WO2010053149A1 - 基板処理装置 - Google Patents

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processing
solvent
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宏展 百武
山下　浩司
真吾 上塘
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Tokyo Electron Ltd
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    • H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
    • H10P72/0402—Apparatus for fluid treatment

Definitions

  • the present invention relates to a substrate processing apparatus for performing processing such as etching, cleaning, and drying on a substrate such as a semiconductor component or a flat display.
  • a substrate processing apparatus for performing various processes such as etching, cleaning, and drying on a substrate such as a semiconductor wafer or a liquid crystal substrate has been used.
  • a substrate processing unit for processing the semiconductor wafer as a substrate and isopropyl alcohol (a processing fluid for drying the substrate)
  • the IPA vapor is sprayed onto the substrate to dissolve the IPA in the water droplets adhering to the surface of the substrate and separate the substrate from the water droplets, thereby drying the substrate. Thereafter, the exhaust gas discharged from the substrate processing unit was gas-liquid separated in the drain processing unit, and the IPA dissolved in water was discarded as waste liquid, while the gaseous exhaust was discharged to the outside through the exhaust equipment.
  • the exhaust gas discharged from the substrate processing unit was gas-liquid separated in the drain processing unit, and the IPA dissolved in water was discarded as waste liquid, while the gaseous exhaust was discharged to the outside through the exhaust equipment.
  • a drain processing unit that separates and removes moisture from the exhaust discharged from the substrate processing unit is provided, so that the processing fluid (IPA) dissolved in water is a waste liquid.
  • the processing fluid (IPA) that exists as a gas without being dissolved in water was sent to the exhaust system as it was.
  • the processing fluid flows into the exhaust facility provided for processing the exhaust, and the exhaust facility is contaminated with the processing fluid, or the processing fluid needs to be separately processed in the exhaust facility.
  • the load on the exhaust equipment was increasing.
  • the present invention includes a substrate processing unit for processing a substrate, a processing fluid supply unit for supplying a processing fluid for processing the substrate to the substrate processing unit, and an exhaust gas containing the processing fluid discharged from the substrate processing unit.
  • the substrate processing apparatus further includes an exhaust processing section that includes a spray nozzle that sprays a solvent that dissolves the processing fluid toward the exhaust, and reduces the concentration of the processing fluid in the exhaust.
  • the present invention is the substrate processing apparatus, wherein the spray nozzle has a first spray nozzle that sprays the solvent in a direction orthogonal to the flow of the exhaust gas flowing into the exhaust processing unit. is there.
  • the spray nozzle further includes a second spray nozzle that sprays the solvent in a direction parallel to the flow of the exhaust with respect to the exhaust flowing into the exhaust processing unit. Device.
  • the present invention is the substrate processing apparatus, wherein the exhaust processing unit includes a porous dispersion plate for dispersing the exhaust.
  • the present invention is the substrate processing apparatus, wherein the spray nozzle sprays at least a part of the solvent toward the dispersion plate.
  • the present invention is the substrate processing apparatus, wherein the spray nozzle is disposed in the vicinity of an exhaust inlet through which exhaust flows into the exhaust processing section.
  • the exhaust treatment section is provided on the downstream side of the exhaust treatment flow path, the exhaust treatment flow path for spraying the solvent from the spray nozzle toward the inflowing exhaust, and from below. It is a substrate processing apparatus characterized by having an exhaust ascending channel for flowing exhaust upward.
  • the present invention is a substrate processing apparatus characterized in that a gas-liquid separation filter is provided in the exhaust ascending flow path.
  • the cross-sectional area of the exhaust gas rising flow path is larger than the cross-sectional area of the exhaust gas processing flow path, and the flow velocity of the exhaust gas flowing through the exhaust gas processing flow path is set to the flow velocity of the exhaust gas flowing through the exhaust gas processing flow path.
  • the substrate processing apparatus is characterized by being slower than the above.
  • the present invention is a substrate processing apparatus using an organic solvent vapor or mist as the processing fluid.
  • the present invention is a substrate processing apparatus using water as the solvent.
  • the exhaust fluid connected to the substrate processing apparatus can reduce the concentration of the processing fluid in the exhaust by spraying the solvent that dissolves the processing fluid from the spray nozzle toward the exhaust discharged from the substrate processing unit.
  • the processing fluid flowing into the exhaust gas can be reduced, and the burden on the exhaust equipment can be reduced.
  • FIG. 1 is a plan view showing a substrate processing apparatus.
  • FIG. 2 is a schematic view showing a substrate cleaning / drying apparatus.
  • FIG. 3 is a front cross-sectional view showing an exhaust treatment unit.
  • FIG. 4 is a plan cross-sectional view showing an exhaust treatment unit.
  • FIG. 5 is a side cross-sectional view showing the exhaust processing section.
  • a substrate processing apparatus 1 includes a carrier loading / unloading unit 4 that loads and unloads a carrier 3 that houses a plurality of semiconductor wafers (hereinafter referred to as “substrate 2”), and a carrier 3.
  • a substrate loading / unloading unit 5 for loading and unloading the substrate 2 and a substrate processing unit 6 for cleaning and drying the substrate 2 are provided.
  • the carrier loading / unloading unit 4 has a carrier stage 7 on which the carrier 3 is placed.
  • a closed door 8 is formed on the carrier stage 7, and a carrier transport mechanism 9 and a carrier stock 10 are provided inside the door 8. And a carrier mounting table 11 are disposed.
  • the carrier 3 placed on the carrier stage 7 by the carrier carrying mechanism 9 is temporarily stored in the carrier stock 10 as necessary, and is carried into the carrier placing table 11. Yes. Further, the carrier loading / unloading unit 4 requires the carrier 3 mounted on the carrier mounting table 11, contrary to the time of loading, for the carrier 3 containing the substrate 2 processed by the substrate processing unit 6. Accordingly, the carrier is temporarily stored in the carrier stock 10 by the carrier transport mechanism 9 and is transported to the carrier stage 7.
  • the substrate loading / unloading unit 5 has a hermetic opening / closing door 12 formed between the carrier loading / unloading unit 4. Inside the opening / closing door 12, the substrate loading / unloading mechanism 13 and the start ends of the substrate conveyance mechanism 14 are provided. Is arranged.
  • the substrate carry-in / out unit 5 the substrate 2 housed in the carrier 3 placed on the carrier placing table 11 of the carrier carry-in / out unit 4 is carried into the substrate carrying mechanism 14 by the substrate carry-in / out mechanism 13, and the substrate carrying mechanism The substrate 2 is transferred to the substrate processing unit 6 by 14.
  • the substrate 2 processed by the substrate processing unit 6 is transported from the substrate processing unit 6 to the substrate carry-in / out mechanism 13 by the substrate transport mechanism 14, and also from the substrate transport mechanism 14 to the carrier carry-in / out unit 4 by the substrate carry-in / out mechanism 13. It is made to carry out to the carrier 3 mounted in this carrier mounting base 11.
  • the substrate processing unit 6 is provided in a substrate cleaning / drying device 15 that performs cleaning processing and drying processing of the substrates 2 that are sequentially arranged, substrate cleaning devices 16, 17, and 18 that perform cleaning processing on the substrate 2, and a substrate transport mechanism 14. And a cleaning device 20 for cleaning the holding body 19 that holds the substrate 2, and a substrate transport mechanism 14 is disposed along these devices 15, 16, 17, 18, and 20.
  • the substrate transport mechanism 14 transports the substrate 2 from the substrate carry-in / out unit 5 to the substrate cleaning / drying device 15 and the substrate cleaning devices 16, 17, 18, and performs the cleaning processing and drying processing of the substrate 2. After that, the processed substrate 2 is transported again to the substrate carry-in / out unit 5 by the substrate transport mechanism 14.
  • the holder 19 of the substrate transport mechanism 14 is cleaned by the cleaning device 20 so that the contaminants attached to the holder 19 are not transferred to the substrate 2.
  • the substrate cleaning / drying device 15 includes a substrate processing unit 21 for performing cleaning processing and drying processing on the substrate 2, and vapor of isopropyl alcohol (IPA) as a processing fluid to the substrate processing unit 21.
  • IPA isopropyl alcohol
  • the substrate processing unit 21 includes a hollow box-shaped cleaning tank 24 having an open upper end, and an open / close lid 26 in which a hollow box-shaped drying chamber 25 having an open lower end is slidable to the left and right. It is attached so that it can be raised and lowered freely. Inside the cleaning tank 24 and the drying chamber 25, a holding body 27 for holding the substrate 2 is provided so as to be movable up and down.
  • the substrate processing unit 21 is not limited to the one that cleans and dries the substrate 2, and may be one that only cleans the substrate 2 or only dries it.
  • the substrate processing unit 21 performs the substrate cleaning process by immersing the substrate 2 held by the holding body 27 in the cleaning liquid stored in the cleaning tank 24, and then the substrate 2 is cleaned by the holding body 27. Then, the substrate 2 is dried using the IPA vapor supplied from the processing fluid supply unit 22 inside the drying chamber 25.
  • the processing fluid supply unit 22 includes an IPA vapor supply source 28 that supplies IPA vapor and a nitrogen gas supply source 29 that supplies nitrogen gas.
  • the IPA vapor supply source 28 and the nitrogen gas supply source 29 are connected to a communication pipe 30,
  • the switch 31 is connected via the switch 31.
  • a proximal end portion of the supply pipe 33 is connected to the switching device 32, and a distal end portion of the supply pipe 33 is connected to supply nozzles 34 and 34 attached to the inside of the drying chamber 25 of the substrate processing unit 21.
  • the processing fluid supply unit 22 may be anything that supplies a processing fluid for processing the substrate 2, and the processing fluid is not limited to the vapor-like IPA, but is a vapor-like, liquid-like, or mist-like organic solvent. Etc. can be used.
  • the IPA vapor supplied from the IPA vapor supply source 28 of the processing fluid supply unit 22 is supplied from the supply nozzles 34 and 34 to the inside of the drying chamber 25, and the substrate 2 is dried by the IPA vapor inside the drying chamber 25. To do.
  • the interior of the drying chamber 25 is purged with nitrogen gas supplied from the nitrogen gas supply source 29 after the drying process.
  • the exhaust processing unit 23 includes a rectangular hollow box-shaped exhaust processing chamber 36 connected to the drying chamber 25 of the substrate processing unit 21 via a discharge pipe 35.
  • the exhaust processing chamber 36 has an exhaust pipe 37 and a drain pipe 38. Is connected.
  • the exhaust pipe 37 is connected to an exhaust facility (not shown), and the drain pipe 38 is connected to a drain facility (not shown).
  • the exhaust treatment chamber 36 has an exhaust inflow port 39 to which a discharge pipe 35 is connected at the rear left side of the upper end, and an exhaust outflow port 40 to which an exhaust pipe 37 is connected to the lower right side. It has a drain outlet 41 to which a drain pipe 38 is connected. Further, partition walls 42 and 43 are provided in the vicinity of the exhaust inlet 39, the exhaust outlet 40, and the drain outlet 41, respectively.
  • an exhaust treatment flow path 44 in which exhaust flows downward from the exhaust inflow port 39 and a liquid (drainage) flowing in from the exhaust treatment flow path 44 is discharged into the drainage outlet 41.
  • a drainage flow channel 45 that flows from left to right toward the left, a gas that flows in from the exhaust treatment flow channel 44 (exhaust gas) that flows upward from below, and a gas that flows in from the exhaust gas flow channel 46 (exhaust gas) ) Is formed to flow from the top to the bottom toward the exhaust outlet 40.
  • the exhaust ascending channel 46 has a larger cross-sectional area than the exhaust processing channel 44 by separating the partition walls 42 and 43.
  • a solvent is a solvent (here pure water) which can melt
  • the exhaust treatment flow path 44 three porous dispersion plates 52, 53, and 54 are horizontally attached between the inner wall of the exhaust treatment chamber 36 and the partition wall 42 with a vertical space therebetween.
  • the dispersion plates 52, 53, 54 are formed with a plurality of rectangular through holes 55, and the positions of the through holes 55 of the upper and lower dispersion plates 52, 53, 54 are shifted from side to side.
  • the exhaust gas flowing through the exhaust treatment flow path 44 meanders.
  • the first spray nozzle 48 attached to the side of the exhaust treatment chamber 36 is attached so as to spray the solvent horizontally toward the front, and exhausts the exhaust flowing into the exhaust treatment chamber 36.
  • the solvent is sprayed in a direction perpendicular to the flow of the liquid.
  • the first spray nozzle 48 is attached in the vicinity of the dispersion plate 52 with the solvent spray direction parallel to the dispersion plate 52.
  • the second spray nozzle 49 attached to the upper part of the exhaust treatment chamber 36 is attached so as to spray the solvent downward, and is parallel to the exhaust flow with respect to the exhaust flowing into the exhaust treatment chamber 36. Spray the solvent in the correct direction. Moreover, the second spray nozzle 49 is attached at a position where the sprayed solvent intersects the solvent sprayed from the first spray nozzle 48.
  • each of the spray nozzles 48 and 49 sprays directly on the exhaust flowing in from the exhaust inlet 39, and a part of the sprayed solvent is directly applied to the uppermost (most upstream) dispersion plate 52. Sprayed on.
  • the spray nozzles 48 and 49 may be provided on the downstream side of the dispersion plates 52, 53, and 54.
  • the spray nozzles 48 and 49 may be any one that sprays a solvent, and the spray form may be conical or fan-shaped.
  • a gas-liquid separation filter 56 is attached to the exhaust ascending channel 46 between the partition walls 42 and 43, and traps moisture (particularly processing fluid) contained in the exhaust that ascends the exhaust ascending channel 46.
  • the exhaust processing unit 23 is configured as described above. Exhaust gas discharged from the substrate processing unit 21 during or after processing of the substrate 2 in the substrate processing unit 21 flows into the exhaust processing chamber 36 and is exhausted. The processing fluid contained in the exhaust gas is dissolved by the solvent sprayed from the spray nozzles 48 and 49 in the processing channel 44, and the discharged liquid is discharged from the drain outlet 41 through the drain channel 45. Is done. On the other hand, the exhaust gas rises in the exhaust gas rising flow path 46, passes through the gas-liquid separation filter 56, and then is exhausted to the outside through the exhaust flow path 47 from the exhaust outlet 40.
  • the processing fluid contained in the exhaust discharged from the substrate processing unit 21 is captured by the exhaust processing unit 23 with a solvent and processed as a drainage liquid.
  • the substrate processing unit 21 for processing the substrate 2 the substrate processing unit 21 for processing the substrate 2
  • the exhaust gas processing unit 23 includes spray nozzles 48 and 49 for reducing the concentration of the processing fluid in the exhaust gas toward the exhaust gas discharged from the substrate processing unit 21.
  • emission can be processed as waste liquid by the effect
  • exhaustion can be reduced. it can. For this reason, the processing fluid which flows into the exhaust equipment connected to the substrate processing apparatus 1 is reduced, and the burden on the exhaust equipment can be reduced.
  • the substrate processing apparatus 1 is provided with the first spray nozzle 48 that sprays the solvent in the direction orthogonal to the flow of the exhaust with respect to the exhaust flowing into the exhaust processing unit 23.
  • the solvent sprayed from the first spray nozzle 48 collides with the exhaust gas, and the contact between the exhaust gas and the solvent becomes good, and the processing fluid in the exhaust gas is improved by the solvent. It can be dissolved, and the treatment fluid concentration in the exhaust can be reduced.
  • the spray form of the first spray nozzle 48 is a conical shape or a fan shape
  • the solvent can be sprayed in a planar shape with respect to the exhaust gas, and the contact area between the exhaust gas and the solvent increases, resulting in efficiency.
  • the processing fluid in the exhaust can be dissolved well.
  • the substrate processing apparatus 1 is also provided with a second spray nozzle 49 for spraying the solvent toward the exhaust gas flowing into the exhaust processing unit 23 in a direction parallel to the exhaust flow.
  • the solvent sprayed from the second spray nozzle 49 flows along the flow of the exhaust, and the contact between the exhaust and the solvent becomes good, and the solvent is exhausted by the solvent.
  • the treatment fluid can be dissolved well, and the treatment fluid concentration in the exhaust can be reduced.
  • the spray form of the second spray nozzle 49 is a conical shape or a fan shape
  • the solvent can be sprayed in a planar shape with respect to the exhaust gas, and the contact area between the exhaust gas and the solvent increases, resulting in efficiency.
  • the processing fluid in the exhaust can be dissolved well.
  • the solvent sprayed from the second spray nozzle 49 intersects with the solvent sprayed from the first spray nozzle 48, the solvent can be brought into contact with the exhaust gas at a high density.
  • the processing fluid in the exhaust can be efficiently dissolved.
  • the spray form of the second spray nozzle 49 is conical, the area intersecting with the solvent sprayed from the first spray nozzle 48 increases, and the processing fluid in the exhaust can be dissolved more efficiently. .
  • the spray nozzles 48 and 49 are arranged in the vicinity of the exhaust inlet 39 through which the exhaust flows into the exhaust processing unit 23.
  • the solvent can be sprayed intensively before the exhaust gas flowing into the exhaust gas processing unit 23 is dispersed. Also by this, the contact between the exhaust and the solvent becomes good, the processing fluid in the exhaust can be dissolved well by the solvent, and the concentration of the processing fluid in the exhaust can be reduced.
  • porous dispersion plates 52, 53, and 54 for dispersing the exhaust are provided inside the exhaust processing unit 23.
  • the exhaust gas is dispersed by the dispersion plates 52, 53, and 54, so that the contact area between the exhaust gas and the solvent increases. Also by this, the contact between the exhaust and the solvent becomes good, the processing fluid in the exhaust can be dissolved well by the solvent, and the concentration of the processing fluid in the exhaust can be reduced.
  • the substrate processing apparatus 1 is configured to spray at least part of the solvent from the spray nozzles 48 and 49 toward the dispersion plates 52, 53 and 54.
  • the exhaust gas directly contacts the solvent when passing through the dispersion plates 52, 53, and 54. Also by this, the contact between the exhaust and the solvent becomes good, the processing fluid in the exhaust can be dissolved well by the solvent, and the concentration of the processing fluid in the exhaust can be reduced.
  • the spray direction of the solvent from the first spray nozzle 48 is parallel to the dispersion plate 52 and the first spray nozzle 48 and the dispersion plate 52 are arranged close to each other, the first spray is performed.
  • the solvent sprayed from the nozzle 48 can be favorably sprayed on the dispersion plate 52, the contact area between the exhaust gas and the solvent on the dispersion plate 52 can be increased, and the processing fluid can be dissolved more favorably.
  • the spray form of the first spray nozzle 48 is conical, the solvent can be sprayed over the entire dispersion plate 52, and the processing fluid in the exhaust can be dissolved more efficiently.
  • an exhaust ascending channel 46 for flowing exhaust from below to above is provided on the downstream side of the exhaust processing channel 44 for spraying the solvent from the spray nozzles 48 and 49 toward the inflowing exhaust.
  • An exhaust processing unit 23 is formed.
  • the cross-sectional area of the exhaust ascending channel 46 is made larger than the cross-sectional area of the exhaust process channel 44, and the flow rate of the exhaust gas flowing through the exhaust ascending channel 46 flows through the exhaust processing channel 44. It is designed to be slower than the exhaust flow rate.
  • the substrate processing apparatus 1 configured as described above, it takes a long time for the exhaust gas to rise through the exhaust gas rising flow path 46, and more mist-like waste liquid can be dropped, and this also reduces the concentration of the processing fluid in the exhaust gas. Can be reduced.

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Abstract

排気中の処理流体濃度を低減させ、基板処理装置に接続した排気設備へ流れ込む処理流体が低減し、排気設備への負担を軽減させること。 基板処理装置（１）は、基板（２）を処理するための基板処理部（２１）と、基板（２）を処理する処理流体を基板処理部（２１）に供給するための処理流体供給部（２２）と、基板処理部（２１）より排出された処理流体を含む排気が流入する排気処理部（２３）とを備えている。排気処理部（２３）は、排気に向けて処理流体を溶解する溶媒を噴霧する噴霧ノズル（４８、４９）を有し、このことによって排気中の処理流体濃度を低減させる。また、前記排気処理部（２３）は、内部に排気を分散させるための多孔状の分散板（５２、５３、５４）を有している。

Description

基板処理装置
　本発明は、半導体部品やフラットディスプレイなどの基板に対してエッチングや洗浄や乾燥などの処理を行うための基板処理装置に関するものである。
　従来より、半導体部品やフラットディスプレイなどの製造には、半導体ウエハや液晶基板などの基板に対してエッチングや洗浄や乾燥などの各種の処理を施すための基板処理装置が用いられている。
　たとえば、半導体ウエハの洗浄を行った後に半導体ウエハの表面の乾燥を行う基板処理装置では、基板としての半導体ウエハを処理するための基板処理部と、基板を乾燥処理する処理流体としてのイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）の蒸気を基板処理部に供給するための処理流体供給部と、基板処理部から排出された排気中の水分を分離除去するドレイン処理部とを備えている。
　そして、従来の基板処理装置では、ＩＰＡの蒸気を基板に噴霧することで基板の表面に付着した水滴中にＩＰＡが溶解して基板と水滴とを剥離させることによって基板の乾燥処理を行なう。その後、基板処理部から排出された排気に対してドレイン処理部において気液分離し、水中に溶解したＩＰＡを廃液として廃棄する一方、気体状の排気を排気設備を介して外部に排出していた（たとえば、特許文献１参照。）。
特開２００２－１１０６２１号公報
　ところが、上記従来の基板処理装置では、基板処理部から排出された排気に対して水分の分離除去を行うドレイン処理部が設けられていただけであるため、水中に溶解した処理流体（ＩＰＡ）は廃液として処理されるものの、水中に溶解することなく気体として存在する処理流体（ＩＰＡ）はそのまま排気設備に送られていた。
　そのため、従来の基板処理装置では、排気を処理するために設けられた排気設備に処理流体が流れ込み、排気設備が処理流体で汚染されてしまったり、排気設備で処理流体を別途処理する必要があり、排気設備への負荷が増大していた。
　本発明は、基板を処理するための基板処理部と、基板を処理する処理流体を基板処理部に供給するための処理流体供給部と、基板処理部より排出された処理流体を含む排気が流入し、この排気に向けて処理流体を溶解する溶媒を噴霧する噴霧ノズルを含み、排気中の処理流体濃度を低減させるための排気処理部と、備えたことを特徴とする基板処理装置である。
　本発明は、前記噴霧ノズルは、排気処理部に流入する排気に対して排気の流れと直交する向きに向けて前記溶媒を噴霧する第１の噴霧ノズルを有することを特徴とする基板処理装置である。
　本発明は、前記噴霧ノズルは、記排気処理部に流入する排気に対して排気の流れと平行な向きに向けて前記溶媒を噴霧する第２の噴霧ノズルを更に有することを特徴とする基板処理装置である。
　本発明は、前記排気処理部は、排気を分散させるための多孔状の分散板を有することを特徴とする基板処理装置である。
　本発明は、前記噴霧ノズルは、分散板に向けて前記溶媒の少なくとも一部を噴霧することを特徴とする基板処理装置である。
　本発明は、前記噴霧ノズルは、排気処理部に排気が流入する排気流入口の近傍に配置されることを特徴とする基板処理装置である。
　本発明は、前記排気処理部は、排気が流入され、この流入する排気に向けて前記噴霧ノズルから溶媒を噴霧する排気処理流路と、この排気処理流路の下流側に設けられ、下方から上方に向けて排気を流す排気上昇流路とを有することを特徴とする基板処理装置である。
　本発明は、前記排気上昇流路に気液分離フィルターを設けたことを特徴とする基板処理装置である。
　本発明は、前記排気上昇流路の断面積は、前記排気処理流路の断面積よりも大きくなっており、前記排気上昇流路を流れる排気の流速を前記排気処理流路を流れる排気の流速よりも遅くしたことを特徴とする基板処理装置である。
　本発明は、前記処理流体として有機溶剤の蒸気又はミストを用いることを特徴とする基板処理装置である。
　本発明は、前記溶媒として水を用いることを特徴とする基板処理装置である。
　本発明では、噴霧ノズルから処理流体を溶解する溶媒を基板処理部より排出された排気に向けて噴霧することによって排気中の処理流体濃度を低減させることができ、基板処理装置に接続した排気設備へ流れ込む処理流体が低減し、排気設備への負担を軽減させることができる。
図１は基板処理装置を示す平面図。 図２は基板洗浄乾燥装置を示す模式図。 図３は排気処理部を示す正面断面図。 図４は排気処理部を示す平面断面図。 図５は排気処理部を示す側面断面図。
　以下に、本発明の具体的な実施例について、半導体ウエハ（基板）の洗浄処理や乾燥処理を施す基板処理装置を例に挙げて図面を参照しながら説明する。
　図１に示すように、基板処理装置１は、複数枚の半導体ウエハ（以下、「基板２」という。）を収容したキャリア３の搬入及び搬出を行うキャリア搬入出ユニット４と、キャリア３に収容された基板２の搬入及び搬出を行う基板搬入出ユニット５と、基板２の洗浄処理及び乾燥処理を行う基板処理ユニット６とを備えている。
　キャリア搬入出ユニット４は、キャリア３を載置するキャリアステージ７を有し、このキャリアステージ７に密閉状の開閉扉８が形成され、この開閉扉８の内側にキャリア搬送機構９とキャリアストック１０とキャリア載置台１１とが配設されている。
　そして、キャリア搬入出ユニット４では、キャリア搬送機構９によってキャリアステージ７に載置されたキャリア３を必要に応じてキャリアストック１０に一時的に保管するとともに、キャリア載置台１１に搬入するようにしている。また、キャリア搬入出ユニット４では、基板処理ユニット６で処理が完了した基板２が収容されたキャリア３に対し、搬入時とは逆に、キャリア載置台１１に載置されたキャリア３を必要に応じてキャリア搬送機構９によってキャリアストック１０に一時的に保管するとともに、キャリアステージ７に搬出するようにしている。
　基板搬入出ユニット５は、キャリア搬入出ユニット４との間に形成された密閉状の開閉扉１２を有し、この開閉扉１２の内側に基板搬入出機構１３と基板搬送機構１４の始端部とが配設されている。
　そして、基板搬入出ユニット５では、キャリア搬入出ユニット４のキャリア載置台１１に載置したキャリア３に収容された基板２を基板搬入出機構１３によって基板搬送機構１４に搬入するとともに、基板搬送機構１４によって基板処理ユニット６に基板２を搬送する。一方、基板処理ユニット６で処理が完了した基板２を基板搬送機構１４によって基板処理ユニット６から基板搬入出機構１３に搬送するとともに、基板搬入出機構１３によって基板搬送機構１４からキャリア搬入出ユニット４のキャリア載置台１１に載置したキャリア３に搬出するようにしている。
　基板処理ユニット６は、順次配置された基板２の洗浄処理及び乾燥処理を行う基板洗浄乾燥装置１５と、基板２の洗浄処理を行う基板洗浄装置１６，１７，１８と、基板搬送機構１４に設けた基板２を保持する保持体１９の洗浄を行う洗浄装置２０とを有し、これら各装置１５，１６，１７，１８，２０に沿って基板搬送機構１４が配設されている。
　そして、基板処理ユニット６では、基板搬送機構１４によって基板搬入出ユニット５から基板２を基板洗浄乾燥装置１５や基板洗浄装置１６，１７，１８に搬送して、基板２の洗浄処理や乾燥処理を行い、その後、処理後の基板２を基板搬送機構１４によって基板搬入出ユニット５へ再び搬送するようにしている。
　また、基板処理ユニット６では、基板搬送機構１４の保持体１９を洗浄装置２０で洗浄して、保持体１９に付着した汚染物質が基板２に転写しないようにしている。
　次に、本発明の要部となる基板洗浄乾燥装置１５の構成について説明する。
　基板洗浄乾燥装置１５は、図２に示すように、基板２に対して洗浄処理及び乾燥処理を施すための基板処理部２１と、基板処理部２１に処理流体としてのイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）の蒸気を供給するための処理流体供給部２２と、基板処理部２１から排出された排気を処理するための排気処理部２３とを有している。
　基板処理部２１は、上端を開口した中空箱型状の洗浄槽２４を有し、この洗浄槽２４の上部に下端を開口した中空箱型状の乾燥室２５が左右にスライド自在の開閉蓋２６を介して昇降自在に取付けられている。洗浄槽２４及び乾燥室２５の内部に、基板２を保持する保持体２７が昇降自在に設けられている。なお、基板処理部２１としては、基板２の洗浄及び乾燥を行うものに限られず、基板２の洗浄のみを行うものや乾燥のみを行うものであってもよい。
　そして、基板処理部２１では、洗浄槽２４の内部に貯留した洗浄液に保持体２７で保持した基板２を浸漬させることで基板の洗浄処理を行い、その後、保持体２７で基板２を洗浄槽２４から乾燥室２５に移動させ、乾燥室２５の内部で処理流体供給部２２から供給されたＩＰＡ蒸気を用いて基板２の乾燥処理を行うようにしている。
　処理流体供給部２２は、ＩＰＡ蒸気を供給するＩＰＡ蒸気供給源２８と窒素ガスを供給する窒素ガス供給源２９とを有し、ＩＰＡ蒸気供給源２８と窒素ガス供給源２９は、連通管３０，３１を介して切換器３２に接続されている。切換器３２に供給管３３の基端部が接続され、供給管３３の先端部は基板処理部２１の乾燥室２５の内部に取付けた供給ノズル３４，３４に接続されている。処理流体供給部２２としては、基板２を処理するための処理流体を供給するものであればよく、処理流体としては、蒸気状のＩＰＡに限られず、蒸気状や液体状やミスト状の有機溶剤などを用いることができる。
　そして、処理流体供給部２２のＩＰＡ蒸気供給源２８から供給されたＩＰＡ蒸気は、供給ノズル３４，３４から乾燥室２５の内部に供給され、乾燥室２５の内部でＩＰＡ蒸気によって基板２を乾燥処理する。乾燥処理後に窒素ガス供給源２９から供給された窒素ガスで乾燥室２５の内部がパージされる。
　排気処理部２３は、基板処理部２１の乾燥室２５に排出管３５を介して接続された矩形中空箱型状の排気処理室３６を有し、排気処理室３６に排気管３７と排水管３８が接続されている。排気管３７は排気設備（図示省略）に接続され、排水管３８は排水設備（図示省略）に接続されている。
　排気処理室３６は、図３～図５に示すように、上端左側後部に排出管３５が接続された排気流入口３９を有し、右下部に排気管３７が接続された排気流出口４０と排水管３８が接続された排水流出口４１とを有している。また排気流入口３９と排気流出口４０及び排水流出口４１の近傍に仕切壁４２，４３がそれぞれ設けられている。
　これにより、排気処理室３６には、内部に、排気流入口３９から下方に向けて排気が流れる排気処理流路４４と、排気処理流路４４から流入する液体（排液）が排水流出口４１に向けて左から右向きに流れる排水流路４５と、排気処理流路４４から流入する気体（排気）が下から上向きに流れる排気上昇流路４６と、排気上昇流路４６から流入する気体（排気）が排気流出口４０に向けて上から下向きに流れる排気流路４７とが形成される。なお、仕切壁４２，４３の間隔をあけることによって排気上昇流路４６のほうが排気処理流路４４よりも断面積が広くなるようにしている。
　そして、排気処理流路４４に、排気流入口３９の近傍位置に２個の第１及び第２の噴霧ノズル４８，４９が取付けられている。各噴霧ノズル４８，４９に溶媒供給源５０が連通管５１を介して接続され、排気流入口３９から排気処理室３６の内部に流入する排気に向けて各噴霧ノズル４８，４９から溶媒を噴霧するようにしている。なお、溶媒とは、基板処理部２１で基板２を処理するために使用される処理流体（ここでは、ＩＰＡ）を溶解することができる溶媒（ここでは、純水）である。
　また、排気処理流路４４には、排気処理室３６の内壁と仕切壁４２との間に３枚の多孔状の分散板５２，５３，５４が上下に間隔をあけて水平に取付けられている。この分散板５２，５３，５４には、複数の矩形状の貫通孔５５が形成されており、しかも、上下の分散板５２，５３，５４の貫通孔５５は、その位置が左右にずらして配置され、排気処理流路４４を流れる排気が蛇行するようにしている。
　ここで、排気処理室３６の側部に取付けた第１の噴霧ノズル４８は、前方に向けて水平に溶媒を噴霧するように取付けられており、排気処理室３６に流入する排気に対して排気の流れと直交する向きに向けて溶媒を噴霧する。しかも、第１の噴霧ノズル４８は、溶媒の噴霧方向を分散板５２と平行とし、分散板５２の近傍位置に取付けている。
　また、排気処理室３６の上部に取付けた第２の噴霧ノズル４９は、下方に向けて溶媒を噴霧するように取付けられており、排気処理室３６に流入する排気に対して排気の流れと平行な向きに向けて溶媒を噴霧する。しかも、第２の噴霧ノズル４９は、噴霧した溶媒が第１の噴霧ノズル４８から噴霧された溶媒と交差する位置に取付けている。
　また、各噴霧ノズル４８，４９は、排気流入口３９から流入する排気に直接的に噴霧するようにしており、噴霧した溶媒の一部が最上段（最も上流側）の分散板５２に直接的に噴霧される。
　なお、各噴霧ノズル４８，４９は、分散板５２，５３，５４よりも下流側に設けてもよい。また、各噴霧ノズル４８，４９は、溶媒を噴霧するものであればよく、噴霧形態は円錐形状や扇形状などのものを用いることができる。
　また、排気上昇流路４６には、仕切壁４２，４３の間に気液分離フィルター５６が取付けられ、排気上昇流路４６を上昇する排気に含有される水分（特に処理流体）を捕捉する。
　排気処理部２３は、以上に説明したように構成しており、基板処理部２１での基板２の処理中や処理後に基板処理部２１から排出された排気が排気処理室３６に流入し、排気処理流路４４において噴霧ノズル４８，４９から噴霧された溶媒によって排気中に含有される処理流体が溶解され、排液となったものは排水流路４５を通って排水流出口４１から外部に排水される。一方、排気は排気上昇流路４６を上昇し、気液分離フィルター５６を通過し、その後、排気流路４７を通って排気流出口４０から外部に排気される。
　そのため、基板処理部２１から排出された排気中に含有される処理流体は、排気処理部２３で溶媒によって捕捉されて排液として処理されることになり、排気中に含有される処理流体の濃度を低減させることができる。なお、基板処理部２１から液体となって排出される処理流体は、そのまま排液として排水流出口４１から排出される。
　このように、上記基板処理装置１では、基板２を処理するための基板処理部２１と、基板２を処理する処理流体を基板処理部２１に供給するための処理流体供給部２２と、処理流体を溶解する溶媒を基板処理部２１より排出された排気に向けて噴霧ノズル４８，４９を含み排気中の処理流体濃度を低減させるための排気処理部２３とを有する。
　そのため、上記基板処理装置１では、噴霧ノズル４８，４９から噴霧した溶媒の作用によって排出中に含有された処理流体を排液として処理することができ、排気中の処理流体濃度を低減させることができる。このため基板処理装置１に接続した排気設備へ流れ込む処理流体が低減し、排気設備への負担を軽減させることができる。
　しかも、上記基板処理装置１では、排気処理部２３に流入する排気に対して排気の流れと直交する向きに向けて溶媒を噴霧する第１の噴霧ノズル４８を設けている。
　上記構成の基板処理装置１では、第１の噴霧ノズル４８から噴霧した溶媒が排気と衝突することになり、排気と溶媒との接触が良好なものとなり、溶媒によって排気中の処理流体を良好に溶解させることができ、排気中の処理流体濃度を低減させることができる。特に、第１の噴霧ノズル４８の噴霧形態を円錐形状や扇形状とした場合には、排気に対して溶媒を面状に噴霧することができ、排気と溶媒との接触面積が増大して効率良く排気中の処理流体を溶解することができる。
　さらに、上記基板処理装置１では、排気処理部２３に流入する排気に対して排気の流れと平行な向きに向けて溶媒を噴霧する第２の噴霧ノズル４９も設けている。
　そのため、上記構成の基板処理装置１では、第２の噴霧ノズル４９から噴霧した溶媒が排気の流れに沿って流れることになり、排気と溶媒との接触が良好なものとなり、溶媒によって排気中の処理流体を良好に溶解させることができ、排気中の処理流体濃度を低減させることができる。特に、第２の噴霧ノズル４９の噴霧形態を円錐形状や扇形状とした場合には、排気に対して溶媒を面状に噴霧することができ、排気と溶媒との接触面積が増大して効率良く排気中の処理流体を溶解することができる。また、第２の噴霧ノズル４９から噴霧する溶媒を第１の噴霧ノズル４８から噴霧された溶媒と交差させた場合には、排気に対して溶媒を高密度で接触させることができ、これによっても効率良く排気中の処理流体を溶解することができる。この場合、第２の噴霧ノズル４９の噴霧形態を円錐形状としたほうが第１の噴霧ノズル４８から噴霧される溶媒と交差する面積が増大しより効率良く排気中の処理流体を溶解することができる。
　また、上記基板処理装置１では、排気処理部２３に排気が流入する排気流入口３９の近傍に噴霧ノズル４８，４９が配置されている。
　そのため、上記構成の基板処理装置１では、排気処理部２３に流入した排気が分散する前に集中的に溶媒を噴霧することができる。これによっても排気と溶媒との接触が良好なものとなり、溶媒によって排気中の処理流体を良好に溶解させることができ、排気中の処理流体濃度を低減させることができる。
　また、上記基板処理装置１では、排気処理部２３の内部に排気を分散させるための多孔状の分散板５２，５３，５４を設けている。
　そのため、上記構成の基板処理装置１では、排気が分散板５２，５３，５４によって分散することによって排気と溶媒との接触面積が増大する。これによっても排気と溶媒との接触が良好なものとなり、溶媒によって排気中の処理流体を良好に溶解させることができ、排気中の処理流体濃度を低減させることができる。
　また、上記基板処理装置１では、噴霧ノズル４８，４９から分散板５２，５３，５４に向けて溶媒の少なくとも一部を噴霧するように構成している。
　そのため、上記構成の基板処理装置１では、排気が分散板５２，５３，５４を通過するときに溶媒と直接的に接触する。これによっても排気と溶媒との接触が良好なものとなり、溶媒によって排気中の処理流体を良好に溶解させることができ、排気中の処理流体濃度を低減させることができる。特に、第１の噴霧ノズル４８からの溶媒の噴霧方向と分散板５２とを平行とするとともに、第１の噴霧ノズル４８と分散板５２とを近接して配置した場合には、第１の噴霧ノズル４８から噴霧した溶媒を分散板５２に良好に噴霧することができ、分散板５２での排気と溶媒との接触面積が増大し、処理流体をより一層良好に溶解させることができる。この場合、第１の噴霧ノズル４８の噴霧形態を円錐形状としたほうが分散板５２の全体にわたって溶媒を噴霧することができ、より効率良く排気中の処理流体を溶解することができる。
　また、上記基板処理装置１では、流入する排気に向けて噴霧ノズル４８，４９から溶媒を噴霧する排気処理流路４４の下流側に、下方から上方に向けて排気を流す排気上昇流路４６を排気処理部２３に形成されている。
　そのため、上記構成の基板処理装置１では、排気処理流路４４で処理された後の排気中に霧状の排液が含有されていても、排気上昇流路４６を通って上昇する際に水分の重量の作用で霧状の排液が落下して排水として処理されることになり、これによっても排気中の処理流体濃度を低減させることができる。
　さらに、上記基板処理装置１では、排気上昇流路４６の断面積を排気処理流路４４の断面積よりも大きくして、排気上昇流路４６を流れる排気の流速を排気処理流路４４を流れる排気の流速よりも遅くなるようにしている。
　そのため、上記構成の基板処理装置１では、排気が排気上昇流路４６を上昇する時間が長くなり、霧状の排液をより多く落下させることができ、これによっても排気中の処理流体濃度を低減させることができる。
　１　基板処理装置　　　　　　　　　　　２　基板
　３　キャリア　　　　　　　　　　　　　４　キャリア搬入出ユニット
　５　基板搬入出ユニット　　　　　　　　６　基板処理ユニット
　７　キャリアステージ　　　　　　　　　８　開閉扉
　９　キャリア搬送機構　　　　　　　　　１０　キャリアストック
　１１　キャリア載置台　　　　　　　　　　１２　開閉扉
　１３　基板搬入出機構　　　　　　　　　　１４　基板搬送機構
　１５　基板洗浄乾燥装置　　　　　　　　　１６，１７，１８　基板洗浄装置
　１９　保持体　　　　　　　　　　　　　　２０　洗浄装置
　２１　基板処理部　　　　　　　　　　　　２２　処理流体供給部
　２３　排気処理部　　　　　　　　　　　　２４　洗浄槽
　２５　乾燥室　　　　　　　　　　　　　　２６　開閉蓋
　２７　保持体　　　　　　　　　　　　　　２８　ＩＰＡ蒸気供給源
　２９　窒素ガス供給源　　　　　　　　　　３０，３１　連通管
　３２　切換器　　　　　　　　　　　　　　３３　供給管
　３４　供給ノズル　　　　　　　　　　　　３５　排出管
　３６　排気処理室　　　　　　　　　　　　３７　排気管
　３８　排水管　　　　　　　　　　　　　　３９　排気流入口
　４０　排気流出口　　　　　　　　　　　　４１　排水流出口
　４２，４３　仕切壁　　　　　　　　　　　　　４４　排気処理流路
　４５　排水流路　　　　　　　　　　　　　４６　排気上昇流路
　４７　排気流路　　　　　　　　　　　　　４８，４９　噴霧ノズル
　５０　溶媒供給源　　　　　　　　　　　　５１　連通管
　５２，５３，５４　分散板　　　　　　　　　　　５５　貫通孔
　５６　気液分離フィルター

Claims (11)

  1. 　基板を処理するための基板処理部と、
    　基板を処理する処理流体を基板処理部に供給するための処理流体供給部と、
    　基板処理部より排出された処理流体を含む排気が流入し、この排気に向けて処理流体を溶解する溶媒を噴霧する噴霧ノズルを含み、排気中の処理流体濃度を低減させるための排気処理部と、
    を備えたことを特徴とする基板処理装置。
  2. 　前記噴霧ノズルは、排気処理部に流入する排気に対して排気の流れと直交する向きに向けて前記溶媒を噴霧する第１の噴霧ノズルを有することを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
  3. 　前記噴霧ノズルは、記排気処理部に流入する排気に対して排気の流れと平行な向きに向けて前記溶媒を噴霧する第２の噴霧ノズルを更に有することを特徴とする請求項２に記載の基板処理装置。
  4. 　前記排気処理部は、排気を分散させるための多孔状の分散板を有することを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
  5. 　前記噴霧ノズルは、分散板に向けて前記溶媒の少なくとも一部を噴霧することを特徴とする請求項４に記載の基板処理装置。
  6. 　前記噴霧ノズルは、排気処理部に排気が流入する排気流入口の近傍に配置されることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
  7. 　前記排気処理部は、排気が流入され、この流入する排気に向けて前記噴霧ノズルから溶媒を噴霧する排気処理流路と、この排気処理流路の下流側に設けられ、下方から上方に向けて排気を流す排気上昇流路とを有することを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
  8. 　前記排気上昇流路に気液分離フィルターを設けたことを特徴とする請求項７に記載の基板処理装置。
  9. 　前記排気上昇流路の断面積は、前記排気処理流路の断面積よりも大きくなっており、前記排気上昇流路を流れる排気の流速を前記排気処理流路を流れる排気の流速よりも遅くしたことを特徴とする請求項７に記載の基板処理装置。
  10. 　前記処理流体として有機溶剤の蒸気又はミストを用いることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
  11. 　前記溶媒として水を用いることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
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