WO2012090395A1 - 製造装置 - Google Patents

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孝二 恒川
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Definitions

  • the present invention relates to a manufacturing apparatus, in particular, a magnetic reproducing head of a magnetic disk drive, a storage element of a magnetic random access memory, a magnetoresistive element used as a magnetic sensor, a storage element of a semiconductor memory, etc.
  • the present invention relates to an apparatus for producing a multilayer thin film suitable for the production process.
  • a conventional multilayer thin film deposition apparatus includes a sputtering sputtering chamber having a number of sputtering cathodes equal to or greater than the number of film types in the multilayer thin film (see Patent Document 1), or a plurality of sputtering cathodes.
  • a so-called cluster system including a plurality of sputtering deposition chambers was formed.
  • FIG. 8 a first vacuum chamber 110 in which one target 116a is installed, and a second vacuum chamber 112 in which four targets 116b, 116c, 116d, and 116e are installed,
  • a sputtering apparatus that forms a multilayer film made of a magnetoresistive element on a substrate using a sputtering apparatus including a transfer chamber 114 that connects the two vacuum chambers 110 and 112 is disclosed (see Patent Document 4). .
  • a sputtering system 600 disclosed in Patent Document 5 will be described with reference to FIG.
  • Sputtering system 600 of FIG. 9 includes a first single target DC magnetron sputtering module 604, a multi target DC sputtering module 606, a multi target ion beam sputtering module 608, and a second single target.
  • a DC magnetron sputtering module 610 is included.
  • the load lock 616 allows wafer ingress and egress.
  • Control panel 614 controls the parameters and process of sputtering system 600.
  • the spin valve sensor 300 shown in FIG. 10 includes a substrate 302, a bottom shield layer 311 (Ni—Fe film), a bottom gap layer 304 (Al 2 O 3 film), and a multiple seed layer 306 (first seed layer Al 2 O 3).
  • Second seed layer Ni—Cr—Fe film, third seed layer Ni—Fe film), antiferromagnetic pinning layer 308 (Pt—Mn film), Co—Fe film 310, Ru film 312, Co—Fe film 314, spacer layer 316 (Cu (Cu—O) film), Co—Fe film 318, Ni—Fe film 320, cap layer 322 (Al film (Al—O)), upper gap layer 324 (Al 2 O 3 film) ) And an upper shield layer (Ni—Fe film) 325.
  • a ferromagnetic detection layer 307 (referred to as “free layer”) is shown separated from the ferromagnetic pinned layer 309 by a spacer layer 316.
  • the pinned layer 309 is constrained in its magnetization by exchange coupling with an antiferromagnetic film called a pinning layer, and “sensing”
  • the magnetization of another ferromagnetic film called “layer” or “free” layer 307 is not fixed and rotates freely in response to the magnetic field (signal magnetic field) from the recorded magnetic medium.
  • a bottom gap layer 304 is formed on a wafer in a first single target DC magnetron sputtering module 604. Thereafter, to deposit the multiple seed layer 306, the wafer is transferred to the second single target DC magnetron sputtering module 610 and a first seed layer Al 2 O 3 film is deposited. Thereafter, the wafer is transferred to the multi-target ion beam sputtering module 608 to stack the second seed layer Ni—Fe—Cr film and the third seed layer Ni—Fe film, respectively. A Cr—Fe film and a Ni—Fe film are laminated.
  • the wafer is transferred to a multi-target DC magnetron sputtering module 606 to deposit the remaining layers of the spin valve sensor.
  • the remaining layers are Pt—Mn film 308, Co—Fe film 310, Ru film 312, Co—Fe film 314, Cu (Cu—O) film 316, Co—Fe film 318, Ni—Fe film 320, Al ( Al—O) film 322 is included.
  • the wafer is annealed and a Ta film is laminated.
  • JP 2002-167661 A Japanese Patent Application Laid-Open No. 08-239765 JP 2007-31461 A JP 2000-269568 A JP 2003-158313 A
  • the films forming the multilayer thin films differ by an order of magnitude, or a composite of metal film, insulating film and semiconductor film. It has become.
  • Patent Document 1 When such a multilayer thin film is to be formed by a cluster type manufacturing apparatus (Patent Document 1, Patent Document 2) having a plurality of sputtering film forming chambers having a plurality of sputtering cathodes, the film thickness is increased in the multilayer thin film. Sputtering time for an extremely thick film or an oxide film with an extremely low sputtering rate is longer than that for depositing other thin films, which is the cause of limiting the throughput of the manufacturing equipment. . In particular, when a film containing a single element is formed, only one sputtering cathode functions, and there is a problem in terms of footprint.
  • Patent Document 3 a cluster type manufacturing apparatus provided with at least the same number of sputtering film forming chambers equipped with one sputtering cathode as the film types in the multilayer thin film, mutual contamination between layers can be avoided.
  • a large number of sputtering film forming chambers are required, there are problems such as an increase in size of the manufacturing apparatus, an increase in cost, an increase in installation area, and an increase in energy consumption.
  • the manufacturing apparatus described in Patent Document 3 has a problem that a film containing a plurality of elements cannot be formed.
  • the substrate when there are a plurality of layers of the same film type in one multilayer thin film, since the sputtering target is not arranged for each layer, the substrate is the same process in a series of film forming processes. It will be transported twice to the chamber. That is, when a magnetoresistive film containing Ta / NiFe / CoFeB / Cu / CoFeB / PdPtMn / Ta is formed using the sputtering apparatus described in Patent Document 4 shown in FIG. 8, the first vacuum is formed as follows. The substrate is transferred twice to the chamber 110.
  • Ta is sputtered in the first vacuum chamber 110 as a target, a Ta film is formed on the surface of the substrate, the substrate is transported to the second vacuum chamber 112, and NiFe, CoFeB, Cu, PdPtMn is used as a target. After sputtering, a NiFe film, a CoFeB film, a Cu film, and a PdPtMn film are formed, and then the substrate is transported again to the first vacuum chamber 110 and sputtered using Ta as a target in the first vacuum chamber 110. A Ta film must be formed on the substrate surface.
  • the sputtering apparatus described in Patent Document 4 has a problem in terms of throughput because the substrate is transported twice to the same process chamber in a series of film forming processes. Furthermore, there is a problem that so-called sequential substrate transfer cannot be realized.
  • the wafer is a first single target DC magnetron sputtering module 604, a second single target DC magnetron sputtering module 610, multi-target ions.
  • -It conveys in order of the beam sputtering module 608 and the multi-target DC sputtering module 606, and the spin valve sensor 300 of FIG. 11 is produced. Therefore, the sputtering system 600 disclosed in Patent Document 5 realizes so-called sequential substrate conveyance as compared with the sputtering apparatus described in Patent Document 4.
  • the film formation from the antiferromagnetic pinning layer 308 (Pt—Mn film) to the cap layer 322 (Al film (Al—O)) of the spin valve sensor 300 is performed in multiple layers. • Performed by target DC sputtering module 606.
  • the film thickness (10 nm to 20 nm) of the antiferromagnetic pinning layer 308 is the same as that of another layer, for example, the Co—Fe film 318 ((1 nm Therefore, the film formation time (also referred to as “tact time”) in the multi-target DC sputtering module 606 is 1st single target DC magnetron sputtering module 604, This is significantly longer than the film formation time of the second single target DC magnetron sputtering module 610 and the multi target ion beam sputtering module 608.
  • the throughput is the number of work pieces of substrates that can be processed within a unit time.
  • An object of the present invention is to provide a manufacturing apparatus capable of realizing so-called sequential substrate transport and improving throughput even when there are a plurality of layers of the same film type in one multilayer thin film.
  • one embodiment of the present invention is a manufacturing apparatus for growing a multilayer film on a substrate, and includes a transport chamber including a substrate transport mechanism and a first sputtering cathode including a sputtering cathode.
  • the third sputtering film forming chamber, the fourth sputtering film forming chamber, the fifth sputtering film forming chamber, and the process chamber are configured so that each of the transfer chamber and the substrate can be transferred. It is arranged around the transfer chamber.
  • FIG. 1 is a configuration diagram showing a first example of a multilayer thin film manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention.
  • the manufacturing apparatus of FIG. 1 is suitable for suppressing deterioration of device characteristics by improving throughput while maintaining a low cost in forming a multilayer thin film, and further preventing or reducing cross contamination between layers. is there.
  • a feature of the manufacturing apparatus of the present invention is that a first chamber having a process chamber (etching chamber 14) for performing a process other than sputtering and a single sputtering cathode around a transfer chamber having a substrate transfer mechanism.
  • etching chamber 14 etching chamber 14
  • a film forming chamber (sputtering film forming chamber 13A), a second sputtering film forming chamber (sputtering film forming chamber 13C) including one sputtering cathode, and a third sputtering film forming chamber (including one sputtering cathode) Sputtering deposition chamber 13E), a fourth sputtering deposition chamber (sputtering deposition chamber 13B) having two or more sputtering cathodes, and a fifth spa having two or more sputtering cathodes.
  • Taringu is deposition chamber to the arrangement of the (sputtering chamber 13D). In FIG.
  • sputtering film forming chambers having one sputtering cathode and two sputtering film forming chambers having two or more sputtering cathodes are provided around a transfer chamber having a substrate transfer mechanism.
  • One process chamber is provided for performing processes other than sputtering. As will be described later, from the viewpoint of improving throughput, three or more sputtering film forming chambers having one sputtering cathode are required.
  • FIG. 1 five sputtering film forming chambers 13A to 13E and oxides and contaminants on the surface of the substrate 25 are reverse-sputtered in a transfer chamber 12 equipped with two substrate transfer robots 11A and 11B as the substrate transfer mechanism 11.
  • An etching chamber 14 for removal by etching and two load lock chambers 15A and 15B are connected.
  • the sputtering film forming chambers 13A to 13E, 13A, 13C, and 13E include one sputtering cathode 31, and 13B and 13D include five sputtering cathodes 31. Note that there may be one substrate transfer robot as the substrate transfer mechanism 11 shown in FIG.
  • all the chambers mentioned above and the load lock chambers 15A and 15B have a vacuum pump for exhausting the inside of the chamber to a vacuum, and chambers other than the load lock chambers 15A and 15B are always kept in vacuum. Maintained. In all the embodiments described later, it is assumed that all chambers and load lock chambers have vacuum pumps.
  • the load lock chambers 15A and 15B are maintained at a pressure equivalent to the atmospheric pressure when the substrate 25 is put from the atmosphere before the process and when the substrate 25 is put out to the atmosphere after the process.
  • the substrate 25 disposed in the load lock chambers 15A and 15B is carried into the transfer chamber 12 evacuated to vacuum and when the substrate 25 is recovered from the transfer chamber 12 after the process, the substrate 25 is evacuated to vacuum.
  • the load lock chambers 15A and 15B do not necessarily have to be two, but may be one.
  • Sputter deposition chamber 13A, sputtering deposition chamber 13B, sputtering deposition chamber 13C, sputtering deposition chamber 13D, sputtering deposition chamber 13E, process chamber 14, and load lock chambers 15A and 15B are provided with gate valves. 16 is provided. Each gate valve 16 is closed except when the substrate 25 is transferred.
  • the substrate transfer robot 11 is configured to take out the substrate 25 from the load lock chambers 15A and 15B and load the substrate 25 into a desired chamber according to a command from a computer program.
  • a plurality of sputtering cathodes 31 are arranged above the sputtering film forming chambers 13B and 13D as shown in FIG.
  • a substrate stage 33 that can be rotated by a power source (not shown) provided outside the sputtering film forming chambers 13B and 13D is provided below the sputtering film forming chambers 13B and 13D. At least during film formation, a substrate 25 for depositing a thin film is placed on the substrate stage 33.
  • Each sputtering cathode 31 includes a sputtering target 32 made of a material corresponding to the film type of each layer forming the multilayer thin film.
  • the surface of the sputtering target 32 is arranged obliquely so as to face the substantially central direction of the substrate stage 33. Yes. However, it is not always necessary to arrange it obliquely, and it may be arranged so that the surface of the sputtering target 32 is substantially parallel to the surface of the substrate 25.
  • DC or RF power is preferably applied to the desired sputtering cathode 31 while rotating the substrate stage 33, and the supply of power is cut off when the desired film thickness is reached.
  • a shutter may be disposed between the substrate 25 and the sputtering target 32, and the film thickness may be controlled by opening and closing the shutter while the power is kept on.
  • the above film forming operations may be sequentially performed while the substrate is placed on the rotating substrate stage 33.
  • four types of targets 31 are installed in the sputtering film forming chamber 13B, and the materials thereof are PtMn, CoFe, Ru, and CoFeB.
  • the gate valve 16 is provided on the side wall of the sputtering film forming chamber 13 ⁇ / b> B via the O-ring 34.
  • four types of targets 31 are installed in the sputtering film forming chamber 13D, and the materials thereof are PtMn, CoFe, Ru, and CoFeB.
  • a gate valve 16 is provided on the side wall of the vacuum chamber 13 ⁇ / b> A via an O-ring 34.
  • the sputtering film forming chambers 13A, 13C, and 13E having one sputtering cathode 31 need only have one sputtering cathode in the sputtering film forming chamber having a plurality of sputtering cathodes.
  • the membrane operation may be performed in the same manner.
  • a sputtering cathode having a larger size than a sputtering cathode mounted in a sputtering film forming chamber having a plurality of sputtering cathodes is mounted so as to obtain a high film forming rate.
  • FIG. 1 As shown in FIG.
  • the sputtering cathode may be mounted so that the surface of the sputtering target is substantially parallel to the substrate surface. In this case, it is not necessary to rotate the substrate stage.
  • one type of target 32 is installed in the sputtering film forming chamber 13A, and the material thereof is a material capable of forming an oxide film, a nitride film, or a semiconductor film.
  • one type of target 32 is installed in the sputtering film forming chamber 13C, and the material thereof is a material capable of forming a metal film having a thickness of 10 nm or more.
  • one type of target 32 is installed in the sputtering film forming chamber 13E, and the material thereof is a material capable of forming a metal film having a thickness of 10 nm or more.
  • a target formed of a material capable of forming a metal film having a film thickness of 10 nm or more is placed in the sputtering film forming chamber 13A, and is placed in either the sputtering film forming chamber 13C or the sputtering film forming chamber 13E.
  • a target formed of a material capable of forming an oxide film, a nitride film, or a semiconductor film may be provided.
  • a film having a larger film thickness for example, 10 nm or more
  • a film having a larger film thickness for example, 10 nm or more
  • the process chamber 14 for performing processes other than sputtering film formation is connected to the transfer chamber 12.
  • a process chamber for removing a substrate or a thin film formed on the substrate by plasma, ion beam, atom beam, molecular beam, or gas cluster beam can be adopted.
  • Other examples include a process chamber 14 for forming a thin film on the substrate or a thin film formed on the substrate by chemical vapor deposition, a gas, a neutral active species, ions, or a mixed atmosphere thereof.
  • a process chamber for chemically reacting a substrate or a thin film formed on the substrate, a process chamber for heating or cooling the substrate, or heating and cooling may be adopted.
  • the internal structure of the process chamber 14 is shown in FIG.
  • the process chamber 14 includes a vacuum chamber 21, and an upper electrode 22 and a lower electrode 23 are provided in the vacuum chamber 21.
  • the upper electrode 22 is grounded, and the lower electrode 23 is connected to an RF power source (high frequency power source) 60 via a matching box 24.
  • a substrate 25 is mounted on the lower electrode 23.
  • Plasma 26 is generated between the upper electrode 22 and the lower electrode 23 in a state where the plasma generation condition is satisfied.
  • the substrate bias voltage (Vdc) is smaller than 0V and is in the range of ⁇ 300V or higher.
  • the upper limit value of the substrate bias voltage is preferably ⁇ 2 to ⁇ 3 V, and the most preferable voltage is a voltage included in a range from ⁇ 15 V to the upper limit value of the substrate bias voltage. This voltage is a voltage capable of generating plasma.
  • an inert gas such as Kr, Xe, Ne or the like or a gas similar thereto can be used instead of Ar.
  • the pressure of the process gas in the process chamber 14 is set to a low pressure in the range of 0.01 to 100 Pa.
  • FIG. 5 is a film configuration diagram of a tunnel magnetoresistive element (magnetoresistive multilayer film) manufactured using the manufacturing apparatus according to one embodiment of the present invention.
  • a laminate having a Ta layer 41, a PtMn layer 42, a CoFe layer 43, a Ru layer 44, a CoFeB layer 45, a MgO layer 46, a CoFeB layer 47, a Ta layer 48 layer, a Ru layer 49, and a Ta layer 50 on the substrate 25. Is formed.
  • a Ta layer 41 having a thickness of 20 nm is formed on the substrate 25 as an underlayer, then a PtMn layer 42 that is an antiferromagnetic material is formed with a thickness of 15 nm, and then a CoFe layer 43 that is a ferromagnetic material is formed.
  • the nonmagnetic Ru layer 44 is formed to a thickness of 0.9 nm
  • the ferromagnetic CoFeB layer 45 is formed to a thickness of 3 nm
  • the oxide MgO layer 46 is formed.
  • a thickness of 1.2 nm is formed.
  • a CoFeB layer 47 which is a ferromagnetic material is formed again with a thickness of 3 nm, and an ultrathin Ta layer 48 with a thickness of 1.5 nm is formed thereon, and then a Ru layer 49 with a thickness of 10 nm and a thickness of 50 nm are formed.
  • the Ta layer 50 is formed.
  • the thicknesses of the lowermost Ta film 41 and the uppermost Ta film 50 are remarkably thick, and then the PtMn layer 42 and the upper Ru layer 49 are thick.
  • thin layers each having a thickness of 3 nm or less are laminated. Only the MgO layer 46 is an oxide. In FIG.
  • a Ta layer 41 is an underlayer
  • a PtMn layer 42 is an antiferromagnetic layer
  • a lamination of a ferromagnetic CoFe layer 43, a nonmagnetic Ru layer 44, and a ferromagnetic CoFeB layer 45 is a magnetization fixed layer
  • an MgO layer is a nonmagnetic insulating layer
  • CoFeB layer 47 is a magnetization free layer
  • a stack of Ta layer 48, Ru layer 49 and Ta layer 50 functions as a protective layer.
  • FIG. 1 shows a manufacturing apparatus suitable for suppressing the deterioration of device characteristics by improving throughput while maintaining low cost and further preventing or reducing cross-contamination between layers in the formation of such a multilayer thin film. It is. As described above, in FIG. 1, there are three sputtering film forming chambers having one sputtering cathode and two sputtering film forming chambers having two or more sputtering cathodes around a transfer chamber having a substrate transfer mechanism. One process chamber for performing processes other than sputtering is provided.
  • At least three sputtering deposition chambers with one sputtering cathode are required, and at least two sputtering deposition chambers with two or more sputtering cathodes are required.
  • Ta targets 32 are attached to the sputtering film forming chambers 13A and 13E, respectively.
  • the lowermost Ta film 41 and the uppermost Ta film 47 shown are used to form a film.
  • Four sputtering targets 32 of PtMn, CoFe, Ru, and CoFeB are attached to the sputtering film forming chamber 13B, and the remaining one sputtering cathode 31 is vacant as a spare.
  • An MgO sintered target 32 is attached to the sputtering film forming chamber 13C.
  • Three targets 32 of CoFeB, Ta, and Ru are attached to the sputtering film forming chamber 13D, and the remaining two sputtering cathodes 31 are reserved.
  • the sputtering target 32 is arranged for each layer because the substrate 25 is transported twice to the same process chamber in a series of film forming processes. This is because there is no so-called sequential substrate transfer. That is, when a plurality of layers of the same kind are formed with different film thicknesses, the thin one is formed by one of the sputtering film forming chambers having at least three sputtering cathodes, and the thicker one is formed by the three sputtering film forming chambers. It forms in another film-forming chamber. Therefore, layers of the same type but different thicknesses can be formed without being transported twice to the same sputtering film forming chamber.
  • the process time bar of each substrate 25 can be overlapped in the process time horizontal bar graph when a plurality of substrates 25 are continuously processed, so that the throughput is greatly improved.
  • a gate valve 16 is provided between the sputtering film forming chamber 13A to the sputtering film forming chamber 13E, the etching chamber 14, and the load lock chambers 15A and 15B.
  • Reference numeral 35 denotes a mounting table on which the substrate 25 is temporarily mounted when the substrate 25 is delivered by the two substrate transfer robots 11A and 11B. The positioning of the substrate 25 and the notch alignment mechanism of the substrate 25 are separately provided. You may prepare. Table 1 below shows a process time table in the apparatus configuration of FIG.
  • the film formation procedure of the tunnel magnetoresistive element shown in FIG. 5 will be described along the process time table in Table 1.
  • the unprocessed substrate 25 is transferred from the load lock chamber 15A to the etching chamber 14 using the substrate transfer robot 11A (Process 1 in Table 1).
  • the etching chamber 14 oxides and contaminants on the surface of the substrate 25 are subjected to reverse sputter etching. Remove (Process 2 in Table 1).
  • the substrate 25 is mounted on the mounting table 35 in the transfer chamber 12 by the substrate transfer robot 11A (Process 3 in Table 1).
  • the substrate 25 is carried into the sputtering film forming chamber 13A by the substrate transport robot 11B, and a 20 nm-thick Ta layer is formed on the substrate 25 as a base layer (Process 4 in Table 1).
  • the substrate 25 having the Ta layer formed thereon is carried into the sputtering film forming chamber 13B by the substrate transfer robot 11B (Process 5 in Table 1), and the PtMn layer 42, which is an antiferromagnetic material, is formed on the substrate 25 by 15 nm.
  • a ferromagnetic CoFe layer 43 is deposited to 2.5 nm
  • a nonmagnetic Ru layer 44 is deposited to 0.9 nm
  • a ferromagnetic CoFeB layer 45 is deposited to 3 nm (Process 6 in Table 1).
  • the substrate 25 is carried into the sputtering film forming chamber 13C by the substrate transfer robot 11B (Process 7 in Table 1), and an MgO layer 46 that is an oxide is formed to a thickness of 1.2 nm (Process 8 in Table 1).
  • the substrate 25 is carried into the sputtering film forming chamber 13D by the substrate transfer robot 11B (Process 9 in Table 1), and the CoFeB layer 47, which is a ferromagnetic material, is again 3 nm on the substrate 25, and 1.5 nm thereon.
  • the substrate transfer robot 11B Processcess 9 in Table 1
  • the CoFeB layer 47 which is a ferromagnetic material
  • the substrate transfer robot 11B Processcess 9 in Table 1
  • the substrate transfer robot 11B Process 9 in Table 1
  • the substrate transfer robot 11B Process 9 in Table 1
  • the CoFeB layer 47 which is a ferromagnetic material
  • the process chamber having the longest tact time is 180 seconds in the sputtering film forming chamber 13B.
  • the throughput is rate-determined, so that the derived throughput is 20 sheets / hour.
  • tac time refers to the time from when a substrate is loaded into a certain chamber to processing and after it is unloaded from a certain chamber.
  • the throughput means the number of workpieces of a substrate that can be processed within a unit time.
  • the sputtering film forming chamber 13B and the sputtering film forming chamber 13D have the spare sputtering cathode 31, the PtMn and Ru targets are respectively attached to the cathodes 31 of the respective chambers 13B and 13D, and the two sputtering cathodes 31 are simultaneously attached. Since the film formation rate is doubled by using the co-sputtering method to discharge, the film formation time of PtMn of Process 6 in Table 1 and Ru of Process 10 in Table 1 is reduced by half. be able to.
  • the process time table is as shown in Process 6 and Process 10 in Table 2 above, and although it is still the sputtering film forming chamber 13B that determines the rate, the tact time of the sputtering film forming chamber 13B is reduced from 180 seconds to 140 seconds.
  • the tact time of the sputtering film forming chamber 13D is shortened from 145 seconds to 110 seconds. Therefore, the throughput was improved to 25.7 sheets / hour.
  • Table 3 shows a time table when the tunnel magnetoresistive element shown in FIG. 5 is formed using the sputtering apparatus described in Patent Document 1.
  • the takt time of the sputtering film forming chamber C is 295 seconds, and the throughput is 12.2. Note that the throughputs shown in Table 1 and Table 2 are maintained as long as the sputtering target is arranged so that sequential transport of the substrate 25 is realized even if the position of the process chamber is changed in FIG.
  • FIG. 6 is a view showing a manufacturing apparatus according to another embodiment of the present invention applied to manufacture the tunnel magnetoresistive element shown in FIG.
  • the transfer chamber 12 having three substrate transfer robots 11A, 11B, and 11C as a substrate transfer mechanism, seven sputtering film forming chambers 13A to 13G and oxides and contaminants on the surface of the substrate 25 are obtained by reverse sputter etching.
  • the etching chamber 14 for removal and the two load lock chambers 15A and 15B are connected.
  • the sputtering film forming chamber 13C includes five sputtering cathodes, and the sputtering film forming chamber 13E includes two sputtering cathodes.
  • the sputtering film forming chambers 13A, 13B, 13D, 13F, and 13G have one sputtering cathode.
  • a first sputtering film formation chamber (sputtering film formation chambers 13C and 13E) having two or more cathodes includes the magnetization fixed layer, the magnetization free layer, and a part of the protective layer (Ta layer 47). Used when forming.
  • a second sputtering film forming chamber (sputtering film forming chambers 13A, 13B, 13D, 13F, and 13G) having one sputtering cathode includes the underlayer, the antiferromagnetic layer, the nonmagnetic insulating layer, and the protective layer. It is used when forming a layer other than a part of the layer (Ta layer 50).
  • the process chamber (etching chamber 14) is used for etching. Note that two or more targets made of the same material may be provided in the first sputtering film formation chamber for co-sputtering.
  • a Ta target is installed in the sputtering film forming chamber 13A
  • a PtMn target is installed in the sputtering film forming chamber 13B
  • two CoFeB targets 31 are installed in the sputtering film forming chamber 13C. The remaining one is reserved as a spare.
  • Two CoFeB targets 31 are used for co-sputtering.
  • An MgO target is attached to the sputtering film formation chamber 13D
  • a CoFeB target and a Ta target are attached to the sputtering film formation chamber 1313E
  • one Ru and Ta target are attached to each of the sputtering film formation chambers 13F and 13G.
  • Table 4 shows the process time table in this example.
  • the film formation procedure of the tunnel magnetoresistive element shown in FIG. 5 will be described along the process time table in Table 4 above.
  • the unprocessed substrate 25 is transferred from the load lock chamber 15A to the etching chamber 14 using the substrate transfer robot 11A (Process 1 in Table 4).
  • the etching chamber 14 oxides and contaminants on the surface of the substrate 25 are subjected to reverse sputter etching. Remove (Process 2 in Table 4).
  • the substrate 25 is mounted on the mounting table 35A in the transfer chamber 12 by the substrate transfer robot 11A (Process 3 in Table 4).
  • the substrate 25 is carried into the sputtering film forming chamber 13A by the substrate transfer robot 11B, and a 20 nm-thick Ta layer 41 is formed on the substrate 25 as a base layer (Process 4 in Table 4).
  • the substrate 25 is mounted on the mounting table 35B in the transfer chamber 12 by the substrate transfer robot 11B (Process 5 in Table 4).
  • a PtMn layer 42 having a film thickness of 15 nm is formed as an antiferromagnetic material on the substrate 25 by a sputtering method (Process 6 in Table 4).
  • the substrate is carried into the sputtering film forming chamber 13C by the substrate transfer robot 11C (Process 7 in Table 4), and the CoFeB layer 45 that is a ferromagnetic material is 3 nm and the MgO layer 46 that is an oxide is formed on the substrate 25.
  • the CoFeB layer 45 which is a ferromagnetic material having a thickness of 3 nm, is formed by co-sputtering (Process 8 in Table 4).
  • the substrate 25 is carried into the sputtering film forming chamber 13D by the substrate transfer robot 11C (Process 9 in Table 4), and an MgO layer 46 that is an oxide is sputtered to a thickness of 1.2 nm on the substrate 25. (Process 10 in Table 4).
  • the substrate 25 is carried into the sputtering film forming chamber 13E by the substrate transfer robot 11C (Process 11 in Table 4), and the CoFeB layer 47, which is a ferromagnetic material, is again 3 nm, and an extremely thin Ta layer of 1.5 nm thereon. 48 is deposited (Process 12 in Table 4).
  • the substrate 25 is carried into the sputtering film forming chamber 13F by the substrate transfer robot 11B (Process 13 in Table 4), and a 10 nm Ru layer 49 is formed (Process 14 in Table 4).
  • the substrate 25 is carried into the sputtering film forming chamber 13G by the substrate transfer robot 11B (Process 15 in Table 4), and a 50 nm Ta layer 50 is formed (Process 16 in Table 4).
  • the substrate 25 is applied to the load lock chamber 15B by the transfer robot 11A (Process 17 in Table 4).
  • the tunnel magnetoresistive element shown in FIG. 5 is formed according to the process time table of Table 5, the tact time in each chamber is made more uniform, and the sputtering film forming chamber B having the longest tact time is obtained.
  • the tact time was 100 seconds.
  • sequential substrate transfer is realized, and thus the derived throughput is improved to 36 sheets / hour.
  • the throughput shown in Table 4 is maintained as long as the sputtering target is arranged so that sequential substrate transfer is realized.
  • Table 5 shows a time table when the tunnel magnetoresistive element shown in FIG. 5 is formed using the sputtering apparatus described in Patent Document 4.
  • the sputtering film forming chamber described in Patent Document 4 has only one target material (Ta) installed in the first vacuum chamber 110. Therefore, when the tunnel magnetoresistive element shown in FIG. 5 is formed using the sputtering apparatus of the sputtering apparatus described in Patent Document 4, layers other than Ta must be formed in the second vacuum chamber 112. In addition, since the sputtering apparatus described in Patent Document 4 does not have a process chamber for performing processes other than sputtering, the process 12 (oxidation process) in Table 5 cannot be performed. Therefore, Table 5 assumes a case where the tunnel magnetoresistive element shown in FIG. 5 is formed in the manufacturing apparatus shown in FIG. 1 in which a process chamber is provided in the sputtering apparatus described in Patent Document 4.
  • the tact time (the total time of the second vacuum chamber 112 in the case of Patent Document 4) of the sputtering apparatus described in Patent Document 4 is 405 seconds, and the throughput is 8.8 (sheets / hour). It turns out that it is remarkably bad compared with the apparatus structure of FIG. 1 which concerns on one Embodiment of this invention. Further, in the case of the sputtering apparatus described in Patent Document 4, since the substrate is transported twice to the same process chamber in a series of film forming processes, so-called sequential substrate transport cannot be realized.
  • Table 6 shows a time table when the tunnel magnetoresistive element shown in FIG. 5 is formed using the sputtering apparatus described in Patent Document 5.
  • Table 6 shows a process time table in the sputtering apparatus described in Patent Document 5.
  • the sputtering system 600 disclosed in Patent Document 5 cannot perform oxidation processes because there is no process chamber for performing processes other than sputtering. Further, using the sputtering system 600 disclosed in Patent Document 5, all the film formation from MgO to CoFeB, Ta, and Ru in Table 6 above is performed using multi-target ions, while realizing so-called sequential substrate transfer. Must be done with a beam sputtering module 608. Then, in addition to the MgO film formation, which has a low sputtering rate and takes a long time for film formation, the three metal layers are formed in the same chamber, so the tact time is 445.0 seconds and the throughput is 8 It will be 1 sheet / hour.

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Abstract

　本発明は、１つの多層薄膜の中において同一膜種が複数層ある場合であっても、所謂シーケンシャルな基板搬送が実現でき、スループットを向上することが可能な製造装置を提供する。本発明の一実施形態に係る製造装置は、搬送チャンバー（１２）と、１つのスパッタリングカソードを備えた３つのスパッタリング成膜チャンバー（１３Ａ、１３Ｃ、１３Ｅ）と、２つ以上のスパッタリングカソードを備えた２つのスパッタリング成膜チャンバー（１３Ｂ，１３Ｄ）と、スパッタリング以外のプロセスを行うためのプロセスチャンバー（１４）とを備え、上記３つのスパッタリング成膜チャンバー（１３Ａ、１３Ｃ、１３Ｅ）と、上記２つのスパッタリング成膜チャンバー（１３Ｂ、１３Ｄ）と、プロセスチャンバー（１４）とは、それぞれが搬送チャンバー（１２）と基板の受け渡しができるように、搬送チャンバー（１２）の周囲に配置されている。

Description

製造装置
　本発明は、製造装置に関し、特に磁気ディスク駆動装置の磁気再生ヘッド、磁気ランダムアクセスメモリの記憶素子、磁気センサー等として用いられる磁気抵抗素子、半導体メモリの記憶素子等、多層薄膜を応用したデバイスの製造Ｐｒｏｃｅｓｓに好適な多層薄膜の製造装置に関する。
　従来の多層薄膜の成膜装置は、１つのスパッタリング成膜チャンバーに多層薄膜中の膜種と同数もしくはそれ以上の数のスパッタリングカソードを備えた形態（特許文献１参照）や、複数のスパッタリングカソードを備えたスパッタリング成膜チャンバーを複数備えた所謂クラスターシステムの形態（特許文献２参照）を成していた。
　別の形態として、１つのスパッタリングカソードを備えたスパッタリング成膜チャンバーを少なくとも多層薄膜中の膜種と同数だけ備えたクラスターシステムの形態（特許文献３参照）を成していた。
　更に、別の形態として、図８に示すように、１つのターゲット１１６ａを設置した第１の真空チャンバー１１０と、４つのターゲット１１６ｂ、１１６ｃ、１１６ｄ、１１６eを設置した第２の真空チャンバー１１２と、これら２つの真空チャンバー１１０、１１２を連結する搬送室１１４とを備えるスパッタ装置を用いて、基板上に磁気抵抗素子からなる多層膜を成膜するスパッタ装置が開示されている（特許文献４参照）。
　更に、別の形態として、特許文献５に開示されているスパッタリング・システム６００について、図９を用いて説明する。図９のスパッタリング・システム６００は、第１シングル・ターゲットＤＣマグネトロン・スパッタリング・モジュール６０４、マルチ・ターゲットＤＣスパッタリング・モジュール６０６、マルチ・ターゲット・イオン・ビーム・スパッタリング・モジュール６０８、及び第２シングル・ターゲットＤＣマグネトロン・スパッタリング・モジュール６１０を含む。ロードロック６１６は、ウェハーのイングレス（ｉｎｇｒｅｓｓ）及びエグレス（ｅｇｒｅｓｓ）を可能にする。コントロール・パネル６１４は、スパッタリング・システム６００のパラメータ及びプロセスを制御する。
　まず、図９記載のスパッタリング・システム６００を用いて作製するスピンバルブ・センサ３００について、図１０を用いて説明する。図１０記載のスピンバルブ・センサ３００は、基板３０２、底部シールド層３１１（Ｎｉ－Ｆｅ膜）、底部ギャップ層３０４（Ａｌ２Ｏ３膜）、多重シード層３０６（第１シード層Ａｌ２Ｏ３膜、第２シード層Ｎｉ－Ｃｒ－Ｆｅ膜、第３シード層Ｎｉ－Ｆｅ膜）、反強磁性ピニング層３０８（Ｐｔ－Ｍｎ膜）、Ｃｏ－Ｆｅ膜３１０、Ｒｕ膜３１２、Ｃｏ－Ｆｅ膜３１４、スペーサ層３１６（Ｃｕ(Ｃｕ－Ｏ)膜）、Ｃｏ－Ｆｅ膜３１８、Ｎｉ－Ｆｅ膜３２０、キャップ層３２２（Ａｌ膜（Ａｌ－Ｏ））、上部ギャップ層３２４（Ａｌ２Ｏ３膜）、上部シールド層（Ｎｉ－Ｆｅ膜）３２５とを有している。なお、図１０においては、強磁性検出層３０７（「フリー層」という。）がスペーサ層３１６によって強磁性ピンド層３０９から分離されて示される。図１０に示すスピンバルブ・センサ３００では、ピンド層（ｐｉｎｎｅｄ　ｌａｙｅｒ）３０９が、ピニング層（ｐｉｎｎｉｎｇ　ｌａｙｅｒ）と呼ばれる反強磁性膜と交換結合することによってそれの磁化を拘束され、「検出（ｓｅｎｓｉｎｇ）」層又は「フリー（ｆｒｅｅ）」層３０７と呼ばれる別の強磁性膜の磁化は固定されず、記録された磁気媒体からの磁界（信号磁界）に応答して自由に回転する。
　次に、図９記載のスパッタリング・システム６００を用いて、スピンバルブ・センサ３００を作製する方法について説明する。まず、底部ギャップ層３０４が、第１シングル・ターゲットＤＣマグネトロン・スパッタリング・モジュール６０４においてウェハーの上に形成される。しかる後、多重シード層３０６を積層するために、ウェハーが第２シングル・ターゲットＤＣマグネトロン・スパッタリング・モジュール６１０に移され、第１シード層Ａｌ２Ｏ３膜が積層される。しかる後、それぞれ、第２シード層Ｎｉ－Ｆｅ－Ｃｒ膜及び第３シード層Ｎｉ－Ｆｅ膜を積層するために、ウェハーがマルチ・ターゲット・イオン・ビーム・スパッタリング・モジュール６０８に移され、Ｎｉ－Ｃｒ－Ｆｅ膜及びＮｉ－Ｆｅ膜が積層される。しかる後、ウェハーは、スピンバルブ・センサの残りの層を積層するためにマルチ・ターゲットＤＣマグネトロン・スパッタリング・モジュール６０６に移される。残りの層は、Ｐｔ－Ｍｎ膜３０８、Ｃｏ－Ｆｅ膜３１０、Ｒｕ膜３１２、Ｃｏ－Ｆｅ膜３１４、Ｃｕ（Ｃｕ－Ｏ）膜３１６、Ｃｏ－Ｆｅ膜３１８、Ｎｉ－Ｆｅ膜３２０、Ａｌ（Ａｌ－Ｏ）膜３２２を含む。それらの積層後、ウェハーはアニールされ、Ｔａ膜が積層される。
特開２００２－１６７６６１号公報 特開平０８－２３９７６５号公報 特開２００７－３１１４６１号公報 特開２０００－２６９５６８号公報 特開２００３－１５８３１３号公報
　近年の多層薄膜応用デバイスでは積層数の増加に加えて、多層薄膜を形成する膜の間で膜厚が桁違いに異なるものや、金属膜、絶縁膜および半導体膜を複合したものが用いられるようになっている。
　このような多層薄膜を複数のスパッタリングカソードを備えたスパッタリング成膜チャンバーを複数備えたクラスター型の製造装置（特許文献１，特許文献２）で成膜しようとすると、多層薄膜の中で膜厚が桁違いに厚い膜やスパッタ率が桁違いに低い酸化膜をスパッタリング成膜する時間は、他の薄い膜を成膜する時間に比べて長くなり、製造装置のスループットを律速する原因となっていた。特に、単一の元素を含む膜を成膜する場合には、複数のスパッタリングカソードは１つしか機能していないことになり、フットプリントの点でも問題があった。
　また、特許文献１及び特許文献２記載の製造装置を用いて、金属膜、絶縁膜および半導体膜を複合した多層薄膜の場合、金属膜が絶縁膜や半導体膜に混入するとデバイス特性を著しく低下させてしまうという、いわゆる層間の相互汚染問題があった。
　一方、１つのスパッタリングカソードを備えたスパッタリング成膜チャンバーを少なくとも多層薄膜中の膜種と同数だけ備えたクラスター型の製造装置（特許文献３）では、層間の相互汚染は回避できる。しかしながら、スパッタリング成膜チャンバーの数を多く必要とするため、製造装置が大型化してコストの増大、設置面積の増大、消費エネルギーの増大等の問題があった。また、特許文献３記載の製造装置では、複数の元素を含む膜を成膜することができないという問題があった。
　更に、特許文献４記載のスパッタ装置においては、１つの多層薄膜の中において同一膜種が複数層ある場合、層ごとにスパッタリングターゲットを配置していないので、一連の成膜Ｐｒｏｃｅｓｓにおいて基板が同じプロセスチャンバーに２度搬送されることになる。即ち、図８に示す特許文献４記載のスパッタ装置を用いて、Ｔａ／ＮｉＦｅ／ＣｏＦｅＢ／Ｃｕ／ＣｏＦｅＢ／ＰｄＰｔＭｎ／Ｔａを含む磁気抵抗効果膜を成膜する場合、次のように第１の真空チャンバー１１０に基板が２回搬送される。まずは第１の真空チャンバー１１０内でＴａをターゲットとしてスパッタして、基板表面にＴａ膜を形成し、該基板を第２の真空チャンバー１１２まで搬送した後、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅＢ、Ｃｕ、ＰｄＰｔＭｎをターゲットとしてスパッタして、ＮｉＦｅ膜、ＣｏＦｅＢ膜、Ｃｕ膜、ＰｄＰｔＭｎ膜を成膜した後、再度、基板を第１の真空チャンバー１１０まで搬送し、第１の真空チャンバー１１０内でＴａをターゲットとしてスパッタして、基板表面にＴａ膜を形成しなければならない。このように、特許文献４記載のスパッタ装置の場合、一連の成膜Ｐｒｏｃｅｓｓにおいて基板が同じプロセスチャンバーに２度搬送されることになるため、スループットの点で問題があった。更に、所謂シーケンシャルな基板搬送が実現できない問題があった。
　更に、図９に示す特許文献５のスパッタリング・システム６００では、ウェハーは、第１シングル・ターゲットＤＣマグネトロン・スパッタリング・モジュール６０４、第２シングル・ターゲットＤＣマグネトロン・スパッタリング・モジュール６１０、マルチ・ターゲット・イオン・ビーム・スパッタリング・モジュール６０８、マルチ・ターゲットＤＣスパッタリング・モジュール６０６の順序で搬送され、図１１に記載のスピンバルブ・センサ３００が作製される。従って、特許文献５のスパッタリング・システム６００は、特許文献４記載のスパッタ装置と比べ、所謂シーケンシャルな基板搬送が実現している。
　しかし、特許文献５のスパッタリング・システム６００では、スピンバルブ・センサ３００の反強磁性ピニング層３０８（Ｐｔ－Ｍｎ膜）からキャップ層３２２（Ａｌ膜（Ａｌ－Ｏ））までの成膜を、マルチ・ターゲットＤＣスパッタリング・モジュール６０６により行う。
　一般的に、スピンバルブ・センサ３００においては、反強磁性ピニング層３０８（Ｐｔ－Ｍｎ膜）の膜厚（１０ｎｍから２０ｎｍ）は他の層、例えば、Ｃｏ－Ｆｅ膜３１８の膜厚（（１ｎｍから５ｎｍ）に比較して、1桁高い。従って、マルチ・ターゲットＤＣスパッタリング・モジュール６０６での成膜時間（「タクトタイム」ともいう）は、第１シングル・ターゲットＤＣマグネトロン・スパッタリング・モジュール６０４、第２シングル・ターゲットＤＣマグネトロン・スパッタリング・モジュール６１０、マルチ・ターゲット・イオン・ビーム・スパッタリング・モジュール６０８の成膜時間と比較して著しく長くなる。スループットは、単位時間内の処理できる基板のワーク数量（タクトタイム）により決まる。従って、仮に、第１シングル・ターゲットＤＣマグネトロン・スパッタリング・モジュール６０４、第２シングル・ターゲットＤＣマグネトロン・スパッタリング・モジュール６１０、マルチ・ターゲット・イオン・ビーム・スパッタリング・モジュール６０８のタクトタイムが短かったとしても、マルチ・ターゲットＤＣスパッタリング・モジュール６０６のタクトタイムが長ければ、スループットは、マルチ・ターゲットＤＣスパッタリング・モジュール６０６のタクトタイムにより、決まる。その結果、特許文献５のスパッタリング・システム６００は、スループットの点で依然問題があった。
　本発明は、１つの多層薄膜の中において同一膜種が複数層ある場合であっても、所謂シーケンシャルな基板搬送が実現でき、スループットを向上することが可能な製造装置の提供を目的としている。
　このような目的を達成するために、本発明の一態様は、基板上に多層膜を成長させる製造装置であって、基板搬送機構を備えた搬送チャンバーと、１つのスパッタリングカソードを備えた第１のスパッタリング成膜チャンバーと、１つのスパッタリングカソードを備えた第２のスパッタリング成膜チャンバーと、１つのスパッタリングカソードを備えた第３のスパッタリング成膜チャンバーと、２つ以上のスパッタリングカソードを備えた第４のスパッタリング成膜チャンバーと、２つ以上のスパッタリングカソードを備えた第５のスパッタリング成膜チャンバーと、スパッタリング以外のプロセスを行うためのプロセスチャンバーとを備え、前記第１のスパッタリング成膜チャンバーと、前記第２のスパッタリング成膜チャンバーと、前記第３のスパッタリング成膜チャンバーと、前記第４のスパッタリング成膜チャンバーと、前記第５のスパッタリング成膜チャンバーと、前記プロセスチャンバーとは、それぞれが前記搬送チャンバーと基板の受け渡しができるように、前記搬送チャンバーの周囲に配置されていることを特徴とする。
　本発明によれば、１つのスパッタリングカソードを備えた第１のスパッタリング成膜チャンバーと、１つのスパッタリングカソードを備えた第２のスパッタリング成膜チャンバーと、１つのスパッタリングカソードを備えた第３のスパッタリング成膜チャンバーと、２つ以上のスパッタリングカソードを備えた第４のスパッタリング成膜チャンバーと、２つ以上のスパッタリングカソードを備えた第５のスパッタリング成膜チャンバーと、スパッタ以外のプロセスを行うプロセスチャンバーとが搬送チャンバーの周囲に配置されている。従って、１つの多層薄膜の中において同一膜種が複数層ある場合であっても、所謂シーケンシャルな基板搬送が実現でき、スループットを向上することが可能となる。
本発明の一実施形態に係る多層薄膜の製造装置の第１の例を示す構成図である。 本発明の一実施形態に係る複数のスパッタリングカソードを備えたスパッタリング成膜チャンバーの一例を示す構成図である。 本発明の一実施形態に係る１つのスパッタリングカソードを備えたスパッタリング成膜チャンバーの一例を示す構成図である。 本発明の一実施形態に係るスパッタリングターゲットの表面が基板面と略平行になるようにスパッタリングカソードを搭載したスパッタリング成膜チャンバーの一例を示す構成図である。 本発明の一実施形態に係る製造装置を用いて作製したトンネル磁気抵抗素子の膜構成図である。 本発明の一実施形態に係る多層薄膜の製造装置の第２の例を示す構成図である。 本発明の一実施形態に適用可能なプロセスチャンバーの内部構造を示す構成図である。 従来（特許文献４）の多層薄膜の製造装置の一例を示す構成図である。 従来（特許文献５）の多層薄膜の製造装置の一例を示す構成図である。 従来（特許文献５）の多層薄膜の製造装置により作成するスピンバルブ・センサの一例を示す構成図である。
　本発明の実施の形態に係わる多層膜の製造装置について図面を用いて説明する。
　図１は、本発明の一実施形態に係る多層薄膜の製造装置の第１の例を示す構成図である。図１の製造装置は、多層薄膜の成膜において、低コストを維持しながらスループットを向上し、さらに層間の相互汚染を防止ないしは低減することによってデバイス特性の低下を抑制するのに適したものである。
　本発明の製造装置の特徴点は、基板搬送機構を備えた搬送チャンバーの周囲に、スパッタリング以外のプロセスを行うためのプロセスチャンバー（エッチングチャンバー１４）と、１つのスパッタリングカソードを備えた第１のスパッタリング成膜チャンバー（スパッタリング成膜チャンバー１３Ａ）と、１つのスパッタリングカソードを備えた第２のスパッタリング成膜チャンバー（スパッタリング成膜チャンバー１３Ｃ）と、１つのスパッタリングカソードを備えた第３のスパッタリング成膜チャンバー（スパッタリング成膜チャンバー１３Ｅ）と、２つ以上のスパッタリングカソードを備えた第４のスパッタリング成膜チャンバー（スパッタリング成膜チャンバー１３Ｂ）と、２つ以上のスパッタリングカソードを備えた第５のスパッタリング成膜チャンバー（スパッタリング成膜チャンバー１３Ｄ）とを配置したことである。なお、図１では、基板搬送機構を備えた搬送チャンバーの周囲に、１つのスパッタリングカソードを備えたスパッタリング成膜チャンバーが３つ、２つ以上のスパッタリングカソードを備えたスパッタリング成膜チャンバーが２つ、スパッタリング以外のプロセスを行うためのプロセスチャンバーが１つ、それぞれ設けられている。後述するように、スループットの向上の観点からは、１つのスパッタリングカソードを備えたスパッタリング成膜チャンバーは３つ以上必要である。
　図１では、基板搬送機構１１として２つの基板搬送ロボット１１Ａ、１１Ｂを備えた搬送チャンバー１２に、１３Ａ～１３Ｅまでの５つのスパッタリング成膜チャンバーと、基板２５表面の酸化物および汚染物を逆スパッタエッチングにより除去するためのエッチングチャンバー１４、および２つのロードロック室１５Ａ、１５Ｂを接続している。スパッタリング成膜チャンバー１３Ａ～１３Ｅのうち、１３Ａと１３Ｃと１３Ｅは１つのスパッタリングカソード３１を備え、１３Ｂと１３Ｄは５つのスパッタリングカソード３１を備えている。尚、図１記載の基板搬送機構１１としての基板搬送ロボットは１つでもよい。
　上記に挙げた全てのチャンバーとロードロック室１５Ａ、１５Ｂは、各々チャンバー内を真空に排気するための真空ポンプを有していることが好ましく、ロードロック室１５Ａ、１５Ｂ以外のチャンバーは常時真空に維持されている。なお、後述する全ての実施例において、全てのチャンバーとロードロック室が真空ポンプを有していることを前提としている。
　ロードロック室１５Ａ、１５Ｂは、プロセス前に基板２５を大気から入れる場合と、プロセス後に基板２５を大気に出す場合とは、大気圧と同等の圧力に維持される。一方、ロードロック室１５Ａ、１５Ｂに配置した基板２５を真空に排気された搬送チャンバー１２内に搬入する場合と、プロセス後に搬送チャンバー１２から基板２５を回収する場合は真空に排気されている。ロードロック室１５Ａ、１５Ｂは必ずしも２つある必要は無く１つでも良い。
　スパッタリング成膜チャンバー１３Ａとスパッタリング成膜チャンバー１３Ｂとスパッタリング成膜チャンバー１３Ｃとスパッタリング成膜チャンバー１３Ｄとスパッタリング成膜チャンバー１３Ｅとプロセスチャンバー１４とロードロック室１５Ａ、１５Ｂのそれぞれの室の間にはゲートバルブ１６が設けられている。各ゲートバルブ１６は基板２５を搬送する場合以外は閉じられている。基板搬送ロボット１１はロードロック室１５Ａ、１５Ｂから基板２５を取り出し、コンピュータプログラムからの命令によって所望のチャンバーに基板２５を搬入するように構成されている。
　複数のスパッタリングカソード３１を備えたスパッタリング成膜チャンバー１３Ｂ、スパッタリング成膜チャンバー１３Ｄは、図２に示すようにスパッタリング成膜チャンバー１３Ｂ、１３Ｄの上部に複数のスパッタリングカソード３１を配置している。スパッタリング成膜チャンバー１３Ｂ、１３Ｄ内部の下方にはスパッタリング成膜チャンバー１３Ｂ、１３Ｄ外部に備えられた動力源（不図示）によって回転可能な基板ステージ３３が設けられている。少なくとも成膜時には基板ステージ３３の上に薄膜を堆積させるための基板２５を載置する。各スパッタリングカソード３１は多層薄膜を形成する各層の膜種に応じた材料のスパッタリングターゲット３２を備え、図２ではスパッタリングターゲット３２の表面が基板ステージ３３の略中心方向を向くように斜めに配置されている。ただし必ずしも斜めに配置する必要はなく、スパッタリングターゲット３２の表面が基板２５面と略平行になるように配置しても構わない。
　本成膜チャンバーにおいて薄膜を成膜する場合には、好ましくは基板ステージ３３を回転させながら、所望のスパッタリングカソード３１にＤＣもしくはＲＦ電力を投入し、所望の膜厚に達したら電力の供給を切断する。基板２５とスパッタリングターゲット３２の間にシャッターを配置しておき、電力投入をし続けたままシャッターの開閉によって膜厚を制御しても良い。多層薄膜を成膜する場合は、回転する基板ステージ３３上に基板を載置させたまま上記の成膜操作を順次行えば良い。なお、図１においては、スパッタリング成膜チャンバー１３Ｂには４種類のターゲット３１が設置され、その材質はＰｔＭｎ、ＣｏＦｅ、Ｒｕ，ＣｏＦｅＢである。また、ゲートバルブ１６が、Ｏリング３４を介してスパッタリング成膜チャンバー１３Ｂの側壁に設けられている。また、スパッタリング成膜チャンバー１３Ｄには４種類のターゲット３１が設置され、その材質はＰｔＭｎ、ＣｏＦｅ、Ｒｕ，ＣｏＦｅＢである。また、ゲートバルブ１６が、Ｏリング３４を介して真空チャンバー１３Ａの側壁に設けられている。
　１つのスパッタリングカソード３１を備えたスパッタリング成膜チャンバー１３Ａ、１３Ｃ、１３Ｅは、図３に示すように、複数のスパッタリングカソードを備えたスパッタリング成膜チャンバーにおいてスパッタリングカソードを１つにするだけで良く、成膜操作も同様に行えば良い。好ましくは、スパッタリングカソードの大きさを複数のスパッタリングカソードを備えたスパッタリング成膜チャンバーに搭載するスパッタリングカソードよりも大きなものを搭載して、高い成膜レートが得られるようにする。または、図４に示すようにスパッタリングターゲットの表面が基板面と略平行になるようにスパッタリングカソードを搭載しても良い。この場合は特に基板ステージを回転する必要はない。なお、図１において、スパッタリング成膜チャンバー１３Ａには１種類のターゲット３２が設置され、その材質は、酸化物膜又は窒化物膜又は半導体膜を形成可能な材質である。また、スパッタリング成膜チャンバー１３Ｃには１種類のターゲット３２が設置され、その材質は、膜厚が１０ｎｍ以上の金属膜を形成可能な材質である。また、スパッタリング成膜チャンバー１３Ｅには１種類のターゲット３２が設置され、その材質は、膜厚が１０ｎｍ以上の金属膜を形成可能な材質である。なお、図１において、スパッタリング成膜チャンバー１３Ａに、膜厚が１０ｎｍ以上の金属膜を形成可能な材質で形成されたターゲットを設置し、スパッタリング成膜チャンバー１３Ｃ、スパッタリング成膜チャンバー１３Ｅのいずれかに酸化物膜又は窒化物膜又は半導体膜を形成可能な材質で形成されたターゲットを設置してもよい。すなわち、１つのスパッタリングカソードを備えたスパッタリング成膜チャンバー１３Ａ，１３Ｃ、１３Ｅの少なくとも１つにおいて、他の膜に対して膜厚が厚い（例えば、１０ｎｍ以上）膜を成膜すれば良い。
　スパッタリング成膜以外のプロセスを行うプロセスチャンバー１４は、搬送チャンバー１２に接続されている。該プロセスチャンバー１４としては、プラズマ、イオンビーム、原子ビーム、分子ビーム、ガスクラスタービームによって基板もしくは基板上に形成された薄膜を除去するためのプロセスチャンバーを採用することができる。他には例えば、プロセスチャンバー１４として、化学的気相成長法によって基板もしくは基板上に形成された薄膜上に薄膜を形成するためのプロセスチャンバー、ガス、中性活性種、イオンまたはそれらの混合雰囲気の中で基板もしくは基板上に形成された薄膜を化学反応させるためのプロセスチャンバー、基板を加熱、または冷却、または加熱と冷却を行うためのプロセスチャンバーを採用しても良い。
　プロセスチャンバー１４の内部構造が図７に示される。プロセスチャンバー１４は真空槽２１を備えており、この真空槽２１内には上部電極２２と下部電極２３が設けられている。上部電極２２は接地され、下部電極２３はマッチングボックス２４を介してＲＦ電源（高周波電源）６０に接続されている。下部電極２３の上に基板２５が搭載される。プラズマ生成条件が成立した状態で、上部電極２２と下部電極２３の間でプラズマ２６が生成される。
　上記プロセスチャンバー１４の処理動作の代表的な例としては、真空槽２１の内部に０．０７５ＰａのＡｒガスを導入し、下部電極２３に１５Ｗ（単位面積当たり０．０２９Ｗ／ｃｍ２）のＲＦ電力を投入してプラズマ２６を発生させ、さらに基板バイアス電圧（Ｖｄｃ）が０Ｖよりも小さくかつ－３００Ｖ以上の範囲に含まれる電圧となる条件でプラズマ処理を行うことが挙げられる。基板バイアス電圧の上限値は－２～－３Ｖが好ましく、最も好ましい電圧は－１５Ｖから基板バイアス電圧の上限値までの範囲に含まれる電圧である。この電圧はプラズマを発生させることが可能な電圧である。真空槽２１に導入されるプロセスガスとしてはＡｒの代わりにＫｒ，Ｘｅ，Ｎｅ等の不活性ガスあるいはこれに類似するガスを用いることもできる。プロセスチャンバー１４におけるプロセスガスの圧力としては、０．０１～１００Ｐａの範囲の低い圧力に設定される。
　次に本発明の実施例について図面を用いて説明する。
　（第１の実施例）　
　図５は本発明の一実施形態に係る製造装置を用いて作製したトンネル磁気抵抗素子（磁気抵抗多層膜）の膜構成図である。基板２５上に、Ｔａ層４１、ＰｔＭｎ層４２、ＣｏＦｅ層４３、Ｒｕ層４４、ＣｏＦｅＢ層４５、ＭｇＯ層４６、ＣｏＦｅＢ層４７、Ｔａ層４８層、Ｒｕ層４９、およびＴａ層５０を有する積層体が形成されている。すなわち、基板２５上に、下地層として膜厚２０ｎｍのＴａ層４１を形成し、次いで反強磁性材料であるＰｔＭｎ層４２を膜厚１５ｎｍで形成し、次いで強磁性体であるＣｏＦｅ層４３を膜厚２．５ｎｍで形成し、非磁性体のＲｕ層４４を膜厚０．９ｎｍで形成し、強磁性体であるＣｏＦｅＢ層４５を膜厚３ｎｍで形成し、酸化物であるＭｇＯ層４６を膜厚１．２ｎｍを形成する。次いで、再び強磁性体であるＣｏＦｅＢ層４７を膜厚３ｎｍで形成し、その上に膜厚１．５ｎｍの極薄いＴａ層４８を成膜した後に、膜厚１０ｎｍのＲｕ層４９と膜厚５０ｎｍのＴａ層５０を形成する。最下部Ｔａ膜４１と最上部Ｔａ膜５０の膜厚が際立って厚く、次いでＰｔＭｎ層４２と上方のＲｕ層４９の膜厚が厚い。一方、ＣｏＦｅ層４３から真中のＴａ層４７までは１層当たりの膜厚が３ｎｍ以下の薄い層が積層されている。またＭｇＯ層４６のみ酸化物である。図５において、Ｔａ層４１が下地層、ＰｔＭｎ層４２が反強磁性層、強磁性体ＣｏＦｅ層４３と非磁性体Ｒｕ層４４と強磁性体ＣｏＦｅＢ層４５との積層が磁化固定層、ＭｇＯ層４６が非磁性絶縁層、ＣｏＦｅＢ層４７が磁化自由層、Ｔａ層４８とＲｕ層４９とＴａ層５０との積層が保護層として機能する。
　図１は、このような多層薄膜の成膜において、低コストを維持しながらスループットを向上し、さらに層間の相互汚染を防止ないしは低減することによってデバイス特性の低下を抑制するのに適した製造装置である。　
　上記の通り、図１では、基板搬送機構を備えた搬送チャンバーの周囲に、１つのスパッタリングカソードを備えたスパッタリング成膜チャンバーが３つ、２つ以上のスパッタリングカソードを備えたスパッタリング成膜チャンバーが２つ、スパッタリング以外のプロセスを行うためのプロセスチャンバーが１つ、それぞれ設けられている。後述するように、スループットの向上の観点からは、１つのスパッタリングカソードを備えたスパッタリング成膜チャンバーは少なくとも３つ、２つ以上のスパッタリングカソードを備えたスパッタリング成膜チャンバーは少なくとも２つ必要である。
　図１の装置を使用して、図５記載のトンネル磁気抵抗素子（磁気抵抗多層膜）を製造する場合には、スパッタリング成膜チャンバー１３Ａと１３Ｅには共にＴａターゲット３２を取り付け、それぞれ図５に示す最下層のＴａ膜４１および最上層のＴａ膜４７を成膜するために用いる。スパッタリング成膜チャンバー１３ＢにはＰｔＭｎ、ＣｏＦｅ、Ｒｕ、ＣｏＦｅＢの４つのスパッタリングターゲット３２を取り付け、残りの１つのスパッタリングカソード３１は予備として空けている。スパッタリング成膜チャンバー１３ＣにはＭｇＯの焼結ターゲット３２を取り付けている。スパッタリング成膜チャンバー１３ＤにはＣｏＦｅＢ、Ｔａ，Ｒｕの３つのターゲット３２を取り付け、残りの２つのスパッタリングカソード３１は予備として空けている。
　１つの多層薄膜の中において同一膜種が複数層あっても層ごとにスパッタリングターゲット３２を配置しているのは、一連の成膜Ｐｒｏｃｅｓｓにおいて基板２５が同じプロセスチャンバーに２度搬送されることの無い、所謂シーケンシャルな基板搬送が実現するようにしているためである。すなわち、同種の層を膜厚を変えて複数形成する場合、薄い方を少なくとも３つの、１つのスパッタリングカソードを備えるスパッタリング成膜チャンバーの１つで形成し、厚い方を該３つのスパッタリング成膜チャンバーの他の成膜チャンバーで形成する。従って、同一のスパッタリング成膜チャンバーに２度搬送すること無く、同種であるが異なる膜厚の層を形成することができる。このようなシーケンシャルな基板２５搬送が実現すると、複数の基板２５の連続処理する場合のプロセスタイム横棒グラフにおいて各基板２５のプロセス時間棒をオーバーラップさせることができるため、スループットが大幅に向上する。スパッタリング成膜チャンバー１３Ａからスパッタリング成膜チャンバー１３Ｅとエッチングチャンバー１４とロードロック室１５Ａ、１５Ｂのそれぞれの室の間にはゲートバルブ１６が設けられている。なお、符号３５は２つの基板搬送ロボット１１Ａ、１１Ｂで基板２５を受け渡す際に、基板２５を一時的に載置する載置台であり、基板２５の位置合わせ及び基板２５のノッチ合わせ機構を別途備えてもよい。　
　以下の表１は、図１の装置構成におけるプロセスタイムテーブルを示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　表１のプロセスタイムテーブルに沿って、図５記載のトンネル磁気抵抗素子の成膜手順について説明する。未処理基板２５をロードロック室１５Ａから基板搬送ロボット１１Ａを用いて（表１のＰｒｏｃｅｓｓ１）、エッチングチャンバー１４に搬入し、エッチングチャンバー１４において、基板２５表面の酸化物および汚染物を逆スパッタエッチングにより除去（表１のＰｒｏｃｅｓｓ２）する。次に、基板２５を基板搬送ロボット１１Ａにより、搬送チャンバー１２内の載置台３５に載置する（表１のＰｒｏｃｅｓｓ３）。次に、基板搬送ロボット１１Ｂにより、基板２５をスパッタリング成膜チャンバー１３Ａに搬入し、基板２５上に下地層として膜厚２０ｎｍのＴａ層を成膜する（表１のＰｒｏｃｅｓｓ４）。次に、Ｔａ層が成膜された基板２５を基板搬送ロボット１１Ｂにより、スパッタリング成膜チャンバー１３Ｂに搬入し（表１のＰｒｏｃｅｓｓ５）、基板２５上に、反強磁性材料であるＰｔＭｎ層４２を１５ｎｍ、次いで強磁性体であるＣｏＦｅ層４３を２．５ｎｍ、非磁性体のＲｕ層４４を０．９ｎｍ、強磁性体であるＣｏＦｅＢ層４５を３ｎｍ成膜する（表１のＰｒｏｃｅｓｓ６）。次に、基板２５を、基板搬送ロボット１１Ｂにより、スパッタリング成膜チャンバー１３Ｃに搬入し（表１のＰｒｏｃｅｓｓ７）、酸化物であるＭｇＯ層４６を１．２ｎｍ成膜する（表１のＰｒｏｃｅｓｓ８）。次に、基板２５を、基板搬送ロボット１１Ｂにより、スパッタリング成膜チャンバー１３Ｄに搬入し（表１のＰｒｏｃｅｓｓ９）、基板２５に、再び強磁性体であるＣｏＦｅＢ層４７を３ｎｍ、その上に１．５ｎｍの極薄いＴａ層４８を成膜した後に、１０ｎｍのＲｕ層４９と５０ｎｍのＴａ層５０を成膜する（表１のＰｒｏｃｅｓｓ１０）。次に、基板２５を、基板搬送ロボット１１Ｂにより、スパッタリング成膜チャンバー１３Ｅに搬入し（表１のＰｒｏｃｅｓｓ１１）、５０ｎｍのＴａ層５０を成膜する（表１のＰｒｏｃｅｓｓ１２）。次に、基板２５を基板搬送ロボット１１Ａにより、ロードロック室１５Ｂに搬入する（表１のＰｒｏｃｅｓｓ１３）。
　表１のプロセスタイムテーブルに示すように、タクトタイムが最も長くなるプロセスチャンバーはスパッタリング成膜チャンバー１３Ｂで１８０秒である。これによってスループットが律速されるため、導き出されるスループットは２０枚／時間となった。なお、本明細書において、「タクトタイム（Ｔａｋｔ　ｔｉｍｅ）」とは、基板があるチャンバーに搬入されてから処理された後、あるチャンバーから搬出されるまでの時間をいう。また、本明細書において、スループットとは、単位時間内に処理できる基板のワーク数量をいう。
　上記のとおり、スパッタリング成膜チャンバー１３Ｂおよびスパッタリング成膜チャンバー１３Ｄは予備のスパッタリングカソード３１があるため、それぞれのチャンバー１３Ｂ、１３Ｄのカソード３１にＰｔＭｎとＲｕターゲットをそれぞれ取り付けて２つのスパッタリングカソード３１を同時に放電させるコスパッタリング（ｃｏ－Ｓｐｕｔｅｒ）法を利用することによって成膜レートが２倍に上がるため、それぞれ表１のＰｒｏｃｅｓｓ６のＰｔＭｎと表１のＰｒｏｃｅｓｓ１０のＲｕの成膜時間を１／２に短縮することができる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
　その場合のプロセスタイムテーブルは上記表２のＰｒｏｃｅｓｓ６及びＰｒｏｃｅｓｓ１０のようになり、律速するのは依然としてスパッタリング成膜チャンバー１３Ｂであるものの、スパッタリング成膜チャンバー１３Ｂのタクトタイムは１８０秒から１４０秒まで短縮され、スパッタリング成膜チャンバー１３Ｄのタクトタイムは１４５秒から１１０秒に短縮される。従って、スループットは２５．７枚／時間にまで向上した。　
　比較例として、表３に、特許文献１記載のスパッタリング装置を用いて、図５記載のトンネル磁気抵抗素子を形成した場合の、タイムテーブルを示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000003
　上記表３に示すように、スパッタリング成膜チャンバーＣのタクトタイムが２９５秒であり、スループットは、１２．２である。なお装置構成図１においてプロセスチャンバーの位置を入れ替えてもシーケンシャルな基板２５搬送が実現するようにスパッタリングターゲットを配置しさえすれば表１および表２に示したスループットは維持される。
　（第２の実施例）　
　第１の実施例においてＭｇＯ成膜用のスパッタリング成膜チャンバーを化学的気相成長法による成膜チャンバーに置き換えても同様の効果が得られる。
　（第３の実施例）　
　図６は、図５に示したトンネル磁気抵抗素子を作製するために適用した本発明の別の実施形態に係る製造装置を示す図である。基板搬送機構として３つの基板搬送ロボット１１Ａ、１１Ｂ、１１Ｃを備えた搬送チャンバー１２に、符号１３Ａ～１３Ｇまでの７つのスパッタリング成膜チャンバーと、基板２５表面の酸化物および汚染物を逆スパッタエッチングにより除去するためのエッチングチャンバー１４と、２つのロードロック室１５Ａ、１５Ｂとを接続している。スパッタリング成膜チャンバー１３Ａ～１３Ｇのうち、スパッタリング成膜チャンバー１３Ｃは５つのスパッタリングカソード、スパッタリング成膜チャンバー１３Ｅは２つのスパッタリングカソードを備える。一方、スパッタリング成膜チャンバー１３Ａ、１３Ｂ，１３Ｄ，１３Ｆ，１３Ｇは１つのスパッタリングカソードを備えている。２つ以上のカソードを備えた第１のスパッタリング成膜チャンバー（スパッタリング成膜チャンバー１３Ｃ、１３Ｅ）は、上記磁化固定層と上記磁化自由層と上記保護層の一部の層（Ｔａ層４７）を形成する際に使用する。１つのスパッタリングカソードを備えた第２のスパッタリング成膜チャンバー（スパッタリング成膜チャンバー１３Ａ、１３Ｂ、１３Ｄ、１３Ｆ、１３Ｇ）は、上記下地層と上記反強磁性層と上記非磁性絶縁層と上記保護層の一部以外の層（Ｔａ層５０）を形成する際に使用する。プロセスチャンバー（エッチングチャンバー１４）は、エッチングの際に使用する。なお、第１のスパッタリング成膜チャンバーには、コスパッタリング（ｃｏ－Ｓｐｕｔｅｒ）を行うための、同一の材料からなるターゲットを２つ以上設けてもよい。
　スパッタリング成膜チャンバー１３ＡにはＴａターゲット、スパッタリング成膜チャンバー１３ＢにはＰｔＭｎターゲット、スパッタリング成膜チャンバー１３ＣにはＣｏＦｅ、Ｒｕと、２つのＣｏＦｅＢターゲット３１を取り付け、残りの１つは予備として空けている。２つのＣｏＦｅＢターゲット３１はコスパッタリングのために使用する。スパッタリング成膜チャンバー１３ＤにはＭｇＯターゲット、スパッタリング成膜チャンバー１３１３Ｅには、ＣｏＦｅＢターゲットとＴａターゲットを取り付け、スパッタリング成膜チャンバー１３Ｆと１３ＧにはそれぞれＲｕとＴａターゲットを１つずつ取り付けている。
　本実施例におけるプロセスタイムテーブルを表４に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000004
　上記表４のプロセスタイムテーブルに沿って、図５記載のトンネル磁気抵抗素子の成膜手順について説明する。未処理基板２５をロードロック室１５Ａから基板搬送ロボット１１Ａを用いて（表４のＰｒｏｃｅｓｓ１）、エッチングチャンバー１４に搬入し、エッチングチャンバー１４において、基板２５表面の酸化物および汚染物を逆スパッタエッチングにより除去（表４のＰｒｏｃｅｓｓ２）する。次に、基板２５を基板搬送ロボット１１Ａにより、搬送チャンバー１２内の載置台３５Ａに載置する（表４のＰｒｏｃｅｓｓ３）。次に、基板搬送ロボット１１Ｂにより、基板２５をスパッタリング成膜チャンバー１３Ａに搬入し、基板２５上に下地層として膜厚２０ｎｍのＴａ層４１を成膜する（表４のＰｒｏｃｅｓｓ４）。次に、基板２５を基板搬送ロボット１１Ｂにより、搬送チャンバー１２内の載置台３５Ｂに載置する（表４のＰｒｏｃｅｓｓ５）。次に、基板２５上に、反強磁性材料として膜厚１５ｎｍのＰｔＭｎ層４２をスパッタリング法により成膜する（表４のＰｒｏｃｅｓｓ６）。次に、前記基板を基板搬送ロボット１１Ｃにより、スパッタリング成膜チャンバー１３Ｃに搬入し（表４のＰｒｏｃｅｓｓ７）、基板２５上に、強磁性体であるＣｏＦｅＢ層４５を３ｎｍ、酸化物であるＭｇＯ層４６を１．２ｎｍを成膜し、膜厚３ｎｍお強磁性体であるＣｏＦｅＢ層４５をコスパッタリング法により成膜する（表４のＰｒｏｃｅｓｓ８）。
　次に、基板２５を、基板２５を基板搬送ロボット１１Ｃにより、スパッタリング成膜チャンバー１３Ｄに搬入し（表４のＰｒｏｃｅｓｓ９）、基板２５上に、酸化物であるＭｇＯ層４６を１．２ｎｍをスパッタリング法により成膜する（表４のＰｒｏｃｅｓｓ１０）。次に、基板２５を基板搬送ロボット１１Ｃにより、スパッタリング成膜チャンバー１３Ｅに搬入し（表４のＰｒｏｃｅｓｓ１１）、再び強磁性体であるＣｏＦｅＢ層４７を３ｎｍ、その上に１．５ｎｍの極薄いＴａ層４８を成膜する（表４のＰｒｏｃｅｓｓ１２）。次に、基板２５を基板搬送ロボット１１Ｂにより、スパッタリング成膜チャンバー１３Ｆに搬入し（表４のＰｒｏｃｅｓｓ１３）、１０ｎｍのＲｕ層４９を成膜する（表４のＰｒｏｃｅｓｓ１４）。次に、基板２５を基板搬送ロボット１１Ｂにより、スパッタリング成膜チャンバー１３Ｇに搬入し（表４のＰｒｏｃｅｓｓ１５）、５０ｎｍのＴａ層５０を成膜する（表４のＰｒｏｃｅｓｓ１６）。次に、基板２５を搬送ロボット１１Ａにより、ロードロック室１５Ｂに願入する（表４のＰｒｏｃｅｓｓ１７）。
　このように、表５のプロセスタイムテーブルに沿って、図５記載のトンネル磁気抵抗素子を形成した場合、各チャンバーにおけるタクトタイムがよりいっそう均一化され、最もタクトタイムが長いスパッタリング成膜チャンバーＢのタクトタイムは１００秒であった。図６に示した装置構成ではシーケンシャルな基板搬送が実現されるため、導き出されるスループットは３６枚／時間にまで向上した。なお装置構成図６においてプロセスチャンバーの位置を入れ替えてもシーケンシャルな基板搬送が実現するようにスパッタリングターゲットを配置しさえすれば表４に示したスループットは維持される。
　（第１の比較例）　
　第１の比較例として、表５に、特許文献４記載のスパッタリング装置を用いて、図５記載のトンネル磁気抵抗素子を形成した場合のタイムテーブルを示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000005
　そもそも、特許文献４記載のスパッタリング成膜チャンバーは、第１の真空チャンバー１１０に１つのターゲット材料（Ｔａ）しか設置していない。従って、特許文献４記載のスパッタリング装置のスパッタリング装置を用いて、図５記載のトンネル磁気抵抗素子を形成しようとすると、Ｔａ以外の層は第２の真空チャンバー１１２で成膜せざるをえない。また、特許文献４記載のスパッタリング装置は、スパッタリング以外のプロセスを行うプロセスチャンバーがないため、上記表５のＰｒｏｃｅｓｓ１２（酸化Ｐｒｏｃｅｓｓ）を行うことができない。そこで、上記表５は、特許文献４記載のスパッタリング装置にプロセスチャンバーを設けた図１の製造装置で、図５記載のトンネル磁気抵抗素子を形成した場合を想定している。特許文献４記載のスパッタリング装置のタクトタイム（特許文献４の場合には第２の真空チャンバー１１２のトータルの時間）が４０５秒であり、スループットは、８．８（枚／時間）である。本発明の一実施形態に係る図１の装置構成に比べて著しく悪いことが判る。また、特許文献４記載のスパッタリング装置の場合、一連の成膜Ｐｒｏｃｅｓｓにおいて基板が同じプロセスチャンバーに２度搬送されることになるため、所謂シーケンシャルな基板搬送が実現できない。
　（第２の比較例）　
　第２の比較例として、表６に、特許文献５記載のスパッタリング装置を用いて、図５記載のトンネル磁気抵抗素子を形成した場合のタイムテーブルを示す。
　特許文献５記載のスパッタリング装置におけるプロセスタイムテーブルを表６に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000006
　そもそも、特許文献５に開示されているスパッタリング・システム６００は、スパッタリング以外のプロセスを行うプロセスチャンバーがないため、酸化Ｐｒｏｃｅｓを行うことができない。また、特許文献５に開示されているスパッタリング・システム６００を用い、所謂シーケンシャルな基板搬送を実現しながら、上記表６のＭｇＯからＣｏＦｅＢ、Ｔａ、Ｒｕまでの成膜を全てマルチ・ターゲット・イオン・ビーム・スパッタリング・モジュール６０８で行わなければならない。そうなると、スパッタ率が低く成膜に時間がかかるＭｇＯの成膜に加えて、３つの金属層を同一チャンバーの中で成膜することになるため、タクトタイムが４４５．０秒となり、スループットが８．１枚／時となってしまう。さらに酸化物と金属を同一チャンバーの中で成膜することは金属層を酸素で汚染し、膜特性を劣化させてしまうという所謂クロスコンタミの問題を引き起こす。従って、特許文献５に開示されているスパッタリング・システム６００を用いても、所謂シーケンシャルな基板搬送を実現し、かつスループットの向上を図ることはできない。
 

Claims (8)

  1. 　基板上に多層膜を成長させる製造装置であって、
    　基板搬送機構を備えた搬送チャンバーと、
    　１つのスパッタリングカソードを備えた第１のスパッタリング成膜チャンバーと、
    　１つのスパッタリングカソードを備えた第２のスパッタリング成膜チャンバーと、
    　１つのスパッタリングカソードを備えた第３のスパッタリング成膜チャンバーと、
    　２つ以上のスパッタリングカソードを備えた第４のスパッタリング成膜チャンバーと、
    　２つ以上のスパッタリングカソードを備えた第５のスパッタリング成膜チャンバーと、
    　スパッタリング以外のプロセスを行うためのプロセスチャンバーとを備え、
    　前記第１のスパッタリング成膜チャンバーと、前記第２のスパッタリング成膜チャンバーと、前記第３のスパッタリング成膜チャンバーと、前記第４のスパッタリング成膜チャンバーと、前記第５のスパッタリング成膜チャンバーと、前記プロセスチャンバーとは、それぞれが前記搬送チャンバーと基板の受け渡しができるように、前記搬送チャンバーの周囲に配置されていることを特徴とする製造装置。
  2. 　前記多層膜は、膜厚が１０ｎｍ以上の金属膜を含む第１の膜と、膜厚が１０ｎｍ以上の金属膜を含む第２の膜と、酸化物膜、窒化物膜、および半導体膜のうち少なくとも１層を含む第３の膜とを有する多層膜であり、
    　前記第１のスパッタリング成膜チャンバーは前記第１の膜を成膜するものであり、前記第２のスパッタリング成膜チャンバーは前記第２の膜を成膜するものであり、前記第３のスパッタリング成膜チャンバーは前記第３の膜を成膜するものであることを特徴とする請求項１に記載の製造装置。
  3. 　前記搬送チャンバーは前記第１～第５の成膜チャンバーとの間で基板を搬送するための基板搬送ロボットを備えていることを特徴とする請求項１に記載の製造装置。
  4. 　前記搬送チャンバーは真空に維持されていることを特徴とする請求項１に記載の製造装置。
  5. 　前記プロセスチャンバーは、プラズマ、イオンビーム、原子ビーム、分子ビーム、ガスクラスタービームによって基板もしくは基板上に形成された薄膜を除去するためのプロセスチャンバーであることを特徴とする請求項１に記載の製造装置。
  6. 　前記プロセスチャンバーは、化学的気相成長法によって基板もしくは基板上に形成された薄膜上に薄膜を形成するためのプロセスチャンバーであることを特徴とする請求項１に記載の製造装置。
  7. 　前記プロセスチャンバーは、ガス、中性活性種、イオンまたはそれらの混合雰囲気の中で基板もしくは基板上に形成された薄膜を化学反応させるためのプロセスチャンバーであることを特徴とする請求項１に記載の製造装置。
  8. 　前記プロセスチャンバーは、基板を加熱、または冷却、または加熱と冷却を行うためのプロセスチャンバーであることを特徴とする請求項１に記載の製造装置。
     
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