WO2013022227A2 - 전류 확산 효과가 우수한 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조 방법 - Google Patents

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최원진
박정원
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Definitions

  • the present invention relates to a nitride semiconductor light emitting device and a method of manufacturing the same, and more particularly to a nitride semiconductor light emitting device having an excellent current spreading effect using a current spreading part containing an impurity for current spreading, and a method of manufacturing the same.
  • Conventional nitride semiconductor devices include, for example, GaN-based nitride semiconductor devices, which include high-speed switching and high-output devices such as blue or green LED light emitting devices, MESFETs and HEMTs, etc. It is applied to the back.
  • GaN-based nitride semiconductor devices which include high-speed switching and high-output devices such as blue or green LED light emitting devices, MESFETs and HEMTs, etc. It is applied to the back.
  • the conventional GaN-based nitride semiconductor light emitting device may be, for example, a nitride semiconductor light emitting device 10 having an active layer 15 having a multi-quantum well structure as shown in FIG. 1.
  • the conventional nitride semiconductor light emitting device 10 includes a sapphire substrate 11, an n-type nitride layer 12, an active layer 15, and a p-type nitride layer 17. Meanwhile, the transparent electrode layer 18 and the p-side electrode 19b are sequentially formed on the upper surface of the p-type nitride layer 17, and the n-side electrode 19a is exposed on the exposed surface of the n-type nitride semiconductor layer 12. This is formed in turn.
  • the conventional GaN-based nitride semiconductor light emitting device injects electrons and holes into the active layer 15 and emits light by the combination of the electrons and holes, in order to improve the luminous efficiency of the active layer 13, Korean Patent Publication No. 2010 As described in -0027410 (2010.03.11), the inflow rate of electrons or holes into the active layer 13 is increased by increasing the content of the n-type dopant of the n-type nitride layer 12 or the p-type dopant of the p-type nitride layer 17. A way to raise is being implemented.
  • the conventional nitride semiconductor device having such a high content of the n-type dopant of the n-type nitride layer 12 or the p-type dopant of the p-type nitride layer 17 has a low luminous efficiency due to uneven current spreading. It is greatly reduced.
  • n-type nitride layer 12 electrons are excessively introduced into a portion of the active layer 15, and holes generated in the p-type nitride layer 17 do not flow smoothly into the active layer 15, so that the active layer ( Some areas of 15 have a high current density while other areas of the active layer 15 have a low current density.
  • the necessity of improving the luminous efficiency by increasing the current uniformity over the active layer 15 is increasing.
  • One object of the present invention is to provide a nitride semiconductor light emitting device having improved luminous efficiency by improving current spreading by using a current spreading portion containing a current spreading impurity.
  • Another object of the present invention is to provide a method for easily manufacturing the nitride semiconductor light emitting device.
  • a nitride semiconductor light emitting device includes: an n-type nitride layer; A current diffusion part formed of a nitride including an impurity for current diffusion on the n-type nitride layer; An active layer formed on the current spreading portion; And a p-type nitride layer formed on the active layer, wherein the current diffusion impurity comprises carbon (C).
  • a nitride semiconductor light emitting device includes: an n-type nitride layer; A current diffusion part formed of a nitride including an impurity for current diffusion on the n-type nitride layer; An active layer formed on the current spreading portion; And a p-type nitride layer formed on the active layer, wherein the impurity for current diffusion includes carbon (C), and the current diffusion portion has a free hole concentration of 1 ⁇ 10 13 to 5 ⁇ 10 16.
  • Nitride layer of / cm 3 characterized in that the layer for inducing holes flowing into the active layer.
  • a nitride semiconductor light emitting device for achieving the above object is an n-type nitride layer; A current diffusion part formed on the n-type nitride layer; An active layer formed on the current spreading portion; And a p-type nitride layer formed on the active layer, wherein the current diffusion portion is a nitride layer containing carbon having a concentration higher than that of the other layers.
  • a nitride semiconductor light emitting device for achieving the above object is an n-type nitride layer; A current diffusion unit formed on the n-type nitride layer by containing a current diffusion impurity and a silicon (Si) dopant; An active layer formed on the current spreading portion; And a p-type nitride layer formed on the active layer, wherein the impurity for current diffusion includes carbon (C), and the current diffusion portion has a concentration of the carbon (C) higher than that of the silicon (Si). And a layer having a concentration of silicon (Si) higher than that of carbon (C) is formed in a multilayer structure in which layers are alternately stacked.
  • a nitride semiconductor light emitting device manufacturing method including: forming an n-type nitride layer on a substrate; Forming a current diffusion part on the n-type nitride layer; Forming an active layer on the current spreading part; And forming a p-type nitride layer on the active layer, wherein the current diffusion part is formed of a nitride including an impurity for current diffusion, and the impurity for current diffusion comprises carbon (C).
  • a nitride semiconductor light emitting device manufacturing method including: forming an n-type nitride layer on a substrate; Forming a current spreading part having a multilayer structure containing a current spreading impurity and a silicon (Si) dopant on the n-type nitride layer; Forming an active layer on the current spreading part; And forming a p-type nitride layer on the active layer, wherein the impurity for current diffusion includes carbon (C), and the concentration of carbon (C) is higher than that of silicon (Si); Alternately, the current diffusion may be formed by alternately stacking a layer having a concentration of silicon (Si) higher than that of the carbon (C).
  • the nitride semiconductor light emitting device of the present invention forms a current diffusion portion containing an impurity for current diffusion, whereby electrons and holes are diffused smoothly into the active layer, and the light emission area is increased by current diffusion, thereby improving luminous efficiency. Can be.
  • the current spreading part is easily formed while adjusting the concentration of the current diffusion impurity and the silicon (Si) dopant concentration, so that the light emitting area is increased by the current diffusion and the light emission efficiency is improved. There is an effect that can obtain a semiconductor light emitting device.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view showing a conventional nitride semiconductor light emitting device.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view of a horizontal nitride semiconductor light emitting device according to a first embodiment of the present invention.
  • 3 to 7 are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a horizontal nitride semiconductor light emitting device according to a first embodiment of the present invention.
  • FIG. 8 is a cross-sectional view of a vertical nitride semiconductor light emitting device according to a second embodiment of the present invention.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view of a horizontal nitride semiconductor light emitting device according to a third embodiment of the present invention.
  • FIGS. 10 to 13 are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a horizontal nitride semiconductor light emitting device according to a third embodiment of the present invention.
  • FIG. 14 is a graph for explaining a concentration distribution of a current spreading unit according to a third embodiment of the present invention.
  • FIG. 15 is a cross-sectional view of a vertical nitride semiconductor light emitting device according to a fourth embodiment of the present invention.
  • the nitride semiconductor light emitting device 100 has a buffer layer 120, an n-type nitride layer 130, and a current diffusion unit in an upper direction of the substrate 110. 140, an active layer 150, a p-type nitride layer 160, a transparent electrode layer 170, a p-side electrode 181 and an n-side electrode 182.
  • the buffer layer 120 may be selectively formed to solve the lattice mismatch between the substrate 110 and the n-type nitride layer 130, and may be formed of, for example, AlN or GaN.
  • the n-type nitride layer 130 is formed on the upper surface of the substrate 110 or the buffer layer 120.
  • the n-type nitride layer 130 may have a stacked structure in which a first layer made of n-type AlGaN doped with Si and a second layer made of undoped GaN are alternately formed.
  • the n-type nitride layer 130 may be grown as a single n-type nitride layer, but may be formed as a laminated structure of the first layer and the second layer to act as a carrier limiting layer having good crystallinity without cracks. .
  • the current diffusion unit 140 is a layer formed between the n-type nitride layer 130 and the active layer 150 and contains impurities for current diffusion so that electrons or holes flowing into the active layer 150 do not concentrate in a specific region. It can be formed of one nitride layer.
  • the current diffusion impurity of the current diffusion unit 140 includes carbon (C) acting as an insulator for current diffusion, and may be carbon alone or germanium (Ge), tin (Sn), lead (Pb), or the like. One or more of Group 14 elements of may be included with carbon.
  • the impurity for current diffusion may be doped alone.
  • the impurity for current diffusion may be doped with a silicon (Si) dopant.
  • the silicon (Si) dopant may be delta doped having a form in which the concentration of the silicon dopant is periodically changed.
  • the current diffusion unit 140 is formed of a carbon nitride layer such as GaN: C containing, for example, carbon (C) as an impurity for current diffusion
  • the concentration of carbon (C) is 1 ⁇ 10 16. ⁇ 1 ⁇ 10 18 atoms / cm 3
  • the total thickness of the current spreading unit 140 may be formed in a thickness of 500 to 5000 Pa in inverse proportion to the concentration of carbon (C).
  • the current diffusion unit 140 may have a concentration of carbon (C) higher than the concentration of carbon (C) contained in the p-type nitride layer 160 and the active layer 150 in addition to the above range.
  • the thickness of the current spreading unit 140 is inversely proportional to the concentration of the carbon C. As the concentration of the carbon C increases, the thickness of the current spreading unit 140 may be reduced.
  • the current diffusion unit 140 may not perform the function of current diffusion if it has a thickness of less than 500 kHz out of the above range based on the concentration of carbon (C).
  • the thickness of the current diffusion unit 140 exceeds 5000 kPa based on the concentration of the carbon (C)
  • a problem occurs in that the applied voltage must be increased to 0.4 V or more by acting as a high resistance layer.
  • the p --- layer corresponds to a lightly p-type layer and is a nitride layer with a free hole concentration of approximately 1 ⁇ 10 13 to 5 ⁇ 10 16 / cm 3 . Can be.
  • the active layer 150 may be formed in a single quantum well structure or a multi-quantum well structure between the current diffusion unit 140 and the p-type nitride layer 160.
  • the active layer 150 is a multi-quantum well structure
  • the quantum barrier layer is a nitride layer containing Al, AlGaInN layer
  • the quantum well layer may be made of, for example, InGaN.
  • the active layer 150 having a structure in which the quantum barrier layer and the quantum well layer are repeatedly formed may suppress spontaneous polarization due to stress and deformation.
  • the p-type nitride layer 160 may be formed, for example, by alternately stacking a first layer of p-type AlGaN doped with Mg and a second layer of p-type GaN doped with Mg.
  • the p-type nitride layer 160 may be grown as a single-layer p-type nitride layer similarly to the n-type nitride layer 130, but may be formed as a laminated structure to act as a carrier limiting layer having good crystallinity without cracking. have.
  • the transparent electrode layer 170 is a layer provided on the upper surface of the p-type nitride layer 160.
  • the transparent electrode layer 170 is made of a transparent conductive oxide, the material includes an element such as In, Sn, Al, Zn, Ga, and the like, for example, ITO, CIO, ZnO, NiO, In 2 O 3, etc. Can be.
  • the nitride semiconductor light emitting device 100 forms a current diffusion unit 140 between the n-type nitride layer 130 and the active layer 150, and the n-type nitride layer 130 and
  • the interface resistance value between the current diffusion parts 140 is lower than the resistance value along the vertical direction from the n-type nitride layer 130 to the current diffusion parts 140.
  • the electrons flowing from the n-type nitride layer 130 due to the characteristic that the electrons flow toward the lower resistance, the active layer while (current spreading) spread along the interface between the n-type nitride layer 130 and the current diffusion portion 140 Flows into 150.
  • the nitride semiconductor light emitting device 100 Accordingly, in the nitride semiconductor light emitting device 100 according to the exemplary embodiment of the present invention, electrons and holes diffuse and smoothly flow into the active layer 140 by the current diffusion unit 140 made of a nitride layer containing carbon (C). As a result, the light emitting area is increased by the current diffusion, thereby improving the light emitting efficiency.
  • the current diffusion unit 140 made of a nitride layer containing carbon (C).
  • a buffer layer 120 and an n-type nitride layer 130 are formed on an upper surface of the substrate 110. Grow sequentially.
  • the buffer layer 120 may be selectively formed on the upper surface of the substrate 110 to eliminate the lattice mismatch between the substrate 110 and the n-type nitride layer 130.
  • the buffer layer 120 may be formed using, for example, AlN or GaN.
  • the n-type nitride layer 130 may be formed of an n-GaN layer.
  • the n-type nitride layer 130 may be formed by supplying a silane gas containing an n-type dopant such as NH 3 , trimetalgallium (TMG), and Si to convert the n-GaN layer into an n-type nitride layer. You can grow.
  • a current diffusion unit 140 made of nitride containing an impurity for current diffusion is formed on the upper surface of the n-type nitride layer 130.
  • the current diffusion unit 140 may be formed of a nitride including carbon as an impurity for current diffusion, and may include atomic layer epitaxy (ALE), atmospheric pressure chemical vapor deposition (APCVD), and plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD). And vapor phase epitaxy growth methods such as rapid thermal chemical vapor deposition (RTCVD), ultrahigh vacuum chemical vapor deposition (UHVCVD), low pressure chemical vapor deposition (LPCVD), and metal organic chemical vapor deposition (MOCVD). .
  • ALE atomic layer epitaxy
  • APCVD atmospheric pressure chemical vapor deposition
  • PECVD plasma enhanced chemical vapor deposition
  • vapor phase epitaxy growth methods such as rapid thermal chemical vapor deposition (RTCVD), ultrahigh vacuum chemical vapor deposition (UHVCVD), low pressure chemical vapor deposition (LPCVD), and metal organic chemical vapor deposition (MOCVD).
  • the current diffusion unit 140 is preferably formed of a nitride layer containing carbon (C) as an impurity for current diffusion, and the NH 3 , trimetalgallium (TMG), and DMHY (dimethylhydrazine) It can be used to form a nitride layer containing carbon such as GaN: C.
  • the current diffusion impurities may be doped alone or together with the silicon (Si) dopant.
  • the silicon (Si) dopant may be doped in the form of delta doping.
  • the concentration of carbon (C) is 1 ⁇ 10 16 to 1 ⁇ 10 18 atoms / cm 3
  • the total thickness of the current diffusion portion 140 is Inversely proportional to the concentration of carbon (C) it may be preferably formed in a thickness range of 500 ⁇ 5000 ⁇ .
  • the current diffusion unit 140 may have a concentration of carbon (C) higher than the concentration of carbon contained in the n-type nitride layer 130 and the active layer 150 in addition to the above range.
  • the active layer 150, the p-type nitride layer 160, and the transparent electrode layer 170 may be sequentially formed on the upper surface of the current spreading unit 140. Can be.
  • the active layer 150 may be provided in a single quantum well structure or a multi quantum well structure in which a plurality of quantum well layers and a quantum barrier layer are alternately stacked.
  • the active layer 150 is made of a multi-quantum well structure
  • the quantum barrier layer may be a quaternary nitride layer of AlGaInN containing Al, for example, the quantum well layer may be made of, for example, InGaN.
  • the p-type nitride layer 160 may be formed, for example, by alternately stacking a first layer of p-type AlGaN doped with Mg and a second layer of p-type GaN doped with Mg.
  • the p-type nitride layer 160 can be grown into a single p-type nitride layer similarly to the n-type nitride layer 130.
  • the transparent electrode layer 170 is made of a transparent conductive oxide, and its material includes elements such as In, Sn, Al, Zn, Ga, and the like, and is formed of any one of, for example, ITO, CIO, ZnO, NiO, and In 2 O 3 . Can be.
  • lithography etching is performed from the transparent electrode layer 170 to one region of the n-type nitride layer 130, thereby forming the n-type nitride layer 130. One area may be exposed.
  • the p-side electrode 181 is formed on the upper surface of the transparent electrode layer 170, and the n-side electrode 182 is exposed. It is formed in one region of the type nitride layer 130.
  • the current diffusion unit 140 having the required impurity concentration for current diffusion using a vapor phase epitaxy growth method is formed to a required thickness. can do.
  • the method of manufacturing the nitride semiconductor light emitting device 100 according to the first embodiment of the present invention can easily form the current diffusion unit 140 having the concentration of the current diffusion impurities and the required thickness.
  • FIG. 8 is a cross-sectional view of a vertical nitride semiconductor light emitting device according to a second exemplary embodiment of the present invention.
  • the detailed description thereof will be omitted.
  • the vertical nitride light emitting device includes a reflective layer 272, an ohmic contact layer 271, and a p-type nitride in the direction of the upper surface of the p-side electrode support layer 280.
  • the layer 260, the active layer 250, the current diffusion unit 240, the n-type nitride layer 230, and the n-side electrode 290 are included.
  • the p-side electrode support layer 280 serves as a p-side electrode as a conductive support member and must sufficiently dissipate heat generated during operation of the light emitting device.
  • the p-side electrode support layer 280 has mechanical strength and must support the layers in the top direction during the manufacturing process including the scribing process or the breaking process.
  • the p-side electrode support layer 280 may be formed of a metal having good thermal conductivity such as gold (Au), copper (Cu), silver (Ag), and aluminum (Al).
  • the p-side electrode support layer 280 may be formed of an alloy material having mechanical strength while minimizing the generation of internal stress during alloying because the crystal structure and the crystal lattice constant are similar to those metals.
  • the alloy containing light metals such as nickel (Ni), cobalt (Co), platinum (Pt), and palladium (Pd).
  • the reflective layer 272 may be selectively formed on the upper surface of the p-side electrode support layer 280, and may be formed of a metal material having a high reflectance that reflects light emitted from the active layer 250 in an upward direction.
  • the ohmic contact layer 271 is formed of a metal made of nickel (Ni) or gold (Au), or a nitride containing such a metal, on the upper surface of the reflective layer 272, thereby providing an ohmic contact having a low resistance. ).
  • the ohmic contact layer 271 may perform a reflection function, so it is necessary to form the reflection layer 272. none.
  • the current diffusion unit 240 is a nitride layer containing impurities for current diffusion in the lower surface direction of the n-type nitride layer 230 and contains carbon and silicon dopants.
  • the impurity for current diffusion including carbon may be contained in the concentration range of 1 ⁇ 10 16 ⁇ 1 ⁇ 10 18 atoms / cm 3 .
  • the current spreading unit 240 may improve the current distribution along the interface between the n-type nitride layer 230 and the current spreading unit 240, that is, the current distribution in the horizontal direction. Can be.
  • the vertical nitride semiconductor light emitting device When the current distribution in the horizontal direction is improved, the vertical nitride semiconductor light emitting device has a uniform current density flowing into the active layer 250, thereby increasing the light emitting area, thereby improving luminous efficiency.
  • Such a vertical nitride semiconductor light emitting device may be formed by a general method of manufacturing a vertical nitride semiconductor light emitting device. At this time, it can be formed in the same gas phase epitaxy growth facility (not shown) using a gas phase epitaxy growth method using a gas mixture containing a gas containing carbon (C) and a gas containing silicon (Si).
  • the current diffusion unit 240 of the vertical nitride light emitting device may be formed in the same manner as the formation of the current diffusion unit 140 according to the first embodiment of the present invention.
  • a vertical nitride light emitting device can be provided.
  • the nitride semiconductor light emitting device 300 has a buffer layer 320, an n-type nitride layer 330, and a stack current in an upper direction of the substrate 310.
  • the diffusion part 340, the active layer 350, the p-type nitride layer 360, the transparent electrode layer 370, the p-side X electrode 382 and the n-side electrode 381 are included.
  • the buffer layer 320 may be selectively formed to solve the lattice mismatch between the substrate 310 and the n-type nitride layer 330, and may be formed of, for example, AlN or GaN.
  • the n-type nitride layer 330 is formed on the upper surface of the substrate 310 or the buffer layer 320.
  • the n-type nitride layer 330 may have a stacked structure in which a first layer made of n-type AlGaN doped with Si and a second layer made of undoped GaN are alternately formed.
  • the n-type nitride layer 130 may be grown as a single n-type nitride layer, but may be formed as a laminated structure of the first layer and the second layer to act as a carrier limiting layer having good crystallinity without cracks. .
  • the current spreading unit 340 is a stacked structure formed between the n-type nitride layer 330 and the active layer 350. Current spreading in which electrons or holes introduced into the active layer 350 are diffused without being concentrated in a specific region. ) Function can be performed.
  • the current diffusion unit 340 is a stacked structure containing impurities for current diffusion in the upper surface direction of the n-type nitride layer 330. As shown in FIG. 9, the current diffusion unit 340 includes a first diffusion layer 341 formed of a nitride layer having a higher concentration of carbon (C) than a concentration of silicon (Si), and a concentration of carbon (Si).
  • the second diffusion layer 342 which is higher than the concentration of (C) is, for example, a laminated structure repeated three times.
  • the stack structure of the current spreading unit 340 may include a stack structure in which the first diffusion layer 341 and the second diffusion layer 342 are repeated once, or a plurality of the first diffusion layer 341 and the second diffusion layer 342 are repeated. It may be formed in a laminated structure.
  • the carbon (C) content of the current diffusion portion 340 is 1 ⁇ 10 16 to 1 ⁇ 10 18 atoms / cm 3 , and the total thickness of the current diffusion portion 340 is, for example, a thickness of 500 to 5000 kPa. It can be formed as.
  • the first diffusion layer 341 and the second diffusion layer 342 of the current diffusion unit 340 has a concentration below the concentration range or less than the thickness range based on the concentration of carbon (C) and the total thickness range. Can not perform the function of current spreading.
  • the carbon (C) concentrations of the first diffusion layer 341 and the second diffusion layer 342 exceed the concentration range or the thickness range, the high resistance layer acts as a high resistance layer to increase the applied voltage to 3.4 V or more. Occurs.
  • the stacked structure of the first diffusion layer 341 and the second diffusion layer 342 alternately differs in the concentration of carbon (C) and the concentration of the silicon (Si) dopant, that is, the concentration of carbon (C)
  • the first diffusion layer 341 and the second diffusion layer 342 having a silicon (Si) concentration higher than that of the carbon (C) are alternately stacked.
  • a resistance value in the upper direction from the current diffusion unit 340 to the active layer 350 increases proportionally with the number of the first diffusion layers 341 having a high carbon (C) concentration.
  • the interface resistance value between the first diffusion layer 341 and the second diffusion layer 342 is lower than the resistance value in the upper vertical direction from the current diffusion unit 140 to the active layer 150.
  • the electrons flowing from the n-type nitride layer 330 due to the characteristic that the electrons flow toward the low resistance, while the current spreading along the interface between the first diffusion layer 341 and the second diffusion layer 342 (active layer) 350).
  • the efficiency in which electrons are diffused along the interface between the first diffusion layer 341 and the second diffusion layer 342, that is, the current diffusion efficiency in the horizontal direction is improved.
  • the current spreading efficiency of the horizontal direction is improved, electrons may be uniformly introduced into the active layer 350.
  • the light emitting area is widened, so that light emission efficiency may be improved.
  • the operating voltage of the nitride semiconductor light emitting device 300 may be reduced from 3.4V to 3.1V.
  • the current diffusion unit 340 may prevent excessive electrons from flowing into a portion of the electrons flowing into the active layer 350 and may act as a layer that induces more holes from the side of the hole to the active layer 350. have.
  • the active layer 350 may be formed on the upper surface of the current spreading unit 340 in a single quantum well structure or a multi-quantum well structure.
  • the active layer 350 is a multi-quantum well structure
  • the quantum barrier layer 350a is a nitride layer containing Al, AlGaInN layer
  • quantum well layer 350b may be made of, for example, InGaN.
  • the active layer 350 having a structure in which the quantum barrier layer 350a and the quantum well layer 350b are repeatedly formed may suppress spontaneous polarization due to stress and deformation.
  • the p-type nitride layer 360 may be formed by alternately stacking a first layer of p-type AlGaN doped with Mg and a second layer of p-type GaN doped with Mg, for example.
  • the p-type nitride layer 360 may be grown as a single-layer p-type nitride layer similarly to the n-type nitride layer 330, but may be formed as a laminated structure to act as a carrier limiting layer having good crystallinity without cracking. have.
  • the transparent electrode layer 370 is a layer provided on the upper surface of the p-type nitride layer 360.
  • the transparent electrode layer 370 is made of a transparent conductive compound, and the material may include elements such as In, Sn, Al, Zn, Ga, and the like.
  • the transparent electrode layer 370 may be formed of any one of, for example, ITO, CIO, ZnO, NiO, and In 2 O 3 .
  • the nitride semiconductor light emitting device 300 forms a current spreading unit 340 between the n-type nitride layer 330 and the active layer 350, and the current flowing in the active layer 350. It can perform the function of spreading without being concentrated in a specific area.
  • the nitride semiconductor light emitting device 300 is formed of a first diffusion layer 341 having a high carbon (C) concentration and a second diffusion layer 342 having a high silicon (Si) dopant concentration. Electrons and holes diffuse and flow smoothly into the active layer 350 by the current diffusion unit 340 having the structure. As a result of the current diffusion, the light emitting area of the nitride semiconductor light emitting device 300 may be increased, thereby improving light emission efficiency.
  • C carbon
  • Si silicon
  • a buffer layer 320 and an n-type nitride layer 330 are formed on an upper surface of the substrate 310. Grow sequentially.
  • the buffer layer 320 may be selectively formed on the top surface of the substrate 310 to eliminate the lattice mismatch between the substrate 310 and the n-type nitride layer 330.
  • the buffer layer 320 may be formed using, for example, AlN or GaN.
  • the n-type nitride layer 330 may be formed of an n-GaN layer.
  • the n-type nitride layer 330 may be formed by supplying a silane gas including an n-type dopant such as NH 3 , trimetalgallium (TMG), and silicon (Si) to form an n-GaN layer. It can grow into a nitride layer.
  • the current diffusion unit 340 contains a current diffusion impurity containing carbon, the first diffusion layer 341 formed of a nitride layer having a carbon concentration higher than that of a silicon (Si) dopant, and a carbon concentration of silicon (A plurality of second diffusion layers 342 formed of a nitride layer having a concentration lower than that of Si) dopant may be alternately formed to have a total thickness of 500 to 5000 Pa.
  • the first diffusion layer 341 and the second diffusion layer 342 are the same vapor phase epitaxy growth facilities using a gas phase epitaxy growth method such as ALE, APCVD, PECVD, RTCVD, UHVCVD, LPCVD, and MOCVD (not shown). ) May be formed in-situ.
  • a gas phase epitaxy growth method such as ALE, APCVD, PECVD, RTCVD, UHVCVD, LPCVD, and MOCVD (not shown).
  • FIG. 14 is a graph for explaining a concentration distribution of a current spreading unit according to a third embodiment of the present invention.
  • the first diffusion layer 341 and the second diffusion layer 342 are impurity for current diffusion, and each layer is formed of a nitride layer containing carbon (C) and silicon dopant.
  • the first diffusion layer 341 and the second diffusion layer 342 include NH3, trimetalgallium (TMG), and dimethylhydrazine (DMHY), and a mixture of a gas containing carbon (C) and a gas containing silicon (Si). It can be formed by a MOCVD method using a gas.
  • the first diffusion layer 341 and the second diffusion layer 342 may be formed in-situ.
  • the silicon dopant in the current diffusion unit may have a form in which the concentration is periodically changed, that is, the delta doping form.
  • the first diffusion layer 341 having a high concentration of carbon (C) is first formed by increasing the carbon (C) content.
  • the silicon (Si) content of the mixed gas is increased to form a second diffusion layer 342 having a higher concentration of silicon (Si) than the carbon (C) concentration in situ. can do.
  • the first diffusion layer 341 contains carbon (C) in a concentration range of 1 ⁇ 10 16 to 1 ⁇ 10 18 atoms / cm 3 , and may be formed in a thickness range of 0.04 to 0.08 ⁇ m.
  • the method of adjusting the concentration of carbon (C) and the concentration of silicon (Si) may be performed by adjusting the implantation amount of carbon (C) and silicon (Si) by ion implantation in addition to the MOCVD method. It may be performed repeatedly in situ.
  • the formation of the first diffusion layer 341 and the second diffusion layer 342 may be repeatedly performed in situ while adjusting the concentration of carbon (C) and the concentration of silicon (Si) in a MOCVD facility. Accordingly, the current spreading unit 340 may be formed in a stacked structure in which a plurality of first diffusion layers 341 and a second diffusion layer 342 are repeated.
  • the active layer 350, the p-type nitride layer 360, and the transparent electrode layer 370 are sequentially formed on the upper surface of the current diffusion unit 340. Is formed.
  • the active layer 350 may be provided in a single quantum well structure or a multi quantum well structure in which a plurality of quantum well layers and a quantum barrier layer are alternately stacked.
  • the active layer 350 is made of a multi-quantum well structure
  • the quantum barrier layer 350a is a quaternary nitride layer of AlGaInN containing aluminum (Al), for example
  • the quantum well layer 350b is made of InGaN, for example. Can be done.
  • the p-type nitride layer 360 may be formed by alternately stacking a first layer of p-type AlGaN doped with Mg and a second layer of p-type GaN doped with Mg, for example.
  • the p-type nitride layer 360 may be grown as a single p-type nitride layer similarly to the n-type nitride layer 330.
  • the transparent electrode layer 370 may be formed of, for example, a transparent conductive compound of any one of ITO, CIO, ZnO, NiO, and In 2 O 3 .
  • the substrate is exposed and etched from the transparent electrode layer 370 to one region of the n-type nitride layer 330 to expose one region of the n-type nitride layer 330.
  • the substrate is exposed and etched from the transparent electrode layer 370 to one region of the n-type nitride layer 330 to expose one region of the n-type nitride layer 330.
  • a p-side electrode 382 is formed on an upper surface of the transparent electrode layer 370, and the n-type nitride layer 330 of the n-type electrode 381 is exposed. It is formed in one area.
  • the first diffusion layer 341 and the second diffusion layer 342 are in situ in which the current diffusion portion 340 of the stacked structure is repeated. It can be formed easily.
  • the first diffusion layer 341 and the second diffusion layer 342 are adjusted while adjusting the concentration of carbon (C) and silicon (Si) dopant. ) Can be formed in situ.
  • the method of manufacturing the nitride semiconductor light emitting device according to the third embodiment of the present invention can easily obtain the nitride semiconductor light emitting device 300 having the current spreading unit 340 which diffuses the current without concentrating the current in a specific region. have.
  • FIG. 15 is a cross-sectional view of a vertical nitride semiconductor light emitting device according to a fourth embodiment of the present invention.
  • the detailed description thereof will be omitted.
  • the vertical nitride light emitting device has a reflective layer in the direction of the upper surface of the p-side electrode support layer 480 similar to the vertical nitride semiconductor light emitting device shown in FIG. 8. 472, an ohmic contact layer 471, a p-type nitride layer 460, an active layer 450, a current spreader 440, an n-type nitride layer 430, and an n-side electrode 490, but with a current There is a difference in that the diffusion part 440 is formed in a laminated structure including the first diffusion layer 241 and the second diffusion layer 242.
  • the p-side electrode support layer 480 serves as a p-side electrode as a conductive support member to sufficiently dissipate heat generated during operation of the light emitting device, has a mechanical strength, and is directed toward the upper surface during a manufacturing process including a scribing process or a braking process. Support the layers of
  • the p-side electrode support layer 480 may be formed of a metal having good thermal conductivity such as gold (Au), copper (Cu), silver (Ag), and aluminum (Al).
  • the p-side electrode support layer 480 may be formed of an alloy material having mechanical strength while minimizing the generation of internal stress during alloying because the crystal structure and the crystal lattice constant are similar to these metals.
  • the alloy containing light metals such as nickel (Ni), cobalt (Co), platinum (Pt), and palladium (Pd).
  • the reflective layer 472 may be selectively formed on the upper surface of the p-side electrode support layer 480, and may be formed of a metal material having a high reflectance that reflects light emitted from the active layer 450 in the upper direction.
  • the ohmic contact layer 471 is formed of a metal made of nickel (Ni) or gold (Au), or a nitride containing such a metal, on the upper surface of the reflective layer 472 to form a ohmic contact having a low resistance. ).
  • the ohmic contact layer 471 may perform a reflective function, and thus the reflective layer 472 needs to be formed. none.
  • the current diffusion unit 440 includes a first diffusion layer 241 formed of a nitride layer having a higher concentration of carbon (C) than a silicon (Si) dopant concentration in the lower surface direction of the n-type nitride layer 230, and carbon (C).
  • a first diffusion layer 241 formed of a nitride layer having a higher concentration of carbon (C) than a silicon (Si) dopant concentration in the lower surface direction of the n-type nitride layer 230, and carbon (C).
  • the stacked structure of the current spreading unit 440 is, for example, a stacked structure repeated three times.
  • the current spreading unit 440 may be formed to a thickness of 500 ⁇ 5000 ⁇ .
  • the first diffusion layer 441 may be formed in the thickness range of 0.04 to 0.08 ⁇ m in the current diffusion unit 440.
  • the stack structure of the current spreading unit 440 may be a stack structure including a first diffusion layer 441 and a second diffusion layer 442, or a stack structure in which a plurality of first diffusion layers 441 and a second diffusion layer 442 are repeated. It may be formed as.
  • the current diffusion impurities of the current diffusion unit 440 may include carbon as an insulator for current diffusion.
  • the impurity for current diffusion containing carbon is preferably contained in a concentration range of 1 ⁇ 10 16 to 1 ⁇ 10 18 atoms / cm 3 .
  • the current diffusion unit 440 including the first diffusion layer 441 and the second diffusion layer 442 may alternately have a difference in carbon (C) concentration and silicon (Si) dopant concentration. Due to this feature, the interface resistance between the first diffusion layer 441 and the second diffusion layer 442 is lower than the resistance along the vertical direction from the current diffusion portion 440 to the active layer 450.
  • the current distribution according to the interface between the first diffusion layer 441 and the second diffusion layer 442 in the current diffusion portion 440, that is, the current in the horizontal direction. Distribution can be improved.
  • the vertical nitride semiconductor light emitting device When the current distribution in the horizontal direction is improved, the vertical nitride semiconductor light emitting device has a uniform current density flowing into the active layer 450, thereby increasing the light emitting area, thereby improving luminous efficiency.
  • Such a vertical nitride semiconductor light emitting device may be formed by a general method of manufacturing a vertical nitride semiconductor light emitting device. At this time, it can be formed in the same gas phase epitaxy growth facility (not shown) using a gas phase epitaxy growth method using a gas mixture containing a gas containing carbon (C) and a gas containing silicon (Si).
  • the current diffusion unit 440 of the vertical nitride light emitting device may be formed in the same manner as the formation of the current diffusion unit 340 according to the third embodiment of the present invention.
  • the fourth embodiment of the present invention is to provide a current diffusion portion 440 of a laminated structure including a first diffusion layer 441 having a high carbon (C) concentration and a second diffusion layer 442 having a high silicon (Si) dopant concentration. It can be formed in situ.
  • the vertical nitride light emitting device including the current spreading unit 440 formed as in situ may have a uniform current density and improve luminous efficiency by the current spreading unit 440.

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Abstract

본 발명은 전류 확산용 불순물을 함유한 전류 확산부를 이용하여 전류 확산 효과가 우수한 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조 방법을 개시한다. 본 발명의 질화물 반도체 발광소자는 n형 질화물층; 상기 n형 질화물층 상에 전류 확산용 불순물을 포함하는 질화물로 형성된 전류 확산부; 상기 전류 확산부 상에 형성된 활성층; 및 상기 활성층 상에 형성된 p형 질화물층을 포함하고, 상기 전류 확산용 불순물은 탄소(C)를 포함하는 것을 특징으로 한다.

Description

전류 확산 효과가 우수한 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조 방법
본 발명은 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 특히 전류 확산용 불순물을 함유한 전류 확산부를 이용하여 전류 확산 효과가 우수한 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
종래의 질화물 반도체 소자에는 예를 들어 GaN계 질화물 반도체 소자를 들 수 있고, 이 GaN계 질화물 반도체 발광소자는 그 응용분야에 있어서 청색 또는 녹색 LED의 발광소자, MESFET과 HEMT 등의 고속 스위칭과 고출력 소자 등에 응용되고 있다.
이와 같은 종래의 GaN계 질화물 반도체 발광소자는 도 1에 도시된 바와 같이 다중양자우물구조의 활성층(15)을 가진 질화물 반도체 발광 소자(10)를 예로 들 수 있다. 종래의 질화물 반도체 발광 소자(10)는 사파이어 기판(11), n형 질화물층(12), 활성층(15) 및, p형 질화물층(17)을 포함한다. 한편, p형 질화물층(17)의 상부면에는 투명 전극층(18)과 p측 전극(19b)이 순차적으로 형성되며, n형 질화물 반도체층(12)의 노출된 면에는 n측 전극(19a)이 차례로 형성된다.
이러한 종래의 GaN계 질화물 반도체 발광소자는 활성층(15)에 전자와 정공을 주입하고 이 전자와 정공들의 결합으로 발광하게 되는데, 이러한 활성층(13)의 발광효율을 향상시키기 위해서 국내공개특허공보 제 2010-0027410(2010.03.11)호에 기재된 바와 같이 n형 질화물층(12)의 n형 도펀트 또는 p형 질화물층(17)의 p형 도펀트의 함유량을 높여 활성층(13)으로 전자 또는 정공의 유입량을 높이는 방안이 실행되고 있다.
그러나, 이렇게 n형 질화물층(12)의 n형 도펀트 또는 p형 질화물층(17)의 p형 도펀트의 함유량을 높인 종래의 질화물 반도체 소자는 균일하지 못한 전류 확산(current spreading)에 의해 발광 효율이 크게 저하된다.
구체적으로,　n형 질화물층(12)에서 전자들이 활성층(15)의 일부 영역으로 과도하게 유입되고, p형 질화물층(17)에서 발생한 정공들이 활성층(15)으로 원활하게 유입되지 않아, 활성층(15)의 일부 영역은 높은 전류 밀도를 가지는 반면에 활성층(15)의 다른 영역에서는 낮은 전류 밀도를 갖게 된다.
따라서, 종래의 GaN계 질화물 반도체 발광소자는 활성층(15)에 대해 전체적으로 균일한 전류 확산을 이루어 발광 효율을 향상시켜야 하는 필요성이 증가하고 있다.
본 발명의 하나의 목적은 전류 확산용 불순물을 함유한 전류 확산부를 이용하여 전류 확산을 향상시켜 발광 효율을 높인 질화물 반도체 발광소자를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 상기의 질화물 반도체 발광소자를 용이하게 제조할 수 있는 방법을 제공하는 것이다.
상기 하나의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시예에 따른 질화물 반도체 발광소자는 n형 질화물층; 상기 n형 질화물층 상에 전류 확산용 불순물을 포함하는 질화물로 형성된 전류 확산부; 상기 전류 확산부 상에 형성된 활성층; 및 상기 활성층 상에 형성된 p형 질화물층을 포함하고, 상기 전류 확산용 불순물은 탄소(C)를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 하나의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 다른 실시예에 따른 질화물 반도체 발광소자는 n형 질화물층; 상기 n형 질화물층 상에 전류 확산용 불순물을 포함하는 질화물로 형성된 전류 확산부; 상기 전류 확산부 상에 형성된 활성층; 및 상기 활성층 상에 형성된 p형 질화물층을 포함하고, 상기 전류 확산용 불순물은 탄소(C)를 포함하며, 상기 전류 확산부는 자유 정공(free hole)의 농도가 1×1013 ~ 5×1016 /cm3 인 질화물층으로서, 상기 활성층으로 유입되는 정공을 유도하는 층인 것을 특징으로 한다.
상기 하나의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 질화물 반도체 발광소자는 n형 질화물층; 상기 n형 질화물층 상에 형성된 전류 확산부; 상기 전류 확산부 상에 형성된 활성층; 및 상기 활성층 상에 형성된 p형 질화물층을 포함하고, 상기 전류 확산부는 다른 층의 탄소 농도보다 높은 농도의 탄소를 함유하는 질화물층인 것을 특징으로 한다.
상기 하나의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 질화물 반도체 발광소자는 n형 질화물층; 상기 n형 질화물층 상에 전류 확산용 불순물과 실리콘(Si) 도펀트를 함유하여 형성된 전류 확산부; 상기 전류 확산부 상에 형성된 활성층; 및 상기 활성층 상에 형성된 p형 질화물층을 포함하고, 상기 전류 확산용 불순물은 탄소(C)를 포함하고, 상기 전류 확산부는 상기 탄소(C)의 농도가 상기 실리콘(Si)의 농도보다 높은 층과 상기 실리콘(Si)의 농도가 상기 탄소(C)의 농도보다 높은 층이 교대 적층된 복수층 구조로 형성된 것을 특징으로 한다.
상기 다른 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시예에 따른 질화물 반도체 발광소자 제조 방법은 기판 상에 n형 질화물층을 형성하는 단계; 상기 n형 질화물층 상에 전류 확산부를 형성하는 단계; 상기 전류 확산부 상에 활성층을 형성하는 단계; 및 상기 활성층 상에 p형 질화물층을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 전류 확산부를 전류 확산용 불순물을 포함하는 질화물로 형성하고, 상기 전류 확산용 불순물은 탄소(C)를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 다른 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시예에 따른 질화물 반도체 발광소자 제조 방법은 기판 상에 n형 질화물층을 형성하는 단계; 상기 n형 질화물층 상에 전류 확산용 불순물과 실리콘(Si) 도펀트를 함유한 복수층 구조의 전류 확산부를 형성하는 단계; 상기 전류 확산부 상에 활성층을 형성하는 단계; 및 상기 활성층 상에 p형 질화물층을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 전류 확산용 불순물은 탄소(C)를 포함하고, 상기 탄소(C)의 농도가 상기 실리콘(Si)의 농도보다 높은 층과 상기 실리콘(Si)의 농도가 상기 탄소(C)의 농도보다 높은 층을 교대 적층하여 상기 전류 확산부를 형성하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 질화물 반도체 발광 소자는 전류 확산용 불순물을 함유한 전류 확산부를 형성하고, 이에 의해 전자와 정공이 활성층에 원활하게 확산 유입되고, 이에 따른 전류 확산에 의해 발광 면적이 증가하여 발광 효율이 향상될 수 있다.
본 발명에 따른 질화물 반도체 발광 소자의 제조 방법은 전류 확산용 불순물의 농도와 실리콘(Si) 도펀트 농도를 조정하면서 전류 확산부를 용이하게 형성하여, 전류 확산에 의해 발광 면적이 증가하고 발광 효율이 향상된 질화물 반도체 발광 소자를 획득할 수 있는 효과가 있다.
도 1은 종래의 질화물 반도체 발광 소자를 나타내는 단면도.
도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 수평형 질화물 반도체 발광소자의 단면도.
도 3 내지 도 7은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 수평형 질화물 반도체 발광소자의 제조 방법을 설명하기 위한 공정 단면도.
도 8은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 수직형 질화물 반도체 발광 소자의 단면도.
도 9는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 수평형 질화물 반도체 발광 소자의 단면도.
도 10 내지 도 13은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 수평형 질화물 반도체 발광 소자의 제조 방법을 설명하기 위한 공정 단면도.
도 14은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 전류 확산부의 농도 분포를 설명하기 위한 그래프.
도 15는 본 발명의 제 4 실시예에 따른 수직형 질화물 반도체 발광소자의 단면도.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세하게 설명한다. 여기서, 본 발명의 실시 형태는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시 형태로 한정되는 것은 아니다.
도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 질화물 반도체 발광소자(100)는 기판(110)의 상부 방향으로 버퍼층(120), n형 질화물층(130), 전류 확산부(140), 활성층(150), p형 질화물층(160), 투명 전극층(170), p측　전극(181) 및 n측 전극(182)을 포함한다.
버퍼층(120)은 기판(110)과 n형 질화물층(130) 사이의 격자 부정합을 해소하기 위해 선택적으로 형성될 수 있고, 예컨대 AlN 또는 GaN으로 형성할 수 있다.
n형 질화물층(130)은 기판(110) 또는 버퍼층(120)의 상부면에 형성된다. 여기서, n형 질화물층(130)은 Si을 도핑한 n형 AlGaN으로 이루어진 제 1 층, 및 언도우프의 GaN로 이루어진 제 2 층이 번갈아가며 형성된 적층 구조일 수 있다. 물론, n형 질화물층(130)은 단층의 n형 질화물층으로 성장시키는 것도 가능하나, 제 1 층과 제 2 층의 적층 구조로 형성하여 크랙이 없는 결정성이 좋은 캐리어 제한층으로 작용할 수 있다.
전류 확산부(140)는 n형 질화물층(130)과 활성층(150) 사이에 형성된 층으로, 활성층(150)에 유입되는 전자 또는 정공이 특정 영역에 집중되지 않고 확산하도록 전류 확산용 불순물을 함유한 질화물층으로 형성될 수 있다. 여기서, 전류 확산부(140)의 전류 확산용 불순물은 전류 확산을 위한 절연체로 작용하는 탄소(C)를 포함하며, 탄소 단독이거나, 혹은 게르마늄(Ge), 주석(Sn), 납(Pb) 등의 14족 원소 중 1종 이상이 탄소와 함께 포함될 수 있다. 전류 확산부(140)에서 이러한 전류 확산용 불순물은 단독으로 도핑될 수 있다. 또한, 전류 확산용 불순물은 실리콘(Si) 도펀트와 함께 도핑될 수 있다. 이때, 실리콘(Si) 도펀트는 실리콘 도펀트의 농도가 주기적으로 변화되는 형태를 갖는 델타 도핑된 것일 수 있다.
구체적으로, 전류 확산부(140)가 예를 들어, 탄소(C)를 전류 확산용 불순물로 함유한 GaN:C 와 같은 탄소 질화물층으로 형성한 경우, 탄소(C)의 농도는 1×1016 ~ 1×1018 atoms/cm3이고, 전류 확산부(140)의 총 두께는 탄소(C)의 농도에 반비례하여 바람직하게 500 ~ 5000Å 의 두께로 형성될 수 있다.
또한, 전류 확산부(140)는 탄소(C)의 농도가 상기의 범위 이외에 p형 질화물층(160)과 활성층(150)에 함유된 탄소(C)의 농도보다 높은 농도로 형성될 수도 있다.
이러한 전류 확산부(140)의 두께는 상기 탄소(C)의 농도에 반비례하여, 탄소(C)의 농도가 높아짐에 따라 전류 확산부(140)의 두께는 줄어들 수 있다.
특히, 전류 확산부(140)는 탄소(C)의 농도를 기준으로 상기의 범위를 벗어나 500Å 미만의 두께를 가지면 전류 확산의 기능을 수행할 수 없다. 또한, 전류 확산부(140)의 두께가 상기 탄소(C)의 농도를 기준으로 5000Å초과이면 고 저항층으로 작용하여 인가 전압을 0.4V 이상으로 높여야 하는 문제가 발생한다.
이와 같이 형성된 전류 확산부(140)는 활성층(150)에 유입되는 전자에 대해서는 일부 영역에 과도한 전자가 유입되는 것을 방지하고, 정공의 측면에서 활성층(150)으로 정공을 더 많이 유도하는 p---층으로 작용할 수 있다. p---층은 약한 p형 특성을 나타내는(slightly p-type) 층에 해당하고, 자유 정공(free hole)의 농도가 대략 1×1013 ~ 5×1016 /cm3인 질화물층이 될 수 있다.
활성층(150)은 전류 확산부(140)와 p형 질화물층(160) 사이에서 단일양자우물구조 또는 다중양자우물구조로　이루어질 수 있다. 여기서, 활성층(150)은 다중양자우물구조로서, 양자장벽층은 Al이 포함된 질화물층으로 AlGaInN층이고, 양자우물층은 예를 들어 InGaN으로 이루어질 수 있다. 이러한 양자장벽층과 양자우물층이 반복되어 형성된 구조의 활성층(150)은 발생하는 응력과 변형에 의한 자발적인 분극을 억제할 수 있다.
p형 질화물층(160)은 예컨대 Mg을 도핑한 p형 AlGaN의 제 1 층과, Mg을 도핑한 p형 GaN로 이루어진 제 2 층을 번갈아가며 적층한 구조로 형성될 수 있다. 또한, p형 질화물층(160)은 n형 질화물층(130)과 마찬가지로 단층의 p형 질화물층으로 성장시키는 것도 가능하나, 적층 구조로 형성하여 크랙이 없는 결정성이 좋은 캐리어 제한층으로 작용할 수 있다.
투명 전극층(170)은 p형 질화물층(160)의 상부면에 구비된 층이다. 이러한 투명 전극층(170)은 투명 전도성 산화물로 이루어지고, 그 재질은 In, Sn, Al, Zn, Ga 등의 원소를 포함하며, 예컨대 ITO, CIO, ZnO, NiO, In2O3 등으로 형성될 수 있다.
이와 같은 본 발명의 일실시예에 따른 질화물 반도체 발광소자(100)는 n형 질화물층(130)과 활성층(150) 사이에 전류 확산부(140)을 형성하여, n형 질화물층(130)과 전류 확산부(140) 사이의 계면 저항값이 n형 질화물층(130)부터 전류 확산부(140)으로 수직 방향에 따른 저항값보다 낮다. 이때, 전자가 낮은 저항 쪽으로 흐르는 특성에 의해서, n형 질화물층(130)으로부터 유입된 전자는 n형 질화물층(130)과 전류 확산부(140) 사이의 계면을 따라 확산(current spreading)하면서 활성층(150)으로 유입된다.
따라서, 본 발명의 일실시예에 따른 질화물 반도체 발광소자(100)는 탄소(C)를 함유한 질화물층으로 이루어진 전류 확산부(140)에 의해 전자와 정공이 활성층(140)에 원활하게 확산 유입되고, 이에 따른 전류 확산에 의해 발광 면적이 증가하여 발광 효율이 향상될 수 있다.
이하, 구체적으로 본 발명의 제 1 실시예에 따른 질화물 반도체 발광 소자(100)의 제조 방법을 도 3 내지 7을 참조하여 설명한다.
도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 질화물 반도체 발광소자(100)의 제조 방법은 먼저 기판(110)의 상부면에 버퍼층(120)과 n형 질화물층(130)을 순차적으로 성장시킨다.
버퍼층(120)은 기판(110)과 n형 질화물층(130) 사이에 격자 부정합을 해소하기 위해 기판(110)의 상부면에 선택적으로 형성될 수도 있다. 여기서, 버퍼층(120)은 예를 들어 AlN 또는 GaN을 이용하여 형성될 수도 있다.
n형 질화물층(130)은 n-GaN층으로 형성될 수 있다. n형 질화물층(130)의 형성 방법은 예를 들어, NH3, 트리메탈갈륨(TMG), 및 Si과 같은 n형 도펀트를 포함한 실란 가스를 공급하여, n-GaN층을 n형 질화물층으로 성장할 수 있다.
n형 질화물층(130)이 형성된 후, 도 4에 도시된 바와 같이 전류 확산용 불순물을 함유한 질화물로 이루어진 전류 확산부(140)가 n형 질화물층(130)의 상부면에 형성된다.
구체적으로, 전류 확산부(140)는 전류 확산용 불순물로서 탄소를 포함하는 질화물로 형성될 수 있으며, ALE(atomic layer epitaxy), APCVD(atmospheric pressure chemical vapour deposition), PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition), RTCVD(rapid thermal chemical vapor deposition), UHVCVD(ultrahigh vacuum chemical vapor deposition), LPCVD(low pressure chemical vapor deposition), MOCVD(Metal organic Chemical Vapor Deposition) 등의 기상 에피택시 성장 방법을 이용하여 형성될 수 있다.
예를 들어, 전류 확산부(140)는 바람직하게 탄소(C)를 전류 확산용 불순물로 함유한 질화물층으로 형성되되, MOCVD 방법으로 NH3, 트리메탈갈륨(TMG), 및 DMHY(dimethylhydrazine)를 이용하여 GaN:C 와 같은 탄소를 함유한 질화물층으로 형성할 수 있다. 전류 확산부(140)에서 이러한 전류 확산용 불순물은 단독으로 도핑되거나, 실리콘(Si) 도펀트와 함께 도핑될 수 있다. 이때, 실리콘(Si) 도펀트는 델타 도핑 형태로 도핑될 수 있다.
여기서, GaN:C와 같은 탄소 도핑 질화물로 전류 확산부를 형성한 경우, 탄소(C)의 농도는 1×1016 ~ 1×1018 atoms/cm3 이고, 전류 확산부(140)의 총 두께는 탄소(C)의 농도에 반비례하여 바람직하게 500 ~ 5000Å 의 두께 범위로 형성될 수 있다. 또한, 전류 확산부(140)는 탄소(C)의 농도가 상기의 범위 이외에 n형 질화물층(130)과 활성층(150)에 함유된 탄소의 농도보다 높은 농도로 형성될 수도 있다.
전류 확산부(140)가 형성된 후, 도 5에 도시된 바와 같이 활성층(150), p형 질화물층(160) 및 투명 전극층(170)이 전류 확산부(140)의 상부면에 순차적으로 형성될 수 있다.
활성층(150)은 단일양자우물구조 또는 양자우물층과 양자장벽층이 교대로 다수 적층된 다중양자우물구조로　구비될 수 있다. 여기서, 활성층(150)은 다중양자우물구조로 이루어지되, 양자장벽층은 예컨대 Al이 포함된 AlGaInN의 4원계 질화물층이고, 양자우물층은 예를 들어 InGaN으로 이루어질 수 있다.
p형 질화물층(160)은 예컨대 Mg을 도핑한 p형 AlGaN의 제 1 층과, Mg을 도핑한 p형 GaN로 이루어진 제 2 층을 번갈아가며 적층한 구조로 형성될 수 있다. 또한, p형 질화물층(160)은 n형 질화물층(130)과 마찬가지로 단층의 p형 질화물층으로 성장시키는 것도 가능하다.
투명 전극층(170)은 투명전도성 산화물로 이루어지고, 그 재질은 In, Sn, Al, Zn, Ga 등의 원소를 포함하며, 예컨대, ITO, CIO, ZnO, NiO, In2O3 중 어느 하나로 형성될 수 있다.
이렇게 투명 전극층(170)까지 형성된 후, 도 6에 도시된 바와 같이 투명 전극층(170)으로부터 n형 질화물층(130)의 일영역까지 노광 에칭(lithography etching)하여, n형 질화물층(130)의 일영역이 노출될 수 있다.
n형 질화물층(130)의 일영역이 노출되면, 도 7에 도시된 바와 같이 p측　전극(181)이 투명 전극층(170)의 상부면에 형성되고, n측 전극(182)이 노출된 n형 질화물층(130)의 일 영역에 형성된다.
이와 같은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 질화물 반도체 발광 소자(100)의 제조 방법은 기상 에피택시 성장 방법을 이용하여 요구되는 전류 확산용 불순물 농도를 갖는 전류 확산부(140)를 필요한 두께로 형성할 수 있다.
따라서, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 질화물 반도체 발광 소자(100)의 제조 방법은 전류 확산용 불순물의 농도와 필요한 두께를 갖는 전류 확산부(140)를 용이하게 형성할 수 있다.
이하, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 수직형 질화물 반도체 발광 소자를 도 8을 참조하여 설명한다. 도 8은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 수직형 질화물 반도체 발광 소자의 단면을 나타낸 단면도이다. 여기서, 수직형 질화물 반도체 발광 소자의 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에 그 상세한 설명은 생략한다.
도 8에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 수직형 질화물 발광 소자는 p측 전극 지지층(280)의 상부면 방향으로 반사층(272), 오믹 컨택층(271), p형 질화물층(260), 활성층(250), 전류 확산부(240), n형 질화물층(230) 및 n측 전극(290)을 포함한다.
p측 전극 지지층(280)은 전도성 지지부재로서 p측 전극의 역할을 하면서 발광 소자 작동시 발생하는 열을 충분히 발산시켜야 한다. 특히, p측 전극 지지층(280)은 기계적 강도를 가지고, 스크라이빙(scribing) 공정 또는 브레이킹(breaking) 공정을 포함한 제조 과정 중 상부면 방향의 층들을 지지해야 한다.
따라서, p측 전극 지지층(280)은 금(Au), 구리(Cu), 은(Ag) 및 알루미늄(Al) 등의 열전도도가 좋은 금속으로 형성할 수 있다. 또는, p측 전극 지지층(280)은 이런 금속들과 결정 구조 및 결정 격자 상수가 유사하여 합금시 내부 응력 발생을 최소화할 수 있으면서 기계적 강도가 있는 합금 재질로 형성할 수 있다. 예를 들어, 니켈(Ni), 코발트(Co), 백금(Pt) 및 팔라듐(Pd) 등의 경금속을 포함한 합금으로 형성하는 것이 바람직하다.
반사층(272)은 p측 전극 지지층(280)의 상부면에 선택적으로 형성될 수 있고, 활성층(250)으로부터 발산하는 광을 상부 방향으로 반사시키는 반사율이 높은 금속 재질로 형성될 수 있다.
오믹 컨택층(271)은 반사층(272)의 상부면에 니켈(Ni) 또는 금(Au)의 금속, 또는 이런 금속을 함유한 질화물로 이루어진 층으로 형성되어, 낮은 저항을 갖는 오믹 컨택(Ohmic Contact)을 형성한다. 여기서, 니켈(Ni) 또는 금(Au)의 금속을 이용하여 오믹 컨택층(271)을 형성하는 경우, 오믹 컨택층(271)이 반사 기능을 수행할 수 있으므로 반사층(272)을 형성할 필요가 없다.
전류 확산부(240)는 n형 질화물층(230)의 하부면 방향으로 전류 확산용 불순물을 함유한 질화물층으로서, 탄소와 실리콘 도펀트를 함유한다.
이때, 전류 확산부(240)에서, 탄소를 포함한 전류 확산용 불순물은 1×1016 ~ 1×1018 atoms/cm3 의 농도 범위에서 함유될 수 있다.
이러한 전류 확산부(240)는 도 2의 전류 확산부(140)와 마찬가지로 n형 질화물층(230)과 전류 확산부(240) 사이의 계면에 따른 전류 분포, 즉 수평 방향의 전류 분포를 개선할 수 있다.
수평 방향의 전류 분포가 개선되면, 수직형 질화물 반도체 발광소자는 활성층(250)으로 유입되는 전류 밀도가 균일하게 되어 발광 면적이 넓어지므로 발광 효율이 향상될 수 있다.
이와 같은 수직형 질화물 반도체 발광소자는 일반적인 수직형 질화물 반도체 발광소자의 제조 방법으로 형성될 수 있다. 이때, 탄소(C)를 함유한 가스와 실리콘(Si)을 함유한 가스의 혼합가스를 이용하는 기상 에피택시 성장 방법을 이용하여 동일한 기상 에피택시 성장용 설비(도시하지 않음)에서 형성할 수 있다.
이때, 수직형 질화물 발광 소자의 전류 확산부(240)는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 전류 확산부(140)의 형성 과정과 동일하게 형성될 수 있다.
따라서, 본 발명의 제 2 실시예는 전류 확산부(140)에 의해 전자와 정공이 활성층(250)에 원활하게 확산 유입되고, 이에 따른 전류 확산에 의해 발광 면적이 증가하여 발광 효율이 향상될 수 있는 수직형 질화물 발광 소자를 제공할 수 있다.
이하, 본 발명의 제 3 실시예에 따른 수평형 질화물 반도체 발광 소자(300)를 도 9를 참조하여 설명한다.
도 9에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제 3 실시예에 따른 질화물 반도체 발광소자(300)는 기판(310)의 상부 방향으로 버퍼층(320), n형 질화물층(330), 적층 구조의 전류 확산부(340), 활성층(350), p형 질화물층(360), 투명 전극층(370), p측　전극(382) 및 n측 전극(381)을 포함한다.
버퍼층(320)은 기판(310)과 n형 질화물층(330) 사이의 격자 부정합을 해소하기 위해 선택적으로 형성될 수 있고, 예컨대 AlN 또는 GaN으로 형성할 수 있다.
n형 질화물층(330)은 기판(310) 또는 버퍼층(320)의 상부면에 형성된다. 여기서, n형 질화물층(330)은 Si을 도핑한 n형 AlGaN으로 이루어진 제 1 층, 및 언도우프의 GaN로 이루어진 제 2 층이 번갈아가며 형성된 적층 구조일 수 있다. 물론, n형 질화물층(130)은 단층의 n형 질화물층으로 성장시키는 것도 가능하나, 제 1 층과 제 2 층의 적층 구조로 형성하여 크랙이 없는 결정성이 좋은 캐리어 제한층으로 작용할 수 있다.
전류 확산부(340)는 n형 질화물층(330)과 활성층(350) 사이에 형성된 적층 구조로서, 활성층(350)에 유입되는 전자 또는 정공이 특정 영역에 집중되지 않고 확산시키는 전류 확산(current spreading) 기능을 수행할 수 있다.
이러한 전류 확산부(340)는 n형 질화물층(330)의 상부면 방향으로 전류 확산용 불순물을 함유한 적층 구조이다. 도 9에 도시된 바와 같이, 전류 확산부(340)는 탄소(C)의 농도가 실리콘(Si)의 농도보다 높은 질화물층으로 형성된 제 1 확산층(341), 및 실리콘(Si)의 농도가 탄소(C)의 농도보다 높은 제 2 확산층(342)이 예컨대 세 번 반복된 적층 구조이다.
물론, 전류 확산부(340)의 적층 구조는 제 1 확산층(341)과 제 2 확산층(342)이 한번 반복된 적층 구조, 또는 제 1 확산층(341)과 제 2 확산층(342)이 다수 반복된 적층 구조로 형성될 수도 있다.
이때, 전류 확산부(340)의 탄소(C) 함유량은 1×1016 ~ 1×1018 atoms/cm3 이고, 전류 확산부(340)의 총 두께는 예를 들어, 500 ~ 5000 Å의 두께로 형성될 수 있다.
여기서, 전류 확산부(340)의 제 1 확산층(341)과 제 2 확산층(342)은 탄소(C)의 농도 및 총 두께 범위를 기준으로 상기 농도 범위의 미만으로 농도를 가지거나 두께 범위 미만이면 전류 확산의 기능을 수행할 수 없다. 또한, 제 1 확산층(341)과 제 2 확산층(342)의 탄소(C) 농도가 상기 농도 범위를 초과하거나 두께 범위를 초과하면 고저항층으로 작용하여 인가 전압을 3.4V 이상으로 높여야 하는 문제가 발생한다.
이와 같이 제 1 확산층(341)과 제 2 확산층(342)의 적층 구조가 탄소(C) 농도와 실리콘(Si) 도펀트의 농도에서 교대로 차이를 갖는, 즉 탄소(C)의 농도가 실리콘(Si)의 농도보다 높은 제 1 확산층(341)과 실리콘(Si)의 농도가 탄소(C)의 농도보다 높은 제2확산층(342)이 교대 적층된 특징이 있다. 이로 인해, 전류 확산부(340)에서 활성층(350)으로 상부 방향에 따른 저항값이 탄소(C) 농도가 높은 제 1 확산층(341)의 개수에 따라 비례적으로 증가한다.
하지만, 제 1 확산층(341)과 제 2 확산층(342) 사이의 계면 저항값이 전류 확산부(140)에서 활성층(150)으로 상부 수직 방향에 따른 저항값보다 낮다. 이때, 전자가 낮은 저항 쪽으로 흐르는 특성에 의해서, n형 질화물층(330)으로부터 유입된 전자는 제 1 확산층(341)과 제 2 확산층(342) 사이의 계면을 따라 확산(current spreading)하면서 활성층(350)으로 유입된다.
따라서, 제 1 확산층(341)과 제 2 확산층(342) 사이의 계면을 따라 전자가 확산되는 효율, 즉 수평 방향의 전류 확산 효율이 개선된다. 이렇게 수평 방향의 전류 확산 효율이 개선됨에 따라, 전자가 활성층(350)으로 균일하게 유입될 수 있다. 전자가 활성층(350)으로 균일하게 유입됨에 따라 발광 면적이 넓어지므로 발광 효율이 향상될 수 있다.
또한, 전류 확산부(340)에서 수평 방향의 전류 확산이 개선되면, 질화물 반도체 발광소자(300)의 동작 전압은 3.4V 에서 3.1V로 절감될 수 있다.
그리고, 전류 확산부(340)는 활성층(350)에 유입되는 전자에 대해 일부 영역에 과도한 전자가 유입되는 것을 방지하고, 정공의 측면에서 활성층(350)으로 정공을 더 많이 유도하는 층으로 작용할 수 있다.
활성층(350)은 전류 확산부(340)의 상부면에 단일양자우물구조 또는 다중양자우물구조로　이루어질 수 있다. 여기서, 활성층(350)은 다중양자우물구조로서, 양자장벽층(350a)은 Al이 포함된 질화물층으로 AlGaInN층이고, 양자우물층(350b)은 예를 들어 InGaN으로 이루어질 수 있다. 이러한 양자장벽층(350a)과 양자우물층(350b)이 반복되어 형성된 구조의 활성층(350)은 발생하는 응력과 변형에 의한 자발적인 분극을 억제할 수 있다.
p형 질화물층(360)은 예컨대 Mg을 도핑한 p형 AlGaN의 제 1 층과, Mg을 도핑한 p형 GaN로 이루어진 제 2 층을 번갈아가며 적층한 구조로 형성될 수 있다. 또한, p형 질화물층(360)은 n형 질화물층(330)과 마찬가지로 단층의 p형 질화물층으로 성장시키는 것도 가능하나, 적층 구조로 형성하여 크랙이 없는 결정성이 좋은 캐리어 제한층으로 작용할 수 있다.
투명 전극층(370)은 p형 질화물층(360)의 상부면에 구비된 층이다. 이러한 투명 전극층(370)은 투명 전도성 화합물로 이루어지고, 그 재질은 In, Sn, Al, Zn, Ga 등의 원소를 포함할 수 있다. 이러한 투명 전극층(370)은 예컨대, ITO, CIO, ZnO, NiO, In2O3 중 어느 하나로 형성될 수 있다.
이와 같은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 질화물 반도체 발광소자(300)는 n형 질화물층(330)과 활성층(350) 사이에 전류 확산부(340)를 형성하여, 활성층(350)에 흐르는 전류가 특정 영역에 집중되지 않고 확산하도록 하는 기능을 수행할 수 있다.
따라서, 본 발명의 제 3 실시예에 따른 질화물 반도체 발광소자(300)는 탄소(C) 농도가 높은 제 1 확산층(341)과 실리콘(Si) 도펀트 농도가 높은 제 2 확산층(342)으로 이루어진 적층 구조의 전류 확산부(340)에 의해 전자와 정공이 활성층(350)에 원활하게 확산 유입된다. 이에 따른 전류 확산에 의해, 질화물 반도체 발광소자(300)는 발광 면적이 증가하여 발광 효율이 향상될 수 있다.
이하, 구체적으로 본 발명의 제 3 실시예에 따른 질화물 반도체 발광 소자(300)의 제조 방법을 도 10 내지 13을 참조하여 설명한다.
도 10에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제 3 실시예에 따른 질화물 반도체 발광소자(300)의 제조 방법은 먼저 기판(310)의 상부면에 버퍼층(320)과 n형 질화물층(330)을 순차적으로 성장시킨다.
버퍼층(320)은 기판(310)과 n형 질화물층(330) 사이에 격자 부정합을 해소하기 위해 기판(310)의 상부면에 선택적으로 형성될 수도 있다. 여기서, 버퍼층(320)은 예를 들어 AlN 또는 GaN을 이용하여 형성될 수도 있다.
n형 질화물층(330)은 n-GaN층으로 형성될 수 있다. n형 질화물층(330)의 형성 방법은 예를 들어, NH3, 트리메탈갈륨(TMG), 및 실리콘(Si)과 같은 n형 도펀트를 포함한 실란 가스를 공급하여, n-GaN층을 n형 질화물층으로 성장할 수 있다.
n형 질화물층(330)이 형성된 후, 도 11에 도시된 바와 같이 제 1 확산층(341)과 제 2 확산층(342)이 다수 반복한 적층 구조의 전류 확산부(340)가 n형 질화물층(330)의 상부면에 형성된다.
전류 확산부(340)는 탄소를 포함하는 전류 확산용 불순물을 함유하고, 탄소의 농도가 실리콘(Si) 도펀트의 농도보다 높은 질화물층으로 형성된 제 1 확산층(341), 및 탄소의 농도가 실리콘(Si) 도펀트의 농도보다 낮은 질화물층으로 형성된 제 2 확산층(342)이 교대로 다수 반복하여 500 ~ 5000 Å의 총 두께로 형성될 수 있다.
여기서, 제 1 확산층(341)과 제 2 확산층(342)은 ALE, APCVD, PECVD, RTCVD, UHVCVD, LPCVD, MOCVD 등의 기상 에피택시 성장 방법을 이용하여 동일한 기상 에피택시 성장용 설비(도시하지 않음)에서 인시츄(in-situ)로 형성할 수 있다.
도 14는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 전류 확산부의 농도 분포를 설명하기 위한 그래프이다.
도 14에 도시된 바와 같이, 제 1 확산층(341)과 제 2 확산층(342)이 전류 확산용 불순물로서, 각각의 층은 탄소(C) 및 실리콘 도펀트를 함유한 질화물층으로 형성된다. 이러한 제1확산층(341) 및 제2확산층(342)은 NH3, 트리메탈갈륨(TMG), 및 DMHY(dimethylhydrazine)를 포함하고, 탄소(C)를 포함한 가스와 실리콘(Si)을 포함한 가스의 혼합가스를 이용하는 MOCVD 방법으로 형성할 수 있다. 그리고, 제 1 확산층(341)과 제 2 확산층(342)은 인시츄(in-situ)로 형성할 수 있다.
또한, 도 14를 참조하면, 전류 확산부에서 실리콘 도펀트는 주기적으로 농도가 변화하는 형태, 즉 델타 도핑 형태가 될 수 있다.
이때, 혼합가스의 탄소(C) 함유량과 실리콘(Si) 함유량을 조정하되, 탄소(C) 함유량을 높여 탄소(C)의 농도가 높은 제 1 확산층(341)을 먼저 형성한다. 이어서, 제 1 확산층(341)을 형성하는 과정의 마지막에 혼합가스의 실리콘(Si) 함유량을 높여 인시츄로 탄소(C) 농도보다 실리콘(Si)의 농도가 높은 제 2 확산층(342)을 형성할 수 있다.
구체적으로, 제 1 확산층(341)은 탄소(C)를 1×1016 ~ 1×1018 atoms/cm3 의 농도 범위에서 함유하고, 0.04 ~ 0.08㎛의 두께 범위로 형성될 수 있다.
선택적으로, 탄소(C)의 농도와 실리콘(Si)의 농도를 조정하는 방법이 상기의 MOCVD 방법 이외에, 이온 주입 방법(Ion Implantation)으로 탄소(C)의 주입량과 실리콘(Si) 주입량을 조정하면서 인시츄로 반복적으로 수행될 수도 있다.
이와 같이 제 1 확산층(341)과 제 2 확산층(342)의 형성은 MOCVD 설비에서 탄소(C)의 농도와 실리콘(Si)의 농도를 조정하면서 인시츄로 반복적으로 수행될 수 있다. 이에 따라, 전류 확산부(340)가 제 1 확산층(341)과 제 2 확산층(342)이 다수 반복된 적층 구조로 형성될 수 있다.
적층 구조의 전류 확산부(340)가 형성된 후, 도 12에 도시된 바와 같이 활성층(350), p형 질화물층(360) 및 투명 전극층(370)이 전류 확산부(340)의 상부면에 순차적으로 형성된다.
활성층(350)은 단일양자우물구조 또는 양자우물층과 양자장벽층이 교대로 다수 적층된 다중양자우물구조로　구비될 수 있다. 여기서, 활성층(350)은 다중양자우물구조로 이루어지되, 양자장벽층(350a)은 예컨대 알루미늄(Al)이 포함된 AlGaInN의 4원계 질화물층이고, 양자우물층(350b)은 예를 들어 InGaN으로 이루어질 수 있다.
p형 질화물층(360)은 예컨대 Mg을 도핑한 p형 AlGaN의 제 1 층과, Mg을 도핑한 p형 GaN로 이루어진 제 2 층을 번갈아가며 적층한 구조로 형성될 수 있다. 또한, p형 질화물층(360)은 n형 질화물층(330)과 마찬가지로 단일층의 p형 질화물층으로 성장시키는 것도 가능하다.
투명 전극층(370)은 예컨대, ITO, CIO, ZnO, NiO, In2O3 중 어느 하나의 투명전도성 화합물로 형성될 수 있다.
이렇게 투명 전극층(370)까지 형성된 후, 도 13에 도시된 바와 같이 투명 전극층(370)으로부터 n형 질화물층(330)의 일 영역까지 노광 에칭하여, n형 질화물층(330)의 일 영역이 노출될 수 있다.
n형 질화물층(330)의 일 영역이 노출되면, p측　전극(382)이 투명 전극층(370)의 상부면에 형성되고, n측 전극(381)이 노출된 n형 질화물층(330)의 일 영역에 형성된다.
이와 같은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 질화물 반도체 발광 소자(300)의 제조 방법은 제 1 확산층(341)과 제 2 확산층(342)이 반복된 적층 구조의 전류 확산부(340)를 인시츄로 용이하게 형성할 수 있다. 특히, 본 발명의 제 3 실시예에 따른 질화물 반도체 발광 소자(300)의 제조 방법은 탄소(C)의 농도와 실리콘(Si) 도펀트 농도를 조정하면서 제 1 확산층(341)과 제 2 확산층(342)을 인시츄로 형성할 수 있다.
따라서, 본 발명의 제 3 실시예에 따른 질화물 반도체 발광 소자의 제조 방법은 전류를 특정 영역에 집중시키지 않고 확산시키는 전류 확산부(340)를 갖는 질화물 반도체 발광 소자(300)를 용이하게 획득할 수 있다.
이하, 본 발명의 제 4 실시예에 따른 수직형 질화물 발광 소자를 도 15를 참조하여 설명한다. 도 15는 본 발명의 제 4 실시예에 따른 수직형 질화물 반도체 발광소자의 단면도이다. 여기서, 수직형 질화물 반도체 발광 소자의 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에 그 상세한 설명은 생략한다.
도 15에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제 4 실시예에 따른 수직형 질화물 발광 소자는 도 8에 도시된 수직형 질화물 반도체 발광소자와 유사하게 p측 전극 지지층(480)의 상부면 방향으로 반사층(472), 오믹 컨택층(471), p형 질화물층(460), 활성층(450), 전류 확산부(440), n형 질화물층(430) 및 n측 전극(490)을 포함하지만, 전류 확산부(440)가 제 1 확산층(241)과 제 2 확산층(242)으로 구성된 적층 구조로 형성되는 차이점이 있다.
p측 전극 지지층(480)은 전도성 지지부재로서 p측 전극의 역할을 하면서 발광 소자 작동시 발생하는 열을 충분히 발산시키며, 기계적 강도를 갖고 스크라이빙 공정 또는 브레이킹 공정을 포함한 제조 과정 중 상부면 방향의 층들을 지지해야 한다.
따라서, p측 전극 지지층(480)은 금(Au), 구리(Cu), 은(Ag) 및 알루미늄(Al) 등의 열전도도가 좋은 금속으로 형성할 수 있다. 또는, p측 전극 지지층(480)은 이런 금속들과 결정 구조 및 결정 격자 상수가 유사하여 합금시 내부 응력 발생을 최소화할 수 있으면서 기계적 강도가 있는 합금 재질로 형성할 수 있다. 예를 들어, 니켈(Ni), 코발트(Co), 백금(Pt) 및 팔라듐(Pd) 등의 경금속을 포함한 합금으로 형성하는 것이 바람직하다.
반사층(472)은 p측 전극 지지층(480)의 상부면에 선택적으로 형성될 수 있고, 활성층(450)으로부터 발산하는 광을 상부방향으로 반사시키는 반사율이 높은 금속 재질로 형성될 수 있다.
오믹 컨택층(471)은 반사층(472)의 상부면에 니켈(Ni) 또는 금(Au)의 금속, 또는 이런 금속을 함유한 질화물로 이루어진 층으로 형성되어, 낮은 저항을 갖는 오믹 컨택(Ohmic Contact)을 형성한다. 여기서, 니켈(Ni) 또는 금(Au)의 금속을 이용하여 오믹 컨택층(471)을 형성하는 경우, 오믹 컨택층(471)이 반사 기능을 수행할 수 있으므로 반사층(472)을 형성할 필요가 없다.
전류 확산부(440)는 n형 질화물층(230)의 하부면 방향으로 탄소(C)의 농도가 실리콘(Si) 도펀트 농도보다 높은 질화물층으로 형성된 제 1 확산층(241), 및 탄소(C)의 농도가 실리콘(Si) 도펀트의 농도보다 낮은 질화물층으로 형성된 제 2 확산층(242)을 다수 적층한 구조이다. 이러한 전류 확산부(440)의 적층 구조는 예컨대, 세 번 반복된 적층 구조이다.
여기서, 전류 확산부(440)는 500 ~ 5000 Å의 두께로 형성될 수 있다. 특히, 제 1 확산층(441)은 전류 확산부(440)에서 0.04 ~ 0.08㎛의 두께 범위로 형성될 수 있다.
물론, 전류 확산부(440)의 적층 구조는 제 1 확산층(441)과 제 2 확산층(442)으로 구성된 적층 구조, 또는 제 1 확산층(441)과 제 2 확산층(442)이 다수 반복된 적층 구조로 형성될 수도 있다.
이때, 전류 확산부(440)의 전류 확산용 불순물은 전류 확산을 위한 절연체로 서 탄소를 포함할 수 있다. 탄소를 포함한 전류 확산용 불순물은 1×1016 ~ 1×1018 atoms/cm3 의 농도 범위에서 함유되는 것이 바람직하다.
이와 같이 제 1 확산층(441)과 제 2 확산층(442)으로 이루어진 전류 확산부(440)가 탄소(C) 농도와 실리콘(Si) 도펀트 농도에서 교대로 차이를 가지는 특징이 있다. 이러한 특징으로 인해, 제 1 확산층(441)과 제 2 확산층(442) 사이의 계면 저항이 전류 확산부(440)에서 활성층(450)으로 수직 방향에 따른 저항보다 낮게 된다.
따라서, 본 발명의 제 4 실시예에 따른 수직형 질화물 발광 소자는 전류 확산부(440)에서 제 1 확산층(441)과 제 2 확산층(442) 사이의 계면에 따른 전류 분포, 즉 수평 방향의 전류 분포가 개선될 수 있다.
수평 방향의 전류 분포가 개선되면, 수직형 질화물 반도체 발광소자는 활성층(450)으로 유입되는 전류 밀도가 균일하게 되어 발광 면적이 넓어지므로 발광 효율이 향상될 수 있다.
이와 같은 수직형 질화물 반도체 발광소자는 일반적인 수직형 질화물 반도체 발광소자의 제조 방법으로 형성될 수 있다. 이때, 탄소(C)를 함유한 가스와 실리콘(Si)을 함유한 가스의 혼합가스를 이용하는 기상 에피택시 성장 방법을 이용하여 동일한 기상 에피택시 성장용 설비(도시하지 않음)에서 형성할 수 있다.
이때, 수직형 질화물 발광 소자의 전류 확산부(440)는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 전류 확산부(340)의 형성 과정과 동일하게 형성될 수 있다.
따라서, 본 발명의 제 4 실시예는 탄소(C) 농도가 높은 제 1 확산층(441)과 실리콘(Si) 도펀트 농도가 높은 제 2 확산층(442)으로 이루어진 적층 구조의 전류 확산부(440)를 인시츄로 형성할 수 있다. 이렇게 인시츄로 형성된 전류 확산부(440)를 포함한 수직형 질화물 발광 소자는 전류 확산부(440)에 의해 전류 밀도가 균일하게 되고 발광 효율을 향상시킬 수 있다.
본 발명의 기술사상은 상기 바람직한 실시예에 따라 구체적으로 기술되었으나, 전술한 실시예들은 그 설명을 위한 것이며, 그 제한을 위한 것이 아님을 주의하여야 한다.
또한, 본 발명의 기술분야의 통상의 전문가라면 본 발명의 기술사상의 범위 내에서 다양한 실시가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (37)

  1. n형 질화물층;
    상기 n형 질화물층 상에 전류 확산용 불순물을 포함하는 질화물로 형성된 전류 확산부;
    상기 전류 확산부 상에 형성된 활성층; 및
    상기 활성층 상에 형성된 p형 질화물층을 포함하고,
    상기 전류 확산용 불순물은 탄소(C)를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 전류 확산부는
    상기 전류 확산용 불순물이 단독으로 도핑되어 형성된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 전류 확산부는
    상기 전류 확산용 불순물과 실리콘 도펀트가 함께 도핑되어 형성된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 실리콘 도펀트는
    델타 도핑 형태로 도핑되어 있는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 전류 확산부의 두께는 상기 전류 확산용 불순물의 농도와 반비례 관계를 갖는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 전류 확산용 불순물의 농도는 1×1016 ~ 1×1018 atoms/cm3 이고,
    상기 전류 확산부의 두께는 500 ~ 5000Å 인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
  7. n형 질화물층;
    상기 n형 질화물층 상에 전류 확산용 불순물을 포함하는 질화물로 형성된 전류 확산부;
    상기 전류 확산부 상에 형성된 활성층; 및
    상기 활성층 상에 형성된 p형 질화물층을 포함하고,
    상기 전류 확산용 불순물은 탄소(C)를 포함하며,
    상기 전류 확산부는 자유 정공(free hole)의 농도가 1×1013 ~ 5×1016 /cm3 인 질화물층으로서, 상기 활성층으로 유입되는 정공을 유도하는 층인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 전류 확산부는
    상기 전류 확산용 불순물이 단독으로 도핑되어 형성된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
  9. 제 7 항에 있어서,
    상기 전류 확산부는
    상기 전류 확산용 불순물과 실리콘 도펀트가 함께 도핑되어 형성된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 실리콘 도펀트는
    델타 도핑 형태로 도핑되어 있는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
  11. 제 9 항에 있어서,
    상기 전류 확산부의 두께는 상기 전류 확산용 불순물의 농도와 반비례 관계를 갖는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
  12. 제 9 항에 있어서,
    상기 전류 확산부의 두께는 500 ~ 5000Å 인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
  13. n형 질화물층;
    상기 n형 질화물층 상에 형성된 전류 확산부;
    상기 전류 확산부 상에 형성된 활성층; 및
    상기 활성층 상에 형성된 p형 질화물층을 포함하고,
    상기 전류 확산부는 다른 층의 탄소 농도보다 높은 농도의 탄소를 함유하는 질화물층인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 전류 확산부는
    상기 전류 확산용 불순물이 단독으로 도핑되어 형성된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
  15. 제 13 항에 있어서,
    상기 전류 확산부는
    상기 전류 확산용 불순물과 실리콘 도펀트가 함께 도핑되어 형성된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
  16. 제 14 항에 있어서,
    상기 실리콘 도펀트는
    델타 도핑 형태로 도핑되어 있는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
  17. 제 13 항에 있어서,
    상기 전류 확산부는 상기 활성층의 탄소 농도 또는 상기 n형 질화물층의 탄소 농도보다 높은 농도의 탄소를 함유한 질화물층인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
  18. 제 13 항에 있어서,
    상기 전류 확산부의 탄소 농도는 1×1016 ~ 1×1018 atoms/cm3 이고,
    상기 전류 확산부의 총두께는 500 ~ 5000Å 인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
  19. 제 13 항에 있어서,
    상기 전류 확산부의 두께는 상기 전류 확산용 불순물의 농도와 반비례 관계를 갖는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
  20. 기판 상에 n형 질화물층을 형성하는 단계;
    상기 n형 질화물층 상에 전류 확산부를 형성하는 단계;
    상기 전류 확산부 상에 활성층을 형성하는 단계; 및
    상기 활성층 상에 p형 질화물층을 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 전류 확산부를 전류 확산용 불순물을 포함하는 질화물로 형성하고,
    상기 전류 확산용 불순물은 탄소(C)를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자의 제조 방법.
  21. 제 20 항에 있어서,
    상기 전류 확산부는
    상기 전류 확산용 불순물이 단독으로 도핑되어 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자 제조 방법.
  22. 제 20 항에 있어서,
    상기 전류 확산부는
    상기 전류 확산용 불순물과 실리콘 도펀트가 함께 도핑되어 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자 제조 방법.
  23. 제 22 항에 있어서,
    상기 실리콘 도펀트는
    델타 도핑 형태로 도핑되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자 제조 방법.
  24. 제 20 항에 있어서,
    상기 전류 확산부를 형성하는 단계는
    상기 전류 확산부의 탄소 농도가 상기 활성층의 탄소 농도 또는 상기 n형 질화물층의 탄소 농도 보다 높은 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자의 제조 방법.
  25. 제 20 항에 있어서,
    상기 전류 확산부를 형성하는 단계는
    상기 전류 확산부의 탄소 농도가 다른 층의 탄소 농도 보다 높은 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자의 제조 방법.
  26. 제 20 항에 있어서,
    상기 전류 확산부를 형성하는 단계에서
    상기 전류 확산부의 두께는 상기 전류 확산용 불순물의 농도와 반비례 관계를 갖는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자의 제조 방법.
  27. 제 20 항에 있어서,
    상기 전류 확산부를 형성하는 단계에서
    상기 전류 확산용 불순물의 농도는 1×1016 ~ 1×1018 atoms/cm3 이고
    상기 전류 확산부의 두께는 500 ~ 5000Å 으로 형성하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자의 제조 방법.
  28. n형 질화물층;
    상기 n형 질화물층 상에 전류 확산용 불순물과 실리콘(Si) 도펀트를 함유하여 형성된 전류 확산부;
    상기 전류 확산부 상에 형성된 활성층; 및
    상기 활성층 상에 형성된 p형 질화물층을 포함하고,
    상기 전류 확산용 불순물은 탄소(C)를 포함하고, 상기 전류 확산부는 상기 탄소(C)의 농도가 상기 실리콘(Si)의 농도보다 높은 층과 상기 실리콘(Si)의 농도가 상기 탄소(C)의 농도보다 높은 층이 교대 적층된 복수층 구조로 형성된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
  29. 제 28 항에 있어서,
    상기 전류 확산부의 두께는 상기 전류 확산용 불순물의 농도와 반비례 관계를 갖는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
  30. 제 28 항에 있어서,
    상기 전류 확산용 불순물은 탄소(C)이고,
    상기 탄소(C)가 1×1016 ~ 1×1018 atoms/cm3의 농도 범위에서 함유되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
  31. 제 28 항에 있어서,
    상기 전류 확산부의 총두께는 500 ~ 5000Å 인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
  32. 제 28 항에 있어서,
    상기 n형 질화물층으로부터 도출되는 전자가 상기 n형 질화물층과 상기 전류 확산부 사이의 계면을 따라 확산(spreading)되어 상기 활성층으로 유입되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
  33. 기판 상에 n형 질화물층을 형성하는 단계;
    상기 n형 질화물층 상에 전류 확산용 불순물과 실리콘(Si) 도펀트를 함유한 복수층 구조의 전류 확산부를 형성하는 단계;
    상기 전류 확산부 상에 활성층을 형성하는 단계; 및
    상기 활성층 상에 p형 질화물층을 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 전류 확산용 불순물은 탄소(C)를 포함하고,
    상기 탄소(C)의 농도가 상기 실리콘(Si)의 농도보다 높은 층과 상기 실리콘(Si)의 농도가 상기 탄소(C)의 농도보다 높은 층을 교대 적층하여 상기 전류 확산부를 형성하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자의 제조 방법.
  34. 제 33 항에 있어서,
    상기 전류 확산부를 형성하는 단계에서
    상기 전류 확산용 불순물은 탄소(C)이고,
    상기 탄소(C)가 1×1016 ~ 1×1018 atoms/cm3의 농도 범위에서 함유되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자의 제조 방법.
  35. 제 33 항에 있어서,
    상기 전류 확산부를 형성하는 단계는
    상기 탄소(C)를 포함한 가스와 상기 실리콘(Si) 도펀트를 포함한 가스의 혼합가스를 이용하는 기상 에피택시 성장 방법으로 상기 탄소(C)의 농도가 상기 실리콘(Si) 도펀트의 농도보다 높은 질화물층을 형성하는 단계; 및
    상기 탄소(C)의 농도가 실리콘(Si) 도펀트의 농도보다 높은 질화물층 상에 상기 기상 에피택시 성장 방법으로 상기 탄소(C)의 농도가 상기 실리콘(Si) 도펀트의 농도보다 낮은 질화물층을 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 전류 확산부를 형성하는 단계는 인시츄 방식으로 1회 이상 교대로 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자의 제조 방법.
  36. 제 33 항에 있어서,
    상기 전류 확산부를 형성하는 단계는
    이온 주입 방법(Ion Implantation)으로 질화물층에 상기 탄소(C)의 주입량과 상기 실리콘(Si) 도펀트의 주입량을 조정하여, 상기 탄소(C)의 농도가 상기 실리콘(Si) 도펀트의 농도보다 높은 질화물층을 형성하는 단계; 및
    상기 탄소(C)의 농도가 상기 실리콘(Si) 도펀트의 농도보다 높은 질화물층 상에 상기 이온 주입 방법으로 상기 탄소(C)의 농도가 상기 실리콘(Si) 도펀트의 농도보다 낮은 질화물층을 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 전류 확산부를 형성하는 단계는 인시츄 방식으로 1회 이상 교대로 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자의 제조 방법.
  37. 제 33 항에 있어서,
    상기 전류 확산부의 총두께는 500 ~ 5000Å 인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자의 제조 방법.
PCT/KR2012/006178 2011-08-08 2012-08-02 전류 확산 효과가 우수한 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조 방법 WO2013022227A2 (ko)

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JP2014524919A JP2014522125A (ja) 2011-08-08 2012-08-02 電流拡散効果に優れる窒化物半導体発光素子及びその製造方法
US14/237,299 US9099600B2 (en) 2011-08-08 2012-08-02 Nitride semiconductor light-emitting element having superior current spreading effect and method for manufacturing same

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI597862B (zh) * 2013-08-30 2017-09-01 晶元光電股份有限公司 具阻障層的光電半導體元件
TWI509835B (zh) * 2013-10-01 2015-11-21 Opto Tech Corp 白光二極體
US9923119B2 (en) 2013-10-01 2018-03-20 Opto Tech Corporation White LED chip and white LED packaging device
KR102224109B1 (ko) * 2014-07-15 2021-03-09 엘지이노텍 주식회사 발광소자, 발광소자 제조방법 및 조명시스템
US9608103B2 (en) * 2014-10-02 2017-03-28 Toshiba Corporation High electron mobility transistor with periodically carbon doped gallium nitride
CN104300064B (zh) * 2014-10-10 2018-04-24 华灿光电(苏州）有限公司 一种GaN基发光二极管的外延片及其制备方法
CN104701359B (zh) * 2015-03-10 2018-02-02 苏州能屋电子科技有限公司 垂直结构AlGaN/GaN HEMT器件及其制作方法
CN104659082B (zh) * 2015-03-12 2018-02-02 苏州能屋电子科技有限公司 垂直结构AlGaN/GaN HEMT器件及其制作方法
CN105845788B (zh) * 2016-04-08 2018-02-09 湘能华磊光电股份有限公司 一种led电流扩展层外延生长方法
CN105870282B (zh) * 2016-04-14 2018-02-16 湘能华磊光电股份有限公司 一种电流扩展层的生长方法及含此结构的led外延结构
CN105869994B (zh) * 2016-04-14 2018-04-06 湘能华磊光电股份有限公司 一种超晶格层的生长方法及含此结构的led外延结构
DE102017104719A1 (de) * 2017-03-07 2018-09-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierender Halbleiterkörper und Halbleiterchip
KR102432226B1 (ko) * 2017-12-01 2022-08-12 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 반도체 소자
CN109346566A (zh) * 2018-08-31 2019-02-15 华灿光电（浙江）有限公司 一种氮化镓基发光二极管外延片及其制备方法
TWI816186B (zh) * 2021-09-28 2023-09-21 晶元光電股份有限公司 發光元件及其製造方法
US20240128419A1 (en) * 2022-09-29 2024-04-18 Bolb Inc. Current spreading structure for light-emitting diode

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20100027410A (ko) 2008-09-02 2010-03-11 엘지이노텍 주식회사 반도체 발광소자 및 그 제조방법

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5693963A (en) 1994-09-19 1997-12-02 Kabushiki Kaisha Toshiba Compound semiconductor device with nitride
JP3491375B2 (ja) * 1995-03-30 2004-01-26 昭和電工株式会社 発光素子及びその製造方法
JPH0992883A (ja) * 1995-09-28 1997-04-04 Toshiba Corp 半導体ウェハ、半導体素子、その製造方法及び半導体素子の製造に用いる成長装置
JP3744211B2 (ja) * 1997-09-01 2006-02-08 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体素子
JP3897448B2 (ja) * 1998-04-27 2007-03-22 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体発光素子
JP2000101133A (ja) 1998-09-21 2000-04-07 Hitachi Cable Ltd 発光素子用エピタキシャルウェハ及びその製造方法
JP3063756B1 (ja) * 1998-10-06 2000-07-12 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体素子
US6810065B1 (en) * 2000-11-28 2004-10-26 Optical Communication Productions, Inc. Low electrical resistance n-type mirror for optoelectronic devices
WO2003036697A2 (en) * 2001-10-22 2003-05-01 Yale University Methods of hyperdoping semiconductor materials and hyperdoped semiconductor materials and devices
US7498182B1 (en) * 2005-03-18 2009-03-03 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Method of manufacturing an ultraviolet light emitting AlGaN composition and ultraviolet light emitting device containing same
WO2007013257A1 (ja) 2005-07-29 2007-02-01 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 窒化物系半導体素子
KR100674862B1 (ko) 2005-08-25 2007-01-29 삼성전기주식회사 질화물 반도체 발광 소자
KR101073249B1 (ko) 2005-09-06 2011-10-12 엘지이노텍 주식회사 수직형 발광 다이오드 및 그 제조방법
JP5068020B2 (ja) 2006-02-20 2012-11-07 シャープ株式会社 窒化物半導体発光素子の製造方法
KR100738399B1 (ko) 2006-04-18 2007-07-12 삼성전기주식회사 질화물 반도체 발광소자
JP2008066514A (ja) 2006-09-07 2008-03-21 Hitachi Cable Ltd 半導体発光素子用エピタキシャルウェハ及び半導体発光素子
KR100979701B1 (ko) 2008-08-25 2010-09-03 서울옵토디바이스주식회사 변조도핑층을 갖는 발광 다이오드
JP2010232649A (ja) 2009-03-06 2010-10-14 Showa Denko Kk Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子及びその製造方法、並びにランプ
US8536615B1 (en) * 2009-12-16 2013-09-17 Cree, Inc. Semiconductor device structures with modulated and delta doping and related methods
TW201126755A (en) 2010-01-29 2011-08-01 Advanced Optoelectronic Tech Light emitting diode and method for manufacturing the same

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20100027410A (ko) 2008-09-02 2010-03-11 엘지이노텍 주식회사 반도체 발광소자 및 그 제조방법

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
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