JP2013140978A - 半導体発光素子及びｌｅｄモジュール - Google Patents

Abstract

【課題】本発明は静電気放電（ＥＳＤ）保護用ダイオードと一体化された構造を有して小型化が可能な半導体発光素子を提供する。
【解決手段】半導体発光素子は、第１及び第２導電型半導体層とその間に形成された活性層を有し、第１及び第２領域に区割りされた半導体積層体を含む。第１領域には活性層を経て第１導電型半導体層の領域の一部に連結された少なくとも１つのコンタクト孔が形成される。少なくとも１つのコンタクト孔を通じて第１領域の第１導電型半導体層に連結され、且つ、第２領域の第２導電型半導体層に連結された第１電極が形成される。第１領域の第２導電型半導体層に連結された第２電極が形成される。第１及び第２電極パッドは第２領域の第１導電型半導体層と第２電極上に各々形成される。第１電極と電気的に連結されるように半導体積層体には電気的伝導性を有する支持基板が形成される。
【選択図】図２

Description

本発明は半導体発光素子に係り、特に静電気のような電気的衝撃に備えた保護用ダイオードが一体に備えられた半導体発光素子及びこれを採用したＬＥＤモジュールに関する。

半導体発光素子は、出力、効率及び信頼性の側面から光源として有益な長所を有するため、照明装置又はディスプレイ装置のバックライトに用いられる高出力、高効率光源として積極的に研究開発されている。

一般的に、半導体発光素子はｐ型半導体及びｎ型半導体に加えて、その間に電子／正孔の再結合により発光する活性層を備える。該半導体発光素子は、半導体層のための電極の位置又は電流経路により区分され、これに限定されないが、主に半導体発光素子に用いられる基板の電気的伝導性の有無によって決まる。

例えば、電気的絶縁性を有する基板が用いられる場合には、ｎ型半導体層に接続されるｎ型電極を形成するためのメサエッチングが求められる。即ち、ｎ型半導体層の一部領域が露出するようにｐ型半導体層及び活性層を部分的に除去し、ｐ側及びｎ側電極は、ｐ型半導体層の上面とｎ型半導体層の露出した上面に各々形成される。

このような電極構造は、メサエッチングにより発光面積が失われ、且つ電流の主に流れる方向に対して側方向に形成されるので、全体面積に対して均一な電流分散を図ることが困難であり、それにより発光効率も減少する。

一方、伝導性基板を用いる場合には、伝導性基板を一側の電極部分として使用できる。このような構造の半導体発光素子は、上述の構造と比べて、失われる発光面積がなく、比較的均一な電流の流れが保障されるため、発光効率の改善効果が期待できる。

しかし、高出力のために発光素子を大面積で具現する場合は、電極枝のような電極構造を提供して全体発光面積にわたって均一な電流分散を図るが、このとき、光放出面に提供される電極により光の放出（取出し）が制限され、さらにその電極によって光吸収が引き起こされ、発光効率が減少する場合がある。

また、半導体発光素子は、取扱い過程又は使用過程で静電気放電（ＥＳＤ）等の瞬間的高電圧に曝されると、素子機能が破壊される恐れがある。

よって、別途の保護用ダイオードをさらに装着する方案が考慮されているが、別途のダイオードをパッケージングして単一パッケージ空間内に配置すると、製品の小型化にとり問題となる。

そこで当技術分野では、静電気放電（ＥＳＤ）保護用ダイオードと一体化された構造を有する新しい半導体発光素子及びＬＥＤモジュールが求められている。

上記の技術的課題を解決するため、本発明の一側面は、相互に対向する第１及び第２主面を有し、各々上記第１及び第２主面を提供する第１及び第２導電型半導体層とその間に形成された活性層を有し、分離溝により第１及び第２領域に区割りされた半導体積層体と、上記第１領域の第２主面から上記活性層を経て上記第１導電型半導体層の領域の一部に連結された少なくとも１つのコンタクト孔と、上記半導体積層体の第２主面上に形成され、上記少なくとも１つのコンタクト孔を通じて上記第１領域の第１導電型半導体層に連結され、且つ、上記第２領域の第２導電型半導体層に連結された第１電極と、上記第１領域の第２主面上に形成され、上記第１領域の第２導電型半導体層に連結された第２電極と、上記第２領域の第１導電型半導体層に電気的に連結された第１電極パッドと、上記第２電極に電気的に連結された第２電極パッドと、上記第１電極と電気的に連結されるように上記半導体積層体の第２主面に形成される電気的伝導性を有する支持基板と、を含む半導体発光素子を提供する。

特定の実施形態において、上記半導体積層体の第２主面上に形成され、上記第１電極と上記第２電極を分離する絶縁性分離層をさらに含んでよい。

上記絶縁性分離層は、上記コンタクト孔の内部側壁と上記第１電極の上記コンタクト孔内に充填された部分との間に延長されてよい。

上記支持基板は、メッキ工程又はウェハーボンディング工程により形成されてよい。上記半導体積層体の第１領域及び第２領域の側面に形成されたパッシベーション層をさらに含んでよい。

上記第１電極は、高反射性オーミックコンタクト層を含んでよい。この場合、上記高反射性オーミックコンタクト層は、Ａｇ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｐｔ、Ａｕ及びその組み合わせで構成された群から選択された物質を含んでよい。

上記少なくとも１つのコンタクト孔は、複数個のコンタクト孔であってよい。上記半導体積層体の上記第１領域は、上記半導体積層体の上記第２領域より大きい面積を有してよい。

本発明の他の側面は、半導体発光素子と、第２電極構造と、第２電極構造を有するパッケージ基板とを含むＬＥＤモジュールを提供する。

ここで上記半導体発光素子は、相互に対向する第１及び第２主面を有し、各々上記第１及び第２主面を提供する第１及び第２導電型半導体層とその間に形成された活性層を有し、分離溝により第１及び第２領域に区割りされた半導体積層体と、上記第１領域の第２主面から上記活性層を経て上記第１導電型半導体層の領域の一部に連結された少なくとも１つのコンタクト孔と、上記半導体積層体の第２主面上に形成され、上記少なくとも１つのコンタクト孔を通じて上記第１領域の第１導電型半導体層に連結され、上記第２領域の第２導電型半導体層に連結された第１電極と、上記第１領域の第２主面上に形成され、上記第１領域の第２導電型半導体層に連結された第２電極と、上記第２領域の第１導電型半導体層に電気的に連結された第１電極パッドと、上記第２電極に電気的に連結された第２電極パッドと、上記第１電極と電気的に連結されるように上記半導体積層体の第２主面に形成される電気的伝導性を有する支持基板とを含む。

また、上記第１電極構造は上記半導体発光素子の支持基板と連結され、上記第２電極構造は上記半導体発光素子の第１及び第２電極に各々連結される。

本発明によれば、ＥＳＤ保護用ダイオードと一体化された発光ダイオードを具現できる上、発光面積を増加して有効発光効率を改善できる。また、コンタクト孔を複数個採用して適切な位置に分散することで、大面積でも高い電流分散効率を実現できる。

また本発明によれば、一体化された発光ダイオードとＥＳＤ保護用ダイオードの各々の電気的特性を個別的に測定できる。

本発明の一実施形態による半導体発光素子の平面図である。 図１に示した半導体発光素子をＩ−Ｉ’線に沿って切開した側断面図である。 図１に示した半導体発光素子をＩＩ−ＩＩ’線に沿って切開した側断面図である。 図１に示した半導体発光素子をＩＩＩ−ＩＩＩ’線に沿って切開した側断面図である。 図１に示した半導体発光素子を説明するための等価回路である。 本発明の第１実施形態による半導体発光素子を採用したＬＥＤモジュールの平面図である。 図６に示したＬＥＤモジュールを説明するための等価回路である。

以下では、添付の図面を参照して本発明の実施形態を詳しく説明する。

図１は本発明の一実施形態による半導体発光素子の平面図であり、図２は図１に示した半導体発光素子をＩ−Ｉ’線に沿って切開した側断面図である。

図１及び図２を参照すると、本実施形態による半導体発光素子１０は、第１及び第２導電型半導体層１５ａ、１５ｃとその間に位置した活性層１５ｂを有する半導体積層体１５を含む。

半導体積層体１５は、相互に反対側に位置し、各々第１及び第２導電型半導体層１５ａ、１５ｃにより提供される第１及び第２主面を有する。

半導体積層体１５は、これに限定されないが、例えば、窒化物半導体のようなＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体である。本実施形態における半導体積層体１５は、第１導電型半導体層１５ａ、活性層１５ｂ及び第２導電型半導体層１５ｃの順に別途の成長用基板（図示せず）上に成長させた後（即ち、上記第１主面は前記成長用基板に接する）、上記第２主面上に、第２電極１４、コンタクトホールＨ，絶縁性分離層１３、及び第１電極１２を含む配線構造（これらの配線構造とその形成手順については、詳しく後述する）を形成し、さらに第１電極１２上に支持基板１１を形成する。

ここで、本実施形態において採用された支持基板１１は、電気的伝導性（導電性）を有する基板であって、メッキ工程又はウェハーボンディング工程により容易に提供される。次に、半導体積層体１５から上記成長用基板を除去し、図１に示した素子構造を得る。一般的に、第１及び第２導電型半導体層１５ａ、１５ｃは各々、ｎ型及びｐ型半導体層である。

半導体発光素子１０は、図２に示したように少なくとも半導体積層体１５の露出した側面に形成された絶縁性物質からなるパッシベーション層１６をさらに含み得る。

上記半導体発光素子１０の構造は、図３及び図４に示した断面図を参照してより具体的に理解できるであろう。図１に示した半導体発光素子１０をＩＩ−ＩＩ’線に沿って切開した側断面図は図３に示されており、ＩＩＩ−ＩＩＩ’線に沿って切開した側断面図は図４に示されている。

図３に示したように、ＩＩ−ＩＩ’線に沿って切開した断面は、電気的伝導性である支持基板１１上に第１電極１２、絶縁性分離層１３、第２電極１４及び半導体積層体１５が順に積層された構造である。

一方、ＩＩＩ−ＩＩＩ’線に沿って切開した断面は図４に示したように、コンタクト孔Ｈが形成された領域を除いては、図３と類似して支持基板１１上に第１電極１２、絶縁性分離層１３、第２電極１４、半導体積層体１５が順に積層された構造である。

複数のコンタクト孔Ｈは、上記半導体積層体１５の第２主面上の一部（後述の第１領域Ａ）に形成された第２電極１４を貫通して半導体積層体１５に貫入し、第１導電型半導体層１５ａ内に到達するように形成される。上記第２主面上に形成された上記絶縁性分離層１３は第１電極１２と第２電極１４とを絶縁する。また、絶縁性分離層１３は、コンタクト孔Ｈの内部側壁に延長して形成され、所望しない連結を防ぐために、第２電極１４、第２導電型半導体層１５ｃ、及び活性層１５ｂと、コンタクト孔Ｈと、を互いに電気的に絶縁する。

このような複数のコンタクト孔Ｈを一定間隔で配列することにより、電流の均一な分散を強化できる。第１電極１２は、第２導電型半導体層１５ｃと直接接続される。コンタクト孔Ｈに関する構造は、以下で詳しく説明する。

上記半導体積層体１５は、分離溝ｇにより第１領域Ａと第２領域Ｂに区分される。ここで、第１領域Ａは発光ダイオードとして駆動される発光ダイオード部を提供し、第２領域ＢはＥＳＤ保護用ダイオード部を提供する。
分離溝ｇは、例えば、半導体積層体１５から上記成長用基板を上述のように除去した後に、例えばパターニングして選択的にエッチングして形成される。
また、上記パッシベーション層１６は、例えば、分離溝ｇを上述のように形成した後に、分離溝ｇの内壁を覆うように形成される。

本実施形態における第２領域Ｂは、外部回路と連結するワイヤボンディングのための第１電極パッド１８ａを含む。上記２つの領域Ａ、Ｂに区分された半導体積層体１５は、下記のような配線連結により発光ダイオード部とＥＳＤ保護用ダイオード部として各々作動する。

本実施形態における第２電極１４は、第１領域Ａの第２導電型半導体層１５ｃに接続されるように半導体積層体１５の第２主面に形成される。

上記第２電極１４は望ましくは、上記活性層１５ｂで発生した光が反射されるように高反射性オーミックコンタクト層を含む。例えば、上記高反射性オーミックコンタクト層は、Ａｇ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｐｔ、Ａｕ及びその組み合わせで構成された群から選択された物質からなる。

第２領域Ｂにおける半導体積層体１５の第２主面には、第１領域Ａの第１導電型半導体層１５ａと連結された第１電極１２が提供される。本実施形態のように、第１電極１２と第１領域Ａの第１導電型半導体層１５ａは、コンタクト孔Ｈを利用して連結される。

図２に示したように、半導体積層体１５の第１領域Ａには、第１導電型半導体層１５ａの一部領域に連結されるように、第２電極１４を貫通し、第２主面から第２導電型半導体層１５ｃ及び活性層１５ｂを経て延長された少なくとも１つのコンタクト孔Ｈが形成される。コンタクト孔Ｈにより第１導電型半導体層１５ａの一部領域が露出される。

第１電極１２は、第１電極１２から延長された電極部１２’により、コンタクト孔Ｈを通じて提供される第１導電型半導体層１５ａの露出領域に接続される。これにより、第１電極１２は、上記第２主面側に位置しているにも拘わらず第１導電型半導体層１５ａとの電気的接続を実現できる。

このようなコンタクト孔Ｈは、例えば、上記成長用基板上に半導体積層体１５を形成した後、上記配線構造を形成する前に、コンタクト孔Ｈのうち半導体積層体１５内の部分が形成され、次に、上記配線構造の中の第２電極１４が形成され、コンタクト孔Ｈの中の第２電極１４を貫通する部分が形成されてコンタクト孔Ｈが完成し、最後に上記配線構造の残りの部分（即ち、絶縁性分離層１３と第１電極１２）が形成される。
別の方法としては、このようなコンタクト孔Ｈは、例えば、上記成長用基板上に半導体積層体１５を形成し、上記配線構造の中の第２電極１４を形成した後、上記配線構造の残りの部分（即ち、絶縁性分離層１３と第１電極１２）を形成する前に形成される。
本実施形態におけるコンタクト孔Ｈはビア形態で示されているが、第１導電型半導体層１５ａの一部領域を露出できる形態であれば、多様に具現できる。

本実施形態では、図１に示したように、第１領域Ａの全体面積にわたって位置するように複数個のコンタクト孔Ｈが形成される。このように、広い面積にわたって複数個のコンタクト孔Ｈを形成することで、均一な電流分散を具現できる。これは、高出力のために大面積を要する半導体発光素子に対して採用すると有益である。

上述のように、半導体積層体１５の第２主面に提供される第１電極１２及び第２電極１４を電気的に容易に分離するために絶縁性分離層１３が形成される。絶縁性分離層１３は、コンタクト孔Ｈの内部側壁と第１電極１２の電極部１２’との間に延長形成される。

第１電極１２は、第１領域Ａの第１導電型半導体層１５ａだけでなく、第２領域Ｂの第２導電型半導体層１５ｃとも電気的に連結される。

本実施形態による半導体発光素子１０は、第２領域Ｂの第１導電型半導体層１５ａに電気的に連結された第１電極パッド１８ａと第２電極１４に電気的に連結された第２電極パッド１８ｂを含む。

図１及び図２に示したように、第１電極パッド１８ａは半導体積層体１５の第２領域Ｂ上に形成される。第２電極１４は第１領域Ａの外部に延長された部分を有する。第２電極１４から延長された上記部分上に第２電極パッド１８ｂが形成される。第１及び第２電極パッド１８ａ、１８ｂ上には各々ワイヤで連結されるように導電性バンプ１９ａ、１９ｂが形成される。

また、上述したように、本実施形態に採用された支持基板１１は、電気的伝導性を有する基板である。支持基板１１は、図２に示したように第２電極１４とは絶縁性分離層１３により電気的に分離され、第１電極１２と接続されて第１電極１２と共に第１導電型半導体層１５ａのための電極構造物として提供される。即ち、半導体発光素子１０を実装する際、導電性である支持基板１１はその実装用の基板面に配置された外部回路に連結される。

このように、第１電極１２は、第１領域Ａに形成された発光ダイオード部の第１導電型半導体層１５ａと、第２領域Ｂに形成された保護用ダイオード部の第２導電型半導体層１５ｃに各々連結され、第１電極１２と外部回路への連結は、第２主面側に位置した支持基板１１を通じて具現される。

本実施形態における第１及び第２電極パッド１８ａ、１８ｂは、支持基板１１と共に半導体発光素子１０のための外部端子として機能する。

具体的には、第１領域Ａに形成された発光ダイオード部と第２領域Ｂに形成された保護用ダイオード部は、支持基板１１に相互に反対する極性を有して連結される。上記発光ダイオード部の他の極性を有する電極は第２電極パッド１８ｂに連結され、上記保護用ダイオード部の他の極性を有する電極は第１電極パッド１８ａに連結される。

このように、支持基板１１は、第１領域Ａに形成された発光ダイオード部と第２領域Ｂに形成された保護用ダイオード部の共通外部端子として提供される。上記発光ダイオード部と上記保護用ダイオード部との各々の、他の極性を有する電極は、第２及び第１電極パッド１８ｂ、１８ａを介して相互に分離可能なように連結される。

本実施形態における上記発光ダイオード部ＬＤと上記保護用ダイオード部ＺＤの連結は、図５に示した等価回路で示すことができる。

図５に示したように、第１及び第２電極パッド１８ａ、１８ｂを提供することで、上記発光ダイオード部ＬＤと上記保護用ダイオード部ＺＤとを回路的に分離できる。

これと異なって、完全に回路連結された場合、即ち、第１及び第２電極パッド１８ａ、１８ｂが１つのパッドで具現された場合には、発光ダイオード部ＬＤの電気的特性が、順方向電圧では保護用ダイオード部ＺＤによる影響が大きくないが、逆方向電圧では発光ダイオード部ＬＤではない保護用ダイオード部ＺＤの特性のみが測定されるので、発光ダイオード部ＬＤの電気的特定を適切に測定できない。しかし、図２に示した発光素子では、第２電極パッド１８ｂと支持基板１１を通じた通電構造を利用し、発光ダイオード部ＬＤの電気的特性を独立的に測定し評価できる。

本実施形態による半導体発光素子１０は、図６に示したように、ＬＥＤモジュールで保護用ダイオード一体型発光素子として具現されることができる。

即ち、図６に示したＬＥＤモジュール５０では、第１及び第２電極構造５２、５３を有するパッケージ基板５１と図１に示した半導体発光素子１０を含む。ＬＥＤモジュール５０では、図６に示したように、半導体発光素子１０はその（導電性）支持基板１１を介して第１電極構造５２に搭載され、半導体発光素子１０の第１及び第２電極パッド１８ａ、１８ｂから延長されたワイヤＷが第２電極構造５３に連結される。

従って、半導体発光素子１０の第１領域Ａに形成された発光ダイオード部ＬＤと第２領域Ｂに形成された保護用ダイオード部ＺＤを含むＬＥＤモジュール５０は、図７に示した等価回路を有し、これを通じて第１領域Ａは発光ダイオード部ＬＤとして、第２領域ＢはＥＳＤ保護用ダイオードＺＤとして動作できる。

図７に示した等価回路によれば、発光ダイオード部ＬＤの正常動作時に逆電圧がかかって導通できなかったＥＳＤ保護用ダイオードＺＤが、瞬間的高電圧が発生すると、ブレークダウン電圧を越えて電流が導通する。このような過程で過電流がＥＳＤ保護用ダイオード部ＺＤに誘導されるため、発光ダイオード部ＬＤを保護できる。

半導体積層体１５の第１領域Ａを発光領域として提供するためには、第１領域Ａは、保護用ダイオード部及びボンディング領域として提供される第２領域Ｂより大きい面積を有することが好ましい。半導体積層体１５の第２領域Ｂは、半導体積層体１５の全体面積の２０％以下の面積を有することがより好ましい。

上述した実施形態及び添付の図面は好ましい実施形態の例示に過ぎず、本発明は添付の請求の範囲により限定される。また、本発明は請求の範囲に記載された本発明の技術的思想から外れない範囲内で多様な形態の置換、変形及び変更が可能であるということは当技術分野の通常の知識を有する者には自明であろう。

１０ 半導体発光素子
１１ 支持基板
１２ 第１電極
１２’ 電極部
１３ 絶縁性分離層
１４ 第２電極
１５ 半導体積層体
１５ａ 第１導電型半導体層
１５ｂ 活性層
１５ｃ 第２導電型半導体層
１６ パッシベーション層
１８ａ 第１電極パッド
１８ｂ 第２電極パッド
１９ａ、１９ｂ 導電性バンプ
５０ ＬＥＤモジュール
５１ パッケージ基板
５２ 第１電極構造
５３ 第２電極構造

Claims (10)

1. 相互に対向する第１及び第２主面を有し、各々前記第１及び第２主面を提供する第１及び第２導電型半導体層とその間に形成された活性層を有し、分離溝により第１及び第２領域に区割りされた半導体積層体と、
   前記第１領域の第２主面から前記活性層を経て前記第１導電型半導体層の領域の一部に連結された少なくとも１つのコンタクト孔と、
   前記半導体積層体の第２主面上に形成され、前記少なくとも１つのコンタクト孔を通じて前記第１領域の第１導電型半導体層に連結され、且つ、前記第２領域の第２導電型半導体層に連結された第１電極と、
   前記第１領域の第２主面上に形成され、前記第１領域の第２導電型半導体層に連結された第２電極と、
   前記第２領域の第１導電型半導体層に電気的に連結された第１電極パッドと、
   前記第２電極に電気的に連結された第２電極パッドと、
   前記第１電極と電気的に連結されるように前記半導体積層体の第２主面に形成される電気的伝導性を有する支持基板と、を含むことを特徴とする半導体発光素子。
2. 前記半導体積層体の第２主面上に形成され、前記第１電極と前記第２電極を分離する絶縁性分離層をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子。
3. 前記絶縁性分離層は、前記コンタクト孔の内部側壁と前記第１電極の前記コンタクト孔内に充填された部分との間に延長されたことを特徴とする請求項２に記載の半導体発光素子。
4. 前記支持基板は、メッキ工程又はウェハーボンディング工程により形成されたことを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子。
5. 前記半導体積層体の第１領域及び第２領域の側面に形成されたパッシベーション層をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子。
6. 前記第２電極は、高反射性オーミックコンタクト層を含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子。
7. 前記高反射性オーミックコンタクト層は、Ａｇ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｐｔ、Ａｕ及びその組み合わせで構成された群から選択された物質を含むことを特徴とする請求項６に記載の半導体発光素子。
8. 前記少なくとも１つのコンタクト孔は、複数個のコンタクト孔であることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子。
9. 前記半導体積層体の前記第１領域は、前記半導体積層体の前記第２領域より大きい面積を有することを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子。
10. 半導体発光素子と、
    第１電極構造及び第２電極構造を有するパッケージ基板と、を含むＬＥＤモジュールであって、
    前記半導体発光素子は、
    相互に対向する第１及び第２主面を有し、各々前記第１及び第２主面を提供する第１及び第２導電型半導体層とその間に形成された活性層を有し、分離溝により第１及び第２領域に区割りされた半導体積層体と、
    前記第１領域の第２主面から前記活性層を経て前記第１導電型半導体層の領域の一部に連結された少なくとも１つのコンタクト孔と、
    前記半導体積層体の第２主面上に形成され、前記少なくとも１つのコンタクト孔を通じて前記第１領域の第１導電型半導体層に連結され、前記第２領域の第２導電型半導体層に連結された第１電極と、
    前記第１領域の第２主面上に形成され、前記第１領域の第２導電型半導体層に連結された第２電極と、
    前記第２領域の第１導電型半導体層に電気的に連結された第１電極パッドと、
    前記第２電極に電気的に連結された第２電極パッドと、
    前記第１電極と電気的に連結されるように前記半導体積層体の第２主面に形成される電気的伝導性を有する支持基板と、を含み、
    前記第１電極構造は前記半導体発光素子の支持基板と連結され、前記第２電極構造は前記半導体発光素子の第１及び第２電極に各々連結されることを特徴とするＬＥＤモジュール。
    
    

Images