JPWO2016174938A1 - ラダー型フィルタ及びデュプレクサ - Google Patents

ラダー型フィルタ及びデュプレクサ Download PDF

Info

Publication number
JPWO2016174938A1
JPWO2016174938A1 JP2016547961A JP2016547961A JPWO2016174938A1 JP WO2016174938 A1 JPWO2016174938 A1 JP WO2016174938A1 JP 2016547961 A JP2016547961 A JP 2016547961A JP 2016547961 A JP2016547961 A JP 2016547961A JP WO2016174938 A1 JPWO2016174938 A1 JP WO2016174938A1
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
parallel arm
arm resonator
ladder
resonator
parallel
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2016547961A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6024863B1 (ja
Inventor
高田 俊明
俊明 高田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
Application granted granted Critical
Publication of JP6024863B1 publication Critical patent/JP6024863B1/ja
Publication of JPWO2016174938A1 publication Critical patent/JPWO2016174938A1/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46Filters
    • H03H9/64Filters using surface acoustic waves
    • H03H9/6423Means for obtaining a particular transfer characteristic
    • H03H9/6433Coupled resonator filters
    • H03H9/6483Ladder SAW filters
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46Filters
    • H03H9/64Filters using surface acoustic waves
    • H03H9/6423Means for obtaining a particular transfer characteristic
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/70Multiple-port networks for connecting several sources or loads, working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source
    • H03H9/72Networks using surface acoustic waves
    • H03H9/725Duplexers

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
  • Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)

Abstract

帯域外減衰が改善され、インピーダンスマッチングを良好にとることができ、挿入損失を小さくすることができる、ラダー型フィルタ及びデュプレクサを提供する。ラダー型フィルタ1は、直列腕共振子S1〜S4と、第1,第2の並列腕共振子P1,P2,P3とにより通過帯域が構成されているラダー型フィルタであって、直列腕共振子S1〜S4と、第1,第2の並列腕共振子P1,P2,P3と、第1の並列腕共振子P1に並列に接続されており、第1の並列腕共振子P1の静電容量よりも静電容量が小さく、かつ反共振周波数がラダー型フィルタ1の通過帯域の帯域外に位置している第3の並列腕共振子P4とを備える。第1の並列腕共振子P1の反共振周波数が、第2の並列腕共振子P2,P3の反共振周波数よりも高域側の周波数域に位置している。

Description

本発明は、ラダー型フィルタ及びデュプレクサに関する。
従来、ラダー型フィルタが携帯電話機などに広く用いられている。
下記の特許文献1には、ラダー型フィルタの一例が開示されている。このラダー型フィルタは、通過帯域を構成している複数の直列腕共振子と複数の第1の並列腕共振子とを有する。ラダー型フィルタは、複数の直列腕共振子の反共振周波数よりも高域側の周波数域に共振周波数が位置する第2の並列腕共振子も有する。第2の並列腕共振子は、複数の第1の並列腕共振子の内の最も入力端側及び最も出力端側に位置していない並列腕共振子に並列に接続されている。
国際公開第2013/080461号
第2の並列腕共振子は、ラダー型フィルタの通過帯域内においては容量性となる。そのため、インピーダンスマッチングが悪化し、挿入損失が増大していた。
さらに、第2の並列腕共振子に並列に接続されている第1の並列腕共振子の反共振周波数が低い場合、通過帯域の帯域内において、容量性の周波数領域が広くなっていた。よって、第2の並列腕共振子の静電容量を小さくしたとしても、なお挿入損失は大きかった。
本発明の目的は、帯域外減衰が改善され、インピーダンスマッチングを良好にとることができ、挿入損失を小さくすることができる、ラダー型フィルタ及びデュプレクサを提供することにある。
本発明に係るラダー型フィルタは、所定の通過帯域を有し、直列腕共振子と、第1,第2の並列腕共振子とを備えているラダー型フィルタであって、前記直列腕共振子の共振周波数と、前記第1,第2の並列腕共振子の反共振周波数とが前記所定の通過帯域の帯域内に位置しており、前記第1の並列腕共振子の前記反共振周波数が、前記第2の並列腕共振子の前記反共振周波数よりも高域側の周波数域に位置しており、前記第1の並列腕共振子に並列に接続されており、前記第1の並列腕共振子の静電容量よりも静電容量が小さく、かつ反共振周波数が前記所定の通過帯域の帯域外に位置している第3の並列腕共振子がさらに備えられている。
本発明に係るラダー型フィルタのある特定の局面では、前記第1の並列腕共振子の前記反共振周波数が、前記第1の並列腕共振子に他の直列腕共振子を介すことなく直接接続されている少なくとも1個の前記直列腕共振子の前記共振周波数よりも高域側の周波数域に位置している。この場合には、第1の並列腕共振子の反共振周波数から直列腕共振子の共振周波数までの周波数域の範囲をより狭くすることができる。それによって、容量性の周波数域を狭くすることができる。従って、インピーダンスマッチングをより一層良好にとることができる。
本発明に係るラダー型フィルタの他の特定の局面では、前記第2の並列腕共振子を複数有し、入力端及び出力端を有し、前記第1〜第3の並列腕共振子において、前記複数の第2の並列腕共振子の内の2個の並列腕共振子が、最も前記入力端側に位置する並列腕共振子及び最も前記出力端側に位置する並列腕共振子である。この場合には、入力端側及び出力端側において、通過帯域の帯域内におけるインピーダンスは容量性への移行が生じ難い。従って、インピーダンスマッチングをより一層良好にとることができる。
本発明に係るラダー型フィルタのさらに他の特定の局面では、前記第1,第2の並列腕共振子の静電容量よりも前記第3の並列腕共振子の静電容量の方が小さい。この場合には、ラダー型フィルタを小型にすることができる。
本発明に係るラダー型フィルタの別の特定の局面では、前記第3の並列腕共振子の前記反共振周波数が、前記直列腕共振子と前記第1,第2の並列腕共振子とにより構成されている通過帯域よりも高域側の周波数域に位置している。この場合には、通過帯域よりも高域側の周波数域における減衰量を大きくすることができる。
本発明に係るラダー型フィルタのさらに別の特定の局面では、前記第3の並列腕共振子の前記反共振周波数が、前記直列腕共振子と前記第1,第2の並列腕共振子とにより構成されている通過帯域よりも低域側の周波数域に位置している。この場合には、通過帯域よりも低域側の周波数域における減衰量を大きくすることができる。
本発明に係るラダー型フィルタのさらに別の特定の局面では、前記第1〜第3の並列腕共振子が、弾性表面波共振子からなり、前記第1,第2の並列腕共振子の静電容量よりも前記第3の並列腕共振子の静電容量の方が小さく、かつ前記第1,第2の並列腕共振子のデューティー比よりも前記第3の並列腕共振子のデューティー比の方が大きい。この場合には、ラダー型フィルタを小型にすることができ、かつ良好な高調波特性を得ることができる。
本発明に係るデュプレクサは、本発明に従って構成されているラダー型フィルタを備える。この場合には、より一層挿入損失を小さくすることができる。
本発明に係るデュプレクサのある特定の局面では、前記ラダー型フィルタが送信フィルタである。この場合には、受信フィルタの通過帯域において、減衰量を大きくすることができる。よって、良好なアイソレーション特性を得ることができる。
本発明によれば、帯域外減衰が改善され、インピーダンスマッチングを良好にとることができ、挿入損失を小さくすることができる、ラダー型フィルタ及びデュプレクサを提供することができる。
図1は、本発明の第1の実施形態に係るラダー型フィルタの回路図である。 図2は、変形例のラダー型フィルタの回路図である。 図3は、第1の比較例のラダー型フィルタの回路図である。 図4は、第1の実施形態に係るラダー型フィルタ及び第1の比較例のラダー型フィルタの減衰量周波数特性を示す図である。 図5(a)は、第1の実施形態に係るラダー型フィルタ及び第1の比較例のラダー型フィルタの通過帯域の出力端におけるインピーダンスマッチングを示す図であり、図5(b)は、第1の実施形態に係るラダー型フィルタ及び第1の比較例のラダー型フィルタの通過帯域の入力端におけるインピーダンスマッチングを示す図である。 図6は、第2の比較例のラダー型フィルタの回路図である。 図7は、第1の実施形態に係るラダー型フィルタ及び第2の比較例のラダー型フィルタの減衰量周波数特性を示す図である。 図8(a)は、第1の実施形態に係るラダー型フィルタ及び第2の比較例のラダー型フィルタの通過帯域の出力端におけるインピーダンスマッチングを示す図であり、図8(b)は、第1の実施形態に係るラダー型フィルタ及び第2の比較例のラダー型フィルタの通過帯域の入力端におけるインピーダンスマッチングを示す図である。 図9は、第3の比較例のラダー型フィルタの回路図である。 図10は、第1の実施形態に係るラダー型フィルタ及び第3の比較例のラダー型フィルタの減衰量周波数特性を示す図である。 図11(a)は、第1の実施形態に係るラダー型フィルタ及び第3の比較例のラダー型フィルタの通過帯域の出力端におけるインピーダンスマッチングを示す図であり、図11(b)は、第1の実施形態に係るラダー型フィルタ及び第3の比較例のラダー型フィルタの通過帯域の入力端におけるインピーダンスマッチングを示す図である。 図12は、第1,第2の実施形態に係るラダー型フィルタの減衰量周波数特性を示す図である。 図13(a)は、第1,第2の実施形態に係るラダー型フィルタの通過帯域の出力端におけるインピーダンスマッチングを示す図であり、図13(b)は、第1,第2の実施形態に係るラダー型フィルタの通過帯域の入力端におけるインピーダンスマッチングを示す図である。 図14は、第1,第3の実施形態に係るラダー型フィルタの減衰量周波数特性を示す図である。 図15(a)は、第1,第3の実施形態に係るラダー型フィルタの通過帯域の出力端におけるインピーダンスマッチングを示す図であり、図15(b)は、第1,第3の実施形態に係るラダー型フィルタの通過帯域の入力端におけるインピーダンスマッチングを示す図である。 図16は、第1〜第3の実施形態に係るラダー型フィルタの高調波特性を示す図である。 図17は、第4の実施形態に係るラダー型フィルタの回路図である。 図18は、第5の実施形態に係るデュプレクサの回路図である。
以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。
なお、本明細書に記載の各実施形態は、例示的なものであり、異なる実施形態間において、構成の部分的な置換または組み合わせが可能であることを指摘しておく。
図1は、本発明の第1の実施形態に係るラダー型フィルタの回路図である。
ラダー型フィルタ1は、入力端としての入力端子2と出力端としての出力端子3との間に接続されている直列腕と、直列腕に設けられた複数の直列腕共振子S1〜S4を有する。さらに、ラダー型フィルタ1は、直列腕とグラウンド電位との間に接続されている並列腕と、並列腕に設けられた第1の並列腕共振子P1、第2の並列腕共振子P2,P3及び第3の並列腕共振子P4を有する。より具体的には、直列腕共振子S2と直列腕共振子S3との間の接続点と、グラウンド電位との間には、第1の並列腕共振子P1と第3の並列腕共振子P4とが互いに並列に接続されている。直列腕共振子S1と直列腕共振子S2との間の接続点と、グラウンド電位との間には、第2の並列腕共振子P2が接続されている。直列腕共振子S3と直列腕共振子S4との間の接続点と、グラウンド電位との間には、第2の並列腕共振子P3が接続されている。
直列腕共振子S1〜S4及び第1〜第3の並列腕共振子P1〜P4は、特に限定されないが、圧電基板上に設けられたIDT電極を含む弾性表面波共振子からなる。弾性表面波共振子は、弾性表面波の伝搬方向においてIDT電極の両端に配置され、圧電基板上に設けられた反射器を含むことが好ましい。第1〜第3の並列腕共振子P1〜P4のデューティー比は、全て0.53である。ここで、デューティー比とは、弾性表面波共振子に用いられているIDT電極の電極指幅の電極指間のピッチに対する比である。なお、弾性表面波共振子に代えて、弾性境界波共振子(BAW共振子)を部分的に用いることができる。
本実施形態では、第1の並列腕共振子P1、第2の並列腕共振子P3及び第3の並列腕共振子P4のグラウンド電位側が共通接続されており、インダクタL1を介してグラウンド電位に接続されている。なお、図2に示す変形例のラダー型フィルタ31のように、第1の並列腕共振子P1、第2の並列腕共振子P3及び第3の並列腕共振子P4のグラウンド電位側は共通接続されていなくてもよい。第2の並列腕共振子P3とグラウンド電位との間には、インダクタは接続されていなくともよい。第1の並列腕共振子P1及び第3の並列腕共振子P4とグラウンド電位との間についても同様である。
帯域通過型フィルタであるラダー型フィルタ1は所定の通過帯域を有している。通過帯域は、直列腕共振子S1〜S4及び第1,第2の並列腕共振子P1,P2,P3により構成されている。直列腕共振子S1〜S4の共振周波数と、第1,第2の並列腕共振子P1,P2,P3の反共振周波数は、通過帯域の帯域内に位置している。第3の並列腕共振子P4の反共振周波数は、ラダー型フィルタ1の通過帯域よりも高域側の周波数域に位置している。なお、第3の並列腕共振子の反共振周波数は、ラダー型フィルタの通過帯域の帯域外に位置していればよく、該通過帯域よりも低域側の周波数域に位置していてもよい。
本実施形態の特徴は、第3の並列腕共振子P4の静電容量が第1の並列腕共振子P1の静電容量よりも小さく、かつ第1の並列腕共振子P1の反共振周波数が第2の並列腕共振子P2,P3の反共振周波数よりも高域側の周波数域に位置していることにある。それによって、インピーダンスマッチングを良好にとることができ、挿入損失を小さくすることができる。これを以下において、本実施形態と第1〜第3の比較例とを比較することにより説明する。
本実施形態と第1〜第3の比較例とにおける各並列腕共振子の反共振周波数及び静電容量は、下記の表1〜表4の通りである。本実施形態と第1〜第3の比較例とにおける各直列腕共振子の共振周波数は、下記の表5〜表8の通りである。なお、表1〜表8に示されている値は一例であり、各並列腕共振子の反共振周波数及び静電容量並びに各直列腕共振子の共振周波数は、表1〜表8の値には限定されない。第1〜第3の比較例の回路構成の詳細は後述する。
Figure 2016174938
Figure 2016174938
Figure 2016174938
Figure 2016174938
Figure 2016174938
Figure 2016174938
Figure 2016174938
Figure 2016174938
図3は、第1の比較例のラダー型フィルタの回路図である。
第1の比較例のラダー型フィルタ101は、第1の並列腕共振子を有しない点において、第1の実施形態と異なる。表1及び表2に示すように、第3の並列腕共振子P104の静電容量も、第1の実施形態と異なる。上記以外の点においては、ラダー型フィルタ101は、第1の実施形態のラダー型フィルタ1と同様の構成を有する。
なお、表1に示されているように、本実施形態における各並列腕共振子の反共振周波数は、それぞれ、第1の並列腕共振子P1は722MHzであり、第2の並列腕共振子P2は715MHzであり、第2の並列腕共振子P3は717MHzであり、第3の並列腕共振子P4は825MHzである。第1の比較例における第2の並列腕共振子P2,P3及び第3の並列腕共振子P4の各反共振周波数も同様の周波数である。表5に示されているように、本実施形態における各直列腕共振子の共振周波数は、それぞれ、直列腕共振子S1は745MHzであり、直列腕共振子S2は721MHzであり、直列腕共振子S3は720MHzであり、直列腕共振子S4は725MHzである。第1の比較例における直列腕共振子S1〜S4の各共振周波数も同様の周波数である。
表1に示されているように、本実施形態における各並列腕共振子の静電容量は、それぞれ、第1の並列腕共振子P1は2.5pFであり、第2の並列腕共振子P2は5.4pFであり、第2の並列腕共振子P3は4.9pFであり、第3の並列腕共振子P4は1.0pFである。このように、第3の並列腕共振子P4の静電容量は、第1,第2の並列腕共振子P1,P2,P3の静電容量よりも小さい。
第1の比較例のラダー型フィルタ101は、第1の実施形態と同様に、第3の並列腕共振子P104を有する。第3の並列腕共振子P104のインピーダンスは、第3の並列腕共振子P104の共振周波数から反共振周波数までの周波数域においては、誘導性となる。他方、第3の並列腕共振子P104のインピーダンスは、第3の並列腕共振子P104の共振周波数より低い周波数域、または第3の並列腕共振子P104の反共振周波数より高い周波数域であるラダー型フィルタ101の通過帯域においては、容量性となる。第3の並列腕共振子P104の容量性の影響により、ラダー型フィルタ101の通過帯域では、ラダー型フィルタ101のインピーダンスが、容量性に移行する。そのため、インピーダンスマッチングが悪化し、挿入損失が増大する。
これに対して、本実施形態では、第3の並列腕共振子P4は、第1の並列腕共振子P1に並列に接続されており、かつ第3の並列腕共振子P4の静電容量は、第1の並列腕共振子P1の静電容量よりも小さい。そのため、ラダー型フィルタ1の通過帯域のインピーダンスマッチングに対する第3の並列腕共振子P4の容量性の影響は小さい。よって、インピーダンスマッチングを良好にとることができ、挿入損失を小さくすることができる。
さらに、第3の並列腕共振子P4の反共振周波数はラダー型フィルタ1の通過帯域の帯域外に位置するため、該帯域外に減衰極が生じる。よって、帯域外減衰量を増大させることもできる。
図4は、第1の実施形態に係るラダー型フィルタ及び第1の比較例のラダー型フィルタの減衰量周波数特性を示す図である。実線は本実施形態の減衰量周波数特性を示し、破線は第1の比較例の減衰量周波数特性を示す。
本実施形態のラダー型フィルタ及び第1の比較例のラダー型フィルタの通過帯域は、703MHz以上、733MHz以下である。ここで、本明細書においては、挿入損失は、通過帯域において最も損失が大きい部分のロスである。第1の比較例における挿入損失は、2.22dBであり、本実施形態における挿入損失は、1.93dBである。このように、本実施形態では、挿入損失を小さくすることができる。
さらに、本実施形態において、ラダー型フィルタの通過帯域の帯域外である790MHzに減衰極が配置されていることがわかる。それによって、例えば、758MHz以上、788MHz以下の帯域においては、50dB程の減衰量とすることができている。これは、第3の並列腕共振子を有することによる。
図5(a)は、第1の実施形態に係るラダー型フィルタ及び第1の比較例のラダー型フィルタの通過帯域の出力端におけるインピーダンスマッチングを示す図である。図5(b)は、第1の実施形態に係るラダー型フィルタ及び第1の比較例のラダー型フィルタの通過帯域の入力端におけるインピーダンスマッチングを示す図である。実線は本実施形態の結果を示し、破線は第1の比較例の結果を示す。
図5(a)及び図5(b)に示されているように、第1の比較例の結果を示す破線は大きく広がっている。これに対して、本実施形態の結果を示す実線は広がりが小さく、かつ実線の軌道が円形に近い。よって、本実施形態では、インピーダンスマッチングが良好なことがわかる。
図6は、第2の比較例のラダー型フィルタの回路図である。
第2の比較例のラダー型フィルタ111においては、第2の並列腕共振子P112及び第3の並列腕共振子P114の配置が第1の実施形態と異なる。表1及び表3並びに表5及び表7に示すように、第1〜第3の並列腕共振子P111〜P114の反共振周波数及び直列腕共振子S111〜S114の共振周波数も、第1の実施形態と異なる。上記の点以外においては、ラダー型フィルタ111は、第1の実施形態のラダー型フィルタ1と同様の構成を有する。
ラダー型フィルタ111の直列腕共振子S111と直列腕共振子S112との間の接続点と、グラウンド電位との間には、第2の並列腕共振子P112及び第3の並列腕共振子P114が互いに並列に接続されている。
表3に示すように、第2の比較例は本実施形態と同様に、第2の並列腕共振子P112の反共振周波数が、第1の並列腕共振子P111の反共振周波数よりも低域側の周波数域に位置している。そのため、第2の並列腕共振子P112の反共振周波数から直列腕共振子S111〜S114の共振周波数までの周波数域の範囲は広い。第2の比較例では、この第2の並列腕共振子P112に並列に第3の並列腕共振子P114が接続されている。第3の並列腕共振子P114の影響により、第2の並列腕共振子P112の反共振周波数は低域側の周波数域に移行する。よって、通過帯域におけるより広い周波数域において容量性となる。従って、通過帯域のインピーダンスマッチングが悪化する。
さらに、第2の比較例では、通過帯域を構成する並列腕共振子において、最も入力端側に位置する第2の並列腕共振子P112に並列に第3の並列腕共振子P114が接続されている。そのため、第2の比較例のラダー型フィルタ111の入力端側において、通過帯域内のインピーダンスが容量性に移行し易い。よって、第2の比較例のラダー型フィルタ111の入力端側の通過帯域内のインピーダンスマッチングがより一層悪化する。
これに対して、本実施形態では、図1に示されているように、通過帯域を構成する並列腕共振子において、反共振周波数が最も高い第1の並列腕共振子P1に並列に第3の並列腕共振子P4が接続されている。ここで、第1の並列腕共振子P1は、直列腕共振子S2及び直列腕共振子S3に他の直列腕共振子を介すことなく直接接続されている。第1の並列腕共振子P1の反共振周波数は、直列腕共振子S2及び直列腕共振子S3のいずれの共振周波数よりも高域側の周波数域に位置している。このため、第1の並列腕共振子P1の反共振周波数と直列腕共振子S2及び直列腕共振子S3の共振周波数のみを考慮した場合、容量性の周波数域は存在しない。
なお、第1の並列腕共振子P1の反共振周波数は、第3の並列腕共振子P4の影響により低域側の周波数域に移行する。この場合においても、第1の並列腕共振子P1の反共振周波数から直列腕共振子S2及び直列腕共振子S3の共振周波数までの周波数域の範囲をより狭くすることができるため、容量性の周波数域を最小限に抑えることができる。
加えて、ラダー型フィルタ1は第2の並列腕共振子を複数有する。第2の並列腕共振子P2,P3が最も入力端側に位置する並列腕共振子及び最も出力端側に位置する並列腕共振子である。第1の並列腕共振子P1は、入力端側及び出力端側からは、直列腕共振子S2または直列腕共振子S3を隔てて位置している。よって、ラダー型フィルタ1の入力端側及び出力端側において、通過帯域の帯域内におけるラダー型フィルタ1のインピーダンスは容量性への移行が生じ難い。従って、ラダー型フィルタ1のインピーダンスマッチングを良好にとることができる。
なお、第1の並列腕共振子の反共振周波数は、複数の直列腕共振子の内の少なくとも1個の直列腕共振子の共振周波数よりも高域側の周波数域に位置していればよい。それによって、第1の並列腕共振子の反共振周波数から各直列腕共振子の共振周波数までの周波数域を狭くすることができる。よって、容量性の周波数域を狭くすることができる。好ましくは、第1の並列腕共振子の反共振周波数は、他の直列腕共振子を介すことなく直接接続されている直列腕共振子の内のいずれか一方の共振周波数よりも高域側に位置していることが望ましい。それによって、容量性の影響を効果的に抑制することができる。もっとも、本実施形態のように、第1の並列腕共振子P1の反共振周波数が、直列腕共振子S2及び直列腕共振子S3のいずれの共振周波数よりも高域側の周波数域に位置していることがより好ましい。
なお、ラダー型フィルタは、第2の並列腕共振子を少なくとも1個有すればよい。この場合においても、挿入損失を小さくすることができる。
図7は、第1の実施形態に係るラダー型フィルタ及び第2の比較例のラダー型フィルタの減衰量周波数特性を示す図である。実線は本実施形態の減衰量周波数特性を示し、破線は第2の比較例の減衰量周波数特性を示す。
図7に示されているように、第2の比較例の挿入損失は2.01dBである。よって、第2の比較例の挿入損失よりも本実施形態の挿入損失の方が小さいことがわかる。
図8(a)は、第1の実施形態に係るラダー型フィルタ及び第2の比較例のラダー型フィルタの通過帯域の出力端におけるインピーダンスマッチングを示す図である。図8(b)は、第1の実施形態に係るラダー型フィルタ及び第2の比較例のラダー型フィルタの通過帯域の入力端におけるインピーダンスマッチングを示す図である。実線は本実施形態の結果を示し、破線は第2の比較例の結果を示す。
図8(a)に示されているように、第2の比較例の結果を示す破線は大きく広がっている。これに対して、本実施形態の結果を示す実線は広がりが小さく、かつ実線の軌道が円形に近い。図8(b)に示されているように、第2の比較例の結果では、入力端側において50Ωから離れている。これに対して、本実施形態の結果では、50Ωにより近づけることができている。よって、本実施形態では、インピーダンスマッチングが良好なことがわかる。
図9は、第3の比較例のラダー型フィルタの回路図である。
第3の比較例のラダー型フィルタ121においては、第3の並列腕共振子P124の配置が第1の実施形態と異なる。表4に示すように、第1の並列腕共振子P121及び第2の並列腕共振子P123の反共振周波数も第1の実施形態と異なる。上記の点以外においては、ラダー型フィルタ121は第1の実施形態のラダー型フィルタ1と同様の構成を有する。
ラダー型フィルタ121の直列腕共振子S3と直列腕共振子S4との間の接続点と、グラウンド電位との間には、第3の並列腕共振子P124と第2の並列腕共振子P123とが互いに並列に接続されている。
表4に示されているように、第2の並列腕共振子P123の反共振周波数は、第1の並列腕共振子P121の反共振周波数よりも低域側の周波数域に位置している。第3の比較例では、この第2の並列腕共振子P123に並列に第3の並列腕共振子P124が接続されている。よって第2の比較例と同様に、通過帯域内のインピーダンスマッチングが悪化していた。
さらに、第3の比較例では、通過帯域を構成する並列腕共振子において、最も出力端側に位置する第2の並列腕共振子P123に並列に第3の並列腕共振子P124が接続されている。そのため、出力端側において容量性に移行し易い。よって、出力端側のインピーダンスマッチングがより一層悪化していた。
これに対して、本実施形態では、図1に示されているように、第1の並列腕共振子P1に並列に第3の並列腕共振子P4が接続されている。通過帯域を構成する並列腕共振子において、第1の並列腕共振子P1は最も出力端側には位置していない。加えて、第1の並列腕共振子P1の反共振周波数は、通過帯域を構成する並列腕共振子において最も高い。よって、インピーダンスマッチングを良好にとることができる。
図10は、第1の実施形態に係るラダー型フィルタ及び第3の比較例のラダー型フィルタの減衰量周波数特性を示す図である。実線は本実施形態の減衰量周波数特性を示し、破線は第3の比較例の減衰量周波数特性を示す。
図10に示されているように、第3の比較例の挿入損失は2.06dBである。よって、第3の比較例の挿入損失よりも本実施形態の挿入損失の方が小さいことがわかる。
図11(a)は、第1の実施形態に係るラダー型フィルタ及び第3の比較例のラダー型フィルタの通過帯域の出力端におけるインピーダンスマッチングを示す図である。図11(b)は、第1の実施形態に係るラダー型フィルタ及び第3の比較例のラダー型フィルタの通過帯域内の入力端におけるインピーダンスマッチングを示す図である。実線は本実施形態の結果を示し、破線は第3の比較例の結果を示す。
図11(a)に示されているように、本実施形態の結果では、出力端側において、第3の比較例よりも50Ωに近づけることができている。図11(b)に示されているように、第3の比較例の結果を示す破線は大きく広がっている。これに対して、本実施形態の結果を示す実線は広がりが小さく、かつ実線の軌道が円形に近い。よって、本実施形態では、インピーダンスマッチングが良好なことがわかる。
次に、第2の実施形態について説明する。第2の実施形態では、第3の並列腕共振子の構成が第1の実施形態と異なる。上記の点以外においては、第2の実施形態のラダー型フィルタは、第1の実施形態のラダー型フィルタと同様の構成を有する。
より具体的には、第1の実施形態における第3の並列腕共振子のデューティー比が0.53であることに対して、第2の実施形態における第3の並列腕共振子のデューティー比は0.63である。上述したように、デューティー比は、弾性波共振子に用いられているIDT電極の電極指と、電極指間のピッチとの比である。デューティー比が大きくなるほど、IDT電極における電極指の面積比が大きくなる。よって、同じIDT電極の面積においてデューティー比が大きくなるほど、静電容量は大きくなる。言い換えれば、デューティー比を大きくすることにより、静電容量の大きさに対するIDT電極の面積を小さくすることができる。
ここで、第2の実施形態における第3の並列腕共振子の静電容量は、第1の実施形態における第3の並列腕共振子の静電容量と等しい。従って、第2の実施形態においては、第3の並列腕共振子の面積をより一層小さくすることができる。より具体的には、例えば、第2の実施形態における第3の並列腕共振子に用いられるIDT電極の交差幅を、第1の実施形態における第3の並列腕共振子に用いられるIDT電極の交差幅よりも15%程狭くすることができる。
図12は、第1,第2の実施形態に係るラダー型フィルタの減衰量周波数特性を示す図である。図13(a)は、第1,第2の実施形態に係るラダー型フィルタの通過帯域内の出力端におけるインピーダンスマッチングを示す図である。図13(b)は、第1,第2の実施形態に係るラダー型フィルタの通過帯域内の入力端におけるインピーダンスマッチングを示す図である。なお、図12並びに図13(a)及び(b)において、実線は第1の実施形態の結果を示し、破線は第2の実施形態の結果を示す。
図12に示されているように、第2の実施形態における挿入損失は、第1の実施形態における挿入損失とほぼ等しい。図13(a)及び図13(b)に示すように、第2の実施形態におけるインピーダンスマッチングも、第1の実施形態におけるインピーダンスマッチングとほぼ同様である。このように、本実施形態では、第1の実施形態と同様の効果を得ることができる。加えて、ラダー型フィルタをより一層小型にすることができる。
次に、第3の実施形態について説明する。第3の実施形態では、第1,第2の並列腕共振子の構成が第1の実施形態と異なる。上記の点以外においては、第3の実施形態のラダー型フィルタは、第1の実施形態のラダー型フィルタと同様の構成を有する。
より具体的には、第1の実施形態における第1,第2の並列腕共振子のデューティー比が全て0.53であることに対して、第3の実施形態における第1,第2の並列腕共振子のデューティー比は全て0.63である。第3の実施形態における第1,第2の並列腕共振子のそれぞれの静電容量は、第1の実施形態における第1,第2の並列腕共振子のそれぞれの静電容量と等しい。弾性表面波共振子の静電容量は、デューティー比と交差幅と電極指の対数との積に比例する。静電容量が一定で、電極指の周期で決まる波長λが一定である場合、デューティー比を高くすれば、電極指の対数が少なく、または交差幅の距離を短くできる。よって、第1,第2の並列腕共振子の面積をより一層小さくすることができる。
図14は、第1,第3の実施形態に係るラダー型フィルタの減衰量周波数特性を示す図である。図15(a)は、第1,第3の実施形態に係るラダー型フィルタの通過帯域内の出力端におけるインピーダンスマッチングを示す図である。図15(b)は、第1,第3の実施形態に係るラダー型フィルタの通過帯域内の入力端におけるインピーダンスマッチングを示す図である。なお、図14並びに図15(a)及び(b)において、実線は第1の実施形態の結果を示し、破線は第3の実施形態の結果を示す。
図14に示されているように、第3の実施形態における挿入損失は、第1の実施形態における挿入損失とほぼ等しい。図15(a)及び図15(b)に示すように、第3の実施形態におけるインピーダンスマッチングも、第1の実施形態におけるインピーダンスマッチングとほぼ同様である。よって、本実施形態では、第1の実施形態の効果に加えて、ラダー型フィルタをより一層小型にすることができる。
図16は、第1〜第3の実施形態に係るラダー型フィルタの高調波特性を示す図である。なお、実線は第1の実施形態の結果を示し、破線は第2の実施形態の結果を示し、一点鎖線は第3の実施形態の結果を示す。
第1〜第3の実施形態において、2倍波の周波数域は1406MHz以上、1466MHz以下であり、3倍波の周波数域は2109MHz以上、2199MHz以下である。図16に示されているように、2倍波の周波数域において、第1〜第3の実施形態に係るラダー型フィルタのいずれも好適な減衰特性を得ることができている。
他方、3倍波の周波数域においては、第1,第2の実施形態に係るラダー型フィルタでは好適な減衰特性を得ることができている。これは、第1,第2の実施形態に係るラダー型フィルタにより、3倍波の周波数域においてスプリアスの発生を抑制できていることによる。
スプリアスは、共振子に用いられているIDT電極において不要な励振が生ずることにより発生する。スプリアスの大きさは、並列腕共振子に用いられているIDT電極のデューティー比及び静電容量に依存する。上記IDT電極のデューティー比が0.5に近づく程、スプリアスは小さくなる。あるいは、上記IDT電極の静電容量が小さい程、スプリアスは小さくなる。
上述したように、デューティー比を大きくすることにより、静電容量の大きさに対するIDT電極の面積を小さくすることができる。他方、デューティー比が0.5よりも大きくなる程、スプリアスが大きくなる。よって、第2の実施形態のように、スプリアスを小さくすることができる、静電容量が小さい並列腕共振子に用いられるIDT電極のデューティー比を大きくすることが好ましい。第2の実施形態では、小型にできることに加え、良好な高調波特性を得ることもできる。
図17は、第4の実施形態に係るラダー型フィルタの回路図である。
ラダー型フィルタ11は、第1の並列腕共振子P1、第2の並列腕共振子P2及び第3の並列腕共振子P4の配置が第1の実施形態と異なる。上記の点以外においては、ラダー型フィルタ11は、第1の実施形態のラダー型フィルタ1と同様の構成を有する。
本実施形態では、通過帯域を構成する並列腕共振子において、第1の並列腕共振子P1が最も入力端側に位置している。第3の並列腕共振子P4は、第1の実施形態と同様に、第1の並列腕共振子P1に並列に接続されている。この場合においても、挿入損失を小さくすることができる。
なお、通過帯域を構成する並列腕共振子において、第1の並列腕共振子が最も出力端側に位置しており、かつ第1の並列腕共振子に第3の並列腕共振子が並列に接続されていてもよい。この場合においても、挿入損失を小さくすることができる。
本発明は、ラダー型フィルタに限らず、デュプレクサなどにも好適に適用することができる。
図18は、第5の実施形態に係るデュプレクサの回路図である。
デュプレクサ20は、送信フィルタと、送信フィルタの通過帯域とは異なる通過帯域である受信フィルタとを有する。より具体的には、送信フィルタの通過帯域は703MHz以上、733MHz以下であり、受信フィルタの通過帯域は758MHz以上、788MHz以下である。なお、送信フィルタ及び受信フィルタの通過帯域は、上記には限定されない。
本実施形態の送信フィルタは、第1の実施形態に係るラダー型フィルタ1と同様の構成を有するラダー型フィルタ21である。なお、ラダー型フィルタ21の出力端は、端子24である。端子24は、アンテナに接続される。端子24とグラウンド電位との間には、インピーダンス調整用のインダクタL2が接続されている。
受信フィルタは、端子24と出力端子23との間に接続されている共振子25、縦結合共振子型弾性波フィルタ26及び縦結合共振子型弾性波フィルタ27を有する。共振子25、縦結合共振子型弾性波フィルタ26及び縦結合共振子型弾性波フィルタ27は、互いに直列に接続されている。なお、受信フィルタは上記の構成には特に限定されない。例えば、受信フィルタとして、本発明に係るラダー型フィルタが用いられていてもよい。
本実施形態では、送信フィルタにラダー型フィルタ21を用いているため、送信フィルタのインピーダンスマッチングを良好にとることができ、挿入損失を小さくすることができる。
ラダー型フィルタ21は、図4に示した減衰量周波数特性と同様の減衰量周波数特性を有する。ラダー型フィルタ21は、第3の並列腕共振子P4を有することにより、790MHz付近に減衰極を有する。これにより、受信フィルタの通過帯域において、減衰量を大きくすることができる。よって、良好なアイソレーション特性を得ることができる。なお、ラダー型フィルタの直列腕共振子及び並列腕共振子の少なくとも一部にBAW共振子を用いることができる。
1…ラダー型フィルタ
2…入力端子
3…出力端子
11…ラダー型フィルタ
20…デュプレクサ
21…ラダー型フィルタ
23…出力端子
24…端子
25…共振子
26,27…縦結合共振子型弾性波フィルタ
31,101,111,121…ラダー型フィルタ
S1〜S4,S111〜S114…直列腕共振子
P1,P111,P121…第1の並列腕共振子
P2,P3,P112,P113,P123…第2の並列腕共振子
P4,P104,P114,P124…第3の並列腕共振子
L1,L2…インダクタ

Claims (9)

  1. 所定の通過帯域を有し、直列腕共振子と、第1,第2の並列腕共振子とを備えているラダー型フィルタであって、
    前記直列腕共振子の共振周波数と、前記第1,第2の並列腕共振子の反共振周波数とが前記所定の通過帯域の帯域内に位置しており、
    前記第1の並列腕共振子の前記反共振周波数が、前記第2の並列腕共振子の前記反共振周波数よりも高域側の周波数域に位置しており、
    前記第1の並列腕共振子に並列に接続されており、前記第1の並列腕共振子の静電容量よりも静電容量が小さく、かつ反共振周波数が前記所定の通過帯域の帯域外に位置している第3の並列腕共振子をさらに備える、ラダー型フィルタ。
  2. 前記第1の並列腕共振子の前記反共振周波数が、前記第1の並列腕共振子に他の直列腕共振子を介すことなく直接接続されている少なくとも1個の前記直列腕共振子の前記共振周波数よりも高域側の周波数域に位置している、請求項1に記載のラダー型フィルタ。
  3. 前記第2の並列腕共振子を複数有し、入力端及び出力端を有し、
    前記第1〜第3の並列腕共振子において、前記複数の第2の並列腕共振子の内の2個の並列腕共振子が、最も前記入力端側に位置する並列腕共振子及び最も前記出力端側に位置する並列腕共振子である、請求項1または2に記載のラダー型フィルタ。
  4. 前記第1,第2の並列腕共振子の静電容量よりも前記第3の並列腕共振子の静電容量の方が小さい、請求項1〜3のいずれか1項に記載のラダー型フィルタ。
  5. 前記第3の並列腕共振子の前記反共振周波数が、前記直列腕共振子と前記第1,第2の並列腕共振子とにより構成されている通過帯域よりも高域側の周波数域に位置している、請求項1〜4のいずれか1項に記載のラダー型フィルタ。
  6. 前記第3の並列腕共振子の前記反共振周波数が、前記直列腕共振子と前記第1,第2の並列腕共振子とにより構成されている通過帯域よりも低域側の周波数域に位置している、請求項1〜4のいずれか1項に記載のラダー型フィルタ。
  7. 前記第1〜第3の並列腕共振子が、弾性表面波共振子からなり、
    前記第1,第2の並列腕共振子の静電容量よりも前記第3の並列腕共振子の静電容量の方が小さく、かつ前記第1,第2の並列腕共振子のデューティー比よりも前記第3の並列腕共振子のデューティー比の方が大きい、請求項1〜6のいずれか1項に記載のラダー型フィルタ。
  8. 請求項1〜7のいずれか1項に記載されているラダー型フィルタを備える、デュプレクサ。
  9. 前記ラダー型フィルタが送信フィルタである、請求項8に記載のデュプレクサ。
JP2016547961A 2015-04-30 2016-03-09 ラダー型フィルタ及びデュプレクサ Active JP6024863B1 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015092801 2015-04-30
JP2015092801 2015-04-30
PCT/JP2016/057414 WO2016174938A1 (ja) 2015-04-30 2016-03-09 ラダー型フィルタ及びデュプレクサ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP6024863B1 JP6024863B1 (ja) 2016-11-16
JPWO2016174938A1 true JPWO2016174938A1 (ja) 2017-05-18

Family

ID=57198295

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016547961A Active JP6024863B1 (ja) 2015-04-30 2016-03-09 ラダー型フィルタ及びデュプレクサ

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10236861B2 (ja)
JP (1) JP6024863B1 (ja)
CN (1) CN107210731B (ja)
DE (1) DE112016001952B4 (ja)
WO (1) WO2016174938A1 (ja)

Families Citing this family (81)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9571061B2 (en) 2014-06-06 2017-02-14 Akoustis, Inc. Integrated circuit configured with two or more single crystal acoustic resonator devices
US9537465B1 (en) 2014-06-06 2017-01-03 Akoustis, Inc. Acoustic resonator device with single crystal piezo material and capacitor on a bulk substrate
US9912314B2 (en) 2014-07-25 2018-03-06 Akoustics, Inc. Single crystal acoustic resonator and bulk acoustic wave filter
US9805966B2 (en) 2014-07-25 2017-10-31 Akoustis, Inc. Wafer scale packaging
US9716581B2 (en) 2014-07-31 2017-07-25 Akoustis, Inc. Mobile communication device configured with a single crystal piezo resonator structure
WO2016031391A1 (ja) * 2014-08-26 2016-03-03 株式会社村田製作所 ラダー型フィルタ及びデュプレクサ
JP5999295B1 (ja) * 2015-04-01 2016-09-28 株式会社村田製作所 デュプレクサ
US11476825B2 (en) 2016-03-11 2022-10-18 Akoustis, Inc. 5.5 GHz Wi-Fi coexistence acoustic wave resonator RF filter circuit
US11418169B2 (en) 2016-03-11 2022-08-16 Akoustis, Inc. 5G n41 2.6 GHz band acoustic wave resonator RF filter circuit
US11177868B2 (en) 2016-03-11 2021-11-16 Akoustis, Inc. Front end module for 6.5 GHz Wi-Fi acoustic wave resonator RF filter circuit
US11063576B2 (en) 2016-03-11 2021-07-13 Akoustis, Inc. Front end module for 5.6 GHz Wi-Fi acoustic wave resonator RF filter circuit
US11683021B2 (en) 2016-03-11 2023-06-20 Akoustis, Inc. 4.5G 3.55-3.7 GHz band bulk acoustic wave resonator RF filter circuit
US10979023B2 (en) 2016-03-11 2021-04-13 Akoustis, Inc. 5.9 GHz c-V2X and DSRC acoustic wave resonator RF filter circuit
US11184079B2 (en) 2016-03-11 2021-11-23 Akoustis, Inc. Front end module for 5.5 GHz Wi-Fi acoustic wave resonator RF filter circuit
US10985732B2 (en) 2016-03-11 2021-04-20 Akoustis, Inc. 5.6 GHz Wi-Fi acoustic wave resonator RF filter circuit
US11558023B2 (en) 2016-03-11 2023-01-17 Akoustis, Inc. Method for fabricating an acoustic resonator device
US10979024B2 (en) 2016-03-11 2021-04-13 Akoustis, Inc. 5.2 GHz Wi-Fi coexistence acoustic wave resonator RF filter circuit
US11356071B2 (en) 2016-03-11 2022-06-07 Akoustis, Inc. Piezoelectric acoustic resonator with improved TCF manufactured with piezoelectric thin film transfer process
US11424728B2 (en) 2016-03-11 2022-08-23 Akoustis, Inc. Piezoelectric acoustic resonator manufactured with piezoelectric thin film transfer process
US10581398B2 (en) 2016-03-11 2020-03-03 Akoustis, Inc. Method of manufacture for single crystal acoustic resonator devices using micro-vias
US10523180B2 (en) 2016-03-11 2019-12-31 Akoustis, Inc. Method and structure for single crystal acoustic resonator devices using thermal recrystallization
US11689186B2 (en) 2016-03-11 2023-06-27 Akoustis, Inc. 5.5 GHz Wi-Fi 5G coexistence acoustic wave resonator RF filter circuit
US11316496B2 (en) 2016-03-11 2022-04-26 Akoustis, Inc. Method and structure for high performance resonance circuit with single crystal piezoelectric capacitor dielectric material
US11736177B2 (en) 2016-03-11 2023-08-22 Akoustis Inc. Front end modules for 5.6 GHz and 6.6 GHz Wi-Fi acoustic wave resonator RF filter circuits
US10979026B2 (en) 2016-03-11 2021-04-13 Akoustis, Inc. 5.5 GHz Wi-fi 5G coexistence acoustic wave resonator RF filter circuit
US10979022B2 (en) 2016-03-11 2021-04-13 Akoustis, Inc. 5.2 GHz Wi-Fi acoustic wave resonator RF filter circuit
US20210257993A1 (en) 2016-03-11 2021-08-19 Akoustis, Inc. Acoustic wave resonator rf filter circuit device
US11451213B2 (en) 2016-03-11 2022-09-20 Akoustis, Inc. 5G n79 Wi-Fi acoustic triplexer circuit
US11394451B2 (en) 2016-03-11 2022-07-19 Akoustis, Inc. Front end module for 6.1 GHz Wi-Fi acoustic wave resonator RF filter circuit
US11677372B2 (en) 2016-03-11 2023-06-13 Akoustis, Inc. Piezoelectric acoustic resonator with dielectric protective layer manufactured with piezoelectric thin film transfer process
US10673513B2 (en) 2016-03-11 2020-06-02 Akoustis, Inc. Front end module for 5.2 GHz Wi-Fi acoustic wave resonator RF filter circuit
US11070184B2 (en) 2016-03-11 2021-07-20 Akoustis, Inc. Piezoelectric acoustic resonator manufactured with piezoelectric thin film transfer process
US10979025B2 (en) 2016-03-11 2021-04-13 Akoustis, Inc. 5G band n79 acoustic wave resonator RF filter circuit
US10217930B1 (en) 2016-03-11 2019-02-26 Akoustis, Inc. Method of manufacture for single crystal acoustic resonator devices using micro-vias
KR102290082B1 (ko) 2017-02-28 2021-08-17 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 탄성파 장치 및 그 제조 방법
JPWO2018180420A1 (ja) * 2017-03-31 2019-11-07 株式会社村田製作所 複合フィルタ装置
WO2019117106A1 (ja) * 2017-12-13 2019-06-20 株式会社村田製作所 フィルタ装置およびマルチプレクサ
CN111527700B (zh) * 2017-12-25 2023-09-05 株式会社村田制作所 多工器
US10911023B2 (en) 2018-06-15 2021-02-02 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic resonator with etch-stop layer
US10637438B2 (en) 2018-06-15 2020-04-28 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic resonators for high power applications
US11323090B2 (en) 2018-06-15 2022-05-03 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic resonator using Y-X-cut lithium niobate for high power applications
US11996827B2 (en) 2018-06-15 2024-05-28 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transversely-excited film bulk acoustic resonator with periodic etched holes
US11323096B2 (en) 2018-06-15 2022-05-03 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic resonator with periodic etched holes
US20220116015A1 (en) 2018-06-15 2022-04-14 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic resonator with optimized electrode thickness, mark, and pitch
US11206009B2 (en) 2019-08-28 2021-12-21 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic resonator with interdigital transducer with varied mark and pitch
US11323089B2 (en) 2018-06-15 2022-05-03 Resonant Inc. Filter using piezoelectric film bonded to high resistivity silicon substrate with trap-rich layer
US11936358B2 (en) 2020-11-11 2024-03-19 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transversely-excited film bulk acoustic resonator with low thermal impedance
US12040779B2 (en) 2020-04-20 2024-07-16 Murata Manufacturing Co., Ltd. Small transversely-excited film bulk acoustic resonators with enhanced Q-factor
US11146232B2 (en) 2018-06-15 2021-10-12 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic resonator with reduced spurious modes
US11509279B2 (en) 2020-07-18 2022-11-22 Resonant Inc. Acoustic resonators and filters with reduced temperature coefficient of frequency
DE102018106030A1 (de) * 2018-03-15 2019-09-19 RF360 Europe GmbH HF-Filter mit minimierter bandinterner Welligkeit
US11870423B2 (en) 2018-06-15 2024-01-09 Murata Manufacturing Co., Ltd. Wide bandwidth temperature-compensated transversely-excited film bulk acoustic resonator
US10985728B2 (en) 2018-06-15 2021-04-20 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic resonator and filter with a uniform-thickness dielectric overlayer
US12021496B2 (en) 2020-08-31 2024-06-25 Murata Manufacturing Co., Ltd. Resonators with different membrane thicknesses on the same die
US11876498B2 (en) 2018-06-15 2024-01-16 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transversely-excited film bulk acoustic resonator with multiple diaphragm thicknesses and fabrication method
US11888463B2 (en) 2018-06-15 2024-01-30 Murata Manufacturing Co., Ltd. Multi-port filter using transversely-excited film bulk acoustic resonators
US11996822B2 (en) 2018-06-15 2024-05-28 Murata Manufacturing Co., Ltd. Wide bandwidth time division duplex transceiver
US12040781B2 (en) 2018-06-15 2024-07-16 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transversely-excited film bulk acoustic resonator package
US10826462B2 (en) 2018-06-15 2020-11-03 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic resonators with molybdenum conductors
US11349452B2 (en) 2018-06-15 2022-05-31 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic filters with symmetric layout
US11916539B2 (en) 2020-02-28 2024-02-27 Murata Manufacturing Co., Ltd. Split-ladder band N77 filter using transversely-excited film bulk acoustic resonators
US10917072B2 (en) 2019-06-24 2021-02-09 Resonant Inc. Split ladder acoustic wave filters
US12009798B2 (en) 2018-06-15 2024-06-11 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transversely-excited film bulk acoustic resonators with electrodes having irregular hexagon cross-sectional shapes
US11949402B2 (en) 2020-08-31 2024-04-02 Murata Manufacturing Co., Ltd. Resonators with different membrane thicknesses on the same die
US11323091B2 (en) 2018-06-15 2022-05-03 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic resonator with diaphragm support pedestals
US11967945B2 (en) 2018-06-15 2024-04-23 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transversly-excited film bulk acoustic resonators and filters
US11264966B2 (en) 2018-06-15 2022-03-01 Resonant Inc. Solidly-mounted transversely-excited film bulk acoustic resonator with diamond layers in Bragg reflector stack
US11909381B2 (en) 2018-06-15 2024-02-20 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transversely-excited film bulk acoustic resonators with two-layer electrodes having a narrower top layer
US11901878B2 (en) 2018-06-15 2024-02-13 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transversely-excited film bulk acoustic resonators with two-layer electrodes with a wider top layer
US11996825B2 (en) 2020-06-17 2024-05-28 Murata Manufacturing Co., Ltd. Filter using lithium niobate and rotated lithium tantalate transversely-excited film bulk acoustic resonators
WO2020006578A1 (en) * 2018-06-26 2020-01-02 Akoustis, Inc. 5G 3.5-3.6 GHz BAND ACOUSTIC WAVE RESONATOR RF FILTER CIRCUIT
CN113615083A (zh) 2019-03-14 2021-11-05 谐振公司 带有半λ介电层的横向激励的薄膜体声波谐振器
CN112886942B (zh) * 2019-11-29 2023-07-07 华为技术有限公司 滤波电路、双工器、通信装置
CN111917392A (zh) * 2020-04-14 2020-11-10 诺思(天津)微系统有限责任公司 压电滤波器及其带外抑制改善方法、多工器、通信设备
US20220116020A1 (en) 2020-04-20 2022-04-14 Resonant Inc. Low loss transversely-excited film bulk acoustic resonators and filters
US11811391B2 (en) 2020-05-04 2023-11-07 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transversely-excited film bulk acoustic resonator with etched conductor patterns
US11496108B2 (en) 2020-08-17 2022-11-08 Akoustis, Inc. RF BAW resonator filter architecture for 6.5GHz Wi-Fi 6E coexistence and other ultra-wideband applications
US12003226B2 (en) 2020-11-11 2024-06-04 Murata Manufacturing Co., Ltd Transversely-excited film bulk acoustic resonator with low thermal impedance
US11901880B2 (en) 2021-01-18 2024-02-13 Akoustis, Inc. 5 and 6 GHz Wi-Fi coexistence acoustic wave resonator RF diplexer circuit
CN118369852A (zh) * 2021-12-09 2024-07-19 株式会社村田制作所 使用具有电感耦合子谐振器的横向激励薄膜体声谐振器的滤波器
CN116781035B (zh) * 2023-06-29 2024-08-30 锐石创芯(重庆)科技有限公司 滤波器、多工器及射频前端模组

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0661783A (ja) * 1992-08-14 1994-03-04 Matsushita Electric Ind Co Ltd 弾性表面波フィルタ
JPH06268475A (ja) * 1993-03-10 1994-09-22 Fujitsu Ltd 弾性表面波フィルタ
JPH09167936A (ja) * 1995-10-13 1997-06-24 Fujitsu Ltd 弾性表面波装置
JPH09135145A (ja) * 1995-11-08 1997-05-20 Sanyo Electric Co Ltd 弾性表面波フィルタ
JP4056798B2 (ja) * 2002-06-06 2008-03-05 沖電気工業株式会社 弾性表面波フィルタ
JP2005045475A (ja) 2003-07-28 2005-02-17 Murata Mfg Co Ltd 弾性表面波装置、通信機
FR2888060A1 (fr) * 2005-07-01 2007-01-05 St Microelectronics Sa Circuit de filtrage passe-bande dote de resonateurs acoustiques
JP4244057B2 (ja) * 2006-08-30 2009-03-25 富士通メディアデバイス株式会社 バランスフィルタおよび分波器
JP5072047B2 (ja) * 2007-08-23 2012-11-14 太陽誘電株式会社 弾性波フィルタ、それを用いたデュプレクサおよびそのデュプレクサを用いた通信機
JP2010109894A (ja) * 2008-10-31 2010-05-13 Fujitsu Ltd 弾性波フィルタ、デュープレクサ、通信モジュール、および通信装置
JP5590247B2 (ja) * 2011-09-30 2014-09-17 株式会社村田製作所 分波装置
JP5873307B2 (ja) * 2011-11-21 2016-03-01 太陽誘電株式会社 フィルタおよび分波器
CN103959647B (zh) 2011-11-30 2016-08-17 天工松下滤波方案日本有限公司 梯型弹性波滤波器和利用该梯型弹性波滤波器的天线共用器
JP5942740B2 (ja) * 2012-09-25 2016-06-29 株式会社村田製作所 ラダー型フィルタ及び分波器
US9325294B2 (en) * 2013-03-15 2016-04-26 Resonant Inc. Microwave acoustic wave filters
US8751993B1 (en) * 2013-03-15 2014-06-10 Resonant Llc Element removal design in microwave filters
WO2014167755A1 (ja) * 2013-04-08 2014-10-16 株式会社村田製作所 デュプレクサ
US9419585B2 (en) * 2013-08-22 2016-08-16 Murata Manufacturing Co., Ltd. Elastic wave filter device and duplexer
WO2016031391A1 (ja) * 2014-08-26 2016-03-03 株式会社村田製作所 ラダー型フィルタ及びデュプレクサ

Also Published As

Publication number Publication date
JP6024863B1 (ja) 2016-11-16
CN107210731B (zh) 2020-08-21
CN107210731A (zh) 2017-09-26
US20180013405A1 (en) 2018-01-11
US10236861B2 (en) 2019-03-19
DE112016001952B4 (de) 2023-09-14
DE112016001952T5 (de) 2018-01-18
WO2016174938A1 (ja) 2016-11-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6024863B1 (ja) ラダー型フィルタ及びデュプレクサ
JP6323348B2 (ja) フィルタ装置
JP5088412B2 (ja) ラダー型弾性波フィルタ
JP6603012B2 (ja) 分波器
JP5942740B2 (ja) ラダー型フィルタ及び分波器
JP6344161B2 (ja) ラダー型フィルタ及びデュプレクサ
WO2014064987A1 (ja) フィルタ装置
JP4798319B1 (ja) 弾性波装置
KR20170080649A (ko) 래더형 필터, 탄성파 필터 모듈 및 듀플렉서
JPWO2018097201A1 (ja) 弾性波フィルタ装置
US10608612B2 (en) Saw filter comprising an additional pole
JP7272440B2 (ja) 弾性波フィルタおよびマルチプレクサ
CN107306122B (zh) 弹性波滤波器装置
CN110582937A (zh) 弹性波装置、滤波器以及复合滤波器装置
CN109690944B (zh) 弹性波滤波器装置以及复合滤波器装置
JP2023003114A (ja) 表面弾性波共振子、弾性波フィルタおよびマルチプレクサ
WO2016031391A1 (ja) ラダー型フィルタ及びデュプレクサ
JP6654935B2 (ja) ノッチフィルタ
JP6750528B2 (ja) 弾性波フィルタ装置
WO2017115562A1 (ja) 弾性波フィルタ及びデュプレクサ
JP5842513B2 (ja) ラダー型フィルタ
CN218514362U (zh) 多工器
WO2023042835A1 (ja) 弾性波フィルタ
US20170040970A1 (en) Surface acoustic wave element

Legal Events

Date Code Title Description
TRDD Decision of grant or rejection written
A975 Report on accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005

Effective date: 20160902

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20160913

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20160926

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6024863

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150