WO2010098457A1

WO2010098457A1 - 発光モジュールおよび照明装置

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Publication number: WO2010098457A1
Application number: PCT/JP2010/053136
Authority: WO
Inventors: 友広三瓶; 大谷　清; 泉　昌裕; 村田　淳哉; 斉藤　明子; 裕美子林田
Original assignee: 東芝ライテック株式会社
Priority date: 2009-02-27
Filing date: 2010-02-26
Publication date: 2010-09-02
Also published as: EP2403017A4; KR20110106463A; KR101267545B1; EP2403017A1; CN102334202A; CN102334202B; US20110303927A1; US8773612B2

Abstract

　発光モジュール(1)は、モジュール基板(2)、発光ダイオード列(31)および封止部材(48)を備える。発光ダイオード列(31)は、複数の発光ダイオード素子(32)と、発光ダイオード素子(32)の間を接続する複数のボンディングワイヤ(37)と含む。発光ダイオード素子(32)は、一対の素子電極(33, 34)を有するとともに、素子電極(33, 34)が並ぶ方向に延びる矩形状である。封止部材(48)は、発光ダイオード列(31)を封止するようにモジュール基板(2)に積層されている。発光ダイオード素子(32)は、素子電極(33, 34)が並ぶ方向と交差する方向に間隔を存して配列され、隣り合う発光ダイオード素子(32)の間では、同じ極性を有する素子電極(33, 34)が発光ダイオード素子(32)の配列方向に隣り合うように並んでいる。ボンディングワイヤ(37)は、隣り合う発光ダイオード素子(32)の異なる極性の素子電極(33, 34)の間を接続するように発光ダイオード素子(32)の配列方向に対して斜めに配線されている。

Description

発光モジュールおよび照明装置

　本発明は、複数の発光ダイオード素子を有する発光モジュールに関する。さらに、本発明は、複数の発光ダイオード素子を有する発光モジュールを光源として用いる照明装置に関する。

　例えば特許文献１は、ＣＯＢ(chip on board)型の照明装置を開示している。この種の照明装置は、白色の表面を有する樹脂基板、複数の発光ダイオード列、リフレクタおよび封止部材を備えている。

　発光ダイオード列は、樹脂基板の表面に沿って直線状に延びているとともに、発光ダイオード列が延びる方向と直交する方向に互いに間隔を存して平行に配置されている。リフレクタは、発光ダイオード列を取り囲むように樹脂基板の表面に接着されている。封止部材は、蛍光体が混ぜられた透明なシリコーン樹脂で構成されている。封止部材は、発光ダイオード列を封止するようにリフレクタで囲まれた領域に充填されている。

　発光ダイオード列は、夫々複数の発光ダイオード素子を備えている。発光ダイオード素子は、互いに間隔を存して一列に並んでいる。各発光ダイオード素子は、一対の素子電極を有するとともに、ダイボンド材を用いて樹脂基板の表面に接着されている。

　発光ダイオード列が延びる方向に隣り合う発光ダイオード素子は、ボンディングワイヤを介して電気的に接続されている。ボンディングワイヤの一端は、隣り合う発光ダイオード素子のうちの一方の発光ダイオード素子の素子電極に接続されている。ボンディングワイヤの他端は、他方の発光ダイオード素子の素子電極に接続されている。このため、発光ダイオード列は、複数の発光ダイオード素子を直列に接続した構成となっている。

　従来の照明装置によると、各発光ダイオード素子の素子電極は、発光ダイオード列が延びる方向に並んでいる。このため、ボンディングワイヤにしても発光ダイオード列を平面的に見た場合に、発光ダイオード列が延びる方向に沿って真っ直ぐに配線されている。

　さらに、複数の発光ダイオード列の全長は、いずれも同等となっている。これら発光ダイオード列が互いに間隔を存して平行に配列されることで、数多くの発光ダイオード素子が前記リフレクタで囲まれた領域の略全域に亘ってマトリクス状に規則的に配列されている。

　このような構成の照明装置によれば、発光ダイオード列が延びる方向に隣り合う発光ダイオード素子の間に、ボンディングワイヤが接合される中継用のボンディングパッドを必要としない。そのため、隣り合う発光ダイオード素子の間のピッチを狭くすることができ、数多くの発光ダイオード素子を高密度に配置する上で適している。それとともに、隣り合う発光ダイオード素子の間のピッチが狭くなれば、発光ダイオード列を平面的に見た時に、隣り合う発光ダイオード素子の間に跨るボンディングワイヤの長さが短くなる。この結果、ボンディグワイヤが封止部材の重みで変形するのを抑制できる。

特開２００８－２７７５６１号公報

　発光ダイオード素子は、平面的に見た時の形状が矩形であるのが一般的である。発光ダイオード素子が有する一対の素子電極は、発光ダイオード素子の長手方向に間隔を存して並べられている。このため、特許文献１に記載された照明装置において、発光ダイオード列が延びる方向のスペースが制限されている場合、以下の課題がある。

　発光ダイオード列では、複数の発光ダイオード素子が一列に並んでいるので、隣り合う発光ダイオード素子は、夫々互いに向かい合う側面を有している。隣り合う発光ダイオード素子の側面の間の間隔は、隣り合う発光ダイオード素子の間のピッチよりも狭くなっている。

　したがって、複数の発光ダイオード素子を配列するに際して、隣り合う発光ダイオード素子の側面の間の間隔のサイズを優先すると、制限されたスペースに配置できる発光ダイオード素子の数が減少する。よって、複数の発光ダイオード素子を高密度に配列する上で好ましくない。

　これに対し、複数の発光ダイオード素子を配列するに際して、制限されたスペースに配置すべき発光ダイオード素子の数を優先すると、隣り合う発光ダイオード素子の側面の間の間隔が非常に狭くなる。このため、発光ダイオード素子を封止する封止部材が隣り合う発光ダイオード素子の間に流入し難くなって、隣り合う発光ダイオード素子の間に気泡が発生するのを否めない。気泡は、ボイドとなって封止部材の中に残留する。ボイドは、発光ダイオード素子からの光が入射された時に光を散乱させるため、適正な配光を乱すことがある。

　加えて、発光ダイオード素子を高密度に配列する条件の下でも、隣り合う発光ダイオード素子の間に跨るボンディングワイヤは、発光ダイオード列を平面的に見た時に、発光ダイオード列が延びる方向に沿って真っ直ぐに配線されている。このため、ボンディングワイヤの長さが短くなり過ぎてしまう。ボンディングワイヤが短過ぎると、ボンディングワイヤを素子電極にボンディングする時の作業性が損なわれてしまい、発光ダイオード列を製造する上で好ましくない。それとともに、短過ぎるボンディングワイヤは変形し難いので、ボンディングワイヤの取り扱いが悪くなる。

　さらに、素子電極に接合されたボンディングワイヤの端部は、再結晶化により強度が低下するのを避けられない。そのため、ボンディングワイヤを密封している封止部材が発光ダイオード素子の熱影響を受けて熱的に伸び縮みすると、封止部材の伸び縮みがボンディングワイヤにストレスとして繰り返し作用する。よって、ボンディングワイヤが強度の弱い端部で折れる虞がある。

　本発明の目的は、複数の発光ダイオード素子を高密度に配列する条件の下でも、作業性を良好に維持することができ、製造効率を高めることができる発光モジュールを得ることにある。

　本発明の他の目的は、製造効率を高めた発光モジュールを光源として備える照明装置を得ることにある。

　前記目的を達成するため、請求項１の発明に係る発光モジュールは、モジュール基板、発光ダイオード列および封止部材を備えている。発光ダイオード列は、アノード用の素子電極およびカソード用の素子電極を有するとともに、前記素子電極が並ぶ方向に延びる矩形状をなす複数の発光ダイオード素子と、隣り合う発光ダイオード素子の間を電気的に直列に接続する複数のボンディングワイヤと、含んでおり、前記発光ダイオード素子が前記モジュール基板に固定されている。封止部材は、透光性を有するとともに、前記発光ダイオード列を封止するように前記モジュール基板に積層されている。

　前記複数の発光ダイオード素子は、前記素子電極が並ぶ方向と交差する方向に間隔を存して配列され、隣り合う発光ダイオード素子の間では、同じ極性を有する素子電極が前記発光ダイオード素子の配列方向に互いに隣り合うように並んでいる。前記ボンディングワイヤは、前記隣り合う発光ダイオード素子の異なる極性の素子電極の間を接続するように前記発光ダイオード素子の配列方向に対して斜めに配線されている。

　請求項１の発光モジュールにおいて、発光ダイオード素子とはベアチップからなる半導体発光素子のことを指している。発光ダイオード素子は、素子電極の方向から平面的に見た時の形状が長方形であって、素子電極は発光ダイオード素子の長手方向に沿うように並べられている。

　発光モジュールのモジュール基板は、合成樹脂、ガラスあるいはセラミック製の絶縁層を備えている。絶縁層は、単層でもよいし、多層であってもよい。さらに、モジュール基板の放熱性を促進させるために、絶縁層の裏面に金属板を積層した構成を採用してもよい。

　発光モジュールの発光ダイオード列は、直線状であることが望ましいが、例えば発光ダイオード列の一端と他端との間に、直角に折り曲げられた複数の曲げ部を有する形状としてもよい。発光モジュールのボンディングワイヤは金属細線であればよく、銅（Ａｕ）の細線を用いることが望ましい。

　請求項１の発光モジュールにおいて、封止部材としては、透明ガラスおよび透光性を有する樹脂材料の一例である透明シリコーン樹脂、透明ウレタン樹脂、透明アクリル樹脂などを用いることができる。

　請求項１の発光モジュールにおいて、青色の光を発する発光ダイオード素子を用いて白色の光を得るためには、青色の光で励起されて黄色の光を放射する黄色蛍光体を封止部材に混ぜるとよい。同様に、紫外線を発する発光ダイオード素子を用いて白色の光を得るためには、紫外線で励起されて赤色の光を放射する赤色蛍光体、紫外線で励起されて緑色の光を放射する緑色蛍光体および紫外線で励起されて青色の光を放射する青色蛍光体を封止部材に混ぜるとよい。さらに、赤色、緑色および青色の光を発する三種類の発光ダイオード素子を一組とする複数の発光ユニットをモジュール基板の上に実装してもよい。この場合、三種類の発光ダイオード素子が発する光が互いに混じり合って、各発光ユニットから白色の光が放射されるので、封止部材に蛍光体を混ぜる必要はない。

　請求項１の発光モジュールによると、発光ダイオード列を構成する複数の発光ダイオード素子は、一対の素子電極が並ぶ方向と交差する方向に互いに間隔を存して配列されている。このため、例えば発光ダイオード列が延びる方向のスペースが制限された条件の下においても、発光ダイオード列が延びる方向に隣り合う発光ダイオード素子の間のピッチを狭めて、発光ダイオード列が延びる方向に数多くの発光ダイオード素子を並べることが可能となる。よって、モジュール基板の上に発光ダイオード素子を高密度に配置できる。

　さらに、請求項１の発光モジュールでは、発光ダイオード素子の同じ極性を有する素子電極が発光ダイオード素子の配列方向に隣り合うように並んでいる。これにより、隣り合う発光ダイオード素子の異なる極性の素子電極の間を接続するボンディングワイヤは、発光ダイオード素子の配列方向に対して斜めに配線されている。

　したがって、複数の発光ダイオード素子は、同じ極性を有する素子電極の向きを揃えた状態でモジュール基板に供給すればよい。言い換えると、極性が異なる素子電極が隣り合うように発光ダイオード素子の向きを交互に反転させる必要はない。よって、数多くの発光ダイオード素子をモジュール基板に実装する際の作業性が向上する。

　加えて、発光モジュールを平面的に見た時に、発光ダイオード素子の間に跨る全てのボンディングワイヤが同一の方向に傾斜している。この結果、複数のボンディングワイヤが一定の規則に則って配列されるので、ボンディングワイヤの配線に欠陥があるか否かを容易に確認できる。

　さらに、ボンディングワイヤが発光ダイオード素子の配列方向に沿って真っ直ぐに配線されている場合との比較において、発光モジュールを平面的に見た時のボンディングワイヤの長さを確保できる。このため、ボンディングワイヤを素子電極にボンディングする作業を容易に行なえる。

　それとともに、ボンディングワイヤが変形し易くなるので、ボンディングワイヤを覆う封止部材が発光ダイオード素子の熱影響を受けて熱的に伸び縮みした場合でも、ボンディングワイヤが封止部材の伸び縮みに追従するように滑らかに変形する。よって、素子電極に接合されたボンディングワイヤの端部に加わるストレスを軽減できる。

　請求項２の発光モジュールでは、ボンディングワイヤが隣り合う発光ダイオード素子の間でモジュール基板から遠ざかる方向に円弧を描いて張り出している。発光ダイオード素子に対するボンディングワイヤの頂部の張り出し高さは、２００μｍ～５００μｍに規定されている。

　素子電極に接合されたボンディングワイヤは、一般に銅の細線が用いられている。銅製のボンディングワイヤを素子電極にボンディングすると、ボンディングワイヤのうち素子電極から概ね１００μｍ～１８０μｍまでの領域の強度が再結晶化により低下する。そのため、ボンディングワイヤの張り出し高さが２００μｍを下回ると、ボンディングワイヤを覆う封止部材が熱的に伸び縮みした時に、ボンディングワイヤが封止部材の伸び縮みに伴うストレスに耐え切れずに屈折する可能性が高くなる。

　一方、発光ダイオード素子およびボンディングワイヤは、封止部材で覆われている。そのため、ボンディングワイヤの張り出し高さが５００μｍを上回ると、ボンディングワイヤの頂部が封止部材から発光モジュールの外に食み出してしまい、ボンディングワイヤが損傷するのを否めない。それとともに、ボンディングワイヤがあまり長過ぎるので、封止部材が熱的に伸び縮みした時にボンディングワイヤに大きな応力が生じ、ボンディングワイヤの断線を招く原因となることがあり得る。

　そのため、ボンディングワイヤの張り出し高さを２００μｍ～５００μｍの範囲内とすることで、ボンディングワイヤの強度を高めて、ボンディングワイヤの不所望な損傷および断線を防止できる。

　加えて、発光ダイオード素子に対するボンディングワイヤの張り出し高さが適正となって、隣り合う発光ダイオード素子の間に封止部材が充填され易くなる。言い換えると、隣り合う発光ダイオード素子の間に跨るボンディングワイヤが、発光ダイオード素子の間に充填される封止部材の流れを妨げるのを防止できる。この結果、隣り合う発光ダイオード素子の間に気泡が発生し難くなり、気泡がボイドとなって封止部材の中に残るのを回避できる。

　請求項３の発光モジュールでは、封止部材が樹脂材料で形成されている。封止部材としては、例えば曲げ弾性率が低い透明なジメチルシリコーン樹脂を用いることができる。封止部材に用いる樹脂材料は、ジメチルシリコーン樹脂に限らず、同様の性質を有するその他の透光性樹脂材料を用いることができる。曲げ弾性率が低い樹脂材料は、柔軟性に富んでいるので、封止部材が熱的に伸び縮みしたとしても、封止部材がボンディングワイヤに与えるストレスを軽減できる。

　請求項４の発光モジュールは、モジュール基板に積層された光反射面を有する金属反射層と；発光ダイオード素子と光反射面との間に介在されて、発光ダイオード素子を金属反射層に接着する透光性ダイボンド材と；をさらに備えている。前記ダイボンド材は、前記封止部材よりもガス透過性が低い樹脂材料で形成されているとともに、前記金属反射層の上で前記発光ダイオード素子の周囲に張り出している。

　請求項４の発光モジュールにおいて、金属反射層の光反射面とは、発光ダイオード素子から放射された光を反射させて、光を効率よく取り出すためのものである。金属反射層は、複数の発光ダイオード素子を実装できる大きさを有している。金属反射層は、一種類の金属材料を用いた単層でもよいし、あるいは異種金属を積層した多層でもよい。さらに、金属反射層は、モジュール基板の上に少なくとも一つ積層されていればよい。

　請求項４の発光モジュールにおいて、ダイボンド材を構成する樹脂材料としては、例えば水蒸気透過率が１００cc/m²・day以下である透明なシリコーン樹脂を用いることが好ましい。それとともに、ダイボンド材は、複数の発光ダイオード素子を個々に金属反射層に接着できればよく、隣り合う発光ダイオード素子に対応するダイボンド材が互いに連続していてもよいし、互いに離れていてもよい。さらに、ダイボンド材は、金属反射層の光反射面のうち、少なくとも複数の発光ダイオード素子が配列される領域を全面的に覆うように設けてもよい。

　請求項４の発光モジュールによると、発光ダイオード素子が発光した時に、発光ダイオード素子が発する熱の多くは、発光ダイオード素子から金属反射層に伝わるとともに、金属反射層の隅々にまで広く拡散される。金属反射層に拡散された熱は、金属反射層からモジュール基板に伝わるので、発光ダイオード素子の放熱性が向上する。

　しかも、金属反射層は、光反射面に入射した発光ダイオード素子の光を光の利用方向に反射させる。これにより、光の取り出し効率が高まり、光を無駄なく有効に活用できる。

　請求項４の発光モジュールによると、発光ダイオード素子と金属反射層との間に介在されたダイボンド材は、封止部材よりもガス透過性が低いとともに、発光ダイオード素子の周囲に張り出している。このため、例えば腐食性ガスが封止部材を透過したとしても、金属反射層のうち発光ダイオード素子に対応する位置および発光ダイオード素子の周囲を含む領域に封止部材を透過した腐食性ガスが到達し難くなる。したがって、腐食性ガスによる金属反射層の変色が抑制されて、金属反射層の光反射性能を良好に維持できる。

　ガス透過性が低いダイボンド材は、封止部材よりも硬くなるのを避けられない。しかしながら、硬質なダイボンド材は、発光ダイオード列のボンディングワイヤから離れている。このため、ダイボンド材がヒートサイクルによって熱的に伸び縮みしたとしても、ダイボンド材がボンディングワイヤにストレスを与える因子とはならない。

　請求項５の発光モジュールでは、封止部材がダイボンド材よりも柔らかい樹脂材料で形成されている。封止部材が柔軟であれば、たとえ封止部材がヒートサイクルによって熱的に伸び縮みしたところで、封止部材がボンディングワイヤに与えるストレスを軽減できる。

　請求項６の発光モジュールでは、ダイボンド材がフェニルシリコーン成分を含有している。フェニルシリコーン樹脂は、例えばジメチルシリコーン樹脂よりもガス透過性が低い。そのため、フェニルシリコーン成分を含むダイボンド材は、金属反射層が封止部材を透過したガスに晒されるのを防ぐ。

　請求項７の発光モジュールでは、ダイボンド材および封止部材が共にフェニルシリコーン成分を含有している。封止部材がフェニルシリコーン成分を含むことで、ガスが封止部材を透過し難くなる。それとともに、たとえガスが封止部材を透過したとしても、フェニルシリコーン成分を含むダイボンド材によってガスが金属反射層に到達するのを制限することができる。

　前記目的を達成するため、請求項８の発明に係る照明装置は、本体と、前記本体に支持された発光モジュールと、で構成されている。前記発光モジュールは、モジュール基板、発光ダイオード列および封止部材を備えている。発光ダイオード列は、アノード用の素子電極およびカソード用の素子電極を有するとともに、前記素子電極が並ぶ方向に延びる矩形状をなす複数の発光ダイオード素子と、隣り合う発光ダイオード素子の間を電気的に直列に接続する複数のボンディングワイヤと、含んでおり、前記発光ダイオード素子が前記モジュール基板に固定されている。封止部材は、透光性を有するとともに、前記発光ダイオード列を封止するように前記モジュール基板に積層されている。

　請求項９の照明装置では、本体が、ヒートシンクと、ヒートシンクに熱的に接続された受熱部とを備えている。発光モジュールのモジュール基板は、前記受熱部に固定されて、この受熱部に熱的に接続されている。

　請求項９の照明装置によると、発光モジュールのモジュール基板に伝えられた発光ダイオード素子の熱は、モジュール基板から受熱部を経由してヒートシンクに伝わる。そのため、照明装置の本体を利用して発光モジュールの放熱性を高めることができる。

　請求項１の発光モジュールによれば、発光ダイオード列が延びる方向のスペースが制限された条件の下で、複数の発光ダイオード素子をモジュール基板の上に高密度に配置できる。さらに、複数の発光ダイオード素子は、同じ極性を有する素子電極の向きを揃えた状態でモジュール基板に供給すればよい。このため、発光ダイオード素子の向きを交互に反転させる必要はなく、発光ダイオード素子をモジュール基板に実装する作業が容易となる。それとともに、複数のボンディングワイヤが一定の規則に則って配置されるので、ボンディングワイヤの配線に欠陥があるか否かを一目で認識することができる。よって、発光モジュールの製造効率を高めて、コストの低減が可能となる。

　請求項２の発光モジュールによれば、ボンディングワイヤの強度を高めて、ボンディングワイヤの不所望な損傷および断線を防止できる。加えて、隣り合う発光ダイオード素子の間に充填された封止部材の中に光を散乱させるボイドが残留し難くなり、適切な配光を得ることができる。

　請求項３の発光モジュールによれば、封止部材が熱的に伸び縮みしたとしても、封止部材がボンディングワイヤに与えるストレスを軽減できる。

　請求項４の発光モジュールによれば、発光ダイオード素子の放熱性を改善して、発光ダイオード素子の発光効率を良好に維持できる。それとともに、封止部材を透過したガスによる金属反射層の光反射面の変色を抑制して、金属反射層の光反射性能を良好に維持することができ、光の取り出し効率を高めることができる。

　請求項５の発光モジュールによれば、封止部材が熱的に伸び縮みしたとしても、封止部材がボンディングワイヤに与えるストレスを緩和できる。そのため、ボンディングワイヤと発光ダイオード素子との間の電気的な接続の信頼性を確保できる。

　請求項６の発光モジュールによれば、ダイボンド材から金属反射層に向かうガスを確実に遮断して、金属反射層の腐食に伴う光反射性能の劣化を防止できる。

　請求項７の発光モジュールによれば、ガスが封止部材およびダイボンド材の双方を透過し難くなるので、金属反射層の腐食および光反射性能の劣化を確実に防止できる。

　請求項８の照明装置によれば、製造効率を高めた発光モジュールを光源とすることができ、照明装置の製造コストを低減して安価な照明装置を提供できる。

　請求項９の照明装置によれば、発光モジュールの放熱性を高めて、発光モジュールの過熱に伴う発光効率の低下を防止できる。

図１は、本発明の第１の実施の形態に係る発光モジュールの平面図である。図２は、図１のF2-F2線に沿う断面図である。図３は、図１のF3で示す部分を拡大して示す発光モジュールの平面図である。図４は、本発明の第１の実施の形態において、モジュール基板の上に積層された金属反射層の断面図である。図５は、本発明の第１の実施の形態で用いる発光ダイオード素子の平面図である。図６は、本発明の第１の実施の形態で用いる発光ダイオード素子の側面図である。図７は、本発明の第１の実施の形態において、隣り合う一対の発光ダイオード素子の間をボンディングワイヤで接続した状態を示す平面図である。図８は、本発明の第１の実施の形態の優位性を明らかにするための比較例であって、隣り合う一対の発光ダイオード素子の間をボンディングワイヤで接続した状態を示す平面図である。図９は、本発明の第２の実施の形態に係る発光モジュールの断面図である。図１０は、本発明の第２の実施の形態に係る発光モジュールの平面図である。図１１は、本発明の第３の実施の形態に係る発光モジュールの平面図である。図１２は、本発明の第３の実施の形態において、未硬化のダイボンド材が光反射層の表面にスタンプされた状態を概略的に示す平面図である。図１３は、本発明の第３の実施の形態において、発光ダイオード素子がダイボンド材のパッド部に接着された状態を概略的に示す平面図である。図１４は、本発明の第４の実施の形態に係る発光モジュールの平面図である。図１５は、本発明の第５の実施の形態に係る照明装置の斜視図である。図１６は、本発明の第５の実施の形態に係る照明装置の断面図である。

　以下本発明の第１の実施の形態を図１ないし図８に基づいて説明する。

　図１および図２は、ＣＯＢ(chip on board)型の発光モジュール１を開示している。発光モジュール１は、例えばスポットライトの投影レンズ群の焦点に配置されて、スポットライトの光源として用いられる。

　発光モジュール１は、ベースとなるモジュール基板２を備えている。図１に示すように、モジュール基板２は、一対の長辺２ａ，２ｂおよび一対の短辺２ｃ，２ｄを有する矩形状である。長辺２ａ，２ｂは、互いに平行であるとともに、短辺２ｃ，２ｄも互いに平行である。さらに、モジュール基板２は、四つの角部を有している。取り付け孔２ｅがモジュール基板２の各角部に開口されている。

　図２に示すように、モジュール基板２は、合成樹脂製の絶縁層３と金属板４とで構成されている。絶縁層３は、第１の面３ａと第２の面３ｂとを有している。第２の面３ｂは、第１の面３ａの反対側に位置されている。金属板４は、例えばアルミニウム又はその合金で構成されているとともに、絶縁層３の第２の面３ｂに積層されている。

　図１に示すように、第１ないし第５の金属反射層６～１０がモジュール基板２の上に積層されている。第１ないし第５の金属反射層６～１０は、モジュール基板２の長辺２ａ，２ｂに沿う方向に延びる細長い長方形状であるとともに、互いに同じ大きさを有している。第１ないし第５の金属反射層６～１０は、モジュール基板２の短辺２ｃ，２ｄの方向に互いに間隔を存して平行に並べられている。

　第１ないし第５の金属反射層６～１０は、互いに共通の構成を有するため、第１の金属反射層６を代表して説明する。図４に示すように、第１の金属反射層６は、絶縁層３の第１の面３ａに積層された銅層５ａと、銅層５ａの上に積層されたニッケル層５ｂと、ニッケル層５ｂの上に積層された銀層５ｃとで構成されている。銀層５ｃは、第１の金属反射層６の外に露出するように、第１の金属反射層６の表層を構成している。そのため、第１の金属反射層６の表面は、光反射面５ｄとなっている。

　第１ないし第５の金属反射層６～１０は、前記のような三層構造に限らず、例えば銀の単層でもよいとともに、銅層の上に銀層を積層した二層構造であってもよい。さらに、第１ないし第５の金属反射層６～１０の表層は銀層５ｃに限らない。例えば銀層５ｃの代わりにアルミニウム層、金層あるいはニッケル層を用いることができる。

　図１に示すように、第１ないし第１０の配線導体１１～２０がモジュール基板２の上に積層されている。第１ないし第１０の配線導体１１～２０は、第１ないし第５の金属反射層６～１０と同様の三層構造であり、その表層が銀層により構成されている。第１ないし第１０の配線導体１１～２０は、少なくとも表層が銀層であれば、単層又は二層でも差し支えない。第１ないし第１０の配線導体１１～２０は、例えばエッチングやめっき処理等により前記第１ないし第５の金属反射層６～１０と同時に形成される。

　第１ないし第１０の配線導体１１～２０は、夫々一対の導体パターンを有している。一方の導体パターンはアノード用であり、他方の導体パターンはカソード用である。第１ないし第５の配線導体１１～１５と第２ないし第１０の配線導体１６～２０とは、モジュール基板２の短辺２ｃ，２ｄの間を通るモジュール基板２の中心線Ａを境として線対称に配置されている。

　具体的に述べると、第１の配線導体１１の導体パターンは、第１の金属反射層６を間に挟んで互いに平行に配置されている。導体パターンは、第１の金属反射層６の側縁との間に所定の絶縁距離を確保した状態で、第１の金属反射層６の側縁に沿うように延びている。第１の配線導体１１の導体パターンは、夫々端子部１１ａ，１１ｂを有している。

　第２の配線導体１２の導体パターンは、第２の金属反射層７を間に挟んで互いに平行に配置されている。導体パターンは、第２の金属反射層７の側縁との間に所定の絶縁距離を確保した状態で、第２の金属反射層７の側縁に沿うように延びている。第２の配線導体１２の導体パターンは、夫々端子部１２ａ，１２ｂを有している。

　第３の配線導体１３の導体パターンは、第３の金属反射層８を間に挟んで互いに平行に配置されている。導体パターンは、第３の金属反射層８の側縁との間に所定の絶縁距離を確保した状態で、第３の金属反射層８の側縁に沿うように延びている。第３の配線導体１３の導体パターンは、夫々端子部１３ａ，１３ｂを有している。

　第４の配線導体１４の導体パターンは、第４の金属反射層９を間に挟んで互いに平行に配置されている。導体パターンは、第４の金属反射層９の側縁との間に所定の絶縁距離を確保した状態で、第４の金属反射層９の側縁に沿うように延びている。第４の配線導体１４の導体パターンは、夫々端子部１４ａ，１４ｂを有している。

　第５の配線導体１５の導体パターンは、第５の金属反射層１０を間に挟んで互いに平行に配置されている。導体パターンは、第５の金属反射層１０の側縁との間に所定の絶縁距離を確保した状態で、第５の金属反射層１０の側縁に沿うように延びている。第５の配線導体１５の導体パターンは、夫々端子部１５ａ，１５ｂを有している。

　第１ないし第５の配線導体１１～１５の端子部１１ａ～１５ａ，１１ｂ～１５ｂは、第１ないし第５の金属反射層６～１０の長手方向に沿う一端とモジュール基板２の一方の短辺２ｃとの間に位置されているとともに、短辺２ｃの方向に互いに間隔を存して一列に並んでいる。

　第６の配線導体１６の導体パターンは、第１の金属反射層６を間に挟んで互いに平行に配置されている。導体パターンは、第１の金属反射層６の側縁との間に所定の絶縁距離を確保した状態で、第１の金属反射層６の側縁に沿うように延びている。第６の配線導体１６の導体パターンは、夫々端子部１６ａ，１６ｂを有している。

　第７の配線導体１７の導体パターンは、第２の金属反射層７を間に挟んで互いに平行に配置されている。導体パターンは、第２の金属反射層７の側縁との間に所定の絶縁距離を確保した状態で、第２の金属反射層７の側縁に沿うように延びている。第７の配線導体１７の導体パターンは、夫々端子部１７ａ，１７ｂを有している。

　第８の配線導体１８の導体パターンは、第３の金属反射層８を間に挟んで互いに平行に配置されている。導体パターンは、第３の金属反射層８の側縁との間に所定の絶縁距離を確保した状態で、第３の金属反射層８の側縁に沿うように延びている。第８の配線導体１８の導体パターンは、夫々端子部１８ａ，１８ｂを有している。

　第９の配線導体１９の導体パターンは、第４の金属反射層９を間に挟んで互いに平行に配置されている。導体パターンは、第４の金属反射層９の側縁との間に所定の絶縁距離を確保した状態で、第４の金属反射層９の側縁に沿うように延びている。第９の配線導体１９の導体パターンは、夫々端子部１９ａ，１９ｂを有している。

　第１０の配線導体２０の導体パターンは、第５の金属反射層１０を間に挟んで互いに平行に配置されている。導体パターンは、第５の金属反射層１０の側縁との間に所定の絶縁距離を確保した状態で、第５の金属反射層１０の側縁に沿うように延びている。第１０の配線導体２０の導体パターンは、夫々端子部２０ａ，２０ｂを有している。

　第６ないし第１０の配線導体１６～２０の端子部１６ａ～２０ａ，１６ｂ～２０ｂは、第１ないし第５の金属反射層６～１０の長手方向に沿う他端とモジュール基板２の他方の短辺２ｄとの間に位置されているとともに、短辺２ｄの方向に互いに間隔を存して一列に並んでいる。

　図１および図２に示すように、第１ないし第１０の配線導体１１～２０の導体パターンと第１ないし第６の金属反射層６～１０とは、モジュール基板２の絶縁層３の第１の面３ａの上でモジュール基板２の短辺２ｃ，２ｄの方向に沿って交互に並んでいる。このため、第１ないし第１０の配線導体１１～２０の導体パターンおよび第１ないし第６の金属反射層６～１０は、モジュール基板２の第１の面３ａから突出する複数の凸部を構成している。同様に、導体パターンと第１ないし第６の金属反射層６～１０との間に生じた隙間は、モジュール基板２の第１の面３ａの上に複数の凹部を構成している。

　言い換えると、第１ないし第１０の配線導体１１～２０の導体パターンおよび第１ないし第６の金属反射層６～１０は、互いに協働してモジュール基板２の第１の面３ａの上に数多くの段差Ｓを形成している。

　図１に示すように、第１ないし第５の金属反射層６～１０のうち、第１ないし第５の金属反射層６～１０の一端とモジュール基板２の中心線Ａとの間の領域に夫々第１ないし第５の発光部２１～２５が設けられている。同様に、第１ないし第５の金属反射層６～１０のうち、第１ないし第５の金属反射層６～１０の他端とモジュール基板２の中心線Ａとの間の領域に夫々第６ないし第１０の発光部２６～３０が設けられている。

　本実施の形態によると、モジュール基板２の中央に位置された第３の金属反射層８に対応する第３の発光部２３および第８の発光部２８は、夫々モジュール基板２の長辺２ａ，２ｂに沿う方向の全長が最も長くなっている。第３の発光部２３および第８の発光部２８は、モジュール基板２の中心線Ａを境に線対称に配置されている。

　モジュール基板２の長辺２ａに最も近い第１の金属反射層６に対応する第１の発光部２１および第６の発光部２６と、モジュール基板２の長辺２ｂに最も近い第５の金属反射層１０に対応する第５の発光部２５および第１０の発光部３０は、夫々モジュール基板２の長辺２ａ，２ｂに沿う方向の全長が最も短くなっている。第１の発光部２１および第６の発光部２６は、モジュール基板２の中心線Ａを境に線対称に配置されている。同様に、第５の発光部２５および第１０の発光部３０は、モジュール基板２の中心線Ａを境に線対称に配置されている。

　さらに、第２の金属反射層７に対応する第２の発光部２２および第７の発光部２７と、第４の金属反射層９に対応する第４の発光部２４および第９の発光部２９は、夫々モジュール基板２の長辺２ａ，２ｂに沿う方向の全長が第３および第８の発光部２３，２８の全長よりも短く、第１、第５、第６および第１０の発光部２１，２５，２６，３０の全長よりも長くなっている。第２の発光部２２および第７の発光部２７は、モジュール基板２の中心線Ａを境に線対称に配置されている。同様に、第４の発光部２４および第９の発光部２９は、モジュール基板２の中心線Ａを境に線対称に配置されている。

　したがって、図１に示すように、第１ないし第１０の発光部２１～３０は、全長が最も長い第１のグループと、全長が最も短い第２のグループと、全長が前記二つのグループの中間となる第３のグループとに分けられている。

　第１ないし第１０の発光部２１～３０は、全長が異なってはいるものの、その基本的な構成は互いに同一である。そのため、本実施の形態では、主に図２に示す第６の発光部２６の構成を代表して説明する。

　第６の発光部２６は、複数の発光ダイオード列３１を備えている。発光ダイオード列３１は、第１の金属反射層６の長手方向と直交する方向に直線状に延びているとともに、第１の金属反射層６の長手方向に互いに間隔を存して平行に配列されている。

　発光ダイオード列３１は、夫々複数の発光ダイオード素子３２と、複数のボンディングワイヤ３７とを備えている。図５および図６に示すように、各発光ダイオード素子３２は、基板３２ａおよび発光層３２ｂを有するベアチップである。基板３２ａは、例えばサファイアガラスのような透光性を有する絶縁材で構成されている。発光層３２ｂは、基板３２ａの上に積層されて、通電により例えば青色の光を発する。

　発光ダイオード素子３２は、発光層３２ｂの上にアノード用の素子電極３３およびカソード用の素子電極３４を有している。発光ダイオード素子３２は、素子電極３３，３４の方向から平面的に見た時の形状が矩形である。素子電極３３，３４は、発光ダイオード素子３２の長手方向に間隔を存して並んでいる。

　複数の発光ダイオード素子３２は、第１の金属反射層６の光反射面５ｄの上に第１の金属反射層６の長手方向と直交する方向に沿って一列に並べられている。言い換えると、複数の発光ダイオード素子３２は、第１の金属反射層６を幅方向に横断するように一列に並べられている。

　さらに、発光ダイオード素子３２は、二つの素子電極３３，３４が並ぶ方向を第１の金属反射層６の長手方向と一致させた姿勢で、第１の金属反射層６の長手方向と直交する方向に所定のピッチＰ１で並べられている。隣り合う発光ダイオード素子３２の間のピッチＰ１は、例えば０．７５mmである。

　図７に示すように、各発光ダイオード素子３２は、その長手方向に沿う第１の側面３２ｃおよび第２の側面３２ｄを有している。第２の側面３２ｄは、第１の側面３２ｃの反対側に位置されている。発光ダイオード列３１が延びる方向に隣り合う二つの発光ダイオード素子３２の第１の側面３２ｃは、互いに平行となるように離れている。

　図７の中の符号Ｂ１は、隣り合う二つの発光ダイオード素子３２の第１の側面３２ｃの間の間隔を示し、符号Ｃ１は、隣り合う二つの発光ダイオード素子３２の第２の側面３２ｄの間の間隔を示している。間隔Ｂ１は、隣り合う発光ダイオード素子３２の間のピッチＰ１よりも小さい。間隔Ｃ１は、隣り合う発光ダイオード素子３２の間のピッチＰ１よりも大きい。

　加えて、複数の発光ダイオード素子３２は、そのアノード用の素子電極３３およびカソード用の素子電極３４が、発光ダイオード素子３２の配列方向に沿って互いに隣り合うように並べられている。

　具体的には、各発光ダイオード素子３２の素子電極３３は、発光ダイオード素子３２に対しモジュール基板２の短辺２ｄの側に位置されている。各発光ダイオード素子３２の素子電極３４は、発光ダイオード素子３２に対しモジュール基板２の短辺２ｃの側に位置されている。

　この結果、図３に最もよく示されるように、各発光ダイオード列３１においては、アノード用の素子電極３３およびカソード用の素子電極３４が夫々発光ダイオード素子３２の並び方向に沿って一列に並んでいる。

　発光ダイオード列３１を構成する複数の発光ダイオード素子３２は、夫々ダイボンド材３５を用いて第１～第５の金属反射層６～１０の光反射面５ｄの上に接着されている。ダイボンド材３５としては、透光性を有するシリコーン樹脂が用いられている。

　第１ないし第１０の発光部２１～３０を構成する複数の発光ダイオード列３１は、発光ダイオード列３１が延びる方向と直交する方向に互いに間隔を存して並んでいる。しかも、複数の発光ダイオード列３１は、夫々同じ数の発光ダイオード素子３２を有するとともに、これら発光ダイオード素子３２は、発光ダイオード列３１が延びる方向に間隔を存して一列に並んでいる。

　この結果、図１に示すように発光モジュール１を平面的に見た時に、第１ないし第１０の発光部２１～３０が有する数多くの発光ダイオード素子３２は、モジュール基板２の上でマトリクス状に規則的に並んでいる。

　図２および図３に示すように、前記ボンディングワイヤ３７は、発光ダイオード列３１が延びる方向に隣り合う発光ダイオード素子３２の間を電気的に接続している。ボンディングワイヤ３７としては、例えば金の細線を用いている。各ボンディングワイヤ３７の一端は、隣り合う二つの発光ダイオード素子３２のうちの一方の発光ダイオード素子３２のアノード用素子電極３３にボンディングされている。各ボンディングワイヤ３７の他端は、他方の発光ダイオード素子３２のカソード用素子電極３４にボンディングされている。

　言い換えると、ボンディングワイヤ３７は、隣り合う発光ダイオード素子３２の互いに異なる極性の素子電極３３，３４の間を接続するように、隣り合う発光ダイオード素子３２の間に跨っている。

　この結果、発光ダイオード素子３２は、各発光ダイオード列３１毎に電気的に直列に接続されている。発光ダイオード列３１が有する複数のボンディングワイヤ３７は、発光ダイオード列３１を平面的に見た時に、発光ダイオード素子３２の配列方向に対して斜めに配線されている。複数のボンディングワイヤ３７の傾斜方向は、互いに同一である。図７の符号Ｌ１は、発光ダイオード列３１を平面的に見た時のボンディングワイヤ３７の長さを示している。ボンディングワイヤ３７の長さＬ１は、隣り合う発光ダイオード素子３２の間のピッチＰ１よりも長い。

　さらに、図２に示すように、ボンディングワイヤ３７は、隣り合う発光ダイオード素子３２の間でモジュール基板２から遠ざかる方向に円弧を描いて張り出している。発光ダイオード素子３２に対するボンディングワイヤ３７の頂部３７ａの張り出し高さＨ１は、２００μｍ～５００μｍの範囲内に規定されている。

　図３に第５および第１０の発光部２５，３０を代表して示すように、複数の発光ダイオード列３１は、夫々一対の端部ボンディグワイヤ４１ａ，４１ｂを介して第５および第１０の配線導体１５，２０の導体パターンに電気的に接続されている。

　端部ボンディグワイヤ４１ａ，４１ｂとしては、例えば金の細線を用いている。一方の端部ボンディグワイヤ４１ａは、各発光ダイオード列３１の一端に位置する発光ダイオード素子３２のアノード用素子電極３３と一方の導体パターンとの間を電気的に接続している。他方の端部ボンディグワイヤ４１ｂは、各発光ダイオード列３１の他端に位置する発光ダイオード素子３２のカソード用素子電極３４と他方の導体パターンとの間を電気的に接続している。端部ボンディングワイヤ４１ａ，４１ｂは、モジュール基板２から遠ざかる方向に円弧を描いて張り出すように配線されている。

　この結果、例えば第５の発光部２５においては、複数の発光ダイオード列３１が第５の配線導体１５の導体パターンに対し電気的に並列に接続されている。この接続関係は、その他の発光部２１～２４，２６～３０についても同様である。

　図１および図２に示すように、絶縁層３の第１の面３ａの外周部に保護層４２が積層されている。保護層４２は、電気絶縁性を有するレジスト層であり、第１ないし第５の金属反射層６～１０を取り囲んでいる。保護層４２は、前記取り付け孔２ｅおよび前記端子部１１ａ～２０ａ，１１ｂ～２０ｂを露出させる複数の通孔４２ａを有している。

　枠体４４が保護層４２の上に固定されている。枠体４４は、例えば合成樹脂のような絶縁材で構成されている。枠体４４は、第１ないし第５の金属反射層６～１０、第１ないし第１０の配線導体１１～２０、第１ないし第１０の発光部２１～３０、ボンディグワイヤ３７および端部ボンディグワイヤ４１ａ，４１ｂを一括して取り囲んでいる。

　図１および図２に示すように、封止部材４８が枠体４４で囲まれた領域に充填されている。封止部材４８は、光透過性を有する樹脂材料によって構成され、本実施の形態では、透明なジメチルシリコーン樹脂を使用している。封止部材４８は、第１ないし第５の金属反射層６～１０、第１ないし第１０の配線導体１１～２０の導体パターン、第１ないし第１０の発光部２１～３０、ボンディグワイヤ３７および端部ボンディグワイヤ４１ａ，４１ｂをモジュール基板２の上に封止している。したがって、封止部材４８は、第１ないし第５の金属反射層６～１０およびモジュール基板２の上に連続して積層されている。封止部材４８の厚さＴは、例えば１ｍｍである。

　封止部材４８は、液状の状態で枠体４４が取り囲む領域に注入される。封止部材４８は、加熱することで硬化される。硬化された封止部材４８の底部４８ａは、図２に部分的に示すように、第１ないし第６の金属反射層６～１０および導体パターンによりモジュール基板２の第１の面３ａの上に形成された段差Ｓに入り込んで、段差Ｓを埋めている。この結果、硬化された封止部材４８は、モジュール基板２の絶縁層３、第１ないし第６の金属反射層６～１０、第１ないし第１０の配線導体１１～２０の導体パターンおよび保護層４２に接着されて、これら要素を連続して覆っている。

　このような構成によれば、封止部材４８の底部４８ａがモジュール基板２の上の段差Ｓに食い込んだ形態となり、封止部材４８の底部４８ａをモジュール基板２に対するアンカーとして機能させることができる。

　このため、モジュール基板２に積層された第１ないし第５の金属反射層６～１０と封止部材４８との間の接着性が悪くとも、第１ないし第５の金属反射層６～１０と封止部材４８との間の接着強度を前記封止部材４８のアンカー機能により補うことができる。よって、封止部材４８が発光ダイオード素子３２の熱影響を受けて熱的に伸び縮みしたとしても、封止部材４８がモジュール基板２から剥離し難くなる。

　加えて、第１ないし第５の金属反射層６～１０および第１ないし第１０の配線導体１１～２０の導体パターンが延びる方向と交差する方向に前記封止部材４８が熱的に伸び縮みをした場合、封止部材４８の底部４８ａと段差Ｓとの係合部分が封止部材４８の伸び縮みに対抗する。このため、封止部材４８を取り囲んでいる枠体４４に対する封止部材４８の伸び縮みの影響を緩和することができる。したがって、枠体４４と封止部材４８との間に作用するストレスを軽減でき、モジュール基板２に対する封止部材４８の接着強度を高める上で好ましいものとなる。

　本実施の形態の発光モジュール１によると、蛍光体が封止部材４８に混ぜられている。蛍光体は、封止部材４８の中に均等に分散されている。蛍光体としては、発光ダイオード素子３２が発する青色の光によって励起されて黄色の光を放射する黄色蛍光体を用いている。

　封止部材４８に混ぜる蛍光体は、黄色蛍光体に限らない。例えば、発光ダイオード素子３２が発する光の演色性を改善するために、青色の光で励起されて赤色の光を発する赤色蛍光体あるいは緑色の光を発する緑色蛍光体を封止部材４８に添加するようにしてもよい。

　このような構成のＣＯＢ型の発光モジュール１によると、複数の発光ダイオード素子３２は、その素子電極３３，３４が並ぶ方向に細長い矩形状をなしている。発光ダイオード素子３２は、その長手方向と直交する方向に所定のピッチＰ１で一列に並んでいる。このため、発光ダイオード素子３２の配列方向に沿うスペースが制限された条件の下においても、発光ダイオード列３１が延びる方向に数多くの発光ダイオード素子３２を並べることができる。よって、モジュール基板２の上に発光ダイオード素子３２を高密度に配置できる。

　具体的に述べると、図８は、本実施の形態に対する比較例を示している。この比較例では、二つの発光ダイオード素子３２がその長手方向に間隔を存して一列に並んでいる。それとともに、隣り合う発光ダイオード素子３２の素子電極３３，３４の間を接続するボンディングワイヤ３７は、発光ダイオード素子３２が並ぶ方向に沿って直線状に配線されている。この比較例において、発光ダイオード素子３２の大きさおよび隣り合う発光ダイオード素子３２の互いに向かい合う側面３２ｅの間の距離Ｂ１は、共に図７に示す本実施の形態と同じである。

　図７および図８を対比すると明らかなように、本実施の形態における発光ダイオード素子３２の間のピッチＰ１は、比較例における発光ダイオード素子３２の間のピッチＰ２よりも狭い。加えて、本実施の形態における発光ダイオード素子３２の第２の側面３２ｄの間の間隔Ｃ１は、間隔Ｃ１に対応する比較例の間隔Ｃ２よりも短い。したがって、本実施の形態によれば、比較例よりも数多くの発光ダイオード素子３２を高密度に配置できる。

　さらに、複数の発光ダイオード素子３２を配列するに際して、制限されたスペースに配置すべき発光ダイオード素子３２の数を優先すると、発光ダイオード素子３２の長手方向と発光ダイオード素子３２の配列方向が一致する比較例では、隣り合う発光ダイオード素子３２の側面３２ｅの間の間隔Ｂ１が極端に狭くなる。このため、隣り合う発光ダイオード素子３２の間に封止部材４８が流入し難くなる。

　この結果、隣り合う発光ダイオード素子３２の間に気泡が発生する確率が高くなるとともに、気泡がボイドとなって硬化後の封止部材４８の中に残る。ボイドは、封止部材４８に入射された発光ダイオード素子３２の光を散乱させるので、適正な配光を得ることができなくなる。

　これに対し、本実施の形態によると、制限されたスペースに配列される発光ダイオード素子３２の数を比較例と同数とした場合、隣り合う発光ダイオード素子３２の第１の側面３２ｃの間の間隔Ｂ１が比較例よりも広くなる。このため、隣り合う発光ダイオード素子３２の間に封止部材４８が滑らかに流入し、発光ダイオード素子３２の間に気泡が発生し難くなる。よって、封止部材４８の中に光を散乱させるボイドが残るのを防止でき、適正な配光を得ることができる。

　本実施の形態によると、ボンディングワイヤ３７は、発光ダイオード列３１を平面的に見た時に、発光ダイオード素子３２の配列方向に対して斜めに配線されている。このため、図７に示すボンディングワイヤ３７の長さＬ１は、図８に示す比較例のボンディングワイヤ３７の長さＬ２よりも長く確保できる。この結果、ボンディングワイヤ３７の引き回しが容易となって、ボンディングワイヤ３７を素子電極３３，３４にボンディングする作業を容易に行なえる。

　それとともに、ボンディングワイヤ３７が長くなれば、ボンディングワイヤ３７が変形し易くなる。このため、例えばボンディングワイヤ３７を覆う封止部材４８が発光ダイオード素子３２の熱影響を受けて熱的に伸び縮みした場合でも、ボンディングワイヤ３７は封止部材４８の伸び縮みに追従するように滑らかに変形する。

　よって、素子電極３３，３４に接合されたボンディングワイヤ３７の端部に加わるストレスを軽減できる。この結果、ボンディングワイヤ３７と発光ダイオード素子３２の素子電極３３，３４との間の接続の信頼性が高まり、発光モジュール１の耐久性が向上する。

　ＣＯＢ型の発光モジュール１では、第１ないし第１０の配線導体１１～２０の端子部１１ａ～２０ａ，１１ｂ～２０ｂを通じて第１ないし第１０の発光部２１～３０に電圧が印加される。この結果、第１ないし第１０の発光部２１～３０の発光ダイオード素子３２が一斉に発光する。発光ダイオード素子３２が発する青色の光は、封止部材４８に入射される。封止部材４８に入射された青色の光の一部は、封止部材４８の中に分散されている黄色蛍光体に吸収される。残りの青色の光は、黄色蛍光体に当たることなく封止部材４８を透過して発光モジュール１の外に放射される。

　青色の光を吸収した黄色蛍光体は、励起されて主に黄色の光を発する。黄色の光は、封止部材４８を透過して発光モジュール１の外に放射される。この結果、黄色の光と青色の光とが互いに混じり合って白色光となり、この白色光が照明用途に供される
　発光ダイオード素子３２の発光層３２ｂからモジュール基板２に向かう光の一部は、基板３２ａおよびダイボンド材３５を透過して第１ないし第５の金属反射層６～１０の銀層５ｃに入射される。それとともに、発光層３２ｂからモジュール基板２に向かう残りの光は、基板３２ａおよびダイボンド材３５を透過することなく第１ないし第５の金属反射層６～１０の銀層５ｃに直接入射される。

　そのため、発光ダイオード素子３２からモジュール基板２に向かう光の多くは、第１ないし第５の金属反射層６～１０の銀層５ｃによって光の利用方向に反射される。よって、発光ダイオード素子３２から放射された光を発光モジュール１の外に効率よく取り出すことができる。

　本実施の形態の発光モジュール１では、第１ないし第１０の発光部２１～３０の幅が互いに同じである。さらに、第１ないし第１０の発光部２１～３０を構成する複数の発光ダイオード列３１は、直列に接続された同じ数の発光ダイオード素子３２を有している。このため、第１ないし第１０の発光部２１～３０の発光ダイオード列３１に印加される電圧を同等とすることができ、発光ダイオード素子３２の発光強度のばらつきを抑制できる。

　本実施の形態の発光モジュール１によると、図１に示すように、モジュール基板２の中央に位置された第３および第８の発光部２３，２８の全長が最も長く、第３の発光部２３と隣り合う第２の発光部２２および第４の発光部２４の全長が第３の発光部２３よりも短く、第８の発光部２８と隣り合う第７の発光部２７および第９の発光部２９の全長が第８の発光部２８の全長よりも短くなっている。さらに、第２の発光部２２と隣り合う第１の発光部２１の全長が第２の発光部２２よりも短く、第７の発光部２７と隣り合う第６の発光部２６の全長が第７の発光部２７よりも短くなっている。それとともに、第４の発光部２４と隣り合う第５の発光部２５の全長が第４の発光部２４よりも短く、第９の発光部２９と隣り合う第１０の発光部３０の全長が第９の発光部２９よりも短くなっている。

　言い換えると、モジュール基板２の中央からモジュール基板２の長辺２ａ，２ｂの方向に進むに従い第１ないし第１０の発光部２１～３０の全長が短くなっている。このため、図１に示すように発光モジュール１を平面的に見た時に、第１ないし第１０の発光部２１～３０を組み合わせた発光領域の形状を円に似た形状とすることができる。

　したがって、例えば発光モジュール１をスポットライトの光源とした場合に、スポットライトから光照射領域に投影される配光パターンの形状を円に似た形状とすることができる。

　本実施の形態の発光モジュール１では、第１ないし第１０の発光部２１～３０が有する複数の発光ダイオード列３１は、第１ないし第１０の配線導体１１～２０の導体パターンに対し並列に接続されている。このため、たとえ特定の発光ダイオード列３１が発光できなくなっても、その他の発光ダイオード列３１は発光を継続する。したがって、第１ないし第１０の発光部２１～３０の発光が停止することはない。

　さらに、発光モジュール１は、モジュール基板２の中心線Ａを境に線対称となるように分配された第１ないし第１０の発光部２１～３０を有し、第１ないし第１０の発光部２１～３０に対する通電系統が独立している。そのため、例えば第１の発光部２１の発光が途絶えたとしても、残りの第２ないし第１０の発光部２２～３０は発光を継続する。したがって、発光モジュール１の全体の発光が停止することはない。

　一方、発光ダイオード素子３２は、発光時に発熱を伴う。発光ダイオード素子３２が発する熱は、モジュール基板２の絶縁層３から金属板４を経由して図示しないヒートシンクに伝わるとともに、このヒートシンクを通じて発光モジュール１の外に放出される。

　発光ダイオード素子３２は、第１ないし第５の金属反射層６～１０の銀層５ｃに対しダイボンド材３５を介して熱的に接続されている。これにより、第１ないし第５の金属反射層６～１０がヒートスプレッダとしての機能を果たし、発光ダイオード素子３２の熱が第１ないし第５の金属反射層６～１０の隅々にまで拡散される。

　このため、発光ダイオード素子３２の熱を広範囲に亘って拡散させた状態でモジュール基板２に伝えることができる。よって、発光ダイオード素子３２の放熱性を高めて、発光ダイオード素子３２の発光効率を良好に維持することができる。

　本発明の第１の実施の形態に係る発光モジュール１によると、複数の発光ダイオード素子３２は、同じ極性を有する素子電極３３，３４が発光ダイオード素子３２の並び方向に隣り合うように配列されている。これにより、隣り合う発光ダイオード素子３２の素子電極３３，３４の間を接続するボンディングワイヤ３７は、発光ダイオード素子３２の配列方向に対して斜めに配線されている。

　よって、複数の発光ダイオード素子３２は、同じ極性を有する素子電極３３，３４の向きを揃えた状態でモジュール基板２の上に供給すればよい。言い換えると、極性が異なる素子電極３３，３４が隣り合うように発光ダイオード素子３２の向きを交互に反転させる必要はない。この結果、数多くの発光ダイオード素子３２をモジュール基板２に実装する作業を容易に行なうことができ、発光モジュール１の製造効率を高めることができる。

　さらに、発光モジュール１を平面的に見た時に、発光ダイオード素子３２の間に跨る全てのボンディングワイヤ３７が同一の方向に傾斜している。このため、複数のボンディングワイヤ３７が一定の規則に則って配列されるので、ボンディングワイヤ３７の配線に欠陥があるか否かを一目で確認できる。

　したがって、ボンディングワイヤ３７が正しく配線されているか否かを検査する上で有利な構成となり、この点でも発光モジュール１の製造効率の向上に寄与する。

　本実施の形態では、ボンディングワイヤ３７が銅の細線で構成されている。銅製のボンディングワイヤ３７は、発光ダイオード素子３２の素子電極３３，３４にボンディングした時に、素子電極３３，３４から概ね１００μｍ～１８０μｍまでの領域が再結晶化により強度が低下する。ボンディングワイヤ３７は、封止部材４８で覆われているので、封止部材４８が発光ダイオード素子３２の熱影響を受けて熱的に伸び縮みした時に、封止部材４８の伸び縮みに伴うストレスに耐え切れずにボンディングワイヤ３７が折れたり、断線することがあり得る。

　しかるに、第１の実施の形態では、ボンディングワイヤ３７は、隣り合う発光ダイオード素子３２の間でモジュール基板２から遠ざかる方向に円弧を描いて張り出しているとともに、モジュール基板２に対するボンディングワイヤ３７の頂部３７ａの張り出し高さＨ１が２００μｍ～５００μｍの範囲に規定されている。

　ボンディングワイヤ３７の張り出し高さＨ１の下限を２００μｍとすることで、ボンディングワイヤ３７の全長が再結晶化により強度が低下している領域の長さを上回る。よって、ボンディングワイヤ３７の本来の強度を確保することができる。

　さらに、ボンディングワイヤ３７の張り出し高さＨ１の上限を５００μｍとすることで、厚さＴが１ｍｍの封止部材４８の内部にボンディングワイヤ３７の頂部３７ａを確実に封じ込むことができる。このため、ボンディングワイヤ３７の頂部３７ａが封止部材４８の外に食み出すこともなく、ボンディングワイヤ３７の損傷を防止できる。

　言い換えると、発光モジュール１の薄型化を実現すべく封止部材４８の厚さＴを１ｍｍとしたにも拘らず、適正な長さのボンディングワイヤ３７を封止部材４８の中に封じ込むことができる。このため、封止部材４８が発光ダイオード素子３２の熱影響を受けて熱的に伸び縮みしても、ボンディングワイヤ３７に大きな応力が生じるのを防止できる。したがって、ボンディングワイヤ３７の損傷を回避でき、ボンディングワイヤ３７と発光ダイオード素子３２との間の接続の信頼性が向上する。

　加えて、発光ダイオード素子３２に対するボンディングワイヤ３７の張り出し高さＨ１が適正となって、ボンディングワイヤ３７が発光ダイオード素子３２の間に充填される封止部材４８の流れを妨げずに済む。

　この結果、たとえ隣り合う発光ダイオード素子３２の間のピッチＰ１が狭くても、発光ダイオード素子３２の間での封止部材４８の流動性が維持され、発光ダイオード素子３２の間に気泡が発生し難くなる。よって、封止部材４８の中に光を散乱させるボイドが残るのを防止でき、適正な配光を有する発光モジュール１を得ることができる。

　本発明は上記第１の実施の形態に特定されるものではなく、発明の趣旨を逸脱しない範囲内で種々変形して実施可能である。

　例えば発光モジュールは、スポットライト用の光源に限らず、例えば道路用照明器具の光源としても適用が可能である。

　さらに、第１の実施の形態では、発光ダイオード素子を金属反射層の光反射面の上に接着している。しかしながら、金属反射層は必須の構成要素ではなく、金属反射層を省略してモジュール基板の絶縁層の上に発光ダイオード素子を接着してもよい。

　図９および図１０は、本発明の第２の実施の形態を開示している。

　第２の実施の形態は、発光ダイオード素子を第１ないし第５の金属反射層に接着するダイボンド材に関する事項が前記第１の実施の形態と相違している。ダイボンド材を除いた発光モジュールの基本的な構成は、前記第１の実施の形態と同様である。そのため、第２の実施の形態において、第１の実施の形態と同一の構成部分には同一の参照符号を付して、その説明を省略する。

　図９および図１０に示すように、ダイボンド材３５は、第１～第５の金属反射層６～１０を覆うように塗布されて、銀層５ｃと各発光ダイオード素子３２の基板３２ａとの間に介在されている。ダイボンド材３５は、銀層５ｃの側縁部を除く領域を全面的に覆っている。

　言い換えると、ダイボンド材３５は、銀層５ｃのうち複数の発光ダイオード素子３２に対応する領域、隣り合う発光ダイオード素子３２の間の領域および隣り合う発光ダイオード列３１の間の領域を連続して覆っている。この結果、ダイボンド材３５は、銀層５ｃの上で発光ダイオード素子３２の周囲に張り出している。

　ダイボンド材３５は、光透過性を有する樹脂材料で構成されている。この樹脂材料は、フェニルシリコーン成分を含有するとともに、例えば水蒸気透過率が１００cc/m²・dayとなっている。フェニルシリコーン成分を含有する樹脂材料は、封止部材４８を構成するジメチルシリコーン樹脂よりもガス透過性が低い。

　一方、ジメチルシリコーン樹脂は、フェニルシリコーン成分を含有する樹脂材料よりも曲げ弾性率が低い。このため、ジメチルシリコーン樹脂を用いた封止部材４８は、フェニルシリコーン成分を含有するダイボンド材３５よりも柔軟性に富んでいる。

　発光モジュール１の封止部材４８は、発光ダイオード素子３２の発光および発光停止に基づくヒートサイクルにより熱的に伸び縮みする。しかるに、封止部材４８は、ダイボンド材３５よりも柔らかいジメチルシリコーン樹脂で構成されている。このため、ボンディングワイヤ３７を覆う封止部材４８が発光ダイオード素子３２の熱影響を受けて伸び縮みしたとしても、ボンディングワイヤ３７が受けるストレスを軽減できる。

　したがって、ボンディングワイヤ３７と発光ダイオード素子３２の素子電極３３，３４との接合部が損傷し難くなり、ボンディングワイヤ３７と発光ダイオード素子３２との間の電気的接続の信頼性を維持できる。

　柔軟な封止部材４８は、ダイボンド材３５よりもガス透過性が高い。そのため、例えば腐食性ガスおよび水蒸気が多く発生する環境の下で発光モジュール１を使用すると、腐食性ガスや水蒸気が封止部材４８を透過して第１～第５の金属反射層６～１０に到達することがあり得る。

　しかるに、本実施の形態によると、発光ダイオード素子３２を第１～第５の金属反射層６～１０の銀層５ｃの上に接着するダイボンド材３５は、封止部材４８よりもガス透過性が低いフェニルシリコーン成分を含有する樹脂材料で構成されている。しかも、ダイボンド材３５は、銀層５ｃのうち複数の発光ダイオード素子３２に対応する領域、隣り合う発光ダイオード素子３２の間の領域および隣り合う発光ダイオード列３１の間の領域を連続して覆うように銀層５ｃの上に塗布されており、銀層５ｃの上で発光ダイオード素子３２の周囲に張り出している
　このため、封止部材４８を透過した腐食性ガスおよび水蒸気がダイボンド材３５に達したところで、発光ダイオード素子３２に対応した位置および発光ダイオード素子３２の周囲においては、腐食性ガスおよび水蒸気はダイボンド材３５に遮られて銀層５ｃにまで到達し難くなる。

　この結果、発光ダイオード素子３２の光を反射させる銀層５ｃが腐食性ガスや水蒸気に晒されて変色するのを抑制できる。よって、光反射面５ｄを構成する銀層５ｃの光反射性能を良好に維持することができ、発光ダイオード３２からモジュール基板２の方向に向かう光を、光の利用方向に効率よく反射させることができる。

　このような本発明の第２の実施の形態によれば、腐食性ガスや水蒸気が多い環境の下でも銀層５ｃの変色を防止して、第１ないし第５の金属反射層６～１０の光反射性能を良好に維持することができる。

　本発明者は、封止部材４８よりもガス透過率が低いダイボンド材３５を用いた時の効果を検証するため、以下のような試験を行なった。

　この試験では、１００ｃｃのガラス瓶の中に、発光モジュール１を硫黄粉末５０ｇと一緒に収容して８０℃の温度で２４時間放置した。発光モジュール１は、恒温で放置することにより、硫黄粉末が発する酸化硫黄（Ｓｏｘ）に晒されることになる。

　酸化硫黄のような腐食性ガスは、発光モジュール１の封止部材４８を透過して光反射面５ｄを形成する銀層５ｃに到達する。ダイボンド材３５として封止部材４８よりもガス透過率が低いフェニルシリコーン成分を含有する樹脂材を用いることで、腐食性ガスがダイボンド材３５を通り抜け難くなる。腐食性ガスがダイボンド材３５で遮られれば、腐食性ガスが銀層５ｃに付着し難くなり、銀層５ｃの変色に起因する発光モジュール１の光束維持率の低下を防止できる。

　今回の試験では、発光モジュール１を恒温で２４時間放置した後の発光モジュール１の光束維持率が９０％以上であれば、銀層５ｃの変色がないと判定している。本発明者の試験によれば、フェニルシリコーン成分を含有して水蒸気透過率が１００cc/m2・dayのダイボンド材３５を用いた発光モジュール１では、恒温で２４時間放置した時でも光束維持率が９０％以上であることが確認された。

　ダイボンド材３５は、ガス透過率が封止部材４８よりも低いことから、封止部材４８より硬質となる。しかるに、ダイボンド材３５は、第１ないし第５の金属反射層６～１０と発光ダイオード素子３２の基板３２ａとの間に介在されているに止まっており、ボンディグワイヤ３７から離れている。そのため、ヒートサイクルに伴ってダイボンド材３５が伸び縮みしたとしても、ダイボンド材３５がボンディグワイヤ３７にストレスを与えることはない。

　前記第２の実施の形態では、ダイボンド材としてフェニルシリコーン成分を含有する樹脂材料を用いているが、ダイボンド材および封止部材の双方にフェニルシリコーン成分を含有させるようにしてもよい。

　この構成によれば、第２の実施の形態との比較において、腐食性ガスや水蒸気が封止部材を透過し難くなる。この結果、銀層に向かう腐食性ガスや水蒸気をダイボンド材および封止部材の双方で遮断することができ、銀層の変色および変色に伴う光反射性能の低下を確実に防止できる。

　図１１ないし図１３は本発明の第３の実施の形態を開示している。

　第３の実施の形態は、発光ダイオード素子を第１ないし第５の金属反射層に接着するダイボンド材に関する事項が前記第１の実施の形態と相違している。ダイボンド材を除いた発光モジュールの基本的な構成は、前記第１の実施の形態と同様である。そのため、第３の実施の形態において、第１の実施の形態と同一の構成部分には、同一の参照符号を付してその説明を省略する。

　図１１は、前記第１の実施の形態の図３に対応する図であり、主に第５の金属反射層１０の上に接着された第５および第１０の発光部２５，３０の様子を示している。

　図１１に示すように、発光ダイオード列３１の発光ダイオード素子３２を第５の金属反射層１０の光反射面５ｄに接着するダイボンド材３５は、複数のパッド部５１を有している。パッド部５１は、個々の発光ダイオード素子３２に対応しているとともに、各発光ダイオード素子３２よりも大きな形状を有している。

　具体的に述べると、各パッド部５１は、円形である。各パッド部５１の直径Ｄは、隣り合う発光ダイオード素子３２の間のピッチＰ１と略同等である。さらに、各パッド部５１の直径Ｄは、発光ダイオード素子３２の長手方向の寸法の１．５～２．０倍であることが望ましい。

　発光ダイオード素子３２は、パッド部５１の中央に置かれている。そのため、パッド部５１は、発光ダイオード素子３２の基板３２ａの外周縁から若干食み出る程度ではなく、発光ダイオード素子３２の周囲に向けて積極的に大きく張り出している。

　本実施の形態によると、発光ダイオード列３１が延びる方向に隣り合うパッド部５１は、その外周縁部が部分的に連続するように配列されている。同様に、発光ダイオード列３１が延びる方向と直交する方向に隣り合うパッド部５１にしても、その外周縁部が部分的に連続するように配列されている。

　この結果、第５の金属反射層１０の光反射面５ｄの上に、隣り合う複数のパッド部５１で取り囲まれた数多くの空隙Ｇが形成されている。空隙Ｇの箇所では、光反射面５ｄがパッド部５１で覆われておらず、パッド部５１との間に段差が生じている。言い換えると、パッド部５１は第５の金属反射層１０の上に数多くの凹凸を構成している。

　モジュール基板２の上に充填された封止部材４８の一部は、空隙Ｇに入り込んで光反射面５ｄに接している。このため、見かけ上、封止部材４８が凹凸に食い込んだ形態となり、モジュール基板２に対する封止部材４８の接合強度を高める上で好ましいものとなる。

　次に、複数の発光ダイオード素子３２を第５の金属反射層１０の上に接着する手順を、図１２および図１３を参照して説明する。

　最初に、円形のスタンプを有する図示しないスタンプ装置を準備する。次に、第５の金属反射層１０の光反射面５ｄの上にスタンプ装置を用いて未硬化のダイボンド材を塗布する。これにより、図１２に示すように、複数の円形の塗布部５１ａが光反射面５ｄの上に至近距離で互いに隣り合うように並べられる。

　この後、図１２に二点鎖線で示すように、塗布部５１ａの中央に発光ダイオード素子３２を一個ずつ供給する。引き続いて、モジュール基板２を加熱炉に収容して塗布部５１ａを硬化させる。これにより、第５の金属反射層１０の光反射面５ｄの上に発光ダイオード素子３２が接着される。発光ダイオード素子３２を光反射面５ｄに接着する手順は、その他の金属反射層６～９についても同様である。

　塗布部５１ａが硬化する時に、ダイボンド材の粘度が一時的に低下する。これにより、各塗布部５１ａは、その外周縁部が径方向に沿う外側に向けて広がるように流動する。この結果、図１３に示すように、隣り合う塗布部５１ａの外周縁部が部分的に連続して、光反射面５ｄの上に複数のパッド部５１が形成される。それとともに、光反射面５ｄの上に隣り合う複数のパッド部５１で囲まれた複数の空隙Ｇが形成される。

　このような本発明の第３の実施の形態によると、ダイボンド材３５のパッド部５１は、個々の発光ダイオード素子３２の周囲に大きく張り出している。そのため、発光ダイオード素子３２からモジュール基板２に向かう光の多くをパッド部５１で光の利用方向に反射させることができる。

　加えて、封止部材４８を透過した腐食性ガスあるいは水蒸気がダイボンド材３５に達した場合でも、個々の発光ダイオード素子３２に対応する位置およびその周囲においては、第１ないし第５の金属反射層６～１０の銀層５ｃに向かう腐食性ガスあるいは水蒸気をダイボンド材３５の個々のパッド部５１で遮ることができる。

　したがって、第１ないし第５の金属反射層６～１０の銀層５ｃの変色を防止することができ、第１ないし第５の金属反射層６～１０の光反射性能を良好に維持できる。

　一方、パッド部５１で囲まれた空隙Ｇの箇所では、光反射面５ｄがダイボンド材３５で覆われておらず、封止部材４８が光反射面５ｄに直に接している。そのため、封止部材４８を透過した腐食性ガスあるいは水蒸気が光反射面５ｄに到達し、銀層５ｃが変色するのを否めない。

　しかるに、空隙Ｇは、発光ダイオード素子３２から離れているため、空隙Ｇの箇所で銀層５ｃが変色したとしても、第１ないし第５の金属反射層６～１０の光反射性能に悪影響が生じることはない。よって、発光ダイオード素子３２が発する光を発光モジュール１の外に効率よく取り出すことができる。

　図１４は、本発明の第４の実施の形態を開示している。

　第４の実施の形態は、前記第３の実施の形態と関連性を有している。第４の実施の形態によると、発光ダイオード列３１の発光ダイオード素子３２は、個々にダイボンド材３５のパッド部５１を介して第５の金属反射層１０の光反射面５ｄに接着されている。発光ダイオード列３１が延びる方向に隣り合うパッド部５１は、その外周部が部分的に連続するように配列されている。

　これに対し、発光ダイオード列３１が延びる方向と直交する方向に隣り合うパッド部５１は、その外周縁部が互いに離れている。そのため、第５の金属反射層１０の長手方向に隣り合う発光ダイオード列３１の間には、夫々隙間６１が形成されている。隙間６１は、第５の金属反射層１０の幅方向に延びている。発光ダイオード列３１、パッド部５１および隙間６１の関係は、その他の金属反射層６～９においても同様である。

　このような本発明の第４の実施の形態においても、発光ダイオード素子３２からモジュール基板２に向かう光の多くを第１ないし第５の金属反射層６～１０によって光の利用方向に反射させることができる。

　加えて、封止部材４８を透過して第１ないし第５の金属反射層６～１０の銀層５ｃに向かう腐食性ガスあるいは水蒸気をダイボンド材３５の個々のパッド部５１で遮ることができる。このため、第１ないし第５の金属反射層６～１０の銀層５ｃの変色を防止することができ、第１ないし第５の金属反射層６～１０の光反射性能を良好に維持できる。

　一方、発光ダイオード列３１の間の隙間６１の箇所では、光反射面５ｄがダイボンド材３５で覆われておらず、封止部材４８が光反射面５ｄに直に接している。そのため、封止部材４８を透過した腐食性ガスあるいは水蒸気が光反射面５ｄに到達し、銀層５ｃが変色するのを否めない。

　しかるに、隙間６１は、発光ダイオード素子３２から離れているため、隙間６１に対応する箇所で銀層５ｃが変色したとしても、第１ないし第５の金属反射層６～１０の光反射性能に悪影響が生じることはない。よって、発光ダイオード素子３２が発する光を発光モジュール１の外に効率よく取り出すことができる。

　本発明の第３および第４の実施の形態において、ダイボンド材が有するパッド部の形状は円形に限らない。各パッドの形状は、例えば菱形あるいは六角形であってもよい。

　図１５および図１６は、本発明の第５の実施の形態を開示している。

　第５の実施の形態は、照明装置の一例であるスポットライト１００の具体的な構成を開示している。スポットライト１００は、一対の発光モジュール１０１ａ，１０１ｂ、本体１０２および反射鏡１０３を備えている。

　発光モジュール１０１ａ，１０１ｂは、前記第１の実施の形態の発光モジュール１と同様の構成であって、夫々モジュール基板１０４を有している。モジュール基板１０４の上に封止部材１０５が積層されている。封止部材１０５は、光透過性を有するとともに、複数の発光ダイオード素子および導体パターン（共に図示せず）をモジュール基板１０４の上に封止している。モジュール基板１０４の封止部材１０５とは反対側の面は、例えばアルミニウム又は銅のような熱伝導性に優れた金属板で構成されている。

　図１６に示すように、スポットライト１００の本体１０２は、ヒートシンク１０７と受熱部１０８とを備えている。ヒートシンク１０７は、例えばアルミニウムのような熱伝導性に優れた軽量な金属材料で構成されている。ヒートシンク１０７は、円盤状のベース部１０９と、ベース部１０９の裏面から突出された複数の放熱フィン１１０とを備えている。放熱フィン１１０は、平坦な板状をなすとともに、互いに間隔を存して平行に並んでいる。

　受熱部１０８は、例えばアルミニウムあるいは銅のような熱伝導性に優れた金属製であり、所定の厚みを有する四角い板状をなしている。受熱部１０８は、ベース部１０９の表面の中央部にねじ１１１を介して固定されている。そのため、受熱部１０８は、ベース部１０９の表面から放熱フィン１１０の反対側に向けて突出されているとともに、ベース部１０９に熱的に接続されている。

　図１６に示すように、受熱部１０８は、第１の側面１１３ａおよび第２の側面１１３ｂを有している。第１および第２の側面１１３ａ，１１３ｂは、互いに平行であるとともに、鉛直方向に沿って延びている。

　発光モジュール１０１ａ，１０１ｂのモジュール基板１０４は、夫々受熱部１０８の第１および第２の側面１１３ａ，１１３ｂに図示しないねじを介して固定されている。モジュール基板１０４は、その金属板が受熱部１０８の第１および第２の側面１１３ａ，１１３ｂの方向を向いており、これら金属板と第１および第２の側面１１３ａ，１１３ｂとの間に夫々伝熱シート１１４が介在されている。伝熱シート１１４は、モジュール基板１０４と受熱部１０８との間を熱的に接続している。

　反射鏡１０３としては、凹面鏡が用いられている。反射鏡１０３は、一対の反射板１１５ａ，１１５ｂを有している。反射鏡１１５ａ，１１５ｂは、夫々ヒートシンク１０７のベース部１０９の表面にねじ１１６で固定されている。反射鏡１１５ａ，１１５ｂは、受熱部１０８を間に挟んで互いに対称に配置されている。そのため、受熱部１０８の第１の側面１１３ａに固定された発光モジュール１０１ａが反射板１１５ａの光反射面１１７ａと向かい合い、受熱部１０８の第２の側面１１３ｂに固定された発光モジュール１０１ｂが反射板１１５ｂの光反射面１１７ｂと向かい合っている。

　本実施の形態では、一対の発光モジュール１０１ａ，１０１ｂから放射された光をスポットライト１００の光軸Ｌと平行に反射させるために、発光モジュール１０１ａ，１０１ｂの発光領域の中心が反射鏡１１５ａ，１１５ｂの焦点に位置されている。

　図１５および図１６に示すように、反射鏡１０３は、カバー１２０によって囲まれている。カバー１２０は、円筒状の本体部１２１を備えている。本体部１２１の一端は、ヒートシンク１０７のベース部１０９の表面の外周部に同軸状に突き当たっている。本体部１２１の他端にフレア部１２２が同軸状に形成されている。フレア部１２２は、本体部１２１から遠ざかるに従い本体部１２１の径方向に沿う外側に向けて拡開されている。フレア部１２２は、反射鏡１０３の開口端と隣り合う反射鏡１０３の外周部に外側から接している。

　このような構成のスポットライト１００において、発光モジュール１０１ａ，１０１ｂを発光させると、封止部材１０５を透過した白色の光が反射板１１５ａ，１１５ｂの光反射面１１７ａ，１１７ｂに入射される。光反射面１１７ａ，１１７ｂに入射された光は、スポットライト１００の光軸Ｌと平行となるように光反射面１１７ａ，１１７ｂで反射されて、反射鏡１０３の開口端から照射対象に向けて放射される。

　スポットライト１００の光源となる発光モジュール１０１ａ，１０１ｂは、前記第１の実施の形態の発光モジュール１と同様の構成を有している。そのため、製造効率が高くてコスト的な面で有利な発光モジュール１０１ａ，１０１ｂをスポットライト１００の光源として利用することができる。よって、スポットライト１００の製造コストを低減でき、安価なスポットライト１００を提供できる。

　さらに、発光モジュール１０１ａ，１０１ｂの発光時に発光ダイオード素子が発する熱は、モジュール基板１０４の金属板から本体１０２の受熱部１０８に伝えられる。受熱部１０８に伝えられた発光ダイオード素子の熱は、受熱部１０８からヒートシンク１０７のベース部１０９に伝わるとともに、ヒートシンク１０７の放熱フィン１１０から大気中に放出される。

　このため、スポットライト１００の本体１０２を利用して発光モジュール１０１ａ，１０１ｂの熱を積極的に放出することができる。よって、発光モジュール１０１ａ，１０１ｂが有する発光ダイオード素子の過度の温度上昇を防止して、発光モジュール１０１ａ，１０１ｂの発光効率を良好に維持することができる。

　本発明に係る照明装置は、スポットライトに特定されるものではなく、例えばダウンライト、防犯灯、ブラケットライト、ペンダントライトのようなその他の照明装置にも同様に実施できる。

　１，１０１ａ，１０１ｂ…発光モジュール、２，１０４…モジュール基板、３１…発光ダイオード列、３２…発光ダイオード素子、３３…アノード用素子電極、３４…カソード用素子電極、３７…ボンディングワイヤ、４８，１０５…封止部材、１０２…本体。

Claims

　モジュール基板と；
　アノード用の素子電極およびカソード用の素子電極を有するとともに、前記素子電極が並ぶ方向に延びる矩形状をなす複数の発光ダイオード素子と、隣り合う発光ダイオード素子の間を電気的に直列に接続する複数のボンディングワイヤと、含み、前記発光ダイオード素子が前記モジュール基板に固定された発光ダイオード列と；
　前記発光ダイオード列を封止するように前記モジュール基板に積層された透光性を有する封止部材と；を具備し、
　前記複数の発光ダイオード素子は、前記素子電極が並ぶ方向と交差する方向に間隔を存して配列され、隣り合う発光ダイオード素子の間では、同じ極性を有する素子電極が前記発光ダイオード素子の配列方向に互いに隣り合うように並んでいるとともに、
　前記ボンディングワイヤは、前記隣り合う発光ダイオード素子の異なる極性の素子電極の間を接続するように前記発光ダイオード素子の配列方向に対して斜めに配線されていることを特徴とする発光モジュール。
　請求項１の記載において、前記ボンディングワイヤは、隣り合う発光ダイオード素子の間で前記モジュール基板から遠ざかる方向に円弧を描いて張り出しており、前記発光ダイオード素子に対する前記ボンディングワイヤの頂部の張り出し高さが２００μｍ～５００μｍであることを特徴とする発光モジュール。
　請求項１ないし請求項３のいずれか一項の記載において、前記封止部材は、樹脂材料で形成されていることを特徴とする発光モジュール。
　請求項３の記載において、前記モジュール基板に積層された光反射面を有する金属反射層と；前記発光ダイオード素子と前記光反射面との間に介在されて、前記発光ダイオード素子を前記金属反射層に接着する透光性ダイボンド材と；をさらに備えており、前記ダイボンド材は、前記封止部材よりもガス透過性が低い樹脂材料で形成されているとともに、前記金属反射層の上で前記発光ダイオード素子の周囲に張り出していることを特徴とする発光モジュール。
　請求項４の記載において、前記封止部材は、前記ダイボンド材よりも柔らかい樹脂材料で形成されていることを特徴とする発光モジュール。
　請求項４の記載において、前記ダイボンド材は、フェニルシリコーン成分を含有していることを特徴とする発光モジュール。
　請求項４の記載において、前記ダイボンド材および前記封止部材は、共にフェニルシリコーン成分を含有していることを特徴とする発光モジュール。
　本体と；
　前記本体に支持された発光モジュールと；を具備し、
　前記発光モジュールは、
　　　モジュール基板と；
　　　アノード用の素子電極およびカソード用の素子電極を有するとともに、前記素子電極が並ぶ方向に延びる矩形状をなす複数の発光ダイオード素子と、隣り合う発光ダイオード素子の間を電気的に直列に接続する複数のボンディングワイヤと、含み、前記発光ダイオード素子が前記モジュール基板に固定された発光ダイオード列と；
　　　前記発光ダイオード列を封止するように前記モジュール基板に積層された透光性を有する封止部材と；を含み、
　　　前記複数の発光ダイオード素子は、前記素子電極が並ぶ方向と交差する方向に間隔を存して配列され、隣り合う発光ダイオード素子の間では、同じ極性を有する素子電極が前記発光ダイオード素子の配列方向に互いに隣り合うように並んでいるとともに、
　　　前記ボンディングワイヤは、前記隣り合う発光ダイオード素子の異なる極性の素子電極の間を接続するように前記発光ダイオード素子の配列方向に対して斜めに配線されていることを特徴とする照明装置。
　請求項８の記載において、前記本体は、ヒートシンクと、ヒートシンクに熱的に接続された受熱部と、を有し、前記発光モジュールは、前記受熱部に固定されて、この受熱部に熱的に接続されていることを特徴とする照明装置。