WO2010091660A2 - Verfahren zur schaffung einer hochtemperatur- und temperaturwechselfesten verbindung eines baugruppen-halbleiters und eines halbleiterbausteins mit einem temperaturbeaufschlagenden verfahren - Google Patents

Verfahren zur schaffung einer hochtemperatur- und temperaturwechselfesten verbindung eines baugruppen-halbleiters und eines halbleiterbausteins mit einem temperaturbeaufschlagenden verfahren Download PDF

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Definitions

  • the invention relates to a method for creating a high-temperature and temperature-resistant connection of a module semiconductor and a semiconductor device with a temperature-applying method.
  • a complex step in the production of sintered compounds as described for example in DE 10 2006 033 073 B3 of the Applicant, are in the actual sintering (the so-called final sintering) required pressures of more than 30 MPa, by a special apparatus have to be applied for a few seconds to a few minutes.
  • the invention is based on the finding that by selecting a suitable metal powder suspension by activating this, either by local, low pressure of for example 5 MPa or by heating to z. B. 25O 0 C, the sintering process can be initiated so far that a transport-resistant fixation for processing by further manufacturing steps takes place.
  • an electrical component with metallic contact surfaces with either a silver or a gold surface by materially joined to a substrate material in several stages of production, without a critical sintering pressure is applied.
  • circuit substrate can be used as a substrate material, such as.
  • a substrate material such as.
  • organic printed circuit boards PCB, ceramic circuit boards, DCB, metal core circuit boards, IMS or conductor leadframes, stamped grid, hybrid ceramic circuit carrier, etc.
  • the electrotechnical component can be an inexhaustible Halbeiterbauelement or a gemoldetes, d. H. be cased semiconductor device.
  • Electrical contact terminals SMD-B auimplantation or the like can also be connected to each other with the cohesive joining method according to the invention.
  • connection tact-fast ie when heated for a few seconds.
  • Fixing and sintering are separate processes. The fixing takes place predominantly by a clawing in the surface of the joining partners or the silver joining layers.
  • the subsequent sintering is carried out without pressure in a heating furnace at temperatures between 170 ° C to 300 ° C, so it may be easily inserted in a transport line for components.
  • the atmosphere for certain metal suspension layers can optionally be adjusted with an inert or reactive gas. Nitrogen is suitable as the inert gas, for example, and forming gas or inert gas saturated with formic acid can be used as the reactive gas.
  • FIG. 1 shows a metallized device placed over a precoated and dried metal suspension layer.
  • FIG. 3 shows the elements of FIG. 2 after an unpressurised temperature control step, which ensures preferably complete volume sintering, FIG.
  • FIG. 4 shows a lower and further metallized component on a previously applied and dried metal suspension layer as in Fig. 1,
  • FIG. 6 shows the elements of FIG. 5, wherein the contact tab with the other elements is fixed by low pressure
  • FIG. 7 shows the elements of FIG. 6 after a pressure-free tempering step, which ensures a preferably complete volume sintering of all fixed contact positions
  • a substrate material or a chip backside, or in a preferred embodiment on both surfaces to be joined, is applied in a uniform layer thickness by means of a layer containing silver particles, preferably with a stencil printer. This is done selectively at the points where the device is to be placed or, if applied to the chip, a full surface.
  • Other application techniques, in particular spraying, are conceivable.
  • diving or spin-on of a silver particle solution would cause problems with layer-wide variance.
  • the layer After application, the layer is dried and freed from the volatile organic compounds. Temperatures of up to 150 0 C support the process to ensure high clock rates. The dried layer produced thereby has a large porosity and a large roughness.
  • the electrotechnical component is brought to a predetermined position by a component gripping and depositing device and unilateral or bilateral silver layers applied to the components are pressed together by the force applied during the application and clawed together. This is a short 0.1 to 3 second placement process, with the required force only enough to reshape the rough surface and claw each other.
  • the bracket by Verkrallen does not have to meet the requirements for later use but only be so strong that during the process of locomotion in the manufacture of the components no longer slip.
  • the two-dimensional clawing of the rough dried metal layer in a silver or gold surface provides for easy adhesion.
  • a snowball sticks to a cement wall, or even snow, when a snowball is formed.
  • the adhesion can be improved again by increasing the temperature up to, for example, 150 ° C. In the example "snow" this would be equivalent to a wet snow.
  • Step 4 In a fourth step, the component thus fixed is finally subjected to a subsequent heat process without further pressure, wherein a diffusion of the silver atoms into the interface of the joining partner and vice versa takes place, so that the desired high temperature and temperature change resistant, for motor vehicle applications also stable connection over many years.
  • FIG. 1 shows a pre-metallized component which is precoated with an example of about 50 micrometers and at a temperature of about 50 micrometers. temperature of less than 140 ° C for a few minutes (preferably 1-3 minutes) dried metal suspension layer is placed. A suitable pre-compaction of the layer in order to store it better, and to avoid abrasion, may have already taken place on the layer before the component is fixed.
  • a layer produced in the same or a similar way - even in order to use it as similar to a pre-metallization - may also have already been sintered. It is sufficient if a layer still consists only of dried, non-sintered paste / suspension.
  • a pressure of 1-10 MPa, preferably 2-6 MPa, and herein more preferably for a second less than 5 MPa can be exercised.
  • Fig. 3 shows the elements of FIG . 2 after a non-pressurized tempering, at paste-dependent temperatures of typically more than 230 0 C, which ensures a preferably complete volume sintering. Reactive process gases can accelerate sintering.
  • Figs. 4 to 7 show, as representative of many possible elements, a contact tab is fixed by low pressure with the assembly in the same way.
  • the erfmdungshacke method for creating a high-temperature and tempe- ratur pizzafesten connection of a module semiconductor and a semiconductor device with a temperaturbeetzier waveden method in which a metal powder suspension is applied to the areas of the individual semiconductor devices to be joined later, the suspension layer with outgassing of the volatile constituents and dried to form a porous layer, then precompressed the porous layer, without a complete, the Sus- pensionstik penetrating sintering takes place, wherein to obtain a solid electrically and thermally well-conductive compound of a semiconductor device on a connection partner from the group: substrate, further semiconductor or circuit carrier, the compound is a sintered compound produced without pressing pressure by increasing the temperature, which consists of a dried metal powder suspension consists, in a Vorverdichtungsuze with the connection partner has undergone a first transport-resistant contact with the connection partner, and was solidified under temperature Ausausung unpressurized in a preferred embodiment can be extended daurch that more than one side of
  • the atmosphere in a sealed chamber
  • the atmosphere may be enriched with an inert or reactive gas during heating.
  • the inert gas may preferably contain nitrogen as a main component.
  • the reactive gas proposed is one with a predominant constituent of forming gas.

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Abstract

Verfahren zur Schaffung einer hochtemperatur- und temperaturwechselfesten Verbindung eines Baugruppen-Halbleiters und eines Halbleiterbausteins mit einem temperaturbeaufschlagenden Verfahren, bei dem auf die Bereiche der später zu verbindenden einzelnen Halbleiter-Bausteine eine Metallpulversuspension aufgebracht wird, die Suspensionsschicht unter Ausgasen der flüchtigen Bestandteile und unter Erzeugung einer porösen Schicht getrocknet wird, die poröse Schicht vorverdichtet wird, ohne dass eine vollständige, die Suspensionsschicht durchdringende Versinterung stattfindet, und zur Erlangung einer festen elektrisch und thermisch gut leitenden Verbindung eines Halbleiter-Bausteins auf einem Verbindungspartner aus der Gruppe : Substrat, weiterem Halbleiter oder Schaltungsträger, die Verbindung eine ohne Pressdruck durch Temperaturerhöhung erzeugte Sinterverbindung ist, die aus einer getrockneten Metallpulversuspension besteht, die in einem Vorverdichtungsschritt mit dem Verbindungspartner einen ersten transportfesten Kontakt mit dem Verbindungspartner erfahren hat, und drucklos unter Temperaturaussinterung verfestigt wurde.

Description

Verfahren zur Schaffung einer hochtemperatur- und temperaturwechselfesten
Verbindung eines Baugruppen-Halbleiters und eines Halbleiterbausteins mit einem temperaturbeaufschlagenden Verfahren
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Schaffung einer hochtemperatur- und temperaturwechselfesten Verbindung eines Baugruppen-Halbleiters und eines Halbleiterbausteins mit einem temperaturbeaufschlagenden Verfahren.
Stand der Technik
Die zunehmende Nachfrage nach Leistungselektronik, insbesondere für Kraftfalir- zeuge (Hybridfahrzeuge) steigert die Stückzahlen, in denen Leistungshalbleiter- Baugruppen hergestellt werden, erheblich. Um mit den Kosten, die bei der Kfz- Produktion naturgemäß möglichst gering gehalten werden müssen, Schritt zu halten, werden die Herstellungsverfahren dauernd optimiert.
Ein aufwendiger Schritt bei der Herstellung von Sinterverbindungen, wie sie beispielsweise in der DE 10 2006 033 073 B3 der Anmelderin beschrieben werden, sind dabei die bei der eigentlichen Sinterung (der sogenannten Endsinterung) benötigten Drücke von mehr als 30 MPa, die durch eine spezielle Apparatur für einige Sekunden bis zu einigen Minuten aufgebracht werden müssen.
Andererseits ist aus dieser genannten Schrift bereits bekannt, dass sich eine sägefeste getrocknete Metallpulversuspension nach einem Trocknungs- und Erwärmungsschritt nach dem Aufbringen schon geringen Druckes derart vorverdichtet, dass sie „sägefähig" ist. Weiter ist aus bekannten Lötverfahren bekannt, dass eine geeignete Temperierung des Werkstückes ein Aufschmelzen auf dem Werkstück angeordneten Lotmaterials zur Herstellung einer innigen Lotverbindung ermöglicht.
Der Erfindung liegt nun die Erkenntnis zugrunde, dass durch Wahl einer geeigneten Metallpulversuspension durch Aktivierung dieser, entweder durch lokalen, geringen Druck von beispielsweise 5 MPa oder durch Erhitzen auf z. B. 25O0C der Sinter- vorgang soweit veranlasst werden kann, dass eine transportfeste Fixierung für die Bearbeitung durch weitere Fertigungsschritte erfolgt.
Dabei wird ein elektrotechnisches Bauelement mit metallischen Kontaktflächen entweder mit einer Silber- oder einer Goldoberfläche durch stoffschlüssiges Fügen auf ein Substratmaterial in mehreren Fertigungsstufen verbunden, ohne dass ein kritischer Sinterdruck anzuwenden ist.
Dies ermöglicht es, das erfindungsgemäße Verfahren ohne eine aufwendige Press- Station durchzuführen, so dass die Taktraten erheblich vergrößert werden können und dennoch Baugruppen mit Sinterverbindung erzeugt werden können.
Dabei werden als Substratmaterial Schaltungsträger Verwendung finden können, wie z. B. organische Leiterplatten (PCB, keramische Leiterplatten, DCB, Metallkern-Leiterplatten, IMS oder Leiter-Leadframes, Stanzgitter, keramische Hybrid- Schaltungsträger usw.). Das elektrotechnische Bauelement kann dabei ein ungenaustes Halbeiterbauelement oder ein auch ein gemoldetes, d. h. gehäustes Halbleiterbauelement sein. Elektrische Kontaktanschlüsse SMD-B auelemente oder dergleichen können ebenfalls mit dem erfindungsgemäßen stoffschlüssigen Fügeverfahren miteinander verbunden werden.
Der Unterschied zum sogenannten Niedertemperatur-Sintern, bei dem durch gleichzeitiges quasi isostatisches Pressen mit Drücken von 20 bis 30 MPa und gleichzeitigem Erhitzen der Fügepartner auf ca. 22O0C eine Verbindung erzeugt wird besteht darin, dass nun mit deutlich geringeren Drücken eine Verbindung taktschnell, d. h. bei einer Erhitzung für wenige Sekunden ermöglicht wird.
Dabei bleiben gleichzeitig die folgenden Nachteile des Standes der Technik vermieden: Durch die bisherige gleichzeitige Anwendung von hohem Druck und Temperatur- Steigerung werden statische und dynamische Spannungen in Werkstoffen der Fügepartner induziert, die, beispielsweise bei ungehäusten Silizium-Halbleiterbauelementen und keramischen Leiterplatten dazu führen konnten, dass diese sehr spröden Werkstoffe Risse bildeten.
Dabei wurde die natürliche Sprödigkeit dieser Werkstoffe durch die typischen Bearbeitungsmethoden gefordert. Den Siliziumchips wurde durch Sägen an den Sägekanten bereits initiale Mikrorisse zugefügt (das sog. Chipping). Den keramischen Leiterplatten wurde durch das Brechen, das einem lediglich Ritzen durch Laser nachfolgte, bereits ebenso eine partielle Vorschädigung gegeben.
Erst bei den nachfolgenden Hochdruckbehandlungen wurde beim klassischen Niedertemperatursintern ein störendes Risswachstum bis hin zur Zerstörung des Bauelementes beobachtet. Für einige nicht planare Bauelemente ist das Niedertemperatursintern wegen der Bauteilesprödheit und schwieriger dreidimensionaler Formgebungen (z. B. SMD-Widerstände und SMD-Kondensatoren) direkt zerstörend und daher steht dem Sintern dieser Anwendungsbereiche bisher nicht offen.
Durch das erfindungsgemäße Vorgehen ergeben sich nun drei Vorteile gegenüber dem Stand der Technik:
• Das Platzieren und Fixieren des elektronischen Bauelementes geschieht durch geringe Kräfte, die gerade geeignet sind, das Bauteil am gewünschten Ort auf dem Schaltungsträger zu halten.
• Das Fixieren und das Sintern sind dabei getrennte Vorgänge. Das Fixieren erfolgt überwiegend durch eine Verkrallung in der Oberfläche der Fügepartner bzw. der Silber-Fügeschichten.
• Das nachfolgende Sintern erfolgt drucklos in einem Wärmeofen bei Temperaturen zwischen 170°C bis 300°C, kann also ggf. in einer Transportstraße für Bauelemente einfach eingefügt werden. • Zur Förderung der Sinterqualität kann die Atmosphäre für bestimmte Metallsuspensionsschichten optional mit einem inerten oder reaktiven Gas eingestellt werden. Als inertes Gas eignet sich z.B. Stickstoff und als reaktives Gas kann Formiergas oder mit- Ameisensäure gesättigtes Inertgas eingesetzt werden.
Dabei muss man sich das Verkrallen bei der Fixierung vorstellen wie das Ineinan- derverkrallen von Schneekristallen beim Rollen von Schneemannkugeln. Durch die raue Oberfläche und die Möglichkeit der Verdichtung ergibt sich die Verkrallung, ohne dass die Schichtdicke wesentlich abnimmt.
Weitere Vorteile und Merkmale der Erfindung ergeben sich aus nachfolgender Beschreibung eines bevorzugten Ausführungsbeispiels anhand einer beigefügten Zeichnung. Dabei zeigt :
Fig. 1 ein metallisiertes Bauelement, das über einer vorbeschichteten und getrockneten Metallsuspensionsschicht platziert ist,
Fig. 2 die Elemente der Fig. 1, die durch geringen Druck miteinander fixiert sind
Fig. 3 die Elemente der Fig. 2 nach einem drucklosen Temperierschritt, der für eine bevorzugt vollständige Volumensinterung sorgt,
Fig. 4 ein unter- und weiter noch oberseitig metallisiertes Bauelement über einer zuvor aufgetragenen und getrockneten Metallsuspensionsschicht wie in Fig. 1,
Fig. 5 die Elemente der Fig. 4, die durch geringen Druck miteinander fixiert sind und eine darüber - noch separat angeordnete - Kontaktlasche,
Fig. 6 die Elemente der Fig. 5, wobei durch geringen Druck auch die Kontakt- lasche mit den anderen Elementen fixiert ist, und Fig. 7 die Elemente der Fig. 6 nach einem drucklosen Temperierschritt, der für eine bevorzugt vollständige Volumensinterung aller fixierten Kontaktpositionen sorgt
Schritt 1:
Ein Substratmaterial bzw. eine Chip Rückseite, oder in einer bevorzugten Ausführungsform auf beide zu fügende Oberflächen, wird durch bevorzugt mit einem Schablonendrucker eine Silberpartikel enthaltenen Schicht in gleichmässiger Schichtdicke aufgebracht. Dieses geschieht selektiv an den Stellen, an denen das Bauelement platziert werden soll bzw., wenn auf den Chip aufgebracht wird, voll- flächig. Andere Aufbringungstechniken, insbesondere das Sprühen, sind denkbar. Ein Tauchen oder Spin-on einer Silberpartikellösung dagegen würde Probleme mit einer schichtdicken Varianz mit sich bringen.
Schritt 2:
Nach dem Auftrag wird die Schicht getrocknet und so von den flüchtigen organischen Bestandteilen befreit. Dabei unterstützen Temperaturen von bis zu 1500C den Prozess, um hohe Taktraten zu gewährleisten. Die hierdurch erzeugte getrocknete Schicht weist eine große Porosität und eine große Rauhigkeit auf.
Würde auf diesen Schritt verzichtet werden und sogenanntes „Nassaufbringen" erfolgen, wäre zu befürchten, dass die dann noch mobilen Silberpartikel in der Lösungsmittelsuspension beim Ausgasen sich noch bewegen würden und sich Kanäle zum Austrag des Lösungsmittels in der Schicht bilden würden. Diese Kanäle wären als Beginn von Mikrorissen äußerst unerwünscht. Daher ist das vollständige Trocknen der Schicht ein wesentlicher Bestandteil des Verfahrens unabhängig davon, ob die Metallsuspensionen mit thermisch sich aktivierenden Bestandteilen versehen sind oder nicht. Bevorzugt jedoch werden derartige Zusammensetzungen gewählt, die bei einer Trocknungstemperatur von 150°C noch nicht zusätzliche exothermi- sche Energie lokal freisetzen, sondern dies erst bei der wesentlich höheren Temperatur von beispielsweise 25O0C tun, weil sie erst durch diese hohen Temperaturen aktiviert werden. In Abstimmung auf die gewählte Zusammensetzung der Metallpulversuspension kann die Trocknungstemperatur zur Beschleunigung des Prozesses so hoch gewählt sein, dass eine vorzeitige (noch) Versinterung unterbleibt.
Schritt 3:
Das elektrotechnische Bauelement wird von einer Bauelement Greif- und Absetzvorrichtung an die vorbestimmte Position gebracht und einseitige oder beidseitige Silberschichten, die auf die Bauteile aufgebracht werden, werden durch die beim Auftrag erfolgende Kraftaufbringung ineinander gedrückt und miteinander verkrallt. Dies ist ein kurzer 0,1 bis 3 Sekunden dauernder Platzierprozess, wobei die erforderliche Kraft nur so groß ist, dass die raue Oberfläche umgeformt wird und sich gegenseitig verkrallt. Die Halterung durch Verkrallen muss dabei nicht den Anforderungen für späteren Einsatz genügen sondern lediglich nur so stark sein, dass während des Fortbewegungsprozesses in der Herstellung die Bauelemente nicht mehr verrutschen.
Wie zuvor schon am Beispiel von Schnee illustriert, ist durch die zweidimensionale Verkrallung der rauen getrockneten Metallschicht in einer Silber- oder Goldoberfläche eine einfache Haftung vorgesehen. In gleicher Weise haftet ein Schneeball an einer Zementwand oder eben der Schnee in sich, wenn ein Schneeball geformt wird.
Falls an dieser Stelle die Haftung nicht bei Raumtemperatur ausreichend ist, kann durch eine Erhöhung der Temperatur wieder bis auf beispielsweise 150°C die Haftung verbessert werden. Dies wäre im Beispiel „Schnee" einem feuchten Schnee gleichzusetzen.
Schritt 4: hi einem vierten Schritt wird das so fixierte Bauelement schließlich einem nachfolgenden Wärmeprozess ohne weiteren Druck ausgesetzt, wobei eine Diffusion der Silberatome in die Grenzfläche des Fügepartners und umgekehrt stattfindet, so dass sich die erwünschte hochtemperatur- und temperaturwechselfeste, für Kraftfahr- zeuganwendungen auch über viele Jahre stabile Verbindung ergibt.
In Fig. 1 ist ein mit üblichen Verfahren vor-metallisiertes Bauelement dargestellt, das über einer z.B. mit ca. 50 Mikrometer vorbeschichteten und bei einer Tempera- tur von weniger als 140°C für wenige Minuten (bevorzugt 1-3 min) getrockneten Metallsuspensionsschicht platziert ist. Ein geeignete Vorverdichtung der Schicht, um diese besser lagern zu können, und Abrieb zu vermeiden, kann vor dem Fixieren des Bauelementes schon an der Schicht erfolgt sein.
Weiter kann in einer Variante an einem der Verbindungspartner eine auf gleiche oder ähnliche Weise erzeugte Schicht - nur um diese als gleichartig zur einer Vormetallisierung zu verwenden - auch schon ausgesintert sein. Es reicht, wenn eine Schicht noch aus lediglich getrockneter, nicht versinterter Paste/Suspension besteht.
Dann werden die Elemente (siehe Fig. 2), durch geringen Druck miteinander fixiert sind. Dabei kann ein Druck von 1 - 10 MPa, bevorzugt 2 - 6MPa und hierin weiter bevorzugt für eine Sekunde mit weniger als 5 MPa ausgeübt werden.
Fig. 3 zeigt die Elemente der Fig.. 2 nach einem drucklosen Temperierschritt, bei pastenabhängigen Temperaturen von typischerweise mehr als 2300C, der für eine bevorzugt vollständige Volumensinterung sorgt. Reaktive Prozessgase können eine Versinterung beschleunigen.
Fig. 4 bis 7 zeigen, wie stellvertretend für viele mögliche Elemente, eine Kontaktlasche durch geringen Druck mit der Baugruppe auf gleiche Weise fixiert wird.
hi sehr vorteilhafter Weise wird durch geringen Druck auf die Kontaktlasche diese bereits transportfest mit den anderen Elementen fixiert, und kann schließlich mit einem dracklosen Temperierschritt, der für eine bevorzugt vollständige Volumensinterung aller fixierten Kontaktpositionen (z.B. auch vieler Kontaktlaschen) sorgt, die erwünschte hochtemperatur- und temperaturwechselfeste, über viele Jahre stabile Verbindung erhalten (Fig. 7).
Das erfmdungsgemäße Verfahren zur Schaffung einer hochtemperatur- und tempe- raturwechselfesten Verbindung eines Baugruppen-Halbleiters und eines Halbleiterbausteins mit einem temperaturbeaufschlagenden Verfahren, bei dem auf die Bereiche der später zu verbindenden einzelnen Halbleiter-Bausteine eine Metallpulversuspension aufgebracht wird, die Suspensionsschicht unter Ausgasen der flüchtigen Bestandteile und unter Erzeugung einer porösen Schicht getrocknet wird, anschließend die poröse Schicht vorverdichtet wird, ohne dass eine vollständige, die Sus- pensionsschicht durchdringende Versinterung stattfindet, wobei zur Erlangung einer festen elektrisch und thermisch gut leitenden Verbindung eines Halbleiter-Bausteins auf einem Verbindungspartner aus der Gruppe : Substrat, weiterem Halbleiter oder Schaltungsträger, die Verbindung eine ohne Pressdruck durch Temperaturerhöhung erzeugte Sinterverbindung ist, die aus einer getrockneten Metallpulversuspension besteht, die in einem Vorverdichtungsschritt mit dem Verbindungspartner einen ersten transportfesten Kontakt mit dem Verbindungspartner erfahren hat, und drucklos unter Temperaturaussinterung verfestigt wurde kann in einer bevorzugten Ausführungsform daurch erweitert werden, dass mehr als eine Seite eines Verbindungspartners mit Metallsuspensionsauftrag versehen wird.
Weiter kann zur Förderung der Sinterqualität die Atmosphäre (in einer abgeschlossenen Kammer) während der Erhitzung mit einem inerten oder reaktiven Gas angereichert werden. Das inerte Gas kann bevorzugt Stickstoff als Hauptbestandteil enthalten. Als reaktives Gas wird ein solches mit einem überwiegenden Bestandteil von Formiergas vorgeschlagen.

Claims

Patentansprüche
1. Verfahren zur Schaffung einer hochtemperatur- und temperaturwech- selfesten Verbindung eines Baugruppen-Halbleiters und eines Halbleiterbausteins mit einem temperaturbeaufschlagenden Verfahren, bei dem
auf die Bereiche der später zu verbindenden einzelnen Halbleiter-Bausteine eine Metallpulversuspension aufgebracht wird,
die Suspensionsschicht unter Ausgasen der flüchtigen Bestandteile und unter Erzeugung einer porösen Schicht getrocknet wird,
die poröse Schicht vorverdichtet wird, ohne dass eine vollständige, die Suspensionsschicht durchdringende Versinterung stattfindet,
dadurch gekennzeichnet, dass
zur Erlangung einer festen elektrisch und thermisch gut leitenden Verbindung eines Halbleiter-Bausteins auf einem Verbindungspartner aus der Gruppe : Substrat, weiterem Halbleiter oder Schaltungsträger, die Verbindung eine ohne Pressdruck durch Temperaturerhöhung erzeugte Sinterverbindung ist, die aus einer getrockneten Metallpulversuspension bestellt, die in einem Vorverdichtungsschritt mit dem Verbindungspartner einen ersten transportfesten Kontakt mit dem Verbindungspartner erfahren hat, und drucklos unter Temperaturaussinterung verfestigt wurde.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass mehr als eine Seite eines Verbindungspartners mit Metallsuspensionsauftrag versehen werden.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass zur Förderung der Sinterqualität die Atmosphäre mit einem inerten oder reaktiven Gas angereichert ist.
4. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass zur Förderung der Sinterqualität die Temperaturaussinterung unter Stickstoff stattfindet.
5. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass zur Förderung der Sinterqualität die Trocknung unter Formiergas stattfindet.
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