and the presence or absence of breakage of each separation wall 400 are different after generation of the alkali metal gas. Therefore, the pressure in the cavity 200 can be more accurately inspected by appropriately designing the area and wall thickness of each separation wall and comparing the respective states.
  • the separation wall 400 having the largest area or the smallest wall thickness is designed to be damaged. Keep it.
  • the separation wall 400 having the second largest area or the smallest wall thickness is broken when the pressure in the cavity 200 reaches 225 kPa, and the separation wall 400 having the smallest area or the largest wall thickness is broken. It is designed to be damaged when the pressure in 200 becomes 250 kPa.
  • the generation process of the alkali metal gas and the buffer gas is performed so that the separation wall 400 designed to break at 200 kPa is broken and the separation wall 400 designed to break at 250 kPa is not broken.
  • the pressure in the cavity 200 can be controlled to a specified pressure of 200 kPa to 250 kPa. That is, by forming a plurality of cavities 201, it is possible to know the pressure in the cavities 200 more accurately by simply checking whether or not each separation wall 400 is damaged. Thereby, even if it uses the process of generating buffer gas as a product of a chemical reaction, there is an effect which can control and inspect the pressure of each gas cell correctly.
  • the magnetic field measurement apparatus further includes the third cavity portion in which the processing layer is provided via the second separation wall with respect to the first cavity portion, The stress when a predetermined pressure is applied is different from that of the first separation wall.
  • This structure has the following effects as compared with the structure of FIG.
  • a single cavity 201 is used as shown in FIG. 1, it is impossible to know the pressure range in the cavity 200 only by confirming whether or not there is damage, and it must be derived from the inspection of the displacement due to deformation.
  • the pressure in the gas cell can be controlled in a pressure range other than the above example, or inspected under more detailed conditions. It becomes possible to do.
  • FIG. 7A to 7D show a method of manufacturing a plurality of separation walls 400 having different areas.
  • a silicon substrate is used for the processed member 100 and the processed member 101 and glass is used for the sealing member 102 and the sealing member 103 will be described.
  • FIG. 7A First, by using lithography or the like on the mask material 104 formed on the processing member 100, patterns of the cavities 201 having different areas are formed and processed by etching or the like (FIG. 7A).
  • This step corresponds to simultaneously forming a plurality of non-through holes with different areas in the step of FIG.
  • silicon oxide is used for the mask material, and non-through holes can be formed by dry etching using silicon tetrafluoride gas.
  • the cross-sectional shape of the non-through hole may not be vertical, and may have an oblique cross-sectional shape or a step. Therefore, it is possible to perform wet etching using a potassium hydroxide aqueous solution or the like, or processing with a laser or a drill.
  • a potassium hydroxide aqueous solution or the like or processing with a laser or a drill.
  • the pattern of the cavity 200 is formed on the mask material 105 formed on the processed member 101 using lithography or the like, and a through hole is formed by etching or the like (FIG. 7B).
  • the processed member 100 and the processed member 101 processed in this way are joined (FIG. 7C).
  • the joining method is the same as in FIG.
  • the area of the separation wall 400 separating the cavity 200 and the cavity 201 is different for each separation wall 400. It is desirable that the distance between the cavities 201 is sufficiently larger than the wall thickness of the separation wall 400, for example, 1 mm or more.
  • the sealing member 102 and the sealing member 103 are joined in a state where the alkali metal source 300 is included in the cavity 200, and the cavities 200 and 201 are sealed (FIG. 7D).
  • the alkali metal source 300 is included in the cavity 200
  • the cavities 200 and 201 are sealed (FIG. 7D).
  • a silicon substrate and borosilicate glass there is a bonding method by anodic bonding.
  • the atmosphere at the time of bonding is controlled, the inside of each cavity can be adjusted to a vacuum, nitrogen gas, rare gas atmosphere, or the like.
  • a gas cell having a plurality of cavities 201 having different areas of the separation wall 400 can be formed.
  • 8A to 8F show a method for manufacturing a plurality of separation walls 400 having different wall thicknesses.
  • a silicon substrate is used for the processed member 100 and the processed member 101 and glass is used for the sealing member 102 and the sealing member 103 will be described.
  • a pattern of the cavity 201 having a desired area is formed on the mask material 104 formed on the sealing member 100 by using lithography or the like and processed by etching or the like (FIG. 8A).
  • silicon oxide is used for the mask material, and the mask material can be processed by dry etching using silicon tetrafluoride gas.
  • FIG. 8B Two patterns of the cavity 201 are formed on the mask material 104 re-formed on the processed member 100 processed in FIG. 8A using lithography or the like, and etching is performed in the same manner as in FIG. Etc. (FIG. 8B).
  • One of the cavities 201 processed in the process of FIG. 8B is the same as the cavities 201 processed in FIG. Thereby, one of the cavities 201 is processed again, and the non-through hole can be formed deeper.
  • the pattern of the cavity 201 is formed in three places, and three cavities 201 having different processing depths are formed by the same method as in FIG. 8B (FIG. 8C).
  • FIG. 8 the case where three cavities 201 having different processing depths are formed has been described as an example, but two or three or more locations can be processed.
  • the cross-sectional shape of the non-through hole may not be vertical, and may have an oblique cross-sectional shape or a step. Therefore, wet etching using a potassium hydroxide aqueous solution or the like, or processing with a laser or a drill may be used.
  • a pattern of the cavity 200 is formed on the mask material 105 formed on the processed member 101 using lithography or the like, and a through hole is formed by etching or the like (FIG. 8D).
  • the processed member 100 and the processed member 101 processed in this way can be joined by the same method as in FIG. 7C (FIG. 8E).
  • the wall thickness of the separation wall 400 separating the cavity 200 and the cavity 201 is different for each separation 400 wall.
  • sealing member 102 and the sealing member 103 are joined in a state where the alkali metal source 300 is enclosed in the cavity 200, and the cavities 200 and 201 are sealed (FIG. 8F).
  • a gas cell having a plurality of cavities 201 having different separation wall thicknesses can be formed.
  • FIG. 9 is a schematic top view of the gas cell
  • FIG. 10 is a schematic cross-sectional view taken along the line AA ′.
  • the processed layer 110 has a one-layer structure of the processed member 100.
  • the gas cell of FIG. 9 has a structure composed of three layers of a sealing member, a processing member, and a sealing member in which the sealing member 103 processed member 100 and the sealing member 102 are arranged in order from the bottom.
  • the sealing member 102 and the sealing member 103 may be made of a material that is transparent to the light of the magnetic field measurement laser. For example, glass or the like is used.
  • the processing member 100 has at least two or more through holes processed, and for example, a silicon substrate or the like is used.
  • the cavity 200 and the cavity 201 are configured by the through holes formed in the processed member 100, and the cavity 200 and the cavity 201 are sealed using the sealing member 102 and the sealing member 103. Further, the cavity 201 is separated from the cavity 200 by a separation wall 400 formed in the processed member 100.
  • the cavities 200 and 201 have a quadrangular shape, but may have other polygonal shapes or curved shapes.
  • the alkali metal source 300 is sealed in the cavity 200.
  • the alkali metal source 300 is the same as in FIG.
  • Each cavity is hermetically sealed by a sealing member 102 and a sealing member 103, and the atmosphere is maintained, for example, in a vacuum.
  • the cavities 200 and 201 may be in other atmospheres such as nitrogen gas, or the atmospheres may be different from each other.
  • the gas cell according to FIGS. 9 and 10 irradiates laser light for magnetic field measurement to the alkali metal gas sealed in the cavity 200 via the sealing member 102, the cavity 200, and the sealing member 103. By doing so, it is possible to measure the magnetic field.
  • FIGS. 11A and 11B are diagrams schematically showing an inspection system for inspecting the pressure in the cavity 200 of the gas cell.
  • the gas cell according to FIG. 11 inspects the pressure in the cavity 200 by irradiating the separation wall 400 with the sealing member 102 and the cavity 201 or the sealing member 103 and the cavity 201 with a pressure inspection laser beam. It is possible. The reason will be described below.
  • the case where the inside of the cavity 200 and the inside of the cavity 201 are vacuum-sealed will be described as an example.
  • the cavity 200 is filled with the alkali metal gas, or the alkali metal gas and the buffer gas, and the cavity 201 is evacuated. The state is maintained (FIG. 11A).
  • the separation wall 400 bends from the cavity 200 toward the cavity 201 and is deformed as shown in FIG. Therefore, similarly to the method described with reference to FIGS. 1, 2, and 3, the pressure in the cavity 200 can be inspected by measuring the deflection amount of the separation wall 400.
  • the amount of deflection is measured by irradiating laser light from the light source 501 through the glass substrate 102 and measuring the intensity of the laser light transmitted through the gas cell with the photodetector 502.
  • the displacement amount of the separation wall 400 due to the generation of the alkali metal gas and the buffer gas can be evaluated (FIG. 11).
  • the positions of the light source 501 and the light detector 502 may be switched, and laser light may be irradiated through the glass substrate 103. Further, the laser beam may be scanned in the direction opposite to the displacement direction of the separation wall 400 or may be fixed without scanning.
  • the separation wall shape and wall thickness are designed so that the separation wall 400 is damaged when the inside of the cavity 200 exceeds a specific pressure, the pressure in the cavity 200 can be adjusted depending on whether or not the separation wall 400 is damaged. You can also inspect.
  • the magnetic field measurement apparatus is characterized in that the first cavity and the second cavity are sealed by the first sealing member and the second sealing member. .
  • FIG. 12 is a schematic top view of the processing member 100 of the gas cell
  • FIG. 13 is a schematic cross-sectional view of the A-A ′ cross section thereof.
  • the pressure inspection similar to that shown in FIGS. 5 and 6 can be performed by adjusting the area and wall thickness of each separation wall 400.
  • FIGS. 9-13 The gas cell manufacturing method according to FIGS. 9-13 will be described with reference to FIG.
  • a silicon substrate is used for the processing member 100, and glass is used for the sealing member 102 and the sealing member 103.
  • the patterns of the cavities 200 and 201 are formed on the mask material 104 formed on the processed member 100 by using lithography or the like, and processed by etching or the like (FIG. 14A).
  • the cavity 201 is formed in one place, and in the case of the gas cell structure shown in FIGS.
  • the cavity 201 is formed at a plurality of locations, it is processed so that the areas and wall thicknesses of the separation walls 400 formed in the processed member 100 are different (FIG. 14B). Processing of the processing member 100 is the same as that in FIG. Moreover, it is desirable that the cross-sectional shape of the separation wall 400 is vertical, but it is not necessarily vertical if the shape can be controlled. Therefore, it is possible to perform wet etching using a potassium hydroxide aqueous solution or the like, or processing with a laser or a drill.
  • the distance between the cavities 201 is preferably about several times or more apart from the wall thickness of the separation wall 400, for example.
  • the sealing member 102 and the sealing member 103 are joined in a state in which the alkali metal source 300 is included in the cavity 200, and the cavities 200 and 201 are sealed (FIG. 14C).
  • the bonding method and the sealing atmosphere are the same as the method shown in FIG.
  • FIG. 15 is a schematic top view of the gas cell according to the second embodiment
  • FIG. 16 is a schematic cross-sectional view along the A-A ′ cross section thereof.
  • a part of the cavity 200 is indicated as 200 a for easy understanding.
  • 200 a particularly indicates a region below the unprocessed portion of the processed member 100 and a region below the cavity 201.
  • the 15 has a structure in which the processed layer 110 is sealed with the sealing members 102 and 103.
  • the processed layer 110 is a region in which the cavities 200 and 202 are provided, and particularly has a two-layer structure of processed members 100 and 101 in the structure of FIG.
  • the gas cell of FIG. 15 has four layers of a sealing member, a processing member, a processing member, and a sealing member in which a sealing member 103, a processing member 101, a processing member 100, and a sealing substrate 102 are arranged in order from the bottom.
  • the structure of the gas cell is the same as that of FIG. However, the alkali metal source 300 is sealed not in the cavity 200 but in the cavity 202.
  • the gas cell according to the second embodiment can measure the magnetic field by irradiating the alkali metal gas sealed in the cavity 200 with the laser beam for measuring the magnetic field. is there. Further, in the gas cell according to FIG. 15, the cavity 200 through which the laser beam for magnetic field measurement passes is not contaminated by the alkali metal source 300 or the alkali metal solid, and the alkali metal gas or the alkali metal gas is contained in the cavity 200. There is an effect that the buffer gas can be filled.
  • FIGS. 17 (a), (b), (c-1), and (c-2) are gas cell manufacturing methods according to this example.
  • the substrate 100 and the substrate 101 are bonded in the same process as in FIGS. 4A to 4D described in the first embodiment (FIG. 17A).
  • the sealing member 102 and the sealing member 103 are joined together with the alkali metal source 300 enclosed in the cavity 202, and the cavity 200 and the cavity 202 are sealed (FIG. 17B).
  • the joining method is the same as that shown in FIG.
  • the alkali metal source 300 sealed in the cavity 202 is the same as that in the first embodiment, and heat treatment is performed to generate an alkali metal gas, or an alkali metal gas and a buffer gas, and pressurize the cavity 202.
  • the inside of the cavity 200 is kept in vacuum, and the inside of the cavity 202 is filled with alkali metal gas, or alkali metal gas and buffer gas. Therefore, stress is applied to the separation wall 400 that separates the cavity 200 and the cavity 202 according to the pressure difference between the cavity 200 and the cavity 202.
  • the pressure in the cavity 202 rises and reaches a desired pressure
  • the area and wall thickness of the separation wall are designed so that the separation wall 400 is damaged by the stress, and the inside of the cavity 202 is formed in a desired state.
  • the separation wall 400 can be broken, and the cavity 200 and the cavity 202 can be connected (FIG. 17 (c-1)).
  • the alkali metal gas and the buffer gas can be filled in the cavity 200 while the unreacted residue and the alkali metal solid generated when the alkali metal gas is generated are retained in the cavity 202. Therefore, there is an advantage that the transmittance of the magnetic field measurement laser passing through the cavity 200 can be prevented from being lowered by the unreacted residue or alkali metal solid.
  • the saturated vapor pressure of the nonmagnetic gas or rare gas is generally higher than the saturated vapor pressure of the alkali metal gas, the second gas composed of the nonmagnetic gas or rare gas together with the alkali metal gas in the cavity 202. Also, the separation wall can be more easily damaged by the subsequent increase in the pressure of the second gas.
  • the non-magnetic gas or the rare gas has been described as the buffer gas, but it may be sealed for other purposes. In any case, it is only necessary that the stress generated in the separation wall 400 by at least the pressure inside the cavity 202 is higher than the fracture limit stress.
  • the separation wall 400 is damaged by irradiating the high energy laser, and the cavity 200 and the cavity 202 are connected.
  • the high energy laser for example, a harmonic of a YAG laser can be used.
  • FIG. 18 is a schematic top view of a gas cell
  • FIG. 19 is a schematic cross-sectional view along the A-A ′ cross section thereof.
  • the structure of the gas cell shown in FIGS. 18 and 19 is the same as that shown in FIGS. However, the alkali metal source 300 is sealed in the cavity 202.
  • the laser beam for magnetic field measurement is irradiated on the alkali metal gas sealed in the cavity 200 to measure the magnetic field.
  • the processing layer 110 is formed by the single processing member 100, and the same effect as the gas cell described in FIGS.
  • FIG. 20 shows a method for manufacturing a gas cell according to this example.
  • the processing member 100 having at least two or more through holes is processed in the same process as FIG. 14B described in the first embodiment (FIG. 20A).
  • the processed member 100 is sealed using the sealing member 102 and the sealing member 103, and the cavities 200 and 202 are formed inside the gas cell. .
  • the alkali metal source 300 is sealed in the cavity 202.
  • the inside of the cavity 202 is pressurized with an alkali metal gas and a buffer gas, and the separation wall 400 is broken to connect the cavity 200 and the cavity 202. (FIG. 20C).
  • the manufacturing methods according to FIGS. 17C-1 and 20C are particularly the first sealing member and the second sealing member.
  • a step of breaking a part of the first separation wall by making the stress to be made higher than the fracture limit stress are particularly the first sealing member and the second sealing member.
  • Such a feature has an advantage that the transmittance of the magnetic field measurement laser passing through the second cavity can be prevented from being lowered by the unreacted residue or alkali metal solid. Furthermore, compared with the manufacturing method according to FIG. 17C-2, there is an advantage that the separation wall can be destroyed without performing a special operation such as irradiation with a high energy laser.
  • the manufacturing method of the magnetic field measurement apparatus according to FIG. 17C-2 is sealed by the first sealing member, the second sealing member, the first sealing member, and the second sealing member.
  • the processed layer has a structure in which the first processed member and the second processed member are stacked, and the first cavity is formed inside the first processed member and the second processed member. Is provided, and the second cavity is provided inside the first processed member via the first separation wall.
  • the method includes (a) a step of generating an alkali metal gas in the second cavity, and (b) a step of destroying the first separation wall after the step (a). To do.
  • This feature is the same as the above-described manufacturing method in that the transmittance of the magnetic field measurement laser passing through the second cavity can be prevented from being lowered by the unreacted residue or alkali metal solid.
  • the transmittance of the magnetic field measurement laser passing through the second cavity can be prevented from being lowered by the unreacted residue or alkali metal solid.
  • FIG. 21 is a schematic top view of the gas cell according to the third embodiment
  • FIG. 22 is a schematic cross-sectional view of the A-A ′ cross section.
  • a part of the cavity 200 is indicated as 200 a for easy understanding.
  • 200 a indicates a region below the unprocessed portion of the processed member 100 and a region below the cavities 201 and 202.
  • the 21 has a structure in which the processed layer 110 is sealed by the sealing members 102 and 103.
  • the processed layer 110 is a region in which the cavities 200, 201, and 202 are provided, and particularly has a two-layer structure of the processed members 100 and 101 in the structure of FIG.
  • the gas cell of FIG. 21 has four layers of a sealing member, a processing member, a processing member, and a sealing member, in which a sealing member 103, a processing member 101, a processing member 100, and a sealing member 102 are arranged in order from the bottom. It is the composition which consists of.
  • a cavity 201 shown in FIGS. 1 and 2 of the first embodiment and a cavity 202 shown in FIGS. 15 and 16 of the second embodiment are formed in the processed member 100. That is, a hollow portion 200 is configured by the through holes formed in the processed member 100 and the processed member 101, and the hollow portion 200 is sealed using the sealing member 102 and the sealing member 103.
  • cavities 201 and 202 are formed by non-through holes formed in the processed member 100, and the cavities 201 and 202 are sealed using the sealing member 102.
  • the sealing member 102, the sealing member 103, the separation wall 400, and the alkali metal source 300 are the same as those in the first and second embodiments.
  • the alkali metal source is sealed in the cavity 202.
  • the gas cell according to FIG. 23 can measure the magnetic field by irradiating the alkali metal gas sealed in the cavity 200 with the laser beam for measuring the magnetic field. Furthermore, both the effects described in the first embodiment and the effects described in the second embodiment can be realized. The reason will be described below.
  • heat treatment or the like is performed from the alkali metal source 300 sealed in the cavity 202 to generate alkali metal gas or alkali metal gas and buffer gas.
  • the separation wall 400 adjacent to the cavity 202 is damaged in the process described in the second embodiment, and the cavity 200 and the cavity 202 are connected to each other. It is possible to fill the cavity 200 with only the alkali metal gas and the buffer gas while holding the alkali metal solid. Therefore, it is possible to prevent the unreacted residue or alkali metal solid from obstructing the passage of laser light for magnetic field measurement.
  • the pressure of the alkali metal gas and the buffer gas filled in the cavity 200 is adjusted. It is also possible to inspect. That is, the problem that unreacted residues and alkali metal solids generated when alkali metal gas or the like is generated in the cavity 200 through which the laser beam for magnetic field measurement passes and the pressure in the cavity are easily inspected. The problem that a process is necessary can be solved at the same time.
  • FIG. 23 is a schematic cross-sectional view showing a configuration of a magneto-optical double resonance optical pumping magnetometer using the gas cell described in Example 1-3.
  • the gas cell shown in FIG. 17C-2 of Example 2 is used as an example.
  • the optical pumping magnetometer includes a gas cell manufactured by using any one of those described in Example 1-3, a semiconductor laser 600, an optical fiber 606, a collimator lens 601, a polarizer 602, a wave plate 603, and a condensing light.
  • the optical system includes a lens 604 and a photodetector 605, and a magnetic system including a static magnetic field application coil 607 and an RF coil 608.
  • the laser light emitted from the semiconductor laser 600 is converted into parallel light by the collimator lens 601 incident through the optical fiber 606 and converted into circularly polarized light by the polarizer 602 and the wave plate 603.
  • the converted laser light is irradiated to the alkali metal gas filling the cavity 200 in the gas cell.
  • the static magnetic field generated from the static magnetic field coil 607 is applied at an angle of 45 degrees with respect to the laser light transmitted through the gas cell.
  • the RF magnetic field generated from the RF coil 608 is applied in a direction orthogonal to the static magnetic field application direction.
  • the laser light that has passed through the gas cell is collected by the condenser lens 604 and detected by the photodetector 605 via the optical fiber 606.
  • the semiconductor laser 600 may directly irradiate the collimating lens 601 with laser light, or the semiconductor laser 600 may be disposed on the collimating lens 601.
  • the photodetector 605 may be disposed on the condenser lens 604.
  • the laser light emitted from the semiconductor laser 600 may be converted into circularly polarized light. Therefore, if the optical system is configured to convert laser light into circularly polarized light, any of the semiconductor laser 600, the collimating lens 601, the polarizer 602, the wave plate 603, and the optical fiber 606 may be omitted or the order may be changed. Alternatively, another part may be newly inserted.
  • the gas cell has a structure that prevents the alkali metal source 300 from diffusing and preventing the transmission of the laser light, so that reflection and scattering of the laser light by the alkali metal source 300 can be suppressed. Thereby, since the laser beam modulated in the gas cell can be efficiently detected, an effect of increasing the magnetic field detection sensitivity can be obtained.
  • FIG. 24 is a schematic cross-sectional view showing a configuration of a Faraday rotation type optical pumping magnetometer using the gas cell described in Example 1-3.
  • the gas cell shown in FIG. 17C-2 of Example 2 is used as an example.
  • the optical pumping magnetometer includes a gas cell manufactured by using any one of the first to third embodiments, a semiconductor laser 600, a collimator lens 601, a polarizer 602, a wave plate 603, and a photodetector 605.
  • the magnetic system includes an optical system and a static magnetic field application coil 607. An optical fiber may be inserted into the optical system as in FIG.
  • Two sets of the semiconductor laser 600, the collimator lens 601, the polarizer 602, and the wave plate 603 are used in order to generate the pump light that passes in the horizontal direction in FIG. 24 and the probe light that passes in the vertical direction.
  • the pump light and the probe light are described so as to be perpendicular to each other. However, as long as the pump light and the probe light are irradiated so as to intersect within the cavity 200 filled with the alkali metal gas, they are not necessarily orthogonal. Good. However, in order to irradiate the laser beam in the vertical direction and the horizontal direction in FIG. 20, a gas cell made of a material transparent to the wavelength band of the laser beam is used.
  • the static magnetic field application coil 607 is arranged so as to apply a static magnetic field in the direction from the front to the back in FIG. 24, or from the back to the front, but is omitted in FIG. Yes.
  • the pump light irradiated to the gas cell is circularly polarized light having a wavelength corresponding to the alkali metal absorption line.
  • the pump light is irradiated from the semiconductor laser 600, converted into parallel light by the collimator lens 601, converted into circularly polarized light by the polarizer 602 and the wave plate 603, and changes the spin direction of the alkali metal gas filled in the cavity 200. They are aligned to form a spin-polarized state.
  • Probe light is generally linearly polarized light having a wavelength different from that of an alkali metal absorption line.
  • the probe light is irradiated from the semiconductor laser 600 and converted into parallel light by the collimator lens 601 and converted into linearly polarized light by the polarizer 602 and the wave plate 603.
  • the plane of polarization is rotated by the Faraday effect. Since the rotation angle is proportional to the magnetic field strength in the direction perpendicular to the probe light in the gas cell, the magnetic field can be measured by detecting the rotation angle with the photodetector 605.
  • any of the semiconductor laser 600, the collimating lens 601, the polarizer 602, and the wave plate 603 may be omitted.
  • the order may be changed, or another part may be inserted.
  • the gas cell has a structure that prevents the alkali metal source 300 from diffusing and preventing the transmission of laser light, reflection and scattering of pump light and probe light by the alkali metal source 300 can be suppressed. it can. Thereby, formation of the spin-polarized state of the alkali metal gas by the pump light and detection of the rotation angle of the polarization plane of the probe light can be performed more efficiently, so that the effect of increasing the magnetic field detection sensitivity can be obtained.
  • DESCRIPTION OF SYMBOLS 100 Processing member 101 Processing member 102 Sealing member 103 Sealing member 104 Mask material 105 Mask material 110 Processing layer 200 Cavity 201 Cavity 300 Alkali metal source 400 Separation wall 500 Optical path length measurement system 501 Light source 502 Photodetector 600 Semiconductor laser 601 Collimator Lens 602 Polarizer 603 Wave plate 604 Condensing lens 605 Optical detector 606 Optical fiber 607 Static magnetic field application coil 608 RF magnetic field application coil

Abstract

 ガスセル内の圧力制御をより容易とし、または、特別な工程を用いずにガスセルの内圧を検査しうる磁場計測装置を提供するため、磁場計測装置において、磁場計測装置の加工層を、第1の空洞部(200)、および第1の空洞部に対し第1分離壁(400)を介して設けられる第2の空洞部(201)とを有する構造とする。または、磁場計測装置の製造方法において、アルカリ金属を発生させる工程の後に、第1分離壁を破壊する工程を有する(図17、図20)。

Description

磁場計測装置およびその製造方法
 本発明は、磁場計測装置の構造、特に光ポンピング磁力計のガスセルの構造と、当該装置の製造方法に関する。
 小型に集積化した高感度の光ポンピング磁力計が開発されており、本技術分野の背景技術として、非特許文献1がある。
 非特許文献1に記載されている光ポンピング磁力計のガスセルは、貫通穴(cavity)を形成したシリコン基板の両面をガラス基板で接合し、当該貫通穴にアルカリ金属ガス原子を発生する塩化ルビジウム(RbCl)と、緩衝ガスである窒素ガスを発生するアジ化バリウム(BaN)を封止した、ガラス・シリコン・ガラスの3層構造からなる。
 このガスセルを用いた磁力計は、以下のように動作する。ガスセル内に封止したアルカリ金属ガス原子に、円偏光したポンプ光を照射する事によって、光ポンピング法でアルカリ金属ガス原子をスピン偏極させる。次に、ポンプ光と直行する方向に直線偏光したプローブ光を照射し、ファラデー回転と呼ばれる磁気光学効果によって、プローブ光の偏光面を回転させる。偏光面は、プローブ光の光路に垂直な方向の静磁場強度に比例した角度だけ回転するため、ガスセルを通過したプローブ光の偏光面の角度を光検出器で検出する事で磁場強度を計測する事ができる。
 また、同様のガスセルを用いて実現できる磁力計として、光磁気二重共鳴型光ポンピング磁力計、もしくはMx型光ポンピング磁力計と呼ばれる磁力計がある。光磁気二重共鳴型光ポンピング磁力計は、以下のように動作する。ガスセル内に封止したアルカリ金属ガス原子に、円偏光したレーザ光を照射する事によって、光ポンピング法でアルカリ金属ガス原子をスピン偏極させる。スピン偏極したアルカリ金属ガス原子は、ガスセル内の静磁場強度に比例した周波数で歳差運動する。この時、歳差運動の周波数と同じ周波数のRF磁場をガスセルに印加すると、ガスセルを通過する光は光磁気二重共鳴により共鳴ピークを示す。この共鳴ピークを光検出器で検出し、印加しているRF磁場の周波数(歳差運動の周波数に相当)から換算する事で、静磁場強度を計測する事ができる。
 上記のように、光ポンピング磁力計では、いずれの磁場計測方法においても、アルカリ金属ガスのスピン偏極状態とそれに対応して生じる光学情報の変化を利用して、磁場計測を行っている。そのため、光ポンピング磁力計では、アルカリ金属ガス原子のスピン偏極状態を長く保持する事が重要である。係る課題を解決するため、非特許文件1では、ガスセル内に、アルカリ金属ガス原子に加え、窒素ガス等の非磁性ガスや希ガス等(緩衝ガスと呼ばれる)を封止する方法が記載されている。アルカリ金属ガス原子がスピン偏極状態を保持する時間は、封止した緩衝ガスの圧力に依存する。
 また、光ポンピング磁力計では、ガスセル内を通過する光を検出する事で磁場計測を行っている。そのため、光が通過する領域の光透過率が悪化し、検出する信号レベルが低下しないように、ルビジウム等のアルカリ金属固体やアジ化バリウム等のガスセル内に封止した化合物が、当該領域に付着する事を防がなければならない。係る課題を解決するため、非特許文献1では、当該ガスセル内に3mm×2mm×1mmの2つの貫通穴と当該貫通穴間を連結する1mm×0.1mm×1mmの細い通路を形成し、一方の貫通穴に塩化ルビジウム、およびアジ化バリウムを封止する事によって、磁場計測用の光が通過するもう一方の貫通穴に未反応残留物やアルカリ金属が拡散しにくい構造が記載されている。
W.Clark Griffith, Svenja Knappe, and John Kitching, "Femtotesla atomic magnetometry in a microfabricated vapor cell", Optics Express 18, 27167-27172 (2010)
 非特許文献1記載のガスセルでは、貫通穴に封止した塩化ルビジウムとアジ化バリウムを密閉後に加熱し、化学反応させる事でルビジウムガスと窒素ガスを発生させている。しかしながら、化学反応の生成物として緩衝ガスを発生させるプロセスでは、ガスセル内の定量的な圧力制御が困難であり、製造した磁力計の磁場計測性能がばらつく事が考えられる。そのため、製造仕様の圧力からずれて製造されたガスセルにおいても、レーザ等の光学系部品やコイル等の磁気系部品を組み合わせて磁力計を構築するまで磁場計測性能が検査できない、もしくはガスセル毎に別途構築した性能評価システム等の測定系で検査する等の手間のかかる工程を追加する必要があるという課題がある。ガスセル内の圧力を直接計測する方法としては、ガスセルの破壊検査を行う事が考えられるが、破壊工程や検査工程が必要な事に加えて、検査後にはガスセルとして使用できなくなり、上述の課題を解決するものではない。
 また、アジ化バリウム等の未反応残留物やガス化されないアルカリ金属固体が磁場計測用の光が通過する領域に付着すると、当該光の通過が妨げられるため、前記の磁場計測に必要な偏光面の回転角や共鳴ピークに関する信号検出感度が悪化し、磁場計測性能が低下するという課題もある。
 係る課題に対し非特許文献1のように、アルカリ金属固体や化合物を封止する貫通穴と光が通過する貫通穴を細い通路で分離しても、細い通路を介して発生する拡散を完全に防止する事はできない。そのため、磁力計の磁場計測感度が高くなった時に、磁場計測用の光が通過する領域に拡散した微量のアルカリ金属固体や化合物による磁場計測感度の悪化は防止できない。
 さらに、当該構造を用いた場合においても、特にアルカリ金属ガス、および緩衝ガスを発生させる加熱等の処理時に、アルカリ金属ガス、および緩衝ガスを発生させる物質を封止している貫通穴の温度を、光が通過するもう一方の貫通穴の温度より低くなるように制御する必要もある。これは、アルカリ金属ガス発生時に室温の飽和蒸気圧以上にガス化したアルカリ金属ガス原子が、より温度の低い領域で固体化し、付着するためである。
 以上の問題点に鑑み、本発明の目的は、ガスセル内の圧力制御をより容易とし、または、特別な工程を用いずにガスセルの内圧を検査しうる磁場計測装置またはその製法を提供することにある。あるいは、本発明の別の目的は、より高感度に磁場を検出しうる磁場計測装置またはその製法を提供することにある。
 本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を説明すれば、第1に、磁場計測装置であって、第1の封止部材と、第2の封止部材と、第1の封止部材および第2の封止部材によって封止される加工層と、を有し、加工層は、アルカリ金属ガスが封入される第1の空洞部と、第1の空洞部に対し第1分離壁を介して設けられる第2の空洞部とを有することを特徴とする。
 第2に、磁場計測装置の製造方法であって、第1の封止部材と、第2の封止部材と、第1の封止部材および第2の封止部材によって封止される加工層とを有し、加工層に、第1分離壁を介して設けられる第1の空洞部と第2の空洞部とを有する磁場計測装置の製造方法であって、
(a)第1の空洞部に、アルカリ金属ガスを発生させる工程と、
(b)工程(a)の後に、第1の空洞部の内部の圧力により第1分離壁に発生する応力を破壊限界応力よりも高くすることで、第1分離壁の一部を破壊する工程と、を有することを特徴とする。
 第3に、磁場計測装置の製造方法であって、第1の封止部材と、第2の封止部材と、第1の封止部材および第2の封止部材によって封止される加工層とを有し、加工層は、第1加工部材と第2加工部材が積層された構造からなり、第1加工部材の内部および第2加工部材の内部に第1の空洞部が設けられ、第1加工部材の内部に第1分離壁を介して第2の空洞部が設けられる磁場計測装置の製造方法であって、
(a)第2の空洞部に、アルカリ金属ガスを発生させる工程と、
(b)工程(a)の後に、第1分離壁を破壊する工程とを有することを特徴とする。
 本発明によれば、ガスセル内の圧力制御をより容易とし、または、特別な工程を用いずにガスセルの内圧を検査しうる磁場計測装置またはその製法を提供しうる。あるいは、より高感度に磁場を検出しうる磁場計測装置またはその製法を提供しうる。
本発明の第1の実施例に係る光ポンピング磁力計ガスセルの模式的上面図である。 第1の実施例に係るガスセルの模式的断面図である。 (a)(b)は、第1の実施例に係るガスセル内の圧力検査システムである。 (a)(b)(c)(d)(e)は、第1の実施例に係るガスセルの作製フロー図である。 (a)(b)は、第1の実施例に係るガスセルの模式的上面図である。 (a)(b)(c)は、第1の実施例に係るガスセルの模式的断面図である。 (a)(b)(c)(d)は、第1の実施例に係るガスセルの作製フロー図である。 (a)(b)(c)(d)(e)(f)は、第1の実施例に係るガスセルの作製フロー図である。 第1の実施例に係るガスセルの模式的上面図である。 第1の実施例に係るガスセルの模式的断面図である。 (a)(b)は、第1の実施例に係るガスセル内の圧力検査システムである。 第1の実施例に係るガスセルの模式的上面図である。 第1の実施例に係るガスセルの模式的断面図である。 (a)(b)(c)は、第1の実施例に係るガスセルの作製フロー図である。 第2の実施例に係るガスセルの模式的上面図である。 第2の実施例に係るガスセルの模式的断面図である。 (a)(b)(c-1)(c-2)は、第2の実施例に係るガスセルの作製フロー図である。 第2の実施例に係るガスセルの模式的上面図である。 第2の実施例に係るガスセルの模式的断面図である。 (a)(b)(c)は、第2の実施例に係るガスセルの作製フロー図である。 第3の実施例に係るガスセルの模式的上面図である。 第3の実施例に係るガスセルの模式的断面図である。 第3の実施例に係る磁気計測装置の概略図である。 第3の実施例に係る磁気計測装置の概略図である。
 以下に、本発明に係る磁場計測装置およびその製造方法について、実施の形態および図面を参照しつつ説明する。
 <基本構成>
 図1は、本実施例1に係る磁場計測装置(ガスセル)の模式的上面図であり、図2はそのA-A’断面における模式的断面図である。図1、2において、分かり易さのため、空洞200の一部を200aと表記した。また、図1においては、分かり易さのため封止部材102を省略している(以下、模式的上面図において同じ)。空洞200aは特に、基板100の未加工部分の下部の領域、および空洞201の下部の領域を示している。
 図2のガスセルは、加工層110を封止部材102および103によって封止した構造をもつ。加工層110は、空洞部200および201が設けられる領域であり、図2の構造においては特に、加工部材100および101の2層構造からなる。
 図2のガスセルは、その上で、下から順に封止部材103、加工部材101、加工部材100、封止部材102を配置した、封止部材・加工部材・加工部材・封止部材の4層からなる構成である。封止部材102、および封止部材103は、磁場計測用レーザの波長帯の光に対して透明な材料であればよく、例えばガラス等を用いる。加工部材100、および加工部材101は、少なくとも1つ以上の貫通穴、もしくは未貫通穴、もしくはその両方が加工されており、例えばシリコン基板等を用いる。加工部材100と加工部材101に形成された貫通穴によって、空洞部200が構成されており、この空洞部200は封止部材102、および封止部材103を用いて封止されている。これに対し、加工部材100に形成された未貫通穴によって空洞部201が構成され、この空洞部201は封止部材102を用いて封止されている。
 空洞200には、アルカリ金属源300が封止されている。アルカリ金属源300は、固体または液体である。各空洞内は、封止部材102と103によって密閉されており、その雰囲気は、例えば真空、窒素ガス、ヘリウム等の希ガス、もしくはその混合ガス雰囲気下となっている。また、空洞200内と201内の雰囲気が異なっていてもよい。図1、および図2では、空洞200、および201の形状は四角形であるが、他の多角形や曲線で構成された形状でも構わない。空洞200と201は、加工部材100の未貫通部(分離壁400)によって分離され、互いに分離壁400を介して設けられている。
 図1、2に係るガスセルは、磁場計測用のレーザ光を封止部材102、空洞200、および封止部材103を介して、空洞200内に封止されているアルカリ金属ガスに照射することで、磁場を計測することが可能である。
 図3は、ガスセルの空洞200内の圧力を検査するための検査システムを模式的に表した図である。図3に係るガスセルは、圧力検査用のレーザ光を封止部材102と空洞201、あるいは封止部材103と空洞200を介して分離壁400に照射することで、空洞200内の圧力を検査することが可能である。その理由を以下で述べる。
 以下では、一例として空洞200内、および空洞201内が真空封止されている場合について説明する。空洞200内に封止されるアルカリ金属源300は、アルカリ金属ガスを発生させる物質であればよい。例えば、アルカリ金属源300としてアルカリ金属を含む化合物等を用い、熱処理や光照射、化学反応等を行う事で、空洞200内にアルカリ金属ガスを発生させることができる。当該ガス発生後、空洞200内はアルカリ金属ガス、あるいはアルカリ金属ガスと緩衝ガスが充満し、空洞201内は真空に保たれた状態となっている。
 そのため、空洞200と空洞201を分離している分離壁400には、空洞200内で発生した当該ガスの圧力や分離壁400の形状や壁厚に応じて、応力がかかる。その結果、分離壁400は、空洞200から空洞201方向にたわみ、変形や破損が生じる。
 分離壁400にたわみが発生する場合、空洞200内で発生させる当該ガス量を増加させれば、空洞200内の圧力が上昇し、分離壁400にかかる応力も増加するため、たわみが大きくなる。たわみ量は、構造力学の四辺支持等分布荷重モデルを用いて計算する事ができ、分離壁400にかかる荷重に比例する。本実施例の場合には、空洞200と空洞201の圧力差に比例して、たわみ量が変化する。例えば、分離壁400が短辺2mm、長辺4mm、壁厚100μmの直方体形状で、空洞200内が100kPa、空洞201内が真空に保たれている場合、分離壁400には、約24MPaの最大曲げ応力がかかり、約1.4μmのたわみが生じると予測される。そのため、分離壁400のたわみ量を測定する事によって、空洞200内の圧力を検査する事が可能である。たわみ量の測定は、例えば、封止部材102を介して分離壁400にレーザ光を照射し、反射してきたレーザ光の光路長を光路長測定システム500で測定する事で、評価する事ができる(図3)。なお、レーザ光は、封止部材103を介して、反対側から照射しても構わない。
 また、空洞200内が特定の圧力以上になった場合、分離壁400が破損するように分離壁形状や壁厚を設計しておけば、分離壁400の破損の有無で空洞200内の圧力を検査する事も考えられる。例えば、分離壁400が短辺2mm、長辺4mm、壁厚10μmの直方体形状で、空洞200内が100kPa、空洞201内が真空に保たれている場合、分離壁400には、約2.4GPaの最大曲げ応力がかかると考えられるため、当該空洞間の圧力差によって分離壁400の破壊強度相当の応力を印加する事が可能である。
 以上をまとめると、本実施例に係る磁場計測装置は、第1の封止部材(102)と、第2の封止部材(103)と、第1の封止部材および第2の封止部材によって封止される加工層(110)と、を有し、加工層は、アルカリ金属ガスが封入される第1の空洞部(200)と、第1の空洞部に対し第1分離壁(400)を介して設けられる第2の空洞部(201)とを有することを特徴とする。
 係る構造によって、ガスセル作製後に磁場計測性能の測定やガスセルの破壊検査を行わずに、容易に空洞内の圧力を検査する事ができる。
 また、図2の構造はさらに、加工層が第1加工部材(100)と第2加工部材(101)が積層された構造からなり、第2の空洞部は第1加工部材の内部に設けられ第1の封止部材によって封止されるのに対し、第1の空洞部は第1加工部材および第2加工部材の内部に設けられ、第1の封止部材および第2の封止部材で封止されることを特徴とする。
 係る特徴によって、加工部材100と101の間に分離壁400を形成することが可能となるため、分離壁400の面積や形状を比較的自由に設計することが可能となり、その結果、測定可能な圧力範囲が広くなる効果がある。さらに、平面方向に分離壁400が形成されることとなるため、壁厚を均一に形成しやすい効果がある。
 また、図2の構造においては、アルカリ金属が封入されない空洞部201は単一である。このように、単一の空洞201のみを形成する場合には、ガスセルの検査に用いる空洞201の面積を小さくできる効果もある。
 <ガスセルの製造方法>
 次に、図4を用いて、本実施例を行うためのガスセルの製造方法について説明する。図4(a)-(e)は、本実施例に係るガスセルの製造方法である。
 本実施例では、一例として加工部材100と加工部材101にシリコン基板を、封止部材102と封止部材103にガラスを用いる。まず、加工部材100上に形成したマスク材104にリソグラフィ等を用いて、空洞201のパターンを形成し、エッチング等で加工を行う(図4(a))。例えば、マスク材には酸化シリコンを用い、四フッ化ケイ素ガスを用いたドライエッチングで未貫通穴を形成する。未貫通穴の断面形状は、垂直でなくてもよく、斜めの断面形状や段差があっても構わない。そのため、水酸化カリウム水溶液等を用いたウェットエッチングやレーザやドリル等での加工を行う事も可能である。
 次に、空洞201を加工した加工部材100上に再形成したマスク材104にリソグラフィ等を用いて、空洞200のパターンを形成し、エッチング等で貫通穴を形成する(図4(b))。ここで、空洞200と201の形成順序は問わないため、空洞201の未貫通穴より先に空洞200を形成してもよい。または、同時に形成してもよい。
 次に、加工部材101上に形成したマスク材105にリソグラフィ等を用いて、空洞200のパターンを形成し、エッチング等で貫通穴を形成する(図4(c))。
 次に、このように加工された加工部材100と101を接合する(図4(d))。例えば、シリコン基板を用いる場合には、熱接合により接合する方法がある。この時、空洞200を形成する領域には、加工部材と垂直方向に貫通しているレーザ光が透過するための領域が存在していればよく、加工部材100と加工部材101の貫通穴側面部の接続が必ずしも連続的に滑らかである必要はない。つまり、加工部材100と加工部材101の接続部で段差が形成されていても構わない。
 最後に、封止部材102と封止部材103を、アルカリ源300が空洞200内に内包された状態で接合し、空洞200と201を密閉する(図4(e))。例えば、シリコン基板とホウケイ酸ガラスを用いる場合には、陽極接合で接合する事ができる。この時、接合時の雰囲気を制御すれば、空洞200、および201内を真空や窒素ガス、希ガス雰囲気下等に調整する事もできる。空洞200内と空洞201内を異なる雰囲気や圧力で封止する場合には、封止部材102と封止部材103の接合の順番を調整すればよい。例えば、空洞200内を窒素ガス雰囲気下、空洞201内を真空雰囲気下で封止する場合、最初に封止部材102を真空雰囲気下で接合し、空洞201内を真空封止した後に、封止部材103を窒素ガス雰囲気下で接合し、空洞200内に窒素ガスを封止すれば実現できる。窒素ガス等の非磁性ガスやヘリウムガス等の希ガスを封止すると緩衝ガスとして作用し、アルカリ金属ガスのスピン散乱を抑制する効果がある。また、空洞内が密閉されていればよいため、接着剤等を用いて封止部材を接合する事もできる。このような製造手順で、図1、2に示したガスセルを実現できる。
 <空洞部201を複数設ける変形例およびその製造方法>
 図5、6において、空洞部201を複数設ける変形例について説明する。図5(a)、(b)は、本実施例に係るガスセルの模式的上面図である。図5(a)では変形例のうち、各空洞201の面積が異なる例を示す。図5(b)では変形例のうち、各空洞201を分離している分離壁400の壁厚が異なる例を示す。
 図6(a)、(b)、(c)は、図5(a)、(b)中のA-A’あるいはA’’-A’’’、 B-B’、およびC-C’断面における模式的断面図である。図5、6において、分かり易さのため、空洞200の一部を200aと表記した。空洞200aは特に、基板100の未加工部分の下部の領域、および空洞201の下部の領域を示している。
 空洞200と空洞201は、それぞれ加工部材100の未貫通部(分離壁400)によって、分離されている。ただし、各空洞201の面積や形状のいずれか、もしくはその両方がそれぞれ異なっている(図5)。また、各空洞201を分離している分離壁400の面積や形状、壁厚のいずれか1つ、もしくは複数がそれぞれ異なっている(図5、図6)。
 以下に、分離壁400の面積や壁厚が異なる複数の空洞201を有するガスセルの効果について説明する。一例として、空洞200および空洞201は真空封止されている場合を考える。
 当該ガスセルには、空洞200内にアルカリ金属源300が封止されており、例えばアルカリ金属を含む化合物等を用い、熱処理や光照射、化学反応等によりアルカリ金属ガスを発生させる。アルカリ金属ガス発生後、空洞200内はアルカリ金属ガス、あるいはアルカリ金属ガスと緩衝ガスが充満し、各空洞201内は真空に保たれた状態となっている。そのため、図3に記載したように各分離壁にはたわみ等の変形や破損が生じる。ただし、空洞200内の圧力が同じでも、各分離壁400によって変形による変位量や破損の有無が異なる。これは、各分離壁400を異なる面積や形状、壁厚で形成しているため、同一荷重下において各分離壁400に付与される応力が異なるからである。具体的には、空洞200内の圧力(荷重)と分離壁400の壁厚、および形状が同じ場合には、分離壁400の面積が大きいほど、その変位量や分離壁にかかる最大応力が増加する。また、空洞200内の圧力と分離壁400の面積、および形状が同じ場合には、壁厚が厚いほど、その変位量や分離壁にかかる最大応力は減少する。そのため、ガスセル内に様々な面積や壁厚を有する分離壁400(空洞201)を形成する事で、アルカリ金属ガス発生後に各分離壁400の変位量や破損の有無が異なるガスセルを製造できる。そのため、各分離壁の面積や壁厚を適切に設計し、それぞれの状態を比較する事で空洞200内の圧力をより正確に検査する事ができる。
 例えば、例えばアルカリ金属源300からアルカリ金属ガスと緩衝ガスを発生させ、空洞200内の圧力を仕様225kPa、許容公差25kPaで制御したい場合について説明する。
 この時、例えば図5記載の3つの空洞201を有するガスセルにおいて、空洞200内の圧力が200kPaとなった時に、面積が最も大きい、あるいは壁厚が最も薄い分離壁400が破損するように設計しておく。同様に、2番目に面積が大きい、あるいは壁厚が薄い分離壁400は、空洞200内の圧力が225kPaとなった時に破損し、最も面積が小さい、あるいは壁厚が厚い分離壁400は、空洞200内の圧力が250kPaとなった時に破損するように設計しておく。その結果、200kPaで破損するように設計した分離壁400が破損し、250kPaで破損するように設計した分離壁400が破損していない状態となるように、アルカリ金属ガスおよび緩衝ガスの発生工程を制御する事で、空洞200内の圧力を仕様圧力の200kPa以上250kPa以下に制御する事が可能となる。すなわち、空洞201を複数形成する事で各分離壁400の破損の有無を確認するだけの検査で、空洞200内の圧力をより正確に知る事が可能となる。これにより、化学反応の生成物として緩衝ガスを発生させる工程を用いても、個々のガスセルの圧力を正確に制御・検査できる効果がある。
 このように、本変形例に係る磁場計測装置は、加工層が第1の空洞部に対し、第2分離壁を介して設けられる第3の空洞部をさらに有し、第2分離壁は、所定の圧力が印加された際の応力が第1分離壁とは異なることを特徴とする。
 この構造は、図1の構造と比較して、以下に述べる効果がある。図1のように空洞201を単一にした場合は、破損の有無のみの確認で空洞200内の圧力範囲までを知る事はできず、変形による変位量の検査から導出しなければならない。これに対し、空洞201を複数形成し、分離壁の面積や壁厚の設計を変更する事で、上述の例以外の圧力範囲でガスセル内の圧力を制御したり、より詳細な条件で検査したりする事が可能となる。
 図7(a)-(d)は、面積の異なる複数の分離壁400の製造方法である。以下に、一例として加工部材100と加工部材101にシリコン基板を、封止部材102と封止部材103にガラスを用いた場合について説明する。
 まず、加工部材100上に形成したマスク材104にリソグラフィ等を用いて、面積の異なる空洞201のパターンをそれぞれ形成し、エッチング等で加工を行う(図7(a))。本工程は、図4(a)の工程で面積の異なる複数の未貫通穴を同時に形成する事に相当する。例えば、マスク材には酸化シリコンを用い、四フッ化ケイ素ガスを用いたドライエッチングで未貫通穴を形成できる。未貫通穴の断面形状は、垂直でなくてもよく、斜めの断面形状や段差があっても構わない。そのため、水酸化カリウム水溶液等を用いたウェットエッチングやレーザやドリル等での加工を行う事も可能である。図7(a)の後、もしくは前の工程において、加工部材100のA-A’上(図5(a)、図6(a))では、図4(b)と同様の工程で貫通穴が形成される。ただし、加工部材101のB-B’上では変化がないため、図7では省略している。
 次に、加工部材101上に形成したマスク材105にリソグラフィ等を用いて、空洞200のパターンを形成し、エッチング等で貫通穴を形成する(図7(b))。
 次に、このように加工された加工部材100と加工部材101を接合する(図7(c))。接合方法は、図4(d)と同様である。この時、空洞200と空洞201を分離している分離壁400の面積は、分離壁400ごとに異なっている。各空洞201間の距離は、例えば1mm以上とするなど、分離壁400の壁厚と比較して十分に厚くする事が望ましい。
 最後に、封止部材102と封止部材103をアルカリ金属源300が空洞200内に内包された状態で接合し、空洞200と201を密閉する(図7(d))。例えば、シリコン基板とホウケイ酸ガラスを用いる場合には、陽極接合による接合方法がある。この時、接合時の雰囲気を制御すれば、各空洞内を真空や窒素ガス、希ガス雰囲気下等に調整する事もできる。
 このような工程で作製すれば、分離壁400の面積が異なる空洞201を複数有するガスセルを形成する事ができる。
 図8(a)-(f)は、壁厚の異なる複数の分離壁400の製造方法である。以下に、一例として加工部材100と加工部材101にシリコン基板を、封止部材102と封止部材103にガラスを用いた場合について説明する。
 まず、封止部材100上に形成したマスク材104にリソグラフィ等を用いて、所望の面積の空洞201のパターンを形成し、エッチング等で加工を行う(図8(a))。図7(a)と同様に、マスク材には酸化シリコンを用い、四フッ化ケイ素ガスを用いたドライエッチングで加工する事ができる。
 次に、図8(a)で加工した加工部材100上に再形成したマスク材104にリソグラフィ等を用いて、空洞201のパターンを2箇所形成し、図8(a)と同様にして、エッチング等で加工を行う(図8(b))。図8(b)の工程で加工する空洞201の内の1つは、図8(a)で加工した空洞201と同じにする。これにより、空洞201の内の1つは再度加工される事となり、未貫通穴をより深く形成する事ができる。
 次に、空洞201のパターンを3箇所に形成し、図8(b)と同様の方法で加工深さの異なる3つの空洞201を形成する(図8(c))。図8では、一例として加工深さの異なる3つの空洞201を形成する場合について説明したが、2箇所、もしくは3箇所以上を加工する事もできる。また、未貫通穴の断面形状は、垂直でなくてもよく、斜めの断面形状や段差があっても構わない。そのため、水酸化カリウム水溶液等を用いたウェットエッチングやレーザやドリル等での加工でもよい。
 図8(a)の前、もしくは図8(c)の後、もしくは図8(a)-(c)の間の工程において、加工部材100のA-A’上(図5(b)、図6(a))では、図4(b)と同様の工程で貫通穴が形成される。ただし、加工部材100のC-C’上では加工部材100に変化がないため、図8では省略している。
 次に、加工部材101上に形成したマスク材105にリソグラフィ等を用いて、空洞200のパターンを形成し、エッチング等で貫通穴を形成する(図8(d))。
 このように加工された加工部材100と加工部材101は、図7(c)と同様の手法で接合する事ができる(図8(e))。この時、空洞200と空洞201を分離している分離壁400の壁厚は、分離400壁ごとに異なっている。
 最後に、アルカリ金属源300を空洞200内に内包した状態で封止部材102と封止部材103を接合し、空洞200と201を密閉する(図8(f))。
 このような工程で作製すれば、分離壁厚が異なる空洞201を複数有するガスセルを形成する事ができる。
 <加工層が加工部材1層からなる変形例およびその製造方法>
図9は、ガスセルの模式的上面図であり、図10はそのA-A’断面における模式的断面図である。図9のガスセルでは、加工層110は加工部材100の1層構造からなる。
 図9のガスセルは、その上で、下から順に封止部材103加工部材100、封止部材102を配置した、封止部材・加工部材・封止部材の3層からなる構成である。封止部材102、および封止部材103は、磁場計測用レーザの光に対して透明な材料であればよく、例えばガラス等を用いる。加工部材100は、少なくとも2つ以上の貫通穴が加工されており、例えばシリコン基板等を用いる。
 加工部材100に形成された貫通穴によって、空洞200と空洞201が構成されており、この空洞200と空洞201は封止部材102、および封止部材103を用いて封止されている。また、空洞201は、加工部材100に形成された分離壁400によって、空洞200と分離されている。図9では、空洞200、および201の形状は四角形であるが、他の多角形や曲線で構成された形状でも構わない。
 空洞200には、アルカリ金属源300が封止されている。アルカリ金属源300は、図1と同様である。各空洞内は、封止部材102と封止部材103によって密閉されており、その雰囲気は、例えば真空に保たれている。空洞200内と201内は窒素ガス等の他の雰囲気であってもよく、互いに雰囲気が異なっていてもよい。
 図9、10に係るガスセルは、磁場計測用のレーザ光を封止部材102、空洞200、および封止部材103を介して、空洞200内に封止されているアルカリ金属ガスにレーザ光を照射することで、磁場を計測することが可能である。
 図11(a)(b)は、ガスセルの空洞200内の圧力を検査するための検査システムを模式的に表した図である。図11に係るガスセルは、圧力検査用のレーザ光を封止部材102と空洞201、あるいは封止部材103と空洞201を介して分離壁400に照射することで、空洞200内の圧力を検査することが可能である。その理由を以下で述べる。
 以下では、一例として空洞200内、および空洞201内が真空封止されている場合について説明する。空洞200内に封止されるアルカリ金属源300を用いて、アルカリ金属ガスおよび緩衝ガス発生後、空洞200内はアルカリ金属ガス、あるいはアルカリ金属ガスと緩衝ガスが充満し、空洞201内は真空に保たれた状態となっている(図11(a))。
 そのため、分離壁400に空洞200内で発生した当該ガスの圧力や分離壁400の形状や壁厚に応じて、応力がかかる。その結果、分離壁400は、空洞200から空洞201方向にたわみ、図11(b)のように変形が生じる。そのため、図1、2、3を用いて記載した方法と同様に、分離壁400のたわみ量を測定する事によって、空洞200内の圧力を検査する事できる。
 たわみ量の測定は、光源501からガラス基板102を介してレーザ光を照射し、ガスセルを透過するレーザ光の強度を光検出器502で測定する。たわんだ分離壁400と光源501から生じた光が交差している場合には、光が反射し、光検出器502には検出されない。そのため、分離壁400の変位方向に光源501を走査する事で、アルカリ金属ガスおよび緩衝ガス発生による分離壁400の変位量を評価する事ができる(図11)。この時、光源501と光検出器502の位置を入れ替え、ガラス基板103を介してレーザ光を照射してもよい。また、レーザ光を分離壁400の変位方向と反対方向に走査する、あるいは走査せずに固定しておいてもよい。
 また、空洞200内が特定の圧力以上になった場合、分離壁400が破損するように分離壁形状や壁厚を設計しておけば、分離壁400の破損の有無で空洞200内の圧力を検査する事もできる。
 このように、本変形例に係る磁場計測装置は、第1の空洞部および第2の空洞部が、第1の封止部材および第2の封止部材によって封止されることを特徴とする。
 このようなガスセル構造では、空洞201が貫通穴で形成されているため、空洞200を形成する貫通穴と同時に形成できる効果がある。
 また、図5と同様に分離壁400の面積や壁厚がそれぞれ異なっている複数の空洞201を有するガスセルを用いる事もできる。図12は、ガスセルの加工部材100における模式的上面図であり、図13はそのA-A’断面における模式的断面図である。
 このようなガスセル構造では、各分離壁400の面積や壁厚を調整する事で、図5、6と同様の圧力検査が可能となる。
 図14を用いて、図9-13に係るガスセルの製造方法について説明する。図14では、一例として加工部材100にシリコン基板を、封止部材102と封止部材103にガラスを用いる。
 まず、加工部材100上に形成したマスク材104にリソグラフィ等を用いて、空洞200および空洞201のパターンをそれぞれ形成し、エッチング等で加工を行う(図14(a))。
 次に、図9、10記載のガスセル構造の場合は空洞201を1箇所に、図12、13記載のガスセル構造の場合は空洞201を複数箇所に形成する。空洞201を複数箇所に形成する時は、加工部材100内に形成される各分離壁400の面積や壁厚が異なるように加工する(図14(b))。加工部材100の加工は、図4(c)と同様である。また、分離壁400の断面形状は垂直である事が望ましいが、形状が制御できれば必ずしも垂直でなくてもよい。そのため、水酸化カリウム水溶液等を用いたウェットエッチングやレーザやドリル等での加工を行う事も可能である。各空洞201間の距離は、分離壁400の壁厚と比較して、例えば数倍程度以上離れている事が望ましい。
 最後に、封止部材102と封止部材103は、アルカリ金属源300を空洞200内に内包した状態で接合し、空洞200と201を密閉する(図14(c))。接合方法や封止雰囲気は、図4記載の方法と同様である。
 図15は、本実施例2に係るガスセルの模式的上面図であり、図16はそのA-A’断面における模式的断面図である。図15、16、において、分かり易さのため、空洞200の一部を200aと表記した。200aは、特に、加工部材100の未加工部分の下部の領域、および空洞201の下部の領域を示している。
 図15のガスセルは、加工層110を封止部材102および103によって封止した構造をもつ。加工層110は、空洞200および202が設けられる領域であり、図15の構造では特に、加工部材100および101の2層構造からなる。
 図15のガスセルは、その上で、下から順に封止部材103、加工部材101、加工部材100、封止基板102を配置した、封止部材・加工部材・加工部材・封止部材の4層からなる構成であり、ガスセルの構造は、実施例1記載の図1と同様である。ただし、アルカリ金属源300は、空洞200内ではなく空洞202内に封止されている。
 また、実施例1と同様に、実施例2に係るガスセルも、磁場計測用のレーザ光を空洞200内に封止されているアルカリ金属ガスに照射することで、磁場を計測することが可能である。さらに、図15に係るガスセルは、磁場計測用のレーザ光が通過する空洞200がアルカリ金属源300、もしくはアルカリ金属固体によって汚染されることなく、空洞200内にアルカリ金属ガス、あるいはアルカリ金属ガスと緩衝ガスを充満させることができる効果がある。
 図17(a)(b)(c-1)および(c―2)は、本実施例に係るガスセルの製造方法である。本実施例では、一例として加工部材100と加工部材101にシリコン基板を、封止部材102と封止部材103にガラスを用い、空洞200内と空洞202内が真空封止されている場合のガスセルの製造方法について説明する。
 まず、実施例1記載の図4(a)-(d)と同様の工程で、基板100と基板101を接合する(図17(a))。
 次に、封止部材102と封止部材103をアルカリ金属源300が空洞202に内包した状態で接合し、空洞200と空洞202を密閉する(図17(b))。接合方法は、実施例1記載の図4(e)と同様である。
 空洞202内に封止されるアルカリ金属源300は、実施例1と同様であり、熱処理等を行う事でアルカリ金属ガス、もしくはアルカリ金属ガスと緩衝ガスを発生させ、空洞202内を加圧する。
 当該ガス発生後、空洞200内は真空に保たれており、空洞202内はアルカリ金属ガス、あるいはアルカリ金属ガスと緩衝ガスが充満している。そのため、空洞200と空洞202を分離している分離壁400には、空洞200と空洞202の圧力差に応じて、応力がかかる。この時、空洞202内の圧力が上昇して所望の圧力に達した場合に、分離壁400が応力により破損するように分離壁の面積や壁厚を設計しておき、空洞202内を所望の圧力まで加圧する事で、分離壁400を破損させ、空洞200と空洞202を連結させる事ができる(図17(c-1))。これにより、空洞202内にアルカリ金属ガス発生時に生じる未反応残留物やアルカリ金属固体を保持した状態で、アルカリ金属ガス、および緩衝ガスのみを空洞200内に充満させる事が可能となる。そのため、空洞200内を通過する磁場計測用レーザの透過率が当該未反応残留物やアルカリ金属固体によって低下する事を防げる利点がある。ここで、一般にアルカリ金属ガスの飽和蒸気圧よりも、非磁性ガスまたは希ガスの飽和蒸気圧の方が高いため、空洞202内にアルカリ金属ガスとともに非磁性ガスまたは希ガスからなる第2のガスも発生させることで、その後の第2のガスの圧力上昇によって、より容易に分離壁の破損が可能となる。ここで、非磁性ガスまたは希ガスは緩衝ガスとして説明してきたが、他の目的のために封入されたものであっても良い。いずれにせよ、少なくとも空洞202の内部の圧力により分離壁400に発生する応力が破壊限界応力より高くなれば良い。
 また、別の連結手法として、空洞202内にアルカリ金属ガス、および緩衝ガスを発生させた後に、高エネルギレーザを照射する事で分離壁400を破損し、空洞200と空洞202を連結させる事もできる(図17(c-2))。高エネルギレーザには、例えばYAGレーザの高調波等を用いることができる。
 図17(c-1)で述べた、空洞202内の圧力を上昇させ分離壁400を破損させる製造方法は、図9,10で述べたガスセルに対して適用することも可能である。図18は、ガスセルの模式的上面図であり、図19は、そのA-A’断面における模式的断面図である。図18、19のガスセルの構造は、実施例1記載の図9、10と同様である。ただし、アルカリ金属源300は、空洞202内に封止されている。
 磁場計測用のレーザ光は、空洞200内に封止されているアルカリ金属ガスに照射され、磁場を計測する。図18、19記載のガスセル構造は、加工層110を単一の加工部材100で形成し、図15、16記載のガスセルと同様の効果を実現するものである。
 図20は、本実施例に係るガスセルの製造方法である。本実施例では、一例として加工部材100にシリコン基板を、封止部材102と封止部材103にガラスを用い、空洞200内と空洞202内が真空封止されている場合のガスセルの製造方法について説明する。
 まず、実施例1記載の図14(b)と同様の工程で、少なくとも2つ以上の貫通穴を有する加工部材100を加工する(図20(a))。
 次に、実施例1記載の図14(b)と同様の工程で、加工部材100を封止部材102、および封止部材103を用いて封止し、ガスセル内部に空洞200、202を形成する。ただし、アルカリ金属源300は、空洞202内に封止されている。
 最後に、図17(c-1)に記載した方法と同様にアルカリ金属ガス、および緩衝ガスにより空洞202内を加圧し、分離壁400を破損する事で空洞200と空洞202を連結させる事ができる(図20(c))。
 以上をまとめると、本実施例に係る磁場計測装置の製造方法のうち、図17(c-1)および図20(c)に係る製造方法は、特に、第1の封止部材と、第2の封止部材と、第1の封止部材および第2の封止部材によって封止される加工層とを有し、加工層に、第1分離壁を介して設けられる第1の空洞部と第2の空洞部とを有する磁場計測装置を製造する方法である。その上で、特に、(a)第1の空洞部に、アルカリ金属ガスを発生させる工程と、(b)工程(a)の後に、第1空洞部の内部の圧力により第1分離壁に発生する応力を破壊限界応力よりも高くすることで、第1分離壁の一部を破壊する工程と、を有することを特徴とする。
 係る特徴にとって、第2の空洞部を通過する磁場計測用レーザの透過率が当該未反応残留物やアルカリ金属固体によって低下する事を防げる利点がある。さらに、図17(c-2)に係る製造方法と比較すると、高エネルギレーザを照射する等の特別の操作を行わずに、分離壁を破壊できる利点がある。
 また、図17(c-2)に係る磁場計測装置の製造方法は、第1の封止部材と、第2の封止部材と、第1の封止部材および第2の封止部材によって封止される加工層とを有し、加工層は、第1加工部材と第2加工部材が積層された構造からなり、第1加工部材の内部および第2加工部材の内部に第1の空洞部が設けられ、第1加工部材の内部に第1分離壁を介して第2の空洞部が設けられる磁場計測装置の製造方法である。その上で、特に、(a)第2の空洞部に、アルカリ金属ガスを発生する工程と、(b)工程(a)の後に、第1分離壁を破壊する工程とを有することを特徴とする。
 係る特徴にとって、第2の空洞部を通過する磁場計測用レーザの透過率が当該未反応残留物やアルカリ金属固体によって低下する事を防げる点は、上述の製造方法と同様である。その上で、図17(c-1)に係る磁場計測装置の製造方法と比較すると、第1の空洞部に過剰にアルカリ金属ガスや緩衝ガスを発生させなくても良い利点がある。
 図21は、本実施例3に係わるガスセルの模式的上面図であり、図22はそのA-A’断面における模式的断面図である。
 図21、22において、分かり易さのため、空洞200の一部を200aと表記した。200aは特に、加工部材100の未加工部分の下部の領域、および空洞201と空洞202の下部の領域を示している。
 図21のガスセルは、加工層110を封止部材102および103によって封止した構造をもつ。加工層110は、空洞200、201および202が設けられる領域であり、図21の構造では特に、加工部材100および101の2層構造からなる。
 図21のガスセルは、その上で、下から順に封止部材103、加工部材101、加工部材100、封止部材102を配置した、封止部材・加工部材・加工部材・封止部材の4層からなる構成である。加工部材100には、実施例1の図1、2記載の空洞201と実施例2の図15、16記載の空洞202が形成されている。すなわち、加工部材100と加工部材101に形成された貫通穴によって、空洞部200が構成されており、この空洞部200は封止部材102、および封止部材103を用いて封止されている。これに対し、加工部材100に形成された未貫通穴によって空洞部201と202が構成され、この空洞部201と202は封止部材102を用いて封止されている。封止部材102、封止部材103、分離壁400、およびアルカリ金属源300は、実施例1および実施例2と同様である。また、アルカリ金属源は空洞202内に封止されている。
 図23に係るガスセルは、磁場計測用のレーザ光を空洞200内に封止されているアルカリ金属ガスに照射することで、磁場を計測することが可能となる。さらに、実施例1記載の効果と実施例2記載の効果の両方を実現することができる。その理由を以下で述べる。
 図23のガスセルでは、当該ガスセル形成後に、空洞202内に封止されているアルカリ金属源300から熱処理等を行うことで、アルカリ金属ガス、もしくはアルカリ金属ガスと緩衝ガスを発生させる。
 次に、実施例2記載の工程で空洞202に隣接している分離壁400を破損し、空洞200と空洞202を連結させることにより、空洞202内にアルカリ金属ガス発生時の未反応残留物やアルカリ金属固体を保持した状態で、アルカリ金属ガスと緩衝ガスのみを空洞200内に充満させる事が可能となる。そのため、当該未反応残留物やアルカリ金属固体による磁場計測用のレーザ光通過の妨げを防ぐことが可能である。
 その後、実施例1に記載した方法で空洞201を分離している分離壁400の変形量や破損の有無を測定する事により、空洞200内に充満しているアルカリ金属ガスと緩衝ガスの圧力を検査することも可能である。すなわち、磁場計測用のレーザ光が通過する空洞200内にアルカリ金属ガス等を発生させた際に生じる未反応残留物やアルカリ金属固体が付着するという問題と当該空洞内の圧力を容易に検査する工程が必要であるという問題を同時に解決する事ができる。
 図23は、実施例1-3記載のガスセルを用いた光磁気二重共鳴型光ポンピング磁力計の構成を示す模式的断面図である。本実施例では、一例として実施例2の図17(c-2)記載のガスセルを用いる。
 本実施例に係る光ポンピング磁力計は、実施例1-3記載のいずれかを用いて製造したガスセルと、半導体レーザ600と光ファイバ606とコリメートレンズ601と偏光子602と波長板603と集光レンズ604と光検出器605からなる光学系と、静磁場印加用コイル607とRFコイル608からなる磁気系で構成される。
 半導体レーザ600から照射されたレーザ光は、光ファイバ606を介して入射されるコリメートレンズ601で平行光に、偏光子602と波長板603で円偏光に変換される。変換されたレーザ光は、ガスセル内の空洞200に充満しているアルカリ金属ガスに照射される。静磁場用コイル607から発生した静磁場は、ガスセル内を透過するレーザ光に対して45度の角度で印加される。また、RFコイル608から発生したRF磁場は、静磁場印加方向と直交する方向に印加される。ガスセルを通過したレーザ光は、集光レンズ604で集光され、光ファイバ606を介して、光検出器605で検出される。
 ただし、光ファイバ606を用いずに、半導体レーザ600からコリメートレンズ601に直接レーザ光を照射したり、半導体レーザ600をコリメートレンズ601上に配置したりしても構わない。同様に、光検出器605を集光レンズ604上に配置してもよい。また、半導体レーザ600から照射されるレーザ光は、円偏光に変換されればよい。そのため、光学系はレーザ光を円偏光に変換する構成であれば、半導体レーザ600、コリメートレンズ601、偏光子602、波長板603、および光ファイバ606のいずれかを省略したり、順番を入れ替えたり、新たに別の部品を挿入したりしてもよい。
 当該ガスセルは、アルカリ金属源300が拡散して、レーザ光の透過が妨げられる事を防ぐ構造となっているため、アルカリ金属源300によるレーザ光の反射、散乱を抑える事ができる。これにより、ガスセル内で変調されたレーザ光を効率的に検出できるため、磁場検出感度を高める効果が得られる。
 図24は、実施例1-3記載のガスセルを用いたファラデー回転型光ポンピング磁力計の構成を示す模式的断面図である。本実施例では、一例として実施例2の図17(c-2)記載のガスセルを用いる。
 本実施例に係る光ポンピング磁力計は、本実施例1-3のいずれかを用いて製造したガスセルと、半導体レーザ600とコリメートレンズ601と偏光子602と波長板603と光検出器605からなる光学系と、静磁場印加用コイル607からなる磁気系で構成される。光学系には、図23と同様に光ファイバを挿入してもよい。
 図24の左右方向を通過するポンプ光と、上下方向を通過するプローブ光を発生させるため、半導体レーザ600、コリメートレンズ601、偏光子602、および波長板603は2組用いる。図24では、ポンプ光とプローブ光は、直行するように記載しているが、アルカリ金属ガスが充満している空洞200内で交差するように照射されていれば、必ずしも直交していなくてもよい。ただし、図20の上下方向、および左右方向にレーザ光を照射するため、レーザ光の波長帯に対して透明な材質で作製したガスセルを使用する。例えば、加工部材100、および加工部材101のいずれか、もしくは両方にガラスを用いる。また、静磁場印加用コイル607は、図24の手前から奥の方向、もしくは奥から手前の方向に静磁場を印加するように配置されるが、見易さのため、図24では省略している。
 ガスセルに照射されるポンプ光は、アルカリ金属の吸収線に対応する波長の円偏光である。当該ポンプ光は、半導体レーザ600から照射され、コリメートレンズ601で平行光に、偏光子602と波長板603で円偏光に変換され、空洞200内に充満しているアルカリ金属ガスのスピンの向きを揃えて、スピン偏極状態を形成する。
 プローブ光は、一般にアルカリ金属の吸収線とは異なる波長の直線偏光である。当該プローブ光は、半導体レーザ600から照射され、コリメートレンズ601で平行光に、偏光子602と波長板603で直線偏光に変換される。当該プローブ光は、スピン偏極したアルカリ金属ガスが充満しているガスセルに入射すると、ファラデー効果によって、偏光面が回転する。その回転角は、ガスセル内の当該プローブ光と垂直な向きの磁場強度に比例するため、当該回転角を光検出器605で検出することによって、磁場を計測する事ができる。
 半導体レーザ600から照射されるポンプ光、およびプローブ光が上述の偏光状態に変換される構成であれば、半導体レーザ600、コリメートレンズ601、偏光子602、および波長板603のいずれかを省略したり、順番を入れ替えたり、新たに別の部品を挿入したりしてもよい。
 当該ガスセルは、アルカリ金属源300が拡散して、レーザ光の透過が妨げられる事を防ぐ構造となっているため、当該アルカリ金属源300によるポンプ光、およびプローブ光の反射、散乱を抑える事ができる。これにより、ポンプ光によるアルカリ金属ガスのスピン偏極状態の形成、およびプローブ光の偏光面の回転角の検出をより効率的に行う事ができるため、磁場検出感度を高める効果が得られる。
100 加工部材
101 加工部材
102 封止部材
103 封止部材
104 マスク材料
105 マスク材料
110 加工層
200 空洞
201 空洞
300 アルカリ金属源
400 分離壁
500 光路長測定システム
501 光源
502 光検出器
600 半導体レーザ
601 コリメートレンズ
602 偏光子
603 波長板
604 集光レンズ
605 光検出器
606 光ファイバ
607 静磁場印加用コイル
608 RF磁場印加用コイル

Claims (15)

  1.  第1の封止部材と、
     第2の封止部材と、
     前記第1の封止部材および前記第2の封止部材によって封止される加工層と、を有し、
     前記加工層は、
     アルカリ金属ガスが封入される第1の空洞部と、
     前記第1の空洞部に対し第1分離壁を介して設けられる第2の空洞部とを有することを特徴とする磁場計測装置。
  2.  請求項1において、
     前記加工層は、第1加工部材と、第2加工部材が積層された構造からなり、
     前記第2の空洞部は、前記第1加工部材の内部に設けられ、前記第1の封止部材によって封止され、
     前記第1の空洞部は、前記第1加工部材の内部および前記第2加工部材の内部に設けられ、前記第1の封止部材および前記第2の封止部材によって封止されることを特徴とする磁場計測装置。
  3.  請求項1において、
     前記第1の空洞部および前記第2の空洞部は、前記第1の封止部材および前記第2の封止部材によって封止されることを特徴とする磁場計測装置。
  4.  請求項1において、
     前記加工層は、前記第1の空洞部に対し、第2分離壁を介して設けられる第3の空洞部をさらに有し、
     第2分離壁は、所定の圧力が印加された際の応力が、前記第1分離壁とは異なることを特徴とする磁場計測装置。
  5.  請求項1において、
     前記第2の空洞部は、真空封止されていることを特徴とする磁場計測装置。
  6.  請求項1において、
     前記第1の封止部材および前記第2の封止部材は、前記アルカリ金属の吸収波長帯の光を透過する材料からなることを特徴とする磁場計測装置。
  7.  請求項6において、
     前記アルカリ金属の吸収波長帯の光を透過する材料は、ガラスであることを特徴とする磁場計測装置。
  8.  請求項1において、
     前記加工層は、非磁性材料からなることを特徴とする磁場計測装置。
  9.  請求項1において、
     前記非磁性材料は、シリコンであることを特徴とする磁場計測装置。
  10.  第1の封止部材と、第2の封止部材と、前記第1の封止部材および前記第2の封止部材によって封止される加工層とを有し、前記加工層に、第1分離壁を介して設けられる第1の空洞部と第2の空洞部とを有する磁場計測装置の製造方法であって、
    (a)前記第1の空洞部に、アルカリ金属ガスを発生させる工程と、
    (b)前記工程(a)の後に、前記第1の空洞部の内部の圧力により前記第1分離壁に発生する応力を破壊限界応力よりも高くすることで、前記第1分離壁の一部を破壊する工程と、を有することを特徴とする磁場計測装置の製造方法。
  11.  請求項10において、
     前記工程(a)において、前記アルカリ金属ガスとともに、非磁性ガスまたは希ガスからなる第2のガスを発生させ、
     前記工程(b)において、前記第2のガスの圧力を上昇させることで、前記第1の空洞部の圧力により前記第1分離壁に発生する応力を破壊限界応力よりも高くすることを特徴とする磁場計測装置の製造方法。
  12.  第1の封止部材と、第2の封止部材と、前記第1の封止部材および前記第2の封止部材によって封止される加工層とを有し、前記加工層は、第1加工部材と第2加工部材が積層された構造からなり、前記第1加工部材の内部および前記第2加工部材の内部に第1の空洞部が設けられ、前記第1加工部材の内部に第1分離壁を介して第2の空洞部が設けられる磁場計測装置の製造方法であって、
    (a)前記第2の空洞部に、アルカリ金属ガスを発生する工程と、
    (b)前記工程(a)の後に、前記第1分離壁を破壊する工程とを有することを特徴とする磁場計測装置の製造方法。
  13.  請求項12において、
     前記工程(b)において、レーザ光で前記第1分離壁を破壊することを特徴とする磁場計測装置の製造方法。
  14.  請求項12において、
     前記工程(b)において、前記第1空洞部の内部の圧力により前記第1分離壁に発生する応力を破壊限界応力よりも高くすることで、前記第1分離壁を破壊することを特徴とする磁場計測装置の製造方法。
  15.  請求項12において、
     前記工程(a)において、前記アルカリ金属ガスとともに、非磁性ガスまたは希ガスからなる第2のガスを発生させることを特徴とする磁場計測装置の製造方法。
PCT/JP2011/006417 2011-11-18 2011-11-18 磁場計測装置およびその製造方法 WO2013072967A1 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013543989A JP5816697B2 (ja) 2011-11-18 2011-11-18 磁場計測装置およびその製造方法
US14/358,810 US9310447B2 (en) 2011-11-18 2011-11-18 Magnetic field measuring apparatus and method for manufacturing same
PCT/JP2011/006417 WO2013072967A1 (ja) 2011-11-18 2011-11-18 磁場計測装置およびその製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2011/006417 WO2013072967A1 (ja) 2011-11-18 2011-11-18 磁場計測装置およびその製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2013072967A1 true WO2013072967A1 (ja) 2013-05-23

Family

ID=48429084

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2011/006417 WO2013072967A1 (ja) 2011-11-18 2011-11-18 磁場計測装置およびその製造方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US9310447B2 (ja)
JP (1) JP5816697B2 (ja)
WO (1) WO2013072967A1 (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013125907A (ja) * 2011-12-15 2013-06-24 Ricoh Co Ltd 原子発振器の製造方法
WO2015019471A1 (ja) * 2013-08-08 2015-02-12 株式会社日立製作所 磁場計測装置
WO2015048574A1 (en) * 2013-09-27 2015-04-02 Trustees Of Princeton University Anodically bonded cells with optical elements
JP2022547323A (ja) * 2019-10-21 2022-11-11 クオンタム ヴァリー アイデアズ ラボラトリーズ 散乱断面積を減少させた蒸気セルおよびその製造方法

Families Citing this family (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9366735B2 (en) * 2012-04-06 2016-06-14 Hitachi, Ltd. Optical pumping magnetometer
WO2015015628A1 (ja) * 2013-08-02 2015-02-05 株式会社日立製作所 磁場計測装置
JP6484922B2 (ja) * 2014-03-20 2019-03-20 セイコーエプソン株式会社 原子セル、量子干渉装置、原子発振器および電子機器
JP6435617B2 (ja) * 2014-03-20 2018-12-12 セイコーエプソン株式会社 原子セル、量子干渉装置、原子発振器および電子機器
JP2016080613A (ja) * 2014-10-21 2016-05-16 セイコーエプソン株式会社 磁気計測装置、ガスセル、磁気計測装置の製造方法、およびガスセルの製造方法
WO2017018846A1 (ko) * 2015-07-30 2017-02-02 한국과학기술원 칩 스케일 원자시계를 위한 전기 광학 기능이 구비된 증기셀 및 칩 스케일 기기를 위한 밀폐용기 제작 방법
EP3244269B1 (en) * 2016-05-11 2021-12-15 CSEM Centre Suisse d'Electronique et de Microtechnique SA - Recherche et Développement Alkali vapor cell
JP2018004430A (ja) * 2016-07-01 2018-01-11 セイコーエプソン株式会社 ガスセルの製造方法、磁気計測装置の製造方法、およびガスセル
US10976386B2 (en) 2018-07-17 2021-04-13 Hi Llc Magnetic field measurement system and method of using variable dynamic range optical magnetometers
WO2020036666A1 (en) * 2018-08-17 2020-02-20 Hi Llc Optically pumped magnetometer
US11136647B2 (en) 2018-08-17 2021-10-05 Hi Llc Dispensing of alkali metals mediated by zero oxidation state gold surfaces
US10983177B2 (en) 2018-08-20 2021-04-20 Hi Llc Magnetic field shaping components for magnetic field measurement systems and methods for making and using
US10627460B2 (en) 2018-08-28 2020-04-21 Hi Llc Systems and methods including multi-mode operation of optically pumped magnetometer(s)
US11237225B2 (en) 2018-09-18 2022-02-01 Hi Llc Dynamic magnetic shielding and beamforming using ferrofluid for compact Magnetoencephalography (MEG)
US11370941B2 (en) 2018-10-19 2022-06-28 Hi Llc Methods and systems using molecular glue for covalent bonding of solid substrates
US11307268B2 (en) 2018-12-18 2022-04-19 Hi Llc Covalently-bound anti-relaxation surface coatings and application in magnetometers
US11294008B2 (en) 2019-01-25 2022-04-05 Hi Llc Magnetic field measurement system with amplitude-selective magnetic shield
WO2020167450A1 (en) 2019-02-12 2020-08-20 Hi Llc Neural feedback loop filters for enhanced dynamic range magnetoencephalography (meg) systems and methods
CA3130157A1 (en) 2019-03-29 2020-10-08 Hi Llc Integrated magnetometer arrays for magnetoencephalography (meg) detection systems and methods
US11269027B2 (en) 2019-04-23 2022-03-08 Hi Llc Compact optically pumped magnetometers with pump and probe configuration and systems and methods
US11293999B2 (en) 2019-05-03 2022-04-05 Hi Llc Compensation magnetic field generator for a magnetic field measurement system
US11839474B2 (en) 2019-05-31 2023-12-12 Hi Llc Magnetoencephalography (MEG) phantoms for simulating neural activity
US11131729B2 (en) 2019-06-21 2021-09-28 Hi Llc Systems and methods with angled input beams for an optically pumped magnetometer
US11415641B2 (en) 2019-07-12 2022-08-16 Hi Llc Detachable arrangement for on-scalp magnetoencephalography (MEG) calibration
WO2021026143A1 (en) 2019-08-06 2021-02-11 Hi Llc Systems and methods having an optical magnetometer array with beam splitters
WO2021045953A1 (en) 2019-09-03 2021-03-11 Hi Llc Methods and systems for fast field zeroing for magnetoencephalography (meg)
CN110568382B (zh) * 2019-09-09 2020-08-18 北京航空航天大学 基于serf的双抽运光束三轴原子矢量磁场测量装置
WO2021091867A1 (en) 2019-11-08 2021-05-14 Hi Llc Methods and systems for homogenous optically-pumped vapor cell array assembly from discrete vapor cells
US11801003B2 (en) 2020-02-12 2023-10-31 Hi Llc Estimating the magnetic field at distances from direct measurements to enable fine sensors to measure the magnetic field from the brain using a neural detection system
US11604236B2 (en) 2020-02-12 2023-03-14 Hi Llc Optimal methods to feedback control and estimate magnetic fields to enable a neural detection system to measure magnetic fields from the brain
US11872042B2 (en) 2020-02-12 2024-01-16 Hi Llc Self-calibration of flux gate offset and gain drift to improve measurement accuracy of magnetic fields from the brain using a wearable neural detection system
US20210263115A1 (en) * 2020-02-24 2021-08-26 Hi Llc Mitigation of an Effect of Capacitively Coupled Current While Driving a Sensor Component Over an Unshielded Twisted Pair Wire Configuration
US11779250B2 (en) 2020-05-28 2023-10-10 Hi Llc Systems and methods for recording biomagnetic fields of the human heart
WO2021242680A1 (en) 2020-05-28 2021-12-02 Hi Llc Systems and methods for recording neural activity
US11428756B2 (en) 2020-05-28 2022-08-30 Hi Llc Magnetic field measurement or recording systems with validation using optical tracking data
US11766217B2 (en) 2020-05-28 2023-09-26 Hi Llc Systems and methods for multimodal pose and motion tracking for magnetic field measurement or recording systems
US11604237B2 (en) 2021-01-08 2023-03-14 Hi Llc Devices, systems, and methods with optical pumping magnetometers for three-axis magnetic field sensing
US11803018B2 (en) 2021-01-12 2023-10-31 Hi Llc Devices, systems, and methods with a piezoelectric-driven light intensity modulator
US11841404B1 (en) * 2021-08-09 2023-12-12 National Technology & Engineering Solutions Of Sandia, Llc Vector measurements using a pulsed, optically pumped atomic magnetometer
EP4231032A1 (en) * 2022-02-16 2023-08-23 Fundació Institut de Ciències Fotòniques An atomic vapor cell, an integrated atomic/photonic device and apparatus comprising the atomic vapor cell, and a method for fabricating an atomic vapor cell

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04242040A (ja) * 1991-01-14 1992-08-28 Hamamatsu Photonics Kk アルカリ源
US20060132130A1 (en) * 2004-12-20 2006-06-22 Abbink Henry C Micro-cell for NMR gyroscope
JP2009232335A (ja) * 2008-03-25 2009-10-08 Epson Toyocom Corp 光学系及び原子発振器
JP2011232277A (ja) * 2010-04-30 2011-11-17 Seiko Epson Corp 磁気計測装置

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0945304A (ja) * 1995-08-01 1997-02-14 Tdk Corp 密閉電池の安全装置
US6570459B1 (en) * 2001-10-29 2003-05-27 Northrop Grumman Corporation Physics package apparatus for an atomic clock
US7292111B2 (en) * 2004-04-26 2007-11-06 Northrop Grumman Corporation Middle layer of die structure that comprises a cavity that holds an alkali metal
JP5005256B2 (ja) * 2005-11-28 2012-08-22 株式会社日立ハイテクノロジーズ 磁場計測システム及び光ポンピング磁束計
US20070167723A1 (en) * 2005-12-29 2007-07-19 Intel Corporation Optical magnetometer array and method for making and using the same
US7359059B2 (en) * 2006-05-18 2008-04-15 Honeywell International Inc. Chip scale atomic gyroscope
US7521928B2 (en) * 2006-11-07 2009-04-21 Trustees Of Princeton University Subfemtotesla radio-frequency atomic magnetometer for nuclear quadrupole resonance detection
JP4817317B2 (ja) * 2006-11-24 2011-11-16 独立行政法人産業技術総合研究所 核スピン偏極希ガスの製造装置と核磁気共鳴分光装置並びに核磁気共鳴イメージング装置
US7872473B2 (en) * 2007-08-07 2011-01-18 The United States of America as represented by the Secretary of Commerce, the National Institute of Standards and Technology Compact atomic magnetometer and gyroscope based on a diverging laser beam
US8587304B2 (en) * 2007-09-05 2013-11-19 The Regents Of The University Of California Optical atomic magnetometer
US7893780B2 (en) * 2008-06-17 2011-02-22 Northrop Grumman Guidance And Electronic Company, Inc. Reversible alkali beam cell
US7936169B2 (en) * 2008-07-14 2011-05-03 Northrop Grumman Guidance And Electronics Company, Inc. Polarization analyzer orientation with nuclear magnetic resonance gyroscope
US7826065B1 (en) * 2008-07-15 2010-11-02 Sandia Corporation Tuned optical cavity magnetometer
US8305078B2 (en) * 2008-10-09 2012-11-06 Los Alamos National Security, Llc Method of performing MRI with an atomic magnetometer
US20100225313A1 (en) * 2009-03-03 2010-09-09 Baker Hughes Incorporated Atomic magnetometers for use in the oil service industry
US8319973B2 (en) * 2009-04-08 2012-11-27 Honeywell International Inc. VCSEL enabled active resonator gyroscope
US8334690B2 (en) * 2009-08-07 2012-12-18 The United States of America as represented by the Secretary of Commerce, the National Institute of Standards and Technology Atomic magnetometer and method of sensing magnetic fields
JP2011089868A (ja) * 2009-10-22 2011-05-06 Seiko Epson Corp ファイバーセル、磁気センサー、及び磁界測定装置
JP5446731B2 (ja) * 2009-10-29 2014-03-19 セイコーエプソン株式会社 磁場測定装置
US8212556B1 (en) * 2010-01-12 2012-07-03 Sandia Corporation Atomic magnetometer
JP5499417B2 (ja) * 2010-02-22 2014-05-21 国立大学法人大阪大学 アルカリ金属導入装置、及びアルカリ金属導入方法
JP5821439B2 (ja) * 2011-02-16 2015-11-24 セイコーエプソン株式会社 ガスセルの製造方法
JP5444502B2 (ja) * 2011-03-14 2014-03-19 株式会社日立製作所 磁場計測装置
JP5699725B2 (ja) * 2011-03-23 2015-04-15 セイコーエプソン株式会社 ガスセル製造装置およびガスセルの製造方法
JP5994408B2 (ja) * 2011-08-29 2016-09-21 セイコーエプソン株式会社 パッケージの封止方法およびガスセルの製造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04242040A (ja) * 1991-01-14 1992-08-28 Hamamatsu Photonics Kk アルカリ源
US20060132130A1 (en) * 2004-12-20 2006-06-22 Abbink Henry C Micro-cell for NMR gyroscope
JP2009232335A (ja) * 2008-03-25 2009-10-08 Epson Toyocom Corp 光学系及び原子発振器
JP2011232277A (ja) * 2010-04-30 2011-11-17 Seiko Epson Corp 磁気計測装置

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013125907A (ja) * 2011-12-15 2013-06-24 Ricoh Co Ltd 原子発振器の製造方法
WO2015019471A1 (ja) * 2013-08-08 2015-02-12 株式会社日立製作所 磁場計測装置
JPWO2015019471A1 (ja) * 2013-08-08 2017-03-02 株式会社日立製作所 磁場計測装置
WO2015048574A1 (en) * 2013-09-27 2015-04-02 Trustees Of Princeton University Anodically bonded cells with optical elements
US10345548B2 (en) 2013-09-27 2019-07-09 The Trustees Of Princeton University Anodically bonded cells with optical elements
JP2022547323A (ja) * 2019-10-21 2022-11-11 クオンタム ヴァリー アイデアズ ラボラトリーズ 散乱断面積を減少させた蒸気セルおよびその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP5816697B2 (ja) 2015-11-18
JPWO2013072967A1 (ja) 2015-04-02
US20140306700A1 (en) 2014-10-16
US9310447B2 (en) 2016-04-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5816697B2 (ja) 磁場計測装置およびその製造方法
JP5712066B2 (ja) 磁場計測装置、磁場計測装置製造方法
Harb et al. Excitation of longitudinal and transverse coherent acoustic phonons in nanometer free-standing films of (001) Si
US20150378316A1 (en) Microfabricated atomic clocks (mfac) & magnetometers (mfam): high sensitivity vapor cell structure with internal condensation site
US20150372686A1 (en) Microfabricated atomic clocks (mfac) & magnetometers (mfam):self-condensing silicon vapor cell cavity structure
US20160169989A1 (en) Magnetic field measuring apparatus
KR20150036314A (ko) 광음향 계측 장치
JP2011056519A (ja) 接合方法および接合体の製造方法
US10393825B2 (en) Manufacturing method for gas cell, manufacturing method for magnetic field measurement apparatus, and gas cell
CN109521376B (zh) 基于微型原子气室的原子磁力仪
US20070158554A1 (en) Probe for probe microscope using transparent substrate, method of producing the same, and probe microscope device
US20120314212A1 (en) Inspection device for bonded wafer using laser
US20160001942A1 (en) Lid, gas cell, sealing method for gas cell, manufacturing method for lid, and lid array substrate
WO2016016977A1 (ja) ガスセルおよびその製造方法並びに物理量計測装置
JP6464593B2 (ja) ガスセルの製造方法
Van Veggel et al. Strength testing and SEM imaging of hydroxide-catalysis bonds between silicon
US9121696B2 (en) Device and method for measuring via hole of silicon wafer
JPWO2014046171A1 (ja) テラヘルツ波検出素子とその作製方法、接合体、および観察装置
US9454135B2 (en) Manufactureable long cell with enhanced sensitivity and good mechanical strength
JP5488351B2 (ja) 表面プラズモン励起増強蛍光測定装置およびこれに用いられるセンサ構造体
JP5321815B2 (ja) 非破壊単結晶基板反り測定法及び測定装置
JP2010087377A (ja) 接合評価ゲージ
JP4975629B2 (ja) 結合エネルギーを測定する方法及び装置
WO2023079767A1 (ja) ガスセル及びその製造方法
WO2012169236A1 (ja) 蛍光センサおよび蛍光センサの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 11875874

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2013543989

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 14358810

Country of ref document: US

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 11875874

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1