WO2012101920A1 - 回路モジュール及びその製造方法 - Google Patents
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- circuit module
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 41
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 40
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 23
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 9
- 238000002955 isolation Methods 0.000 abstract description 15
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 38
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 38
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 28
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 28
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 4
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 238000007790 scraping Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
- H01L21/561—Batch processing
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
- H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
- H01L23/3121—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
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- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/552—Protection against radiation, e.g. light or electromagnetic waves
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- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/93—Batch processes
- H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
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- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/93—Batch processes
- H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L2224/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
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- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/156—Material
- H01L2924/15786—Material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
- H01L2924/15787—Ceramics, e.g. crystalline carbides, nitrides or oxides
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
- H01L2924/1815—Shape
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/191—Disposition
- H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
- H01L2924/19105—Disposition of discrete passive components in a side-by-side arrangement on a common die mounting substrate
-
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/3025—Electromagnetic shielding
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
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- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
- Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
- Y10T29/4913—Assembling to base an electrical component, e.g., capacitor, etc.
Definitions
- the present invention relates to a circuit module and a manufacturing method thereof, and more specifically to a circuit module in which an electronic component is mounted on a substrate and a manufacturing method thereof.
- FIG. 12 is a cross-sectional structure diagram of a circuit module 500 described in Patent Document 1.
- the circuit module 500 includes a substrate 502, an electronic component 504, a sealing resin layer 506, and a shield layer 510, as shown in FIG.
- the substrate 502 is a multilayer substrate incorporating an electric circuit.
- the electronic component 504 is a chip-type electronic component such as a capacitor or an inductor mounted on the main surface of the substrate 502.
- the sealing resin layer 506 is an insulator layer that covers the main surface of the substrate 502 and the electronic component 504.
- the shield layer 510 is a conductive resin that covers the main surface and side surfaces of the sealing resin layer 506 and is connected to a ground conductor in the substrate 502.
- the inside of the circuit module 500 is shielded by the shield layer 510 formed by applying a conductive resin to the sealing resin layer 506. Therefore, it is not necessary to provide a metal case for shielding inside the circuit module 500. As a result, the circuit module 500 can be reduced in size and height.
- the circuit module 500 has a problem that it is difficult to obtain good isolation characteristics. More specifically, the circuit module 500 is used for a wireless communication module, for example.
- wireless communication modules have been combined and highly integrated, and a wireless LAN circuit block, a Bluetooth (registered trademark) circuit block, and an FM circuit block may be incorporated in one circuit module.
- the circuit blocks are arranged adjacent to each other, or the radio frequency high-frequency circuit block and the signal processing circuit block for processing the baseband signal are arranged adjacent to each other.
- the signal of one circuit block enters the other circuit block as noise, and the isolation characteristic between the circuit blocks is deteriorated.
- a magnetic field generated in one circuit block between adjacent circuit blocks enters the other circuit block, resulting in a decrease in isolation characteristics between the circuit blocks.
- an object of the present invention is to provide a circuit module having good isolation characteristics and a method for manufacturing the circuit module.
- a circuit module includes a substrate, an electronic component mounted on the main surface of the substrate, an insulating layer that covers the main surface of the substrate and the electronic component, And an insulating layer provided with a recess, and a shield layer made of a conductive material covering the main surface of the insulating layer and the inner peripheral surface of the recess.
- the circuit module manufacturing method includes a first step of preparing a substrate, a second step of mounting a plurality of electronic components on the main surface of the substrate, a main surface of the substrate, and the plurality of electronic components.
- FIG. 1 is an external perspective view of a circuit module according to an embodiment of the present invention. It is the figure which saw through the circuit module of FIG. 1 from upper direction.
- FIG. 3 is a cross-sectional structure view taken along line XX of the circuit module of FIG. It is process sectional drawing of a circuit module. It is a sectional structure figure of a circuit module concerning the 1st modification. It is a sectional structure figure of a circuit module concerning the 2nd modification. It is a sectional structure figure of a circuit module concerning the 3rd modification. It is a cross-section figure of the circuit module which concerns on a 4th modification. It is a cross-section figure of the circuit module which concerns on a 5th modification.
- FIG. 1 It is a cross-section figure of the circuit module which concerns on a 6th modification. It is the figure which saw through the circuit module which concerns on a 7th modification from upper direction.
- 2 is a cross-sectional structure diagram of a circuit module described in Patent Document 1.
- FIG. 1 is an external perspective view of a circuit module 10 according to an embodiment of the present invention.
- FIG. 2 is a perspective view of the circuit module 10 of FIG. 1 seen from above.
- FIG. 3 is a cross-sectional structure view taken along the line XX of the circuit module 10 of FIG.
- the height direction is defined as the z-axis direction.
- the long side direction when viewed in plan from the z-axis direction is defined as the x-axis direction
- the short side direction is defined as the y-axis direction.
- the x axis, the y axis, and the z axis are orthogonal to each other.
- the circuit module 10 includes a circuit board 12, an electronic component 14 (see FIGS. 2 and 3), an insulator layer 16 (see FIGS. 2 and 3), and a shield layer 18. Yes.
- the circuit board 12 is a rectangular multilayer printed board having main surfaces S1 and S2. Therefore, the circuit board 12 is configured by laminating a plurality of rectangular insulating layers (for example, dielectric ceramic layers).
- the main surface S1 is located on the positive side in the z-axis direction from the main surface S2.
- the circuit board 12 includes a circuit and external electrodes.
- the circuit is built in the circuit board 12.
- the external electrodes are provided on the main surfaces S1 and S2. However, in FIG. 3, only the ground conductor G is shown in the circuit built in the circuit board 12. Further, the external electrodes are omitted in FIG.
- the electronic component 14 is, for example, a semiconductor integrated circuit or a chip-type electronic component, and is mounted on the main surface S1 of the circuit board 12 as shown in FIGS. 2 and 3, only the representative electronic component 14 is provided with a reference numeral in order to prevent the drawings from becoming complicated.
- the circuit board 12 is provided with a plurality of circuit blocks A and B.
- the circuit block A is adjacent to the circuit block B on the negative side of the circuit block B in the x-axis direction.
- the circuit block A is composed of the electronic component 14 and the circuit board 12 existing in the circuit block A, and exhibits a predetermined function.
- the circuit block B is composed of the electronic component 14 and the circuit board 12 existing in the circuit block B, and exhibits a predetermined function.
- the function exhibited by the circuit block A and the function exhibited by the circuit block B are different functions. Examples of the combination of the circuit blocks A and B include a combination of a transmission block and a reception block in wireless communication, a combination of a block including a DC-DC converter and a block for processing a baseband signal.
- the insulator layer 16 is made of an insulating resin (for example, epoxy resin) and covers the main surface S1 of the circuit board 12 and the electronic component 14 as shown in FIGS.
- the insulator layer 16 protects the main surface S1 of the circuit board 12 and the electronic component 14, and also serves to insulate the electronic component 14 from a shield layer 18 described later.
- the main surface S3 located on the positive side in the z-axis direction of the insulator layer 16 has a groove 20 formed so that the main surface S3 is recessed in the negative direction side in the z-axis direction. Is provided. More specifically, the groove 20 is provided at the boundary between the circuit blocks A and B as shown in FIG. In the circuit module 10, the circuit blocks A and B are arranged in the x-axis direction. Therefore, the groove 20 extends in the y-axis direction between the circuit blocks A and B when viewed in plan from the z-axis direction. Further, as shown in FIG. 3, the bottom surface of the groove 20 is located above the main surface S ⁇ b> 1 of the circuit board 12 in the z-axis direction. Thereby, the insulator layer 16 in the circuit block A and the insulator layer 16 in the circuit block B are connected to the negative direction side in the z-axis direction from the groove 20.
- the shield layer 18 is made of a conductive resin that covers the main surface S3 of the insulator layer and the inner peripheral surface of the groove 20.
- the groove 20 is filled with a conductive resin. Further, as shown in FIGS. 2 and 3, the shield layer 18 covers side surfaces of the insulator layer 16 located on both sides in the x-axis direction and both sides in the y-axis direction.
- the shield layer 18 covers part of the side surface of the circuit board 12 located at both ends in the x-axis direction and both ends in the y-axis direction.
- steps are provided at both ends in the x-axis direction and both ends in the y-axis direction of the main surface S1 of the circuit board 12, as shown in FIG. That is, by scraping off both ends of the main surface S1 in the x-axis direction and both ends in the y-axis direction, as shown in FIG. 3, the main surface S1 is positioned on the negative direction side in the z-axis direction from the main surface S1, and Surfaces S4 and S5 that face the positive side in the z-axis direction are formed.
- Each of the surfaces S4 and S5 extends along the short side of the circuit board 12 on the negative side and the positive side in the x-axis direction.
- a surface S6 is formed so as to connect the main surface S1 and the surface S4, and a surface S7 is formed so as to connect the main surface S1 and the surface S5.
- the surfaces S6 and S7 are surfaces orthogonal to the x-axis direction. Note that there is no level difference between the surface S6 and the negative side surface of the insulator layer 16 in the x-axis direction. Similarly, there is no step between the surface S7 and the side surface of the insulator layer 16 on the positive side in the x-axis direction. Note that the structure of both ends of the circuit board 12 in the y-axis direction is the same as the structure of both ends of the circuit board 12 in the x-axis direction, and the description thereof is omitted.
- the ground conductor G is exposed from the circuit board 12 at these surfaces S4 and S5.
- the shield layer 18 covers the surfaces S4 to S7. Thereby, the shield layer 18 and the ground conductor G are connected. That is, the ground potential is applied to the ground conductor G. As a result, the shield layer 18 prevents noise from being radiated out of the circuit module 10 and noise from entering the circuit module 10.
- FIG. 4 is a process cross-sectional view of the circuit module 10.
- the mother board 112 shown in FIG. 4A is prepared.
- the mother board 112 is an aggregate board in which a plurality of circuit boards 12 are arranged in a matrix, and is, for example, a resin multilayer board or a ceramic multilayer board.
- the mother substrate 112 may be prepared by manufacturing, or may be prepared by purchasing a finished product. Since the mother substrate 112 is a general one, a description of the manufacturing method thereof is omitted.
- a plurality of electronic components 14 are solder-mounted on the main surface S1 of the mother substrate 112.
- the electronic component 14 may be mounted by wire bonding mounting or solder bump mounting.
- an insulator layer 116 is formed so as to cover the main surface S ⁇ b> 1 of the mother substrate 112 and the plurality of electronic components 14. Specifically, an insulating resin is applied on the main surface S1 of the mother substrate 112 and the plurality of electronic components 14 by a dispenser. Then, the insulating resin is heated and cured. Note that the insulator layer 116 may be formed by applying a resin by a method other than the dispenser.
- grooves 20 and 22 are formed in the main surface S3 of the insulator layer 116. Specifically, the dicer is passed in the y-axis direction along the boundary between the circuit blocks A and B. At this time, the dicer does not reach the mother substrate 112. Thereby, the groove 20 is formed. Further, the dicer is passed along a cut line when the mother board 112 is cut into the individual circuit boards 12. At this time, the dicer reaches the ground conductor G of the mother substrate 112. Thereby, a groove 22 deeper than the groove 20 is formed. The ground conductor G is exposed at the bottom surface of the groove 22.
- a conductive resin is applied on the main surface S3 of the insulator layer 116 and the inner peripheral surfaces of the grooves 20 and 22 to form the shield layer 118.
- the conductive resin is applied by spin coating. Specifically, the mother substrate 112 is placed on a turntable and the mother substrate 112 is rotated at a predetermined angular velocity. Then, a slurry-like conductive resin is dropped on the center of the insulator layer 116. As a result, the conductive resin spreads thinly over the entire main surface S3 of the insulator layer 116 due to centrifugal force.
- the shield layer 118 may be formed using a conductive paste, or may be formed by a vacuum film formation method such as sputtering or vapor deposition.
- the mother substrate 112 on which the insulator layer 116 and the shield layer 118 are formed is divided to obtain a plurality of circuit modules 10. Specifically, a dicer having a width smaller than that of the dicer used for forming the groove 22 is passed along the cut line to cut the mother substrate 112.
- the circuit module 10 shown in FIGS. 1 to 3 is completed through the above steps.
- the circuit blocks A and B are arranged in the x-axis direction.
- the groove 20 extends in the y-axis direction between the circuit blocks A and B when viewed in plan from the z-axis direction. That is, the groove 20 is provided at the boundary between the circuit blocks A and B.
- the groove 20 is filled with a conductive resin constituting the shield layer 18. Therefore, the noise and magnetic field radiated from the circuit block A are absorbed by the conductive resin (that is, the shield layer 18) in the groove 20 and hardly reach the circuit block B.
- the noise and magnetic field radiated from the circuit block B are grounded via the conductive resin (that is, the shield layer 18) in the groove 20, so that it is difficult to reach the circuit block A. Therefore, according to the circuit module 10 and the manufacturing method thereof, good isolation characteristics can be obtained between the circuit blocks A and B.
- the circuit module 10 and the manufacturing method thereof the occurrence of warpage in the circuit module 10 is suppressed. More specifically, in the conventional circuit module 500 shown in FIG. 12, the entire main surface of the substrate 502 is covered with the sealing resin layer 506. In this case, the sealing resin layer 506 contracts more than the substrate 502 when the sealing resin layer 506 is cured. Therefore, the substrate 502 is warped so that the central portion protrudes downward. In particular, when the circuit module 500 is applied to a wireless communication module, since a plurality of circuit blocks are built in, the number of electronic components to be mounted increases and the board 502 is also enlarged.
- the circuit module 500 is greatly warped. As a result, connection failure occurs when the circuit module 500 is mounted on the mother board.
- the groove 20 is provided in the insulator layer 16.
- the insulator layer 16 hardly contracts when the insulator layer 16 is cured. Therefore, in each of the circuit block A of the circuit module 10 and the circuit block B of the circuit module 10, shrinkage of the insulating layer 16 occurs separately, and warping of the circuit board 12 occurs separately.
- the contraction amount of the insulating layer 16 in each of the circuit blocks A and B is larger than the contraction amount of the sealing resin layer 506 of the circuit module 500 when the circuit module 10 and the circuit module 500 are the same size. small.
- circuit blocks A and B are smaller than the circuit module 500 when the circuit module 10 and the circuit module 500 are the same size, and thus are less likely to be deformed than the circuit module 500. Therefore, in the circuit blocks A and B of the circuit module 10, only a small warp occurs as compared with the circuit module 500. As a result, the warp that occurs in the entire circuit module 10 is smaller than the warp that occurs in the entire circuit module 500.
- the groove 20 is provided only in the insulator layer 16 and is not provided in the circuit board 12. Therefore, the strength of the circuit board 12 is prevented from being reduced by providing the groove 20.
- the bottom surface of the groove 20 is located on the positive side in the z-axis direction with respect to the main surface S ⁇ b> 1 of the circuit board 12. Therefore, in the circuit module 10, it is possible to form a wiring or the like also in the negative region of the groove 20 in the z-axis direction.
- FIG. 5 is a cross-sectional structure diagram of a circuit module 10a according to a first modification.
- the bottom surface of the groove 20 coincides with the main surface S1 of the circuit board 12.
- the groove 20 is filled with a conductive resin constituting the shield layer 18.
- FIG. 6 is a sectional structural view of a circuit module 10b according to a second modification.
- the bottom surface of the groove 20 coincides with the ground conductor G in the circuit board 12. That is, the depth of the groove 20 of the circuit module 10 b is greater than the thickness of the insulator layer 16.
- the groove 20 is filled with a conductive resin constituting the shield layer 18.
- FIG. 7 is a cross-sectional structure diagram of a circuit module 10c according to a third modification.
- the circuit board 12 includes a conductor layer 24 that faces the bottom surface of the groove 20.
- the groove 20 is filled with a conductive resin and is connected to the ground electrode inside the circuit board 12 so that it becomes a ground potential. Therefore, a capacitor with one electrode grounded is formed between the conductor layer 24 and the bottom surface of the groove 20. For this reason, the grounding capacitor provided in the circuit board 12 can be disposed outside the circuit board 12, so that one capacitor in the circuit board 12 is not required. As a result, an empty space is formed in the circuit board 12, and other circuit elements can be arranged in the empty space. Therefore, in the circuit module 10c, the degree of freedom in designing the circuit board 12 is increased.
- FIG. 8 is a cross-sectional structure diagram of a circuit module 10d according to a fourth modification.
- a plurality of grooves 20a and 20b are provided on the main surface S3 of the insulator layer 16.
- the depths of the grooves 20a and 20b are different. That is, a plurality of grooves 20 may be provided in the insulator layer 16, and a plurality of depths of the plurality of grooves 20 may exist. In this case, the depth of the groove 20 is changed according to the position where the groove 20 is formed. Specifically, the depth of the groove 20 provided between circuit blocks whose isolation characteristics must be relatively good is set relatively deep. Examples of the circuit block that should have relatively good isolation characteristics include a circuit block that includes an electronic component that generates a magnetic field around a coil, an isolator, or the like. On the other hand, the depth of the groove 20 provided between circuit blocks that does not require relatively good isolation characteristics is set to be relatively shallow.
- FIG. 9 is a cross-sectional structure diagram of a circuit module 10e according to a fifth modification.
- the groove 20 is not filled with the conductive resin, and the inner peripheral surface of the groove 20 is covered with the conductive resin. Therefore, a space in which no conductive resin exists is provided in the groove 20. Thereby, in the circuit module 10e, compared with the circuit module 10, generation
- FIG. 10 is a cross-sectional structure diagram of a circuit module 10f according to a sixth modification.
- the groove 20 is not filled with the conductive resin, and the inner peripheral surface of the groove 20 is covered with the conductive resin. Therefore, a space in which no conductive resin exists is provided in the groove 20. Thereby, in the circuit module 10f, compared with the circuit module 10, generation
- the bottom surface of the groove 20 coincides with the ground conductor G in the circuit board 12. That is, the depth of the groove 20 of the circuit module 10 f is greater than the thickness of the insulator layer 16. Thereby, in the circuit module 10f, the isolation characteristic between the circuit blocks A and B becomes better than that in the circuit module 10. Further, since the shield layer 18 is in contact with the ground conductor G, the potential of the shield layer 18 becomes closer to the ground potential.
- FIG. 11 is a perspective view of a circuit module 10g according to a seventh modification example from above.
- the groove 20 is provided in the main surface S3 of the insulator layer 16.
- the main surface S3 of the insulator layer 16 may be provided with a hole 20 ′ instead of the groove 20, as shown in FIG. That is, the main surface S3 of the insulator layer 16 is provided with a recess such as a hole 20 ′, and the inner peripheral surface of the recess only needs to be covered with the conductive resin constituting the shield layer 18.
- circuit module according to the present invention is not limited to the circuit modules 10 and 10a to 10g according to the above-described embodiment, and can be changed within the scope of the gist thereof.
- the shield layer 18 is made of a conductive resin.
- the shield layer 18 may be made of a conductive material, may be formed by plating a metal, or coated with a resin containing carbon. May be formed.
- the present invention is useful for a circuit module and a method for manufacturing the circuit module, and is particularly excellent in that good isolation characteristics can be obtained.
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Abstract
良好なアイソレーション特性を有する回路モジュール及びその製造方法を提供することである。 電子部品(14)は、回路基板(12)の主面(S1)上に実装されている。絶縁体層(16)は、回路基板(12)の主面(S1)及び電子部品(14)を覆っている。絶縁体層(16)の主面(S3)には溝(20)が設けられている。シールド層(18)は、絶縁体層(16)の主面(S3)及び溝(20)の内周面を覆っている。
Description
本発明は、回路モジュール及びその製造方法に関し、より特定的には、基板上に電子部品が実装されている回路モジュール及びその製造方法に関する。
従来の回路モジュールに関連する発明としては、例えば、特許文献1に記載の回路モジュールが知られている。以下に、図面を参照しながら、特許文献1に記載の回路モジュールの製造方法について説明する。図12は、特許文献1に記載の回路モジュール500の断面構造図である。
回路モジュール500は、図12に示すように、基板502、電子部品504、封止樹脂層506及びシールド層510を備えている。基板502は、電気回路を内蔵している多層基板である。電子部品504は、基板502の主面上に実装されているコンデンサやインダクタ等のチップ型電子部品である。封止樹脂層506は、基板502の主面及び電子部品504を覆っている絶縁体層である。シールド層510は、封止樹脂層506の主面及び側面を覆っている導電性樹脂であり、基板502内のグランド導体と接続されている。以上のような回路モジュール500では、導電性樹脂が封止樹脂層506に塗布されてなるシールド層510により、回路モジュール500の内部がシールドされている。そのため、回路モジュール500の内部のシールドのために金属ケースが設けられる必要がなくなる。その結果、回路モジュール500の小型化及び低背化が図られる。
ところで、回路モジュール500は、良好なアイソレーション特性を得ることが困難であるという問題を有している。より詳細には、回路モジュール500は、例えば、無線通信モジュールに用いられる。無線通信モジュールは、近年、複合化及び高集積化されており、無線LANの回路ブロック、Bluetooth(登録商標)の回路ブロック及びFMの回路ブロックが1つの回路モジュールに内蔵されることがある。この場合、各回路ブロックが隣接して配置されたり、無線通信用の高周波回路ブロックとベースバンド信号を処理するための信号処理回路ブロックとが隣接して配置されたりする。このように、異なる周波数帯域の回路ブロック同士が隣接すると、一方の回路ブロックの信号が他方の回路ブロックにノイズとして進入し、回路ブロック間のアイソレーション特性の低下が発生する。また、隣接する回路ブロック間において一方の回路ブロック内において発生した磁界が他方の回路ブロックに進入し、回路ブロック間のアイソレーション特性の低下が発生する。
そこで、本発明の目的は、良好なアイソレーション特性を有する回路モジュール及びその製造方法を提供することである。
本発明の一形態に係る回路モジュールは、基板と、前記基板の主面上に実装されている電子部品と、前記基板の主面及び前記電子部品を覆う絶縁体層であって、主面に凹部が設けられている絶縁体層と、前記絶縁体層の主面及び前記凹部の内周面を覆っている導電性材料からなるシールド層と、を備えていること、を特徴とする。
前記回路モジュールの製造方法は、基板を準備する第1の工程と、前記基板の主面上に、複数の電子部品を実装する第2の工程と、前記基板の主面及び前記複数の電子部品を覆うように絶縁体層を形成する第3の工程と、前記絶縁体層の主面に凹部を形成する第4の工程と、前記絶縁層の主面及び前記凹部の内周面に導電性材料を塗布して、シールド層を形成する第5の工程と、を備えていること、を特徴とする。
本発明によれば、回路モジュール及びその製造方法において良好なアイソレーション特性を得ることができる。
以下に、本発明の実施形態に係る回路モジュール及びその製造方法について図面を参照しながら説明する。
(回路モジュールの構成)
以下に、本発明の一実施形態に係る回路モジュールの構成について図面を参照しながら説明する。図1は、本発明の一実施形態に係る回路モジュール10の外観斜視図である。図2は、図1の回路モジュール10を上方から透視した図である。図3は、図2の回路モジュール10のX-Xにおける断面構造図である。以下では、略直方体状をなす回路モジュール10において、高さ方向をz軸方向と定義する。また、z軸方向から平面視したときの長辺方向をx軸方向と定義し、短辺方向をy軸方向と定義する。x軸、y軸、z軸は、互いに直交している。
以下に、本発明の一実施形態に係る回路モジュールの構成について図面を参照しながら説明する。図1は、本発明の一実施形態に係る回路モジュール10の外観斜視図である。図2は、図1の回路モジュール10を上方から透視した図である。図3は、図2の回路モジュール10のX-Xにおける断面構造図である。以下では、略直方体状をなす回路モジュール10において、高さ方向をz軸方向と定義する。また、z軸方向から平面視したときの長辺方向をx軸方向と定義し、短辺方向をy軸方向と定義する。x軸、y軸、z軸は、互いに直交している。
回路モジュール10は、図1ないし図3に示すように、回路基板12、電子部品14(図2及び図3参照)、絶縁体層16(図2及び図3参照)及びシールド層18を備えている。回路基板12は、主面S1,S2を有する長方形状の多層プリント基板である。よって、回路基板12は、複数の長方形上の絶縁体層(例えば、誘電体セラミック層)が積層されることにより構成されている。主面S1は、主面S2よりもz軸方向の正方向側に位置している。
また、回路基板12は、回路及び外部電極を含んでいる。回路は、回路基板12に内蔵されている。外部電極は、主面S1,S2に設けられている。ただし、図3では、回路基板12が内蔵している回路の内、グランド導体Gのみを記載してある。また、外部電極は、図3では省略されている。
電子部品14は、例えば、半導体集積回路やチップ型電子部品等であり、図2及び図3に示すように、回路基板12の主面S1上に実装される。なお、図2及び図3では、図面が煩雑になることを防止するために、代表的な電子部品14にのみ参照符号を付してある。
ここで、図2及び図3に示すように、回路基板12には、複数の回路ブロックA,Bが設けられている。回路ブロックAは、回路ブロックBのx軸方向の負方向側において回路ブロックBに隣接している。回路ブロックAは、該回路ブロックA内に存在する電子部品14及び回路基板12により構成され、所定の機能を発揮する。同様に、回路ブロックBは、回路ブロックB内に存在する電子部品14及び回路基板12により構成され、所定の機能を発揮する。ただし、回路ブロックAが発揮する機能と回路ブロックBが発揮する機能とは異なる機能である。回路ブロックA,Bの組み合わせは、例えば、無線通信における送信ブロックと受信ブロックとの組み合わせ、DC-DCコンバータを含むブロックとベースバンド信号を処理するブロックとの組み合わせ等が挙げられる。
絶縁体層16は、絶縁性樹脂(例えば、エポキシ樹脂)からなり、図1及び図2に示すように、回路基板12の主面S1及び電子部品14を覆っている。絶縁体層16は、回路基板12の主面S1及び電子部品14を保護すると共に、電子部品14と後述するシールド層18とを絶縁する役割を果たしている。
更に、絶縁体層16のz軸方向の正方向側に位置する主面S3には、図3に示すように、主面S3がz軸方向の負方向側に窪むようにして形成された溝20が設けられている。より詳細には、溝20は、図2に示すように、回路ブロックA,Bの境界に設けられている。回路モジュール10では、回路ブロックA,Bは、x軸方向に並んでいる。そのため、溝20は、z軸方向から平面視したときに、回路ブロックA,Bの間においてy軸方向に延在している。また、溝20の底面は、図3に示すように、回路基板12の主面S1よりもz軸方向の上側に位置している。これにより、回路ブロックA内の絶縁体層16と回路ブロックB内の絶縁体層16とは、溝20よりもz軸方向の負方向側においてつながっている。
シールド層18は、絶縁体層の主面S3及び溝20の内周面を覆っている導電性樹脂からなる。回路モジュール10では、溝20は、導電性樹脂により充填されている。また、シールド層18は、図2及び図3に示すように、絶縁体層16のx軸方向の両側及びy軸方向の両側に位置する側面を覆っている。
更に、シールド層18は、図3に示すように、回路基板12のx軸方向の両端及びy軸方向の両端に位置する側面の一部を覆っている。具体的には、回路基板12の主面S1のx軸方向の両端及びy軸方向の両端には、図3に示すように段差が設けられている。すなわち、主面S1のx軸方向の両端及びy軸方向の両端の一部が削り取られることにより、図3に示すように、主面S1よりもz軸方向の負方向側に位置し、かつ、z軸方向の正方向側を向く面S4,S5が形成されている。面S4,S5はそれぞれ、回路基板12のx軸方向の負方向側及び正方向側の短辺に沿って延びている。また、主面S1と面S4とを繋ぐように面S6が形成されていると共に、主面S1と面S5を繋ぐように面S7が形成されている。面S6,S7は、x軸方向に直交する面である。なお、面S6と絶縁体層16のx軸方向の負方向側の側面との間は段差が存在しない面一の状態である。同様に、面S7と絶縁体層16のx軸方向の正方向側の側面との間は段差が存在しない面一の状態である。なお、回路基板12のy軸方向の両端の構造は、回路基板12のx軸方向の両端の構造と同様であるので説明を省略する。
グランド導体Gは、図3に示すように、これら面S4,S5において回路基板12から露出している。そして、シールド層18は、面S4~S7を覆っている。これにより、シールド層18とグランド導体Gとは接続されている。すなわち、グランド導体Gには、接地電位が印加される。その結果、シールド層18は、回路モジュール10外にノイズが放射されたり、回路モジュール10内にノイズが侵入したりすることを防止している。
(回路モジュールの製造方法)
次に、回路モジュール10の製造方法について図面を参照しながら説明する。図4は、回路モジュール10の工程断面図である。
次に、回路モジュール10の製造方法について図面を参照しながら説明する。図4は、回路モジュール10の工程断面図である。
まず、図4(a)に示すマザー基板112を準備する。マザー基板112は、複数の回路基板12がマトリクス状に配置された集合基板であり、例えば樹脂多層基板やセラミック多層基板などである。なお、マザー基板112は、作製することにより準備してもよいし、完成品を購入することにより準備してもよい。なお、マザー基板112は、一般的なものであるので、その製造方法の説明については省略する。
次に、図4(a)に示すように、マザー基板112の主面S1上に、複数の電子部品14をはんだ実装する。なお、電子部品14は、ワイヤボンディング実装又ははんだバンプ実装により実装されてもよい。
次に、図4(b)に示すように、マザー基板112の主面S1及び複数の電子部品14を覆うように絶縁体層116を形成する。具体的には、マザー基板112の主面S1及び複数の電子部品14上にディスペンサにより絶縁性樹脂を塗布する。そして、絶縁性樹脂を加熱して硬化させる。なお、絶縁体層116の形成は、ディスペンサ以外の方法によって、樹脂を塗布してもよい。
次に、図4(c)に示すように、絶縁体層116の主面S3に溝20,22を形成する。具体的には、回路ブロックA,Bの境界に沿って、ダイサーをy軸方向に通過させる。この際、ダイサーは、マザー基板112まで到達しない。これにより、溝20が形成される。また、個別の回路基板12にマザー基板112をカットする際のカットラインに沿って、ダイサーを通過させる。この際、ダイサーは、マザー基板112のグランド導体Gまで到達している。これにより、溝20よりも深い溝22が形成される。そして、溝22の底面では、グランド導体Gが露出している。
次に、図4(d)に示すように、絶縁体層116の主面S3上及び溝20,22の内周面に導電性樹脂を塗布して、シールド層118を形成する。導電性樹脂の塗布をスピンコート法により行う。具体的には、マザー基板112を回転台上に配置し、所定角速度でマザー基板112を回転させる。そして、絶縁体層116の中心に対して、スラリー状の導電性樹脂を滴下する。これにより、導電性樹脂は、遠心力により絶縁体層116の主面S3全体に薄く広がる。なお、シールド層118は、導電性ペーストを用いて形成してもよいし、スパッタ又は蒸着等の真空成膜法により形成されてもよい。
次に、図4(e)に示すように、絶縁体層116及びシールド層118が形成されたマザー基板112を分割して、複数の回路モジュール10を得る。具体的には、溝22の形成に用いたダイサーの幅よりも狭い幅を有するダイサーを、カットラインに沿って通過させて、マザー基板112をカットする。以上の工程を経て、図1ないし図3に示す回路モジュール10が完成する。
(効果)
以上のような回路モジュール10及びその製造方法によれば、回路ブロックA,B間において良好なアイソレーション特性を得ることができる。より詳細には、回路モジュール10では、回路ブロックA,Bは、x軸方向に並んでいる。また、溝20は、z軸方向から平面視したときに、回路ブロックA,Bの間においてy軸方向に延在している。すなわち、溝20は、回路ブロックA,Bの境界に設けられている。そして、溝20内には、シールド層18を構成している導電性樹脂が充填されている。そのため、回路ブロックAから放射されるノイズや磁界は、溝20内の導電性樹脂(すなわち、シールド層18)により吸収され、回路ブロックBには到達しにくくなる。同様に、回路ブロックBから放射されるノイズや磁界は、溝20内の導電性樹脂(すなわち、シールド層18)を介して接地されるため、回路ブロックAには到達しにくくなる。よって、回路モジュール10及びその製造方法によれば、回路ブロックA,B間において良好なアイソレーション特性を得ることができる。
以上のような回路モジュール10及びその製造方法によれば、回路ブロックA,B間において良好なアイソレーション特性を得ることができる。より詳細には、回路モジュール10では、回路ブロックA,Bは、x軸方向に並んでいる。また、溝20は、z軸方向から平面視したときに、回路ブロックA,Bの間においてy軸方向に延在している。すなわち、溝20は、回路ブロックA,Bの境界に設けられている。そして、溝20内には、シールド層18を構成している導電性樹脂が充填されている。そのため、回路ブロックAから放射されるノイズや磁界は、溝20内の導電性樹脂(すなわち、シールド層18)により吸収され、回路ブロックBには到達しにくくなる。同様に、回路ブロックBから放射されるノイズや磁界は、溝20内の導電性樹脂(すなわち、シールド層18)を介して接地されるため、回路ブロックAには到達しにくくなる。よって、回路モジュール10及びその製造方法によれば、回路ブロックA,B間において良好なアイソレーション特性を得ることができる。
また、回路モジュール10及びその製造方法によれば、回路モジュール10に反りが発生することが抑制される。より詳細には、図12に示す従来の回路モジュール500では、基板502の主面の全面が封止樹脂層506により覆われている。この場合、封止樹脂層506が硬化する際に、封止樹脂層506が基板502よりも大きく収縮する。そのため、基板502は、中央部分が下側に突出するように反ってしまう。特に、回路モジュール500が無線通信モジュールに適用された場合には、複数の回路ブロックが内蔵されるので、実装される電子部品の数が多くなり、基板502も大型化する。基板502が大型化すると、封止樹脂量も多くなり封止樹脂層506の収縮量が大きくなり、更に、基板502の剛性が低下して基板502が変形しやすくなる。よって、回路モジュール500が大きく反ってしまう。その結果、回路モジュール500をマザーボードに実装する際に、接続不良が発生する。
そこで、回路モジュール10では、絶縁体層16に溝20が設けられている。溝20が設けられた部分では、絶縁体層16の硬化時に、絶縁体層16の収縮が殆ど発生しない。よって、回路モジュール10の回路ブロックA及び回路モジュール10の回路ブロックBのそれぞれにおいて、絶縁体層16の収縮が別々に発生し、回路基板12の反りが別々に発生する。ただし、回路ブロックA,Bのそれぞれにおける絶縁体層16の収縮量は、回路モジュール10と回路モジュール500が同じサイズである場合には、回路モジュール500の封止樹脂層506の収縮量に比べて小さい。更に、回路ブロックA,Bはそれぞれ、回路モジュール10と回路モジュール500が同じサイズである場合には、回路モジュール500よりも小型であるので、回路モジュール500に比べて変形しにくい。よって、回路モジュール10の回路ブロックA,Bでは、回路モジュール500に比べて、小さな反りしか発生しない。その結果、回路モジュール10全体において発生する反りは、回路モジュール500全体において発生する反りよりも小さくなる。
また、回路モジュール10では、溝20は、絶縁体層16にのみ設けられており、回路基板12には設けられていない。そのため、溝20が設けられることによって回路基板12の強度が低下することが防止される。
また、回路モジュール10では、溝20の底面は、回路基板12の主面S1よりもz軸方向の正方向側に位置している。よって、回路モジュール10では、溝20のz軸方向の負方向側の領域にも配線等を形成することが可能となる。
(第1の変形例)
以下に、第1の変形例に係る回路モジュールについて図面を参照しながら説明する。図5は、第1の変形例に係る回路モジュール10aの断面構造図である。
以下に、第1の変形例に係る回路モジュールについて図面を参照しながら説明する。図5は、第1の変形例に係る回路モジュール10aの断面構造図である。
回路モジュール10aでは、溝20の底面は、回路基板12の主面S1と一致している。そして、溝20内は、シールド層18を構成する導電性樹脂が充填されている。これにより、回路モジュール10aでは、回路モジュール10に比べて、回路ブロックA,B間におけるアイソレーション特性がより良好となる。
(第2の変形例)
以下に、第2の変形例に係る回路モジュールについて図面を参照しながら説明する。図6は、第2の変形例に係る回路モジュール10bの断面構造図である。
以下に、第2の変形例に係る回路モジュールについて図面を参照しながら説明する。図6は、第2の変形例に係る回路モジュール10bの断面構造図である。
回路モジュール10bでは、溝20の底面は、回路基板12内のグランド導体Gと一致している。すなわち、回路モジュール10bの溝20の深さは、絶縁体層16の厚み以上の大きさを有している。そして、溝20内は、シールド層18を構成する導電性樹脂が充填されている。これにより、回路モジュール10bでは、回路モジュール10に比べて、回路ブロックA,B間におけるアイソレーション特性がより良好となる。更に、シールド層18がグランド導体Gに接触しているので、シールド層18の電位がより接地電位に近づくようになる。
(第3の変形例)
以下に、第3の変形例に係る回路モジュールについて図面を参照しながら説明する。図7は、第3の変形例に係る回路モジュール10cの断面構造図である。
以下に、第3の変形例に係る回路モジュールについて図面を参照しながら説明する。図7は、第3の変形例に係る回路モジュール10cの断面構造図である。
回路モジュール10cでは、回路基板12は、溝20の底面と対向する導体層24を含んでいる。溝20内には導電性樹脂が充填されており、回路基板12内部のグランド電極と接続されているので接地電位となる。そのため、導体層24と溝20の底面との間には一方の電極が接地されたコンデンサが形成される。そのため、回路基板12内に設けられていた接地コンデンサを回路基板12外に配置することが可能となるので、回路基板12内のコンデンサが1つ不要になる。その結果、回路基板12内に空きスペースが形成され、該空きスペースに他の回路素子を配置することが可能となる。よって、回路モジュール10cでは、回路基板12の設計自由度が高くなる。
(第4の変形例)
以下に、第4の変形例に係る回路モジュールについて図面を参照しながら説明する。図8は、第4の変形例に係る回路モジュール10dの断面構造図である。
以下に、第4の変形例に係る回路モジュールについて図面を参照しながら説明する。図8は、第4の変形例に係る回路モジュール10dの断面構造図である。
回路モジュール10dでは、複数の溝20a,20bが絶縁体層16の主面S3に設けられている。溝20a,20bの深さは異なっている。すなわち、溝20は、絶縁体層16において複数設けられていてもよく、複数の溝20の深さは、複数種類存在していてもよい。この場合には、溝20が形成される位置に応じて、溝20の深さが変更される。具体的には、アイソレーション特性を相対的に良好にしなければならない回路ブロック間に設けられる溝20の深さは、相対的に深く設定される。アイソレーション特性を相対的に良好にしなければならない回路ブロックとは、例えば、コイルやアイソレータ等の周囲に磁界を発生させる電子部品を含む回路ブロックが挙げられる。一方、アイソレーション特性を相対的に良好にしなくてもよい回路ブロック間に設けられる溝20の深さは、相対的に浅く設定される。
(第5の変形例)
以下に、第5の変形例に係る回路モジュールについて図面を参照しながら説明する。図9は、第5の変形例に係る回路モジュール10eの断面構造図である。
以下に、第5の変形例に係る回路モジュールについて図面を参照しながら説明する。図9は、第5の変形例に係る回路モジュール10eの断面構造図である。
回路モジュール10eでは、溝20が導電性樹脂により充填されておらず、溝20の内周面が導電性樹脂により覆われている。よって、溝20内には導電性樹脂が存在しない空間が設けられている。これにより、回路モジュール10eでは、回路モジュール10に比べて、より効果的に反りの発生を抑制できる。また、図9に示すように、溝20が回路モジュール10eのx軸方向の中心から正方向側にずれて配置されていることにより、回路モジュール10eをマザー基板等に実装するときに回路モジュール10eの方向識別を容易に行うことができる。
(第6の変形例)
以下に、第6の変形例に係る回路モジュールについて図面を参照しながら説明する。図10は、第6の変形例に係る回路モジュール10fの断面構造図である。
以下に、第6の変形例に係る回路モジュールについて図面を参照しながら説明する。図10は、第6の変形例に係る回路モジュール10fの断面構造図である。
回路モジュール10fでは、溝20が導電性樹脂により充填されておらず、溝20の内周面が導電性樹脂により覆われている。よって、溝20内には導電性樹脂が存在しない空間が設けられている。これにより、回路モジュール10fでは、回路モジュール10に比べて、より効果的に反りの発生を抑制できる。
更に、回路モジュール10fでは、溝20の底面は、回路基板12内のグランド導体Gと一致している。すなわち、回路モジュール10fの溝20の深さは、絶縁体層16の厚み以上の大きさを有している。これにより、回路モジュール10fでは、回路モジュール10に比べて、回路ブロックA,B間におけるアイソレーション特性がより良好となる。更に、シールド層18がグランド導体Gに接触しているので、シールド層18の電位がより接地電位に近づくようになる。
(第7の変形例)
以下に、第7の変形例に係る回路モジュールについて図面を参照しながら説明する。図11は、第7の変形例に係る回路モジュール10gを上方から透視した図である。
以下に、第7の変形例に係る回路モジュールについて図面を参照しながら説明する。図11は、第7の変形例に係る回路モジュール10gを上方から透視した図である。
回路モジュール10,10a~10fでは、絶縁体層16の主面S3には、溝20が設けられるものとした。しかしながら、絶縁体層16の主面S3には、図11に示すように、溝20の変わりに穴20'が設けられていてもよい。すなわち、絶縁体層16の主面S3には、穴20'等の凹部が設けられており、該凹部の内周面がシールド層18を構成する導電性樹脂により覆われていればよい。
(その他の実施形態)
本発明に係る回路モジュールは、前記実施形態に係る回路モジュール10,10a~10gに限らず、その要旨の範囲内において変更可能である。
本発明に係る回路モジュールは、前記実施形態に係る回路モジュール10,10a~10gに限らず、その要旨の範囲内において変更可能である。
シールド層18は、導電性樹脂により作製されているとしたが、導電性材料により作製されていればよく、金属がめっきされることにより形成されてもよいし、カーボンを含有する樹脂が塗布されることにより形成されてもよい。
以上のように、本発明は、回路モジュール及びその製造方法に有用であり、特に、良好なアイソレーション特性を得ることができる点において優れている。
A,B 回路ブロック
G グランド導体
10,10a~10g 回路モジュール
12 回路基板
14 電子部品
16 絶縁体層
18 シールド層
20,20a,20b 溝
20' 穴
24 導体層
112 マザー基板
116 絶縁体層
118 シールド層
G グランド導体
10,10a~10g 回路モジュール
12 回路基板
14 電子部品
16 絶縁体層
18 シールド層
20,20a,20b 溝
20' 穴
24 導体層
112 マザー基板
116 絶縁体層
118 シールド層
Claims (9)
- 基板と、
前記基板の主面上に実装されている電子部品と、
前記基板の主面及び前記電子部品を覆う絶縁体層であって、主面に凹部が設けられている絶縁体層と、
前記絶縁体層の主面及び前記凹部の内周面を覆っている導電性材料からなるシールド層と、
を備えていること、
を特徴とする回路モジュール。 - 前記凹部は、溝であること、
を特徴とする請求項1に記載の回路モジュール。 - 前記凹部の深さは、前記絶縁体層の厚み以上の大きさであること、
を特徴とする請求項1又は請求項2のいずれかに記載の回路モジュール。 - 前記基板は、グランド導体層を含んでおり、
前記シールド層は、前記グランド導体層に接続されていること、
を特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれかに記載の回路モジュール。 - 前記凹部は、前記絶縁体層の主面に複数設けられており、
前記複数の凹部の深さは、複数種類存在していること、
を特徴とする請求項1ないし請求項4のいずれかに記載の回路モジュール。 - 前記基板は、前記凹部の底面に設けられている前記導電性材料と対向する導体層を含んでいること、
を特徴とする請求項1ないし請求項5のいずれかに記載の回路モジュール。 - 前記基板には、異なる機能を有する複数の回路ブロックが設けられており、
前記凹部は、前記複数の回路ブロックの境界に設けられていること、
を特徴とする請求項1ないし請求項6のいずれかに記載の回路モジュール。 - 基板を準備する第1の工程と、
前記基板の主面上に、複数の電子部品を実装する第2の工程と、
前記基板の主面及び前記複数の電子部品を覆うように絶縁体層を形成する第3の工程と、
前記絶縁体層の主面に凹部を形成する第4の工程と、
前記絶縁層の主面及び前記凹部の内周面に導電性材料を塗布して、シールド層を形成する第5の工程と、
を備えていること、
を特徴とする回路モジュールの製造方法。 - 前記第4の工程では、ダイサーにより前記絶縁体層の主面に前記凹部としての溝を形成すること、
を特徴とする請求項8に記載の回路モジュールの製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012554639A JP5837515B2 (ja) | 2011-01-27 | 2011-12-14 | 回路モジュール |
US13/936,419 US20130301227A1 (en) | 2011-01-27 | 2013-07-08 | Circuit module and method of manufacturing same |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011014890 | 2011-01-27 | ||
JP2011-014890 | 2011-01-27 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
US13/936,419 Continuation US20130301227A1 (en) | 2011-01-27 | 2013-07-08 | Circuit module and method of manufacturing same |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
WO2012101920A1 true WO2012101920A1 (ja) | 2012-08-02 |
Family
ID=46580503
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
PCT/JP2011/078930 WO2012101920A1 (ja) | 2011-01-27 | 2011-12-14 | 回路モジュール及びその製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20130301227A1 (ja) |
JP (1) | JP5837515B2 (ja) |
WO (1) | WO2012101920A1 (ja) |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
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JPWO2012101920A1 (ja) | 2014-06-30 |
US20130301227A1 (en) | 2013-11-14 |
JP5837515B2 (ja) | 2015-12-24 |
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|
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