WO2010041633A1 - シミュレーション方法及びシミュレーション装置 - Google Patents

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soi
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道子 三浦
倫夫 貞近
隼太 楠
隆樹 吉田
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国立大学法人広島大学
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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    • G06F30/367—Design verification, e.g. using simulation, simulation program with integrated circuit emphasis [SPICE], direct methods or relaxation methods
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices

Definitions

  • the present invention relates to a simulation method and a simulation apparatus for performing device design and circuit simulation of SOI-MOSFET.
  • SOI-MOSFETs that form MOSFETs on SOI (silicon-on-insulator) substrates have been used as techniques for increasing the speed and power consumption of CMOS-LSIs.
  • FIGS. 1A and 1B show cross-sectional configurations of the bulk-MOSFET and the SOI-MOSFET.
  • 11 is a semiconductor substrate (also called a bulk in the case of SOI-MOSFET)
  • 12 is a buried oxide film (BOX)
  • 13 is a silicon layer (SOI layer)
  • 14 is A source region, 15 a drain region, 16 a channel region, 17 a gate oxide film (FOX: front-oxide in SOI-MOSFET), and 18 a gate electrode.
  • BOX buried oxide film
  • FOX gate oxide film
  • the stray capacitance is smaller than that of the bulk-MOSFET, so that switching delay can be reduced and leakage current to the semiconductor substrate 11 can also be reduced. it can.
  • This SOI-MOSFET is classified into three types, a fully depleted type, a partially depleted type, and a non-completely depleted type, depending on the thickness of the silicon layer (SOI layer).
  • the non-fully depleted SOI-MOSFET exhibits characteristics similar to a bulk-MOSFET because the depletion layer in the SOI layer 13 does not reach the buried oxide film 12 under normal voltage conditions.
  • the partially depleted SOI-MOSFET only the depletion layer at the drain end of the SOI layer 13 reaches the buried oxide film 12 under normal voltage conditions.
  • the fully depleted SOI-MOSFET the entire SOI layer 13 is depleted under normal voltage conditions, and exhibits the most different characteristics from the bulk-MOSFET.
  • HiSIM Hiroshima-Univ. STARC IGFET Model
  • the operation from the weak inversion to the strong inversion of the MOSFET is derived from the surface potential using a single equation (diffusion-drift equation) to calculate the surface charge and obtain the current.
  • diffusion-drift equation a single equation
  • the measured values can be reproduced very well by relatively simple calculations.
  • the HiSIM is also a bulk-MOSFET model, when it is applied to an SOI-MOSFET, stability and accuracy are reduced.
  • SOI-MOSFETs have a large degree of structural freedom, and in order to optimize the structure of SOI-MOSFETs, this equation must be solved stably for all structures. This is because the potential distribution determines the device characteristics. However, it is not easy to solve the Poisson equation stably by iterative calculation.
  • the initial solution derivation procedure is as follows (a) to (d).
  • the SOI layer is divided into a partially depleted (PD) state or a fully depleted (FD) state, and the analytical solution of the surface potential ⁇ s0.bulk of the bulk layer is determined in each case. Derived for this. This analytical solution is used as an initial solution for the next iterative calculation (c).
  • the surface potential ⁇ s0.bulk of the bulk layer is obtained by solving the Newton method (one variable). In solving, the following two Poisson equations of SOI are added together to use equation (1) in which the back surface potential ⁇ b0.SOI of the SOI layer is eliminated.
  • the capacitance C SOI of the SOI layer and the surface potential ⁇ s0.bulk of the bulk layer are respectively expressed by the following equations.
  • the FD state and the PD state are divided into the FD state if the SOI layer depletion layer width W d.SOI is larger than the SOI layer thickness t SOI , and the PD state if it is smaller.
  • the depletion layer width W d.SOI can be expressed by the following equation.
  • ⁇ s0.bulk ⁇ s0.bulk_iniA ( ⁇ s0.bulk_iniA ⁇ 2 ⁇ B.bulk )
  • ⁇ s0.bulk Smoothing between ⁇ s0.bulk_iniA and ⁇ s0.bulk_iniB ( ⁇ s0.bulk_iniA > 2 ⁇ B.bulk )
  • ⁇ s0.bulk_iniA is the initial value of the surface potential when the bulk is depleted
  • ⁇ s0.bulk_iniB is the initial value of the surface potential when the bulk is inverted
  • ⁇ B.bulk is the difference between the intrinsic Fermi level and the Fermi level. It is a difference.
  • a 1 and A 2 are as follows:
  • ⁇ s0.bulk_FD_iniB is as follows .
  • a 5 and A 6 are respectively represented by the following equations.
  • a 7 and A 8 are respectively represented by the following equations.
  • ⁇ s0.bulk n + 1 is as follows.
  • a bias A may be applied to the substrate as shown in the following equation.
  • the simulation is performed with the simulation device using the initial solution obtained as described above and the analytical expression.
  • the simulation apparatus includes an input device 21 including, for example, a keyboard, an operation panel, a voice input device, or various data reading devices, a processing device 22 that performs various processes, and a storage device such as a semiconductor memory or a hard disk. 23, and an output device 24 such as a monitor, a printer, and a recording device.
  • the processing device 22 includes a control device 22-1 such as a CPU and an arithmetic device 22-2 such as an ALU.
  • the control device 22-1 includes an input device 21, an arithmetic device 22-2, a storage device 23, and an output device. Operations such as 24 are controlled.
  • a program describing an SOI-MOSFET model parameter stored in the storage device 23, an analytical expression for calculating the SOI layer surface potential ⁇ s0.SOI, and a bulk layer surface potential ⁇ s0.bulk. And a program describing an analytical expression for calculating the potential ⁇ b0.SOI of the back surface of the SOI layer are transferred to the arithmetic unit 22-2 under the control of the control unit 22-1 and described above.
  • the initial solution is derived in accordance with the functional equations such as [Equation 1] to [Equation 33].
  • the initial solution of the surface potential ⁇ s0.SOI of the SOI layer is derived using the analytical formula of HiSIM2 (STEP 4), and the analytical solution of the surface potential ⁇ s0.bulk of the bulk layer when the SOI layer is in the PD state is derived.
  • the analytical solution of the surface potential ⁇ s0.bulk of the bulk layer when the SOI layer is in the PD state is derived.
  • an analytical solution of the surface potential ⁇ s0.bulk of the bulk layer when the SOI layer is in the FD state is derived (STEP 6).
  • the surface potential ⁇ s0.SOI of the SOI layer obtained in STEP 4 and the bulk layer surface potential ⁇ s0.bulk obtained in STEP 5 and 6 is used as the initial value.
  • the surface potential ⁇ s0.bulk of the bulk layer is used. Is obtained by iterative calculation (STEP 7).
  • the surface potential ⁇ s0.bulk of the bulk layer obtained in STEP 7 is determined according to a program describing an analytical expression for calculating the potential ⁇ b0.SOI of the back surface of the SOI layer stored in the storage device 23.
  • the potential ⁇ b0.SOI on the back surface of the SOI layer is obtained by an analytical expression (STEP 8).
  • the surface potential ⁇ s0.SOI (hereinafter referred to as ⁇ 1 ) of the SOI layer as the initial solution and the potential ⁇ of the back surface of the SOI layer in the SOI-MOSFET structure b0.SOI (hereinafter referred to as ⁇ 2 ) and the surface potential ⁇ s0.bulk (hereinafter referred to as ⁇ 3 ) of the bulk layer can be obtained.
  • the gate oxide film thickness t FOX , the SOI layer thickness t SOI , the bulk impurity concentration N sub.bulk , the SOI layer impurity concentration N sub.SOI and the like are input from the input device 21.
  • Device parameters for SOI-MOSFET, model parameters, and potentials ⁇ 1 , ⁇ 2 , and ⁇ 3 as initial solutions are input and stored in the storage device 23 (STEPs 11 and 12).
  • the expressions (A), (B), and (C) are not limited to this, and are expressed by different expressions or different analytical expressions.
  • V gp is a value obtained by subtracting the flat band voltage from the gate-source voltage
  • Q s0.bulk is the bulk charge amount
  • Q n is the inversion charge amount on the SOI surface
  • Q dep.SOI is the SOI layer.
  • C BOX is the BOX charge capacity
  • C FOX is the gate oxide charge capacity.
  • C SOI is ⁇ si / t SOI
  • ⁇ si is the dielectric constant of silicon
  • t SOI is the thickness of the SOI layer.
  • the surface potential ⁇ 3 of the bulk layer may be determined. That is, it is attributed to obtaining a solution of simultaneous equations of three variables. In the process of obtaining these solutions by a computer, it is necessary to perform an iterative calculation of three variables by the Newton method.
  • STEP14 is executed.
  • E is nothing but to make iterative calculation.
  • the equation (E) is input from a predetermined input device of the computer system as a three-variable iterative calculation program and stored in the storage device.
  • initial values of the surface potential ⁇ 1 of the SOI layer, the potential ⁇ 2 of the back surface of the SOI layer, and the surface potential ⁇ 3 of the bulk layer are input from a predetermined input device of the computer system and stored in the storage device. Let These are stored in an external storage device or the like as a predetermined storage device in the stored program execution type computer system, and loaded into an execution storage device such as a RAM at the time of execution.
  • Step 15 16 From STEP11 to STEP14, the iterative calculation program and the initial value at the time of execution of the program are stored in the external storage device or the like, so these are loaded into the RAM or the like at an arbitrary timing and are sequentially or in parallel by the CPU or the like. Can be executed automatically.
  • the execution termination condition is when the corrected difference amount ⁇ reaches a predetermined threshold in the calculation process. If the corrected difference amount ⁇ has not reached the threshold value, control is transferred to STEP 13 and the above operation is repeated.
  • the SOI layer surface potential ⁇ 1 obtained as the initial value, the back surface potential ⁇ 2 of the SOI layer, and the surface potential ⁇ 3 of the bulk layer are obtained.
  • the surface potential ⁇ 1 of the layer, the potential ⁇ 2 of the back surface of the SOI layer, and the surface potential ⁇ 3 of the bulk layer can be obtained.
  • STEP 17 In the above STEP 14, when the corrected differential amount ⁇ reaches a threshold value, the potential phi 1, phi 2, device characteristics of the SOI-MOSFET based on phi 3 (solutions of iterative calculation), for example a current, capacity, etc. are determined. Device characteristics refer to the current and capacitance between the gate, source, and drain terminals of the MOSFET, and the current and capacitance between these terminals and the bulk.
  • the potential value obtained in the first embodiment can be used as an initial value, and more accurate and multi-variable can be simulated at high speed.
  • FIG. 6 is a characteristic diagram showing the relationship between the surface potential of the SOI layer, the back surface potential of the SOI layer, the surface potential of the bulk layer, and the gate-source voltage in a two-dimensional device simulator (2D-Device) model.
  • 2D-Device two-dimensional device simulator
  • the advantages or effects of HiSIM-SOI over the 2D model are as follows.
  • the device structure is divided by a mesh, and Poisson's equation and current continuity equation are connected to each node and numerically solved.
  • the amount of calculation inevitably increases, and the number of nodes that can be processed by the computer is limited. Therefore, the 2D device simulator cannot simulate a large-scale circuit, and a circuit simulation of about several transistors is practically limited.
  • the calculation time becomes long.
  • the device characteristics of the SOI-MOSFET can be simulated stably and with high accuracy. Moreover, since the model has been developed using the structural parameters of the MOSFET, it is possible to easily cope with the difference in structure.
  • the SOI-MOSFET can be designed and manufactured by reflecting the MOSFET model and simulation results in the device design and adjusting various device parameters and setting voltages in the MOSFET.
  • FIG. 11 shows a third embodiment and shows a method for obtaining circuit characteristics.
  • FIG. 12 shows a fourth embodiment and shows a method for specifying device parameters.
  • the potentials ⁇ 1 , ⁇ 2 , and ⁇ 3 are calculated according to the flowchart shown in FIG. 5 (STEP 32), and the device characteristics of the SOI-MOSFET, such as the current and capacitance between the terminals, are calculated (STEP 33).
  • the device parameter is changed, and the processing of STEPs 31 to 33 is repeated again.
  • the device parameters are changed, for example, by changing the gate oxide film thickness, the SOI layer thickness, the bulk impurity concentration, the SOI layer impurity concentration, and the like.
  • the calculation process is ended (STEP 35).
  • device parameters corresponding to the requested device characteristics can be obtained.
  • a simulation method and a simulation apparatus capable of simulating device characteristics of an SOI-MOSFET stably and with high accuracy can be obtained.
  • the structure of SOI-MOSFET has a large degree of freedom, the structure can be determined by the simulation of the present invention, and at the same time, the circuit characteristics can be evaluated. For this reason, development cost can be reduced. In addition, the demand for SOI-MOSFETs is great, and the present invention can be applied to various applications.
  • the present invention is not limited to the first to fourth embodiments described above, and various modifications can be made without departing from the spirit of the invention.
  • the simulation method and the simulation apparatus using only the SOI-MOSFET model have been described as an example.
  • a flag is set for calculating the potential required only for the SOI-MOSFET, and the bulk-MOSFET and the SOI- Both MOSFETs can be handled. Therefore, it is possible to simulate a circuit in which bulk-MOSFET and SOI-MOSFET are mixed.
  • the first to fourth embodiments include inventions at various stages, and various inventions can be extracted by appropriately combining a plurality of disclosed constituent elements. For example, even if some constituent elements are deleted from all the constituent elements shown in the first to fourth embodiments, at least one of the problems described in the column of problems to be solved by the invention can be solved, and the effect of the invention In the case where at least one of the effects described in the column is obtained, a configuration in which this configuration requirement is deleted can be extracted as an invention.
  • the present invention can be applied to device design of SOI-MOSFETs and circuit simulations using SOI-MOSFETs.

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Abstract

　記憶装置に記憶した数式とデバイスパラメータとに基づいて演算装置で演算を行って、シリコン層における表面ポテンシャルを算出する（ＳＴＥＰ４）。同様に、シリコン層が部分空乏状態にあるとき、及び完全空乏状態にあるときの埋め込み酸化膜下におけるバルク層の表面ポテンシャルをそれぞれ算出し（ＳＴＥＰ５，６）、算出したシリコン層における表面ポテンシャルと、算出したバルク層における表面ポテンシャルと、記憶装置に記憶した数式とに基づいて演算装置で演算を行い、バルク層における表面ポテンシャルを反復計算によって求める（ＳＴＥＰ７）。そして、反復計算によって求めたバルク層における表面ポテンシャルと、記憶装置に記憶した数式とに基づいて演算装置で演算を行い、シリコン層における裏面のポテンシャルを算出する（ＳＴＥＰ８）。

Description

シミュレーション方法及びシミュレーション装置
　本発明は、ＳＯＩ－ＭＯＳＦＥＴのデバイス設計や回路シミュレーションを行うためのシミュレーション方法及びシミュレーション装置に関する。
　近年、携帯機器の増加に伴い、高速且つ低消費電力なデバイスへの要求がますます高まっている。このような要求に応えて、ＣＭＯＳ ＬＳＩの高速化と低消費電力化を図る技術として、ＳＯＩ（silicon on insulator）基板にＭＯＳＦＥＴを形成する、いわゆるＳＯＩ－ＭＯＳＦＥＴが使われるようになっている。
　ＳＯＩ－ＭＯＳＦＥＴは、ｂｕｌｋ－ＭＯＳＦＥＴ（通常のＭＯＳＦＥＴ）のチャネル領域の下に、ＢＯＸ（buried oxide）と呼ばれる埋め込み酸化膜を形成し、この埋め込み酸化膜上の薄いシリコン層中にチャネルを形成するものである。
　図１（ａ），（ｂ）は、上記ｂｕｌｋ－ＭＯＳＦＥＴとＳＯＩ－ＭＯＳＦＥＴの断面構成を示している。図１（ａ），（ｂ）において、１１は半導体基板（ＳＯＩ－ＭＯＳＦＥＴの場合はバルク（bulk）とも呼ばれる）、１２は埋め込み酸化膜（ＢＯＸ）、１３はシリコン層（ＳＯＩ層）、１４はソース領域、１５はドレイン領域、１６はチャネル領域、１７はゲート酸化膜（ＳＯＩ－ＭＯＳＦＥＴではＦＯＸ：front oxide）、１８はゲート電極である。
　ＳＯＩ－ＭＯＳＦＥＴは、チャネル領域１６下に埋め込み酸化膜１２を設けたことにより、ｂｕｌｋ－ＭＯＳＦＥＴに比べて浮遊容量が小さくなるのでスイッチング遅延を低減でき、半導体基板１１へのリーク電流も減少させることができる。
　このＳＯＩ－ＭＯＳＦＥＴは、上記シリコン層（ＳＯＩ層）の厚さにより完全空乏型、部分空乏型、非完全空乏型の三つの種類に分けられる。非完全空乏型ＳＯＩ－ＭＯＳＦＥＴは、通常の電圧条件下でＳＯＩ層１３中の空乏層が埋め込み酸化膜１２に届いておらず、ｂｕｌｋ－ＭＯＳＦＥＴと近い特性を示す。部分空乏型ＳＯＩ－ＭＯＳＦＥＴは、通常の電圧条件下でＳＯＩ層１３のドレイン端の空乏層のみが埋め込み酸化膜１２に届いている。完全空乏型ＳＯＩ－ＭＯＳＦＥＴは、通常の電圧条件下でＳＯＩ層１３全体が空乏化しており、ｂｕｌｋ－ＭＯＳＦＥＴとは最も異なった特性を示す。
　上記完全空乏型ＳＯＩ－ＭＯＳＦＥＴは、次のような長所を備えている。
　（１）チャネルが形成されるシリコン層が薄いことから、ゲート電極下の深い部分のリーク電流を抑えられる。
　（２）ＳＯＩ層が空乏状態にあるとき、ゲート容量が小さいのでサブスレッショルドスイング（sub-threshold swing）が小さくなる。
　（３）しきい値電圧の基板電圧依存性が小さいため飽和電流が大きい。
　（４）ソース、ドレイン領域（拡散層）と基板との間に絶縁体が設けられているので、接合容量が小さい。
　このように完全空乏型ＳＯＩ－ＭＯＳＦＥＴは、高速で低消費電力なデバイスであり、広範囲な応用が期待されている。そして、この完全空乏型ＳＯＩ－ＭＯＳＦＥＴの長所を生かす回路設計を可能にするために、いくつかの回路シミュレーションモデルが開発されている。既存の主なモデルとしては、例えば非特許文献１に記載されているＢＳＩＭ（Berkeley short-channel IGFET model-SOI）や、非特許文献２に記載されているＵＦＳＩＭ（University of Florida SOI）が知られている。これらのモデルは、寄生バイポーラ効果や生成・再結合電流のようなＳＯＩ－ＭＯＳＦＥＴに特有の重要な特長が盛り込まれている。また、部分空乏状態から完全空乏状態への滑らかな遷移も考慮されている。
　しかしながら、これらのモデルは、ｂｕｌｋ－ＭＯＳＦＥＴモデルの拡張として開発されているため、回路シミュレーションにおいて非収束の問題が解決できていない。この収束の問題は電荷保存則の侵害に起因すると考えられる。
　ところで、ＨｉＳＩＭ（Hiroshima-Univ. STARC IGFET Model）では、ＭＯＳＦＥＴの弱反転から強反転までの動作を単一式（拡散－ドリフト式）により表面ポテンシャルを導いて表面電荷を算出し、電流を求める手法を採用している（例えば非特許文献３参照）。この手法より得られたＭＯＳＦＥＴの電圧－電流特性は、比較的簡単な計算で実測値を極めて良く再現できる。しかし、ＨｉＳＩＭもまたｂｕｌｋ－ＭＯＳＦＥＴモデルであるため、ＳＯＩ－ＭＯＳＦＥＴに適用すると安定性と精度の低下を招く。
　すなわち、ＳＯＩ－ＭＯＳＦＥＴは、図２のポテンシャル図に示すように、バルクとＢＯＸとの界面ＢＢ、ＢＯＸとＳＯＩ層との界面ＢＳ、ＳＯＩ層とＦＯＸとの界面ＳＦにそれぞれポテンシャルφs0.bulk、φb0.SOI、φs0.SOIが発生する。なお、図２において、Ｑbulkは単位面積あたりのバルク中の電荷、ＱSOIは単位面積あたりのＳＯＩ層中の電荷、φSOIはＳＯＩ層でのポテンシャル変化、Ｖgsはゲート・ソース間電圧、Ｖfbはフラットバンド（flat-band）電圧である。
　上記ポテンシャルφs0.bulk、φb0.SOI、φs0.SOIは、容量結合によってＨｉＳＩＭのｂｕｌｋ－ＭＯＳＦＥＴモデルで用いるソース、ドレイン領域端の表面ポテンシャルを変動させ、安定性低下や精度低下の要因となる。従って、ＨｉＳＩＭをＳＯＩ－ＭＯＳＦＥＴ構造をカバーできるモデルに拡張し、安定且つ高精度にシミュレートできるシミュレーション方法とシミュレーション装置が望まれている。
Samuel K. H. Fung, Pin Su, and Chenming Hu, "Present Status and Future Direction of BSIM SOI Model for High-Performance/Low-Power/RF Application" in proc. Model. Simul. Microsysst, 2002, pp.690-693. S. Veeratoghavan and J. G. Fogsum. "A physical short-channel model for the thin-film SOI MOSFET applicable to the device and circuit CAD." IEEE Trans. Electron Devices, Vol.35. no.11, pp.1866-1875, Nov.1988. M. Miura-Mattausch, N. Sadachika, D. Navarro, G. Suzuki, Y. Takeda, M. Miyake, T. Warabino, Y. Mizukane, R. Inagaki, T. Ezaki, H. J. Mattausch, T. Ohguro, T. Iizuka, M. Taguchi, S. Kumashiro, and S. Miyamoto, "HiSIM2:Advanced MOSFET Model Valid for RF Circuit Simulation," IEEE Trans. Electron Devices, vol. 53, p. 1994. 2006.
　本発明は、ＳＯＩ－ＭＯＳＦＥＴのデバイス特性を安定且つ高精度にシミュレートできるシミュレーション方法及びシミュレーション装置を提供することである。
　本発明の一態様によると、埋め込み酸化膜上のシリコン層中にソース領域及びドレイン領域を離隔して形成し、これらソース、ドレイン領域間のチャネル領域上にゲート絶縁膜を介在してゲート電極を形成したトランジスタのデバイス特性をシミュレートするシミュレーション方法において、前記トランジスタの特性を示すデータの一表現形式である数式を入力装置から入力して記憶装置に記憶させるステップと、前記トランジスタのデバイスパラメータを前記入力装置から入力して前記記憶装置に記憶させるステップと、前記記憶装置に記憶した数式とデバイスパラメータとに基づいて演算装置で演算を行って、前記シリコン層における表面ポテンシャルの第１の値を算出するステップと、前記記憶装置に記憶した数式とデバイスパラメータに基づいて前記演算装置で演算を行って、前記シリコン層が部分空乏状態にあるとき及び前記シリコン層が完全空乏状態にあるときの前記埋め込み酸化膜下におけるバルク層の表面ポテンシャルの第１の値をそれぞれ算出するステップと、算出した前記シリコン層における表面ポテンシャルの第１の値と、算出した前記バルク層における表面ポテンシャルの第１の値と、前記記憶装置に記憶した数式とに基づいて前記演算装置で演算を行い、前記バルク層における表面ポテンシャルの第２の値を反復計算によって求めるステップと、前記反復計算によって求めたバルク層における表面ポテンシャルの第２の値と、前記記憶装置に記憶した数式とに基づいて前記演算装置で演算を行い、前記シリコン層における裏面のポテンシャルの第１の値を算出するステップとを具備するシミュレーション方法が提供される。
　また、上記シミュレーション方法における各ステップを実行してトランジスタのデバイス特性をシミュレートするシミュレーション装置が提供される。
図１は、ｂｕｌｋ－ＭＯＳＦＥＴとＳＯＩ－ＭＯＳＦＥＴの断面構成を示す模式図。 図２は、ＳＯＩ－ＭＯＳＦＥＴのポテンシャルについて説明するための図。 図３は、本発明の第１の実施形態に係るシミュレーション装置の概略構成を示すブロック図。 図４は、本発明の第１の実施形態に係るシミュレーション方法を示すフローチャート。 図５は、本発明の第２の実施形態に係るシミュレーション方法を示すフローチャート。 図６は、二次元デバイスシミュレータ（2D-Device）モデルにおけるＳＯＩ層の表面ポテンシャル、ＳＯＩ層の裏面ポテンシャル及びバルク層の表面ポテンシャルとゲート・ソース間電圧との関係を示す特性図。 図７は、ＨｉＳＩＭ－ＳＯＩ（initial value）モデルにおけるＳＯＩ層の表面ポテンシャル、ＳＯＩ層の裏面ポテンシャル及びバルク層の表面ポテンシャルとゲート・ソース間電圧との関係を示す特性図。 図８は、ＨｉＳＩＭ－ＳＯＩ（Newton loop）モデルにおけるＳＯＩ層の表面ポテンシャル、ＳＯＩ層の裏面ポテンシャル及びバルク層の表面ポテンシャルとゲート・ソース間電圧との関係を示す特性図。 図９は、二次元デバイスシミュレータモデルにおいてバルク・ソース間電圧を変化させたときのＳＯＩ層の表面ポテンシャル、ＳＯＩ層の裏面ポテンシャル及びバルク層の表面ポテンシャルとゲート・ソース間電圧との関係を示す特性図。 図１０は、ＨｉＳＩＭ－ＳＯＩモデルにおいてバルク・ソース間電圧を変化させたときのＳＯＩ層の表面ポテンシャル、ＳＯＩ層の裏面ポテンシャル及びバルク層の表面ポテンシャルとゲート・ソース間電圧との関係を示す特性図。 図１１は、第３の実施形態を示すものであり、デバイス特性を求めるためのフローチャート。 図１２は、第４の実施形態を示すものであり、図５の変形例を示すフローチャート。
　以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。　
　まず、本発明で用いるＳＯＩ－ＭＯＳＦＥＴモデルの概要とこのモデルに至る考察の課程について説明し、その後、このＳＯＩ－ＭＯＳＦＥＴモデルを用いた本実施形態に係るシミュレーション方法とシミュレーション装置について説明する。
　本発明の基本的な考え方は次のようなものである。
　上述したように、ＳＯＩ－ＭＯＳＦＥＴには、バルクとＢＯＸとの界面ＢＢ、ＢＯＸとＳＯＩ層との界面ＢＳ、ＳＯＩ層とＦＯＸとの界面ＳＦにそれぞれポテンシャルが存在している。これら三つの表面ポテンシャルは、ポアソン方程式によって関係づけることができる。上記三つの表面ポテンシャルを求めるためには、方程式が３本必要である。これらのポテンシャルはＳＯＩ－ＭＯＳＦＥＴの構造によって変わる。
　ＳＯＩ－ＭＯＳＦＥＴは構造的に自由度が大きく、ＳＯＩ－ＭＯＳＦＥＴの構造の最適化を行うためには、あらゆる構造に対してこの方程式を安定に解かなければならない。何故ならポテンシャル分布がデバイス特性を決定するためである。しかし、ポアソン方程式を反復計算で安定に解くのは容易ではない。
　そこで、（i）初期解の導出、（ii）ヤコビアンを用いて解く（ニュートン法）という二つの方法を採用することで常に安定な解を得る。
　初期解を導出する際には、三つの表面ポテンシャルを独立に解いていく。ＳＯＩ層の表面ポテンシャルφs0.SOIとＳＯＩ層の裏面ポテンシャルφb0.SOIは解析式で求め、バルク層の表面ポテンシャルφs0.bulkに関しては反復計算を用いて正確な値を求める。この反復計算には、例えば１変数のニュートン法を用いる。
　初期解導出の手順は下記（ａ）～（ｄ）の通りである。
　（ａ）ＳＯＩ層の表面ポテンシャルφs0.SOIの初期解には、ｂｕｌｋ－ＭＯＳＦＥＴモデルであるＨｉＳＩＭ２の初期解（解析式）を用いる。
　（ｂ）ＳＯＩ層が部分空乏（ＰＤ：partially depleted）状態にあるか完全空乏（ＦＤ：fully depleted）状態にあるかに分け、バルク層の表面ポテンシャルφs0.bulkの解析解をそれぞれの場合に対して導出する。そして、この解析解を次の（ｃ）の反復計算の初期解として用いる。
　（ｃ）上記（ａ）で求めたＳＯＩ層の表面ポテンシャルφs0.SOIと上記（ｂ）で求めたバルク層の表面ポテンシャルφs0.bulkの初期解を用いて、バルク層の表面ポテンシャルφs0.bulkを反復計算によって求める。
　（ｄ）上記（ｃ）で求めたバルク層の表面ポテンシャルφs0.bulkを用いて、ＳＯＩ層の裏面のポテンシャルφb0.SOIを解析式で求める。
　次に、具体的な初期値の計算について詳しく説明する。
　ＳＯＩ層の表面ポテンシャルφs0.SOIの初期値は、ＨｉＳＩＭ２の（バルク・ソース間電圧Ｖbs＝０Ｖの時の）チャネル内ソース端の表面ポテンシャルφs0の初期値と同様にして式を導く。
　バルク層の表面ポテンシャルφs0.bulkは、ニュートン法（１変数）を解いて求める。解く際には、ＳＯＩの下記２つのポアソン方程式を足し合わせて、ＳＯＩ層の裏面ポテンシャルφb0.SOIを消去した式（１）を用いる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000001
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000002
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000003
　ここで、ＳＯＩ層の容量ＣSOIとバルク層の表面ポテンシャルφs0.bulkはそれぞれ、次式で表される。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000004
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000005
　なお、上式においてＱs0.bulkはＦＤ状態になった後にバルクに誘起される電荷、Ｑdep.SOIはＳＯＩ層の空乏電荷、Ｖbi.SOIはＳＯＩ層とバルク層の間のビルトインポテンシャル、Ｖbsはバルク・ソース間電圧、ＣBOXは埋め込み酸化膜の容量、Ｑbulkは単位面積当たりのバルク中の電荷、εSiはシリコンの誘電率、ｔSOIはＳＯＩ層の厚さ、ｑは素電荷量、βは熱電圧の逆数、Ｎsub.bulkはバルクの不純物濃度である。
　次に、初期値の計算（１変数のニュートン法）に用いるための解析的な初期値として、（I）ＦＤ状態、（II）ＰＤ状態の場合分けを行い、それぞれの場合にバルクが（A）空乏状態、（B）反転状態の二つの場合を考える。よって、四つの状態を考えることになる。
　ＦＤ状態とＰＤ状態の場合分けは、ＳＯＩ層の空乏層幅Ｗd.SOIがＳＯＩ層の厚さｔSOIよりも大きければＦＤ状態、小さければＰＤ状態としている。
ここで、空乏層幅Ｗd.SOIは次式で表せる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000006
　なお、Ｎsub.SOIはＳＯＩ層の不純物濃度である。
　バルク表面の場合分けは、次式を基準として行なわれる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000007
φs0.bulk＝φs0.bulk_iniA（φs0.bulk_iniA＜２ΨB.bulk）
φs0.bulk＝φs0.bulk_iniAとφs0.bulk_iniBのスムージング（φs0.bulk_iniA＞２ΨB.bulk）
　ここで、φs0.bulk_iniAはバルクが空乏状態の表面ポテンシャルの初期値、φs0.bulk_iniBはバルクが反転状態の表面ポテンシャルの初期値、ΨB.bulkは真性フェルミ準位とフェルミ準位との差である。
　＜初期値計算（解析式）＞
（I.A）ＦＤ状態でバルクが空乏状態の場合
バルクに誘起される電荷Ｑs0.bulkを次式であると近似して式（１）を解く。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000008
すると、次式のようになる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000009
但し、Ａ１、Ａ２は、次式のようであり、
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000010
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000011
Ｑdep.SOIは、次式としている。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000012
（I.B）ＦＤ状態でバルクが反転状態の場合
　バルクに誘起される電荷Ｑs0.bulkを次式と近似して式（１）を解く。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000013
すると、φs0.bulk_FD_iniBは次式となる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000014
但し、Ａ３、Ａ４は、次式としている。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000015
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000016
　ここで、ｎｉは真性キャリア密度である。
（II.A）ＰＤ状態でバルクが空乏状態の場合
　ＰＤ状態では、ＳＯＩ層の表面ポテンシャルφs0.SOIが増加すると空乏層が広がっていき次の関係が成立している。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000017
Ｗd.SOI＝ｔSOIとなった時、上の関係と同時に式（１）も成り立っていると考えられる。このため、式（１）は、式（２）となる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000018
式（２）をＦＤ状態の時と同様に、次式と近似して解く。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000019
すると、次式となる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000020
但し、Ａ5，Ａ6はそれぞれ、次式としている。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000021
（II.B）ＰＤ状態でバルクが反転状態の場合
式（２）を次式と近似して解く。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000022
すると、次式となる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000023
但し、Ａ7，Ａ8はそれぞれ、次式としている。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000024
　＜初期値計算（１変数のニュートン法）＞
（２．１）ＦＤ状態の場合
式（１）より、ｆ（φｓ０．ｂｕｌｋ）を次式として、ニュートン法によりバルク層の表面ポテンシャルφs0.bulkを更新していく。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000025
すると、φs0.bulk n+1は、次式となる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000026
（２．２）ＰＤ状態の場合
式（２）より、ｆ（φｓ０．ｂｕｌｋ）を次式として、ニュートン法によりバルク層の表面ポテンシャルφs0.bulkを更新していく。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000027
すると、φs0.bulk n+1は、次式となる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000028
　＜ＳＯＩ層の表面ポテンシャルφs0.SOIの導出＞
　上述したニュートン法で求めたバルク層の表面ポテンシャルφs0.bulkを用いて、次式によりＳＯＩ層の表面ポテンシャルφs0.SOIを次式のように導出できる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000029
　＜ＦＤ状態になった時のＳＯＩ層の表面ポテンシャルφs0.SOIの補正＞
　ＳＯＩ層の空乏層幅Ｗd.SOIがＳＯＩ層の厚さｔSOIに到達すると、ＳＯＩ層表面の反転が早まる。ＦＤになった後にバルクに誘起される電荷Ｑs0.bulkは、ＢＯＸがなければ生じるはずだった空乏電荷「－ｑＮsub.SOI・（Ｗd.SOI－ｔSOI）」と比べ無視できるくらい小さいので、ここでは無視すると、空乏層幅がＳＯＩ層の厚さｔSOIに固定されたｂｕｌｋ－ＭＯＳＦＥＴと同じようなポテンシャル変化を示すと考えられる。
　ｂｕｌｋ－ＭＯＳＦＥＴで空乏層幅（＝ｔSOI）を一定に保つには、下式のように基板にＡというバイアスを加えれば良い。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000030
上式をＡについて解くと、次式となる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000031
　このバイアスＡが基板に印加されているとして、ＳＯＩ層の表面ポテンシャルの初期解φs0.SOI_iniAを解き直すと、次式となる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000032
　但し、Ｖgpはゲート・ソース間電圧からフラットバンド電圧を引いた値、ＣFOXはゲート酸化膜の容量であり、cnst0は下式で表される。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000033
　以上のようにして三つの初期解を導出することができる。
　上記のようにして求めた初期解と、解析式を用いてシミュレーション装置でシミュレーションを行う。
［第１の実施形態］
　次に、上記ＳＯＩ－ＭＯＳＦＥＴモデルを用いた、本発明の第１の実施形態に係るシミュレーション方法とシミュレーション装置について図３及び図４により説明する。図３は本発明の実施形態に係るシミュレーション装置の概略構成を示すブロック図、図４は本発明の実施形態に係るシミュレーション方法を示すフローチャートである。
　図３に示す如く、シミュレーション装置は、例えばキーボード、操作パネル、音声入力装置、或いは種々のデータ読み取り装置などからなる入力装置２１、種々の処理を行う処理装置２２、半導体メモリやハードディスクなどの記憶装置２３、及びモニタ、プリンタ及び記録装置などの出力装置２４を備えている。上記処理装置２２は、ＣＰＵなどの制御装置２２－１とＡＬＵなどの演算装置２２－２で構成され、上記制御装置２２－１で入力装置２１、演算装置２２－２、記憶装置２３及び出力装置２４などの動作が制御される。
　上記シミュレーション装置は、専用に構成しても良いし、例えばパーソナルコンピュータの各装置を対応させて実現することもできる。
　上記記憶装置２３には、トランジスタの特性を示すデータの一表現形式である数式、すなわち、上述したＨｉＳＩＭ－ＳＯＩモデルにおける各種の演算式、解析式、関係式などがプログラムとして記述され、記憶されている。例えば表面ポテンシャルモデルによるドリフト－拡散近似に基づいた式を記述したプログラム、上記ＳＯＩ－ＭＯＳＦＥＴのソース端のポテンシャルを算出する演算式を記述したプログラム、上記ＳＯＩ－ＭＯＳＦＥＴのドレイン端のポテンシャルを算出する演算式を記述したプログラム、上記ＳＯＩ－ＭＯＳＦＥＴのドレイン・ソース間電流の演算式を記述したプログラム、ＳＯＩ層の表面ポテンシャルを算出するための解析式を記述したプログラム、バルク層の表面ポテンシャルを算出するための解析式を記述したプログラム、ＳＯＩ層の裏面のポテンシャルを算出するための解析式を記述したプログラムなどが記憶されている。また、この記憶装置２３には、上記入力装置２１から入力されたデバイスパラメータやパラメータの初期値などが記憶されるとともに（予め記憶されていても良い）、演算装置２２－２による演算結果が記憶される。
　上記のような構成において、図４のフローチャートに示すように、まず、入力装置２１からゲート酸化膜厚ｔFOX、ＳＯＩ層の厚さｔSOI、バルクの不純物濃度Ｎsub.bulk、ＳＯＩ層の不純物濃度Ｎsub.SOIなどのＳＯＩ－ＭＯＳＦＥＴ用のデバイスパラメータやモデルパラメータを入力し（ＳＴＥＰ１）、ゲート・ソース間電圧Ｖgs、ドレイン・ソース間電圧Ｖds、バルク・ソース間電圧Ｖbs、フラットバンド電圧ＶfbなどのＳＯＩ－ＭＯＳＦＥＴに印加する電圧を設定する（ＳＴＥＰ２）。
　上記入力装置２１から入力されたＳＯＩ－ＭＯＳＦＥＴのモデルパラメータ、ＳＯＩ－ＭＯＳＦＥＴのゲート・ソース間電圧Ｖgs、ドレイン・ソース間電圧Ｖds、バルク・ソース間電圧Ｖbs及びフラットバンド電圧Ｖfbは、処理装置２２中の制御装置２２－１の制御により、記憶装置２３中に取り込まれて記憶される（ＳＴＥＰ３）。
　上記記憶装置２３に記憶されているＳＯＩ－ＭＯＳＦＥＴのモデルパラメータ、ＳＯＩ層の表面ポテンシャルφs0.SOIを算出するための解析式を記述したプログラム、バルク層の表面ポテンシャルφs0.bulkを算出するための解析式を記述したプログラム、ＳＯＩ層の裏面のポテンシャルφb0.SOIを算出するための解析式を記述したプログラムは、上記制御装置２２－１の制御により演算装置２２－２に転送され、前述した［数１］乃至［数３３］のような関数式にしたがって初期解の導出が行われる。
　すなわち、ＨｉＳＩＭ２の解析式を用いてＳＯＩ層の表面ポテンシャルφs0.SOIの初期解を導出し（ＳＴＥＰ４）、ＳＯＩ層がＰＤ状態にあるときのバルク層の表面ポテンシャルφs0.bulkの解析解を導出し（ＳＴＥＰ５）、ＳＯＩ層がＦＤ状態にあるときのバルク層の表面ポテンシャルφs0.bulkの解析解を導出する（ＳＴＥＰ６）。これらの初期解や解析解は、記憶装置２３に転送されて記憶される。
　上記ＳＴＥＰ４で求めたＳＯＩ層の表面ポテンシャルφs0.SOIと上記ＳＴＥＰ５，６で求めたバルク層の表面ポテンシャルφs0.bulkの解析解を初期値として用いて、バルク層の表面ポテンシャルφs0.bulkを反復計算によって求める（ＳＴＥＰ７）。
　その後、上記記憶装置２３に記憶されているＳＯＩ層の裏面のポテンシャルφb0.SOIを算出するための解析式を記述したプログラムにしたがって、上記ＳＴＥＰ７で求めたバルク層の表面ポテンシャルφs0.bulkを用いて、ＳＯＩ層の裏面のポテンシャルφb0.SOIを解析式で求める（ＳＴＥＰ８）。
　このようにしてＨｉＳＩＭをＳＯＩ－ＭＯＳＦＥＴ構造をカバーできるモデルに拡張できる。これによって、ＳＯＩ－ＭＯＳＦＥＴのデバイス特性を安定且つ高精度にシミュレートできる。
［第２の実施形態］
　上記第１の実施形態で説明したＨｉＳＩＭ－ＳＯＩによるシミュレーション方法により、ＳＯＩ－ＭＯＳＦＥＴ構造における、初期解であるＳＯＩ層の表面ポテンシャルφs0.SOI（以下φ１）と、ＳＯＩ層の裏面のポテンシャルφb0.SOI（以下φ２）と、バルク層の表面ポテンシャルφs0.bulk（以下φ３）を求めることができる。
　以下に説明する第２の実施形態は、上記のようにして求めたポテンシャルφ１、φ２、φ３の値を初期値として利用することにより、更に精度よく、かつ多変数を高速にシミュレーションするための方法である。
　以下、図５を参照して第２の実施形態に係るシミュレーション方法について説明する。なお、このシミュレーションは第１の実施形態と同様に汎用のコンピュータシステムで実行するものとする。
　まず、図４に示すシミュレーションと同様に、入力装置２１からゲート酸化膜厚ｔFOX、ＳＯＩ層の厚さｔSOI、バルクの不純物濃度Ｎsub.bulk、ＳＯＩ層の不純物濃度Ｎsub.SOIなどのＳＯＩ－ＭＯＳＦＥＴ用のデバイスパラメータ、モデルパラメータ及び初期解としてのポテンシャルφ１、φ２、φ３を入力し、記憶装置２３に記憶させる（ＳＴＥＰ１１，１２）。
　次に、計算に必要な数式、すなわちプログラムがコンピュータシステムの所定の入力装置２１から入力され、記憶装置２３に記憶される。これらは、ストアドプログラム実行型コンピュータシステムにおける所定の記憶装置としての外部記憶装置（例えば、ハードディスク）等に記憶される。このプログラムはシミュレーション実行時に、実行用記憶装置（ＲＡＭ等）にロードされ、演算装置（ＣＰＵ等）により、逐次ないし並列的に実行される（ＳＴＥＰ１３）。
　次に、その数式について説明する。
　ＳＯＩ層の表面ポテンシャルφ１、ＳＯＩ層の裏面のポテンシャルφ２、及びバルク層
の表面ポテンシャルφ３にはそれぞれ、例えば次式（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）に例示するような解析式の関係が成り立っていると仮定する。
　なお、式（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）はこれに限定することなく、別の表現や別の解析式で表されることはいうまでもない。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000034
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000035
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000036
　ここで、Ｖgpはゲート・ソース間の電圧からフラットバンド電圧を引いた値であり、Ｑs0.bulkはバルクの電荷量、ＱｎはＳＯＩ表面の反転電荷量、Ｑdep.SOIはＳＯＩ層の空乏電荷量、ＣBOXはＢＯＸの電荷容量、ＣFOXはゲート酸化膜の電荷容量である。また、ＣSOIはεsi／ｔSOIであり、εsiはシリコンの誘電率、ｔSOIはＳＯＩ層の厚さである。
　上記解析式（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）のｆ１、ｆ２、ｆ３を同時に０とするように、ＳＯＩ層の表面ポテンシャルφ１と、ＳＯＩ層の裏面のポテンシャルφ２と、バルク層の表面ポテンシャルφ３を決定すればよい。すなわち、３変数の連立方程式の解を得ることに帰する。そして、これらの解をコンピュータにより得る過程において、ニュートン法による３変数の反復計算をする必要がある。
　次に、ＳＴＥＰ１４が実行される。３変数の反復計算は、ヤコビ行列Ｊ（式（Ｄ））を用いて、各表面ポテンシャルの修正差分量δφ＝（δφ１，δφ２，δφ３）Ｔ（Ｔは転置を示す）を式（Ｅ）により反復計算をさせることに他ならない。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000037
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000038
　すなわち、当該ＳＴＥＰ１４では、式（Ｅ）を、３変数の反復計算のプログラムとしてコンピュータシステムの所定の入力装置から入力してその記憶装置に記憶させる。
　次に、ＳＯＩ層の表面ポテンシャルφ１と、ＳＯＩ層の裏面のポテンシャルφ２と、バルク層の表面ポテンシャルφ３の初期値を、コンピュータシステムの所定の入力装置から入力してその記憶装置に記憶させる。これらは、ストアドプログラム実行型コンピュータシステムでは所定の記憶装置としての外部記憶装置等に記憶され、実行時にはＲＡＭ等の実行用記憶装置にロードされる。
　なお、ＳＴＥＰ１１とＳＴＥＰ１２の処理の順序は問わない。ＳＴＥＰ１２の後にＳＴＥＰ１１を実行することも可能である。
（ＳＴＥＰ１５，１６）
　ＳＴＥＰ１１からＳＴＥＰ１４により、反復計算のプログラムと当該プラグラム実行時における初期値が外部記憶装置等に記憶されているので、これらを任意のタイミングで、ＲＡＭ等にロードし、それをＣＰＵ等により逐次ないし並列的に実行すればよい。ここで、実行の終了条件は、計算過程において修正差分量δφが所定の閾値に至った場合である。修正差分量δφが閾値に達していない場合、制御がＳＴＥＰ１３に移行され、上記動作が繰り返される。
　上記動作により、初期値として取得したＳＯＩ層の表面ポテンシャルφ１と、ＳＯＩ層の裏面のポテンシャルφ２と、バルク層の表面ポテンシャルφ３に基づいて、反復計算の解である更に精度のよいＳＯＩ層の表面ポテンシャルφ１と、ＳＯＩ層の裏面のポテンシャルφ２と、バルク層の表面ポテンシャルφ３を得ることができる。
　上記処理により得られたポテンシャルφ１、φ２、φ３　の値は、反復計算における極値に陥ることがない。なぜなら、これらの初期値において、既に相当の精度を持っているからである。
（ＳＴＥＰ１７）
　上記ＳＴＥＰ１４において、修正差分量δφが閾値に達した場合、ポテンシャルφ１、φ２、φ３（反復計算の解）に基づきＳＯＩ－ＭＯＳＦＥＴのデバイス特性、例えば電流、容量等が求められる。デバイス特性とは、ＭＯＳＦＥＴのゲート・ソース及びドレイン端子間の電流及び容量、さらにこれら端子とバルク間の電流及び容量をいう。
　また、ヤコビ行列Ｊ（式（Ｄ））を導入することで、多変数（ここでは３変数を例示するが、これに限定されない）の反復計算を、コンピュータで同時に且つ高速に実行することが可能となる。この結果、コンピュータシミュレーションにおける精度の良さと高速性を両立させることができる。
　従って、第２の実施形態によれば、上記第１の実施形態で求めたポテンシャルの値を初期値として利用し、更に精度よく、かつ多変数を高速にシミュレートできる。
　図６は、二次元デバイスシミュレータ（2D-Device）モデルにおけるＳＯＩ層の表面ポテンシャル、ＳＯＩ層の裏面ポテンシャル及びバルク層の表面ポテンシャルとゲート・ソース間電圧との関係を示す特性図である。ここでは二次元デバイスシミュレータＭＥＤＩＣＩを用いてシミュレートした結果を示している。
　図７は、ＨｉＳＩＭ－ＳＯＩ（initial value）モデルにおけるＳＯＩ層の表面ポテンシャル、ＳＯＩ層の裏面ポテンシャル及びバルク層の表面ポテンシャルとゲート・ソース間電圧との関係を示す特性図である。また、図８は、ＨｉＳＩＭ－ＳＯＩ（Newton loop）モデルにおけるＳＯＩ層の表面ポテンシャル、ＳＯＩ層の裏面ポテンシャル及びバルク層の表面ポテンシャルとゲート・ソース間電圧との関係を示す特性図である。図６乃至図８は、バルク・ソース間電圧Ｖbsが－２Ｖの時のシミュレーション結果を示している。
　図９は、二次元デバイスシミュレータ（2D-Device）モデルにおいてバルク・ソース間電圧を変化させたときのＳＯＩ層の表面ポテンシャルとゲート・ソース間電圧との関係を示す特性図である。図１０は、ＨｉＳＩＭ－ＳＯＩモデルにおいてバルク・ソース間電圧を変化させたときのＳＯＩ層の表面ポテンシャルとゲート・ソース間電圧との関係を示す特性図である。図９及び図１０では、バルク・ソース間電圧Ｖbsを０．０Ｖ、－０．５Ｖ、－１．０Ｖ、－２．０Ｖに設定している。
　すなわち、２Ｄモデルに対するＨｉＳＩＭ－ＳＯＩの優位性又は効果は以下の通りである。２Ｄデバイスシミュレータでは、デバイス構造をメッシュで区切り、各ノードに対してポアソン方程式や電流連続式を連立させて、それらを数値的に解いている。その結果、必然的に計算量が多くなり、計算機による処理可能なノード数にも限度がある。ゆえに、２Ｄデバイスシミュレータは大規模な回路についてシミュレーションできず、実質的にトランジスタ数個程度の回路シミュレーションが限界である。また多数の連立方程式を数値的に解いているため、計算時間が長くなるといった問題がある。
　一方、ＨｉＳＩＭ－ＳＯＩは、デバイスをメッシュで区切らず、解析式でデバイス特性を求めるため、計算量が２Ｄデバイスシミュレータと比べて非常に少ない。そのため、大規模な回路についてのシミュレーションを実施上好ましい処理時間内で実行できる。さらに、ＨｉＳＩＭ－ＳＯＩは、デバイス１つあたりの計算時間が２Ｄデバイスシミュレータより圧倒的に速い特徴を有している。
　従って、上記のような構成のシミュレーション装置並びにシミュレーション方法によれば、安定且つ高精度にＳＯＩ－ＭＯＳＦＥＴのデバイス特性をシミュレートできる。また、ＭＯＳＦＥＴの構造パラメータを用いてモデルが開発されているので、構造の違いにも容易に対応できる。
　よって、このＭＯＳＦＥＴモデルやシミュレーション結果を、デバイス設計に反映させてＭＯＳＦＥＴにおける種々のデバイスパラメータや設定電圧を調整することにより、ＳＯＩ－ＭＯＳＦＥＴを設計及び製造できる。
［第３の実施形態］
　本発明は、デバイスパラメータに加えて、回路図及び回路の駆動条件を入力装置２１より入力して記憶装置２３に記憶させ、この記憶装置２３に記憶されたデータを利用して回路特性を求めることができる。
　図１１は、第３の実施形態を示すものであり、回路特性を求める方法を示している。
　図１１に示すように、先ず、入力装置２１からデバイスパラメータ、回路図及び回路の駆動条件が入力され、記憶装置２３に記憶される（ＳＴＥＰ２１）。これは記憶装置２３に記憶された回路シミュレーション用プログラム（回路シミュレータ）により行われる。
　次いで、回路シミュレーション用プログラムから、ＳＯＩ－ＭＯＳＦＥＴのデバイス特性をシミュレートするプログラム（ＨｉＳＩＭ－ＳＯＩ）に、デバイスパラメータ及び印加電圧が入力される（ＳＴＥＰ２２）。
　この後、図４及び図５に示すフローチャートに従って演算が実行され、デバイス特性が求められる（ＳＴＥＰ２３）。
　ＳＴＥＰ２３で求められたデバイス特性が回路シミュレーション用プログラムに供給される（ＳＴＥＰ２４）。
　回路シミュレーション用プログラムは、供給されたデバイス特性に基づき、回路特性をシミュレートする（ＳＴＥＰ２５）。
　図３に示す装置において、上記回路特性のシミュレートに関する具体的な動作は次の通りである。入力装置２１、演算装置２２－２、出力装置２４、及び記憶装置２３は制御装置２２－１により制御される。記憶装置２３は、制御装置２２－２を制御するための命令を記述したプログラム、入力装置２１から入力されたデバイスパラメータ、回路図及び回路の駆動条件を記憶する。演算装置２２－２は、記憶装置２３に記憶されたプログラムに従ってデバイスパラメータ、回路図及び回路の駆動条件のデータに基づき、回路特性をシミュレートする。出力装置２４は、演算装置２２－２により演算された回路特性を出力する。
　上記第３の実施形態によれば、デバイスパラメータ、回路図及び回路の駆動条件を入力し、ＳＯＩ－ＭＯＳＦＥＴのデバイス特性をシミュレートするプログラム（ＨｉＳＩＭ－ＳＯＩ）及び回路シミュレーション用プログラムを用いることにより、回路特性をシミュレートすることが可能である。したがって、回路特性を高精度且つ高速にシミュレートすることが可能である。
［第４の実施形態］
　本発明は、入力するデバイスパラメータを所定のアルゴリズムで変化させ、その計算結果であるデバイス特性が要求されたデバイス特性に一致したとき、計算を終了させることにより、デバイスパラメータを特定することも可能である。
　図１２は、第４の実施形態を示すものであり、デバイスパラメータを特定する方法を示している。
　図１２に示すように、先ず、入力装置２１からＳＯＩ－ＭＯＳＦＥＴ用のデバイスパラメータ、例えばゲート酸化膜厚ｔFOX、ＳＯＩ層の厚さｔSOI、バルクの不純物濃度Ｎsub.bulk、ＳＯＩ層の不純物濃度Ｎsub.SOIなどが入力され、記憶装置２３に記憶される（ＳＴＥＰ３１）。
　この後、図５に示すフローチャートに従ってポテンシャルφ１、φ２、φ３が算出され（ＳＴＥＰ３２）、ＳＯＩ－ＭＯＳＦＥＴのデバイス特性、例えば各端子間の電流、容量などが算出される（ＳＴＥＰ３３）。
　次に、上記算出されたデバイス特性が、要求されたデバイス特性に一致するかどうか判断される（ＳＴＥＰ３４）。この結果、一致しない場合、デバイスパラメータが変更され再度ＳＴＥＰ３１～３３の処理が繰り返される。デバイスパラメータの変更は、例えばゲート酸化膜厚、ＳＯＩ層の厚さ、バルクの不純物濃度、ＳＯＩ層の不純物濃度などが変更される。
　また、算出されたデバイス特性と要求されたデバイス特性が一致したとき、上記計算処理が終了される（ＳＴＥＰ３５）。これにより要求されたデバイス特性に対応するデバイスパラメータを得ることができる。
　上記第４の実施形態によれば、デバイスパラメータを変更して高精度のポテンシャルφ１、φ２、φ３の値を算出し、この算出されたポテンシャルφ１、φ２、φ３に基づきＳＯＩ－ＭＯＳＦＥＴのデバイス特性を算出し、この算出されたデバイス特性と要求されたデバイス特性とを比較している。このため、要求されたデバイス特性に合致したＳＯＩ－ＭＯＳＦＥＴのデバイスパラメータを得ることが可能である。
　上述したように、本発明の一つの態様によれば、安定且つ高精度にＳＯＩ－ＭＯＳＦＥＴのデバイス特性をシミュレートできるシミュレーション方法及びシミュレーション装置が得られる。
　ＳＯＩ－ＭＯＳＦＥＴのデバイス構造は自由度が大きいため、本発明のシミュレーションにより構造を決定することができ、同時に回路特性の評価も可能となる。このため、開発コストを低減できる。また、ＳＯＩ－ＭＯＳＦＥＴの需要は大きく、本発明は様々の用途に向けて対応できる。
　尚、本発明は上記第１乃至第４の実施形態に限定されるものではなく、発明の要旨を逸脱しない範囲で種々変形することが可能である。例えば上記各実施形態は、ＳＯＩ－ＭＯＳＦＥＴモデルのみのシミュレーション方法及びシミュレーション装置を例に説明した。しかし、ｂｕｌｋ－ＭＯＳＦＥＴモデルとＳＯＩ－ＭＯＳＦＥＴモデルの基本部分は共通であるため、例えばＳＯＩ－ＭＯＳＦＥＴのみに必要なポテンシャルの計算にフラグを設定し、このフラグを切り替えることにより、ｂｕｌｋ－ＭＯＳＦＥＴとＳＯＩ－ＭＯＳＦＥＴの両方に対応できる。従って、ｂｕｌｋ－ＭＯＳＦＥＴとＳＯＩ－ＭＯＳＦＥＴが混在する回路のシミュレーションも可能である。
　また、上記第１乃至第４の実施形態には種々の段階の発明が含まれており、開示される複数の構成要件の適宜な組み合わせにより種々の発明が抽出され得る。例えば第１乃至第４の実施形態に示される全構成要件からいくつかの構成要件が削除されても、発明が解決しようとする課題の欄で述べた課題の少なくとも一つが解決でき、発明の効果の欄で述べられている効果の少なくとも一つが得られる場合には、この構成要件が削除された構成が発明として抽出され得る。
　本発明は、ＳＯＩ－ＭＯＳＦＥＴのデバイス設計や、ＳＯＩ－ＭＯＳＦＥＴを用いた回路のシミュレーションなどに適用が可能である。

Claims (10)

  1. 　埋め込み酸化膜上のシリコン層中にソース領域及びドレイン領域を離隔して形成し、これらソース、ドレイン領域間のチャネル領域上にゲート絶縁膜を介在してゲート電極を形成したトランジスタのデバイス特性をシミュレートするシミュレーション方法において、
    　前記トランジスタの特性を示すデータの一表現形式である数式を入力装置から入力して記憶装置に記憶させるステップと、
    　前記トランジスタのデバイスパラメータを前記入力装置から入力して前記記憶装置に記憶させるステップと、
    　前記記憶装置に記憶した数式とデバイスパラメータとに基づいて演算装置で演算を行って、前記シリコン層における表面ポテンシャルの第１の値を算出するステップと、
    　前記記憶装置に記憶した数式とデバイスパラメータに基づいて前記演算装置で演算を行って、前記シリコン層が部分空乏状態にあるとき及び前記シリコン層が完全空乏状態にあるときの前記埋め込み酸化膜下におけるバルク層の表面ポテンシャルの第１の値をそれぞれ算出するステップと、
    　算出した前記シリコン層における表面ポテンシャルの第１の値と、算出した前記バルク層における表面ポテンシャルの第１の値と、前記記憶装置に記憶した数式とに基づいて前記演算装置で演算を行い、前記バルク層における表面ポテンシャルの第２の値を反復計算によって求めるステップと、
    　前記反復計算によって求めたバルク層における表面ポテンシャルの第２の値と、前記記憶装置に記憶した数式とに基づいて前記演算装置で演算を行い、前記シリコン層における裏面のポテンシャルの第１の値を算出するステップとを具備することを特徴とするシミュレーション方法。
  2. 　前記トランジスタの特性を示すデータの一表現形式であって、前記シリコン層における表面ポテンシャルと、前記バルク層における表面ポテンシャルと、前記シリコン層における裏面のポテンシャルの関係を記述した互いに異なる第１乃至第３の数式を前記入力装置から入力して前記記憶装置に記憶させるステップと、
    　前記シリコン層における表面ポテンシャルの第１の値と、前記バルク層における表面ポテンシャルの第２の値と、前記シリコン層における裏面のポテンシャルの第１の値とを前記記憶装置に記憶させるステップと、
    　前記記憶装置に記憶させた、前記互いに異なる第１乃至第３の数式と、前記シリコン層における表面ポテンシャルの第１の値と、前記バルク層における表面ポテンシャルの第２の値と、
    　前記シリコン層における裏面のポテンシャルの第１の値とに基づいて、前記演算装置で反復演算を行い、前記シリコン層における表面ポテンシャルの第２の値と、前記バルク層における表面ポテンシャルの第３の値と、前記シリコン層における裏面のポテンシャルの第２の値を算出するステップとを更に具備することを特徴とする請求項１記載のシミュレーション方法。
  3. 　前記反復計算において、前記互いに異なる第１乃至第３の数式をヤコビアン行列の数式として前記演算装置で反復演算ステップによりを行うことを特徴とする請求項２記載のシミュレーション方法。
  4. 　前記シリコン層における表面ポテンシャルの第１の値の算出は、表面ポテンシャルに基づくｂｕｌｋ－ＭＯＳＦＥＴモデルを用いて行うことを特徴とする請求項１記載のシミュレーション方法。
  5. 　前記反復計算は、１変数のニュートン法であることを特徴とする請求項１記載のシミュレーション方法。
  6. 　前記入力装置、前記記憶装置及び前記演算装置を制御する制御装置を制御するための命令を記述したプログラムを前記記憶装置に記憶させるステップと、
    　前記入力装置からデバイスパラメータ、回路図及び回路の駆動条件を入力して前記記憶装置に記憶させるステップとを更に具備し、
    　前記制御装置の制御により、前記記憶装置に記憶したプログラムに従って、前記演算装置で算出したモデルパラメータ、回路図及び回路の駆動条件に基づいて、前記演算装置で演算し、回路特性をシミュレートすることを特徴とする請求項１記載のシミュレーション方法。
  7. 　前記請求項１若しくは請求項２記載のシミュレーション方法における各ステップを実行してトランジスタのデバイス特性をシミュレートすることを特徴とするシミュレーション装置。
  8. 　前記入力装置、前記記憶装置及び前記演算装置を制御する制御装置と、前記制御装置で制御され、前記演算装置による演算で得られるモデルパラメータを出力する出力装置とを更に具備することを特徴とする請求項７記載のシミュレーション装置。
  9. 　前記記憶装置は、前記制御装置を制御するための命令を記述したプログラムと、前記入力装置から入力したデバイスパラメータ、回路図及び回路駆動条件を更に記憶し、前記制御装置の制御により、前記プログラムに従って、前記デバイスパラメータ、回路図及び回路の駆動条件に基づいて前記演算装置で演算し、回路特性をシミュレートすることを特徴とする請求項８記載のシミュレーション装置。
  10. 　ＳＯＩ－ＭＯＳＦＥＴ用のデバイスパラメータを前記入力装置から入力して前記記憶装置に記憶させるステップと、
    　請求項２により求められた、前記シリコン層における表面ポテンシャルの第２の値と、前記バルク層における表面ポテンシャルの第３の値と、前記シリコン層における裏面のポテンシャルの第２の値に基づき、前記制御装置によりデバイス特性を算出するステップと、
    　前記制御装置により、前記算出されたデバイス特性が、要求されたデバイス特性に一致するかどうか判断するステップと、
    　前記制御装置により、前記算出されたデバイス特性と要求されたデバイス特性が一致しないと判断されたとき、前記デバイスパラメータを変更し再度前記算出するステップを繰り返し、前記算出されたデバイス特性と要求されたデバイス特性が一致したとき、前記算出するステップを終了することを特徴とする請求項２記載のシミュレーション方法。
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