KR20180024318A - 발광소자 패키지 - Google Patents

발광소자 패키지 Download PDF

Info

Publication number
KR20180024318A
KR20180024318A KR1020160110277A KR20160110277A KR20180024318A KR 20180024318 A KR20180024318 A KR 20180024318A KR 1020160110277 A KR1020160110277 A KR 1020160110277A KR 20160110277 A KR20160110277 A KR 20160110277A KR 20180024318 A KR20180024318 A KR 20180024318A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light emitting
emitting device
phosphor
protective layer
layer
Prior art date
Application number
KR1020160110277A
Other languages
English (en)
Inventor
김명진
오광용
류승열
Original Assignee
서울반도체 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 서울반도체 주식회사 filed Critical 서울반도체 주식회사
Priority to KR1020160110277A priority Critical patent/KR20180024318A/ko
Publication of KR20180024318A publication Critical patent/KR20180024318A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials
    • H01L33/504—Elements with two or more wavelength conversion materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12041—LED

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

발광소자 패키지가 제공된다. 일 실시예에 따른 발광소자 패키지는 발광소자; 상기 발광소자의 상부면 및 측면을 덮는 파장변환층; 및 파장변환층의 상부면 및 측면을 덮는 보호층을 포함하고, 상기 보호층의 두께는 20㎛ 내지 120㎛이고, 상기 파장변환층 및 보호층의 두께의 합은 상기 발광소자의 두께보다 작은 것을 특징으로 한다.

Description

발광소자 패키지{LIGHT EMITTING DIODE PACKAGE}
본 발명은 발광소자 패키지에 관한 것으로, 특히 형광체의 변색, 변형을 최소화하기 위한 발광소자 패키지에 관한 것이다.
발광소자(light emitting diode, LED)는 활성층 내에서 전자(electron)와 정공(hole)이 결합하면서 발광하는 장치이다. 활성층의 양측에는 각각 p형 반도체층과 n형 반도체층이 구비되고, p형 반도체층과 n형 반도체층에 전원이 인가되면 활성층 내로 전자와 정공이 유입되어 재결합하면서 발광이 이루어진다.
발광소자는 활성층 재료에 따라 다양한 파장의 광을 방출한다. 최근, 조명, 디스플레이 백라이트 또는 자동차 헤드램프 용으로 발광소자의 이용이 확대되면서, 발광소자 특히 백색 발광소자의 수요가 크게 증가하고 있다. 백색 발광소자는 청색, 녹색 및 적색 발광소자를 조합하여 제조할 수도 있지만, 단파장 광을 발광하는 발광소자와 형광체를 조합하여 제조할 수도 있다. 형광체를 사용하는 발광소자로는 자외선 파장의 광을 발광하는 발광소자에 자외선을 흡수하여 청색, 녹색 및 적색광을 발광하는 형광체를 조합한 발광소자, 또는 청색광을 발광하는 발광다이오드에 청색광을 흡수하여 청색과 보색 관계에 있는 광을 발광하는 형광체를 조합한 발광소자가 있으며, 이 중에서 청색 발광소자에 형광체를 조합한 백색 발광소자가 주로 사용되고 있다.
일반적으로, 형광체는 봉지재에 포함되어 형광체층을 이루고, 상기 형광체층은 발광소자를 덮거나 감싸는 구조를 이룬다. 다만, 이러한 구조에서 형광체층은 외부에 노출될 우려가 있으며, 형광체층이 외부에 노출되는 경우, 형광체가 수분등과 반응하여 변색될 수 있고, 그 결과 발광소자 패키지의 신뢰성을 저하시킬 수 있다.
또한, 형광체는 발광소자로부터 방출되는 열에 의해 변형, 변색 될 수 있다.
따라서, 형광체를 외부의 수분, 가스 등으로부터 보호하고, 발광소자로부터 방출되는 열에 의한 변형을 방지할 필요가 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 형광체가 외부 수분, 가스 등으로부터 영향을 받아 변형, 변색되는 것을 방지할 수 있는 발광소자 패키지를 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 과제는 형광체가 발광소자로부터 방출되는 열에 의해 변형, 변색되는 것을 방지할 수 있는 발광소자 패키지를 제공하는 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자 패키지는 발광소자; 상기 발광소자의 상부면 및 측면을 덮는 파장변환층; 및 파장변환층의 상부면 및 측면을 덮는 보호층을 포함하고, 상기 보호층의 두께는 20㎛ 내지 120㎛이고, 상기 파장변환층 및 보호층의 두께의 합은 상기 발광소자의 두께보다 작은 것을 특징으로 한다.
본 발명의 발광소자 패키지에 의하면 형광체층의 상면 및 측면을 덮는 보호층을 포함하여, 형광체가 외부의 수분, 가스 등에 의해 변형, 변색되는 것을 최소화 할 수 있다.
또한, 본 발명의 발광소자 패키지에 의하면 발광소자 패키지의 하부면에 서브 마운트를 포함하여 발광소자로부터 방출되는 열을 외부로 효율적으로 방출할 수 있고, 그에 따라 열로부터 형광체가 변형, 변색되는것을 최소화할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자를 설명하기 위한 사시도이다.
도 2는 도 1의 사시도의 A-A'선을 따라 취해진 단면도이다.
도 3은 도 1의 사시도의 배면도이다.
도 4는 다른 실시예에 따른 도 1의 사시도의 A-A'선을 따라 취해진 단면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자를 조명 장치에 적용한 예를 설명하기 위한 분해 사시도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자를 디스플레이 장치에 적용한 예를 설명하기 위한 단면도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자를 또 다른 디스플레이 장치에 적용한 예를 설명하기 위한 단면도이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자를 헤드램프에 적용한 예를 설명하기 위한 단면도이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명한다. 다음에 소개되는 실시예들은 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 기술자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위한 예로서 제공되는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고 도면들에 있어서, 구성요소의 폭, 길이, 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있다. 또한, 하나의 구성요소가 다른 구성요소의 "상부에" 또는 "상에" 있다고 기재된 경우 각 부분이 다른 부분의 "바로 상부" 또는 "바로 상에" 있는 경우뿐만 아니라 각 구성요소와 다른 구성요소 사이에 또 다른 구성요소가 개재된 경우도 포함한다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
본 발명의 일 실시예에 따르면 발광소자 패키지가 제공된다. 이 발광소자 패키지는 발광소자; 상기 발광소자의 상부면 및 측면을 덮는 파장변환층; 및 파장변환층의 상부면 및 측면을 덮는 보호층을 포함한다. 여기서 상기 보호층의 두께는 20㎛ 내지 120㎛의 범위로 제한되고, 상기 파장변환층 및 보호층의 두께의 합은 상기 발광소자의 두께보다 작은 것을 특징으로 한다.
상기 파장변환층은 제1 형광체를 포함한다. 제1 형광체는 수분에 취약한 특성을 가질 수 있다.
또한, 상기 보호층은 제2 형광체를 포함할 수 있고, 이 경우 제2 형광체는 제1 형광체와 상이하다. 특히, 제2 형광체는 제2 형광체에 비해 수분에 더 강한 내성을 가질 수 있고, 이에 따라 수분에 의한 변형 및/또는 변색이 잘 이루어지지 않을 수 있다.
여기서, 제1 형광체는 Fluoride 및 silicate 계열의 형광체를 포함하고, 상기 제2 형광체는 YAG, LuAG 및 Nitride 계열의 형광체를 포함한다. Fluoride 및 silicate 계열의 형광체는 비교적 수분에 취약하고, YAG, LuAG 및 Nitride 계열의 형광체는 비교적 수분에 강한 내성을 갖는다.
보호층의 굴절율은 1.4 내지 1.6에 해당하고, 경도는 Shore D 30 이상일 수 있다.
또한, 보호층은 필러를 포함할 수 있고, 상기 필러는 실리카 계열, 알루미나 계열 및 지르코니아 계열의 물징 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
발광소자 패키지는 그 하부면에 접촉된 서브 마운트를 더 포함할 수 있다. 서브 마운트는 발광소자에서 방출되는 열을 효율적으로 외부로 방출할 수 있게 하고, 그에 따라 열에 의해 제1 형광체 및/또는 제2 형광체가 열에 의해 손상되는 것을 방지할 수 있다. 서브 마운트는 발광소자를 외부와 전기적으로 연결시키기 위한 전극을 포함할 수 있다.
상기 서브 마운트는 구리, Al2O3 또는 AlN 등 열전도 특성을 갖는 메탈(Metal_ 및 세라믹으로 이루어질 수 있고, 여기서 구리는 산화 방지를 위해 Ag, Au, Pt 등으로 도금 처리된 구리일 수 있다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들에 대해 구체적으로 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자를 설명하기 위한 평면도이고, 도 2는 도 1의 절취선 A-A'를 따라 취해진 단면도이고, 도 3은 도 1의 발광소자 패키지의 저면도이다.
도 1 내지 3을 참조하면, 상기 발광소자 패키지는 발광소자(100), 파장변환층(200) 및 보호층(300)을 포함한다. 나아가 상기 발광소자 패키지는 상기 보호층을 감싸는 렌즈(400) 및 상기 발광소자 패키지의 배면에 위치하는 서브 마운트(500)를 더 포함할 수 있다.
상기 발광소자(100)는 정방형의 평면 형상을 가질 수 있다. 발광소자(100)는, 도면에 도시되지 않았지만, 질화물계 반도체 적층을 포함한다. 상기 질화물계 반도체 적층은 제1 도전형 반도체층, 상기 제1 도전형 반도체층 상에 위치하는 활성층, 활성층 상에 위치하는 제2 도전형 반도체층을 포함할 수 있다.
제1 도전형 반도체층은 제1 도전형 도펀트가 도핑된 반도체층이다. 상기 제1 도전형 반도체층은 GaN, InGaN, AlGaN, InAlGaN 중 적어도 하나로 형성될 수 있으며, 상기 제1 도전형 반도체층이 n형 반도체층인 경우, 상기 제1 도전형 도펀트는 n형 도펀트인 Si, Ge, Sn, Se, Te 중 1종 이상을 포함할 수 있다.
활성층은 단일 양자 우물 또는 다중 양자 우물(MQW) 구조로 형성될 수 있다. 즉, 3족-5족 화합물 반도체 재료를 이용하여 GaN, InGaN, AlGaN, InAlGaN 중 적어도 하나로 형성될 수 있다. 예컨대 활성층은 InGaN 우물층/GaN 장벽층이 교대로 형성된 구조를 가질 수 있다. 상기 활성층은 제1 도전형 반도체층에서 공급되는 캐리어와 제2 도전형 반도체층에서 공급되는 캐리어가 재결합하면서 광을 발생시킨다. 상기 제1 도전형 반도체층이 n형 반도체층인 경우, 상기 제1 도전형 반도체층에서 공급되는 캐리어는 전자일 수 있고, 제2 도전형 반도체층이 p형 반도체층인 경우, 상기 제2 도전형 반도체층에서 공급되는 캐리어는 정공일 수 있다.
제2 도전형 반도체층은 제2 도전형 도펀트가 도핑된 반도체층을 포함하며, 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층은 GaN, InGaN, AlGaN, InAlGaN 중 적어도 하나로 형성될 수 있으며, 제2 도전형 반도체층이 p형 반도체층인 경우, 상기 제2 도전형 도펀트는 p형 도펀트인 Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 중 1종 이상을 포함할 수 있다.
본 실시예에 따른 발광소자(100)가 방출하는 광의 파장은 제한되지 않는다. 예를 들어, 발광소자(100)는 청색, 녹색 또는 적색 파장의 광을 방출할 수 있다. 또는 발광소자(100)는 자외선(UV) 또는 심자외선(Deep UV) 영역의 파장의 광을 방출할 수 있다. 또한 본 실시예에 따른 발광소자(100)의 구조는 제한되지 않는다. 예를 들어, 발광소자(300)의 구조는 n형 전극 및 p형 전극이 반대 방향에 구비된 수직형(vertical type), 전극 형성면 방향으로 투과되는 광을 활용하기 위한 수평형(lateral type) 또는 활성층에서 발생되어 기판을 투과한 광을 활용하기 위한 플립칩형(flip chip type) 중 어느 하나에 해당할 수 있다. 결과적으로, 본 실시예에 따른 발광소자(100)는 발광하는 광의 파장영역과 구조, 모양, 크기 등에서 아무런 제한이 없으며, 활성층에서 전자와 정공의 결합에 의해 광을 방출하는 임의의 모든 발광소자를 포함할 수 있다.
도 2를 참조하면, 파장변환층(200)은 제1 투명 수지(210)와 제1 형광체(230)로 구성될 수 있다. 즉, 파장변환층(200)은 발광소자(100)를 감싸는 제1 투명 수지(210)에 제1 형광체(230)가 개재되어 있는 구조를 가질 수 있다. 도 2에서, 제1 형광체(230)가 제1 투명 수지(210)의 일부에만 개재되어 있는 것으로 표현되었으나, 제1 형광체(230)는 제1 투명 수지(210) 전체에 균일하게 분산되어 있을 수 있다. 또한, 제1 형광체(230)는 확산제등의 사용에 의해 제1 투명 수지(210)의 하부에만 위치하지 않고 균일하게 분포 될 수 있다. 즉, 일반적으로 파장변환층(200) 형성과정에서 제1 형광체(230)는 중력에 의해 제1 투명 수지(210)의 아래쪽으로 가라앉게 된다. 하지만, 확산제등이 사용됨으로써, 제1 형광체(230)가 제1 투명 수지(210)의 아래쪽에만 가라앉지 않고 균일하게 분포될 수 있다. 이에 따라 제1 투명 수지(210)의 외곽에 분포된 제1 형광체(230)는 외부의 수분, 가스 등에 직접적으로 노출될 위험이 있다. 도 1 및 도 3에서도, 도 2와 같이 파장변환층(200)은 제1 투명 수지(210)와 제1 형광체(230)로 구성되고, 다만, 제1 형광체(230)가 표현의 간명화를 위해 표현되지 않았다.
파장변환층(200)은 발광소자(100)를 감싸는 구조를 가질 수 있다. 특히, 도 1 내지 도 3을 참조하면, 파장변환층(200)은 발광소자(100)의 상부면 및 양측면을 감싸는 구조를 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 또한, 파장변환층(200)은 그 상부면이 평평한 구조를 가질 수 있다.
제1 투명 수지(210)는 실리콘 수지, 에폭시 수지 등 투명한 수지로 구성될 수 있다. 제1 투명 수지(210)는 도면에 도시한 바와 같이 발광소자(100)를 감싸는 구조를 이룰 수 있다. 제1 형광체(230)는 적색 형광체, 녹색 형광체 및 청색 형광체 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 제1 형광체(230)는 발광소자(100)에서 방출되는 광을 흡수하여 적색 파장, 녹색 파장 및 청색 파장 범위 중 하나에서 주 발광 피크를 갖는 광을 방출할 수 있다. 제1 형광체(230)의 직경은 10㎛ 내지 90㎛의 크기를 가질 수 있다.
파장변환층(200)의 두께는 발광소자(100)의 측면을 덮는 부분과 상부면을 덮는 부분이 서로 같거나 또는 다를 수 있다. 다만, 파장변환층(200)의 두께(d2)는 제한될 수 있다. 특히, 파장변환층(200)의 두께(d2)는 발광소자(100)의 두께(d1)보다 작다. 파장변환층(200)의 두께(d2)는 100㎛ 내지 300㎛가 될 수 있다. 더욱이, 후술되는 것처럼, 파장변환층(200)의 두께(d2)와 보호층(300)의 두께(d3)의 합이 발광소자(100)의 두께(d1)보다 같거나 작다. 예를 들어, 발광소자(100)의 두께(d1)가 대략 250㎛인 경우, 파장변환층(200)의 두께(d1)는 약 100㎛가 될 수 있고, 보호층(300)의 두께는 약 120㎛가 될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 발광소자 패키지는 파장변환층(200)을 보호하기 위한 보호층(300)을 포함한다. 제1 형광체(230)가 제1 투명 수지(210) 내에서 확산제에 의해 균일하게 분포될 수 있고, 이에 따라 제1 형광체(230)는 파장변환층(200)의 표면에 노출되기 쉽다. 또는 제1 형광체(230)의 크기가 파장변환층(200)의 두께(d2)에 비해 상대적으로 큰 경우 제1 형광체(230)는 파장변환층(200)의 표면에 노출되기 쉽다. 예를 들어, 파장변환층(200)의 두께(d2)가 100㎛이고 제1 형광체(230)의 크기가 60㎛ 이상인 경우, 복수개의 제1 형광체(230)가 적층됨에 따라 후순위로 적층된 제1 형광체(230)는 외부에 노출될 수 있다. 이에 따라, 제1 형광체(230)가 수분, 산소 등 외부 물질(기체, 액체 등)로 인하여 변형 및/또는 변색될 수 있다. 특히, 제1 형광체(230)가 수분에 취약한 특성을 갖는 경우, 그 변형 및/또는 변색의 정도가 심해져 발광소자 패키지의 신뢰성을 크게 저하시킬 수 있다. 예를 들어, 수분에 취약한 특성을 갖는 형광체는 Fluoride 및 silicate 계열의 형광체를 포함할 수 있다. 보호층(300)은 파장변환층(200)(제1 형광체(230))을 보호하기 위한 코팅(coating)층으로써, 파장변환층(200)을 수분, 산소 등 외부 물질(기체, 액체 등)로부터 차단 시킬 수 있다. 보호층(300)은 파장변환층(200)의 외부물질 접촉에 의한 제1 형광체(230)의 변형 및/또는 변색을 최소화하여 발광소자 패키지의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
보호층(300)은 파장변환층(200)을 감싸는 구조를 이룰 수 있다. 특히, 도 1 내지 도 3을 참조하면, 보호층(300)은 파장변환층(200)의 상부면 및 측면을 감싸는 구조를 이룰 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 보호층(300)은 그 상부면이 평평한 구조를 이룰 수 있다.
보호층(300)은 수분, 산소 등 외부 물질에 대해 투과율이 낮으면서 광 투과율이 높은 투명 수지로 구성될 수 있다. 또는 보호층(300)은 수분 투과율이 낮은 글라스와 같은 무기물로 구성될 수 있다. 보호층(300)의 경도는 Shore D30 이상일 수 있다. 보호층(300)의 경도가 Shore D30 보다 낮을 경우, 보호층(300)이 외부 자극에 의해 쉽게 손상될 우려가 있다. 보호층(300)의 미세한 손상에 의해서도 수분, 산소 등이 침투하여 파장변환층(200)과 접촉할 수 있고, 이에 따라 제1 형광체(230)를 변형 및/또는 변색시킬 수 있다. 보호층(300)의 굴절률은 대략 1.4 내지 1.6에 해당할 수 있다.
보호층(300)의 두께는 파장변환층(200)의 측면을 덮는 부분과 상부면을 덮는 부분이 서로 같거나 또는 다를 수 있다. 다만, 파장변환층(200)의 상부면을 덮는 보호층(300)의 두께(d3)는 일정범위 이내로 제한될 수 있다. 이는 보호층(300)의 두께(d3)가 너무 두꺼운 경우 발광소자(100)에서 발광되는 광의 투과율이 불필요하게 저하될 수 있고, 보호층(300) 상에 렌즈를 형성하는데 있어 공정상 어려움이 발생될 수 있다. 또한 발광소자 패키지의 소형화가 어려울 수 있다. 반대로, 보호층(300)의 두께(d3)가 너무 얇다면 파장변환층(200)을 외부 물질로부터 보호하는 기능이 제대로 수행될 수 없다.
또한 보호층(300)의 두께(d3)는 발광소자(100) 및 파장변환층(200)의 두께와의 관계를 고려해서 결정될 수 있다. 파장변환층(200)의 두께(d1)와 보호층(300)의 두께(d2)의 합이 지나치게 두꺼운 경우, 발광소자(100)에서 발광된 광의 투과율이 낮아 질 수 있다. 또한, 전체 발광소자 패키지의 소형화가 어려울 수 있다. 따라서, 파장변환층(200)의 두께(d1)와 보호층(300)의 두께(d2)의 합이, 발광소자(100)의 두께(d1)보다 작거나 같아야 한다. 보호층(300)의 두께(d3)는 20㎛ 내지 120㎛ 이내의 범위로 제한될 수 있다. 보호층(300)의 두께(d3)가 20㎛보다 작은 경우, 파장변환층(200)을 보호하기 위한 목적이 제대로 달성될 수 없고, 따라서 제1 형광체(230)가 수분, 산소 등 외부 물질(액체, 기체 등)에 의해 변형 및/또는 변색될 수 있다. 반대로 보호층(300)의 두께(d3)가 120㎛보다 크다면, 보호층(300)의 두께(d3)와 파장변환층(200)의 두께(d2)의 합이 발광소자(100)의 두께(d1)보다 더 클 수 있고, 이 경우 발광소자(100)에서 발광된 광을 필요 이상으로 흡수될 수 있다. 또한, 발광소자 패키지는 렌즈(400)를 더 포함할 수 있는데, 보호층(300)의 두께(d3)가 120㎛ 보다 크다면 보호층(300) 위에 렌즈를 형성하는 공정이 어려워지고, 발광소자 패키지의 소형화가 어려워지게 된다.
표 1은, 발광소자(100)의 두께(d1)가 250㎛, 파장변환층(200)의 두께(d2)가 100㎛ 및 보호층(300)의 두께가 20㎛ 조건에서 수행된 발광소자 패키지의 신뢰성 평가 실험 결과를 나타낸다. 아래 표 1에서, 패키지 1은 종래 기술에 따른 보호층(300)이 구비되지 않은 발광소자 패키지를 나타내고, 패키지 2는 본 발명에 따른 20㎛ 두께의 보호층(300)이 구비된 발광소자 패키지를 나타낸다.
실험 조건 패키지 Luminous flux 저하율(%)
0hr 250hr 500hr 750hr 1000hr 1500hr
1 1) 85
2) 500mA 		1 0 -3.6 -5.4 -6.1 -7.0 -7.7
2 0 -1.6 -3.6 -4.2 -3.8 -3.9
2 1) 60, 90%
2) 500mA		 1 0 -4 -5.7 -7.4 -9.7 -10.5
2 0 -2.2 -4.1 -4.7 -5.0 -4.9
상기 표 1에서, 실험 1은 85 조건에서, 500mA로 발광소자 패키지가 구동되는 경우, 시간에 따른 광속(luminous flux) 저하율(%)을 나타낸다. 여기서, 광속은 임의의 면을 통과하는 빛의 양을 의미한다. 실험 1의 결과를 참조하면, 보호층(300)이 구비되지 않은 발광소자 패키지의 광속 저하가 보호층(300)이 구비된 발광소자 패키지의 광속 저하보다 더 크다는 것을 알 수 있다. 이는 보호층(300)이 구비되지 않은 종래 기술에 따른 발광소자 패키지에서 형광체층이 외부로 노출되어 형광체가 수분, 산소 등 외부 물질에 의해 변색 및/또는 변형되었기 때문이다.
상기 표 1에서, 실험 2는 60, 습도 90% 조건에서, 500mA로 발광소자 패키지가 구동되는 경우, 시간에 따른 광속(luminous flux) 저하율(%)을 나타낸다. 실험 2는 실험 1과 비교하여 비록 온도는 더 낮지만, 습도가 매우 높은 조건에서 수행된 것이다. 실험 2의 결과를 참조하면, 실험 1과 마찬가지로 보호층(300)이 구비된 패키지 2의 광속 저하가 보호층(300)이 구비되지 않은 패키지 1의 광속 저하보다 작음을 알 수 있다. 또한, 실험 1의 결과와 비교하면, 습도가 매우 높은 환경에서 형광체의 변형 및/또는 변색이 더 크게 이루어 진다는 것을 알 수 있다.
도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광소자 패키지를 설명하기 위한 단면도이다.
도 4를 참조하면, 앞의 실시예에서 보호층(300)은 형광체를 포함하지 않는 것으로 도시 및 설명하였으나, 본 실시예에서는 보호층(300)이 제2 형광체(330)를 포함하는 것에 차이가 있다. 보호층(300)이 제2 형광체(330)를 포함하는 경우, 보호층(300)은 제2 파장변환층으로 지칭될 수 있다. 즉, 본 발명에 따른 발광소자 패키지에서, 보호층(300)은 도 2에서와 같이 파장변환층(200)을 보호하기 위한 목적으로 외부 물질(수분, 산소 등)에 대한 투과도가 낮은 투명 수지만으로 구성될 수 있고, 또는 보호층(300)은 도 4에서와 같이 투명 수지(310)에 제1 형광체(230)와는 상이한 제2 형광체(330)를 더 포함할 수 있다. 보호층(300)이 제2 형광체(330)를 더 포함하는 경우, 제2 형광체(330)는 제1 형광체(230)보다 더 수분에 강한 내성을 갖는다. 도 4에서, 제2 형광체(330)가 투명 수지(310)(또는 보호층(300))의 일부에만 개재되어 있는 것으로 표현되었으나, 제2 형광체(330)는 투명 수지(310) 전체에 균일하게 분산되어 있을 수 있다. 또한, 제2 형광체(330)는 확산제 등의 사용에 의해 투명 수지(310)에 균일하게 분포될 수 있다.
본 발명에 따른 발광소자 패키지에서 형광체는 비교적 수분에 약한 내성을 지닌 형광체와 수분에 강한 내성을 지닌 형광체로 구분될 수 있다. 비교적 수분에 강한 내성을 지닌 형광체로는 YAG, LuAG 및 Nitride 계열의 형광체가 있고, 비교적 수분에 약한 내성을 지닌 형광체로는 Fluoride 및 silicate 계열의 형광체가 있다. 따라서, 도 4의 단면도에서 비교적 수분에 약한 내성을 지닌 Fluoride 및 silicate 계열의 형광체가 제1 형광체(230)가 될 수 있고, 비교적 수분에 강한 내성을 지닌 YAG, LuAG 및 Nitride 계열의 형광체가 제2 형광체(330)가 될 수 있다. 하지만, 이에 한정되는 것은 아니며, 본 발명에 따른 발광소자 패키지가 YAG, LuAG 및 Nitride 계열의 형광체만을 포함하는 경우, YAG, LuAG 및 Nitride 계열의 형광체는 제1 형광체(230)로써, 파장변환층(200)에 개재될 수 있다.
보호층(300)은 발광소자(100)에서 발광되는 광의 확산 효과를 높이기 위해 필러(미도시)를 포함할 수 있다. 필러는, 예를 들어, 실리카 계열의 물질, 지르코니아 계열의 물질 및 알루미나 계열의 물질 중 하나에 해당할 수 있으며, 필러가 보호층(300)에 포함된 경우 발광소자(100)가 발광하는 빛의 광도나 광속을 변화시켜 광의 확산 효과를 높일 수 있다.
발광소자 패키지는 보호층(300)을 덮는 렌즈(400)를 더 포함할 수 있다. 렌즈(400)는 보호층(300)을 덮어 보호층(300), 파장변환층(200) 및 발광소자(100)를 보호할 수 있다. 렌즈(400)는 발광소자(100)에서 발광되는 광이 원활하게 외부로 방출될 수 있도록 투명한 수지로 이루어지는 것이 바람직하다. 렌즈(400)는 발광되는 광의 지향각 향상을 위해 상부로 볼록한 돔 형상의 구조로 형성될 수 있으며, 다만 이에 한정되지 않고 지향각 특성을 고려하여 기타 다양한 구조로 형성될 수 있다.
또한, 발광소자 패키지는 발광소자(100)에서 방출되는 열을 외부로 원활하게 방출시키기 위해 서브 마운트(500)를 더 포함할 수 있다. 도 1 내지 4를 참조하면, 서브 마운트(500)는 베이스 기판상에 배치된 상부 전극 패턴 및 하부 전극 패턴을 포함한다. 또한, 상부 전극 패턴은 제1 상부 전극(510a) 및 제2 상부 전극(510b)을 포함하고, 하부 전극 패턴은 제1 하부 전극(530a), 제2 하부 전극(530b)을 포함한다. 나아가 도면에는 도시되지 않았지만, 서브 마운트(500)는 제1 및 제2 하부 전극들(530a, 530b) 사이에 위치하여 열 방출의 효율을 높이기 위한 방열 패드를 더 포함할 수 있다.
서브 마운트(500)의 베이스 기판은 구리, Al2O3 또는 AlN 등 열전도 특성을 갖는 Metal 및 세라믹으로 이루어질 수 있고, 여기서 구리는 산화 방지를 위해 Ag, Au, Pt 등으로 도금 처리된 구리일 수 있다. 또한, 상부 전극 패턴(510a, 510b) 및 하부 전극 패턴(530a, 530b)은 Ni층/Cu층/Au층이 적층된 다층 구조를 가질 수 있다. Ni층은 AlN 기판에 전극 패턴들의 접착력을 향상시키기 위해 사용되며, Au층은 Cu층의 산화를 방지하기 위해 사용되며, 또한, 발광소자(100)가 포함하는 전극들(미도시)과의 접착력을 향상시키기 위해 사용된다. 또한, Cu층은 전류 및 열 전달을 위해 사용되며, Ni층 및 Au층에 비해 상대적으로 두껍다. 비아들(520a, 520b)은 베이스 기판을 관통하여 제1 및 제2 상부 전극(510a, 510b)을 제1 및 제2 하부 전극(530a, 530b)에 연결한다.
발광소자(100)는 외부 장치와 전기적으로 연결되기 위한 전극 패드들(미도시)을 포함할 수 있고, 전극 패드들이 서브 마운트(500)의 제1 및 제2 상부 전극들(510a, 510b)에 각각 본딩될 수 있다.
도 2 및 도 4를 참조하면 서브 마운트(500)는, 발광소자 패키지의 하부면에서, 렌즈(400)를 제외하고, 발광소자 패키지에서 가장 외곽에 위치하는 보호층(300) 경계까지 위치할 수 있다. 서브 마운트(500)는 발광소자 패키지 하면 위치하면서, 발광소자(100)와 물리적으로 접촉될 수 있다. 따라서, 발광소자(100)에서 방출되는 열이 서브 마운트(500)로 전달될 수 있고, 서브 마운트(100)로 전달된 열이 발광소자 패키지의 외부로 방출될 수 있다. 파장변환층(200)에 포함된 제1 형광체(230) 및 보호층이 제2 형광체(330)를 포함하는 경우 제2 형광체(330)는 발광소자(100)에서 방출되는 열에 의해 변색 및/또는 변형될 수 있고, 그에 따라 발광소자 패키지의 광속이 저하될 수 있다. 본 실시예에 따른 발광소자 패키지는 서브 마운트(500)를 더 포함할 수 있고, 이 경우 서브 마운트(500)에 의해 발생된 열이 외부로 효율적으로 방출되어 형광체들의 변형 및/또는 변색을 최소화할 수 있다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자를 조명 장치에 적용한 예를 설명하기 위한 분해 사시도이다.
도 5를 참조하면, 본 실시예에 따른 조명 장치는, 확산 커버(1010), 발광소자 모듈(1020) 및 바디부(1030)를 포함한다. 바디부(1030)는 발광소자 모듈(1020)을 수용할 수 있고, 확산 커버(1010)는 발광소자 모듈(1020)의 상부를 커버할 수 있도록 바디부(1030) 상에 배치될 수 있다.
바디부(1030)는 발광소자 모듈(1020)을 수용 및 지지하여, 발광소자 모듈(1020)에 전기적 전원을 공급할 수 있는 형태이면 제한되지 않는다. 예를 들어, 도시된 바와 같이, 바디부(1030)는 바디 케이스(1031), 전원 공급 장치(1033), 전원 케이스(1035), 및 전원 접속부(1037)를 포함할 수 있다.
전원 공급 장치(1033)는 전원 케이스(1035) 내에 수용되어 발광소자 모듈(1020)과 전기적으로 연결되며, 적어도 하나의 IC칩을 포함할 수 있다. 상기 IC칩은 발광소자 모듈(1020)로 공급되는 전원의 특성을 조절, 변환 또는 제어할 수 있다. 전원 케이스(1035)는 전원 공급 장치(1033)를 수용하여 지지할 수 있고, 전원 공급 장치(1033)가 그 내부에 고정된 전원 케이스(1035)는 바디 케이스(1031)의 내부에 위치할 수 있다. 전원 접속부(115)는 전원 케이스(1035)의 하단에 배치되어, 전원 케이스(1035)와 결속될 수 있다. 이에 따라, 전원 접속부(1037)는 전원 케이스(1035) 내부의 전원 공급 장치(1033)와 전기적으로 연결되어, 외부 전원이 전원 공급 장치(1033)에 공급될 수 있는 통로 역할을 할 수 있다.
발광소자 모듈(1020)은 기판(1023) 및 기판(1023) 상에 배치된 발광소자 패키지(1021)를 포함한다. 여기서, 발광소자 패키지는 도 1 내지 3을 통해 제시된 본 발명에 따른 발광소자 패키지를 나타낸다. 발광소자 모듈(1020)은 바디 케이스(1031) 상부에 마련되어 전원 공급 장치(1033)에 전기적으로 연결될 수 있다.
기판(1023)은 발광소자 패키지(1021)를 지지할 수 있는 기판이면 제한되지 않으며, 예를 들어, 배선을 포함하는 인쇄회로기판일 수 있다. 기판(1023)은 바디 케이스(1031)에 안정적으로 고정될 수 있도록, 바디 케이스(1031) 상부의 고정부에 대응하는 형태를 가질 수 있다. 발광소자(1021)는 상술한 본 발명의 실시예들에 따른 발광소자들 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
확산 커버(1010)는 발광소자 패키지(1021) 상에 배치되되, 바디 케이스(1031)에 고정되어 발광소자 패키지(1021)를 커버할 수 있다. 확산 커버(1010)는 투광성 재질을 가질 수 있으며, 확산 커버(1010)의 형태 및 광 투과성을 조절하여 조명 장치의 지향 특성을 조절할 수 있다. 따라서 확산 커버(1010)는 조명 장치의 이용 목적 및 적용 태양에 따라 다양한 형태로 변형될 수 있다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자 패키지를 디스플레이 장치에 적용한 예를 설명하기 위한 단면도이다.
본 실시예의 디스플레이 장치는 표시패널(2110), 표시패널(2110)에 광을 제공하는 백라이트 유닛 및, 상기 표시패널(2110)의 하부 가장자리를 지지하는 패널 가이드를 포함한다.
표시패널(2110)은 특별히 한정되지 않고, 예컨대, 액정층을 포함하는 액정표시패널일 수 있다. 표시패널(2110)의 가장자리에는 상기 게이트 라인으로 구동신호를 공급하는 게이트 구동 PCB가 더 위치할 수 있다. 여기서, 게이트 구동 PCB는 별도의 PCB에 구성되지 않고, 박막 트랜지스터 기판상에 형성될 수도 있다.
백라이트 유닛은 적어도 하나의 기판 및 복수의 발광소자 패키지(2160)를 포함하는 광원 모듈을 포함한다. 나아가, 백라이트 유닛은 바텀커버(2180), 반사 시트(2170), 확산 플레이트(2131) 및 광학 시트들(2130)을 더 포함할 수 있다.
바텀커버(2180)는 상부로 개구되어, 기판, 발광소자 패키지(2160), 반사 시트(2170), 확산 플레이트(2131) 및 광학 시트들(2130)을 수납할 수 있다. 또한, 바텀커버(2180)는 패널 가이드와 결합될 수 있다. 기판은 반사 시트(2170)의 하부에 위치하여, 반사 시트(2170)에 둘러싸인 형태로 배치될 수 있다. 다만, 이에 한정되지 않고, 반사 물질이 표면에 코팅된 경우에는 반사 시트(2170) 상에 위치할 수도 있다. 또한, 기판은 복수로 형성되어, 복수의 기판들이 나란히 배치된 형태로 배치될 수 있으나, 이에 한정되지 않고, 단일의 기판으로 형성될 수도 있다.
발광소자(2160)는 상술한 본 발명의 실시예들에 따른 발광소자들 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 발광소자(2160)들은 기판 상에 일정한 패턴으로 규칙적으로 배열될 수 있다. 또한, 각각의 발광소자 패키지(2160) 상에는 렌즈(2210)가 배치되어, 복수의 발광소자(2160)들로부터 방출되는 광을 균일성을 향상시킬 수 있다.
확산 플레이트(2131) 및 광학 시트들(2130)은 발광소자 패키지(2160) 상에 위치한다. 발광소자 패키지(2160)로부터 방출된 광은 확산 플레이트(2131) 및 광학 시트들(2130)을 거쳐 면 광원 형태로 표시패널(2110)로 공급될 수 있다.
이와 같이, 본 발명의 실시예들에 따른 발광소자는 본 실시예와 같은 직하형 디스플레이 장치에 적용될 수 있다.
도 7은 일 실시예에 따른 발광소자를 디스플레이 장치에 적용한 예를 설명하기 위한 단면도이다.
본 실시예에 따른 백라이트 유닛이 구비된 디스플레이 장치는 영상이 디스플레이되는 표시패널(3210), 표시패널(3210)의 배면에 배치되어 광을 조사하는 백라이트 유닛을 포함한다. 나아가, 상기 디스플레이 장치는, 표시패널(3210)을 지지하고 백라이트 유닛이 수납되는 프레임(240) 및 상기 표시패널(3210)을 감싸는 커버(3240, 3280)를 포함한다.
표시패널(3210)은 특별히 한정되지 않고, 예컨대, 액정층을 포함하는 액정표시패널일 수 있다. 표시패널(3210)의 가장자리에는 상기 게이트 라인으로 구동신호를 공급하는 게이트 구동 PCB가 더 위치할 수 있다. 여기서, 게이트 구동 PCB는 별도의 PCB에 구성되지 않고, 박막 트랜지스터 기판상에 형성될 수도 있다. 표시패널(3210)은 그 상하부에 위치하는 커버(3240, 3280)에 의해 고정되며, 하부에 위치하는 커버(3280)는 백라이트 유닛과 결속될 수 있다.
표시패널(3210)에 광을 제공하는 백라이트 유닛은 상면의 일부가 개구된 하부 커버(3270), 하부 커버(3270)의 내부 일 측에 배치된 광원 모듈 및 상기 광원 모듈과 나란하게 위치되어 점광을 면광으로 변환하는 도광판(3250)을 포함한다. 또한, 본 실시예의 백라이트 유닛은 도광판(3250) 상에 위치되어 광을 확산 및 집광시키는 광학 시트들(3230), 도광판(3250)의 하부에 배치되어 도광판(3250)의 하부방향으로 진행하는 광을 표시패널(3210) 방향으로 반사시키는 반사시트(3260)를 더 포함할 수 있다.
광원 모듈은 기판(3220) 및 상기 기판(3220)의 일면에 일정 간격으로 이격되어 배치된 복수의 발광소자 패키지(3110)를 포함한다. 기판(3220)은 발광소자 패키지(3110)를 지지하고 발광소자 패키지(3110)에 전기적으로 연결된 것이면 제한되지 않으며, 예컨대, 인쇄회로기판일 수 있다. 발광소자 패키지(3110)는 상술한 본 발명의 실시예들에 따른 발광소자를 적어도 하나 포함할 수 있다. 광원 모듈로부터 방출된 광은 도광판(3250)으로 입사되어 광학 시트들(3230)을 통해 표시패널(3210)로 공급된다. 도광판(3250) 및 광학 시트들(3230)을 통해, 발광소자 패키지(3110)들로부터 방출된 점 광원이 면 광원으로 변형될 수 있다.
이와 같이, 본 발명의 실시예들에 따른 발광소자는 본 실시예와 같은 에지형 디스플레이 장치에 적용될 수 있다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자를 헤드 램프에 적용한 예를 설명하기 위한 단면도이다.
도 8을 참조하면, 상기 헤드 램프는, 램프 바디(4070), 기판(4020), 발광소자 패키지(4010) 및 커버 렌즈(4050)를 포함한다. 나아가, 상기 헤드 램프는, 방열부(4030), 지지랙(4060) 및 연결 부재(4040)를 더 포함할 수 있다.
기판(4020)은 지지랙(4060)에 의해 고정되어 램프 바디(4070) 상에 이격 배치된다. 기판(4020)은 발광소자 패키지(4010)를 지지할 수 있는 기판이면 제한되지 않으며, 예컨대, 인쇄회로기판과 같은 도전 패턴을 갖는 기판일 수 있다. 발광소자 패키지(4010)는 기판(4020) 상에 위치하며, 기판(4020)에 의해 지지 및 고정될 수 있다. 또한, 기판(4020)의 도전 패턴을 통해 발광소자 패키지(4010)는 외부의 전원과 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 발광소자 패키지(4010)는 상술한 본 발명의 실시예들에 따른 발광소자를 적어도 하나 포함할 수 있다.
커버 렌즈(4050)는 발광소자 패키지(4010)로부터 방출되는 광이 이동하는 경로 상에 위치한다. 예컨대, 도시된 바와 같이, 커버 렌즈(4050)는 연결 부재(4040)에 의해 발광소자 패키지(4010)로부터 이격되어 배치될 수 있고, 발광소자 패키지(4010)로부터 방출된 광을 제공하고자 하는 방향에 배치될 수 있다. 커버 렌즈(4050)에 의해 헤드 램프로부터 외부로 방출되는 광의 지향각 및/또는 색상이 조절될 수 있다. 한편, 연결 부재(4040)는 커버 렌즈(4050)를 기판(4020)과 고정시킴과 아울러, 발광소자(4010)를 둘러싸도록 배치되어 발광 경로(4045)를 제공하는 광 가이드 역할을 할 수도 있다. 이때, 연결 부재(4040)는 광 반사성 물질로 형성되거나, 광 반사성 물질로 코팅될 수 있다. 한편, 방열부(4030)는 방열핀(4031) 및/또는 방열팬(4033)을 포함할 수 있고, 발광소자(4010) 구동 시 발생하는 열을 외부로 방출시킨다.
이와 같이, 본 발명의 실시예들에 따른 발광소자는 본 실시예와 같은 헤드 램프, 특히, 차량용 헤드 램프에 적용될 수 있다.
이상에서는 본 발명의 실시예를 중심으로 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 기술자의 수준에서 다양한 변경이나 변형을 가할 수 있다. 이러한 변경과 변형은 본 발명이 제공하는 기술 사상의 범위를 벗어나지 않는 한 본 발명에 속한다고 할 수 있다. 따라서 본 발명의 권리범위는 이하에 기재되는 청구범위에 의해 판단되어야 할 것이다.

Claims (12)

  1. 발광소자;
    상기 발광소자의 상부면 및 측면을 덮는 파장변환층; 및
    상기 파장변환층의 상부면 및 측면을 덮는 보호층을 포함하고,
    상기 보호층의 두께는 20㎛ 내지 120㎛이고,
    상기 파장변환층 및 보호층의 두께의 합은 상기 발광소자의 두께보다 작거나 같은 발광소자 패키지.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 파장변환층은 제1 형광체를 포함하는 발광소자 패키지.
  3. 청구항 2에 있어서,
    상기 보호층은 제2 형광체를 포함하고,
    상기 제2 형광체는 상기 제1 형광체와 다른 물질을 포함하는 발광소자 패키지.
  4. 청구항 3에 있어서,
    상기 제2 형광체는 상기 제1 형광체보다 수분에 더 강한 내성을 갖는 발광소자 패키지.
  5. 청구항 4에 있어서,
    상기 제1 형광체는 형광체는 Fluoride 및 silicate 계열의 형광체를 포함하고, 상기 제2 형광체는 YAG, LuAG 및 Nitride 계열의 형광체를 포함하는 발광소자 패키지.
  6. 청구항 1에 있어서,
    상기 파장변환층의 두께는 100㎛ 내지 300㎛인 발광소자 패키지.
  7. 청구항 1에 있어서,
    상기 보호층은 1.4 내지 1.6의 굴절율을 갖는 발광소자 패키지.
  8. 청구항 1에 있어서,
    상기 보호층은 필러를 포함하고,
    상기 필러는 실리카 계열, 알루미나 계열 및 지르코니아 계열의 물질 중 적어도 하나를 포함하는 발광소자 패키지.
  9. 청구항 1에 있어서,
    상기 보호층의 경도는 Shore D 30 이상인 발광소자 패키지.
  10. 청구항 1에 있어서,
    상기 보호층을 감싸는 구조의 렌즈를 더 포함하는 발광소자 패키지.
  11. 청구항 1에 있어서,
    상기 발광소자 하부면에 접촉된 서브 마운트를 더 포함하는 발광소자 패키지.
  12. 청구항 10에 있어서,
    상기 서브 마운트는 비도전성 물질로 구성된 베이스 기판과, 상기 발광소자와 전기적으로 연결되기 위한 전극 패턴을 포함하는 발광소자 패키지.
KR1020160110277A 2016-08-29 2016-08-29 발광소자 패키지 KR20180024318A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160110277A KR20180024318A (ko) 2016-08-29 2016-08-29 발광소자 패키지

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160110277A KR20180024318A (ko) 2016-08-29 2016-08-29 발광소자 패키지

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20180024318A true KR20180024318A (ko) 2018-03-08

Family

ID=61726328

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020160110277A KR20180024318A (ko) 2016-08-29 2016-08-29 발광소자 패키지

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20180024318A (ko)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9169988B2 (en) Light emitting module and head lamp including the same
US7935978B2 (en) Light emitting device and method for manufacturing the same
EP2337072B1 (en) Light emitting device and light unit using the same
US9304248B1 (en) Light emitting module and illumination system including the same
US8502253B2 (en) Light emitting device package
CA2751818C (en) Semiconductor light emitting device
TWI634677B (zh) 發光元件封裝
US20130026500A1 (en) Light emitting device package and lighting system using the same
US20110149600A1 (en) Light emitting device and light unit using the same
WO2016093325A1 (ja) 発光装置
JP2017162942A (ja) 発光装置、及び、照明装置
KR20160131527A (ko) 자외선 발광 장치
KR20160146367A (ko) 자외선 발광 다이오드를 포함하는 발광 장치
KR20110125064A (ko) 발광소자 어레이, 조명장치 및 백라이트 장치
US8872300B2 (en) Light emitting device module
KR101694175B1 (ko) 발광소자, 발광소자 패키지 및 조명시스템
US9897298B2 (en) Light emitting module and light unit having the same
JP2014082481A (ja) 発光装置
KR20150001268A (ko) 발광 소자 패키지
KR20120137075A (ko) 발광소자 모듈
KR20180024318A (ko) 발광소자 패키지
KR102142718B1 (ko) 발광 소자 및 이를 구비한 조명 장치
KR101977279B1 (ko) 발광 소자 패키지
KR101902515B1 (ko) 발광소자 패키지 및 조명 장치
KR102432215B1 (ko) 라이트 유닛 및 이를 구비한 조명 장치

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application