WO2010087345A1 - Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランクの製造方法 - Google Patents

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WO2010087345A1
WO2010087345A1 PCT/JP2010/050985 JP2010050985W WO2010087345A1 WO 2010087345 A1 WO2010087345 A1 WO 2010087345A1 JP 2010050985 W JP2010050985 W JP 2010050985W WO 2010087345 A1 WO2010087345 A1 WO 2010087345A1
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dielectric layer
electrostatic chuck
layer
film
glass substrate
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木下　健
博利 伊勢
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旭硝子株式会社
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    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • G—PHYSICS
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    • G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
    • G03F1/24—Reflection masks; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/707—Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details
    • G03F7/70708—Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details being electrostatic; Electrostatically deformable vacuum chucks

Definitions

  • the present invention relates to a method of manufacturing a reflective mask blank for EUV (Extreme Ultra Violet) lithography (hereinafter referred to as “EUV mask blank” in the present specification) used in semiconductor manufacturing or the like.
  • EUV mask blank Extreme Ultra Violet
  • EUV lithography which is an exposure technique using EUV light having a wavelength shorter than that of an ArF laser, is promising as an exposure technique for 45 nm and beyond.
  • EUV light refers to light having a wavelength in the soft X-ray region or vacuum ultraviolet region, and specifically refers to light having a wavelength of about 10 to 20 nm, particularly about 13.5 nm ⁇ 0.3 nm.
  • EUV light is easily absorbed by all substances and has a refractive index close to 1, so that a conventional refractive optical system such as photolithography using visible light or ultraviolet light cannot be used. For this reason, in the EUV light lithography, a reflective optical system, that is, a reflective photomask and a mirror are used.
  • the mask blank is a laminate before patterning for manufacturing a photomask.
  • a reflective layer that reflects EUV light and an absorption layer that absorbs EUV light are formed on a glass substrate in this order.
  • the reflective layer by alternately laminating high refractive layers and low refractive layers, the light reflectance when irradiating the surface of the layer with light rays, more specifically, the light rays when irradiating the layer surface with EUV light.
  • a multilayer reflective film with an increased reflectivity is usually used.
  • the absorption layer a material having a high absorption coefficient for EUV light, specifically, a material mainly composed of Cr or Ta, for example, is used. (For example, see Patent Documents 2 and 3.)
  • the multilayer reflective film and the absorption layer are formed on the optical surface of the glass substrate using an ion beam sputtering method or a magnetron sputtering method.
  • the glass substrate is held by a holding means.
  • a glass substrate holding means there are a mechanical chuck and an electrostatic chuck. From the problem of dust generation, suction holding by an electrostatic chuck is preferably used.
  • the electrostatic chuck chucking method is roughly divided into a monopolar method and a bipolar method.
  • the monopolar type holds a mechanism for applying a monopolar voltage, and adsorbs the substrate with plasma or the like as a ground.
  • the bipolar type holds a mechanism for applying a voltage to the positive and negative electrodes simultaneously in the electrostatic chuck, or holds a single electrode and a grounding mechanism to hold the substrate even if there is no earth such as plasma. Is possible.
  • an electrostatic chuck is used as a means for attracting and holding a glass substrate, the glass substrate that is the object to be attracted and held is an insulator with a few exceptions, so that it becomes a bipolar electrostatic chuck. There are many.
  • the electrostatic chuck uses a Coulomb force type that absorbs the electric charge generated between the substrate and the electrostatic chuck due to the difference in the dielectric material, the current leaked from the dielectric film in addition to the electric charge, and the minute uneven distance on the electrode surface. It is roughly divided into Johnson-Rahbek force type using the adsorption force generated from the difference. Since the Coulomb force type has a small leakage current, there is a merit that damage and damage to the substrate due to the conduction current can be reduced. However, there is a demerit that the applied voltage is larger than that of the Johnson Rabeck force type. In the bipolar type, in addition to the above-described adsorption mechanism, the electrode arrangement generates a gradient force that is drawn from a weak field strength to a strong one. This is called dielectric attraction.
  • the glass substrate used in the EUV mask blank manufacturing process is much stronger than a silicon wafer electrostatic chuck because it is much larger in size and mass than a silicon wafer used in a semiconductor device manufacturing process. It is required to exhibit the adsorption power. Therefore, in the case of the electrostatic chuck used for the purpose of attracting and holding the glass substrate, it is necessary to exert a strong attracting force due to the gradient force.
  • Patent Document 1 proposes an electrostatic chuck that can hold a glass substrate with a strong adsorption force by effectively generating a gradient force.
  • Patent Document 1 as another problem when a glass substrate is held by an electrostatic chuck, minute particles and other foreign matters generated when the substrate is damaged are sandwiched between the substrate and the electrostatic chuck. If adsorbed, the force may damage the surface of the dielectric layer that forms the chuck surface, resulting in problems such as flatness of the dielectric layer or poor electrical insulation.
  • the electrostatic chuck described in Patent Document 1 the chucking force of the electrostatic chuck is increased by allowing the substrate to be attracted to be placed immediately above the electrode, and the electrode has excellent wear resistance.
  • conductive ceramics such as titanium oxide, titanium nitride, or titanium nitride or titanium carbide, durability due to contact with the substrate to be adsorbed and robustness against foreign matters such as particles can be maintained. Are listed.
  • Patent Document 1 when an electrode made of a ceramic material is used as a chuck surface and a glass substrate is adsorbed on the chuck surface, foreign substances such as particles are present between the glass substrate and the chuck surface. When sandwiched, scratches are generated on the surface of the glass substrate and / or on the chuck surface, and further particles are generated. At this time, the scratches generated on the chuck surface are the origin of continuously transferring the scratches to the glass substrate to be contacted thereafter, and greatly reduce the generation of dust. In Patent Document 1, it is described that the strength against foreign substances such as particles can be maintained, but in reality, the surface of the glass substrate is obtained by interposing foreign substances such as particles between the glass substrate and the chuck surface.
  • a method for manufacturing EUV mask blanks in which the occurrence of scratches on the glass substrate surface and the chuck surface due to the inclusion of foreign matter such as particles between the electrostatic chuck and the glass substrate is suppressed.
  • the purpose is to provide.
  • the present invention provides a glass substrate that is held by suction using an electrostatic chuck, and a reflective layer that reflects EUV light on the glass substrate by a sputtering method, and an absorption layer that absorbs EUV light.
  • a reflective mask blank for EUV lithography (EUVL) that forms at least in this order,
  • the electrostatic chuck has, on the main body, a lower dielectric layer made of an organic polymer film, an electrode portion made of a conductive material, and an upper dielectric layer made of an organic polymer film in this order.
  • a method for manufacturing a reflective mask blank for EUVL comprising a positive electrode and a negative electrode.
  • the present invention provides a reflective layer that absorbs EUV light on the glass substrate, and absorbs EUV light on the reflective layer by a sputtering method.
  • a method of manufacturing a reflective mask blank for EUV lithography (EUVL) for forming When forming at least the reflective layer and the absorbing layer, the electrostatic chuck is formed on the adsorption surface side of the glass substrate of the main body, a lower dielectric layer made of an organic polymer film, an electrode portion made of a conductive material, and an organic An EUVL reflective mask blank manufacturing method is provided, which has an upper dielectric layer made of a polymer film in this order, and the electrode section includes a positive electrode and a negative electrode.
  • the lower dielectric layer of the electrostatic chuck may include two or more organic polymer films.
  • the upper dielectric layer of the electrostatic chuck may include two or more organic polymer films.
  • the lower dielectric layer and the upper dielectric layer of the electrostatic chuck have a dielectric breakdown voltage of 3.0 kV or more.
  • the lower dielectric layer and the upper dielectric layer of the electrostatic chuck have a tensile strength of 50 MPa or more.
  • the lower dielectric layer and the upper dielectric layer of the electrostatic chuck have a tensile elongation of 40% or more.
  • the lower dielectric layer and the upper dielectric layer of the electrostatic chuck have a tensile modulus of 1.0 GPa or more.
  • the lower dielectric layer and the upper dielectric layer of the electrostatic chuck are formed of a polyimide film, a polyolefin-based material film, a silicone film, a polyvinyl chloride film, and polyethylene. It is preferable to include at least one organic polymer film selected from the group consisting of terephthalate films.
  • the thickness of the lower dielectric layer of the electrostatic chuck is at least twice the thickness of the upper dielectric layer.
  • the thickness of the upper dielectric layer of the electrostatic chuck is preferably 10 to 500 ⁇ m.
  • the electrostatic chuck has a protrusion on the suction surface side of the upper dielectric layer for reducing the contact area with the glass substrate held by suction. It is preferable.
  • the protrusion is preferably formed by uneven processing on the surface of the upper dielectric layer such as etching, and the thickness of the upper dielectric layer after the uneven processing is preferably 10 to 500 ⁇ m.
  • the height of the protrusion of the electrostatic chuck is preferably 5 to 25 ⁇ m.
  • the total contact area of the protrusions of the electrostatic chuck with the glass substrate to be attracted and held is 0.1 to 25 of the surface area of the upper dielectric. 0.0% is preferable.
  • the positive electrode and the negative electrode of the electrostatic chuck each have a comb-shaped shape, and the comb teeth are adjacent to each other with a gap therebetween. It is preferable that they are arranged as described above.
  • the thickness of the electrode portion of the electrostatic chuck is 10 ⁇ m or less.
  • a conductive film is provided on the surface of the glass substrate that is attracted and held by the electrostatic chuck.
  • the EUV mask blank manufacturing method of the present invention it is possible to suppress the occurrence of scratches on the glass substrate surface and the chuck surface due to foreign matters such as particles being sandwiched between the electrostatic chuck and the glass substrate.
  • the electrostatic chuck used for adsorbing and holding the glass substrate has sufficient plasticity and strength from the upper dielectric layer to the lower dielectric layer, there is no possibility that these structures that exert the adsorbing force are damaged.
  • the electrostatic chuck can be operated at a voltage that does not impair the stable operation of the apparatus.
  • the location where foreign particles such as particles are sandwiched between the electrostatic chuck and the glass substrate is limited to the convex portion, and scratches due to the sandwich are generated. Can be suppressed.
  • FIG. 1 is a side view showing one configuration example of an electrostatic chuck used in the method for manufacturing EUV mask blanks of the present invention.
  • FIG. 2 is a plan view of the electrostatic chuck 10A shown in FIG.
  • FIG. 3 is a side view showing another configuration example of the electrostatic chuck of the present invention.
  • 4 is a plan view of the electrostatic chuck 10B shown in FIG.
  • FIG. 5 is a side view showing a state in which the glass substrate is sucked and held using the electrostatic chuck 10A shown in FIG.
  • FIG. 1 is a side view showing one configuration example of an electrostatic chuck used in the method for manufacturing EUV mask blanks of the present invention.
  • An electrostatic chuck 10A shown in FIG. 1 includes a lower dielectric layer 3 made of an organic polymer film, an electrode portion 2 made of a conductive material, and an organic polymer film on the main body 11, that is, on the suction surface side of the main body.
  • the upper dielectric layer 1 is provided in this order.
  • the main body 11 in the electrostatic chuck 10A is not particularly limited, and can be appropriately selected from known structures as the main body (or base material or base) of the electrostatic chuck.
  • a known structure include, for example, aluminum oxide (Al 2 O 3 ), yttria oxide (Y 2 O 3 ), silicon oxide (SiO 2 ), zirconium oxide (ZrO 2 ), magnesium oxide (MgO). ), mullite (or body of 3Al 2 O 3 ⁇ 2SiO 2) excellent ceramic material insulating the like, aluminum, molybdenum, tungsten, steel, stainless steel, brass, on a metal material made of the base material, such as nickel, A main body provided with an insulating layer may be mentioned. Examples of the constituent material of the insulating layer provided on the base material made of a metal material include the above ceramic materials.
  • Electrode part As the material constituting the electrode portion, a material having excellent conductivity, specifically, a material having a volume resistivity value of 5 ⁇ 10 ⁇ 6 ⁇ m or less is used. Among materials satisfying this requirement, a metal material excellent in conductivity, specifically, gold, copper, and aluminum can thin the electrode portion, and an electrode pattern having a desired shape can be obtained by a procedure described later. Is preferable because it is easy to form. Among these, gold and copper are more preferable because they are excellent in conductivity, and copper is particularly preferable because they are inexpensive.
  • the electrode part is a bipolar electrostatic chuck including a positive electrode and a negative electrode.
  • the electrode pattern formed by the positive electrode and the negative electrode is not particularly limited, and various electrode patterns known in the field of bipolar electrostatic chucks can be selected.
  • each of the positive electrode and the negative electrode is combed as in the electrostatic chuck described in Patent Document 1, for example. It is preferable to have an electrode pattern (see FIG. 2) that has a tooth shape and is arranged such that the comb teeth are adjacent to each other with a gap therebetween.
  • FIG. 2 is a plan view of the electrostatic chuck 10A shown in FIG. 1, and a preferred electrode pattern is shown as a perspective view.
  • reference numerals 22 and 23 denote holes penetrating the lower dielectric layer and the main body, and external power supply terminals (not shown) for connecting the positive electrode and the negative electrode to an external power supply. Is attached.
  • each part of the electrode pattern are not particularly limited, and can be appropriately selected according to the dimensions of the electrostatic chuck.
  • the diameter of the chuck surface is 13 cm
  • the width of the comb-shaped mold existing near the outer edge of the chuck surface is 5 mm
  • the height is 7 mm
  • the band-shaped portion constituting the comb-shaped mold The width is 1 mm.
  • the thickness of the electrode part is preferably 10 ⁇ m or less.
  • the thickness of an electrode part is 2 micrometers or less, More preferably, it is 1 micrometer or less.
  • the thickness of the electrode portion is less than 1 ⁇ m, the dielectric breakdown voltage is lowered and the plasticity is reduced, so that the electrode portion is easily damaged during deformation.
  • the thickness of the electrode part is preferably 0.1 ⁇ m or more, more preferably 0.3 ⁇ m or more, and further preferably 0.5 ⁇ m or more. In order to ensure flatness and uniformity of electrical resistance, it is preferable that the thickness variation in the electrode portion is within ⁇ 10% of the average thickness of the electrode portion.
  • the method for forming the electrode portion is not particularly limited, and a suitable method may be appropriately selected according to the material constituting the electrode portion and the electrode pattern.
  • a suitable method may be appropriately selected according to the material constituting the electrode portion and the electrode pattern.
  • the electrode pattern shown in FIG. 2 is formed using copper as a constituent material, a thin film of copper having a desired thickness is formed on the lower dielectric layer 3 by sputtering, and then the desired electrode pattern is formed by etching. Can be processed.
  • the electrode pattern can also be formed by performing sputtering in a state where a mask having a desired shape is disposed on the lower dielectric layer 3.
  • the electrostatic chuck 10A has a sandwich structure in which the electrode portion 2 is sandwiched between a lower dielectric layer 3 and an upper dielectric layer 1 made of an organic polymer film.
  • the dielectric layer formed on the electrode and forming the chuck surface is composed of an organic polymer film.
  • the thickness of the dielectric layer formed on the electrode is increased.
  • the thickness of the dielectric layer is limited because the attractive force decreases.
  • foreign matter such as particles is sandwiched between the electrostatic chuck and the glass substrate, exposure of the foreign matter to the interface between the glass substrate and the dielectric layer cannot be suppressed due to the flexibility of the dielectric layer. The effect of suppressing scratches caused by foreign substances could not be exhibited.
  • the upper dielectric layer 1 has a thickness restriction as in the conventional electrostatic chuck, but the lower dielectric layer 3 and the upper dielectric layer 1 in which the electrode portion 2 is made of an organic polymer film. It has a sandwich structure sandwiched between.
  • the flexibility of the lower dielectric layer 3 and the upper dielectric layer 1 minimizes the exposure of foreign matter to the interface between the glass substrate and the dielectric layer, so that the damage caused by the foreign matter can be prevented without reducing the attractive force. An inhibitory action can be exhibited.
  • the thickness of the lower dielectric layer 3 is increased, the attracting force of the electrostatic chuck does not decrease. Therefore, by increasing the thickness of the lower dielectric layer 3, the effect of suppressing flaws caused by foreign matters can be more effectively achieved. It can be demonstrated.
  • the upper dielectric layer 1 and the lower dielectric layer 3 are shown as a single layer (organic polymer film), but are not limited to this, and each of them is composed of two or more organic polymer films. Also good.
  • the individual organic polymer films may have different functions.
  • the upper dielectric layer is composed of two layers of organic polymer film, and the organic polymer film on the side in contact with the electrode part is an organic polymer film having excellent adhesiveness, and improves the adhesion with the electrode part,
  • the organic polymer film on the side forming the chuck surface can also enhance the effect of suppressing flaws caused by foreign matter as an organic polymer film having excellent flexibility.
  • the lower dielectric layer is composed of three organic polymer films, and the organic polymer film on the side in contact with the electrode part and the organic polymer film on the side in contact with the main body are organic polymer films excellent in adhesiveness.
  • the adhesion between the electrode portion and the main body can be improved, and the organic polymer film between the two can be enhanced as an organic polymer film having excellent flexibility to suppress the damage caused by foreign matter.
  • the organic polymer film constituting the upper dielectric layer 1 and the lower dielectric layer 3 preferably satisfies the following characteristics.
  • the upper dielectric layer 1 and the lower dielectric layer 3 are required not to break down by applying a high voltage when an electrostatic chuck is used.
  • the upper dielectric layer 1 and the lower dielectric layer 3 preferably have a dielectric breakdown voltage of 3.0 kV or more, more preferably 5.0 kV or more, and even more preferably 6.0 kV or more.
  • each of the organic polymer films constituting each layer has a dielectric breakdown voltage as described above. It is preferable.
  • the organic polymer film constituting the upper dielectric layer 1 forming the chuck surface When the organic polymer film constituting the upper dielectric layer 1 forming the chuck surface is damaged by rubbing against the glass substrate attracted and held by the electrostatic chuck, it becomes a source of particles.
  • the molecular film is required to have sufficient strength against rubbing with the glass substrate adsorbed and held by the electrostatic chuck.
  • the organic polymer film constituting the upper dielectric layer 1 preferably has a tensile strength of 50 MPa or more, more preferably 200 MPa or more, and even more preferably 400 MPa or more.
  • the organic polymer film constituting the upper dielectric layer 1 preferably has a tensile elongation of 20% or more, more preferably 30% or more, and preferably 40% or more. Further preferred.
  • the organic polymer films constituting each layer When the upper dielectric layer 1 is composed of two or more organic polymer films, it is preferable that the organic polymer films constituting each layer have the above-described tensile
  • the organic polymer film constituting the lower dielectric layer 3 is also required to have sufficient tensile strength and tensile elongation so as not to be damaged when the electrostatic chuck is used. For this reason, the organic polymer film constituting the lower dielectric layer 3 preferably has a tensile strength of 50 MPa or more, more preferably 200 MPa or more, and even more preferably 400 MPa or more. Further, the organic polymer film constituting the lower dielectric layer 3 preferably has a tensile elongation of 20% or more, more preferably 30% or more, and further preferably 40% or more. In addition, when the lower dielectric layer 1 is composed of two or more organic polymer films, it is preferable that the organic polymer films constituting each layer have the tensile strength and the tensile elongation as described above.
  • the organic polymer film constituting the upper dielectric layer 1 and the lower dielectric layer 3 is required to have flexibility in order to exert an effect of suppressing scratches caused by foreign matters.
  • the upper dielectric layer 1 forming the chuck surface has elasticity in order to improve the adhesion to the glass substrate to be adsorbed and held, and in order to prevent the foreign matter caught in the layer from being exposed to the interface with the glass substrate. It is also required to have plasticity. Therefore, the organic polymer film constituting the upper dielectric layer 1 and the lower dielectric layer 3 preferably has a tensile elastic modulus of 1.0 GPa or more, more preferably 3.0 GPa or more, and 7.5 GPa or more. More preferably. When the upper dielectric layer 1 and / or the lower dielectric layer 3 is composed of two or more organic polymer films, each of the organic polymer films constituting each layer has a tensile elastic modulus as described above. It is preferable.
  • organic polymer film satisfying the above characteristics examples include polyimide film, polyolefin material film such as polyethylene and polypropylene, silicone film, polyvinyl chloride film, and polyethylene terephthalate film.
  • a polyimide film is preferable because it is excellent in any of the above characteristics.
  • the electrostatic chuck 10A exhibits an action of suppressing scratches caused by foreign matters by forming a sandwich structure in which an electrode portion is sandwiched between a lower dielectric layer and an upper dielectric layer made of an organic polymer film.
  • increasing the thickness of the lower dielectric layer does not decrease the electrostatic chuck's attractive force even if the thickness is increased. Since it can exhibit, it is preferable.
  • the thickness of the lower dielectric layer is preferably at least twice the thickness of the upper dielectric layer, more preferably at least three times, and more preferably at least 3.5 times.
  • the thickness of the lower dielectric layer is preferably 20 times or less, particularly 18 times or less than the thickness of the upper dielectric layer.
  • the thickness of the upper dielectric layer is preferably 500 ⁇ m or less, more preferably 100 ⁇ m or less, and even more preferably 50 ⁇ m or less.
  • the adsorption force increases as the thickness of the upper dielectric layer is reduced.
  • the thickness of the upper dielectric layer is preferably 10 ⁇ m or more, more preferably 15 ⁇ m or more, further preferably 20 ⁇ m, and further preferably 25 ⁇ m or more.
  • the thickness of the lower dielectric layer is preferably 50 ⁇ m or more from the viewpoint of exerting an effect of suppressing scratches caused by foreign matter, more preferably 80 ⁇ m or more, and further preferably 100 ⁇ m or more. As described above, even if the thickness of the lower dielectric layer is increased, the attractive force of the electrostatic chuck does not decrease. However, if the thickness of the lower dielectric layer is too large, the flatness of the lower dielectric layer may be decreased. . As described above, since the electrode portion is preferably a thin film having a thickness of 10 ⁇ m or less, if the flatness of the lower dielectric layer, which is the lower layer of the electrode portion, is reduced, the electrode portion is deformed and the function of the electrostatic chuck is adversely affected. May occur.
  • the thickness of the lower dielectric layer is preferably 500 ⁇ m or less, more preferably 300 ⁇ m or less, and even more preferably 200 ⁇ m or less.
  • the flatness of the chuck surface of the electrostatic chuck is preferably 5 ⁇ m or less, more preferably 3 ⁇ m or less, and even more preferably 2 ⁇ m or less.
  • the flatness of the chuck surface can be measured using, for example, a three-dimensional measuring machine.
  • the thickness distribution (difference between the maximum value and the minimum value) of both the lower dielectric layer and the upper dielectric layer is 5 ⁇ m or less.
  • the total thickness of the upper dielectric layer and the lower dielectric layer is 60 to 1000 ⁇ m to exert the effect of suppressing scratches caused by foreign matter and other characteristics required for the electrostatic chuck (adsorption force, chuck surface flatness) For example, it is preferably 65 to 1000 ⁇ m, more preferably 75 to 800 ⁇ m, further preferably 100 to 600 ⁇ m, and further preferably 150 to 500 ⁇ m.
  • the difference in thickness between the upper dielectric layer and the lower dielectric layer is preferably 50 to 800 ⁇ m, particularly preferably 100 to 300 ⁇ m, and the thickness of the lower dielectric layer is preferably larger than the thickness of the upper dielectric layer. .
  • the method for forming the lower dielectric layer on the main body and the method for forming the upper dielectric layer on the electrode part are not particularly limited. Since the lower dielectric layer and the upper dielectric layer are made of an organic polymer film, an organic polymer film having a desired thickness is prepared in advance, and the created film is used with an adhesive or by heat fusion. What is necessary is just to affix on a main body or an electrode part. Further, an organic polymer film may be directly formed on the main body or the electrode part.
  • FIG. 3 is a side view showing another configuration example of the electrostatic chuck used in the method for manufacturing EUV mask blanks of the present invention.
  • the electrostatic chuck 10B shown in FIG. 3 has a sandwich structure in which the electrode part 2 is sandwiched between the lower dielectric layer 3 and the upper dielectric layer 1 made of an organic polymer film.
  • the electrostatic chuck shown in FIG. Although the same as 10 ⁇ / b> A, the upper dielectric layer 1 has an uneven surface on the adsorption surface side and has a protrusion 5. By having this projection part 5, the contact area with the glass substrate attracted and held is reduced.
  • the height of the protrusions is preferably 5 ⁇ m or more, and more preferably 10 ⁇ m or more, in order to make the height significant for the flatness of the chuck body.
  • the height of the protrusion 5 is preferably 50 ⁇ m or less, more preferably 25 ⁇ m or less, and even more preferably 20 ⁇ m or less.
  • the number of protrusions is preferably 3 or more, and more preferably 5 or more.
  • the number of protrusions is preferably 15000 or less, and more preferably 4000 or less. It is preferable that the protrusions are formed substantially evenly on the adsorption surface of the upper dielectric layer.
  • the total area of contact between the protrusions and the glass substrate to be adsorbed and held is preferably 0.1 to 25%, particularly 0.5 to 5% of the surface area of the upper dielectric.
  • the protrusions are preferably formed by uneven processing on the surface of the upper dielectric layer, and specific examples include wet etching using hydrazine.
  • the back side of the glass substrate for EUV mask blanks (the back side with respect to the optical surface on which the reflective film and the absorption layer are formed) is adsorbed and held, but for EUV mask blanks.
  • this glass substrate it is also a problem that scratches occur on the back surface side of the glass substrate. Since the electrostatic chuck having the above-described configuration exhibits an effect of suppressing scratches caused by foreign matter, it is preferable for adsorbing and holding a glass substrate for EUV mask blanks, which has severe requirements for scratches on the back side.
  • EUV light is reflected on the glass substrate held by suction using the electrostatic chuck having the above-described configuration, more specifically, on the optical surface of the glass substrate by sputtering. And a reflecting layer that absorbs EUV light are formed at least in this order.
  • the glass substrate for EUV mask blanks is required to have a low thermal expansion coefficient.
  • the thermal expansion coefficient at 22 ° C. is preferably 0 ⁇ 0.1 ⁇ 10 ⁇ 7 / ° C., more preferably 0 ⁇ 0.05 ⁇ 10 ⁇ 7 / ° C., further preferably 0 ⁇ 0. 0.03 ⁇ 10 ⁇ 7 / ° C.).
  • glass having a low thermal expansion coefficient for example, SiO 2 —TiO 2 glass, crystallized glass or quartz glass in which a ⁇ -quartz solid solution is deposited, or the like is used for the glass substrate for the EUV mask blank.
  • the glass substrate for EUV mask blanks is required to be excellent in smoothness and flatness.
  • a smooth surface having a surface roughness (rms) of 0.15 nm or less and a flatness of 100 nm or less provide high reflectivity and transfer accuracy in a photomask after pattern formation.
  • a glass substrate for EUV mask blanks is required to have excellent resistance to a cleaning liquid used for cleaning mask blanks or photomasks after pattern formation.
  • the size, thickness and the like of the glass substrate for EUV mask blanks are appropriately determined depending on the design value of the mask.
  • a conductive film is formed on the back side of the glass substrate for EUV mask blanks.
  • the electrostatic chuck having the above-described configuration it is also possible to directly attract and hold a glass substrate on which the conductive film is not formed on the back surface side.
  • a glass substrate which is an insulator and is a dielectric
  • a high voltage needs to be applied, which may cause dielectric breakdown of the glass substrate.
  • a conductive film is formed on the back side of the glass substrate that is attracted and held by the electrostatic chuck.
  • the electrical conductivity and thickness of the constituent materials are selected so that the sheet resistance is 100 ⁇ / ⁇ or less.
  • the constituent material of the conductive film can be widely selected from those described in known literature. For example, a high dielectric constant coating described in JP-A-2003-501823, specifically, a coating made of silicon, TiN, molybdenum, chromium, or TaSi can be applied.
  • a high dielectric constant coating described in JP-A-2003-501823 specifically, a coating made of silicon, TiN, molybdenum, chromium, or TaSi can be applied.
  • the surface roughness of the conductive film surface is small, the adhesion to the chuck surface is excellent, and since the sheet resistance of the conductive film is low, the chucking force is excellent, so a CrN film is formed as the conductive film. Is preferred.
  • the thickness of the conductive film can be, for example, 10 to 1000 nm.
  • the conductive film can be formed using a known film formation method, for example, a sputtering method such as a magnetron sputtering method or an ion beam sputtering method, a CVD method, a vacuum evaporation method, or an electrolytic plating method.
  • the characteristic particularly required for the reflective layer of EUV mask blanks is high EUV light reflectance.
  • the maximum value of the light reflectance near the wavelength of 13.5 nm is preferably 60% or more, 65 % Or more is more preferable.
  • the maximum value of the light reflectance near the wavelength of 13.5 nm is preferably 60% or more, and more preferably 65% or more.
  • the reflective layer since a high EUV light reflectance can be achieved, a multilayer reflective film in which a high refractive layer and a low refractive index layer are alternately laminated a plurality of times is usually used.
  • the multilayer reflective film constituting the reflective layer Mo is widely used for the high refractive index layer, and Si is widely used for the low refractive index layer. That is, the Mo / Si multilayer reflective film is the most common.
  • the multilayer reflective film is not limited to this, and Ru / Si multilayer reflective film, Mo / Be multilayer reflective film, Mo compound / Si compound multilayer reflective film, Si / Mo / Ru multilayer reflective film, Si / Mo / Ru / A Mo multilayer reflective film and a Si / Ru / Mo / Ru multilayer reflective film can also be used.
  • each layer constituting the multilayer reflective film and the number of repeating units of the layer can be appropriately selected according to the film material to be used and the peak reflectance in the EUV wavelength region required for the multilayer reflective film.
  • a Mo / Si multilayer reflective film as an example, in order to obtain a multilayer reflective film having a peak reflectivity in the EUV wavelength region of 60% or more, a Mo layer having a film thickness of 2.3 ⁇ 0.1 nm and a film thickness of 4.
  • a Si layer of 5 ⁇ 0.1 nm may be laminated in this order so that the number of repeating units is 30 to 60.
  • each layer which comprises a multilayer reflective film so that it may become a desired film thickness using well-known film-forming methods, such as a magnetron sputtering method and an ion beam sputtering method.
  • a Mo target is used as a target and Ar gas (gas pressure 1.3 ⁇ 10 ⁇ 2 Pa to 2.7 ⁇ 10 ⁇ as a sputtering gas). 2 Pa)
  • an Mo film is formed to have a film thickness of 2.3 nm at an ion acceleration voltage of 300 to 1500 V and a film formation rate of 0.03 to 0.30 nm / sec.
  • the Mo / Si multilayer reflective film is formed by laminating the Mo film and the Si film for 40 to 50 periods.
  • the uppermost layer of the multilayer reflective film is preferably made of a material that is difficult to be oxidized.
  • the layer of material that is not easily oxidized functions as a cap layer for the reflective layer.
  • a Si layer can be exemplified.
  • the multilayer reflective film forming the reflective layer 12 is a Mo / Si multilayer reflective film
  • the uppermost layer can be made to function as a cap layer by making the uppermost layer an Si layer. In that case, the thickness of the cap layer is preferably 11 ⁇ 2 nm.
  • the characteristic particularly required for the absorption layer is that the EUV light reflectance is extremely low. Specifically, when the absorption layer surface is irradiated with light in the wavelength region of EUV light, the maximum light reflectance near a wavelength of 13.5 nm is preferably 0.5% or less, and is 0.1% or less. More preferably.
  • the material is composed of a material having a high EUV light absorption coefficient, and it is preferable that the material is mainly composed of tantalum (Ta).
  • Ta tantalum
  • Examples of such an absorption layer include those containing Ta, B, Si, and nitrogen (N) in the ratios described below (TaBSiN film).
  • B content 1 at% or more and less than 5 at%, preferably 1 to 4.5 at%, more preferably 1.5 to 4 at%.
  • Si content 1 to 25 at%, preferably 1 to 20 at%, more preferably 2 to 12 at%.
  • Ta content is preferably 50 to 90 at%, more preferably 60 to 80 at%.
  • N content is preferably 5-30 at%, more preferably 10-25 at%.
  • the absorption layer having the above composition has an amorphous crystal state and excellent surface smoothness.
  • the absorption layer having the above composition has a surface roughness of 0.5 nm rms or less.
  • the surface roughness of the absorption layer is large, the edge roughness of the pattern formed on the absorption layer increases, and the dimensional accuracy of the pattern deteriorates. Since the influence of edge roughness becomes more prominent as the pattern becomes finer, the surface of the absorption layer is required to be smooth. If the surface roughness of the absorbing layer surface is 0.5 nm rms or less, the absorbing layer surface is sufficiently smooth, and there is no possibility that the dimensional accuracy of the pattern will deteriorate due to the influence of edge roughness.
  • the surface roughness of the absorption layer surface is more preferably 0.4 nm rms or less, and further preferably 0.3 nm rms or less.
  • the etching rate when dry etching is performed using a chlorine-based gas as an etching gas is high, and the reflection layer (the buffer layer is formed when the buffer layer is formed on the reflection layer).
  • the etching selectivity with respect to the layer is 10 or more.
  • the etching selection ratio is preferably 10 or more, more preferably 11 or more, and further preferably 12 or more.
  • the thickness of the absorption layer is preferably 50 to 100 nm.
  • the absorption layer having the above-described configuration can be formed using a known film formation method such as a sputtering method such as a magnetron sputtering method or an ion beam sputtering method.
  • the absorption layer can be formed by the following methods (1) to (3). (1) Using the Ta target, B target and Si target, the absorption layer 15 is formed by discharging these individual targets simultaneously in a nitrogen (N 2 ) atmosphere diluted with Ar. (2) Using a TaB compound target and a Si target, an absorption layer is formed by simultaneously discharging these targets in an N 2 atmosphere diluted with Ar.
  • the target integrated with these three elements is discharged in an N 2 atmosphere diluted with Ar to form an absorption layer.
  • the composition of the formed absorption layer is controlled by adjusting the input power of each target. Can do.
  • the methods (2) and (3) are preferable from the viewpoint of avoiding unstable discharge and variations in film composition and film thickness, and the method (3) is particularly preferable.
  • Method using TaB compound target and Si target (2) Sputtering gas: Mixed gas of Ar and N 2 (N 2 gas concentration 3 to 80 vol%, preferably 5 to 30 vol%, more preferably 8 to 15 vol%.
  • Input power (for each target): 30 to 1000 W, preferably 50 to 750 W, more preferably 80 to 500 W
  • Deposition rate 2.0 to 60 nm / sec, preferably 3.5 to 45 nm / sec, more preferably 5 to 30 nm / sec
  • Sputtering gas Ar and N 2 mixed gas (N 2 gas concentration 3 to 80 vol%, preferably 5 to 30 vol%, more preferably 8 to 15 vol%.
  • various functional layers other than the reflective layer and the absorption layer may be formed.
  • Specific examples of such functional layers include inspection of a buffer layer and a mask pattern that are formed as necessary between the reflective layer and the absorbing layer in order to prevent the reflective layer from being damaged during patterning.
  • a low reflection layer (a low reflection layer in the wavelength range of the inspection light of the mask pattern) formed on the absorption layer as necessary for the purpose of improving the contrast at the time.
  • the buffer layer is provided for the purpose of protecting the reflective layer so that the reflective layer is not damaged by the etching process when the absorption layer is patterned by an etching process, usually a dry etching process. Therefore, as the material of the buffer layer, a material that is not easily affected by the etching process of the absorption layer, that is, the etching rate is slower than that of the absorption layer and is not easily damaged by the etching process is selected. Examples of the material satisfying this condition include Al and nitrides thereof, Ru and Ru compounds (RuB, RuSi, etc.), SiO 2 , Si 3 N 4 , Al 2 O 3 and mixtures thereof. Among these, Ru and Ru compounds (RuB, RuSi, etc.) and SiO 2 are preferable.
  • the buffer layer does not contain Ta and Cr for preventing an increase in film stress.
  • the content of Ta and Cr in the buffer layer is preferably 5 at% or less, particularly preferably 3 at% or less, and further preferably does not contain Ta and Cr.
  • the thickness of the buffer layer is preferably 1 to 60 nm, particularly 1 to 10 nm.
  • the buffer layer is formed using a known film formation method such as a magnetron sputtering method or an ion beam sputtering method.
  • a Ru film is formed by magnetron sputtering
  • a Ru target is used as a target
  • Ar gas gas pressure: 1.0 ⁇ 10 ⁇ 2 Pa to 10 ⁇ 10 ⁇ 1 Pa
  • an input voltage is 30 V. It is preferable to form a film at a thickness of 2 to 5 nm at a film thickness of 0.01 to 1500 V and a film formation rate of 0.02 to 1.0 nm / sec.
  • an inspection machine that normally uses light of about 257 nm as inspection light is used. That is, the difference in reflectance of light of about 257 nm, specifically, the reflectance between the surface exposed by removing the absorption layer by pattern formation and the surface of the absorption layer remaining without removal by pattern formation. Inspected by difference.
  • the former is the surface of the reflective layer (or the surface of the buffer layer formed on the reflective layer).
  • the difference in reflectance between the reflection layer surface (or the buffer layer surface formed on the reflection layer) and the absorption layer surface with respect to the wavelength of the inspection light is small, the contrast at the time of inspection deteriorates and accurate inspection cannot be performed. It will be.
  • the TaBSiN film described above as a suitable example of the absorption layer has extremely low EUV light reflectance, and has excellent characteristics as an absorption layer for EUV mask blanks. Is not necessarily low enough. As a result, the difference between the reflectance of the absorption layer surface in the wavelength range of the inspection light and the reflectance of the reflection layer surface (or the buffer layer surface formed on the reflection layer) is reduced, and sufficient contrast at the time of inspection is obtained. It may not be possible. If sufficient contrast at the time of inspection is not obtained, pattern defects cannot be sufficiently determined in mask inspection, and accurate defect inspection cannot be performed. By forming a low reflection layer in the wavelength region of the inspection light on the absorption layer, the contrast at the time of inspection becomes good.
  • the low reflection layer formed for such a purpose may have a maximum light reflectance of 15% or less in the wavelength range of the inspection light when the surface of the low reflection layer is irradiated with light in the wavelength range of the inspection light. Preferably, it is 10% or less, more preferably 5% or less. If the maximum light reflectance in the wavelength region of the inspection light is 15% or less, the contrast during the inspection is good.
  • the reflected light (reflected light in the wavelength range of the inspection light) on the reflective layer surface (or the buffer layer surface formed on the reflective layer) and the reflected light on the surface of the low reflective layer (the wavelength of the inspection light) And the contrast of the reflected light in the area) is 40% or more.
  • Contrast (%) ((R 2 ⁇ R 1 ) / (R 2 + R 1 )) ⁇ 100
  • R 2 is the reflectance (reflectance at the wavelength of the inspection light) at the surface of the reflective layer (or the surface of the buffer layer formed on the reflective layer)
  • R 1 is the reflectance at the surface of the low reflective layer ( The reflectance at the wavelength of the inspection light.
  • the contrast represented by the above formula is more preferably 45% or more, further preferably 60% or more, and particularly preferably 80% or more.
  • the low reflection layer is preferably made of a material whose refractive index at the wavelength of the inspection light is lower than that of the absorption layer, and its crystalline state is amorphous.
  • a low reflection layer include those containing Ta, B, Si and oxygen (O) in the ratios described below (low reflection layer (TaBSiO)).
  • low reflection layer examples include those containing Ta, B, Si, O and N in the ratios described below (low reflection layer (TaBSiON)).
  • the crystal state thereof is amorphous and the surface thereof is excellent in smoothness.
  • the surface roughness of the low reflective layer (TaBSiO), (TaBSiON) surface is 0.5 nm rms or less.
  • the surface of the absorption layer is required to be smooth in order to prevent deterioration of the dimensional accuracy of the pattern due to the influence of edge roughness. Since the low reflection layer is formed on the absorption layer, the surface thereof is required to be smooth for the same reason.
  • the surface roughness of the surface of the low reflection layer is 0.5 nm rms or less, the surface of the low reflection layer is sufficiently smooth, so that the dimensional accuracy of the pattern does not deteriorate due to the influence of edge roughness.
  • the surface roughness of the low reflection layer surface is more preferably 0.4 nm rms or less, and further preferably 0.3 nm rms or less.
  • the total thickness of the absorption layer and the low reflection layer is preferably 55 to 130 nm. Further, if the thickness of the low reflection layer is larger than the thickness of the absorption layer, the EUV light absorption characteristics in the absorption layer may be deteriorated. Therefore, the thickness of the low reflection layer may be smaller than the thickness of the absorption layer. preferable. Therefore, the thickness of the low reflection layer is preferably 5 to 30 nm, and more preferably 10 to 20 nm.
  • the low reflective layers (TaBSiO) and (TaBSiON) can be formed using a known film forming method such as a sputtering method such as a magnetron sputtering method or an ion beam sputtering method.
  • the low reflection layer (TaBSiO) can be formed by the methods 1) to (3).
  • a Ta target, B target and Si target a low reflective layer (TaBSiO) is formed by simultaneously discharging these individual targets in an oxygen (O 2 ) atmosphere diluted with argon (Ar). .
  • a TaB compound target and a Si target are used, and these targets are simultaneously discharged in an oxygen atmosphere diluted with argon to form a low reflective layer (TaBSiO).
  • the target integrated with these three elements is discharged in an oxygen atmosphere diluted with argon to form a low reflective layer (TaBSiO).
  • the composition of the low reflection layer (TaBSiO) formed by adjusting the input power of each target. Can be controlled.
  • the methods (2) and (3) are preferable from the viewpoint of avoiding unstable discharge and variations in film composition and film thickness, and the method (3) is particularly preferable.
  • the same procedure as described above may be performed in an oxygen / nitrogen mixed gas atmosphere diluted with argon instead of an oxygen atmosphere diluted with argon.
  • TaBSiO low reflection layer
  • the following film formation conditions may be used.
  • Method using TaB compound target and Si target (2) Sputtering gas: Mixed gas of Ar and O 2 (O 2 gas concentration 3 to 80 vol%, preferably 5 to 30 vol%, more preferably 8 to 15 vol%.
  • Input power (for each target): 30 to 1000 W, preferably 50 to 750 W, more preferably 80 to 500 W
  • Deposition rate 2.0 to 60 nm / sec, preferably 3.5 to 45 nm / sec, more preferably 5 to 30 nm / sec
  • Sputtering gas Mixed gas of Ar and O 2 (O 2 gas concentration 3 to 80 vol%, preferably 5 to 30 vol%, more preferably 8 to 15 vol%.
  • the following film formation conditions may be used.
  • Method using TaB compound target and Si target (2) Sputtering gas: Ar, O 2 and N 2 mixed gas (O 2 gas concentration 5 to 30% by volume, N 2 gas concentration 5 to 30% by volume, preferably O 2 gas concentration 6 to 25% by volume, N 2 gas concentration 6 to 25% by volume, more preferably O 2 gas concentration 10 to 20% by volume, N 2 gas concentration 15 to 25% by volume, gas pressure 1.0 ⁇ 10 ⁇ 2 Pa to 10 ⁇ 10 ⁇ 2 Pa, preferably 1 0.0 ⁇ 10 ⁇ 2 Pa to 5 ⁇ 10 ⁇ 2 Pa, more preferably 1.0 ⁇ 10 ⁇ 2 Pa to 3 ⁇ 10 ⁇ 2 Pa.)
  • Deposition rate 2.0 to 50 nm / sec, preferably 2.5 to 35 nm / sec, more preferably 5 to 25 nm / sec
  • the reason why the low reflection layer is preferably formed on the absorption layer is that the wavelength of the pattern inspection light and the wavelength of the EUV light are different. Therefore, when EUV light (near 13.5 nm) is used as pattern inspection light, it is considered unnecessary to form a low reflection layer on the absorption layer.
  • the wavelength of the inspection light tends to shift to the short wavelength side as the pattern size becomes smaller, and it is conceivable that it will shift to 193 nm and further to 13.5 nm in the future.
  • the wavelength of the inspection light is 13.5 nm, it is considered unnecessary to form a low reflection layer on the absorption layer.
  • Example 1 In Example 1, the electrostatic chuck 10A shown in FIGS.
  • the electrostatic chuck 10A was prepared by the following procedure.
  • a lower dielectric layer 3 was formed on a body 11 made of alumina by heat-sealing a 125 ⁇ m-thick polyimide film.
  • the lower dielectric layer 3 and the main body 11 pass through the electrode holes 22 and 23 shown in FIG. 2 to connect the electrode unit 2 and the external power source, and are connected to the external electrode terminals via the electrode holes 22 and 23.
  • a copper thin film having a thickness of 1 ⁇ m was formed on the lower dielectric layer 3 by sputtering, and then etched through a mask having a desired shape to form an electrode portion 2 having the electrode pattern shown in FIG.
  • a polyimide film having a thickness of 50 ⁇ m was heated and fused on the electrode portion 2 to form the upper dielectric layer 1.
  • the physical properties of the polyimide film used for the upper dielectric layer 1 and the lower dielectric layer 3 are as follows. Dielectric breakdown voltage: 6.8 kV.
  • Tensile elongation 42%.
  • Tensile modulus 9.1 GPa.
  • the chuck surface of the electrostatic chuck was a circle having a diameter of 13 cm.
  • a glass substrate for EUV mask blanks is sucked and held using the electrostatic chuck 10A prepared by the above method, and a reflective layer for reflecting EUV light on this glass substrate, a buffer layer, and EUV An absorption layer that absorbs light was formed in this order by sputtering.
  • the glass substrate 30 is zero-expansion glass whose main component is SiO 2 and has a thermal expansion coefficient at 22 ° C. of 0 / ° C.
  • a conductive film 40 is formed on the suction holding surface side of the glass substrate 30.
  • the conductive film 40 is a chromium nitride (CrN) film having a sheet resistivity of 90 ⁇ / ⁇ and a thickness of 70 nm.
  • the voltage between the electrodes of the electrostatic chuck was 1000 V, and the electrostatic chuck was held for 2 hours while rotating at 30 rpm in a vacuum of 2.0 ⁇ 10 ⁇ 4 torr.
  • the number of defects on the suction holding surface of the glass substrate was measured before and after suction holding. Specifically, the number of defects of 200 nm or more was measured as a 142 mm square inspection region with a commercially available defect inspection apparatus (M1350 manufactured by Lasertec Corporation). As a result, the number of defects increased after adsorption holding was 1.0 ⁇ 10 3 .
  • the adsorption and holding of the glass substrate was repeated 10 times in the same procedure as above, but no decrease in the adsorption force of the electrostatic chuck occurred.
  • Example 2 In Example 2, the electrostatic chuck 10B shown in FIG. 3 was used.
  • a mask having a desired concavo-convex pattern was attached to the upper dielectric layer 1, and wet etching was performed using hydrazine to create the protrusions 5.
  • the pattern of the protrusions is as shown in FIG. 4, and the total surface area of the protrusions relative to the surface area of the upper dielectric layer 1 before wet etching was adjusted to 1%.
  • the height of the protrusion was 10 ⁇ m. For this reason, the thickness of the upper dielectric layer 1 in a place where there is no protrusion is 40 ⁇ m.
  • the glass substrate was sucked and held in the same manner as in Example 1 using the created electrostatic chuck 10B.
  • the number of defects increased after adsorption holding was 1.0 ⁇ 10 2 .
  • the adsorption and holding of the glass substrate was repeated 10 times, but the adsorption force of the electrostatic chuck did not decrease.
  • Example 3 In Example 3, the electrostatic chuck 10A shown in FIGS. 1 and 2 in which the lower dielectric layer and the upper dielectric layer were made of two polyimide films was used.
  • the electrostatic chuck 10A was prepared by the following procedure. Two polyimide films having a thickness of 125 ⁇ m were superposed on the main body 11 made of alumina and heat-fused to form the lower dielectric layer 3. The reason why the thickness is doubled by overlapping two sheets is to increase the thickness and increase the mechanical durability.
  • the lower dielectric layer 3 and the main body 11 pass through the electrode holes 22 and 23 shown in FIG. 2 to connect the electrode unit 2 and the external power source, and are connected to the external electrode terminals via the electrode holes 22 and 23. Has been.
  • a copper thin film having a thickness of 1 ⁇ m was formed on the lower dielectric layer 3 by sputtering, and then etched through a mask having a desired shape to form an electrode portion 2 having the electrode pattern shown in FIG.
  • two polyimide films having a thickness of 7.5 ⁇ m were superposed on the electrode part 2 and heated and fused to form the upper dielectric layer 1.
  • the reason for superposing two sheets is to obtain a desired thickness of the upper dielectric layer.
  • the chuck surface of the electrostatic chuck was a circle having a diameter of 13 cm.
  • Comparative Example 1 A conventional electrostatic chuck using Al 2 O 3 as an adsorption holding surface, that is, an electrostatic chuck 10A in FIG. 1, in which the dielectric layers 1 and 3 and the body 11 are formed as an integral Al 2 O 3 is used.
  • the glass substrate was adsorbed and held in the same manner as in the examples.
  • the number of defects increased after adsorption holding was 1.0 ⁇ 10 4 , which was one digit worse than Example 1 and two digits worse than Example 2.
  • Example 2 An electrostatic chuck in which the lower dielectric layer 3 was removed from the configuration of Example 1 was prepared, and the glass substrate was sucked and held in the same manner as in Example 1. When the adsorption holding of the glass substrate was repeated 10 times, the adsorption power disappeared. When foreign matter such as particles is sandwiched between the electrostatic chuck and the glass substrate, a hole is opened in the polyimide film which is the upper dielectric layer 1, and the electrode part 2 and the conductive film 40 cause a complete or incomplete short circuit. Therefore, it is considered that the adsorption force disappears due to the disappearance of the potential difference or the occurrence of abnormal discharge. It is practically impossible to put into practical use an electrostatic chuck whose adsorption force disappears after 10 adsorption holding operations.
  • Example 3 An electrostatic chuck in which the lower dielectric layer 3 was removed from the configuration of Example 2 was prepared, and the glass substrate was held by suction as in Example 2. When the adsorption holding of the glass substrate was repeated 10 times, the adsorption power disappeared. When foreign matter such as particles is sandwiched between the electrostatic chuck and the glass substrate, a hole is opened in the polyimide film which is the upper dielectric layer 1, and the electrode part 2 and the conductive film 40 cause a complete or incomplete short circuit. Therefore, it is considered that the adsorption force disappears due to the disappearance of the potential difference or the occurrence of abnormal discharge. It is practically impossible to put into practical use an electrostatic chuck whose adsorption force disappears after 10 adsorption holding operations.
  • Example 4 EUV mask blanks are created by the following procedure.
  • the electrostatic chuck 10A used in Example 1 is used to attract and hold the glass substrate.
  • the glass substrate is a zero-expansion glass whose main component is SiO 2 and has a thermal expansion coefficient at 22 ° C. of 0 / ° C.
  • a conductive film is formed on the suction holding surface side of the glass substrate.
  • the conductive film is a chromium nitride (CrN) film having a sheet resistivity of 90 ⁇ / ⁇ and a thickness of 70 nm.
  • CrN chromium nitride
  • Mo with a total film thickness of 340 nm ((2.3 nm + 4.5 nm) ⁇ 50) / Si multilayer reflective film is formed.
  • the conditions for forming the Mo film and the Si film are as follows.
  • Mo target Sputtering gas Ar gas (gas pressure 0.02 Pa) Voltage: 700V Deposition rate: 0.064 nm / sec Film thickness: 2.3 nm
  • Si target (boron doped) Sputtering gas Ar gas (gas pressure 0.02 Pa) Voltage: 700V Deposition rate: 0.077 nm / sec Film thickness: 4.5 nm.
  • a Ru layer is formed as a buffer layer on the Mo / Si multilayer reflective film by using an ion beam sputtering method.
  • the conditions for forming the buffer layer are as follows.
  • a TaBSiN layer is formed as an absorption layer on the protective layer using a magnetron sputtering method.
  • the conditions for forming the TaBSiN layer are as follows. Film formation conditions for TaBSiN layer Target: TaBSi compound target (composition ratio: Ta 80 at%, B 10 at%, Si 10 at%) Sputtering gas: Ar and N 2 mixed gas (Ar: 86% by volume, N 2 : 14% by volume, gas pressure: 0.3 Pa) Input power: 150W Deposition rate: 0.12 nm / sec Film thickness: 60 nm.
  • a TaBSiON layer is formed as a low reflection layer on the absorption layer using a magnetron sputtering method, so that the Mo / Si multilayer reflection film, the Ru layer, the TaBSiN layer, and the TaBSiON layer are formed in this order on the substrate.
  • the provided EUV mask blanks are obtained.
  • the conditions for forming the TaBSiON film are as follows.
  • TaBSiON layer Target TaBSi target (composition ratio: Ta 80 at%, B 10 at%, Si 10 at%)
  • Sputtering gas Ar, N 2 and O 2 mixed gas (Ar: 60% by volume, N 2 : 20% by volume, O 2 : 20% by volume, gas pressure: 0.3 Pa)
  • Input power 150W Deposition rate: 0.18 nm / sec Film thickness: 10nm
  • the EUV mask blank produced by the above procedure has few defects and is confirmed to be a mask blank suitable as an EUV mask.
  • Example 5 In this example, the same procedure as in Example 4 was performed except that the electrostatic chuck 10B used in Example 2 was used as the electrostatic chuck for holding the glass substrate by suction, and Mo was formed on the substrate.
  • the obtained EUV mask blank has few defects and is confirmed to be a mask blank suitable as an EUV mask.
  • the electrostatic chuck when a film is formed on a glass substrate, the electrostatic chuck can hold the glass substrate with a sufficient adsorption holding force, and foreign particles such as particles are sandwiched between the electrostatic chuck and the glass substrate. Since the generation of scratches on the glass substrate surface and the chuck surface due to the above can be suppressed, the present invention can be optimally used for a manufacturing method of EUV mask blanks in which the generation of a slight scratch is extremely problematic.
  • Japanese Patent Application No. 2009-016283 filed on Jan. 28, 2009
  • Japanese Patent Application No. 2009-271597 filed on Nov. 30, 2009 Japanese Patent Application filed on Dec. 14, 2009
  • the entire contents of the specification, claims, drawings and abstract of application 2009-282872 are hereby incorporated herein by reference as the disclosure of the specification of the present invention.

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Abstract

　静電チャックとガラス基板との間にパーティクルなどの異物の挟み込みによるガラス基板表面もしくはチャック面への傷の発生が抑制されたＥＵＶマスクブランクスの製造方法の提供。　ガラス基板を吸着保持する静電チャックは、本体上に、有機高分子膜よりなる下部誘電層、導電性材料よりなる電極部、および、有機高分子膜よりなる上部誘電層をこの順に有し、前記電極部が、正電極と、負電極と、を含むことを特徴とするＥＵＶマスクブランクスの製造方法。

Description

ＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクの製造方法
　本発明は、半導体製造等に使用されるＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ　Ｕｌｔｒａ　Ｖｉｏｌｅｔ：極端紫外）リソグラフィ用反射型マスクブランクス（以下、本明細書において、「ＥＵＶマスクブランク」という。）の製造方法に関する。
　従来、半導体産業において、Ｓｉ基板等に微細なパターンからなる集積回路を形成する上で必要な微細パターンの転写技術として、可視光や紫外光を用いたフォトリソグラフィ法が用いられてきた。しかし、半導体デバイスの微細化が加速している一方で、従来の光露光の露光限界に近づいてきた。光露光の場合、パターンの解像限界は露光波長の１／２程度であり、液浸法を用いても露光波長の１／４程度と言われており、ＡｒＦレーザ（１９３ｎｍ）の液浸法を用いても４５ｎｍ程度が限界と予想される。そこで４５ｎｍ以降の露光技術として、ＡｒＦレーザよりさらに短波長のＥＵＶ光を用いた露光技術であるＥＵＶリソグラフィが有望視されている。ＥＵＶ光とは、軟Ｘ線領域または真空紫外線領域の波長の光線をさし、具体的には波長１０～２０ｎｍ程度、特に１３．５ｎｍ±０．３ｎｍ程度の光線を指す。
　ＥＵＶ光は、あらゆる物質に対して吸収されやすく、かつ屈折率が１に近いため、従来の可視光または紫外光を用いたフォトリソグラフィのような屈折光学系を使用することができない。このため、ＥＵＶ光リソグラフィでは、反射光学系、すなわち反射型フォトマスクとミラーとが用いられる。
　マスクブランクスは、フォトマスク製造用のパターニング前の積層体である。反射型フォトマスク用のマスクブランクスの場合、ガラス基板上にＥＵＶ光を反射する反射層と、ＥＵＶ光を吸収する吸収層とがこの順で形成された構造を有している。反射層としては、高屈折層と低屈折層とを交互に積層することで、光線を層表面に照射した際の光線反射率、より具体的にはＥＵＶ光を層表面に照射した際の光線反射率が高められた多層反射膜が通常使用される。吸収層には、ＥＵＶ光に対する吸収係数の高い材料、具体的にはたとえば、ＣｒやＴａを主成分とする材料が用いられる。（例えば、特許文献２および３参照。）
　多層反射膜および吸収層は、イオンビームスパッタリング法やマグネトロンスパッタリング法を用いてガラス基板の光学面上に成膜される。多層反射膜および吸収層を成膜する際、ガラス基板は保持手段によって保持される。ガラス基板の保持手段として、機械的チャックおよび静電チャックがあるが、発塵性の問題から、静電チャックによる吸着保持が好ましく用いられる。
　静電チャックの吸着方式は単極方式と双極方式に大別される。単極型は、単極電圧を印加する機構を保持し、プラズマ等をアースとして基板を吸着する。一方、双極型は静電チャック内に正極・負極を同時に電圧印加する機構を保持し、又は、単極、および、アース機構を保持し、プラズマ等のアースが無くても基板を保持することが可能である。
　ガラス基板を吸着して保持する手段として静電チャックを使用する場合、吸着保持する対象であるガラス基板が、ごく一部の例外を除き絶縁体であることから、双極型静電チャックとなることが多い。
　静電チャックは、誘電体材料の違いから基板と静電チャック間に発生した電荷を利用し吸着するクーロン力型と、前記電荷に加え、誘電体膜から漏れる電流と電極表面の微小な凹凸距離の違いから発生する吸着力を利用したジョンソン・ラーベック力型に大別される。クーロン力型は漏れ電流が小さいため、伝導電流による基板へのダメージ、損傷が軽減できるメリットがあるが、印加電圧がジョンソン・ラーベック力型と比べ大きくなるデメリットがある。
　双極型においては、上記の吸着機構に加えて、その電極配置により、電界強度の弱いところから強いところに引き込まれるグラディエント力が発生する。これを誘電体吸引力という。
　ＥＵＶマスクブランクスの製造プロセスに用いられるガラス基板は、半導体装置の製造プロセスに用いられるシリコンウェハに比べてはるかに寸法が大きく、その質量も大きいため、シリコンウェハ用の静電チャックよりもはるかに強い吸着力を発揮することが求められる。
　したがって、ガラス基板を吸着して保持する目的で使用される静電チャックの場合、グラディエント力により、強い吸着力を発揮することが必要となる。
　特許文献１には、グラディエント力を効果的に発生させることにより、強い吸着力によりガラス基板を保持することができる静電チャックが提案されている。
　特許文献１には、ガラス基板を静電チャックで保持する場合の別の問題点として、基板が傷ついて発生する微少なパーティクルやその他の異物が、基板と静電チャックの間に挟まった状態で吸着されると、その力により異物がチャック面をなす誘電体層表面を痛めてしまうことがあり、その結果、誘電体層の平坦度あるいは電気絶縁性の不良などの諸問題を引き起こすことが記載されている。
　特許文献１に記載の静電チャックでは、電極のすぐ上に被吸着基板を設置できるようにすることで、静電チャックの吸着力を高め、更に、電極に耐摩耗性のすぐれたチタン、チタンを含む化合物、酸化チタン、または窒化チタン若しくは炭化チタンなどの導電性のセラミックを用いることで被吸着基板との接触による耐久性と、パーティクルなどの異物に対しての強固さを維持できるようにすると記載されている。
　しかしながら、特許文献１に記載の静電チャックのように、セラミック材料からなる電極をチャック面とし、該チャック面にガラス基板を吸着させた場合、ガラス基板とチャック面の間にパーティクルなどの異物が挟まると、ガラス基板表面もしくはチャック面、またはその両方に傷を生ぜしめ、更なるパーティクルを生成する。この際チャック面に生じた傷は、以後接触するガラス基板に対し継続的に傷を転写する起源となり、低発塵化を大きく妨げる。
　なお、特許文献１では、パーティクルなどの異物に対しての強固さを維持できると記載されているが、現実にはガラス基板とチャック面の間にパーティクルなどの異物が挟まることによって、ガラス基板表面もしくはチャック面、またはその両方に傷を生じていた。
　このような傷は微小であったため、従来問題とならなかったが、ＥＵＶマスクブランクスの製造プロセスに用いられるガラス基板の場合、その表面の状態についての要求がきわめて厳しいため、このような微小な傷であっても問題となる可能性がある。
特開２００６－６６８５７号公報 米国公開公報２００７－１６０８７４号公報 米国公開公報２００９－０１１３４１号公報
　上記した従来技術の問題点を解決するため、静電チャックとガラス基板との間にパーティクルなどの異物の挟み込みによるガラス基板表面およびチャック面への傷の発生が抑制されたＥＵＶマスクブランクスの製造方法を提供することを目的とする。
　上記目的を達成するため、本発明は、静電チャックを用いてガラス基板を吸着保持し、スパッタリング法により、前記ガラス基板上にＥＵＶ光を反射する反射層、および、ＥＵＶ光を吸収する吸収層を少なくともこの順に形成するＥＵＶリソグラフィ（ＥＵＶＬ）用反射型マスクブランクスの製造方法であって、
　前記静電チャックは、本体上に、有機高分子膜よりなる下部誘電層、導電性材料よりなる電極部、および、有機高分子膜よりなる上部誘電層をこの順に有し、前記電極部が、正電極と、負電極と、を含むことを特徴とするＥＵＶＬ用反射型マスクブランクスの製造方法を提供する。
　また本発明は、静電チャックを用いてガラス基板を吸着保持し、スパッタリング法により、前記ガラス基板上にＥＵＶ光を反射する反射層、および、当該反射層の上層にＥＵＶ光を吸収する吸収層を形成するＥＵＶリソグラフィ（ＥＵＶＬ）用反射型マスクブランクスの製造方法であって、
　少なくとも前記反射層および前記吸収層を形成する際、前記静電チャックは、本体のガラス基板の吸着面側に、有機高分子膜よりなる下部誘電層、導電性材料よりなる電極部、および、有機高分子膜よりなる上部誘電層をこの順に有し、前記電極部が、正電極と、負電極と、を含むことを特徴とするＥＵＶＬ用反射型マスクブランクスの製造方法を提供する。
　本発明のＥＵＶＬ用反射型マスクブランクスの製造方法において、前記静電チャックの前記下部誘電層が２層以上の有機高分子膜を含んでもよい。
　本発明のＥＵＶＬ用反射型マスクブランクスの製造方法において、前記静電チャックの前記上部誘電層が２層以上の有機高分子膜を含んでもよい。
　本発明のＥＵＶＬ用反射型マスクブランクスの製造方法において、前記静電チャックの前記下部誘電層、および、前記上部誘電層は、絶縁破壊耐圧が３．０ｋＶ以上であることが好ましい。
　本発明のＥＵＶＬ用反射型マスクブランクスの製造方法において、前記静電チャックの前記下部誘電層、および、前記上部誘電層は、引張強度が５０ＭＰａ以上であることが好ましい。
　本発明のＥＵＶＬ用反射型マスクブランクスの製造方法において、前記静電チャックの前記下部誘電層、および、前記上部誘電層は、引張伸び率が４０％以上であることが好ましい。
　本発明のＥＵＶＬ用反射型マスクブランクスの製造方法において、前記静電チャックの前記下部誘電層、および、前記上部誘電層は、引張弾性率が１．０ＧＰａ以上であることが好ましい。
　本発明のＥＵＶＬ用反射型マスクブランクスの製造方法において、前記静電チャックの前記下部誘電層、および、前記上部誘電層が、ポリイミド膜、ポリオレフィン系材料膜、シリコーン膜、ポリ塩化ビニル膜、およびポリエチレンテレフタラート膜からなる群から選択される少なくとも１つの有機高分子膜を含むことが好ましい。
　本発明のＥＵＶＬ用反射型マスクブランクスの製造方法において、前記静電チャックの前記下部誘電層の厚さが、前記上部誘電層の厚さの２倍以上であることが好ましい。
　本発明のＥＵＶＬ用反射型マスクブランクスの製造方法において、前記静電チャックの前記上部誘電層の厚さが、１０～５００μｍであることが好ましい。
　本発明のＥＵＶＬ用反射型マスクブランクスの製造方法において、前記静電チャックが、前記上部誘電層の吸着面側に、吸着保持されるガラス基板との接触面積を低減させるための突起部を有していることが好ましい。
　前記突起部は、エッチングなどの上部誘電体層表面の凹凸加工により形成されることが好ましく、前記凹凸加工後の上部誘電層の厚さが、１０～５００μｍであることが好ましい。
　本発明のＥＵＶＬ用反射型マスクブランクスの製造方法において、前記静電チャックの前記突起部の高さが、５～２５μｍであることが好ましい。
　本発明のＥＵＶＬ用反射型マスクブランクスの製造方法において、前記静電チャックの前記突起部は、吸着保持されるガラス基板との接触面積の合計が、前記上部誘電体の表面積の０．１～２５．０％であることが好ましい。
　本発明のＥＵＶＬ用反射型マスクブランクスの製造方法において、前記静電チャックの前記正電極および前記負電極が、それぞれくし歯型の形状を有し、互いのくし歯が空隙をはさんで隣接するように配置されていることが好ましい。
　本発明のＥＵＶＬ用反射型マスクブランクスの製造方法において、前記静電チャックの前記電極部の厚さが、１０μｍ以下であることが好ましい。
　本発明のＥＵＶＬ用反射型マスクブランクスの製造方法において、前記ガラス基板の前記静電チャックに吸着保持される側の面には導電膜が設けられていることが好ましい。
　本発明のＥＵＶマスクブランクスの製造方法によれば、静電チャックとガラス基板との間にパーティクルなどの異物を挟み込むことによるガラス基板表面およびチャック面への傷の発生を抑えることができる。一方で、ガラス基板の吸着保持に用いる静電チャックが上部誘電層から下部誘電層に至るまで十分な可塑性と強度を有するため、吸着力を発揮するこれらの構造が破損するおそれがない。また、上部誘電層を十分に薄くすることができることから、装置の安定稼動を損ねることのない電圧で静電チャックを動作させることができる。また、上部誘電層の吸着面側に突起部を有することにより、静電チャックとガラス基板との間にパーティクルなどの異物の挟み込む箇所を、凸部のみに限定した上で、挟み込みによる傷の発生を抑えることができる。
図１は、本発明のＥＵＶマスクブランクスの製造方法で使用する静電チャックの一構成例を示した側面図である。 図２は、図１に示す静電チャック１０Ａの平面図である。 図３は、本発明の静電チャックの別の一構成例を示した側面図である。 図４は、図３に示す静電チャック１０Ｂの平面図である。 図５は、図１に示す静電チャック１０Ａを用いてガラス基板を吸着保持した状態を示した側面図である。
　以下、図面を参照して本発明を説明する。図１は、本発明のＥＵＶマスクブランクスの製造方法で使用する静電チャックの一構成例を示した側面図である。
　図１に示す静電チャック１０Ａは、本体１１上に、即ち本体の吸着面側に、有機高分子膜よりなる下部誘電層３、導電性材料よりなる電極部２、および、有機高分子膜よりなる上部誘電層１がこの順に設けられた構造を有する。静電チャックの個々の構成について以下に説明する。
［本体］
　静電チャック１０Ａにおける本体１１は特に限定されず、静電チャックの本体（若しくは、基材、または、基盤）として、公知の構造から適宜選択することができる。このような公知の構造の具体例としては、例えば、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化イットリア（Ｙ２Ｏ３）、酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、ムライト（３Ａｌ２Ｏ３・２ＳｉＯ２）等の絶縁性に優れたセラミックス材料からなる本体や、アルミニウム、モリブデン、タングステン、鋼、ステンレス鋼、真鍮、ニッケル等の金属材料製の基材上に絶縁層を設けた本体が挙げられる。金属材料製の基材上に設ける絶縁層の構成材料としては、上記のセラミックス材料が例示される。
［電極部］
　電極部を構成する材料には、導電性に優れた材料、具体的には、体積固有抵抗値が５×１０－６Ωｍ以下の材料が用いられる。これを満たす材料の中でも、導電性に優れた金属材料、具体的には、金、銅、アルミニウムが、電極部を薄層化することができ、かつ、後述する手順により所望の形状の電極パターンを形成するのが容易であることから好ましい。
　これらの中でも、金および銅が導電性に優れることからより好ましく、安価であることから銅が特に好ましい。
　静電チャック１０Ａは、ガラス基板の吸着保持に使用することから、電極部が正電極と、負電極と、を含む双極型静電チャックである。ここで、正電極および負電極がなす電極パターンは特に限定されず、双極型静電チャックの分野で公知の各種電極パターンを選択することができる。但し、グラディエント力を効果的に発生させることにより、強い吸着力によりガラス基板を保持することができることから、例えば、特許文献１に記載の静電チャックのように、正電極および負電極がそれぞれくし歯型の形状を有し、互いのくし歯が空隙をはさんで隣接するように配置された電極パターン（図２参照）とすることが好ましい。図２は、図１に示す静電チャック１０Ａの平面図であり、好適な電極パターンが透視図として示されている。
　図２において、符号２２および２３で示されているのは、下部誘電層および本体を貫通する孔であり、正電極および負電極を外部電源と接続するための外部電源端子（図示していない）が取り付けられている。
　図２において、電極パターンの各部の寸法は特に限定されず、静電チャックの寸法に応じて適宜選択することができる。一例を挙げると、チャック面の直径が１３ｃｍである場合、チャック面の外縁付近に存在するくし歯型の幅は５ｍｍであり、高さは７ｍｍであり、くし歯型を構成する帯状の部分の幅は１ｍｍである。
　静電チャック１０Ａにおいて、電極部の厚さは１０μｍ以下であることが好ましい。電極部上に形成する上部誘電層の厚さにもよるが、電極部の厚さが１０μｍ超であると、静電チャックのチャック面に電極部のパターンに応じた凹凸が現われてしまい、吸着力の低下が起こったり、吸着力が不均一になるおそれがある。なお、電極部の厚さは２μｍ以下であることがより好ましく、さらに好ましくは１μｍ以下である。
　但し、電極部の厚さが１μｍよりも小さすぎると、絶縁破壊耐圧が低下するし、可塑性が少なくなるので変形時に破損しやすくなる。この点から、電極部の厚さは、０．１μｍ以上であることが好ましく、より好ましくは０．３μｍ以上であり、さらに好ましくは０．５μｍ以上である。
　なお、平坦度および電気抵抗の均一性を確保するため、電極部における厚さのばらつきが該電極部の厚さの平均値の±１０％以内であることが好ましい。
　静電チャック１０Ａにおいて、電極部の形成方法は特に限定されず、電極部を構成する材料、および、電極パターンに応じて好適な方法を適宜選択すればよい。例えば、銅を構成材料として図２に示す電極パターンを形成する場合、スパッタリング法により下部誘電層３上に所望の厚さの銅の薄膜を形成した後、エッチング法により該薄膜を所望の電極パターンに加工すればよい。また、下部誘電層３上に所望の形状のマスクを配置した状態でスパッタリングを行うことによっても、電極パターンを形成することができる。
［下部誘電層、上部誘電層］
　図１に示すように、静電チャック１０Ａは、電極部２が有機高分子膜よりなる下部誘電層３と上部誘電層１とで挟まれたサンドイッチ構造をなしている。
　このような構成とすることにより、静電チャックとガラス基板との間にパーティクルなどの異物の挟み込むことによるガラス基板表面およびチャック面をなす上部誘電層表面への傷の発生を抑えることができる。すなわち、チャック面をなす上部誘電層と、ガラス基板と、の間にパーティクルなどの異物を挟まった場合であっても、有機高分子膜よりなる上部誘電層および下部誘電層の柔軟性によって、ガラス基板と誘電層との界面への異物の露出が最小限に抑えられる。これにより、ガラス基板表面およびチャック面をなす上部誘電層表面への傷の発生が抑制される。
　以下、ガラス基板表面およびチャック面をなす上部誘電層表面への傷の発生を抑制する作用のことを、「異物による傷を抑制する作用」という。
　従来技術の静電チャックにおいても、電極上に形成されチャック面をなす誘電層を有機高分子膜で構成するものは存在していたが、電極上に形成される誘電層の厚さを大きくすると、吸着力が低下するため誘電層の厚さに制約があった。このため、静電チャックとガラス基板との間にパーティクルなどの異物を挟まった場合に、誘電層の柔軟性によって、ガラス基板と誘電層との界面への異物の露出を抑制することができず、異物による傷を抑制する作用を発揮することができなかった。
　静電チャック１０Ａの場合、上部誘電層１については従来技術の静電チャックと同様に厚さの制約が存在するが、電極部２が有機高分子膜よりなる下部誘電層３と上部誘電層１とで挟まれたサンドイッチ構造をなしている。これにより、下部誘電層３および上部誘電層１の柔軟性によって、ガラス基板と誘電層との界面への異物の露出が最小限に抑えられるので、吸着力を低下させることなしに異物による傷を抑制する作用を発揮することができる。
　しかも、下部誘電層３の厚さを大きくしても静電チャックの吸着力は低下しないので、下部誘電層３の厚さを大きくすることにより、異物による傷を抑制する作用をより効果的に発揮することができる。
　図１において、上部誘電層１および下部誘電層３は、単一の層（有機高分子膜）として示されているがこれに限定されず、それぞれ２層以上の有機高分子膜で構成してもよい。
　上部誘電層１および下部誘電層３は、２層以上の有機高分子膜で構成する場合、個々の有機高分子膜に異なる機能を持たせてもよい。例えば、上部誘電層を２層の有機高分子膜で構成して、電極部と接する側の有機高分子膜は、接着性に優れる有機高分子膜として、電極部との接着性を高めるとともに、チャック面をなす側の有機高分子膜は、柔軟性に優れる有機高分子膜として、異物による傷を抑制する作用を高めることも可能である。また、下部誘電層を３層の有機高分子膜で構成して、電極部と接する側の有機高分子膜、および、本体と接する側の有機高分子膜は、接着性に優れる有機高分子膜として、電極部および本体との接着性を高めるとともに、両者の間の有機高分子膜は、柔軟性に優れる有機高分子膜として、異物による傷を抑制する作用を高めることも可能である。
　上部誘電層１および下部誘電層３を構成する有機高分子膜は、下記特性を満足することが好ましい。
　上部誘電層１および下部誘電層３は、静電チャックの使用時、高電圧の引加によって絶縁破壊しないことが要求される。このため、上部誘電層１および下部誘電層３は、絶縁破壊耐圧が３．０ｋＶ以上であることが好ましく、５．０ｋＶ以上であることがより好ましく、６．０ｋＶ以上であることがさらに好ましい。
　なお、上部誘電層１および／または下部誘電層３が、２層以上の有機高分子膜で構成される場合には、各層を構成する有機高分子膜がそれぞれ上記したような絶縁破壊耐圧を有することが好ましい。
　チャック面をなす上部誘電層１を構成する有機高分子膜が、静電チャックに吸着保持したガラス基板との擦れによって破損するとパーティクルの発生源となることから、上部誘電層１を構成する有機高分子膜は、静電チャックに吸着保持したガラス基板との擦れに対して十分な強度を有していることが要求される。このため、上部誘電層１を構成する有機高分子膜は、引張強度が５０ＭＰａ以上であることが好ましく、２００ＭＰａ以上であることがより好ましく、４００ＭＰａ以上であることがさらに好ましい。
　また、同様の理由から、上部誘電層１を構成する有機高分子膜は、引張伸び率が２０％以上であることが好ましく、３０％以上であることがより好ましく、４０％以上であることがさらに好ましい。
　なお、上部誘電層１が、２層以上の有機高分子膜で構成される場合には、各層を構成する有機高分子膜がそれぞれ上記したような引張強度と引張伸び率を有することが好ましい。
　下部誘電層３を構成する有機高分子膜についても、静電チャックの使用時に破損することがないように、十分な引張強度、および、引張伸び率を有することが要求される。このため、下部誘電層３を構成する有機高分子膜は、引張強度が５０ＭＰａ以上であることが好ましく、２００ＭＰａ以上であることがより好ましく、４００ＭＰａ以上であることがさらに好ましい。また、下部誘電層３を構成する有機高分子膜は、引張伸び率が２０％以上であることが好ましく、３０％以上であることがより好ましく、４０％以上であることがさらに好ましい。
　なお、下部誘電層１が、２層以上の有機高分子膜で構成される場合には、各層を構成する有機高分子膜がそれぞれ上記したような引張強度と引張伸び率を有することが好ましい。
　上部誘電層１および下部誘電層３を構成する有機高分子膜は、異物による傷を抑制する作用を発揮するため、柔軟性を有することが要求される。チャック面をなす上部誘電層１については、吸着保持するガラス基板との密着性を高めるために弾性を有すること、および、層に噛み込んだ異物をガラス基板との界面に露出させないようにするため可塑性を有することも要求される。このため、上部誘電層１および下部誘電層３を構成する有機高分子膜は、引張弾性率が１．０ＧＰａ以上であることが好ましく、３．０ＧＰａ以上であることがより好ましく、７．５ＧＰａ以上であることがさらに好ましい。
　なお、上部誘電層１および／または下部誘電層３が、２層以上の有機高分子膜で構成される場合には、各層を構成する有機高分子膜がそれぞれ上記したような引張弾性率を有することが好ましい。
　上記の特性を満たす有機高分子膜としては、ポリイミド膜、ポリエチレン、ポリプロピレンといったポリオレフィン系材料膜、シリコーン膜、ポリ塩化ビニル膜、ポリエチレンテレフタラート膜等が挙げられる。これらの中でも、ポリイミド膜が、上記の特性のいずれにも優れることから好ましい。
　上述したように、静電チャック１０Ａは、電極部が有機高分子膜よりなる下部誘電層と上部誘電層とで挟まれたサンドイッチ構造をなすことで異物による傷を抑制する作用を発揮するものであるが、厚さを大きくしても静電チャックの吸着力が低下することのない下部誘電層の厚さを大きくすることが、吸着力を低下させることなしに異物による傷を抑制する作用を発揮することができるので好ましい。このため、下部誘電層の厚さを上部誘電層の厚さの２倍以上とすることが好ましく、３倍以上とすることがより好ましく、３．５倍以上とすることがより好ましい。また、下部誘電層の厚さは、上部誘電層の厚さの２０倍以下、特に１８倍以下であることが好ましい。
　上述したように、上部誘電層の厚さを大きくすると吸着力が低下するため、上部誘電層の厚さには制約がある。このため、上部誘電層の厚さは、５００μｍ以下であることが好ましく、１００μｍ以下であることがより好ましく、５０μｍ以下であることがさらに好ましい。
　上部誘電層の厚さを小さくするほど吸着力が増加するが、上部誘電層の厚さが小さすぎると上部誘電層が絶縁破壊するおそれがある、膜破れが発生するおそれがある等の問題がある。このため、上部誘電層の厚さは１０μｍ以上であることが好ましく、１５μｍ以上であることがより好ましく、２０μｍであることがさらに好ましく、２５μｍ以上であることがさらに好ましい。
　下部誘電層の厚さは、５０μｍ以上であることが異物による傷を抑制する作用を発揮するうえで好ましく、８０μｍ以上であることがより好ましく、１００μｍ以上であることがさらに好ましい。
　上述したように、下部誘電層の厚さを大きくしても静電チャックの吸着力は低下しないが、下部誘電層の厚さが大きすぎると、下部誘電層の平面度が低下するおそれがある。上述したように、電極部は好ましくは厚さ１０μｍ以下の薄膜であるため、電極部の下層である下部誘電層の平面度が低下すると、電極部が変形して静電チャックの機能に悪影響が生じるおそれがある。また、下部誘電層の平面度が低下すると、電極部のみならず、上部誘電層の平面度、すなわち、静電チャックのチェック面の平面度も低下するおそれがある。チャック面の平面度が低下すると、吸着力が低下したり、吸着力が不均一になるおそれがある。このため、下部誘電層の厚さは、５００μｍ以下であることが好ましく、３００μｍ以下であることがより好ましく、２００μｍ以下であることがさらに好ましい。
　なお、静電チャックのチャック面の平面度は、５μｍ以下であることが好ましく、３μｍ以下であることがより好ましく、２μｍ以下であることがさらに好ましい。なお、チャック面の平面度は、例えば、三次元測定機を用いて測定することができる。
　なお、良好なチャック面の平坦度を得るため、下部誘電層および上部誘電層のどちらも、厚さの分布（厚さの最大値と最小値との差）が５μｍ以下であることが好ましい。
　上部誘電層および下部誘電層の厚さの合計は、６０～１０００μｍであることが異物による傷を抑制する作用の発揮と、静電チャックに要求される他の特性（吸着力、チャック面の平面度等）を両立するうえで好ましく、６５～１０００μｍであることがより好ましく、７５～８００μｍであることがさらに好ましく、１００～６００μｍであることがさらに好ましく、１５０～５００μｍであることがさらに好ましい。また、上部誘電層と下部誘電層との厚さの差は、５０～８００μｍ、特に１００～３００μｍであることが好ましく、下部誘電層の厚さが、上部誘電層の厚さよりも厚いことが好ましい。
　本体上に下部誘電層を形成する方法、および、電極部上に上部誘電層を形成する方法は特に限定されない。下部誘電層および上部誘電層は有機高分子膜よりなることから、予め所望の厚さの有機高分子膜を作成しておき、作成した膜を接着剤を用いて、または、熱融着により、本体上あるいは電極部に貼付すればよい。また、本体上あるいは電極部上に有機高分子膜を直接成膜してもよい。
　図３は、本発明のＥＵＶマスクブランクスの製造方法で使用する静電チャックの別の一構成例を示した側面図である。図３に示す静電チャック１０Ｂは、電極部２が有機高分子膜よりなる下部誘電層３と上部誘電層１とで挟まれたサンドイッチ構造をなしている点は、図１に示す静電チャック１０Ａと同一であるが、上部誘電層１の吸着面側に凹凸加工が施され、突起部５を有している。該突起部５を有することにより、吸着保持されるガラス基板との接触面積が低減されている。このような構成とすることにより、静電チャックとガラス基板との間にパーティクルなどの異物の挟み込むことによる箇所を凸面のみに限定することが出来、凸面に異物を挟み込んでもガラス基板表面およびチャック面をなす上部誘電層表面への傷の発生を抑えることができる。
　上記突起部の高さは、チャック本体の平坦度に対して有意な大きさとするため、５μｍ以上とすることが好ましく、１０μｍ以上とすることがより好ましい。突起部５の高さは５０μｍ以下とすることが好ましく、２５μｍ以下とすることがより好ましく、更には、２０μｍ以下とすることがより好ましい。
　また、突起部の個数は、３個以上であることが好ましく、５個以上であることがより好ましい。突起部の個数は、１５０００個以下であることが好ましく、４０００個以下であることがより好ましい。各突起部は、上部誘電層の吸着面にほぼ均等に形成されていることが好ましい。
　また、上記突起部は、吸着保持されるガラス基板との接触面積の合計が、上部誘電体の表面積の０．１～２５％、特に０．５～５％であることが好ましい。
　上記突起部は、上部誘電体層表面の凹凸加工により形成することが好ましく、具体的にはヒドラジンを用いウエットエッチングなどが例示できる。
　本発明のＥＵＶマスクブランクスの製造方法を実施する際、ＥＵＶマスクブランクス用のガラス基板の裏面側（反射膜や吸収層が形成される光学面に対する裏面側）を吸着保持するが、ＥＵＶマスクブランクス用のガラス基板の場合、ガラス基板の裏面側に傷が生じることも問題となる。上述した構成の静電チャックは、異物による傷を抑制する作用を発揮することから、裏面側の傷についての要求が厳しいＥＵＶマスクブランクス用のガラス基板を吸着保持するのに好ましい。
　本発明のＥＵＶマスクブランクスの製造方法では、上述した構成の静電チャックで用いて吸着保持されたガラス基板上、より具体的には、ガラス基板の光学面に、スパッタリング法により、ＥＵＶ光を反射する反射層、および、ＥＵＶ光を吸収する吸収層を少なくともこの順に形成する。
　ＥＵＶマスクブランクス用のガラス基板は、低熱膨張係数を有することが求められる。具体的には、２２℃における熱膨張係数が０±０．１×１０－７／℃であることが好ましく、より好ましくは０±０．０５×１０－７／℃、さらに好ましくは０±０．０３×１０－７／℃）である。このため、ＥＵＶマスクブランク用のガラス基板には、低熱膨張係数を有するガラス、例えばＳｉＯ２－ＴｉＯ２系ガラスや、β石英固溶体を析出した結晶化ガラスや石英ガラス等が用いられる。
　また、ＥＵＶマスクブランクス用のガラス基板は、平滑性および平坦度に優れることが要求される。具体的には、表面粗さ（ｒｍｓ）が０．１５ｎｍ以下の平滑な表面と１００ｎｍ以下の平坦度を有していることがパターン形成後のフォトマスクにおいて高反射率および転写精度が得られるために好ましい。
　また、ＥＵＶマスクブランクス用のガラス基板は、マスクブランクスまたはパターン形成後のフォトマスクの洗浄等に用いる洗浄液への耐性に優れることが要求される。
　ＥＵＶマスクブランクス用のガラス基板の大きさや厚みなどはマスクの設計値等により適宜決定されるものである。
　ＥＵＶマスクブランクス用のガラス基板の裏面側には導電膜が形成されていることが好ましい。上述した構成の静電チャックを用いた場合、裏面側に導電膜が形成されていないガラス基板を直接吸着保持することも可能である。しかしながら、絶縁物で誘電体であるガラス基板を静電チャックで直接吸着保持した場合、高電圧を印加する必要があることから、ガラス基板が絶縁破壊するおそれがある。このため、静電チャックで吸着保持されるガラス基板の裏面側には導電膜が形成されていることが好ましい。
　ガラス基板の裏面側に導電膜を形成する場合、シート抵抗が１００Ω／□以下となるように、構成材料の電気伝導率と厚さを選択する。導電膜の構成材料としては、公知の文献に記載されているものから広く選択することができる。例えば、特表２００３－５０１８２３号公報に記載の高誘電率のコーティング、具体的には、シリコン、ＴｉＮ、モリブデン、クロム、ＴａＳｉからなるコーティングを適用することができる。但し、導電膜表面の表面粗さが小さいことからチャック面との密着性に優れること、および、導電膜のシート抵抗が低いことからチャック力に優れることから、導電膜としてＣｒＮ膜を形成することが好ましい。
　導電膜の厚さは、例えば１０～１０００ｎｍとすることができる。
　導電膜は、公知の成膜方法、例えば、マグネトロンスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法といったスパッタリング法、ＣＶＤ法、真空蒸着法、電解メッキ法を用いて形成することができる。
　ＥＵＶマスクブランクスの反射層に特に要求される特性は、高ＥＵＶ光線反射率であることである。具体的には、ＥＵＶ光の波長領域の光線を反射層表面に入射角度６度で照射した際に、波長１３．５ｎｍ付近の光線反射率の最大値が６０％以上であることが好ましく、６５％以上であることがより好ましい。なお、反射層の上に保護層を設けた場合であっても、波長１３．５ｎｍ付近の光線反射率の最大値が６０％以上であることが好ましく、６５％以上であることがより好ましい。
　反射層としては、高ＥＵＶ光線反射率を達成できることから、通常は高屈折層と低屈折率層を交互に複数回積層させた多層反射膜が用いられる。反射層をなす多層反射膜において、高屈折率層には、Ｍｏが広く使用され、低屈折率層にはＳｉが広く使用される。すなわち、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜が最も一般的である。但し、多層反射膜はこれに限定されず、Ｒｕ／Ｓｉ多層反射膜、Ｍｏ／Ｂｅ多層反射膜、Ｍｏ化合物／Ｓｉ化合物多層反射膜、Ｓｉ／Ｍｏ／Ｒｕ多層反射膜、Ｓｉ／Ｍｏ／Ｒｕ／Ｍｏ多層反射膜、Ｓｉ／Ｒｕ／Ｍｏ／Ｒｕ多層反射膜も用いることができる。
　多層反射膜を構成する各層の膜厚および層の繰り返し単位の数は、使用する膜材料および多層反射膜に要求されるＥＵＶ波長域のピーク反射率に応じて適宜選択することができる。Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜を例にとると、ＥＵＶ波長域のピーク反射率が６０％以上の多層反射膜とするには、膜厚２．３±０．１ｎｍのＭｏ層と、膜厚４．５±０．１ｎｍのＳｉ層と、を繰り返し単位数が３０～６０になるようにこの順に積層させればよい。
　なお、多層反射膜を構成する各層は、マグネトロンスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法など、周知の成膜方法を用いて所望の膜厚になるように形成すればよい。例えば、イオンビームスパッタリング法を用いてＭｏ／Ｓｉ多層反射膜を形成する場合、ターゲットとしてＭｏターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガス（ガス圧１．３×１０－２Ｐａ～２．７×１０－２Ｐａ）を使用して、イオン加速電圧３００～１５００Ｖ、成膜速度０．０３～０．３０ｎｍ／ｓｅｃで膜厚２．３ｎｍとなるようにＭｏ膜を形成し、次にターゲットとしてＳｉターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガス（ガス圧１．３×１０－２Ｐａ～２．７×１０－２Ｐａ）を使用して、イオン加速電圧３００～１５００Ｖ、成膜速度０．０３～０．３０ｎｍ／ｓｅｃで膜厚４．５ｎｍとなるようにＳｉ膜を形成することが好ましい。これを１周期として、Ｍｏ膜およびＳｉ膜を４０～５０周期積層させることによりＭｏ／Ｓｉ多層反射膜が形成される。
　反射層が多層反射膜の場合、該多層反射膜の表面が酸化されるのを防止するため、その多層反射膜の最上層を酸化されにくい材料の層とすることが好ましい。酸化されにくい材料の層は反射層のキャップ層として機能する。キャップ層として機能する酸化されにくい材料の層の具体例としては、Ｓｉ層を例示することができる。反射層１２をなす多層反射膜がＭｏ／Ｓｉ多層反射膜である場合、最上層をＳｉ層とすることによって、該最上層をキャップ層として機能させることができる。その場合キャップ層の膜厚は、１１±２ｎｍであることが好ましい。
　吸収層に特に要求される特性は、ＥＵＶ光線反射率が極めて低いことである。具体的には、ＥＵＶ光の波長領域の光線を吸収層表面に照射した際に、波長１３．５ｎｍ付近の最大光線反射率が０．５％以下であることが好ましく、０．１％以下であることがより好ましい。
　上記の特性を達成するため、ＥＵＶ光の吸収係数が高い材料で構成されることが好ましく、タンタル（Ｔａ）を主成分とする材料で形成されていることが好ましい。
　このような吸収層としては、Ｔａ、Ｂ、Ｓｉおよび窒素（Ｎ）を以下に述べる比率で含有するもの（ＴａＢＳｉＮ膜）が挙げられる。
Ｂの含有率　１ａｔ％以上５ａｔ％未満、好ましくは１～４．５ａｔ％、より好ましくは１．５～４ａｔ％。
Ｓｉの含有率　１～２５ａｔ％、好ましくは１～２０ａｔ％、より好ましくは２～１２ａｔ％。
ＴａとＮとの組成比（Ｔａ：Ｎ）　８：１～１：１。
Ｔａの含有率　好ましくは５０～９０ａｔ％、より好ましくは６０～８０ａｔ％。
Ｎの含有率　好ましくは５～３０ａｔ％、より好ましくは１０～２５ａｔ％。
　上記組成の吸収層は、その結晶状態はアモルファスであり、表面の平滑性に優れている。
　上記組成の吸収層は、表面粗さが０．５ｎｍ　ｒｍｓ以下である。吸収層表面の表面粗さが大きいと、吸収層に形成されるパターンのエッジラフネスが大きくなり、パターンの寸法精度が悪くなる。パターンが微細になるに従いエッジラフネスの影響が顕著になるため、吸収層表面は平滑であることが要求される。
　吸収層表面の表面粗さが０．５ｎｍ　ｒｍｓ以下であれば、吸収層表面が十分平滑であるため、エッジラフネスの影響によってパターンの寸法精度が悪化するおそれがない。吸収層表面の表面粗さは０．４ｎｍ　ｒｍｓ以下であることがより好ましく、０．３ｎｍ　ｒｍｓ以下であることがさらに好ましい。
　吸収層は、上記の構成であることにより、エッチングガスとして塩素系ガスを用いてドライエッチングを実施した際のエッチング速度が速く、反射層（反射層上にバッファ層が生成されている場合はバッファ層）とのエッチング選択比は１０以上を示す。本明細書において、エッチング選択比は、下記式を用いて計算できる。
エッチング選択比
　　＝（吸収層のエッチング速度）／（反射層（反射層上にバッファ層が生成されている場合はバッファ層）のエッチング速度）
エッチング選択比は、１０以上が好ましく、１１以上であることがさらに好ましく、１２以上であることがさらに好ましい。
　吸収層の厚さは、５０～１００ｎｍであることが好ましい。上記した構成の吸収層は、マグネトロンスパッタリング法やイオンビームスパッタリング法のようなスパッタリング法など、周知の成膜方法を用いて形成することができる。マグネトロンスパッタリング法を用いる場合、下記（１）～（３）の方法で吸収層を形成することができる。
（１）Ｔａターゲット、ＢターゲットおよびＳｉターゲットを使用し、Ａｒで希釈した窒素（Ｎ2）雰囲気中でこれらの個々のターゲットを同時に放電させることによって吸収層１５を形成する。
（２）ＴａＢ化合物ターゲットおよびＳｉターゲットを用いて、これらのターゲットをＡｒで希釈したＮ2雰囲気中で同時放電させることによって吸収層を形成する。
（３）ＴａＢＳｉ化合物ターゲットを用いて、この３元素が一体化されたターゲットをＡｒで希釈したＮ2雰囲気中で放電させることによって吸収層を形成する。
　なお、上述した方法のうち、２以上のターゲットを同時に放電させる方法（（１）、（２））では、各ターゲットの投入電力を調節することによって、形成される吸収層の組成を制御することができる。
　上記の中でも（２）および（３）の方法が、放電の不安定化や膜の組成や膜厚のばらつきを回避できる点で好ましく、（３）の方法が特に好ましい。ＴａＢＳｉ化合物ターゲットは、その組成がＴａ＝５０～９４ａｔ％、Ｓｉ＝５～３０ａｔ％、Ｂ＝１～２０ａｔ％であることが、放電の不安定化や膜の組成や膜厚のばらつきを回避できる点で特に好ましい。
　上記例示した方法で吸収層を形成するには、具体的には以下の成膜条件で実施すればよい。
ＴａＢ化合物ターゲットおよびＳｉターゲットを使用する方法（２）
スパッタガス：ＡｒとＮ２の混合ガス（Ｎ２ガス濃度３～８０ｖｏｌ％、好ましくは５～３０ｖｏｌ％、より好ましくは８～１５ｖｏｌ％。ガス圧１．０×１０－１Ｐａ～１０×１０－１Ｐａ、好ましくは１．０×１０－１Ｐａ～５×１０－１Ｐａ、より好ましくは１．０×１０－１Ｐａ～３×１０－１Ｐａ。）
投入電力（各ターゲットについて）：３０～１０００Ｗ、好ましくは５０～７５０Ｗ、より好ましくは８０～５００Ｗ
成膜速度：２．０～６０ｎｍ／ｓｅｃ、好ましくは３．５～４５ｎｍ／ｓｅｃ、より好ましくは５～３０ｎｍ／ｓｅｃ
ＴａＢＳｉ化合物ターゲットを使用する方法（３）
スパッタガス：ＡｒとＮ2の混合ガス（Ｎ2ガス濃度３～８０ｖｏｌ％、好ましくは５～３０ｖｏｌ％、より好ましくは８～１５ｖｏｌ％。ガス圧１．０×１０-１Ｐａ～１０×１０-１Ｐａ、好ましくは１．０×１０-１Ｐａ～５×１０-１Ｐａ、より好ましくは１．０×１０-１Ｐａ～３×１０-１Ｐａ）
投入電力：３０～１０００Ｗ、好ましくは５０～７５０Ｗ、より好ましくは８０～５００Ｗ
成膜速度：２．０～６０ｎｍ／ｓｅｃ、好ましくは３．５～４５ｎｍ／ｓｅｃ、より好ましくは５～３０ｎｍ／ｓｅｃ
　ＥＵＶマスクブランクスを製造する場合、反射層および吸収層以外の各種機能層を形成してもよい。このような機能層の具体例としては、パターニングの際に反射層がダメージを受けるのを防止する目的で反射層と吸収層との間に必要に応じて形成されるバッファ層、マスクパターンの検査時のコントラストを向上させる目的で吸収層上に必要に応じて形成される低反射層（マスクパターンの検査光の波長域における低反射層）等が挙げられる。
　バッファ層は、エッチングプロセス、通常はドライエッチングプロセスにより吸収層にパターン形成する際に、反射層がエッチングプロセスによるダメージを受けないよう、反射層を保護することを目的として設けられる。したがってバッファ層の材質としては、吸収層のエッチングプロセスによる影響を受けにくい、つまりこのエッチング速度が吸収層よりも遅く、しかもこのエッチングプロセスによるダメージを受けにくい物質が選択される。この条件を満たす物質としては、たとえばＡｌ及びその窒化物、Ｒｕ及びＲｕ化合物（ＲｕＢ、ＲｕＳｉ等）、ならびにＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、Ａｌ２Ｏ３やこれらの混合物が例示される。これらの中でも、Ｒｕ及びＲｕ化合物（ＲｕＢ、ＲｕＳｉ等）およびＳｉＯ２が好ましい。
　また、バッファ層中には、ＴａおよびＣｒを含まないことが、膜応力が大きくなるのを防ぐという理由で好ましい。バッファ層中のＴａ、Ｃｒの含有率は、それぞれ５ａｔ％以下、特に３ａｔ％以下が好ましく、さらにはＴａおよびＣｒを含まないことが好ましい。
　バッファ層の厚さは１～６０ｎｍ、特に１～１０ｎｍであることが好ましい。
　バッファ層は、マグネトロンスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法など周知の成膜方法を用いて成膜する。マグネトロンスパッタリング法によりＲｕ膜を成膜する場合、ターゲットとしてＲｕターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガス（ガス圧１．０×１０－２Ｐａ～１０×１０－１Ｐａ）を使用して投入電圧３０Ｖ～１５００Ｖ、成膜速度０．０２～１．０ｎｍ／ｓｅｃで厚さ２～５ｎｍとなるように成膜することが好ましい。
　ＥＵＶマスクを作製する際、吸収層にパターンを形成した後、このパターンが設計通りに形成されているかどうか検査する。このマスクパターンの検査では、検査光として通常２５７ｎｍ程度の光を使用した検査機が使用される。つまり、この２５７ｎｍ程度の光の反射率の差、具体的には、吸収層がパターン形成により除去されて露出した面と、パターン形成により除去されずに残った吸収層表面と、の反射率の差によって検査される。ここで、前者は反射層表面（または反射層上に形成されたバッファ層表面）である。したがって、検査光の波長に対する反射層表面（または反射層上に形成されたバッファ層表面）と吸収層表面との反射率の差が小さいと検査時のコントラストが悪くなり、正確な検査が出来ないことになる。
　吸収層の好適例として上述したＴａＢＳｉＮ膜は、ＥＵＶ光線反射率が極めて低く、ＥＵＶマスクブランクスの吸収層として優れた特性を有しているが、検査光の波長域について見た場合、光線反射率が必ずしも十分低いとは言えない。この結果、検査光の波長域での吸収層表面の反射率と反射層表面（または反射層上に形成されたバッファ層表面）の反射率との差が小さくなり、検査時のコントラストが十分得られない可能性がある。検査時のコントラストが十分得られないと、マスク検査においてパターンの欠陥を十分判別できず、正確な欠陥検査を行えないことになる。
　吸収層上に検査光の波長域における低反射層を形成することにより、検査時のコントラストが良好となる、別の言い方をすると、検査光の波長域における光線反射率が極めて低くなる。このような目的で形成する低反射層は、該低反射層表面に検査光の波長域の光線を照射した際に、該検査光の波長域における最大光線反射率が１５％以下であることが好ましく、１０％以下であることがより好ましく、５％以下であることがさらに好ましい。
　検査光の波長域における最大光線反射率が１５％以下であれば、該検査時のコントラストが良好である。具体的には、反射層表面（または反射層上に形成されたバッファ層表面）での反射光（検査光の波長域における反射光）と、低反射層表面での反射光（検査光の波長域における反射光）と、のコントラストが、４０％以上となる。
　本明細書において、コントラストは下記式を用いて求めることができる。
コントラスト（％）＝（（Ｒ２－Ｒ１）／（Ｒ２＋Ｒ１））×１００
　ここで、Ｒ２は反射層表面（または反射層上に形成されたバッファ層表面）での反射率（検査光の波長における反射率）であり、Ｒ１は低反射層表面での反射率（検査光の波長における反射率）である。
　本発明において、上記式で表されるコントラストが４５％以上であることがより好ましく、６０％以上であることがさらに好ましく、８０％以上であることが特に好ましい。
　低反射層は、上記の特性を達成するため、検査光の波長の屈折率が吸収層よりも低い材料で構成され、その結晶状態がアモルファスであることが好ましい。
　このような低反射層の具体例としては、Ｔａ、Ｂ、Ｓｉおよび酸素（Ｏ）を以下に述べる比率で含有するもの（低反射層（ＴａＢＳｉＯ））が挙げられる。
Ｂの含有率　１ａｔ％以上５ａｔ％未満、好ましくは１～４．５ａｔ％、より好ましくは１．５～４ａｔ％
Ｓｉの含有率　１～２５ａｔ％、好ましくは１～２０ａｔ％、より好ましくは２～１０ａｔ％
ＴａとＯとの組成比（Ｔａ：Ｏ）　７：２～１：２、好ましくは７：２～１：１、より好ましくは２：１～１：１
　また、低反射層の具体例としては、Ｔａ、Ｂ、Ｓｉ、ＯおよびＮを以下に述べる比率で含有するもの（低反射層（ＴａＢＳｉＯＮ））が挙げられる。
Ｂの含有率　１ａｔ％以上５ａｔ％未満、好ましくは１～４．５ａｔ％、より好ましくは２～４．０ａｔ％
Ｓｉの含有率　１～２５ａｔ％、好ましくは１～２０ａｔ％、より好ましくは２～１０ａｔ％
ＴａとＯ及びＮの組成比（Ｔａ：（Ｏ＋Ｎ））　７：２～１：２、好ましくは７：２～１：１、より好ましくは２：１～１：１
　低反射層（ＴａＢＳｉＯ），（ＴａＢＳｉＯＮ）は、上記の構成であることにより、その結晶状態はアモルファスであり、その表面が平滑性に優れている。具体的には、低反射層（ＴａＢＳｉＯ），（ＴａＢＳｉＯＮ）表面の表面粗さが０．５ｎｍ　ｒｍｓ以下である。
　上記したように、エッジラフネスの影響によってパターンの寸法精度の悪化が防止するため、吸収層表面は平滑であることが要求される。低反射層は、吸収層上に形成されるため、同様の理由から、その表面は平滑であることが要求される。
　低反射層表面の表面粗さが０．５ｎｍ　ｒｍｓ以下であれば、低反射層表面が十分平滑であるため、エッジラフネスの影響によってパターンの寸法精度が悪化するおそれがない。低反射層表面の表面粗さは０．４ｎｍ　ｒｍｓ以下であることがより好ましく、０．３ｎｍ　ｒｍｓ以下であることがさらに好ましい。
　吸収層上に低反射層を形成する場合、吸収層と低反射層との合計厚さが５５～１３０ｎｍであることが好ましい。また、低反射層の厚さが吸収層の厚さよりも大きいと、吸収層でのＥＵＶ光吸収特性が低下するおそれがあるので、低反射層の厚さは吸収層の厚さよりも小さいことが好ましい。このため、低反射層の厚さは５～３０ｎｍであることが好ましく、１０～２０ｎｍであることがより好ましい。
　低反射層（ＴａＢＳｉＯ），（ＴａＢＳｉＯＮ）は、マグネトロンスパッタリング法やイオンビームスパッタリング法のようなスパッタリング法など、周知の成膜方法を用いて形成することができ、マグネトロンスパッタリング法を用いる場合、下記（１）～（３）の方法で低反射層（ＴａＢＳｉＯ）を形成することができる。
（１）Ｔａターゲット、ＢターゲットおよびＳｉターゲットを使用し、アルゴン（Ａｒ）で希釈した酸素（Ｏ２）雰囲気中でこれらの個々のターゲットを同時に放電させることによって低反射層（ＴａＢＳｉＯ）を形成する。
（２）ＴａＢ化合物ターゲットおよびＳｉターゲットを用いて、これらのターゲットをアルゴンで希釈した酸素雰囲気中で同時放電させることによって低反射層（ＴａＢＳｉＯ）を形成する。
（３）ＴａＢＳｉ化合物ターゲットを用いて、この３元素が一体化されたターゲットをアルゴンで希釈した酸素雰囲気中で放電させることによって低反射層（ＴａＢＳｉＯ）を形成する。
　なお、上述した方法のうち、２以上のターゲットを同時に放電させる方法（（１）、（２））では、各ターゲットの投入電力を調節することによって、形成される低反射層（ＴａＢＳｉＯ）の組成を制御することができる。
　上記の中でも（２）および（３）の方法が、放電の不安定化や膜の組成や膜厚のばらつきを回避できる点で好ましく、（３）の方法が特に好ましい。ＴａＢＳｉ化合物ターゲットは、その組成がＴａ＝５０～９４ａｔ％、Ｓｉ＝５～３０ａｔ％、Ｂ＝１～２０ａｔ％であることが、放電の不安定化や膜の組成や膜厚のばらつきを回避できる点で特に好ましい。
　低反射層（ＴａＢＳｉＯＮ）を形成する場合、アルゴンで希釈した酸素雰囲気の代わりにアルゴンで希釈した酸素・窒素混合ガス雰囲気で、上記と同様の手順を実施すればよい。
　上記の方法で低反射層（ＴａＢＳｉＯ）を形成するには、具体的には以下の成膜条件で実施すればよい。
ＴａＢ化合物ターゲットおよびＳｉターゲットを使用する方法（２）
スパッタガス：ＡｒとＯ2の混合ガス（Ｏ2ガス濃度３～８０ｖｏｌ％、好ましくは５～３０ｖｏｌ％、より好ましくは８～１５ｖｏｌ％。ガス圧１．０×１０－１Ｐａ～１０×１０－１Ｐａ、好ましくは１．０×１０－１Ｐａ～５×１０-１Ｐａ、より好ましくは１．０×１０－１Ｐａ～３×１０－１Ｐａ。）
投入電力（各ターゲットについて）：３０～１０００Ｗ、好ましくは５０～７５０Ｗ、より好ましくは８０～５００Ｗ
成膜速度：２．０～６０ｎｍ／ｓｅｃ、好ましくは３．５～４５ｎｍ／ｓｅｃ、より好ましくは５～３０ｎｍ／ｓｅｃ
ＴａＢＳｉ化合物ターゲットを使用する方法（３）
スパッタガス：ＡｒとＯ２の混合ガス（Ｏ２ガス濃度３～８０ｖｏｌ％、好ましくは５～３０ｖｏｌ％、より好ましくは８～１５ｖｏｌ％。ガス圧１．０×１０－１Ｐａ～１０×１０－１Ｐａ、好ましくは１．０×１０－１Ｐａ～５×１０－１Ｐａ、より好ましくは１．０×１０－１Ｐａ～３×１０－１Ｐａ。）
投入電力：３０～１０００Ｗ、好ましくは５０～７５０Ｗ、より好ましくは８０～５００Ｗ
成膜速度：２．０～５０ｎｍ／ｓｅｃ、好ましくは２．５～３５ｎｍ／ｓｅｃ、より好ましくは５～２５ｎｍ／ｓｅｃ
　上記の方法で低反射層（ＴａＢＳｉＯＮ）を形成するには、具体的には以下の成膜条件で実施すればよい。
ＴａＢ化合物ターゲットおよびＳｉターゲットを使用する方法（２）
スパッタガス：ＡｒとＯ２とＮ２の混合ガス（Ｏ２ガス濃度５～３０体積％、Ｎ２ガス濃度５～３０体積％、好ましくはＯ２ガス濃度６～２５体積％、Ｎ２ガス濃度６～２５体積％、より好ましくはＯ２ガス濃度１０～２０体積％、Ｎ２ガス濃度１５～２５体積％。ガス圧１．０×１０－２Ｐａ～１０×１０－２Ｐａ、好ましくは１．０×１０－２Ｐａ～５×１０－２Ｐａ、より好ましくは１．０×１０－２Ｐａ～３×１０－２Ｐａ。）
投入電力（各ターゲットについて）：３０～１０００Ｗ、好ましくは５０～７５０Ｗ、より好ましくは８０～５００Ｗ
成膜速度：２．０～５０ｎｍ／ｓｅｃ、好ましくは２．５～３５ｎｍ／ｓｅｃ、より好ましくは５～２５ｎｍ／ｓｅｃ
ＴａＢＳｉ化合物ターゲットを使用する方法（３）
スパッタガス：ＡｒとＯ２とＮ２の混合ガス（Ｏ２ガス濃度５～３０体積％、Ｎ２ガス濃度５～３０体積％、好ましくはＯ２ガス濃度６～２５体積％、Ｎ２ガス濃度６～２５体積％、より好ましくはＯ２ガス濃度１０～２０体積％、Ｎ２ガス濃度１５～２５体積％。ガス圧１．０×１０－２Ｐａ～１０×１０－２Ｐａ、好ましくは１．０×１０－２Ｐａ～５×１０－２Ｐａ、より好ましくは１．０×１０－２Ｐａ～３×１０－２Ｐａ。）
投入電力：３０～１０００Ｗ、好ましくは５０～７５０Ｗ、より好ましくは８０～５００Ｗ
成膜速度：２．０～５０ｎｍ／ｓｅｃ、好ましくは２．５～３５ｎｍ／ｓｅｃ、より好ましくは５～２５ｎｍ／ｓｅｃ
　なお、吸収層上に低反射層を形成することが好ましいのは、パターンの検査光の波長とＥＵＶ光の波長とが異なるからである。したがって、パターンの検査光としてＥＵＶ光（１３．５ｎｍ付近）を使用する場合、吸収層上に低反射層を形成する必要はないと考えられる。検査光の波長は、パターン寸法が小さくなるに伴い短波長側にシフトする傾向があり、将来的には１９３ｎｍ、さらには１３．５ｎｍにシフトすることも考えられる。検査光の波長が１３．５ｎｍである場合、吸収層上に低反射層を形成する必要はないと考えられる。
　以下、実施例を用いて本発明をさらに説明する。
（実施例１）
　実施例１では、図１，２に示す静電チャック１０Ａを使用した。静電チャック１０Ａは、以下の手順で作成した。
　アルミナ製の本体１１上に、厚さ１２５μｍのポリイミドフィルムを加熱融着させて下部誘電層３を形成した。
　下部誘電層３および本体１１は、電極部２と外部電源を接続するために、図２に示す電極孔２２および２３が貫通しており、該電極孔２２および２３を介して外部電極端子と接続されている。
　下部誘電層３上に、スパッタリング法により厚さ１μｍの銅の薄膜を形成した後、所望の形状のマスクを介してエッチングすることにより、図２に示す電極パターンを有する電極部２を形成した。
　次に、電極部２上に、厚さ５０μｍのポリイミドフィルムを加熱融着させて上部誘電層１を形成した。加熱融着後でもこのポリイミドフィルムの厚さに変化はなかった。
　なお、上部誘電層１および下部誘電層３に用いたポリイミドフィルムの物性等は以下の通りである。
絶縁破壊電圧：６．８ｋＶ。
引張強度：５２０ＭＰａ。
引張伸び率：４２％。
引張弾性率：９．１ＧＰａ。
上部誘電層の厚さに対する下部誘電層の厚さの倍率：１２５μｍ／５０μm＝２．５
　また、静電チャックのチャック面は、直径１３ｃｍの円形であった。
　図５に示すように、上記方法により作成した静電チャック１０Ａを用いて、ＥＵＶマスクブランクス用のガラス基板を吸着保持し、このガラス基板上にＥＵＶ光を反射する反射層と、バッファ層、ＥＵＶ光を吸収する吸収層をスパッタ法によりこの順に形成した。ガラス基板３０は、主成分をＳｉＯ２としたゼロ膨張ガラスであり、２２℃における熱膨張係数が０／℃である。
　ガラス基板３０の吸着保持面側には導電膜４０が成膜されている。導電膜４０はシート抵抗率９０Ω／□、厚さ７０ｎｍの窒化クロム（ＣｒＮ）膜である。
　静電チャックの電極間電圧は１０００Ｖとし、圧力２．０×１０－４ｔｏｒｒの真空中で静電チャックを３０ｒｐｍで回転させながら２時間保持した。
　ガラス基板の吸着保持面の欠陥数を吸着保持前後に測定した。具体的には、市販の欠陥検査装置（レーザーテック社製Ｍ１３５０）にて２００ｎｍ以上の欠陥数を、検査領域１４２ｍｍ角として測定した。その結果、吸着保持後に増加した欠陥数は１．０×１０３個であった。
　上記と同様の手順でガラス基板の吸着保持を１０回繰り返したが、静電チャックの吸着力の低下は起こらなかった。
（実施例２）
　実施例２では、図３に示す静電チャック１０Ｂを使用した。静電チャック１０Ｂは、上述した静電チャック１０Ａの作成手順を実施した後、上部誘電層１に所望の凹凸パターンを有したマスクを付け、ヒドラジンを用いウエットエッチングを行い突起部５を作成した。突起部のパターンは図４に示す通りであり、ウエットエッチングを行う前の上部誘電層１の表面積に対する突起部の表面積の合計が１％となるよう調整した。また突起部の高さは１０μｍとした。このため、突起部がない場所における上部誘電層１の厚さは４０μｍとなった。
　作成した静電チャック１０Ｂを用いて、実施例１と同様にガラス基板の吸着保持を実施した。吸着保持後に増加した欠陥数は１．０×１０２個であった。
　実施例１と同様に、ガラス基板の吸着保持を１０回繰り返したが、静電チャックの吸着力の低下は起こらなかった。
　（実施例３）
　実施例３では、下部誘電層および上部誘電層を２枚のポリイミドフィルムで作成した、図１，２で示す静電チャック１０Ａを使用した。静電チャック１０Ａは以下の手順で作成した。
　アルミナ製の本体１１上に、厚さ１２５μｍのポリイミドフィルムを２枚重ね合わせ、加熱融着させて下部誘電層３を形成した。２枚重ねて厚さを２倍とした理由は、厚さを増やして機械的耐久性を増すためである。
　下部誘電層３および本体１１は、電極部２と外部電源を接続するために、図２に示す電極孔２２および２３が貫通しており、該電極孔２２および２３を介して外部電極端子と接続されている。
　下部誘電層３上に、スパッタリング法により厚さ１μｍの銅の薄膜を形成した後、所望の形状のマスクを介してエッチングすることにより、図２に示す電極パターンを有する電極部２を形成した。
　次に、電極部２上に、厚さ７．５μｍのポリイミドフィルムを２枚重ね合わせ、加熱融着させて上部誘電層１を形成した。２枚重ね合わせた理由は、所望の上部誘電層の厚さを得るためである。
　なお、上部誘電層１および下部誘電層３に用いたポリイミドフィルムの物性は以下の通りである。
絶縁破壊電圧：６．８ｋＶ。
引張強度：５２０ＭＰａ。
引張伸び率：４２％。
引張弾性率：９．１ＧＰａ。
上部誘電層の厚さに対する下部誘電層の厚さの倍率：２５０μｍ／１５μm＝１６．７
　また、静電チャックのチャック面は、直径１３ｃｍの円形であった。
（比較例１）
　Ａｌ2Ｏ3を吸着保持面とする従来の静電チャック、すなわち図１にて静電チャック１０Ａにおいて、誘電層１，３と本体１１が一体のＡｌ２Ｏ３として作成されたものを用いて、実施例と同様にガラス基板の吸着保持を実施した。吸着保持後に増加した欠陥数は１．０×１０４個であり、実施例１と比較して１桁、実施例２に対しては２桁悪い結果であった。
（比較例２）
　実施例１の構成から下部誘電層３を除いた静電チャックを作成して、実施例１と同様にガラス基板の吸着保持を実施した。ガラス基板の吸着保持を１０回繰り返したところ吸着力が消失した。静電チャックとガラス基板との間にパーティクルなどの異物を挟み込むことにより、上部誘電層１であるポリイミド膜に穴が開き、電極部２と導電膜４０とが完全もしくは不完全な短絡を起こすことにより、電位差が消失するあるいは異常放電を発生することにより吸着力を消失したものと考えられる。１０回の吸着保持操作により吸着力が消失する静電チャックを実用化することは、事実上不可能なことである。
（比較例３）
　実施例２の構成から下部誘電層３を除いた静電チャックを作成して、実施例２と同様にガラス基板の吸着保持を実施した。ガラス基板の吸着保持を１０回繰り返したところ吸着力が消失した。静電チャックとガラス基板との間にパーティクルなどの異物を挟み込むことにより、上部誘電層１であるポリイミド膜に穴が開き、電極部２と導電膜４０とが完全もしくは不完全な短絡を起こすことにより、電位差が消失するあるいは異常放電を発生することにより吸着力を消失したものと考えられる。１０回の吸着保持操作により吸着力が消失する静電チャックを実用化することは、事実上不可能なことである。
　実施例１～２と比較例１～３との比較から、本発明の静電チャックが実用可能かつ低発塵であることは明らかである。
（実施例４）
　本実施例では、以下の手順でＥＵＶマスクブランクスを作成する。
　実施例１で使用した静電チャック１０Ａを用いて、ガラス基板を吸着保持する。ガラス基板は、主成分をＳｉＯ２としたゼロ膨張ガラスであり、２２℃における熱膨張係数が０／℃である。ガラス基板の吸着保持面側には導電膜が成膜されている。導電膜はシート抵抗率９０Ω／□、厚さ７０ｎｍの窒化クロム（ＣｒＮ）膜である。
　ガラス基板の光学面上にイオンビームスパッタリング法を用いてＭｏ膜およびＳｉ膜を交互に成膜することを５０周期繰り返すことにより、合計膜厚３４０ｎｍ（（２．３ｎｍ＋４．５ｎｍ）×５０）のＭｏ／Ｓｉ多層反射膜を形成する。
　Ｍｏ膜およびＳｉ膜の成膜条件は以下の通りである。
Ｍｏ膜の成膜条件
ターゲット：Ｍｏターゲット
スパッタガス：Ａｒガス（ガス圧０．０２Ｐａ）
電圧：７００Ｖ
成膜速度：０．０６４ｎｍ／ｓｅｃ
膜厚：２．３ｎｍ
Ｓｉ膜の成膜条件
ターゲット：Ｓｉターゲット（ホウ素ドープ）
スパッタガス：Ａｒガス（ガス圧０．０２Ｐａ）
電圧：７００Ｖ
成膜速度：０．０７７ｎｍ／ｓｅｃ
膜厚：４．５ｎｍ。
　次に、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜上に、バッファ層としてＲｕ層をイオンビームスパッタリング法を用いて形成する。
　バッファ層の形成条件は以下の通りである。
ターゲット：Ｒｕターゲット
スパッタガス：Ａｒガス（ガス圧０．０２Ｐａ）
電圧：７００Ｖ
成膜速度：０．０５２ｎｍ／ｓｅｃ
膜厚：２．５ｎｍ
　次に、保護層上に、吸収層としてＴａＢＳｉＮ層を、マグネトロンスパッタリング法を用いて形成する。
　ＴａＢＳｉＮ層を成膜条件は以下の通りである。
ＴａＢＳｉＮ層の成膜条件
ターゲット：ＴａＢＳｉ化合物ターゲット（組成比：Ｔａ　８０ａｔ％、Ｂ　１０ａｔ％、Ｓｉ　１０ａｔ％）
スパッタガス：ＡｒとＮ２の混合ガス（Ａｒ：８６体積％、Ｎ２：１４体積％、ガス圧：０．３Ｐａ）
投入電力：１５０Ｗ
成膜速度：０．１２ｎｍ／ｓｅｃ
膜厚：６０ｎｍ。
　次に、吸収層上に、低反射層としてＴａＢＳｉＯＮ層を、マグネトロンスパッタリング法を用いて形成することにより、基板上にＭｏ／Ｓｉ多層反射膜、Ｒｕ層、ＴａＢＳｉＮ層、および、ＴａＢＳｉＯＮ層がこの順に設けられたＥＵＶマスクブランクスを得る。
　ＴａＢＳｉＯＮ膜の成膜条件は以下の通りである。
ＴａＢＳｉＯＮ層の成膜条件
ターゲット：ＴａＢＳｉターゲット（組成比：Ｔａ　８０ａｔ％、Ｂ　１０ａｔ％、Ｓｉ１０ａｔ％）
スパッタガス：ＡｒとＮ２とＯ２の混合ガス（Ａｒ：６０体積％、Ｎ２：２０体積％、Ｏ２：２０体積％、ガス圧：０．３Ｐａ）
投入電力：１５０Ｗ
成膜速度：０．１８ｎｍ／ｓｅｃ
膜厚：１０ｎｍ
　上記の手順で作成されるＥＵＶマスクブランクスは欠点も少なく、ＥＵＶマスクとして適したマスクブランクスであることが確認される。
（実施例５）
　本実施例では、ガラス基板の吸着保持用の静電チャックとして、実施例２で使用した静電チャック１０Ｂを使用する点以外は、実施例４と同様の手順を実施して、基板上にＭｏ／Ｓｉ多層反射膜、Ｒｕ層、ＴａＢＳｉＮ層、および、ＴａＢＳｉＯＮ層がこの順に設けられたＥＵＶマスクブランクスを得る。得られるＥＵＶマスクブランクスは欠点も少なく、ＥＵＶマスクとして適したマスクブランクスであることが確認される。
産業上の利用の可能性
　本発明は、ガラス基板に被膜を形成する際、静電チャックによってガラス基板を充分な吸着保持力をもって保持することができ、かつ静電チャックとガラス基板との間にパーティクルなどの異物を挟み込むことによるガラス基板表面およびチャック面への傷の発生を抑えることができるので、微小な僅かの傷の発生も著しく問題とされるＥＵＶマスクブランクスの製造方法に最適に利用できる。
　なお、２００９年１月２８日に出願された日本特許出願２００９－０１６２８３号、２００９年１１月３０日に出願された日本特許出願２００９－２７１５９７号および２００９年１２月１４日に出願された日本特許出願２００９－２８２８７２号の明細書、特許請求の範囲、図面および要約書の全内容をここに引用し、本発明の明細書の開示として取り入れるものである。
　　１：上部誘電層
　　２：電極部
　　３：下部誘電層
　　５：突起部
　１０Ａ，１０Ｂ：静電チャック
　１１：本体
　３０：ガラス基板
　４０：導電膜

Claims (17)

  1. 　静電チャックを用いてガラス基板を吸着保持し、スパッタリング法により、前記ガラス基板上にＥＵＶ光を反射する反射層、および、ＥＵＶ光を吸収する吸収層を少なくともこの順に形成するＥＵＶリソグラフィ（ＥＵＶＬ）用反射型マスクブランクスの製造方法であって、
    　前記静電チャックは、本体上に、有機高分子膜よりなる下部誘電層、導電性材料よりなる電極部、および、有機高分子膜よりなる上部誘電層をこの順に有し、前記電極部が、正電極と、負電極と、を含むことを特徴とするＥＵＶＬ用反射型マスクブランクスの製造方法。
  2. 　静電チャックを用いてガラス基板を吸着保持し、スパッタリング法により、前記ガラス基板上にＥＵＶ光を反射する反射層、および、当該反射層の上層にＥＵＶ光を吸収する吸収層を形成するＥＵＶリソグラフィ（ＥＵＶＬ）用反射型マスクブランクスの製造方法であって、
    　少なくとも前記反射層および前記吸収層を形成する際、前記静電チャックは、本体の吸着面側に、有機高分子膜よりなる下部誘電層、導電性材料よりなる電極部、および、有機高分子膜よりなる上部誘電層をこの順に有し、前記電極部が、正電極と、負電極と、を含むことを特徴とするＥＵＶＬ用反射型マスクブランクスの製造方法。
  3. 　前記静電チャックの前記下部誘電層が、２層以上の有機高分子膜を含む、請求項１または２に記載のＥＵＶＬ用反射型マスクブランクスの製造方法。
  4. 　前記静電チャックの前記上部誘電層が、２層以上の有機高分子膜を含む、請求項１、２または３に記載のＥＵＶＬ用反射型マスクブランクスの製造方法。
  5. 　前記静電チャックの前記下部誘電層、および、前記上部誘電層は、絶縁破壊耐圧が３．０ｋＶ以上であることを特徴とする請求項１～４のいずれかに記載のＥＵＶＬ用反射型マスクブランクスの製造方法。
  6. 　前記静電チャックの前記下部誘電層、および、前記上部誘電層は、引張強度が５０ＭＰａ以上であることを特徴とする請求項１～５のいずれかに記載のＥＵＶＬ用反射型マスクブランクスの製造方法。
  7. 　前記静電チャックの前記下部誘電層、および、前記上部誘電層は、引張伸び率が２０％以上であることを特徴とする請求項１～６のいずれかに記載のＥＵＶＬ用反射型マスクブランクスの製造方法。
  8. 　前記静電チャックの前記下部誘電層、および、前記上部誘電層は、引張弾性率が１．０ＧＰａ以上であることを特徴とする請求項１～７のいずれかに記載のＥＵＶＬ用反射型マスクブランクスの製造方法。
  9. 　前記静電チャックの前記下部誘電層、および、前記上部誘電層が、ポリイミド膜、ポリオレフィン系材料膜、シリコーン膜、ポリ塩化ビニル膜、およびポリエチレンテレフタラート膜からなる群から選択される少なくとも１つの有機高分子膜を含む請求項１～８のいずれかに記載のＥＵＶＬ用反射型マスクブランクスの製造方法。
  10. 　前記静電チャックの前記下部誘電層の厚さが、前記上部誘電層の厚さの２倍以上であることを特徴とする請求項１～９のいずれかに記載のＥＵＶＬ用反射型マスクブランクスの製造方法。
  11. 　前記静電チャックの前記上部誘電層の厚さが、１０～５００μｍであることを特徴とする請求項１～１０のいずれかに記載のＥＵＶＬ用反射型マスクブランクスの製造方法。
  12. 　前記静電チャックが、前記上部誘電層の吸着面側に、吸着保持されるガラス基板との接触面積を低減させるための突起部を有する請求項１～１１のいずれかに記載のＥＵＶＬ用反射型マスクブランクスの製造方法。
  13. 　前記静電チャックの前記突起部の高さが、５～５０μｍである請求項１２に記載のＥＵＶＬ用反射型マスクブランクスの製造方法。
  14. 　前記静電チャックの前記突起部は、吸着保持されるガラス基板との接触面積の合計が、前記上部誘電体の表面積の０．１～２５．０％である請求項１２または１３に記載のＥＵＶＬ用反射型マスクブランクスの製造方法。
  15. 　前記静電チャックの前記正電極および前記負電極が、それぞれくし歯型の形状を有し、互いのくし歯が空隙をはさんで隣接するように配置されていることを特徴とする請求項１～１４のいずれかに記載のＥＵＶＬ用反射型マスクブランクスの製造方法。
  16. 　前記静電チャックの前記電極部の厚さが、１０μｍ以下であることを特徴とする請求項１～１５のいずれかに記載のＥＵＶＬ用反射型マスクブランクスの製造方法。
  17. 　前記ガラス基板の前記静電チャックに吸着保持される側の面には導電膜が設けられている１～１６のいずれかに記載のＥＵＶＬ用反射型マスクブランクスの製造方法。
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