CN110337783B - 弹性波装置及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

提供一种能够小型化且提高生产率的弹性波装置。弹性波装置(10)具备：压电基板(2)(具有压电性的基板)；第1带通型滤波器(1A)(第1滤波器)，构成在压电基板(2)上，具有第1通带；和第2带通型滤波器(1B)(第2滤波器)，构成在压电基板(2)上，且具有位于比第1通带更靠高频侧的第2通带。第1带通型滤波器(1A)以及第2带通型滤波器(1B)分别具有包含IDT电极的谐振器，在将第1滤波器的全部的IDT电极的占空比的平均值设为第1全部平均占空比，将第2滤波器的全部的IDT电极的占空比的平均值设为第2全部平均占空比时，第1全部平均占空比大于第2全部平均占空比。

Description

弹性波装置及其制造方法
技术领域
本发明涉及弹性波装置及其制造方法。
背景技术
以往，在便携式电话机等中，作为具备通信频带不同的多个高频滤波器的声表面波装置，使用了双工器、对偶滤波器。在下述的专利文献1中，作为弹性波装置的一例而记载了双工器。更具体地，公开了作为声表面波装置的双工器，该声表面波装置在同一压电基板上具备在中心频率相对高的高频侧具有通带的高频侧滤波器、和在中心频率相对低的低频侧具有通带的低频侧滤波器。
在先技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2003-289234号公报
发明内容
发明要解决的课题
近年来，要求弹性波装置的进一步的小型化。然而，在以往的弹性波装置中，由于谐振器的弹性波传播方向上的尺寸决定芯片尺寸，因此若要维持固定的特性则芯片尺寸会变大，未能充分地小型化。另一方面，在受限的芯片尺寸下构成滤波器的情况下，还存在插入损耗等的特性劣化的问题。
本发明的目的在于，提供一种能够小型化且提高生产率的弹性波装置及其制造方法。
用于解决课题的手段
在本发明涉及的弹性波装置的一个方式中，具备：具有压电性的基板；第1滤波器，构成在所述具有压电性的基板上，具有第1通带；和第2滤波器，构成在所述具有压电性的基板上，且具有位于比所述第1通带更靠高频侧的第2通带，所述第1滤波器以及所述第2滤波器分别具有包含IDT电极的谐振器，在将所述第1滤波器的全部的所述IDT电极的占空比的平均值设为第1全部平均占空比，将所述第2滤波器的全部的所述IDT电极的占空比的平均值设为第2全部平均占空比时，所述第1全部平均占空比大于所述第2全部平均占空比。
在本发明涉及的弹性波装置的其他方式中，具备：具有压电性的基板；第1滤波器，构成在所述具有压电性的基板上，具有第1通带；和第2滤波器，构成在所述具有压电性的基板上，且具有位于比所述第1通带更靠高频侧的第2通带，所述第1滤波器以及所述第2滤波器分别具有包含IDT电极的谐振器，所述第1滤波器以及所述第2滤波器中的所述谐振器之中、所述IDT电极的平均占空比最大的谐振器是所述第1滤波器中的沿着弹性波传播方向的长度最长的谐振器。
在本发明涉及的弹性波装置的某个特定的方面中，所述第2滤波器具有所述第1滤波器以及所述第2滤波器的所述谐振器之中、所述IDT电极的平均占空比最小的谐振器。
在本发明涉及的弹性波装置的其他特定的方面中，所述第1通带的高频侧的端部与所述第2通带的低频侧的端部的频率差为所述第1通带的带宽以及所述第2通带的带宽之中较窄的一方的带宽以上。在该情况下，第1通带成为比第2通带更靠低频侧的频带，谐振器的沿着弹性波传播方向的长度具有变长的倾向。本发明在这样的情况下特别适合，能够将弹性波装置有效地小型化。
在本发明涉及的弹性波装置的又一其他特定的方面中，所述第1通带和所述第2通带是不同通信频段的通带。
在本发明涉及的弹性波装置的又一另外特定的方面中，所述弹性波装置是所述第1通带和所述第2通带为相同通信频段的通带的双工器。
在本发明涉及的弹性波装置的又一其他特定的方面中，所述第1滤波器的所述IDT电极的膜厚和所述第2滤波器的所述IDT电极的膜厚相同。在该情况下，可同时形成第1滤波器和第2滤波器的IDT电极。这样，由于能够在一个工序中形成IDT电极，因此能够进一步提高生产率。
在本发明涉及的弹性波装置的又一其他特定的方面中，还具备用于所述弹性波装置的安装的多个凸块，相对于所述弹性波装置的沿着弹性波传播方向的中心线以及沿着与弹性波传播方向正交的方向的中心线中的至少一者，所述多个凸块呈线对称配置。在该情况下，在弹性波装置中，能够提高作为与安装基板等接合的部分的凸块的配置的对称性。由此，在弹性波装置与安装基板等接合时，对安装基板等施加了应力的情况下，能够使应力有效地分散。因此，能够将弹性波装置更进一步可靠地接合到安装基板等，安装了弹性波装置的模块不易破损。
在本发明涉及的弹性波装置的制造方法的一个方式中，是按照本发明而构成的弹性波装置的制造方法，包括：准备所述具有压电性的基板的工序；和在所述具有压电性的基板上同时形成所述第1滤波器的所述IDT电极以及所述第2滤波器的所述IDT电极的工序，在形成所述IDT电极的工序中，形成所述IDT电极，使得所述第1全部平均占空比大于所述第2全部平均占空比。
在本发明涉及的弹性波装置的制造方法的其他方式中，是按照本发明而构成的弹性波装置的制造方法，包括：准备所述具有压电性的基板的工序；和在所述具有压电性的基板上同时形成所述第1滤波器的所述IDT电极以及所述第2滤波器的所述IDT电极的工序，在形成所述IDT电极的工序中，形成所述IDT电极，使得所述第1滤波器以及所述第2滤波器中的所述谐振器之中、所述IDT电极的平均占空比最大的谐振器成为所述第1滤波器中的沿着弹性波传播方向的长度最长的谐振器。
在本发明涉及的弹性波装置的制造方法的某个特定的方面中，在形成所述IDT电极的工序中，形成所述IDT电极，使得所述第2滤波器具有所述第1滤波器以及所述第2滤波器的所述谐振器之中所述IDT电极的平均占空比最小的谐振器。
在本发明涉及的弹性波装置的制造方法的又一其他特定的方面中，所述第1滤波器的所述IDT电极的膜厚和所述第2滤波器的所述IDT电极的膜厚相同。
发明效果
根据本发明涉及的弹性波装置及其制造方法，能够小型化且提高生产率。
附图说明
图1是本发明的第1实施方式涉及的弹性波装置的电路图。
图2是示出本发明的第1实施方式涉及的弹性波装置的电路结构的简图性俯视图。
图3是沿着图2中的I-I线的简图性剖视图。
图4是示出本发明的第1实施方式中的第1带通型滤波器的位于最靠天线端子侧的弹性波谐振器的电极构造的示意性俯视图。
图5是示出本发明的第1实施方式中的第1带通型滤波器的纵耦合谐振器型弹性波滤波器的电极构造的示意性俯视图。
图6的(a)～图6的(d)是用于说明本发明的第1实施方式的弹性波装置的制造方法的一例的、与沿着图2中的I-I线的部分相当的简图性剖视图。
图7是示出本发明的第2实施方式涉及的弹性波装置的电极构造的简图性俯视图。
具体实施方式
以下，通过参照附图对本发明的具体的实施方式进行说明，从而明确本发明。
另外，需要指出，本说明书记载的各实施方式是例示性的，能够在不同的实施方式间进行结构的部分置换或组合。
图1是本发明的第1实施方式涉及的弹性波装置的电路图。
本实施方式的弹性波装置10是具有第1带通型滤波器1A以及第2带通型滤波器1B的对偶滤波器。第1带通型滤波器1A具有第1通带。第2带通型滤波器1B具有位于比第1通带更靠高频侧的第2通带。在本实施方式中，第1带通型滤波器1A以及第2带通型滤波器1B为接收滤波器。
更具体地，第1通带为Band20的接收频带，为791MHz以上且821MHz以下。第2通带为Band8的接收频带，为925MHz以上且960MHz以下。在弹性波装置10中，第1通带和第2通带是不同的通信频段的通带。另外，第1通带以及第2通带并不限定于上述，只要第2通带位于第1通带的高频侧即可。
如图1所示，弹性波装置10具有与天线连接的天线端子3。第1带通型滤波器1A以及第2带通型滤波器1B被共同连接于天线端子3。弹性波装置10具有与第1带通型滤波器1A连接的第1信号端子4以及与第2带通型滤波器1B连接的第2信号端子5。
第1带通型滤波器1A具有连接在天线端子3与第1信号端子4之间的纵耦合谐振器型弹性波滤波器6A。在天线端子3与纵耦合谐振器型弹性波滤波器6A之间，弹性波谐振器S1以及弹性波谐振器S2相互串联地连接。在弹性波谐振器S1与弹性波谐振器S2之间的连接点和接地电位之间，连接有弹性波谐振器P1。弹性波谐振器S1、弹性波谐振器S2以及弹性波谐振器P1为特性调整用的弹性波谐振器。
另一方面，第2带通型滤波器1B具有连接在天线端子3与第2信号端子5之间的纵耦合谐振器型弹性波滤波器6B。在天线端子3与纵耦合谐振器型弹性波滤波器6B之间，连接有弹性波谐振器S11。在弹性波谐振器S11与纵耦合谐振器型弹性波滤波器6B之间的连接点和接地电位之间，连接有弹性波谐振器P11。弹性波谐振器S11以及弹性波谐振器P11为特性调整用的弹性波谐振器。
这样，第1带通型滤波器1A以及第2带通型滤波器1B是具有多个谐振器的滤波器。在此，在本说明书中，设谐振器包含弹性波谐振器以及纵耦合谐振器型弹性波滤波器。
以下，示出本实施方式的更具体的结构。
图2是示出本发明的第1实施方式涉及的弹性波装置的电路结构的简图性俯视图。在图2中，通过对矩形添加两条对角线的简图来示出各谐振器。
弹性波装置10具有作为具有压电性的基板的压电基板2。压电基板2具有矩形板的形状。压电基板2例如由LiNbO3、LiTaO3等压电单晶、适当的压电陶瓷构成。另外，作为具有压电性的基板，也可以使用在支承基板上层叠了压电膜的压电性基板。作为上述压电膜，能够适当使用上述压电单晶等。
第1带通型滤波器1A以及第2带通型滤波器1B构成在压电基板2上。在压电基板2上设置有多个接地端子7。多个接地端子7与接地电位连接。在本实施方式中，弹性波谐振器P1以及弹性波谐振器P11与相同的接地端子7连接。另外，弹性波谐振器P1以及弹性波谐振器P11也可以不与相同的接地端子7连接，可以与不同的接地端子连接。
图3是沿着图2中的I-I线的简图性剖视图。
弹性波装置10为WLP(Wafer Level Package，晶片级封装)构造的弹性波装置。在压电基板2上设置有支承构件18，使得包围弹性波谐振器S2、弹性波谐振器S11以及其他的各谐振器。支承构件18具有包围各谐振器的开口部18a。支承构件18例如由树脂等构成。
在支承构件18上设置有覆盖构件19，使得覆盖支承构件18的开口部18a。支承构件18覆盖天线端子3、第1信号端子、第2信号端子以及各接地端子7。各谐振器配置在由压电基板2、支承构件18以及覆盖构件19包围的中空空间内。
设置有过孔11，使得贯通支承构件18以及覆盖构件19。在过孔11内设置有过孔电极8。过孔电极8设置为一端与各端子连接。设置有凸块9，使得与过孔电极8的另一端接合。凸块9用于弹性波装置10的安装。另外，弹性波装置10也可以具有不与各谐振器电连接的凸块9。在图2中，由虚线示出支承构件18，由单点划线示出凸块9。
弹性波装置10通过凸块9被接合并安装到安装基板等。在本实施方式中，各谐振器经由各端子、过孔电极8以及凸块9而与外部电连接。另外，弹性波装置10并不限定于WLP构造，例如，也可以为CSP(Chip Size Package，芯片尺寸封装)构造等。
图4是示出第1实施方式中的第1带通型滤波器的位于最靠天线端子侧的弹性波谐振器的电极构造的示意性俯视图。
弹性波谐振器S1具有设置在压电基板上的IDT电极12。IDT电极12具有彼此相互对置的第1汇流条13a以及第2汇流条14a。IDT电极12具有一端与第1汇流条13a连接的多个第1电极指13b。进而，IDT电极12具有一端与第2汇流条14a连接的多个第2电极指14b。多个第1电极指13b和多个第2电极指14b彼此相互交替插入。
若对IDT电极12施加交流电压，则激励弹性波。在IDT电极12的弹性波传播方向两侧配置有反射器15a以及反射器15b。由此，构成了弹性波谐振器S1。同样地，弹性波装置10中的其他弹性波谐振器也分别具有IDT电极以及反射器。
图5是示出第1实施方式中的第1带通型滤波器的纵耦合谐振器型弹性波滤波器的电极构造的示意性俯视图。
纵耦合谐振器型弹性波滤波器6A具有设置在压电基板上的IDT电极16a、IDT电极16b、IDT电极16c、IDT电极16d以及IDT电极16e。在上述五个IDT电极16a～16e的弹性波传播方向两侧配置有反射器17a以及反射器17b。同样地，图1所示的第2带通型滤波器1B中的纵耦合谐振器型弹性波滤波器6B也具有五个IDT电极以及两个反射器。另外，纵耦合谐振器型弹性波滤波器6A以及纵耦合谐振器型弹性波滤波器6B所具有的IDT电极的个数并不限定于上述，例如，可以为三个等。
在本实施方式中，第1带通型滤波器1A的各IDT电极的膜厚和第2带通型滤波器1B的各IDT电极的膜厚相同。另外，在本说明书中，在设膜厚相同的情况下，也可以包含不使滤波器特性劣化的程度的误差。
在此，图1所示的各谐振器的IDT电极的平均占空比如下。弹性波谐振器S1；0.6。弹性波谐振器S2；0.6。弹性波谐振器P1；0.6。纵耦合谐振器型弹性波滤波器6A；0.65。弹性波谐振器S11；0.4。弹性波谐振器P11；0.4。纵耦合谐振器型弹性波滤波器6B；0.5。
另外，将一个谐振器的平均占空比设为Ad，将该谐振器中的IDT电极的全部的第1电极指以及第2电极指的宽度的合计设为Sf，将IDT电极的沿着弹性波传播方向的尺寸设为WI。此时，平均占空比Ad能够通过Ad＝Sf/WI计算。在本说明书中，第1电极指以及第2电极指的宽度是指第1电极指以及第2电极指的沿着弹性波传播方向的尺寸。
另一方面，在将第1带通型滤波器1A的全部的IDT电极的占空比的平均值设为第1全部平均占空比时，第1全部平均占空比为0.614。在将第2带通型滤波器1B的全部的IDT电极的占空比的平均值设为第2全部平均占空比时，第2全部平均占空比为0.427。
另外，将第1全部平均占空比设为TA1，将第1带通型滤波器1A的全部的谐振器的平均占空比Ad的合计设为SA1，将第1带通型滤波器1A的全部的谐振器的个数设为N1。此时，第1全部平均占空比TA1能够通过TA1＝SA1/N1计算。同样地，将第2全部平均占空比设为TA2，将第2带通型滤波器1B的全部的谐振器的平均占空比Ad的合计设为SA2，将第2带通型滤波器1B的全部的谐振器的个数设为N2。此时，第2全部平均占空比TA2能够通过TA2＝SA2/N2计算。
将第1带通型滤波器1A的上述各平均占空比以及第1全部平均占空比示于下述的表1。将第2带通型滤波器1B的上述各平均占空比以及第2全部平均占空比示于下述的表2。另外，各谐振器中的IDT电极的电极指的合计根数也示于下述的表1以及表2。
[表1]
Figure BDA0002180980670000081
[表2]
Figure BDA0002180980670000082
以往，在带通型滤波器中，通带越是位于低频侧，使用的弹性波的波长越长，因此IDT电极的电极指间距具有变宽的倾向。因而，谐振器的沿着弹性波传播方向的长度变长，在弹性波装置中谐振器所占的面积具有变大的倾向。
在本说明书中，声速(V)是指弹性波传播方向上的传播速度。频率(f)是指通带中的频率。电极指间距(λ/2)是指各IDT电极的电极指间距。在本发明中，在适用V＝fλ的式子的情况下，通过平均占空比大，从而声速(V)变低。因此，在通带的频率(f)固定的情况下，通过平均占空比的值大、声速(V)的值变小，从而能够缩窄IDT电极的电极指间距(λ/2)。
此外，本实施方式中的弹性波装置10为对偶滤波器，具有第1带通型滤波器1A以及第2带通型滤波器1B。第1带通型滤波器1A中的声速(V1)能够通过V1＝f1(第1带通型滤波器1A中的频率)×λ1(第1带通型滤波器1A中的由电极指间距规定的波长)计算。第2带通型滤波器1B中的声速(V2)能够通过V2＝f2(第2带通型滤波器1B中的频率)×λ2(第2带通型滤波器1B中的由电极指间距规定的波长)计算。在本实施方式中，由于第2通带位于比第1通带更靠高频侧，因此在声速(V1，V2)固定的情况下，f1变得低于f2，λ1变得大于λ2。即，第1带通型滤波器1A中的谐振器的、沿着弹性波传播方向的长度更长，在弹性波装置中所占的面积更大。在本实施方式中，将平均占空比最大的谐振器用于对偶滤波器中沿着弹性波传播方向的长度长的第1带通型滤波器1A，由此能够将更需要小型化的谐振器小型化。
在本实施方式中，第2通带位于比第1通带更靠高频侧，且第1全部平均占空比大于第2全部平均占空比。由此，在第1带通型滤波器1A的谐振器中能够降低声速(V1)，能够缩窄各IDT电极的电极指间距(λ/2)。因此，能够将弹性波装置10有效地小型化。
此外，在本实施方式中，第1带通型滤波器1A以及第2带通型滤波器1B的谐振器之中IDT电极的平均占空比最大的谐振器是第1带通型滤波器1A中的沿着弹性波传播方向的长度最长的谐振器。更具体地，具有位于低频侧的第1通带的第1带通型滤波器1A具有纵耦合谐振器型弹性波滤波器6A，纵耦合谐振器型弹性波滤波器6A是平均占空比最大的谐振器。
在本实施方式中，在第1带通型滤波器1A中的谐振器之中，纵耦合谐振器型弹性波滤波器6A的面积最大。这样，在第1带通型滤波器1A中，优选面积最大的谐振器的平均占空比最大。由此，能够将弹性波装置10更进一步有效地小型化。
进而，在本实施方式中，具有位于高频侧的第2通带的第2带通型滤波器1B具有弹性波谐振器S11以及弹性波谐振器P11，弹性波谐振器S11以及弹性波谐振器P11是平均占空比最小的谐振器。由此，通带位于低频侧的第1带通型滤波器1A不具有平均占空比最小的谐振器。由此，在第1带通型滤波器1A的全部的谐振器中能够降低声速，能够缩窄各IDT电极的电极指间距(λ/2)。在沿着弹性波传播方向的长度长的第1带通型滤波器1A中，由于能够缩窄各IDT电极的电极指间距(λ/2)，因此能够将弹性波装置10有效地小型化。
另外，弹性波装置10优选具有平均占空比小于纵耦合谐振器型弹性波滤波器6A的平均占空比的谐振器。更优选纵耦合谐振器型弹性波滤波器6A的平均占空比最大。由此，能够缩窄纵耦合谐振器型弹性波滤波器6A的电极指间距(λ/2)，因此能够在小型化的同时增多IDT电极的电极指的合计根数。在该情况下，例如，还能够增加IDT电极的个数。在此，在从弹性波传播方向观察时，将IDT电极的相邻的电极指彼此重叠的区域设为交叉区域。将沿着与弹性波传播方向正交的方向的交叉区域的尺寸设为交叉宽度。如上述那样，由于在纵耦合谐振器型弹性波滤波器6A中能够增多电极指的合计根数，因此能够在不使特性劣化的情况下减小IDT电极的交叉宽度。由此，能够降低IDT电极的电极指的电阻，能够减小插入损耗。
另外，如图2所示，在本实施方式中，设置有弹性波谐振器S2以及弹性波谐振器P1的部分是第1带通型滤波器1A中的、相对于沿着弹性波传播方向的压电基板2的长度而谐振器所占的长度的比例最大的部分。弹性波装置10优选具有平均占空比小于弹性波谐振器S2以及弹性波谐振器P1中的至少一者的平均占空比的谐振器。由此，能够将弹性波装置10有效地小型化。
在本实施方式中，第1通带的高频侧的端部的频率为821MHz，第2通带的低频侧的端部的频率为925MHz，两者的频率差为104MHz。第1通带的带宽以及所述第2通带的带宽之中较窄的一方的带宽为30MHz。这样，第1通带的高频侧的端部与第2通带的低频侧的端部的频率差优选为第1通带的带宽以及所述第2通带的带宽之中较窄的一方的带宽以上。在该情况下，第1通带成为比第2通带更靠低频侧的频带，谐振器的沿着弹性波传播方向的长度具有变长的倾向。本发明在这样的情况下特别适合，能够将弹性波装置有效地小型化。
在本实施方式中，第1带通型滤波器1A以及第2带通型滤波器1B为接收滤波器。另外，第1带通型滤波器1A以及第2带通型滤波器1B中的至少一者也可以为发送滤波器。弹性波装置10也可以是第1通带以及第2通带为相同通信频段的通带的双工器。
以下示出本实施方式的弹性波装置的制造方法的一例。
图6的(a)～图6的(d)是用于说明第1实施方式的弹性波装置的制造方法的一例的、与沿着图2中的I-I线的部分相当的简图性剖视图。另外，在图6的(a)～图6的(d)中，通过对矩形添加两条对角线的简图来示出各谐振器。
如图6的(a)所示，准备压电基板2。接着，在压电基板2上形成多个IDT电极及反射器、包含天线端子3及接地端子7的多个端子以及布线。多个IDT电极、反射器及端子以及布线例如能够通过溅射法、蒸镀法等形成。
此时，优选，同时形成第1带通型滤波器1A以及第2带通型滤波器1B的IDT电极，使得具有以下结构中的至少一个结构。1)第2带通型滤波器1B的第2通带位于比第1带通型滤波器1A的第1通带更靠高频侧，且第1全部平均占空比大于第2全部平均占空比的结构。2)第1带通型滤波器1A以及第2带通型滤波器1B的谐振器之中IDT电极的平均占空比最大的谐振器是第1带通型滤波器1A中的沿着弹性波传播方向的长度最长的谐振器的结构。更优选的是，同时形成上述多个IDT电极，使得除了上述结构之外还具有以下的结构为宜。3)第2带通型滤波器1B具有平均占空比最小的谐振器的结构。由于第2带通型滤波器1B的第2通带位于高频侧，因此IDT电极的电极指间距变窄，但在本实施方式中，该IDT电极的占空比小。由此，即使与第1带通型滤波器1A的IDT电极同时形成第2带通型滤波器1B的IDT电极，也不易发生IDT电极的形成不良。由此，能够更进一步小型化，且能够有效地提高生产率。
在本实施方式中，同时形成第1带通型滤波器1A以及第2带通型滤波器1B的IDT电极，使得具有上述1)～3)的全部结构。在该情况下，能够更进一步有效地小型化，且能够有效地提高生产率。
接着，如图6的(b)所示，在压电基板2上形成具有开口部18a的支承构件18，使得包围各谐振器。支承构件18形成为覆盖包含天线端子3、接地端子7的多个端子。支承构件18例如能够通过光刻法等形成。接着，在支承构件18上设置覆盖构件19，使得覆盖支承构件18的开口部18a。
接着，如图6的(c)所示，形成多个过孔11，使得贯通支承构件18以及覆盖构件19。过孔11例如能够通过激光的照射、切削加工等来设置。
接着，如图6的(d)所示，在过孔11内，例如通过电解镀敷法等形成过孔电极8。各过孔电极8形成为一端与包含天线端子3以及接地端子7的各端子连接。接着，设置凸块9，使得与过孔电极8的另一端接合。
图7是示出第2实施方式涉及的弹性波装置的电极构造的简图性俯视图。
本实施方式中，第1带通型滤波器1A和第2带通型滤波器21B的配置以及第2带通型滤波器21B的电路结构不同于第1实施方式。与之相伴，凸块9的配置也不同于第1实施方式。除了上述的点以外，弹性波装置20具有与第1实施方式的弹性波装置10同样的结构。
另外，在俯视下，压电基板2具有矩形的形状。压电基板2的俯视下的外周缘的四条边中的两条边在弹性波传播方向上平行地延伸。上述四条边中的其他两条边在与弹性波传播方向正交的方向上延伸。图7中的双点划线中的一者是弹性波装置20的沿着弹性波传播方向的中心线X。图7中的双点划线中的另一者是弹性波装置20的沿着与弹性波传播方向正交的方向的中心线Y。另外，压电基板2的外周缘处的边延伸的方向并不限定于上述。
在本实施方式中，第1带通型滤波器1A以及第2带通型滤波器21B在弹性波传播方向上排列配置。第2带通型滤波器21B具有连接在天线端子3与第2信号端子5之间的纵耦合谐振器型弹性波滤波器26B。在天线端子3与纵耦合谐振器型弹性波滤波器26B之间，弹性波谐振器S21以及弹性波谐振器S22相互串联地连接。在弹性波谐振器S21与弹性波谐振器S22之间的连接点和接地电位之间，连接有弹性波谐振器P21。第2带通型滤波器21B的通带与第1实施方式同样是Band8的接收频带。
将第2带通型滤波器21B的各谐振器的各平均占空比以及第2全部平均占空比示于下述的表3。另外，各谐振器中的IDT电极的电极指的合计根数也示于下述的表3。
[表3]
Figure BDA0002180980670000131
弹性波装置20与第1实施方式同样地具有上述1)～3)的结构。由此，能够缩短具有位于比第2通带更靠低频侧的第1通带的第1带通型滤波器1A中的各谐振器的沿着弹性波传播方向的长度。因此，能够将弹性波装置20更进一步小型化。
而且，在本实施方式中，相对于沿着弹性波传播方向的中心线X，多个凸块9呈线对称配置，且相对于沿着与弹性波传播方向正交的方向的中心线Y，多个凸块9呈线对称配置。由此，在弹性波装置20中，能够提高作为与安装基板等接合的部分的凸块9的配置的对称性。由此，在对弹性波装置20、安装基板等施加了应力的情况下，能够使应力有效地分散。因此，能够将弹性波装置20更进一步可靠地接合到安装基板等，安装了弹性波装置20的模块不易破损。
如上述那样，在本实施方式中，能够缩短各谐振器的沿着弹性波传播方向的长度，因此能够有效地提高电极的配置的自由度。由此，能够在小型化的同时使多个凸块9相对于中心线X以及中心线Y呈线对称地配置。
另外，在中心线X以及中心线Y中的至少一者中，多个凸块9中的至少一部分呈线对称配置即可。在该情况下，也能够使应力分散。
在第1实施方式以及第2实施方式中，示出了本发明的第1滤波器以及第2滤波器为带通滤波器的例子，但并不限定于此。第1滤波器以及第2滤波器例如也可以为低通滤波器、高通滤波器。
符号说明
1A、1B...第1、第2带通型滤波器；
2...压电基板；
3...天线端子；
4、5...第1、第2信号端子；
6A、6B...纵耦合谐振器型弹性波滤波器；
7...接地端子；
8...过孔电极；
9...凸块；
10...弹性波装置；
11...过孔；
12...IDT电极；
13a...第1汇流条；
13b...第1电极指；
14a...第2汇流条；
14b...第2电极指；
15a、15b...反射器；
16a～16e...IDT电极；
17a、17b...反射器；
18...支承构件；
18a...开口部；
19...覆盖构件；
20...弹性波装置；
21B...第2带通型滤波器；
26B...纵耦合谐振器型弹性波滤波器；
P1、P11、P21、S1、S2、S11、S21、S22...弹性波谐振器。

Claims (10)

1.一种弹性波装置，具备：
具有压电性的基板；
第1滤波器，构成在所述具有压电性的基板上，具有第1通带；和
第2滤波器，构成在所述具有压电性的基板上，且具有位于比所述第1通带更靠高频侧的第2通带，
所述第1滤波器以及所述第2滤波器分别具有包含IDT电极的谐振器，
所述第1滤波器以及所述第2滤波器中的所述谐振器之中、所述IDT电极的平均占空比最大的谐振器是所述第1滤波器中的沿着弹性波传播方向的长度最长的谐振器。
2.根据权利要求1所述的弹性波装置，其中，
所述第2滤波器具有所述第1滤波器以及所述第2滤波器的所述谐振器之中、所述IDT电极的平均占空比最小的谐振器。
3.根据权利要求1或2所述的弹性波装置，其中，
所述第1通带的高频侧的端部与所述第2通带的低频侧的端部的频率差为所述第1通带的带宽以及所述第2通带的带宽之中较窄的一方的带宽以上。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的弹性波装置，其中，
所述第1通带和所述第2通带是不同通信频段的通带。
5.根据权利要求1～3中任一项所述的弹性波装置，其中，
所述弹性波装置是所述第1通带和所述第2通带为相同通信频段的通带的双工器。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的弹性波装置，其中，
所述第1滤波器的所述IDT电极的膜厚和所述第2滤波器的所述IDT电极的膜厚相同。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的弹性波装置，其中，
还具备用于所述弹性波装置的安装的多个凸块，
相对于所述弹性波装置的沿着弹性波传播方向的中心线以及沿着与弹性波传播方向正交的方向的中心线中的至少一者，所述多个凸块呈线对称配置。
8.一种弹性波装置的制造方法，是权利要求1所述的弹性波装置的制造方法，其中，包括：
准备所述具有压电性的基板的工序；和
在所述具有压电性的基板上同时形成所述第1滤波器的所述IDT电极以及所述第2滤波器的所述IDT电极的工序，
在形成所述IDT电极的工序中，形成所述IDT电极，使得所述第1滤波器以及所述第2滤波器中的所述谐振器之中、所述IDT电极的平均占空比最大的谐振器成为所述第1滤波器中的沿着弹性波传播方向的长度最长的谐振器。
9.根据权利要求8所述的弹性波装置的制造方法，其中，
在形成所述IDT电极的工序中，形成所述IDT电极，使得所述第2滤波器具有所述第1滤波器以及所述第2滤波器的所述谐振器之中所述IDT电极的平均占空比最小的谐振器。
10.根据权利要求8或9所述的弹性波装置的制造方法，其中，
所述第1滤波器的所述IDT电极的膜厚和所述第2滤波器的所述IDT电极的膜厚相同。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7250533B2 (ja) * 2019-01-21 2023-04-03 京セラ株式会社 弾性波装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002299996A (ja) * 2001-03-30 2002-10-11 Kyocera Corp 電子部品装置
JP2013081068A (ja) * 2011-10-04 2013-05-02 Hitachi Media Electoronics Co Ltd ワンチップ漏洩表面弾性波装置
CN106330130A (zh) * 2015-06-30 2017-01-11 株式会社村田制作所 分波器
CN106416068A (zh) * 2014-06-10 2017-02-15 株式会社村田制作所 弹性波装置

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3317274B2 (ja) * 1999-05-26 2002-08-26 株式会社村田製作所 弾性表面波装置及び弾性表面波装置の製造方法
JP2003289234A (ja) 2002-01-28 2003-10-10 Murata Mfg Co Ltd 弾性表面波装置、通信装置
US7389570B2 (en) * 2004-06-28 2008-06-24 Kyocera Corporation Surface acoustic wave device manufacturing method, surface acoustic wave device, and communications equipment
JP2008131128A (ja) * 2006-11-17 2008-06-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd 弾性表面波フィルタ、アンテナ共用器、およびそれらの製造方法
JP6024863B1 (ja) 2015-04-30 2016-11-16 株式会社村田製作所 ラダー型フィルタ及びデュプレクサ
US11128279B2 (en) * 2015-10-30 2021-09-21 Kyocera Corporation Acoustic wave resonator, acoustic wave filter, multiplexer, communication apparatus, and method designing acoustic wave resonator
CN110178308B (zh) * 2017-01-30 2024-04-26 京瓷株式会社 弹性波滤波器、分波器以及通信装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002299996A (ja) * 2001-03-30 2002-10-11 Kyocera Corp 電子部品装置
JP2013081068A (ja) * 2011-10-04 2013-05-02 Hitachi Media Electoronics Co Ltd ワンチップ漏洩表面弾性波装置
CN106416068A (zh) * 2014-06-10 2017-02-15 株式会社村田制作所 弹性波装置
CN106330130A (zh) * 2015-06-30 2017-01-11 株式会社村田制作所 分波器

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