WO2012086517A1 - 発光素子ユニットおよび発光素子パッケージ - Google Patents

発光素子ユニットおよび発光素子パッケージ Download PDF

Info

Publication number
WO2012086517A1
WO2012086517A1 PCT/JP2011/079055 JP2011079055W WO2012086517A1 WO 2012086517 A1 WO2012086517 A1 WO 2012086517A1 JP 2011079055 W JP2011079055 W JP 2011079055W WO 2012086517 A1 WO2012086517 A1 WO 2012086517A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
side electrode
emitting element
electrode
element unit
light emitting
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/JP2011/079055
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
山本　浩貴
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Rohm Co Ltd
Original Assignee
Rohm Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Rohm Co Ltd filed Critical Rohm Co Ltd
Priority to US13/991,161 priority Critical patent/US9153545B2/en
Priority to JP2012549764A priority patent/JPWO2012086517A1/ja
Publication of WO2012086517A1 publication Critical patent/WO2012086517A1/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Priority to US14/856,524 priority patent/US9741640B2/en
Ceased legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/8506—Containers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W20/00—Interconnections in chips, wafers or substrates
    • H10W20/20—Interconnections within wafers or substrates, e.g. through-silicon vias [TSV]
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21K—NON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21K9/00—Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
    • F21K9/20—Light sources comprising attachment means
    • F21K9/27—Retrofit light sources for lighting devices with two fittings for each light source, e.g. for substitution of fluorescent tubes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D1/00—Resistors, capacitors or inductors
    • H10D1/20—Inductors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D8/00—Diodes
    • H10D8/20—Breakdown diodes, e.g. avalanche diodes
    • H10D8/25—Zener diodes 
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/83—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/83—Electrodes
    • H10H20/831—Electrodes characterised by their shape
    • H10H20/8312—Electrodes characterised by their shape extending at least partially through the bodies
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/852—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/857—Interconnections, e.g. lead-frames, bond wires or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W20/00—Interconnections in chips, wafers or substrates
    • H10W20/40—Interconnections external to wafers or substrates, e.g. back-end-of-line [BEOL] metallisations or vias connecting to gate electrodes
    • H10W20/41—Interconnections external to wafers or substrates, e.g. back-end-of-line [BEOL] metallisations or vias connecting to gate electrodes characterised by their conductive parts
    • H10W20/44—Conductive materials thereof
    • H10W20/4403—Conductive materials thereof based on metals, e.g. alloys, metal silicides
    • H10W20/4405—Conductive materials thereof based on metals, e.g. alloys, metal silicides the principal metal being aluminium
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W42/00—Arrangements for protection of devices
    • H10W42/80—Arrangements for protection of devices protecting against overcurrent or overload, e.g. fuses or shunts
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
    • H10W74/10—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition
    • H10W74/111—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition the semiconductor body being completely enclosed
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00—Package configurations
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V23/00—Arrangement of electric circuit elements in or on lighting devices
    • F21V23/003—Arrangement of electric circuit elements in or on lighting devices the elements being electronics drivers or controllers for operating the light source, e.g. for a LED array
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2103/00—Elongate light sources, e.g. fluorescent tubes
    • F21Y2103/10—Elongate light sources, e.g. fluorescent tubes comprising a linear array of point-like light-generating elements
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2115/00—Light-generating elements of semiconductor light sources
    • F21Y2115/10—Light-emitting diodes [LED]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/01—Manufacture or treatment
    • H10H20/036—Manufacture or treatment of packages
    • H10H20/0364—Manufacture or treatment of packages of interconnections
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/20—Bump connectors, e.g. solder bumps or copper pillars; Dummy bumps; Thermal bumps
    • H10W72/241—Dispositions, e.g. layouts
    • H10W72/244—Dispositions, e.g. layouts relative to underlying supporting features, e.g. bond pads, RDLs or vias
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/20—Bump connectors, e.g. solder bumps or copper pillars; Dummy bumps; Thermal bumps
    • H10W72/251—Materials
    • H10W72/252—Materials comprising solid metals or solid metalloids, e.g. PbSn, Ag or Cu
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00—Package configurations
    • H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/721—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bump connectors
    • H10W90/722—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bump connectors between stacked chips
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00—Package configurations
    • H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/721—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bump connectors
    • H10W90/726—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bump connectors between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink

Definitions

  • the present invention relates to a light emitting element unit and a light emitting element package.
  • the light-emitting device disclosed in Patent Document 1 seals an insulating substrate made of a white alumina ceramic substrate, a light-emitting element and a Zener diode mounted adjacent to each other on the insulating substrate, and the light-emitting element and the Zener diode. And a resin sealing portion.
  • the Zener diode is connected in parallel to the light emitting element, and prevents, for example, an excessive reverse current from flowing to the light emitting element.
  • An object of the present invention is to achieve downsizing by a stack structure of a semiconductor light emitting element and a support element, and further, a light emitting element unit capable of normally supplying power to the semiconductor light emitting element, and a light emitting element including the light emitting element unit Is to provide a package.
  • a light emitting element unit of the present invention includes a semiconductor light emitting element having a front surface and a back surface, light is extracted from the back surface, and a first n-side electrode and a first p-side electrode on the surface; And a support element having a second n-side electrode and a second p-side electrode formed on the front surface of the conductive substrate, and the semiconductor light emitting element includes the first n-side electrode, The second n-side electrode, and the first p-side electrode and the second p-side electrode are joined to each other, and are supported by the support element in a face-down posture with the surface facing downward.
  • a conductive via that electrically connects between the electrode and / or the second p-side electrode and the p-side external electrode, and a side surface of the via is covered between the via and the conductive substrate.
  • the semiconductor light emitting element is bonded to the support element in a so-called face-down posture in which the electrode formation surface (surface) is directed downward.
  • the structure can be miniaturized (shrinked).
  • at least one of the second n-side electrode and the second p-side electrode joined to the first n-side electrode and the first p-side electrode of the semiconductor light emitting element is formed by a via penetrating the conductive substrate of the support element in the thickness direction. It is electrically connected to external electrodes (n-side external electrode, p-side external electrode).
  • the via that connects the second n-side electrode and / or the second p-side electrode and the external electrode is insulated from the conductive substrate by covering the side surface with an insulating film. Therefore, when power is supplied from the external electrode to the semiconductor light emitting element via the via, it is possible to prevent the via and the conductive substrate from being short-circuited. As a result, power can be normally supplied to the semiconductor light emitting element.
  • the second n-side electrode and the second p-side electrode connected to the via are laid along the surface of the conductive substrate, and the conductive substrate and the via are respectively And a bump formed on the wiring and bonded to the first n-side electrode or the first p-side electrode.
  • the light emitting element unit of this invention further contains the resistive element inserted between the connection position of the said via in the said wiring, and the connection position of the said bump.
  • the first n-side electrode and the first p-side electrode connected to the bump are formed in a bump shape made of the same metal material as the bump.
  • the metal material may be Au.
  • the wiring may be made of Al.
  • the conductive substrate has a p-type region to which the second n-side electrode is connected and an n-type region to which the second p-side electrode is connected
  • the support element is
  • the via includes an n-side via and a p-side via connected to the second n-side electrode and the second p-side electrode, respectively. It is preferable.
  • a Zener diode can be connected in parallel to the semiconductor light emitting device. Therefore, it is possible to prevent an excessive reverse current from flowing to the semiconductor light emitting element.
  • the conductive substrate is a p-type semiconductor substrate as the p-type region and the n-type region is a region floating in the surface layer portion of the p-type semiconductor substrate
  • the p-side via is It is preferable to penetrate the p-type semiconductor substrate so as not to contact the floating n-type region.
  • the n-type region (floating region) forming the pn junction of the Zener diode is not inhibited by the n-side via. Therefore, the Zener diode can sufficiently exhibit the function of protecting the semiconductor light emitting element from overcurrent.
  • the p-type semiconductor substrate includes a p + -type contact region formed adjacent to the n-type region in the surface layer portion and connected to the second n-side electrode
  • the p-side via has the n-type contact region
  • the p-type contact region is formed on the opposite side to the p + -type contact region
  • the n-side via is formed on the opposite side of the p + -type contact region from the n-type region.
  • the n-side via, the n-type region, the p + -type contact region, and the p-side via may be arranged on the same straight line in plan view.
  • the conductive substrate includes a drive circuit that drives each of the plurality of semiconductor light emitting elements
  • the support element includes a drive element that supports the plurality of semiconductor light emitting elements.
  • the via is electrically connected to each of the second n-side electrode and the second p-side electrode.
  • the plurality of semiconductor light emitting elements may be light emitting elements having different emission wavelengths.
  • the plurality of semiconductor light emitting elements may include a red LED element, a green LED element, and a blue LED element.
  • the first n-side electrode of each of the red LED element, the green LED element, and the blue LED element is connected to the common second n-side electrode.
  • the light emitting element package of the present invention can be configured by supporting the light emitting element unit of the present invention with a base substrate having a cathode terminal and an anode terminal and surrounding the periphery with a resin case.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view of the LED package shown in FIG.
  • FIG. 3 is a bottom view of the LED chip shown in FIG. 2 and a plan view of a diode chip.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view showing a part of the manufacturing process of the LED element unit shown in FIG. 2, showing a cut surface at the same position as in FIG. 2. It is a figure which shows the next process of FIG. 4A. It is a figure which shows the next process of FIG. 4B. It is a figure which shows the next process of FIG. 4C. It is a figure which shows the next process of FIG. 4D.
  • FIG. 8 is a diagram showing a modification of the LED chip and the diode chip in FIG. 2, in which FIG. 8A is a plan view of the diode chip, and FIG.
  • FIG. 8B is a bottom view of the LED chip.
  • FIG. 9 is a bottom view of the diode chip of FIG. 8.
  • FIG. 8 is a diagram showing a modification of the LED chip and the diode chip in FIG. 2, in which FIG. 8A is a plan view of the diode chip, and FIG. 8B is a bottom view of the LED chip. It is typical sectional drawing of the LED element unit which concerns on 2nd Embodiment of this invention.
  • FIG. 12A is a schematic view of an LED element unit according to a third embodiment of the present invention, FIG. 12A is a plan view of the whole, FIG. 12B is a plan view of an LED driver, and FIG. 12C is an LED chip. The bottom view of each is shown.
  • FIG. 12A is a schematic view of an LED element unit according to a third embodiment of the present invention
  • FIG. 12A is a plan view of the whole
  • FIG. 12B is a plan view of an LED driver
  • FIG. 12C is an LED
  • FIG. 13 is a cross-sectional view of the LED element unit shown in FIG. 12A, showing a cross section taken along the line BB of FIG.
  • FIG. 13 is a cross-sectional view of the LED element unit shown in FIG. 12A, showing a cross section taken along the line CC in FIG. It is a schematic block diagram of the LED lamp carrying an LED package.
  • FIG. 1 is a schematic perspective view of an LED package according to a first embodiment of the present invention.
  • the LED package 1 is used for, for example, a traffic light, an electric bulletin board, a backlight of a liquid crystal display, various lights such as lamps for automobiles and bicycles, and a light source for photosensitive of an electrophotographic printer.
  • the LED package 1 includes a base substrate 2 and a resin case 3 attached on the base substrate 2.
  • the base substrate 2 is formed by fitting a metal cathode terminal 8 and an anode terminal 9 having recesses 6 and 7 to the protrusions 4 of the insulating substrate 5 having the protrusions 4 at the end portion. Are formed in a rectangular plate shape.
  • Each of the cathode terminal 8 and the anode terminal 9 forms an end of the base substrate 2 in the longitudinal direction.
  • the resin case 3 is formed in a wall shape that forms a square ring along the periphery of the base substrate 2 so as to surround the central portion of the base substrate 2.
  • the four inner surfaces 10 (surfaces on the center portion side of the base substrate 2) of the wall-shaped resin case 3 are tapered surfaces in which a pair of surfaces facing each other spread from the surface of the base substrate 2 toward the top. .
  • the inner surface 10 functions as a reflector (reflector).
  • the LED element unit 11 as a light emitting element unit is mounted in the center part of the base substrate 2 surrounded by the resin case 3.
  • the light generated in the LED element unit 11 is emitted from the open surface 12 (surface opposite to the base substrate 2) of the resin package.
  • a translucent resin 66 may be injected into the portion surrounded by the resin case 3 so as to cover the LED element unit 11.
  • the white resin 66A is injected into the lower part of the resin case 3 so as to cover the diode chip 15, and the wavelength conversion resin 66B is injected into the upper part of the resin case 3 so as to cover the LED chip 14. .
  • the wavelength conversion resin 66B may have a lens shape, and the white resin 66A has a peripheral portion that is thicker than the central portion, for example, as shown by a dashed line in FIG. It may be formed to be curved. That is, the white resin 66A may have a relatively thin portion covering the diode chip 15 and a relatively thick contact portion with the resin case 3.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view of the LED package shown in FIG. 1, showing a cross section taken along the line AA of FIG.
  • FIG. 3 is a bottom view of the LED chip shown in FIG. 2 and a plan view of the diode chip.
  • An LED element unit 11 is provided at the center of the base substrate 2.
  • the LED element unit 11 includes an LED chip 14 as a semiconductor light emitting element and a diode chip 15 as a support element that supports the LED chip 14.
  • the LED chip 14 is obtained by forming a light emitting diode structure (LED layer 17) made of a group III nitride semiconductor layer on one main surface of a sapphire substrate 16 as a transparent substrate.
  • An LED cathode electrode 19 as a first n-side electrode and an LED anode electrode 20 as a first p-side electrode are formed on the surface 18 of the LED layer 17.
  • the LED cathode electrode 19 and the LED anode electrode 20 are formed in a bump shape made of Au, and are provided adjacent to each other.
  • “n side” and “p side” are based on the cathode side (n side) and the anode side (p side) of the LED chip 14.
  • the diode chip 15 includes a p-type silicon substrate 23 (for example, a p-type impurity concentration of about 1 ⁇ 10 19 cm ⁇ 3 ) as a conductive substrate having a front surface 21 and a back surface 22.
  • An n + -type region 24 (for example, an n-type impurity concentration of about 1 ⁇ 10 20 cm ⁇ 3 ) is formed on the surface layer portion of the p-type silicon substrate 23 facing the LED chip 14 (surface 21). Yes.
  • the n + -type region 24 is a region that is floating in the p-type silicon substrate 23 as, for example, a square island in plan view.
  • an n + type region 24 and a p type region 25 excluding the n + type region 24 are formed on the p type silicon substrate 23, and a pn junction between the n + type region 24 and the p type region 25 is formed.
  • a Zener diode structure is formed.
  • a Zener diode having such a structure has a Zener voltage determined by the concentration relationship between the n + -type region 24 and the p-type region 25.
  • Zener breakdown occurs at the interface between the n + -type region 24 and the p-type region 25. That is, the diode chip 15 functions as a protection element for the LED chip 14. Therefore, the LED chip 14 and the diode chip 15 constitute a light emitting element circuit having a protection circuit in cooperation with each other.
  • a p + -type contact region 26 having a higher p-type impurity concentration than the p-type region 25 (for example, the p-type impurity concentration is about 1 ⁇ 10 20 cm ⁇ 3 ) is formed on the surface layer portion of the p-type silicon substrate 23. Is formed. Similar to the n + type region 24, the p + type contact region 26 is, for example, a floating region as a square island in plan view, and is formed adjacent to the n + type region 24.
  • a surface protective film 27 made of SiO 2 is formed on the surface 21 of the p-type silicon substrate 23.
  • a diode anode electrode 28 as a second n-side electrode and a diode cathode electrode 29 as a second p-side electrode are formed on the surface protective film 27.
  • the diode anode electrode 28 includes an n-side wiring 30 made of Al and an n-side bump 31 made of Au.
  • the n-side wiring 30 is located immediately above the p + -type contact region 26, passes through the surface protective film 27 and is connected to the p + -type contact region 26, and the n-side contact in plan view
  • An n-side extraction portion 33 that is extracted from the portion 32 to the opposite side of the n + -type region 24 is integrally provided.
  • the n-side lead portion 33 made of Al functions as a relay wiring that connects the p + -type contact region 26 and the n-side via 41 (described later), and also functions as a light reflector on the surface of the diode chip 15. Therefore, as the area of the n-side extraction portion 33 is increased, the light reflection area is increased, so that the light reflectance can be improved.
  • an insulating film may be provided on the side surface of the diode chip 15, and a reflective film may be further formed to further improve the reflectance.
  • the n-side bump 31 is bonded onto the n-side contact portion 32 of the n-side wiring 30 and is disposed immediately above the p + -type contact region 26.
  • the diode cathode electrode 29 includes a p-side wiring 34 made of Al and a p-side bump 35 made of Au.
  • the p-side wiring 34 is located immediately above the n + -type region 24, and passes through the surface protective film 27 and connected to the n + -type region 24, and the p-side contact portion 36 in plan view. And a p-side lead portion 37 that is drawn to the opposite side of the p + -type contact region 26.
  • the p-side lead portion 37 made of Al functions as a relay wiring that connects the n + -type region 24 and the p-side via 42 (described later), and also functions as a light reflector on the surface of the diode chip 15. Therefore, since the light reflection area increases as the area of the p-side lead-out portion 37 is increased, the light reflectance can be improved.
  • the p-side bump 35 is bonded onto the p-side contact portion 36 of the p-side wiring 34 and is disposed immediately above the n + -type region 24.
  • An n-side via hole 38 and a p-side via hole 39 are formed in the p-type silicon substrate 23 so as to penetrate the surface protective film 27 from the back surface 22 and reach the n-side wiring 30 and the p-side wiring 34, respectively.
  • the n-side via hole 38 and the p-side via hole 39 are formed in a square shape in plan view.
  • n-side via holes 38 through the side of the p + -type contact region 26 so as not to contact the p + -type contact region 26 is disposed at a position overlapping the n-side lead-out portion 33 in a plan view.
  • p-side via holes 39 through the side of the n + -type region 24 so as not to contact the n + -type region 24 is disposed at a position overlapping the p-side lead section 37 in a plan view.
  • the n-side via hole 38 and the p-side via hole 39 are arranged on the same straight line (dashed line L in FIG. 3) together with the n + -type region 24 and the p + -type contact region 26 so as not to overlap in plan view. Has been.
  • a fixed interval is provided between the n-side via hole 38 and the p + -type contact region 26 and between the p-side via hole 39 and the n + -type region 24.
  • An insulating film 40 made of SiO 2 is integrally formed on the inner surfaces of the n-side via hole 38 and the p-side via hole 39 and on the back surface 22 of the p-type silicon substrate 23. Then, an n-side via 41 and a p-side via 42 made of Cu are formed so as to fill the inside of the insulating film 40 in the n-side via hole 38 and the p-side via hole 39.
  • the n-side via 41 is connected to the n-side lead portion 33, and the p-side via 42 is connected to the p-side lead portion 37. Further, the n-side via 41 and the p-side via 42 may be tapered vias whose diameter gradually decreases in the direction from the front surface 21 to the back surface 22 of the p-type silicon substrate 23.
  • An n-side island 43 drawn from the n-side via 41 along the back surface 22 of the p-type silicon substrate 23 is formed on the insulating film 40 on the back surface 22 of the p-type silicon substrate 23. It is integrally formed.
  • An n-side external bump 44 made of solder as an n-side external electrode is joined to the n-side island 43.
  • a p-side island 45 drawn from the p-side via 42 along the back surface 22 of the p-type silicon substrate 23 is formed on the insulating film 40 on the back surface 22 of the p-type silicon substrate 23. It is integrally formed.
  • a p-side external bump 46 made of solder as a p-side external electrode is joined to the p-side island 45.
  • the bump-shaped LED cathode electrode 19 and the n-side bump 31 (diode anode electrode 28), and the bump-shaped LED anode electrode 20 and the p-side bump 35 (diode cathode electrode 29) are joined.
  • the LED chip 17 is supported from below by the diode chip 15 in a face-down posture with the surface 18 of the LED layer 17 facing downward.
  • the LED element unit 11 having a stack structure of the LED chip 14 and the diode chip 15 is configured.
  • the LED cathode electrode 19 and the LED anode electrode 20 of the LED layer 17, and the n + type region 24 and the p type region 25 of the Zener diode with respect to the n side external bump 44 and the p side external bump 46. are connected in parallel.
  • the n-side external bump 44 of the diode chip 15 is connected to the portion of the cathode terminal 8 that protrudes toward the center of the base substrate 2 with respect to the resin case 3, and the p-side external bump 46 is the anode.
  • the terminal 9 is disposed at the center of the base substrate 2 by being connected to a portion of the terminal 9 that protrudes toward the center of the base substrate 2 with respect to the resin case 3.
  • FIG. 4A to 4I are cross-sectional views showing a part of the manufacturing process of the LED element unit shown in FIG. 2 in the order of steps, and showing a cut surface at the same position as FIG.
  • the LED element unit 11 is manufactured in the state of the wafer 56 before the p-type silicon substrate 23 is cut into individual pieces.
  • an n + -type region 24 and a p + -type contact region 26 are formed in the surface layer portion of the p-type silicon substrate 23 by a known ion implantation technique.
  • a surface protective film 27 made of SiO 2 is formed on the surface 21 of the p-type silicon substrate 23 by thermal oxidation.
  • the surface protective film 27 is patterned by a known patterning technique, and an opening exposing the n + -type region 24 and the p + -type contact region 26 is formed in the surface protective film 27.
  • an Al layer is deposited over the entire surface of the surface protective film 27 by sputtering.
  • the deposited Al layer is patterned by a known patterning technique, whereby the n-side wiring 30 and the p-side wiring 34 having a predetermined pattern are formed.
  • n-side bumps 31 and p-side bumps 35 made of Au are formed on the n-side wiring 30 and the p-side wiring 34.
  • the p-type silicon substrate 23 is ground and thinned from the back surface 22 side.
  • a p-type silicon substrate 23 having a thickness of 700 ⁇ m is thinned to about 130 ⁇ m.
  • an insulating film 40 made of SiO 2 is formed on the inner surfaces of the n-side via hole 38 and the p-side via hole 39 and the back surface 22 of the p-type silicon substrate 23 by a CVD (Chemical Vapor Deposition) method. It is formed.
  • the portions on the n-side wiring 30 and the p-side wiring 34 in the insulating film 40 are selectively removed by etching.
  • a barrier film (not shown) made of Ti is formed on the insulating film 40, and a seed film (not shown) made of Cu is formed on the barrier film by sputtering.
  • a resist 13 having openings in portions where the n-side island 43 and the p-side island 45 are to be formed is formed on the Cu seed film and the Ti barrier film.
  • Cu is plated and grown on the n-side via hole 38 and the p-side via hole 39 and on the back surface 22 of the p-type silicon substrate 23 from the Cu seed film exposed from the opening of the resist 13.
  • the n-side via 41, the p-side via 42, the n-side island 43, and the p-side island 45 are formed simultaneously.
  • the resist 13 is stripped, and the excess Cu seed film exposed in the portion where the resist 13 was formed is removed. Subsequently, an n-side external bump 44 and a p-side external bump 46 made of solder are formed on the n-side island 43 and the p-side island 45.
  • the dicing blade 57 is advanced from the sapphire substrate 16 to the LED wafer 59 in which the LED layer 17 is formed on the sapphire substrate 16 in the state of the wafer 58, whereby each LED The LED chip 14 is cut on a dicing line set along the periphery of the chip 14. As a result, the wafer 58 is separated into individual LED chips 14.
  • the LED cathode electrode 19 and the LED anode electrode 20 of each LED chip 14 separated into pieces are bonded to the n-side bump 31 and the p-side bump 35 on a one-to-one basis.
  • the dicing blade 60 is advanced from the back surface 22 side of the p-type silicon substrate 23, as shown in FIG. 4I, the p-type silicon substrate is placed on the dicing line set along the periphery of each diode chip 15. 23 is cut off. Thereby, the LED element unit 11 having a stack structure of the LED chip 14 and the diode chip 15 is obtained.
  • the LED chip 14 is bonded to the diode chip 15 in a so-called face-down posture with the electrode formation surface (surface 18) of the LED layer 17 facing downward.
  • the LED element unit 11 can be downsized (shrinked).
  • the diode anode electrode 28 and the diode cathode electrode 29 joined to the LED cathode electrode 19 and the LED anode electrode 20 of the LED chip 14 respectively pass through the p-type silicon substrate 23 in the thickness direction, and the n-side via 41 and the p-side.
  • the vias 42 are connected to the n-side external bump 44 and the p-side external bump 46, respectively.
  • the n-side via 41 and the p-side via 42 are insulated from the p-type silicon substrate 23 by covering the side surfaces with the insulating film 40.
  • Each of the n-side wiring 30 and the p-side wiring 34 has a lead portion (n-side lead portion 33 and p-side lead portion 37), and the lead-out portions 33 and 37 have an n-side via 41 and a p-side via. 42 is connected.
  • veer 42 can be expanded by changing the pattern of the drawer
  • the n-side via 41 and the p-side via 42 can be provided so as not to contact the n + -type region 24 and the p + -type contact region 26. Therefore, even in the downsized LED element unit 11, the n + type region 24 and the p + type contact region 26 are not inhibited. As a result, the Zener diode formed on the p-type silicon substrate 23 can sufficiently exhibit the function of protecting the LED chip 14 from overcurrent.
  • thermo conductivity is about 320 W / (m ⁇ K)
  • Al thermal conductivity is about 236 W / (m ⁇ K).
  • thermo conductivity is about 398 W / (m ⁇ K)
  • thicker n-side via 41 and p-side via 42 than the bonding wire Since it can be dissipated to the base substrate 2 through the n-side external bump 44 and the p-side external bump 46 made of solder (thermal conductivity is about 70 to 80 W / (m ⁇ K)), heat dissipation is improved. be able to.
  • the diode anode electrode 28 and the diode cathode electrode 29 are connected to the cathode terminal 8 and the anode terminal 9 of the base substrate 2 by using bonding wires. There is a possibility that the bonding wire may be disconnected due to a difference in thermal expansion coefficient of the bonding wire.
  • the diode anode electrode 28 and the diode cathode electrode 29 are connected to the cathode terminal 8 and the anode terminal 9 of the base substrate 2, respectively,
  • the p-side external bumps 46 are used for connection. Thereby, it is possible to reduce the occurrence of connection failure due to disconnection or the like of the bonding wire.
  • the diode chip 15 may be a thin chip as shown in FIG.
  • the thickness of the diode chip 15 can be set to 50 ⁇ m to 100 ⁇ m, for example, and the lengths of the n-side via 41 and the p-side via 42 in the thickness direction can be shortened. It is possible to improve the thermal conductivity in the direction of travel.
  • the cathode terminal 8 and the anode terminal 9 may be lead terminals formed in a rectangular plate shape as shown in FIG. In this case, since the n-side external bump 44 and the p-side external bump 46 are directly connected to the lead terminals, the thermal conductivity of the LED package 1 can be improved.
  • the n-side via 41 and the p-side via 42 are formed as large as possible, and even if a plurality of the n-side via 41 and the p-side via 42 are formed in the diode chip 15 as shown in FIG. 7. Good. Thereby, the thermal conductivity in the direction from the front surface to the back surface of the diode chip 15 can be improved.
  • the diode chip 15 may be provided so as to be connected to the plurality of LED chips 14. In this case, one n-side wiring 30 and one p-type wiring 34 may be provided for each LED chip 14 as shown in FIG.
  • the n-side island 43 and the p-side island 45 collectively connect the n-side via 41 and the p-side via 42 connected to each n-side wiring 30 and each p-side wiring 34 as shown in FIG. It may be provided so that it may be provided, or one n-side via 41 and one p-side via 42 may be provided. Further, the n-side wiring 30 and the p-type wiring 34 may be provided as a common wiring for all the LED chips 14 as shown in FIG. In this case, one n-side bump 31 and one p-side bump 35 may be provided for each LED chip 14. Moreover, when using more LED chips 14, you may make it use multilayer wiring. Second Embodiment FIG.
  • FIG. 11 is a schematic cross-sectional view of an LED element unit according to the second embodiment of the present invention.
  • parts corresponding to the parts shown in FIG. 2 are given the same reference numerals as those parts. Further, in the following, detailed description of the parts denoted by the same reference numerals is omitted.
  • a first interlayer insulating film 62 and a second interlayer insulating film 63 made of SiO 2 are sequentially stacked on the surface protective film 27.
  • the n-side wiring 30 and the p-side wiring 34 penetrate the second interlayer insulating film 63, the first interlayer insulating film 62, and the surface protective film 27 from the surface of the second interlayer insulating film 63, and pass through the n + -type region 24 and p. Each is connected to a + type contact region 26.
  • the n-side lead portion 33 of the n-side wiring 30 is divided along a direction crossing the lead-out direction.
  • a resistance element 64 made of polysilicon is formed so as to straddle between the divided n-side lead portions 33.
  • the resistance element 64 is connected to each divided n-side lead portion 33 by a plug 65. Thereby, the resistance element 64 is connected in series between the connection position of the n-side via 41 in the n-side wiring 30 and the connection position of the n-side bump 31 (position of the n-side contact portion 32).
  • the same operational effects as those of the LED element unit 61 of the first embodiment can be exhibited. Furthermore, in the LED element unit 61, since the resistance element 64 is connected in series to the n-side wiring 30, by appropriately setting the resistance value of the resistance element 64, the current flowing through the LED chip 14 is changed to the LED element. It is possible to satisfactorily control the rated current of the chip 14.
  • FIG. 12A and 12B are schematic views of an LED element unit according to the third embodiment of the present invention, in which FIG. 12A is a plan view of the whole, FIG. 12B is a plan view of an LED driver, and FIG. ) Shows bottom views of the LED chips.
  • 13 is a cross-sectional view of the LED element unit shown in FIG. 12 (a), showing a cross section taken along the line BB of FIG. 12 (a).
  • FIG. 14 is a cross-sectional view of the LED element unit shown in FIG. 12 (a), showing a cross section taken along the line CC of FIG.
  • FIG. 13 and FIG. 14 portions corresponding to the respective portions shown in FIG. 2 and FIG. 3 are given the same reference numerals as those portions. Further, in the following, detailed description of the parts denoted by the same reference numerals is omitted.
  • the LED element unit 81 of the third embodiment includes a plurality of LED chips 82R, 82G, and 82B and an LED driver 83 as a drive element that collectively supports the plurality of LED chips 82R, 82G, and 82B. .
  • the plurality of LED chips 82R, 82G, and 82B have different emission wavelengths, the red LED chip 82R (emission wavelength is 615 nm to 665 nm), the green LED chip 82G (emission wavelength is 515 nm to 540 nm), and the blue LED chip 82B (emission wavelength). Is 445 nm to 480 nm).
  • the green LED chip 82 ⁇ / b> G has a SiC substrate 47 instead of the sapphire substrate 16, and the LED layer 17 is formed on one main surface of the SiC substrate 47.
  • the red LED chip 82 ⁇ / b> R has a GaAs substrate 48 instead of the sapphire substrate 16, and the LED layer 17 is formed on one main surface of the GaAs substrate 48.
  • the LED driver 83 includes a silicon substrate 85 on which a driving IC 84 (driving circuit) for driving the individual LED chips 82R, 82G, and 82B is formed.
  • a surface protective film 90 made of SiO 2 is formed on the surface 86 of the silicon substrate 85.
  • a cathode electrode 88 as a second n-side electrode and anode electrodes 89R, 89G, and 89B as second p-side electrodes are formed adjacent to each other.
  • the cathode electrode 88 is a common electrode for the three LED chips 82R, 82G, and 82B.
  • a total of three pairs of anode electrodes 89R, 89G, and 89B are provided for each of the LED chips 82R, 82G, and 82B.
  • the anode electrodes 89R, 89G, and 89B include anode wirings 94R, 94G, and 94B and anode bumps 95R, 95G, and 95B, which are provided for each of the LED chips 82R, 82G, and 82B.
  • Each of the anode wirings 94R, 94G, and 94B is opposite to the cathode electrode 88 from the anode contact portions 96R, 96G, and 96B with which the anode bumps 95R, 95G, and 95B are contacted, and the anode contact portions 96R, 96G, and 96B in plan view.
  • An anode lead portion 97R, 97G, 97B drawn to the side is integrally provided.
  • the silicon substrate 85 is formed with cathode via holes 98 and anode via holes 99R, 99G, and 99B that penetrate the surface protective film 90 from the back surface 87 and reach the cathode electrode 88 and the anode wirings 94R, 94G, and 94B, respectively.
  • the cathode via hole 98 and the anode via holes 99R, 99G, and 99B are formed, for example, in a square shape in plan view.
  • One cathode via hole 98 is provided for the common cathode electrode 88.
  • a total of three anode via holes 99R, 99G, 99B are provided for each LED chip 82R, 82G, 82B.
  • anode via holes 99R, 99G, and 99B are arranged at positions overlapping the anode lead portions 97R, 97G, and 97B in a plan view.
  • An insulating film 100 made of SiO 2 is integrally formed on the inner surfaces of the cathode via hole 98 and the anode via holes 99R, 99G, and 99B and the back surface 87 of the silicon substrate 85.
  • the cathode via 101 and the anode vias 102R, 102G, 102B made of Cu are formed so as to fill the inside of the insulating film 100 in the cathode via hole 98 and the anode via holes 99R, 99G, 99B.
  • the cathode via 101 is connected to the cathode electrode 88, and the anode vias 102R, 102G, and 102B are connected to the anode lead portions 97R, 97G, and 97B.
  • a cathode island 103 drawn from the cathode via 101 along the back surface 87 of the silicon substrate 85 is formed integrally with the cathode via 101 on the portion of the insulating film 100 on the back surface 87 of the silicon substrate 85.
  • the cathode island 103 is joined with cathode external bumps 104 made of solder as cathode external electrodes.
  • anode islands 105R, 105G, and 105B drawn along the back surface 87 of the silicon substrate 85 from the anode vias 102R, 102G, and 102B are formed on the insulating film 100 on the back surface 87 of the silicon substrate 85. , 102B.
  • Anode external bumps 106R, 106G, and 106B made of solder as anode external electrodes are joined to the anode islands 105R, 105G, and 105B.
  • the red LED chip 82R, the green LED chip 82G, and the blue LED chip 82B are bonded to the bump-shaped LED cathode electrode 19 and the cathode electrode 88, and the bump-shaped LED anode electrode 20 and the anode bumps 95R, 95G, and 95B, respectively.
  • the LED driver 83 is supported from below in a face-down posture with the surface 18 of the LED layer 17 facing downward (FIGS. 12A and 13).
  • the plurality of LED chips (the red LED chip 82R, the green LED chip 82G, and the blue LED chip 82B) are disposed below the electrode formation surface (surface 18) of the LED layer 17.
  • the LED driver 83 is joined in a so-called face-down posture.
  • the LED chips 82R, 82G, and 82B and the LED driver 83 can be stacked, so that the LED element unit 81 can be downsized (shrinked).
  • a cathode via 101 in which the cathode electrode 88 and the anode electrodes 89R, 89G, and 89B joined to the LED cathode electrode 19 and the LED anode electrode 20 of each LED chip 82R, 82G, and 82B penetrate the silicon substrate 85 in the thickness direction.
  • the anode external bumps 104 and the anode external bumps 106R, 106G, and 106B are connected to each other by the anode vias 102R, 102G, and 102B, respectively.
  • the cathode via 101 and the anode vias 102R, 102G, and 102B are insulated from the silicon substrate 85 by covering the side surfaces with the insulating film 100. Therefore, when power is supplied from the cathode external bump 104 and the anode external bumps 106R, 106G, 106B to the LED chips 82R, 82G, 82B via the vias (cathode via 101 and anode vias 102R, 102G, 102B), the vias (cathode via 101 and The anode vias 102R, 102G, and 102B) and the silicon substrate 85 can be prevented from being short-circuited. As a result, power can be normally supplied to the LED chips 82R, 82G, and 82B.
  • the elements stacked with the LED chip are not limited to the elements (diode chip 15 and LED driver 83) exemplified in the first to third embodiments, but may be variable resistance elements.
  • the insulating films 40 and 100 covering the side surfaces of the vias are not limited to SiO 2 but may be SiN or the like.
  • vias (n-side via 41 and p-side via 42) penetrating the p-type silicon substrate 23 are provided on both the cathode side (n side) and the anode side (p side). Although formed, one can be omitted.
  • a configuration in which the conductivity type of each semiconductor region is reversed may be employed. That is, in the diode chip 15, a configuration in which the n-type (first conductivity type) region is a p-type (second conductivity type) region and the p-type region is an n-type region is employed. Good. Also, wiring connecting the second n-side electrode 28 and the n-side external bump 44, wiring connecting the second p-side electrode 29 and the p-side external bump 46, wiring connecting the cathode electrode 88 and the cathode external bump 104, etc. May not be vias penetrating the silicon substrates 23 and 85, respectively. For example, in the diode chip 15 of the LED element unit 11 of the first embodiment, the wiring formed along the side surface of the silicon substrate 23 may be used.
  • the LED element unit 11 uses the n-side external bump 44 and the p-side external bump 46 as leads of the lead frame, respectively. May be directly mounted on the lead frame without the base substrate 2 or the like.
  • the LED chips 14, 82R, 82G, and 82B illustrated in the first to third embodiments are schematic, and the LED chips 14, 82R, 82G, and 82B are LEDs having a general structure. An element can be used.
  • Examples of application products of the LED package 1 or the LED element units 11, 61, 71, 81 in the first to third embodiments are, for example, an LED lamp, a backlight, a 7-segment display, and a dot matrix display. Etc.
  • an LED lamp As an example of the configuration of the LED lamp, as shown in FIG. 15, a configuration in which a plurality of LED packages 1 are installed on a substrate 67 (R is a resistor and C is a capacitor) can be mentioned.
  • the LED element units 11, 61, 71, 81 alone may be installed instead of the LED package 1.
  • Diode cathode electrode 30 ... n-side wiring, 31 ... n-side bump, 34 ... p-side wiring, 35 ... p-side bump, 40. ..Insulating film, 41 ... n-side via, 4 ... p-side vias, 44 ... n-side external bumps, 46 ... p-side external bumps, 61 ... LED element unit, 64 ... resistive element, 81 ... LED element unit, 82R ..Red LED chip, 82G ... Green LED chip, 82B ... Blue LED chip, 83 ... LED driver, 84 ... Drive IC, 85 ... Silicon substrate, 86 ... (Silicon substrate) ) Front surface, 87...

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Power Engineering (AREA)

Abstract

　本発明の発光素子ユニットは、表面および裏面を有し、当該裏面から光が取り出され、当該表面に第１ｎ側電極および第１ｐ側電極を有する半導体発光素子と、表面および裏面を有する導電性基板と、前記導電性基板の前記表面に形成された第２ｎ側電極および第２ｐ側電極とを有する支持素子とを含み、前記半導体発光素子は、前記第１ｎ側電極と前記第２ｎ側電極、および前記第１ｐ側電極と前記第２ｐ側電極がそれぞれ接合されることにより、前記表面を下方に向けたフェイスダウン姿勢で前記支持素子に支持されており、前記支持素子は、前記導電性基板の前記裏面に形成されたｎ側外部電極およびｐ側外部電極と、前記導電性基板を前記表面から前記裏面まで貫通し、前記第２ｎ側電極と前記ｎ側外部電極との間および／または前記第２ｐ側電極と前記ｐ側外部電極との間を電気的に接続する導電性のビアと、前記ビアと前記導電性基板との間に前記ビアの側面を覆うように形成された絶縁膜とを有する。

Description

発光素子ユニットおよび発光素子パッケージ
　本発明は、発光素子ユニットおよび発光素子パッケージに関する。
　特許文献１に開示された発光装置は、白色のアルミナセラミックス基板からなる絶縁基板と、当該絶縁基板上に互いに隣接して搭載された発光素子およびツェナーダイオードと、発光素子およびツェナーダイオードを封止する樹脂封止部とを備えている。ツェナーダイオードは、発光素子に並列に接続されており、たとえば、発光素子に対して過大な逆方向電流が流れることを防止する。
特開２００８－８５１１３号公報
　特許文献１の発光装置では、発光素子およびツェナーダイオードが互いに隣接して搭載されているので、これら２つの素子を搭載できるスペースを有する絶縁基板が必要である。そのため、発光装置全体としての構造が大型化するという不具合がある。
　一方、発光素子およびツェナーダイオードをスタック構造にできれば、絶縁基板上のスペースが素子１つ分で済むので、装置全体としての小型化（シュリンク化）を図ることができるかもしれない。
　しかしながら、発光素子とツェナーダイオードとの接続構造、発光素子への電力の供給方法等の課題が残る。
　本発明の目的は、半導体発光素子および支持素子のスタック構造により小型化を図ることができ、さらに、半導体発光素子に対して電力を正常に供給できる発光素子ユニットおよび当該発光素子ユニットを備える発光素子パッケージを提供することである。
　上記目的を達成するための本発明の発光素子ユニットは、表面および裏面を有し、当該裏面から光が取り出され、当該表面に第１ｎ側電極および第１ｐ側電極を有する半導体発光素子と、表面および裏面を有する導電性基板と、前記導電性基板の前記表面に形成された第２ｎ側電極および第２ｐ側電極とを有する支持素子とを含み、前記半導体発光素子は、前記第１ｎ側電極と前記第２ｎ側電極、および前記第１ｐ側電極と前記第２ｐ側電極がそれぞれ接合されることにより、前記表面を下方に向けたフェイスダウン姿勢で前記支持素子に支持されており、前記支持素子は、前記導電性基板の前記裏面に形成されたｎ側外部電極およびｐ側外部電極と、前記導電性基板を前記表面から前記裏面まで貫通し、前記第２ｎ側電極と前記ｎ側外部電極との間および／または前記第２ｐ側電極と前記ｐ側外部電極との間を電気的に接続する導電性のビアと、前記ビアと前記導電性基板との間に前記ビアの側面を覆うように形成された絶縁膜とを有する。
　この構成によれば、半導体発光素子は、電極の形成面（表面）を下方に向けた、いわゆるフェイスダウン姿勢で支持素子に接合されている。これにより、半導体発光素子および支持素子をスタック構造にできるので、構造の小型化（シュリンク化）を図ることができる。
　さらに、半導体発光素子の第１ｎ側電極および第１ｐ側電極それぞれに接合された第２ｎ側電極および第２ｐ側電極のうち少なくとも一方は、支持素子の導電性基板を厚さ方向に貫通するビアによって外部電極（ｎ側外部電極、ｐ側外部電極）に電気的に接続されている。そして、第２ｎ側電極および／または第２ｐ側電極と外部電極とを導通させるビアは、その側面が絶縁膜で覆われることによって、導電性基板に対して絶縁されている。そのため、外部電極からビアを介して半導体発光素子に電力を供給する際、ビアと導電性基板とが短絡することを防止することができる。その結果、半導体発光素子に対して電力を正常に供給することができる。
　また、本発明の発光素子ユニットでは、前記ビアに接続された前記第２ｎ側電極および前記第２ｐ側電極は、前記導電性基板の前記表面に沿って敷設され、前記導電性基板および前記ビアそれぞれに接続された配線と、当該配線上に形成され、前記第１ｎ側電極または前記第１ｐ側電極に接合されたバンプとを含むことが好ましい。
　この構成によれば、導電性基板とビアとが配線によって接続されているので、配線のパターンを適宜変更することにより、ビアの形成位置の自由度を広げることができる。これにより、導電性基板において、ダイオード等が形成される素子形成領域と、ビアが形成されるビア形成領域とを分離することができる。その結果、小型化された発光素子ユニットにおいても、素子形成領域を阻害せずに、導電性基板を貫通するビアを形成することができる。
　また、本発明の発光素子ユニットは、前記配線における前記ビアの接続位置と前記バンプとの接続位置との間に介挿された抵抗素子をさらに含むことが好ましい。
　この構成によれば、抵抗素子が半導体発光素子に対して直列に接続されているので、当該抵抗素子の抵抗値を適切に設定することにより、半導体発光素子に流れる電流を、当該発光素子の定格電流に良好に制御することができる。
　また、本発明の発光素子ユニットでは、前記バンプに接続された前記第１ｎ側電極および前記第１ｐ側電極は、前記バンプと同一の金属材料からなるバンプ状に形成されていことが好ましい。その金属材料は、Ａｕであってもよい。
　また、本発明の発光素子ユニットでは、前記配線は、Ａｌからなっていてもよい。
　本発明の発光素子ユニットでは、前記導電性基板が、前記第２ｎ側電極が接続されたｐ型領域と、前記第２ｐ側電極が接続されたｎ型領域とを有し、前記支持素子が、当該ｎ型領域と当該ｐ型領域とのｐｎ接合を有するツェナーダイオードを含む場合、前記ビアは、前記第２ｎ側電極および前記第２ｐ側電極それぞれに接続されたｎ側ビアおよびｐ側ビアを含むことが好ましい。
　この構成により、半導体発光素子に対してツェナーダイオードを並列に接続することができる。そのため、半導体発光素子に対して過大な逆方向電流が流れることを防止することができる。
　たとえば、前記導電性基板が、前記ｐ型領域としてのｐ型半導体基板であり、前記ｎ型領域が、当該ｐ型半導体基板の表層部にフローティングされた領域である場合、前記ｐ側ビアは、フローティングされた前記ｎ型領域に接触しないように前記ｐ型半導体基板を貫通していることが好ましい。
　これらの構成によれば、ツェナーダイオードのｐｎ接合を形成するｎ型領域（フローティング領域）が、ｎ側ビアによって阻害されていない。そのため、ツェナーダイオードは、半導体発光素子を過電流から保護する働きを十分に発揮することができる。
　また、前記ｐ型半導体基板が、その表層部において前記ｎ型領域に隣接して形成され、前記第２ｎ側電極が接続されたｐ+型コンタクト領域を含む場合、前記ｐ側ビアは、前記ｎ型領域に対して前記ｐ+型コンタクト領域とは反対側に形成されており、前記ｎ側ビアは、前記ｐ+型コンタクト領域に対して前記ｎ型領域とは反対側に形成されていることが好ましい。具体的には、前記ｎ側ビア、前記ｎ型領域、前記ｐ+型コンタクト領域および前記ｐ側ビアが、平面視において同一直線上に配置されていてもよい。
　また、本発明の発光素子ユニットでは、前記導電性基板が、複数の前記半導体発光素子をそれぞれ駆動させる駆動回路を有し、前記支持素子が、複数の前記半導体発光素子を支持する駆動素子を含み、前記ビアが、前記第２ｎ側電極および前記第２ｐ側電極それぞれに電気的に接続されていることが好ましい。
　この構成によれば、１つの駆動素子に対して複数の半導体発光素子をスタック構造できるので、構造の小型化（シュリンク化）を図ることができる。
　また、複数の前記半導体発光素子は、互いに発光波長が異なる発光素子であってもよい。具体的には、複数の前記半導体発光素子は、赤色ＬＥＤ素子、緑色ＬＥＤ素子および青色ＬＥＤ素子を含んでいてもよい。その場合、前記赤色ＬＥＤ素子、前記緑色ＬＥＤ素子および前記青色ＬＥＤ素子それぞれの前記第１ｎ側電極が、共通の前記第２ｎ側電極に接続されていることが好ましい。
　そして、本発明の発光素子ユニットを、カソード端子およびアノード端子を有するベース基板で支持し、その周囲を樹脂ケースで取り囲むことにより、本発明の発光素子パッケージを構成することができる。
本発明の第１実施形態に係るＬＥＤパッケージの模式的な斜視図である。 図１に示すＬＥＤパッケージの断面図であって、図１のＡ－Ａ切断面における断面を示す。 図２に示すＬＥＤチップの底面図およびダイオードチップの平面図である。 図２に示すＬＥＤ素子ユニットの製造工程の一部を示す断面図であって、図２と同じ位置での切断面を示す。 図４Ａの次の工程を示す図である。 図４Ｂの次の工程を示す図である。 図４Ｃの次の工程を示す図である。 図４Ｄの次の工程を示す図である。 図４Ｅの次の工程を示す図である。 図４Ｆの次の工程を示す図である。 図４Ｇの次の工程を示す図である。 図４Ｈの次の工程を示す図である。 図２のダイオードチップの変形例を示す図である。 図２のカソード端子およびアノード端子の変形例を示す図である。 図３のｎ側ビアおよびｐ側ビアの変形例を示す図である。 図２のＬＥＤチップおよびダイオードチップの変形例を示す図であって、図８（ａ）がダイオードチップの平面図、図８（ｂ）がＬＥＤチップの底面図をそれぞれ示す。 図８のダイオードチップの底面図である。 図２のＬＥＤチップおよびダイオードチップの変形例を示す図であって、図８（ａ）がダイオードチップの平面図、図８（ｂ）がＬＥＤチップの底面図をそれぞれ示す。 本発明の第２実施形態に係るＬＥＤ素子ユニットの模式的な断面図である。 本発明の第３実施形態に係るＬＥＤ素子ユニットの模式図であって、図１２（ａ）が全体の平面図、図１２（ｂ）がＬＥＤドライバの平面図、図１２（ｃ）がＬＥＤチップの底面図をそれぞれ示す。 図１２（ａ）に示すＬＥＤ素子ユニットの断面図であって、図１２（ａ）のＢ－Ｂ切断面における断面を示す。 図１２（ａ）に示すＬＥＤ素子ユニットの断面図であって、図１２（ａ）のＣ－Ｃ切断面における断面を示す。 ＬＥＤパッケージを搭載したＬＥＤランプの概略構成図である。
　以下では、本発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
＜第１実施形態＞
　図１は、本発明の第１実施形態に係るＬＥＤパッケージの模式的な斜視図である。
　ＬＥＤパッケージ１は、たとえば、信号機、電光掲示板、液晶ディスプレイのバックライト、自動車および自転車のランプ等の各種照明、電子写真式プリンタの感光用光源などに用いられる。
　ＬＥＤパッケージ１は、ベース基板２と、ベース基板２上に取り付けられた樹脂ケース３とを備えている。
　ベース基板２は、端部に凸条４を有する絶縁性基板５の凸条４に対して、凹条６，７を有する金属製のカソード端子８およびアノード端子９を嵌合させることにより、全体として長方形板状に形成したものである。カソード端子８およびアノード端子９はそれぞれ、ベース基板２の長手方向の各端部を形成している。
　樹脂ケース３は、ベース基板２の中央部を取り囲むように、ベース基板２の周縁に沿う四角環を形成する壁状に形成されている。壁状の樹脂ケース３の４つの内面１０（ベース基板２の中央部側の面）は、互いに対向する一対の面がそれぞれ、ベース基板２の表面から頂部へ向かって広がるテーパー面とされている。内面１０は、リフレクタ（反射板）として機能する。
　そして、樹脂ケース３に取り囲まれたベース基板２の中央部に、発光素子ユニットとしてのＬＥＤ素子ユニット１１が搭載されている。ＬＥＤ素子ユニット１１で発生した光は、樹脂パッケージの開放面１２（ベース基板２とは反対側の面）から放射される。樹脂ケース３で取り囲まれた部分には、図２に示すように、ＬＥＤ素子ユニット１１を覆うように、透光性樹脂６６が注入されていてもよい。具体的には、樹脂ケース３の下部にダイオードチップ１５を覆うように白色樹脂６６Ａが注入され、樹脂ケース３の上部にＬＥＤチップ１４を覆うように波長変換樹脂６６Ｂが注入されていることが好ましい。ＬＥＤチップ１４の下方に白色樹脂６６Ａを設けることにより、光の吸収を抑え、発光高率を高めることができる。なお、波長変換樹脂６６Ｂは、レンズ形状を有していてもよく、白色樹脂６６Ａは、たとえば、図２に一点鎖線で示すように、その周囲の部分が中央の部分に比べて厚くなるように湾曲して形成されていてもよい。すなわち、白色樹脂６６Ａは、ダイオードチップ１５を覆う部分が相対的に薄く、樹脂ケース３との接触部分が相対的に厚くてもよい。
　図２は、図１に示すＬＥＤパッケージの断面図であって、図１のＡ－Ａ切断面における断面を示す。また、図３は、図２に示すＬＥＤチップの底面図およびダイオードチップの平面図である。
　ベース基板２の中央部には、ＬＥＤ素子ユニット１１が設けられている。
　ＬＥＤ素子ユニット１１は、半導体発光素子としてのＬＥＤチップ１４と、当該ＬＥＤチップ１４を支持する支持素子としてのダイオードチップ１５とを備えている。
　ＬＥＤチップ１４は、透明基板としてのサファイア基板１６の一主面にIII族窒化物半導体層からなる発光ダイオード構造（ＬＥＤ層１７）を形成したものである。
　ＬＥＤ層１７の表面１８には、第１ｎ側電極としてのＬＥＤカソード電極１９および第１ｐ側電極としてのＬＥＤアノード電極２０が形成されている。ＬＥＤカソード電極１９およびＬＥＤアノード電極２０は、Ａｕからなるバンプ状に形成されており、互いに隣接して設けられている。なお、以下で説明において、「ｎ側」および「ｐ側」とは、ＬＥＤチップ１４のカソード側（ｎ側）およびアノード側（ｐ側）を基準としている。
　ＬＥＤ層１７から発生した光は、サファイア基板１６を透過して樹脂パッケージの開放面１２から放射される（図１参照）。
　ダイオードチップ１５は、表面２１および裏面２２を有する導電性基板としてのｐ型シリコン基板２３（たとえば、ｐ型不純物濃度が１×１０19ｃｍ-3程度）を備えている
。ｐ型シリコン基板２３におけるＬＥＤチップ１４との対向面（表面２１）側の表層部には、ｎ+型領域２４（たとえば、ｎ型不純物濃度が１×１０20ｃｍ-3程度）が形成されている。ｎ+型領域２４は、ｐ型シリコン基板２３において、たとえば、平面視四角状の島としてフローティングされた領域である。
　これにより、ｐ型シリコン基板２３には、ｎ+型領域２４と、当該ｎ+型領域２４を除くｐ型領域２５とが形成され、これらｎ+型領域２４とｐ型領域２５とのｐｎ接合を有するツェナーダイオードの構造が形成されている。このような構造を有するツェナーダイオードは、ｎ+型領域２４とｐ型領域２５との濃度関係によって定まるツェナー電圧を有している。当該ツェナーダイオードに所定の逆方向電圧が加わると、ｎ+型領域２４とｐ型領域２５との界面でツェナー降伏が起こる。すなわちダイオードチップ１５は、ＬＥＤチップ１４の保護素子として機能する。したがって、ＬＥＤチップ１４およびダイオードチップ１５は、互いに協働して保護回路を有する発光素子回路を構成している。
　また、ｐ型シリコン基板２３の表層部には、ｐ型領域２５よりも高いｐ型不純物濃度を有するｐ+型コンタクト領域２６（たとえば、ｐ型不純物濃度が１×１０20ｃｍ-3程度）が形成されている。ｐ+型コンタクト領域２６は、ｎ+型領域２４と同様に、たとえば、平面視四角状の島としてフローティングされた領域であり、ｎ+型領域２４に隣接して形成されている。
　ｐ型シリコン基板２３の表面２１には、ＳｉＯ2からなる表面保護膜２７が形成されている。
　表面保護膜２７上には、第２ｎ側電極としてのダイオードアノード電極２８および第２ｐ側電極としてのダイオードカソード電極２９が形成されている。
　ダイオードアノード電極２８は、Ａｌからなるｎ側配線３０と、Ａｕからなるｎ側バンプ３１とを備えている。
　ｎ側配線３０は、ｐ+型コンタクト領域２６の直上に位置し、表面保護膜２７を貫通してｐ+型コンタクト領域２６に接続されたｎ側コンタクト部３２と、平面視において当該ｎ側コンタクト部３２からｎ+型領域２４とは反対側に引き出されたｎ側引出し部３３とを一体的に有している。Ａｌからなるｎ側引出し部３３は、ｐ+型コンタクト領域２６とｎ側ビア４１（後述）とを接続する中継配線として機能するとともに、ダイオードチップ１５の表面上において光の反射板として機能する。したがって、ｎ側引出し部３３の面積を大きくするほど光の反射面積が大きくなるので、光の反射率を向上させることができる。なお、ダイオードチップ１５の側面に、たとえば、絶縁膜を設けた上で、さらに反射膜を形成し、反射率をさらに向上させるようにしてもよい。
　ｎ側バンプ３１は、ｎ側配線３０のｎ側コンタクト部３２上に接合されており、ｐ+型コンタクト領域２６の直上に配置されている。
　ダイオードカソード電極２９は、Ａｌからなるｐ側配線３４と、Ａｕからなるｐ側バンプ３５とを備えている。
　ｐ側配線３４は、ｎ+型領域２４の直上に位置し、表面保護膜２７を貫通してｎ+型領域２４に接続されたｐ側コンタクト部３６と、平面視において当該ｐ側コンタクト部３６からｐ+型コンタクト領域２６とは反対側に引き出されたｐ側引出し部３７とを一体的に有している。Ａｌからなるｐ側引出し部３７は、ｎ+型領域２４とｐ側ビア４２（後述）とを接続する中継配線として機能するとともに、ダイオードチップ１５の表面上において光の反射板として機能する。したがって、ｐ側引出し部３７の面積を大きくするほど光の反射面積が大きくなるので、光の反射率を向上させることができる。
　ｐ側バンプ３５は、ｐ側配線３４のｐ側コンタクト部３６上に接合されており、ｎ+型領域２４の直上に配置されている。
　ｐ型シリコン基板２３には、その裏面２２から表面保護膜２７を貫通し、ｎ側配線３０およびｐ側配線３４それぞれに達するｎ側ビアホール３８およびｐ側ビアホール３９が形成されている。ｎ側ビアホール３８およびｐ側ビアホール３９は、たとえば、平面視四角状に形成されている。
　また、ｎ側ビアホール３８は、ｐ+型コンタクト領域２６に接触しないようにｐ+型コンタクト領域２６の側方を通過し、平面視においてｎ側引出し部３３に重なる位置に配置されている。また、ｐ側ビアホール３９は、ｎ+型領域２４に接触しないようにｎ+型領域２４の側方を通過し、平面視においてｐ側引出し部３７に重なる位置に配置されている。具体的には、ｎ側ビアホール３８およびｐ側ビアホール３９は、ｎ+型領域２４およびｐ+型コンタクト領域２６とともに同一直線（図３の一点鎖線Ｌ）上に、平面視で重ならないように配置されている。
　これにより、ｎ側ビアホール３８とｐ+型コンタクト領域２６との間、およびｐ側ビアホール３９とｎ+型領域２４との間には、それぞれ一定の間隔が設けられている。
　ｎ側ビアホール３８およびｐ側ビアホール３９の内面ならびにｐ型シリコン基板２３の裏面２２には、ＳｉＯ2からなる絶縁膜４０が一体的に形成されている。
　そして、ｎ側ビアホール３８およびｐ側ビアホール３９における絶縁膜４０の内側を埋め尽くすように、Ｃｕからなるｎ側ビア４１およびｐ側ビア４２が形成されている。ｎ側ビア４１はｎ側引出し部３３に接続され、ｐ側ビア４２はｐ側引出し部３７に接続されることとなる。また、ｎ側ビア４１およびｐ側ビア４２は、ｐ型シリコン基板２３の表面２１から裏面２２へ向かう方向に径が徐々に小さくなるテーパービアであってもよい。
　また、絶縁膜４０におけるｐ型シリコン基板２３の裏面２２上の部分には、ｎ側ビア４１からｐ型シリコン基板２３の裏面２２に沿って引き出されたｎ側アイランド４３が、ｎ側ビア４１と一体的に形成されている。このｎ側アイランド４３には、ｎ側外部電極としての半田からなるｎ側外部バンプ４４が接合されている。
　また、絶縁膜４０におけるｐ型シリコン基板２３の裏面２２上の部分には、ｐ側ビア４２からｐ型シリコン基板２３の裏面２２に沿って引き出されたｐ側アイランド４５が、ｐ側ビア４２と一体的に形成されている。このｐ側アイランド４５には、ｐ側外部電極としての半田からなるｐ側外部バンプ４６が接合されている。
　そして、ＬＥＤチップ１４は、バンプ状のＬＥＤカソード電極１９とｎ側バンプ３１（ダイオードアノード電極２８）、およびバンプ状のＬＥＤアノード電極２０とｐ側バンプ３５（ダイオードカソード電極２９）がそれぞれ接合されることにより、ＬＥＤ層１７の表面１８を下方に向けたフェイスダウン姿勢でダイオードチップ１５に下方から支持されている。これにより、ＬＥＤチップ１４およびダイオードチップ１５のスタック構造からなるＬＥＤ素子ユニット１１が構成されている。このＬＥＤ素子ユニット１１では、ｎ側外部バンプ４４およびｐ側外部バンプ４６に対して、ＬＥＤ層１７のＬＥＤカソード電極１９およびＬＥＤアノード電極２０と、ツェナーダイオードのｎ+型領域２４およびｐ型領域２５とが並列に接続されることとなる。
　そして、ＬＥＤ素子ユニット１１は、ダイオードチップ１５のｎ側外部バンプ４４がカソード端子８における樹脂ケース３に対してベース基板２の中央部側にはみ出した部分に接続され、ｐ側外部バンプ４６がアノード端子９における樹脂ケース３に対してベース基板２の中央部側にはみ出した部分に接続されることにより、ベース基板２の中央部に配置されている。
　ＬＥＤ素子ユニット１１のサファイア基板１６の天面５５と樹脂ケース３の開放面１２（頂部）との間には、ＬＥＤ素子ユニット１１がパッケージ化された状態において、適当なクリアランスＣが設けられている。
　図４Ａ～図４Ｉは、図２に示すＬＥＤ素子ユニットの製造工程の一部を工程順に示す断面図であって、図２と同じ位置での切断面を示す。
　ＬＥＤ素子ユニット１１の製造は、ｐ型シリコン基板２３が個片に切り分けられる前のウエハ５６の状態で進められる。まず、図４Ａに示すように、公知のイオンインプランテーション技術により、ｐ型シリコン基板２３の表層部にｎ+型領域２４およびｐ+型コンタクト領域２６が形成される。次に、熱酸化により、ｐ型シリコン基板２３の表面２１に、ＳｉＯ2からなる表面保護膜２７が形成される。次に、公知のパターニング技術により表面保護膜２７がパターニングされ、ｎ+型領域２４およびｐ+型コンタクト領域２６を露出させる開口が表面保護膜２７に形成される。次に、スパッタ法により、表面保護膜２７上の全域にＡｌ層が堆積される。次に、公知のパターニング技術により、当該堆積したＡｌ層をパターニングすることにより、所定パターンのｎ側配線３０およびｐ側配線３４が形成される。
　次に、図４Ｂに示すように、ｎ側配線３０およびｐ側配線３４に、Ａｕからなるｎ側バンプ３１およびｐ側バンプ３５が形成される。次に、ｐ型シリコン基板２３が裏面２２側から研削され、薄くされる。たとえば、７００μｍ厚のｐ型シリコン基板２３が、１３０μｍ厚程度にまで薄くされる。次に、ｐ型シリコン基板２３の裏面２２からｐ型シリコン基板２３および表面保護膜２７をエッチングすることにより、ｎ側配線３０およびｐ側配線３４それぞれに達するｎ側ビアホール３８およびｐ側ビアホール３９が形成される。
　次に、図４Ｃに示すように、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法により、ｎ側ビアホール３８およびｐ側ビアホール３９の内面、ならびにｐ型シリコン基板２３の裏面２２に、ＳｉＯ2からなる絶縁膜４０が形成される。
　次に、図４Ｄに示すように、エッチングにより、当該絶縁膜４０におけるｎ側配線３０およびｐ側配線３４上の部分が選択的に除去される。
　次に、絶縁膜４０上にＴｉからなるバリア膜（図示せず）が形成され、当該バリア膜上に、スパッタ法により、Ｃｕからなるシード膜（図示せず）が形成される。次に、図４Ｅに示すように、当該Ｃｕシード膜およびＴｉバリア膜上に、ｎ側アイランド４３およびｐ側アイランド４５を形成すべき部分に開口を有するレジスト１３が形成される。その後、レジスト１３の開口から露出するＣｕシード膜から、ｎ側ビアホール３８およびｐ側ビアホール３９内およびｐ型シリコン基板２３の裏面２２にＣｕをめっき成長させる。これにより、図４Ｅに示すように、ｎ側ビア４１、ｐ側ビア４２、ｎ側アイランド４３およびｐ側アイランド４５が同時に形成される。
　次に、図４Ｆに示すように、レジスト１３が剥離され、レジスト１３が形成されていた部分に露出する余分なＣｕシード膜が除去される。続いて、ｎ側アイランド４３およびｐ側アイランド４５に、半田からなるｎ側外部バンプ４４およびｐ側外部バンプ４６が形成される。
　次に、図４Ｇに示すように、ウエハ５８の状態のサファイア基板１６上にＬＥＤ層１７が形成されたＬＥＤウエハ５９に対して、サファイア基板１６からダイシングブレード５７が進出されることにより、各ＬＥＤチップ１４の周縁に沿って設定されたダイシングライン上でＬＥＤチップ１４が切断される。これにより、ウエハ５８が各ＬＥＤチップ１４に個片化される。
　次に、図４Ｈに示すように、個片化された各ＬＥＤチップ１４のＬＥＤカソード電極１９およびＬＥＤアノード電極２０が、ｎ側バンプ３１およびｐ側バンプ３５に対して１対１で接合される。
　次に、ｐ型シリコン基板２３の裏面２２側からダイシングブレード６０が進出されることにより、図４Ｉに示すように、各ダイオードチップ１５の周縁に沿って設定されたダイシングライン上でｐ型シリコン基板２３が切断される。これにより、ＬＥＤチップ１４およびダイオードチップ１５のスタック構造を有するＬＥＤ素子ユニット１１が得られる。
　以上のように、このＬＥＤパッケージ１によれば、ＬＥＤチップ１４は、ＬＥＤ層１７の電極の形成面（表面１８）を下方に向けた、いわゆるフェイスダウン姿勢でダイオードチップ１５に接合されている。これにより、ＬＥＤチップ１４およびダイオードチップ１５をスタック構造にできるので、ＬＥＤ素子ユニット１１の小型化（シュリンク化）を図ることができる。
　さらに、ＬＥＤチップ１４のＬＥＤカソード電極１９およびＬＥＤアノード電極２０それぞれに接合されたダイオードアノード電極２８およびダイオードカソード電極２９が、ｐ型シリコン基板２３を厚さ方向に貫通するｎ側ビア４１およびｐ側ビア４２によって、ｎ側外部バンプ４４およびｐ側外部バンプ４６にそれぞれ接続されている。
　そして、ｎ側ビア４１およびｐ側ビア４２は、その側面が絶縁膜４０で覆われることによって、ｐ型シリコン基板２３に対して絶縁されている。そのため、ｎ側外部バンプ４４およびｐ側外部バンプ４６からビア（ｎ側ビア４１およびｐ側ビア４２）を介してＬＥＤチップ１４に電力を供給する際、ビア（ｎ側ビア４１およびｐ側ビア４２）とｐ型シリコン基板２３とが短絡することを防止することができる。その結果、ＬＥＤチップ１４に対して電力を正常に供給することができる。
　また、ｎ側配線３０およびｐ側配線３４が、それぞれ引出し部（ｎ側引出し部３３およびｐ側引出し部３７）を有しており、当該引出し部３３，３７にｎ側ビア４１およびｐ側ビア４２が接続されている。これにより、引出し部３３，３７のパターンを適宜変更することにより、ｎ側ビア４１およびｐ側ビア４２の形成位置の自由度を広げることができる。
　すなわち、この第１実施形態のように、ｎ側ビア４１およびｐ側ビア４２を、ｎ+型領域２４およびｐ+型コンタクト領域２６に接触しないように設けることができる。そのため、小型化されたＬＥＤ素子ユニット１１においても、ｎ+型領域２４およびｐ+型コンタクト領域２６が阻害されない。その結果、ｐ型シリコン基板２３に形成されたツェナーダイオードは、ＬＥＤチップ１４を過電流から保護する働きを十分に発揮することができる。
　また、ＬＥＤチップ１４で発生した熱を、Ａｕ（熱伝導率が約３２０Ｗ／（ｍ・Ｋ））からなるｎ側バンプ３１およびｐ側バンプ３５、Ａｌ（熱伝導率が約２３６Ｗ／（ｍ・Ｋ））からなるｎ側配線３０およびｐ側配線３４、Ｃｕ（熱伝導率が約３９８Ｗ／（ｍ・Ｋ））からなり、ボンディングワイヤに比べて太いｎ側ビア４１およびｐ側ビア４２、ならびに半田（熱伝導率が約７０～８０Ｗ／（ｍ・Ｋ））からなるｎ側外部バンプ４４およびｐ側外部バンプ４６を介して、ベース基板２に放散させることができるため、放熱性を向上させることができる。
　また、図２において、ダイオードアノード電極２８およびダイオードカソード電極２９が、ベース基板２のカソード端子８およびアノード端子９それぞれに対してボンディングワイヤを利用して接続される構成であると、ダイオードチップ１５と当該ボンディングワイヤの熱膨張係数の違いによってボンディングワイヤが断線するおそれがある。これに対し、この実施形態の構成では、図２に示すように、ダイオードアノード電極２８およびダイオードカソード電極２９が、ベース基板２のカソード端子８およびアノード端子９それぞれに対してｎ側外部バンプ４４およびｐ側外部バンプ４６を利用して接続されている。これにより、上記ボンディングワイヤの断線等による接続不良の発生を低減することができる。
　また、ダイオードチップ１５は、図５に示すような薄型チップであってもよい。この場合、ダイオードチップ１５の厚さを、たとえば、５０μｍ～１００μｍとして、厚さ方向のｎ側ビア４１およびｐ側ビア４２の長さを短くすることができるので、ダイオードチップ１５の表面から裏面へ向かう方向への熱伝導性を向上させることができる。
　また、ＬＥＤパッケージ１において、カソード端子８およびアノード端子９は、図６に示すように、それ自体が長方形板状に形成されたリード端子であってもよい。この場合、ｎ側外部バンプ４４およびｐ側外部バンプ４６が直接リード端子に接続されることとなるので、ＬＥＤパッケージ１の熱伝導性を向上させることができる。
　また、ダイオードチップ１５において、ｎ側ビア４１およびｐ側ビア４２は、できるだけ大きな径で形成されていることが好ましく、また、図７に示すように、ダイオードチップ１５に複数本形成されていてもよい。これにより、ダイオードチップ１５の表面から裏面へ向かう方向への熱伝導性を向上させることができる。
　また、ＬＥＤ素子ユニット１１では、ダイオードチップ１５は、複数のＬＥＤチップ１４に接続されるように設けられていてもよい。この場合、ｎ側配線３０およびｐ型配線３４は、図８に示すように、各ＬＥＤチップ１４に対して１つずつ設けられていてもよい。この場合、ｎ側アイランド４３およびｐ側アイランド４５は、図９に示すように、各ｎ側配線３０および各ｐ側配線３４に接続されたｎ側ビア４１およびｐ側ビア４２を一括して接続するように設けられていてもよいし、各ｎ側ビア４１および各ｐ側ビア４２に対して１つずつ設けられていてもよい。また、ｎ側配線３０およびｐ型配線３４は、図１０に示すように、全てのＬＥＤチップ１４の共通の配線として設けられていてもよい。この場合、ｎ側バンプ３１およびｐ側バンプ３５は、各ＬＥＤチップ１４に対して１つずつ設けられていてもよい。また、より多くのＬＥＤチップ１４を用いる場合には、多層配線を用いるようにしてもよい。
＜第２実施形態＞
　図１１は、本発明の第２実施形態に係るＬＥＤ素子ユニットの模式的な断面図である。なお、図１１において、前述の図２に示す各部に対応する部分には、それらの各部と同一の参照符号を付している。また、以下では、同一の参照符号を付した部分についての詳細な説明を省略する。
　第２実施形態のＬＥＤ素子ユニット６１では、表面保護膜２７の上に、ＳｉＯ2からなる第１層間絶縁膜６２および第２層間絶縁膜６３が順に積層されている。
　ｎ側配線３０およびｐ側配線３４は、第２層間絶縁膜６３の表面から第２層間絶縁膜６３、第１層間絶縁膜６２および表面保護膜２７を貫通して、ｎ+型領域２４およびｐ+型コンタクト領域２６にそれぞれ接続されている。
　ｎ側配線３０のｎ側引出し部３３は、その引出し方向を横切る方向に沿って分断されている。第１層間絶縁膜６２上には、当該分断されたｎ側引出し部３３の間に跨るように、ポリシリコンからなる抵抗素子６４が形成されている。
　抵抗素子６４は、分断された各ｎ側引出し部３３に対して、プラグ６５により接続されている。これにより、抵抗素子６４は、ｎ側配線３０におけるｎ側ビア４１の接続位置とｎ側バンプ３１の接続位置（ｎ側コンタクト部３２の位置）との間に直列に接続されることになる。
　第２実施形態のＬＥＤ素子ユニット６１によっても、第１実施形態のＬＥＤ素子ユニット６１と同様の作用効果を発現することができる。
　さらに、ＬＥＤ素子ユニット６１では、抵抗素子６４がｎ側配線３０に直列に接続されているので、当該抵抗素子６４の抵抗値を適切に設定することにより、ＬＥＤチップ１４に流れる電流を、当該ＬＥＤチップ１４の定格電流に良好に制御することができる。
　なお、この第２実施形態では、第１層間絶縁膜６２を省略し、抵抗素子６４を表面保護膜２７上に形成してもよい。
＜第３実施形態＞
　図１２は、本発明の第３実施形態に係るＬＥＤ素子ユニットの模式図であって、図１２（ａ）が全体の平面図、図１２（ｂ）がＬＥＤドライバの平面図、図１２（ｃ）がＬＥＤチップの底面図をそれぞれ示す。図１３は、図１２（ａ）に示すＬＥＤ素子ユニットの断面図であって、図１２（ａ）のＢ－Ｂ切断面における断面を示す。図１４は、図１２（ａ）に示すＬＥＤ素子ユニットの断面図であって、図１２（ａ）のＣ－Ｃ切断面における断面を示す。なお、図１２（ａ）～（ｃ）、図１３および図１４において、前述の図２および図３に示す各部に対応する部分には、それらの各部と同一の参照符号を付している。また、以下では、同一の参照符号を付した部分についての詳細な説明を省略する。
　第３実施形態のＬＥＤ素子ユニット８１は、複数のＬＥＤチップ８２Ｒ，８２Ｇ，８２Ｂと、これら複数のＬＥＤチップ８２Ｒ，８２Ｇ，８２Ｂを一括して支持する駆動素子としてのＬＥＤドライバ８３とを備えている。
　複数のＬＥＤチップ８２Ｒ，８２Ｇ，８２Ｂは、互いに発光波長が異なる、赤色ＬＥＤチップ８２Ｒ（発光波長が６１５ｎｍ～６６５ｎｍ）、緑色ＬＥＤチップ８２Ｇ（発光波長が５１５ｎｍ～５４０ｎｍ）および青色ＬＥＤチップ８２Ｂ（発光波長が４４５ｎｍ～４８０ｎｍ）である。なお、緑色ＬＥＤチップ８２Ｇは、サファイア基板１６に代えて、ＳｉＣ基板４７を有しており、このＳｉＣ基板４７の一主面にＬＥＤ層１７を形成したものである。また、赤色ＬＥＤチップ８２Ｒは、サファイア基板１６に代えて、ＧａＡｓ基板４８を有しており、このＧａＡｓ基板４８の一主面にＬＥＤ層１７を形成したものである。
　ＬＥＤドライバ８３は、個々のＬＥＤチップ８２Ｒ，８２Ｇ，８２Ｂを駆動させる駆動ＩＣ８４（駆動回路）が形成されたシリコン基板８５を有している。シリコン基板８５の表面８６には、ＳｉＯ2からなる表面保護膜９０が形成されている。
　表面保護膜９０上には、第２ｎ側電極としてのカソード電極８８および第２ｐ側電極としてのアノード電極８９Ｒ，８９Ｇ，８９Ｂが互いに隣接して形成されている。カソード電極８８は、３つのＬＥＤチップ８２Ｒ，８２Ｇ，８２Ｂに対して共通の電極となっている。一方、アノード電極８９Ｒ，８９Ｇ，８９Ｂは、各ＬＥＤチップ８２Ｒ，８２Ｇ，８２Ｂに対して一つずつ合計３対設けられている。
　アノード電極８９Ｒ，８９Ｇ，８９Ｂは、それぞれ各ＬＥＤチップ８２Ｒ，８２Ｇ，８２Ｂに対して一つずつ設けられた、アノード配線９４Ｒ，９４Ｇ，９４Ｂとアノードバンプ９５Ｒ，９５Ｇ，９５Ｂとを備えている。
　各アノード配線９４Ｒ，９４Ｇ，９４Ｂは、アノードバンプ９５Ｒ，９５Ｇ，９５Ｂがコンタクトされるアノードコンタクト部９６Ｒ，９６Ｇ，９６Ｂと、平面視において当該アノードコンタクト部９６Ｒ，９６Ｇ，９６Ｂからカソード電極８８とは反対側に引き出されたアノード引出し部９７Ｒ，９７Ｇ，９７Ｂとを一体的に有している。
　シリコン基板８５には、その裏面８７から表面保護膜９０を貫通し、カソード電極８８およびアノード配線９４Ｒ，９４Ｇ，９４Ｂそれぞれに達するカソードビアホール９８およびアノードビアホール９９Ｒ，９９Ｇ，９９Ｂが形成されている。カソードビアホール９８およびアノードビアホール９９Ｒ，９９Ｇ，９９Ｂは、たとえば、平面視四角状に形成されている。また、カソードビアホール９８は、共通のカソード電極８８に対して一つ設けられている。一方、アノードビアホール９９Ｒ，９９Ｇ，９９Ｂは、各ＬＥＤチップ８２Ｒ，８２Ｇ，８２Ｂに対して一つずつ合計３つ設けられている。
　また、アノードビアホール９９Ｒ，９９Ｇ，９９Ｂは、平面視においてアノード引出し部９７Ｒ，９７Ｇ，９７Ｂに重なる位置に配置されている。
　カソードビアホール９８およびアノードビアホール９９Ｒ，９９Ｇ，９９Ｂの内面ならびにシリコン基板８５の裏面８７には、ＳｉＯ2からなる絶縁膜１００が一体的に形成されている。
　そして、カソードビアホール９８およびアノードビアホール９９Ｒ，９９Ｇ，９９Ｂにおける絶縁膜１００の内側を埋め尽くすように、Ｃｕからなるカソードビア１０１およびアノードビア１０２Ｒ，１０２Ｇ，１０２Ｂが形成されている。カソードビア１０１はカソード電極８８に接続され、アノードビア１０２Ｒ，１０２Ｇ，１０２Ｂはアノード引出し部９７Ｒ，９７Ｇ，９７Ｂに接続されることとなる。
　また、絶縁膜１００におけるシリコン基板８５の裏面８７上の部分には、カソードビア１０１からシリコン基板８５の裏面８７に沿って引き出されたカソードアイランド１０３が、カソードビア１０１と一体的に形成されている。このカソードアイランド１０３には、カソード外部電極としての半田からなるカソード外部バンプ１０４が接合されている。
　また、絶縁膜１００におけるシリコン基板８５の裏面８７上の部分には、アノードビア１０２Ｒ，１０２Ｇ，１０２Ｂからシリコン基板８５の裏面８７に沿って引き出されたアノードアイランド１０５Ｒ，１０５Ｇ，１０５Ｂが、アノードビア１０２Ｒ，１０２Ｇ，１０２Ｂと一体的に形成されている。このアノードアイランド１０５Ｒ，１０５Ｇ，１０５Ｂには、アノード外部電極としての半田からなるアノード外部バンプ１０６Ｒ，１０６Ｇ，１０６Ｂが接合されている。
　そして、赤色ＬＥＤチップ８２Ｒ、緑色ＬＥＤチップ８２Ｇおよび青色ＬＥＤチップ８２Ｂは、バンプ状のＬＥＤカソード電極１９とカソード電極８８、およびバンプ状のＬＥＤアノード電極２０とアノードバンプ９５Ｒ，９５Ｇ，９５Ｂがそれぞれ接合されることにより、ＬＥＤ層１７の表面１８を下方に向けたフェイスダウン姿勢でＬＥＤドライバ８３に下方から支持されている（図１２（ａ）および図１３）。
　以上のように、このＬＥＤ素子ユニット８１によれば、複数のＬＥＤチップ（赤色ＬＥＤチップ８２Ｒ、緑色ＬＥＤチップ８２Ｇおよび青色ＬＥＤチップ８２Ｂ）は、ＬＥＤ層１７の電極の形成面（表面１８）を下方に向けた、いわゆるフェイスダウン姿勢でＬＥＤドライバ８３に接合されている。これにより、ＬＥＤチップ８２Ｒ，８２Ｇ，８２ＢおよびＬＥＤドライバ８３をスタック構造にできるので、ＬＥＤ素子ユニット８１の小型化（シュリンク化）を図ることができる。
　さらに、各ＬＥＤチップ８２Ｒ，８２Ｇ，８２ＢのＬＥＤカソード電極１９およびＬＥＤアノード電極２０それぞれに接合されたカソード電極８８およびアノード電極８９Ｒ，８９Ｇ，８９Ｂが、シリコン基板８５を厚さ方向に貫通するカソードビア１０１およびアノードビア１０２Ｒ，１０２Ｇ，１０２Ｂによって、カソード外部バンプ１０４およびアノード外部バンプ１０６Ｒ，１０６Ｇ，１０６Ｂにそれぞれ接続されている。
　そして、カソードビア１０１およびアノードビア１０２Ｒ，１０２Ｇ，１０２Ｂは、その側面が絶縁膜１００で覆われることによって、シリコン基板８５に対して絶縁されている。そのため、カソード外部バンプ１０４およびアノード外部バンプ１０６Ｒ，１０６Ｇ，１０６Ｂからビア（カソードビア１０１およびアノードビア１０２Ｒ，１０２Ｇ，１０２Ｂ）を介してＬＥＤチップ８２Ｒ，８２Ｇ，８２Ｂに電力を供給する際、ビア（カソードビア１０１およびアノードビア１０２Ｒ，１０２Ｇ，１０２Ｂ）とシリコン基板８５とが短絡することを防止することができる。その結果、ＬＥＤチップ８２Ｒ，８２Ｇ，８２Ｂに対して電力を正常に供給することができる。
　以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明はさらに他の形態で実施することもできる。
　たとえば、ＬＥＤチップとともにスタック構造される素子としては、前述の第１～第３実施形態に例示した素子（ダイオードチップ１５、ＬＥＤドライバ８３）に限らず、可変抵抗素子などであってもよい。
　また、各ビアの側面を被覆する絶縁膜４０，１００は、ＳｉＯ2に限らず、ＳｉＮなどであってもよい。
　また、前述の第１および第２実施形態では、カソード側（ｎ側）およびアノード側（ｐ側）の両方にｐ型シリコン基板２３を貫通するビア（ｎ側ビア４１およびｐ側ビア４２）を形成したが、一方を省略することもできる。
　また、第１～第３実施形態においては、各半導体領域の導電型を反転した構成が採用されてもよい。すなわち、ダイオードチップ１５において、ｎ型（第１導電型）の領域がｐ型（第２導電型）の領域であり、かつ、ｐ型の領域がｎ型の領域である構成が採用されてもよい。
　また、第２ｎ側電極２８とｎ側外部バンプ４４とを接続する配線、第２ｐ側電極２９とｐ側外部バンプ４６とを接続する配線、カソード電極８８とカソード外部バンプ１０４とを接続する配線等は、それぞれシリコン基板２３，８５を貫通するビアでなくてもよい。たとえば、第１実施形態のＬＥＤ素子ユニット１１のダイオードチップ１５において、シリコン基板２３の側面に沿って形成された配線等であってもよい。
　また、第１実施形態では、ＬＥＤ素子ユニット１１がベース基板２上に搭載された例を示したが、ＬＥＤ素子ユニット１１は、ｎ側外部バンプ４４およびｐ側外部バンプ４６をそれぞれリードフレームのリードに接続することにより、ベース基板２等を介さずにリードフレームに直接搭載されていてもよい。
　また、第１～第３実施形態で図示されたＬＥＤチップ１４，８２Ｒ，８２Ｇ，８２Ｂは模式的なものであり、これらのＬＥＤチップ１４，８２Ｒ，８２Ｇ，８２Ｂとしては、一般的な構造のＬＥＤ素子を用いることができる。
　また、第１～第３実施形態のＬＥＤパッケージ１またはＬＥＤ素子ユニット１１，６１，７１，８１単体の応用製品の一例としては、たとえば、ＬＥＤランプ、バックライト、７セグメント表示器、ドットマトリクス表示器等が挙げられる。ＬＥＤランプの構成の一例としては、図１５に示すように、基板６７上に、ＬＥＤパッケージ１が複数設置された構成（Ｒは抵抗であり、Ｃはキャパシタ）が挙げられる。図１５の構成では、ＬＥＤパッケージ１に代えてＬＥＤ素子ユニット１１，６１，７１，８１単体を設置してもよい。
　本発明の実施形態は、本発明の技術的内容を明らかにするために用いられた具体例に過ぎず、本発明はこれらの具体例に限定して解釈されるべきではなく、本発明の精神および範囲は添付の請求の範囲によってのみ限定される。
　また、本発明の各実施形態において表した構成要素は、本発明の範囲で組み合わせることができる。
　本出願は、２０１０年１２月２０日に日本国特許庁に提出された特願２０１０－２８３３６６号に対応しており、この出願の全開示はここに引用により組み込まれるものとする。
　１・・・ＬＥＤパッケージ、２・・・ベース基板、３・・・樹脂ケース、８・・・カソード端子、９・・・アノード端子、１１・・・ＬＥＤ素子ユニット、１４　　ＬＥＤチップ、１５・・・ダイオードチップ、１７・・・ＬＥＤ層、１８・・・（ＬＥＤ層の）表面、１９・・・ＬＥＤカソード電極、２０・・・ＬＥＤアノード電極、２１・・・（ｐ型シリコン基板の）表面、２２・・・（ｐ型シリコン基板の）裏面、２３・・・ｐ型シリコン基板、２４・・・ｎ+型領域、２５・・・ｐ型領域、２６・・・ｐ+型コンタクト領域、２８・・・ダイオードアノード電極、２９・・・ダイオードカソード電極、３０・・・ｎ側配線、３１・・・ｎ側バンプ、３４・・・ｐ側配線、３５・・・ｐ側バンプ、４０・・・絶縁膜、４１・・・ｎ側ビア、４２・・・ｐ側ビア、４４・・・ｎ側外部バンプ、４６・・・ｐ側外部バンプ、６１・・・ＬＥＤ素子ユニット、６４・・・抵抗素子、８１・・・ＬＥＤ素子ユニット、８２Ｒ・・・赤色ＬＥＤチップ、８２Ｇ・・・緑色ＬＥＤチップ、８２Ｂ・・・青色ＬＥＤチップ、８３・・・ＬＥＤドライバ、８４・・・駆動ＩＣ、８５・・・シリコン基板、８６・・・（シリコン基板の）表面、８７・・・（シリコン基板の）裏面、８８・・・カソード電極、８９Ｒ，８９Ｇ，８９Ｂ・・・アノード電極、９４Ｒ，９４Ｇ，９４Ｂ・・・アノード配線、９５Ｒ，９５Ｇ，９５Ｂ・・・アノードバンプ、１００・・・絶縁膜、１０１・・・カソードビア、１０２Ｒ，１０２Ｇ，１０２Ｂ・・・アノードビア、１０５・・・カソード外部バンプ、１０６Ｒ，１０６Ｇ，１０６Ｂ・・・アノード外部バンプ

Claims (37)

  1. 　表面および裏面を有し、当該裏面から光が取り出され、当該表面に第１ｎ側電極および第１ｐ側電極を有する半導体発光素子と、
    　表面および裏面を有する導電性基板と、前記導電性基板の前記表面に形成された第２ｎ側電極および第２ｐ側電極とを有する支持素子とを含み、
    　前記半導体発光素子は、前記第１ｎ側電極と前記第２ｎ側電極、および前記第１ｐ側電極と前記第２ｐ側電極がそれぞれ接合されることにより、前記表面を下方に向けたフェイスダウン姿勢で前記支持素子に支持されており、
    　前記支持素子は、
    　　前記導電性基板の前記裏面に形成されたｎ側外部電極およびｐ側外部電極と、
    　　前記導電性基板を前記表面から前記裏面まで貫通し、前記第２ｎ側電極と前記ｎ側外部電極との間および／または前記第２ｐ側電極と前記ｐ側外部電極との間を電気的に接続する導電性のビアと、
    　　前記ビアと前記導電性基板との間に前記ビアの側面を覆うように形成された絶縁膜とを有する、発光素子ユニット。
  2. 　前記ビアに接続された前記第２ｎ側電極および前記第２ｐ側電極は、
    　　前記導電性基板の前記表面に沿って敷設され、前記導電性基板および前記ビアそれぞれに接続された配線と、
    　　当該配線上に形成され、前記第１ｎ側電極または前記第１ｐ側電極に接合されたバンプとを含む、請求項１に記載の発光素子ユニット。
  3. 　前記配線における前記ビアの接続位置と前記バンプとの接続位置との間に介挿された抵抗素子をさらに含む、請求項２に記載の発光素子ユニット。
  4. 　前記バンプに接続された前記第１ｎ側電極および前記第１ｐ側電極が、前記バンプと同一の金属材料からなるバンプ状に形成されている、請求項２または３に記載の発光素子ユニット。
  5. 　前記バンプが、Ａｕからなる、請求項２～４のいずれか一項に記載の発光素子ユニット。
  6. 　前記配線が、Ａｌからなる、請求項２～５のいずれか一項に記載の発光素子ユニット。
  7. 　前記導電性基板が、前記第２ｎ側電極が接続されたｐ型領域と、前記第２ｐ側電極が接続されたｎ型領域とを有し、
    　前記支持素子が、当該ｎ型領域と当該ｐ型領域とのｐｎ接合を有するツェナーダイオードを含み、
    　前記ビアは、前記第２ｎ側電極および前記第２ｐ側電極それぞれに接続されたｎ側ビアおよびｐ側ビアを含む、請求項１～６のいずれか一項に記載の発光素子ユニット。
  8. 　前記導電性基板が、前記ｐ型領域としてのｐ型半導体基板であり、
    　前記ｎ型領域が、当該ｐ型半導体基板の表層部にフローティングされた領域である、請求項７に記載の発光素子ユニット。
  9. 　前記ｐ側ビアが、フローティングされた前記ｎ型領域に接触しないように前記ｐ型半導体基板を貫通している、請求項８に記載の発光素子ユニット。
  10. 　前記ｐ型半導体基板は、その表層部において前記ｎ型領域に隣接して形成され、前記第２ｎ側電極が接続されたｐ+型コンタクト領域を含み、
    　前記ｐ側ビアが、前記ｎ型領域に対して前記ｐ+型コンタクト領域とは反対側に形成されており、
    　前記ｎ側ビアが、前記ｐ+型コンタクト領域に対して前記ｎ型領域とは反対側に形成されている、請求項９に記載の発光素子ユニット。
  11. 　前記ｎ側ビア、前記ｎ型領域、前記ｐ+型コンタクト領域および前記ｐ側ビアが、平面視において同一直線上に配置されている、請求項９または１０に記載の発光素子ユニット。
  12. 　前記導電性基板が、複数の前記半導体発光素子をそれぞれ駆動させる駆動回路を有し、
    　前記支持素子が、複数の前記半導体発光素子を支持する駆動素子を含み、
    　前記ビアが、前記第２ｎ側電極および前記第２ｐ側電極それぞれに電気的に接続されている、請求項１～６のいずれか一項に記載の発光素子ユニット。
  13. 　複数の前記半導体発光素子が、互いに発光波長が異なる発光素子である、請求項１２に記載の発光素子ユニット。
  14. 　複数の前記半導体発光素子が、赤色ＬＥＤ素子、緑色ＬＥＤ素子および青色ＬＥＤ素子を含む、請求項１２または１３に記載の発光素子ユニット。
  15. 　前記赤色ＬＥＤ素子、前記緑色ＬＥＤ素子および前記青色ＬＥＤ素子それぞれの前記第１ｎ側電極が、共通の前記第２ｎ側電極に接続されている、請求項１４に記載の発光素子ユニット。
  16. 　請求項１～１５のいずれか一項に記載の発光素子ユニットと、
    　前記発光素子ユニットを支持し、前記発光素子ユニットの前記ｎ側外部電極および前記ｐ側外部電極それぞれに電気的に接続されたカソード端子およびアノード端子を有するベース基板と、
    　前記ベース基板上に形成され、前記発光素子ユニットを取り囲む樹脂ケースとを含む、発光素子パッケージ。
  17. 　表面および裏面を有し、当該表面に第１ｎ側電極および第１ｐ側電極を有する半導体素子と、
    　表面および裏面を有する導電性基板と、前記導電性基板の前記表面に形成された第２ｎ側電極および第２ｐ側電極とを有する支持素子とを含み、
    　前記半導体素子は、前記第１ｎ側電極と前記第２ｎ側電極、および前記第１ｐ側電極と前記第２ｐ側電極がそれぞれ接合されることにより、前記表面を下方に向けたフェイスダウン姿勢で前記支持素子に支持されており、
    　前記支持素子は、
    　　前記導電性基板の前記裏面に形成されたｎ側外部電極およびｐ側外部電極と、
    　　前記第２ｎ側電極と前記ｎ側外部電極との間および／または前記第２ｐ側電極と前記ｐ側外部電極との間を電気的に接続する配線と、
    　　前記配線と前記導電性基板との間に形成された絶縁膜とを有する、半導体装置。
  18. 　前記配線は、前記導電性基板を前記表面から前記裏面まで貫通する導電性のビアを含む、請求項１７に記載の半導体装置。
  19. 　前記導電性基板は、前記半導体素子を保護する素子を含む、請求項１７または１８に記載の半導体装置。
  20. 　カソード端子およびアノード端子を有するベース基板と、
    　表面および裏面を有する導電性基板、前記導電性基板の前記表面に形成されたｎ側電極およびｐ側電極、および前記導電性基板の前記裏面に形成され、前記カソード端子および前記アノード端子にそれぞれ電気的に接続されるｎ側外部電極およびｐ側外部電極を有する支持素子と、
    　表面および裏面を有し、当該裏面から光が取り出され、当該表面にカソード側電極およびアノード側電極を有しており、前記カソード側電極と前記ｎ側電極および前記アノード側電極と前記ｐ側電極がそれぞれ接合されることにより、前記表面を下方に向けたフェイスダウン姿勢で前記支持素子に支持されて、前記支持素子と協働して保護回路を有する発光素子回路を構成する半導体発光素子と、
    　前記ベース基板の前記支持素子の搭載面側に形成され、前記支持素子および前記半導体発光素子を取り囲む樹脂ケースとを含む、表面実装型発光素子ユニット。
  21. 　前記ｎ側電極および前記ｐ側電極は、
    　　前記導電性基板の前記表面に沿って敷設され、前記導電性基板に接続された配線と、
    　　当該配線上に形成され、前記カソード側電極または前記アノード側電極に接合されたバンプとを含む、請求項２０に記載の表面実装型発光素子ユニット。
  22. 　前記配線における前記導電性基板の接続位置と前記バンプとの接続位置との間に介挿された抵抗素子をさらに含む、請求項２１に記載の表面実装型発光素子ユニット。
  23. 　前記バンプに接続された前記カソード側電極および前記アノード側電極が、前記バンプと同一の金属材料からなるバンプ状に形成されている、請求項２２に記載の表面実装型発光素子ユニット。
  24. 　前記バンプが、Ａｕからなる、請求項２２または２３に記載の表面実装型発光素子ユニット。
  25. 　前記配線が、Ａｌからなる、請求項２１～２４のいずれか一項に記載の表面実装型発光素子ユニット。
  26. 　前記導電性基板が、前記ｎ側電極が接続されたｐ型領域と、前記ｐ側電極が接続されたｎ型領域とを有し、
    　前記支持素子が、当該ｎ型領域と当該ｐ型領域とのｐｎ接合を有するツェナーダイオードを含む、請求項２０～２５のいずれか一項に記載の表面実装型発光素子ユニット。
  27. 　前記導電性基板が、前記ｐ型領域としてのｐ型半導体基板であり、
    　前記ｎ型領域が、当該ｐ型半導体基板の表層部にフローティングされた領域である、請求項２６に記載の表面実装型発光素子ユニット。
  28. 　前記導電性基板が、複数の前記半導体発光素子をそれぞれ駆動させる駆動回路を有し、
    　前記支持素子が、複数の前記半導体発光素子を支持する駆動素子を含む、請求項２０～２７のいずれか一項に記載の表面実装型発光素子ユニット。
  29. 　複数の前記半導体発光素子が、互いに発光波長が異なる発光素子である、請求項２８に記載の表面実装型発光素子ユニット。
  30. 　複数の前記半導体発光素子が、赤色ＬＥＤ素子、緑色ＬＥＤ素子および青色ＬＥＤ素子を含む、請求項２８または２９に記載の表面実装型発光素子ユニット。
  31. 　前記赤色ＬＥＤ素子、前記緑色ＬＥＤ素子および前記青色ＬＥＤ素子それぞれの前記カソード側電極が、共通の前記ｎ側電極に接続されている、請求項３０に記載の表面実装型発光素子ユニット。
  32. 　前記導電性基板は、前記導電性基板の前記表面から前記裏面まで貫通し、前記ｎ側電極と前記ｎ側外部電極との間および前記ｐ側電極と前記ｐ側外部電極との間をそれぞれ電気的に接続する、ｎ側ビアおよびｐ側ビアを含む、請求項２０～３１のいずれか一項に記載の表面実装型発光素子ユニット。
  33. 　前記ｐ側ビアが、フローティングされた前記ｎ型領域に接触しないように前記ｐ型半導体基板を貫通している、請求項２７に係る請求項３２に記載の表面実装型発光素子ユニット。
  34. 　前記ｐ型半導体基板は、その表層部において前記ｎ型領域に隣接して形成され、前記ｎ側電極が接続されたｐ+型コンタクト領域を含み、
    　前記ｐ側ビアが、前記ｎ型領域に対して前記ｐ+型コンタクト領域とは反対側に形成されており、
    　前記ｎ側ビアが、前記ｐ+型コンタクト領域に対して前記ｎ型領域とは反対側に形成されている、請求項３３に記載の表面実装型発光素子ユニット。
  35. 　前記ｎ側ビア、前記ｎ型領域、前記ｐ+型コンタクト領域および前記ｐ側ビアが、平面視において同一直線上に配置されている、請求項３４に記載の表面実装型発光素子ユニット。
  36. 　少なくとも前記支持素子の少なくとも一部を覆うように前記樹脂ケース内に注入された白色樹脂と、
    　前記樹脂ケース内において前記半導体発光素子の周囲に注入された波長変換樹脂とさらに含む、請求項２０に記載の表面実装型発光素子ユニット。
  37. 　前記白色樹脂の厚さは、前記支持素子を覆う部分が相対的に薄く、前記樹脂ケースに接触する部分が相対的に厚い、請求項３６に記載の表面実装型発光素子ユニット。
PCT/JP2011/079055 2010-12-20 2011-12-15 発光素子ユニットおよび発光素子パッケージ Ceased WO2012086517A1 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US13/991,161 US9153545B2 (en) 2010-12-20 2011-12-15 Light-emitting element unit and light-emitting element package
JP2012549764A JPWO2012086517A1 (ja) 2010-12-20 2011-12-15 発光素子ユニットおよび発光素子パッケージ
US14/856,524 US9741640B2 (en) 2010-12-20 2015-09-16 Semiconductor device

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010283366 2010-12-20
JP2010-283366 2010-12-20

Related Child Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
US13/991,161 A-371-Of-International US9153545B2 (en) 2010-12-20 2011-12-15 Light-emitting element unit and light-emitting element package
US14/856,524 Continuation US9741640B2 (en) 2010-12-20 2015-09-16 Semiconductor device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2012086517A1 true WO2012086517A1 (ja) 2012-06-28

Family

ID=46313793

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2011/079055 Ceased WO2012086517A1 (ja) 2010-12-20 2011-12-15 発光素子ユニットおよび発光素子パッケージ

Country Status (3)

Country Link
US (2) US9153545B2 (ja)
JP (2) JPWO2012086517A1 (ja)
WO (1) WO2012086517A1 (ja)

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014024108A1 (en) * 2012-08-07 2014-02-13 Koninklijke Philips N.V. Led package and manufacturing method
US20150294961A1 (en) * 2012-10-10 2015-10-15 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic component with integrated protection diode and method of producing same
JP2016021570A (ja) * 2014-07-14 2016-02-04 新世紀光電股▲ふん▼有限公司Ｇｅｎｅｓｉｓ Ｐｈｏｔｏｎｉｃｓ Ｉｎｃ． 発光ユニットの製造方法
JP2016086111A (ja) * 2014-10-28 2016-05-19 日亜化学工業株式会社 発光装置及び発光装置の製造方法
JP2016207683A (ja) * 2015-04-15 2016-12-08 エヌイーシー ショット コンポーネンツ株式会社 貫通電極基板および半導体パッケージ
JP2017517876A (ja) * 2014-04-11 2017-06-29 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングＯｓｒａｍ Ｏｐｔｏ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ ＧｍｂＨ 半導体チップ、半導体チップを有するオプトエレクトロニクス装置、および、半導体チップの製造方法
JP2018142592A (ja) * 2017-02-27 2018-09-13 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 光源モジュール、照明装置、および移動体
US10415795B2 (en) 2015-05-15 2019-09-17 Nichia Corporation Method of manufacturing light distribution member with shielded individual transmissive pieces and light-shielding frame, method of manufacturing light emitting device having light distribution member, light distribution member, and light emitting device
JP2019192800A (ja) * 2018-04-25 2019-10-31 シャープ株式会社 発光素子モジュール
EP3745451A1 (en) * 2013-07-19 2020-12-02 Nichia Corporation Light emitting device and method of manufacturing the same
KR102219252B1 (ko) * 2020-11-30 2021-02-24 한국광기술원 적층형 마이크로 led 패키지 및 그 제조 방법, 적층형 마이크로 led를 이용한 디스플레이 장치
JP2021048218A (ja) * 2019-09-18 2021-03-25 日亜化学工業株式会社 発光モジュールの製造方法
US11257800B2 (en) 2019-07-04 2022-02-22 Nichia Corporation Method of manufacturing light emitting device, method of manufacturing light emitting module, light emitting device, and light emitting module
US11309465B2 (en) 2013-07-19 2022-04-19 Nichia Corporation Method of manufacturing light emitting device
JP2023549391A (ja) * 2020-11-16 2023-11-24 ティーディーケイ・エレクトロニクス・アクチェンゲゼルシャフト Ｅｓｄ保護素子を有するシリコン基板

Families Citing this family (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101815486B1 (ko) 2012-09-27 2018-01-05 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하 보호 회로를 갖는 광전자 컴포넌트
USD719535S1 (en) * 2012-12-06 2014-12-16 Citizen Electronics Co., Ltd. Light-emitting diode
USD847102S1 (en) 2013-02-08 2019-04-30 Epistar Corporation Light emitting diode
TWD161897S (zh) * 2013-02-08 2014-07-21 晶元光電股份有限公司 發光二極體之部分
USD724039S1 (en) * 2013-09-13 2015-03-10 Citizen Electronics Co., Ltd. Light-emitting diode
USD724548S1 (en) * 2013-09-13 2015-03-17 Citizen Electronics Co., Ltd. Light-emitting diode
FR3011381B1 (fr) * 2013-09-30 2017-12-08 Aledia Dispositif optoelectronique a diodes electroluminescentes
JP2015153844A (ja) * 2014-02-13 2015-08-24 日亜化学工業株式会社 発光装置
DE102014105734A1 (de) * 2014-04-23 2015-10-29 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauteil und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils
JP6519311B2 (ja) * 2014-06-27 2019-05-29 日亜化学工業株式会社 発光装置
USD780134S1 (en) * 2014-06-30 2017-02-28 Citizen Electronics Co., Ltd. Light-emitting diode
WO2016076637A1 (en) * 2014-11-12 2016-05-19 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device
USD778846S1 (en) * 2014-12-15 2017-02-14 Kingbright Electronics Co. Ltd. LED component
USD778847S1 (en) * 2014-12-15 2017-02-14 Kingbright Electronics Co. Ltd. LED component
US10923023B1 (en) * 2016-01-26 2021-02-16 Apple Inc. Stacked hybrid micro LED pixel architecture
USD774476S1 (en) * 2016-02-25 2016-12-20 Kingbright Electronics Co. Ltd. LED component
KR101743026B1 (ko) * 2016-04-26 2017-06-15 광주과학기술원 자외선 발광 다이오드 및 이의 제조방법
JP6850112B2 (ja) * 2016-11-28 2021-03-31 株式会社ディスコ Ｌｅｄ組み立て方法
JP7011143B2 (ja) * 2016-11-30 2022-01-26 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
US10497845B2 (en) 2017-03-27 2019-12-03 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Display apparatus and method of manufacturing the same
FR3065321B1 (fr) * 2017-04-14 2019-06-21 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Procede de fabrication d'un dispositif d'affichage emissif a led
WO2018198508A1 (ja) * 2017-04-27 2018-11-01 株式会社村田製作所 弾性波装置、および、それを用いた高周波フロントエンド回路、通信装置
EP3422426A1 (en) * 2017-06-27 2019-01-02 Lumileds Holding B.V. Led device and a method of manufacturing the led device
US20190206752A1 (en) * 2017-12-29 2019-07-04 Texas Instruments Incorporated Integrated circuit packages with cavities and methods of manufacturing the same
CN108878468B (zh) * 2018-06-26 2021-02-26 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及其制作方法、显示面板、显示装置
CN109728023B (zh) * 2019-01-18 2021-01-22 京东方科技集团股份有限公司 背板、显示装置及制备方法
US11037915B2 (en) * 2019-02-14 2021-06-15 Facebook Technologies, Llc Integrated display devices
JP7037078B2 (ja) * 2019-07-04 2022-03-16 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法及び発光モジュールの製造方法、並びに、発光装置及び発光モジュール
US11424214B1 (en) * 2019-10-10 2022-08-23 Meta Platforms Technologies, Llc Hybrid interconnect for laser bonding using nanoporous metal tips
KR102501887B1 (ko) * 2021-04-20 2023-02-20 베이징 신냉 일렉트로닉 테크놀로지 씨오.,엘티디 능동화소 ic를 포함하는 발광 소자 픽셀 패키지 및 그 패키징 방법

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001237458A (ja) * 1999-12-22 2001-08-31 Lumileds Lighting Us Llc 増加発光能力を持つｉｉｉ族窒化物ｌｅｄの製造方法
JP2005057265A (ja) * 2003-07-31 2005-03-03 Lumileds Lighting Us Llc 半導体発光デバイス用の実装
WO2006019090A1 (ja) * 2004-08-18 2006-02-23 Tokuyama Corporation 発光素子搭載用セラミックス基板およびその製造方法
JP2007180096A (ja) * 2005-12-27 2007-07-12 Citizen Fine Tech Co Ltd 薄膜抵抗素子の製造方法
JP2008235792A (ja) * 2007-03-23 2008-10-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置とその製造方法
JP2008277409A (ja) * 2007-04-26 2008-11-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体発光装置の製造方法
JP2009094319A (ja) * 2007-10-10 2009-04-30 Mitsubishi Chemicals Corp 発光装置
JP2009130237A (ja) * 2007-11-27 2009-06-11 Panasonic Corp 発光装置

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6138962U (ja) * 1984-08-10 1986-03-11 三菱電機株式会社 Ｌｅｄ形表示灯
JP2003017574A (ja) * 2001-06-28 2003-01-17 Sanken Electric Co Ltd 半導体装置及びこれに用いる保護回路
JP2003060243A (ja) 2001-08-17 2003-02-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd 複合発光素子
JP3655267B2 (ja) * 2002-07-17 2005-06-02 株式会社東芝 半導体発光装置
US20070257901A1 (en) 2004-04-19 2007-11-08 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor chip for driving light emitting element, light emitting device, and lighting device
US9793247B2 (en) * 2005-01-10 2017-10-17 Cree, Inc. Solid state lighting component
JP4754245B2 (ja) * 2005-03-24 2011-08-24 株式会社フジクラ 発光素子ユニットの製造方法
JP2007103420A (ja) * 2005-09-30 2007-04-19 Mitsumi Electric Co Ltd 半導体装置
KR101314713B1 (ko) * 2006-06-16 2013-10-07 신꼬오덴기 고교 가부시키가이샤 반도체 장치, 그 제조 방법, 및 기판
JP5394617B2 (ja) * 2006-06-16 2014-01-22 新光電気工業株式会社 半導体装置及び半導体装置の製造方法及び基板
JP2008085113A (ja) 2006-09-28 2008-04-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光装置
JP4840067B2 (ja) * 2006-10-11 2011-12-21 豊田合成株式会社 Ｌｅｄランプ装置
JP2008262993A (ja) * 2007-04-10 2008-10-30 Nikon Corp 表示装置
US8878219B2 (en) * 2008-01-11 2014-11-04 Cree, Inc. Flip-chip phosphor coating method and devices fabricated utilizing method
US8877524B2 (en) * 2008-03-31 2014-11-04 Cree, Inc. Emission tuning methods and devices fabricated utilizing methods
JP2009277705A (ja) * 2008-05-12 2009-11-26 Koa Corp パッケージ発光部品およびその製造法
JP2009289836A (ja) * 2008-05-27 2009-12-10 Oki Data Corp 発光素子アレイ、駆動制御装置、記録ヘッドおよび画像形成装置
US20100006864A1 (en) * 2008-07-11 2010-01-14 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Implanted connectors in led submount for pec etching bias
JP4403199B2 (ja) * 2008-11-17 2010-01-20 株式会社東芝 発光装置
JP2010182803A (ja) * 2009-02-04 2010-08-19 Seiwa Electric Mfg Co Ltd 発光装置
KR20100097434A (ko) * 2009-02-26 2010-09-03 삼성전자주식회사 색 온도를 조절할 수 있는 발광 패키지 및 그 제조 방법, 상기 발광 패키지의 색 온도 조절 방법
JP2010267902A (ja) * 2009-05-18 2010-11-25 Toshiba Corp 半導体装置およびその製造方法
JP5358286B2 (ja) * 2009-05-19 2013-12-04 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
JP5381350B2 (ja) * 2009-06-03 2014-01-08 富士通セミコンダクター株式会社 半導体装置及びその製造方法

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001237458A (ja) * 1999-12-22 2001-08-31 Lumileds Lighting Us Llc 増加発光能力を持つｉｉｉ族窒化物ｌｅｄの製造方法
JP2005057265A (ja) * 2003-07-31 2005-03-03 Lumileds Lighting Us Llc 半導体発光デバイス用の実装
WO2006019090A1 (ja) * 2004-08-18 2006-02-23 Tokuyama Corporation 発光素子搭載用セラミックス基板およびその製造方法
JP2007180096A (ja) * 2005-12-27 2007-07-12 Citizen Fine Tech Co Ltd 薄膜抵抗素子の製造方法
JP2008235792A (ja) * 2007-03-23 2008-10-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置とその製造方法
JP2008277409A (ja) * 2007-04-26 2008-11-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体発光装置の製造方法
JP2009094319A (ja) * 2007-10-10 2009-04-30 Mitsubishi Chemicals Corp 発光装置
JP2009130237A (ja) * 2007-11-27 2009-06-11 Panasonic Corp 発光装置

Cited By (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014024108A1 (en) * 2012-08-07 2014-02-13 Koninklijke Philips N.V. Led package and manufacturing method
JP2015524623A (ja) * 2012-08-07 2015-08-24 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ Ｌｅｄパッケージ及びその製造方法
US9461027B2 (en) 2012-08-07 2016-10-04 Koninklijke Philips N.V. LED package and manufacturing method
US20150294961A1 (en) * 2012-10-10 2015-10-15 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic component with integrated protection diode and method of producing same
DE112013004960B4 (de) 2012-10-10 2021-08-19 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches Bauelement mit integrierter Schutzdiode und Verfahren zu seiner Herstellung
US9653440B2 (en) * 2012-10-10 2017-05-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic component with integrated protection diode and method of producing same
US10586788B2 (en) 2012-10-10 2020-03-10 Osram Oled Gmbh Method of producing optoelectronic component with integrated protection diode
US12274104B2 (en) 2013-07-19 2025-04-08 Nichia Corporation Light emitting device
US11309465B2 (en) 2013-07-19 2022-04-19 Nichia Corporation Method of manufacturing light emitting device
EP3745451A1 (en) * 2013-07-19 2020-12-02 Nichia Corporation Light emitting device and method of manufacturing the same
US10424565B2 (en) 2014-04-11 2019-09-24 Osram Opto Semiconductor Gmbh Semiconductor chip for protecting against electrostatic discharges
JP2017517876A (ja) * 2014-04-11 2017-06-29 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングＯｓｒａｍ Ｏｐｔｏ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ ＧｍｂＨ 半導体チップ、半導体チップを有するオプトエレクトロニクス装置、および、半導体チップの製造方法
US10164145B2 (en) 2014-07-14 2018-12-25 Genesis Photonics Inc. Method for manufacturing light emitting unit
JP2016021570A (ja) * 2014-07-14 2016-02-04 新世紀光電股▲ふん▼有限公司Ｇｅｎｅｓｉｓ Ｐｈｏｔｏｎｉｃｓ Ｉｎｃ． 発光ユニットの製造方法
JP2016086111A (ja) * 2014-10-28 2016-05-19 日亜化学工業株式会社 発光装置及び発光装置の製造方法
JP2016207683A (ja) * 2015-04-15 2016-12-08 エヌイーシー ショット コンポーネンツ株式会社 貫通電極基板および半導体パッケージ
US10415795B2 (en) 2015-05-15 2019-09-17 Nichia Corporation Method of manufacturing light distribution member with shielded individual transmissive pieces and light-shielding frame, method of manufacturing light emitting device having light distribution member, light distribution member, and light emitting device
JP2018142592A (ja) * 2017-02-27 2018-09-13 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 光源モジュール、照明装置、および移動体
JP2019192800A (ja) * 2018-04-25 2019-10-31 シャープ株式会社 発光素子モジュール
JP7267683B2 (ja) 2018-04-25 2023-05-02 シャープ株式会社 発光素子モジュール
US11257800B2 (en) 2019-07-04 2022-02-22 Nichia Corporation Method of manufacturing light emitting device, method of manufacturing light emitting module, light emitting device, and light emitting module
US11721682B2 (en) 2019-07-04 2023-08-08 Nichia Corporation Light emitting device and light emitting module
JP2021048218A (ja) * 2019-09-18 2021-03-25 日亜化学工業株式会社 発光モジュールの製造方法
JP7339518B2 (ja) 2019-09-18 2023-09-06 日亜化学工業株式会社 発光モジュールの製造方法
JP2023549391A (ja) * 2020-11-16 2023-11-24 ティーディーケイ・エレクトロニクス・アクチェンゲゼルシャフト Ｅｓｄ保護素子を有するシリコン基板
JP7659629B2 (ja) 2020-11-16 2025-04-09 ティーディーケイ・エレクトロニクス・アクチェンゲゼルシャフト Ｅｓｄ保護素子を有するシリコン基板
KR102219252B1 (ko) * 2020-11-30 2021-02-24 한국광기술원 적층형 마이크로 led 패키지 및 그 제조 방법, 적층형 마이크로 led를 이용한 디스플레이 장치

Also Published As

Publication number Publication date
JPWO2012086517A1 (ja) 2014-05-22
US9153545B2 (en) 2015-10-06
US20160013119A1 (en) 2016-01-14
US20130240922A1 (en) 2013-09-19
JP2016208056A (ja) 2016-12-08
JP6204551B2 (ja) 2017-09-27
US9741640B2 (en) 2017-08-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6204551B2 (ja) 発光素子ユニットおよび発光素子パッケージ
JP5431936B2 (ja) 表面実装チップ
US7985970B2 (en) High voltage low current surface-emitting LED
TWI480962B (zh) 發光二極體封裝以及發光二極體晶圓級封裝製程
CN103038899A (zh) 高电压低电流表面发射led
CN103250247B (zh) 用于光电子半导体芯片的载体和半导体芯片
CN106663734A (zh) 半导体发光元件
KR101239857B1 (ko) 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법
CN110021691B (zh) 一种半导体发光器件
US20130214247A1 (en) Ac led device and its manufacturing process for general lighting applications
CN103782400A (zh) 包括多组发光二极管的单片多结发光装置
US12119437B2 (en) Light emitting device package
JP4042213B2 (ja) フルカラー半導体発光装置
JP2013140978A (ja) 半導体発光素子及びｌｅｄモジュール
CN115050732A (zh) 一种微集成显示式led芯片及其制作方法
TW201426990A (zh) 薄膜發光二極體裝置
JP2025018839A (ja) 半導体発光装置
KR101806789B1 (ko) 반도체 발광소자
KR101806790B1 (ko) 반도체 발광소자
KR101886017B1 (ko) 개선된 광추출 효율을 가진 발광다이오드 및 그 제조방법
JP2014045021A (ja) 半導体発光素子及び発光装置
KR101772551B1 (ko) 반도체 발광 구조물 및 이의 제조방법
KR20160024370A (ko) 웨이퍼 레벨 발광 다이오드 패키지 및 그것을 제조하는 방법
KR101893579B1 (ko) 웨이퍼 레벨의 발광 다이오드 어레이
HK1129950B (en) Surface mountable lightemitting element

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 11850630

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2012549764

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 13991161

Country of ref document: US

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 11850630

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1