WO2013022228A2 - 누설전류 차단 효과가 우수한 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조 방법 - Google Patents

누설전류 차단 효과가 우수한 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조 방법 Download PDF

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WO2013022228A2
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박정원
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일진머티리얼즈 주식회사
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    • H01L33/14—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a carrier transport control structure, e.g. highly-doped semiconductor layer or current-blocking structure

Definitions

  • the present invention relates to a nitride semiconductor light emitting device and a method for manufacturing the same, and more particularly to a nitride semiconductor light emitting device capable of blocking a leakage current and a method for manufacturing the same.
  • FIG. 1 schematically shows a general nitride semiconductor light emitting device.
  • the nitride semiconductor light emitting device includes a buffer layer 11, an n-type nitride layer 12, an active layer 15 having a multi-quantum well structure, and a p-type nitride layer 14 on a sapphire substrate 10. This includes a sequentially stacked structure.
  • the p-side electrode 15 is formed on the upper surface of the p-type nitride layer 14, and the n-side electrode 16 is formed on the exposed surface of the n-type nitride semiconductor layer 12.
  • the nitride semiconductor light emitting device injects electrons and holes into the active layer 13 and emits light when the electrons and holes are recombined.
  • One object of the present invention is to provide a nitride semiconductor light emitting device that prevents leakage current to improve luminous efficiency.
  • Another object of the present invention is to provide a method of manufacturing the above-mentioned nitride semiconductor light emitting device.
  • the nitride semiconductor light emitting device of the present invention for achieving the above object comprises a current blocking portion formed between the substrate and the n-type nitride layer; An active layer formed on an upper surface of the n-type nitride layer; And a p-type nitride layer formed on an upper surface of the active layer, wherein the current blocking unit contains an insulating material.
  • the current blocking unit includes at least one of an oxide layer, an undoped nitride layer, an oxide layer containing at least one of Ti, Fe, and Cr current blocking impurities, and the current blocking impurities. It characterized in that it comprises a nitride layer containing, and at least one layer of the Al containing nitride layer.
  • the current blocking unit is an Al-containing nitride layer, for example, an Al x Ga (1-x) N layer, and x has an aluminum content of 0.1 to 0.4, and has a thickness of 0.02 ⁇ m to 0.5 ⁇ m. It is characterized by having a thickness range.
  • the product (xT) of the aluminum content (x) and the current blocking part thickness (T) is 0.01 to 0.06.
  • the current blocking unit includes: a first current blocking layer formed in the substrate direction; A second current blocking layer formed on an upper surface of the first current blocking layer; And a third current blocking layer formed on an upper surface of the second current blocking layer, wherein the first current blocking layer is an n-AlGaN layer containing an n-type dopant.
  • the second current blocking layer is a p-AlGaN layer containing a p-type dopant
  • the third current blocking layer is an n-AlGaN layer containing an n-type dopant.
  • a method of manufacturing a nitride semiconductor light emitting device comprises the steps of forming a current blocking unit on the substrate; Forming an n-type nitride layer on the current blocking unit; Forming an active layer on the n-type nitride layer; And forming a p-type nitride layer on the active layer, wherein the current blocking unit contains an insulating material.
  • the forming of the current blocking unit further includes forming a buffer layer between the substrate and the n-type nitride layer, wherein the current blocking unit is an upper surface of the buffer layer. And at least one of a lower surface of the buffer layer and an inside of the buffer layer.
  • the nitride semiconductor light emitting device of the present invention and a method of manufacturing the same, an effect of improving the luminous efficiency by allowing a current to flow only into the active layer without leaking into the buffer layer and the substrate by using a current blocking unit that performs a function of current blocking. There is.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view showing the basic structure of a conventional nitride semiconductor light emitting device.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating a nitride semiconductor light emitting device according to an embodiment of the present invention.
  • FIG 3 is a cross-sectional view illustrating a nitride semiconductor light emitting device according to another embodiment of the present invention.
  • 4 to 8 are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a nitride semiconductor light emitting device according to another embodiment of the present invention.
  • the nitride semiconductor light emitting device may include a substrate 100, a buffer layer 110, a current blocking unit 120, an n-type nitride layer 130, and an active layer 140. and a p-type nitride layer 150, a transparent electrode layer 160, a p-side electrode 171, and an n-side electrode 172.
  • the substrate 100 may be a GaN substrate or a sapphire substrate having an uneven structure formed on an upper surface thereof.
  • the buffer layer 110 is a layer provided to cover the upper surface of the substrate 100 selectively, and may be formed of AlN or GaN to solve the lattice mismatch between the substrate 100 and the current blocking unit 120.
  • the buffer layer 110 may be formed in a form covering the upper surface of the substrate 100, the concave-convex structure is formed.
  • the current blocking unit 120 is formed between the buffer layer 110 and the n-type nitride layer 130 and supplies current to the buffer layer 110 and the substrate 100 so that the current flows to the active layer 140 without leakage. Can block function.
  • the current blocking unit 120 may be formed on any one of the upper surface, the lower surface and the inside of the buffer layer 110.
  • the current blocking unit 120 may be formed of an oxide layer, an undoped nitride layer, a layer made of an oxide or nitride containing at least one of impurity blocking currents such as Ti, Fe, Cr, or an Al-containing nitride layer. Can be.
  • the current blocking unit 120 may include, for example, an oxide layer such as SiO 2 , a SiN layer, an undoped GaN layer, and a nitride such as InGaN, or Ti, Fe, Cr, or the like. It may be formed of a layer containing an impurity for blocking current of the AlGaN layer.
  • the thickness of the current blocking unit 120 is determined according to the material of the layer. For example, when the layer is made of AlGaN, it may have a thickness range of 0.02 ⁇ m to 0.5 ⁇ m. In this case, when the thickness of the current blocking unit 120 is outside this range and the thickness of the current blocking unit 120 is less than 0.02 ⁇ m, current blocking may not be performed. When the current blocking unit 120 exceeds 0.5 ⁇ m, lattice mismatch occurs with the n-type nitride layer 130, resulting in strain defects. Generates.
  • the n-type nitride layer 130 is a layer provided on the upper surface of the current blocking unit 120.
  • a first layer made of AlGaN doped with Si and a second layer made of GaN of undoped are alternately provided. It may be formed in a laminated structure.
  • the n-type nitride layer 130 may be grown as a single nitride layer, but may be formed as a stacked structure in which the first layer and the second layer are alternately provided to act as a carrier-limiting layer having good crystallinity without cracks. Can be.
  • the active layer 140 may be provided as a single layer between the n-type nitride layer 130 and the p-type nitride layer 150 or a multi-quantum well structure in which a plurality of quantum well layers and quantum barrier layers are alternately stacked. Can be.
  • the active layer 140 is made of a multi-quantum well structure
  • the quantum barrier layer may be a quaternary nitride layer of AlGaInN containing Al, for example, the quantum well layer may be made of, for example, InGaN.
  • the active layer 140 of such a structure can suppress spontaneous polarization due to stress and deformation generated.
  • the p-type nitride layer 150 may be formed, for example, in a stacked structure in which a first layer of p-type AlGaN doped with Mg with a p-type dopant is alternated with a second layer made of p-type GaN doped with Mg. .
  • the p-type nitride layer 150 may act as a carrier limiting layer similarly to the n-type nitride layer 130.
  • the transparent electrode layer 160 is made of a transparent conductive oxide on the upper surface of the p-type nitride layer 150, and the material includes elements such as In, Sn, Al, Zn, Ga, and the like, for example, ITO, CIO, and ZnO. , NiO, In 2 O 3 It may be formed.
  • Such a nitride semiconductor light emitting device is provided with a current blocking unit 120 between the buffer layer 110 and the n-type nitride layer 130, the current by the insulating function of the current blocking unit 120 May flow to the active layer 140 without leaking to the buffer layer 110 and the substrate 100.
  • the current blocking unit 120 is provided between the buffer layer 110 and the n-type nitride layer 130, but is not limited thereto, the current blocking unit 120 is formed between the substrate 100 and the buffer layer 110 or Or may be formed inside the buffer layer 110.
  • the current blocking unit 120 In order to verify the efficiency of the current blocking unit 120, for example, a current blocking between the buffer layer 110 of 2 ⁇ m thickness and the n-type nitride layer 130 of 4 ⁇ m thickness in a chip of 1200 ⁇ m 600 ⁇ m size
  • the Al content of the current blocking unit 120 is in the range of 10 to 40 atom% of the total number of atoms of aluminum (Al) and gallium (Ga), that is, x in the range of 0.1 to 0.4 in Al x Ga (1-x) N It is desirable to have.
  • the conditions of the other layers are the same, and after forming the Al x Ga (1-x) N current blocking unit 120 of the Al content (x) and the layer thickness ( ⁇ m) conditions shown in Table 1, respectively, The rate (%) at which the measured voltage was detected by 2.1 V or more by applying a current of 1 mA was shown, that is, the yield of 1 mA Vf.
  • This characteristic may be regarded as a result of the current blocking unit 120 performing a function of blocking current so that the current flows only into the active layer 140 without leaking into the buffer layer 110 and the substrate 100.
  • a nitride semiconductor light emitting device according to another embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 3.
  • the detailed description of the related known structure or function of the nitride semiconductor light emitting device may obscure the gist of the present invention, the detailed description thereof will be omitted.
  • the nitride semiconductor light emitting device includes a substrate 200, a buffer layer 210, a current blocking unit 220 formed of a stacked structure of at least three layers, and an n-type nitride layer. 230, an active layer 240, a p-type nitride layer 250, a transparent electrode layer 260, a p-side Z electrode 271 and an n-side electrode 272.
  • the current blocking unit 220 may include a first current blocking layer 221, a second current blocking layer 222, and a third current blocking layer 223 sequentially formed on an upper surface of the buffer layer 210. .
  • Each of the current blocking layers 221, 222, and 223 of the current blocking unit 220 is selected from an oxide layer, a nitride layer, a layer made of an oxide or nitride containing at least one impurity for blocking current such as Ti, Fe, Cr, and an AlGaN layer. It can be formed of either layer.
  • each of the current blocking layers 221, 222, and 223 is formed by selecting any one of the above layers, and the first current blocking layer 221 is an oxide layer of SiO 2 and a second current blocking layer 222.
  • the nitride layer of silver undoped GaN and the third current blocking layer 223 may be formed of an AlGaN layer.
  • each of the first current blocking layer 221 to the third current blocking layer 223 contains an Al content in the range of 10 to 40 atom% of the total number of atoms of aluminum (Al) and gallium (Ga), respectively, n
  • the nitride layer having a dopant or a p-type dopant may be formed into an npn multilayer structure of an AlGaN layer containing an n-type dopant / AlGaN layer containing an p-type dopant / AlGaN layer containing an n-type dopant.
  • each of the first current blocking layer 221 to the third current blocking layer 223 may be preferably formed such that the product of Al content (x) and thickness ( ⁇ m) has a range of 0.01 to 0.06.
  • the n-type dopant of the first current blocking layer 221 and the third current blocking layer 223 is contained at a higher concentration than the p-type dopant concentration of the second current blocking layer 222.
  • the nitride semiconductor light emitting device applies an npn nitride stacked structure containing an n-type dopant or a p-type dopant from the first current blocking layer 221 to the third current blocking layer 223. .
  • the nitride semiconductor light emitting device contains the p-type dopant under the influence of the n-AlGaN layer containing the high-concentration n-type dopant up and down in the current blocking unit 220 having the npn structure.
  • a junction region of the p-AlGaN layer is formed as a depletion region so that the current is blocked, thereby completely blocking the current leaking into the buffer layer 210 and the substrate 200.
  • the method of manufacturing a nitride semiconductor light emitting device according to another embodiment of the present invention is an npn nitride stacked structure containing an n-type dopant or p-type dopant from the first current blocking layer 221 to the third current blocking layer 223 It will be described by applying the current blocking unit 220.
  • the buffer layer 210 and the first current blocking layer 221 are sequentially formed on the upper surface of the substrate 200.
  • the substrate 200 may be a GaN substrate or a sapphire substrate having an uneven structure formed on an upper surface thereof.
  • a concave-convex structure is formed on the upper surface by using a sapphire substrate as the substrate 200. can do.
  • the buffer layer 210 may be selectively formed on the upper surface of the substrate 200 using a material such as AlN or GaN to eliminate the lattice mismatch between the substrate 110 and the first current blocking layer 221.
  • the buffer layer 210 may be formed in a form covering the upper surface of the substrate 200, the concave-convex structure is formed.
  • a first current blocking layer 221 is formed on the top surface of the buffer layer 210.
  • the first current blocking layer 221 is selected from an oxide layer, an undoped nitride layer, a layer made of an oxide or nitride containing at least one of current blocking impurities such as Ti, Fe, Cr, and an Al-containing nitride layer. It can be formed of either layer.
  • the Al-containing nitride layer may be an AlGaN layer.
  • the first current blocking layer 221 is any one selected from atomic layer epitaxy (ALE), atmospheric pressure chemical vapor deposition (APCVD), metal organic chemical vapor deposition (MOCVD), and plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD).
  • ALE atomic layer epitaxy
  • APCVD atmospheric pressure chemical vapor deposition
  • MOCVD metal organic chemical vapor deposition
  • PECVD plasma enhanced chemical vapor deposition
  • the n-AlGaN layer can be formed by the vapor phase epitaxy growth method.
  • the first current blocking layer 221 may be formed of an n-AlGaN layer in which an n-type dopant is implanted by an ion implantation method after forming an AlGaN layer by a vapor phase epitaxy growth method.
  • the first current blocking layer 221 is formed of an n-AlGaN layer, Al content is 10 ⁇ 40 atom% of the total number of atoms of aluminum and gallium, that is, Al x Ga (1-x) N (0.1 ⁇ x ⁇ 0.4 It can be formed to be adjusted within the range of).
  • the first current blocking layer 221 may be formed so that the product of Al content (x) and thickness ( ⁇ m) has a range of 0.01 to 0.06.
  • a second current blocking layer 222 of the p-AlGaN layer is formed on the upper surface of the first current blocking layer 221.
  • the second current blocking layer 222 is an oxide layer, an undoped nitride layer, a layer made of an oxide or nitride containing at least one impurity for current blocking, such as Ti, Fe, Cr, and Al x Ga (1-x) N It may be formed of any one selected from (0.1 ⁇ x ⁇ 0.4) layer.
  • the second current blocking layer 222 is preferably a gaseous epitaxy growth method selected from ALE, APCVD, and PECVD, similarly to the first current blocking layer 221, and the product of the Al content and the layer thickness is in the range of 0.01 to 0.06. It may be formed of a p-AlGaN layer having a.
  • a third current blocking layer 223 of the n-AlGaN layer is formed on the top surface of the second current blocking layer 222 as shown in FIG. 6.
  • the third current blocking layer 223 is formed of an oxide or nitride containing at least one impurity for current blocking, such as an oxide layer, an undoped nitride layer, Ti, Fe, or Cr, similarly to the first current blocking layer 221. , And an Al x Ga (1-x) N (0.1 ⁇ x ⁇ 0.4) layer.
  • the third current blocking layer 223 is formed of an n-AlGaN layer having a product of Al content and layer thickness in a range of 0.01 to 0.06 by a vapor phase epitaxy growth method in the same manner as the first current blocking layer 221. Can be.
  • the n-type nitride layer 230 has a third current.
  • the upper surface of the blocking layer 223 is formed.
  • the current blocking unit 220 is formed on the upper surface of the buffer layer 210, the current blocking unit 220 may be formed on any one of the upper surface, the lower surface and the inside of the buffer layer 210.
  • the n-type nitride layer 230 may be formed by supplying a silane gas including an n-type dopant such as NH 3 , trimetalgallium (TMG), and Si to convert the n-GaN layer into an n-type nitride layer 230. To grow).
  • a silane gas including an n-type dopant such as NH 3 , trimetalgallium (TMG), and Si to convert the n-GaN layer into an n-type nitride layer 230.
  • TMG trimetalgallium
  • the active layer 240 is grown on the top surface of the n-type nitride layer 230.
  • the active layer 240 may be formed in a single quantum well structure or a multi-quantum well structure in which a plurality of quantum well layers and a quantum barrier layer are alternately stacked.
  • the active layer 240 according to another embodiment of the present invention may include a quantum well layer and a quantum well layer. A multi-quantum well structure in which a plurality of quantum barrier layers are alternately stacked is applied.
  • the quantum barrier layer of the active layer 240 is, for example, a quaternary nitride layer of AlGaInN containing Al
  • the quantum well layer is formed of, for example, a multi-quantum well structure in which a plurality of InGaN layers are stacked, thereby spontaneous polarization due to stress and deformation. It is formed to suppress.
  • the p-type nitride layer 250 and the transparent electrode layer 260 are sequentially formed in the upper surface direction of the active layer 240 similarly to the general nitride semiconductor light emitting device.
  • lithography etching and cleaning are performed from one region of the transparent electrode layer 260 to a part of the n-type nitride layer 230, thereby cleaning the n-type nitride layer ( Some areas of 230 may be exposed.
  • the p-side electrode 271 and the n-side electrode 2 may be formed on the upper surface of the transparent electrode layer 260 and each of the exposed portions of the n-type nitride layer 230. 272).
  • Such a method of manufacturing a nitride semiconductor light emitting device includes an AlGaN layer / p-type dopant containing an n-type dopant from the first current blocking layer 221 to the third current blocking layer 223.
  • a method of forming a current blocking portion 220 of an npn nitride stacked structure of an AlGaN layer containing an AlGaN layer / n-type dopant is described, the current blocking portion 220 is not limited thereto and is formed of a laminated structure of three or more layers. May be
  • the current is leaked to the buffer layer 210 and the substrate 200 by using the current blocking unit 220 having a laminated structure of three or more layers.
  • a nitride semiconductor light emitting device that can be prevented can be provided.

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Abstract

본 발명은 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조 방법을 공개한다. 본 발명의 질화물 반도체 발광소자는 기판과 n형 질화물층 사이에 형성된 전류 차단부, 상기 n형 질화물층의 상부면에 형성된 활성층, 및 상기 활성층의 상부면에 형성된 p형 질화물층을 포함하고, 상기 전류 차단부는 AlxGa(1-x)N층이고, 상기 Al 함량(x)과 층 두께(㎛)의 곱이 0.01~0.06 범위를 갖는 것을 특징으로 한다. 따라서, 본 발명의 질화물 반도체 발광소자는 누설 전류의 발생을 방지하는 전류 차단부를 형성하여 발광 효율을 향상시킬 수 있다.

Description

누설전류 차단 효과가 우수한 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조 방법
본 발명은 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 특히 누설 전류를 차단할 수 있는 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
도 1은 일반적인 질화물 반도체 발광소자를 개략적으로 나타낸 것이다.
질화물 반도체 발광소자는 도 1에 도시된 바와 같이, 사파이어 기판(10) 상에 버퍼층(11), n형 질화물층(12), 다중양자우물 구조의 활성층(15) 및 p형 질화물층(14)이 순차적으로 적층된 구조를 포함한다. p형 질화물층(14)의 상부면에는 p측 전극(15)이 형성되고, n형 질화물 반도체층(12)의 노출된 면에는 n측 전극(16)이 형성된다.
질화물 반도체 발광소자는 활성층(13)에 전자와 정공을 주입하고 이 전자와 정공들이 재결합되면서 발광하게 된다.
이러한 활성층(13)의 발광효율을 향상시키기 위해, 광추출 효율 즉, 내부양자효율과 외부양자효율을 개선하는 두　측면에서 연구가 활발히 진행되고 있다.
일반적으로, 내부양자효율에 관련된 개선 방안은 대한민국 공개특허공보 제10-2010-0037433호(2010.04.09. 공개)에 개시된 바와 같이, 주로 활성층으로부터 발생하는 광 효율을 높이는 데 주안점이 있었다.
한편, 질화물 반도체 발광소자의 면적이 커짐에 따라, 면적 전체적으로 전류 확산(current spreading)이 균일하게 이루어지기 어렵다. 이에 따라 질화물 반도체 발광소자의 n형 질화물 반도체층과 버퍼층 사이에 누설 전류(leakage current)가 증가하게 된다. 이러한 누설 전류의 증가로 인하여 활성층에서 낮은 전류 밀도를 나타내게 되어, 내부양자효율이 저하되는 문제가 발생한다.
본 발명의 하나의 목적은 누설 전류를 방지하여 발광 효율을 향상시킨 질화물 반도체 발광소자를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 상기의 상기의 질화물 반도체 발광소자의 제조 방법을 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 질화물 반도체 발광소자는 기판과 n형 질화물층 사이에 형성된 전류 차단부; 상기 n형 질화물층의 상부면에 형성된 활성층; 및 상기 활성층의 상부면에 형성된 p형 질화물층을 포함하고, 상기 전류 차단부는 절연 물질을 함유하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 질화물 반도체 발광소자에서 상기 전류 차단부는 산화물층, 언도프(undoped) 질화물층, Ti, Fe 및 Cr의 전류 차단용 불순물 중 적어도 하나를 함유한 산화물층, 상기 전류 차단용 불순물 중 적어도 하나를 함유한 질화물층, 및 Al 함유 질화물층 중 하나 이상의 층을 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 질화물 반도체 발광소자에서 상기 전류 차단부는 Al 함유 질화물층, 예를 들어 AlxGa(1-x)N 층이고, 상기 x가 0.1~0.4인 알루미늄 함량을 가지며, 0.02㎛ ~ 0.5㎛의 두께 범위를 가지는 것을 특징으로 한다.
보다 바람직하게는 본 발명의 질화물 반도체 발광소자에서 상기 전류 차단부는 상기 알루미늄 함량(x)와 전류 차단부 두께(T)의 곱(xT)이 0.01~0.06이다.
본 발명의 질화물 반도체 발광소자에서 상기 전류 차단부는 상기 기판 방향에 형성된 제 1 전류 차단층; 상기 제 1 전류 차단층의 상부면에 형성된 제 2 전류 차단층; 및 상기 제 2 전류 차단층의 상부면에 형성된 제 3 전류 차단층을 포함하여 적어도 3층의 적층 구조로 형성되고, 상기 제 1 전류 차단층은 n형 도펀트를 함유한 n-AlGaN 층이며, 상기 제 2 전류 차단층은 p형 도펀트를 함유한 p-AlGaN 층이며, 상기 제 3 전류 차단층은 n형 도펀트를 함유한 n-AlGaN 층 인 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 질화물 반도체 발광소자의 제조 방법은 기판 상에 전류 차단부를 형성하는 단계; 상기 전류 차단부 상에 n형 질화물층을 형성하는 단계; 상기 n형 질화물층 상에 활성층을 형성하는 단계; 및 상기 활성층 상에 p형 질화물층을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 전류 차단부는 절연 물질을 함유하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 질화물 반도체 발광소자의 제조 방법에서 상기 전류 차단부를 형성하는 단계는 상기 기판과 n형 질화물층 사이에 버퍼층을 형성하는 단계를 더 포함하고, 상기 전류 차단부는 상기 버퍼층의 상부면, 상기 버퍼층의 하부면 및 상기 버퍼층의 내부 중 적어도 어느 하나에 형성되는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 질화물 반도체 발광소자 및 이의 제조 방법에 의하면, 전류 차단의 기능을 수행하는 전류 차단부를 이용하여, 전류가 버퍼층과 기판으로 누설되지 않고 활성층으로만 흐르게 함으로써, 발광효율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
도 1은 종래의 질화물 반도체 발광 소자의 기본 구조를 나타낸 단면도.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 질화물 반도체 발광소자를 설명하기 위한 단면도.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 질화물 반도체 발광소자를 설명하기 위한 단면도.
도 4 내지 도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 질화물 반도체 발광소자의 제조 방법을 설명하기 위한 공정 단면도.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세하게 설명한다. 여기서, 본 발명의 실시 형태는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시 형태로 한정되는 것은 아니다.
도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일실시예에 따른 질화물 반도체 발광소자는 기판(100), 버퍼층(110), 전류 차단부(120), n형 질화물층(130), 활성층(140), p형 질화물층(150), 투명 전극층(160), p측　전극(171) 및 n측 전극(172)을 포함한다.
기판(100)은 GaN 기판, 또는 상부면에 요철 구조가 형성된 사파이어 기판을 사용할 수 있다.
버퍼층(110)은 선택적으로 기판(100)의 상부면을 덮도록 구비되는 층으로, 기판(100)과 전류 차단부(120) 사이의 격자 부정합을 해소하기 위해 AlN 또는 GaN으로 형성할 수 있다. 여기서, 기판(100)으로 상부면에 요철 구조가 형성된 사파이어 기판을 사용할 경우, 버퍼층(110)은 요철 구조가 형성된 기판(100)의 상부면을 매립하여 덮는 형태로 형성될 수도 있다.
전류 차단부(120)는 버퍼층(110)과 n형 질화물층(130) 사이에 형성되고, 버퍼층(110)과 기판(100)으로 전류가 누설되지 않고 활성층(140)에 한정하여 흐르도록 전류를 차단하는 기능을 수행할 수 있다. 여기서, 전류 차단부(120)는 버퍼층(110)의 상부면, 하부면 및 내부 중 어느 하나에 형성될 수도 있다.
전류 차단부(120)는 산화물층, 언도프(undoped) 질화물층, Ti, Fe, Cr 등의 전류 차단용 불순물을 적어도 하나를 함유한 산화물 또는 질화물로 이루어진 층, 또는 Al 함유 질화물층으로 형성할 수 있다. 여기서, 전류 차단부(120)는 구체적으로, SiO2 와 같은 산화물층, SiN층, 언도우프의 GaN(undope-GaN) 층 및 InGaN 과 같은 질화물, 또는 이러한 산화물 또는 질화물에 Ti, Fe, Cr 등의 전류 차단용 불순물이 함유된 층, AlGaN 층으로 형성할 수도 있다.
전류 차단부(120)의 두께는 층의 재질에 따라 결정되며, 예를 들어 AlGaN으로 이루어진 층인 경우에는 0.02㎛ ~ 0.5㎛ 의 두께 범위를 가질 수 있다. 여기서, 전류 차단부(120)의 두께가 이 범위를 벗어나 0.02㎛ 미만에서는 전류 차단을 수행할 수 없고, 0.5㎛를 초과하면 n형 질화물층(130)과 격자 부정합이 발생하여 변형(strain) 결함을 발생시킨다.
n형 질화물층(130)은 전류 차단부(120)의 상부면에 구비되는 층으로 예컨대, Si을 도핑한 AlGaN으로 이루어진 제 1 층, 및 언도우프의 GaN으로 이루어진 제 2 층이 번갈아가며 구비된 적층 구조로 형성될 수 있다. 물론, n형 질화물층(130)은 단일의 질화물층으로 성장시키는 것도 가능하나, 제 1 층과 제 2 층이 번갈아가며 구비된 적층 구조로 형성하여 크랙이 없는 결정성이 좋은 캐리어 제한층으로 작용할 수 있다.
활성층(140)은 n형 질화물층(130)과 p형 질화물층(150) 사이에서 단일양자우물구조 또는 양자우물층과 양자장벽층이 교대로 다수 적층된 다중양자우물구조로　이루어진 층으로 구비될 수 있다. 여기서, 활성층(140)은 다중양자우물구조로 이루어지되, 양자장벽층은 예컨대 Al이 포함된 AlGaInN의 4원계 질화물층이고, 양자우물층은 예를 들어 InGaN으로 이루어질 수 있다. 이러한 구조의 활성층(140)은 발생하는 응력과 변형에 의한 자발적인 분극을 억제할 수 있다.
p형 질화물층(150)은 예컨대 Mg을 p형 도펀트로 도핑한 p형 AlGaN의 제 1 층과, Mg을 도핑한 p형 GaN로 이루어진 제 2 층을 번갈아가며 구비한 적층 구조로 형성될 수 있다. 또한, p형 질화물층(150)은 n형 질화물층(130)과 마찬가지로 캐리어 제한층으로 작용할 수 있다.
투명 전극층(160)은 p형 질화물층(150)의 상부면에 투명전도성 산화물로 이루어지고, 그 재질은 In, Sn, Al, Zn, Ga 등의 원소를 포함하며, 예컨대, ITO, CIO, ZnO, NiO, In2O3 중 어느 하나로 형성될 수 있다.
이와 같은 본 발명의 일실시예에 따른 질화물 반도체 발광소자는 버퍼층(110)과 n형 질화물층(130) 사이에 전류 차단부(120)를 구비하여, 전류 차단부(120)의 절연 기능으로 전류가 버퍼층(110)과 기판(100)으로 누설되지 않고 활성층(140)에 한정하여 흐를 수 있다.
여기서, 전류 차단부(120)가 버퍼층(110)과 n형 질화물층(130) 사이에 구비되지만, 이에 한정되지 않고 전류 차단부(120)가 기판(100)과 버퍼층(110) 사이에 형성되거나, 또는 버퍼층(110)의 내부에 형성될 수도 있다.
이러한 전류 차단부(120)의 효율을 검증하기 위해서, 예를 들어 1200㎛×600㎛크기의 칩에서 2㎛ 두께의 버퍼층(110)과 4㎛ 두께의 n형 질화물층(130) 사이에 전류 차단부(120)가 소정의 두께와 AlGaN층으로 형성되는 경우를 적용한다. 여기서, 전류 차단부(120)의 Al 함량은 알루미늄(Al)과 갈륨(Ga) 전체 원자수의 10~40atom%, 즉 AlxGa(1-x)N에서 상기 x가 0.1~0.4의 범위를 갖는 것이 바람직하다.
구체적으로, 다른 층들의 조건은 동일하게 하고, 표 1에 기재된 Al 함량(x)과 층 두께(㎛) 조건의 AlxGa(1-x)N 전류 차단부(120)를 각각 형성한 후, 1㎂의 전류를 인가하여 측정된 전압이 2.1V 이상으로 검출되는 비율(%), 즉 1㎂Vf 수율을 나타내었다.
[표 1]
Figure PCTKR2012006179-appb-I000001
표 1을 참조하면, 1㎂Vf 수율은 Al 함량(x)과 두께(㎛)의 곱이 0.01~0.06까지의 범위에서 향상되고, 이에 따라 저전류 수율이 높아지는 것을 알 수 있다.
이러한 특성은 전류 차단부(120)가 전류 차단의 기능을 수행하여, 전류가 버퍼층(110)과 기판(100)으로 누설되지 않고 활성층(140)으로만 흐르게 한 결과라고 볼 수 있다.
이하, 본 발명의 다른 실시예에 따른 질화물 반도체 발광소자를 도 3을 참조하여 설명한다. 여기서, 질화물 반도체 발광 소자의 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에 그 상세한 설명은 생략한다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 질화물 반도체 발광소자는 도 3에 도시된 바와 같이, 기판(200), 버퍼층(210), 적어도 3층의 적층 구조로 형성된 전류 차단부(220), n형 질화물층(230), 활성층(240), p형 질화물층(250), 투명 전극층(260), p측　전극(271) 및 n측 전극(272)을 포함한다.
전류 차단부(220)는 버퍼층(210)의 상부면에 순차적으로 형성된 제 1 전류 차단층(221), 제 2 전류 차단층(222), 및 제 3 전류 차단층(223)으로 구성될 수 있다.
전류 차단부(220)의 전류 차단층들(221,222,223) 각각은 산화물층, 질화물층, Ti, Fe, Cr 등의 전류 차단용 불순물을 적어도 하나 함유한 산화물 또는 질화물로 이루어진 층, 및 AlGaN 층 중 선택된 어느 하나의 층으로 형성될 수 있다.
예를 들어, 전류 차단층들(221,222,223) 각각은 상기의 층들 중 어느 하나의 층을 선택하여 형성되되, 제 1 전류 차단층(221)은 SiO2 의 산화물층, 제 2 전류 차단층(222)은 언도프 GaN의 질화물층, 제 3 전류 차단층(223)은 AlGaN층으로 형성될 수도 있다.
여기서, 제 1 전류 차단층(221)부터 제 3 전류 차단층(223)은 각각 Al 함량을 알루미늄(Al)과 갈륨(Ga) 전체 원자수의 10~40atom%의 범위에서 차별적으로 함유하고, n형 도펀트 또는 p형 도펀트를 갖는 질화물층으로 n형 도펀트를 함유한 AlGaN층/p형 도펀트를 함유한 AlGaN층/n형 도펀트를 함유한 AlGaN층의 npn 다층 구조로 형성될 수도 있다.
물론, 제 1 전류 차단층(221)부터 제 3 전류 차단층(223) 각각은 바람직하게 Al 함량(x)과 두께(㎛)의 곱이 0.01~0.06 까지의 범위를 갖도록 형성될 수 있다.
이때, 제 1 전류 차단층(221)과 제 3 전류 차단층(223)의 n형 도펀트는 제 2 전류 차단층(222)의 p형 도펀트 농도보다 높은 고 농도로 함유된다.
이와 같은 본 발명의 다른 실시예에 따른 질화물 반도체 발광소자는 제 1 전류 차단층(221)부터 제 3 전류 차단층(223) 까지 n형 도펀트 또는 p형 도펀트를 함유한 npn 질화물 적층 구조를 적용한다.
따라서, 본 발명의 다른 실시예에 따른 질화물 반도체 발광소자는 npn 구조를 갖는 전류 차단부(220)에서 위 아래의 고농도 n형 도펀트를 함유한 n-AlGaN층의 영향에 의해 p형 도펀트를 함유한 p-AlGaN층의 접합 영역(junction)이 공핍 영역으로 형성되어 전류가 차단되고, 이에 따라 버퍼층(210)과 기판(200)으로 누설되는 전류를 완전히 차단할 수 있다.
이하, 구체적으로 본 발명의 다른 실시예에 따른 질화물 반도체 발광소자의 제조 방법을 도 4 내지 도 8을 참조하여 설명한다. 여기서, 본 발명의 다른 실시예에 따른 질화물 반도체 발광소자의 제조 방법은 제 1 전류 차단층(221)부터 제 3 전류 차단층(223)까지 n형 도펀트 또는 p형 도펀트를 함유한 npn 질화물 적층 구조의 전류 차단부(220)를 적용하여 설명한다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 질화물 반도체 발광소자를 제조하기 위해서, 도 4에 도시된 바와 같이 기판(200)의 상부면에 버퍼층(210)과 제 1 전류 차단층(221)을 순차적으로 형성한다. 여기서, 기판(200)은 GaN 기판 또는 상부면에 요철 구조가 형성된 사파이어 기판을 사용할 수 있다.
물론, 기판(200)의 상부면에 버퍼층(210)과 제 1 전류 차단층(221)을 순차적으로 형성하기 전에, 기판(200)으로 사파이어 기판을 사용하여 상부면에 대해 요철 구조를 형성하여 마련할 수 있다.
버퍼층(210)은 기판(110)과 제 1 전류 차단층(221) 사이에 격자 부정합을 해소하기 위해 AlN 또는 GaN 등의 재질을 이용하여 기판(200)의 상부면에 선택적으로 형성할 수 있다. 여기서, 기판(200)으로 상부면에 요철 구조가 형성된 사파이어 기판을 사용할 경우, 버퍼층(210)은 요철 구조가 형성된 기판(200)의 상부면을 매립하여 덮는 형태로 형성될 수도 있다.
버퍼층(210)을 형성한 후, 제 1 전류 차단층(221)이 버퍼층(210)의 상부면에 형성된다. 제 1 전류 차단층(221)은 산화물층, 언도프(undoped) 질화물층, Ti, Fe, Cr 등의 전류 차단용 불순물을 적어도 하나 함유한 산화물 또는 질화물로 이루어진 층, 및 Al 함유 질화물층 중 선택된 어느 하나의 층으로 형성될 수 있다. 여기서, Al 함유 질화물층은 AlGaN 층 일 수 있다.
구체적으로, 제 1 전류 차단층(221)은 ALE(atomic layer epitaxy), APCVD(atmospheric pressure chemical vapour deposition), MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition), PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 중 선택된 어느 하나의 기상 에피택시 성장 방법으로 n-AlGaN 층을 형성할 수 있다. 물론, 제 1 전류 차단층(221)은 기상 에피택시 성장 방법으로 AlGaN 층을 형성한 후, 이온 주입 방법으로 n형 도펀트를 주입한 n-AlGaN 층으로 형성될 수 있다.
이때, 제 1 전류 차단층(221)은 n-AlGaN 층으로 형성되되, Al 함량은 알루미늄과 갈륨 전체 원자 수의 10~40atom%, 즉 AlxGa(1-x)N (0.1≤x≤0.4)의 범위 내에서 조절되어 형성될 수 있다. 바람직하게, 제 1 전류 차단층(221)은 Al 함량(x)과 두께(㎛)의 곱이 0.01~0.06까지의 범위를 갖도록 형성될 수 있다.
제 1 전류 차단층(221)이 형성된 후, 도 5에 도시된 바와 같이 p-AlGaN 층의 제 2 전류 차단층(222)이 제 1 전류 차단층(221)의 상부면에 형성된다. 제 2 전류 차단층(222)은 산화물층, 언도프 질화물층, Ti, Fe, Cr 등의 전류 차단용 불순물을 적어도 하나 함유한 산화물 또는 질화물로 이루어진 층, 및 AlxGa(1-x)N (0.1≤x≤0.4)층 중 선택된 어느 하나의 층으로 형성될 수 있다.
여기서, 제 2 전류 차단층(222)은 바람직하게 제 1 전류 차단층(221)과 마찬가지로 ALE, APCVD, PECVD 중 선택된 어느 하나의 기상 에피택시 성장 방법으로 Al 함량과 층 두께의 곱이 0.01~0.06 범위를 갖는 p-AlGaN층으로 형성될 수 있다.
제 2 전류 차단층(222)이 형성된 후, 도 6에 도시된 바와 같이 n-AlGaN 층의 제 3 전류 차단층(223)이 제 2 전류 차단층(222)의 상부면에 형성된다. 제 3 전류 차단층(223)은 제 1 전류 차단층(221)과 동일하게 산화물층, 언도프 질화물층, Ti, Fe, Cr 등의 전류 차단용 불순물을 적어도 하나 함유한 산화물 또는 질화물로 이루어진 층, 및 AlxGa(1-x)N(0.1≤x≤0.4)층 중 선택된 어느 하나의 층으로 형성될 수 있다.
여기서, 제 3 전류 차단층(223)은 제 1 전류 차단층(221)의 형성 방법과 동일하게 기상 에피택시 성장 방법으로 Al 함량과 층 두께의 곱이 0.01~0.06 범위를 갖는 n-AlGaN 층으로 형성될 수 있다.
이와 같이 제 1 전류 차단층(221)부터 제 3 전류 차단층(223)으로 이루어진 전류 차단부(220)를 형성한 후, 도 7에 도시된 바와 같이 n형 질화물층(230)이 제 3 전류 차단층(223)의 상부면에 형성된다. 여기서, 전류 차단부(220)가 버퍼층(210)의 상부면에 형성되지만, 전류 차단부(220)는 버퍼층(210)의 상부면, 하부면 및 내부 중 어느 하나에 형성될 수도 있다.
n형 질화물층(230)의 형성 방법은 예를 들어, NH3, 트리메탈갈륨(TMG), 및 Si과 같은 n형 도펀트를 포함한 실란 가스를 공급하여 n-GaN층을 n형 질화물층(230)으로 성장시킨다.
n형 질화물층(230)이 형성된 후, n형 질화물층(230)의 상부면에 활성층(240)을 성장시킨다. 활성층(240)은 단일양자우물구조 또는 양자우물층과 양자장벽층이 교대로 다수 적층된 다중양자우물구조로　형성될 수 있고, 본 발명의 다른 실시예에 따른 활성층(240)은 양자우물층과 양자장벽층이 교대로 다수 적층된 다중양자우물구조를 적용한다.
예컨대, 활성층(240)의 양자장벽층은 예컨대 Al이 포함된 AlGaInN의 4원계 질화물층이고, 양자우물층은 예를 들어 InGaN 으로 다수 적층된 다중양자우물구조로 이루어져 응력과 변형에 의한 자발적인 분극을 억제하도록 형성된다.
이와 같이 활성층(240)을 형성한 후, 일반적인 질화물 반도체 발광소자와 동일하게 활성층(240)의 상부면 방향으로 p형 질화물층(250)과 투명 전극층(260)을 순차적으로 형성한다.
투명 전극층(260)까지 형성된 후, 도 8에 도시된 바와 같이 투명 전극층(260)의 일 영역부터 n형 질화물층(230)의 일부까지 노광 에칭(lithography etching)하고 클리닝하여, n형 질화물층(230)의 일부 영역을 노출할 수 있다.
이렇게 n형 질화물층(230)의 일부 영역을 노출한 후, 투명 전극층(260)의 상부면과 노출된 n형 질화물층(230)의 일부 영역 각각에 p측　전극(271)과 n측 전극(272)을 형성한다.
이와 같은 본 발명의 다른 실시예에 따른 질화물 반도체 발광소자의 제조 방법은 제 1 전류 차단층(221)부터 제 3 전류 차단층(223) 까지 n형 도펀트가 함유된 AlGaN층/p형 도펀트가 함유된 AlGaN층/n형 도펀트가 함유된 AlGaN층의 npn 질화물 적층 구조의 전류 차단부(220)를 형성하는 방법을 설명하지만, 전류 차단부(220)가 이에 한정되지 않고 3층 이상의 적층 구조로 형성될 수도 있다.
따라서, 본 발명의 다른 실시예에 따른 질화물 반도체 발광소자의 제조 방법은 3층 이상의 적층 구조를 갖는 전류 차단부(220)를 이용하여 전류가 버퍼층(210)과 기판(200)으로 누설되는 것을 더욱 방지할 수 있는 질화물 반도체 발광소자를 제공할 수 있다.
본 발명의 기술사상은 상기 바람직한 실시예에 따라 구체적으로 기술되었으나, 전술한 실시예들은 그 설명을 위한 것이며, 그 제한을 위한 것이 아님을 주의하여야 한다.
또한, 본 발명의 기술분야의 통상의 전문가라면 본 발명의 기술사상의 범위 내에서 다양한 실시가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (13)

  1. 기판과 n형 질화물층 사이에 형성된 전류 차단부;
    상기 n형 질화물층 상에 형성된 활성층; 및
    상기 활성층 상에 형성된 p형 질화물층
    을 포함하고,
    상기 전류 차단부는 절연 물질을 함유하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판은 요철 구조가 형성된 상부면을 갖는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판과 n형 질화물층 사이에 버퍼층을 더 포함하고,
    상기 전류 차단부는 상기 버퍼층의 상부면, 상기 버퍼층의 하부면 및 상기 버퍼층의 내부 중 적어도 어느 하나에 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 전류 차단부는 산화물층, 언도프(undoped) 질화물층, Ti, Fe 및 Cr의 전류 차단용 불순물 중 적어도 하나를 함유한 산화물층, 상기 전류 차단용 불순물 중 적어도 하나를 함유한 질화물층, 및 Al 함유 질화물층 중 선택된 적어도 하나 이상의 층을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 전류 차단부는 AlxGa(1-x)N (0.1≤x≤0.4)으로 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
  6. 제 5 항에 있이서,
    상기 전류 차단부는
    0.02㎛ ~ 0.5㎛의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 전류 차단부는 AlxGa(1-x)N층이고, 상기 Al 함량(x)과 층 두께(㎛)의 곱이 0.01~0.06 범위를 갖는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 전류 차단부는
    제 1 전류 차단층;
    상기 제 1 전류 차단층의 상부면에 형성된 제 2 전류 차단층; 및
    상기 제 2 전류 차단층의 상부면에 형성된 제 3 전류 차단층
    을 포함하여 적어도 3층의 적층 구조로 형성되고,
    상기 제 1 전류 차단층은 n형 도펀트를 함유한 AlGaN 층이며, 상기 제 2 전류 차단층은 p형 도펀트를 함유한 AlGaN 층이며, 상기 제 3 전류 차단층은 n형 도펀트를 함유한 AlGaN 층 인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 제 1 전류 차단층과 제 3 전류 차단층은 상기 제 2 전류 차단층의 p형 도펀트 농도보다 높은 농도의 n형 도펀트를 함유한 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
  10. 제 8 항에 있어서,
    상기 Al 함량은 상기 전류 차단부의 알루미늄 및 갈륨 전체 원자 수의 10~40atom%인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
  11. 제 8 항에 있어서,
    상기 제 1 전류 차단층 내지 제 3 전류 차단층 각각은 AlxGa(1-x)N층이고, 상기 Al 함량(x)과 층 두께(㎛)의 곱이 0.01~0.06 범위를 갖는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
  12. 기판과 n형 질화물층 사이에 전류 차단부를 형성하는 단계;
    상기 n형 질화물층 상에 활성층을 형성하는 단계; 및
    상기 활성층 상에 p형 질화물층을 형성하는 단계
    를 포함하고,
    상기 전류 차단부를 형성하는 단계는
    상기 전류 차단부를 산화물층, 언도프 질화물층, Ti, Fe 및 Cr의 전류 차단용 불순물 중 적어도 하나를 함유한 산화물층, 상기 전류 차단용 불순물 중 적어도 하나를 함유한 질화물층, 및 Al 함유 질화물층 중 선택된 적어도 하나 이상의 층을 포함하여 형성하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자의 제조 방법.
  13. 기판과 n형 질화물층 사이에 전류 차단부를 형성하는 단계;
    상기 n형 질화물층 상에 활성층을 형성하는 단계; 및
    상기 활성층 상에 p형 질화물층을 형성하는 단계;를 포함하고,
    상기 전류 차단부를 형성하는 단계는
    n형 도펀트를 함유한 AlGaN으로 형성되는 제 1 전류 차단층과, 상기 제 1 전류 차단층의 상부면에 형성되며 p형 도펀트를 함유한 AlGaN 으로 형성되는 제 2 전류 차단층 및 상기 제 2 전류 차단층의 상부면에 형성되며 n형 도펀트를 함유한 AlGaN으로 형성되는 제 3 전류 차단층을 포함하는 적어도 3층의 적층 구조로 형성하고,
    상기 제 1 전류 차단층, 제 2 전류 차단층 및 제 3 전류 차단층 각각에서 알루미늄의 함량이 알루미늄 및 갈륨 전체 원자 수의 10~40atom%가 되도록 알루미늄의 함량을 조절하며,
    상기 제 1 전류 차단층과 제 3 전류 차단층을 AlGaN층에 n형 도펀트를 주입하는 이온 주입 방법(Implantation)을 이용하여 n-AlGaN층으로 형성하며,
    상기 제 2 전류 차단층을 AlGaN층에 p형 도펀트를 주입하는 이온 주입 방법을 이용하여 p-AlGaN층으로 형성하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자의 제조 방법.
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