JP2021048218A - 発光モジュールの製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
本開示に係る実施形態は、発光面間が狭い発光モジュールの製造方法を提供することを課題とする。
[発光モジュール]
図1Aは、第1実施形態に係る発光モジュールの構成を模式的に示す斜視図である。図1Bは、第1実施形態に係る発光モジュールの構成を模式的に示す平面図である。図1Cは、図1BのIC−IC線における断面図である。図1Dは、図1BのID−ID線における断面図である。図1Eは、第1実施形態に係る発光モジュールにおいて、一部を透過させて素子構造体の底面を模式的に示す底面図である。
以下、発光モジュール200の各構成について説明する。
基体部2としては、絶縁性材料を用いることが好ましく、かつ、発光素子20から出射される光や外光等を透過しにくい材料を用いることが好ましい。例えば、アルミナ、窒化アルミニウム、ムライト等のセラミックス、PA(ポリアミド)、PPA(ポリフタルアミド)、PPS(ポリフェニレンサルファイド)、又は、液晶ポリマー等の熱可塑性樹脂や、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、変性エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、又は、フェノール樹脂等の樹脂を用いることができる。なかでも放熱性に優れるセラミックスを用いることが好ましい。
なお、基体部2は、後述する発光モジュール200の製造方法で、集合基板11における発光素子20を載置する側に溝部13を設けるため(図3A参照)、発光モジュール200の長手方向の側面において、モジュール基板80側の側面の一部が外側に延伸する延伸部14が設けられている。
発光素子20は、一つの面に正負の素子電極23を備えるものを用いることが好ましく、これにより、導電性接着材によりサブマウント基板10上で第1配線部3にフリップチップ実装することができる。導電性接着材としては、例えば共晶はんだ、導電ペースト、バンプ等を用いればよい。
なお、サブマウント基板10上に保護素子25を備えない場合、モジュール基板80側に保護素子25を備える構成とすることが好ましい。また、サブマウント基板10及びモジュール基板80は、保護素子25以外の他の電子部品を備える構成としてもよい。
発光モジュール200において、発光モジュール200の上面に露出する、隣接する光透過性部材30間の距離は0.2mm以下であることが好ましい。光透過性部材30間の距離が0.2mm以下であれば、例えば、発光モジュール200を車の配光可変型ヘッドランプ(Adaptive Driving Beam:ADB)の光源に用いる場合、光源を小さくすることができ、ヘッドライトレンズのサイズを小さくすることができる。そのため、光学系においてプライマリーレンズを省略することができる。また、ヘッドライトレンズを通過する光のロスを少なくすることができる。光源をより小さくする観点から、光透過性部材30間の距離は、より好ましくは0.1mm以下、更に好ましくは0.05mm以下である。光透過性部材30間の距離は、発光モジュール200の製造のし易さの観点から、好ましくは0.03mm以上である。
光透過性部材30として樹脂を用いる場合、また蛍光体や拡散材のバインダーとして樹脂を用いる場合、樹脂材料としては、例えば、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂等の熱硬化性樹脂等が挙げられる。
枠体50は、反射材を含有する樹脂を用いて形成することができる。枠体50の樹脂に用いる樹脂材料としては、例えば、光透過性部材30に用いる樹脂材料として例示したものが挙げられる。枠体50に用いる樹脂に含有する反射材としては、例えば、第1被覆部材40に用いる樹脂に含有する反射材として例示したものが挙げられる。
また、枠体として金属、合金又はセラミックを用いてもよい。
基板部6の材料としては、例えば、サブマウント基板10の基体部2に用いる材料として例示したものが挙げられる。第3配線部7の材料としては、例えば、サブマウント基板10の第1配線部3等に用いる材料として例示したものが挙げられる。
素子構造体15は、導電性接着材8を介して第2配線部5と第3配線部7とが接合するようにモジュール基板80の上面に実装されている。導電性接着材8としては、例えば共晶はんだ、導電ペースト、バンプ等を用いればよい。
発光モジュール200を駆動すると、第3配線部7、第2配線部5、内部配線部4、及び第1配線部3を介して外部電源から発光素子20に電流が供給され、発光素子20が発光する。発光素子20が発光した光は、上方へ進む光が、光透過性部材30を介して発光モジュール200の上方の外部に取り出される。また、下方へ進む光は、サブマウント基板10で反射され、光透過性部材30を介して発光モジュール200の外部に取り出される。また、発光素子20と枠体50との間に進む光は、第1被覆部材40及び枠体50で反射され、光透過性部材30を介して発光モジュール200の外部に取り出される。また、発光素子20間に進む光は、第1被覆部材40で反射され、光透過性部材30を介して発光モジュール200の外部に取り出される。この際、光透過性部材30間を狭く(例えば0.2mm以下)することで、例えば、発光モジュール200を車両用ヘッドライトの光源に用いる場合、光学系の構成を簡単かつ小型なものとすることができる。
図2は、第1実施形態に係る発光モジュールの製造方法のフローチャートである。図3Aは、第1実施形態に係る発光モジュールの製造方法において、集合基板を準備する工程を示す断面図である。図3Bは、第1実施形態に係る発光モジュールの製造方法において、発光素子を載置する工程を示す断面図である。図3Cは、第1実施形態に係る発光モジュールの製造方法において、1つの光透過性部材を設置する工程を示す断面図である。図3Dは、第1実施形態に係る発光モジュールの製造方法において、サブマウント基板を形成する工程を示す断面図である。図3Eは、第1実施形態に係る発光モジュールの製造方法において、光透過性部材接合体を載置する工程を示す断面図である。図3Fは、第1実施形態に係る発光モジュールの製造方法において、素子構造体を形成する工程を示す断面図である。図3Gは、第1実施形態に係る発光モジュールの製造方法において、枠体を形成する工程を示す断面図である。図3Hは、第1実施形態に係る発光モジュールの製造方法において、第1被覆部材を形成する工程を示す断面図である。図3Iは、第1実施形態に係る発光モジュールの製造方法において、光透過性部材接合体を載置する工程を示す平面図である。図3Jは、第1実施形態に係る発光モジュールの製造方法において、素子構造体を形成する工程を示す平面図である。図3Kは、第1実施形態に係る発光モジュールの製造方法において、枠体を形成する工程を示す平面図である。図3Lは、第1実施形態に係る発光モジュールの製造方法において、第1被覆部材を形成する工程を示す平面図である。
なお、各部材の材質や配置等については、前記した発光モジュール200の説明で述べた通りであるので、ここでは適宜、説明を省略する。
光透過性部材接合体準備工程S101は、複数のサブマウント基板10と、それぞれのサブマウント基板10上に設けられた発光素子20と、複数の発光素子20上に設けられた1つの光透過性部材31と、を備える光透過性部材接合体35を準備する工程である。
この工程S101は、集合基板準備工程S101aと、発光素子載置工程S101bと、光透過性部材設置工程S101cと、サブマウント基板形成工程S101dと、を含む。
集合基板準備工程S101aは、集合基板11の分割後にサブマウント基板10となるサブマウント領域12を複数含む集合基板11を準備する工程である。
集合基板11は、発光素子20を載置する複数のサブマウント領域12を含む一枚の基板である。図3Aでは、便宜上、4つのサブマウント領域12を含む集合基板11を図示しているが、サブマウント領域12の数は、適宜、調整すればよい。
溝部13は、例えば、ブレードで切り込みを入れたり、マスクを用いて所定位置をエッチングしたりすることで形成することができる。
発光素子載置工程S101bは、複数のサブマウント領域12に発光素子20を載置する工程である。
この工程S101bでは、複数の発光素子20のそれぞれを、複数のサブマウント領域12のそれぞれに載置する。発光素子20は、電極形成面を実装面として、導電性接着材によりサブマウント領域12に配置される第1配線上にフリップチップ実装されている。
なお、この際、複数の保護素子25のそれぞれを、複数のサブマウント領域12のそれぞれに載置する。
光透過性部材設置工程S101cは、複数の発光素子20上に1つの光透過性部材31を設ける工程である。
この工程S101cでは、例えば、発光素子20の電極形成面と反対側の上面(つまり主たる光取り出し面側)に、所定形状の1つの光透過性部材31を接合する。1つの光透過性部材31は、板状の光透過性部材31であり、分割後に素子構造体15を構成する光透過性部材30となる。すなわち、1つの光透過性部材31は、光透過性部材30の集合体である。発光素子20に1つの光透過性部材31を接合する場合、直接接合法で接合させてもよく、透光性の接合部材を介して接合するようにしてもよい。
サブマウント基板形成工程S101dは、集合基板11をサブマウント領域12毎に分割して複数のサブマウント基板10とする工程である。
この工程S101dでは、集合基板11の所定位置で分割することにより集合基板11を個片化して、複数のサブマウント基板10とする。集合基板11の分割は、発光素子20を載置する側の反対側から、例えばブレードを用いて集合基板11を溝部13まで切断することで行うことができる。溝部13が形成されていることにより、切断時にブレードが光透過性部材31に達することを抑制することができる。
光透過性部材接合体載置工程S102は、光透過性部材接合体35をサブマウント基板10がモジュール基板80に対面するように載置する工程である。つまり、光透過性部材接合体35は、サブマウント基板10の下面(つまり発光素子20が載置される面と反対側の面)がモジュール基板80の上面と接するように、モジュール基板80上に載置される。
この工程S102では、光透過性部材接合体35をモジュール基板80の上面に載置する。光透過性部材接合体35は、サブマウント基板10側を実装面として、導電性接着材8によりモジュール基板80の上面に実装されている。
素子構造体形成工程S103は、1つの光透過性部材31を発光素子20毎に分割して、サブマウント基板10と、発光素子20と、光透過性部材30と、をこの順に備える複数の素子構造体15とする工程である。
この工程S103では、1つの光透過性部材31の所定位置で分割することにより光透過性部材接合体35を個片化して、複数の素子構造体15とする。1つの光透過性部材31の分割は、例えばブレードを用いて1つの光透過性部材31を切断することで行うことができる。
枠体形成工程S104は、複数の素子構造体15を取り囲む枠体50をモジュール基板80上に形成する工程である。
枠体50は、例えば、空気圧で液体樹脂を連続的に吐出可能な吐出装置(樹脂吐出装置)を用いてモジュール基板80上の所望の位置に形成することができる(特開2009−182307号公報参照)。
また、枠体50は、例えば、樹脂成型体、金属、合金、セラミックス等からなる枠状の部材を、モジュール基板80上の所望の位置に形成することとしてもよい。
第1被覆部材形成工程S105は、それぞれの素子構造体15の側面を被覆する第1被覆部材40をモジュール基板80上に形成する工程である。
この工程S105では、枠体50内に第1被覆部材40を形成して第1被覆部材40により素子構造体15の側面を被覆する。
この工程S105では、例えば、ポッティングやスプレー等により、枠体50と素子構造体15との間、及び、隣接する素子構造体15間に第1被覆部材40を形成する未硬化の樹脂材料を配置する。その後、樹脂材料を硬化させ、第1被覆部材40を形成する。
この工程S105では、素子構造体15の側面(つまりサブマウント基板10の側面、発光素子20の側面及び光透過性部材30の側面)を被覆し、光透過性部材30の上面が露出するように第1被覆部材40を設ける。なお、第1被覆部材40は、光透過性部材30の上面を被覆するように設けた後、光透過性部材30の上面が露出するように第1被覆部材40の一部を研磨、研削、切削等により除去することで設けてもよい。
[発光モジュール]
図4Aは、第2実施形態に係る発光モジュールの構成を模式的に示す平面図である。図4Bは、図4AのIVB−IVB線における断面図である。
素子構造体15は、モジュール基板80の側から、サブマウント基板10と、発光素子20と、光透過性部材30と、をこの順に備えている。素子構造体15は、サブマウント基板10が対面するようにモジュール基板80に載置されている。
第2被覆部材60は、それぞれのサブマウント基板10の側面を被覆して複数の素子構造体15を保持する。
第1被覆部材40は、それぞれの発光素子20の側面及びそれぞれの光透過性部材30の側面を被覆して複数の素子構造体15を保持する。第1被覆部材40は、第2被覆部材60よりも発光素子20からの光に対する光反射率が高い。
以下、発光モジュール200Aの各構成について、発光モジュール200と異なる事項について説明する。
放熱材としては、例えば、放熱用のシリコーン、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化硼素、窒化ケイ素、酸化マグネシウム等が挙げられる。
第2被覆部材60は、第1被覆部材40よりも放熱性が高くなるように、適宜、材料を選択することが好ましい。
第1被覆部材40は、第2被覆部材60よりも発光素子20からの光に対する光反射率が高くなるように、適宜、材料を選択する。
図5は、第2実施形態に係る発光モジュールの製造方法のフローチャートである。図6Aは、第2実施形態に係る発光モジュールの製造方法において、第2被覆部材を形成する工程を示す断面図である。図6Bは、第2実施形態に係る発光モジュールの製造方法において、第1被覆部材を形成する工程を示す断面図である。図6Cは、第2実施形態に係る発光モジュールの製造方法において、第2被覆部材を形成する工程を示す平面図である。図6Dは、第2実施形態に係る発光モジュールの製造方法において、第1被覆部材を形成する工程を示す平面図である。
なお、各部材の材質や配置等については、前記した発光モジュール200Aの説明で述べた通りであるので、ここでは適宜、説明を省略する。
光透過性部材接合体準備工程S201は、前記した光透過性部材接合体準備工程S101と同様である。
光透過性部材接合体載置工程S202は、前記した光透過性部材接合体載置工程S102と同様である。
素子構造体形成工程S203は、前記した素子構造体形成工程S103と同様である。
枠体形成工程S204は、前記した枠体形成工程S104と同様である。
第2被覆部材形成工程S205は、それぞれのサブマウント基板10の側面を被覆する第2被覆部材60をモジュール基板80上に形成する工程である。
この工程S205では、枠体50内に第2被覆部材60を形成して第2被覆部材60によりサブマウント基板10の側面を被覆する。
この工程S205では、例えば、ポッティングやスプレー等により、枠体50とサブマウント基板10との間、及び、隣接するサブマウント基板10の対向する側面間に放熱材を含有する未硬化の樹脂材料を配置する。その後、樹脂材料を硬化させ、第2被覆部材60を形成する。
この工程S205では、サブマウント基板10の側面を被覆するように、サブマウント基板10の上面の高さ、具体的には基体部2の側面の高さまで第2被覆部材60を設けている。
第1被覆部材形成工程S206は、それぞれの発光素子20の側面及びそれぞれの光透過性部材30の側面を被覆する第1被覆部材40を第2被覆部材60上に形成する工程である。この工程S206では、第1被覆部材40として、第2被覆部材60よりも発光素子20からの光に対する光反射率が高い部材を用いる。
この工程S206では、枠体50内に第1被覆部材40を形成して第1被覆部材40により発光素子20の側面及び光透過性部材30の側面を被覆する。
この工程S206では、例えば、ポッティングやスプレー等により、枠体50と発光素子20及び光透過性部材30との間、隣接する発光素子20間、並びに、隣接する光透過性部材30間に反射材を含有する未硬化の樹脂材料を配置する。その後、樹脂材料を硬化させ、第1被覆部材40を形成する。
この工程S206では、発光素子20の側面及び光透過性部材30の側面を被覆し、光透過性部材30の上面が露出するように第1被覆部材40を設ける。なお、第1被覆部材40は、光透過性部材30の上面を被覆するように設けた後、光透過性部材30の上面が露出するように第1被覆部材40の一部を研磨、研削、切削等により除去することで設けてもよい。
[発光モジュール]
図7Aは、第3実施形態に係る発光モジュールの構成を模式的に示す平面図である。図7Bは、図7AのVIIB−VIIB線における断面図である。
発光モジュール200Bは、後述する発光モジュール200Bの製造方法で、モジュール基板接合体85を準備した後、光透過性部材30側から集合基板11を分割する。そのため、光透過性部材30の幅は、集合基板11を分割し易いように設定する必要がある。
また、基体部2は、後述する発光モジュール200Bの製造方法で、集合基板11における発光素子20を載置する側と反対側に溝部13を設けるため(図9A参照)、発光モジュール200Bの長手方向の側面において、発光素子20側の側面の一部が外側に延伸する延伸部14が設けられている。
その他の事項については、第1実施形態の発光モジュール200と同様である。
図8は、第3実施形態に係る発光モジュールの製造方法のフローチャートである。図9Aは、第3実施形態に係る発光モジュールの製造方法において、集合基板を準備する工程を示す断面図である。図9Bは、第3実施形態に係る発光モジュールの製造方法において、発光素子を載置する工程を示す断面図である。図9Cは、第3実施形態に係る発光モジュールの製造方法において、光透過性部材を設置する工程を示す断面図である。図9Dは、第3実施形態に係る発光モジュールの製造方法において、集合基板接合体を載置する工程を示す断面図である。図9Eは、第3実施形態に係る発光モジュールの製造方法において、素子構造体を形成する工程を示す断面図である。図9Fは、第3実施形態に係る発光モジュールの製造方法において、枠体を形成する工程を示す断面図である。図9Gは、第3実施形態に係る発光モジュールの製造方法において、第1被覆部材を形成する工程を示す断面図である。
モジュール基板接合体準備工程S301は、集合基板11の分割後にサブマウント基板10となるサブマウント領域12を複数含む集合基板11と、複数のサブマウント領域12に載置された発光素子20と、それぞれの発光素子20上に設けられた光透過性部材30と、を備える集合基板接合体36が、集合基板11がモジュール基板80に対面するように載置されたモジュール基板接合体85を準備する工程である。
この工程S301は、集合基板接合体準備工程S301Aと、集合基板接合体載置工程S301Bと、を含む。
集合基板接合体準備工程S301Aは、集合基板接合体36を準備する工程である。
この工程S301Aは、集合基板準備工程S301aと、発光素子載置工程S301bと、光透過性部材設置工程S301cと、を含む。
集合基板準備工程S301aは、集合基板11の分割後にサブマウント基板10となるサブマウント領域12を複数含む集合基板11を準備する工程である。
集合基板準備工程S301aは、発光素子20を載置する側と反対側におけるサブマウント領域12毎に分割する箇所に、溝部13が形成された集合基板11を準備することが好ましい。溝部13の深さや形成方法等、また、集合基板準備工程S301aのその他の事項は、前記した集合基板準備工程S101aと同様である。
発光素子載置工程S301bは、前記した発光素子載置工程S101bと同様である。
光透過性部材設置工程S301cは、それぞれの発光素子20上に光透過性部材30を設ける工程である。
この工程S301cでは、例えば、発光素子20の電極形成面と反対側の上面(つまり主たる光取り出し面側)に、所定形状の光透過性部材30を接合する。発光素子20に光透過性部材30を接合する場合、直接接合で接合させてもよく、透光性の接合部材を介して接合するようにしてもよい。
集合基板接合体載置工程S301Bは、集合基板接合体36をモジュール基板80上に載置する工程である。つまり、集合基板接合体36は、集合基板11の下面(つまり発光素子20が載置される面と反対側の面)がモジュール基板80の上面と接するように、モジュール基板80上に載置される。
この工程S301Bでは、集合基板接合体36をモジュール基板80の上面に載置する。集合基板接合体36は、集合基板11側を実装面として、導電性接着材8によりモジュール基板80の上面に実装されている。
素子構造体形成工程S302は、集合基板11をサブマウント領域12毎に分割して、サブマウント基板10と、発光素子20と、光透過性部材30と、をこの順に備える複数の素子構造体15Aとする工程である。
この工程S302では、集合基板11の所定位置で分割することにより素子構造体15Aを個片化して、複数の素子構造体15Aとする。
集合基板11の分割は、発光素子20及び光透過性部材30を載置する側から、例えばブレード等を用いて集合基板11を溝部13まで切断することで行うことができる。発光素子20を載置する側と反対側に溝部13が形成されていることにより、切断時にブレードがモジュール基板80に達することを抑制することができる。
枠体形成工程S303は、前記した枠体形成工程S104と同様である。
第1被覆部材形成工程S304は、前記した第1被覆部材形成工程S105と同様である。
[発光モジュール]
図10Aは、第4実施形態に係る発光モジュールの構成を模式的に示す平面図である。図10Bは、図10AのXB−XB線における断面図である。
その他の事項については、第2実施形態の発光モジュール200Aと同様である。
図11は、第4実施形態に係る発光モジュールの製造方法のフローチャートである。
すなわち、発光モジュール200Cの製造方法は、集合基板接合体36をモジュール基板80の上面に載置した後、集合基板11をサブマウント領域12毎に分割して複数の素子構造体15Aとすること、及び集合基板11の溝部13の形成位置以外は、発光モジュール200Aの製造方法と同様である。
図12は、他の実施形態に係る発光モジュールの構成を模式的に示す平面図である。
また、発光モジュール200B、200Cの製造方法では、モジュール基板接合体準備工程は、集合基板接合体36をモジュール基板80に載置するものとした。しかしながら、集合基板11をモジュール基板80に載置した後、複数のサブマウント領域12に発光素子20を載置すると共に、それぞれの発光素子20上に光透過性部材30を設けてもよい。また、発光モジュールの製造方法は、集合基板11に溝部13を形成するものであってもよいし、形成しないものであってもよい。
3 第1配線部
4 内部配線部
5 第2配線部
6 基板部
7 第3配線部
8 導電性接着材
10 サブマウント基板
11 集合基板
12 サブマウント領域
13 溝部
14 延伸部
15、15A 素子構造体
20 発光素子
23 発光素子の素子電極
25 保護素子
27 保護素子の素子電極
30 光透過性部材
31 1つの光透過性部材
35 光透過性部材接合体
36 集合基板接合体
40 第1被覆部材
50 枠体
60 第2被覆部材
80 モジュール基板
85 モジュール基板接合体
200、200A、200B、200C、200D 発光モジュール
Claims (16)
- 複数のサブマウント基板と、それぞれの前記サブマウント基板上に設けられた発光素子と、複数の前記発光素子上に設けられた1つの光透過性部材と、を備える光透過性部材接合体を準備する工程と、
前記光透過性部材接合体を前記サブマウント基板がモジュール基板に対面するように載置する工程と、
前記1つの光透過性部材を前記発光素子毎に分割して、前記サブマウント基板と、前記発光素子と、光透過性部材と、をこの順に備える複数の素子構造体とする工程と、
それぞれの前記素子構造体の側面を被覆する第1被覆部材を前記モジュール基板上に形成する工程と、を含む発光モジュールの製造方法。 - 複数のサブマウント基板と、それぞれの前記サブマウント基板上に設けられた発光素子と、複数の前記発光素子上に設けられた1つの光透過性部材と、を備える光透過性部材接合体を準備する工程と、
前記光透過性部材接合体を前記サブマウント基板がモジュール基板に対面するように載置する工程と、
前記1つの光透過性部材を前記発光素子毎に分割して、前記サブマウント基板と、前記発光素子と、光透過性部材と、をこの順に備える複数の素子構造体とする工程と、
それぞれの前記サブマウント基板の側面を被覆する第2被覆部材を前記モジュール基板上に形成する工程と、
それぞれの前記発光素子の側面及びそれぞれの前記光透過性部材の側面を被覆する、前記第2被覆部材よりも前記発光素子からの光に対する光反射率が高い第1被覆部材を前記第2被覆部材上に形成する工程と、を含む発光モジュールの製造方法。 - 前記第2被覆部材は前記第1被覆部材よりも放熱性が高い請求項2に記載の発光モジュールの製造方法。
- 前記第1被覆部材を前記モジュール基板上に形成する工程の前に、複数の前記素子構造体を取り囲む枠体を前記モジュール基板上に形成する工程を含み、前記枠体内に前記第1被覆部材を形成して前記第1被覆部材により前記素子構造体の側面を被覆する請求項1に記載の発光モジュールの製造方法。
- 前記第2被覆部材を前記モジュール基板上に形成する工程の前に、複数の前記素子構造体を取り囲む枠体を前記モジュール基板上に形成する工程を含み、前記枠体内に前記第2被覆部材及び前記第1被覆部材を形成して前記第2被覆部材により前記サブマウント基板の側面を被覆すると共に、前記第1被覆部材により前記発光素子の側面及び前記光透過性部材の側面を被覆する請求項2又は請求項3に記載の発光モジュールの製造方法。
- 前記光透過性部材接合体を準備する工程は、
集合基板の分割後に前記サブマウント基板となるサブマウント領域を複数含む前記集合基板を準備する工程と、
複数の前記サブマウント領域に前記発光素子を載置する工程と、
複数の前記発光素子上に1つの前記光透過性部材を設ける工程と、
前記集合基板を前記サブマウント領域毎に分割して複数のサブマウント基板とする工程と、を含む請求項1乃至請求項5のいずれか一項に記載の発光モジュールの製造方法。 - 前記集合基板を準備する工程は、前記発光素子を載置する側における前記サブマウント領域毎に分割する箇所に、溝部を形成する請求項6に記載の発光モジュールの製造方法。
- 集合基板の分割後にサブマウント基板となるサブマウント領域を複数含む前記集合基板と、複数の前記サブマウント領域に載置された発光素子と、それぞれの前記発光素子上に設けられた光透過性部材と、を備える集合基板接合体が、前記集合基板がモジュール基板に対面するように載置されたモジュール基板接合体を準備する工程と、
前記集合基板を前記サブマウント領域毎に分割して、前記サブマウント基板と、前記発光素子と、前記光透過性部材と、をこの順に備える複数の素子構造体とする工程と、
それぞれの前記素子構造体の側面を被覆する第1被覆部材を前記モジュール基板上に形成する工程と、を含む発光モジュールの製造方法。 - 集合基板の分割後にサブマウント基板となるサブマウント領域を複数含む前記集合基板と、複数の前記サブマウント領域に載置された発光素子と、それぞれの前記発光素子上に設けられた光透過性部材と、を備える集合基板接合体が、前記集合基板がモジュール基板に対面するように載置されたモジュール基板接合体を準備する工程と、
前記集合基板を前記サブマウント領域毎に分割して、前記サブマウント基板と、前記発光素子と、前記光透過性部材と、をこの順に備える複数の素子構造体とする工程と、
それぞれの前記サブマウント基板の側面を被覆する第2被覆部材を前記モジュール基板上に形成する工程と、
それぞれの前記発光素子の側面及びそれぞれの前記光透過性部材の側面を被覆する、前記第2被覆部材よりも前記発光素子からの光に対する光反射率が高い第1被覆部材を前記第2被覆部材上に形成する工程と、を含む発光モジュールの製造方法。 - 前記第2被覆部材は前記第1被覆部材よりも放熱性が高い請求項9に記載の発光モジュールの製造方法。
- 前記第1被覆部材を前記モジュール基板上に形成する工程の前に、複数の前記素子構造体を取り囲む枠体を前記モジュール基板上に形成する工程を含み、前記枠体内に前記第1被覆部材を形成して前記第1被覆部材により前記素子構造体の側面を被覆する請求項8に記載の発光モジュールの製造方法。
- 前記第2被覆部材を前記モジュール基板上に形成する工程の前に、複数の前記素子構造体を取り囲む枠体を前記モジュール基板上に形成する工程を含み、前記枠体内に前記第2被覆部材及び前記第1被覆部材を形成して前記第2被覆部材により前記サブマウント基板の側面を被覆すると共に、前記第1被覆部材により前記発光素子の側面及び前記光透過性部材の側面を被覆する請求項9又は請求項10に記載の発光モジュールの製造方法。
- 前記モジュール基板接合体を準備する工程は、
前記集合基板接合体を準備する工程と、
前記集合基板接合体を前記モジュール基板上に載置する工程と、を含む請求項8乃至請求項12のいずれか一項に記載の発光モジュールの製造方法。 - 前記集合基板接合体を準備する工程は、
前記集合基板を準備する工程と、
複数の前記サブマウント領域に前記発光素子を載置する工程と、
それぞれの前記発光素子上に前記光透過性部材を設ける工程と、を含む請求項13に記載の発光モジュールの製造方法。 - 前記モジュール基板接合体を準備する工程は、前記発光素子を載置する側と反対側における前記サブマウント領域毎に分割する箇所に、溝部を形成する請求項8乃至請求項14のいずれか一項に記載の発光モジュールの製造方法。
- 前記第1被覆部材が光反射性樹脂である請求項1乃至請求項15のいずれか一項に記載の発光モジュールの製造方法。
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JP7372526B2 (ja) | 2019-09-24 | 2023-11-01 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法及び発光モジュールの製造方法 |
Citations (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05327022A (ja) * | 1992-05-26 | 1993-12-10 | Furukawa Electric Co Ltd:The | サブマウントチップ実装部品の検査・製造方法 |
JP2007194383A (ja) * | 2006-01-19 | 2007-08-02 | Hitachi Lighting Ltd | 光学部材およびバックライト |
WO2011093454A1 (ja) * | 2010-01-29 | 2011-08-04 | シチズン電子株式会社 | 発光装置の製造方法及び発光装置 |
JP2012114286A (ja) * | 2010-11-25 | 2012-06-14 | Toshiba Corp | Ledパッケージ |
WO2012086517A1 (ja) * | 2010-12-20 | 2012-06-28 | ローム株式会社 | 発光素子ユニットおよび発光素子パッケージ |
JP2013175531A (ja) * | 2012-02-24 | 2013-09-05 | Stanley Electric Co Ltd | 発光装置 |
JP2013191787A (ja) * | 2012-03-15 | 2013-09-26 | Sony Corp | 半導体レーザアレイおよび半導体レーザ装置 |
JP2014225660A (ja) * | 2013-04-27 | 2014-12-04 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体レーザ装置及びその製造方法並びにサブマウントの製造方法 |
JP2015173287A (ja) * | 2015-05-25 | 2015-10-01 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP2016027620A (ja) * | 2014-06-27 | 2016-02-18 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP2016092016A (ja) * | 2014-10-29 | 2016-05-23 | 東芝ライテック株式会社 | 発光体 |
JP2016115703A (ja) * | 2014-12-11 | 2016-06-23 | シチズン電子株式会社 | 発光装置 |
US20160190380A1 (en) * | 2014-12-25 | 2016-06-30 | Stmicroelectronics Pte Ltd | Wafer level packaging for proximity sensor |
JP2017108092A (ja) * | 2015-11-30 | 2017-06-15 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
US20180033924A1 (en) * | 2016-07-26 | 2018-02-01 | Cree, Inc. | Light emitting diodes, components and related methods |
US20180233494A1 (en) * | 2017-02-13 | 2018-08-16 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Display apparatus and method of manufacturing the same |
JP2019102636A (ja) * | 2017-12-01 | 2019-06-24 | スタンレー電気株式会社 | 発光装置 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5169263B2 (ja) | 2008-02-01 | 2013-03-27 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法及び発光装置 |
US8049237B2 (en) | 2007-12-28 | 2011-11-01 | Nichia Corporation | Light emitting device |
JP6582754B2 (ja) | 2015-08-31 | 2019-10-02 | 日亜化学工業株式会社 | 複合基板、発光装置、及び発光装置の製造方法 |
JP6939133B2 (ja) | 2017-06-22 | 2021-09-22 | 豊田合成株式会社 | 発光装置 |
JP7125503B2 (ja) * | 2018-09-04 | 2022-08-24 | 廈門市三安光電科技有限公司 | 紫外発光ダイオードパッケージ構造及び製造方法 |
WO2021002158A1 (ja) * | 2019-07-04 | 2021-01-07 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法及び発光モジュールの製造方法、並びに、発光装置及び発光モジュール |
KR20210012516A (ko) * | 2019-07-25 | 2021-02-03 | 삼성전자주식회사 | Led 패키지를 구비한 디스플레이 모듈 및 그 제조 방법 |
-
2019
- 2019-09-18 JP JP2019169177A patent/JP7339518B2/ja active Active
-
2020
- 2020-09-15 US US17/020,838 patent/US11244935B2/en active Active
Patent Citations (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05327022A (ja) * | 1992-05-26 | 1993-12-10 | Furukawa Electric Co Ltd:The | サブマウントチップ実装部品の検査・製造方法 |
JP2007194383A (ja) * | 2006-01-19 | 2007-08-02 | Hitachi Lighting Ltd | 光学部材およびバックライト |
WO2011093454A1 (ja) * | 2010-01-29 | 2011-08-04 | シチズン電子株式会社 | 発光装置の製造方法及び発光装置 |
JP2012114286A (ja) * | 2010-11-25 | 2012-06-14 | Toshiba Corp | Ledパッケージ |
WO2012086517A1 (ja) * | 2010-12-20 | 2012-06-28 | ローム株式会社 | 発光素子ユニットおよび発光素子パッケージ |
JP2013175531A (ja) * | 2012-02-24 | 2013-09-05 | Stanley Electric Co Ltd | 発光装置 |
JP2013191787A (ja) * | 2012-03-15 | 2013-09-26 | Sony Corp | 半導体レーザアレイおよび半導体レーザ装置 |
JP2014225660A (ja) * | 2013-04-27 | 2014-12-04 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体レーザ装置及びその製造方法並びにサブマウントの製造方法 |
JP2016027620A (ja) * | 2014-06-27 | 2016-02-18 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP2016092016A (ja) * | 2014-10-29 | 2016-05-23 | 東芝ライテック株式会社 | 発光体 |
JP2016115703A (ja) * | 2014-12-11 | 2016-06-23 | シチズン電子株式会社 | 発光装置 |
US20160190380A1 (en) * | 2014-12-25 | 2016-06-30 | Stmicroelectronics Pte Ltd | Wafer level packaging for proximity sensor |
JP2015173287A (ja) * | 2015-05-25 | 2015-10-01 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP2017108092A (ja) * | 2015-11-30 | 2017-06-15 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
US20180033924A1 (en) * | 2016-07-26 | 2018-02-01 | Cree, Inc. | Light emitting diodes, components and related methods |
US20180233494A1 (en) * | 2017-02-13 | 2018-08-16 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Display apparatus and method of manufacturing the same |
JP2019102636A (ja) * | 2017-12-01 | 2019-06-24 | スタンレー電気株式会社 | 発光装置 |
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