CN112289902A - 微型发光二极管 - Google Patents
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Abstract
本发明的实施例提供一种微型发光二极管，包括：第一型半导体层，第一型半导体层的掺杂类型是第一型掺杂类型；发光层，设置于第一型半导体层之上；第一型电极，设置于第一型半导体层之上；第二型半导体层，设置于发光层之上，第二型半导体层的掺杂类型是第二型掺杂类型，第二型掺杂类型与第一型掺杂类型不同；第二型电极，设置于第二半导体层之上；以及阻挡层，设置于第一型半导体层下方且远离第一型电极及第二型电极，其中阻挡层包括掺杂区，掺杂区的掺杂类型是第二型掺杂类型。
Description
技术领域
本发明涉及一种半导体组件，尤其涉及一种微型发光二极管。
背景技术
随着光电科技的进步，许多光电组件的体积逐渐往小型化发展。近几年来由于发光二极管(light-emitting diode,LED)制作尺寸上的突破，目前将发光二极管以数组排列制作的微型发光二极管(micro-LED)显示器在市场上逐渐受到重视。微型发光二极管显示器属于主动式微型发光二极管显示器，其除了相较于有机发光二极管(organic light-emitting diode,OLED)显示器而言更为省电以外，也具备更佳优异的对比度表现，而可以在阳光下具有可视性。此外，由于微型发光二极管显示器采用无机材料，因此其相较于有机发光二极管显示器而言具备更佳优良的可靠性以及更长的使用寿命。
微型发光二极管显示器所使用的微型发光二极管的出光效率(light extractionefficiency)会影响到微型发光二极管显示器的整体性质，为增加出光效率，多在出光表面进行粗化，但微型发光二极管相较于现有的发光二极管尺寸更微缩，因此在粗化的过程中，表面的缺陷密度也会因此大幅增加，影响微型发光二极管良率。有鉴于此，如何增加微型发光二极管的出光效率一直是本领域技术人员努力的方向之一。
发明内容
本发明的一些实施例提供一种微型发光二极管，包括：第一型半导体层，第一型半导体层的掺杂类型是第一型掺杂类型；发光层，设置于第一型半导体层之上；第一型电极，设置于第一型半导体层之上；第二型半导体层，设置于发光层之上，第二型半导体层的掺杂类型是第二型掺杂类型，第二型掺杂类型与第一型掺杂类型不同；第二型电极，设置于第二半导体层之上；以及阻挡层，设置于第一型半导体层下方且远离第一型电极及第二型电极，其中阻挡层包括掺杂区，掺杂区的掺杂类型是第二型掺杂类型。
本发明的一些实施例提供一种微型发光二极管，包括：型半导体层，第一型半导体层的掺杂类型是第一型掺杂类型；发光层，设置于第一型半导体层之上；第一型电极，设置于第一型半导体层之上；第二型半导体层，设置于发光层之上，第二型半导体层的掺杂类型是第二型掺杂类型，第二型掺杂类型与第一型掺杂类型不同；第二型电极，设置于第二型半导体层之上；以及阻挡层，设置于第一型半导体层下方且远离第一型电极及第二型电极，其中阻挡层包括掺杂区，掺杂区的掺杂类型是第一掺杂类型或第二掺杂类型且掺杂浓度小于1×1016cm-3。
附图说明
以下将配合附图详述本发明的各面向。应注意的是，依据在业界的标准做法，各种特征并未按照比例绘制且仅用以说明例示。事实上，可能任意地放大或缩小单元的尺寸，以清楚地表现出本发明的特征。
图1A及图1B为根据一些实施例，示出微型发光二极管的截面图；
图2A及图2B为根据一些实施例，示出微型发光二极管的截面图；
图3A及图3B为根据一些实施例，示出微型发光二极管的截面图；
图4为根据一些实施例，示出微型发光二极管的截面图；
图5为根据一些实施例，示出微型发光二极管的截面图；
图6为根据一些实施例，示出微型发光二极管的截面图；
图7为根据一些实施例，示出微型发光二极管的截面图。
附图标号说明说明：
12:第一型半导体层
14:第二型半导体层
16:第三型半导体层
16a:第三型半导体层(第二阻挡层)
18:第四型半导体层
20:发光层
22,22i,22m:第一阻挡层
24:绝缘层
26:第一型电极
28:第二型电极
30:凹陷结构
32:阻挡区
34:绝缘区
100,200,300,400,500,600:微型发光二极管
L0:深度
L1,L2,L3,L4,L5:厚度
具体实施方式
以下针对本发明的显示设备作详细说明。应了解的是，以下的叙述提供许多不同的实施例或例子，用以实施本发明的不同实施例。以下所述特定的组件及排列方式仅为简单描述本发明。当然，这些仅用以举例而非本发明的限定。此外，在不同实施例中可能使用重复的标号或标示。这些重复仅为了简单清楚地叙述本发明，不代表所讨论的不同实施例和/或结构之间具有任何关连性。再者，当述及一第一材料层位于一第二材料层上或之上时，包括第一材料层与第二材料层直接接触的情形。或者，亦可能间隔有一或更多其它材料层的情形，在此情形中，第一材料层与第二材料层之间可能不直接接触。
必需了解的是，为特别描述或图标的组件可以此技术人士所熟知的各种形式存在。此外，当某层在其它层或基板“上”时，有可能是指“直接”在其它层或基板上，或指某层在其它层或基板上，或指其它层或基板之间夹设其它层。
另外，本发明实施例可能在许多范例中重复组件符号和/或字母。这些重复是为了简化和清楚的目的，其本身并非代表所讨论各种实施例和/或配置之间有特定的关系。以下描述实施例的一些变化。在不同附图和说明的实施例中，相似的组件符号被用来标示相似的组件。
且在附图中，实施例的形状或是厚度可扩大，并以简化或是方便标示。再者，附图中各组件的部分将以分别描述说明，值得注意的是，图中未示出或描述的组件，为所属技术领域中技术人员所知的形式，此外，特定的实施例仅为揭示本发明使用的特定方式，其并非用以限定本发明。
此外，其中可能用到与空间相对用词，例如“在......下方”、“下方”、“较低的”、“在......上方”、“上方”等类似用词，是为了便于描述附图中一个(些)部件或特征与另一个(些)部件或特征之间的关系。空间相对用词用以包括使用中或操作中的装置的不同方位，以及附图中所描述的方位。当装置被转向不同方位时(旋转90度或其他方位)，其中所使用的空间相对形容词也将依转向后的方位来解释。
此处所使用的用语“约”、“近似”等类似用语描述数字或数字范围时，该用语意欲涵盖的数值是在合理范围内包含所描述的数字，例如在所描述的数字的+/-10％之内，或本发明所属技术领域中技术人员理解的其他数值。例如，用语“约5nm”涵盖从4.5nm至5.5nm的尺寸范围。
再者，说明书与权利要求中所使用的序数例如”第一”、”第二”、”第三”等的用词，以修饰权利要求的组件，其本身并不意含及代表该请求组件有任何的前的序数，也不代表某一请求组件与另一请求组件的顺序、或是制造方法上的顺序，该些序数的使用仅用来使具有某命名的一请求组件得以和另一具有相同命名的请求组件能作出清楚区分。
本发明提供一种微型发光二极管，例如，微型发光二极管。通过在出光面与磊晶半导体层之间插入至少一层具有与磊晶半导体层不同掺杂类型的电流阻挡层。因此，在微型发光二极管中至少具有一个PN接面。PN接面形成的内建电场使空穴不会向下扩散。另外可以通过调整电流阻挡层的掺杂浓度，使电流阻挡层的掺杂浓度远低于磊晶半导体的掺杂浓度，使电流阻挡层趋近一个具有较高的电阻值的半导体层，可以避免电子向下移动。因此本发明实施例的微型发光二极管可以减少电流流经表面，进而改善微型发光二极管的出光效率。
在此所用“微型”发光二极管意指可具有1μm至100μm的尺寸。在一些实施例中，微型发光二极管可具有20μm、10μm或5μm的最大宽度。在一些实施例中，微型发光二极管可具有小于10μm或5μm的最大高度。然应理解本发明的实施例不必限于此，某些实施例的形式当可应用到更大与也许更小的尺度。
参照图1A，在一些实施例中，微型发光二极管100包括第一型半导体层12、第二型半导体层14、以及设置在两者之间的发光层20。微型发光二极管100还包括第一型电极26设置在第一型半导体层12上，以及第二型电极28设置于第二型半导体层14之上。
在一些实施例中，微型发光二极管100可以为贯孔型覆晶(flip chip)微型发光二极管。因此，第一型电极26贯穿第二型半导体层14及发光层20至第一型半导体层12，并与第一型半导体层12电性连结。第二型电极28设置在第二型半导体层14的表面，并与第二型半导体层14电性连结，如图1A所示。但本发明不以此为限，微型发光二极管100也可以采用无贯孔的设计，此时第一型电极26、第二型电极28分别直接设置在第一型半导体层12、第二型半导体层14的表面。
继续参照图1A，本发明的微型发光二极管100还包括第一阻挡层22。第一阻挡层22设置在第一型半导体层12下并远离第一型电极26与第二型电极28。第一阻挡层22包括掺杂区且掺杂区的掺杂类型与第一型半导体层12不同。此处，第一阻挡层22为整层掺杂，亦即掺杂区为第一阻挡层22。如此一来，可以在微型发光二极管100中形成PN接面以减少电流流经微型发光二极管100的表面。
在一些实施例中，第一型半导体层12和第二型半导体层14可以由氮化镓(GaN)、氮化铝(AlN)、氮化铝镓(AlGaN)、氮化铝铟镓(InGaAlN)或前述的组合的材料形成。第一型半导体层12和第二型半导体层14可以使用金属有机化学气相沉积(metal organic chemicalvapor deposition,MOCVD)、分子束磊晶(molecular beam epitaxy,MBE)或其他合适的方法形成。在一些实施例中，可以在第一型半导体层12中掺杂P型掺质，例如镁(Mg)或相似的掺质。在第二型半导体层14中掺杂N型掺质，例如硅(Si)或相似的掺质。
如图1A所示，发光层20夹设于第一型半导体层12与第二型半导体层14之间。在一些实施例中，发光层20可以为单一量子井或多重量子井(multiple quantum well,MQW)，且可以由氮化铟镓(InGaN)/氮化镓(GaN)形成。在一些实施例中，发光层20可以使用金属有机化学气相沉积(MOCVD)、分子束磊晶(MBE)或其他合适的方法形成。在一些实施例中，多重量子井可以限制电子与空穴的移动，进而使电子与空穴有较高的机率结合以增进出光效率。
在一些实施例中，第一型电极26与第二型电极28可以由具有良好导电性的金属形成，例如金(Au)、银(Ag)、铜(Cu)、铂(Pt)、铝(Al)、镍(Ni)、锡(Sn)、镁(Mg)、前述的组合或其他导电材料，例如铟锡氧化物(indium tin oxide,ITO)。
在一些实施例中，微型发光二极管100为向下出光。第一型电极26、第二型电极28以及第一阻挡层22被设置在远离出光面的一侧，以避免阻挡微型发光二极管100的出光。
在一些实施例中，通过在出光面与第一型半导体层12之间插入具有与第一型半导体层12不同掺杂类型的第一阻挡层22，使微型发光二极管100中具有PN接面。PN接面形成的内建电场使空穴不会向下扩散。因此，可以减少电流流经表面，进而改善微型发光二极管100的出光效率。
在一些实施例中，第一型半导体层12可以为第一型掺杂类型，例如P型；此时，第二型半导体层14及第一阻挡层22掺杂区为第二型掺杂类型，例如N型。在另一些实施例中，第一型半导体层12为N型掺杂；此时，第二型半导体层14及第一阻挡层22掺杂区为P型掺杂。第一阻挡层22掺杂区的掺杂浓度太高会导致吸光的问题。在一些实施例中，第一阻挡层22掺杂区的掺杂浓度介于1016/cm3至1019/cm3之间，例如1016/cm3至1018/cm3之间。
在一些实施例中，第一阻挡层22可以由适当的材料，例如由GaP或AlGaInP形成。在一些实施例中，第一阻挡层22可以使用金属有机化学气相沉积(MOCVD)、分子束磊晶(MBE)或其他合适的方法形成。
如图1A所示，在一些实施例中，第一型半导体层12的厚度大于50nm且小于或等于4μm。第一阻挡层22的厚度L1大于0μm且小于1μm。若第一阻挡层22的厚度L1大于或等于1μm会造成吸光。
如图1A所示，在一些实施例中，为了避免第一型电极26贯穿第二型半导体层14时与其电性连结，可以形成绝缘层24。详细而言，绝缘层24沿着贯孔中的第一型电极26侧壁设置，使第一型电极26与第二型半导体层14、发光层20电性绝缘，并露出第一型电极26的下表面，使第一型电极26可通过下表面与第一型半导体层12电性连接。此外，如图1A所示，绝缘层24可延伸覆盖微型发光二极管100的上表面与侧壁，但露出第一型电极26及第二型电极28。
在一些实施例中，绝缘层24可以由氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或其他合适的透明绝缘材料形成。
虽然图1A并未示出出基板，但应可理解的是，微型发光二极管100可形成在基板上，例如蓝宝石基板或其他磊晶基板。在一些实施例中，可将基板移除，或者将微型发光二极管100设置在各种乘载基板或散热基板上，例如陶瓷、玻璃、或金属基板等，后续可以进行转移制程至显示背板(未示出)。
参照图1B，在一些实施例中，可以粗化第一阻挡层22的下表面，使第一阻挡层22包括至少一个凹陷结构30。凹陷结构30自第一阻挡层22的下表面朝上凹陷至第一阻挡层22的内部。粗化第一阻挡层22的下表面可以增加光萃取效率以提升微型发光二极管100的出光效率。
在一些实施例中，凹陷结构30的深度L0小于或等于厚度L1。在一些实施例中，深度L0介于1nm至3.5nm。若深度L0太深则会增加缺陷密度。
图2A示出本发明另一实施例。相较于图1A-图1B是使用与第一型半导体层12具有相反掺杂型态的第一阻挡层22，本实施例所使用的阻挡层22i，是使其掺杂浓度远小于第一型半导体层12或是第二型半导体层14。此时，第一阻挡层22i称作“i型层”，为一个具有较高的电阻值、趋近未掺杂的半导体层。在一些实施例中，第一阻挡层22i掺杂型态相反于第一型半导体层12且掺杂浓度可以小于或等于1016/cm3。在一些实施例中，第一型半导体层12可以为P型掺杂，第二型半导体层14可以为N型掺杂，第一阻挡层22i掺杂区的掺杂浓度可以小于或等于第一型半导体层12的掺杂浓度的十分之一。第一阻挡层22i掺杂区的掺杂浓度远低于第一型半导体层12的掺杂浓度，使第一阻挡层22i趋近一个具有较高的电阻值的未掺杂半导体层，同样可以避免电子向下移动以减少电流流经表面，进而改善微型发光二极管的出光效率。在一些实施例中，第一阻挡层22i掺杂型态相同于第一型半导体层12且掺杂区的掺杂浓度可以小于或等于1016/cm3，第一阻挡层22i掺杂区的掺杂浓度可以小于或等于第一型半导体层12的掺杂浓度的十分之一。由于第一阻挡层22i掺杂区的掺杂浓度远低于第一型半导体层12的掺杂浓度，使第一阻挡层22i趋近一个具有较高的电阻值的未掺杂半导体层，同样可以避免电子向下移动以减少电流流经表面。
参照图2B，同样地，可以粗化第一阻挡层22i的下表面，使第一阻挡层22i包括至少一个凹陷结构30。凹陷结构30自第一阻挡层22i的下表面朝上凹陷至第一阻挡层22i的内部。粗化第一阻挡层22i的下表面可以增加光萃取效率以提升微型发光二极管200的出光效率。
在一些实施例中，凹陷结构30的深度L0小于或等于厚度L1。在一些实施例中，深度L0介于1nm至3.5nm。若深度L0太深则会增加缺陷密度。
参照图3A，在一些实施例中，微型发光二极管300可以还包括第三型半导体层16。第三型半导体层16设置在第一阻挡层22之下。在一些实施例中，第一型半导体层12及第三型半导体层16具有相同的掺杂类型，且其掺杂类型与第一阻挡层22的掺杂类型相反。因此，可以在微型发光二极管300中形成NPN或PNP接面以减少电流流经微型发光二极管300的表面，进而改善微型发光二极管300的出光效率。
在一些实施例中，第三型半导体层16的材料与制造方法可以参照第一型半导体层12或第二型导体层14的材料与制造方法。此处不再重复。
在一些实施例中，第三型半导体层16的掺杂浓度大于第一型半导体层12的掺杂浓度，其可以避免吸光，进一步增进发光效果。
继续参照图3A，在一些实施例中，第一型半导体层12的厚度大于50nm且小于或等于4μm。第一阻挡层22的厚度L1大于0μm且小于1μm。第三型半导体层16的厚度L2大于或等于0μm且小于4μm。第一型半导体层12、第一阻挡层22及第三型半导体层16的总厚度L3小于或等于4μm。厚度L2与厚度L3的比值小于0.99且较佳为大于0.90。其比值过小会导致电极接触效率不佳，过大会产生吸光的问题。厚度L2与第二型半导体层14顶表面至第三型半导体层16底表面的厚度L5的比值小于或等于0.8。
参照图3B，在一些实施例中，同样地可以粗化第三型半导体层16的下表面，使第三型半导体层16包括至少一个凹陷结构30。
参照图4，第三型半导体层16亦可设置在i型层的第一阻挡层22i之下，如图中的微型发光二极管400所示。在一些实施例中，第三型半导体层16具有与第一型半导体层12相同的掺杂型态。在另一些实施例中，第三型半导体层16具有与第一型半导体层12相反的掺杂型态，例如第一型半导体层12为P型掺杂，而第三型半导体层16可以为N型掺杂。此时，第一型半导体层12、第一阻挡层22i、第三型半导体层16形成PiN界面，因第三型半导体层16具有与第一型半导体层12相反的掺杂型态可进一步阻挡电流向下流动，亦可视为第二阻挡层。
参照图5，在一些实施例中，第一阻挡层22m可以包括一个或多个PN接面层结构。在一些实施例中，PN接面层结构以周期性且周期约为
-约1nm的方式排列。在另一些实施例中，PN接面层结构以周期性但周期不在上述范围的方式排列。在又一些实施例中，PN接面层结构可以为非周期性结构，并以不规则的厚度及浓度形成多重PN接面层结构。在一些实施例中，多重PN接面层结构中P型与N型接面的P型与N型掺杂浓度可以为大于或等于1016/cm3并小于或等于1019/cm3。多重PN接面层结构中P型与i型接面的P型掺杂浓度可以为大于或等于1016/cm3并小于或等于1019/cm3。多重PN接面层结构中N型与i型接面的N型掺杂浓度可以为大于或等于1016/cm3并小于或等于1019/cm3。
参照图6，在一些实施例中，微型发光二极管600可以还包括第四型半导体层18。第四型半导体层18设置在第一型半导体层12与发光层20之间。在一些实施例中，第一型半导体层12、第三型半导体层16及第四型半导体层18的掺杂类型与第二型半导体层14及第一阻挡层22的掺杂类型不同。因此，可以在微型发光二极管600中形成PN接面以减少电流流经微型发光二极管600的表面。
在一些实施例中，第四型半导体层18的材料不同于第一型半导体层12，第四型半导体层18可以由AlP形成，并且可以为P型掺杂的AlP包覆(cladding)层。第四型半导体层18可以限制载子在MQW中，使载子有较高机率结合以增进出光效果。在一些实施例中，第四型半导体层18的制法可以参照第一、二、三型半导体层12、14、16的制法。此处不再重复。
在一些实施例中，第一型半导体层12、第三型半导体层16及第四型半导体层18可以为P型掺杂。第二型半导体层14及第一阻挡层22掺杂区可以为N型掺杂。在另一些实施例中，第一型半导体层12、第三型半导体层16及第四型半导体层18可以为N型掺杂。第二型半导体层14及第一阻挡层22掺杂区可以为P型掺杂。
继续参照图6，在一些实施例中，第一型半导体层12、第一阻挡层22及第三型半导体层16的总厚度L3大于或等于50nm且小于4μm。第一型半导体层12、第一阻挡层22及第三型半导体层的总厚度L3与第四型半导体层18、第一型半导体层12、第一阻挡层22及第三型半导体层的总厚度L4的比值大于0.1。
本发明实施例的第一阻挡层中的掺杂区也可以由数个不同实施例的区域所构成，只要包含至少一个区域与第一型半导体层12具有相反掺杂型态的掺杂区即可。以下以图1A的第一阻挡层22为例进行说明。参照图7，在一些实施例中，第一阻挡层22可以包括至少一个绝缘区34以及至少一个掺杂区32。绝缘区34设置于掺杂区32的外侧。在一些实施例中，掺杂区32的右侧边缘至微型发光二极管的右侧边缘的距离，或掺杂区32的左侧边缘至微型发光二极管的左侧边缘的距离可以为大于或等于1μm。应当理解，图7实施例所示的第一阻挡层22结构亦可应用与其他实施例所示的第一阻挡层22i、22m。
在一些实施例中，第一阻挡层可以由适当的材料，例如由GaP或AlGaInP形成，并可以使用金属有机化学气相沉积(MOCVD)、分子束磊晶(MBE)或其他合适的方法形成。随后可以通过离子植入在第一阻挡层中掺入N型或P型掺质以形成掺杂区32，使掺杂区32具有与第一型半导体层12不同的掺杂类型。在一些实施例中，可以使用适合的制程例如微影制程，并使用适合的绝缘材料例如二氧化硅(SiO2)等形成绝缘区34。
本发明提供一种微型发光二极管。通过在出光面与磊晶半导体层之间插入至少一层具有与磊晶半导体层不同掺杂类型的电流阻挡层。在微型发光二极管中PN接面形成的内建电场使空穴不会向下扩散。此外，因为电流阻挡层的掺杂浓度远低于磊晶半导体的掺杂浓度，可以避免电子向下移动。本发明实施例的微型发光二极管可以减少电流流经表面，进而改善微型发光二极管的出光效率。
以上概述数个实施例的部件，以便在本发明所属技术领域中技术人员可以更加理解本发明实施例的观点。在本发明所属技术领域中技术人员应理解，他们能轻易地以本发明实施例为基础，设计或修改其他制程和结构，以达到与在此介绍的实施例相同的目的和/或优势。在本发明所属技术领域中技术人员也应理解，此类等效的结构并无悖离本发明的精神与范围，且他们能在不违背本发明的精神和范围下，做各式各样的改变、取代和替换。因此，本发明的保护范围当视后附的权利要求范围所界定为准。
Claims (16)
1.一种微型发光二极管，包括：
第一型半导体层，所述第一型半导体层的掺杂类型是第一型掺杂类型；
发光层，设置于所述第一型半导体层之上；
第一型电极，设置于所述第一型半导体层之上；
第二型半导体层，设置于所述发光层之上，所述第二型半导体层的掺杂类型是第二型掺杂类型，所述第二型掺杂类型与所述第一型掺杂类型不同；
第二型电极，设置于所述第二型半导体层之上；以及
阻挡层，设置于所述第一型半导体层下方且远离所述第一型电极及
所述第二型电极，其中所述阻挡层包括掺杂区，所述掺杂区的掺杂类型是所述第二型掺杂类型。
2.根据权利要求1所述的微型发光二极管，其中所述阻挡层的下表面具有粗化结构。
3.根据权利要求2所述的微型发光二极管，其中所述粗化结构包括至少一凹陷结构，所述凹陷结构自所述下表面朝上方凹陷至所述阻挡层的内部，所述阻挡层的厚度是第一厚度，所述凹陷结构的深度是第一深度，所述第一深度小于或等于所述第一厚度。
4.根据权利要求1所述的微型发光二极管，还包第三型半导体层，设置于所述阻挡层下方，所述第三型半导体层的掺杂类型是所述第一型掺杂类型或所述第二型掺杂类型。
5.根据权利要求4所述的微型发光二极管，其中所述第三型半导体层的掺杂类型与所述第一型半导体层的掺杂类型相同。
6.根据权利要求4所述的微型发光二极管，其中所述第三型半导体层的掺杂浓度大于所述第一型半导体层的掺杂浓度。
7.根据权利要求4所述的微型发光二极管，其中所述第三型半导体层的下表面具有粗化结构。
8.根据权利要求4所述的微型发光二极管，其中所述第三型半导体层的厚度是第一厚度，所述第一型半导体层、所述阻挡层及所述第三型半导体层的总厚度是第二厚度，所述第一厚度与所述第二厚度的比值大于90％。
9.根据权利要求4所述的微型发光二极管，其中所述第一型半导体层的厚度大于50nm且小于等于4μm，所述第三型半导体层的厚度小于4μm，所述阻挡层的厚度小于1μm，所述掺杂区的掺杂浓度介于1×1016cm-3至1×1019cm-3之间的范围内。
10.根据权利要求4所述的微型发光二极管，其中所述发光层与所述第一型半导体层之间还包括第四型半导体层，所述第四型半导体层的掺杂类型是所述第一型掺杂类型，其中所述第一型半导体层、所述阻挡层及所述第三型半导体层的总厚度是第一厚度，所述第四型半导体层、所述第一型半导体层、所述阻挡层及所述第三型半导体层的总厚度是第二厚度，所述第一厚度与所述第二厚度的比值大于10％。
11.根据权利要求1所述的微型发光二极管，其中所述阻挡层包括至少一个PN接面层结构。
12.根据权利要求11所述的微型发光二极管，其中所述阻挡层包括多个PN接面层结构，所述多个PN接面结构以周期性排列。
13.根据权利要求1所述的微型发光二极管，其中所述阻挡层还包括至少一绝缘区和至少一阻挡区，所述至少一绝缘区配置于所述至少一阻挡区的外侧。
14.根据权利要求13所述的微型发光二极管，其中所述阻挡区至所述型发光二极管的边缘的距离大于等于1um。
15.一种微型发光二极管，包括：
第一型半导体层，所述第一型半导体层的掺杂类型是第一型掺杂类型；
发光层，设置于所述第一型半导体层之上；
第一型电极，设置于所述第一型半导体层之上；
第二型半导体层，设置于所述发光层之上，所述第二型半导体层的掺杂类型是第二型掺杂类型，所述第二型掺杂类型与所述第一型掺杂类型不同；
第二型电极，设置于所述第二型半导体层之上；以及
阻挡层，设置于所述第一型半导体层下方且远离所述第一型电极及
所述第二型电极，其中所述阻挡层包括掺杂区，所述掺杂区的掺杂类型是所述第一型掺杂类型或所述第二型掺杂类型且掺杂浓度小于1×1016cm-3。
16.根据权利要求15所述的微型发光二极管，其中所述掺杂区的掺杂浓度小于所述第一型半导体层的掺杂浓度的十分之一。
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