WO2012121518A2 - 전도성 구조체 및 이의 제조방법 - Google Patents

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Definitions

  • the present specification relates to a conductive structure and a method of manufacturing the same.
  • the touch screen panel can be classified as follows according to the detection method of the signal. That is, a resistive type that detects a position pressed by pressure in the state of applying a DC voltage through a change in current or voltage value, and capacitance coupling in the state of applying an alternating voltage There is a capacitive type to be used, and an electromagnetic type to sense a selected position as a change in voltage in the state of applying a magnetic field.
  • X and y refer to the ratio of the number of atoms of 0 and N to Al 1 atoms, respectively.
  • Equation 1 In the AlOxNy, x and y means the ratio of the number of atoms of each of 0 and N to Al 1 atom,
  • Equation 1 based on 100% of all elements represented by AlOxNy, (Al) at represents an element content of A1 (at%), and (0) at represents an elemental content of 0 (3 ⁇ 4). (N) at represents the elemental content of N (at3 ⁇ 4>).
  • Forming a conductive layer on the substrate Forming a darkening layer including A 10 x N y (0 ⁇ X ⁇ 1.5, 0 ⁇ y ⁇ 1) before, after, or before and after forming the conductive layer; And it provides a method for producing a conductive structure comprising the step of patterning the conductive layer and the darkening layer respectively or simultaneously.
  • Forming a conductive layer on the substrate Forming a darkening layer including AlOxNy (x> 0, y> 0) in which an element ratio is represented by Equation 1 before, after, or before and after forming the conductive layer; And patterning each of the conductive layer and the darkening layer, respectively, or simultaneously.
  • an exemplary embodiment of the present invention provides a touch screen panel including the conductive structure.
  • an exemplary embodiment of the present invention provides a display device including the conductive structure.
  • an exemplary embodiment of the present invention provides a solar cell including the conductive structure.
  • the conductive structure according to the exemplary embodiment of the present invention can prevent reflection by the conductive pattern layer without affecting the conductivity of the conductive pattern layer, and can improve the concealability of the conductive pattern layer by improving the absorbance. Accordingly, a touch screen panel having improved visibility and a display device including the same may be developed using the conductive structure according to the exemplary embodiment of the present invention.
  • FIGS. 1 to 3 are diagrams each illustrating a laminated structure of a conductive structure including a darkening pattern layer as an exemplary embodiment of the present invention.
  • Figure 5 shows the total reflectance according to the wavelength of Examples 1-4 and Comparative Examples 1-8.
  • FIG. 7 shows the optical constant refractive index n and the extinction coefficient 0 of Examples 1 to 4 measured by an ellipsometer.
  • FIG. 8 shows the optical constant refractive index n and the extinction coefficient 0 of Comparative Examples 5 to 8 measured by an ellipsometer.
  • the display device is a term referring to a TV or a computer monitor, and includes a display element for forming an image and a case for supporting the display element.
  • Examples of the display device include a plasma display panel (PDP), a liquid crystal display (LCD), an electrophoretic display, a cathode-ray tube (CRT), and an OLED display. Can be mentioned.
  • the display device may be provided with an RGB pixel pattern and an additional optical filter for implementing an image.
  • the present inventors have studied a technique for replacing the transparent ⁇ thin film with a metal fine pattern. Accordingly, the inventors of the present invention intend to implement a fine electrode pattern having a specific shape when using Ag, Mo / A 1 / Mo, MoTi / Cu, or the like, which is a metal thin film having high electrical conductivity, as an electrode for a touch screen panel. At this time, it was found that the pattern is well recognized by the human eye due to the high reflectivity, and that the glare may occur due to the high reflectance and the haze value for the external light. In addition, it has been found that an expensive target value may be involved in the manufacturing process or the process may be complicated.
  • the exemplary embodiment of the present invention can be differentiated from the touch screen panel using the conventional IT0 based transparent conductive thin film layer, and the touch screen panel with improved hiding property of the metal fine pattern electrode and reflection and diffraction characteristics against external light To provide a conductive structure that can be applied to.
  • the conductive structure according to the exemplary embodiment of the present invention may include a darkening pattern layer including AlOxNy (0 ⁇ X ⁇ 1.5, 0 ⁇ y ⁇ 1).
  • X and y are independent of each other.
  • X and y may specifically be x + y> 0, and more specifically, x> 0 and y> 0. More specifically, when AlOxNy (0 ⁇ X ⁇ 0.6, 0.3 ⁇ y ⁇ 0.8) is more effective in forming a darkening pattern layer.
  • X and y refer to the ratio of the number of atoms of 0 and N to Al 1 atoms, respectively.
  • the darkening pattern layer may include AlOxNy (X> 0, y> 0) in which an element ratio is represented by Equation 1 below.
  • Equation 1 In the AlOxNy, x and y means the ratio of the number of atoms of each of 0 and N to Al 1 atom,
  • Equation 1 based on 100% of all elements represented by AlOxNy, (Al) at represents an element content of A1 (at%), and (0) at represents an element content of 0 (3 ⁇ 4). Where (N) at represents the elemental content of N (%).
  • Equation 1 is a formula considering the element content (at%) and chemical valence measured by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). The chemical valence of A1 is 3, and the chemical valence of 0 is 2, ' , N The chemical valence of is 3. When the value of Equation 1 is greater than 1, it means that A1 is abundant among A1, 0 and N, and below 1 means that A1 is insufficient among A1, 0 and N.
  • A1 2 0 3 or A1N represents a relatively transparent phase, and the value of Equation 1 is 1. If the value obtained from Equation 1 is greater than 1, the metal is more than A1 2 0 3 or A1N. Since the content of the atoms A1 becomes excessive, the absorption coefficient increases, and the darkening layer is formed. If the value obtained in Equation 1 is greater than 2, the content of A1 becomes higher, thereby forming a metallic layer.
  • the conductive structure according to the exemplary embodiment of the present invention may have an extinct ion coefficient k of 0.2 or more and 2.5 or less, specifically 0.2 or more and 1.5 or less, and more specifically 0.2 or more and 0.8 or less.
  • the extinction coefficient k also called absorption coefficient, is a measure that defines how strongly the conductive structure absorbs light at a specific wavelength, and is a factor that determines the transmittance of the conductive structure. For example, in the case of a transparent conductive structure such as A1 2 0 3 or A1N, k ⁇ 0.2 is very small. However, as the metal A1 atom increases, the k value increases.
  • the conductive structure according to the exemplary embodiment of the present invention may further include a substrate and a conductive pattern layer.
  • the darkening pattern layer may be provided on only one side of the conductive pattern layer, may be provided on both sides of the conductive pattern layer.
  • Conductive structure is a substrate; A conductive pattern layer provided on the substrate; and a darkened pretty turn layer provided on the conductive pattern layer and including AlOxNy (0 ⁇ X ⁇ 1.5, 0 ⁇ y ⁇ 1).
  • Conductive structure according to an embodiment of the present invention the substrate; On the substrate A darkening pattern layer comprising AlOxNy (0 ⁇ x ⁇ 1.5, 0 ⁇ y ⁇ 1); And it may include a conductive pattern layer provided on the darkening pattern layer.
  • Conductive structure the substrate; A darkening pattern layer provided on the substrate and including AlOxNy (0 ⁇ X ⁇ 1,5, 0 ⁇ y ⁇ 1); a conductive pattern layer provided on the darkening pattern layer; And a darkening pattern layer hole provided on the conductive layer pattern layer and including AlOxNy (0 ⁇ X ⁇ 1.5, 0 ⁇ y ⁇ 1).
  • Conductive structure according to an embodiment of the present invention the substrate; A conductive pattern layer provided on the substrate; and a darkening pattern layer provided on the conductive pattern layer and including AlOxNy (X>, y> 0) represented by Equation (1).
  • Conductive structure according to an embodiment of the present invention the substrate; A darkening pattern layer provided on the substrate and including AlOxNy (x> 0, y> 0) represented by Equation 1; And it may include a conductive pattern layer provided on the darkening pattern layer.
  • Conductive structure according to an embodiment of the present invention the substrate; A darkening pattern layer provided on the substrate and including AlOxNy (X> 0, y> 0) represented by Equation 1; A conductive pattern layer provided on the darkening pattern layer; and a darkening pattern layer provided on the conductive pattern layer and including AlOxNy (X> 0, y> 0) represented by Equation (1).
  • a darkening pattern layer provided on the substrate and including AlOxNy (X> 0, y> 0) represented by Equation 1
  • a conductive pattern layer provided on the darkening pattern layer
  • a darkening pattern layer provided on the conductive pattern layer and including AlOxNy (X> 0, y> 0) represented by Equation (1).
  • the present inventors found that in a touch screen panel including a conductive metal fine pattern provided in an effective screen portion, the light reflection and diffraction characteristics of the pattern layer have a major influence on the visibility of the conductive metal fine pattern. It was found and wanted to improve it. Specifically, in the touch screen panel based on the existing ITO, the problem caused by the reflectivity of the conductive pattern is not very large due to the high transmittance of IT0 itself, but in the touch screen panel including the conductive metal fine pattern provided in the effective screen part, It has been found that the reflectivity and darkening properties of the conductive metal micropattern are important.
  • a darkening pattern layer may be introduced.
  • the darkening pattern layer may be provided on at least one surface of the conductive pattern layer in the touch screen panel. The problem of lowering visibility due to high reflectivity of the conductive pattern layer can be greatly improved.
  • the darkening pattern layer has absorbance
  • the conductive pattern layer By reducing the "amount of light that is reflected from the light and the conductive pattern layer is joined to itself can lower the reflectivity of the conductive layer pattern.
  • the darkening pattern layer may have a lower reflectance than the conductive pattern layer. As a result, since the reflectance of light can be lowered as compared with the case where the user directly looks at the conductive pattern layer, the visibility of the conductive pattern layer can be greatly improved.
  • the darkening pattern layer refers to a layer capable of reducing the amount of light incident on the conductive pattern itself and reflected from the conductive pattern layer by absorbing light, as well as the term darkening pattern layer. It may also be expressed in terms such as a light absorbing pattern layer, a drawing pattern layer, a drawing pattern layer.
  • the reflectance of the darkening pattern layer may be 20% or less, specifically 15% or less, more specifically 10% or less, even more specifically 53 ⁇ 4 or less, 3 It may be less than or equal to%. The smaller the reflectance, the better the effect.
  • the reflectance may be measured in a direction opposite to a surface of the darkening pattern layer that contacts the conductive pattern layer. When measured in this direction, the reflectance may be 20% or less, specifically 15% or less, more specifically 10% or less, even more specifically 5> or less, or 3% or less. The smaller the reflectance, the better the effect.
  • the darkening pattern layer may be provided between the conductive pattern layer and the substrate and measured on the substrate side.
  • the reflectance may be 20% or less, specifically 15% or less, more specifically 10% or less, even more specifically 5% or less, or 3% or less. The smaller the reflectance, the better the effect.
  • the reflectance means a reflectance of light of 550 nm incident at 90 ° C. on the surface to be measured after treating the opposite surface of the surface to be measured with a perfect black layer.
  • the conductive structure may have a reflectance of the darkening pattern layer of 20% or less, specifically 15% or less, more specifically 10% or less, and even more specifically 6 or less. have. The smaller the reflectance, the better the effect.
  • the reflectance is based on a value of a wavelength of 550 nm among the reflected light reflected by the target pattern layer or the conductive laminate to which light is incident when the incident light is 100%. This is because the reflectance of the wavelength of 550 nm does not usually differ significantly from the overall reflectance.
  • the darkening pattern layer may include a first surface in contact with the conductive pattern layer and a second surface facing the first surface.
  • the conductive structure and the reflectance (Rt) may be calculated by Equation 2 below.
  • Reflectance (Rt) reflectance of substrate + closure rate x reflectance of darkening pattern layer
  • the reflectance Rt of the conductive structure may be calculated by Equation 3 below.
  • Reflectance (Rt) Reflectance of Substrate + Closure Ratio X Reflectance of Darkening Pattern Layer X 2
  • the reflectance of the substrate may be that of the touch tempered glass, and if the surface is a film, the reflectance of the film Can be.
  • closure rate may be expressed as an area ratio occupied by the area covered by the conductive pattern with respect to the plane of the conductive structure, that is, (1 ⁇ aperture ratio).
  • the difference between with and without a darkening pattern layer depends on the reflectance of the darkening pattern layer.
  • the reflectance (Rt) of the conductive structure according to one embodiment of the present invention may be reduced by 10-20% compared to the conductive structure reflectance () having the same configuration except that there is no darkening pattern layer , 20
  • the dark patterned layer is the second of the dark color and patterned, includes the crab second side opposite to the first surface and the first surface in contact with the conductive pattern
  • the reflectance (Rt) of the conductive structure may be 40% or less, 30% or less, 2M or less, and a difference from the reflectance (Ro) of the substrate, It may be up to 10%.
  • the conductive structure may have a refractive index of 0 or more and 3 or less. In one embodiment of the present invention, the conductive structure may have a brightness value (L *) of 50 or less, and more specifically 30 or less, based on la * b * color value. The lower the brightness value is, the lower the reflectance is, which is advantageous.
  • the conductive structure may have a sheet resistance of 1 ⁇ / squre or more and 300 ⁇ / squre or less, specifically 1 ⁇ / squre or more and 100 ⁇ / squre or less, and more specifically 1 ⁇ / squre.
  • the squre may be greater than or equal to 50 ⁇ / squre, and more specifically, greater than or equal to 1 ⁇ / squre and less than or equal to 20 ⁇ / squre.
  • the sheet resistance of the conductive structure is 1 ⁇ / squre or more and 300 ⁇ / squre or less, there is an effect of replacing the conventional IT0 transparent electrode.
  • the sheet resistance of the conductive structure is 1 ⁇ / squre or more and 100 ⁇ / squre or less, or 1 ⁇ / squre or more and 50 ⁇ / squre or less, especially when 1 ⁇ / squre or more and 20 ⁇ / squre or less, than when using the conventional IT0 transparent electrode
  • the sheet resistance is very low, the RC delay is shortened when the signal is applied, which significantly improves the touch recognition speed. Based on this, it is easy to apply a large area touch screen of 10 inches or more.
  • the surface bottom of the conductive layer or the darkening layer before patterning in the conductive structure may be greater than 0 ⁇ / squre and less than 2 ⁇ / squre, specifically, greater than 0 ⁇ / squre and more than 0.7 ⁇ / squre.
  • the sheet resistance is 2 ⁇ / squre or less, in particular, when 0.7 ⁇ / squre or less, the lower the sheet resistance of the conductive layer or the darkening layer before patterning, the easier the fine patterning design and manufacturing process are performed, and the sheet resistance of the conductive structure after patterning is lowered. There is an effect of increasing the reaction speed of the electrode.
  • the diameter may be 3 //? 1 or less, and more specifically lmi or less.
  • the pinhole diameter is less than / m, it is possible to prevent 1 ⁇ 2 of the disconnection.
  • the darkening pattern layer may be provided on only one side of the conductive pattern, or may be provided on both sides.
  • the darkening pattern layer may be patterned simultaneously or separately with the conductive pattern layer.
  • the darkening pattern layer and the conductive pattern layer may form a laminated structure by a simultaneous or separate patterning process.
  • a structure in which at least a portion of the light absorbing material is recessed or dispersed in the conductive pattern or a conductive layer of a single layer may be physically or partially surfaced by further surface treatment. It can be distinguished from the structure in which the chemical modification is made.
  • the darkening pattern layer may be provided directly on the substrate or directly on the conductive pattern layer without interposing the adhesive layer or the adhesive layer.
  • the adhesive layer or adhesive layer may affect durability or optical properties.
  • the conductive structure according to the exemplary embodiment of the present invention is completely different in the manufacturing method compared with the case of using the adhesive layer or the adhesive layer. Furthermore, compared with the case of using an adhesive layer or an adhesive layer, in an exemplary embodiment of the present invention, the interface characteristics of the substrate or the conductive pattern layer and the darkening pattern layer are excellent.
  • the thickness of the darkening pattern layer may be more than lOnm 400nm or less, specifically 30nm or more and 300nm or less, more specifically 50nm or more and 100nm or less.
  • the desired thickness may be different, but considering the etching characteristics, the process may not be easy to control when the thickness is less than lOnm, and when it exceeds 400 nm, it may be disadvantageous in terms of production rate. .
  • the process control is easy, and the production speed is improved, which may be more advantageous in the manufacturing process.
  • the darkening pattern layer may be formed of a single layer or may be formed of two or more layers.
  • the darkening pattern layer has an achromatic color.
  • the achromatic color means a color that appears when light incident on the surface of an object is not selectively absorbed and is evenly reflected and absorbed by the wavelength of each component.
  • the darkening pattern layer may further include at least one of a dielectric material and a metal.
  • the dielectric material may be SiO, Si0 2) MgF 2 ,
  • the darkening pattern worm may further include one or more of the dielectric material and one or more of the metal.
  • the dielectric material is distributed such that it gradually decreases away from the direction in which external light is incident, and the metal is preferably distributed in the opposite direction.
  • the content of the dielectric material may be 20 to 50% by weight
  • the content of the metal may be ⁇ ) ⁇ 80% by weight.
  • the darkening pattern layer may be provided on only one side of the conductive pattern layer, or may be provided on both sides.
  • the darkening pattern layer may have a pattern having the same shape as the conductive pattern layer.
  • the pattern scale of the darkening pattern layer need not be exactly the same as the conductive pattern layer, and the case where the line width of the darkening pattern layer is narrow or wider than the line width of the conductive pattern layer is included in the scope of the present invention. .
  • the darkening pattern layer may have a pattern shape having a line width equal to or larger than the line width of the conductive pattern layer.
  • the darkening pattern layer may have an area of 80% to 120> of the area provided with the conductive pattern layer.
  • the darkening pattern layer When the darkening pattern layer has a pattern shape having a line width larger than the line width of the conductive pattern layer, the darkening pattern layer may give a greater effect of covering the conductive pattern layer when viewed by a user. There is an advantage that can effectively block the effect of the gloss or reflection of the conductive pattern layer itself. However, even if the line width of the darkening pattern layer is the same as the line width of the conductive pattern layer, the desired effect of the present invention can be achieved.
  • a transparent substrate may be used as the substrate, but is not particularly limited.
  • glass, a plastic substrate, a plastic film, or the like may be used.
  • the material of the conductive pattern layer may preferably include at least one metal; a metal alloy, a metal oxide, a metal nitride, or the like.
  • the material of the conductive pattern layer is a metal material that is excellent in electrical conductivity and easy to etch.
  • a material having excellent electrical conductivity has a disadvantage of high reflectivity.
  • a conductive pattern layer may be formed using a material having high reflectivity.
  • the reflectivity can be lowered, the concealability of the conductive pattern layer can be improved, and the contrast characteristics can be maintained or improved. It was.
  • a material and a specific example of the conductive pattern layer include silver, aluminum, copper, neodymium, molybdenum, nickel, alloys thereof, oxides thereof, and one or more kinds of nitrides thereof. It may be a film or a multilayer film, and more specifically, may be aluminum, but is not limited thereto.
  • the thickness of the conductive pattern layer is not particularly limited, but may be more than 0.01 to 10 or less in terms of the conductivity of the conductive pattern layer and the economics of the pattern forming process.
  • the line width of the conductive pattern layer may be more than 0 1 10 ⁇ or less, specifically 0.1 / m or more and 10 or less, more specifically 0.2; urn or more to 8 // m or less It may be more specifically 0.5 kPa to 5 or less.
  • the opening ratio of the conductive pattern layer that is, the area ratio not covered by the pattern may be 70% or more, 85% or more, and 95% or more.
  • the opening ratio of the conductive pattern layer may be 90 to 99.9%, but is not limited thereto.
  • the pattern of the conductive pattern layer may be a regular pattern or an irregular pattern.
  • a pattern form in the art such as a mesh pattern may be used.
  • the irregular pattern is not particularly limited, but may be in the form of a boundary line of figures constituting the Voronoi diagram.
  • the irregular pattern and the darkening pattern layer are used together, the diffraction pattern of the reflected light due to the directional illumination may be removed by the irregular pattern, and the influence of light scattering by the darkening pattern layer It can minimize the problem in visibility can be minimized.
  • a ratio (distance distribution ratio) of the standard deviation with respect to the average value of the distance between the straight line and the adjacent intersection points of the conductive pattern is 2% or more. Can be.
  • a ratio (distance distribution ratio) of the standard deviation with respect to the average value of the distance between the straight line and the adjacent intersection points of the conductive pattern is 2
  • the straight line intersecting the conductive pattern is preferably a line with the smallest standard deviation of the distance between adjacent intersections with the conductive pattern.
  • the straight line crossing the conductive pattern may be a straight line extending in a direction perpendicular to the tangent of any one of the conductive patterns. .
  • the ratio of the standard deviation (distance distribution ratio) to the mean value of the distance may be 2% or more, 10% or more, and 20% or more.
  • the ratio of the standard deviation (distance distribution ratio) to the average value of the distance between the straight line crossing the conductive pattern and adjacent intersection points of the conductive pattern is related to the irregularity of the conductive pattern, and the ratio of the standard deviation is 2% or more.
  • the conductive pattern may have an irregular pattern shape.
  • the pattern having a ratio of the standard deviation (distance distribution ratio) of 2% or more to the average value of the distance between the straight line intersecting the conductive pattern and adjacent intersection points of the conductive pattern is preferably 30% or more with respect to the total area of the substrate.
  • Other types of conductive patterns may be provided on at least part of the surface of the substrate provided with the conductive patterns as described above.
  • At least 80 adjacent intersection points of the straight line crossing the conductive pattern and the conductive pattern may exist.
  • the conductive pattern may be formed of continuous closed figures, and the ratio (area distribution ratio) of the standard deviation with respect to the average value of the areas of the closed figures may be 2% or more.
  • the ratio of the standard deviation (area distribution ratio) to the average value of the areas of the closed figures may be 2% or more, 10% or more, and 20% or more.
  • the ratio of the standard deviation (area distribution ratio) to the average value of the areas of the closed figures is related to the irregularity of the conductive pattern.
  • the conductive pattern may have an irregular pattern shape.
  • the pattern consisting of closed figures in which the ratio of the standard deviation (area distribution ratio) to the average value of the area is 2% or more is preferably 30% or more with respect to the total area of the substrate.
  • Other types of conductive patterns may be provided on at least part of the surface of the substrate provided with the conductive patterns as described above.
  • the conductive pattern layer includes a metal pattern crossing each other, the number of intersections between the crossing metal pattern per unit area (cm 2 ) of the conductive pattern layer may be 5 to 10,000 have. .
  • the pitch of the conductive pattern may be 600 ⁇ or less, may be 250 / / m or less, which can be adjusted according to the transmittance and conductivity desired by those skilled in the art.
  • the conductive pattern is a material of a specific resistance of 1 X 10 ⁇ ⁇ cm or more 30 X 10 6 ⁇ ⁇ cm or less, 1 X 10 6 ⁇ ⁇ cm or more 7 x 10 6 ⁇
  • the pattern of the conductive pattern layer may be in the form of a boundary line of figures constituting a Voronoi diagram.
  • the conductive pattern in the form of a ' boundary line ' of the figures forming the Voronoi diagram, it is possible to prevent the moiré phenomenon and the secondary diffraction phenomenon by the reflected light.
  • the Voronoi diagram if you place the Voronoi diagram generator in the area you want to fill, you will find the area where the points are closest to each other than the distance from other points. The pattern is made in a crying manner.
  • a pattern of displaying the trade rights of each discount store may be used. That is, if the space is filled with a regular hexagon and each of the points of the regular hexagon is selected as a Voronoi generator, the honeycomb lib may become the conductive pattern.
  • the Voronoi diagram generator in one embodiment of the present invention, it is easy to determine the complex pattern shape that can prevent the moiré phenomenon caused by interference with other regular patterns There are advantages to it. 6 shows the pattern formation using the Voronoi diagram generator.
  • a pattern derived from the generator can be used. Even when the conductive pattern is formed in the shape of the boundary line of the figures forming the Voronoi diagram, regularity and irregularity can be properly balanced when generating the Voronoi diagram generator to solve the visual cognitive problem as described above. . For example, after designating an area of a certain size as a basic unit for the area to be patterned, a point is generated so that the distribution of points in the basic unit is irregular, and then a Voronoi pattern may be manufactured. Using this method, the visual distribution can be compensated by preventing the distribution of lines from being concentrated at any one point.
  • the unit area of the Voronoi diagram generator when the number of sugars is uniformly adjusted, the unit area may be 5 cm or less, or 1 cm or less.
  • the number per unit area of the Voronoi diagram generator may range from 5 to 5,000 pieces / cm 2 , and may range from 100 to 2,500 pieces / cm 2 .
  • At least one of the figures constituting the pattern within the unit area may have a shape different from the remaining figures.
  • the darkening pattern layer and the conductive pattern layer may have a net taper angle at a side thereof, but the darkening pattern layer or the conductive pattern layer is located on the opposite side of the substrate side of the conductive pattern layer. May have an inverse taper angle.
  • FIGS. 1 to 3 Examples of the conductive structure according to the exemplary embodiment of the present invention are illustrated in FIGS. 1 to 3.
  • 1 to 3 illustrate a stacking order of a substrate, a conductive pattern layer, and a darkening pattern layer, wherein the conductive pattern layer and the darkening pattern layer are actually applied to a touch screen panel or the like and a fine transparent electrode. It may be in the form of a pattern rather than a layer.
  • the darkening pattern layer 200 is illustrated between the substrate 100 and the conductive pattern layer 300. This can greatly reduce the reflectivity caused by the conductive pattern when the user looks at the touch screen panel from the substrate side.
  • the darkening pattern 200 is disposed on the conductive pattern layer 300. This can greatly reduce the reflectivity caused by the 3 ⁇ 4 conductive pattern when the user looks at the touch screen panel from the opposite side of the substrate side.
  • the darkening pattern layers 200 and 220 are disposed between the substrate 100 and the conductive pattern layer 300 and on the conductive pattern layer 300. This can greatly reduce the reflectivity due to the conductive pattern when the user looks at the touch screen panel from the substrate side and the opposite side.
  • the darkening pattern layer may be provided on at least one surface of the conductive pattern layer.
  • the structure of the conductive structure according to the exemplary embodiment of the present invention may be a structure in which a substrate, a darkening pattern layer, a conductive pattern layer, and a darkening pattern layer are sequentially stacked.
  • the conductive structure may include an additional conductive pattern and a darkening pattern on the outermost darkening pattern.
  • the structure of the conductive structure is the structure of the substrate / darkening pattern layer / conductive pattern layer, the substrate / conductive pattern layer / structure of the darkening pattern layer, the substrate / dark Structural pattern layer / conductive pattern layer / darkening pattern layer, substrate / conductive pattern layer / darkening pattern layer / conductive pattern layer structure, substrate / darkening pattern layer / conductive pattern layer / darkening pattern layer /.
  • the structure of the active pattern layer / darkening pattern layer, the base material / darkening pattern layer / conductive pattern layer / darkening pattern layer / conductive pattern layer / darkening pattern layer / conductive ' conductive pattern layer / darkening pattern layer have.
  • Method of manufacturing a conductive structure comprises the steps of forming a conductive pattern layer on a substrate; And forming a darkening pattern layer including AlOxNy (0 ⁇ X ⁇ 1.5, 0 ⁇ y ⁇ 1) before, after, or before and after forming the conductive pattern layer.
  • Method of manufacturing a conductive structure comprises the steps of forming a conductive pattern layer on a substrate; And forming a darkening pattern layer including AlOxNy (x> 0, y> 0) in which the element ratio is represented by Equation 1 before, after, or before and after forming the conductive pattern layer. do.
  • AlOxNy X and y refer to the ratio of the number of atoms of 0 and N, respectively, to Al 1 atoms.
  • the method of manufacturing the conductive structure may include forming a darkening pattern layer on a substrate and forming a conductive pattern layer after forming the darkening pattern layer.
  • the method of manufacturing the conductive structure may include forming a conductive pattern layer on a substrate and forming a darkening pattern layer after the conductive pattern layer is formed.
  • the method of manufacturing the conductive structure is to form a darkening pattern layer on the substrate, after forming the darkening pattern layer to form a conductive pattern layer, and to form a conductive pattern layer Thereafter, the method may further include forming a darkening pattern layer.
  • the method of manufacturing a conductive structure comprises the steps of forming a conductive layer on the substrate; Forming a darkening layer including A 10 x N y (0 ⁇ X ⁇ 1.5, 0 ⁇ y ⁇ 1) before, after, or before and after forming the conductive layer; And patterning the conductive layer and the darkening layer, respectively or simultaneously.
  • the method for manufacturing a conductive structure comprises the steps of forming a conductive layer on the substrate; Darkness including AlOxNy (X> 0, y> 0) in which the element ratio is represented by Equation 1 before, after, or before and after forming the conductive layer. Forming a fire layer; And patterning the conductive layer and the darkening layer, respectively or simultaneously. ⁇
  • X and y refer to the ratio of the number of atoms of 0 and N to Al 1 atoms, respectively.
  • the method for manufacturing a conductive structure includes forming a darkening layer on a substrate, forming a conductive layer after forming the darkening layer, and forming a darkening layer after forming the conductive layer. It may be formed, and may include patterning the darkening layer and the conductive layer respectively or simultaneously.
  • the formation of the darkening pattern layer or the darkening layer may use a method known in the art, and more specifically, semi-ungotic sputtering (reactive sputtering) method can be used, but is not limited thereto.
  • the semi-arid condition may satisfy the reaction condition represented by Equation 4 below.
  • Equation 4 con. (Ar) and con. (N 2 ) mean the contents of Ar and N 2 in the reaction vessel, respectively.
  • the content means volume.
  • Equation 4 represents a standard flow rate per unit volume (Standard Cubic Centimeter per Minute: ' sccm), and means a ratio occupied by ⁇ , which is a semi-ungotic gas, of all plasma gases introduced into the reaction chamber.
  • a darkening layer when the reaction condition satisfies Equation 4, a darkening layer may be formed.
  • Equation 4 that is, the content of nitrogen in the semi-ungotic sputtering process becomes relatively large, and when the value of Equation 4 is less than 7, a transparent thin film is formed, and the content of nitrogen is relatively small. If the value of Equation 4 is greater than 15, a thin film close to the metal may be formed.
  • the method of forming the conductive pattern layer is not particularly limited, and the conductive pattern layer may be formed by a direct printing method, or a method of forming a conductive thin film layer and then patterning the conductive pattern layer may be used. Can be.
  • an ink or a paste of a conductive material may be used, and the paste further includes a binder resin, a solvent, a glass frit, etc., in addition to the conductive material. You may. .
  • a material having an etching resist property may be used.
  • the conductive layer may be formed by a method such as evaporation, sputtering, wet coating, evaporation, electroplating or electroless plating, lamination of metal foil, or the like.
  • a method of forming the conductive layer a method of applying conductivity by firing and / or drying after coating an organic metal, a nano metal, or a composite solution thereof on a substrate may be used.
  • Organic silver may be used as the organic metal, and nano silver particles may be used as the nano metal.
  • the patterning of the conductive layer may use a method using an etching resist pattern.
  • the etch resist pattern can be formed by printing, photolithography, photography, masking, or laser transfer, such as thermal transfer imaging. More preferably, it is not limited thereto.
  • the conductive thin film layer is etched and patterned using the etching resist pattern, and the etching resist pattern can be easily removed by a strip process.
  • One embodiment of the present invention provides a touch screen panel including the conductive structure.
  • the conductive structure according to the exemplary embodiment of the present invention may be used as the touch sensitive electrode substrate.
  • the touch screen panel according to the exemplary embodiment of the present invention may further include an additional structure in addition to the conductive structure including the substrate, the conductive pattern layer, and the darkening pattern layer.
  • the two laminates may be arranged in the same direction as each other, and the two structures may be arranged in opposite directions to each other.
  • the two or more structures that may be included in the touch screen panel of the present invention need not be the same structure, and only one of the structures closest to the user includes the above-described substrate, conductive pattern layer, and darkening pattern layer. It may be sufficient that the structure to be additionally included does not have to include a darkening pattern layer.
  • the layer laminated structure in two or more structures may mutually differ. When two or more structures are included, an insulating layer may be provided between them. In this case, the function of the adhesive layer may be further provided.
  • Touch screen panel is a lower substrate; Upper substrate; And an electrode layer provided on any one surface or both surfaces of the lower substrate and the surface in contact with the upper substrate and the upper substrate.
  • the electrode layer may function as an X axis position detection and a Y axis position detection, respectively.
  • the lower electrode and the electrode layer provided on the surface in contact with the upper substrate of the lower substrate; And one or both of the electrode layer provided on the surface in contact with the upper substrate and the lower substrate of the upper substrate may be a conductive structure according to an embodiment of the present invention described above. If only one of the electrode layers is the conductive structure chain according to the present invention, the other may have a pattern known in the art.
  • an insulating layer or a spacer is provided between the lower substrate and the upper substrate so as to maintain a constant distance between the electrode layers and prevent connection. It may be provided.
  • the insulating layer may include a pressure-sensitive adhesive or UV black or silver thermosetting resin.
  • the touch screen panel may further include a ground connected to the conductive pattern described above.
  • the ground portion may be formed at an edge portion of a surface on which the conductive pattern of the substrate is formed.
  • at least one surface of the laminate including the conductive structure may be provided with at least one of an antireflection film, a polarizing film, and a fingerprint film.
  • an antireflection film e.g., a polarizing film
  • a fingerprint film e.g., a polarizing film, and a fingerprint film.
  • the touch screen panel as described above may be applied to display devices such as an OLED display panel (PDP), a liquid crystal display (LCD), and a cathode-ray tube (CRT) and a PDP.
  • PDP OLED display panel
  • LCD liquid crystal display
  • CRT cathode-ray tube
  • the amount of the substrate Each surface may be provided with a conductive pattern layer and a darkening pattern layer.
  • the touch screen panel according to the exemplary embodiment of the present invention may further include an electrode part or a pad part on the conductive structure.
  • the effective screen portion, the electrode portion and the pad portion may be composed of the same conductor.
  • the darkening pattern layer may be provided on the side that the user views.
  • One embodiment of the present invention provides a display device including the conductive structure.
  • a conductive structure according to an exemplary embodiment of the present invention may be used for a color filter substrate or a thin film transistor substrate.
  • the solar cell may include an anode electrode, a cathode electrode, a photoactive layer, a hole transport layer and / or an electron transport layer
  • the conductive structure according to an embodiment of the present invention can be used as the anode electrode and / or cathode electrode have.
  • the conductive structure may replace the conventional IT0 in a display device or a solar cell, and may be utilized for flexible applications.
  • CNTs, conductive polymers, graphene (Graphene) and the like can be used as a next-generation transparent electrode.
  • the present invention will be described in more detail with reference to Examples and Comparative Examples. However, the following examples and comparative examples are for illustrating the present invention, whereby the scope of the present invention is not limited.
  • an A1 layer having a thickness of 60 to 100 nm is formed as a conductive thin film layer by reactive sputtering using an A1 single target, and an A1 single target is used.
  • the conductive structures of Examples 1 to 4 and Comparative Examples 1 to 8 were prepared by forming a darkening layer including AlOxNy by varying the thickness by means of a semi-sputtering method.
  • the conductive structures of Comparative Examples 1 to 4 were prepared according to the thickness of the darkening layer.
  • the thickness of the darkening layer was greater than 0 and less than 32nm was represented by Comparative Example 1 as # 11, and the thickness of the darkening layer was greater than 32nm and 65nm was represented by Comparative Example 2, represented by # 12, the thickness of the darkening layer is 65nm Excess 130 nm or less was represented by Comparative Example 3 by # 4, and the thickness of the darkening layer was greater than 130 nm and 290 nm or less by # 10, thereby referring to Comparative Example 4.
  • the conductive structures of Examples 1 to 4 were prepared according to the thickness of the darkening layer.
  • the thickness of the darkening layer is greater than 0 and less than 32nm was represented by Example 1 to # 2
  • the thickness of the darkening layer is greater than 32nm and 65nm or less is represented by Example 1 to # 2
  • the thickness of the darkening layer is 65nm
  • Excess 130 nm or less was represented by Example 3 to # 6
  • the thickness of the darkening layer is greater than 130nm ⁇ 290 nm or less represented by # 5 to be Example 4.
  • the conductive structures of Comparative Examples 5 to 8 were prepared according to the thickness of the darkening layer.
  • the thickness of the darkening layer was greater than 0 and less than 32 nm was represented by Comparative Example 5 as # 9
  • the thickness of the darkening layer was greater than 32 nm and less than 65 nm was represented by Comparative Example 6 as # 8
  • the thickness of the darkening layer was greater than 65 nm.
  • 130 nm or less was referred to as Comparative Example 7, and the thickness of the darkening layer was greater than 130 nm and 290 nm or less to # 13, and Comparative Example 8 was used.
  • Table 1 shows Examples 1-4 and Comparative Examples 1 to 8 which were changed by changing the thickness of the darkening layer and varying the conditions of Equation 4.
  • optical constant refractive index (n) and the extinction coefficient (k) of Examples 1 to 4 measured by an ellipsometer are shown in FIG. 7.
  • optical constant refractive index (n) and the extinction coefficient (k) of Comparative Examples 5 to 8 measured by an ellipsometer are shown in FIG. 8.
  • Tables 2 to 4 below show a composition ratio profile of the darkening layer measured by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), and show the element component ratio of the darkening pattern layer according to the etching time.
  • Table 2 shows Comparative Example 2 (# 12)
  • Table 3 shows Example 2 (# 1)
  • Table 4 shows Comparative Example 6 (# 8).
  • FIG. 4 is a view showing conductive structures in which a darkening pattern layer is deposited by varying reaction conditions on a glass substrate on which A1 is deposited. Comparative Examples 6 (# 8), Example 2 (# 1), and Comparative Examples, respectively 2 (# 12) is shown.
  • composition in Table 5 is based on 100% of all element contents represented by AlOxNy, (Al) at represents an element content of A1 (at%), and (0) at represents an element content of 0 (at3 ⁇ 4> (N) at represents the element content of N (at3 ⁇ 4>).
  • composition in Table 5 means the intermediate layer and the composition of 30nm depth on the surface when the darkening layer is formed to a thickness of 65nm.
  • the conductive structure and the touch screen panel including the same are introduced by using a darkening pattern including AlOxNy on at least one surface of the conductive pattern, thereby not affecting the conductivity of the conductive pattern.
  • the reflection can be prevented, and the absorbance can be improved to improve the concealability of the conductive pattern-and the contrast characteristic of the touch screen panel can be further improved by introducing the darkening pattern as described above.
  • a reactive sputtering method is used in the manufacturing process of the darkening pattern including AlOxNy, A1 single target can be used, thereby simplifying the sputtering process, and fine electrode patterning. Even in the etching process, there is an advantage that batch etching is possible with a general-purpose aluminum etchant.

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Abstract

본 발명의 일 실시상태는 암색화 패턴층을 포함하는 전도성 구조체로서， 상기 암색화 패턴층은 MOxNy를 포함하는 전도성 구조체 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시상태에 따른 전도성 구조체는 전도성 패턴층의 전도도에 영향을 미치지 않으면서도 전도성 패턴층에 의한 반사를 방지할 수 있고， 흡광도를 향상함으로써 전도성 패턴층의 은폐성을 향상시킬 수 있다. 따라서， 본 발명의 일 실시상태의 전도성 구조체를 이용하여 시인성이 개선된 디스플레이 패널을 개발할 수 있다.

Description

【명세서 ]
【발명의 명칭】
¾도성 구조체 및 이의 제조방법
【기술분야】
본 출원은 2011년 3월 4일에 한국특허청에 제출된 한 " 특허 출원 제 10- 2011-0019598호의 출원일의 이익을 주장하며， 그 내용 전부는 본 명세서에 포함된 다.
본 명세서는 전도성 구조체 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
【배경기술]
일반적으로, 터치 스크린 패널은 신호의 검출 방식에 따라 다음과 같이 분류 할수 있다. 즉， 직류 전압을 인가한 상태에서 압력에 의해 눌려진 위치를 전류 또 는 전압 값의 변화를 통해 감지하는 저항막 방식 (resistive type)과， 교류 전압을 인가한 상태에서 캐패시턴스 커플링 (capacitance coupling)을 이용하는 정전 용량 방식 (capacit ive type)과， 자계를 인가한 상태에서 선택된 위치를 전압의 변화로서 감지하는 전자 유도 방식 (electromagnetic type) 등이 있다.
【발명의 상세한 설명】
【기술적 과제]
당 기술분야에서는， 상기 다양한 방식의 터치 스크린 패널의 성능 향상을 위 한 기술 개발이 요구되고 있다.
【기술적 해결방법】
본 발명의 일 실시상태는，
기재; 전도성 패턴층; 및 AlOxNy (0 < X < 1.5， 0 < y < 1)를 포함하는 암색화 패턴층올 포함하는 전도성 구조체를 제공한다.
상기 AlOxNy 에서， X 및 y는 Al 1 원자에 대한 각각의 0 및 N의 원자 수의 비를 의미한다
또한, 본 발명의 일 실시상태는，
기재; 전도성 패턴층; 및 하기 수학식 1을 만족하는 AlOxNy (x > 0, y > 0) 암색화 패턴층을 포함하는 전도성 구조체를 제공한다.
[수학식 1]
Figure imgf000003_0001
상기 AlOxNy 에서， x 및 y는 Al 1 원자에 대한 각각의 0 및 N의 원자 수의 비를 의미하고，
상기 수학식 1에서, AlOxNy 로 표시되는 모든 원소 함량 100 %를 기준으로 할 때, (Al)at는 A1의 원소함량 (at%)을 나타내고, (0)at는 0의 원소함량 ( ¾)을 나 타내몌 (N)a.t는 N의 원소함량 (at¾>)을 나타낸다.
또한， 본 발명의 일 실시상태는，
기재 상에 전도성층을 형성하는 단계; 상기 전도성층의 형성 이전， 이후， 또 는 이전과 이후 모두 A10xNy(0 < X < 1.5， 0 < y < 1)를 포함하는 암색화층을 형성하는 단계; 및 상기 전도성층 및 암색화층을 각각 또는 동시에 패터닝하는 단 계를 포함하는 전도성 구조체의 제조방법을 제공한다.
또한, 본 발명의 일 실시상태는，
기재 상에 전도성 패턴층을 형성하는 단계; 및 상기 전도성 패턴층의 형성 이전， 이후, 또는 이전과 이후 모두 AlOxNy (0 < < 1.5, 0 < y < 1)를 포함 하는 암색화 패턴층올 형성하는 단계를 포함하는 전도성 구조체의 제조방법을 제공 한다.
또한， 본 발명의 일 실시상태는,
기재 상에 전도성 패턴층을 형성하는 단계; 및 상기 전도성 패턴층 형성 이 전, 이후， 또는 이전과 이후 모두 원소비율이 상기 수학식 1로 표시되는 AlOxNy (X > 0， y > 0)를 포함하는 암색화 패턴층을 형성하는 단계를 포함하는 전도성 구조체 의 제조방법을 제공한다.
또한， 본 발명의 일 실시상태는，
기재 상에 전도성층을 형성하는 단계; 상기 전도성층 형성 이전, 이후， 또는 이전과 이후 모두 원소비율이 상기 수학식 1로 표시되는 AlOxNy (x > 0, y > 0)를 포함하는 암색화층을 형성하는 단계 ; 및 상기 전도성층 및 암색화층을 각각 또는 동시에 패터닝하는 단계를 포함하는 전도성 구조체의 제조방법을 제공한다.
또한， 본 발명의 일 실시상태는 상기 전도성 구조체를 포함하는 터치 스크린 패널을 제공한다.
또한， 본 발명의 일 실시상태는 상기 전도성 구조체를 포함하는 디스플레이 장치를 제공한다.
또한， 본 발명의 일 실시상태는 상기 전도성 구조체를 포함하는 태양전지를 제공한다.
【유리한 효과】 본 발명의 일 실시상태에 따른 전도성 구조체는 전도성 패턴층의 전도도에 영향을 미치지 않으면서도 전도성 패턴층에 의한 반사를 방지할 수 있고， 흡광도를 향상시킴으로써 전도성 패턴층의 은폐성을 향상시킬 수 있다. 따라서， 본 발명의 일 실시상태에 따른 전도성 구조체를 이용하여 시인성이 개선된 터치 스크린 패널 및 이를 포함하는 디스플레이 장치를 개발할 수 있다.
【도면의 간단한 설명】 ,
도 1 내지 도 3은 각각 본 발명의 일 실시상태로서， 암색화 패턴층을 포함하 는 전도성 구조체의 적층 구조를 예시한 도이다.
도 4는 A1이 증착된 유리 기재에 반웅 조건을 달리하여 암색화 패턴층을 증 착한 전도성 구조체를 나타낸 것으로 각각 비교예 6(#8)， 실시예 2(#1), 비교예 2(#12)를 나타낸 것이다.
도 5는 실시예 1~4 및 비교예 1~8의 파장에 따른 총 반사율을 나타낸 것이 다.
도 6은 타원계 (Ellipsometer)로 측정한 비교예 1~4의 광학상수 굴절율 (n) 및 소멸계수 0 를 나타낸 것이다.
도 7은 타원계 (Ellipsometer)로 측정한실시예 1~4의 광학상수 굴절율 (n) 및 소멸계수 0 를 나타낸 것이다.
도 8은 타원계 (Ellipsometer)로 측정한 비교예 5~8의 광학상수 굴절율 (n) 및 소멸계수 0 를 나타낸 것이다.
【발명의 실시를 위한 형태】
이하, 본발명을 보다상세히 설명한다.
본 명세서에서， 디스플레이 장치란 TV나 컴퓨터용 모니터 등을 통를어 일컫 는 말로서， 화상을 형성하는 디스플레이 소자 및 디스플레이 소자를 지지하는 케이 스를 포함한다. '
상기 디스플레이 소자로는 플라즈마 디스플레이 패널 (Plasma Display Panel, PDP), 액정 디스플레이 (Liquid Crystal Display, LCD), 전기영동 디스플레이 (Electrophoretic display), 음극선관 (Cathode-Ray Tube, CRT) 및 OLED 디스플레이 등을 예로 들 수 있다. 디스플레이 소자에는 화상 구현을 위한 RGB 화소 패턴 및 추가적인 광학 필터가 구비되어 있을 수 있다.
한편， 디스플레이 장치와 관련하여， 스마트 폰 및 태블릿 PC, IPTV 둥의 보 급이 가속화됨에 따라 키보드나 리모컨 등 별도의 입력 장치 없이 사람의 손이 직 접 입력 장치가 되는 터치 기능에 대한 필요성이 점점 커지고 있다. 또한， 특정 포 인트 인식뿐만 아니라 필기가 가능한 다중 인식 (multi-touch) 기능도 요구되고 있 다.
현재, 상용화된 대부분의 터치 스크린 패널 (TSP, touch screen panel)은 투 명 전도성 IT0 박막을 기반으로 하고 있으나， 대면적 터치 스크린 패널 적용시 IT0 투명 전극 자체의 비교적 높은 면저항 (최저 150 Ω/squre, Nitto denko 社 ELECRYSTA 제품)으로 인한 RC 지연 때문에 터치 인식 속도가 느려지게 되고, 이를 극복하기 위한 추가적인 보상 칩 (chip)을 도입해야 하는 등의 문제점이 있다.
본 발명자들은 상기 투명 ΠΌ 박막을 금속 미세 패턴으로 대체하기 위한 기 술을 연구하였다. 이에 , 본 발명자들은， 터치 스크린 패널의 전극 용도로서， 높은 전기전도도를 가지는 금속 박막인 Ag, Mo/A 1 /Mo, MoTi/Cu 등을 이용하는 경우에는, 특정 모양의 미세 전극 패턴을 구현하고자 할 때， 높은 반사도로 인하여 시인성 측 면에 있어서 패턴이 사람의 눈에 잘 인지되는 문제점과 함께 외부 광에 대하여 높 은 반사도 및 헤이즈 (Haze) 값 등으로 인하여 눈부심 등이 일어날 수 있다는 것을 밝혀내었다. 또한， 제조공정시 고가의 타겟 (target) 값이 들거나， 공정이 복잡한 경우가 많을 수 있음을 밝혀내었다.
그래서 본 발명의 일 실시상태는， 종래의 IT0 기반의 투명 전도성 박막층을 사용한 터치 스크린 패널과 차별화될 수 있고， 금속 미세 패턴 전극의 은폐성 및 외부광에 대한 반사 및 회절 특성이 개선된 터치 스크린 패널에 적용할 수 있는 전 도성 구조체를 제공하고자 한다.
본 발명의 일 실시상태에 따른 전도성 구조체는 AlOxNy (0 < X < 1.5, 0 ≤ y ≤ 1)를 포함하는 암색화 패턴층을 포함할 수 있다. 상기 X와 y는 서로 독립 적이다. 상기 X와 y는 구체적으로 x+y>0일 수 있고， 더욱 구체적으로 x>0, y>0일 수 있다. 더욱 더 구체적으로 AlOxNy (0 < X < 0.6， 0.3 < y < 0.8)인 경우 암 색화 패턴층 형성에 더욱 효과적이다.
상기 AlOxNy 에서， X 및 y는 Al 1 원자에 대한 각각의 0 및 N의 원자 수의 비를 의미한다.
상기 암색화 패턴층은 원소비율이 하기 수학식 1로 표시되는 AlOxNy (X > 0， y > 0)를 포함할 수 있다.
[수학식 1]
Figure imgf000006_0001
상기 AlOxNy 에서， x 및 y는 Al 1 원자에 대한 각각의 0 및 N의 원자 수의 비를 의미하고，
상기 수학식 1에서， AlOxNy로 표시되는 모든 원소 함량 100%를 기준으로 할 때， (Al)at는 A1의 원소함량 (at%)을 나타내고， (0)at는 0의 원소함량 ( ¾)을 나타 내며， (N)at는 N의 원소함량 ( %)을 나타낸다. " 상기 수학식 1은 XPS( X-ray Photoelectron Spectroscopy)로 측정한 원소함량 (at%)과 화학적 가수를 고려한 식이다. A1의 화학적 가수는 3이고, 0의 화학적 가 수는 2이며', N의 화학적 가수는 3이다. 상기 수학식 1의 값이 1보다 크면 A1, 0 및 N 중에서 A1이 풍부한 것을 의미하며， 1이하이면 A1, 0 및 N 중에서 A1이 부족한 것을 의미한다. 예를 들어， 화학양론적으로 A1203 또는 A1N의 경우는 비교적 투명한 상을 나타내며, 수학식 1의 값은 1이 된다. 수학식 1에서 얻어진 값이 1보다 크면, A1203 또는 A1N의 경우보다 금속원자 A1의 함량이 과량으로 되므로， 흡수계수가 상 승하고, 암색화층이 형성되게 된다. 상기 수학식 1에서 얻어진 값이 2보다 크면 A1 의 함량이 더욱 높,아져서 금속성 층을 형성하게 된다.
본 발명의 실시상태에 따른 전도성 구조체는 소멸계수 (Extinct ion coefficient) k가 0.2 이상 2.5 이하， 구체적으로는 0.2 이상 1.5 이하, 더욱 구체 적으로 0.2 이상 0.8 이하일 수 있다. 상기 소멸계수 k가 0.2 이상이면 암색화를 가능하게 하는 효과가 있다. 상기 소멸계수 k는 흡수계수 (Absorption Coefficient) 라고도 하며， 특정 파장에서 전도성 구조체가 빛을 얼마나 강하게 흡수하는지를 정 의할 수 있는 척도로서， 전도성 구조체의 투과도를 결정하는 요소이다. 예를 들어， A1203 또는 A1N 과 같은 투명한 전도성 구조체인 경우， k<0.2로 k값이 매우 작다. 그러나， 금속 A1원자가 증가할수록 k값이 증가하게 된다. 만약， A1이 지나치게 많 아져서 전도성 구조체가 금속에 가깝게 형성되면 투과가 거의 일어나지 않고 대부 분 반사만 일어나는 금속이 되며， 소멸계수 k는 2.5 초과가 되어 바람직하지 않다. 본 발명의 일 실시상태에 따른 전도성 구조체는 기재 및 전도성 패턴층을 더 포함할 수 있다. 여기서， 상기 암색화 패턴층은 전도성 패턴층의 어느 한 면에만 구비될 수 있고， 전도성 패턴층의 양면 모두에 구비될 수 있다.
' 본 발명의 일 실시상태에 따른 전도성 구조체는 기재; 상기 기재 상에 구비 된 전도성 패턴층； 및 상기 전도성 패턴층 상에 구비되고， AlOxNy (0 < X < 1.5, 0 ≤ y ≤ 1)를 포함하는 암색화꽤턴층을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따른 전도성 구조체는 기재; 상기 기재 상에 구비 되고， AlOxNy (0 < x < 1.5, 0 ≤ y ≤ 1)를 포함하는 암색화 패턴층; 및 상기 암색화 패턴층 상에 구비된 전도성 패턴층을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따른 전도성 구조체는 기재; 상기 기재 상에 구비 되고， AlOxNy (0 < X < 1,5, 0 ≤ y ≤ 1)를 포함하는 암색화 패턴층； 상기 암색 화 패턴층 상에 구비된 전도성 패턴층; 및 상기 전도층 패턴층 상에 구비되고， AlOxNy (0 < X < 1.5， 0 < y < 1)를 포함하는 암색화 패턴층홀 포함할 수 있 다.
본 발명의 일 실시상태에 따른 전도성 구조체는 기재; 상기 기재 상에 구비 된 전도성 패턴층； 및 상기 전도성 패턴층 상에 구비되고， 상기 수학식 1로 표시되 는 AlOxNy (X > , y > 0)를 포함하는 암색화 패턴층을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따른 전도성 구조체는 기재; 상기 기재 상에 구비 되고， 상기 수학식 1로 표시되는 AlOxNy (x > 0, y > 0)를 포함하는 암색화 패턴 층; 및 상기 암색화 패턴층 상에 구비된 전도성 패턴층을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따른 전도성 구조체는 기재; 상기 기재 상에 구비 되고， 상기 수학식 1로 표시되는 AlOxNy (X > 0， y > 0)를 포함하는 암색화 패턴 층; 상기 암색화 패턴층 상에 구비된 전도성 패턴층； 및 상기 전도성 패턴층 상에 구비되고， 상기 수학식 1로 표시되는 AlOxNy (X > 0， y > 0)를 포함하는 암색화 패 턴층을 포함할 수 있다.
본 발명자들은， 유효 화면부에 구비된 전도성 금속 미세 패턴을 포함하는 터 치 스크린 패널에 있어서， 상기 전도성 금속 미세 패턴의 시인성에 상기 패턴층에 의한 광반사 및 회절 특성이 주요한 영향을 미친다는 사실을 밝혀내었으며， 이를 개선하고자 하였다. 구체적으로， 기존 ITO를 기반으로 한 터치 스크린 패널에서는 IT0 자체의 높은 투과도로 인하여 전도성 패턴의 반사도에 의한 문제가 그리 크게 나타나지 않았으나， 유효 화면부 내에 구비된 전도성 금속 미세 패턴을 포함하는 터치 스크린 패널에서는 상기 전도성 금속 미세 패턴의 반사도 및 암색화 특성이 중요하다는 것을 밝혀내었다.
본 발명의 일 실시상태에.따른 터치 스크린 패널에서 전도성 금속 미세 패턴 의 반사도를 낮추고 흡광도 특성을 개선하기 위하여， 암색화 패턴층을 도입할 수 있다ᅳ 상기 암색화 패턴층은 터치 스크린 패널 내 전도성 패턴층의 적어도 일면에 구비됨으로써 상기 전도성 패턴층의 높은 반사도에 따른 시인성 저하문제를 크게 개선시킬 수 있다.
구체적으로， 상기 암색화 패턴층은 흡광성을 가지기 때문에 전도성 패턴층 자체로 입사되는 빛과 전도성 패턴층으로부터 반사되는 빛의 ' 양을 감소시킴으로써 전도성 패턴층에 의한 반사도를 낮출 수 있다. 또한， 상기 암색화 패턴층은 전도성 패턴층에 비하여 낮은 반사도를 가질 수 있다 . 이에 의하여， 사용자가 직접 전도성 패턴층을 바라보는 경우에 비하여 빛의 반사도를 낮출 수 있으므로， 전도성 패턴층 의 시인성을 크게 개선시킬 수 있다.
본 명세서에서， 상기 암색화 패턴층은 흡광성을 가져서 전도성 패턴 자체로 입사되는 빛과 전도성 패턴층으로부터 반사되는 빛의 양을 감소시킬 수 있는 층을 의미하는 것으로서， 암색화 패턴층이라는 용어뿐만 아니라， 흡광성 패턴층， 혹화 패턴층, 혹화성 패턴층 등의 용어로 표현될 수도 있다.
본 발명의 일 실시상태에서， 상기 암색화 패턴층의 반사율은 20% 이하일 수 있고， 구체적으로 15% 이하일 수 있고， 더욱 구체적으로 10% 이하일 수 있으며， 더 욱 더 구체적으로 5¾ 이하일 수 있고， 3% 이하일 수 있다. 상기 반사율은 작을수록 효과가 더욱 좋다.
상기 반사율의 측정은 상기 암색화 패턴층의 상기 전도성 패턴층과 접하는 면의 반대면 방향에서 측정한 것일 수 있다. 이 방향에서 측정하였을 때 반사율은 20% 이하일 수 있고， 구체적으로 15% 이하일 수 있으며， 더욱 구체적으로 10% 이하 일 수 있고， 더욱 더 구체적으로 5 > 이하일 수 있고, 3% 이하일 수 있다. 상기 반 사율은 작을수록 효과가 더욱 좋다.
또한， 상기 암색화 패턴층이 상기 전도성 패턴층과 기재 사이에 구비되고, 상기 기재측에서 측정한 것일 수 있다. 상기 기재측에서 반사율을 측정하였을 때 반사율은 20% 이하일 수 있고， 구체적으로 15% 이하일 수 있으며 , 더욱 구체적으로 10% 이하일 수 있고， 더욱 더 구체적으로 5% 이하일 수 있고， 3% 이하일 수 있다. 상기 반사율은 작을수록 효과가 더욱 좋다.
본 명세서에 있어서， 상기 반사율은 측정하고자 하는 면의 반대면을 검은 층 (perfect black)으로 처리한 후， 측정하고자 하는 면에 90°C로 입사한 550nm의 빛 의 반사율을 의미한다,
본 발명의 일 실시상태에서， 상기 껀도성 구조체는 암색화 패턴층의 반사율 이 20% 이하일 수 있고， 구체적으로 15% 이하일 수 있으며 , 더욱 구체적으로 10% 이하일 수 있고， 더욱 더 구체적으로 6 이하일 수 있다. 상기 반사율은 작을수록 효과가 더욱 좋다.
본 명세서에 있어서， 반사율은 입사광을 100%로 하였을 때 광이 입사한 대상 패턴층 또는 전도성 적층체에 의하여 반사된 반사광 중 파장 550nm의 값을 기준으 로 측정한 값일 수 있으며 , 이는 550nm의 파장의 반사율이 통상적으로 전체적인 반 사율과 크게 다르지 않기 때문이다.
본 발명의 일 실시상태에 ！다른 전도성 구조체에 있어서， 상기 암색화 패턴층 은 상기 전도성 패턴층과 접하는 제 1면 및 상기 제 1면에 대향하는 제 2면을 포함할 수 있다. 상기 암색화 패턴층의 제 2면 측에서 상기 전도성 구조체의 반사율을 측정 하였을 때， 상기 전도성 구조체와 반사율 (Rt)은 하기 수학식 2로 계산될 수 있다.
[수학식 2]
반사율 (Rt) = 기재의 반사율 + 폐쇄율 X 암색화 패턴층의 반사율
또한， 상기 전도성 구조체의 구성이 전도성 구조체 2종이 라미네이션된 경우 에는 전도성 구조체의 반사율 (Rt)는 하기 수학식 3으로 계산될 수 있다.
[수학식 3]
반사율 (Rt) = 기재의 반사율 + 폐쇄율 X 암색화 패턴층의 반사율 X 2 상기 수학식 2 및 3에서 기재의 반사율은 터치 강화유리의 반사율일 수 있 고, 표면이 필름인 경우에는 필름의 반사율일 수 있다. '
또한， 상기 폐쇄율은 전도성 구조체의 평면을 기준으로 전도성 패턴에 의하 여 덮여지는 영역이 차지하는 면적 비율， 즉 (1 - 개구율)로 나타낼 수 있다.
따라서， 암색화 패턴층이 있는 경우와 없는 경우의 차이는 암색화 패턴층의 반사율에 의하여 의존하게 된다. 이러한 관점에서， 본 발명의 일 실시상태에 따른 전도성 구조체의 반사율 (Rt)은 상기 암색화 패턴층이 없는 것을 제외하고 동일한 구성을 갖는 전도성 구조체 반사율 ( )에 비하여 10 - 20% 감소된 것일 수 있고， 20
~ 30% 감소된 것일 수 있으며， 30 - 40% 감소된 것일 수 있고， 40 ~ 50% 감소된 것 일 수 있으며， 50 ~ 70% 감소된 것일 수 있다. 즉， 상기 수학식 2 및 3에서 폐쇄율 범위를 1 ~ 10% 범위로 변화시키면서 반사율 범위를 1 ~ 30%까지 변화시키는 경우 최대 70%의 반사율 감소 효과를 나타낼 수 있고, 최소 10%의 반사율 감소 효과를. 나타낼 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 '따른 전도성 구조체에 있어서， 상기 암색화 패턴층 은 상기 전도성 패턴과 접하는 제 1면 및 상기 제 1면에 대향하는 게 2면을 포함하고, 상기 암색화 패턴의 제 2면 측에서 상기 전도성 구조체의 반사율을 측정하였을 때， 상기 전도성 구조체의 반사율 (Rt)은 상기 기재의 반사율 (Ro)과의 차이가 40% 이하일 수 있고， 30% 이하일 수 있으며， 2M 이하일 수 있고, 10% 이하일 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에서， 상기 전도성 구조체는 굴절율이 0 이상 3 이하 일 수 있다. 본 발명의 일 실시싱；태에서， 상기 전도성 구조체는 l a*b* 색상값 기준으로 명도값 (L*)이 50 이하일 수 있고， 더욱 구체적으로는 30 이하일 수 있다. 명도값이 낮을수록 반사율이 낮아져서 유리한 효과가 있다.
본 발명의 일 실시상태에서， 상기 전도성 구조체는 면저항이 1 Ω/squre 이 상 300 Ω/squre 이하일 수 밌고， 구체적으로 1 Ω/squre 이상 100 Ω/squre 이하 일 수 있으며， 더욱 구체적으로 1 Ω/squre 이상 50 Ω/squre 이하일 수 있고， 더 욱 더 구체적으로 1 Ω/squre 이상 20 Ω/squre 이하일 수 있다.
전도성 구조체의 면저항이 1 Ω/squre 이상 300 Ω/squre 이하이면 종래의 IT0 투명 전극을 대체할 수 있는 효과가 있다. 전도성 구조체의 면저항이 1 Ω /squre 이상 100 Ω/squre 이하인 경우， 또는 1 Ω/squre 이상 50 Ω/squre 이하인 경우, 특히 1 Ω/squre 이상 20 Ω /squre 이하인 경우에는 종래 IT0 투명 전극 사 용시보다 면저항이 상당히 낮기 때문에 신호 인가시 RC 지연이 짧아져 터치 인식 속도를 현저하게 개선할 수 있으며， 이를 바탕으로 10인치 이상 대면적 터치스크린 적용이 용이하다는 장점이 있다.
상기 전도성 구조체에서 패턴화 하기 이전의 전도성층 또는 암색화층의 면저 항은 0 Ω /squre 초과 2 Ω /squre 이하， 구체적으로는 0 Ω /squre 초과 0.7 Ω /squre 이하일 수 있다. 상기 면저항이 2 Ω /squre 이하이면， 특히 0.7 Ω /squre 이하이면， 패터닝 전의 전도성층 또는 암색화층의 면저항이 낮을수록 미세 패터닝 설계 및 제조 공정이 용이하게 진행되며， 패터닝 후의 전도성 구조체의 면저항이 낮아져서 전극의 반웅 속도를 빠르게 하는 효과가 있다.
본 발명의 일 실시상태에서， 상기 전도성 구조체 내에는 핀홀이 없을 수 있 고， 상기 핀홀이 존재한다 하더라도 그 지름이 3//Π1 이하일 수 있으며 , 더욱 구체적 으로 lmi 이하일 수 있다. 상기와 같이 전도성 구조체 내에서 핀홀이 없거나， 핀홀 지름이 /m 이하인 경우에는 단선의 ½：생을 방지할 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서， 상기 암색화 패턴층은 상기 전도성 패턴의 어느 한 면에만 구비될 수 있고， 양면 모두에 구비될 수도 있다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서， 상기 암색화 패턴층은 상기 전도성 패턴층 과 동시에 또는 별도로 패턴화될 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서， 상기 암색화 패턴층과 상기 전도성 패턴층 은 동시에 또는 별도의 패터닝 공정에 의하여 적층 구조를 형성할 수 있다. 이러한 점에서， 흡광 물질의 적어도 일부가 전도성 패턴 내에 함몰 또는 분산되어 있는 구 조나 단일층의 전도성 패턴이 추가 표면처리에 의하여 표면측 일부가 물리적 또는 화학적 변형이 이루어진 구조와는 차별될 수 있다.
또한， 본 발명의 일 실시상태에 따른 전도성 구조체에 있어서, 상기 암색화 패턴층은 접착층 또는 점착층을 개재하지 않고， 직접 상기 기재 상에 또는 직접 상 기 전도성 패턴층 상에 구비될 수 있다 . 상기 접착층 또는 점착층은 내구성이나 광 학 물성에 영향을 미칠 수 있다. 또한, 본 발명의 일 실시상태에 따른 전도성 구조 체는 접착층 또는 점착층을 이용하는 경우와 비교할 때 제조방법이 전혀 상이하다 . 더욱이， 접착층이나 점착층을 이용하는 경우에 비하여， 본 발명의 일 실시상태에서 는 기재 또는 전도성 패턴층과 암색화 패턴층의 계면 특성이 우수하다 .
본 발명의 일 실시상태에서， 상기 암색화 패턴층의 두께는 lOnm 이상 400nm 이하， 구체적으로 30 nm 이상 300nm이하， 더욱 구체적으로 50 nm 이상 lOOnm이하 일 수 있다. 사용하는 재료 및 제조 공정에 따라 바람직한 두께는 상이할 수 있으 나， 식각 (etching) 특성을 고려하면 두께가 lOnm 미만이면 공정 조절이 쉽지 않을 수 있고， 400 nm 초과이면 생산 속도 측면에서 불리할 수 있다. 구체적으로 두께가 30 nm 이상 300nm이하인 경우 공정 조절이 쉽고， 생산 속도가 개선되어서 제조 공 정에서 더욱 유리할 수 있다. 상기 암색화 패턴층의 두께가 50 nm 이상 lOOnm이하 이면 반사율이 감소하여， 암색화층이 더욱 잘 형성되어 더욱 유리한 효과가 있다. 본 발명의 일 실시상태에서， 상기 암색화 패턴층은 단일층으로 이루어질 수 도 있고， 2층 이상의 복수층으로 이루어질 수도 있다.
본 발명의 일 실시상태에서， 상기 암색화 패턴층은 무채색 (無彩色) 계열의 색상을 띠는 것이 바람직하다. 이 때， 무채색 계열의 색상이라 함은 물체의 표면에 입사 (入射)하는 빛이 선택 흡수되지 않고， 각 성분의 파장 (波長)에 대해 골고루 반 사 흡수될 때에 나타나는 색을 의미한다.
본 발명의 일 실시상태에서， 상기 암색화 패턴층은 유전성 물질 및 금속 중 적어도 하나를 추가로 포함할 수 있다. 상기 유전성 물질로는 SiO, Si02) MgF2,
SiNz(z는 1 이상의 정수) 등을 들 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다. 상기 금속으로는 Fe, Co, Ti, V， Cu, Al, Au, Ag 등을 들 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 암색화 패턴충은 유전성 물질 중 1종 이상과 금속 중 1종 이상을 추가로 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에서， 상기 유전성 물질은 외부광이 입사되는 방향으 로부터 멀어질수록 점차적으로 감소되도록 분포되어 있고， 상기 금속은 그 반대로 분포되어 있는 것이 바람직하다. 이때， 상기 유전성 물질의 함량은 20 ~ 50 중량 % 일 수 있고， 상기 금속의 함량은^) ~ 80 중량 % 일 수 있다. 본 발명의 일 실시상태에서， 상기 암색화 패턴층은 상기 전도성 패턴층의 어 느 한 면에만 구비될 수도 있고， 양면 모두에 구비될 수도 있다. 여기서, 상기 암 색화 패턴층은 상기 전도성 패턴층과 동일한 형상의 패턴을 가질 수 있다. 다만, 상기 암색화 패턴층의 패턴 규모가 상기 전도성 패턴층과 완전히 동일할 필요는 없 으며， 암색화 패턴층의 선폭이 전도성 패턴층의 선폭에 비하여 좁거나 넓은 경우도 본 발명의 범위에 포함된다.
본 발명의 일 실시상태에서， 상기 암색화 패턴층은 상기 전도성 패턴층의 선 폭과 동일하거나 큰 선폭을 갖는 패턴 형태를 가질 수 있다. 예컨대， 상기 암색화 패턴층은 상기 전도성 패턴층이 구비된 면적의 80% 내지 120 >의 면적을 가질 수 있 다.
상기 암색화 패턴층이 상기 전도성 패턴층의 선폭보다 더 큰 선폭을 갖는 패 턴 형상을 갖는 경우, 사용자가 바라볼 때 암색화 패턴층이 전도성 패턴층을 가려 주는 효과를 더 크게 부여할 수 있으므로， 전도성 패턴층 자체의 광택이나 반사에 의한 효과를 효율적으로 차단할 수 있다는 장점이 있다. 그러나， 상기 암색화 패턴 층의 선폭이 상기 전도성 패턴층의 선폭과 동일하여도 본 발명의 목적하는 효과를 달성할 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따른 전도성 구조체에 있어서， 상기 기재로는 투명 기판을 사용할 수 있으나， 특별히 한정되지 않으며， 예컨대 유리， 플라스틱 기판， 플라스틱 필름 등을 사용할 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따른 전도성 구조쎄에 있어서， 상기 전도성 패턴층 의 재료는 금속； 금속 합금， 금속 산화물， 금속 질화물 등을 1종 이상 포함하는 것 이 좋다. 상기 전도성 패턴층의 재료는 전기 전도도가 우수하고， 식각 (etching)이 용이한 금속 재료일수록 좋다. 다만， 일반적으로 전기 전도도가 우수한 재료는 반 사도가 높은 단점이 있다. 그러나， 본 발명에서는 상기 암색화 패턴층을 사용함으 로써 반사도가 높은 재료를 이용하여 전도성 패턴층을 형성할 수 있다. 본 발명에 서는 반사도가 70 ~ 80% 이상인 재료를 이용하는 경우에도， 상기 암색화 패턴층을 추가함으로써 반사도를 낮추고, 전도성 패턴층의 은폐성을 향상시킬 수 있으며， 콘 트라스트 특성을 유지 또는 향상시킬 수 았다.
본 발명의 일 실시상태에서， 상기 전도성 패턴층의 재료와 구체적인 예로는 은， 알루미늄, 구리， 네오디움， 몰리브덴， 니켈， 이들의 합금， 이들의 산화물, 이 들의 질화물 둥을 1종 이상 포함하는 단일막 또는 다층막일 수 있고， 더욱 구체적 으로 알루미늄일 수 있으나， 이에만 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 일 실시상태에서， 상기 전도성 패턴층의 두께는 특별히 한정되는 것은 아니지만, 0.01 이상 10 이하인 것이 전도성 패턴층의 전도도 및 패턴 형성 공정의 경제성 측면에서 보다 우수한 효과를 나타낼 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에서， 상기 전도성 패턴층의 선폭은 0 1 초과 10 卿 이하일 수 있고, 구체적으로 0.1 /m 이상 10 이하 일 수 있으며， 더욱 구체적으 로 0.2 ； urn이상 내지 8 //m 이하일 수 있고， 더욱 더 구체적으로 0.5 卿이상 내지 5 이하일 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에서， 상기 전도성 패턴층의 개구율， 즉 패턴에 의하 여 덮여지지 않는 면적 비율은 70% 이상일 수 있고， 85% 이상일 수 있으며， 95% 이 상일 수 있다. 또한， 상기 전도성 패턴층의 개구율은 90 내지 99.9%일 수 있으나， 이에만 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 일 실시상태에서， 상기 전도성 패턴층의 패턴은 규칙적 패턴일 수 도 있고， 불규칙적인 패턴일 수도 있다.
상기 규칙적인 패턴으로는 메쉬 패턴 등 당 기술분야의 패턴 형태가 사용될 수 있다. 상기 불규칙 패턴으로는 특별히 한정되지 않으나， 보로노이 다이어그램을 이루는 도형들의 경계선 형태일 수도 있다. 본 발명에서 블규칙 패턴과 암색화 패 턴층을 함께 사용하는 경우， 불규칙 패턴에 의하여 지향성이 있는 조명에 의한 반 사광의 회절 패턴을 제거할 수도 있고， 암색화 패턴층에 의하여 빛의 산란에 의한 영향을 최소화할 수 있어 시인성에 있어서의 문제점을 최소화할 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에서， 상기 전도성 패턴과 교차하는 직선을 그렸을 때 ， 상기 직선과 상기 전도성 패턴의 인접하는 교점들간의 거리의 평균값에 대한 표 준 편차의 비율 (거리 분포 비율)이 2% 이상일 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에서， 상기 전도성 패턴층의 패턴과 교차하는 직선을 그렸을 때， 상기 직선과 상기 전도성 패턴의 인접하는 교점들간의 거리의 평균값에 대한 표준 편차의 비율 (거리 분포 비율)이 2% 이상인 전도성 패턴을 가짐으로써， 모아레 및 반사형 회절 현상을 방지하는 동시에 우수한 전기 전도도와 광학적 특성 을 만족할 수 있는 전도성 구조체를 제공할 수 있다.
상기 전도성 패턴과 교차하는 직선은 상기 전도성 패턴과의 인접하는 교점들 간의 거리의 표준 편차가 가장 작은 선인 것이 바람직하다. 또는， 상기 전도성 패 턴과 교차하는 직선은 상기 전도성 패턴의 어느 한 점의 접선에 대하여 수직한 방 향으로 연장된 직선일 수 있다. .
상기 전도성 패턴과 교차하는 직선과 상기 전도성 패턴의 인접하는 교점들간 의 거리의 평균값에 대한 표준 편차의 비율 (거리 분포 비율)이 2% 이상일 수 있고， 10% 이상일 수 있으며， 20% 이상일 수ᅳ있다. 상기 전도성 패턴과 교차하는 직선과 상기 전도성 패턴의 인접하는 교점들간의 거리의 평균값에 대한 표준 편차의 비율 ( 거리 분포 비율)은 전도성 패턴의 불규칙도와 관련된 것으로서， 상기 표준 편차의 비율이 2% 이상인 경우에는 상기 전도성 패턴이 불규칙 패턴 형태를 가질 수 있다. 상기 전도성 패턴과 교차하는 직선과 상기 전도성 패턴의 인접하는 교점들간 의 거리의 평균값에 대한 표준 편차의 비율 (거리 분포 비율)이 2% 이상인 패턴은 기재의 전체 면적에 대하여 30% 이상인 것이 바람직하다. 상기와 같은 전도성 패턴 이 구비된 기재의 표면의 적어도 일부에는 다른 형태의 전도성 패턴이 구비될 수도 있다.
본 발명의 일 실시상태에서， 상기 전도성 패턴과 교차하는 직선과 상기 전도 성 패턴의 인접하는 교점은 적어도 80개 존재할 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에서， 상기 전도성 패턴은 분포가 연속적인 폐쇄 도형 들로 이루어지고， 상기 폐쇄 도형들의 면적의 평균값에 대한 표준 편차의 비율 (면 적 분포 비율)이 2% 이상일 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에서， 상기 폐쇄 도형은 적어도 100개 존재할 수 있 다.
본 발명의 일 실시상태에서, 상기 폐쇄 도형들의 면적의 평균값에 대한 표준 편차의 비율 (면적 분포 비율)이 2% 이상일 수 있고， 10% 이상일 수 있으며， 20% 이 상일 수 있다. 상기 폐쇄 도형들의 면적의 평균값에 대한 표준 편차의 비율 (면적 분포 비율)은 전도성 패턴의 불규칙도와 관련된 것으로서， 상기 표준 편차의 비율 이 2h 이상안 경우에는 상기 전도성 패턴이 불규칙 패턴 형태를 가질 수 있다.
상기 면적의 평균값에 대한 표준 편차의 비율 (면적 분포 비율)이 2% 이상인 폐쇄 도형들로 이루어진 패턴은 기재의 전체 면적에 대하여 30% 이상인 것이 바람 직하다. 상기와 같은 전도성 패턴이 구비된 기재의 표면의 적어도 일부에는 다른 형태의 전도성 패턴이 구비될 수도 있다.
본 발명의 일 실시상태에서， 상기 전도성 패턴층은 서로 교차되는 금속 패턴 을 포함하고, 상기 전도성 패턴층의 단위면적 (cm2) 당 상기 교차되는 금속 패턴 간 의 교점의 수는 5 ~ 10,000개일 수 있다. .
본 발명의 일 실시상태에서， 상기 전도성 패턴의 피치는 600卿 이하일 수 있 고， 250//m 이하일 수 있으며， 이는 당업자가 원하는 투과도 및 전도도에 따라 조정 할 수 있다. 본 발명의 일 실시상태에서， 상기 전도성 패턴충은 비저항 1 X 10 Ω · cm 이상 30 X 106 Ω · cm이하의 물질이 적절하며， 1 X 106 Ω · cm 이상 7 x 106 Ω
• cm 이하일 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에서， 상기 전도성 패턴층의 패턴은 보로노이 다이어 그램 (Voronoi diagram)을 이루는 도형들의 경계선 형태일 수 있다. 본 발명의 일 실시상태에 있어서， 상기 전도성 패턴을 보로노이 다이어그램을 이루는 도형들의' 경계선 형태로 형성함으로써 모아레 현상 및 반사광에 의한 2차 회절 현상을 방지 할 수 있다. 보로노이 다이어그램 (Voronoi diagram)이란， 채우고자 하는 영역에 보 로노이 다이어그램 제너레이터 (Voronoi diagram generator)라는 점들을 배치하면, 각 점들이 다른 점들로부터의 거리에 비하여 해당 점과의 거리가 가장 가까운 영역 을 우는 방식으로 이루어진 패턴이다. 예를 들어， 전국의 대형 할인점을 점으로 표시하고 소비자들은 가장 가까운 대형 할인점을 찾아간다고 할 때， 각 할인점의 상권을 표시하는 패턴을 예로 들 수 있다. 즉， 정육각형으로 공간을 채우고 정육각 형들의 각점들을 보로노이 제너레이터로 선정하면 벌집 (honeyc이 lib) 구조가 상기 전 도성 패턴이 될 수 있다. 본 발명의 일 실시상태에서 보로노이 다이어그램 제너레 이터를 이용하여 전도성 패턴을 형성하는 경우， 다른 규칙적인 패턴과의 간섭에 의 하여 발생할 수 있는 모아레 현상을 방지할 수 있는 복잡한 패턴 형태를 용이하게 결정할 수 있는 장점이 있다. 도 6에 보로노이 다이어그램 제너레이터를 이용한 패 턴 형성이 나타나 있다.
본 발명의 일 실시상태에서 보로노이 다이어그램 제너레이터의 위치를 규칙 또는 불규칙하게 위치시킴으로써， 상기 제너레이터로부터 파생된 패턴을 이용할 수 있다. 전도성 패턴을 보로노이 다이어그램을 이루는 도형들의 경계선 형태로 형성 하는 경우에도， 전술한 바와 같은 시각적인 인지성의 문제를 해결하기 위하예 보 로노이 다이어그램 제너레이터를 생성할 때 규칙성과 불규칙성을 적절히 조화시킬 수 있다. 예를 들어， 패턴이 들어갈 면적에 일정크기의 면적을 기본 단위 (unit)로 지정한 후， 기본 단위 안에서의 점의 분포가 불규칙성을 갖도록 점을 생성한 후 보 로노이 패턴을 제작할 수도 있다. 이와 같은 방법을 이용하면 선의 분포가 어느 한 지점에 몰리지 않게 함으로써 시각성을 보완할 수 있다.
전술한 바와 같이, 전도체의 균일한 전도성 및 시각성을 위하여 패턴의 개구 율을 단위면적에서 일정하게 하는 경우， 보로노이 다이어그램 제너레이터의 단위면 적당 개수를 조절할 수 있다. 이 때， 보로노이 다이어그램 제너레이터의 단위면적 당 개수를 균일하게 조절시， 상기 단위면적은 5cm 이하일 수 있고， 1cm 이하일 수 있다. 상기 보로노이 다이어그램 제너레이터의 단위면적당 개수는 5 ~ 5,000 개 /cm2 범위일 수 있고， 100 - 2,500 개 /cm2 범위일 수 있다.
상기 단위면적 내의 패턴을 구성하는 도형들 중 적어도 하나는 나머지 도형 들과 상이한 형태를 가질 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에서， 상기 암색화 패턴층과 상기 전도성 패턴층은 그 측면이 순 테이퍼각을 가질 수 있으나， 전도성 패턴층의 기재측 반대면 상에 위치 하는 암색화 패턴층 또는 전도성 패턴층은 역테이퍼각을 가질 수도 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따른 전도성 구조체의 예를 하기 도 1 내지 도 3에 예시하였다. 도 1 내지 도 3은 기재， 전도성 패턴층 및 암색화 패턴층의 적층 순서 를 예시하기 위한 것이며， 상기 전도성 패턴층 및 상기 암색화 패턴층은 실제로 터 치 스크린 패널 등와 미세 투명 전극 용도로 적용시 전면층이 아니라 패턴 형태일 수 있다.
도 1에 따르면， 상기 암색화 패턴층 (200)이 상기 기재 (100)와 상기 전도성 패턴층 (300) 사이에 배치된 경우를 예시한 것이다. 이는 사용자가 기재 측에서 터 치 스크린 패널을 바라보는 경우 전도성 패턴에 의한 반사도를 크게 감소시킬 수 있다. 도 2에 따르면， 상기 암색화 패턴 (200)이 상기 전도성 패턴층 (300) 위에 배 치된 경우를 예시한 것이다. 이는 사용자가 기재측의 반대면에서 터치 스크린 패널 을 바라보는 경우 ¾도성 패턴에 의한 반사도를 크게 감소시킬 수 있다. 도 3에 따 르면， 상기 암색화 패턴층 (200, 220)이 상기 기재 (100)와 상기 전도성 패턴층 (300) 사이와， 상기 전도성 패턴층 (300) 위에 모두 배치된 경우를 예시한 것이다. 이는 사용자가 터치 스크린 패널을 기재측에서 바라보는 경우와 그 반대측에서 바라보는 경우 모두 전도성 패턴에 의한 반사도를 크게 감소시킬 수 있다.
. 본 발명의 일 실시상태에 따른 전도성 구조체의 구조는 암색화 패턴층이 전 도성 패턴층의 적어도 일면에 구비된 것일 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따른 전도성 구조체의 구조는 기재， 암색화 패턴 층， 전도성 패턴층 및 암색화 패턴층이 순차적으로 적층된 구조일 수 있다. 또한, 상기 전도성 구조체는 최외곽의 암색화 패턴 상에 추가의 전도성 패턴 및 암색화 패턴을 포함할 수 있다.
즉， 본 발명의 일 실시상태에 따른 전도성 구조체의 구조는 기재 /암색화 패 턴층 /전도성 패턴층의 구조， 기재 /전도성 패턴층 /암색화 패턴층의 구조， 기재 /암색 화 패턴층 /전도성 패턴층 /암색화 패턴층의 구조， 기재 /전도성 패턴층 /암색화 패턴 층 /전도성 패턴층 의 구조， 기재 /암색화 패턴층 /전도성 패턴층 /암색화 패턴층 /.전도 성 패턴층 /암색화 패턴층의 구조， 기재 /암색화 패턴층 /전도성 패턴층 /암색화 패턴 층 /전도성 패턴층 /암색화 패턴층 /전'도성 패턴층 /암색화 패턴층의 구조 등일 수 있 다.
본 발명의 일 실시상태에 따른 전도성 구조체의 제조방법은 기재 상에 전도 성 패턴층을 형성하는 단계; 및 상기 전도성 패턴층 형성 이전， 이후， 또는 이전과 이후 모두 AlOxNy (0 ≤ X ≤ 1.5, 0 ≤ y ≤ 1)를 포함하는 암색화 패턴층을 형성 하는 단계를 포함한다.
본 발명의 일 실시상태에 따른 전도성 구조체의 제조방법은 기재 상에 전도 성 패턴층을 형성하는 단계; 및 상기 전도성 패턴층 형성 이전， 이후, 또는 이전과 이후 모두 .원소비율이 상기 수학식 1로 표시되는 AlOxNy (x > 0, y > 0)를 포함하 는 암색화 패턴층을 형성하는 단계를 포함한다. - 상기 AlOxNy 에서， X 및 y는 Al 1 원자에 대한 각각의 0 및 N의 원자 수의 비를 의미한다.
본 발명의 일 실시상태에서， 상기 전도성 구조체의 제조방법은 기재 상에 암 색화 패턴층을 형성하고， 상기 암색화 패턴층을 형성한 이후에 전도성 패턴층을 형 성하는 것을 포함할수 있다.
본 발명의 일 실시상태에서， 상기 전도성 구조체의 제조방법은 기재 상에 전 도성 패턴층을 형성하고， 상기 전도성 패턴층을 형성한 이후에 암색화 패턴층을 형 성하는 것을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에서， 상기 전도성 구조체의 제조방법은 기재 상에 암 색화 패턴층을 형성하고， 상기 암색화 패턴층을 형성한 이후께 전도성 패턴층을 형 성하고， 전도성 패턴층을 형성한 이후에 암색화 패턴층을 형성하는 것을 더 포함할 수 있다.
또한， 본 발명의 일 실시상태에 따른 전도성 구조체의 제조방법은 기재 상에 전도성층을 형성하는 단계; 상기 전도성층 형성 이전， 이후， 또는 이전과 이후 모 두 A10xNy(0 < X < 1.5, 0 ≤ y ≤ 1)를 포함하는 암색화층을 형성하는 단계; 및 상기 전도성층 및 암색화층을 각각 또는 동시에 패터닝하는 단계를 포함한다.
또한， 본 발명의 일 실시상태에 따른 전도성 구조체의 제조방법은기재 상에 전도성층을 형성하는 단계; 상기 전도성층 형성 이전， 이후， 또는 이전과 이후 모 두 원소비율이 상기 수학식 1로 표시되는 AlOxNy (X > 0， y > 0)를 포함하는 암색 화층을 형성하는 단계; 및 상기 전도성층 및 암색화층을 각각 또는 동시에 패터닝 하는 단계를 포함한다. ■
상기 AlOxNy 에서， X 및 y는 Al 1 원자에 대한 각각의 0 및 N의 원자 수의 비를 의미한다.
본 발명의 일 실사상태에서， 상기 전도성 구조체의 제조방법은 기재 상에 암 색화층을 형성하고， 상기 암색화층을 형성한 이후에 전도성층을 형성하고, 상기 전 도성층을 형성한 이후에 암색화층을 형성할 수 있으며， 상기 암색화층 및 전도성층 을 각각 또는 동시에 패터닝하는 것을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에서， 상기 암색화 패턴층 또는 암색화층을 형성하는 단계에서， 암색화 패턴층 또는 암색화층의 형성은 당 기술분야에 알려진 방법을 이 용할 수 있고， 보다 구체적으로 반웅성 스퍼터링 (reactive sputtering) 방법을 이 용할 수 있으나， 이에만 한정되는 것은 아니다.
상기 반웅성 스퍼터링 (reactive sputtering) 방법을 이용하는 경우， 반웅조 건은 하기 수학식 4로 표시되는 반웅조건을 만족할 수 있다.
[수학식 4]
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상기 수학식 4에서 con.(Ar) 및 con.(N2)는 각각 반웅 용기 내부에서의 Ar 및 N2의 함량을 의미한다. 상기 함량은 부피를 의미한다.
구체적으로 상기 수학식 4는 단위 부피당 표준 유량 (Standard Cubic Centimeter per Minute: ' sccm)을 나타내는 것으로 반응 용기 (Chamber) 내부로 투입 되는 전체 플라즈마 기체 중 반웅성 기체인 ^가 차지하는 비율을 의미한다.
본 발명의 일 실시상태에서， 반웅 조건이 상기 수학식 4를 만족시키는 경우 암색화층이 형성될 수 있다. 상기 수학식 4를 만족시키지 않는 경우， 즉 반웅성 스 퍼터링 공정에서 질소의 함량아 상대적으로 많아져서 수학식 4의 값이 7 미만이면 투명한 박막이 형성되고， 질소의 함량이 상대적으로 적어져서 수학식 4의 값이 15 초과이면， 금속에 가까운 박막이 형성될 수 있다.
상기 반웅성 스퍼터링 (reactive sputtering) 방법을 사용할 경우, 추가 타겟 (target)의 교체 없이 산소와 질소의 유량비를 제어함으로써 상기 유량비에 따른 금속 화합물의 밴드갭 (band gap)에 따라 다양한 색깔을 가질 수 있으며， 상기 전도 성 패턴의 은폐성을 향상시킬 수 있는 암색화가 가능하게 된다. 또한, A1 단일 타 ¾ (target)을 이용할 수 있고， 이에 따라 스퍼터링 공정이 단순해지며， 미세 전극 패터닝을 위한 에칭공정에서도 범용 알루미늄 에칭액으로 일괄 에칭이 가능하다는 장절이 ί다.
본 발명의 일 실시상태에서, 상기 전도성 패턴층의 형성방법으로는 특별히 한정되지 않으며， 전도성 패턴층을 직접 인쇄방법에 의하여 형성할 수도 있고， 전 도성 박막층을 형성한후 이를 패턴화하는 방법을 이용할 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에서， 상기 전도성 패턴층을 인쇄방법에 의하여 형성 하는 경우, 전도성 재료의 잉크 또는 페이스트를 이용할 수 있으며， 상기 페이스트 는 전도성 재료 이외에， 바인더 수지， 용매， 글래스 프릿 등을 더 포함할 수도 있 다. .
전도성층을 형성한 후 이를 패턴화하는 경우 에칭 레지스트 (Etching resist) 특성을 갖는 재료를 이용할 수 있다. ,
본 발명의 일 실시상태에서， 상기 전도성층은 증착 (evaporation), 스퍼터링 (sputtering), 습식 코팅， 증발， 전해 도금 또는 무전해 도금， 금속박의 라미네이 션 등의 방법에 의하여 형성할 수 있다. 상기 전도성층의 형성방법으로서 유기 금 속， 나노 금속 또는 이들의 복합체 용액을 기판 상에 코팅한 후, 소성 및 /또는 건 조에 의하여 전도도를 부여하는 방법을 이용할 수도 있다. 상기 유기 금속으로는 유기 은을 사용할 수 있으며， 상기 나노 금속으로는 나노 은 입자 등을 사용할 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에서， 상기 전도성층의 패턴화는 에칭 레지스트 패턴 을 이용한 방법을 이용할 수 있다. 에칭 레지스트 패턴은 인쇄법， 포토리소그래피 법， 포토그래피법, 마스크를 이용한 방법 또는 레이져 전사, 예컨대， 열 전사 이미 징 (thermal transfer imaging) 등을 이용하여 형성할 수 있으며， 인쇄법 또는 포토 리소그래피법이 더욱 바람직하나， 이에만 한정되는 것은 아니다. 상기 에칭 레지스 트 패턴을 이용하여 상기 전도성 박막층을 에칭하여 패터닝하고， 상기 에칭 레지스 트 패턴은 스트립 (strip) 공정에 의해 쉽게 제거할 수 있다.
본 발명의 일 실시상태는 상기 전도성 구조체를 포함하는 터치 스크린 패널 을 제공한다. 예컨대， 정전용량식 터치스크린 패널에 있어서， 상기 본 발명의 일 실시상태에 다른 전도성 구조체는 터치 감웅식 전극 기판으로 사용될 수 있다.
본 발명의 일 실시상태는 상기 터치 스크린 패널을 포함하는 디스플레이 장 치를 제공한다. ' 본 발명의 일 실시상태에 따른 터치 스크린 패널은 전술한 기재， 전도성 패 턴층 및 암색화 패턴층을 포함하는 전도성 구조체 이외에 추가의 구조체를 더 포함 할 수 있다. 이 경우， 2개의 적층체가 서로 같은 방향으로 배치될 수도 있으며, 2 개의 구조체가 서로 반대 방향으로 배치될 수도 있다. 본 발명의 터치 스크린 패널 에 포함될 수 있는 2개 이상의 구조체는 동일한 구조일 필요는 없으며, 어느 하나， 바람직하게는 사용자에 가장 가까운 측의 구조체만 전술한 기재， 전도성 패턴층 및 암색화 패턴층을 포함하는 것이기만 해도 좋으며, 추가로 포할되는 구조체는 암색 화 패턴층을 포함하지 않아도 좋다. 또한, 2개 이상의 구조체 내의 층 적층 구조가 서로 상이해도 좋다. 2개 이상의 구조체가 포함되는 경우 이들 사이에는 절연층이 구비될 수 있다. 이때 절연층은 점착층의 기능이 추가로 부여될 수도 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따른 터치 스크린 패널은 하부 기재; 상부 기재; 및 상기 하부 기재의 상부 기재에 접하는 면 및 상가상부 기재의 하부 기재에 접 하는 면 중 어느 한 면 또는 양면에 구비된 전극층을 포함할 수 있다. 상기 전극 층은 각각 X축 위치 검출 및 Y축 위치 검출 기능을 할 수 있다.
이 때， 상기 하부 기재 및 상기 하부 기재의 상부 기재에 접하는 면에 구비 된 전극층; 및 상기 상부 기재 및 상기 상부 기재의 하부 기재에 접하는 면에 구비 된 전극층 중 하나 또는 두 개 모두가 전술한 본 발명의 일 실시상태에 따른 전도 성 구조체일 수 있다. 상기 전극층 중 어느 하나만이 본 발명에 따른 전도성 구조 체인 경우， 나머지 다른 하나는 당 기술분야에 알려져 있는 패턴을 가질 수 있다. 상기 상부 기재와 상기 하부 기재 모두의 일면에 전극층이 구비되어 2층의 전극층이 형성되는 경우, 상기 전극층의 간격을 일정하기 유지하고 접속이 일어 나지 않도록 상기 하부 기재와 상부 기재 사이에 절연층 또는 스페이서가 구비될 수 있다. 상기 절연층은 점착제 또는 UV 흑은 열 경화성 수지를 포함할 수 있다. 상기 터치 스크린 패널은 전술한 전도성 패턴과 연결된 접지부를 더 포함할 수 있 다. 예컨대， 상기 접지부는 상기 기재의 전도성 패턴이 형성된 면의 가장자리부에 형성될 수 있다. 또한， 상기 전도성 구조체를 포함하는 적층재의 적어도 일면에는 반사 방지 필름， 편광 필름， 내지문 필름 중 적어도 하나가 구비될 수 있다. 설계 사양에 따라 전술한 기능성 필름 이외에 다른 종류의 기능성 필름을 더 포함할 수 도 있다. 상기와 같은 터치 스크린 패널은 0LED 디스플레이 꽤널 (OLED Display Panel, PDP), 액정 디스플레이 (Liquid Crystal Display, LCD), 및 음극선관 (Cathode-Ray Tube, CRT) , PDP와 같은 디스플레이 장치에 적용될 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따른 터치 스크린 패널에 있어서， 상기 기재의 양 면에 각각 전도성 패턴층 및 암색화 패턴층이 구비될 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따른 터치 스크린 패널은 상기 전도성 구조체 상에 전극부 또는 패드부를 추가로 포함할 수 있으며 . 이 때 유효화면부와 전극부 및 패 드부는 동일한 전도체로 구성될 수 있다. - 본 발명의 일 실시상태에 따른 터치 스크린 패널에 있어서， 상기 암색화 패 턴층은 사용자가 바라보는 측에 구비될 수 있다.
본 발명의 일 실시상태는 상기 전도성 구조체를 포함하는 디스플레이 장치를 제공한다. 상기 디스플레이 장치에서 컬러필터 기판 또는 박막 트랜지스터 기판 등 에 본 발명의 일 실시상태에 따른 전도성 구조체가사용될 수 있다 .
본 발명의 일 실시상태는 상기 전도성 구조체를 포함하는 태양 전지를 제공 한다. 예컨대， 태양 전지는 애노드전극, 캐소드 전극， 광활성층， 정공수송층 및 /또 는 전자수송층을 포함할 수 있는데， 본 발명의 일 실시상태에 따는 전도성 구조체 는 상기 애노드 전극 및 /또는 캐소드 전극으로 사용될 수 있다.
상기 전도성 구조체는 디스플레이 장치 또는 태양 전지에서 종래의 IT0를 대 체할 수 있고， 플렉서블 (flexible) 가능 용도로 활용할 수 있다. 또한， CNT, 전도 성 고분자， 그래핀 (Graphene) 등과 함께 차세대 투명 전극으로 활용할 수 있다. 이하 실시예 및 비교예를 통하여 본 발명을 더욱 상세하게 설명한다. 그러 나， 이하의 실시예 및 비교예는 본 발명을 예시하기 위한 것이며， 이에 의하여 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
<실시예 및 비교예 >
폴리에틸렌테레프탈레이트 (PET) 기재상에 A1 단일 타겟 (target)을 이용하여 반웅성 스퍼터링법 (reactive sputtering)에 의하여 전도성 박막층으로 두께 60~100nm인 A1층을 형성하고， A1 단일 타겟 (target)을 이용하여 반웅성 스퍼터링법 (reactive sputter ing)으로 AlOxNy을 포함하는 암색화층을 두께를 달리하여 형성함 으로써 실시예 1~4 및 비교예 1~8의 전도성 구조체를 제조하였다.
수학식 4의 값이 4.3%인 경우, 암색화층의 두께에 따라 비교예 1~4의 전도성 구조체를 제조하였다. 이때， 암색화층의 두께가 0 초과 32nm이하인 것은 #11로 표 시하여 비교예 1로 하였고， 암색화층의 두께가 32nm 초과 65nm이하인 것은 #12로 표시하여 비교예 2로 하였고, 암색화층의 두께가 65nm 초과 130nm이하인 것은 #4로 표시하여 비교예 3으로 하였고， 암색화층의 두께가 130nm 초과 290nm이하인 것은 #10으로 표시하여 비교예 4로 하였다. 수학식 4의 값이 10.8%인 경우， 암색화층의 두께에 따라 실시예 1~4의 전도 성 구조체를 제조하였다. 이때， 암색화층의 두께가 0 초과 32nm이하인 것은 #2로 표시하여 실시예 1로 하였고， 암색화층의 두께가 32nm 초과 65nm이하인 것은 #1로 표시하여 실시예 2로 하였고， 암색화층의 두께가 65nm 초과 130nm이하인 것은 #6으 로 표시하여 실시예 3으로 하였고， 암색화층의 두께가 130nm 초과ᅳ 290nm이하인 것 은 #5로 표시하여 실시예 4로 하였다.
수학식 4의 값이 17.5%인 경우， 암색화층의 두께에 따라 비교예 5~8의 전도 성 구조체를 제조하였다. 이때 암색화층의 두께가 0 초과 32nm이하인 것은 #9로 표시하여 비교예 5로 하였고, 암색화층의 두께가 32nm 초과 65nm이하인 것은 #8로 표시하여 비교예 6으로 하였고， 암색화층의 두께가 65nm 초과 130nm이하인 것은 #7 로 표시하여 비교예 7로 하였고， 암색화층의 두께가 130nm 초과 290nm이하인 것은 #13으로 표시하여 비교예 8로 하였다.
하기 표 1은 암색화층의 두께를 변화시키고， 수학식 4의 조건을 달리하여 실 시한 실시예 1-4 및 비교예 1~8을 나타낸 것이다.
[표 1】
Figure imgf000023_0002
상기 실시예 1~4 및 비교예 1~8의 파장에 따 ^ 반사율을 도 5에 나타내었
다. 도 5에서
Figure imgf000023_0001
나타낸 것ᄋ 다.
상기 타원계 (Ellipsonieter)로 측정한 상기 비교예 1~4의 광학상수 굴절율 (n) 및 소멸계수 (k)를 도 6에 나타내었다.
또한, 타원계 (Ellipsometer)로 측정한 상기 실시예 1~4의 광학상수 굴절율 (n) 및 소멸계수 (k)를 도 7에 나타내었다. 또한， 타원계 (Ellipsometer)로 측정한 상기 비교예 5~8의 광학상수 굴절율 (n) 및 소멸계수 (k)를 도 8에 나타내었다.
하기 표 2~4는 X선 광전자 분광법 (X-ray Photoelectron Spectroscopy: XPS) 로 측정한 암색화층의 조성 비율 프로파일 (depth profile)로서， 에칭 시간에 따른 암색화 패턴층의 원소 성분비를 나타낸 것이다. 표 2는 비교예 2(#12), 표 3은 실 시예 2(#1)， 표 4는 비교예 6(#8)를 나타낸 것이다.
【표 2】
Figure imgf000024_0001
에칭속도 (Etching rate)=30nm/300sec
【표 3】
Figure imgf000024_0002
에칭속도 (Etching rate)=30nm/300sec
【표 4】
Figure imgf000024_0003
에칭속도 (Etching rate)=30nm/300sec 표 5는 상기 비교예 2(#12)， 실시예 2(#1)， 비교예 6(#8)의 조성을 수학식 1 에 따른 원소비율로 나타낸 것이다.
【표 5】
Figure imgf000024_0004
도 4는 A1이 증착된 유리 기재에 반웅 조건을 달리하여 암색화 패턴층을 증 착한 전도성 구조체를 나타낸 것으로 각각 비교예 6(#8)， 실시예 2(#1)， 비교예 2(#12)를 나타낸 것이다.
상기 표 5에서의 조성은 AlOxNy 로 표시되는 모든 원소 함량 100%를 기준으 로 하여， (Al)at는 A1의 원소함량 (at%)을 나타내고， (0)at는 0의 원소함량 (at¾>)을 나타내며， (N)at는 N의 원소함량 (at¾>)을 나타낸다.
상기 표 5에서의 조성은 암색화층을 65nm 두께로 형성하였을 때 표면에서 30nm 깊이의 중간층와 조성을 의미한다.
본 발명의 일 실시상태에 따른 전도성 구조체 및 이를 포함하는 터치 스크린 패널은 전도성 패턴의 적어도 일면에 AlOxNy을 포함하는 암색화 패턴을 도입함으로 써， 전도성 패턴의 전도도에 영향을 미치지 않으면서도 전도성 패턴에 의한 반사를 방지할 수 있고， 흡광도를 향상함으로써 전도성 패턴의 은폐성을 향상시킬 수 있 다- 또한， 상기와 같은 암색화 패턴의 도입에 의하여 터치 스크린 패널의 콘트라 스트 특성을 더욱 향상시칼 수 있다. 또한， 상기 AlOxNy 을 포함하는 암색화 패턴 의 제조공정시 반웅성 스퍼터링법 (reactive sputtering)을 이용하므로， A1 단일 타 겟 (target)을 이용할 수 있고， 이에 따라 스퍼터링 공정이 단순해지며， 미세 전극 패터닝을 위한 에칭공정에서도 범용 알루미늄 에칭액으로 일괄 에칭이 가능하다는 장점이 있다.
본 발명이 속한 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 상기 내용을 바탕으로 본 발명의 범주 내에서 다양한 웅용 및 변형을 행하는 것이 가능할 것이다.
이상으로 본 발명의 특정한 부분을 상세히 기술하였는 바, 당업계의 통상의 지식올 가진 자에게 있어서 이러한 구체적인 기술은 단지 바람직한 구현예일 뿐이 며， 이에 본 발명의 범위가 제한되는 것이 아닌 점은 명백하다. 따라서, 본 발명의 실질적인 범위는 첨부된 청구항과 그의 등가물에 의하여 정의된다고 할 것이다. [부호의 설명]
100： 기재
200： 암색화 패턴층
220： 암색화 패턴층
300： 전도성 패턴층

Claims

【청구의 범위] [청구항 1】 기재; 전도성 패턴층; 및 하기 수학식 1을 만족하는 AlOxNy (X > 0, y > 0) 암색화 패턴층을 포함하는 전도성 구조체:
[수학식 1] '
1 (Al)at X 3 ^ 2
(O)at χ 2 + (N)a! χ 3
상기 AlOxNy 에서， x 및 y는 Al 1 원자에 대한 각각의 0 및 N의 원자 수의 비를 의미하고 '
상기 수학식 1에서， AlOxNy로 표시되는 모든 원소 함량 10OT를 기준으로 할 때， (Al)at는 A1의 원소함량 (at%)을 나타내고， (0)at는 0의 원소함량 (at%)을 나타 내며， (N)at는 N의 원소함량 (at¾ 을 나타낸다.
【청구항 2】
청구항 1에 있어서， 상기 전도성 구조체의 소멸계수 k는 0.
2 이상 2.5 이하 인 것을 특징으로 하는 전도성 구조체.
【청구항 3】
청구항 1에 있어서， 상기 암색화 패턴층의 상기 전도성 패턴층과 접하는 면 의 반대면 방향에서 측정한 전반사율이 20% 이하인 것을 특징으로 하는 전도성 구 조체.
【청구항 4】
청구항 1에 있어서, 상기 암색화 패턴층이 상기 전도성 패턴층과 기재 사이 에 구비되고， 상기 기재측에서 측정한 전반사율이 20% 이하인 것을 특징으로 하는 전도성 구조체 .
【청구항 5】
청구항 1에 있어서, 상기 전도성 구조체는 L*a*b* 색상값 기준으로 명도값 (L*)이 50 이하인 것을 특징으로 하는 전도성 구조체.
[청구항 6】
청구항 1에 있어서， 상기 전도성 구조체는 면저항이 1 Ω/squre 이상 300 Ω /squre 이하인 것을 특징으로 하는 전도성 구조체.
【청구항 7】
청구항 1에 있어서， 상기. 전도성 '구조체는 패턴화 이전 암색화층 또는 전도 성층의 면저항이 0 Ω/squre 초과 2 Ω/squre 이하인 것을 특징으로 하는 전도성 구조체.
【청구항 8】
청구항 1에 있어서， 상기 암색화 패턴층의 두께는 10 nm 아상 400 nm 이하인 것을 특징으로 하는 전도성 구조체 . .
【청구항 9]
청구항 1에 있어서， 상기 암색화 패턴층의 두께는 30 nm 이상 300 nm 이하인 것을 특징으로 하는 전도성 구조체.
【청구항 10]
청구항 1에 있어서， 상기 암색화 패턴층의 두께는 50 nm 이상 100 nm 이하인 것을 특징으로 하는 전도성 구조체 .
【청구항 11】
청구항 1에 있어서， 상기 전도성 구조체는 상기 암색화 패턴춤이 상기 전도 성 패턴층의 적어도 일면에 구비된 것을 특징으로 하는 전도성 구조체.
【청구항 12]
청구항 1에 있어서， 상기 전도성 패턴층은 금속 금속 합금， 금속 산화물 및 금속 질화물로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 전도성 구조체 . -
【청구항 13】
청구항 1에 있어서， 상기 전도성 패턴층은 은， 알루미늄, 구리, 네오디움， 몰리브덴， 니켈， 이들의 합금， 이들의 산화물 및 이들의 질화물로 이루어진 군으로 부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 전도성 구조체.
【청구항 14】
청구항 1 내지 청구항 13 중 어느 한 항의 전도성 구조체를 포함하는 터치 스크린 패널.
【청구항 15】
청구항 1 내지 청구항 13 중 어느 한 항의 전도성 구조체를 포함하는 디스플 레이 장치.
【청구항 16】
청구항 1 내지 청구항 13 중 어느 한 항의 전도성 구조체흩 포함하는 태양전
【청구항 17】
기재 상에 전도성 패턴층을 형성하는 단계; 및
상기 전도성 패턴층 형성 이전， 이후， 또는 이전과 이후 모두 원소비율이 하 기 수학식 1로 표시되는 AlOxNy (x > 0, y > 0)를 포함하는 암색화 패턴층을 형성 하는 단계를 포함하는 전도성 구조체의 제조방법：
[수학식 1]
(O)at X 2 + (N)at
상기 AlOxNy 에서， x 및 y는 Al 1 원자에 대한 각각의 0 및 N의 원자 수의 비를 의미하고, '
상기 수학식 1에서， AlOxNy로 표시되는 모든 원소 함량 100%를 기준으로 할 때， (Al)at는 A1의 원소함량 ( %)을 나타내고， (0)at는 0의 원소함량 (at%)、을 나타 내며， (N)at는 N의 원소함량 (at%)을 나타낸다.
【청구항 18】
기재 상에 전도성층을 형성하는 단계 ;
상기 전도성층 형성 이전， 이후， 또는 이전과 이후 모두 원소비율이 하기 수 학식 1로 표시되는 AlOxNy (x > 0, y > 0)를 포함하는 암색화층을 형성하는 단계; 상기 전도성층 및 암색화층을 각각 또는 동시에 패터닝하는 단계를 포함하는 전도성 구조체의 제조방법 :
[수학식 1]
1 〈 CAi)¾t X 3 '〈 2
(O)at X 2 + (N)at χ 3
상기 AlOxNy 에서， x 및 y는 Al 1 원자에 대한 각각의 0 및 N의 원자 수 비를 의미하고，
상기 수학식 1에서， AlOxNy로 표시되는 모든 원소 함량 10OT를 기준으로 할 때， (Al)at는 A1의 원소함량 ( %)을 나타내고, (0)at는 0의 원소함량 ( %)을 나타 내며， (N)at는 N의 원소함량 (at¾)을 나타낸다.
【청구항 19】 ' 청구항 18에 있어서， ,
상기 전도성층 또는 암색화층의 면저항은 0 Ω/squre 초과 2 Ω/squre 이하 인 것을 특징으로 하는 전도성 구조체의 제조방법.
[청구항 20】
청구항 17 또는 청구항 18에 있어서， 상기 암색화 패턴층 또는 암색화층의 형성은 반웅성 스퍼터링 방법을 이용하는 것을 특징으로 하는 전도성 구조체의 제 조방법 .
【청구항 21】
청구항 20에 있어서， 상기 반웅성 스퍼터링 방법은 하기 수학식 4로 표시되 는 반웅조건을 만족하는 것을 특징으로 하는 전도성 구조체의 제조방법: '
[수학식 4]
7( ) < 100 (%)≤ 15(%)
Figure imgf000029_0001
상기 수학식 4에서 con.(Ar) 및 con.(N2)는 각각 반웅 용기 내부에서의 Ar 및 ^의 함량을 의미한다.
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