WO2010055855A1 - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents

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寛久 神戸
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芝浦メカトロニクス株式会社
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    • C03C2218/30—Aspects of methods for coating glass not covered above
    • C03C2218/32—After-treatment

Definitions

  • the present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method for performing processing by irradiating an edge portion of a film surface with laser light among substrates to be processed having a substrate and a film surface provided on the substrate.
  • a substrate processing apparatus that irradiates a film surface with laser light among substrates to be processed having a substrate and a film surface provided on the substrate, the laser irradiation apparatus that irradiates laser light, and a film surface.
  • a stage that supports only the peripheral edge of the substrate to be processed while positioned below, and a holding mechanism that supports the film surface of the substrate to be processed placed on this stage from below and holds the substrate to be processed in a flat state.
  • a holding mechanism having a plurality of pin-shaped substrate support portions (see JP-A-2001-111078 and JP-A-2002-280578).
  • the film surface when the film surface is supported by the pin-shaped substrate support portion as in the prior art, the film surface may be adversely affected by the pressing force by the substrate support portion.
  • the substrate to be processed when processing the edge of the film surface, the substrate to be processed is supported only by the inner film surface, and the adverse effect on the film surface is further increased.
  • the present invention has been made in consideration of such points, and reliably prevents the substrate to be processed from being bent without adversely affecting the film surface, thereby increasing the processing accuracy of the film surface. It is an object of the present invention to provide a substrate processing apparatus that can perform such a process, and a substrate processing method using such a substrate processing apparatus.
  • a substrate processing apparatus comprises: Among substrate to be processed having a substrate and a film surface provided on the substrate, in a substrate processing apparatus for processing an edge of the film surface, An adsorption holding unit for adsorbing and holding the substrate to be processed from one side in a state where the film surface is located on the other side of the substrate; A laser irradiation device for irradiating laser light; A laser moving unit for moving the laser irradiation device, By moving the laser irradiation apparatus while irradiating the laser beam from the laser irradiation apparatus, the edge of the film surface is processed in the substrate to be processed held by the suction holding section.
  • a substrate processing apparatus comprises: A pair of positioning portions that sandwich and position the substrate to be processed;
  • the suction holding part sucks and holds the substrate to be processed sandwiched by the positioning part from one side;
  • the positioning unit may release the substrate to be processed after the substrate to be processed is held by the suction holding unit.
  • a substrate processing apparatus comprises: A rotation drive unit that rotates the substrate to be processed by rotating the suction holding unit; While irradiating the laser beam from the laser irradiation device, the laser irradiation device is moved along a predetermined direction to process one edge of the substrate to be processed, and then the rotation drive unit is used to process the object to be processed. After rotating the processing substrate, the other edge of the substrate to be processed is processed by moving the laser irradiation device along the predetermined direction while irradiating the laser beam from the laser irradiation device. May be.
  • the lower end of the laser irradiation device may be located on one side of the end of the suction holding unit.
  • the suction holding part has a contact part that comes into contact with the substrate to be processed, and a plurality of suction parts provided in the surface of the contact part,
  • the abutting portion may include a metal plate and a resin sheet provided on the lower surface of the metal plate.
  • the substrate processing method comprises: In a substrate processing method for processing an edge portion of a film surface among substrates to be processed having a substrate and a film surface provided on the substrate, A step of sucking and holding the substrate to be processed from one side in a state where the film surface is located on the other side of the substrate by the suction holding unit; Irradiating laser light from a laser irradiation device; A step of moving the laser irradiation device in a horizontal direction by a laser moving unit, By moving the laser irradiation apparatus while irradiating the laser beam from the laser irradiation apparatus, the edge of the film surface is processed in the substrate to be processed held by the suction holding section.
  • a step of sucking and holding the substrate to be processed from one side may be performed, and then the substrate to be processed may be released by the positioning unit.
  • the laser irradiation device While irradiating the laser beam from the laser irradiation device, the laser irradiation device is moved along a predetermined direction to process one edge of the substrate to be processed, and then the processing target is processed by a rotation drive unit. After the substrate is rotated, the other edge of the substrate to be processed is processed by moving the laser irradiation device along the predetermined direction while irradiating the laser beam from the laser irradiation device. Also good.
  • the substrate in a state where the substrate is positioned above the film surface, the substrate is sucked and held from above by the suction holding unit, and the edge of the film surface is processed by the laser light emitted from the laser irradiation apparatus. Therefore, it is possible to reliably prevent the substrate to be processed from being bent without adversely affecting the film surface, and to increase the processing accuracy of the film surface.
  • the side view which shows the suction holding
  • the side sectional view showing the adsorption holding part and rotation drive part of the substrate processing device by an embodiment of the invention.
  • the upper side view which looked at the substrate processing apparatus by embodiment of this invention from upper direction, and the side view which looked from the side.
  • the side view which showed the timing which positions a to-be-processed substrate by a positioning part, and the timing which adsorb
  • the side view which showed the timing which positions a to-be-processed substrate by a positioning part, and the timing which adsorb
  • the upper side figure which showed the range of the edge part of the film surface of the to-be-processed substrate processed by the substrate processing apparatus of embodiment of this invention, and the side view which showed the motion of the laser irradiation apparatus.
  • the upper top view which expanded the aspect which processes the edge part of the film surface of a to-be-processed substrate by the substrate processing apparatus of embodiment of this invention.
  • the upper top view which showed the aspect which processes the edge part of the film
  • the upper top view which showed the aspect which processes the edge part of the film
  • the side view which looked at the substrate processing apparatus by another example of embodiment of this invention from the side.
  • FIG. 1 to FIG. 11 are diagrams relating to embodiments of the present invention.
  • the substrate processing apparatus is used to process edges 61 a and 61 b of the film surface 61 among the substrate 60 to be processed having a glass substrate (substrate) 62 and a film surface 61 provided on the glass substrate 62 ( (See FIG. 1).
  • substrate used for a thin film solar cell can be mentioned, for example.
  • the substrate processing apparatus moves the substrate 60 above (one side) while the glass substrate 62 is positioned above (one side) the film surface 61.
  • An adsorption holding unit 10 (see FIG. 1) that adsorbs and holds the laser beam
  • a laser irradiation device 20 see FIG. 1 that irradiates laser light L
  • a laser moving unit 22 see FIG. 1 that moves the laser irradiation device 20 in the horizontal direction.
  • 3A is an upper plan view of the substrate processing apparatus according to the present embodiment as viewed from above
  • FIG. 3B is a side view of the substrate processing apparatus as viewed from the side.
  • the substrate processing apparatus irradiates the laser beam L from the laser irradiation apparatus 20 and moves the laser irradiation apparatus 20 along a predetermined direction, whereby the substrate 60 to be processed held by the suction holding unit 10. It is comprised so that the edge parts 61a and 61b of the film surface 61 of this may be processed (refer Fig.6 (a) (b) and FIG. 7).
  • FIG. 6A is an upper plan view showing the range of the edge portions 61a and 61b processed by the substrate processing apparatus of the present embodiment
  • FIG. 6B shows the movement of the laser irradiation apparatus 20
  • FIG. FIG. 7 is an enlarged top plan view showing a mode in which the edges 61a and 61b of the film surface 61 are processed by the substrate processing apparatus of the present embodiment. 7 indicates the laser spot of the laser beam L irradiated from the laser irradiation device 20 to the edges 61a and 61b of the film surface 61.
  • the suction holding unit 10 is configured to suck and hold the substrate 60 to be processed sandwiched by the positioning units 5s and 5l (described later) (see FIGS. 4A and 4B).
  • the positioning units 5s and 5l are configured to release the substrate 60 after the substrate 60 is held by the suction holding unit 10.
  • a rotation driving unit 15 that rotates the substrate to be processed 60 by rotating the suction holding unit 10 is provided on the upper part of the suction holding unit 10.
  • a description will be given using a mode in which the rotation driving unit 15 is provided on the upper part of the suction holding unit 10.
  • the present invention is not limited to this.
  • a mode in which the irradiation device 20 and the laser moving unit 22 are rotated may be used.
  • the lower end of the laser irradiation device 20 is located above the upper end of the suction holding unit 10 (one side from the end), and the suction holding unit 10 is Even when rotated by the rotation drive unit 15, the suction holding unit 10 and the laser irradiation device 20 are configured not to collide with each other.
  • the suction holding unit 10 includes a contact part 11 that comes into contact with the substrate to be processed 60 and a plurality of suction parts 12 provided within the surface of the contact part 11.
  • the contact portion 11 includes a metal plate 14 and a resin sheet 13 provided on the lower surface of the metal plate 14.
  • a pair of transport units 1 that transport the substrate to be processed 60 are provided on the upstream side of the laser irradiation device 20 and the laser moving unit 22. Further, in the vicinity of the transport unit 1, a pair of positioning units 5l that sandwich and position the substrate 60 to be processed in the transport direction, and two pairs that position the substrate 60 to be processed in a direction orthogonal to the transport direction. A positioning part 5s is provided.
  • FIGS. 8A to 8E used in the following description, only one laser irradiation device 20 and laser moving unit 22 are shown for the sake of simplicity, but in this embodiment, As shown in FIG. 3A, a pair of laser irradiation devices 20 and a laser moving unit 22 are used.
  • the substrate 60 to be processed is transported by the transport unit 1 (see FIGS. 3A and 3B). Then, when the substrate 60 to be processed is transferred to a predetermined position, the transfer unit 1 is stopped, whereby the transfer of the substrate 60 to be processed is stopped. At this time, the glass substrate 62 is positioned above the film surface 61, and the transport unit 1 is in contact with a portion of the film surface 61 that is removed by a laser beam L described later.
  • the substrate to be processed 60 is sandwiched and positioned by the pair of positioning portions 5l in the transport direction, and the substrate to be processed 60 is sandwiched and positioned by the two pairs of positioning portions 5s in the direction orthogonal to the transport direction. (See FIGS. 3A and 3B and FIG. 4A).
  • the substrate to be processed 60 held between the positioning portions 5s and 5l is sucked and held from above by the suction holding unit 10 (see FIGS. 4A and 4B). And after the to-be-processed substrate 60 is hold
  • the target substrate 60 is positioned by the positioning portions 5s and 5l (see FIG. 5A), and then the target substrate 60 is released (FIG. 5B).
  • Reference when the substrate 60 to be processed is sucked and held from above (see FIG. 5C), the substrate to be processed is held when the substrate 60 is sucked and held by the suction holding unit 10. 60 may deviate from the suction holding unit 10.
  • the substrate 60 to be processed is released from the positioning by the positioning portions 5s and 5l after the substrate to be processed 60 is held by the suction holding unit 10 (FIG. 4A).
  • the substrate 60 to be processed when the substrate 60 to be processed is sucked and held by the suction holding unit 10, it is possible to prevent the substrate 60 to be displaced from the suction holding unit 10. 10, the substrate 60 to be processed can be positioned at an accurate position.
  • the substrate 60 to be processed is held by the suction holding unit 10 as described above, the substrate 60 to be processed is transported to the laser processing position by the suction holding unit 10 (see FIG. 3B).
  • the laser irradiation unit 20 is moved in the horizontal direction by the laser moving unit 22 (see FIGS. 6A and 6B and FIGS. 8A and 8B). At this time, the laser beam L is emitted from the laser irradiation device 20. As described above, by irradiating the laser beam L from the laser irradiation device 20 and moving the laser irradiation device 20 along the X direction (predetermined direction), one edge of the film surface 61 of the substrate 60 to be processed. The part 61a is processed.
  • the laser irradiation apparatus 20 moves at this time in the positive direction of the Y direction (in the direction orthogonal to the X direction and inward of the substrate to be processed 60) after moving along the X direction. After that, it moves in the direction along the X direction and in the opposite direction (see FIGS. 7 and 8A and 8B). In addition, by repeating such a movement as appropriate, one edge portion 61a of the substrate 60 to be processed can be processed within a desired range.
  • the substrate to be processed 60 is rotated by the rotation driving unit 15 (see FIG. 8C), and then the laser irradiation apparatus is again used. While the laser beam L is irradiated from 20, the laser irradiation apparatus 20 moves along the X direction, and the other edge portion 61b of the substrate 60 to be processed is processed (see FIGS. 8D and 8E). For this reason, the moving distance of the laser irradiation apparatus 20 can be shortened as much as possible, and processing efficiency can be improved.
  • the laser irradiation apparatus 20 when a substrate whose substrate 60 is not rotated by the rotation drive unit 15 is used, the laser irradiation apparatus 20 must be moved as indicated by arrows A 1 to A 8 in FIG. Therefore, the moving distance of the laser irradiation device 20 becomes long, and the processing efficiency is deteriorated.
  • the moving distance of the laser irradiation apparatus 20 can be shortened as much as possible, and the processing efficiency can be improved. (See FIGS. 8A to 8E).
  • the suction holding unit 10 can hold a wide range of the glass substrate 62 other than the portion through which the laser beam L is transmitted, it is ensured that the substrate 60 to be processed is bent. Can be prevented.
  • the glass substrate 62 of the substrate to be processed 60 is adsorbed and held from above with the glass substrate 62 positioned above the film surface 61, and the glass substrate 62 Since the portion other than the portion through which the laser beam L is transmitted can be held by the suction holding unit 10 (see FIGS. 8B and 8E), the substrate 60 to be processed is not adversely affected on the film surface 61. It is possible to reliably prevent bending.
  • the lower end of the laser irradiation device 20 is located above the upper end of the suction holding unit 10 (see FIG. 1 and FIG. 3B), and the suction holding unit 10 is a rotation drive unit. 15 is configured so that the suction holding unit 10 and the laser irradiation device 20 do not collide even when rotated by 15, so that the horizontal size of the suction holding unit 10 can be increased as much as possible. It can prevent more reliably that the to-be-processed substrate 60 bends.
  • the contact part 11 has the metal plate 14 and the resin sheet 13 provided in the lower surface of the said metal plate 14 (refer Fig.2 (a)), by the metal plate 14 with high rigidity, It is possible to prevent the suction holding unit 10 itself from being bent, and it is possible to prevent the substrate 60 from being scratched by the resin sheet 13 and the substrate 60 from being displaced during rotation.
  • the resin sheet 13 causes the substrate 60 to be processed. Although it is possible to prevent scratches and displacement of the substrate 60 during rotation, there is a possibility that the suction holding unit 10 itself bends.
  • the contact portion 11 includes the metal plate 14 and also includes the resin sheet 13 provided on the lower surface of the metal plate 14. Therefore, the suction holding unit 10 itself can be prevented from being bent by the highly rigid metal plate 14, and the substrate 60 is scratched by the resin sheet 13, or the substrate 60 to be processed is rotated during rotation. It is possible to prevent the shift.
  • the adsorption holding part 10 At least a portion corresponding to the edge of the film surface 61 may be made of a member that transmits the laser light L, and the suction holding unit 10 may hold the entire surface of the glass substrate 62. In this case, it is possible to more reliably prevent the workpiece substrate 60 from being bent.
  • the glass substrate 62 is positioned on the upper side and the glass substrate 62 is sucked and held by the suction holding unit 10 from the upper side.
  • the present invention is not limited to this. a) As shown in (b), the glass substrate 62 may be positioned below the film surface 61, and the glass substrate 62 may be sucked and held by the suction holding unit 10 from below.
  • the laser irradiation device 20 is disposed between the pair of transfer units 1 and the laser irradiation device 20 is a pair. It becomes possible to process the edge part of the film surface 61 by being movable between the transport parts 1 (see FIGS. 10A and 10B and FIG. 11). In this case, the substrate 60 to be processed is lifted upward from the transport unit 1, and the substrate 60 to be lifted upward is appropriately rotated by the rotation driving unit 15.

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Abstract

基板処理装置は、基板（６２）と、該基板（６２）に設けられた膜面（６１）とを有する被処理基板（６０）のうち、該膜面（６１）の縁部（６１ａ，６１ｂ）を処理する。基板処理装置は、基板（６２）が膜面（６１）の上方に位置する状態で、被処理基板（６０）を上方から吸着して保持する吸着保持部（１０）と、レーザ光（Ｌ）を照射するレーザ照射装置（２０）と、レーザ照射装置（２０）を水平方向に移動させるレーザ移動部（２２）と、を備えている。レーザ照射装置（２０）からレーザ光（Ｌ）を照射させつつ、該レーザ照射装置（２０）を移動させることによって、吸着保持部（１０）によって保持された被処理基板（６０）のうち膜面（６１）の縁部（６１ａ，６１ｂ）を処理する。

Description

基板処理装置および基板処理方法 関連する出願の相互参照
　本願は、２００８年１１月１３日に出願された特願２００８－２９１０６４号に対して優先権を主張し、当該特願２００８－２９１０６４号のすべての内容が参照されてここに組み込まれるものとする。
技術の分野
　本発明は、基板と、当該基板に設けられた膜面とを有する被処理基板のうち、膜面の縁部にレーザ光を照射して処理する基板処理装置および基板処理方法に関する。
　従来から、基板と、基板に設けられた膜面とを有する被処理基板のうち、膜面にレーザ光を照射する基板処理装置であって、レーザ光を照射するレーザ照射装置と、膜面を下方に位置づけた状態で被処理基板の周縁部のみを支持するステージと、このステージに置かれた被処理基板の膜面を下方から支持して、被処理基板を平坦な状態に保持する保持機構と、を備え、保持機構が複数のピン形状の基板支持部を有しているものが知られている（特開２００１－１１１０７８号公報および特開２００２－２８０５７８号公報、参照）。
　しかしながら、従来技術のようにピン形状の基板支持部によって膜面を支持する場合には、基板支持部による押圧力によって膜面に悪影響が出る可能性がある。また、大型化する被処理基板を均一な面で保持することは困難であり、被処理基板が撓んでしまって、膜面の処理精度が悪くなってしまう。特に、膜面の縁部を加工するときには、内部の膜面のみで被加工基板を支えることとなってしまい、膜面にもたらされる悪影響がさらに大きくなってしまう。
　本発明は、このような点を考慮してなされたものであり、膜面に悪影響を及ぼすことなく、被処理基板が撓むことを確実に防止し、ひいては、膜面の処理精度を高くすることができる基板処理装置と、このような基板処理装置を用いた基板処理方法を提供することを目的とする。
　本発明による基板処理装置は、
　基板と、該基板に設けられた膜面とを有する被処理基板のうち、該膜面の縁部を処理する基板処理装置において、
　前記膜面が前記基板の他方側に位置する状態で、前記被処理基板を一方側から吸着して保持する吸着保持部と、
　レーザ光を照射するレーザ照射装置と、
　前記レーザ照射装置を移動させるレーザ移動部と、を備え、
　前記レーザ照射装置からレーザ光を照射させつつ、該レーザ照射装置を移動させることによって、前記吸着保持部によって保持された前記被処理基板のうち前記膜面の縁部を処理する。
　本発明による基板処理装置は、
　前記被処理基板を挟持して位置決めする一対の位置決め部を、さらに備え、
　前記吸着保持部が、前記位置決め部によって挟持された前記被処理基板を一方側から吸着して保持し、
　前記位置決め部が、前記吸着保持部によって前記被処理基板が保持された後で、該被処理基板を解放してもよい。
　本発明による基板処理装置は、
　前記吸着保持部を回転させることによって前記被処理基板を回転させる回転駆動部を、さらに備え、
　前記レーザ照射装置からレーザ光を照射させつつ、該レーザ照射装置を所定の方向に沿って移動させることによって、前記被処理基板の一の縁部を処理し、その後、前記回転駆動部によって前記被処理基板を回転させた後で、前記レーザ照射装置からレーザ光を照射させつつ、該レーザ照射装置を前記所定の方向に沿って移動させることによって、該被処理基板の他の縁部を処理してもよい。
　このような基板処理装置において、
　前記レーザ照射装置の下端は、前記吸着保持部の端部よりも一方側に位置してもよい。
　本発明による基板処理装置において、
　前記吸着保持部は、前記被処理基板に当接する当接部と、該当接部の面内に設けられた複数の吸着部と、を有し、
　前記当接部は、金属プレートと、該金属プレートの下面に設けられた樹脂シートと、を有してもよい。
　本発明による基板処理方法は、
　基板と、該基板に設けられた膜面とを有する被処理基板のうち、該膜面の縁部を処理する基板処理方法において、
　吸着保持部によって、前記膜面が前記基板の他方側に位置する状態で、前記被処理基板を一方側から吸着して保持する工程と、
　レーザ照射装置からレーザ光を照射する工程と、
　レーザ移動部によって、前記レーザ照射装置を水平方向に移動させる工程と、を備え、
　前記レーザ照射装置からレーザ光を照射させつつ、該レーザ照射装置を移動させることによって、前記吸着保持部によって保持された前記被処理基板のうち前記膜面の縁部を処理する。
　本発明による基板処理方法において、
　位置決め部によって挟持された後で、前記被処理基板を一方側から吸着して保持する工程が行われ、その後、該位置決め部によって、該被処理基板が解放されてもよい。
　本発明による基板処理方法において、
　前記レーザ照射装置からレーザ光を照射させつつ、該レーザ照射装置を所定の方向に沿って移動させることによって、前記被処理基板の一の縁部を処理し、その後、回転駆動部によって前記被処理基板を回転させた後で、前記レーザ照射装置からレーザ光を照射させつつ、該レーザ照射装置を前記所定の方向に沿って移動させることによって、該被処理基板の他の縁部を処理してもよい。
　本発明によれば、基板が膜面の上方に位置する状態で、当該基板が吸着保持部によって上方から吸着されて保持され、レーザ照射装置から照射されるレーザ光によって膜面の縁部が処理されるので、膜面に悪影響を及ぼすことなく、被処理基板が撓むことを確実に防止することができ、ひいては、膜面の処理精度を高くすることができる。
本発明の実施の形態による基板処理装置の吸着保持部、回転駆動部およびレーザ照射装置を示す側方図。 本発明の実施の形態による基板処理装置の吸着保持部および回転駆動部を示した側方断面図。 本発明の実施の形態による基板処理装置を上方から見た上方平面図と、側方から見た側方図。 本発明の実施の形態による基板処理装置において、位置決め部によって被処理基板を位置決めするタイミングと、吸着保持部によって吸着して保持するタイミングを示した側方図。 本発明の実施の形態の別の例による基板処理装置において、位置決め部によって被処理基板を位置決めするタイミングと、吸着保持部によって吸着して保持するタイミングを示した側方図。 本発明の実施の形態の基板処理装置によって処理される被処理基板の膜面の縁部の範囲を示した上方平面図と、レーザ照射装置の動きを示した側方図。 本発明の実施の形態の基板処理装置によって、被処理基板の膜面の縁部を処理する態様を拡大した上方平面図。 本発明の実施の形態の基板処理装置によって、被処理基板の膜面の縁部を順次処理する態様を示した上方平面図。 本発明の実施の形態の別の例による基板処理装置によって、被処理基板の膜面の縁部を順次処理する態様を示した上方平面図。 本発明の実施の形態のさらに別の例による基板処理装置を側方から見た側方図。 本発明の実施の形態のさらに別の例による基板処理装置を上方から見た上方平面図。
実施の形態
　以下、本発明に係る基板処理装置および基板処理方法の実施の形態について、図面を参照して説明する。ここで、図１乃至図１１は本発明の実施の形態に関する図である。
　基板処理装置は、ガラス基板（基板）６２と、ガラス基板６２に設けられた膜面６１とを有する被処理基板６０のうち、膜面６１の縁部６１ａ，６１ｂを処理するために用いられる（図１参照）。なお、このような被処理基板６０としては、例えば、薄膜太陽電池に用いられる基板を挙げることができる。
　図１および図３（ａ）（ｂ）に示すように、基板処理装置は、ガラス基板６２が膜面６１の上方（一方側）に位置する状態で、被処理基板６０を上方（一方側）から吸着して保持する吸着保持部１０（図１参照）と、レーザ光Ｌを照射するレーザ照射装置２０（図１参照）と、レーザ照射装置２０を水平方向に移動させるレーザ移動部２２（図３（ａ）（ｂ）参照）と、を備えている。なお、図３（ａ）は本実施の形態による基板処理装置を上方から見た上方平面図であり、図３（ｂ）は当該基板処理装置を側方から見た側方図である。
　ここで、基板処理装置は、レーザ照射装置２０からレーザ光Ｌを照射させつつ、当該レーザ照射装置２０を所定の方向に沿って移動させることによって、吸着保持部１０によって保持された被処理基板６０の膜面６１の縁部６１ａ，６１ｂを処理するように構成されている（図６（ａ）（ｂ）および図７参照）。
　なお、図６（ａ）は本実施の形態の基板処理装置によって処理される縁部６１ａ，６１ｂの範囲を示した上方平面図であり、図６（ｂ）はレーザ照射装置２０の動きを示した側方図である。また、図７は本実施の形態の基板処理装置によって、膜面６１の縁部６１ａ，６１ｂを処理する態様を拡大した上方平面図である。なお、図７の符号Ｓは、レーザ照射装置２０から膜面６１の縁部６１ａ，６１ｂに照射されるレーザ光Ｌのレーザスポットを示している。
　また、吸着保持部１０は、位置決め部５ｓ，５ｌ（後述する）によって挟持された被処理基板６０を上方から吸着して保持するように構成され（図４（ａ）（ｂ）参照）、他方、位置決め部５ｓ，５ｌは、吸着保持部１０によって被処理基板６０が保持された後で、当該被処理基板６０を解放するように構成されている。
　また、図１に示すように、吸着保持部１０の上部には、当該吸着保持部１０を回転させることによって被処理基板６０を回転させる回転駆動部１５が設けられている。なお、本実施の形態では、吸着保持部１０の上部に回転駆動部１５が設けられている態様を用いて説明するが、これに限られることなく、例えば、吸着保持部１０に対して、レーザ照射装置２０とレーザ移動部２２が回転される態様を用いてもよい。
　また、図１および図３（ｂ）に示すように、レーザ照射装置２０の下端は、吸着保持部１０の上端よりも上方（端部より一方側）に位置しており、吸着保持部１０が回転駆動部１５によって回転される際でも、吸着保持部１０とレーザ照射装置２０とが衝突することが無いように構成されている。
　また、図２（ａ）に示すように、吸着保持部１０は、被処理基板６０に当接する当接部１１と、該当接部１１の面内に設けられた複数の吸着部１２と、を有している。なお、本実施の形態において、当接部１１は、金属プレート１４と、当該金属プレート１４の下面に設けられた樹脂シート１３と、を有している。
　また、図３（ａ）（ｂ）に示すように、レーザ照射装置２０およびレーザ移動部２２の上流側には、被処理基板６０を搬送する一対の搬送部１が設けられている。また、搬送部１の近傍には、被処理基板６０を搬送方向で挟持して位置決めする一対の位置決め部５ｌと、被処理基板６０を搬送方向に直交する方向で挟持して位置決めする二対の位置決め部５ｓが設けられている。
　次に、このような構成からなる本実施の形態の作用について述べる。なお、後述の説明で用いられる図８（ａ）－（ｅ）においては、図面を簡略化するため、一つのレーザ照射装置２０とレーザ移動部２２のみを示しているが、本実施の形態では、図３（ａ）のように一対のレーザ照射装置２０とレーザ移動部２２を用いている。
　まず、搬送部１によって、処理対象となる被処理基板６０が搬送される（図３（ａ）（ｂ）参照）。そして、被処理基板６０が所定の位置まで搬送されると、搬送部１が停止され、このことによって被処理基板６０の搬送が停止される。このとき、ガラス基板６２が膜面６１の上方に位置する状態になっており、搬送部１は、膜面６１のうち後述するレーザ光Ｌで除去される部分に当接している。
　次に、一対の位置決め部５ｌによって、被処理基板６０が搬送方向で挟持されて位置決めされるとともに、二対の位置決め部５ｓによって、被処理基板６０が搬送方向に直交する方向で挟持されて位置決めされる（図３（ａ）（ｂ）および図４（ａ）参照）。
　次に、吸着保持部１０によって、位置決め部５ｓ，５ｌによって挟持された被処理基板６０が上方から吸着して保持される（図４（ａ）（ｂ）参照）。そして、吸着保持部１０によって被処理基板６０が保持された後で、位置決め部５ｓ，５ｌによる位置決めから被処理基板６０が解放される。このため、被処理基板６０を吸着保持部１０によって吸着して保持する際に、被処理基板６０が吸着保持部１０に対してずれることを防止することができる。
　より具体的には、まず、位置決め部５ｓ，５ｌによって被処理基板６０の位置決めが行われ（図５（ａ）参照）、その後、被処理基板６０が解放された後で（図５（ｂ）参照）、被処理基板６０が上方から吸着して保持される（図５（ｃ）参照）態様を用いると、被処理基板６０を吸着保持部１０によって吸着して保持する際に、被処理基板６０が吸着保持部１０に対してずれる可能性がある。
　この点、本実施の形態によれば、吸着保持部１０によって被処理基板６０が保持された後で、位置決め部５ｓ，５ｌによる位置決めから被処理基板６０が解放されるので（図４（ａ）（ｂ）参照）、被処理基板６０を吸着保持部１０によって吸着して保持する際に、被処理基板６０が吸着保持部１０に対してずれることを防止することができ、ひいては、吸着保持部１０に対して被処理基板６０を正確な位置に位置決めすることができる。
　上述のようにして吸着保持部１０によって被処理基板６０が保持されると、吸着保持部１０によって、被処理基板６０が、レーザ加工位置まで搬送される（図３（ｂ）参照）。
　次に、レーザ移動部２２によって、レーザ照射装置２０が水平方向に移動される（図６（ａ）（ｂ）および図８（ａ）（ｂ）参照）。そして、このとき、レーザ照射装置２０からレーザ光Ｌが照射されることとなる。このように、レーザ照射装置２０からレーザ光Ｌを照射させつつ、当該レーザ照射装置２０をＸ方向（所定の方向）に沿って移動させることによって、被処理基板６０の膜面６１の一の縁部６１ａが処理される。
　このときのレーザ照射装置２０の動きは、本実施の形態では、Ｘ方向に沿って移動した後、Ｙ方向の正方向（Ｘ方向に直交する方向であって被処理基板６０の内方）に移動し、その後、Ｘ方向に沿った方向であって先程とは逆方向に移動するようになっている（図７および図８（ａ）（ｂ）参照）。なお、このような動きを適宜繰り返すことによって、被処理基板６０の一の縁部６１ａを所望の範囲で処理することができる。
　上述のようにして、被処理基板６０の一の縁部６１ａが処理されると、回転駆動部１５によって被処理基板６０が回転され（図８（ｃ）参照）、その後、再び、レーザ照射装置２０からレーザ光Ｌが照射されつつ、レーザ照射装置２０がＸ方向に沿って移動し、被処理基板６０の他の縁部６１ｂが処理される（図８（ｄ）（ｅ）参照）。このため、レーザ照射装置２０の移動距離を極力短くすることができ、処理効率を向上させることができる。
　より具体的には、回転駆動部１５によって被処理基板６０が回転されないものを用いた場合には、図９の矢印Ａ１～Ａ８で示すように、レーザ照射装置２０を移動させなければならず、レーザ照射装置２０の移動距離が長くなってしまい、処理効率が悪くなってしまう。
　これに対して、本実施の形態によれば、回転駆動部１５によって被処理基板６０が回転させるので、レーザ照射装置２０の移動距離を極力短くすることができ、処理効率を向上させることができる（図８（ａ）―（ｅ）参照）。
　また、本実施の形態によれば、吸着保持部１０によって、ガラス基板６２が膜面６１の上方に位置する状態で、被処理基板６０のガラス基板６２が上方から吸着して保持されるので、下方に位置する膜面６１が、（従来技術のように）ピン形状の基板支持部によって押圧されることがない。さらに、本実施の形態によれば、ガラス基板６２のうちレーザ光Ｌが透過される部分以外の広い範囲を吸着保持部１０によって保持することができるので、被処理基板６０が撓むことを確実に防止することができる。
　これらのことより、本実施の形態によれば、膜面６１に悪影響を及ぼすことなく、被処理基板６０が撓むことを確実に防止することができ、ひいては、膜面６１の処理精度を高くすることができる。
　すなわち、従来技術によれば、（大型化する）被処理基板６０が撓むことを防止するには、多数のピン形状の基板支持部によって膜面６１を支持する必要があるので、膜面６１に悪影響が出てしまう可能性が高くなる。他方、膜面６１に悪影響が出るのを防止するために、膜面６１のうちレーザ光Ｌで除去される部分（狭い範囲）だけを支持した場合には、被処理基板６０が大きく撓んでしまうこととなる。
　これに対して、本実施の形態によれば、ガラス基板６２が膜面６１の上方に位置する状態で、被処理基板６０のガラス基板６２が上方から吸着して保持され、かつ、ガラス基板６２のうちレーザ光Ｌが透過される部分以外を吸着保持部１０によって保持することができるので（図８（ｂ）（ｅ）参照）、膜面６１に悪影響を及ぼすことなく、被処理基板６０が撓むことを確実に防止することができる。
　なお、本実施の形態では、レーザ照射装置２０の下端が、吸着保持部１０の上端よりも上方に位置しており（図１および図３（ｂ）参照）、吸着保持部１０が回転駆動部１５によって回転される際でも、吸着保持部１０とレーザ照射装置２０とが衝突することが無いように構成されているので、吸着保持部１０の水平方向の大きさを極力大きくすることができ、被処理基板６０が撓むことをより確実に防止することができる。
　また、当接部１１が、金属プレート１４と、当該金属プレート１４の下面に設けられた樹脂シート１３と、を有しているので（図２（ａ）参照）、剛性の高い金属プレート１４によって吸着保持部１０自体が撓むことを防止することができ、かつ、樹脂シート１３によって被処理基板６０にキズが付いたり、回転時に被処理基板６０がずれたりすることを防止することができる。
　より具体的には、図２（ｂ）に示すように、当接部１１が、金属プレート１４を有さず、樹脂部材１３’のみからなる場合には、樹脂シート１３によって被処理基板６０にキズが付いたり、回転時に被処理基板６０がずれたりすることを防止することはできるものの、吸着保持部１０自体が撓んでしまう可能性がある。
　これに対して、本実施の形態では、図２（ａ）に示すように、当接部１１が、金属プレート１４を有するとともに、当該金属プレート１４の下面に設けられた樹脂シート１３も有しているので、剛性の高い金属プレート１４によって吸着保持部１０自体が撓むことを防止することができ、かつ、樹脂シート１３によって被処理基板６０にキズが付いたり、回転時に被処理基板６０がずれたりすることを防止することができるのである。
　以上のように、本実施の形態によれば、膜面６１に悪影響を及ぼすことなく、被処理基板６０が撓むことを確実に防止することができ、ひいては、膜面６１の処理精度を高くすることができ、さらには上述したような様々な効果を得ることができる。
　ところで、本実施の形態では、ガラス基板６２のうちレーザ光Ｌが透過される部分以外を吸着保持部１０によって保持する態様を用いて説明したが、これに限られることはなく、吸着保持部１０の少なくとも膜面６１の縁部に対応する部分がレーザ光Ｌを透過する部材からなり、吸着保持部１０がガラス基板６２の全面を保持するようにしてもよい。この場合には、被加工基板６０が撓むことをより確実に防止することができる。
　また、上記では、ガラス基板６２が上方側に位置し、吸着保持部１０によって当該ガラス基板６２を上方側から吸着保持する態様を用いて説明したが、これに限られることはなく、図１０（ａ）（ｂ）に示すように、ガラス基板６２が膜面６１の下方側に位置し、吸着保持部１０によって当該ガラス基板６２を下方側から吸着保持してもよい。
　このような構成によると、配線などの関係で被加工基板６０を搬送することが困難なため、例えば、レーザ照射装置２０が一対の搬送部１の間に配置され、当該レーザ照射装置２０が一対の搬送部１の間で移動可能となることで、膜面６１の縁部を処理することができるようにしてもよい（図１０（ａ）（ｂ）および図１１参照）。そして、この場合には、搬送部１から被加工基板６０が上方に持ち上げられ、上方に持ち上げられた被加工基板６０が回転駆動部１５によって適宜回転されることとなる。

Claims (8)

  1. 　基板と、該基板に設けられた膜面とを有する被処理基板のうち、該膜面の縁部を処理する基板処理装置において、
    　前記膜面が前記基板の他方側に位置する状態で、前記被処理基板を一方側から吸着して保持する吸着保持部と、
    　レーザ光を照射するレーザ照射装置と、
    　前記レーザ照射装置を移動させるレーザ移動部と、を備え、
    　前記レーザ照射装置からレーザ光を照射させつつ、該レーザ照射装置を移動させることによって、前記吸着保持部によって保持された前記被処理基板のうち前記膜面の縁部を処理することを特徴とする基板処理装置。
  2. 　前記被処理基板を挟持して位置決めする一対の位置決め部を、さらに備え、
    　前記吸着保持部は、前記位置決め部によって挟持された前記被処理基板を一方側から吸着して保持し、
    　前記位置決め部は、前記吸着保持部によって前記被処理基板が保持された後で、該被処理基板を解放することを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
  3. 　前記吸着保持部を回転させることによって前記被処理基板を回転させる回転駆動部を、さらに備え、
    　前記レーザ照射装置からレーザ光を照射させつつ、該レーザ照射装置を所定の方向に沿って移動させることによって、前記被処理基板の一の縁部を処理し、その後、前記回転駆動部によって前記被処理基板を回転させた後で、前記レーザ照射装置からレーザ光を照射させつつ、該レーザ照射装置を前記所定の方向に沿って移動させることによって、該被処理基板の他の縁部を処理することを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
  4. 　前記レーザ照射装置の下端は、前記吸着保持部の端部よりも一方側に位置していることを特徴とする請求項３に記載の基板処理装置。
  5. 　前記吸着保持部は、前記被処理基板に当接する当接部と、該当接部の面内に設けられた複数の吸着部と、を有し、
    　前記当接部は、金属プレートと、該金属プレートの下面に設けられた樹脂シートと、を有することを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
  6. 　基板と、該基板に設けられた膜面とを有する被処理基板のうち、該膜面の縁部を処理する基板処理方法において、
    　吸着保持部によって、前記膜面が前記基板の他方側に位置する状態で、前記被処理基板を一方側から吸着して保持する工程と、
    　レーザ照射装置からレーザ光を照射する工程と、
    　レーザ移動部によって、前記レーザ照射装置を水平方向に移動させる工程と、を備え、　前記レーザ照射装置からレーザ光を照射させつつ、該レーザ照射装置を移動させることによって、前記吸着保持部によって保持された前記被処理基板のうち前記膜面の縁部を処理することを特徴とする基板処理方法。
  7. 　位置決め部によって挟持された後で、前記被処理基板を一方側から吸着して保持する工程が行われ、その後、該位置決め部によって、該被処理基板が解放されることを特徴とする請求項６に記載の基板処理方法。
  8. 　前記レーザ照射装置からレーザ光を照射させつつ、該レーザ照射装置を所定の方向に沿って移動させることによって、前記被処理基板の一の縁部を処理し、その後、回転駆動部によって前記被処理基板を回転させた後で、前記レーザ照射装置からレーザ光を照射させつつ、該レーザ照射装置を前記所定の方向に沿って移動させることによって、該被処理基板の他の縁部を処理することを特徴とする請求項６に記載の基板処理方法。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5843292B2 (ja) * 2013-03-21 2016-01-13 株式会社日本製鋼所 アニール処理半導体基板の製造方法、走査装置およびレーザ処理装置
JP6632846B2 (ja) 2014-09-30 2020-01-22 日東電工株式会社 粘着シート

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10189515A (ja) * 1996-12-24 1998-07-21 Seiko Epson Corp 基板周縁の不要物除去方法およびその装置
JP2001345252A (ja) * 2000-05-30 2001-12-14 Hyper Photon Systens Inc レーザ切断機
JP2003197570A (ja) * 2001-12-21 2003-07-11 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板周縁処理装置および基板周縁処理方法
JP2006073909A (ja) * 2004-09-06 2006-03-16 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置
JP2006287169A (ja) * 2004-07-09 2006-10-19 Sekisui Chem Co Ltd 基材処理装置及び方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1064863A (ja) * 1996-08-21 1998-03-06 Nikon Corp 基板洗浄装置
JP4108941B2 (ja) * 2000-10-31 2008-06-25 株式会社荏原製作所 基板の把持装置、処理装置、及び把持方法
JP4554901B2 (ja) * 2003-08-12 2010-09-29 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP4546227B2 (ja) 2004-11-30 2010-09-15 Ｎｅｃエンジニアリング株式会社 膜厚抵抗測定装置
JP2006344718A (ja) * 2005-06-08 2006-12-21 Sony Corp 異物除去方法
JP4734101B2 (ja) * 2005-11-30 2011-07-27 株式会社ディスコ レーザー加工装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10189515A (ja) * 1996-12-24 1998-07-21 Seiko Epson Corp 基板周縁の不要物除去方法およびその装置
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JP2003197570A (ja) * 2001-12-21 2003-07-11 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板周縁処理装置および基板周縁処理方法
JP2006287169A (ja) * 2004-07-09 2006-10-19 Sekisui Chem Co Ltd 基材処理装置及び方法
JP2006073909A (ja) * 2004-09-06 2006-03-16 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置

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