WO2018235689A1 - 弾性波フィルタ装置、複合フィルタ装置及びマルチプレクサ - Google Patents

弾性波フィルタ装置、複合フィルタ装置及びマルチプレクサ Download PDF

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Definitions

  • the present invention relates to an elastic wave filter device having a longitudinally coupled resonator type elastic wave filter and a plurality of parallel arm resonators, and a composite filter device and a multiplexer having the elastic wave filter device.
  • a ladder type filter is connected in series to a longitudinally coupled resonator type elastic wave filter.
  • the ground end of the parallel arm resonator of the ladder type filter and the ground end of the longitudinally coupled resonator type elastic wave filter are electrically separated on the chip.
  • FIG. 11 of Patent Document 2 discloses an elastic wave filter device as a prior art.
  • a ladder type filter is connected in series to the longitudinally coupled resonator type elastic wave filter.
  • the ground end of the parallel arm resonator of the ladder type filter and the input side ground end and the output side ground end of the longitudinally coupled resonator type elastic wave filter are connected in common.
  • An object of the present invention is to provide an elastic wave filter device capable of improving the attenuation characteristics of a specific frequency band in the attenuation band outside the pass band.
  • the elastic wave filter device is an elastic wave filter device having a series arm connecting an input terminal and an output terminal, and a plurality of parallel arms connected between the series arm and the ground potential.
  • a second parallel arm resonator provided on the second parallel arm, wherein the input-side ground end of the longitudinally coupled resonator type elastic wave filter is connected to the first and second parallel terminals.
  • At least one of the arm resonators The output-side ground end of the longitudinally coupled resonator type elastic wave filter is commonly connected to at least the other ground end of the first and second parallel arm resonators.
  • the capacitance of the first parallel arm resonator is different from the capacitance of the second parallel arm resonator.
  • a series arm resonator provided on the series arm is further provided, wherein the series arm resonator and the first and second parallel arm resonances are provided.
  • a ladder type filter is configured by at least one of the children. In this case, the filter characteristics of the elastic wave filter device can be further improved.
  • the input side ground end of the longitudinally coupled resonator type elastic wave filter and the output side ground end are commonly connected.
  • the ground can be strengthened.
  • attenuation characteristics in the vicinity of the pass band can be effectively improved.
  • the piezoelectric substrate is further provided, wherein the longitudinally coupled resonator type elastic wave filter and the first and second parallel arm resonators are configured.
  • first and second lead-out wirings connected to ground potential side end portions of the first and second parallel arm resonators are provided.
  • the inductance of the first lead-out wire between the ground potential side end of the first parallel arm resonator and the ground potential is included.
  • the first inductance is different from the second inductance including the inductance of the second lead-out wire between the ground potential side end of the second parallel arm resonator and the ground potential.
  • resonance characteristics of the first LC resonance by the capacitance and the first inductance of the first parallel arm resonator, the capacitance of the second parallel arm resonator, and the second inductance Attenuation poles can be provided in different frequency ranges by utilizing the resonance characteristics of the second LC resonance according to.
  • the composite filter device according to the present invention comprises a plurality of filter devices whose one end is commonly connected to a common terminal, and at least one of the plurality of filter devices is an elastic wave according to the present invention. It consists of a filter device.
  • a multiplexer is a multiplexer including a plurality of band pass filters having different pass bands, wherein one ends of the plurality of band pass filters are commonly connected, and at least one of the plurality of band pass filters One consists of an acoustic wave filter device constructed according to the invention.
  • the elastic wave filter device of the present invention since a plurality of attenuation poles can be provided outside the pass band, by selecting the capacitances of the first and second parallel arm resonators, the out of the pass band can be obtained.
  • the attenuation characteristics of a specific frequency band can be improved in the attenuation range of Therefore, it is possible to provide a composite filter device and a multiplexer having an elastic wave filter device excellent in out-of-band attenuation characteristics.
  • FIG. 1 is a circuit diagram of an elastic wave filter device according to a first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a circuit diagram of an elastic wave filter device of a comparative example.
  • FIG. 3 is a view showing filter characteristics of the elastic wave filter devices of the example and the comparative example.
  • FIG. 4 is a schematic plan view of the elastic wave filter device according to the first embodiment.
  • FIG. 5 is a circuit diagram of an elastic wave filter device according to a second embodiment of the present invention.
  • FIG. 6 is a circuit diagram showing a duplexer according to a third embodiment of the present invention.
  • FIG. 7 is a circuit diagram showing a composite filter device according to a fourth embodiment of the present invention.
  • FIG. 1 is a circuit diagram of an elastic wave filter device according to a first embodiment of the present invention.
  • the elastic wave filter device 1 is a Band 20 reception filter.
  • the reception band of Band 20, ie, the pass band is 791 MHz to 821 MHz.
  • the elastic wave filter device 1 has an input terminal 2 and an output terminal 3.
  • a longitudinally coupled resonator type elastic wave filter 11 is disposed in a series arm connecting the input terminal 2 and the output terminal 3.
  • a ladder type filter 12 is connected in series to the longitudinally coupled resonator type elastic wave filter 11.
  • the longitudinally coupled resonator type elastic wave filter 11 has first to fifth IDT electrodes 11a to 11e and reflectors 11f and 11g. That is, the longitudinally coupled resonator type elastic wave filter 11 is a 5 IDT longitudinally coupled resonator type elastic wave filter.
  • the longitudinally coupled resonator type elastic wave filter 11 has an input end 13 to which a signal is input and an output end 14 to which a signal is output.
  • the input ends of the first, third and fifth IDTs 11a, 11c and 11e are commonly connected to the input end 13.
  • the output ends of the second and fourth IDT electrodes 11 b and 11 d are commonly connected to the output end 14.
  • An end opposite to the output end side of the second and fourth IDT electrodes 11 b and 11 d and one end of the reflectors 11 f and 11 g are commonly connected to the input-side ground end 15.
  • the other end of the first, third, and fifth IDT electrodes 11a, 11c, and 11e opposite to the input side and the other end of the reflectors 11f and 11g are commonly connected to the output side ground end 16 There is.
  • the ladder type filter 12 includes a plurality of series arm resonators S1 to S3 and P1 and P2 of first and second parallel arm resonators.
  • the plurality of series arm resonators S1 to S3 are connected to one another in series in the series arm.
  • the first parallel arm resonator P1 is provided on a first parallel arm connecting a connection point between the series arm resonators S1 and S2 to the ground potential.
  • the second parallel arm resonator P2 is provided on a second parallel arm connecting a connection point between the series arm resonators S2 and S3 and the ground potential.
  • the portion connecting the ground potential side end portion of the first parallel arm resonator P1 to the ground potential has a first lead-out wiring 17 connected to the first parallel arm resonator P1.
  • a second lead-out wiring 18 connected to the second parallel arm resonator P2 is provided.
  • the input-side ground end 15 and the output-side ground end 16 of the longitudinally coupled resonator type elastic wave filter 11 are connected to the third lead-out line 19 as shown in the drawing and commonly connected to the ground potential.
  • the first lead wiring 17 is connected to the third lead wiring 19.
  • the fourth lead wiring 20 is connected to the third lead wiring 19.
  • the fourth lead wiring 20 is connected to the second lead wiring 18.
  • the capacitance of the first parallel arm resonator P1 and the capacitance of the second parallel arm resonator P2 are different.
  • the characteristic of the elastic wave filter device 1 is that the input side ground end 15 of the longitudinally coupled resonator type elastic wave filter 11 and the ground end of the first parallel arm resonator P1 are connected in common, a longitudinally coupled resonator Side ground end 16 of the second elastic wave filter 11 and the ground end of the second parallel arm resonator P2 are connected in common, and the capacitance of the first parallel arm resonator P1 and the second parallel The capacitance of the parallel arm resonator P2 is different. Thereby, it is possible to obtain a sufficient amount of attenuation in a specific frequency band in the attenuation range. This will be described in comparison with the comparative example of FIG. 2 and with reference to FIG.
  • an elastic wave filter device was manufactured with the following design parameters.
  • the longitudinally coupled resonator type elastic wave filter 11 and the ladder type filter 12 were formed by providing an electrode structure on the same piezoelectric substrate.
  • Design parameters of the longitudinally coupled resonator type elastic wave filter 11 number of electrode fingers in the first to fifth IDT electrodes 11a to 11e and reflectors 11f and 11g, wavelength determined by electrode finger pitch, electrode finger crossing width, duty As shown in Table 1 below.
  • a laminated film of AlCu / Ti / Pt / NiCr was used as an electrode material in the first to fifth IDT electrodes 11a to 11e and the reflectors 11f and 11g.
  • the thickness of each layer was set to 184 nm / 70 nm / 86 nm / 10 nm.
  • Design parameters of the series arm resonators S1 to S3 and the first and second parallel arm resonators P1 and P2 are as shown in Table 2 below.
  • the laminated film of AlCu / Ti / Pt / NiCr was used as an electrode material.
  • the thickness of each layer was set to 184 nm / 70 nm / 86 nm / 10 nm.
  • the electrostatic capacitance of the first parallel arm resonator P1 was 4.94 pF
  • the electrostatic capacitance of the second parallel arm resonator P2 was 2.82 pF.
  • the first and second lead-out wires 17 and 18 connected to the ground potential side end portions of the first and second parallel arm resonators P1 and P2 are part of a path from the piezoelectric substrate to the mounting substrate Are configured.
  • the elastic wave filter device 101 of the comparative example shown in FIG. 2 was prepared as follows.
  • the input-side ground end 15 and the output-side ground end 16 of the longitudinally coupled resonator type elastic wave filter 11 and the first and second parallel arm resonators P1 and P2 have piezoelectric substrates. That the common connection point 102 is connected to the ground potential, and that the capacitances of the first and second parallel arm resonators P1 and P2 are equal. Except for the above, it is the same as the above embodiment.
  • the capacitance of the first and second parallel arm resonators P1 and P2 is 3.88 pF.
  • the lengths of the second routing wires 104 connecting the two are equal.
  • the solid line in FIG. 3 shows the filter characteristic of the elastic wave filter device of the embodiment, and the broken line shows the filter characteristic of the elastic wave filter device of the comparative example.
  • the filter characteristics in the pass band of 791 MHz to 821 MHz are almost the same in both the embodiment and the comparative example.
  • the attenuation band outside the pass band of 3 GHz to 5 GHz according to the example, a sufficient amount of attenuation is secured as compared with the comparative example.
  • 3 GHz to 5 GHz is a frequency band used for WiFi and the like.
  • the Band 20 reception filter it is required that the attenuation at 3 GHz to 5 GHz used for WiFi be sufficiently large. As shown in FIG. 3, according to the embodiment, the amount of attenuation at 3 GHz to 5 GHz can be made sufficiently large. That is, the filter characteristics can be effectively improved.
  • the attenuation at 3 GHz to 5 GHz is sufficiently large because the attenuation pole shown by the arrow A2 appears in addition to the attenuation pole shown by the arrow A1. Conceivable.
  • the attenuation pole shown by arrow A1 and the attenuation pole shown by arrow A2 originate in the resonance characteristic by LC resonance using the 1st, 2nd parallel arm resonators P1 and P2.
  • the capacitance of the first parallel arm resonator P1 is different from the capacitance of the second parallel arm resonator P2. Therefore, the frequency position of the resonance point and antiresonance point of the first LC resonance due to the capacitance of the first parallel arm resonator P1 and the inductance of the first lead-out wire 17, and the second parallel arm resonator P2
  • the frequency positions of the resonance point and the antiresonance point of the second LC resonance are largely different due to the capacitance of the second lead-out wiring 18 and the inductance of the second lead-out wire 18. Therefore, in addition to the attenuation pole of the arrow A1, the attenuation pole of the arrow A2 appears in the 3 GHz to 5 GHz band.
  • the electrostatic capacitances of the first and second parallel arm resonators P1 and P2 are equal, and the lengths of the first and second lead wirings 103 and 104 are equal. Since they are almost the same, two attenuation poles appear in the vicinity of the pass band, and no attenuation pole is located in the 3 GHz to 5 GHz band away from the pass band.
  • the frequency positions of the attenuation poles based on the first and second LC resonances are apart. Therefore, for example, it is possible to improve the attenuation characteristics in the frequency band of 3 GHz to 5 GHz.
  • the specific frequency band is not particularly limited. If the specific frequency band for which the attenuation amount is to be sufficiently large is determined in the attenuation range, the capacitances of the first and second parallel arm resonators P1 and P2 should be different so that the attenuation pole appears in the specific frequency band. You can do it. Further, the lengths of the first and second lead-out lines 17 and 18 may be adjusted so that the attenuation pole appears in a specific frequency band.
  • FIG. 4 is a schematic plan view of the elastic wave filter device of the first embodiment.
  • the electrode structure shown in FIG. 4 is provided on the piezoelectric substrate 21. That is, on the piezoelectric substrate 21, the series arm resonators S 1, S 2, S 3 and the longitudinally coupled resonator type elastic wave filter 11 are connected between the input terminal 2 and the output terminal 3. Ground terminals 22 and 23 connected to the ground potential are provided on the piezoelectric substrate 21.
  • the first lead wiring 17 is connected to the ground potential side end of the first parallel arm resonator P1.
  • the first lead wiring 17 is connected to the ground terminal 22.
  • the second lead wiring 18 is connected to the ground potential side end of the second parallel arm resonator P2.
  • the second lead wiring 18 is connected to the ground terminal 23.
  • FIG. 5 is a circuit diagram of an elastic wave filter device according to a second embodiment of the present invention.
  • the elastic wave filter device 31 of the second embodiment the series arm resonators S1 to S3 shown in FIG. 1 are not provided.
  • the elastic wave filter device 31 is the same as the elastic wave filter device 1 in other points.
  • First and second parallel arm resonators P1 and P2 may be provided on the first and second parallel arms, respectively. Also in this case, if the capacitances of the first parallel arm resonator P1 and the second parallel arm resonator P2 are different from each other, the first parallel arm resonator P1 and the second parallel arm resonator P2 may be provided. The positions of the attenuation pole at the resonance point and the antiresonance point of the first and second LC resonances can be made different. Therefore, also in the elastic wave filter device 31 of the present embodiment, it is possible to sufficiently increase the amount of attenuation in a specific frequency band outside the pass band.
  • a ladder type filter is configured by the series arm resonators S1 to S3 and at least one of the first and second parallel arm resonators P1 and P2.
  • the input side ground end 15 and the output side ground end 16 of the longitudinally coupled resonator type elastic wave filter 11 are commonly connected,
  • the input ground end 15 and the output ground end 16 may be separately connected to the ground potential.
  • the first inductance including the inductance of the first lead wiring 17 be different from the second inductance including the inductance of the second lead wiring 18. Therefore, it is preferable that the lengths of the first lead wiring 17 and the second lead wiring 18 be different. Thereby, the difference between the frequency positions of the resonance point and the antiresonance point of the first LC resonance and the frequency positions of the resonance point and the antiresonance point of the second LC resonance can be increased.
  • FIG. 6 is a circuit diagram showing a duplexer according to a third embodiment of the present invention.
  • the duplexer 61 has a chip body 62.
  • first and second band pass filters 63 and 64 are formed in the chip main body 62.
  • the first band pass filter 63 is a transmission filter
  • the second band pass filter 64 is a reception filter.
  • One ends of the first and second band pass filters 63 and 64 are commonly connected.
  • the first and second band pass filters 63 and 64 may not necessarily be the same Band reception filter and transmission filter. Further, the present invention can be applied to various multiplexers such as triplexers in which three or more band pass filters are commonly connected, as well as the duplexer 61.
  • an elastic wave filter device configured according to the present invention is used for at least one of the first band pass filter 63 and the second band pass filter 64.
  • FIG. 7 is a circuit diagram showing a composite filter device according to a fourth embodiment of the present invention.
  • one end of a plurality of filter devices 74 to 76 is connected in common to a common connection point 72 as a common terminal or the like.
  • at least one of the plurality of filter devices 74 to 76 uses an elastic wave filter device configured according to the present invention.
  • the use of the elastic wave filter device of the present invention makes it possible to increase the amount of attenuation in a specific frequency range outside the pass band.

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Abstract

通過帯域外の減衰域において、特定の周波数帯の減衰特性を改善することができる、弾性波フィルタ装置を提供する。　入力端子２と出力端子３とを結ぶ直列腕に、縦結合共振子型弾性波フィルタ１１が配置されており、直列腕とグラウンド電位とを結ぶ第１，第２の並列腕に第１，第２の並列腕共振子Ｐ１，Ｐ２がそれぞれ配置されており、縦結合共振子型弾性波フィルタ１１の入力側グラウンド端１５は、第１，第２の並列腕共振子Ｐ１，Ｐ２のうち少なくとも一方のグラウンド端と共通接続されており、縦結合共振子型弾性波フィルタ１１の出力側グラウンド端１６は、第１，第２の並列腕共振子Ｐ１，Ｐ２のうち少なくとも他方のグラウンド端と共通接続されており、第１の並列腕共振子Ｐ１の静電容量と、第２の並列腕共振子Ｐ２の静電容量とが異なっている、弾性波フィルタ装置１。

Description

弾性波フィルタ装置、複合フィルタ装置及びマルチプレクサ
　本発明は、縦結合共振子型弾性波フィルタと、複数の並列腕共振子とを有する弾性波フィルタ装置、該弾性波フィルタ装置を有する複合フィルタ装置及びマルチプレクサに関する。
　下記の特許文献１に記載の弾性波フィルタ装置では、縦結合共振子型弾性波フィルタにラダー型フィルタが直列接続されている。ラダー型フィルタの並列腕共振子のグラウンド端と、縦結合共振子型弾性波フィルタのグラウンド端が、チップ上で電気的に分離されている。
　他方、下記の特許文献２の図１１には、先行技術としての弾性波フィルタ装置が開示されている。この弾性波フィルタ装置では、縦結合共振子型弾性波フィルタにラダー型フィルタが直列接続されている。ラダー型フィルタの並列腕共振子のグラウンド端と、縦結合共振子型弾性波フィルタの入力側グラウンド端及び出力側グラウンド端とが共通接続されている。
特開２０１３－８１１１８号公報 国際公開第２０１１／０６１９０４号
　特許文献１に記載の弾性波フィルタ装置では、グラウンドの強化が不十分であった。これに対して、特許文献２の図１１に記載の弾性波フィルタ装置では、グラウンドを強化することができる。しかしながら、弾性波フィルタ装置の通過帯域よりも高域側において、高調波に起因する応答が現れ、減衰特性が十分でなかった。
　本発明の目的は、通過帯域外の減衰域において、特定の周波数帯の減衰特性を改善することができる、弾性波フィルタ装置を提供することにある。
　本発明に係る弾性波フィルタ装置は、入力端子と出力端子とを結ぶ直列腕と、前記直列腕とグラウンド電位との間に接続されている複数の並列腕とを有する弾性波フィルタ装置であって、前記直列腕に配置されており、信号が入力される入力端と、信号が出力される出力端と、グラウンド電位に接続される入力側グラウンド端と、グラウンド電位に接続される出力側グラウンド端とを有する、縦結合共振子型弾性波フィルタを備え、前記複数の並列腕が、第１，第２の並列腕を有し、前記第１の並列腕に設けられた第１の並列腕共振子と、前記第２の並列腕に設けられた第２の並列腕共振子とをさらに備え、前記縦結合共振子型弾性波フィルタの前記入力側グラウンド端は、前記第１，第２の並列腕共振子のうち少なくとも一方のグラウンド端と共通接続されており、前記縦結合共振子型弾性波フィルタの前記出力側グラウンド端は、前記第１，第２の並列腕共振子のうち少なくとも他方のグラウンド端と共通接続されており、前記第１の並列腕共振子の静電容量と、前記第２の並列腕共振子の静電容量とが異なっている。
　本発明に係る弾性波フィルタ装置のある特定の局面では、前記直列腕に設けられた直列腕共振子がさらに備えられており、前記直列腕共振子と、前記第１，第２の並列腕共振子の少なくとも一方により、ラダー型フィルタが構成されている。この場合には、弾性波フィルタ装置のフィルタ特性をより一層改善することができる。
　本発明に係る弾性波フィルタ装置の他の特定の局面では、前記縦結合共振子型弾性波フィルタの前記入力側グラウンド端と、前記出力側グラウンド端とが共通接続されている。この場合には、グラウンドを強化することができる。また、通過帯域近傍における減衰特性を効果的に改善することができる。
　本発明に係る弾性波フィルタ装置の別の特定の局面では、前記縦結合共振子型弾性波フィルタ及び前記第１，第２の並列腕共振子が構成されている圧電基板がさらに備えられており、前記圧電基板において、前記第１，第２の並列腕共振子のグラウンド電位側端部に接続されている第１，第２の引き回し配線が設けられている。
　本発明に係る弾性波フィルタ装置のさらに他の特定の局面では、前記第１の並列腕共振子の前記グラウンド電位側端部とグラウンド電位との間の前記第１の引き回し配線のインダクタンスを含む第１のインダクタンスと、前記第２の並列腕共振子の前記グラウンド電位側端部とグラウンド電位との間の前記第２の引き回し配線のインダクタンスを含む第２のインダクタンスとが異なっている。この場合には、第１の並列腕共振子の静電容量と第１のインダクタンスとによる第１のＬＣ共振の共振特性と、第２の並列腕共振子の静電容量と第２のインダクタンスとによる第２のＬＣ共振の共振特性とを利用することにより、異なる周波数域に減衰極を設けることができる。
　本発明に係る複合フィルタ装置は、共通端子に一端が共通接続されている複数のフィルタ装置を備え、前記複数のフィルタ装置のうちの少なくとも１つのフィルタ装置が、本発明に従って構成されている弾性波フィルタ装置からなる。
　本発明に係るマルチプレクサは、通過帯域が異なる複数の帯域通過型フィルタを備え、前記複数の帯域通過型フィルタの一端同士が共通接続されているマルチプレクサであって、前記複数の帯域通過型フィルタの少なくとも１つが、本発明に従って構成されている弾性波フィルタ装置からなる。
　本発明に係る弾性波フィルタ装置によれば、通過帯域外において複数の減衰極を設けることができるため、第１，第２の並列腕共振子の静電容量を選択することにより、通過帯域外の減衰域において、特定の周波数帯の減衰特性を改善することができる。従って、帯域外減衰特性に優れた弾性波フィルタ装置を有する複合フィルタ装置及びマルチプレクサなどを提供することが可能となる。
図１は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波フィルタ装置の回路図である。 図２は、比較例の弾性波フィルタ装置の回路図である。 図３は、実施例及び比較例の弾性波フィルタ装置のフィルタ特性を示す図である。 図４は、第１の実施形態に係る弾性波フィルタ装置の略図的平面図である。 図５は、本発明の第２の実施形態に係る弾性波フィルタ装置の回路図である。 図６は、本発明の第３の実施形態としてのデュプレクサを示す回路図である。 図７は、本発明の第４の実施形態としての複合フィルタ装置を示す回路図である。
　以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。
　なお、本明細書に記載の各実施形態は、例示的なものであり、異なる実施形態間において、構成の部分的な置換または組み合わせが可能であることを指摘しておく。
　図１は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波フィルタ装置の回路図である。
　弾性波フィルタ装置１は、Ｂａｎｄ２０の受信フィルタである。なお、Ｂａｎｄ２０の受信帯域、すなわち通過帯域は７９１ＭＨｚ～８２１ＭＨｚである。
　弾性波フィルタ装置１は、入力端子２と出力端子３とを有する。入力端子２と出力端子３とを結ぶ直列腕に、縦結合共振子型弾性波フィルタ１１が配置されている。縦結合共振子型弾性波フィルタ１１に直列にラダー型フィルタ１２が接続されている。
　縦結合共振子型弾性波フィルタ１１は、第１～第５のＩＤＴ電極１１ａ～１１ｅと、反射器１１ｆ，１１ｇとを有する。すなわち、縦結合共振子型弾性波フィルタ１１は、５ＩＤＴ型の縦結合共振子型弾性波フィルタである。
　縦結合共振子型弾性波フィルタ１１は、信号が入力される入力端１３と、信号が出力される出力端１４とを有する。入力端１３に、第１，第３，第５のＩＤＴ１１ａ，１１ｃ，１１ｅの入力端が共通接続されている。出力端１４に、第２，第４のＩＤＴ電極１１ｂ，１１ｄの出力端が共通接続されている。第２，第４のＩＤＴ電極１１ｂ，１１ｄの出力端側とは反対側の端部と、反射器１１ｆ，１１ｇの一方端とが、入力側グラウンド端１５に共通接続されている。第１，第３，第５のＩＤＴ電極１１ａ，１１ｃ，１１ｅの入力側端部とは反対側の端部と、反射器１１ｆ，１１ｇの他方端とが出力側グラウンド端１６に共通接続されている。
　ラダー型フィルタ１２は、複数の直列腕共振子Ｓ１～Ｓ３と、第１，第２の並列腕共振子のＰ１，Ｐ２とを有する。複数の直列腕共振子Ｓ１～Ｓ３は、直列腕において互いに直列に接続されている。
　第１の並列腕共振子Ｐ１は、直列腕共振子Ｓ１，Ｓ２間の接続点とグラウンド電位とを結ぶ第１の並列腕に設けられている。
　第２の並列腕共振子Ｐ２は、直列腕共振子Ｓ２，Ｓ３間の接続点とグラウンド電位とを結ぶ第２の並列腕に設けられている。
　なお、第１の並列腕共振子Ｐ１のグラウンド電位側端部とグラウンド電位とを結ぶ部分は、第１の並列腕共振子Ｐ１に接続されている第１の引き回し配線１７を有する。第２の並列腕共振子Ｐ２のグラウンド電位側端部と、グラウンド電位とを結ぶ部分には、第２の並列腕共振子Ｐ２に接続されている第２の引き回し配線１８を有する。
　縦結合共振子型弾性波フィルタ１１の入力側グラウンド端１５及び出力側グラウンド端１６は、図示のように第３の引き回し配線１９に接続され、グラウンド電位に共通接続されている。第３の引き回し配線１９に、第１の引き回し配線１７が接続されている。また、第３の引き回し配線１９に第４の引き回し配線２０が接続されている。第４の引き回し配線２０は、第２の引き回し配線１８に接続されている。
　第１の並列腕共振子Ｐ１の静電容量と第２の並列腕共振子Ｐ２の静電容量とは異なっている。
　弾性波フィルタ装置１の特徴は、縦結合共振子型弾性波フィルタ１１の入力側グラウンド端１５と、第１の並列腕共振子Ｐ１のグラウンド端とが共通接続されていること、縦結合共振子型弾性波フィルタ１１の出力側グラウンド端１６と、第２の並列腕共振子Ｐ２のグラウンド端とが共通接続されていること、並びに第１の並列腕共振子Ｐ１の静電容量と第２の並列腕共振子Ｐ２の静電容量とが異なっていることにある。それによって、減衰域における特定の周波数帯において、十分な減衰量を得ることが可能とされている。これを、図２の比較例との対比により、図３を参照して説明する。
　第１の実施形態の弾性波フィルタ装置１の実施例として、弾性波フィルタ装置を下記の設計パラメータで作製した。
　縦結合共振子型弾性波フィルタ１１及びラダー型フィルタ１２は、同一圧電基板上に電極構造を設けることにより形成した。
　縦結合共振子型弾性波フィルタ１１の設計パラメータ：第１～第５のＩＤＴ電極１１ａ～１１ｅ及び反射器１１ｆ，１１ｇにおける電極指の本数、電極指ピッチで定まる波長、電極指交差幅、デューティは以下の表１に示す通りとした。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　第１～第５のＩＤＴ電極１１ａ～１１ｅ及び反射器１１ｆ，１１ｇにおける電極材料としては、ＡｌＣｕ／Ｔｉ／Ｐｔ／ＮｉＣｒの積層膜を用いた。各層の厚みは、１８４ｎｍ／７０ｎｍ／８６ｎｍ／１０ｎｍとした。
　直列腕共振子Ｓ１～Ｓ３及び第１，第２の並列腕共振子Ｐ１，Ｐ２の設計パラメータは下記の表２に示す通りとした。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
　なお、電極材料としては、ＡｌＣｕ／Ｔｉ／Ｐｔ／ＮｉＣｒの積層膜を用いた。各層の厚みは、１８４ｎｍ／７０ｎｍ／８６ｎｍ／１０ｎｍとした。
　また、第１の並列腕共振子Ｐ１の静電容量は４．９４ｐＦとし、第２の並列腕共振子Ｐ２の静電容量は２．８２ｐＦとした。
　上記第１，第２の並列腕共振子Ｐ１，Ｐ２のグラウンド電位側端部に接続されている第１，第２の引き回し配線１７，１８は、上記圧電基板から実装基板に至る経路の一部を構成している。
　図２に示す比較例の弾性波フィルタ装置１０１を以下のようにして用意した。なお、比較例の弾性波フィルタ装置１０１では、縦結合共振子型弾性波フィルタ１１の入力側グラウンド端１５及び出力側グラウンド端１６、第１，第２の並列腕共振子Ｐ１，Ｐ２が圧電基板上の共通接続点１０２に共通接続されており、この共通接続点１０２がグラウンド電位に接続されていること、並びに第１，第２の並列腕共振子Ｐ１，Ｐ２の静電容量が等しいことを除いては、上記実施例と同様とした。
　第１，第２の並列腕共振子Ｐ１，Ｐ２の静電容量は３．８８ｐＦとした。
　第１の並列腕共振子Ｐ１のグラウンド電位側端部と共通接続点１０２とを結ぶ第１の引き回し配線１０３と、第２の並列腕共振子Ｐ２のグラウンド電位側端部と共通接続点１０２とを結ぶ第２の引き回し配線１０４の長さを同等とした。図３の実線は実施例の弾性波フィルタ装置のフィルタ特性を示し、破線は比較例の弾性波フィルタ装置のフィルタ特性を示す。
　図３から明らかなように、実施例及び比較例のいずれにおいても、通過帯域である７９１ＭＨｚ～８２１ＭＨｚにおけるフィルタ特性はほぼ同等である。他方、３ＧＨｚ～５ＧＨｚの通過帯域外減衰域では、比較例に比べ、実施例によれば、十分減衰量が確保されている。３ＧＨｚ～５ＧＨｚはＷｉＦｉなどに用いられる周波数帯である。
　近年、スマートフォンなどでは、複数のバンドの送信フィルタ及び受信フィルタ並びにＷｉＦｉもしくはＧＰＳの通信に用いられるフィルタなどの多数のフィルタが、アンテナ端に共通接続されている。従って、例えば、Ｂａｎｄ２０の受信フィルタでは、ＷｉＦｉに用いられる３ＧＨｚ～５ＧＨｚにおける減衰量が十分大きいことが求められる。図３に示したように、実施例によれば、この３ＧＨｚ～５ＧＨｚにおける減衰量を十分に大きくすることができる。すなわち、フィルタ特性を効果的に改善することができる。
　なお、実施例の弾性波フィルタ装置１において、３ＧＨｚ～５ＧＨｚにおける減衰量が十分大きくされているのは、矢印Ａ１で示す減衰極に加えて、矢印Ａ２で示す減衰極が現れていることによると考えられる。矢印Ａ１で示す減衰極及び矢印Ａ２で示す減衰極は、第１，第２の並列腕共振子Ｐ１，Ｐ２を利用したＬＣ共振による共振特性に起因している。
　実施例では、第１の並列腕共振子Ｐ１の静電容量と第２の並列腕共振子Ｐ２の静電容量が異なっている。従って、第１の並列腕共振子Ｐ１の静電容量と第１の引き回し配線１７のインダクタンス分による第１のＬＣ共振の共振点及び反共振点の周波数位置と、第２の並列腕共振子Ｐ２の静電容量と第２の引き回し配線１８のインダクタンス分とによる第２のＬＣ共振の共振点及び反共振点の周波数位置とが大きく異なっている。そのため、矢印Ａ１の減衰極に加えて、３ＧＨｚ～５ＧＨｚ帯に矢印Ａ２の減衰極が現れている。
　これに対して、比較例の弾性波フィルタ装置１０１では、第１，第２の並列腕共振子Ｐ１，Ｐ２の静電容量が等しく、第１，第２の引き回し配線１０３，１０４の長さがほぼ同等であるため、通過帯域の近傍において２つの減衰極が現れており、通過帯域から離れた３ＧＨｚ～５ＧＨｚ帯には減衰極が位置していない。
　上記の通り、弾性波フィルタ装置１では、第１，第２のＬＣ共振に基づく減衰極の周波数位置が離れている。そのため、例えば、３ＧＨｚ～５ＧＨｚの周波数帯における減衰特性を改善することが可能とされている。
　なお、本発明においては、通過帯域から特定の周波数帯における減衰量を改善するに当たり、この特定の周波数帯は特に限定されない。減衰域において、減衰量を十分大きくしたい特定の周波数帯が決まれば、該特定の周波数帯において減衰極が現れるように、第１，第２の並列腕共振子Ｐ１，Ｐ２の静電容量を異ならせればよい。また、第１，第２の引き回し配線１７，１８の長さも、特定の周波数帯に減衰極が現れるように調整すればよい。
　図４は、第１の実施形態の弾性波フィルタ装置の略図的平面図である。圧電基板２１上に図４に示す電極構造が設けられている。すなわち、圧電基板２１上において、入力端子２と出力端子３との間に、直列腕共振子Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３及び縦結合共振子型弾性波フィルタ１１が接続されている。グラウンド電位に接続されるグラウンド端子２２，２３が、圧電基板２１上に設けられている。第１の並列腕共振子Ｐ１のグラウンド電位側端部に第１の引き回し配線１７が接続されている。第１の引き回し配線１７は、グラウンド端子２２に接続されている。第２の引き回し配線１８は、第２の並列腕共振子Ｐ２のグラウンド電位側端部に接続されている。第２の引き回し配線１８は、グラウンド端子２３に接続されている。第１の引き回し配線１７と第２の引き回し配線１８の長さを異ならせること等により、第１，第２のＬＣ共振の減衰極が現れる周波数を調整することができる。
　図５は、本発明の第２の実施形態に係る弾性波フィルタ装置の回路図である。第２の実施形態の弾性波フィルタ装置３１では、図１に示した直列腕共振子Ｓ１～Ｓ３が設けられていない。その他の点は、弾性波フィルタ装置３１は、弾性波フィルタ装置１と同様である。
　第２の実施形態の弾性波フィルタ装置３１のように、本発明においては、縦結合共振子型弾性波フィルタ１１に、ラダー型フィルタが直列接続されている必要はない。第１，第２の並列腕に、それぞれ第１，第２の並列腕共振子Ｐ１，Ｐ２が設けられておればよい。この場合においても、第１の並列腕共振子Ｐ１と第２の並列腕共振子Ｐ２との静電容量が異なっておれば、第１，第２の並列腕共振子Ｐ１，Ｐ２をそれぞれ有する第１，第２のＬＣ共振の共振点及び反共振点による減衰極の位置を異ならせることができる。従って、本実施形態の弾性波フィルタ装置３１においても、通過帯域外の特定の周波数帯における減衰量を十分大きくすることができる。
　もっとも、直列腕共振子Ｓ１～Ｓ３と、第１，第２の並列腕共振子Ｐ１，Ｐ２の少なくとも一方とにより、ラダー型フィルタが構成されていることが好ましい。それによって、弾性波フィルタ装置の通過帯域近傍のフィルタ特性の急峻性を効果的に高めることができる。
　また、第１及び第２の実施形態の弾性波フィルタ装置１，３１では、縦結合共振子型弾性波フィルタ１１の入力側グラウンド端１５と出力側グラウンド端１６とが共通接続されていたが、入力側グラウンド端１５と出力側グラウンド端１６とが、個別にグラウンド電位に接続されていてもよい。もっとも、弾性波フィルタ装置１，３１のように、入力側グラウンド端１５と出力側グラウンド端１６が弾性波フィルタチップ内において共通接続されていることが好ましい。それによって、通過帯域近傍における減衰特性の劣化が生じ難い。
　また、上記第１の引き回し配線１７のインダクタンスを含む第１のインダクタンスと、第２の引き回し配線１８のインダクタンスを含む第２のインダクタンスとが異なっていることが好ましい。従って、第１の引き回し配線１７及び第２の引き回し配線１８の長さが異なっていることが好ましい。それによって、第１のＬＣ共振の共振点及び反共振点の周波数位置と、第２のＬＣ共振の共振点及び反共振点の周波数位置との差を大きくすることができる。
　図６は、本発明の第３の実施形態としてのデュプレクサを示す回路図である。デュプレクサ６１は、チップ本体６２を有する。このチップ本体６２内に、第１，第２の帯域通過型フィルタ６３，６４が構成されている。第１の帯域通過型フィルタ６３が、送信フィルタであり、第２の帯域通過型フィルタ６４が受信フィルタである。第１，第２の帯域通過型フィルタ６３，６４の一端が共通接続されている。
　なお、第１，第２の帯域通過型フィルタ６３，６４は、必ずしも同じＢａｎｄの受信フィルタ及び送信フィルタではなくともよい。また、デュプレクサ６１に限らず、３以上の帯域通過型フィルタが共通接続されているトリプレクサなどの様々なマルチプレクサに本発明を適用することができる。
　図６のデュプレクサ６１においては、第１の帯域通過型フィルタ６３及び第２の帯域通過型フィルタ６４の少なくとも一方に、本発明に従って構成されている弾性波フィルタ装置が用いられている。それによって、通過帯域外の特定の周波数域における減衰量を十分大きくすることができる。
　図７は、本発明の第４の実施形態としての複合フィルタ装置を示す回路図である。
　複合フィルタ装置７１では、共通端子などとしての共通接続点７２に、複数のフィルタ装置７４～７６の一端が共通接続されている。複合フィルタ装置７１では、複数のフィルタ装置７４～７６の少なくとも１つに、本発明に従って構成されている弾性波フィルタ装置が用いられる。それによって、複合フィルタ装置７１においても、本発明の弾性波フィルタ装置を用いることにより、通過帯域外の特定の周波数域における減衰量を大きくすることができる。
１…弾性波フィルタ装置
２…入力端子
３…出力端子
１１…縦結合共振子型弾性波フィルタ
１１ａ～１１ｅ…第１～第５のＩＤＴ電極
１１ｆ，１１ｇ…反射器
１２…ラダー型フィルタ
１３…入力端
１４…出力端
１５…入力側グラウンド端
１６…出力側グラウンド端
１７…第１の引き回し配線
１８…第２の引き回し配線
１９…第３の引き回し配線
２０…第４の引き回し配線
２１…圧電基板
２２，２３…グラウンド端子
３１…弾性波フィルタ装置
６１…デュプレクサ
６２…チップ本体
６３…第１の帯域通過型フィルタ
６４…第２の帯域通過型フィルタ
７１…複合フィルタ装置
７２…共通接続点
７４～７６…フィルタ装置
Ｐ１，Ｐ２…第１，第２の並列腕共振子
Ｓ１～Ｓ３…直列腕共振子

Claims (7)

  1. 　入力端子と出力端子とを結ぶ直列腕と、前記直列腕とグラウンド電位との間に接続されている複数の並列腕とを有する弾性波フィルタ装置であって、
    　前記直列腕に配置されており、信号が入力される入力端と、信号が出力される出力端と、グラウンド電位に接続される入力側グラウンド端と、グラウンド電位に接続される出力側グラウンド端とを有する、縦結合共振子型弾性波フィルタを備え、
    　前記複数の並列腕が、第１，第２の並列腕を有し、
    　前記第１の並列腕に設けられた第１の並列腕共振子と、
    　前記第２の並列腕に設けられた第２の並列腕共振子とをさらに備え、
    　前記縦結合共振子型弾性波フィルタの前記入力側グラウンド端は、前記第１，第２の並列腕共振子のうち少なくとも一方のグラウンド端と共通接続されており、
    　前記縦結合共振子型弾性波フィルタの前記出力側グラウンド端は、前記第１，第２の並列腕共振子のうち少なくとも他方のグラウンド端と共通接続されており、
    　前記第１の並列腕共振子の静電容量と、前記第２の並列腕共振子の静電容量とが異なっている、弾性波フィルタ装置。
  2. 　前記直列腕に設けられた直列腕共振子をさらに備え、前記直列腕共振子と、前記第１，第２の並列腕共振子の少なくとも一方により、ラダー型フィルタが構成されている、請求項１に記載の弾性波フィルタ装置。
  3. 　前記縦結合共振子型弾性波フィルタの前記入力側グラウンド端と、前記出力側グラウンド端とが共通接続されている、請求項１または２に記載の弾性波フィルタ装置。
  4. 　前記縦結合共振子型弾性波フィルタ及び前記第１，第２の並列腕共振子が構成されている圧電基板をさらに備え、前記圧電基板において、前記第１，第２の並列腕共振子のグラウンド電位側端部に接続されている第１，第２の引き回し配線が設けられている、請求項１～３のいずれか１項に記載の弾性波フィルタ装置。
  5. 　前記第１の並列腕共振子の前記グラウンド電位側端部とグラウンド電位との間の前記第１の引き回し配線のインダクタンスを含む第１のインダクタンスと、前記第２の並列腕共振子の前記グラウンド電位側端部とグラウンド電位との間の前記第２の引き回し配線のインダクタンスを含む第２のインダクタンスとが異なっている、請求項４に記載の弾性波フィルタ装置。
  6. 　共通端子に一端が共通接続されている複数のフィルタ装置を備え、
    　前記複数のフィルタ装置のうちの少なくとも１つのフィルタ装置が、請求項１～５のいずれか１項に記載の弾性波フィルタ装置からなる、複合フィルタ装置。
  7. 　通過帯域が異なる複数の帯域通過型フィルタを備え、前記複数の帯域通過型フィルタの一端同士が共通接続されているマルチプレクサであって、
    　前記複数の帯域通過型フィルタの少なくとも１つが、請求項１～５のいずれか１項に記載の弾性波フィルタ装置からなる、マルチプレクサ。
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