CN107210731B - 梯子型滤波器及双工器 - Google Patents
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Abstract
提供能改善频带外衰减、能够使阻抗匹配良好、且能够减小插入损耗的梯子型滤波器及双工器。梯子型滤波器(1)是通过串联臂谐振器(S1~S4)、和第1、第2并联臂谐振器(P1、P2、P3)来构成通频带的梯子型滤波器,具备:串联臂谐振器(S1~S4);第1、第2并联臂谐振器(P1、P2、P3);以及与第1并联臂谐振器(P1)并联连接、静电电容小于第1并联臂谐振器(P1的静电电容、且反谐振频率位于梯子型滤波器(1)的通频带的频带外的第3并联臂谐振器(P4)。第1并联臂谐振器(P1)的反谐振频率位于比第2并联臂谐振器(P2、P3)的反谐振频率更靠高频区域侧的频带。
Description
技术领域
本发明涉及梯子型滤波器及双工器。
背景技术
现有技术中,梯子型滤波器被广泛应用于移动电话机等。
下述的专利文献1公开了梯子型滤波器的一例。该梯子型滤波器具有构成通频带的多个串联臂谐振器和多个第1并联臂谐振器。梯子型滤波器也具有谐振频率相比于多个串联臂谐振器的反谐振频率而更位于高频区域侧的频带的第2并联臂谐振器。第2并联臂谐振器被并联连接在未位于多个第1并联臂谐振器内的最输入端侧及最输出端侧的并联臂谐振器。
在先技术文献
专利文献
专利文献1:国际公开第2013/080461号
发明内容
-发明所要解决的技术问题-
第2并联臂谐振器在梯子型滤波器的通频带内成为电容性。为此,阻抗匹配恶化、插入损耗增大。
进而,在与第2并联臂谐振器并联连接的第1并联臂谐振器的反谐振频率较低的情况下,在通频带的频带内,电容性的频率区域扩大。由此,即便减小了第2并联臂谐振器的静电电容,插入损耗还是较大。
本发明的目的在于,提供一种能改善频带外衰减、能够使阻抗匹配良好、能够减小插入损耗的梯子型滤波器及双工器。
-用于解决技术问题的手段-
本发明涉及的梯子型滤波器具有给定的通频带且具备串联臂谐振器和第1、第2并联臂谐振器,其中,所述串联臂谐振器的谐振频率和所述第1、第2并联臂谐振器的反谐振频率位于所述给定的通频带的频带内,所述第1并联臂谐振器的所述反谐振频率位于比所述第2并联臂谐振器的所述反谐振频率更靠高频区域侧的频带,所述梯子型滤波器还具备第3并联臂谐振器,其与所述第1并联臂谐振器并联连接,静电电容小于所述第1并联臂谐振器的静电电容、且反谐振频率位于所述给定的通频带的频带外。
本发明涉及的梯子型滤波器的某一特定的方面中,所述第1并联臂谐振器的所述反谐振频率位于比未经由其他串联臂谐振器而与所述第1并联臂谐振器直接连接的至少1个所述串联臂谐振器的所述谐振频率更靠高频区域侧的频带。该情况下,能够进一步缩窄从第1并联臂谐振器的反谐振频率到串联臂谐振器的谐振频率为止的频带的范围。由此,能够缩窄电容性的频带。因此,能够进一步使阻抗匹配良好。
本发明涉及的梯子型滤波器的其他特定的方面中,所述梯子型滤波器具有多个所述第2并联臂谐振器,且具有输入端及输出端,所述第1~第3并联臂谐振器中,多个所述第2并联臂谐振器内的2个并联臂谐振器是最位于所述输入端侧的并联臂谐振器及最位于所述输出端侧的并联臂谐振器。该情况下,在输入端侧及输出端侧,通频带的频带内的阻抗难以产生向电容性的过渡。因此,能够进一步使阻抗匹配良好。
本发明涉及的梯子型滤波器的又一特定的方面中,所述第3并联臂谐振器的静电电容小于所述第1、第2并联臂谐振器的静电电容。该情况下,能够使梯子型滤波器小型化。
本发明涉及的梯子型滤波器的另一特定的方面中,所述第3并联臂谐振器的所述反谐振频率位于比所述串联臂谐振器与所述第1、第2并联臂谐振器所构成的通频带更靠高频区域侧的频带。该情况下,能够增大比通频带更靠高频区域侧的频带中的衰减量。
本发明涉及的梯子型滤波器的再一特定的方面中,所述第3并联臂谐振器的所述反谐振频率位于比所述串联臂谐振器与所述第1、第2并联臂谐振器所构成的通频带更靠低频区域侧的频带。该情况下,能够增大比通频带更靠低频区域侧的频带中的衰减量。
本发明涉及的梯子型滤波器的再一特定的方面中,所述第1~第3并联臂谐振器由声表面波谐振器构成,所述第3并联臂谐振器的静电电容小于所述第1、第2并联臂谐振器的静电电容、且所述第3并联臂谐振器的占空比大于所述第1、第2并联臂谐振器的占空比。该情况下,能够使梯子型滤波器小型化、且能够获得良好的高次谐波特性。
本发明涉及的双工器具备依据本发明而构成的梯子型滤波器。该情况下,能够更进一步减小插入损耗。
本发明涉及的双工器的某一特定的方面中,所述梯子型滤波器为发送滤波器。该情况下,在接收滤波器的通频带中能够增大衰减量。由此,能够获得良好的隔离特性。
-发明效果-
根据本发明,能够提供可改善频带外衰减、能够使阻抗匹配良好、且能够减小插入损耗的梯子型滤波器及双工器。
附图说明
图1是本发明的第1实施方式涉及的梯子型滤波器的电路图。
图2是变形例的梯子型滤波器的电路图。
图3是第1比较例的梯子型滤波器的电路图。
图4是表示第1实施方式涉及的梯子型滤波器及第1比较例的梯子型滤波器的衰减量频率特性的图。
图5(a)是表示第1实施方式涉及的梯子型滤波器及第1比较例的梯子型滤波器的通频带的输出端中的阻抗匹配的图,图5(b)是表示第1实施方式涉及的梯子型滤波器及第1比较例的梯子型滤波器的通频带的输入端中的阻抗匹配的图。
图6是第2比较例的梯子型滤波器的电路图。
图7是表示第1实施方式涉及的梯子型滤波器及第2比较例的梯子型滤波器的衰减量频率特性的图。
图8(a)是表示第1实施方式涉及的梯子型滤波器及第2比较例的梯子型滤波器的通频带的输出端中的阻抗匹配的图,图8(b)是表示第1实施方式涉及的梯子型滤波器及第2比较例的梯子型滤波器的通频带的输入端中的阻抗匹配的图。
图9是第3比较例的梯子型滤波器的电路图。
图10是表示第1实施方式涉及的梯子型滤波器及第3比较例的梯子型滤波器的衰减量频率特性的图。
图11(a)是表示第1实施方式涉及的梯子型滤波器及第3比较例的梯子型滤波器的通频带的输出端中的阻抗匹配的图,图11(b)是表示第1实施方式涉及的梯子型滤波器及第3比较例的梯子型滤波器的通频带的输入端中的阻抗匹配的图。
图12是表示第1、第2实施方式涉及的梯子型滤波器的衰减量频率特性的图。
图13(a)是表示第1、第2实施方式涉及的梯子型滤波器的通频带的输出端中的阻抗匹配的图,图13(b)是表示第1、第2实施方式涉及的梯子型滤波器的通频带的输入端中的阻抗匹配的图。
图14是表示第1、第3实施方式涉及的梯子型滤波器的衰减量频率特性的图。
图15(a)是表示第1、第3实施方式涉及的梯子型滤波器的通频带的输出端中的阻抗匹配的图,图15(b)是表示第1、第3实施方式涉及的梯子型滤波器的通频带的输入端中的阻抗匹配的图。
图16是表示第1~第3实施方式涉及的梯子型滤波器的高次谐波特性的图。
图17是第4实施方式涉及的梯子型滤波器的电路图。
图18是第5实施方式涉及的双工器的电路图。
具体实施方式
以下参照附图对本发明的具体实施方式进行说明,由此使本发明清楚明了。
其中,本说明书所述的各实施方式是例示性的内容,指出在不同的实施方式间能够实现构成的局部的置换或组合。
图1是本发明的第1实施方式涉及的梯子型滤波器的电路图。
梯子型滤波器1具有:被连接于作为输入端的输入端子2和作为输出端的输出端子3之间的串联臂、以及被设置在串联臂的多个串联臂谐振器S1~S4。再有,梯子型滤波器1具有:被连接于串联臂和接地电位之间的并联臂、以及被设置在并联臂的第1并联臂谐振器P1、第2并联臂谐振器P2、P3及第3并联臂谐振器P4。更具体的是,在串联臂谐振器S2与串联臂谐振器S3之间的连接点和接地电位之间,相互并联地连接着第1并联臂谐振器P1与第3并联臂谐振器P4。在串联臂谐振器S1与串联臂谐振器S2之间的连接点和接地电位之间,连接着第2并联臂谐振器P2。在串联臂谐振器S3与串联臂谐振器S4之间的连接点和接地电位之间,连接着第2并联臂谐振器P3。
串联臂谐振器S1~S4及第1~第3并联臂谐振器P1~P4虽然并未特别地加以限定,但由包含设置在压电基板上的IDT电极的声表面波谐振器组成。声表面波谐振器优选包含在声表面波的传播方向中配置于IDT电极的两端且被设置在压电基板上的反射器。第1~第3并联臂谐振器P1~P4的占空比全部为0.53。在此,占空比指的是声表面波谐振器所采用的IDT电极的电极指宽度相对于电极指间的间距之比。其中,能够取代声表面波谐振器而局部地采用声边界波谐振器(BAW谐振器)。
本实施方式中,第1并联臂谐振器P1、第2并联臂谐振器P3及第3并联臂谐振器P4的接地电位侧被公共连接,并经由电感器L1而与接地电位连接。另外,也可以如图2所示的变形例的梯子型滤波器31那样,第1并联臂谐振器P1、第2并联臂谐振器P3及第3并联臂谐振器P4的接地电位侧未被公共连接。还可以在第2并联臂谐振器P3与接地电位之间并不连接电感器。对于第1并联臂谐振器P1及第3并联臂谐振器P4与接地电位之间来说也是同样的。
作为带通型滤波器的梯子型滤波器1具有给定的通频带。通频带由串联臂谐振器S1~S4及第1、第2并联臂谐振器P1、P2、P3来构成。串联臂谐振器S1~S4的谐振频率和第1、第2并联臂谐振器P1、P2、P3的反谐振频率位于通频带的频带内。第3并联臂谐振器P4的反谐振频率位于比梯子型滤波器1的通频带更靠高频区域侧的频带。此外,第3并联臂谐振器的反谐振频率只要位于梯子型滤波器的通频带的频带外即可,也可以位于比该通频带更靠低频区域侧的频带。
本实施方式的特征在于,第3并联臂谐振器P4的静电电容小于第1并联臂谐振器P1的静电电容,且第1并联臂谐振器P1的反谐振频率位于比第2并联臂谐振器P2、P3的反谐振频率更靠高频区域侧的频带。由此,能够使得阻抗匹配良好,能够减小插入损耗。以下,通过对本实施方式与第1~第3比较例进行比较来说明其。
本实施方式与第1~第3比较例中的各并联臂谐振器的反谐振频率及静电电容如下述的表1~表4所示。本实施方式与第1~第3比较例中的各串联臂谐振器的谐振频率如下述的表5~表8所示。其中,表1~表8所示出的值仅为一例,各并联臂谐振器的反谐振频率及静电电容以及各串联臂谐振器的谐振频率未被限定于表1~表8的值。第1~第3比较例的电路构成的详细后述。
[表1]
[表2]
[表3]
[表4]
[表5]
S1 | S2 | S3 | S4 | |
第1实施方式 | 745MHz | 721MHz | 720MHz | 725MHz |
[表6]
S1 | S2 | S3 | S4 | |
第1比较例 | 745MHz | 721MHz | 720MHz | 725MHz |
[表7]
S111 | S112 | S113 | S114 | |
第2比较例 | 746MHz | 722MHz | 721MHz | 726MHz |
[表8]
S1 | S2 | S3 | S4 | |
第3比较例 | 745MHz | 721MHz | 720MHz | 725MHz |
图3是第1比较例的梯子型滤波器的电路图。
第1比较例的梯子型滤波器101在不具有第1并联臂谐振器这一点上和第1实施方式不同。如表1及表2所示,第3并联臂谐振器P104的静电电容也和第1实施方式不同。上述以外的方面,梯子型滤波器101具有和第1实施方式的梯子型滤波器1同样的构成。
另外,表1所示出的本实施方式中的各并联臂谐振器的反谐振频率分别是:第1并联臂谐振器P1为722MHz、第2并联臂谐振器P2为715MHz、第2并联臂谐振器P3为717MHz、第3并联臂谐振器P4为825MHz。第1比较例中的第2并联臂谐振器P2、P3及第3并联臂谐振器P4的各反谐振频率也是同样的频率。表5所示出的本实施方式中的各串联臂谐振器的谐振频率分别是:串联臂谐振器S1为745MHz、串联臂谐振器S2为721MHz、串联臂谐振器S3为720MHz、串联臂谐振器S4为725MHz。第1比较例中的串联臂谐振器S1~S4的各谐振频率也是同样的频率。
表1所示出的本实施方式中的各并联臂谐振器的静电电容分别是:第1并联臂谐振器P1为2.5pF、第2并联臂谐振器P2为5.4pF、第2并联臂谐振器P3为4.9pF、第3并联臂谐振器P4为1.0pF。这样,第3并联臂谐振器P4的静电电容小于第1、第2并联臂谐振器P1、P2、P3的静电电容。
第1比较例的梯子型滤波器101,和第1实施方式同样,具有第3并联臂谐振器P104。第3并联臂谐振器P104的阻抗在从第3并联臂谐振器P104的谐振频率到反谐振频率为止的频带中成为感应性。另一方面,第3并联臂谐振器P104的阻抗在比第3并联臂谐振器P104的谐振频率低的频带、或者在比第3并联臂谐振器P104的反谐振频率高的频带即梯子型滤波器101的通频带中成为电容性。因第3并联臂谐振器P104的电容性的影响,在梯子型滤波器101的通频带中,梯子型滤波器101的阻抗向电容性过渡。为此,阻抗匹配恶化、插入损耗增大。
与此相对,在本实施方式中,第3并联臂谐振器P4被并联连接于第1并联臂谐振器P1,且第3并联臂谐振器P4的静电电容小于第1并联臂谐振器P1的静电电容。为此,第3并联臂谐振器P4的电容性对梯子型滤波器1的通频带的阻抗匹配的影响小。由此,能够使得阻抗匹配良好,能够减小插入损耗。
进而,由于第3并联臂谐振器P4的反谐振频率位于梯子型滤波器1的通频带的频带外,故在该频带外产生衰减极。由此,也能使频带外衰减量增大。
图4是表示第1实施方式涉及的梯子型滤波器及第1比较例的梯子型滤波器的衰减量频率特性的图。实线表示本实施方式的衰减量频率特性、虚线表示第1比较例的衰减量频率特性。
本实施方式的梯子型滤波器及第1比较例的梯子型滤波器的通频带为703MHz以上且733MHz以下。在此,本说明书中,插入损耗是在通频带中损耗最大的部分的损耗。第1比较例中的插入损耗为2.22dB,本实施方式中的插入损耗为1.93dB。这样,在本实施方式中,能够减小插入损耗。
再有,在本实施方式中,可知在梯子型滤波器的通频带的频带外即790MHz配置有衰减极。由此,例如在758MHz以上且788MHz以下的频带中,能够设为50dB左右的衰减量。这是因为具有第3并联臂谐振器的缘故。
图5(a)是表示第1实施方式涉及的梯子型滤波器及第1比较例的梯子型滤波器的通频带的输出端中的阻抗匹配的图。图5(b)是表示第1实施方式涉及的梯子型滤波器及第1比较例的梯子型滤波器的通频带的输入端中的阻抗匹配的图。实线表示本实施方式的结果、虚线表示第1比较例的结果。
图5(a)及图5(b)所示出的、表示第1比较例的结果的虚线较大程度地扩展。与此相对,表示本实施方式的结果的实线扩展较小,且实线的轨道接近于圆形。由此,可知本实施方式中阻抗匹配良好。
图6是第2比较例的梯子型滤波器的电路图。
第2比较例的梯子型滤波器111中,第2并联臂谐振器P112及第3并联臂谐振器P114的配置和第1实施方式不同。如表1及表3以及表5及表7所示,第1~第3并联臂谐振器P111~P114的反谐振频率及串联臂谐振器S111~S114的谐振频率也和第1实施方式不同。上述方面以外,梯子型滤波器111具有和第1实施方式的梯子型滤波器1同样的构成。
在梯子型滤波器111的串联臂谐振器S111与串联臂谐振器S112之间的连接点和接地电位之间,相互并联地连接着第2并联臂谐振器P112及第3并联臂谐振器P114。
如表3所示,第2比较例和本实施方式同样,第2并联臂谐振器P112的反谐振频率位于比第1并联臂谐振器P111的反谐振频率更靠低频区域侧的频带。为此,从第2并联臂谐振器P112的反谐振频率到串联臂谐振器S111~S114的谐振频率为止的频带的范围较宽。第2比较例中,与该第2并联臂谐振器P112并联地连接有第3并联臂谐振器P114。因第3并联臂谐振器P114的影响,第2并联臂谐振器P112的反谐振频率向低频区域侧的频带过渡。由此,在通频带中的更宽的频带中成为电容性。因此,通频带的阻抗匹配恶化。
进而,在第2比较例中,构成通频带的并联臂谐振器中,与位于最输入端侧的第2并联臂谐振器P112并联地连接有第3并联臂谐振器P114。为此,在第2比较例的梯子型滤波器111的输入端侧,通频带内的阻抗容易向电容性过渡。由此,第2比较例的梯子型滤波器111的输入端侧的通频带内的阻抗匹配进一步恶化。
与此相对,本实施方式中,在图1所示出的、构成通频带的并联臂谐振器中,与反谐振频率最高的第1并联臂谐振器P1并联地连接有第3并联臂谐振器P4。在此,第1并联臂谐振器P1并未经由其他串联臂谐振器而是与串联臂谐振器S2及串联臂谐振器S3直接连接。第1并联臂谐振器P1的反谐振频率位于比串联臂谐振器S2及串联臂谐振器S3的任意一个的谐振频率更靠高频区域侧的频带。为此,在仅考虑了第1并联臂谐振器P1的反谐振频率与串联臂谐振器S2及串联臂谐振器S3的谐振频率的情况下,不存在电容性的频带。
另外,第1并联臂谐振器P1的反谐振频率因第3并联臂谐振器P4的影响而向低频区域侧的频带过渡。在该情况下,由于也能够进一步缩窄从第1并联臂谐振器P1的反谐振频率到串联臂谐振器S2及串联臂谐振器S3的谐振频率为止的频带的范围,故能够将电容性的频带抑制在最低限度。
再者,梯子型滤波器1具有多个第2并联臂谐振器。第2并联臂谐振器P2、P3是位于最输入端侧的并联臂谐振器及位于最输出端侧的并联臂谐振器。第1并联臂谐振器P1自输入端侧及输出端侧起,隔着串联臂谐振器S2或者串联臂谐振器S3而配置。由此,梯子型滤波器1的输入端侧及输出端侧中,通频带的频带内的梯子型滤波器1的阻抗难以产生向电容性的过渡。因此,能够使得梯子型滤波器1的阻抗匹配良好。
此外,第1并联臂谐振器的反谐振频率只要位于比多个串联臂谐振器内的至少1个串联臂谐振器的谐振频率更靠高频区域侧的频带即可。由此,能够缩窄从第1并联臂谐振器的反谐振频率到各串联臂谐振器的谐振频率为止的频带。由此,能够缩窄电容性的频带。优选的是,期望第1并联臂谐振器的反谐振频率位于比未经由其他串联臂谐振器而直接连接的串联臂谐振器内的任一方的谐振频率更靠高频区域侧的频带。由此,能够有效地抑制电容性的影响。可是,如本实施方式那样,更优选第1并联臂谐振器P1的反谐振频率位于比串联臂谐振器S2及串联臂谐振器S3的任一方的谐振频率更靠高频区域侧的频带。
此外,梯子型滤波器只要具有至少1个的第2并联臂谐振器即可。该情况下,也能够减小插入损耗。
图7是表示第1实施方式涉及的梯子型滤波器及第2比较例的梯子型滤波器的衰减量频率特性的图。实线表示本实施方式的衰减量频率特性、虚线表示第2比较例的衰减量频率特性。
图7所示出的、第2比较例的插入损耗为2.01dB。由此可知,与第2比较例的插入损耗相比,本实施方式的插入损耗更小。
图8(a)是表示第1实施方式涉及的梯子型滤波器及第2比较例的梯子型滤波器的通频带的输出端中的阻抗匹配的图。图8(b)是表示第1实施方式涉及的梯子型滤波器及第2比较例的梯子型滤波器的通频带的输入端中的阻抗匹配的图。实线表示本实施方式的结果、虚线表示第2比较例的结果。
图8(a)所示出的、表示第2比较例的结果的虚线较大程度地扩展。与此相对,表示本实施方式的结果的实线扩展较小、且实线的轨道接近于圆形。图8(b)所示出的、第2比较例的结果中,在输入端侧自50Ω离开。与此相对,在本实施方式的结果中,能够更接近于50Ω。由此可知,在本实施方式中,阻抗匹配是良好的。
图9是第3比较例的梯子型滤波器的电路图。
第3比较例的梯子型滤波器121中,第3并联臂谐振器P124的配置和第1实施方式不同。如表4所示,第1并联臂谐振器P121及第2并联臂谐振器P123的反谐振频率也和第1实施方式不同。上述方面以外,梯子型滤波器121具有与第1实施方式的梯子型滤波器1同样的构成。
在梯子型滤波器121的串联臂谐振器S3与串联臂谐振器S4之间的连接点和接地电位之间,相互并联地连接有第3并联臂谐振器P124与第2并联臂谐振器P123。
表4所示出的、第2并联臂谐振器P123的反谐振频率位于比第1并联臂谐振器P121的反谐振频率更靠低频区域侧的频带。第3比较例中,与该第2并联臂谐振器P123并联地连接有第3并联臂谐振器P124。由此,与第2比较例同样地通频带内的阻抗匹配恶化。
进而,在第3比较例中,构成通频带的并联臂谐振器中,与位于最输出端侧的第2并联臂谐振器P123并联地连接有第3并联臂谐振器P124。为此,在输出端侧容易向电容性过渡。由此,输出端侧的阻抗匹配更进一步恶化。
与此相对,在本实施方式中,与图1所示出的第1并联臂谐振器P1并联地连接有第3并联臂谐振器P4。构成通频带的并联臂谐振器中,第1并联臂谐振器P1并未位于最输出端侧。再者,第1并联臂谐振器P1的反谐振频率在构成通频带的并联臂谐振器中最高。由此,能够使得阻抗匹配良好。
图10是表示第1实施方式涉及的梯子型滤波器及第3比较例的梯子型滤波器的衰减量频率特性的图。实线表示本实施方式的衰减量频率特性、虚线表示第3比较例的衰减量频率特性。
图10所示出的、第3比较例的插入损耗为2.06dB。由此可知,与第3比较例的插入损耗相比,本实施方式的插入损耗更小。
图11(a)是表示第1实施方式涉及的梯子型滤波器及第3比较例的梯子型滤波器的通频带的输出端中的阻抗匹配的图。图11(b)是表示第1实施方式涉及的梯子型滤波器及第3比较例的梯子型滤波器的通频带内的输入端中的阻抗匹配的图。实线表示本实施方式的结果、虚线表示第3比较例的结果。
图11(a)所示出的、本实施方式的结果中,在输出端侧,与第3比较例相比能够更接近于50Ω。图11(b)所示出的、表示第3比较例的结果的虚线较大程度地扩展。与此相对,表示本实施方式的结果的实线扩展较小、且实线的轨道接近于圆形。由此可知,在本实施方式中阻抗匹配是良好的。
接着,对第2实施方式进行说明。第2实施方式中,第3并联臂谐振器的构成和第1实施方式不同。上述方面以外,第2实施方式的梯子型滤波器具有和第1实施方式的梯子型滤波器同样的构成。
更具体的是,第1实施方式中的第3并联臂谐振器的占空比为0.53,相对于此,第2实施方式中的第3并联臂谐振器的占空比为0.63。如上所述,占空比是弹性波谐振器所采用的IDT电极的电极指和电极指间的间距之比。占空比变得越大,则IDT电极中的电极指的面积比越变大。由此相同的IDT电极的面积中,占空比变得越大,则静电电容越变大。换言之,通过增大占空比,从而能够减小与静电电容的大小对应的IDT电极的面积。
在此,第2实施方式中的第3并联臂谐振器的静电电容等于第1实施方式中的第3并联臂谐振器的静电电容。因此,第2实施方式中,能够进一步减小第3并联臂谐振器的面积。更具体的是,例如能够使第2实施方式中的第3并联臂谐振器所采用的IDT电极的交叉宽度比第1实施方式中的第3并联臂谐振器所采用的IDT电极的交叉宽度缩窄15%左右。
图12是表示第1、第2实施方式涉及的梯子型滤波器的衰减量频率特性的图。图13(a)是表示第1、第2实施方式涉及的梯子型滤波器的通频带内的输出端中的阻抗匹配的图。图13(b)是表示第1、第2实施方式涉及的梯子型滤波器的通频带内的输入端中的阻抗匹配的图。另外,图12以及图13(a)及(b)中,实线表示第1实施方式的结果、虚线表示第2实施方式的结果。
图12所示出的、第2实施方式中的插入损耗和第1实施方式中的插入损耗基本相等。如图13(a)及图13(b)所示,第2实施方式中的阻抗匹配也和第1实施方式中的阻抗匹配基本同样。这样,本实施方式中,能够获得与第1实施方式同样的效果。再者,能够进一步使梯子型滤波器小型化。
接下来,对第3实施方式进行说明。第3实施方式中,第1、第2并联臂谐振器的构成和第1实施方式不同。上述方面以外,第3实施方式的梯子型滤波器具有与第1实施方式的梯子型滤波器同样的构成。
更具体的是,第1实施方式中的第1、第2并联臂谐振器的占空比全部为0.53,相对于此,第3实施方式中的第1、第2并联臂谐振器的占空比全部为0.63。第3实施方式中的第1、第2并联臂谐振器各自的静电电容等于第1实施方式中的第1、第2并联臂谐振器各自的静电电容。声表面波谐振器的静电电容和占空比、交叉宽度及电极指的对数之积成比例。在静电电容恒定、且由电极指的周期决定的波长λ恒定的情况下,如果提高占空比,那么电极指的对数少、或者可缩短交叉宽度的距离。由此,能够进一步减小第1、第2并联臂谐振器的面积。
图14是表示第1、第3实施方式涉及的梯子型滤波器的衰减量频率特性的图。图15(a)是表示第1、第3实施方式涉及的梯子型滤波器的通频带内的输出端的阻抗匹配的图。图15(b)是表示第1、第3实施方式涉及的梯子型滤波器的通频带内的输入端的阻抗匹配的图。其中,图14以及图15(a)及(b)中,实线表示第1实施方式的结果、虚线表示第3实施方式的结果。
图14所示出的、第3实施方式中的插入损耗和第1实施方式中的插入损耗基本相等。如图15(a)及图15(b)所示,第3实施方式中的阻抗匹配也和第1实施方式中的阻抗匹配基本同样。由此,在本实施方式中,除了第1实施方式的效果以外,还能够更进一步使梯子型滤波器小型化。
图16是表示第1~第3实施方式涉及的梯子型滤波器的高次谐波特性的图。其中,实线表示第1实施方式的结果、虚线表示第2实施方式的结果、单点划线表示第3实施方式的结果。
第1~第3实施方式中,2倍波的频带为1406MHz以上且1466MHz以下,3倍波的频带为2109MHz以上且2199MHz以下。图16所示出的、2倍波的频带中,第1~第3实施方式涉及的梯子型滤波器的任一个均能够获得适当的衰减特性。
另一方面,在3倍波的频带中,第1、第2实施方式涉及的梯子型滤波器中能够获得适当的衰减特性。这是因为通过第1、第2实施方式涉及的梯子型滤波器在3倍波的频带中可抑制寄生的产生的缘故。
寄生是因谐振器所采用的IDT电极中产生非必要的励振而产生的。寄生的大小依存于并联臂谐振器所采用的IDT电极的占空比及静电电容。上述IDT电极的占空比越接近于0.5,则寄生就越减小。或者,上述IDT电极的静电电容越小、则寄生就越减小。
如上所述,通过增大占空比,从而能够减小相对于静电电容的大小的IDT电极的面积。另一方面,占空比变得越比0.5大,则寄生就越变大。由此,如第2实施方式那样优选增大能够减小寄生且静电电容小的并联臂谐振器所采用的IDT电极的占空比。第2实施方式中,除了可小型化以外,也能获得良好的高次谐波特性。
图17是第4实施方式涉及的梯子型滤波器的电路图。
梯子型滤波器11在第1并联臂谐振器P1、第2并联臂谐振器P2及第3并联臂谐振器P4的配置方面和第1实施方式不同。上述方面以外,梯子型滤波器11具有与第1实施方式的梯子型滤波器1同样的构成。
本实施方式中,构成通频带的并联臂谐振器中,第1并联臂谐振器P1位于最输入端侧。第3并联臂谐振器P4,和第1实施方式同样,并联连接于第1并联臂谐振器P1。该情况下,也能够减小插入损耗。
另外,构成通频带的并联臂谐振器中,也可以是第1并联臂谐振器位于最输出端侧,且第3并联臂谐振器并联连接于第1并联臂谐振器。该情况下,也能够减小插入损耗。
本发未限于梯子型滤波器,也能够优选地适用于双工器等。
图18是第5实施方式涉及的双工器的电路图。
双工器20具有发送滤波器、和通频带不同于发送滤波器的通频带的接收滤波器。更具体的是,发送滤波器的通频带为703MHz以上且733MHz以下、接收滤波器的通频带为758MHz以上且788MHz以下。其中,发送滤波器及接收滤波器的通频带未被限定于上述值。
本实施方式的发送滤波器是具有与第1实施方式涉及的梯子型滤波器1同样的构成的梯子型滤波器21。其中,梯子型滤波器21的输出端为端子24。端子24与天线连接。在端子24与接地电位之间连接有阻抗匹配用的电感器L2。
接收滤波器具有:连接于端子24与输出端子23之间的谐振器25、纵耦合谐振器型弹性波滤波器26及纵耦合谐振器型弹性波滤波器27。谐振器25、纵耦合谐振器型弹性波滤波器26及纵耦合谐振器型弹性波滤波器27相互串联地连接。其中,接收滤波器并未特别地被限定为上述构成。例如,作为接收滤波器也可以采用本发明涉及的梯子型滤波器。
本实施方式中,由于发送滤波器采用梯子型滤波器21,故能够使发送滤波器的阻抗匹配良好,能够减小插入损耗。
梯子型滤波器21具有与图4示出的衰减量频率特性同样的衰减量频率特性。梯子型滤波器21具有第3并联臂谐振器P4,由此在790MHz附近具有衰减极。由此,在接收滤波器的通频带中,能够增大衰减量。由此能够获得良好的隔离特性。另外,梯子型滤波器的串联臂谐振器及并联臂谐振器的至少一部分能够采用BAW谐振器。
-符号说明-
1...梯子型滤波器
2...输入端子
3...输出端子
11...梯子型滤波器
20...双工器
21...梯子型滤波器
23...输出端子
24...端子
25...谐振器
26、27...纵耦合谐振器型弹性波滤波器
31、101、111、121...梯子型滤波器
S1~S4、S111~S114...串联臂谐振器
P1、P111、P121...第1并联臂谐振器
P2、P3、P112、P113、P123...第2并联臂谐振器
P4、P104、P114、P124...第3并联臂谐振器
L1、L2...电感器
Claims (9)
1.一种梯子型滤波器,具有给定的通频带且具备串联臂谐振器和第1并联臂谐振器、第2并联臂谐振器,其中,
所述串联臂谐振器的谐振频率和所述第1并联臂谐振器、所述第2并联臂谐振器的反谐振频率位于所述给定的通频带的频带内,
所述第1并联臂谐振器的所述反谐振频率位于比所述第2并联臂谐振器的所述反谐振频率更靠高频区域侧的频带,
所述梯子型滤波器还具备第3并联臂谐振器,所述第3并联臂谐振器与所述第1并联臂谐振器并联连接,静电电容小于所述第1并联臂谐振器的静电电容,且反谐振频率位于所述给定的通频带的频带外。
2.根据权利要求1所述的梯子型滤波器,其中,
所述第1并联臂谐振器的所述反谐振频率位于比未经由其他串联臂谐振器而与所述第1并联臂谐振器直接连接的至少1个所述串联臂谐振器的所述谐振频率更靠高频区域侧的频带。
3.根据权利要求1或2所述的梯子型滤波器,其中,
所述梯子型滤波器具有多个所述第2并联臂谐振器,且具有输入端及输出端,
所述第1并联臂谐振器至所述第3并联臂谐振器中,多个所述第2并联臂谐振器内的2个并联臂谐振器是位于最靠近所述输入端侧的并联臂谐振器及位于最靠近所述输出端侧的并联臂谐振器。
4.根据权利要求1或2所述的梯子型滤波器,其中,
所述第3并联臂谐振器的静电电容小于所述第1并联臂谐振器、所述第2并联臂谐振器的静电电容。
5.根据权利要求1或2所述的梯子型滤波器,其中,
所述第3并联臂谐振器的所述反谐振频率位于比所述串联臂谐振器与所述第1并联臂谐振器、所述第2并联臂谐振器所构成的通频带更靠高频区域侧的频带。
6.根据权利要求1或2所述的梯子型滤波器,其中,
所述第3并联臂谐振器的所述反谐振频率位于比所述串联臂谐振器与所述第1并联臂谐振器、所述第2并联臂谐振器所构成的通频带更靠低频区域侧的频带。
7.根据权利要求1或2所述的梯子型滤波器,其中,
所述第1并联臂谐振器至所述第3并联臂谐振器由声表面波谐振器构成,
所述第3并联臂谐振器的静电电容小于所述第1并联臂谐振器、所述第2并联臂谐振器的静电电容,且所述第3并联臂谐振器的占空比大于所述第1并联臂谐振器、所述第2并联臂谐振器的占空比。
8.一种双工器,其中,
具备权利要求1~7中任一项所述的梯子型滤波器。
9.根据权利要求8所述的双工器,其中,
所述梯子型滤波器为发送滤波器。
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