WO2012063446A1 - 弾性波装置 - Google Patents

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WO2012063446A1
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wave resonator
terminal
frequency
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池内　哲
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パナソニック株式会社
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    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/64—Filters using surface acoustic waves

Definitions

  • the present invention relates to an elastic wave device mainly used in mobile communication devices and the like.
  • FIG. 10 is a circuit diagram of a conventional elastic wave device 100. As shown in FIG. 10
  • an elastic wave device 100 includes an unbalance-balance conversion low-pass filter 2 and an unbalance-balance conversion high-pass filter 3 provided on a piezoelectric substrate 1 made of a piezoelectric single crystal. And.
  • the low pass filter 2 has a passband with a relatively low center frequency.
  • the high-pass filter 3 has a passband with a relatively high center frequency.
  • the low-pass filter 2 and the high-pass filter 3 are each configured by connecting a longitudinally coupled elastic wave resonator 6 and a one-terminal pair acoustic wave resonator 7 in series between the unbalanced terminal 4 and the balanced terminal 5, respectively. ing.
  • Another electronic circuit is connected to the balanced terminal 5 connected to the low-pass filter 2 of the elastic wave device 100 and the balanced terminal 5 connected to the high-pass filter 3.
  • Elastic wave device 100 performs filtering of electrical signals in a plurality of different frequency bands.
  • patent document 1 is known, for example.
  • the low band side filter 2 and the high band side filter 3 are connected via the balanced terminal 5. Therefore, the low-pass filter 2 and the high-pass filter 3 on the balanced terminal 5 side are affected by each other's impedance and the isolation is degraded. In addition, the insertion loss is increased due to the impedance mismatch between the low band side filter 2 and the high band side filter 3, and the degree of balance is reduced. As a result, the electrical characteristics of the elastic wave device 100 are degraded.
  • An elastic wave device has a low band side filter having a low band side pass band, a high band side filter having a high band side pass band, and first and second balanced terminals.
  • the low pass filter is connected to the first unbalanced terminal.
  • the lower passband is a frequency band from the first minimum frequency to the first maximum frequency.
  • the high pass filter is connected to the second unbalanced terminal.
  • the high pass band is a frequency band from the second minimum frequency to the second maximum frequency.
  • the first and second balanced terminals are commonly connected to the low band and high band filters.
  • the low-pass filter has a first longitudinally coupled elastic wave resonator and a first one-port acoustic wave resonator connected in series to the first longitudinally coupled elastic wave resonator.
  • the antiresonance frequency of the first one-port acoustic wave resonator is set to be higher than the first maximum frequency and lower than the second minimum frequency.
  • This elastic wave device suppresses the mixing of the signal to the other filter and improves the impedance matching in the pass band.
  • FIG. 1A is a circuit diagram of an elastic wave device according to a first embodiment.
  • FIG. 1B is a circuit diagram of an elastic wave device of a comparative example.
  • FIG. 2A is a conceptual diagram of the pass characteristics of the one-terminal pair elastic wave resonator of the elastic wave devices of the example and the comparative example in the first embodiment.
  • FIG. 2B is a diagram comparing the values of the resonant frequency and the antiresonant frequency of the one-terminal pair elastic wave resonators of the elastic wave device in the first embodiment and the elastic wave device of the comparative example.
  • FIG. 3A is a standing wave ratio characteristic diagram of the elastic wave device in the first embodiment and the comparative example.
  • FIG. 3B is a standing wave ratio characteristic diagram of the elastic wave device in the first embodiment and the comparative example.
  • FIG. 4 is a standing wave ratio characteristic diagram of the elastic wave device in the first embodiment and the comparative example.
  • FIG. 5A is a transmission characteristic diagram of the elastic wave device in the first embodiment and the comparative example.
  • FIG. 5B is a transmission characteristic diagram of the elastic wave device in the first embodiment and the comparative example.
  • FIG. 6A is an amplitude balance characteristic diagram of the elastic wave device in the first embodiment and the comparative example.
  • FIG. 6B is an amplitude balance characteristic diagram of the elastic wave device in the first embodiment and the comparative example.
  • FIG. 7A is a phase balance characteristic diagram of the elastic wave device in the first embodiment and the comparative example.
  • FIG. 7B is a phase balance characteristic diagram of the elastic wave device in the first embodiment and the comparative example.
  • FIG. 8 is a circuit diagram of another elastic wave device according to the first embodiment.
  • FIG. 9 is a circuit diagram of an elastic wave device according to a second embodiment.
  • FIG. 10 is a circuit diagram of a conventional elastic wave device.
  • Embodiment 1 The elastic wave device 101 according to the first embodiment will be described with reference to the drawings.
  • FIG. 1A is a circuit diagram of an elastic wave device 101 according to the first embodiment.
  • the elastic wave device 101 includes a low-pass filter 12 disposed on the piezoelectric substrate 11 and having a low-pass band PB1 having a relatively low center frequency, and a high-pass filter having a relatively high center frequency. It has a high pass filter 13 having a side pass band PB2.
  • the elastic wave device 101 has a first unbalanced terminal 14, a second unbalanced terminal 15, a first balanced terminal 16, and a second balanced terminal 17.
  • the unbalanced terminal 14 is connected to the low pass filter 12.
  • the unbalanced terminal 15 is connected to the high pass filter 13.
  • the balanced terminals 16 and 17 are connected to both the low pass filter 12 and the high pass filter 13.
  • the low-pass filter 12 includes a first longitudinally coupled elastic wave resonator 18, a first terminal one-terminal pair elastic wave resonator 19 in the first stage, and a first terminal one-terminal pair elastic wave resonator in the first stage. And 20.
  • the longitudinally coupled elastic wave resonator 18 is connected to the unbalanced terminal 14.
  • the one-port elastic wave resonator 19 and the one-port elastic wave resonator 20 are connected in series between the longitudinally coupled elastic wave resonator 18 and the balance terminal 16.
  • the low-pass filter 12 further includes a second first-stage one-terminal-pair elastic wave resonator 21 and a second second-stage one-terminal-pair elastic wave resonator 22.
  • the one-port elastic wave resonator 21 and the one-port elastic wave resonator 22 are connected in series between the longitudinally coupled elastic wave resonator 18 and the balance terminal 17.
  • the high-pass filter 13 includes a second longitudinally coupled elastic wave resonator 23, a first terminal pair elastic wave resonator 24 of a third first stage, and a one terminal pair elastic wave resonator of a second stage. And 25.
  • the second longitudinally coupled elastic wave resonator 23 is connected to the second unbalanced terminal 15.
  • the first-stage one-terminal pair elastic wave resonator 24 and the second-stage one-terminal pair elastic wave resonator 25 are connected in series with each other at a connection point 40 between the longitudinally coupled elastic wave resonator 23 and the balanced terminal 16 It is done.
  • the high-pass filter 13 further includes a fourth first-stage one-terminal pair elastic wave resonator 26 and a fourth second-stage one-terminal pair elastic wave resonator 27.
  • the one-port elastic wave resonator 26 and the one-port elastic wave resonator 27 are connected in series with each other at a connection point 41 between the longitudinally coupled elastic wave resonator 23 and the balance terminal 17.
  • the capacitive element 28 is connected in series between the connection point 40 and the connection point 41.
  • the capacitive element 28 is formed of a conductive pattern provided on the piezoelectric substrate 11.
  • the low pass band PB1 which is the pass band of the low pass filter 12, is 1.805 GHz to 1.880 GHz.
  • the center frequency of the lower passband PB1 is 1.8425 GHz at the midpoint of the passband, its bandwidth is 0.075 GHz, and its relative bandwidth, calculated by dividing the bandwidth by the center frequency, is 4 .07%.
  • the high pass band PB2, which is the pass band of the high pass filter 13, is 1.930 GHz to 1.990 GHz.
  • the center frequency of high-pass band PB2 is 1.960 GHz at the midpoint of the pass band, its bandwidth is 0.060 GHz, and its relative bandwidth, calculated by dividing the bandwidth by the center frequency, is 3 .06%.
  • the antiresonance frequencies fAR19, fAR20, fAR21 and fAR22 of the one-terminal pair elastic wave resonators 19, 20, 21 and 22 are outside the high band of the low band pass band PB1 and the low band of the high band pass band PB2 It is set outside the side band. That is, the antiresonance frequencies fAR19, fAR20, fAR21, and fAR22 of the one-terminal pair elastic wave resonators 19, 20, 21, and 22 are higher than 1.880 GHz, which is the maximum frequency of the low pass band PB1, and on the high pass It is lower than 1.930 GHz which is the minimum frequency of pass band PB2.
  • the low band side filter 2 and the high band side filter 3 are connected via the balance terminal 5. Therefore, the low pass filter 2 and the high pass filter 3 on the balanced terminal 5 side are mutually influenced by the impedance. As a result, the signal of the other filter is mixed to degrade the isolation. In addition, the insertion loss is increased due to the impedance mismatch between the low band side filter 2 and the high band side filter 3, and the degree of balance is reduced. As a result, the electrical characteristics of the elastic wave device 100 are degraded.
  • FIG. 1B is a circuit diagram of an elastic wave device 111 which is a comparative example.
  • the same components as those of the elastic wave device 101 in the first embodiment shown in FIG. 1A are given the same reference numerals.
  • the elastic wave device 111 has a low band side filter 112 and a high band side filter 113 instead of the low band side filter 12 of the elastic wave device 101 and the high band side filter 13.
  • the low-pass filter 112 includes a first first-stage one-terminal pair elastic wave resonator 19 of the elastic wave device 101, a first second-stage one-terminal pair elastic wave resonator 20, and a second one-stage.
  • a first terminal first terminal pair acoustic wave resonator 119 instead of the first terminal pair acoustic wave resonator 21 of the eye and the second terminal one terminal pair acoustic wave resonator 22 of the second stage, a first terminal first terminal pair acoustic wave resonator 119, a first stage The second stage one-terminal-pair acoustic wave resonator 120, the second first-stage one-terminal pair acoustic-wave resonator 121, and the second second-stage one-terminal pair acoustic wave resonator 122 .
  • the high-pass filter 113 includes a first third first-stage one-terminal pair elastic wave resonator 24 of the elastic wave device 101, a third second-stage one-terminal pair elastic wave resonator 25, and Instead of the first stage one-terminal-pair acoustic wave resonator 26 in the fourth stage and the fourth stage one-terminal-pair acoustic wave resonator 27 in the fourth stage, the third stage one-terminal pair acoustic wave resonator 124, third-stage one-terminal-pair acoustic wave resonator 125 in the second stage, fourth-stage one-terminal-pair acoustic wave resonator 126 in the first stage, and fourth-stage one-terminal pair acoustic wave resonance in the second stage And the container 127.
  • the low pass filter 112 and the high pass filter 113 are connected to the common balanced terminals 16 and 17.
  • the antiresonance frequencies fAR119, fAR120, fAR121, fAR122 of the one-terminal pair elastic wave resonators 119, 120, 121, 122 connected in series in the low-pass filter 112 are set in the high-pass band PB2 There is.
  • the impedance of the low pass filter 112 viewed from the common balanced terminals 16 and 17 is increased.
  • the energy loss flowing from the high-pass filter 113 to the low-pass filter 112 can be minimized.
  • FIG. 2A is a conceptual view of the pass characteristics of the one-terminal-pair elastic wave resonator of the elastic wave device 101 of the embodiment and the elastic wave device 111 of the comparative example.
  • the solid line indicates the pass characteristic P19 of the one-terminal pair elastic wave resonator 19, the pass characteristic P20 of the one-terminal pair elastic wave resonator 20, the pass characteristic P21 of the one-terminal pair elastic wave resonator 21, the one terminal pair elastic wave A pass characteristic P22 of the resonator 22, a pass characteristic P24 of the one terminal pair elastic wave resonator 24, a pass characteristic P25 of the one terminal pair elastic wave resonator 25, a pass characteristic P26 of the one terminal pair elastic wave resonator 26, a one terminal pair
  • the pass characteristic P27 of the elastic wave resonator 27 is shown.
  • Resonant frequencies fR19 to fR22 of the one-terminal pair elastic wave resonators 19 to 22 are provided in the low pass band PB1.
  • the antiresonance frequencies fAR19 to fAR22 of the one-terminal pair elastic wave resonators 19 to 22 are provided between the maximum frequency of the low pass band PB1 and the minimum frequency of the high pass band PB2.
  • the broken line indicates the passing characteristic P119 of the one-terminal pair elastic wave resonator 119 of the elastic wave device 111 which is the comparative example shown in FIG.
  • the passing characteristic P120 of the one-terminal pair elastic wave resonator 120, the one-terminal pair A pass characteristic P121 of the elastic wave resonator 121 and a pass characteristic P122 of the one-terminal pair elastic wave resonator 122 are shown.
  • the resonance frequencies fR119 to fR122 of the one-terminal-pair elastic wave resonators 119 to 122 are provided in the low pass band PB1.
  • the antiresonance frequencies fAR119 to fAR122 of the one-terminal pair elastic wave resonators 119 to 122 are provided in the high-pass band PB2.
  • the high pass filter 113 operates as capacitive in the low pass band PB1.
  • the antiresonance frequencies fAR119 to fAR122 are in the high pass band PB2
  • the impedance of the serially connected one-terminal pair elastic wave resonators 119 to 122 in the filter 112 is growing. Therefore, the low pass filter 112 does not operate as capacitive in the entire band of the high pass band PB2.
  • the antiresonance frequencies fAR19 to fAR22 of the one terminal pair elastic wave resonators 19 to 22 of the low band side filter 12 are the maximum frequency and high band side pass of the low band side passband PB1. It is set to the minimum frequency of the band PB2. Therefore, the impedance of the high pass band PB2 in the low pass filter 12 is capacitive. The impedance of the low pass band PB1 in the high pass filter 13 is also capacitive.
  • the high-pass band PB2 The low-pass filter 12 operates as capacitive.
  • the difference between the impedance in the low pass band PB1 and the impedance in the high pass band PB2 when viewed from the common connection terminals 16 and 17 can be reduced. Therefore, the energy loss flowing out from the high-pass filter 13 to the low-pass filter 12 can be suppressed, and the impedance matching can be improved.
  • the antiresonance frequencies fAR19 to fAR22 of the one-terminal acoustic wave resonators 19 to 22 are set near the high band side of the low band pass band PB1, the steepness of the low band filter 12 can be improved. it can.
  • the capacitive property of the low-pass filter 12 and the high-pass filter 13 can be canceled by the inductor 101A provided as an external circuit between the balanced terminal 16 and the balanced terminal 17.
  • the resonance frequencies fR24 to fR27 of the one-terminal pair elastic wave resonators 24 to 27 of the elastic wave device 101 are provided in the high pass band PB2.
  • Anti-resonance frequencies fAR24 to fAR27 of one-terminal pair elastic wave resonators 24 to 27 are set to values outside the high band of high band side pass band PB2, that is, higher than the maximum frequency of high band side pass band PB2 .
  • the resonance frequencies fR124 to fR127 of the one-terminal-pair elastic wave resonators 124 to 127 of the comparative example are also provided in the high pass band PB2, and the antiresonance frequencies fAR124 to fAR127 are high bands. It is set to a value higher than the high frequency side out of the high band side band of the side pass band PB2, that is, the maximum frequency of the high band side pass band PB2.
  • FIG. 2B shows respective values of resonance frequencies fR19 to fR22, fR24 to fR27, fR119 to fR122, fR124 to fR127 and antiresonance frequencies fAR19 to fAR22, fAR24 to fAR27, fAR119 to fAR122, and fAR124 to fAR127 in the first embodiment.
  • resonance frequencies fR19 to fR22, fR24 to fR27, fR119 to fR122, fR124 to fR127 in the first embodiment.
  • FIGS. 3A to 7 are characteristic diagrams showing various characteristics of the elastic wave device 101 according to the embodiment and various characteristics of the elastic wave device 111 in the comparative example by simulation.
  • solid lines show characteristics obtained as a result of simulation of the elastic wave device 101 using the one-terminal pair elastic wave resonators 19 to 22 and 24 to 27 in FIG. 2B.
  • the broken line indicates the characteristics obtained as a result of simulation of the elastic wave device 111 using the one-terminal pair elastic wave resonators 119 to 122 and 124 to 127 of the comparative example in FIG. 2B.
  • the frequency range of the marker A to the marker B is the low pass band PB1.
  • the marker A represents the minimum frequency of the low pass band PB1
  • the marker B represents the maximum frequency of the low pass band PB1.
  • the frequency range of the marker C to the marker D is the high pass band PB2. That is, the marker C indicates the minimum frequency of the high pass band PB2, and the marker D indicates the maximum frequency of the high pass band PB2.
  • FIG. 3A is a characteristic diagram of the standing wave ratio of the elastic wave device 101 and the standing wave ratio of the elastic wave device 111, as viewed from the unbalanced terminal 14 (low band side unbalanced terminal). From FIG. 3A, in the embodiment, the standing wave ratio of the elastic wave device 101 viewed from the unbalanced terminal 14 is closer to 1 than the standing wave ratio of the elastic wave device 111. From this, it can be seen that the impedance matching of the low-pass filter 12 of the elastic wave device 101 is greatly improved in the low-pass band PB1.
  • FIG. 3B is a characteristic diagram of the standing wave ratio of the elastic wave device 101 and the standing wave ratio of the elastic wave device 111 as viewed from the unbalanced terminal 15 (high-range side unbalanced terminal). From FIG. 3B, the standing wave ratio of the elastic wave device 101 viewed from the unbalanced terminal 15 has almost no difference compared with the standing wave ratio of the elastic wave device 111. From this, it can be seen that the matching of the impedance of the elastic wave device 101 in the high pass band PB2 is not deteriorated.
  • FIG. 4 is a characteristic diagram of the standing wave ratio of the elastic wave device 101 and the standing wave ratio of the elastic wave device 111 as seen from the balanced terminal 16 and the balanced terminal 17.
  • the standing wave ratio of the elastic wave device 101 viewed from the balance terminal 16 and the balance terminal 17 is closer to 1 compared with the standing wave ratio of the elastic wave device 111 and greatly improved. ing. From this, it can be seen that the impedance matching of the elastic wave device 101 is greatly improved.
  • FIG. 5A is a transmission characteristic diagram of the low pass filter 12 and the low pass filter 112 including the low pass filter PB1 and the high pass filter PB2.
  • the comparative example has a large insertion loss in the low pass band PB1 compared to the example.
  • the insertion loss can be reduced particularly in the high band half of the low band pass band PB1, and the electrical characteristics of the elastic wave device are greatly improved. This is because the reflection loss of the electrical signal energy can be reduced by improving the impedance matching of the elastic wave device 101 in this region.
  • the embodiment attenuates more sharply than the comparative example, and the insertion loss thereof sharply increases. This is because the antiresonance frequencies fAR19 to fAR22 are closer to the lower pass band PB1 than the antiresonance frequencies fAR119 to fAR122 of the comparative example.
  • FIG. 5B is a transmission characteristic diagram of the high-pass filter 13 of the embodiment and the high-pass filter 113 of the comparative example including the low pass filter PB1 and the high pass filter PB2.
  • the insertion loss of the high-pass filter 13 and the insertion loss of the high-pass filter 113 do not have a large difference. However, in the vicinity of the minimum frequency of the high pass band PB2, the insertion loss of the elastic wave device 101 is further reduced.
  • FIG. 6A is an amplitude balance characteristic diagram of the low band side filter 12 of the embodiment and the low band side filter 112 of the comparative example in the low band side pass band PB1.
  • the amplitude balance between the balanced terminals 16 and 17 of the low band filter 12 is greatly improved in the high band half. There is. This is due to the improved impedance matching in this region.
  • FIG. 6B is an amplitude balance characteristic diagram of the high band side filter 13 of the embodiment and the high band side filter 113 of the comparative example in the high band side pass band PB2. As shown in FIG. 6B, the amplitude balance between the balanced terminals 16 and 17 of the high-pass filter 13 in the high-pass band PB2 is almost the same as that of the high-pass filter 113.
  • FIG. 7A is a phase balance characteristic diagram of the low band side filter 12 of the embodiment and the low band side filter 112 of the comparative example in the low band side pass band PB1. As shown in FIG. 7A, compared with the comparative example, in the high-pass half of the low pass band PB1, the phase balance is largely improved in the embodiment. This is due to the improved impedance matching in this region.
  • FIG. 7B is a phase balance characteristic diagram of the high band side filter 13 of the embodiment and the high band side filter 113 of the comparative example in the high band side pass band PB2. As shown in FIG. 7B, in the high pass band PB2, the phase balance between the balanced terminals 16 and 17 of the high pass filter 13 is almost the same as that of the high pass filter 113.
  • the antiresonance frequencies fAR19 to fAR22 of the one-terminal pair elastic wave resonators 19 to 22 are outside the high band and high band of the low band pass band PB1. It is provided outside the lower band of the pass band PB2.
  • the impedance matching of the low pass filter 12 is improved in the low pass band PB1, and in particular, the insertion loss of the low pass band PB1 is greatly reduced.
  • the degree of balance between the phase and the amplitude of the low pass band PB1 can be greatly improved.
  • all the antiresonance frequencies fAR19 to fAR22 of the one-terminal acoustic wave resonators 19 to 22 are outside the high band and low band of the low band pass band PB1. Although provided outside the band side, it is not limited to this. For example, at least one of the antiresonance frequencies fAR19 to fAR22 of the one-terminal pair elastic wave resonators 19 to 22 is outside the high band of the low band pass band PB1 and outside the low band of the high band pass band PB2. Even when provided, it has the above-mentioned effect.
  • resonance frequencies fR24 to fR27 of one-terminal-pair elastic wave resonators 24 to 27 are provided in high band side pass band PB2, and antiresonance frequencies fAR24 to fAR27 are high band in high band side pass band PB2. It is provided outside the side band.
  • at least one of the resonance frequencies fR24 to fR27 of the one-terminal pair elastic wave resonators 24 to 27 is provided in the high pass band PB2, and at least one of the antiresonance frequencies fAR24 to fAR27 is in the high pass band PB2. It may be provided outside the high band. Also by this, the input signal to the high-pass filter 13 can be attenuated more.
  • the insertion in the high band portion of the low pass band PB1 is achieved by making the antiresonance frequency fAR20 of the one-terminal acoustic wave resonator 20 different from the antiresonance frequency fAR19 of the one-terminal acoustic wave resonator 19 different. Loss can be reduced.
  • the antiresonance frequency fAR19 is made higher than the maximum frequency of the low pass band PB1 and is made lower than the antiresonance frequency fAR20. This can improve the steepness of the attenuation of the input signal in the high band portion of the low band filter 12. This is due to the following reason.
  • the one-terminal elastic wave resonator 19 is inductive between the resonant frequency fR19 and the antiresonant frequency fAR19, whereas the longitudinally coupled elastic wave resonator 18 has a high-pass portion of the low pass band PB1. Become capacitive at. Since the one-terminal elastic wave resonator 19 and the longitudinally coupled elastic wave resonator 18 are directly connected, both have conjugate impedances. This makes it possible to match the impedance and to reduce the insertion loss in the high band portion of the low band pass band PB1. Further, the attenuation at the position of the antiresonance frequency fAR 19 of the one-terminal elastic wave resonator 19 can be secured.
  • the antiresonance frequency fAR20 higher than the antiresonance frequency fAR19, the amount of attenuation in a region higher than the antiresonance frequency fAR19 of the one-terminal pair elastic wave resonator 19 is secured.
  • the antiresonance frequency fAR20 of the one-terminal pair elastic wave resonator 20 is made lower than the minimum frequency of the high pass band PB2.
  • the antiresonance frequency fAR22 of the one terminal pair elastic wave resonator 22 and the antiresonance frequency fAR21 of the one terminal pair elastic wave resonator 21 are set to different values, in the high band portion of the low band side passband PB1. Insertion loss can be reduced.
  • the antiresonance frequency fAR21 is set higher than the maximum frequency of the low pass band PB1 and set lower than the antiresonance frequency fAR22. This can improve the steepness of the attenuation of the input signal in the high band portion of the low band filter 12. Then, the antiresonance frequency fAR22 is made higher than the antiresonance frequency fAR21.
  • the antiresonance frequency fAR22 of the one-terminal pair elastic wave resonator 22 is made lower than the minimum frequency of the high pass band PB2.
  • the impedance in the low pass band PB1 and the impedance in the high pass band PB2 when viewed from the balanced terminal 17 which is a common connection terminal. Therefore, the impedance can be matched, and the insertion loss in the low pass band PB1 and the high pass band PB2 can be reduced.
  • the antiresonance frequency fAR 25 of the one terminal pair elastic wave resonator 25 of the high-pass filter 13 and the antiresonance frequency fAR 24 of the one terminal pair elastic wave resonator 24 are set to different values. This can suppress the deterioration of the balance degree. Further, by setting the antiresonance frequency fAR 25 higher than the antiresonance frequency fAR 24, the steepness of the attenuation of the input signal in the pass characteristic can be improved.
  • the filter characteristic in the high region of the high region side filter 13 is improved. It can be done.
  • the antiresonance frequency fAR26 is made higher than the maximum frequency of the high pass band PB2 and is made lower than the antiresonance frequency fAR27. Thereby, the steepness of the attenuation of the input signal in the high band portion of the high band filter 13 can be improved.
  • the antiresonance frequency fAR27 is made higher than the antiresonance frequency fAR26. By this, it is possible to secure an attenuation amount in a region higher than the antiresonance frequency fAR 26 of the one-terminal pair elastic wave resonator 26.
  • the elastic wave device 101 includes the low band side filter 12 having the low band side pass band PB1, the high band side filter 13 having the high band side pass band PB2, and the balanced terminal 16 And the balance terminal 17.
  • the low pass filter 12 is connected to the unbalanced terminal 15.
  • the low pass band PB1 is a frequency band from the first minimum frequency to the first maximum frequency.
  • the high pass filter 13 is connected to the unbalanced terminal 15.
  • the high pass band PB2 is a frequency band from a second minimum frequency higher than the first maximum frequency to a second maximum frequency.
  • the balanced terminals 16 and 17 are commonly connected to the low pass filter 12 and the high pass filter 13.
  • the low-pass filter 12 has a longitudinally coupled elastic wave resonator 18 and a one-terminal pair acoustic wave resonator 19 connected in series to the longitudinally coupled elastic wave resonator 18.
  • the antiresonance frequency of the one-port acoustic wave resonator 19 is set to be higher than the first maximum frequency and lower than the second minimum frequency.
  • the longitudinally coupled elastic wave resonator 18 is connected to the unbalanced terminal 14.
  • the one-terminal pair elastic wave resonator 19 is connected in series between the longitudinally coupled elastic wave resonator 18 and the balance terminal 16.
  • the low-pass filter 12 further includes a one-terminal acoustic wave resonator 21 connected in series between the longitudinally coupled elastic wave resonator 18 and the balanced terminal 16.
  • the high-pass filter 13 includes a longitudinally coupled elastic wave resonator 23, a one-terminal pair elastic wave resonator 24, and a one-terminal pair elastic wave resonator 26.
  • the longitudinally coupled elastic wave resonator 23 is connected to the unbalanced terminal 15.
  • the one-terminal elastic wave resonator 24 is connected in series between the longitudinally coupled elastic wave resonator 23 and the balance terminal 16.
  • the one-terminal elastic wave resonator 26 is connected in series between the longitudinally coupled elastic wave resonator 23 and the balance terminal 17.
  • the capacitive element 28 in the high-pass filter or the low-pass filter, the relative bandwidth of the high-pass filter or the low-pass filter can be adjusted.
  • elastic wave device 101 in high-pass filter 13, a wire connecting one terminal pair elastic wave resonator 24 and one terminal pair elastic wave resonator 25 and one terminal pair elastic wave resonance.
  • a capacitive element 28 is connected between the wire connecting the sensor 26 and the one-terminal-pair elastic wave resonator 27. That is, capacitive element 28 is connected in series with connection points 40 and 41 between connection point 40 and connection point 41 shown in FIG. 1A.
  • the capacitive element 28 in the high-pass filter 13 By providing the capacitive element 28 in the high-pass filter 13, the relative bandwidths of the low-pass filter 12 and the high-pass filter 13 formed on the same piezoelectric substrate 11 can be made different. Therefore, it is possible to adjust in the direction to narrow the bandwidth of the high-pass filter 13.
  • FIG. 8 is a circuit diagram of another elastic wave device 102 according to the first embodiment.
  • the elastic wave device 102 includes a low band side filter 212 and a high band side filter 213 instead of the low band side filter 12 of the elastic wave device 101 and the high band side filter 13.
  • the elastic wave device 102 has a capacitive element 128 instead of the capacitive element 28 of the elastic wave device 101.
  • the capacitive element 128 is formed of a conductive pattern provided on the piezoelectric substrate 11.
  • the one-terminal pair elastic wave resonator 19 and the one-terminal pair elastic wave resonator 20 are connected at a connection point 140.
  • One terminal pair elastic wave resonator 21 and one terminal pair elastic wave resonator 22 are connected at connection point 141.
  • the capacitive element 128 is connected in series with the connection points 140 and 141 between the connection point 140 and the connection point 141.
  • the relative bandwidth of the low pass band PB1 can be made narrower than the relative bandwidth of the high pass band PB2.
  • FIG. 9 is a circuit diagram of elastic wave device 103 according to the second embodiment.
  • the same components as those of the elastic wave device 101 according to the first embodiment shown in FIG. 1A are denoted by the same reference numerals as those of the elastic wave device 103 according to the second embodiment.
  • the elastic wave device 103 according to the second embodiment includes the low-pass filter 312 and the high-pass filter 313 instead of the low-pass filter 12 and the high-pass filter 13 of the elastic wave device 101 according to the first embodiment.
  • the elastic wave device 103 according to the second embodiment includes the longitudinally coupled elastic wave resonators 18 and 23 and the balanced terminal 16 in the lower band filter 12 and the higher band filter 13 of the elastic wave device 101 according to the first embodiment.
  • the one low-pass filter 312 and the high-pass filter 313 respectively have one one-pair acoustic wave resonators instead. It differs in the point being
  • a first one-pair acoustic wave resonator 19 is provided between the longitudinally coupled elastic wave resonator 18 and the balanced terminal 16, and a first one-pair acoustic wave resonator 19 is disposed between the longitudinally coupled elastic wave resonator 18 and the balanced terminal 17.
  • Two one-terminal pair elastic wave resonators 21 are provided.
  • a third one-port elastic wave resonator 24 is provided between the longitudinally coupled elastic wave resonator 23 and the balanced terminal 16, and a third one-pair acoustic wave resonator 24 is disposed between the longitudinally coupled elastic wave resonator 23 and the balanced terminal 17.
  • a four-terminal one-pair elastic wave resonator 26 is provided.
  • the antiresonance frequency of at least one of the one-terminal acoustic wave resonators 19 and 21 is set outside the high band of the low band pass band PB1 and outside the low band of the high band pass PB2. That is, the antiresonance frequency of at least one of the one-terminal acoustic wave resonators 19 and 21 is set to a value higher than the maximum frequency of the low pass band PB1 and lower than the minimum frequency of the high pass band PB2. This suppresses the mixing of signals from one filter to the other, and improves the impedance matching in the passband. As a result, the insertion loss can be reduced and the balance can be improved.
  • the elastic wave device can suppress the mixing of the signal to the other filter, improve the impedance matching in the pass band, and obtain excellent electrical characteristics, mainly in the mobile communication device. It is useful in an elastic wave device provided with an elastic wave filter and having a common balanced terminal.
  • One-Terminal Pair Elastic Wave Resonator (First One-Terminal Pair Elastic Wave Resonator) 20 One-Terminal Pair Elastic Wave Resonator (Fifth One-Terminal Pair Elastic Wave Resonator) 21 One-Terminal Pair Elastic Wave Resonator (Second One-Terminal Pair Elastic Wave Resonator) 22 One-port pair elastic wave resonator (fifth one-port pair elastic wave resonator, sixth one-port pair elastic wave resonator) 23 Longitudinally Coupled Elastic Wave Resonator (Second Longitudinal Coupled Elastic Wave Resonator) 24 One-

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Abstract

　弾性波装置は、低域側通過帯域を有する低域側フィルタと、高域側通過帯域を有する高域側フィルタと、第１と第２の平衡端子とを有する。低域側フィルタは第１の不平衡端子に接続されている。低域側通過帯域は第１の最小周波数から第１の最大周波数までの周波数帯である。高域側フィルタは第２の不平衡端子に接続されている。高域側通過帯域は第２の最小周波数から第２の最大周波数までの周波数帯である。低域側フィルタは、第１の縦結合型弾性波共振器と、第１の縦結合型弾性波共振器に直列に接続された第１の一端子対弾性波共振器とを有する。第１の一端子対弾性波共振器の反共振周波数は、第１の最大周波数より高くかつ第２の最小周波数より低く設定されている。

Description

弾性波装置
　本発明は、主として移動体通信機器等において使用される弾性波装置に関する。
　近年、携帯電話機などにおいて、通過帯域の異なる複数の高周波フィルタを備えた弾性波装置が多用されている。
　図１０は、従来の弾性波装置１００の回路図である。
　図１０において、弾性波装置１００は、圧電体単結晶からなる圧電基板１の上に設けられた不平衡－平衡変換型の低域側フィルタ２と不平衡－平衡変換型の高域側フィルタ３とを有する。低域側フィルタ２は、中心周波数が相対的に低い通過帯域を有する。高域側フィルタ３は中心周波数が相対的に高い通過帯域を有する。低域側フィルタ２と高域側フィルタ３では、それぞれ不平衡端子４と平衡端子５の間に縦結合型弾性波共振器６と一端子対弾性波共振器７が直列に接続されて構成されている。弾性波装置１００の低域側フィルタ２に接続された平衡端子５と、高域側フィルタ３に接続された平衡端子５には別の電子回路が接続されている。弾性波装置１００は異なる複数の周波数帯域の電気信号のフィルタリングを行う。
　なお、従来の弾性波装置１００に関する先行技術文献情報としては、例えば特許文献１が知られている。
　このような従来の弾性波装置１００を用いる通信装置において、平衡端子５に接続される電子回路を共通化して、小型化や低コスト化する傾向がある。例えば、低域側フィルタ２に接続された平衡端子５と高域側フィルタ３に接続された平衡端子５を共通化することが要請されている。
　従来の弾性波装置１００において平衡端子５を共通化した場合、低域側フィルタ２と高域側フィルタ３が平衡端子５を経由して接続される。そのため、平衡端子５側の低域側フィルタ２、高域側フィルタ３はそれぞれインピーダンスの影響を相互に受けてアイソレーションが劣化する。また、低域側フィルタ２、高域側フィルタ３のインピ－ダンスの不整合によって挿入損失が増加し、バランス度が低下する。その結果、弾性波装置１００の電気特性が劣化する。
国際公開第２００８／０９６５１４号
　本発明に係る弾性波装置は、低域側通過帯域を有する低域側フィルタと、高域側通過帯域を有する高域側フィルタと、第１と第２の平衡端子とを有する。低域側フィルタは第１の不平衡端子に接続されている。低域側通過帯域は第１の最小周波数から第１の最大周波数までの周波数帯である。高域側フィルタは第２の不平衡端子に接続されている。高域側通過帯域は第２の最小周波数から第２の最大周波数までの周波数帯である。第１と第２の平衡端子は低域側および高域側フィルタに共通に接続されている。低域側フィルタは、第１の縦結合型弾性波共振器と、第１の縦結合型弾性波共振器に直列に接続された第１の一端子対弾性波共振器とを有する。第１の一端子対弾性波共振器の反共振周波数は、第１の最大周波数より高くかつ第２の最小周波数より低く設定されている。
　この弾性波装置は、他方のフィルタへの信号の混入を抑え、通過帯域におけるインピーダンスのマッチングを向上させる。
図１Ａは実施の形態１における弾性波装置の回路図である。 図１Ｂは比較例の弾性波装置の回路図である。 図２Ａは実施の形態１における実施例と比較例のそれぞれの弾性波装置の一端子対弾性波共振器の通過特性の概念図である。 図２Ｂは実施の形態１における弾性波装置と比較例の弾性波装置のそれぞれの一端子対弾性波共振器の共振周波数、反共振周波数の値を比較した図である。 図３Ａは実施の形態１と比較例における弾性波装置の定在波比特性図である。 図３Ｂは実施の形態１と比較例における弾性波装置の定在波比特性図である。 図４は実施の形態１と比較例における弾性波装置の定在波比特性図である。 図５Ａは実施の形態１と比較例における弾性波装置の通過特性図である。 図５Ｂは実施の形態１と比較例における弾性波装置の通過特性図である。 図６Ａは実施の形態１と比較例における弾性波装置の振幅バランス特性図である。 図６Ｂは実施の形態１と比較例における弾性波装置の振幅バランス特性図である。 図７Ａは実施の形態１と比較例における弾性波装置の位相バランス特性図である。 図７Ｂは実施の形態１と比較例における弾性波装置の位相バランス特性図である。 図８は実施の形態１における他の弾性波装置の回路図である。 図９は実施の形態２における弾性波装置の回路図である。 図１０は従来の弾性波装置の回路図である。
　（実施の形態１）
　実施の形態１における弾性波装置１０１について、図面を参照しながら説明する。
　図１Ａは実施の形態１における弾性波装置１０１の回路図である。図１Ａにおいて、弾性波装置１０１は、圧電基板１１の上に配置された中心周波数が相対的に低い低域側通過帯域ＰＢ１を有する低域側フィルタ１２と、中心周波数が相対的に高い高域側通過帯域ＰＢ２を有する高域側フィルタ１３を有する。弾性波装置１０１は、第１の不平衡端子１４と、第２の不平衡端子１５と、第１の平衡端子１６と、第２の平衡端子１７を有する。不平衡端子１４は低域側フィルタ１２に接続されている。不平衡端子１５は高域側フィルタ１３に接続されている。平衡端子１６、１７は低域側フィルタ１２と高域側フィルタ１３の両方に接続されている。
　低域側フィルタ１２は第１の縦結合型弾性波共振器１８と、第１の１段目の一端子対弾性波共振器１９と、第１の２段目の一端子対弾性波共振器２０とを有する。縦結合型弾性波共振器１８は不平衡端子１４に接続されている。一端子対弾性波共振器１９と一端子対弾性波共振器２０は、縦結合型弾性波共振器１８と平衡端子１６との間に互いに直列に接続されている。低域側フィルタ１２はさらに第２の１段目の一端子対弾性波共振器２１と、第２の２段目の一端子対弾性波共振器２２とを有する。一端子対弾性波共振器２１と一端子対弾性波共振器２２は縦結合型弾性波共振器１８と平衡端子１７との間に互いに直列に接続されている。
　高域側フィルタ１３は第２の縦結合型弾性波共振器２３と、第３の１段目の一端子対弾性波共振器２４と、第３の２段目の一端子対弾性波共振器２５とを有する。第２の縦結合型弾性波共振器２３は第２の不平衡端子１５に接続されている。１段目の一端子対弾性波共振器２４と２段目の一端子対弾性波共振器２５は縦結合型弾性波共振器２３と平衡端子１６との間に接続点４０で互いに直列に接続されている。高域側フィルタ１３はさらに第４の１段目の一端子対弾性波共振器２６と、第４の２段目の一端子対弾性波共振器２７とを有する。一端子対弾性波共振器２６と一端子対弾性波共振器２７は、縦結合型弾性波共振器２３と平衡端子１７との間に接続点４１で互いに直列に接続されている。接続点４０と接続点４１の間に容量素子２８が直列に接続されている。容量素子２８は圧電基板１１上に設けられた導電パターンにより形成されている。弾性波装置１０１が電子機器の内部において接続して使用される際に、第１の平衡端子１６と第２の平衡端子１７の間にインダクタ１０１Ａが外部回路として接続されるように構成されて使用される。
　実施の形態１において、低域側フィルタ１２の通過帯域である低域側通過帯域ＰＢ１は１．８０５ＧＨｚ～１．８８０ＧＨｚである。低域側通過帯域ＰＢ１の中心周波数はその通過帯域の中点の１．８４２５ＧＨｚであり、その帯域幅は０．０７５ＧＨｚであり、帯域幅を中心周波数で割って計算されるその比帯域幅は４．０７％である。高域側フィルタ１３の通過帯域である高域側通過帯域ＰＢ２は１．９３０ＧＨｚ～１．９９０ＧＨｚである。高域側通過帯域ＰＢ２の中心周波数はその通過帯域の中点の１．９６０ＧＨｚであり、その帯域幅は０．０６０ＧＨｚであり、帯域幅を中心周波数で割って計算されるその比帯域幅は３．０６％である。
　一端子対弾性波共振器１９、２０、２１、２２の反共振周波数ｆＡＲ１９、ｆＡＲ２０、ｆＡＲ２１、ｆＡＲ２２は低域側通過帯域ＰＢ１の高域側帯域外で、かつ高域側通過帯域ＰＢ２の低域側帯域外に設定されている。すなわち一端子対弾性波共振器１９、２０、２１、２２の反共振周波数ｆＡＲ１９、ｆＡＲ２０、ｆＡＲ２１、ｆＡＲ２２は、低域側通過帯域ＰＢ１の最大周波数である１．８８０ＧＨｚよりも高く、かつ高域側通過帯域ＰＢ２の最小周波数である１．９３０ＧＨｚよりも低い。
　図１０に示す従来の弾性波装置１００において平衡端子５を共通化した場合、低域側フィルタ２と高域側フィルタ３が平衡端子５を経由して接続される。そのため、平衡端子５側の低域側フィルタ２、高域側フィルタ３はそれぞれインピーダンスの影響を相互に受ける。これによって、他方のフィルタの信号が混入してアイソレーションが劣化する。また、低域側フィルタ２、高域側フィルタ３のインピ－ダンスの不整合によって挿入損失が増加し、バランス度が低下する。その結果、弾性波装置１００の電気特性が劣化する。
　実施の形態１の実施例である弾性波装置１０１と比較例である弾性波装置１１１の通過特性について説明する。
　図１Ｂは比較例である弾性波装置１１１の回路図である。図１Ｂに示す弾性波装置１１１において、図１Ａに示す実施の形態１における弾性波装置１０１と共通する構成部品については同一番号を付す。
　弾性波装置１１１は、弾性波装置１０１の低域側フィルタ１２と、高域側フィルタ１３の代わりに、低域側フィルタ１１２と、高域側フィルタ１１３とを有する。低域側フィルタ１１２は、弾性波装置１０１の第１の１段目の一端子対弾性波共振器１９と、第１の２段目の一端子対弾性波共振器２０と第２の１段目の一端子対弾性波共振器２１と、第２の２段目の一端子対弾性波共振器２２の代わりに、第１の１段目の一端子対弾性波共振器１１９と、第１の２段目の一端子対弾性波共振器１２０と、第２の１段目の一端子対弾性波共振器１２１と、第２の２段目の一端子対弾性波共振器１２２とを有する。高域側フィルタ１１３は、弾性波装置１０１の第１の第３の１段目の一端子対弾性波共振器２４と、第３の２段目の一端子対弾性波共振器２５と、第４の１段目の一端子対弾性波共振器２６と、第４の２段目の一端子対弾性波共振器２７との代わりに、第３の１段目の一端子対弾性波共振器１２４と、第３の２段目の一端子対弾性波共振器１２５と、第４の１段目の一端子対弾性波共振器１２６と、第４の２段目の一端子対弾性波共振器１２７とを有する。
　比較例である弾性波装置１１１において、低域側フィルタ１１２と高域側フィルタ１１３とは共通の平衡端子１６、１７に接続されている。低域側フィルタ１１２内でそれぞれ直列に接続された一端子対弾性波共振器１１９、１２０、１２１、１２２の反共振周波数ｆＡＲ１１９、ｆＡＲ１２０、ｆＡＲ１２１、ｆＡＲ１２２は高域側通過帯域ＰＢ２内に設定されている。これによって高域側通過帯域ＰＢ２において、共通の平衡端子１６、１７から見た低域側フィルタ１１２のインピーダンスが大きくなる。その結果、高域側フィルタ１１３から低域側フィルタ１１２に流出するエネルギー損失を最小化することができる。
　図２Ａは、実施例である弾性波装置１０１と比較例である弾性波装置１１１のそれぞれの一端子対弾性波共振器の通過特性の概念図である。図２Ａにおいて、実線は一端子対弾性波共振器１９の通過特性Ｐ１９、一端子対弾性波共振器２０の通過特性Ｐ２０、一端子対弾性波共振器２１の通過特性Ｐ２１、一端子対弾性波共振器２２の通過特性Ｐ２２、一端子対弾性波共振器２４の通過特性Ｐ２４、一端子対弾性波共振器２５の通過特性Ｐ２５、一端子対弾性波共振器２６の通過特性Ｐ２６、一端子対弾性波共振器２７の通過特性Ｐ２７を示している。一端子対弾性波共振器１９～２２の共振周波数ｆＲ１９～ｆＲ２２は低域側通過帯域ＰＢ１内に設けられている。一端子対弾性波共振器１９～２２の反共振周波数ｆＡＲ１９～ｆＡＲ２２は低域側通過帯域ＰＢ１の最大周波数と高域側通過帯域ＰＢ２の最小周波数との間に設けられている。図２Ａにおいて、破線は、図１Ｂに示される比較例である弾性波装置１１１の一端子対弾性波共振器１１９の通過特性Ｐ１１９、一端子対弾性波共振器１２０の通過特性Ｐ１２０、一端子対弾性波共振器１２１の通過特性Ｐ１２１、一端子対弾性波共振器１２２の通過特性Ｐ１２２を示している。一端子対弾性波共振器１１９～１２２の共振周波数ｆＲ１１９～ｆＲ１２２は低域側通過帯域ＰＢ１内に設けられている。一端子対弾性波共振器１１９～１２２の反共振周波数ｆＡＲ１１９～ｆＡＲ１２２は高域側通過帯域ＰＢ２内に設けられている。
　比較例の弾性波装置１１１において、低域側通過帯域ＰＢ１において高域側フィルタ１１３は容量性として動作する。しかし、反共振周波数ｆＡＲ１１９～ｆＡＲ１２２が高域側通過帯域ＰＢ２内にあるので、高域側通過帯域ＰＢ２において、フィルタ１１２内の直列に接続された一端子対弾性波共振器１１９～１２２のインピーダンスが大きくなる。よって低域側フィルタ１１２は高域側通過帯域ＰＢ２の全帯域において容量性として動作しない。このため、低域側フィルタ１１２と高域側フィルタ１１３の合成インピーダンスを共通接続端子１６、１７側からみたときに、低域側通過帯域ＰＢ１におけるインピーダンスと高域側通過帯域ＰＢ２におけるインピーダンスとの差が大きくなってしまい、低域側と高域側の両方の通過帯域でのインピーダンス整合を取ることは困難となる。
　一方、実施例である弾性波装置１０１において、低域側フィルタ１２の一端子対弾性波共振器１９～２２の反共振周波数ｆＡＲ１９～ｆＡＲ２２は低域側通過帯域ＰＢ１の最大周波数と高域側通過帯域ＰＢ２の最小周波数との間に設定されている。そのため低域側フィルタ１２における高域側通過帯域ＰＢ２のインピーダンスは容量性となる。高域側フィルタ１３における低域側通過帯域ＰＢ１のインピーダンスも容量性である。このように、低域側フィルタ１２のインピーダンスがオープン特性になる反共振周波数ｆＡＲ１９～ｆＡＲ２２を低域側通過帯域ＰＢ１と高域側通過帯域ＰＢ２の間に設定することで、高域側通過帯域ＰＢ２において低域側フィルタ１２は容量性として動作する。これによって共通接続端子１６、１７から見たときの低域側通過帯域ＰＢ１におけるインピーダンスと高域側通過帯域ＰＢ２におけるインピーダンスの差を小さくすることができる。そのため、高域側フィルタ１３から低域側フィルタ１２に流出するエネルギー損失を抑え、インピーダンスの整合を向上させることができる。また、一端子対弾性波共振器１９～２２の反共振周波数ｆＡＲ１９～ｆＡＲ２２が低域側通過帯域ＰＢ１の高域側近傍に設定されるので、低域側フィルタ１２の急峻度を向上することができる。平衡端子１６と平衡端子１７の間に外部回路として設けられたインダクタ１０１Ａによって、低域側フィルタ１２と高域側フィルタ１３の容量性をキャンセルすることができる。
　図２Ａにおいて、弾性波装置１０１の一端子対弾性波共振器２４～２７の共振周波数ｆＲ２４～ｆＲ２７は高域側通過帯域ＰＢ２内に設けられている。一端子対弾性波共振器２４～２７の反共振周波数ｆＡＲ２４～ｆＡＲ２７は高域側通過帯域ＰＢ２の高域側帯域外、すなわち高域側通過帯域ＰＢ２の最大周波数よりも高い値に設定されている。比較例である弾性波装置１１１の一端子対弾性波共振器１２４～１２７の共振周波数ｆＲ１２４～ｆＲ１２７も同様に高域側通過帯域ＰＢ２内に設けられており、反共振周波数ｆＡＲ１２４～ｆＡＲ１２７は高域側通過帯域ＰＢ２の高域側帯域外すなわち高域側通過帯域ＰＢ２の最大周波数よりも高い値に設定されている。
　図２Ｂは実施の形態１における共振周波数ｆＲ１９～ｆＲ２２、ｆＲ２４～ｆＲ２７、ｆＲ１１９～ｆＲ１２２、ｆＲ１２４～ｆＲ１２７と反共振周波数ｆＡＲ１９～ｆＡＲ２２、ｆＡＲ２４～ｆＡＲ２７、ｆＡＲ１１９～ｆＡＲ１２２、ｆＡＲ１２４～ｆＡＲ１２７の各値を示している。
　次に、実施例である弾性波装置１０１と比較例である弾性波装置１１１の特性について説明する。
　図３Ａ～図７は、実施例である弾性波装置１０１の各種の特性と、比較例における弾性波装置１１１の各種の特性をシミュレーションにより求めた特性図である。図３Ａ～図７において、実線は図２Ｂにおける一端子対弾性波共振器１９～２２、２４～２７を用いた弾性波装置１０１についてシミュレートした結果得られた特性を示す。破線は図２Ｂにおける比較例の一端子対弾性波共振器１１９～１２２、１２４～１２７を用いた弾性波装置１１１についてシミュレートした結果得られた特性を示す。図３Ａ～図７において、マーカーＡからマーカーＢの周波数範囲が低域側通過帯域ＰＢ１である。すなわち、マーカーＡは低域側通過帯域ＰＢ１の最小周波数、マーカーＢは低域側通過帯域ＰＢ１の最大周波数を表す。マーカーＣからマーカーＤの周波数範囲が高域側通過帯域ＰＢ２である。すなわち、マーカーＣは高域側通過帯域ＰＢ２の最小周波数、マーカーＤは高域側通過帯域ＰＢ２の最大周波数を表す。
　図３Ａは不平衡端子１４（低域側不平衡端子）からみた弾性波装置１０１の定在波比と弾性波装置１１１の定在波比の特性図である。図３Ａより、実施例において、不平衡端子１４からみた弾性波装置１０１の定在波比は弾性波装置１１１の定在波比よりも１に近い。このことから、低域側通過帯域ＰＢ１において弾性波装置１０１の低域側フィルタ１２のインピーダンスの整合が大きく改善されていることが判る。
　図３Ｂは、不平衡端子１５（高域側不平衡端子）からみた弾性波装置１０１の定在波比と弾性波装置１１１の定在波比の特性図である。図３Ｂより、不平衡端子１５からみた弾性波装置１０１の定在波比は、弾性波装置１１１の定在波比と比べてほとんど差がない。このことから、高域側通過帯域ＰＢ２における弾性波装置１０１のインピーダンスの整合は劣化していないことが判る。
　図４は、平衡端子１６と平衡端子１７からみた弾性波装置１０１の定在波比と弾性波装置１１１の定在波比の特性図である。図４より、低域側通過帯域ＰＢ１において、平衡端子１６と平衡端子１７からみた弾性波装置１０１の定在波比は弾性波装置１１１の定在波比に比べて１により近く、大きく良化している。このことから、弾性波装置１０１のインピーダンスの整合は大きく改善されていることが判る。
　図５Ａは、低域側通過帯域ＰＢ１および高域側通過帯域ＰＢ２を含む、低域側フィルタ１２と低域側フィルタ１１２の通過特性図である。図５Ａにおいて、比較例は実施例と比較して低域側通過帯域ＰＢ１において挿入損失が大きい。これに対して実施例は、特に低域側通過帯域ＰＢ１の高域側半分において、挿入損失を低減することができ、弾性波装置の電気特性を大きく改善されている。これは、この領域における弾性波装置１０１のインピーダンスの整合を向上することにより、電気信号エネルギーの反射ロスを低減することができたことによる。また低域側通過帯域ＰＢ１と高域側通過帯域ＰＢ２の間において、実施例は比較例に比べてより急峻に減衰しており、その挿入損失が急峻に増加している。これは反共振周波数ｆＡＲ１９～ｆＡＲ２２を比較例の反共振周波数ｆＡＲ１１９～ｆＡＲ１２２よりも低域側通過帯域ＰＢ１に近づけたことによる。
　図５Ｂは、低域側通過帯域ＰＢ１および高域側通過帯域ＰＢ２を含む、実施例の高域側フィルタ１３と比較例の高域側フィルタ１１３の通過特性図である。図５Ｂにおいて、高域側フィルタ１３の挿入損失と高域側フィルタ１１３の挿入損失には大きな差はない。しかし、高域側通過帯域ＰＢ２の最小周波数付近においては、弾性波装置１０１の挿入損失がより低減されている。
　図６Ａは、低域側通過帯域ＰＢ１における実施例の低域側フィルタ１２と比較例の低域側フィルタ１１２のそれぞれの振幅バランス特性図である。図６Ａに示すように、比較例と比較して実施例は、低域側通過帯域ＰＢ１の高域側半分において、低域側フィルタ１２の平衡端子１６、１７間の振幅バランスが大きく改善されている。これは、この領域におけるインピーダンスの整合が向上されたことによる。
　図６Ｂは、高域側通過帯域ＰＢ２における実施例の高域側フィルタ１３と比較例の高域側フィルタ１１３の振幅バランス特性図である。図６Ｂより、高域側通過帯域ＰＢ２において高域側フィルタ１３の平衡端子１６、１７間の振幅バランスは、高域側フィルタ１１３と比較してほとんど差がない。
　図７Ａは、低域側通過帯域ＰＢ１における実施例の低域側フィルタ１２と比較例の低域側フィルタ１１２の位相バランス特性図である。図７Ａに示すように、比較例と比較して実施例は、低域側通過帯域ＰＢ１の高域側半分において、位相バランスが大きく改善されている。これは、この領域におけるインピーダンスの整合が向上されたことによる。
　図７Ｂは、高域側通過帯域ＰＢ２における実施例の高域側フィルタ１３と比較例の高域側フィルタ１１３の位相バランス特性図である。図７Ｂより、高域側通過帯域ＰＢ２において、高域側フィルタ１３の平衡端子１６、１７間の位相バランスは、高域側フィルタ１１３と比較してほとんど差がない。
　以上のように、実施例である弾性波装置１０１では、一端子対弾性波共振器１９～２２の反共振周波数ｆＡＲ１９～ｆＡＲ２２が、低域側通過帯域ＰＢ１の高域側帯域外かつ高域側通過帯域ＰＢ２の低域側帯域外に設けられている。これによって、低域側通過帯域ＰＢ１において低域側フィルタ１２のインピーダンスの整合が向上し、特に低域側通過帯域ＰＢ１の挿入損失が大きく低減される。さらに、低域側通過帯域ＰＢ１の位相と振幅のバランス度を大きく向上することができる。
　なお、実施の形態１において、一端子対弾性波共振器１９～２２の反共振周波数ｆＡＲ１９～ｆＡＲ２２の全てが、低域側通過帯域ＰＢ１の高域側帯域外かつ高域側通過帯域ＰＢ２の低域側帯域外に設けられているが、これに限られない。例えば、一端子対弾性波共振器１９～２２の反共振周波数ｆＡＲ１９～ｆＡＲ２２の少なくとも１つが、低域側通過帯域ＰＢ１の高域側帯域外かつ高域側通過帯域ＰＢ２の低域側帯域外に設けられた場合であっても、上記の効果を有する。
　実施の形態１において、一端子対弾性波共振器２４～２７の共振周波数ｆＲ２４～ｆＲ２７が高域側通過帯域ＰＢ２内に設けられ、反共振周波数ｆＡＲ２４～ｆＡＲ２７が高域側通過帯域ＰＢ２の高域側帯域外に設けたられている。これにより、高域側通過帯域ＰＢ２の高域側帯域外において高域側フィルタ１３への入力信号をより減衰させることができる。また、一端子対弾性波共振器２４～２７の共振周波数ｆＲ２４～ｆＲ２７の少なくとも１つが高域側通過帯域ＰＢ２内に設けられ、反共振周波数ｆＡＲ２４～ｆＡＲ２７の少なくとも１つが高域側通過帯域ＰＢ２の高域側帯域外に設けられてもよい。これによっても、高域側フィルタ１３への入力信号をより減衰させることができる。
　実施の形態１において、一端子対弾性波共振器２０の反共振周波数ｆＡＲ２０と一端子対弾性波共振器１９の反共振周波数ｆＡＲ１９を異ならせることによって低域側通過帯域ＰＢ１の高域部分における挿入損失を低減させることができる。反共振周波数ｆＡＲ１９を低域側通過帯域ＰＢ１の最大周波数よりも高くし、反共振周波数ｆＡＲ２０よりも低くする。これによって、低域側フィルタ１２の高域部分における入力信号の減衰の急峻性を向上させることができる。これは次の理由による。一端子対弾性波共振器１９は、共振周波数ｆＲ１９と反共振周波数ｆＡＲ１９の間で誘導性になるのに対して、縦結合型弾性波共振器１８は、低域側通過帯域ＰＢ１の高域部分で容量性になる。一端子対弾性波共振器１９と縦結合型弾性波共振器１８は直接に接続されているので、両者は共役なインピーダンスをもつ。これによってインピーダンスの整合が取れて、低域側通過帯域ＰＢ１の高域部分における挿入損失を低減することができる。また、一端子対弾性波共振器１９の反共振周波数ｆＡＲ１９の位置での減衰を確保することができる。そして、反共振周波数ｆＡＲ２０を反共振周波数ｆＡＲ１９よりも高くすることによって、一端子対弾性波共振器１９の反共振周波数ｆＡＲ１９より高域な領域での減衰量を確保する。一端子対弾性波共振器２０の反共振周波数ｆＡＲ２０を高域側通過帯域ＰＢ２の最小周波数よりも低くする。これによって、共通接続端子である平衡端子１６から見たときの低域側通過帯域ＰＢ１におけるインピーダンスと高域側通過帯域ＰＢ２におけるインピーダンスの差を小さくすることができる。このため、インピーダンスを整合させることができ、低域側通過帯域ＰＢ１、高域側通過帯域ＰＢ２における挿入損失を低減することができる。
　同様に、一端子対弾性波共振器２２の反共振周波数ｆＡＲ２２と一端子対弾性波共振器２１の反共振周波数ｆＡＲ２１を異なる値に設定することによって、低域側通過帯域ＰＢ１の高域部分における挿入損失を低減させることができる。反共振周波数ｆＡＲ２１を低域側通過帯域ＰＢ１の最大周波数よりも高くし、反共振周波数ｆＡＲ２２よりも低く設定する。これによって、低域側フィルタ１２の高域部分における入力信号の減衰の急峻性を向上させることができる。そして、反共振周波数ｆＡＲ２２を反共振周波数ｆＡＲ２１よりも高くする。これによって、一端子対弾性波共振器２１の反共振周波数ｆＡＲ２１より高域な領域での減衰量を確保することができる。一端子対弾性波共振器２２の反共振周波数ｆＡＲ２２を高域側通過帯域ＰＢ２の最小周波数よりも低くする。これによって、共通接続端子である平衡端子１７から見たときの低域側通過帯域ＰＢ１におけるインピーダンスと高域側通過帯域ＰＢ２におけるインピーダンスの差を小さくすることができる。このため、インピーダンスを整合させることができ、低域側通過帯域ＰＢ１、高域側通過帯域ＰＢ２における挿入損失を低減することができる。
　実施の形態１において、高域側フィルタ１３の一端子対弾性波共振器２５の反共振周波数ｆＡＲ２５と一端子対弾性波共振器２４の反共振周波数ｆＡＲ２４を異なる値に設定する。これによってバランス度の劣化を抑制することができる。また、反共振周波数ｆＡＲ２５を反共振周波数ｆＡＲ２４よりも高くすることにより、通過特性において入力信号の減衰の急峻度を向上させることができる。
　同様に、一端子対弾性波共振器２７の反共振周波数ｆＡＲ２７と一端子対弾性波共振器２６の反共振周波数ｆＡＲ２６を異ならせることによって、高域側フィルタ１３の高域部分におけるフィルタ特性を向上させることができる。反共振周波数ｆＡＲ２６を高域側通過帯域ＰＢ２の最大周波数よりも高くし、反共振周波数ｆＡＲ２７よりも低くする。これによって、高域側フィルタ１３の高域部分における入力信号の減衰の急峻度を向上させることができる。反共振周波数ｆＡＲ２７を反共振周波数ｆＡＲ２６よりも高くする。これによって、一端子対弾性波共振器２６の反共振周波数ｆＡＲ２６より高域な領域での減衰量を確保すことができる。
　以上のように、実施の形態１にかかる弾性波装置１０１は、低域側通過帯域ＰＢ１を有する低域側フィルタ１２と、高域側通過帯域ＰＢ２を有する高域側フィルタ１３と、平衡端子１６と平衡端子１７を有する。低域側フィルタ１２は不平衡端子１５に接続されている。低域側通過帯域ＰＢ１は第１の最小周波数から第１の最大周波数までの周波数帯である。高域側フィルタ１３は不平衡端子１５に接続されている。高域側通過帯域ＰＢ２は第１の最大周波数より高い第２の最小周波数から第２の最大周波数までの周波数帯である。平衡端子１６、１７は低域側フィルタ１２および高域側フィルタ１３に共通に接続されている。低域側フィルタ１２は、縦結合型弾性波共振器１８と、縦結合型弾性波共振器１８に直列に接続された一端子対弾性波共振器１９とを有する。一端子対弾性波共振器１９の反共振周波数は、第１の最大周波数より高くかつ第２の最小周波数より低く設定されている。
　また、縦結合型弾性波共振器１８は不平衡端子１４に接続されている。一端子対弾性波共振器１９は縦結合型弾性波共振器１８と平衡端子１６との間に直列に接続されている。低域側フィルタ１２は、縦結合型弾性波共振器１８と平衡端子１６との間に直列に接続された一端子対弾性波共振器２１をさらに有する。高域側フィルタ１３は、縦結合型弾性波共振器２３と、一端子対弾性波共振器２４と、一端子対弾性波共振器２６とを有する。縦結合型弾性波共振器２３は不平衡端子１５に接続されている。一端子対弾性波共振器２４は縦結合型弾性波共振器２３と平衡端子１６との間に直列に接続されている。一端子対弾性波共振器２６は縦結合型弾性波共振器２３と平衡端子１７との間に直列に接続されている。
　また、容量素子２８を高域側フィルタまたは低域側フィルタに設けることによって、高域側フィルタまたは低域側フィルタの比帯域幅を調整することができる。本実施の形態１に係る弾性波装置１０１では、高域側フィルタ１３において、一端子対弾性波共振器２４と一端子対弾性波共振器２５とを接続する配線と、一端子対弾性波共振器２６と一端子対弾性波共振器２７とを接続する配線との間に容量素子２８を接続する。すなわち容量素子２８は図１Ａに示される接続点４０と接続点４１の間に接続点４０、４１と直列に接続される。高域側フィルタ１３に容量素子２８を設けることによって、同一の圧電基板１１上に形成された低域側フィルタ１２と高域側フィルタ１３の比帯域幅を異ならせることができる。よって高域側フィルタ１３の帯域幅を狭める方向に調整することが可能になる。
　なお、低域側通過帯域ＰＢ１における比帯域幅を高域側通過帯域ＰＢ２の比帯域幅よりも狭くする場合には、図１Ａに示す弾性波装置１０１とは逆に、低域側フィルタ１２に容量素子を設けるとよい。図８は実施の形態１における他の弾性波装置１０２の回路図である。図８において、図１Ａに示す弾性波装置１０１と共通する弾性波装置１０２の構成部品については同一番号を付している。弾性波装置１０２は、弾性波装置１０１の低域側フィルタ１２と、高域側フィルタ１３の代わりに、低域側フィルタ２１２と、高域側フィルタ２１３とを有する。弾性波装置１０２は、弾性波装置１０１の容量素子２８の代わりに容量素子１２８を有する。容量素子１２８は圧電基板１１上に設けられた導電パターンにより形成されている。図８において、一端子対弾性波共振器１９と一端子対弾性波共振器２０は接続点１４０で接続されている。一端子対弾性波共振器２１と一端子対弾性波共振器２２は接続点１４１で接続されている。容量素子１２８は接続点１４０と接続点１４１の間に接続点１４０、１４１と直列に接続されている。
　このような構成とすることで、低域側通過帯域ＰＢ１の比帯域幅を高域側通過帯域ＰＢ２の比帯域幅よりも狭くすることができる。
　（実施の形態２）
　実施の形態２における弾性波装置１０３について、図面を参照しながら説明する。
　図９は実施の形態２における弾性波装置１０３の回路図である。図９において、図１Ａに示す実施の形態１における弾性波装置１０１と共通する実施の形態２における弾性波装置１０３の構成部品については同一番号を付している。
　実施の形態２における弾性波装置１０３は、実施の形態１における弾性波装置１０１の低域側フィルタ１２と、高域側フィルタ１３の代わりに、低域側フィルタ３１２と、高域側フィルタ３１３とを有する。実施の形態２における弾性波装置１０３は、実施の形態１における弾性波装置１０１の低域側フィルタ１２および高域側フィルタ１３において、縦結合型弾性波共振器１８、２３と、平衡端子１６、１７との間に、それぞれ２個の一端子対弾性波共振器が直列に設けられる代わりに、低域側フィルタ３１２と高域側フィルタ３１３においてそれぞれ１個の一端子対弾性波共振器が設けられている点で相違する。
　すなわち、縦結合型弾性波共振器１８と平衡端子１６との間に第１の一端子対弾性波共振器１９が設けられ、縦結合型弾性波共振器１８と平衡端子１７との間に第２の一端子対弾性波共振器２１が設けられている。そして、縦結合型弾性波共振器２３と平衡端子１６との間に第３の一端子対弾性波共振器２４が設けられ、縦結合型弾性波共振器２３と平衡端子１７との間に第４の一端子対弾性波共振器２６が設けられている。
　一端子対弾性波共振器１９、２１の少なくとも一方の反共振周波数を、低域側通過帯域ＰＢ１の高域側帯域外でかつ高域側通過帯域ＰＢ２の低域側帯域外に設定する。すなわち一端子対弾性波共振器１９、２１の少なくとも一方の反共振周波数は低域側通過帯域ＰＢ１の最大周波数より高く、高域側通過帯域ＰＢ２の最小周波数より低い値に設定する。これによって、一方のフィルタから他方のフィルタへの信号の混入を抑え、通過帯域におけるインピーダンスのマッチングが向上する。その結果、挿入損失の低減およびバランス度の向上を図ることができる。
　本発明に係る弾性波装置は、他方のフィルタへの信号の混入を抑え、通過帯域におけるインピーダンスのマッチングを向上させ、優れた電気特性を得ることができるもので、主として移動体通信機器において複数の弾性波フィルタを備え、共通の平衡端子を有する弾性波装置において有用である。
１２，１１２，２１２，３１２　　低域側フィルタ
１３，１１３，２１３，３１３　　高域側フィルタ
１４　　不平衡端子（第１の不平衡端子）
１５　　不平衡端子（第２の不平衡端子）
１６　　平衡端子（第１の平衡端子）
１７　　平衡端子（第２の平衡端子）
１８　　縦結合型弾性波共振器（第１の縦結合型弾性波共振器）
１９　　一端子対弾性波共振器（第１の一端子対弾性波共振器）
２０　　一端子対弾性波共振器（第５の一端子対弾性波共振器）
２１　　一端子対弾性波共振器（第２の一端子対弾性波共振器）
２２　　一端子対弾性波共振器（第５の一端子対弾性波共振器、第６の一端子対弾性波共振器）
２３　　縦結合型弾性波共振器（第２の縦結合型弾性波共振器）
２４　　一端子対弾性波共振器（第３の一端子対弾性波共振器）
２５　　一端子対弾性波共振器（第５の一端子対弾性波共振器）
２６　　一端子対弾性波共振器（第４の一端子対弾性波共振器）
２７　　一端子対弾性波共振器（第５の一端子対弾性波共振器、第６の一端子対弾性波共振器）
２８，１２８　　容量素子
４０，１４０　　接続点（第１の接続点）
４１，１４１　　接続点（第２の接続点）

Claims (11)

  1.        第１の不平衡端子に接続され第１の最小周波数から第１の最大周波数までの低域側通過帯域を有する低域側フィルタと、
           第２の不平衡端子に接続され前記第１の最大周波数より高い第２の最小周波数から第２の最大周波数までの高域側通過帯域を有する高域側フィルタと、
           前記低域側フィルタおよび高域側フィルタに共通に接続された第１と第２の平衡端子と、
    を備え、
           前記低域側フィルタは、
                  第１の縦結合型弾性波共振器と、
                  前記第１の縦結合型弾性波共振器に直列に接続された第１の一端子対弾性波共振器と、
           を有し、
           前記第１の一端子対弾性波共振器の反共振周波数を、前記第１の最大周波数より高くかつ前記第２の最小周波数より低く設けた、
    弾性波装置。
  2.        前記第１の縦結合型弾性波共振器は前記第１の不平衡端子に接続されており、
           前記第１の一端子対弾性波共振器は前記第１の縦結合型弾性波共振器と前記第１の平衡端子との間に接続されており、
           前記低域側フィルタは、前記第１の縦結合型弾性波共振器と前記第２の平衡端子との間に接続された第２の一端子対弾性波共振器をさらに有し、
           前記高域側フィルタは、
                  前記第２の不平衡端子に接続された第２の縦結合型弾性波共振器と、
                  前記第２の縦結合型弾性波共振器と前記第１の平衡端子との間に接続された第３の一端子対弾性波共振器と、
                  前記第２の縦結合型弾性波共振器と前記第２の平衡端子との間に接続された第４の一端子対弾性波共振器と、
           を有し、
           前記第１と第２の一端子対弾性波共振器の少なくとも一つの反共振周波数を前記第１の最大周波数より高くかつ前記第２の最小周波数より低く設けた、
    請求項１に記載の弾性波装置。
  3. 前記第３と第４の一端子対弾性波共振器のうち少なくとも一方の共振周波数を前記高域側通過帯域内に設け、前記第３と第４の一端子対弾性波共振器のうち少なくとも一方の反共振周波数を前記第２の最大周波数よりも高くした、
    請求項２に記載の弾性波装置。
  4.        前記低域側フィルタは、前記第１の一端子対弾性波共振器と前記第１の平衡端子との間に接続された第５の一端子対弾性波共振器をさらに有し、
           前記第１の一端子対弾性波共振器の反共振周波数と前記第５の一端子対弾性波共振器の反共振周波数との両方を前記第１の最大周波数よりも高くかつ前記第２の最小周波数よりも低くした、
    請求項２に記載の弾性波装置。
  5. 前記第５の一端子対弾性波共振器の反共振周波数を前記第１の一端子対弾性波共振器の反共振周波数よりも高くした、請求項４に記載の弾性波装置。
  6.        前記低域側フィルタは、前記第２の一端子対弾性波共振器と前記第２の平衡端子との間に接続された第５の一端子対弾性波共振器をさらに有し、
           前記第２の一端子対弾性波共振器の反共振周波数と前記第５の一端子対弾性波共振器の反共振周波数との両方を前記第１の最大周波数よりも高くかつ前記第２の最小周波数よりも低くした、
    請求項２に記載の弾性波装置。
  7. 前記第５の一端子対弾性波共振器の反共振周波数を前記第２の一端子対弾性波共振器の反共振周波数よりも高くした、請求項６に記載の弾性波装置。
  8.        前記高域側フィルタは、前記第３の一端子対弾性波共振器と前記第１の平衡端子との間に接続された第５の一端子対弾性波共振器をさらに有し、
           前記第３の一端子対弾性波共振器の反共振周波数を前記第２の最大周波数よりも高くし、
           前記第５の一端子対弾性波共振器の反共振周波数を前記第３の一端子対弾性波共振器の反共振周波数よりも高くした、
    請求項２に記載の弾性波装置。
  9.        前記高域側フィルタは、前記第４の一端子対弾性波共振器と前記第２の平衡端子との間に接続された第５の一端子対弾性波共振器をさらに有し、
           前記第４の一端子対弾性波共振器の反共振周波数を前記第２の最大周波数よりも高くし、
           前記第５の一端子対弾性波共振器の反共振周波数を前記第４の一端子対弾性波共振器の反共振周波数よりも高くした、
    請求項２に記載の弾性波装置。
  10.        前記低域側フィルタは、
                  前記第１の一端子対弾性波共振器と前記第１の平衡端子との間に接続され、前記第１の一端子対弾性波共振器と第１の接続点で接続された第５の一端子対弾性波共振器と、
                  前記第２の一端子対弾性波共振器と前記第２の平衡端子との間に接続され、前記第２の一端子対弾性波共振器と第２の接続点で接続された第６の一端子対弾性波共振器と、
                  前記第１の接続点と前記第２の接続点との間に接続された容量素子と、
           をさらに有し、
           前記低域側フィルタの比帯域幅を前記高域側フィルタの比帯域幅よりも狭くした、
    請求項２に記載の弾性波装置。
  11.        前記高域側フィルタは、
                  前記第３の一端子対弾性波共振器と前記第１の平衡端子との間に接続され、前記第３の一端子対弾性波共振器と第１の接続点で接続された第５の一端子対弾性波共振器と、
                  前記第４の一端子対弾性波共振器と前記第２の平衡端子との間に接続され、前記第４の一端子対弾性波共振器と第２の接続点で接続された第６の一端子対弾性波共振器と、
                  前記第１の接続点と前記第２の接続点との間に接続された容量素子と、
           をさらに有し、
           前記高域側フィルタの比帯域幅を前記低域側フィルタの比帯域幅よりも狭くした、
    請求項２に記載の弾性波装置。
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