JP5382744B2 - 真空加熱冷却装置および磁気抵抗素子の製造方法 - Google Patents
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Description
特許文献16、17には、同一チャンバー内に、基板を加熱するための加熱機構と、基板を冷却するための冷却機構と、基板を加熱機構に近接または接する位置と、基板を冷却機構に近接または接する位置との間で移動させるための移動機構とを備える熱処理装置が開示されている。
特許文献16では、加熱機構として、ヒータを内蔵した基板支持体を用い、冷却機構として、水冷式または冷媒冷却式の冷却板を用いている。加熱機構により基板を加熱する場合、上記ヒータにより加熱された基板支持体に基板を接触させることにより、該基板を加熱している。基板加熱についての他の例では、基板と基板支持体とを離間して配置し、基板と基板支持体との間に、加熱された、窒素のような乾性ガスを流すことによって、基板を加熱している。一方、基板を冷却する場合、冷却用流体により冷却板を冷却し、該冷却された冷却板に基板を接触または近接させることによって基板を冷却している。
特許文献17では、加熱板と冷却板とを設け、基板の加熱または冷却の際には、加熱板または冷却板と基板とを所定の間隔だけ離間させている。
また、特許文献16、17のように、真空一貫での加熱処理を考慮して同一チャンバー内に加熱機構と冷却機構とを設ける形態においても、以下のような問題点がある。例えば、特許文献16、17に開示された発明において、基板支持体や加熱板を加熱することによって基板を加熱する場合、基板支持体や加熱板の熱容量のために昇温に時間がかかってしまい、上記積PTが大きくなってしまう。
また、特許文献16において、基板支持体自体の加熱により基板を加熱するのではなく、基板支持体と基板とを離間させ、基板支持体と基板との間に加熱されたガスを供給して基板を加熱する場合は、基板支持体の熱容量に関係なく基板を加熱することができる。しかしながら、加熱のための上記ガスを供給した分だけ圧力Pが大きくなってしまい、上記積PTの増加を招いてしまう。
また、本発明は、真空中で基板を加熱冷却する真空加熱冷却装置であって、真空チャンバーと、前記真空チャンバーの大気側に配置された加熱光を放射する放射エネルギー源と、前記真空チャンバーに前記放射エネルギー源からの加熱光を入射させるための入射部と、前記真空チャンバー内部に配置された、冷却機構を有する部材であって、該冷却機構により冷却可能な部材と、基板を保持するための基板保持部を有し、該基板保持部を加熱位置および該加熱位置とは別個の位置である冷却位置にて静止させ、かつ前記基板保持部を前記加熱位置と前記冷却位置との間で移動させる基板移動機構と、加熱光照射による基板加熱時に、基板を前記放射エネルギー源に近接させて前記加熱位置に静止させ、加熱終了後に前記基板を前記放射エネルギー源から遠ざけ前記部材に近接させ、基板の冷却時に前記基板を前記部材に載置して前記冷却位置に静止させるように前記基板移動機構を制御する制御手段とを備え、前記加熱位置は、前記基板を加熱する際に該基板を位置させるべき位置であって、前記放射エネルギー源に近接した位置であり、前記冷却位置は、前記基板を冷却する際に該基板を位置させるべき位置であって、前記部材に近接した位置または前記基板が前記部材に載置されるような位置であることを特徴とする。
さらに、本発明は、真空中で基板を加熱冷却する真空加熱冷却装置であって、真空チャンバーと、前記真空チャンバーの大気側に配置された加熱光を放射する放射エネルギー源と、前記真空チャンバーに前記放射エネルギー源からの加熱光を入射させるための入射部と、前記真空チャンバー内部に配置された、冷却機構を有する部材であって、該冷却機構により冷却可能な部材と、基板を保持するための基板保持部を有し、該基板保持部を加熱位置および該加熱位置とは別個の位置である冷却位置にて静止させ、かつ前記基板保持部を前記加熱位置と前記冷却位置との間で移動させる基板移動機構と、前記真空チャンバーの内部に配置された磁石とを備え、前記加熱位置は、前記基板を加熱する際に該基板を位置させるべき位置であって、前記放射エネルギー源に近接した位置であり、前記冷却位置は、前記基板を冷却する際に該基板を位置させるべき位置であって、前記部材に近接した位置または前記基板が前記部材に載置されるような位置であり、前記磁石は、前記基板が前記冷却位置に位置する際の基板面に略平行で、なおかつ該基板面内において平行に揃った磁力線を発生することを特徴とする。
図1は、本実施形態に係る真空加熱冷却装置の装置構成図である。
図1において、真空チャンバー1の上部に、ハロゲンランプ2からの加熱光を透過する石英窓3が、真空シール部材(不図示)を介して固定されている。この石英窓3は、ハロゲンランプ2から出力された加熱光を真空チャンバー1に入射させるための入射部として機能する。真空シール部材はバイトン(登録商標)やカルレッツ(登録商標)などの耐熱性の高いものが好ましい。図1に示すように真空チャンバー1と石英窓3との間に石英窓脱着用リング4を設けると、石英窓3の脱着がしやすくなる。石英窓3の大きさは基板5の大きさの1.5倍以上となるようにすることが好ましい。また、大気側には加熱光を放射する放射エネルギー源としてのハロゲンランプ2が配置されている。すなわち、ハロゲンランプ2は、真空チャンバー1の外側に、石英窓3に加熱光を照射するように配置される。放射エネルギー源としては、例えば赤外線といった加熱光を放射するものであればハロゲンランプに限る必要はない。ハロゲンランプ3からの加熱光がOリング6に直接照射しないようにハロゲンランプ2と石英窓3との間にリング状の遮蔽板7を設けておく。遮蔽板7は熱伝導の良いアルミ製とし、冷却水路8を設けることにより、冷却水によって冷やされる構造にする。
図3において、符号1000は真空加熱冷却装置全体を制御する制御手段としての制御部である。この制御部1000は、種々の演算、制御、判別などの処理動作を実行するCPU1001、およびこのCPU1001によって実行される様々な制御プログラムなどを格納するROM1002を有する。また、制御部1000は、CPU1001の処理動作中のデータや入力データなどを一時的に格納するRAM1003、およびフラッシュメモリやSRAM等の不揮発性メモリ1004などを有する。
図2に、本実施形態に係る真空加熱冷却装置を接続したスパッタリング装置のチャンバー構成を示す。図2に示すスパッタリング装置は、磁化固定層、トンネルバリア層または非磁性伝導層、および磁化自由層を少なくとも有する3層構造を含む磁気抵抗素子、並びに半導体素子を真空一貫で形成することが可能な製造装置である。
加熱冷却処理の指示を受けると制御部1000は、基板搬送用のゲートバルブ14を開ける制御を行う。このとき、スパッタ成膜チャンバー25でMgO膜まで成膜された基板(Si基板)5は、真空搬送チャンバー22の基板搬送機構21によって真空加熱冷却装置29内の搬送位置P2で待機したリフトピン13の上に搬送される。その後、制御部1000の制御によりゲートバルブ14が閉じて、リフトピン13が上昇する。このとき制御部1000は、上下駆動機構15を制御して、リフトピン13に保持された基板5が加熱位置P3に位置するようにリフトピン13を上昇させる。このとき、ハロゲンランプ2と基板5との間の距離が100mm以下となるように加熱位置P3を設定することが好ましい。その状態で、制御部1000からの指示に従い、ハロゲンランプ2に電力を投入して大気側から石英窓3を通して基板5に加熱光を照射する。基板5の温度が所望の温度に達したら、制御部1000は、ハロゲンランプ2の投入電力を下げて基板温度が一定の値を維持するように制御する。このようにして基板の加熱処理を行う。
また、特許文献16の他の例では、上述のように基板と基板支持体とを離間させ、該基板と基板支持体との間の離間領域に、加熱された乾性ガスを導入し、該乾性ガスの熱により基板を加熱している。該構成によれば、基板支持体を加熱する構成ではないので、該基板支持体自体を加熱するための時間を省くことができ、上記積PTの時間要素である“T”を小さくすることができる。
しかしながら、該構成では、基板を加熱するための乾性ガスを供給する必要があり、この供給された乾性ガス分だけ圧力が増加してしまう。従って、たとえ上記積PTのうち時間要素“T”を減少できても、圧力要素“P”が増加してしまい、上記積PTをうまく小さくすることができない。よって、上記積PTを小さくするためにチャンバー内の圧力を下げたとしても、加熱のためのガスが供給される分だけ圧力は増加してしまい、高い真空度を維持したまま加熱処理を行うことは困難である。
これに対して、本実施形態では、加熱光により基板を加熱するという思想の下、真空チャンバー1の大気側(外側)にハロゲンラップ2を設け、ハロゲンランプ2から照射された加熱光を石英窓3を介して真空チャンバー1内に入射し、加熱対象の基板に入射された加熱光を照射させる。すなわち、本実施形態では、赤外線といった加熱光により基板を加熱しているので、加熱された乾性ガスといった圧力増加に繋がる要素を用いなくても基板を加熱することができる。従って、上記積PTの圧力要素“P”を増加させることなく基板を加熱することができる。よって、真空チャンバー1内の圧力を下げればそのまま上記圧力要素“P”を下げることになり、高真空度において加熱処理を行うことができる。
このように、本実施形態では、真空チャンバー1内に冷却位置P1と加熱位置P3とを別個に設け、さらに加熱光を基板に入射することにより基板の加熱処理を行っている。従って、同一チャンバー内において、高真空度を維持した状態で、基板の加熱処理のための準備と基板の冷却処理のための準備とを、同時にかつ独立して行うことができる。よって、上記積PTの圧力要素“P”および時間要素“T”の双方を効率良く低減することができる。
図11は、上述のトンネル磁気抵抗素子の成膜において、MgO膜形成後に加熱を行わずに以降の層を成膜した場合と、MgO成膜後に加熱を行い次いで同一チャンバー内で冷却を行ってから以降の層を成膜した場合(本実施形態)と、MgO成膜後に加熱を行ったが冷却せずに以降の層を成膜した場合とのMR−RA曲線を示す図である。
トンネル磁気抵抗素子を磁気ヘッドのセンサーとして用いる場合は、より低いRA領域において高いMR比を得ることが好ましい。図11に示されるように、MgO膜形成後に加熱を行わないとRAが6〜7Ωμm2付近から急激にMR比が低下する。それに対し、図11に示されるように、MgO成膜後に加熱を行うと、RAが下がるにつれてMR比が劣化する現象は変わらないものの、MgO成膜後に加熱を行わない場合に対して、MR比の低下率が緩く高いMR比を維持し続けている。さらに加熱後に冷却を行わない場合は2Ωμm2付近から急激にMR比が低下するが、加熱後に冷却を行うことによってMR比の低下率を抑制することができる。
このように、本実施形態によれば、トンネル磁気抵抗素子のMgO膜を製造する際に、成膜されたMgO膜を加熱位置P1において加熱光により加熱し、さらに同一チャンバー内において加熱位置P3とは別個の位置である冷却位置P1にて冷却を行うことで、積PTを小さくすることができ、さらにはより低いRAにおいてより高いMR比を実現することができるという格別な効果を奏することができる。
第1の実施形態において加熱温度が高い場合や基板5の種類によっては、基板5を冷却された基板支持台9の上に載置した時に熱衝撃によって基板が割れることがある。そのような基板の割れを防ぐために、本実施形態では、第1の実施形態の加熱終了後、リフトピン13を下降させる際に基板5を基板支持台9にすぐに載置するのではなく、基板支持台9の上方の所定の位置にて一旦停止させる。このような所定の位置は、基板支持台9の上方20mm以内であることが好ましい。あるいは、非加熱時において、ハロゲンランプ2と基板5との間の距離が100mm以上となる位置に基板5を一旦停止するようにしても良い。
第1および第2の実施形態において基板5が冷却された基板支持台9の上に載置された後、基板温度が室温に達するまでの時間をさらに短縮するために、基板支持台9に静電チャックといった静電吸着機構を設けること、および基板支持台9の表面に冷却ガスを供給することの少なくとも一方を行うことは効果的である。
図4において、基板支持台41は、図1にて示した基板支持台9に静電チャック機能を持たせたものである。具体的には、誘電体からなる基板支持台41は、電気(電力)を導入するための配線(不図示)と接触または内蔵しており、該配線は外部電源に電気的に接続されている。該外部電源は、制御部1000からの指示に従い、上記配線に電圧を印加できるように構成されている。よって、制御部1000からの静電吸着の指示により、上記配線に電圧が印加されると、該電圧により生じた静電気によって基板を基板支持台41に吸着することができる。
本実施形態では、図6に示すように、基板支持台41を冷却するための水冷ジャケット10の外側に、磁場印加機構としての磁石61を配置する。さらに、磁石61に直接的に加熱光が入射して温度上昇することを防ぐために、磁石61を囲うようにリフレクタ62を設ける。この際、リフレクタ62の温度上昇を防ぐためにリフレクタ62自身も冷却水配管63を内蔵した水冷ジャケット構造にし、リフレクタ62に冷媒を接触させるような構造にすることが好ましい。
従来、磁気抵抗素子をスパッタリング装置で成膜した後、次工程の磁場印加可能な熱処理装置(上記スパッタリング装置とは別個の装置)で磁場中アニールすることによって磁化方向を一方向に揃えていた。これに対して本実施形態では、磁気抵抗素子の成膜プロセスの中で、磁場中での、加熱および冷却を行う。従って、上記従来の次工程の磁場中熱処理工程をスキップすることが可能となる。
第4の実施形態において、磁場印加機構として、永久磁石を電磁石に置き換えても同様の効果が期待できる。このとき、基板5に対して、少なくとも25ガウス以上の磁場を印加するように電磁石を構成することは好ましい。
より強力な磁場を印加するために、本実施形態では、図9に示すように真空チャンバー1の外にヨーク92と電磁石用コイル93とを有する電磁石91を配置する。
本実施形態では、上述の各実施形態において、基板5の加熱中にガス導入口19から酸素ガスを導入することによって、基板5の最表面に位置するMgO膜からの酸素の脱離を補うことが可能となり、より高品質なMgO膜を形成することが期待できる。このように、本実施形態では、加熱処理および冷却処理の少なくとも一方が行われている間に、基板5に成膜された膜の最表面に位置する膜に応じたガスを導入することにより、処理後の膜をより高品位にすることができる。
第1〜第7の実施形態では、加熱処理、冷却処理といった熱処理の際に基板を移動させたり所定の位置(冷却位置P1、搬送位置P2、加熱位置P3など)に停止させたりするための基板移動機構として、リフトピンについて説明した。しかしながら、本発明では、上記基板移動機構はリフトピンに限定されず、冷却処理時には基板を冷却位置P1にて保持し、加熱処理時には加熱位置P3にて保持し、冷却位置P1と加熱位置P3の間で基板を移動させることができるものであれば、いずれの手段を用いても良い。
図10Aは、本実施形態に係る、基板を加熱位置と冷却位置との間を移動させるための基板移動機構の概略正面図であり、図10Bは、該機構の上面図であり、図10Cは、該機構を用いる際の基板支持台の上面図である。なお、図10Aにおいては、図面の簡便化を図るため、基板移動機構に関する構成、およびハロゲンランプ2、石英窓3のみを記載する。
Claims (11)
- 真空中で基板を加熱冷却する真空加熱冷却装置であって、
真空チャンバーと、
前記真空チャンバーの大気側に配置された加熱光を放射する放射エネルギー源と、
前記真空チャンバーに前記放射エネルギー源からの加熱光を入射させるための入射部と、
前記真空チャンバー内部に配置された、冷却機構を有する部材であって、該冷却機構により冷却可能な部材と、
基板を保持するための基板保持部を有し、該基板保持部を加熱位置および該加熱位置とは別個の位置である冷却位置にて静止させ、かつ前記基板保持部を前記加熱位置と前記冷却位置との間で移動させる基板移動機構とを備え、
前記加熱位置は、前記基板を加熱する際に該基板を位置させるべき位置であって、前記放射エネルギー源に近接した位置であり、前記冷却位置は、前記基板を冷却する際に該基板を位置させるべき位置であって、前記部材に近接した位置または前記基板が前記部材に載置されるような位置であり、
前記部材は、誘電体からなり、なおかつ電気を導入するための配線と接触または該配線を内蔵しており、静電気によって基板を吸着することを特徴とする真空加熱冷却装置。 - 前記誘電体からなる部材は、基板の裏面と接する面に溝が彫ってあり、該溝は大気側からガスを導入および排出するための少なくとも1対のガス配管と連結されていることを特徴とする請求項1に記載の真空加熱冷却装置。
- 前記誘電体からなる部材は、冷媒によって冷却される冷却ジャケットと接触して配置されていることを特徴とする請求項1に記載の真空加熱冷却装置。
- 真空中で基板を加熱冷却する真空加熱冷却装置であって、
真空チャンバーと、
前記真空チャンバーの大気側に配置された加熱光を放射する放射エネルギー源と、
前記真空チャンバーに前記放射エネルギー源からの加熱光を入射させるための入射部と、
前記真空チャンバー内部に配置された、冷却機構を有する部材であって、該冷却機構により冷却可能な部材と、
基板を保持するための基板保持部を有し、該基板保持部を加熱位置および該加熱位置とは別個の位置である冷却位置にて静止させ、かつ前記基板保持部を前記加熱位置と前記冷却位置との間で移動させる基板移動機構と、
加熱光照射による基板加熱時に、基板を前記放射エネルギー源に近接させて前記加熱位置に静止させ、加熱終了後に前記基板を前記放射エネルギー源から遠ざけ前記部材に近接させ、基板の冷却時に前記基板を前記部材に載置して前記冷却位置に静止させるように前記基板移動機構を制御する制御手段とを備え、
前記加熱位置は、前記基板を加熱する際に該基板を位置させるべき位置であって、前記放射エネルギー源に近接した位置であり、前記冷却位置は、前記基板を冷却する際に該基板を位置させるべき位置であって、前記部材に近接した位置または前記基板が前記部材に載置されるような位置であることを特徴とする真空加熱冷却装置。 - 加熱光照射による基板加熱時に、基板を前記放射エネルギー源に近づけて前記加熱位置に静止させ、加熱終了後に前記基板を前記放射エネルギー源から遠ざけ前記部材に近接させ、基板の冷却時に前記基板を前記部材に載置して前記冷却位置に静止させ、前記基板を静電気によって前記部材に吸着するように前記基板移動機構を制御する制御手段をさらに備えることを特徴とする請求項1に記載の真空加熱冷却装置。
- 加熱光照射による基板加熱時に、基板を前記放射エネルギー源に近づけて前記加熱位置に静止させ、加熱終了後に基板を前記放射エネルギー源から遠ざけ前記部材に近接させ、基板の冷却時に基板を前記部材に載置して前記冷却位置に静止させ、前記基板を静電気によって前記部材に吸着し、前記部材に彫られた溝にガスを導入するように前記基板移動機構を制御する制御手段をさらに備えることを特徴とする請求項2に記載の真空加熱冷却装置。
- 真空中で基板を加熱冷却する真空加熱冷却装置であって、
真空チャンバーと、
前記真空チャンバーの大気側に配置された加熱光を放射する放射エネルギー源と、
前記真空チャンバーに前記放射エネルギー源からの加熱光を入射させるための入射部と、
前記真空チャンバー内部に配置された、冷却機構を有する部材であって、該冷却機構により冷却可能な部材と、
基板を保持するための基板保持部を有し、該基板保持部を加熱位置および該加熱位置とは別個の位置である冷却位置にて静止させ、かつ前記基板保持部を前記加熱位置と前記冷却位置との間で移動させる基板移動機構と、
前記真空チャンバーの内部に配置された磁石とを備え、
前記加熱位置は、前記基板を加熱する際に該基板を位置させるべき位置であって、前記放射エネルギー源に近接した位置であり、前記冷却位置は、前記基板を冷却する際に該基板を位置させるべき位置であって、前記部材に近接した位置または前記基板が前記部材に載置されるような位置であり、
前記磁石は、前記基板が前記冷却位置に位置する際の基板面に略平行で、なおかつ該基板面内において平行に揃った磁力線を発生することを特徴とする真空加熱冷却装置。 - 前記磁石は、前記加熱光が直接照射されないように前記加熱光を反射するリフレクタによって囲われていることを特徴とする請求項7に記載の真空加熱冷却装置。
- 前記リフレクタは冷媒と接して冷却されることを特徴とする請求項8に記載の真空加熱冷却装置。
- 前記磁石は電磁石であり、少なくとも基板に対して25ガウス以上の磁場を印加することを特徴とする請求項7に記載の真空加熱冷却装置。
- 前記磁石は永久磁石であり、少なくとも基板に対して25ガウス以上の磁場を印加することを特徴とする請求項7に記載の真空加熱冷却装置。
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US9759487B2 (en) * | 2011-03-02 | 2017-09-12 | Ivoclar Vivadent Ag | Dental firing or press furnace |
TWI585837B (zh) * | 2011-10-12 | 2017-06-01 | 歐瑞康先進科技股份有限公司 | 濺鍍蝕刻室及濺鍍方法 |
CN103975416B (zh) * | 2011-12-06 | 2016-05-18 | 独立行政法人产业技术综合研究所 | 黄光室系统 |
JP6042196B2 (ja) | 2011-12-22 | 2016-12-14 | キヤノンアネルバ株式会社 | スパッタ装置、スパッタ装置の制御装置、および成膜方法 |
US9880232B2 (en) * | 2012-03-14 | 2018-01-30 | Seagate Technology Llc | Magnetic sensor manufacturing |
US9713203B2 (en) | 2012-03-19 | 2017-07-18 | Iii Holdings 1, Llc | Tool for annealing of magnetic stacks |
KR101312592B1 (ko) * | 2012-04-10 | 2013-09-30 | 주식회사 유진테크 | 히터 승강형 기판 처리 장치 |
KR101988014B1 (ko) * | 2012-04-18 | 2019-06-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | 어레이 기판의 제조 방법 및 이에 사용되는 제조 장치 |
US9145332B2 (en) * | 2012-08-16 | 2015-09-29 | Infineon Technologies Ag | Etching apparatus and method |
WO2014046081A1 (ja) * | 2012-09-20 | 2014-03-27 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 |
SG11201504875UA (en) * | 2012-12-20 | 2015-07-30 | Canon Anelva Corp | Method for manufacturing magnetoresistance effect element |
KR101586181B1 (ko) * | 2013-03-28 | 2016-01-15 | 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤 | 적재대 및 플라즈마 처리 장치 |
CN103280416B (zh) * | 2013-05-31 | 2016-05-04 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种热处理装置 |
TWI509698B (zh) | 2013-12-25 | 2015-11-21 | Ind Tech Res Inst | 用於退火裝置的樣品座與使用此樣品座的電流輔助退火裝置 |
KR101562661B1 (ko) * | 2014-03-18 | 2015-10-22 | 삼성전기주식회사 | 전력모듈 패키지 |
US9779971B2 (en) | 2014-04-11 | 2017-10-03 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for rapidly cooling a substrate |
US10892180B2 (en) * | 2014-06-02 | 2021-01-12 | Applied Materials, Inc. | Lift pin assembly |
US9595464B2 (en) | 2014-07-19 | 2017-03-14 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for reducing substrate sliding in process chambers |
JP6322083B2 (ja) * | 2014-08-08 | 2018-05-09 | 日東電工株式会社 | 半導体ウエハの冷却方法および半導体ウエハの冷却装置 |
CN104238158B (zh) | 2014-09-23 | 2017-02-08 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种升降装置以及升降系统 |
US10373850B2 (en) * | 2015-03-11 | 2019-08-06 | Asm Ip Holding B.V. | Pre-clean chamber and process with substrate tray for changing substrate temperature |
KR101738986B1 (ko) * | 2015-12-07 | 2017-05-24 | 주식회사 디엠에스 | 리프트 핀 어셈블리를 갖는 기판처리장치 |
KR101810645B1 (ko) | 2016-09-08 | 2018-01-25 | 에스케이실트론 주식회사 | 챔버 작동방법 |
JP6807246B2 (ja) * | 2017-02-23 | 2021-01-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、および、処理システム |
JP6278498B1 (ja) * | 2017-05-19 | 2018-02-14 | 日本新工芯技株式会社 | リング状部材の製造方法及びリング状部材 |
EP3723817A1 (en) | 2017-12-11 | 2020-10-21 | GlaxoSmithKline Intellectual Property Development Ltd | Modular aseptic production system |
TWI671430B (zh) * | 2017-12-15 | 2019-09-11 | 日商住友重機械工業股份有限公司 | 成膜裝置 |
TWI740285B (zh) * | 2018-12-27 | 2021-09-21 | 日商勝高股份有限公司 | 熱處理爐的前處理條件的決定方法、熱處理爐的前處理方法、熱處理裝置及經熱處理之半導體晶圓的製造方法及製造裝置 |
KR102697922B1 (ko) * | 2019-01-09 | 2024-08-22 | 삼성전자주식회사 | 원자층 증착 장치 및 이를 이용한 박막 형성 방법 |
KR102640172B1 (ko) | 2019-07-03 | 2024-02-23 | 삼성전자주식회사 | 기판 처리 장치 및 이의 구동 방법 |
WO2022002383A1 (en) * | 2020-07-01 | 2022-01-06 | Applied Materials, Inc. | Vacuum processing apparatus and method of heating a substrate in a vacuum processing apparatus |
KR102453019B1 (ko) * | 2020-12-21 | 2022-10-11 | 주식회사 이브이첨단소재 | 영구자석을 포함하는 자기장 열처리 장치 |
US20230304741A1 (en) * | 2022-03-25 | 2023-09-28 | Tokyo Electron Limited | Magnetic Annealing Equipment and Method |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003124134A (ja) * | 2001-10-10 | 2003-04-25 | Semiconductor Leading Edge Technologies Inc | 加熱処理装置および加熱処理方法 |
WO2008032745A1 (en) * | 2006-09-13 | 2008-03-20 | Canon Anelva Corporation | Magnetoresistive element manufacturing method, and multi-chamber apparatus for manufacturing the magnetoresistive element |
JP2008166706A (ja) * | 2006-12-14 | 2008-07-17 | Applied Materials Inc | 副処理平面を使用する急速伝導冷却 |
Family Cites Families (40)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04196528A (ja) * | 1990-11-28 | 1992-07-16 | Toshiba Corp | マグネトロンエッチング装置 |
US6074512A (en) * | 1991-06-27 | 2000-06-13 | Applied Materials, Inc. | Inductively coupled RF plasma reactor having an overhead solenoidal antenna and modular confinement magnet liners |
JPH0613324A (ja) | 1992-06-26 | 1994-01-21 | Fujitsu Ltd | 真空加熱装置 |
JPH05251377A (ja) | 1992-10-05 | 1993-09-28 | Seiko Epson Corp | 半導体装置の製造方法 |
KR100238629B1 (ko) * | 1992-12-17 | 2000-01-15 | 히가시 데쓰로 | 정전척을 가지는 재치대 및 이것을 이용한 플라즈마 처리장치 |
JPH07254545A (ja) | 1994-03-15 | 1995-10-03 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体基板の熱処理方法及びそのための装置 |
KR0128025B1 (ko) | 1994-05-14 | 1998-04-02 | 양승택 | 냉각장치가 보강된 급속열처리 장치 |
JP3451137B2 (ja) | 1994-08-29 | 2003-09-29 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板の熱処理装置 |
JP3451166B2 (ja) | 1996-07-08 | 2003-09-29 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板熱処理装置 |
WO1998005060A1 (en) * | 1996-07-31 | 1998-02-05 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Multizone bake/chill thermal cycling module |
CN1177830A (zh) * | 1996-09-23 | 1998-04-01 | 三星电子株式会社 | 半导体晶片热处理设备 |
US6276072B1 (en) * | 1997-07-10 | 2001-08-21 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for heating and cooling substrates |
WO2000031777A1 (en) * | 1998-11-20 | 2000-06-02 | Steag Rtp Systems, Inc. | Fast heating and cooling apparatus for semiconductor wafers |
US6136163A (en) | 1999-03-05 | 2000-10-24 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for electro-chemical deposition with thermal anneal chamber |
FR2792084A1 (fr) | 1999-04-12 | 2000-10-13 | Joint Industrial Processors For Electronics | Dispositif de chauffage et de refroidissement integre dans un reacteur de traitement thermique d'un substrat |
US6307184B1 (en) * | 1999-07-12 | 2001-10-23 | Fsi International, Inc. | Thermal processing chamber for heating and cooling wafer-like objects |
JP4358380B2 (ja) | 1999-09-28 | 2009-11-04 | 住友重機械工業株式会社 | 磁界中熱処理装置 |
JP3527868B2 (ja) | 1999-11-19 | 2004-05-17 | タツモ株式会社 | 半導体基板の熱処理装置及び熱処理方法 |
US6558509B2 (en) * | 1999-11-30 | 2003-05-06 | Applied Materials, Inc. | Dual wafer load lock |
JP4697833B2 (ja) | 2000-06-14 | 2011-06-08 | キヤノンアネルバ株式会社 | 静電吸着機構及び表面処理装置 |
JP4205294B2 (ja) | 2000-08-01 | 2009-01-07 | キヤノンアネルバ株式会社 | 基板処理装置及び方法 |
JP3660254B2 (ja) | 2001-02-23 | 2005-06-15 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板の熱処理装置 |
DE10216865A1 (de) * | 2001-04-17 | 2002-12-12 | Hitachi Metals Ltd | Wärmebehandlungsofen mit Magnetfeld sowie Wärmebehandlungsverfahren unter Verwendung desselben |
JP4695297B2 (ja) | 2001-06-26 | 2011-06-08 | キヤノンアネルバ株式会社 | 薄膜形成装置及びロードロックチャンバー |
KR100890790B1 (ko) * | 2001-08-27 | 2009-03-31 | 파나소닉 주식회사 | 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법 |
US20030047282A1 (en) * | 2001-09-10 | 2003-03-13 | Yasumi Sago | Surface processing apparatus |
US6677167B2 (en) * | 2002-03-04 | 2004-01-13 | Hitachi High-Technologies Corporation | Wafer processing apparatus and a wafer stage and a wafer processing method |
US20030192646A1 (en) * | 2002-04-12 | 2003-10-16 | Applied Materials, Inc. | Plasma processing chamber having magnetic assembly and method |
JP2003318076A (ja) | 2002-04-23 | 2003-11-07 | Canon Inc | 真空中での基板の加熱、冷却方法、及び装置 |
US6841395B2 (en) | 2002-11-25 | 2005-01-11 | International Business Machines Corporation | Method of forming a barrier layer of a tunneling magnetoresistive sensor |
JP3862660B2 (ja) | 2003-01-06 | 2006-12-27 | ジャパンスーパーコンダクタテクノロジー株式会社 | 磁場中熱処理装置 |
JP4442171B2 (ja) * | 2003-09-24 | 2010-03-31 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置 |
JP4292128B2 (ja) | 2004-09-07 | 2009-07-08 | キヤノンアネルバ株式会社 | 磁気抵抗効果素子の製造方法 |
US7544251B2 (en) * | 2004-10-07 | 2009-06-09 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for controlling temperature of a substrate |
US7352613B2 (en) | 2005-10-21 | 2008-04-01 | Macronix International Co., Ltd. | Magnetic memory device and methods for making a magnetic memory device |
US7780820B2 (en) | 2005-11-16 | 2010-08-24 | Headway Technologies, Inc. | Low resistance tunneling magnetoresistive sensor with natural oxidized double MgO barrier |
US7479394B2 (en) | 2005-12-22 | 2009-01-20 | Magic Technologies, Inc. | MgO/NiFe MTJ for high performance MRAM application |
JP2010021510A (ja) * | 2008-06-13 | 2010-01-28 | Canon Anelva Corp | 基板保持装置およびプラズマ処理装置 |
WO2010150590A1 (ja) * | 2009-06-24 | 2010-12-29 | キヤノンアネルバ株式会社 | 真空加熱冷却装置および磁気抵抗素子の製造方法 |
TW201135845A (en) | 2009-10-09 | 2011-10-16 | Canon Anelva Corp | Acuum heating and cooling apparatus |
-
2010
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JP2003124134A (ja) * | 2001-10-10 | 2003-04-25 | Semiconductor Leading Edge Technologies Inc | 加熱処理装置および加熱処理方法 |
WO2008032745A1 (en) * | 2006-09-13 | 2008-03-20 | Canon Anelva Corporation | Magnetoresistive element manufacturing method, and multi-chamber apparatus for manufacturing the magnetoresistive element |
JP2008166706A (ja) * | 2006-12-14 | 2008-07-17 | Applied Materials Inc | 副処理平面を使用する急速伝導冷却 |
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