WO2012117871A1 - 光電変換素子および光電変換素子の製造方法 - Google Patents

光電変換素子および光電変換素子の製造方法 Download PDF

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Definitions

  • the present invention relates to a photoelectric conversion element and a method for manufacturing the photoelectric conversion element.
  • photoelectric conversion elements are generally made of silicon (for example, amorphous silicon, microcrystalline silicon, or polycrystalline silicon).
  • silicon for example, amorphous silicon, microcrystalline silicon, or polycrystalline silicon.
  • the band gap of silicon is 1.1 eV to 1.8 eV, the sensitivity to light in the short wavelength region of 0.5 ⁇ m or less, which is high in energy, is small, and material-specific problems that sunlight cannot be used effectively Had.
  • the band gap of the nitride semiconductor represented by the formula of Al ⁇ In ⁇ Ga ⁇ N (0 ⁇ ⁇ ⁇ 1, 0 ⁇ ⁇ ⁇ 1, 0 ⁇ ⁇ ⁇ 1, ⁇ + ⁇ + ⁇ ⁇ 0) is x and y Can be changed within a very wide range of 0.7 eV to 6.0 eV. Therefore, a photoelectric conversion element manufactured using a nitride semiconductor can be sensitive to light in a short wavelength region of 0.5 ⁇ m or less, and thus has attracted much attention as a next-generation photoelectric conversion element. .
  • the nitride semiconductor is generally formed by vapor deposition such as metal organic chemical vapor deposition (MOCVD), hydride vapor deposition (HVPE), molecular beam vapor deposition (MBE), or pulsed laser deposition (PLD). It can be formed on a substrate using a phase growth method.
  • MOCVD metal organic chemical vapor deposition
  • HVPE hydride vapor deposition
  • MBE molecular beam vapor deposition
  • PLD pulsed laser deposition
  • nitride semiconductor is suitable as a material for a light emitting element such as a light emitting diode (LED) and a laser diode (LD), it has been actively developed.
  • a light emitting element such as a light emitting diode (LED) and a laser diode (LD)
  • LED light emitting diode
  • LD laser diode
  • research on forming a nitride semiconductor using a vapor phase growth method as a material for a next-generation photoelectric conversion element has been actively conducted by elucidating the band gap of the nitride semiconductor.
  • Patent Document 1 JP-A-7-288334
  • Patent Document 2 US Patent Application Publication No. 2004/0118451
  • Patent Document 3 US Pat. No. 7,217,882 disclose nitride semiconductors. A structure of a photoelectric conversion element using the above is disclosed.
  • Patent Documents 1 to 3 there is no discussion about incorporating a lot of light into the active layer.
  • generating a large number of photocarriers means increasing the short-circuit current. Therefore, for the purpose of improving the characteristics of the photoelectric conversion element, even in the active layer of a photoelectric conversion element using a nitride semiconductor, photo It is desired to generate a large number of carriers.
  • an object of the present invention is to provide a photoelectric conversion element capable of improving characteristics and a method for manufacturing the photoelectric conversion element.
  • the present invention includes a semiconductor laminate, a silicon layer provided on the semiconductor laminate, and a diffusion transmission layer provided on the silicon layer, and the silicon layer has a surface with a plane orientation of ⁇ 100 ⁇ and is diffused.
  • the surface of the transmission layer is a photoelectric conversion element having irregularities.
  • the thickness of the silicon layer is preferably 0.03 ⁇ m or more and 0.05 ⁇ m or less.
  • the unevenness has a convex portion having a diameter of 20 nm to 60 nm and a height of 1 nm to 50 nm.
  • the photoelectric conversion element of the present invention further includes a substrate, the semiconductor stack is provided on the substrate, and the semiconductor stack includes a p-type nitride semiconductor layer, an i-type nitride semiconductor layer, and an n-type. It is preferable to have a nitride semiconductor layer.
  • the substrate is made of Al x In y Ga z N (0 ⁇ x ⁇ 1, 0 ⁇ y ⁇ 1, 0 ⁇ z ⁇ 1, x + y + z ⁇ 0), GaP, GaAs, NdGaO 3. , LiGaO 2 , Al 2 O 3 , MgAl 2 O 4 , ZnO, Si, SiC, SiGe, or a material represented by the formula ZrB 2 is preferably included.
  • the diffusion transmission layer is provided on the surface of the semiconductor laminate on the side opposite to the surface on the substrate installation side.
  • the photoelectric conversion element of the present invention further includes a transparent conductive layer between the semiconductor laminate and the diffuse transmission layer, and the transparent conductive layer is at least one selected from the group consisting of zinc, indium, tin, and magnesium.
  • the transparent conductive layer has a refractive index greater than the refractive index of the diffuse transmission layer, and the refractive index of the p-type nitride semiconductor layer.
  • the thickness of the transparent conductive layer is preferably 0.25 ⁇ m or more and 0.5 ⁇ m or less.
  • the diffusion / transmission layer is provided on the surface on the substrate installation side of the surface of the semiconductor multilayer body, and the substrate is disposed between the diffusion transmission layer and the semiconductor multilayer body. It is preferable that
  • the present invention provides a method for producing any one of the above photoelectric conversion elements, comprising: a step of forming a semiconductor laminate; and a silicon layer having a surface with a surface orientation ⁇ 100 ⁇ on the semiconductor laminate is a DC magnetron. And a step of forming by a sputtering method.
  • the method for producing a photoelectric conversion element of the present invention further includes a step of forming a diffusion transmission layer by immersing the silicon layer in ultrapure water after the step of forming the silicon layer by DC magnetron sputtering.
  • the ultrapure water is maintained in the atmosphere at a temperature of 95 ° C. or more and 100 ° C. or less, and the immersion time of the silicon layer in the ultrapure water is 25 minutes or more and 35 minutes or less. preferable.
  • the specific resistance of ultrapure water is 18 M ⁇ ⁇ cm or more and 100 M ⁇ ⁇ cm or less, and the content of the organic compound in the ultrapure water is 1 ppb or more and 50 ppb or less.
  • the dissolved oxygen concentration in the ultrapure water is preferably 1 ppb or more and 100 ppb or less.
  • the method for producing a photoelectric conversion element of the present invention it is preferable to further include a step of blowing air over the surface of the diffuse transmission layer for 30 seconds or more.
  • the method for producing a photoelectric conversion element of the present invention has a thickness of at least one selected from the group consisting of a vapor deposition method, a sputtering method, an ion plating method, and a chemical vapor deposition method on a semiconductor laminate. It is preferable that the method further includes a step of forming a silicon oxide layer having a thickness of 0.03 ⁇ m or more and 0.15 ⁇ m or less, and the step of forming the silicon layer by a DC magnetron sputtering method includes a step of forming a silicon layer on the silicon oxide layer.
  • the present invention it is possible to provide a photoelectric conversion element capable of improving characteristics and a method for manufacturing the photoelectric conversion element.
  • FIG. 3 is a schematic cross-sectional view of the photoelectric conversion element of Embodiment 1.
  • FIG. It is a typical expanded sectional view of an example of the unevenness
  • 5 is a schematic cross-sectional view illustrating part of an example of the method for manufacturing the photoelectric conversion element according to Embodiment 1.
  • FIG. FIG. 6 is a schematic cross-sectional view illustrating another part of the process of the example of the method for manufacturing the photoelectric conversion element according to the first embodiment.
  • FIG. 6 is a schematic cross-sectional view illustrating another part of the process of the example of the method for manufacturing the photoelectric conversion element according to the first embodiment.
  • FIG. 6 is a schematic cross-sectional view illustrating another part of the process of the example of the method for manufacturing the photoelectric conversion element according to the first embodiment.
  • FIG. 6 is a schematic cross-sectional view illustrating another part of the process of the example of the method for manufacturing the photoelectric conversion element according to the first embodiment.
  • FIG. 6 is a schematic cross-sectional view illustrating another part of the process of the example of the method for manufacturing the photoelectric conversion element according to the first embodiment.
  • FIG. 6 is a schematic cross-sectional view illustrating another part of the process of the example of the method for manufacturing the photoelectric conversion element according to the first embodiment.
  • FIG. 6 is a schematic cross-sectional view of a photoelectric conversion element according to Embodiment 2.
  • FIG. FIG. 10 is a schematic cross-sectional view illustrating part of an example of the method for manufacturing the photoelectric conversion element according to the second embodiment.
  • FIG. 10 is a schematic cross-sectional view illustrating another part of the process of the example of the method for manufacturing the photoelectric conversion element according to the second embodiment.
  • FIG. 10 is a schematic cross-sectional view illustrating another part of the process of the example of the method for manufacturing the photoelectric conversion element according to the second embodiment.
  • FIG. 1 shows a schematic cross-sectional view of the photoelectric conversion element of Embodiment 1 which is an example of the photoelectric conversion element of the present invention.
  • the photoelectric conversion element of Embodiment 1 includes a template substrate 12, a semiconductor stacked body 13 provided on the template substrate 12, a transparent conductive layer 7 provided on the semiconductor stacked body 13, and a transparent conductive layer 7.
  • a silicon oxide layer 8 provided, a silicon layer 9 provided on the silicon oxide layer 8, and a diffuse transmission layer 10 provided on the silicon layer 9 are provided.
  • the diffuse transmission layer 10 is provided on the surface of the semiconductor laminate 13 opposite to the surface on the template substrate 12 installation side, and the diffusion transmission layer 10 side is the light receiving surface side.
  • the template substrate 12 has a substrate 1 and a buffer layer 2 provided on the substrate 1.
  • the semiconductor stacked body 13 includes an n-type nitride semiconductor layer 3 provided on the buffer layer 2, a nitride semiconductor buffer layer 4 provided on the n-type nitride semiconductor layer 3, and a nitride semiconductor buffer layer.
  • 4 has an i-type nitride semiconductor layer 5 provided on 4 and a p-type nitride semiconductor layer 6 provided on i-type nitride semiconductor layer 5.
  • the semiconductor stacked body 13 includes a pin structure including an n-type nitride semiconductor layer 3, an i-type nitride semiconductor layer 5, and a p-type nitride semiconductor layer 6.
  • an n-pad electrode is formed on the surface of n-type nitride semiconductor layer 3 and a p-pad electrode is formed on the surface of p-type nitride semiconductor layer 6. Yes.
  • the n pad electrode and the p pad electrode may not be installed, but are preferably installed.
  • the surface 9a of the silicon layer 9 is a crystal plane with a ⁇ 100 ⁇ plane orientation, and preferably a (100) crystal plane.
  • a diffuse transmission layer 10 is provided on the surface 9 a of the plane orientation (100) of the silicon layer 9. Further, unevenness 11 is provided on the surface of the diffuse transmission layer 10.
  • the light incident on the diffuse transmission layer 10 is isotropically scattered by the unevenness 11 of the diffuse transmission layer 10.
  • the diffuse transmittance of incident light ratio of diffuse transmitted light to incident light
  • the optical path length of the light incident on the i-type nitride semiconductor layer 5 is increased.
  • the amount of light absorbed by the i-type nitride semiconductor layer 5 is increased and a large number of photocarriers can be generated, so that characteristics such as short-circuit current density can be improved.
  • the thickness t1 of the silicon layer 9 is preferably 0.03 ⁇ m or more and 0.05 ⁇ m or less.
  • the thickness t1 of the silicon layer 9 is 0.03 ⁇ m or more, the characteristics of the silicon layer 9 as a bulk are enhanced, and the variation in the formation of the unevenness 11 of the diffuse transmission layer 10 tends to be reduced. is there.
  • the thickness t1 of the silicon layer 9 is 0.05 ⁇ m or less, the amount of incident light transmitted through the silicon layer 9 tends to be suppressed by absorption of the silicon layer 9.
  • FIG. 2 shows a schematic enlarged sectional view of an example of the irregularities 11 on the surface of the diffuse transmission layer 10.
  • the material of the concavo-convex 11 of the diffuse transmission layer 10 is not particularly limited as long as it can scatter incident light isotropically. However, from the viewpoint of isotropically scattering light in a short wavelength region of 0.5 ⁇ m or less, the concavo-convex 11 The material is preferably a dielectric.
  • the shape of the irregularities 11 of the diffuse transmission layer 10 is not particularly limited as long as the incident light can be isotropically scattered, but from the viewpoint of isotropically scattering light in a short wavelength region of 0.5 ⁇ m or less, It is preferable that the diameter d is 20 nm or more and 60 nm or less, and the height h is 1 nm or more and 50 nm or less.
  • the convex and concave portions 11a having a diameter d of 20 nm or more and 60 nm or less and a height h of 1 nm or more and 50 nm or less, and the unevenness 11 made of a dielectric, is 0.5 ⁇ m or less, which is low in sensitivity in a conventional photoelectric conversion element.
  • the incident light When light in the short wavelength region is incident, the incident light is isotropically scattered due to Rayleigh scattering, and the diffuse transmittance in the irregularities 11 tends to increase. As a result, the amount of incident light incident on the i-type nitride semiconductor layer 5 that is the photoelectric conversion layer increases, and more photocarriers can be generated in the i-type nitride semiconductor layer 5. There exists a tendency which can improve the characteristic of this photoelectric conversion element.
  • the unevenness 11 on the surface of the diffuse transmission layer 10 is formed through a process of competition between etching and oxidation in ultrapure water from the surface of the silicon layer whose crystal orientation is (100).
  • the protrusion 11a having a diameter d of 20 nm to 60 nm and a height h of 1 nm to 50 nm can be formed by etching in ultrapure water.
  • corrugation 11 of the surface of the diffuse transmission layer 10 can be made into a silicon oxide by the oxidation in ultrapure water.
  • the shape of the unevenness 11 on the surface of the diffusion transmission layer 10 of the photoelectric conversion element of the present embodiment has a shape having a convex portion 11a having a diameter d of 20 nm to 60 nm and a height h of 1 nm to 50 nm.
  • the material of the irregularities 11 a dielectric by making the material of the irregularities 11 a dielectric, light in a short wavelength region of 0.5 ⁇ m or less can be effectively scattered isotropically to further improve the diffuse transmittance in the irregularities 11, and as a result, a short circuit. It exists in the tendency which can improve further the characteristics of photoelectric conversion elements, such as current density.
  • the diameter d and the height h of the projections 11a of the projections and depressions 11 can be measured using, for example, an atomic force microscope (AFM).
  • AFM atomic force microscope
  • the height 11 is emphasized so that the convex portion 11a of the unevenness 11 is displayed in a granular shape.
  • the unevenness 11 on the surface of the diffuse transmission layer 10 is formed through a competitive process between etching and oxidation in ultrapure water, the heightwise erosion of the unevenness 11 is further increased. Therefore, in the image of the unevenness 11 obtained by AFM, the height direction is further emphasized, and the convex portion 11a of the unevenness 11 is more easily displayed in a granular form.
  • the diameter d of the convex portion 11a is a line connecting any two points on the outer periphery of the planar shape when the convex portion 11a is viewed from a position vertically above the surface of the diffuse transmission layer 10. It shall mean the length of the line having the longest length among the minutes.
  • the diameter d of the convex portion 11a can be calculated as follows, for example.
  • FIG. 3 shows an example of a planar shape when the convex portion 11 a is viewed from a position vertically above the surface of the diffuse transmission layer 10.
  • the planar shape of the convex portion 11a is generally formed by closing a straight line and / or a curved line, but in this example, the planar shape of the convex portion 11a is an ellipse. It has become a shape.
  • two points (a point and b point) on the outer periphery of the planar shape of the convex part 11a are set so that the length of the line segment connecting the two arbitrary points on the outer periphery of the convex part 11a is the longest.
  • the diameter d of the convex part 11a is computable by determining each, producing the line segment which makes each a point and b point both ends, and measuring the length of the line segment.
  • the height h of the convex portion 11a means the maximum value of the height difference of each convex portion 11a as shown in FIG. That is, the height h of the convex portion 11a has a virtual horizontal plane (a plane parallel to the surface 9a of the silicon layer) including a point existing at the highest position in the vertical direction of the convex portion 11a in the vertical cross section of the concave and convex portion 11 and the convex portion 11a. It means a distance between a virtual horizontal plane (a plane parallel to the surface 9a of the silicon layer) including a point existing at the lowest position in the vertical direction of the portion 11a.
  • the lowest position in the vertical direction of the convex portion 11a means a point that is present at a position closest to the surface 9a of the silicon layer in every vertical section along the vertical direction of the convex portion 11a.
  • a template substrate 12 is formed.
  • the template substrate 12 is formed by laminating the buffer layer 2 for relaxing the lattice mismatch with the n-type nitride semiconductor layer 3 on the surface of the substrate 1 by, for example, the MOCVD (Metal Organic Chemical Vapor Deposition) method. Can be formed.
  • the MOCVD Metal Organic Chemical Vapor Deposition
  • the substrate 1 may be used.
  • n is formed on the surface of the buffer layer 2.
  • Semiconductor laminate 13 having good crystallinity with few crystal defects by vapor-phase growth of type nitride semiconductor layer 3, nitride semiconductor buffer layer 4, i-type nitride semiconductor layer 5 and p-type nitride semiconductor layer 6 Tends to be formed.
  • the substrate 1 Al x In y Ga z N (0 ⁇ x ⁇ 1,0 ⁇ y ⁇ 1,0 ⁇ z ⁇ 1, x + y + z ⁇ 0), GaP, GaAs, NdGaO 3, LiGaO 2, Al It is preferable to use a substrate having at least the surface of a material represented by the formula of 2 O 3 , MgAl 2 O 4 , ZnO, Si, SiC, SiGe, or ZrB 2 .
  • buffer layer 2 for example, a nitride semiconductor represented by the formula of Al x0 In y0 Ga z0 N (0 ⁇ x0 ⁇ 1, 0 ⁇ y0 ⁇ 1, 0 ⁇ z0 ⁇ 1, x0 + y0 + z0 ⁇ 0), etc. Can be used.
  • an n-type nitride semiconductor layer 3, a nitride semiconductor buffer layer 4, an i-type nitride semiconductor layer 5 and a p-type nitride semiconductor layer 6 are formed on the surface of the buffer layer 2, for example.
  • the semiconductor stacked body 13 is formed by stacking by the MOCVD method or the like. Note that, after the semiconductor stacked body 13 is formed, the semiconductor stacked body 13 may be heated by performing an annealing process or the like of the semiconductor stacked body 13.
  • the n-type nitride semiconductor layer 3 is, for example, a nitride semiconductor represented by the formula of Al x1 In y1 Ga z1 N (0 ⁇ x1 ⁇ 1, 0 ⁇ y1 ⁇ 1, 0 ⁇ z1 ⁇ 1, x1 + y1 + z1 ⁇ 0).
  • a material doped with an n-type dopant can be used.
  • silicon or the like can be used as the n-type dopant.
  • N-type nitride semiconductor layer 3 can be stacked with a thickness of 0.1 ⁇ m or more and 4 ⁇ m or less, for example.
  • the nitride semiconductor buffer layer 4 is made of, for example, a nitride semiconductor represented by the formula of Al x2 In y2 Ga z2 N (0 ⁇ x2 ⁇ 1, 0 ⁇ y2 ⁇ 1, 0 ⁇ z2 ⁇ 1, x2 + y2 + z2 ⁇ 0). And layers made of a nitride semiconductor represented by the formula of Al x3 In y3 Ga z3 N (0 ⁇ x3 ⁇ 1, 0 ⁇ y3 ⁇ 1, 0 ⁇ z3 ⁇ 1, x3 + y3 + z3 ⁇ 0) are alternately formed. A stacked structure can be used.
  • the nitride semiconductor buffer layer 4 can be laminated with a thickness of, for example, about 0.08 ⁇ m.
  • i-type nitride semiconductor layer 5 for example, a layer having an SQW (Single Quantum Well) structure or an MQW (Multiple Quantum Well) structure can be used.
  • i-type nitride semiconductor layer 5 may have a single layer structure or a double hetero structure, for example.
  • the i-type nitride semiconductor layer 5 having the MQW structure is represented by, for example, an expression of Al x4 In y4 Gaz4 N (0 ⁇ x4 ⁇ 1, 0 ⁇ y4 ⁇ 1, 0 ⁇ z4 ⁇ 1, x4 + y4 + z4 ⁇ 0).
  • a layer in which barrier layers are alternately stacked can be used.
  • the well layer and / or the barrier layer may be doped with an n-type dopant and / or a p-type dopant.
  • the thickness of the well layer can be, for example, 1 nm or more and 20 nm or less, and the thickness of the barrier layer can be, for example, 1 nm or more and 10 nm or less.
  • the p-type nitride semiconductor layer 6 for example, a nitride semiconductor represented by the formula of Al x6 In y6 Ga z6 N (0 ⁇ x6 ⁇ 1, 0 ⁇ y6 ⁇ 1, 0 ⁇ z6 ⁇ 1, x6 + y6 + z6 ⁇ 0).
  • a material doped with a p-type dopant can be used.
  • magnesium etc. can be used, for example.
  • the thickness of the p-type nitride semiconductor layer 6 can be, for example, not less than 50 nm and not more than 2000 nm.
  • a transparent conductive layer 7 is laminated on the surface of the p-type nitride semiconductor layer 6.
  • the DC magnetron sputtering method is a method for sputtering a target by applying a voltage between a substrate and a target by a DC-continuous method.
  • the DC-continuous method is a method in which a DC voltage having a predetermined magnitude (a voltage whose direction does not change with time) is continuously applied between a substrate and a target during sputtering of the target. It is.
  • the method for forming the transparent conductive layer 7 using the DC magnetron sputtering method includes, for example, placing the wafer at the time when the semiconductor laminate 13 is formed on the template substrate 12 or the substrate 1 in a DC magnetron sputtering apparatus, A target is placed at a distance of, and a gas plasma is generated by applying a voltage by a DC-continuous method between the wafer and the target, the target is sputtered, the gas in the gas plasma, and the sputtered target To form a transparent conductive layer 7.
  • the transparent conductive layer 7 for example, a conductive material can be used. When light is incident on the i-type nitride semiconductor layer 5 from the transparent conductive layer 7 side, incident light can be transmitted. Materials can be used.
  • the transparent conductive layer 7 the single layer containing at least one metal selected from the group consisting of zinc (Zn), indium (In), tin (Sn), and magnesium (Mg), or the single layer It is preferable to use a plurality of layers in which a plurality of layers are stacked. In this case, the amount of light transmitted through the transparent conductive layer 7 tends to be increased.
  • the plurality of layers may all be composed of a single layer of the same material, may be composed of a single layer of different materials, or may be composed of at least one single layer of different materials. Good.
  • Examples of the single layer containing Zn include AZO in which ZnO is doped with Al, and GZO in which ZnO is doped with Ga.
  • Examples of the single layer containing In and the single layer containing Sn include ITO (Indium Tin Oxide) which is a composite oxide of In and Sn.
  • Examples of the single layer containing Mg include MgOH 2 doped with carbon (C).
  • an AZO layer having a different Al concentration in the thickness direction may be formed using ZnO targets having different Al concentrations, and a GZO layer and an ITO layer are laminated. May be.
  • the refractive index of the transparent conductive layer 7 is preferably larger than the refractive index of the diffuse transmission layer 10 and smaller than the refractive index of the p-type nitride semiconductor layer 6.
  • optical loss such as reflection loss until the incident light incident from the diffuse transmission layer 10 side is transmitted and reaches the i-type nitride semiconductor layer 5 is reduced, and the i-type nitride semiconductor layer is reduced. 5 can increase the amount of photocarriers generated, the characteristics of the photoelectric conversion element such as the short-circuit current density tend to be improved.
  • the refractive index of the diffusion transmission layer 10 is 1.5
  • the refractive index of the p-type nitride semiconductor layer 6 is 2.3
  • the refractive index of the transparent conductive layer 7 is preferably larger than 1.5 and smaller than 2.3.
  • the thickness t2 of the transparent conductive layer 7 is preferably 0.25 ⁇ m or more and 0.5 ⁇ m or less.
  • the transparent conductive layer 7 can form a good ohmic contact with the surface of the p-type nitride semiconductor layer 6, F.
  • F the p-type nitride semiconductor layer 6
  • the thickness t2 of the transparent conductive layer 7 is 0.25 ⁇ m or more and 0.5 ⁇ m or less
  • the amount of light transmitted in a short wavelength region of 0.4 ⁇ m or more and 0.5 ⁇ m or less can be increased.
  • the amount of photocarriers generated in i-type nitride semiconductor layer 5 can be increased.
  • a silicon oxide layer 8 is laminated on the surface of the transparent conductive layer 7.
  • the silicon oxide layer 8 As the base layer of the silicon layer 9, there is a tendency that the silicon layer 9 having a surface with good (100) plane orientation characteristics can be obtained.
  • a method for laminating the silicon oxide layer 8 for example, at least one method selected from the group consisting of a vapor deposition method, a sputtering method, an ion plating method, and a chemical vapor deposition (CVD) method is used. it can.
  • the thickness t3 of the silicon oxide layer 8 is preferably 0.03 ⁇ m or more and 0.15 ⁇ m or less.
  • the silicon oxide layer 8 functions as a bulk, so that the silicon layer 9 having a surface with good (100) plane orientation characteristics can be obtained. The trend becomes larger.
  • the thickness t3 of the silicon oxide layer 8 is 0.15 ⁇ m or less, the amount of light transmitted through the silicon oxide layer 8 can be increased, so that the amount of photocarriers generated in the i-type nitride semiconductor layer 5 can be reduced. Since it can increase, it exists in the tendency which can improve the characteristics of photoelectric conversion elements, such as a short circuit current density.
  • a silicon layer 9 is laminated on the surface of the silicon oxide layer 8.
  • the method for laminating the silicon layer 9 is not particularly limited, but it is preferable to use a DC magnetron sputtering method.
  • the silicon layer 9 having a surface 9a having a (100) plane orientation very close to a single crystal tends to be obtained (Non-patent Document 1 ( Peter Reining et al., "Crystalline silicon films grown by pulsed dc magnetron sputtering", Journal of Non-Crystalline Solids 299-302 (2002), pp.128-132).
  • silicon oxide is generally the main component in the region from the outermost surface of the silicon layer 9 to about 2 nm or less. Therefore, after the silicon oxide on the surface of the silicon layer 9 is removed by immersing the surface of the silicon layer 9 in hydrofluoric acid, the surface of the silicon layer 9 after the removal of the silicon oxide is rinsed with ultrapure water.
  • the silicon layer 9 is immersed in the ultrapure water 21 accommodated in the container 22.
  • the hydroxyl group (OH group) present in the ultrapure water 21 etches the surface of the silicon layer 9, and the dissolved oxygen in the ultrapure water 21 oxidizes the surface of the silicon layer 9, thereby causing the silicon layer 9.
  • the diffuse transmission layer 10 is formed on the surface.
  • the crystal plane of the crystal orientation (111) of the silicon crystal has an inclination of about 54 ° with respect to the crystal plane of the plane orientation (100), and is more resistant to etching than the crystal plane of the plane orientation (100). Since it is excellent, it is known that when a crystal plane with a plane orientation (100) of a silicon crystal is etched, a crystal plane with a plane orientation (111) remains. For this reason, when the surface of the silicon layer 9 with the surface orientation (100) is etched, a surface region with a surface orientation (111) that is less susceptible to etching tends to remain on the surface of the silicon layer 9.
  • the oxidation rate due to dissolved oxygen is also different.
  • the ultrapure water 21 has a specific resistance of 18 M ⁇ ⁇ cm to 100 M ⁇ ⁇ cm, an organic compound content of 1 ppb to 50 ppb, and a dissolved oxygen concentration of 1 ppb to 100 ppb. Is preferably used.
  • This specification is ultrapure water used in a general IC (Integrated Circuit) production line, and higher quality ultrapure water may hinder the etching of the surface of the silicon layer 9 and the progress of oxidation. .
  • the immersion of the surface of the silicon layer 9 in the ultrapure water 21 is preferably performed in a state where the ultrapure water 21 is held in the atmosphere. When used, oxygen in the atmosphere is mixed into the ultrapure water 21, so that the quality of the ultrapure water 21 is ultimately lowered.
  • the temperature of the ultrapure water 21 is preferably 95 ° C. or higher and 100 ° C. or lower.
  • the temperature of the ultrapure water 21 is 95 ° C. or more and 100 ° C. or less, the progress of etching and oxidation of the surface of the silicon layer 9 can be promoted.
  • the unevenness 11) having the convex portion 11a having a height h of 1 nm to 50 nm and a height h of 20 nm to 60 nm can be formed with good reproducibility.
  • the immersion time of the silicon layer 9 in the ultrapure water 21 is preferably 25 minutes or more and 35 minutes or less.
  • the immersion time of the silicon layer 9 in the ultrapure water 21 is 25 minutes or more and 35 minutes or less, the progress of etching and oxidation of the surface of the silicon layer 9 can be promoted.
  • the unevenness 11 (the unevenness 11 having the protrusion 11a having a diameter d of 20 nm to 60 nm and a height h of 1 nm to 50 nm) can be formed with good reproducibility.
  • a gas 31 is sprayed on the surface of the diffuse transmission layer 10 having the irregularities 11. Thereby, the surface which has the unevenness
  • air as the gas 31.
  • air By using air as the gas 31, not only the cost of the gas is not required, but also the effect of promoting the natural oxidation of the surface of the irregularities 11 of the diffuse transmission layer 10 is manifested, which is preferable from the viewpoint of production technology.
  • air is blown for 30 seconds or more at a pressure that removes moisture on the surface of the unevenness 11 of the diffuse transmission layer 10.
  • moisture on the surface of the unevenness 11 of the diffuse transmission layer 10 can be removed, and the surface of the unevenness 11 of the diffusion transmission layer 10 tends to be sufficiently oxidized.
  • the diffusion transmission layer 10, the silicon layer 9, the transparent conductive layer 7, and a part of the semiconductor laminate 13 are etched until the surfaces of the n-type nitride semiconductor layer 3 and the p-type nitride semiconductor layer 6 are exposed. To remove.
  • an n pad electrode and a p pad electrode are formed on the exposed surface of n type nitride semiconductor layer 2 and the surface of p type nitride semiconductor layer 6, respectively, to manufacture the photoelectric conversion element of the first embodiment. it can.
  • the semiconductor stacked body 13 includes one pin structure, but the semiconductor stacked body 13 may include two or more pin structures. In addition, other layers may be included between the above layers.
  • n-type and p-type conductivity may be interchanged.
  • the photoelectric conversion module may be formed by electrically connecting the p pad electrode of one photoelectric conversion element and the n pad electrode of another photoelectric conversion element.
  • the photoelectric conversion module may be formed by electrically connecting the transparent conductive layer 7 of one photoelectric conversion element and the n-pad electrode of another photoelectric conversion element.
  • FIG. 11 is a schematic cross-sectional view of the photoelectric conversion element of Embodiment 2, which is another example of the photoelectric conversion element of the present invention.
  • a stacked body of the silicon oxide layer 8, the silicon layer 9, and the diffusion transmission layer 10 is provided on the surface on the installation side of the template substrate 12 among the surfaces of the semiconductor stacked body 13. The light is incident from the template substrate 12 side.
  • the template substrate 12 is disposed between the diffuse transmission layer 10 and the semiconductor stacked body 13, and incident light incident on the diffusion transmission layer 10 is diffused and transmitted through the diffusion transmission layer 10. Isotropically scattered by the irregularities 11 on the surface of the silicon substrate 9, and then passes through the silicon layer 9, the silicon oxide layer 8, the template substrate 12, the n-type nitride semiconductor layer 3 and the nitride semiconductor buffer layer 4 to form the i-type nitride semiconductor layer 5. Incident light is generated in the i-type nitride semiconductor layer 5.
  • the light incident on the diffuse transmission layer 10 is isotropically scattered by the unevenness 11 of the diffuse transmission layer 10.
  • the diffuse transmittance of incident light on the irregularities 11 on the surface of the diffuse transmission layer 10 increases, so that more light is incident on the i-type nitride semiconductor layer 5, and the i-type nitride semiconductor layer 5.
  • the optical path length of the light incident on is increased.
  • the amount of light absorbed by the i-type nitride semiconductor layer 5 increases, and a large number of photocarriers can be generated. Therefore, characteristics of the photoelectric conversion element such as a short-circuit current density can be improved.
  • n-type nitride semiconductor layer 3, nitride semiconductor buffer layer 4, i-type nitride semiconductor layer 5, p-type nitride semiconductor layer 6 and transparent conductive layer 7 are laminated on template substrate 12 in this order.
  • the process is the same as in the first embodiment.
  • a step of reducing the thickness of the substrate 1 is performed.
  • the step of reducing the thickness of the substrate 1 can be performed by reducing the thickness of the substrate 1 by, for example, grinding and / or polishing the back surface of the substrate 1.
  • a silicon oxide layer 8 is laminated on the back surface of the substrate 1, and then silicon is formed on the silicon oxide layer 8 as shown in the schematic cross-sectional view of FIG. Layer 9 is laminated.
  • the silicon layer 9 is preferably formed using a DC magnetron sputtering method from the viewpoint of forming the surface 9a having a (100) plane orientation very close to a single crystal.
  • the surface of the silicon layer 9 is immersed in hydrofluoric acid to remove the silicon oxide on the surface of the silicon layer 9, and then the surface of the silicon layer 9 after the removal of the silicon oxide is removed. Rinse with ultrapure water.
  • the diffusive transmission layer 10 having the surface of the irregularities 11 is formed on the surface 9a of the plane orientation (100) of the silicon layer 9 by immersing the silicon layer 9 in ultrapure water. Thereafter, gas is blown onto the surface of the irregularities 11 of the diffuse transmission layer 10.
  • the photoelectric conversion element of the second embodiment can be manufactured by forming an n pad electrode and a p pad electrode on the exposed surface of the n-type nitride semiconductor layer 3 and the surface of the transparent conductive layer 7, respectively.
  • the transparent conductive layer 7 is provided on the surface of the p-type nitride semiconductor layer 6 .
  • the p-type nitride semiconductor layer 6 has been transmitted.
  • An opaque conductive layer such as a metal layer for reflecting transmitted light to the i-type nitride semiconductor layer 5 side may be provided.
  • the characteristics of the photoelectric conversion element of Embodiment 2 such as the short circuit current density can be further improved.
  • the case where the thickness of the substrate 1 of the template substrate 12 is reduced has been described. However, all of the template substrate 12 is removed and oxidized on the exposed back surface of the n-type nitride semiconductor layer 3.
  • the silicon layer 8, the silicon layer 9, and the diffuse transmission layer 10 may be provided in this order. In this case, the incident light from the diffuse transmission layer 10 is not absorbed by the template substrate 12, and the amount of incident light on the i-type nitride semiconductor layer 5 can be increased. Therefore, when the amount of photocarriers generated in i-type nitride semiconductor layer 5 increases, characteristics of the photoelectric conversion element such as short-circuit current density can be further improved.
  • a template substrate was prepared in which a buffer layer made of non-doped GaN was formed on the c-plane of a sapphire (Al 2 O 3 ) substrate.
  • the template substrate was placed in the MOCVD apparatus, and the template substrate was heated to 1100 ° C. to 1120 ° C.
  • trimethylgallium (TMG) gas is supplied into the MOCVD apparatus at a flow rate of 125 ( ⁇ mol / min), ammonia (NH 3 ) gas is supplied at a flow rate of 270 (mmol / min), and silane (
  • TMG trimethylgallium
  • NH 3 ammonia
  • silane By supplying SiH 4 ) gas, an n-type nitride semiconductor layer made of an n-type GaN layer having a thickness of 1.5 ⁇ m was vapor-phase grown by MOCVD on the surface of the template substrate.
  • the n-type nitride semiconductor layer was an n-type GaN layer doped with Si at a concentration of 2 ⁇ 10 18 / cm 3 .
  • a well layer made of In 0.2 Ga 0.8 N having a thickness of 3.5 nm and a thickness of 6 nm are formed on the surface of the n-type nitride semiconductor layer.
  • An i-type nitride semiconductor layer having an MQW structure in which six layers of GaN barrier layers were alternately stacked was vapor-grown by MOCVD.
  • the well layer supplies TMG gas at a flow rate of 300 ( ⁇ mol / min) and trimethylindium (TMI) at a flow rate of 160 ( ⁇ mol / min) into the MOCVD apparatus, and further, NH 3 gas. was supplied at a flow rate of 425 (mmol / min).
  • the barrier layer was formed only by stopping the supply of TMI gas into the MOCVD apparatus and supplying TMG gas and NH 3 gas.
  • TMG gas is supplied at a flow rate of 125 ( ⁇ mol / min) into the MOCVD apparatus, and NH 3 gas is supplied at 270 (mmol / min).
  • P-type nitride comprising a p-type GaN layer having a thickness of 50 nm on the surface of the i-type nitride semiconductor layer by further supplying biscyclopentadienylmagnesium (CP 2 Mg) gas.
  • the semiconductor layer was vapor-phase grown by MOCVD.
  • the p-type nitride semiconductor layer was a p-type GaN layer doped with Mg at a concentration of 4 ⁇ 10 19 / cm 3 .
  • the wafer after the formation of the p-type nitride semiconductor layer was taken out of the MOCVD apparatus, and the wafer was annealed.
  • the annealing process of the wafer was performed by holding the wafer at 800 ° C. for 5 minutes in a nitrogen atmosphere.
  • the annealed wafer is placed in a DC magnetron sputtering apparatus, and a transparent conductive layer made of AZO having a thickness of 0.32 ⁇ m is formed on the surface of the p-type nitride semiconductor layer by DC magnetron sputtering.
  • a single layer of AZO was formed as the transparent conductive layer.
  • the partial pressure was changed from 3% to 10%, and the ZnO targets having different Al concentrations.
  • Transparent conductive layers having different compositions such as an AZO layer formed from the above, a GZO layer formed from a ZnO target having Ga as a dopant instead of Al, or an ITO layer, may be formed.
  • the wafer after the transparent conductive layer is formed is heated in a DC magnetron sputtering apparatus at 600 ° C. for 10 minutes to anneal the wafer. I did it.
  • the atmosphere in the DC magnetron sputtering apparatus during the annealing treatment was maintained in a vacuum state with an oxygen partial pressure of 2%.
  • the temperature of the wafer was lowered to 250 ° C., and the atmosphere pressure in the DC magnetron sputtering apparatus was set to a vacuum state (atmosphere pressure: 3 ⁇ 10 ⁇ 3 Pa) with an oxygen partial pressure of less than 1%. Then, using the SiO 2 target, a SiO 2 target at a deposition rate of 1.5 nm / sec, to form a silicon oxide layer of SiO 2 film having a thickness of 0.1 ⁇ m on the transparent conductive layer.
  • the wafer temperature was raised to 400 ° C., and the atmosphere in the DC magnetron sputtering apparatus was replaced with an atmosphere having an Ar gas partial pressure of 100%.
  • a Si target produced by a floating zone method is installed in a DC magnetron sputtering apparatus, and the Si target is pulsed at a frequency of 100 kHz, a duty ratio of 0.4, and an input energy density of 14.6 (nm ⁇ min) in an Ar gas atmosphere. ⁇ 1 ) / (W ⁇ cm ⁇ 2 ), a silicon layer having a surface with good (100) plane orientation characteristics is formed on the silicon oxide layer by a DC magnetron sputtering method to a thickness of 0.05 ⁇ m. Formed with.
  • the surface of the silicon layer was left to stand in a class 1000 clean room for a whole day and night by naturally oxidizing the surface of the silicon layer to form a natural oxide film. Thereafter, the natural oxide film is removed by immersing the surface of the silicon layer in hydrofluoric acid having a hydrogen fluoride concentration of 2.5 mass% for 10 minutes, and the surface after removal of the natural oxide film is immediately treated with ultrapure water. Rinse.
  • the surface of the silicon layer after rinsing is immersed in boiling ultrapure water for 30 minutes to form a diffuse transmission layer having an uneven surface on the surface (100) of the silicon layer. did.
  • a wafer after forming a mask having an opening in a predetermined shape on the surface of the diffuse transmission layer is placed in an etching apparatus, and a part of the wafer is removed by etching from above the mask in the etching apparatus.
  • a part of the surface of each of the n-type nitride semiconductor layer and the p-type nitride semiconductor layer was exposed.
  • a mask having a shape in which an opening having a predetermined shape is located on each exposed surface of the n-type nitride semiconductor layer and the p-type nitride semiconductor layer is formed on the surface of the wafer after the etching. did.
  • an Ni layer, a Pt layer, and an Au layer are stacked in this order from above the mask by a vapor deposition method to form a metal layer, and then the n-type nitride semiconductor layer and the p-type nitride semiconductor are removed by removing the mask.
  • An n pad electrode and a p pad electrode were respectively formed on the exposed surface of the layer by lift-off.
  • the wafer after the formation of the n-pad electrode and the p-pad electrode was placed in a lamp annealing apparatus, and the wafer was annealed by heating to 400 to 600 ° C.
  • the sapphire substrate was peeled off. Then, the nitride semiconductor light-receiving element of Example 1 was obtained by dividing the wafer thus obtained at predetermined locations.
  • the n pad electrode and the p pad electrode of the nitride semiconductor light receiving element of Example 1 are connected to the lead frame by gold wires, respectively, and the probe is brought into contact with the positive electrode and the negative electrode of the lead frame, respectively, for current and voltage measurement.
  • the circuit was formed.
  • the nitride semiconductor light-receiving element of Example 1 after the above circuit formation is installed in a solar simulator, and AM1.5 pseudo-sunlight is diffused and transmitted in an atmosphere of 25 mC at an energy density of 100 mW / cm 2.
  • the IV curve of the nitride semiconductor light receiving element of Example 1 was obtained. From the IV curve, the open-circuit voltage (V oc ), short-circuit current density (J sc ), fill factor (FF), and photoelectric conversion efficiency (E ff ) of the nitride semiconductor light receiving device of Example 1 were calculated.
  • the V oc of the nitride semiconductor light receiving device of Example 1 is 1.84 V
  • J sc is 1.33 mA / cm 2
  • F.I. F was 0.47
  • E ff was 1.13%.
  • Comparative Example 1 A nitride semiconductor light receiving device of Comparative Example 1 was fabricated in the same manner as in Example 1 except that the diffusion transmission layer was not formed.
  • the V oc of the nitride semiconductor light receiving element of Comparative Example 1 is 1.82 V
  • J sc is 0.89 mA / cm 2
  • F.I. F was 0.47 and E ff was 0.76%.
  • the nitride semiconductor light-receiving element of Example 1 was superior to the nitride semiconductor light-receiving element of Comparative Example 1 in terms of V oc , J sc, and E ff . This is because, in the nitride semiconductor light receiving element of Example 1, the incident light to the diffuse transmission layer is isotropically scattered by the unevenness of the surface of the diffuse transmission layer, so that more light is generated in the i-type nitride semiconductor layer. It can be considered that one of the major factors is that the light can be incident.
  • a template substrate is formed by forming a buffer layer made of non-doped GaN on the c-plane of a sapphire substrate, and an n-type nitride semiconductor layer, an i-type nitride semiconductor layer, and a p-type nitride semiconductor are formed on the template substrate.
  • the same steps as in Example 1 were performed until the layer and the transparent conductive layer were laminated in this order.
  • the thickness of the sapphire substrate is reduced to 130 ⁇ m, and the ground surface of the sapphire substrate is polished Mirror finish was applied.
  • the wafer after mirror finishing of the sapphire substrate is placed in a DC magnetron sputtering apparatus, and the atmospheric pressure in the DC magnetron sputtering apparatus is a vacuum state in which the oxygen partial pressure is less than 1% (atmospheric pressure: 3 ⁇ 10 ⁇ 3 Pa).
  • the SiO 2 target, formed of SiO 2 target to 1.5 nm / sec. Speed of deposition, the sapphire substrate subjected to mirror polishing the silicon oxide layer of SiO 2 film having a thickness of 0.1 ⁇ m on the back surface did.
  • the wafer temperature was raised to 400 ° C., and the atmosphere in the DC magnetron sputtering apparatus was replaced with an atmosphere having an Ar gas partial pressure of 100%.
  • a Si target produced by a floating zone method is installed in a DC magnetron sputtering apparatus, and the Si target is pulsed at a frequency of 100 kHz, a duty ratio of 0.4, and an input energy density of 14.6 (nm ⁇ min) in an Ar gas atmosphere. ⁇ 1 ) / (W ⁇ cm ⁇ 2 ), a silicon layer having a surface with good (100) plane orientation characteristics is formed on the silicon oxide layer by a DC magnetron sputtering method to a thickness of 0.05 ⁇ m. Formed with.
  • Example 2 Thereafter, in the same manner as in Example 1, a diffusion transmission layer having an uneven surface is formed on the surface of the silicon layer in the plane orientation (100), and air is blown on the uneven surface of the diffusion transmission layer for 30 seconds.
  • the uneven surface of the diffuse transmission layer was dried, and at the same time, further natural oxidation of the diffuse transmission layer was promoted.
  • the wafer after forming a mask having an opening in a predetermined shape on the surface of the diffuse transmission layer is placed in an etching apparatus, and in the etching apparatus, a part of the wafer is removed by etching from above the mask. A part of the surface of the n-type nitride semiconductor layer was exposed.
  • a mask having a shape in which an opening having a predetermined shape is located on the surface of each of the n-type nitride semiconductor layer and the transparent conductive layer was formed on the surface of the wafer after the etching.
  • the Ni layer, the Pt layer, and the Au layer are laminated by vapor deposition in this order from the upper side of the mask to form a metal layer, and then the surface of the n-type nitride semiconductor layer and the transparent conductive layer is removed by removing the mask.
  • An n-pad electrode and a p-pad electrode were formed on each by lift-off.
  • the wafer after the formation of the n-pad electrode and the p-pad electrode was placed in a lamp annealing apparatus, and the wafer was annealed by heating to 400 to 600 ° C.
  • the nitride semiconductor light-receiving element of Example 2 was obtained by dividing the wafer obtained as described above at predetermined locations.
  • Example 2 Thereafter, in the same manner as in Example 1, the V oc , J sc , F.V. F and E ff were calculated. As a result, the V oc of the nitride semiconductor light receiving element of Example 2 was 1.84 V, J sc was 0.87 mA / cm 2 , and F.I. F was 0.44 and E ff was 0.70%.
  • Comparative Example 2 A nitride semiconductor light-receiving element of Comparative Example 2 was produced in the same manner as Example 2 except that the diffusion transmission layer was not formed.
  • the V oc of the nitride semiconductor light receiving element of Comparative Example 2 is 1.83 V
  • J sc is 0.76 mA / cm 2
  • F.I. F was 0.44
  • E ff was 0.61%.
  • the nitride semiconductor light receiving device of Example 2 was superior to the nitride semiconductor light receiving device of Comparative Example 2 in terms of V oc , J sc, and E ff . This is because, in the nitride semiconductor light-receiving element of Example 2, the incident light to the diffuse transmission layer is isotropically scattered by the unevenness of the surface of the diffuse transmission layer, so that more light is emitted in the i-type nitride semiconductor layer. It can be considered that one of the major factors is that the light can be incident.
  • the present invention can be used for a photoelectric conversion element and a method for manufacturing the photoelectric conversion element, and particularly for a solar cell using a nitride semiconductor and a method for manufacturing the solar cell.

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Abstract

　半導体積層体（１３）と、半導体積層体（１３）上に設けられたシリコン層（９）と、シリコン層（９）上に設けられた拡散透過層（１０）とを備え、シリコン層（９）は面方位｛１００｝の表面を有し、拡散透過層（１０）の表面が凹凸（１１）を有する光電変換素子と光電変換素子の製造方法である。

Description

光電変換素子および光電変換素子の製造方法
　本発明は、光電変換素子および光電変換素子の製造方法に関する。
　現在、光電変換素子は、シリコン（たとえば、非晶質シリコン、微結晶シリコンまたは多結晶シリコン）により作製されるのが一般的である。しかしながら、シリコンのバンドギャップは１．１ｅＶ～１．８ｅＶであるため、エネルギの高い０．５μｍ以下の短波長領域の光に対しての感度が小さく、太陽光を有効活用できないという材料固有の課題を有していた。
　これに対し、ＡｌαＩｎβＧａγＮ（０≦α≦１、０≦β≦１、０≦γ≦１、α＋β＋γ≠０）の式で表わされる窒化物半導体のバンドギャップは、ｘおよびｙの数値に対応して、０．７ｅＶ～６．０ｅＶという極めて広い範囲で変化させることができる。そのため、窒化物半導体を用いて作製した光電変換素子は、０．５μｍ以下の短波長領域の光に対しても感度を持たせることができることから、次世代の光電変換素子として大変注目されている。
　上記の窒化物半導体は、通常、有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ）、ハイドライド気相成長法（ＨＶＰＥ）、分子線気相成長法（ＭＢＥ）、またはパルスレーザデポジション法（ＰＬＤ）などの気相成長法を用いて基板上に形成することができる。
　上記の窒化物半導体は、発光ダイオード（ＬＥＤ）およびレーザダイオード（ＬＤ）等の発光素子用の材料として好適であるため、開発が盛んに行なわれてきた経緯がある。また、近年では上記の窒化物半導体のバンドギャップの解明により、次世代の光電変換素子用の材料として、気相成長法を用いて窒化物半導体を形成する研究が盛んに行なわれている。
　光電変換素子では、活性層が光を吸収してフォトキャリアを生成するため、活性層に多くの光を採り入れることが強く望まれる。たとえば、特許文献１（特開平７－２８８３３４号公報）、特許文献２（米国特許出願公開第２００４／０１１８４５１号明細書）、および特許文献３（米国特許７２１７８８２号明細書）には、窒化物半導体を用いた光電変換素子の構造が開示されている。
特開平７－２８８３３４号公報 米国特許出願公開第２００４／０１１８４５１号明細書 米国特許７２１７８８２号明細書
Peter　Reining　et　al.,　"Crystalline　silicon　films　grown　by　pulsed　dc　magnetron　sputtering",　Journal　of　Non-Crystalline　Solids　299-302　(2002),　pp.128-132 Yuichi　Sano　et　al,　"Morphology　change　and　its　chemical　states　at　the　Si(100)　surface　after　dipping　in　hot　ultrapure　water",　Journal　of　Electron　Spectroscopy　and　Related　Phenomena　169　(2009),　pp.92-96
　しかしながら、特許文献１～３には、活性層に多くの光を採り入れることについての議論は存在しない。光電変換素子にとってフォトキャリアを多く生成することは短絡電流を増加させることを意味しているため、光電変換素子の特性を向上させる目的から、窒化物半導体を用いた光電変換素子の活性層でもフォトキャリアを多く生成することが要望されている。
　上記の事情に鑑みて、本発明は、特性を向上させることができる光電変換素子および光電変換素子の製造方法を提供することを目的とする。
　本発明は、半導体積層体と、半導体積層体上に設けられたシリコン層と、シリコン層上に設けられた拡散透過層とを備え、シリコン層は面方位｛１００｝の表面を有し、拡散透過層の表面は凹凸を有する光電変換素子である。
　ここで、本発明の光電変換素子においては、シリコン層の厚さが０．０３μｍ以上０．０５μｍ以下であることが好ましい。
　また、本発明の光電変換素子において、凹凸は、径が２０ｎｍ以上６０ｎｍ以下であって、高さが１ｎｍ以上５０ｎｍ以下の凸部を有することが好ましい。
　また、本発明の光電変換素子において、基板をさらに備え、半導体積層体は基板上に設けられており、半導体積層体は、ｐ型窒化物半導体層と、ｉ型窒化物半導体層と、ｎ型窒化物半導体層とを有することが好ましい。
　また、本発明の光電変換素子において、基板は、ＡｌxＩｎyＧａzＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、ｘ＋ｙ＋ｚ≠０）、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＮｄＧａＯ3、ＬｉＧａＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＭｇＡｌ2Ｏ4、ＺｎＯ、Ｓｉ、ＳｉＣ、ＳｉＧｅ、またはＺｒＢ2の式で表わされる材料を含むことが好ましい。
　また、本発明の光電変換素子において、拡散透過層は、半導体積層体の表面のうち、基板の設置側の表面とは反対側の表面上に設けられていることが好ましい。
　また、本発明の光電変換素子において、半導体積層体と拡散透過層との間に透明導電層をさらに備え、透明導電層は、亜鉛、インジウム、錫およびマグネシウムからなる群から選択された少なくとも１種の金属を含む単層、または単層の複数が積層された複数層を有し、透明導電層の屈折率は、拡散透過層の屈折率よりも大きく、かつｐ型窒化物半導体層の屈折率よりも小さくなっており、透明導電層の厚さは０．２５μｍ以上０．５μｍ以下であることが好ましい。
　また、本発明の光電変換素子において、拡散透過層は、半導体積層体の表面のうち、基板の設置側の表面上に設けられており、拡散透過層と半導体積層体との間に基板が配置されていることが好ましい。
　さらに、本発明は、上記のいずれかの光電変換素子を製造する方法であって、半導体積層体を形成する工程と、半導体積層体上に面方位｛１００｝の表面を有するシリコン層をＤＣマグネトロンスパッタ法により形成する工程と、を含む、光電変換素子の製造方法である。
　ここで、本発明の光電変換素子の製造方法は、シリコン層をＤＣマグネトロンスパッタ法により形成する工程の後に、シリコン層を超純水に浸漬して拡散透過層を形成する工程をさらに含み、拡散透過層を形成する工程において、超純水は９５℃以上１００℃以下の温度で大気中に保持されており、シリコン層の超純水への浸漬時間は２５分以上３５分以下であることが好ましい。
　また、本発明の光電変換素子の製造方法において、超純水の比抵抗は、１８ＭΩ・ｃｍ以上１００ＭΩ・ｃｍ以下であり、超純水中における有機化合物の含有量は、１ｐｐｂ以上５０ｐｐｂ以下であって、超純水中における溶存酸素濃度は、１ｐｐｂ以上１００ｐｐｂ以下であることが好ましい。
　ここで、本発明の光電変換素子の製造方法において、拡散透過層の表面に空気を３０秒以上吹き付ける工程をさらに含むことが好ましい。
　また、本発明の光電変換素子の製造方法は、半導体積層体上に、蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法および化学気相成長法からなる群から選択された少なくとも１つの方法により、厚さ０．０３μｍ以上０．１５μｍ以下の酸化シリコン層を形成する工程をさらに含み、シリコン層をＤＣマグネトロンスパッタ法により形成する工程は、酸化シリコン層上にシリコン層を形成する工程を含むことが好ましい。
　本発明によれば、特性を向上することができる光電変換素子および光電変換素子の製造方法を提供することができる。
実施の形態１の光電変換素子の模式的な断面図である。 拡散透過層の表面の凹凸の一例の模式的な拡大断面図である。 凸部を拡散透過層の表面に対して垂直上方の位置から見たときの平面形状の一例を示す図である。 実施の形態１の光電変換素子の製造方法の一例の工程の一部について図解する模式的な断面図である。 実施の形態１の光電変換素子の製造方法の一例の工程の他の一部について図解する模式的な断面図である。 実施の形態１の光電変換素子の製造方法の一例の工程の他の一部について図解する模式的な断面図である。 実施の形態１の光電変換素子の製造方法の一例の工程の他の一部について図解する模式的な断面図である。 実施の形態１の光電変換素子の製造方法の一例の工程の他の一部について図解する模式的な断面図である。 実施の形態１の光電変換素子の製造方法の一例の工程の他の一部について図解する模式的な断面図である。 実施の形態１の光電変換素子の製造方法の一例の工程の他の一部について図解する模式的な断面図である。 実施の形態２の光電変換素子の模式的な断面図である。 実施の形態２の光電変換素子の製造方法の一例の工程の一部について図解する模式的な断面図である。 実施の形態２の光電変換素子の製造方法の一例の工程の他の一部について図解する模式的な断面図である。 実施の形態２の光電変換素子の製造方法の一例の工程の他の一部について図解する模式的な断面図である。
　以下、本発明の実施の形態について説明する。なお、本発明の図面において、同一の参照符号は、同一部分または相当部分を表わすものとする。
　＜実施の形態１＞
　図１に、本発明の光電変換素子の一例である実施の形態１の光電変換素子の模式的な断面図を示す。実施の形態１の光電変換素子は、テンプレート基板１２と、テンプレート基板１２上に設けられた半導体積層体１３と、半導体積層体１３上に設けられた透明導電層７と、透明導電層７上に設けられた酸化シリコン層８と、酸化シリコン層８上に設けられたシリコン層９と、シリコン層９上に設けられた拡散透過層１０と、を備えている。拡散透過層１０は、半導体積層体１３の表面のうち、テンプレート基板１２の設置側の表面とは反対側の表面上に設けられており、拡散透過層１０側が受光面側となっている。
　ここで、テンプレート基板１２は、基板１と、基板１上に設けられたバッファ層２とを有している。
　また、半導体積層体１３は、バッファ層２上に設けられたｎ型窒化物半導体層３と、ｎ型窒化物半導体層３上に設けられた窒化物半導体緩衝層４と、窒化物半導体緩衝層４上に設けられたｉ型窒化物半導体層５と、ｉ型窒化物半導体層５上に設けられたｐ型窒化物半導体層６とを有している。なお、半導体積層体１３は、ｎ型窒化物半導体層３と、ｉ型窒化物半導体層５と、ｐ型窒化物半導体層６とから構成されているｐｉｎ構造体を含んでいる。
　なお、図示はしていないが、ｎ型窒化物半導体層３の表面上にはｎパッド電極が形成されているとともに、ｐ型窒化物半導体層６の表面上にはｐパッド電極が形成されている。ｎパッド電極およびｐパッド電極はそれぞれ設置しなくてもよいが、設置しておくことが好ましい。
　シリコン層９の表面９ａは、面方位が｛１００｝の結晶面であり、好ましくは（１００）の結晶面である。シリコン層９の面方位（１００）の表面９ａ上に拡散透過層１０が設けられている。また、拡散透過層１０の表面には凹凸１１が設けられている。
　実施の形態１の光電変換素子において、拡散透過層１０に入射した光は、拡散透過層１０の凹凸１１で等方散乱する。これにより、拡散透過層１０の表面の凹凸１１における入射光の拡散透過率（入射光に対する拡散透過光の比率）が増大するため、より多くの光がｉ型窒化物半導体層５に入射することになり、ｉ型窒化物半導体層５に入射した光の光路長が長くなることになる。これにより、ｉ型窒化物半導体層５で吸収される光の量が増大し、フォトキャリアを多く生成することができることから、短絡電流密度等の特性を向上することができる。
　ここで、シリコン層９の厚さｔ１は、０．０３μｍ以上０．０５μｍ以下であることが好ましい。シリコン層９の厚さｔ１が０．０３μｍ以上である場合には、シリコン層９のバルクとしての特性が高くなって、拡散透過層１０の凹凸１１の形成のばらつきを低減することができる傾向にある。また、シリコン層９の厚さｔ１が０．０５μｍ以下である場合には、シリコン層９の吸収によって、シリコン層９を透過する入射光量が低減するのを抑えることができる傾向にある。
　図２に、拡散透過層１０の表面の凹凸１１の一例の模式的な拡大断面図を示す。拡散透過層１０の凹凸１１の材質は入射光を等方散乱させることができるものであれば特に限定されないが、０．５μｍ以下の短波長領域の光を等方散乱させる観点からは、凹凸１１の材質は誘電体であることが好ましい。
　また、拡散透過層１０の凹凸１１の形状も入射光を等方散乱させることができるものであれば特に限定されないが、０．５μｍ以下の短波長領域の光を等方散乱させる観点からは、径ｄが２０ｎｍ以上６０ｎｍ以下であって、高さｈが１ｎｍ以上５０ｎｍ以下の凸部１１ａを有する形状であることが好ましい。径ｄが２０ｎｍ以上６０ｎｍ以下であって、高さｈが１ｎｍ以上５０ｎｍ以下である凸部１１ａを有し、かつ誘電体からなる凹凸１１に、従来の光電変換素子では感度の低い０．５μｍ以下の短波長領域の光が入射した場合には、レイリー散乱により入射光が等方散乱して、凹凸１１における拡散透過率が増大する傾向にある。これにより、光電変換層であるｉ型窒化物半導体層５に入射する入射光量が増大して、ｉ型窒化物半導体層５でより多くのフォトキャリアを生成することができるため、短絡電流密度等の光電変換素子の特性を向上することができる傾向にある。
　たとえば後述するように、拡散透過層１０の表面の凹凸１１を、シリコン層の面方位が（１００）の結晶面である表面から超純水中でエッチングと酸化との競合過程を経て形成した場合には、超純水中でエッチングにより、径ｄが２０ｎｍ以上６０ｎｍ以下であって高さｈが１ｎｍ以上５０ｎｍ以下である凸部１１ａを形成することができる。また、超純水中での酸化により拡散透過層１０の表面の凹凸１１の材質を酸化シリコンとすることができる。
　したがって、本実施の形態の光電変換素子の拡散透過層１０の表面の凹凸１１の形状を径ｄが２０ｎｍ以上６０ｎｍ以下であって高さｈが１ｎｍ以上５０ｎｍ以下である凸部１１ａを有する形状とするとともに、凹凸１１の材質を誘電体とすることによって、０．５μｍ以下の短波長領域の光を効果的に等方散乱させて凹凸１１における拡散透過率をさらに向上させることができ、ひいては短絡電流密度等の光電変換素子の特性をさらに向上することができる傾向にある。
　凹凸１１の凸部１１ａの径ｄおよび高さｈはそれぞれ、たとえば原子間力顕微鏡（ＡＦＭ:Atomic　Force　Microscopy）を用いて測定することができる。ＡＦＭを用いた測定により得られる拡散透過層１０の凹凸１１の画像においては、高さ方向が強調されることによって、凹凸１１の凸部１１ａが粒状に表示される。特に、拡散透過層１０の表面の凹凸１１が、超純水中でのエッチングと酸化との競合過程を経て形成されたものである場合には、凹凸１１の高さ方向の浸食がさらに大きくなるため、ＡＦＭにより得られる凹凸１１の画像においては、さらに高さ方向が強調されて、凹凸１１の凸部１１ａがさらに粒状に表示されやすくなる。
　なお、本明細書において、凸部１１ａの径ｄは、凸部１１ａを拡散透過層１０の表面に対して垂直上方の位置から見たときの平面形状の外周上の任意の２点を結ぶ線分のうち長さが最長となる線分の長さを意味するものとする。
　凸部１１ａの径ｄは、たとえば以下のようにして算出することができる。図３に、凸部１１ａを拡散透過層１０の表面に対して垂直上方の位置から見たときの平面形状の一例を示す。たとえば図３に示すように、凸部１１ａの平面形状は、一般的に、直線および／または曲線が閉じられて形成されることになるが、本例においては、凸部１１ａの平面形状は楕円状となっている。そして、凸部１１ａの平面形状の外周上の任意の２点を結ぶ線分の長さが最長となるように、凸部１１ａの平面形状の外周上の２点（ａ点およびｂ点）をそれぞれ決定し、ａ点およびｂ点をそれぞれ両端とする線分を作成し、その線分の長さを測定することにより凸部１１ａの径ｄを算出することができる。
　また、本明細書において、凸部１１ａの高さｈは、たとえば図２に示すように、それぞれの凸部１１ａの高低差の最大値を意味するものとする。すなわち、凸部１１ａの高さｈは、凹凸１１の縦断面において、凸部１１ａの鉛直方向の最も高い位置に存在する点を含む仮想水平面（シリコン層の表面９ａに平行な面）と、凸部１１ａの鉛直方向の最も低い位置に存在する点を含む仮想水平面（シリコン層の表面９ａに平行な面）との間の距離を意味する。なお、凸部１１ａの鉛直方向の最も低い位置とは、凸部１１ａの鉛直方向に沿ったあらゆる縦断面のうち、シリコン層の表面９ａに最も近い位置に存在する点を意味する。
　以下、図４～図１０の模式的断面図を参照して、実施の形態１の光電変換素子の製造方法の一例について説明する。
　まず、図４に示すように、テンプレート基板１２を形成する。テンプレート基板１２は、たとえば、基板１の表面上に、ｎ型窒化物半導体層３との格子不整合を緩和するためのバッファ層２をたとえばＭＯＣＶＤ（Metal　Organic　Chemical　Vapor　Deposition）法などによって積層することにより形成することができる。なお、テンプレート基板１２に代えて、基板１のみを用いてもよいが、基板１の表面上にバッファ層２を形成したテンプレート基板１２を用いた場合には、バッファ層２の表面上に、ｎ型窒化物半導体層３、窒化物半導体緩衝層４、ｉ型窒化物半導体層５およびｐ型窒化物半導体層６を気相成長させることによって結晶欠陥の少ない良好な結晶性を有する半導体積層体１３を形成することができる傾向にある。
　ここで、基板１としては、ＡｌxＩｎyＧａzＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、ｘ＋ｙ＋ｚ≠０）、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＮｄＧａＯ3、ＬｉＧａＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＭｇＡｌ2Ｏ4、ＺｎＯ、Ｓｉ、ＳｉＣ、ＳｉＧｅ、またはＺｒＢ2の式で表わされる材料を少なくとも表面に有する基板を用いることが好ましい。
　また、バッファ層２としては、たとえば、Ａｌx0Ｉｎy0Ｇａz0Ｎ（０≦ｘ０≦１、０≦ｙ０≦１、０≦ｚ０≦１、ｘ０＋ｙ０＋ｚ０≠０）の式で表わされる窒化物半導体などを用いることができる。
　次に、図５に示すように、バッファ層２の表面上に、ｎ型窒化物半導体層３、窒化物半導体緩衝層４、ｉ型窒化物半導体層５およびｐ型窒化物半導体層６をたとえばＭＯＣＶＤ法などによって積層することによって半導体積層体１３を形成する。なお、半導体積層体１３の形成後には、半導体積層体１３のアニール処理などを行なうことによって、半導体積層体１３を加熱してもよい。
　ｎ型窒化物半導体層３としては、たとえば、Ａｌx1Ｉｎy1Ｇａz1Ｎ（０≦ｘ１≦１、０≦ｙ１≦１、０≦ｚ１≦１、ｘ１＋ｙ１＋ｚ１≠０）の式で表わされる窒化物半導体にｎ型ドーパントをドープさせたものなどを用いることができる。ｎ型ドーパントとしては、たとえば、シリコンなどを用いることができる。ｎ型窒化物半導体層３は、たとえば０．１μｍ以上４μｍ以下の厚さで積層することができる。
　窒化物半導体緩衝層４としては、たとえば、Ａｌx2Ｉｎy2Ｇａz2Ｎ（０≦ｘ２≦１、０≦ｙ２≦１、０≦ｚ２≦１、ｘ２＋ｙ２＋ｚ２≠０）の式で表わされる窒化物半導体からなる層と、Ａｌx3Ｉｎy3Ｇａz3Ｎ（０≦ｘ３≦１、０≦ｙ３≦１、０≦ｚ３≦１、ｘ３＋ｙ３＋ｚ３≠０）の式で表わされる窒化物半導体からなる層と、が交互に積層されてなる構成を用いることができる。窒化物半導体緩衝層４は、たとえば０．０８μｍ程度の厚さで積層することができる。
　ｉ型窒化物半導体層５としては、たとえば、ＳＱＷ（Single　Quantum　Well）構造またはＭＱＷ（Multiple　Quantum　Well）構造を有するものを用いることができる。また、ｉ型窒化物半導体層５は、たとえば、単層構造またはダブルヘテロ構造であってもよい。
　ＭＱＷ構造を有するｉ型窒化物半導体層５としては、たとえば、Ａｌx4Ｉｎy4Ｇａz4Ｎ（０≦ｘ４≦１、０≦ｙ４≦１、０≦ｚ４≦１、ｘ４＋ｙ４＋ｚ４≠０）の式で表わされる窒化物半導体からなる井戸層と、Ａｌx5Ｉｎy5Ｇａz5Ｎ（０≦ｘ５≦１、０≦ｙ５≦１、０≦ｚ５≦１、ｘ５＋ｙ５＋ｚ５≠０）の式で表わされる窒化物半導体からなる障壁層と、が交互に積層されてなるものを用いることができる。
　なお、井戸層および／または障壁層には、ｎ型ドーパントおよび／またはｐ型ドーパントがドープされていてもよい。また、井戸層の厚さはたとえば１ｎｍ以上２０ｎｍ以下とすることができ、障壁層の厚さはたとえば１ｎｍ以上１０ｎｍ以下とすることができる。
　ｐ型窒化物半導体層６としては、たとえば、Ａｌx6Ｉｎy6Ｇａz6Ｎ（０≦ｘ６≦１、０≦ｙ６≦１、０≦ｚ６≦１、ｘ６＋ｙ６＋ｚ６≠０）の式で表わされる窒化物半導体にｐ型ドーパントをドープさせたものなどを用いることができる。なお、ｐ型ドーパントとしては、たとえば、マグネシウムなどを用いることができる。ｐ型窒化物半導体層６の厚さは、たとえば５０ｎｍ以上２０００ｎｍ以下とすることができる。
　次に、図６に示すように、ｐ型窒化物半導体層６の表面上に、透明導電層７を積層する。透明導電層７の積層方法としては、たとえば、ＤＣマグネトロンスパッタ法を用いることができる。
　なお、本明細書において、ＤＣマグネトロンスパッタ法とは、基板とターゲットとの間にＤＣ－ｃｏｎｔｉｎｕｏｕｓ方式により電圧を印加することによってターゲットのスパッタリングを行なう方法である。また、本明細書において、ＤＣ－ｃｏｎｔｉｎｕｏｕｓ方式とは、ターゲットのスパッタリング中に、所定の大きさの直流電圧（時間によって方向が変化しない電圧）を基板とターゲットとの間に連続的に印加する方式である。
　ＤＣマグネトロンスパッタ法を用いた透明導電層７の形成方法は、たとえば、ＤＣマグネトロンスパッタ装置内にテンプレート基板１２または基板１上に半導体積層体１３を形成した時点のウエハを設置するとともに、ウエハと所定の距離を空けてターゲットを設置し、ウエハとターゲットとの間にＤＣ－ｃｏｎｔｉｎｕｏｕｓ方式により電圧を印加することによってガスプラズマを発生させ、ターゲットをスパッタリングして、ガスプラズマ中のガスと、スパッタリングしたターゲットとを反応させて透明導電層７を形成することにより行なうことができる。
　透明導電層７としては、たとえば、導電性を有する材料を用いることができ、透明導電層７側からｉ型窒化物半導体層５に光を入射させる場合には、入射光を透過させることができる材料を用いることができる。なかでも、透明導電層７としては、亜鉛（Ｚｎ）、インジウム（Ｉｎ）、錫（Ｓｎ）およびマグネシウム（Ｍｇ）からなる群から選択された少なくとも１種の金属を含む単層、または当該単層の複数が積層された複数層を用いることが好ましい。この場合には、透明導電層７を透過する透過光量を増大することができる傾向にある。なお、複数層は、すべて同一材料の単層から構成されていてもよく、すべて互いに異なる材料の単層から構成されていてもよく、少なくとも１層が異なる材料の単層から構成されていてもよい。
　また、Ｚｎを含む単層としては、たとえば、ＺｎＯにＡｌがドープされたＡＺＯ、およびＺｎＯにＧａがドープされたＧＺＯなどが挙げられる。また、Ｉｎを含む単層およびＳｎを含む単層としては、たとえば、ＩｎとＳｎの複合酸化物であるＩＴＯ（Indium　Tin　Oxide）などが挙げられる。また、Ｍｇを含む単層としては、たとえば、炭素（Ｃ）がドープされたＭｇＯＨ2などが挙げられる。また、透明導電層７としては、たとえば、Ａｌ濃度が異なるＺｎＯターゲットを用いて、厚さ方向にＡｌ濃度の異なるＡＺＯ層を形成してもよく、ＧＺＯ層とＩＴＯ層などとを積層して形成してもよい。
　透明導電層７の屈折率は、拡散透過層１０の屈折率よりも大きく、かつｐ型窒化物半導体層６の屈折率よりも小さいことが好ましい。この場合には、拡散透過層１０側から入射してきた入射光を透過してｉ型窒化物半導体層５に到達するまでの反射損失等の光学的損失を少なくして、ｉ型窒化物半導体層５で発生するフォトキャリア量を多くすることができることから、短絡電流密度等の光電変換素子の特性を向上させることができる傾向にある。
　たとえば、拡散透過層１０が酸化シリコンからなる場合には、拡散透過層１０の屈折率は１．５であり、ｐ型窒化物半導体層６の屈折率は２．３であるため、この場合には、透明導電層７の屈折率を１．５よりも大きく、かつ２．３よりも小さくすることが好ましい。
　透明導電層７の厚さｔ２は、０．２５μｍ以上０．５μｍ以下であることが好ましい。透明導電層７の厚さｔ２が０．２５μｍ以上０．５μｍ以下である場合には、透明導電層７がｐ型窒化物半導体層６の表面と良好なオーミック接触を形成することができるため、Ｆ．Ｆの低下を抑制して、光電変換素子の光電変換効率等の特性をより高くすることができる傾向にある。また、透明導電層７の厚さｔ２が０．２５μｍ以上０．５μｍ以下である場合には、０．４μｍ以上０．５μｍ以下の短波長領域の光の透過量を高くすることができるため、ｉ型窒化物半導体層５内で発生するフォトキャリア量を多くすることできる。これにより、ｉ型窒化物半導体層５内で生成する短絡電流量を増大させることができるため、光電変換素子の短絡電流密度等の特性をより高くすることができる傾向にある。
　次に、図７に示すように、透明導電層７の表面上に、酸化シリコン層８を積層する。シリコン層９の下地層として酸化シリコン層８を積層しておくことによって、良好な（１００）の面方位特性の表面を有するシリコン層９が得られる傾向にある。
　酸化シリコン層８の積層方法としては、たとえば、蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法および化学気相成長（ＣＶＤ：Chemical　Vapor　Deposition）法からなる群から選択された少なくとも１つの方法を用いることができる。
　酸化シリコン層８の厚さｔ３は、０．０３μｍ以上０．１５μｍ以下であることが好ましい。酸化シリコン層８の厚さｔ３が０．０３μｍ以上である場合には、酸化シリコン層８がバルクとして機能することにより、良好な（１００）の面方位特性の表面を有するシリコン層９が得られる傾向が大きくなる。酸化シリコン層８の厚さｔ３が０．１５μｍ以下である場合には、酸化シリコン層８を透過する透過光量を多くすることができるため、ｉ型窒化物半導体層５で発生するフォトキャリア量を多くすることができることから、短絡電流密度等の光電変換素子の特性を向上させることができる傾向にある。
　次に、図８に示すように、酸化シリコン層８の表面上に、シリコン層９を積層する。シリコン層９の積層方法は、特に限定されないが、ＤＣマグネトロンスパッタ法を用いることが好ましい。ＤＣマグネトロンスパッタ法を用いてシリコン層９を積層した場合には、極めて単結晶に近い（１００）の面方位の表面９ａを有するシリコン層９を得ることができる傾向にある（非特許文献１（Peter　Reining　et　al.,　"Crystalline　silicon　films　grown　by　pulsed　dc　magnetron　sputtering",　Journal　of　Non-Crystalline　Solids　299-302　(2002),　pp.128-132）参照）。
　上記のシリコン層９の表面は大気中で酸化されて、一般的に、シリコン層９の最表面から２ｎｍ以下程度までの領域において酸化シリコンが主成分となっていることが知られている。そのため、シリコン層９の表面をフッ化水素酸に浸漬することによって、シリコン層９の表面の酸化シリコンを除去した後、酸化シリコンの除去後のシリコン層９の表面を超純水でリンスする。
　そして、図９に示すように、容器２２に収容された超純水２１にシリコン層９を浸漬する。これにより、超純水２１中に存在する水酸基（ＯＨ基）がシリコン層９の表面をエッチングするとともに、超純水２１中の溶存酸素がシリコン層９の表面を酸化することによって、シリコン層９の表面に拡散透過層１０が形成される。
　一般に、シリコン結晶の面方位（１１１）の結晶面は、面方位（１００）の結晶面に対して約５４°の傾斜を有しており、面方位（１００）の結晶面よりもエッチング耐性に優れているためにシリコン結晶の面方位（１００）の結晶面をエッチングした場合には面方位（１１１）の結晶面が残ることが知られている。そのため、シリコン層９の面方位（１００）の表面をエッチングした場合には、シリコン層９の表面にエッチングの影響を受けにくい面方位（１１１）の表面領域が残る傾向にある。
　また、面方位（１００）の表面領域と、面方位（１１１）の表面領域とでは、ダングリングボンドの密度が異なるために、溶存酸素による酸化速度も異なる。
　このような超純水２１によるシリコン層９の表面のエッチングと、超純水２１中の溶存酸素によるシリコン層９の表面の酸化との競合過程を経て、シリコン層９の表面に凹凸１１が形成されながらシリコン層９の表面が酸化して酸化シリコンとなって拡散透過層１０が形成される（上記のエッチングと酸化とのメカニズムについては、非特許文献２（Yuichi　Sano　et　al,　"Morphology　change　and　its　chemical　states　at　the　Si(100)　surface　after　dipping　in　hot　ultrapure　water",　Journal　of　Electron　Spectroscopy　and　Related　Phenomena　169　(2009),　pp.92-96）参照）。
　なお、超純水２１としては、比抵抗が１８ＭΩ・ｃｍ以上１００ＭΩ・ｃｍ以下であり、有機化合物の含有量が１ｐｐｂ以上５０ｐｐｂ以下であって、溶存酸素濃度が１ｐｐｂ以上１００ｐｐｂ以下である超純水が用いられることが好ましい。この仕様は、一般的なＩＣ（Integrated　Circuit）製造ラインで使用される超純水であり、これ以上の高品質の超純水はシリコン層９の表面のエッチングと酸化の進行を妨げるおそれがある。また、超純水２１へのシリコン層９の表面の浸漬は、超純水２１が大気中で保持された状態で行なわれることが好ましいが、上記の仕様以上の高品質の超純水２１を用いた場合には大気中の酸素が超純水２１中に混入することにより、最終的には超純水２１の品質が下がることになる。さらに、大気中に製造ラインを設置することによって、超純水２１中で拡散透過層１０の凹凸１１が形成された後に製造工程において大気に曝されることによって、さらなる酸化が進行することが好ましいため、大気中での用途に適する仕様は生産技術の面からも好ましい。
　超純水２１の温度は、９５℃以上１００℃以下であることが好ましい。超純水２１の温度が９５℃以上１００℃以下である場合には、シリコン層９の表面のエッチングと酸化との進行を促進することができるため、上記の好ましい形状の凹凸１１（径ｄが２０ｎｍ以上６０ｎｍ以下であって、高さｈが１ｎｍ以上５０ｎｍ以下である凸部１１ａを有する凹凸１１）を再現性良く形成することができる傾向にある。
　シリコン層９の超純水２１への浸漬時間は２５分以上３５分以下であることが好ましい。シリコン層９の超純水２１への浸漬時間が２５分以上３５分以下である場合には、シリコン層９の表面のエッチングと酸化との進行を促進することができるため、上記の好ましい形状の凹凸１１（径ｄが２０ｎｍ以上６０ｎｍ以下であって、高さｈが１ｎｍ以上５０ｎｍ以下である凸部１１ａを有する凹凸１１）を再現性良く形成することができる傾向にある。
　次に、図１０に示すように、拡散透過層１０の凹凸１１を有する表面にガス３１を吹き付ける。これにより、拡散透過層１０の凹凸１１を有する表面を乾燥させることができる。
　ここで、ガス３１としては、空気を用いることが好ましい。ガス３１に空気を用いることによって、ガスのコストを要しないだけでなく、拡散透過層１０の凹凸１１の表面の自然酸化を促す効果も発現するため、生産技術の面からも好ましい。
　また、空気は、拡散透過層１０の凹凸１１の表面の水分を除去する程度の圧力で３０秒以上吹き付けることが好ましい。この場合には、拡散透過層１０の凹凸１１の表面の水分を除去することができるとともに、拡散透過層１０の凹凸１１の表面を十分に酸化することができる傾向にある。
　その後、ｎ型窒化物半導体層３およびｐ型窒化物半導体層６の表面がそれぞれ露出するまで、拡散透過層１０、シリコン層９、透明導電層７および半導体積層体１３のそれぞれの一部をエッチングにより除去する。
　その後、ｎ型窒化物半導体層２の露出した表面およびｐ型窒化物半導体層６の表面にそれぞれｎパッド電極およびｐパッド電極を形成することによって実施の形態１の光電変換素子を製造することができる。
　なお、上記においては、半導体積層体１３がｐｉｎ構造体を１つ含む場合について説明したが、半導体積層体１３はｐｉｎ構造体を２つ以上含んでいてもよい。また、上記の各層の間には他の層が含まれていてもよい。
　また、上記においては、ｎ型とｐ型の導電型を入れ替えてもよいことは言うまでもない。
　さらに、１つの光電変換素子のｐパッド電極と他の光電変換素子のｎパッド電極とを電気的に接続して光電変換モジュールを形成してもよい。また、ｐパッド電極を形成しない場合には、１つの光電変換素子の透明導電層７と他の光電変換素子のｎパッド電極とを電気的に接続して光電変換モジュールを形成してもよい。
　＜実施の形態２＞
　図１１に、本発明の光電変換素子の他の一例である実施の形態２の光電変換素子の模式的な断面図を示す。実施の形態２の光電変換素子は、半導体積層体１３の表面のうち、テンプレート基板１２の設置側の表面上に、酸化シリコン層８、シリコン層９および拡散透過層１０の積層体が設けられており、テンプレート基板１２側から光を入射させることを特徴としている。
　すなわち、実施の形態２の光電変換素子においては、拡散透過層１０と半導体積層体１３との間にテンプレート基板１２が配置されており、拡散透過層１０に入射した入射光は、拡散透過層１０の表面の凹凸１１で等方散乱した後に、シリコン層９、酸化シリコン層８、テンプレート基板１２、ｎ型窒化物半導体層３および窒化物半導体緩衝層４を通ってｉ型窒化物半導体層５に入射し、ｉ型窒化物半導体層５内でフォトキャリアを発生させる。
　実施の形態２の光電変換素子においても、拡散透過層１０に入射した光は、拡散透過層１０の凹凸１１で等方散乱する。これにより、拡散透過層１０の表面の凹凸１１における入射光の拡散透過率が増大するため、より多くの光がｉ型窒化物半導体層５に入射することになり、ｉ型窒化物半導体層５に入射した光の光路長が長くなることになる。これにより、ｉ型窒化物半導体層５で吸収される光の量が増大し、フォトキャリアを多く生成することができることから、短絡電流密度等の光電変換素子の特性を向上することができる。
　以下、実施の形態２の光電変換素子の製造方法の一例について説明する。まず、テンプレート基板１２上に、ｎ型窒化物半導体層３、窒化物半導体緩衝層４、ｉ型窒化物半導体層５、ｐ型窒化物半導体層６および透明導電層７をこの順に積層するまでの工程は実施の形態１と同様である。
　次に、図１２の模式的断面図に示すように、基板１の厚さを低減する工程を行なう。ここで、基板１の厚さを低減する工程は、たとえば、基板１の裏面を研削および／または研磨することなどによって基板１の厚さを低減することにより行なうことができる。
　次に、図１３の模式的断面図に示すように、基板１の裏面上に酸化シリコン層８を積層し、その後、図１４の模式的断面図に示すように、酸化シリコン層８上にシリコン層９を積層する。なお、上述したように、シリコン層９は、極めて単結晶に近い（１００）の面方位の表面９ａを形成する観点から、ＤＣマグネトロンスパッタ法を用いて形成することが好ましい。
　その後、実施の形態１と同様にして、シリコン層９の表面をフッ化水素酸に浸漬してシリコン層９の表面の酸化シリコンを除去した後、酸化シリコンの除去後のシリコン層９の表面を超純水でリンスする。
　次に、実施の形態１と同様にして、シリコン層９を超純水に浸漬することによってシリコン層９の面方位（１００）の表面９ａ上に凹凸１１の表面を有する拡散透過層１０を形成し、その後、拡散透過層１０の凹凸１１の表面にガスを吹き付ける。
　次に、透明導電層７、ｐ型窒化物半導体層６、ｉ型窒化物半導体層５および窒化物半導体緩衝層４のそれぞれの一部をエッチングにより除去することによって、ｎ型窒化物半導体層３の表面を露出させる。
　そして、ｎ型窒化物半導体層３の露出した表面および透明導電層７の表面にそれぞれｎパッド電極およびｐパッド電極を形成することによって実施の形態２の光電変換素子を製造することができる。
　実施の形態２においては、ｐ型窒化物半導体層６の表面上に透明導電層７を設けた場合について説明したが、透明導電層７に代えて、ｐ型窒化物半導体層６を透過してきた透過光をｉ型窒化物半導体層５側に反射するための金属層などの不透明な導電層を設けてもよい。この場合には、ｉ型窒化物半導体層５で生成されるフォトキャリア量をさらに増大することができるため、短絡電流密度等の実施の形態２の光電変換素子の特性をさらに向上することができる。
　また、実施の形態２においては、テンプレート基板１２の基板１の厚さを低減する場合について説明したが、テンプレート基板１２をすべて除去して、ｎ型窒化物半導体層３の露出した裏面上に酸化シリコン層８、シリコン層９および拡散透過層１０をこの順に設けてもよい。この場合には、拡散透過層１０からの入射光がテンプレート基板１２で吸収されず、ｉ型窒化物半導体層５への入射光量を増大させることができる。そのため、ｉ型窒化物半導体層５で発生するフォトキャリア量が増加することによって、短絡電流密度等の光電変換素子の特性をさらに向上することができる。
　実施の形態２における上記以外の説明は、実施の形態１と同様であるため、その説明については省略する。
　＜実施例１＞
　まず、サファイア（Ａｌ2Ｏ3）基板のｃ面上にノンドープＧａＮからなるバッファ層が形成されたテンプレート基板を用意した。次に、ＭＯＣＶＤ装置内にテンプレート基板を設置し、テンプレート基板を１１００℃～１１２０℃まで加熱した。
　次に、ＭＯＣＶＤ装置内に、トリメチルガリウム（ＴＭＧ）ガスを１２５（μｍｏｌ／ｍｉｎ）の流量で供給するとともに、アンモニア（ＮＨ3）ガスを２７０（ｍｍｏｌ／ｍｉｎ）の流量で供給し、さらにシラン（ＳｉＨ4）ガスを供給することによって、テンプレート基板の表面上に、厚さ１．５μｍのｎ型ＧａＮ層からなるｎ型窒化物半導体層をＭＯＣＶＤ法により気相成長させた。ここで、ｎ型窒化物半導体層は、Ｓｉが２×１０18個／ｃｍ3の濃度でドープされたｎ型ＧａＮ層であった。
　次に、テンプレート基板の温度を７５０℃～８００℃まで低下させた後、ｎ型窒化物半導体層の表面上に、厚さ３．５ｎｍのＩｎ0.2Ｇａ0.8Ｎからなる井戸層と、厚さ６ｎｍのＧａＮからなる障壁層とを交互に６層ずつ積層したＭＱＷ構造を有するｉ型窒化物半導体層をＭＯＣＶＤ法により気相成長させた。ここで、井戸層は、ＭＯＣＶＤ装置内に、ＴＭＧガスを３００（μｍｏｌ／ｍｉｎ）の流量で供給するとともに、トリメチルインジウム（ＴＭＩ）を１６０（μｍｏｌ／ｍｉｎ）の流量で供給し、さらにＮＨ3ガスを４２５（ｍｍｏｌ／ｍｉｎ）の流量で供給することにより形成した。また、障壁層は、ＭＯＣＶＤ装置内へのＴＭＩガスの供給を停止し、ＴＭＧガスとＮＨ3ガスとを供給することのみによって形成した。
　次に、テンプレート基板の温度を１０００℃～１０３０℃まで上昇させた後、ＭＯＣＶＤ装置内に、ＴＭＧガスを１２５（μｍｏｌ／ｍｉｎ）の流量で供給するとともに、ＮＨ3ガスを２７０（ｍｍｏｌ／ｍｉｎ）の流量で供給し、さらにビスシクロペンタジエニルマグネシウム（ＣＰ2Ｍｇ）ガスを供給することによって、ｉ型窒化物半導体層の表面上に、厚さ５０ｎｍのｐ型ＧａＮ層からなるｐ型窒化物半導体層をＭＯＣＶＤ法により気相成長させた。ここで、ｐ型窒化物半導体層は、Ｍｇが４×１０19個／ｃｍ3の濃度でドープされたｐ型ＧａＮ層であった。
　次に、ｐ型窒化物半導体層の形成後のウエハをＭＯＣＶＤ装置内から取り出して、ウエハのアニール処理を行なった。ウエハのアニール処理は、窒素雰囲気中でウエハを８００℃で５分間保持することにより行なった。
　次に、上記のアニール処理後のウエハをＤＣマグネトロンスパッタ装置内に設置し、ＤＣマグネトロンスパッタ法により、ｐ型窒化物半導体層の表面上に厚さ０．３２μｍのＡＺＯからなる透明導電層を形成した。ここで、ＡＺＯからなる透明導電層は、ターゲットとしてＡｌ濃度が２％のＺｎＯターゲットを用い、アルゴン（Ａｒ）ガスと酸素（Ｏ2）ガスとの混合ガス雰囲気（（Ｏ2ガス圧力／Ａｒガス圧力）＝３．８％）中で、ウエハの温度を１８０℃とした条件で、ＤＣマグネトロンスパッタ法により形成した。
　なお、本実施例においては、透明導電層としてＡＺＯの単層を形成したが、導電率および透過率を向上させるために、分圧を３％～１０％で変化させ、Ａｌ濃度が異なるＺｎＯターゲットから形成したＡＺＯ層、Ａｌに代えてドーパントをＧａとしたＺｎＯターゲットから形成したＧＺＯ層、またはＩＴＯ層等の異なる組成の透明導電層を形成してもよい。
　次に、ＡＺＯからなる透明導電層の結晶性および密着性を向上させるために、透明導電層の形成後のウエハをＤＣマグネトロンスパッタ装置内で６００℃で１０分間加熱することによってウエハのアニール処理を行なった。ここで、アニール処理時のＤＣマグネトロンスパッタ装置内の雰囲気を酸素分圧が２％の真空状態に保持した。
　その後、ウエハの温度を２５０℃まで低下させ、ＤＣマグネトロンスパッタ装置内の雰囲気の圧力を酸素分圧が１％未満の真空状態（雰囲気圧力：３×１０-3Ｐａ）とした。そして、ＳｉＯ2ターゲットを用い、ＳｉＯ2ターゲットから、１．５ｎｍ／ｓｅｃの堆積速度で、厚さ０．１μｍのＳｉＯ2膜からなる酸化シリコン層を透明導電層上に形成した。
　次に、ウエハの温度を４００℃まで上昇させ、ＤＣマグネトロンスパッタ装置内の雰囲気をＡｒガス分圧が１００％の雰囲気に置換した。そして、ＤＣマグネトロンスパッタ装置内にフローティングゾーン法により作製されたＳｉターゲットを設置し、Ａｒガス雰囲気中で、Ｓｉターゲットをパルス周波数１００ｋＨｚ、デューティー比０．４、投入エネルギ密度１４．６（ｎｍ・ｍｉｎ-1）/（Ｗ・ｃｍ-2）でスパッタすることによって、ＤＣマグネトロンスパッタ法により、酸化シリコン層上に良好な（１００）の面方位特性の表面を有するシリコン層を０．０５μｍの厚さで形成した。
　次に、上記のシリコン層の形成後のウエハをクラス１０００のクリーンルームに一昼夜放置することによって、シリコン層の表面を自然酸化して、自然酸化膜を形成した。その後、シリコン層の表面をフッ化水素濃度が２．５質量％のフッ化水素酸に１０分間浸漬させることによって自然酸化膜を除去し、自然酸化膜の除去後の表面を直ちに超純水でリンスした。
　次に、上記のリンス後のシリコン層の表面を沸騰している超純水に３０分間浸漬させることによって、シリコン層の面方位（１００）の表面上に凹凸の表面を有する拡散透過層を形成した。
　次に、拡散透過層の凹凸の表面に空気を３０秒間吹き付けることによって、拡散透過層の凹凸の表面を乾燥させると同時に、拡散透過層のさらなる自然酸化を促進した。
　そして、拡散透過層の凹凸の表面をＡＦＭで観察した結果、１辺が１μｍの任意の正方形領域において、径が２０ｎｍ以上６０ｎｍ以下であって、高さが２５ｎｍまでの凸部を有する凹凸が確認された。
　次に、拡散透過層の表面に所定形状に開口部が設けられたマスクを形成した後のウエハをエッチング装置内に設置し、エッチング装置においてマスクの上方からウエハの一部をエッチングにより除去することによって、ｎ型窒化物半導体層およびｐ型窒化物半導体層のそれぞれの表面の一部を露出させた。
　次に、上記のエッチング後のウエハの表面上に、ｎ型窒化物半導体層およびｐ型窒化物半導体層のそれぞれの露出表面上に所定形状の開口部が位置するような形状を有するマスクを形成した。そして、マスクの上方から、Ｎｉ層、Ｐｔ層およびＡｕ層をこの順に蒸着法によって積層して金属層を形成した後に、マスクを除去することによって、ｎ型窒化物半導体層およびｐ型窒化物半導体層の露出表面上にそれぞれｎパッド電極およびｐパッド電極をリフトオフにより形成した。
　次に、上記のｎパッド電極およびｐパッド電極の形成後のウエハをランプアニール装置内に設置し、ウエハを４００～６００℃に加熱することによって、ウエハのアニール処理を行なった。
　次に、サファイア基板を研削して、研磨した後に、サファイア基板を剥離した。そして、このようにして得られたウエハを所定の箇所で分割することによって、実施例１の窒化物半導体受光素子を得た。
　その後、実施例１の窒化物半導体受光素子のｎパッド電極およびｐパッド電極をそれぞれ金線によってリードフレームに接続し、リードフレームの正極と負極にそれぞれプローブを接触させることによって、電流および電圧測定用の回路を形成した。
　そして、上記の回路形成後の実施例１の窒化物半導体受光素子をソーラシミュレータ内に設置し、ＡＭ１．５の擬似太陽光を１００ｍＷ／ｃｍ2のエネルギ密度で２５℃の雰囲気下で拡散透過層側から照射することによって、実施例１の窒化物半導体受光素子のＩ－Ｖ曲線を求めた。そのＩ－Ｖ曲線から実施例１の窒化物半導体受光素子の開放電圧（Ｖoc）、短絡電流密度（Ｊsc）、曲線因子（Ｆ．Ｆ）および光電変換効率（Ｅff）を算出した。
　その結果、実施例１の窒化物半導体受光素子のＶocは１．８４Ｖであり、Ｊscは１．３３ｍＡ／ｃｍ2であり、Ｆ．Ｆは０．４７であり、Ｅffは１．１３％であった。
　＜比較例１＞
　拡散透過層を形成しなかったこと以外は実施例１と同様にして比較例１の窒化物半導体受光素子を作製した。
　そして、実施例１と同様にして、比較例１の窒化物半導体受光素子のＶoc、Ｊsc、Ｆ．ＦおよびＥffを算出した。
　その結果、比較例１の窒化物半導体受光素子のＶocは１．８２Ｖであり、Ｊscは０．８９ｍＡ／ｃｍ2であり、Ｆ．Ｆは０．４７であり、Ｅffは０．７６％であった。
　＜分析＞
　上記のとおり、実施例１の窒化物半導体受光素子は、比較例１の窒化物半導体受光素子と比べて、Ｖoc、ＪscおよびＥffの点で優れていた。これは、実施例１の窒化物半導体受光素子においては、拡散透過層の表面の凹凸によって、拡散透過層への入射光を等方散乱することによって、ｉ型窒化物半導体層内により多くの光を入射することができたことが大きな要因の１つであると考えられる。
　＜実施例２＞
　まず、サファイア基板のｃ面上にノンドープＧａＮからなるバッファ層を形成することによってテンプレート基板を作製し、テンプレート基板上に、ｎ型窒化物半導体層、ｉ型窒化物半導体層、ｐ型窒化物半導体層および透明導電層をこの順に積層するまでは実施例１と同様の工程を行なった。
　次に、研削装置内にサファイア基板を設置して、１μｍ／ｓｅｃの割合でサファイア基板を研削することによって、サファイア基板の厚さを１３０μｍまで低減し、サファイア基板の研削した面を研磨することによって鏡面加工を施した。
　次に、サファイア基板の鏡面加工を施した後のウエハをＤＣマグネトロンスパッタ装置内に設置し、ＤＣマグネトロンスパッタ装置内の雰囲気の圧力を酸素分圧が１％未満の真空状態（雰囲気圧力：３×１０-3Ｐａ）とした。そして、ＳｉＯ2ターゲットを用い、ＳｉＯ2ターゲットから、１．５ｎｍ／ｓｅｃの堆積速度で、厚さ０．１μｍのＳｉＯ2膜からなる酸化シリコン層を鏡面加工を施したサファイア基板の裏面上に形成した。
　次に、ウエハの温度を４００℃まで上昇させ、ＤＣマグネトロンスパッタ装置内の雰囲気をＡｒガス分圧が１００％の雰囲気に置換した。そして、ＤＣマグネトロンスパッタ装置内にフローティングゾーン法により作製されたＳｉターゲットを設置し、Ａｒガス雰囲気中で、Ｓｉターゲットをパルス周波数１００ｋＨｚ、デューティー比０．４、投入エネルギ密度１４．６（ｎｍ・ｍｉｎ-1）/（Ｗ・ｃｍ-2）でスパッタすることによって、ＤＣマグネトロンスパッタ法により、酸化シリコン層上に良好な（１００）の面方位特性の表面を有するシリコン層を０．０５μｍの厚さで形成した。
　その後は、実施例１と同様にして、シリコン層の面方位（１００）の表面に凹凸の表面を有する拡散透過層を形成し、拡散透過層の凹凸の表面に空気を３０秒間吹き付けることによって、拡散透過層の凹凸の表面を乾燥させると同時に、拡散透過層のさらなる自然酸化を促進した。
　そして、拡散透過層の凹凸の表面をＡＦＭで観察した結果、１辺が１μｍの任意の正方形領域において、径が２０ｎｍ以上６０ｎｍ以下であって、高さが２５ｎｍまでの凸部を有する凹凸が確認された。
　その後、拡散透過層の表面に所定形状に開口部が設けられたマスクを形成した後のウエハをエッチング装置内に設置し、エッチング装置においてマスクの上方からウエハの一部をエッチングにより除去することによって、ｎ型窒化物半導体層の表面の一部を露出させた。
　次に、上記のエッチング後のウエハの表面上に、ｎ型窒化物半導体層および透明導電層のそれぞれの表面上に所定形状の開口部が位置するような形状を有するマスクを形成した。そして、マスクの上方から、Ｎｉ層、Ｐｔ層およびＡｕ層をこの順に蒸着法によって積層して金属層を形成した後に、マスクを除去することによって、ｎ型窒化物半導体層および透明導電層の表面上にそれぞれｎパッド電極およびｐパッド電極をリフトオフにより形成した。
　次に、上記のｎパッド電極およびｐパッド電極の形成後のウエハをランプアニール装置内に設置し、ウエハを４００～６００℃に加熱することによって、ウエハのアニール処理を行なった。
　次に、上記のようにして得られたウエハを所定の箇所で分割することによって、実施例２の窒化物半導体受光素子を得た。
　その後、実施例１と同様にして、実施例２の窒化物半導体受光素子のＶoc、Ｊsc、Ｆ．ＦおよびＥffを算出した。その結果、実施例２の窒化物半導体受光素子のＶocは１．８４Ｖであり、Ｊscは０．８７ｍＡ／ｃｍ2であり、Ｆ．Ｆは０．４４であり、Ｅffは０．７０％であった。
　＜比較例２＞
　拡散透過層を形成しなかったこと以外は実施例２と同様にして比較例２の窒化物半導体受光素子を作製した。
　そして、実施例２と同様にして、比較例２の窒化物半導体受光素子のＶoc、Ｊsc、Ｆ．ＦおよびＥffを算出した。
　その結果、比較例２の窒化物半導体受光素子のＶocは１．８３Ｖであり、Ｊscは０．７６ｍＡ／ｃｍ2であり、Ｆ．Ｆは０．４４であり、Ｅffは０．６１％であった。
　＜分析＞
　上記のとおり、実施例２の窒化物半導体受光素子は、比較例２の窒化物半導体受光素子と比べて、Ｖoc、ＪscおよびＥffの点で優れていた。これは、実施例２の窒化物半導体受光素子においては、拡散透過層の表面の凹凸によって、拡散透過層への入射光を等方散乱することによって、ｉ型窒化物半導体層内により多くの光を入射することができたことが大きな要因の１つであると考えられる。
　今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
　本発明は、光電変換素子および光電変換素子の製造方法に利用することができ、特に窒化物半導体を用いた太陽電池およびその製造方法に利用することができる。
　１　基板、２　バッファ層、３　ｎ型窒化物半導体層、４　窒化物半導体緩衝層、５　ｉ型窒化物半導体層、６　ｐ型窒化物半導体層、７　透明導電層、８　酸化シリコン層、９　シリコン層、９ａ　表面、１０　拡散透過層、１１　凹凸、１１ａ　凸部、１２　テンプレート基板、１３　半導体積層体、２１　超純水、２２　容器、３１　ガス。

Claims (13)

  1. 　半導体積層体（１３）と、
    　前記半導体積層体（１３）上に設けられたシリコン層（９）と、
    　前記シリコン層（９）上に設けられた拡散透過層（１０）と、を備え、
    　前記シリコン層（９）は、面方位｛１００｝の表面を有し、
    　前記拡散透過層（１０）の表面は、凹凸（１１）を有する、光電変換素子。
  2. 　前記シリコン層（９）の厚さが０．０３μｍ以上０．０５μｍ以下である、請求項１に記載の光電変換素子。
  3. 　前記凹凸（１１）は、径が２０ｎｍ以上６０ｎｍ以下であって、高さが１ｎｍ以上５０ｎｍ以下の凸部を有する、請求項１に記載の光電変換素子。
  4. 　基板（１）をさらに備え、
    　前記半導体積層体（１３）は前記基板（１）上に設けられており、
    　前記半導体積層体（１３）は、ｐ型窒化物半導体層（６）と、ｉ型窒化物半導体層（５）と、ｎ型窒化物半導体層（３）とを有する、請求項１に記載の光電変換素子。
  5. 　前記基板（１）は、ＡｌxＩｎyＧａzＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、ｘ＋ｙ＋ｚ≠０）、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＮｄＧａＯ3、ＬｉＧａＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＭｇＡｌ2Ｏ4、ＺｎＯ、Ｓｉ、ＳｉＣ、ＳｉＧｅ、またはＺｒＢ2の式で表わされる材料を含む、請求項４に記載の光電変換素子。
  6. 　前記拡散透過層（１０）は、前記半導体積層体（１３）の表面のうち、前記基板（１）の設置側の表面とは反対側の表面上に設けられている、請求項４に記載の光電変換素子。
  7. 　前記半導体積層体（１３）と前記拡散透過層（１０）との間に透明導電層（７）をさらに備え、
    　前記透明導電層（７）は、亜鉛、インジウム、錫およびマグネシウムからなる群から選択された少なくとも１種の金属を含む単層、または前記単層の複数が積層された複数層を有し、
    　前記透明導電層（７）の屈折率は、前記拡散透過層（１０）の屈折率よりも大きく、かつ前記ｐ型窒化物半導体層（６）の屈折率よりも小さくなっており、
    　前記透明導電層（７）の厚さは、０．２５μｍ以上０．５μｍ以下である、請求項６に記載の光電変換素子。
  8. 　前記拡散透過層（１０）は、前記半導体積層体（１３）の表面のうち、前記基板（１）の設置側の表面上に設けられており、
    　前記拡散透過層（１０）と前記半導体積層体（１３）との間に前記基板（１）が配置されている、請求項４に記載の光電変換素子。
  9. 　請求項１に記載の光電変換素子を製造する方法であって、
    　前記半導体積層体（１３）を形成する工程と、
    　前記半導体積層体（１３）上に面方位｛１００｝の表面を有するシリコン層（９）をＤＣマグネトロンスパッタ法により形成する工程と、を含む、光電変換素子の製造方法。
  10. 　前記シリコン層（９）をＤＣマグネトロンスパッタ法により形成する工程の後に、前記シリコン層（９）を超純水（２１）に浸漬して前記拡散透過層（１０）を形成する工程をさらに含み、
    　前記拡散透過層（１０）を形成する工程において、前記超純水（２１）は９５℃以上１００℃以下の温度で大気中に保持されており、前記シリコン層（９）の前記超純水（２１）への浸漬時間は２５分以上３５分以下である、請求項９に記載の光電変換素子の製造方法。
  11. 　前記超純水（２１）の比抵抗は、１８ＭΩ・ｃｍ以上１００ＭΩ・ｃｍ以下であり、
    　前記超純水（２１）中における有機化合物の含有量は、１ｐｐｂ以上５０ｐｐｂ以下であって、
    　前記超純水（２１）中における溶存酸素濃度は、１ｐｐｂ以上１００ｐｐｂ以下である、請求項１０に記載の光電変換素子の製造方法。
  12. 　前記拡散透過層（１０）の前記表面に空気を３０秒以上吹き付ける工程をさらに含む、請求項１０に記載の光電変換素子の製造方法。
  13. 　前記半導体積層体（１３）上に、蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法および化学気相成長法からなる群から選択された少なくとも１つの方法により、厚さ０．０３μｍ以上０．１５μｍ以下の酸化シリコン層（８）を形成する工程をさらに含み、
    　前記シリコン層（９）をＤＣマグネトロンスパッタ法により形成する工程は、前記酸化シリコン層（８）上に前記シリコン層（９）を形成する工程を含む、請求項９に記載の光電変換素子の製造方法。
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