WO2010038381A1 - 弾性波フィルタ装置 - Google Patents

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WO2010038381A1
WO2010038381A1 PCT/JP2009/004815 JP2009004815W WO2010038381A1 WO 2010038381 A1 WO2010038381 A1 WO 2010038381A1 JP 2009004815 W JP2009004815 W JP 2009004815W WO 2010038381 A1 WO2010038381 A1 WO 2010038381A1
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wave filter
acoustic wave
elastic wave
filter device
resonator
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PCT/JP2009/004815
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安田潤平
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株式会社村田製作所
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    • H03H9/0066—Balance-unbalance or balance-balance networks using surface acoustic wave devices having two acoustic tracks being electrically parallel
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    • H03H9/6433—Coupled resonator filters
    • H03H9/6436—Coupled resonator filters having one acoustic track only

Definitions

  • the present invention relates to an elastic wave filter device such as a surface acoustic wave filter device or a boundary acoustic wave filter device, and more particularly to an elastic wave filter device in which an elastic wave resonator is connected in series to an elastic wave filter unit.
  • a surface acoustic wave filter device has been widely used for a band filter of an RF (Radio Frequency) circuit of a mobile phone.
  • an IDT electrode for exciting a surface acoustic wave is formed on a piezoelectric substrate.
  • the pitch between electrode fingers connected to different potentials is narrow, for example, when static electricity is applied, electrode destruction may occur.
  • Patent Document 1 discloses a surface acoustic wave filter device provided with a structure for preventing electrode destruction due to static electricity.
  • FIG. 11 is a schematic perspective view showing the surface acoustic wave filter device described in Patent Document 1. As shown in FIG.
  • a surface acoustic wave filter element 1003 is mounted on a base substrate 1002.
  • the surface acoustic wave filter element 1003 includes a piezoelectric substrate 1004.
  • An input-side IDT electrode 1005 and an output-side IDT electrode 1006 are formed on the piezoelectric substrate 1004 so as to be separated in the surface acoustic wave propagation direction.
  • the surface acoustic wave filter element 1003 is a transversal surface acoustic wave filter in which surface acoustic waves propagate from the input-side IDT electrode 1005 to the output-side IDT electrode 1006.
  • a bus bar to which an input signal of the input side IDT electrode 1005 is applied is connected to an input side terminal electrode 1007 formed on the base substrate 1002 by a bonding wire.
  • a bus bar connected to the ground potential of the input-side IDT electrode 1005 is connected to a ground electrode 1008 formed on the base substrate 1002 by a bonding wire.
  • a bus bar from which an output signal of the output IDT electrode 1006 is taken out is connected to an output terminal electrode 1010 formed on the base substrate 1002 by a bonding wire.
  • a bus bar connected to the ground potential of the output-side IDT electrode 1006 is connected to a ground electrode 1012 formed on the base substrate 1002 by a bonding wire.
  • an impedance matching coil 1014 is connected between the input-side terminal electrode 1007 and the ground electrode 1008.
  • an impedance matching coil 1015 is connected between the output side terminal electrode 1010 and the ground electrode 1012.
  • the impedance matching coils 1014 and 1015 are used to protect against static electricity.
  • the series resistance value between the input side terminal electrode 1007 and the ground electrode 1008 is the resistance value of the impedance matching coil 1014
  • the series resistance value between the output side terminal electrode 1010 and the ground electrode 1012 is for impedance matching. This is the resistance value of the coil 1015, and each series resistance value is about several ⁇ to several k ⁇ .
  • an IC In an RF circuit of a cellular phone, an IC is often directly connected to a subsequent stage of a surface acoustic wave filter device that is a bandpass filter.
  • a surface acoustic wave filter device that is a bandpass filter.
  • the surface acoustic wave filter device 1001 has a series resistance value as low as several ⁇ to several k ⁇ , and thus is not preferable for use in an application in which an IC is directly connected to the subsequent stage.
  • the object of the present invention is not only to eliminate the above-mentioned drawbacks of the prior art and prevent electrode breakdown when static electricity is applied, but also has a sufficient series resistance value between the input terminal or output terminal and the ground potential. Accordingly, it is an object of the present invention to provide an elastic wave filter device that is expensive and can be suitably used for an application in which an IC is directly connected to a subsequent stage.
  • an acoustic wave filter unit that is connected between the first terminal and the second terminal and has at least one IDT electrode, the first terminal, and the second terminal, Between the elastic wave resonator having at least one IDT electrode, and the wiring connecting the elastic wave filter unit and the elastic wave resonator, there is provided an acoustic wave filter device including a resistor connected between a wiring connecting the acoustic wave filter unit and the acoustic wave resonator and a ground potential.
  • the elastic wave resonator forms an attenuation band in a band different from the pass band of the elastic wave filter unit.
  • the first terminal is an unbalanced terminal
  • the second terminal is a first and second balanced terminal
  • the acoustic wave filter is disposed between the longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter unit and the first balanced terminal.
  • a second acoustic wave resonator connected in series to a coupled resonator type acoustic wave filter unit, wherein the wiring connects the longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter unit and the first acoustic wave resonator.
  • First wiring and the longitudinally coupled resonator type acoustic wave fill A second wiring connecting the first acoustic wave resonator and the second acoustic wave resonator, wherein the resistance is a first resistance connected between the first wiring and a ground potential; 2 is a second resistor connected between the second wiring and the ground potential.
  • the first resistance and the second resistance can protect the IDT electrode of the acoustic wave filter portion from static electricity.
  • the resistor may be formed of a film-like resistor or a linear resistor.
  • a resistor having an appropriate resistance value can be easily formed by a thin film forming method.
  • the linear resistor can be formed to have various planar shapes such as a curved shape, a meander shape, or a spiral shape. In particular, when the linear resistor has a meandering planar shape, the resistance value per unit area can be increased in the resistance forming region.
  • the resistance is preferably made of a conductive material such as metal, metal oxide or metal compound.
  • a conductive material such as metal, metal oxide or metal compound.
  • the duty of the IDT electrode of the acoustic wave filter unit is set larger than the duty of the IDT electrode of the acoustic wave resonator. In this case, since the resistance of the elastic wave resonator to static electricity can be increased, it is possible to prevent electrode destruction of the IDT electrode of the elastic wave resonator due to static electricity.
  • the IDT electrode of the acoustic wave resonator and the IDT electrode of the acoustic wave filter unit are respectively connected to a pair of bus bars and each bus bar.
  • a gap is provided between the tip of each electrode finger and the bus bar facing the tip of each electrode finger, and the gap in the IDT electrode of the acoustic wave resonator is The gap is larger than the gap in the IDT electrode of the acoustic wave filter portion.
  • a resonance frequency of a series LC resonance circuit formed by a capacitance of the elastic wave resonator and an inductance of the resistor passes through the elastic wave filter device. Located out of band. Accordingly, it is possible to reliably protect against static electricity without deteriorating the filter characteristics of the acoustic wave filter device.
  • a resistor is connected between the wiring connecting the acoustic wave filter unit and the acoustic wave resonator and the ground potential. For this reason, since static electricity flows to the ground potential via a resistor, it is possible to prevent electrode destruction of the IDT electrode of the elastic wave filter portion due to static electricity. Furthermore, when an IC is connected to the subsequent stage of the acoustic wave filter device, even if the resistance value of the resistor is lowered to such an extent that static electricity flows to the ground potential, the elasticity arranged between the terminal connected to the IC and the resistor The wave resonator increases the DC resistance value between the terminal connected to the IC and the ground potential.
  • the direct current supplied from the direct current power source connected to the IC does not flow to the ground potential via the resistor, and the direct current sufficiently flows to the IC connected to the subsequent stage of the acoustic wave filter device. IC works reliably.
  • the acoustic wave resonator when an IC is connected to the subsequent stage of the acoustic wave filter device, the acoustic wave resonator functions as a DC cut capacitor, so that a DC current supplied from a DC power source connected to the IC is connected to the ground potential via a resistor. Therefore, the direct current sufficiently flows to the IC connected to the subsequent stage of the acoustic wave filter device. Therefore, it is possible to prevent malfunction of the IC connected to the subsequent stage of the acoustic wave filter device.
  • the duty ratio of the IDT electrode of the elastic wave resonator is made smaller than the duty ratio of the IDT electrode of the elastic wave filter unit, or the IDT electrode electrode of the elastic wave filter unit Since the gap between the electrode finger and the bus bar of the IDT electrode of the elastic wave resonator is made larger than the gap between the finger and the bus bar, the elastic wave resonator can be easily made into a structure having high resistance to static electricity. Electrode destruction of the IDT electrode of the elastic wave resonator due to static electricity can be prevented. In addition, by using a plurality of acoustic wave resonators connected in series, electrode destruction of the IDT electrode of the acoustic wave resonator due to static electricity can be prevented.
  • the present invention it is possible to prevent destruction of the elastic wave filter portion due to static electricity and to reliably prevent malfunction of the IC connected to the subsequent stage of the elastic wave filter device.
  • the elastic wave filter device according to the present invention can be suitably used, for example, in a filter device in which an IC is connected to the subsequent stage in an RF circuit of a mobile phone.
  • FIG. 1A is a schematic plan view of an elastic wave filter device according to a first embodiment of the present invention
  • FIG. 1B is a plan view of a first resistor used in the first embodiment. is there.
  • FIG. 2 is a schematic front view showing a structure in which a resistance element is mounted as a separate component on the mounting board in the modification of the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is a schematic plan view showing an electrode structure of an acoustic wave filter device according to a first modification of the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 is a schematic plan view showing an electrode structure of an acoustic wave filter device according to a second modification of the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 1A is a schematic plan view of an elastic wave filter device according to a first embodiment of the present invention
  • FIG. 1B is a plan view of a first resistor used in the first embodiment. is there.
  • FIG. 2 is a schematic front view showing a structure in which a resistance element is mounted as
  • FIG. 5 is a schematic plan view showing an electrode structure of an acoustic wave filter device according to a third modification of the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 6 is a schematic plan view showing an electrode structure of an acoustic wave filter device according to a fourth modification of the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 7 is a schematic plan view showing an electrode structure of an acoustic wave filter device according to a fifth modification of the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 8 is a schematic plan view showing an electrode structure of an acoustic wave filter device according to a sixth modification of the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 9A is a schematic plan view showing an electrode structure of an elastic wave filter device according to a seventh modification of the first embodiment of the present invention, and FIG.
  • FIG. 9B is a longitudinal view of the elastic wave filter device. It is a top view for demonstrating the IDT electrode of a coupling resonator type
  • FIG. 10 is a schematic plan view showing an electrode structure of an acoustic wave filter device according to the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 11 is a schematic plan view for explaining a conventional surface acoustic wave filter device.
  • FIG. 1A is a schematic plan view of an acoustic wave filter device according to the first embodiment of the present invention
  • FIG. 1B is a schematic plan view showing resistances used in this embodiment. .
  • the elastic wave filter device 1 of this embodiment includes an elastic wave filter element and a mounting substrate (not shown), and the elastic wave filter element has a piezoelectric substrate 2.
  • the electrode structure shown in FIG. 1A is formed on the piezoelectric substrate 2, thereby forming a surface acoustic wave filter device using surface acoustic waves.
  • the acoustic wave filter device 1 of the present embodiment has a configuration in which an acoustic wave filter element is flip-chip bonded to a mounting substrate.
  • FIG. 1A illustrates only the acoustic wave filter element of the acoustic wave filter device 1. ing.
  • the piezoelectric substrate 2 is made of an appropriate piezoelectric single crystal or piezoelectric ceramic.
  • As the piezoelectric single crystal LiTaO 3 , LiNbO 3, quartz, or the like can be used.
  • the acoustic wave filter device 1 has an unbalanced terminal 3 as a first terminal and first and second balanced terminals 4 and 5 as second terminals.
  • the elastic wave filter device 1 of the present embodiment has an unbalanced terminal 3 as an input terminal and first and second balanced terminals 4 and 5 as output terminals, and has a balanced-unbalanced conversion function.
  • the first longitudinally coupled resonator type elastic wave filter unit 11 is connected between the unbalanced terminal 3 and the first balanced terminal 4, and the unbalanced terminal 3
  • the second longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter unit 12 is connected between the first and second balanced terminals 5.
  • the first longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter unit 11 has first to third IDT electrodes 11a to 11c arranged in order along the acoustic wave propagation direction. Reflectors 11d and 11e are arranged on both sides of the region where the first to third IDT electrodes 11a to 11c are provided in the elastic wave propagation direction. That is, the first longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter unit 11 is a 3IDT type longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter.
  • the second longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter unit 12 also includes first to third IDT electrodes 12a to 12c and first to third IDT electrodes 12a to 12c arranged in order along the acoustic wave propagation direction. And reflectors 12d and 12e arranged on both sides of the elastic wave propagation direction in the region where 12c is provided. That is, the second longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter unit 12 is a 3IDT type longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter.
  • the phase of the signal inputted from the unbalanced terminal 3 and outputted from the first balanced terminal 4 and the phase inputted from the unbalanced terminal 3 to the second balanced terminal 5 The first to third IDT electrodes 11a to 11c of the first longitudinally coupled resonator type elastic wave filter unit 11 and the second longitudinally coupled resonator type elasticity are set so that the phase of the output signal is 180 degrees different.
  • First to third IDT electrodes 12a to 12c of the wave filter unit 12 are formed.
  • a first acoustic wave resonator 13 is connected in series to the first longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter unit 11. It is connected.
  • a second acoustic wave resonator 14 is connected in series to the second longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter unit 12. It is connected.
  • a third elastic wave resonator 15 is connected to the first and second longitudinally coupled resonator type elastic wave.
  • the filter units 11 and 12 are connected in series.
  • the anti-resonance frequency of the first elastic wave resonator 13, the anti-resonance frequency of the second elastic wave resonator 14, and the anti-resonance frequency of the third elastic wave resonator 15 are the first and second longitudinal couplings, respectively.
  • the resonator type elastic wave filter units 11 and 12 are arranged in a band different from the pass band.
  • the first elastic wave resonator 13, the second elastic wave resonator 14, and the third elastic wave resonator 15 are connected to the first and second longitudinally coupled resonator type elastic wave filter units 11 and 12, respectively.
  • An attenuation band is formed in a band different from the pass band.
  • the first to third acoustic wave resonators 13 to 15 have IDT electrodes formed on the piezoelectric substrate 2 as shown in FIG.
  • reflectors may be arranged on both sides of the IDT electrode in the elastic wave propagation direction.
  • each of the second IDT electrodes 11b and 12b of the first longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter unit 11 and the second longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter unit 12 is described. Are connected in common and connected to the unbalanced terminal 3 via the third elastic wave resonator 15. The other ends of the second IDT electrodes 11b and 12b are connected to the ground potential.
  • first wiring 16 a wiring connecting the IDT electrodes 11 a and 11 c and the first acoustic wave resonator 13 is referred to as a first wiring 16.
  • a first resistor 17 is connected between the first wiring 16 and the ground potential.
  • the first resistor 17 has a meander-like planar shape as shown in the schematic plan view of FIG. That is, the first resistor 17 is formed by meandering the linear resistor so as to have a meander-like planar shape. Therefore, the resistance value of the first resistor 17 can be increased.
  • the first resistor 17 can be formed of an appropriate resistive material.
  • a resistive material is appropriately selected according to a required resistance value.
  • a metal, a metal oxide, or a metal compound other than the metal oxide can be used.
  • the resistance value is moderately low. Therefore, a current due to static electricity flows through the resistance with certainty and can prevent the IDT electrode from being destroyed.
  • Examples of the metal forming the first resistor 17 include Al, Cu, Ti, Au, and Pt. Among them, Al and Cu having a low resistance value are preferable in order to increase resistance against static electricity.
  • examples of the metal oxide include oxides such as Ni, Cr, and Ti.
  • examples of the metal compound include Ni—Cr and Ti—N.
  • one ends of the first and third IDT electrodes 12a and 12c are connected to the ground potential, and the other ends are connected to the second acoustic wave resonance. It is connected to the second balanced terminal 5 via the child 14.
  • a wiring connecting the IDT electrodes 12 a and 12 c and the second acoustic wave resonator 14 is referred to as a second wiring 18.
  • a second resistor 19 is connected between the second wiring 18 and the ground potential.
  • the second resistor 19 is formed in the same manner as the first resistor 17.
  • the first and second resistors 17 and 19 are connected between the first and second wirings 16 and 18 and the ground potential.
  • the malfunction of the IC connected to the subsequent stage of the acoustic wave filter device 1 can be reliably prevented while preventing the first longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter sections 11 and 12 from being damaged by static electricity. This is due to the following reason.
  • a surface acoustic wave filter device in which a surface acoustic wave filter unit and a surface acoustic wave resonator are connected in series between a first terminal and a second terminal, the second terminal of the surface acoustic wave filter device is connected to the second terminal.
  • a configuration in which a resistor is connected between the wiring connecting the surface acoustic wave resonator and the second terminal and the ground potential has been adopted.
  • a direct current supplied from a direct current power source connected to the IC also flows to the ground potential via the resistor.
  • the surface acoustic wave filter unit and the surface acoustic wave resonator are connected in series between the first terminal and the second terminal, and the wiring connecting the surface acoustic wave resonator and the second terminal and the ground
  • the surface acoustic wave filter device in which a resistor is connected to the potential
  • the IC when an IC is connected to the second terminal of the surface acoustic wave filter device, the IC connected to the second terminal and the second terminal
  • a capacitor for cutting direct current between the two it is also conceivable to connect a capacitor for cutting direct current between the two. In this case, the direct current supplied from the direct current power source connected to the IC does not flow to the ground potential via the resistor due to the direct current cut capacitor.
  • the first wiring 16 connecting the first longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter unit 11 and the first acoustic wave resonator 13 and the ground potential are connected.
  • a first resistor 17 is connected between the second wiring 18 connecting the second longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter unit 12 and the second acoustic wave resonator 14, and a ground potential. Since the second resistor 19 is connected between the two, the static electricity flows to the ground potential via the first and second resistors 17 and 19, and the first and second longitudinally coupled resonator type elastic waves due to the static electricity. Electrode destruction of the IDT electrodes of the filter portions 11 and 12 can be prevented.
  • the direct current supplied from the direct current power source connected to the IC does not flow to the ground potential via the first and second resistors 17 and 19, and the direct current is applied to the IC connected to the subsequent stage of the acoustic wave filter device.
  • the current will flow sufficiently and the IC will operate reliably.
  • the first and second acoustic wave resonators 13 and 14 when an IC is connected to the subsequent stage of the acoustic wave filter device, the first and second acoustic wave resonators 13 and 14 also function as a DC cut capacitor, so that they are supplied from a DC power source connected to the IC.
  • DC current does not flow to the ground potential via the first and second resistors 17 and 19, and the DC current sufficiently flows to the IC connected to the subsequent stage of the acoustic wave filter device. Therefore, it is possible to prevent malfunction of the IC connected to the subsequent stage of the acoustic wave filter device.
  • first and second acoustic wave resonators 13 and 14 are the first and second acoustic wave resonators. It is easy to make the structure more resistant to static electricity than the longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter portions 11 and 12. That is, in the first and second elastic wave resonators 13 and 14, the first and second elastic wave resonators 13 and 14 have a first elastic modulus greater than the duty ratio of the IDT electrodes of the first and second longitudinally coupled resonator type elastic wave filter units 11 and 12.
  • the duty ratio of the IDT electrodes of the wave resonators 13 and 14 is made smaller, or the first than the gap between the electrode fingers of the IDT electrodes of the first and second longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter units 11 and 12 and the bus bar.
  • the structure of the first and second elastic wave resonators 13 and 14 is highly resistant to static electricity by increasing the gap between the electrode fingers of the IDT electrodes of the second elastic wave resonators 13 and 14 and the bus bars. Therefore, the electrode destruction of the IDT electrode of the elastic wave resonator due to static electricity can be prevented.
  • the series resistance value between the input terminal electrode 1007 and the ground electrode 1008 is impedance matched.
  • the resistance value of the coil 1014 for use, the series resistance value between the output terminal electrode 1010 and the ground electrode 1012 is the resistance value of the impedance matching coil 1015, and each series resistance value is about several ⁇ to several k ⁇ . It was low. Therefore, when the IC is directly connected to the subsequent stage of the surface acoustic wave filter device 1001, the direct current supplied from the direct current power source connected to the IC easily flows to the ground potential because the series resistance value is low.
  • the elastic wave filter device 1 of the present embodiment the first and second resistors 17 and 19 are connected between the first and second wires 16 and 18 and the ground potential. Therefore, for the reason described above, it is possible not only to prevent the electrode destruction of the IDT electrodes of the first and second longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter units 11 and 12 due to static electricity, but also to prevent the IC connected in the subsequent stage. It is possible to reliably prevent malfunction.
  • the first and second resistors 17 and 19 have a meander shape, but may have other shapes such as a spiral shape and a linear shape. Further, the planar shape of the first and second resistors 17 and 19 is not particularly limited. In the case of a film resistor, it can be easily formed on the piezoelectric substrate or the mounting substrate or in the piezoelectric substrate or the mounting substrate by a thin film forming method. Can be formed.
  • such a linear resistor or film resistor may be formed on or in the piezoelectric substrate 2 of the acoustic wave filter device 1, or on a mounting substrate on which the acoustic wave filter element is mounted. Alternatively, it may be formed in a mounting substrate.
  • first and second resistors 17 and 19 are first and second resistor elements 17A and 19A as separate components mounted on the mounting substrate 20, as schematically shown in FIG. Also good.
  • the elastic wave filter element 1A has a configuration in which the first and second resistors 17 and 19 are removed from the elastic wave filter element of the surface acoustic wave filter device 1 according to the embodiment shown in FIG. .
  • the first and second resistors 17 and 19 are desirably formed on the piezoelectric substrate 2, and in that case, the entire acoustic wave filter device can be reduced in size.
  • the first resistor 17 and the first elastic wave resonator 13 form a series LC resonance circuit. That is, it can be considered that a series LC resonance circuit is formed by the inductance L of the first resistor 17 formed of a meander-like linear resistor and the capacitance C of the first acoustic wave resonator 13.
  • the resonance frequency of the series LC resonance circuit is located outside the passband of the elastic wave filter device 1 in order not to impair the filter characteristics of the elastic wave filter device 1. Therefore, it is desirable to configure the first resistor 17 and the first acoustic wave resonator 13 so as to have such an inductance L and a capacitance C.
  • the second resistor 19 and the second elastic wave resonator 14 are formed so that the resonance frequency of the series LC resonance circuit is located outside the pass band of the elastic wave filter device 1 as described above. It is desirable.
  • the first acoustic wave resonator 13 is connected in series to the first longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter unit 11, and the second acoustic wave resonator 14 is coupled to the second longitudinally coupled resonance.
  • the configuration is connected in series to the child-type elastic wave filter unit 12, but in addition to the first elastic wave resonator 13 and the second elastic wave resonator 14, another elastic wave resonator is connected. May be.
  • an elastic wave resonator is connected between a wiring connecting the first elastic wave resonator 13 and the first resistor 17 and a ground potential, and the second elastic wave resonator 14 and the second resistor are connected.
  • An elastic wave resonator may be connected between the wiring connecting the resistor 19 and the ground potential.
  • the acoustic wave resonator connected in series to the acoustic wave filter unit is disposed between the terminal connected to the IC and the resistor, the terminal connected to the IC and the ground potential The DC resistance value between and becomes higher.
  • the direct current supplied from the direct current power source connected to the IC does not flow to the ground potential via the resistor, and the direct current sufficiently flows to the IC connected to the subsequent stage of the acoustic wave filter device.
  • the IC operates reliably.
  • an elastic wave filter unit is connected between the input terminal and the output terminal connected to the IC, and a resistor is connected between the wiring connecting the output terminal and the elastic wave filter unit and the ground potential,
  • the acoustic wave resonator is connected between the portion where the resistor is connected and the wiring portion between the output terminal and the ground potential. Then, the DC resistance value between the terminal connected to the IC and the ground potential becomes low, and there is a possibility that the IC malfunctions.
  • the acoustic wave resonator is connected in series between the terminal connected to the IC and the acoustic wave filter unit, and the wiring connecting the acoustic wave filter unit and the acoustic wave resonator to the ground potential
  • an elastic wave resonator connected in series to the elastic wave filter unit is arranged between the terminal connected to the IC and the resistor.
  • another elastic wave resonator may be connected.
  • FIG. 3 is a schematic plan view showing an electrode structure of an acoustic wave filter device according to a first modification of the first embodiment of the present invention.
  • elastic wave filter device 31 of this modification instead of the first elastic wave resonator 13, elastic wave resonators 13 a and 13 b are connected in series to the first longitudinally coupled resonator type elastic wave filter unit 11.
  • second acoustic wave resonator 14 a and 14 b are connected in series to the second longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter unit 12.
  • the electrostatic voltage applied to the plurality of acoustic wave resonators is divided into each of the plurality of acoustic wave resonators. Therefore, it is possible to reliably prevent the electrode destruction of the IDT electrode of the elastic wave resonator due to static electricity.
  • the first and second resistors 17 and 19 are connected between the wiring connecting the acoustic wave resonators 13a and 13b and the ground potential, and the second resistor 19 is elastic. It is connected between the wiring connecting the wave resonators 14a, 14b and the ground potential.
  • the first longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter unit 11 is connected in series to the first longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter unit 11 between the first longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter unit 11 and the first balanced terminal 4.
  • An elastic wave resonator 13b is disposed, and a first resistor 17 is connected between a wiring connecting the first longitudinally coupled resonator type elastic wave filter unit 11 and the elastic wave resonator 13b and a ground potential. .
  • an acoustic wave resonator connected in series to the second longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter unit 12 between the second longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter unit 12 and the second balanced terminal 5.
  • 14b is disposed, and a second resistor 19 is connected between a wiring connecting the second longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter unit 12 and the acoustic wave resonator 14b and the ground potential.
  • the acoustic wave filter device 31 is prevented while preventing the electrode destruction of the IDT electrodes of the first and second longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter portions 11 and 12 due to static electricity. It is possible to reliably prevent malfunction of the IC connected to the subsequent stage.
  • the first and second resistors 17 and 19 are connected to the first and second longitudinal couplings.
  • the resonator type acoustic wave filter units 11 and 12 and the acoustic wave resonators 13a and 14a may be connected between the first and second wirings 16 and 18 respectively connected to the ground potential.
  • FIG. 5 is a plan view showing an electrode structure of an acoustic wave filter device according to a third modification of the first embodiment of the present invention.
  • the third resistor 52 is provided between the wiring connecting the unbalanced terminal 3 and the third elastic wave resonator 15 and the ground potential. Except for being connected, the configuration is the same as that of the first embodiment shown in FIG.
  • the unbalanced terminal 3 is a terminal that is not connected to the IC. Therefore, on the unbalanced terminal 3 side, even if the series resistance value between the unbalanced terminal 3 and the ground potential is reduced, it does not matter so much.
  • the static electricity not only flows from the first and second balanced terminals 4 and 5 toward the first and second longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter units 11 and 12, but also from the unbalanced terminal 3 to the first and first balanced terminals. Also flows toward the two longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter units 11 and 12. Therefore, as in this modification, by connecting the third resistor 52 between the wiring connecting the unbalanced terminal 3 and the third acoustic wave resonator 15 and the ground potential, the unbalanced terminal is obtained.
  • the static electricity flowing in from 3 flows to the ground potential via the third resistor 52, and the electrode destruction of the IDT electrodes of the first and second longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter portions 11 and 12 due to the static electricity is prevented. can do.
  • FIG. 6 is a schematic plan view showing an electrode structure of an acoustic wave filter device according to a fourth modification of the first embodiment of the present invention.
  • the third resistor 52 is connected to the unbalanced terminal 3 as in the third modified example, but the third elastic wave resonator 15 is not connected. . That is, when the third elastic wave resonator 15 is not required according to the target filter characteristics, the third elastic wave resonator 15 may be omitted. Even in such a case, the third resistor 52 is connected between the wiring connecting the unbalanced terminal 3 and the first and second longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter units 11 and 12 and the ground potential. By doing so, the resistance to static electricity of the elastic wave filter device 61 can be more effectively increased.
  • FIG. 7 is a schematic plan view showing an electrode structure of an acoustic wave filter device according to a fifth modification of the first embodiment of the present invention.
  • the third resistor 52 includes the third elastic wave resonator 15 and the first and second longitudinally coupled resonator type elastic wave filter units 11, 12 and a ground potential. That is, on the unbalanced terminal 3 side, in the case of an application in which a decrease in the series resistance value between the unbalanced terminal 3 and the ground potential is not preferable, the third elastic wave resonator 15 as in this modification example. It is desirable to connect a third resistor 52 between the wiring connecting the first and second longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter units 11 and 12 and the ground potential.
  • FIG. 8 is a schematic plan view showing an electrode structure of an acoustic wave filter device according to a sixth modification of the first embodiment of the present invention.
  • the duty ratios of the IDT electrodes of the first and second elastic wave resonators 13 and 14 are the first and second longitudinally coupled resonator type elastic wave filter units 11 and 12.
  • the duty ratio of the IDT electrodes 11a, 11c, 12a, and 12c is smaller. More specifically, the duty ratio of the IDT electrodes of the first and second acoustic wave resonators 13 and 14 is 0.50, and the IDTs of the first and second longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter units 11 and 12 are used.
  • the duty ratio of the electrodes 11a, 11c, 12a and 12c is 0.65.
  • the present modification is the same as that of the first embodiment.
  • the first and second acoustic wave resonators 13 and 14 can be more resistant to static electricity than the first and second longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter units 11 and 12. Therefore, it is possible to easily prevent the IDT electrodes of the first and second acoustic wave resonators 13 and 14 from being broken.
  • 9A and 9B are a schematic plan view showing an electrode structure of an acoustic wave filter device according to a seventh modification of the first embodiment of the present invention, and a diagram for explaining a gap in the IDT electrode. It is a top view of an IDT electrode.
  • the gap between the IDT electrode bus bar and the electrode fingers of the first and second elastic wave resonators 13 and 14 is the first and first. It is made larger than the gap between the bus bar and the electrode finger in the IDT electrodes 11a, 11c, 12a, 12c of the two longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter sections 11, 12.
  • the present modification is the same as that of the first embodiment.
  • a dummy electrode 76 extending from the bus bar 75 toward the electrode finger 74 is provided at a position facing the tip of the electrode finger 74 in the bus bar 75.
  • the gap G is the distance between the tip of the dummy electrode 76 and the tip of the electrode finger 74.
  • the distance between the bus bar 75 and the tip of the electrode finger 74 is a gap. That is, the gap between the bus bar and the electrode finger is connected to one potential in a direction extending from the tip side of the electrode finger connected to one potential toward the bus bar connected to the other potential.
  • the gap between the bus bar of the IDT electrode and the electrode finger of the first and second acoustic wave resonators 13 and 14 is 0.8 ⁇ m, and the first and second The gap between the bus bars of the IDT electrodes 11a, 11c, 12a and 12c of the longitudinally coupled resonator type elastic wave filter sections 11 and 12 and the electrode fingers is 0.3 ⁇ m.
  • the electrode destruction of the IDT electrodes of the first and second acoustic wave resonators 13 and 14 due to static electricity is ensured. Can be prevented.
  • the first and second acoustic wave resonators 13 and 14 can easily have a structure with high resistance to static electricity even when static electricity flows. Therefore, it is possible to easily prevent the electrode destruction of the IDT electrodes of the first and second acoustic wave resonators 13 and 14 due to static electricity while preventing the malfunction of the IC.
  • the first and second longitudinal terminals 4 and 5 are arranged on the first and second balanced terminals 4 and 5 side in the same manner as in the first embodiment.
  • the first and second wirings 16 and 18 connecting the coupled resonator type acoustic wave filter sections 11 and 12 and the first and second acoustic wave resonators 13 and 14 and the first potential are connected to the ground potential. Since the second resistors 17 and 19 are connected to each other, the electrode destruction of the IDT electrodes of the first and second longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter portions 11 and 12 due to static electricity is prevented as in the above embodiment. It is possible to reliably prevent malfunction of the IC connected to the subsequent stage of the acoustic wave filter device.
  • FIG. 10 is a schematic plan view showing an electrode structure of the acoustic wave filter device according to the second embodiment of the present invention.
  • the elastic wave filter device 81 of this embodiment is an elastic wave filter device with unbalanced input and unbalanced output.
  • the present invention can also be applied to an elastic wave filter device having an unbalanced input and an unbalanced output.
  • an electrode structure as shown in FIG. 10 is formed on a piezoelectric substrate.
  • the elastic wave filter device 81 of the present embodiment has a configuration in which an elastic wave filter element is flip-chip bonded to a mounting substrate, as in the first embodiment, but in FIG. Only the filter element is shown.
  • the illustrated electrode structure is connected between the input terminal 82 and the output terminal 83. That is, between the input terminal 82 and the output terminal 83, the first and second longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter units 84 and 85 are connected in parallel.
  • Each of the first and second longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter units 84 and 85 is a 3IDT type having three IDT electrodes 84a to 84c and 85a to 85c and reflectors 84d, 84e, 85d and 85e. This is a longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter, and both are configured similarly.
  • One ends of the second IDT electrodes 84 b and 85 b at the center of the first and second longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter units 84 and 85 are commonly connected, and an input terminal 82 is connected via the input side acoustic wave resonator 86. It is connected to the.
  • one end of each of the first and third IDT electrodes 84a, 84c, 85a, and 85c of the first and second longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter units 84 and 85 is commonly connected, and the output side acoustic wave resonator is provided. It is connected to the output terminal 83 via 87.
  • the other ends of the IDT electrodes 84a to 84c and 85a to 85c of the first and second longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter units 84 and 85 are connected to the ground potential.
  • a resistor 89 is connected between the wiring 88 connecting the first and second longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter units 84 and 85 and the output side acoustic wave resonator 87 and the ground potential.
  • the elastic wave filter device 81 of the present embodiment since the resistor 89 is connected between the wiring 88 and the ground potential, the first and second longitudinally coupled resonator-type elastic wave filter portions 84 caused by static electricity. , 85 IDT electrodes can be prevented from being broken, and the malfunction of the IC connected to the subsequent stage of the acoustic wave filter device 81 can be surely prevented.
  • the first and second longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter units are connected in parallel to one terminal.
  • the configuration of the elastic wave filter unit is not limited to this. In the present invention, three or more longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter units may be used, or one longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter unit may be used. Further, an elastic wave filter unit other than the longitudinally coupled resonator type elastic wave filter may be used, such as a ladder type filter.
  • the present invention can be applied not only to a surface acoustic wave filter device using a surface acoustic wave but also to a boundary acoustic wave filter device using a boundary acoustic wave.

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Abstract

　静電気が加わった際の電極破壊を防止することができ、外部との接続端子とグラウンド電位との間の直列抵抗値を大きくすることができ、後段に接続されるＩＣの誤動作が生じ難い、弾性波フィルタ装置を提供する。 　ＩＤＴ電極１１ａ～１１ｃ，１２ａ～１２ｃを有する弾性波フィルタ部１１，１２と外部との接続端子である端子４，５との間に、ＩＤＴ電極を有する弾性波共振子１３，１４が弾性波フィルタ部１１，１２に直列に接続されており、弾性波フィルタ部１１，１２と弾性波共振子１３，１４とを接続している配線１６，１８とグラウンド電位との間に抵抗１７，１９が接続されている弾性波フィルタ装置１。

Description

弾性波フィルタ装置
　本発明は、弾性表面波フィルタ装置や弾性境界波フィルタ装置などの弾性波フィルタ装置に関し、より詳細には、弾性波フィルタ部に直列に弾性波共振子が接続されている弾性波フィルタ装置に関する。
　従来、携帯電話機のＲＦ（Ｒａｄｉｏ　Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）回路の帯域フィルタなどに、弾性表面波フィルタ装置が広く用いられている。弾性表面波フィルタ装置では、弾性表面波を励振するＩＤＴ電極が圧電基板上に形成されている。ＩＤＴ電極では、異なる電位に接続される電極指間のピッチが狭いため、例えば静電気が加わった場合、電極破壊が生じることがあった。
　下記の特許文献１には、静電気による電極破壊を防止する構造が備えられた弾性表面波フィルタ装置が開示されている。図１１は、特許文献１に記載の弾性表面波フィルタ装置を示す模式的斜視図である。
　弾性表面波フィルタ装置１００１では、ベース基板１００２上に、弾性表面波フィルタ素子１００３が搭載されている。弾性表面波フィルタ素子１００３は、圧電基板１００４を有する。圧電基板１００４上に、弾性表面波伝搬方向において隔てられて、入力側ＩＤＴ電極１００５と、出力側ＩＤＴ電極１００６とが形成されている。弾性表面波フィルタ素子１００３は、入力側ＩＤＴ電極１００５から出力側ＩＤＴ電極１００６に弾性表面波が伝搬するトランスバーサル型の弾性表面波フィルタである。
　入力側ＩＤＴ電極１００５の入力信号が印加されるバスバーが、ベース基板１００２上に形成された入力側端子電極１００７にボンディングワイヤーにより接続されている。また、入力側ＩＤＴ電極１００５のグラウンド電位に接続されるバスバーが、ベース基板１００２上に形成されたグラウンド電極１００８にボンディングワイヤーにより接続されている。
　同様に、出力側ＩＤＴ電極１００６の出力信号が取り出されるバスバーが、ベース基板１００２上に形成された出力側端子電極１０１０にボンディングワイヤーにより接続されている。また、出力側ＩＤＴ電極１００６のグラウンド電位に接続されるバスバーが、ベース基板１００２上に形成されたグラウンド電極１０１２にボンディングワイヤーにより接続されている。
　ベース基板１００２上において、入力側端子電極１００７とグラウンド電極１００８との間にインピーダンス整合用コイル１０１４が接続されている。出力側においても、同様に、出力側端子電極１０１０とグラウンド電極１０１２との間にインピーダンス整合用コイル１０１５が接続されている。
　入力側ＩＤＴ電極１００５や出力側ＩＤＴ電極１００６に静電気が加わった場合、静電気は上記インピーダンス整合用コイル１０１４またはインピーダンス整合用コイル１０１５を流れる。そのため、入力側ＩＤＴ電極１００５及び出力側ＩＤＴ電極１００６の電極破壊が防止される。
特開平１１－２７４８８６号公報
　特許文献１に記載の弾性表面波フィルタ装置１００１では、インピーダンス整合用コイル１０１４，１０１５を用いて静電気からの保護が図られている。
　しかしながら、入力側端子電極１００７とグラウンド電極１００８との間の直列抵抗値はインピーダンス整合用コイル１０１４の抵抗値であり、出力側端子電極１０１０とグラウンド電極１０１２との間の直列抵抗値はインピーダンス整合用コイル１０１５の抵抗値であり、それぞれの直列抵抗値は数Ω～数ｋΩ程度となる。
　携帯電話機のＲＦ回路などにおいては、帯域フィルタである弾性表面波フィルタ装置の後段にＩＣが直接接続されることが多い。このような場合、上記直列抵抗値が低いと、ＩＣに接続されている直流電源から供給される直流電流がグラウンド電位に流れやすくなることから、ＩＣに十分な直流電流が流れなくなり、ＩＣの動作不良が生じるおそれがあった。従って、弾性表面波フィルタ装置１００１は、直列抵抗値が数Ω～数ｋΩ程度と低いため、後段にＩＣが直接接続される用途に用いるのには好ましくなかった。
　本発明の目的は、上述した従来技術の欠点を解消し、静電気が加わった際の電極破壊を防止し得るだけでなく、入力端または出力端とグラウンド電位との間の直列抵抗値が十分に高く、従って後段にＩＣが直接接続される用途に好適に用いられ得る弾性波フィルタ装置を提供することにある。
　本発明によれば、第１の端子と、第２の端子との間に接続されており、少なくとも一つのＩＤＴ電極を有する弾性波フィルタ部と、前記第１の端子と前記第２の端子との間において、前記弾性波フィルタ部に直列に接続されており、少なくとも一つのＩＤＴ電極を有する弾性波共振子と、前記弾性波フィルタ部と前記弾性波共振子とを接続している配線と、前記弾性波フィルタ部と前記弾性波共振子とを接続している配線とグラウンド電位との間に接続された抵抗とを備える、弾性波フィルタ装置が提供される。ここで、弾性波共振子は、弾性波フィルタ部の通過帯域とは異なる帯域に減衰帯域を形成する。
　本発明に係る弾性波フィルタ装置のある特定の局面によれば、前記第１の端子が不平衡端子であり、前記第２の端子が第１，第２の平衡端子であり、前記弾性波フィルタ部が平衡－不平衡変換機能を有する縦結合共振子型弾性波フィルタ部であり、前記弾性波共振子が、前記縦結合共振子型弾性波フィルタ部と前記第１の平衡端子との間において、前記縦結合共振子型弾性波フィルタ部に直列に接続された第１の弾性波共振子と、前記縦結合共振子型弾性波フィルタ部と前記第２の平衡端子との間において、前記縦結合共振子型弾性波フィルタ部に直列に接続された第２の弾性波共振子であり、前記配線が、前記縦結合共振子型弾性波フィルタ部と前記第１の弾性波共振子とを接続している第１の配線と、前記縦結合共振子型弾性波フィルタ部と前記第２の弾性波共振子とを接続している第２の配線であり、前記抵抗が、前記第１の配線とグラウンド電位との間に接続された第１の抵抗と、前記第２の配線とグラウンド電位との間に接続された第２の抵抗である。この場合には、平衡－不平衡変換機能を有する弾性波フィルタ装置において、第１，第２の平衡端子にＩＣを接続した場合に、第１の平衡端子及び第２の平衡端子のいずれの側においても、第１の抵抗及び第２の抵抗により弾性波フィルタ部のＩＤＴ電極の静電気からの保護が図られる。
　本発明に係る弾性波フィルタ装置では、上記抵抗は、膜状の抵抗体で形成されてもよく、線状の抵抗体で形成されてもよい。膜状の抵抗体の場合には、薄膜形成法により適宜の抵抗値を有する抵抗を容易に形成することができる。また、線状の抵抗体は、曲線状、ミアンダ状、またはスパイラル状などの様々な平面形状を有するように形成され得る。特に、線状の抵抗体がミアンダ状の平面形状を有する場合には、抵抗形成領域において単位面積あたりの抵抗値を高めることができる。
　上記抵抗は、好ましくは、金属、金属酸化物または金属化合物等の導電性を有する材料からなる。抵抗がこれらのような材料からなる場合には、抵抗値が適度に低いので、静電気による電流が上記抵抗を確実に流れ、弾性波フィルタ部のＩＤＴ電極の破壊を防ぐことができる。
　本発明に係る弾性波フィルタ装置のさらに他の特定の局面では、前記弾性波フィルタ部の前記ＩＤＴ電極のデューティが、前記弾性波共振子の前記ＩＤＴ電極のデューティよりも大きくされている。この場合には、弾性波共振子の静電気に対する耐性を高めることができるため、静電気による弾性波共振子のＩＤＴ電極の電極破壊を防止することができる。
　本発明に係る弾性表面波フィルタ装置のさらに別の特定の局面では、前記弾性波共振子のＩＤＴ電極及び前記弾性波フィルタ部のＩＤＴ電極が、それぞれ、一対のバスバーと、各バスバーに接続された複数本の電極指とを有し、各電極指の先端と、各電極指の先端と対向するバスバーとの間にギャップが設けられており、前記弾性波共振子のＩＤＴ電極における前記ギャップが前記弾性波フィルタ部のＩＤＴ電極における前記ギャップよりも大きくされている。この場合には、弾性波共振子の静電気に対する耐性を高めることができるため、静電気による弾性波共振子のＩＤＴ電極の電極破壊を防止することができる。
　本発明に係る弾性波フィルタ装置のさらに別の特定の局面では、前記弾性波共振子の容量と前記抵抗のインダクタンスとで形成される直列ＬＣ共振回路の共振周波数が、前記弾性波フィルタ装置の通過帯域外に位置している。従って、弾性波フィルタ装置のフィルタ特性の劣化を招くことなく、静電気からの保護を確実に図ることができる。
　本発明の弾性波フィルタ装置では、弾性波フィルタ部と弾性波共振子とを接続している配線とグラウンド電位との間に抵抗が接続されている。そのため、静電気は抵抗を介してグラウンド電位に流れるため、静電気による弾性波フィルタ部のＩＤＴ電極の電極破壊を防止することができる。さらに、弾性波フィルタ装置の後段にＩＣが接続される場合、抵抗の抵抗値を静電気がグラウンド電位に流れる程度に低くしたとしても、ＩＣに接続される端子と抵抗との間に配置された弾性波共振子によって、ＩＣに接続される端子とグラウンド電位との間の直流抵抗値が高くなる。その結果、ＩＣに接続されている直流電源から供給される直流電流が抵抗を介してグラウンド電位に流れなくなり、弾性波フィルタ装置の後段に接続されるＩＣに直流電流が十分に流れることになり、ＩＣが確実に動作する。
　また、弾性波フィルタ装置の後段にＩＣが接続される場合、弾性波共振子が直流カットコンデンサとして機能するため、ＩＣに接続されている直流電源から供給される直流電流が抵抗を介してグラウンド電位に流れなくなり、弾性波フィルタ装置の後段に接続されるＩＣに直流電流が十分に流れることになる。そのため、弾性波フィルタ装置の後段に接続されるＩＣの動作不良を防止することができる。
　ここで、弾性波共振子には静電気が流れるものの、弾性波フィルタ部のＩＤＴ電極のデューティ比よりも弾性波共振子のＩＤＴ電極のデューティ比を小さくしたり、弾性波フィルタ部のＩＤＴ電極の電極指－バスバー間のギャップよりも弾性波共振子のＩＤＴ電極の電極指－バスバー間のギャップを大きくしたりすることで、弾性波共振子を静電気に対する耐性が高い構造とすることが容易にできるため、静電気による弾性波共振子のＩＤＴ電極の電極破壊を防止することができる。また、直列に接続された複数の弾性波共振子を用いることによっても、静電気による弾性波共振子のＩＤＴ電極の電極破壊を防止することができる。
　よって、本発明によれば、静電気による弾性波フィルタ部の破壊を防止し、しかも弾性波フィルタ装置の後段に接続されるＩＣの動作不良を確実に防止することが可能となる。
　よって、本発明に係る弾性波フィルタ装置は、例えば携帯電話機のＲＦ回路において後段にＩＣが接続されるフィルタ装置などに好適に用いることができる。
図１（ａ）は本発明の第１の実施形態に係る弾性波フィルタ装置の模式的平面図であり、（ｂ）は第１の実施形態で用いられている第１の抵抗の平面図である。 図２は、本発明の第１の実施形態の変形例において、実装基板上に別体の部品として抵抗素子が搭載されている構造を示す模式的正面図である。 図３は、本発明の第１の実施形態の第１の変形例に係る弾性波フィルタ装置の電極構造を示す模式的平面図である。 図４は、本発明の第１の実施形態の第２の変形例に係る弾性波フィルタ装置の電極構造を示す模式的平面図である。 図５は、本発明の第１の実施形態の第３の変形例に係る弾性波フィルタ装置の電極構造を示す模式的平面図である。 図６は、本発明の第１の実施形態の第４の変形例に係る弾性波フィルタ装置の電極構造を示す模式的平面図である。 図７は、本発明の第１の実施形態の第５の変形例に係る弾性波フィルタ装置の電極構造を示す模式的平面図である。 図８は、本発明の第１の実施形態の第６の変形例に係る弾性波フィルタ装置の電極構造を示す模式的平面図である。 図９（ａ）は、本発明の第１の実施形態の第７の変形例に係る弾性波フィルタ装置の電極構造を示す模式的平面図であり、（ｂ）は該弾性波フィルタ装置の縦結合共振子型弾性波フィルタ部のＩＤＴ電極を説明するための平面図である。 図１０は、本発明の第２の実施形態に係る弾性波フィルタ装置の電極構造を示す模式的平面図である。 図１１は、従来の弾性表面波フィルタ装置を説明するための模式的平面図である。
　以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。
　図１（ａ）は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波フィルタ装置の模式的平面図であり、（ｂ）は本実施形態で用いられている抵抗を示す模式的平面図である。
　本実施形態の弾性波フィルタ装置１は、弾性波フィルタ素子と実装基板（図示せず）からなり、弾性波フィルタ素子は圧電基板２を有する。圧電基板２上に、図１（ａ）に示されている電極構造が形成されており、それによって、弾性表面波を利用した弾性表面波フィルタ装置が形成されている。本実施形態の弾性波フィルタ装置１は、弾性波フィルタ素子が実装基板にフリップチップボンディング実装された構成を有するが、図１（ａ）では弾性波フィルタ装置１の弾性波フィルタ素子のみを図示している。
　圧電基板２は、適宜の圧電単結晶または圧電セラミックスからなる。圧電単結晶としては、ＬｉＴａＯ３、ＬｉＮｂＯ３または水晶などを用いることができる。
　弾性波フィルタ装置１は、第１の端子としての不平衡端子３と、第２の端子としての第１，第２の平衡端子４，５とを有する。本実施形態の弾性波フィルタ装置１は、入力端子としての不平衡端子３と、出力端子としての第１，第２の平衡端子４，５とを有し、平衡－不平衡変換機能を有する。平衡－不平衡変換機能を実現するために、不平衡端子３と第１の平衡端子４との間に第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ部１１が接続されており、不平衡端子３と第２の平衡端子５との間に第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ部１２が接続されている。
　第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ部１１は、弾性波伝搬方向に沿って順に配置された第１～第３のＩＤＴ電極１１ａ～１１ｃを有する。第１～第３のＩＤＴ電極１１ａ～１１ｃが設けられている領域の弾性波伝搬方向両側に、反射器１１ｄ，１１ｅが配置されている。すなわち、第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ部１１は、３ＩＤＴ型の縦結合共振子型弾性波フィルタである。
　第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ部１２もまた、弾性波伝搬方向に沿って順に配置された第１～第３のＩＤＴ電極１２ａ～１２ｃと、第１～第３のＩＤＴ電極１２ａ～１２ｃが設けられている領域の弾性波伝搬方向両側に配置された反射器１２ｄ，１２ｅとを有する。すなわち、第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ部１２は、３ＩＤＴ型の縦結合共振子型弾性波フィルタである。
　平衡－不平衡変換機能を実現するために、不平衡端子３から入力されて第１の平衡端子４から出力される信号の位相と、不平衡端子３から入力されて第２の平衡端子５から出力される信号の位相とが１８０度異なるように、第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ部１１の第１～第３のＩＤＴ電極１１ａ～１１ｃと、第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ部１２の第１～第３のＩＤＴ電極１２ａ～１２ｃとが形成されている。
　第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ部１１と第１の平衡端子４との間に、第１の弾性波共振子１３が第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ部１１に直列に接続されている。第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ部１２と第２の平衡端子５との間に、第２の弾性波共振子１４が第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ部１２に直列に接続されている。不平衡端子３と第１，第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ部１１，１２との間に、第３の弾性波共振子１５が第１，第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ部１１，１２に直列に接続されている。第１の弾性波共振子１３の反共振周波数、第２の弾性波共振子１４の反共振周波数、第３の弾性波共振子１５の反共振周波数は、それぞれ、第１，第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ部１１，１２の通過帯域とは異なる帯域に配置されている。これにより、第１の弾性波共振子１３、第２の弾性波共振子１４、第３の弾性波共振子１５は、第１，第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ部１１，１２の通過帯域とは異なる帯域に減衰帯域を形成する。第１～第３の弾性波共振子１３～１５は、図１（ａ）に示すように、圧電基板２上に形成されたＩＤＴ電極を有する。なお、第１～第３の弾性波共振子１３～１５においては、ＩＤＴ電極の弾性波伝搬方向両側に反射器が配置されていてもよい。
　上記電極構造をより具体的に説明すると、第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ部１１及び第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ部１２の各第２のＩＤＴ電極１１ｂ，１２ｂの一端が共通接続され、第３の弾性波共振子１５を介して不平衡端子３に接続されている。第２のＩＤＴ電極１１ｂ，１２ｂの各他端はグラウンド電位に接続されている。
　第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ部１１において、第１，第３のＩＤＴ電極１１ａ，１１ｃの各一端はグラウンド電位に接続されており、各他端は第１の弾性波共振子１３を介して第１の平衡端子４に接続されている。ここで、ＩＤＴ電極１１ａ，１１ｃと第１の弾性波共振子１３とを接続している配線を第１の配線１６とする。この第１の配線１６とグラウンド電位との間に、第１の抵抗１７が接続されている。第１の抵抗１７は、本実施形態では、図１（ｂ）に模式的平面図で示すように、ミアンダ状の平面形状を有する。すなわち、線状抵抗体をミアンダ状の平面形状を有するように蛇行させることにより、第１の抵抗１７が形成されている。従って、第１の抵抗１７の抵抗値を大きくすることができる。
　なお、上記第１の抵抗１７は、適宜の抵抗性材料で形成することができる。このような抵抗性材料は、求められる抵抗値に応じて適宜選択されるが、例えば金属、金属酸化物または、金属酸化物以外の金属化合物を用いることができる。金属、金属酸化物または金属化合物を用いた場合には、抵抗値が適度に低いので、静電気による電流が上記抵抗を確実に流れ、ＩＤＴ電極の破壊を防ぐことができる。
　上記第１の抵抗１７を形成する金属としては、例えば、Ａｌ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ａｕ、Ｐｔなどを挙げることができる。なかでも、静電気に対する耐性を高めるため抵抗値が低いＡｌ、Ｃｕが好ましい。
　また、上記金属酸化物としては、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｔｉなどの酸化物などを挙げることができる。金属化合物としてはＮｉ－Ｃｒ、Ｔｉ－Ｎなどを挙げることができる。
　第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ部１２側においても、第１，第３のＩＤＴ電極１２ａ，１２ｃの各一端はグラウンド電位に接続されており、各他端は第２の弾性波共振子１４を介して第２の平衡端子５に接続されている。ここで、ＩＤＴ電極１２ａ，１２ｃと第２の弾性波共振子１４とを接続している配線を第２の配線１８とする。この第２の配線１８とグラウンド電位との間に、第２の抵抗１９が接続されている。第２の抵抗１９は、第１の抵抗１７と同様に形成されている。
　本実施形態の弾性波フィルタ装置１によれば、上記第１，第２の抵抗１７，１９が、第１，第２の配線１６，１８とグラウンド電位との間に接続されているため、第１，第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ部１１，１２の静電気による破壊を防止しつつ、弾性波フィルタ装置１の後段に接続されるＩＣの動作不良を確実に防止することができる。これは、以下の理由による。
　従来、第１の端子と第２の端子との間に弾性表面波フィルタ部と弾性表面波共振子とを直列に接続した弾性表面波フィルタ装置において、弾性表面波フィルタ装置の第２の端子にＩＣを接続する場合、静電気からの保護を図るために、弾性表面波共振子と第２の端子とを接続している配線とグラウンド電位との間に抵抗を接続した構成が採用されていた。しかしながら、このような回路構成では、静電気がグラウンド電位に流れる程度に抵抗の抵抗値を小さくすると、ＩＣに接続されている直流電源から供給される直流電流も抵抗を介してグラウンド電位に流れる。そのため、ＩＣに十分な直流電流が供給されず、ＩＣの動作不良が生じやすくなる。逆に、抵抗の抵抗値を大きくすると、静電気がグラウンド電位に流れず、静電気からの弾性表面波フィルタ部の保護を図ることができなくなる。
　他方、第１の端子と第２の端子との間に弾性表面波フィルタ部と弾性表面波共振子とを直列に接続し、弾性表面波共振子と第２の端子とを接続する配線とグラウンド電位との間に抵抗を接続した弾性表面波フィルタ装置において、弾性表面波フィルタ装置の第２の端子にＩＣを接続する場合、さらに、第２の端子に接続されるＩＣと第２の端子との間に直流をカットするためのコンデンサを接続することも考えられる。この場合には、ＩＣに接続されている直流電源から供給される直流電流は、直流カット用のコンデンサにより、上記抵抗を介してグラウンド電位には流れない。そのため、ＩＣに十分な直流電流が供給され、ＩＣの動作不良を防止することができると考えられる。しかしながら、このような回路構成では、抵抗に加えて、直流カット用のコンデンサを接続しなければならない。そのため、部品点数が増大し、コストが高くつき、さらに装置の大型化を招くこととなる。
　これに対して、本実施形態によれば、第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ部１１と第１の弾性波共振子１３とを接続している第１の配線１６とグラウンド電位との間に第１の抵抗１７が接続されており、第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ部１２と第２の弾性波共振子１４とを接続している第２の配線１８とグラウンド電位との間に第２の抵抗１９が接続されているため、静電気は第１，第２の抵抗１７，１９を介してグラウンド電位に流れ、静電気による第１，第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ部１１，１２のＩＤＴ電極の電極破壊を防止することができる。
　さらに、弾性波フィルタ装置の後段にＩＣが接続される場合、第１，第２の抵抗１７，１９の抵抗値を静電気がグラウンド電位に流れる程度に低くしたとしても、ＩＣに接続される第１，第２の平衡端子４，５と第１，第２の抵抗１７，１９との間に配置された第１，第２の弾性波共振子１３，１４によって、第１の平衡端子４とグラウンド電位との間の直流抵抗値並びに第２の平衡端子５とグラウンド電位との間の直流抵抗値が高くなる。その結果、ＩＣに接続されている直流電源から供給される直流電流が第１，第２の抵抗１７，１９を介してグラウンド電位に流れなくなり、弾性波フィルタ装置の後段に接続されるＩＣに直流電流が十分に流れることになり、ＩＣが確実に動作する。
　また、弾性波フィルタ装置の後段にＩＣが接続される場合、第１，第２の弾性波共振子１３，１４が直流カットコンデンサとしても機能するため、ＩＣに接続されている直流電源から供給される直流電流が、第１，第２の抵抗１７，１９を介してグラウンド電位に流れなくなり、弾性波フィルタ装置の後段に接続されるＩＣに直流電流が十分に流れることになる。そのため、弾性波フィルタ装置の後段に接続されるＩＣの動作不良を防止することができる。すなわち、静電気による第１，第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ部１１，１２のＩＤＴ電極の電極破壊を防止することができるだけでなく、後段に接続されるＩＣの動作不良を確実に防止することができる。
　なお、本実施形態では、第１，第２の弾性波共振子１３，１４に静電気が流れることとなるが、第１，第２の弾性波共振子１３，１４については、第１，第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ部１１，１２に比べて静電気に対する耐性が高い構造とすることが容易である。すなわち、第１，第２の弾性波共振子１３，１４において、第１，第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ部１１，１２のＩＤＴ電極のデューティ比よりも第１，第２の弾性波共振子１３，１４のＩＤＴ電極のデューティ比を小さくしたり、第１，第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ部１１，１２のＩＤＴ電極の電極指－バスバー間のギャップよりも第１，第２の弾性波共振子１３，１４のＩＤＴ電極の電極指－バスバー間のギャップを大きくしたりすることによって、第１，第２の弾性波共振子１３，１４を静電気に対する耐性が高い構造とすることが容易にできるため、静電気による弾性波共振子のＩＤＴ電極の電極破壊を防止することができる。
　図１１に示した特許文献１に記載の弾性表面波フィルタ装置１００１では、インピーダンス整合用コイル１０１４，１０１５を用いていたため、入力側端子電極１００７とグラウンド電極１００８との間の直列抵抗値はインピーダンス整合用コイル１０１４の抵抗値であり、出力側端子電極１０１０とグラウンド電極１０１２との間の直列抵抗値はインピーダンス整合用コイル１０１５の抵抗値であり、それぞれの直列抵抗値は数Ω～数ｋΩ程度と低かった。そのため、弾性表面波フィルタ装置１００１の後段にＩＣが直接接続される場合、直列抵抗値が低いことでＩＣに接続されている直流電源から供給される直流電流がグラウンド電位に流れやすくなることから、ＩＣに十分な直流電流が流れなくなり、弾性表面波フィルタ装置１００１の後段に接続されるＩＣの動作不良が生じることがあった。これに対して、本実施形態の弾性波フィルタ装置１によれば、第１，第２の抵抗１７，１９が、第１，第２の配線１６，１８とグラウンド電位との間に接続されているため、上記の理由から、静電気による第１，第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ部１１，１２のＩＤＴ電極の電極破壊を防止することができるだけでなく、後段に接続されるＩＣの動作不良を確実に防止することができる。
　なお、上記実施形態では、第１，第２の抵抗１７，１９はミアンダ状の形状とされていたが、スパイラル状や直線状などの他の形状を有していてもよい。また、第１，第２の抵抗１７，１９の平面形状は特に限定されず、膜状抵抗体の場合には、圧電基板や実装基板上あるいは圧電基板や実装基板内に薄膜形成法により容易に形成することができる。
　また、このような線状抵抗体や膜状抵抗体は、弾性波フィルタ装置１の圧電基板２上あるいは圧電基板２内に形成されてもよく、また弾性波フィルタ素子が搭載される実装基板上または実装基板内に形成されてもよい。
　さらに、第１，第２の抵抗１７，１９は、図２に模式的に示すように、実装基板２０上に搭載された別部品としての第１，第２の抵抗素子１７Ａ，１９Ａであってもよい。
　実装基板２０上には、弾性波フィルタ素子１Ａと、第１，第２の抵抗素子１７Ａ，１９Ａが実装されている。弾性波フィルタ素子１Ａは、図１（ａ）で図示されている上記実施形態の弾性表面波フィルタ装置１の弾性波フィルタ素子から第１，第２の抵抗１７，１９が除かれた構成を有する。
　好ましくは、第１，第２の抵抗１７，１９は、圧電基板２上に形成することが望ましく、その場合には、弾性波フィルタ装置全体の小型化を図ることができる。
　なお、上記第１の抵抗１７と第１の弾性波共振子１３とにより、直列ＬＣ共振回路を形成しているとみなすことができる。すなわち、ミアンダ状の線状抵抗体からなる第１の抵抗１７によるインダクタンスＬと、第１の弾性波共振子１３の容量Ｃとにより、直列ＬＣ共振回路が形成されているとみなすことができる。この場合、好ましくは、弾性波フィルタ装置１のフィルタ特性を損なわないためには、上記直列ＬＣ共振回路の共振周波数は、弾性波フィルタ装置１の通過帯域外に位置していることが望ましい。従って、そのようなインダクタンスＬ及び容量Ｃを有するように、第１の抵抗１７と第１の弾性波共振子１３とを構成することが望ましい。
　同様に、第２の抵抗１９と第２の弾性波共振子１４とについても、上記と同様に直列ＬＣ共振回路の共振周波数が弾性波フィルタ装置１の通過帯域外に位置するように形成されていることが望ましい。
　また、上記実施形態では、第１の弾性波共振子１３が第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ部１１に直列に接続され、第２の弾性波共振子１４が第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ部１２に直列に接続されている構成であったが、第１の弾性波共振子１３及び第２の弾性波共振子１４に加えて、さらに他の弾性波共振子を接続してもよい。例えば、第１の弾性波共振子１３と第１の抵抗１７とを接続している配線とグラウンド電位との間に弾性波共振子を接続し、第２の弾性波共振子１４と第２の抵抗１９とを接続している配線とグラウンド電位との間に弾性波共振子を接続してもよい。
　本発明においては、弾性波フィルタ部に直列に接続されている弾性波共振子が、ＩＣに接続される端子と抵抗との間に配置されていることにより、ＩＣに接続される端子とグラウンド電位との間の直流抵抗値が高くなる。その結果、ＩＣに接続されている直流電源から供給される直流電流が抵抗を介してグラウンド電位に流れなくなり、弾性波フィルタ装置の後段に接続されるＩＣに直流電流が十分に流れることになり、ＩＣが確実に動作することになる。
　一方、入力端子とＩＣに接続される出力端子との間に弾性波フィルタ部が接続され、出力端子と弾性波フィルタ部とを接続している配線とグラウンド電位との間に抵抗が接続され、出力端子と弾性波フィルタ部とを接続している配線において、抵抗が接続されている箇所と出力端子との間の配線部分とグラウンド電位との間に弾性波共振子が接続されるような構成では、ＩＣに接続される端子とグラウンド電位との間の直流抵抗値が低くなり、ＩＣの動作不良が生じるおそれがある。
　本発明においては、ＩＣに接続される端子と弾性波フィルタ部との間に弾性波共振子が直列に接続され、弾性波フィルタ部と弾性波共振子とを接続している配線とグラウンド電位との間に抵抗が接続された構成を備えていれば、すなわち、ＩＣに接続される端子と抵抗との間に、弾性波フィルタ部に直列に接続されている弾性波共振子が配置されていれば、さらに他の弾性波共振子が接続されてもよい。
　図３は、本発明の第１の実施形態の第１の変形例に係る弾性波フィルタ装置の電極構造を示す模式的平面図である。本変形例の弾性波フィルタ装置３１では、第１の弾性波共振子１３に換えて、弾性波共振子１３ａ，１３ｂが第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ部１１に直列に接続されていると共に、第２の弾性波共振子１４に換えて、弾性波共振子１４ａ，１４ｂが第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ部１２に直列に接続されている。
　このように、複数の弾性波共振子を直列接続した多段構成を備えているので、複数の弾性波共振子に加わる静電気の電圧が複数の弾性波共振子のそれぞれに分圧される。従って、静電気による弾性波共振子のＩＤＴ電極の電極破壊を確実に防止することができる。
　第１，第２の抵抗１７，１９は、本変形例では、弾性波共振子１３ａ，１３ｂを接続している配線とグラウンド電位との間に接続されており、第２の抵抗１９は、弾性波共振子１４ａ，１４ｂを接続している配線とグラウンド電位との間に接続されている。本変形例においても、第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ部１１と第１の平衡端子４との間に、第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ部１１に直列に接続された弾性波共振子１３ｂが配置され、第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ部１１と弾性波共振子１３ｂとを接続する配線とグラウンド電位との間に第１の抵抗１７が接続されている。さらに、第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ部１２と第２の平衡端子５との間に、第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ部１２に直列に接続された弾性波共振子１４ｂが配置され、第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ部１２と弾性波共振子１４ｂとを接続する配線とグラウンド電位との間に第２の抵抗１９が接続されている。従って、本発明の第１の実施形態と同様に、静電気による第１，第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ部１１，１２のＩＤＴ電極の電極破壊を防止しつつ、弾性波フィルタ装置３１の後段に接続されるＩＣの動作不良を確実に防止することができる。
　また、図４に示す本発明の第１の実施形態の第２の変形例の弾性波フィルタ装置４１のように、第１，第２の抵抗１７，１９は、第１，第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ部１１，１２と弾性波共振子１３ａ，１４ａとをそれぞれ接続している第１，第２の配線１６，１８とグラウンド電位との間にそれぞれ接続されていてもよい。
　図５は、本発明の第１の実施形態の第３の変形例に係る弾性波フィルタ装置の電極構造を示す平面図である。
　本変形例の弾性波フィルタ装置５１は、不平衡端子３側において、不平衡端子３と第３の弾性波共振子１５とを接続している配線とグラウンド電位との間に第３の抵抗５２が接続されていることを除いては、図１（ａ）に示した第１の実施形態と同様に構成されている。不平衡端子３はＩＣには接続されない端子である。従って、不平衡端子３側においては、不平衡端子３とグラウンド電位との間の直列抵抗値が小さくなっても、さほど問題とはならない。
　静電気は、第１，第２の平衡端子４，５から第１，第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ部１１，１２に向かって流れるだけではなく、不平衡端子３から第１，第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ部１１，１２に向かっても流れる。よって、本変形例のように、不平衡端子３と第３の弾性波共振子１５とを接続している配線とグラウンド電位との間に第３の抵抗５２を接続することにより、不平衡端子３から流入する静電気は第３の抵抗５２を介してグラウンド電位に流れることになり、静電気による第１，第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ部１１，１２のＩＤＴ電極の電極破壊を防止することができる。
　図６は、本発明の第１の実施形態の第４の変形例に係る弾性波フィルタ装置の電極構造を示す模式的平面図である。本変形例の弾性波フィルタ装置６１では、第３の変形例と同様に、第３の抵抗５２が不平衡端子３に接続されているが、第３の弾性波共振子１５は接続されていない。すなわち、目的とするフィルタ特性に応じ、第３の弾性波共振子１５が不要である場合には、第３の弾性波共振子１５を省略してもよい。その場合においても、不平衡端子３と第１，第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ部１１，１２とを接続している配線とグラウンド電位との間に、第３の抵抗５２を接続することにより、弾性波フィルタ装置６１の静電気に対する耐性をより効果的に高めることができる。
　図７は、本発明の第１の実施形態の第５の変形例に係る弾性波フィルタ装置の電極構造を示す模式的平面図である。図７に示すように、本変形例の弾性波フィルタ装置７１では、第３の抵抗５２が第３の弾性波共振子１５と第１，第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ部１１，１２とを接続している配線とグラウンド電位との間に接続されている。すなわち、不平衡端子３側においても、不平衡端子３とグラウンド電位との間の直列抵抗値の低下が好ましくない用途の場合には、本変形例のように、第３の弾性波共振子１５と第１，第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ部１１，１２とを接続している配線とグラウンド電位との間に第３の抵抗５２を接続することが望ましい。
　図８は、本発明の第１の実施形態の第６の変形例に係る弾性波フィルタ装置の電極構造を示す模式的平面図である。本変形例の弾性波フィルタ装置７２では、第１，第２の弾性波共振子１３，１４のＩＤＴ電極のデューティ比が、第１，第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ部１１，１２のＩＤＴ電極１１ａ，１１ｃ，１２ａ，１２ｃのデューティ比よりも小さくされていることにある。より具体的には、第１，第２の弾性波共振子１３，１４のＩＤＴ電極のデューティ比が０．５０、第１，第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ部１１，１２のＩＤＴ電極１１ａ，１１ｃ，１２ａ，１２ｃのデューティ比が０．６５とされている。その他の点については、本変形例は第１の実施形態と同様とされている。
　第１，第２の弾性波共振子１３，１４のＩＤＴ電極のデューティ比を相対的に小さくすることにより、静電気が第１，第２の弾性波共振子１３，１４に流れた場合であっても、第１，第２の弾性波共振子１３，１４の静電気による破壊を確実に防止することができる。すなわち、第１，第２の弾性波共振子１３，１４のＩＤＴ電極のデューティ比を第１，第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ部１１，１２のＩＤＴ電極のデューティ比よりも小さくすることにより、第１，第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ部１１，１２に比べて、第１，第２の弾性波共振子１３，１４の静電気に対する耐性を高めることができるため、静電気による第１，第２の弾性波共振子１３，１４のＩＤＴ電極の電極破壊を容易に防止することができる。
　図９（ａ），（ｂ）は、本発明の第１の実施形態の第７の変形例に係る弾性波フィルタ装置の電極構造を示す模式的平面図及びＩＤＴ電極におけるギャップを説明するためのＩＤＴ電極の平面図である。
　図９（ａ）に示す本変形例の弾性波フィルタ装置７３では、第１，第２の弾性波共振子１３，１４のＩＤＴ電極のバスバーと電極指との間のギャップが、第１，第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ部１１，１２のＩＤＴ電極１１ａ，１１ｃ，１２ａ，１２ｃにおけるバスバーと電極指の間のギャップよりも大きくされている。その他の点においては、本変形例は第１の実施形態と同様とされている。
　なお、上記ギャップは、図９（ｂ）に示すように、例えば第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ部１１のＩＤＴ電極１１ａを例にとると、一方の電位に接続される電極指７４の先端と、他方の電位に接続されるバスバー７５との間のギャップＧをいうものとする。
　なお、図９（ｂ）では、ＩＤＴ電極１１ａにおいて、バスバー７５における電極指７４の先端と対向する位置に、バスバー７５から電極指７４側に向かって延びるダミー電極７６が設けられている。この場合、ダミー電極７６の先端と電極指７４の先端との間の距離がギャップＧとなる。ダミー電極７６が設けられていない場合には、バスバー７５と電極指７４の先端との間の距離がギャップとなる。すなわち、バスバーと電極指との間のギャップとは、一方の電位に接続される電極指の先端側から他方の電位に接続されるバスバー側に向かって延びる方向において、一方の電位に接続される電極指の先端と、他方の電位に接続されるバスバー及び当該バスバーに連なっている部分の内で一方の電位に接続される電極指の先端と最も近接している部分との間の領域をいうものとする。
　本変形例においては、具体的には、第１，第２の弾性波共振子１３，１４のＩＤＴ電極のバスバーと電極指との間のギャップの大きさが０．８μｍ、第１，第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ部１１，１２のＩＤＴ電極１１ａ，１１ｃ，１２ａ，１２ｃのバスバーと電極指との間のギャップが０．３μｍとされている。第１，第２の弾性波共振子１３，１４のＩＤＴ電極のバスバーと電極指との間のギャップを相対的に大きくすることにより、バスバーと電極指の先端との間での放電が起こりにくくなり、静電気が第１，第２の弾性波共振子１３，１４に流れた場合であっても、静電気による第１，第２の弾性波共振子１３，１４のＩＤＴ電極の電極破壊を確実に防止することができる。このように、第１，第２の弾性波共振子１３，１４については、静電気が流れるにしても、静電気に対する耐性が高い構造とすることが容易である。従って、ＩＣの動作不良を防止しつつ、静電気による第１，第２の弾性波共振子１３，１４のＩＤＴ電極の電極破壊を容易に防止することができる。
　上記図５～図９に示した第３～第７の変形例においても、第１，第２の平衡端子４，５側において、第１の実施形態と同様に、第１，第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ部１１，１２と第１，第２の弾性波共振子１３，１４とを接続している第１，第２の配線１６，１８とグラウンド電位との間に第１，第２の抵抗１７，１９がそれぞれ接続されているので、上記実施形態と同様に、静電気による第１，第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ部１１，１２のＩＤＴ電極の電極破壊を防止しつつ、弾性波フィルタ装置の後段に接続されるＩＣの動作不良を確実に防止することができる。
　図１０は、本発明の第２の実施形態に係る弾性波フィルタ装置の電極構造を示す模式的平面図である。本実施形態の弾性波フィルタ装置８１は、不平衡入力、不平衡出力の弾性波フィルタ装置である。本発明は、このように、不平衡入力、不平衡出力の弾性波フィルタ装置にも適用することができる。
　本実施形態の弾性波フィルタ装置８１では、圧電基板上に図１０に示すような電極構造が形成されている。本実施形態の弾性波フィルタ装置８１は、第１の実施形態と同様に、弾性波フィルタ素子が実装基板にフリップチップボンディング実装された構成を有するが、図１０では弾性波フィルタ装置８１の弾性波フィルタ素子のみを図示している。本実施形態の弾性波フィルタ装置８１では、入力端子８２と出力端子８３との間に図示の電極構造が接続されている。すなわち、入力端子８２と出力端子８３との間に、第１，第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ部８４，８５が並列に接続されている。第１，第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ部８４，８５は、いずれも、３個のＩＤＴ電極８４ａ～８４ｃ，８５ａ～８５ｃ及び反射器８４ｄ，８４ｅ，８５ｄ，８５ｅを有する３ＩＤＴ型の縦結合共振子型弾性波フィルタであり、両者は同様に構成されている。
　第１，第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ部８４，８５の中央の第２のＩＤＴ電極８４ｂ，８５ｂの各一端が共通接続され、入力側弾性波共振子８６を介して入力端子８２に接続されている。また、第１，第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ部８４，８５の第１，第３のＩＤＴ電極８４ａ，８４ｃ，８５ａ，８５ｃの各一端が共通接続され、出力側弾性波共振子８７を介して出力端子８３に接続されている。第１，第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ部８４，８５のＩＤＴ電極８４ａ～８４ｃ及び８５ａ～８５ｃの各他端はそれぞれグラウンド電位に接続されている。
　第１，第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ部８４，８５と出力側弾性波共振子８７とを接続している配線８８とグラウンド電位との間に抵抗８９が接続されている。本実施形態の弾性波フィルタ装置８１によれば、抵抗８９が、配線８８とグラウンド電位との間に接続されているため、静電気による第１，第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ部８４，８５のＩＤＴ電極の電極破壊を防止しつつ、弾性波フィルタ装置８１の後段に接続されるＩＣの動作不良を確実に防止することができる。
　なお、上述してきた第１，第２の実施形態及び各変形例では、第１，第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ部が一方の端子に並列に接続されていたが、本発明における弾性波フィルタ部の構成はこれに限定されるものではない。本発明においては、３つ以上の縦結合共振子型弾性波フィルタ部が用いられていてもよく、１つの縦結合共振子型弾性波フィルタ部が用いられていてもよい。また、ラダー型フィルタのように、縦結合共振子型弾性波フィルタ以外の弾性波フィルタ部が用いられてもよい。
　また、本発明は、弾性表面波を利用した弾性表面波フィルタ装置に限らず、弾性境界波を利用した弾性境界波フィルタ装置にも適用することができる。
　１…弾性表面波フィルタ装置
　２…圧電基板
　３…不平衡端子
　４…第１の平衡端子
　５…第２の平衡端子
　１１…第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ部
　１２…第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ部
　１１ａ～１１ｃ…ＩＤＴ電極
　１１ｄ，１１ｅ…反射器
　１２ａ～１２ｃ…ＩＤＴ電極
　１２ｄ，１２ｅ…反射器
　１３…第１の弾性波共振子
　１３ａ，１３ｂ…弾性波共振子
　１４…第２の弾性波共振子
　１４ａ，１４ｂ…弾性波共振子
　１５…第３の弾性波共振子
　１６…第１の配線
　１７…第１の抵抗
　１７Ａ…抵抗素子
　１８…第２の配線
　１９…第２の抵抗
　１９Ａ…抵抗素子
　２０…実装基板
　３１…弾性波フィルタ装置
　４１…弾性波フィルタ装置
　５１…弾性波フィルタ装置
　５２…第３の抵抗
　６１…弾性波フィルタ装置
　７１…弾性波フィルタ装置
　７２…弾性波フィルタ装置
　７３…弾性波フィルタ装置
　７４…電極指
　７５…バスバー
　７６…ダミー電極
　８１…弾性波フィルタ装置
　８２…入力端子
　８３…出力端子
　８４…第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ部
　８４ａ～８４ｃ…ＩＤＴ電極
　８４ｄ，８４ｅ…反射器
　８５…第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ部
　８５ａ～８５ｃ…ＩＤＴ電極
　８５ｄ，８５ｅ…反射器
　８６…入力側弾性波共振子
　８７…出力側弾性波共振子
　８８…配線
　８９…抵抗

Claims (8)

  1. 　第１の端子と、第２の端子との間に接続されており、少なくとも一つのＩＤＴ電極を有する弾性波フィルタ部と、
    　前記第１の端子と前記第２の端子との間において、前記弾性波フィルタ部に直列に接続されており、少なくとも一つのＩＤＴ電極を有する弾性波共振子と、
    　前記弾性波フィルタ部と前記弾性波共振子とを接続している配線と、
    　前記弾性波フィルタ部と前記弾性波共振子とを接続している配線とグラウンド電位との間に接続された抵抗とを備える、弾性波フィルタ装置。
  2. 　前記第１の端子が不平衡端子であり、前記第２の端子が第１，第２の平衡端子であり、
    　前記弾性波フィルタ部が平衡－不平衡変換機能を有する縦結合共振子型弾性波フィルタ部であり、
    　前記弾性波共振子が、前記縦結合共振子型弾性波フィルタ部と前記第１の平衡端子との間において、前記縦結合共振子型弾性波フィルタ部に直列に接続された第１の弾性波共振子と、前記縦結合共振子型弾性波フィルタ部と前記第２の平衡端子との間において、前記縦結合共振子型弾性波フィルタ部に直列に接続された第２の弾性波共振子であり、
    　前記配線が、前記縦結合共振子型弾性波フィルタ部と前記第１の弾性波共振子とを接続している第１の配線と、前記縦結合共振子型弾性波フィルタ部と前記第２の弾性波共振子とを接続している第２の配線であり、
    　前記抵抗が、前記第１の配線とグラウンド電位との間に接続された第１の抵抗と、前記第２の配線とグラウンド電位との間に接続された第２の抵抗である、請求項１に記載の弾性波フィルタ装置。
  3. 　前記抵抗が膜状抵抗体または線状抵抗体からなる、請求項１または２に記載の弾性波フィルタ装置。
  4. 　前記抵抗が線状抵抗体からなり、ミアンダ状の平面形状を有する、請求項３に記載の弾性波フィルタ装置。
  5. 　前記抵抗が、金属、金属酸化物または金属化合物のいずれかからなる、請求項３または４に記載の弾性波フィルタ装置。
  6. 　前記弾性波フィルタ部の前記ＩＤＴ電極のデューティが、前記弾性波共振子の前記ＩＤＴ電極のデューティよりも大きい、請求項１～５のいずれか１項に記載の弾性波フィルタ装置。
  7. 　前記弾性波共振子のＩＤＴ電極及び前記弾性波フィルタ部のＩＤＴ電極が、それぞれ、一対のバスバーと、各バスバーに接続された複数本の電極指とを有し、各電極指の先端と、各電極指の先端と対向するバスバーとの間にギャップが設けられており、前記弾性波共振子のＩＤＴ電極における前記ギャップが前記弾性波フィルタ部のＩＤＴ電極における前記ギャップよりも大きい、請求項１～６のいずれか１項に記載の弾性波フィルタ装置。
  8. 　前記弾性波共振子の容量と前記抵抗のインダクタンスとで形成される直列ＬＣ共振回路の共振周波数が、前記弾性波フィルタ装置の通過帯域外に位置している、請求項１～７のいずれか１項に記載の弾性波フィルタ装置。
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