JP2015062277A - 弾性波フィルタ装置及びデュプレクサ - Google Patents

Abstract

【課題】通過帯域内における損失の悪化を抑制することができる弾性波フィルタ装置を提供する。【解決手段】１ポート型弾性波共振子９と、１ポート型弾性波共振子９に直列に接続されている弾性波フィルタ部１８とを備え、１ポート型弾性波共振子９に並列にインダクタンス１０が接続されており、上記弾性波フィルタ部１８の通過帯域の中心周波数をｆ０、１ポート型弾性波共振子９の共振周波数をｆｒ１としたとき、ｆｒ１＞ｆ０である、弾性波フィルタ装置。【選択図】図１

Description

本発明は、帯域通過型フィルタとして用いられる弾性波フィルタ装置及び弾性波フィルタ装置を有するデュプレクサに関し、より詳細には、複数の弾性波共振子を用いて構成されている弾性波フィルタ装置及びデュプレクサに関する。

従来、携帯電話機などの帯域フィルタとして弾性波フィルタが広く用いられている。例えば下記の特許文献１には、複数の弾性表面波共振子を有するラダー型フィルタが開示されている。特許文献１では、インダクタンスが並列に接続されている第１の直列腕共振子と、インダクタンスが接続されていない第２の直列腕共振子とが設けられている。第１の直列腕共振子の共振周波数をｆｓｒ１、第２の直列腕共振子の共振周波数をｆｓｒ２としたときに、ｆｓｒ１＜ｆｓｒ２とされている。

また、下記の特許文献２に記載の弾性波フィルタでは、並列にインダクタンスが接続されている直列腕共振子の共振周波数が、インダクタンスが接続されていない直列腕共振子の共振周波数よりも低くされている。

特開２００４−２４２２８１号公報 特開２０１１−１７６７４６号公報

特許文献１や特許文献２に記載のように、インダクタンスが並列に接続されている直列腕共振子の共振周波数は、他の直列腕共振子の共振周波数よりも低くされている。

しかしながら、上記インダクタンスのＱ値が低くなると、通過帯域内における損失が大きくなるという問題があった。他方、Ｑ値の大きいインダクタンスを用いると、製造工程が煩雑となり、コストが高くつくという問題があった。

本発明の目的は、通過帯域内の損失の悪化を抑制することができる弾性波フィルタ装置及び該弾性波フィルタ装置を用いたデュプレクサを提供することにある。

本発明に係る弾性波フィルタ装置は、圧電基板と、弾性波フィルタ部と、１ポート型弾性波共振子と、インダクタンスとを備える。上記弾性波フィルタ部は、上記圧電基板上に形成された少なくとも１つのＩＤＴ電極を含む。上記１ポート型弾性波共振子は、上記弾性波フィルタ部と直列に接続されているＩＤＴ電極を有する。

上記インダクタンスは、上記１ポート型弾性波共振子に並列に接続されている。本発明では、上記弾性波フィルタ部の通過帯域の中心周波数をｆ０としたとき、上記１ポート型弾性波共振子の共振周波数ｆｒ１が中心周波数ｆ０よりも高域側に位置している。

本発明に係る弾性波フィルタ装置のある特定の局面では、上記１ポート型弾性波共振子におけるＩＤＴ電極の上記波長が、上記１ポート型弾性波共振子及び上記弾性波フィルタ部におけるＩＤＴ電極の電極指ピッチで定まる波長のうち最も小さい。その場合には、設計の自由度を高めることができる。

本発明に係る弾性波フィルタ装置の他の特定の局面では、上記１ポート型弾性波共振子におけるＩＤＴ電極の電極指ピッチにより定まる波長が、上記弾性波フィルタ部の電極指ピッチで定まる波長よりも小さい。この場合には、設計の自由度を高めることができる。

本発明に係る弾性波フィルタ装置のさらに他の特定の局面では、上記インダクタンスが上記圧電基板に設けられている。従って、小型化を進めることができる。

本発明に係る弾性波フィルタ装置のさらに別の特定の局面では、上記弾性波フィルタ部は、上記圧電基板と、上記圧電基板上に設けられた直列腕と、上記直列腕と接地電位と間に接続される並列腕と、上記直列腕に設けられた複数の直列腕共振子と、上記並列腕に設けられた並列腕共振子とを備え、上記複数の直列腕共振子及び並列腕共振子が、ＩＤＴ電極を有する弾性波共振子からなるラダー型弾性波フィルタ部である。この場合、複数の直列腕共振子には並列にインダクタンスが接続されていない。また、ラダー型弾性波フィルタ部の上記直列腕共振子の共振周波数のうち最も高い共振周波数をｆｒ２としたときに、上記１ポート型弾性波共振子の共振周波数ｆｒ１が、共振周波数ｆｒ２よりも高域側に位置している。

本発明に係る弾性波フィルタ装置のさらに他の特定の局面では、上記１ポート型弾性波共振子におけるＩＤＴ電極の電極指ピッチにより定まる波長が、上記直列腕共振子の電極指ピッチで定まる波長よりも小さい。

より好ましくは、上記１ポート型弾性波共振子の上記波長が、上記複数の直列腕共振子における電極指ピッチで定まる波長のうち最も小さい波長よりも小さい。

本発明に係る弾性波フィルタ装置のさらに別の特定の局面では、上記１ポート型弾性波共振子の共振周波数ｆｒ１が、上記複数の直列腕共振子において最も共振周波数が低い直列腕共振子の共振周波数よりも高い。

本発明に係る弾性波フィルタ装置のさらに別の特定の局面では、上記複数の直列腕共振子の共振周波数よりも、上記１ポート型弾性波共振子の共振周波数ｆｒ１が高い。

本発明に係る弾性波フィルタ装置のさらに他の特定の局面では、上記インダクタンスのＱ値が２０以下である。

本発明に係る弾性波フィルタ装置のさらに他の特定の局面では、上記弾性波フィルタ部は、上記圧電基板と、上記圧電基板上に設けられた縦結合共振子型弾性波フィルタとを含むフィルタ部である。

本発明に係るデュプレクサは、本発明に従って構成されている弾性波フィルタ装置からなる第１の帯域フィルタと、上記第１の帯域フィルタとは通過帯域が異なる第２の帯域フィルタとを有する。

本発明に係る弾性波フィルタ装置によれば、上記インダクタンスのＱ値を低くした場合であっても、通過帯域内における挿入損失を小さくすることが可能となる。従って、低損失の弾性波フィルタ装置を提供することができる。また、本発明によれば、低損失のデュプレクサを提供することが可能となる。

本発明の第１の実施形態に係るデュプレクサの回路図である。 本発明の第１の実施形態に係るデュプレクサの平面図である。 第１の実施形態において第１の直列腕共振子に並列に接続されているインダクタンスのＱ値と周波数との関係を示す図である。 第１の実施形態において第１の直列腕共振子に並列に接続されているインダクタンス値Ｌと周波数との関係を示す図である。 第１の直列腕共振子とインダクタンスとの並列回路を示す回路図である。 図５に示した回路の共振特性を示す図である。 図１に示した回路構成のデュプレクサにおいて、インダクタンスのＱ値を４０、２０、４．７及び１とした場合の送信特性を示す図である。 図１に示した回路構成のデュプレクサにおける第１の直列腕共振子とインダクタンスとの並列回路において、インダクタンスのＱ値を４０、２０、４．７及び１とした場合の各共振特性を示す図である。 比較例のデュプレクサにおいて、インダクタンスのＱ値を変化させた場合の送信特性を示す図である。 比較例のデュプレクサにおいて、インダクタンスのＱ値を変化させた場合の１ポート型弾性波共振子とインダクタンスとの並列回路の共振特性を示す図である。 第２の実施形態に係る弾性波フィルタ装置の弾性波フィルタ部の回路図である。 （ａ）〜（ｄ）は、第２の実施形態に係る弾性波フィルタ装置が構成されている多層基板の異なる高さ位置に設けられている電極構造を示す各模式的平面図である。 （ａ）〜（ｄ）は、第２の実施形態の比較例としての第２の比較例に係る弾性波装置の異なる高さ位置の電極構造を示す各模式的平面図である。 第２の実施形態及び第２の比較例の弾性波装置の減衰量周波数特性を示す図である。

以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。

図１は、本発明の第１の実施形態のデュプレクサの回路図である。デュプレクサ１は第１の帯域フィルタとしての送信フィルタ２と第２の帯域フィルタとしての受信フィルタ３とを有する。特に限定されるわけではないが、本実施形態のデュプレクサ１は、Ｗ−ＣＤＭＡのＢａｎｄ１の通信方式に用いられる。従って、送信フィルタ２の通過帯域は、１９２０〜１９８０ＭＨｚであり、その中心周波数ｆ０は１９５０ＭＨｚである。受信フィルタ３の通過帯域は、２１１０〜２１７０ＭＨｚである。すなわち、受信フィルタ３の通過帯域は、送信フィルタ２の通過帯域と異なっている。

送信フィルタ２及び受信フィルタ３の一端が共通接続端子４を介してアンテナ端子５に接続されている。送信フィルタ２の他端は送信端子６に接続されている。受信フィルタ３の他端は一対の平衡受信端子７，８に接続されている。

送信フィルタ２が、本発明の弾性波フィルタ装置の実施形態に相当する。送信フィルタ２は、ラダー型回路構成の弾性波フィルタ部１８と、１ポート型弾性波共振子９とを有する。すなわち、送信端子６に、１ポート型弾性波共振子９が接続されている。送信端子６に、該１ポート型弾性波共振子９を介して、ラダー型からなる弾性波フィルタ部１８が接続されている。この弾性波フィルタ部１８は、複数の直列腕共振子Ｓ１〜Ｓ４と、複数の並列腕共振子Ｐ１〜Ｐ４とを有する。より具体的には、共通接続端子４と１ポート型弾性波共振子９と弾性波フィルタ部１８との間の接続点１１とを結ぶ直列腕に、送信端子６側から順に、複数の直列腕共振子Ｓ１〜Ｓ４が設けられている。

１ポート型弾性波共振子９には、並列にインダクタンス１０が接続されている。直列腕共振子Ｓ１〜Ｓ４には並列にインダクタンスは接続されていない。

また、接続点１１とグラウンド電位とを結ぶ並列腕に並列腕共振子Ｐ１が接続されている。並列腕共振子Ｐ１とグラウンド電位との間には、インダクタンス１２が接続されている。

直列腕共振子Ｓ１，Ｓ２間の接続点１３、直列腕共振子Ｓ２，Ｓ３間の接続点１４及び直列腕共振子Ｓ３，Ｓ４間の接続点１５と、グラウンド電位との間に、それぞれ、並列腕共振子Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４が接続されている。並列腕共振子Ｐ２〜Ｐ４のグラウンド電位側端部は共通接続点１６に共通接続されている。共通接続点１６とグラウンド電位との間にインダクタンス１７が接続されている。

本実施形態では、送信フィルタ２が、上記１ポート型弾性波共振子９と、ラダー型フィルタからなる弾性波フィルタ部１８とを有する。そして、インダクタンス１０が並列に接続されている１ポート型弾性波共振子９の共振周波数ｆｒ１が、弾性波フィルタ部１８の通過帯域の中心周波数ｆ０よりも高域側に位置している。それによって、インダクタンス１０のＱ値を低めたとしても、通過帯域内すなわち送信帯域における挿入損失を小さくすることができる。

図２はデュプレクサ１の平面図である。デュプレクサ１では、圧電基板２１上に図示の電極構造が形成されている。それによって、デュプレクサ１は、単一の部品として構成されている。

圧電基板２１は、圧電単結晶または圧電セラミックスからなる基板、あるいは圧電単結晶の膜が形成された基板を含む。本実施形態では、圧電基板２１は、ＬｉＴｉＯ_３またはＬｉＮｂＯ_３のような圧電単結晶からなる。

圧電基板２１上に、送信フィルタ２と受信フィルタ３とが構成されている。図２では、送信フィルタ２及び受信フィルタ３を構成している電極構造は略図的に示してある。すなわち、送信フィルタ２は、共通接続端子４と送信端子６との間に接続されている電極構造を有する。

より具体的には、１ポート型弾性波共振子９及び直列腕共振子Ｓ１〜Ｓ４は、弾性表面波共振子からなり、図示のＸを矩形の枠で囲んだ領域に、ＩＤＴ電極及び反射器が設けられている。すなわち、直列腕共振子Ｓ１〜Ｓ４も、ＩＤＴ電極の両側に反射器が配置されている１ポート型の弾性表面波共振子からなる。並列腕共振子Ｐ１〜Ｐ４も同様に、１ポート型の弾性表面波共振子からなる。

１ポート型弾性波共振子９に並列に、コイル状導体パターンからなるインダクタンス１０が接続されている。すなわち、インダクタンス１０は、導体をコイル状に巻回してなるコイル状導体パターンにより構成されている。

他方、共通接続端子４と第１，第２の平衡受信端子７，８との間に、受信フィルタ３を構成する電極構造が形成されている。図２に示すように、受信フィルタ３は、共通接続端子４に接続されている１ポート型弾性表面波共振子２２を有する。この１ポート型弾性表面波共振子２２に、第１，第２の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部２３，２４が接続されている。第１，第２の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部２３，２４においても、ＩＤＴが構成されている部分及び反射器が構成されている部分を略図的に示すこととする。

本実施形態では、受信フィルタ３は、平衡−不平衡変換機能を有するバランス型の弾性表面波フィルタからなる。もっとも、本発明において、デュプレクサの第２の帯域フィルタは、縦結合共振子型弾性表面波フィルタに限らず、様々な帯域フィルタにより構成することができる。

従来、ラダー型フィルタの直列腕共振子に並列にインダクタンスを接続することにより、通過帯域外の減衰量を拡大し得ることが知られている。しかしながら、圧電基板の誘電率は比較的高い。従って、圧電基板のような誘電率は比較的高い基板上に導体パターンを形成して直接インダクタンスを形成すると、インダクタの寄生容量により、インダクタンスのＱ値が小さくなる。すなわちＱ値が悪くなる。

他方、上記のように直列腕共振子に並列にインダクタンスを接続した構成においては、インダクタンスのＱ値が小さいと、通過帯域内における挿入損失が悪化する。従って、直列腕共振子に並列に接続されるインダクタンスのＱ値を大きくすることが望ましい。しかしながら、Ｑ値の大きいインダクタンスを誘電率が比較的高い基板上に直接形成することは困難であった。例えば、圧電基板とインダクタンスとの間に相対的に誘電率の低い部材を設ける、あるいはインダクタを平面構造でなく三次元構造、例えば積層構造を用いるなど複雑な工程を実施したり、デュプレクサを搭載した実装基板上にインダクタンス部品を外付けしたりしなければならなかった。

これに対して、本実施形態では、図２に示すように、平面構造のコイル状導体パターンからなるインダクタンス１０を圧電基板上に設け、相対的にＱ値が小さくなる場合、すなわち悪い場合であっても、フィルタの帯域内挿入損失の悪化を抑制することができる。これを、より具体的に詳述する。

図３及び図４は、インダクタンス１０のＱ値と周波数との関係、並びにインダクタンス値Ｌと周波数との関係を示す図である。図３から明らかなように、上記送信フィルタの通過帯域付近においては、インダクタンス１０のＱ値は約６程度と小さいことがわかる。また、インダクタンス値は４×１０^−９〜５×１０^−９（Ｈ）程度である。

他方、図５は、上記直列腕共振子Ｓ１とインダクタンス１０との並列回路を示す。図６は、この並列回路の共振特性を示し、実線がＳ１１の特性を、破線がＳ２１の特性を示す。なお、図６の特性は、１ポート型弾性波共振子９の共振周波数ｆｒ１を１９７７ＭＨｚとした場合の特性である。

また、上記受信フィルタ３において、インダクタンス１０のＱ値を、４０、２０、４．７及び１にそれぞれ変更し、４種類のデュプレクサを構成した。このデュプレクサにおける送信特性を図７に示す。なお、インダクタンス１０のＱ値以外の設計パラメータは以下の通りである。

１ポート型弾性波共振子９：波長＝１．９６１６μｍ。電極指の対数＝１７７対。共振周波数ｆｒ１＝１９７５．５ＭＨｚ。

直列腕共振子Ｓ１：波長＝１．９７５４μｍ。電極指の対数＝１３３対。共振周波数ｆｒ２＝１９６５．１ＭＨｚ。

直列腕共振子Ｓ２：波長＝１．９８２０μｍ。電極指の対数＝１４６対。共振周波数ｆｒ３＝１９５９．２ＭＨｚ。

直列腕共振子Ｓ３：波長＝１．９９６７μｍ。電極指の対数＝１６０対。共振周波数ｆｒ４＝１９４５．１ＭＨｚ。

直列腕共振子Ｓ４：波長＝１．９７５４μｍ。電極指の対数＝１７０対。共振周波数ｆｒ５＝１９６５．１ＭＨｚ。

なお、波長はＩＤＴ電極の電極指ピッチにより定まる波長である。

なお、インダクタンス１０のＱ値が４０である構造では、圧電基板上に形成することは難しく、誘電率の低いＳｉ等の非圧電基板に形成する必要がある。そのため、ＩＤＴ電極が設けられる圧電基板とは別に準備する非圧電基板上にインダクタンス１０を設ける場合、より大きなスペースを必要とした。

上記実施形態では、上記１ポート型弾性波共振子９の共振周波数ｆｒ１が、中心周波数ｆ０よりも高くされている。比較のために、１ポート型弾性波共振子９の共振周波数ｆｒ１を中心周波数ｆ０よりも低く、１９２８ＭＨｚとした比較例を用意した。インダクタンス１０のＱ値を後述のように変化させたこと、並びに上記１ポート型弾性波共振子９の共振周波数ｆｒ１が中心周波数ｆ０よりも低くされていることを除いては、上記比較例は上記実施形態と同様とした。この比較例は、上記実施例とその他の構造は同様である。

図９は、比較例のデュプレクサにおける送信特性を示し、図１０は比較例のデュプレクサの送信フィルタにおける上記１ポート型弾性波共振子９とインダクタンスとの並列回路の共振特性を示す図である。

比較例においては、インダクタンス１０のＱ値は、４０、２０、５及び１にそれぞれ変更した。図７及び図８と、図９及び図１０とを比較すれば明らかなように、上記実施形態によれば、比較例に比べ通過帯域内の挿入損失を小さくし得ることがわかる。

すなわち、図９の矢印Ａで示すように、比較例では、インダクタンスのＱ値が４０、２０、５、１と低くなるにつれ、送信帯域における挿入損失、特に中心周波数よりも高域側における帯域内の挿入損失が悪化していくことがわかる。特に、インダクタンスのＱ値が２０以下の場合、中心周波数よりも高域側における通過帯域内における挿入損失をより一層悪化させることがわかる。

これに対して、図７の矢印Ｂで示すように、本実施形態では、中心周波数よりも高域側において、インダクタンス１０のＱ値が非常に小さくなったとしても、通過帯域内における挿入損失が、悪化しないことがわかる。これは、上記１ポート型弾性波共振子９の共振周波数−反共振周波数の周波数域が、通過帯域の中心周波数ｆ０よりも高域側に位置しているためである。

すなわち、比較例では、図９に示したように、通過帯域内の中心周波数ｆ０よりも高域側の周波数域において、挿入損失が大幅に悪化していた。本実施形態によれば、この挿入損失の悪化を極めて効果的に抑制することができる。よって、低損失の送信フィルタ２を得ることができる。

好ましくは、上記１ポート型弾性波共振子９における波長を、直列腕共振子Ｓ１〜Ｓ４における波長よりも小さくすることが望ましい。それによって、共振周波数ｆｒ１を容易に中心周波数ｆ０よりも高域側に位置させることができる。より好ましくは、上記１ポート型弾性波共振子９の波長を、上記１ポート型弾性波共振子９及び複数の直列腕共振子Ｓ１〜Ｓ４における電極指ピッチで定まる波長のうち、最も小さくすることが望ましい。それによって、通過帯域内における中心周波数ｆ０よりも高域側の周波数域における挿入損失をより効果的に抑制することができる。

また、１ポート型弾性波共振子９の共振周波数ｆｒ１は、上記１ポート型弾性波共振子９及びの複数の直列腕共振子Ｓ１〜Ｓ４において、最も共振周波数が低い直列腕共振子の共振周波数よりも高いことが望ましい。それによって、挿入損失の悪化をより効果的に抑制することができる。より好ましくは、１ポート型弾性波共振子９の共振周波数ｆｒ１が、上記１ポート型弾性波共振子９及び複数の直列腕共振子Ｓ１〜Ｓ４の共振周波数のうち最も高いことが望ましい。

上記実施形態では直列腕共振子Ｓ１〜Ｓ４は複数設けられている。直列腕共振子は１個のみが設けられてもよい。

また、１ポート型弾性波共振子９は、複数設けられていてもよい。この場合、複数の１ポート型弾性波共振子９を互いに直列に接続すればよい。

さらに、上記インダクタンス１０のＱ値については、通過帯域内における挿入損失を小さくするには高いことが望ましい。しかしながら、本発明の効果、すなわちＱ値が低くとも通過帯域内の挿入損失を低める効果をより効果的に発現させるには、インダクタンスのＱ値は２０以下であることが望ましい。

インダクタンス１０のＱ値が２０以下である場合には、通過帯域内の中心周波数よりも高域側部分における損失の悪化が問題となる。しかしながら、本発明に従って、上記１ポート型弾性波共振子９の共振周波数ｆｒ１を中心周波数ｆ０よりも高域側に位置させることにより、このような挿入損失の悪化を効果的に抑制することができる。

なお、上述してきた実施形態では、デュプレクサの送信フィルタ２に本発明の弾性波フィルタ装置を用いたが、本発明の弾性波フィルタ装置はデュプレクサに限らず、様々な帯域通過型のラダー型フィルタに好適に用いることができる。

さらに、本発明の弾性波フィルタ装置における弾性波フィルタ部は、上記のようなラダー型フィルタに限らず、他の回路構成の帯域通過型の弾性波フィルタ部を有していてもよい。例えば、図１１に示す第２の実施形態の回路図のように、１ポート型弾性波共振子９に直列に、縦結合共振子型弾性波フィルタ部３１が接続されていてもよい。なお、縦結合共振子型弾性波フィルタ部３１の１ポート型弾性波共振子９に接続されている側の端部とは反対側の端部とグラウンド電位との間には、１ポート型弾性波共振子３２，３３が接続されている。図１２（ａ）〜（ｄ）は、第２の実施形態の弾性波フィルタ装置が構成されている多層基板の異なる高さ位置の電極構造を示す模式的平面図である。

図１２（ａ）は、この多層基板の平面図であり、（ｂ）及び（ｃ）は中間高さ位置における電極構造を示す模式的平面図であり、（ｄ）は多層基板の底面の電極構造を模式的平面図で示す図である。

図１２（ｂ）に示すようにコイル状導体パターンによりインダクタンス１０が設けられている。このインダクタンス１０が、図１１に示したように、１ポート型弾性波共振子９に並列に接続されている。本実施形態では、上記インダクタンス１０は、上記のように多層基板内のコイル状導体パターンにより形成されている。

図１３（ａ）〜（ｄ）は、上記第２の実施形態の比較例としての第２の比較例の弾性波装置の異なる高さ位置における電極構造を示す各模式的平面図である。図１３（ａ）〜（ｄ）に示すように、多層基板１１１を用いて、第２の比較例の弾性波フィルタ装置が構成されている。図１３（ｂ）に示すように、第２の比較例では、図１２（ｂ）に示したインダクタンス１０は設けられていない。

図１４は第２の実施形態と、第２の比較例の弾性波フィルタ装置の減衰量周波数特性を示す図である。

図１４から明らかなように、第２の実施形態では、通過帯域低域側の阻止帯域である１．２ＧＨｚ付近において減衰量が大きくなっている。これは、多層基板４１に設けたインダクタンス１０と１ポート型弾性波共振子９の容量性とによる共振で発生した減衰極により、減衰量が大きくできるためと考えられる。

また、本発明によれば、１ポート型弾性波共振子９に並列に接続されるインダクタンス１０のＱ値は低くてもよい。従って、誘電率が高い圧電基板２１上に導体パターンを形成することにより、インダクタンス１０を容易に形成することができる。また、インダクタンス１０を導体パターンにより形成する場合、その長さを短くすることができる。あるいは、コイル状導体パターンの場合には巻回数を少なくすることができる。従って、小型化も進めることが可能となる。

なお、上記実施形態では、コイル状導体パターンを圧電基板２１上に形成したが、ミアンダ状導体パターンなどの他の形状の導体パターンを用いてもよい。

なお、上記実施形態では、１ポート型弾性波共振子９、複数の直列腕共振子Ｓ１〜Ｓ４及び並列腕共振子Ｐ１〜Ｐ４は弾性表面波共振子により構成されていたが、弾性境界波共振子のような他の弾性波共振子により構成されていてもよい。

１…デュプレクサ
２…送信フィルタ
３…受信フィルタ
４…共通接続端子
５…アンテナ端子
６…送信端子
７，８…第１，第２の平衡受信端子
９…１ポート型弾性波共振子
１０…インダクタンス
１１…接続点
１２…インダクタンス
１３〜１５…接続点
１６…共通接続点
１７…インダクタンス
１８…弾性波フィルタ部
２１…圧電基板
２２…１ポート型弾性表面波共振子
２３，２４…第１，第２の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部
３１…縦結合共振子型弾性波フィルタ部
３２，３３…１ポート型弾性波共振子
４１，１１１…多層基板
Ｐ１〜Ｐ４…並列腕共振子
Ｓ１〜Ｓ４…直列腕共振子

Claims (12)

1. 圧電基板と、
   前記圧電基板上に形成された少なくとも１つのＩＤＴ電極を含む弾性波フィルタ部と、
   前記弾性波フィルタ部と直列に接続されたＩＤＴ電極を有する１ポート型弾性波共振子と、
   前記１ポート型弾性波共振子に並列に接続されたインダクタンスとを備え、
   前記弾性波フィルタ部の通過帯域の中心周波数をｆ０としたとき、前記１ポート型弾性波共振子の共振周波数ｆｒ１が中心周波数ｆ０よりも高域側に位置している、弾性波フィルタ装置。
2. 前記１ポート型弾性波共振子におけるＩＤＴ電極の前記波長が、前記１ポート型弾性波共振子及び前記弾性波フィルタ部におけるＩＤＴ電極の電極指ピッチで定まる波長のうち最も小さい、請求項１に記載の弾性波フィルタ装置。
3. 前記１ポート型弾性波共振子におけるＩＤＴ電極の電極指ピッチにより定まる波長が、前記弾性波フィルタ部の電極指ピッチで定まる波長よりも小さい、請求項１に記載の弾性波フィルタ装置。
4. 前記インダクタンスが、前記圧電基板に設けられている、請求項１〜３に記載の弾性波フィルタ装置。
5. 前記弾性波フィルタ部は、前記圧電基板と、前記圧電基板上に設けられた直列腕と、前記直列腕と接地電位と間に接続される並列腕と、前記直列腕に設けられた複数の直列腕共振子と、前記並列腕に設けられた並列腕共振子とを備え、前記複数の直列腕共振子及び並列腕共振子が、ＩＤＴ電極を有する弾性波共振子からなるラダー型弾性波フィルタ部であって、
   前記複数の直列腕共振子には、並列にインダクタンスが接続されておらず、
   前記ラダー型弾性波フィルタ部の直列腕共振子の共振周波数のうち最も高い共振周波数をｆｒ２としたとき、前記第１ポート型弾性波共振子の共振周波数ｆｒ１が、該共振周波数ｆｒ２よりも高域側に位置している、請求項１〜４のいずれか１項に記載の弾性波フィルタ装置。
6. 前記１ポート型弾性波共振子におけるＩＤＴ電極の電極指ピッチにより定まる波長が、前記直列腕共振子の電極指ピッチで定まる波長よりも小さい、請求項５に記載の弾性波フィルタ装置。
7. 前記１ポート型弾性波共振子の前記波長が、前記複数の直列腕共振子における電極指ピッチで定まる波長のうち最も小さい波長よりも小さい、請求項５または６に記載の弾性波フィルタ装置。
8. 前記１ポート型弾性波共振子の共振周波数ｆｒ１が、前記複数の直列腕共振子において最も共振周波数が低い直列腕共振子の共振周波数よりも高い、請求項５〜７のいずれか１項に記載の弾性波フィルタ装置。
9. 前記複数の直列腕共振子の共振周波数よりも、前記１ポート型弾性波共振子の共振周波数ｆｒ１が高い、請求項５〜８のいずれか１項に記載の弾性波フィルタ装置。
10. 前記インダクタンスのＱ値が２０以下である、請求項１〜９のいずれか１項に記載の弾性波フィルタ装置。
11. 前記弾性波フィルタ部は、前記圧電基板と、前記圧電基板上に設けられた縦結合共振子型弾性波フィルタとを含むフィルタ部である、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の弾性波フィルタ装置。
12. 請求項１〜１１のいずれか１項に記載の弾性波フィルタ装置からなる第１の帯域フィルタと、
    前記第１の帯域フィルタとは通過帯域が異なる第２の帯域フィルタとを有する、デュプレクサ。

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